JP2002266069A - ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法Info
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- JP2002266069A JP2002266069A JP2001068168A JP2001068168A JP2002266069A JP 2002266069 A JP2002266069 A JP 2002266069A JP 2001068168 A JP2001068168 A JP 2001068168A JP 2001068168 A JP2001068168 A JP 2001068168A JP 2002266069 A JP2002266069 A JP 2002266069A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉のそれぞれのメジアン
粒径比、比表面積比、嵩密度、流動性の目安となる安息
角、水分量を規定した混合粉を作製することにより、安
定して低コストで結晶粒が微細な９７％以上の高密度タ
ーゲット作製出来るようにし、さらに成膜の均一性を高
め、生産効率を上げることができる光ディスク保護膜形
成用スパッタリングターゲットの製造方法を得る。 【解決手段】 レーザー回折並びに散乱法によるＺｎＳ
粉とＳｉＯ２粉のメジアン粒径をそれぞれＡμｍ、Ｂμ
ｍとし、ＳｉＯ２の混合比をＭｍｏｌ％とした時、１０
≦Ｍ≦３０の範囲内において、Ｂ／Ａ≧０．８ｅ
０．０９Ｍ、且つ０．１μｍ≦Ｂ≦１５μｍを満たすＺ
ｎＳ粉とＳｉＯ２粉を均一に分散混合した粉を使用して
加圧焼結することを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッ
タリングターゲットの製造方法。
粒径比、比表面積比、嵩密度、流動性の目安となる安息
角、水分量を規定した混合粉を作製することにより、安
定して低コストで結晶粒が微細な９７％以上の高密度タ
ーゲット作製出来るようにし、さらに成膜の均一性を高
め、生産効率を上げることができる光ディスク保護膜形
成用スパッタリングターゲットの製造方法を得る。 【解決手段】 レーザー回折並びに散乱法によるＺｎＳ
粉とＳｉＯ２粉のメジアン粒径をそれぞれＡμｍ、Ｂμ
ｍとし、ＳｉＯ２の混合比をＭｍｏｌ％とした時、１０
≦Ｍ≦３０の範囲内において、Ｂ／Ａ≧０．８ｅ
０．０９Ｍ、且つ０．１μｍ≦Ｂ≦１５μｍを満たすＺ
ｎＳ粉とＳｉＯ２粉を均一に分散混合した粉を使用して
加圧焼結することを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッ
タリングターゲットの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
よって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーテ
ィクル（発塵）やノジュールを低減し、且つ高密度で品
質のばらつきが少なく量産性を向上させることのでき
る、特にＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜形
成に有用であるＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲ
ットの製造方法に関する。
よって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーテ
ィクル（発塵）やノジュールを低減し、且つ高密度で品
質のばらつきが少なく量産性を向上させることのでき
る、特にＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜形
成に有用であるＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲ
ットの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ヘッドを必要とせずに記録・
再生ができる高密度記録光ディスク技術が開発され、急
速に関心が高まっている。この光ディスクは再生専用
型、追記型、書き換え型の３種類に分けられるが、特に
追記型又は書き換え型で使用されている相変化方式が注
目されている。この相変化型光ディスクを用いた記録・
再生の原理を以下に簡単に説明する。相変化光ディスク
は、基板上の記録薄膜をレーザー光の照射によって加熱
昇温させ、その記録薄膜の構造に結晶学的な相変化（ア
モルファス⇔結晶）を起こさせて情報の記録・再生を行
うものであり、より具体的にはその相間の光学定数の変
化に起因する反射率の変化を検出して情報の再生を行う
ものである。
再生ができる高密度記録光ディスク技術が開発され、急
速に関心が高まっている。この光ディスクは再生専用
型、追記型、書き換え型の３種類に分けられるが、特に
追記型又は書き換え型で使用されている相変化方式が注
目されている。この相変化型光ディスクを用いた記録・
再生の原理を以下に簡単に説明する。相変化光ディスク
は、基板上の記録薄膜をレーザー光の照射によって加熱
昇温させ、その記録薄膜の構造に結晶学的な相変化（ア
モルファス⇔結晶）を起こさせて情報の記録・再生を行
うものであり、より具体的にはその相間の光学定数の変
化に起因する反射率の変化を検出して情報の再生を行う
ものである。
【０００３】上記の相変化は１〜数μｍ程度の径に絞っ
たレーザー光の照射によって行なわれる。この場合、例
えば１μｍのレーザービームが１０ｍ／ｓの線速度で通
過するとき、光ディスクのある点に光が照射される時間
は１００ｎｓであり、この時間内で上記相変化と反射率
の検出を行う必要がある。また、上記結晶学的な相変化
すなわちアモルファスと結晶との相変化を実現する上
で、溶融と急冷が光ディスクの相変化記録層だけでなく
周辺の誘電体保護層やアルミニウム合金の反射膜にも繰
返し付与されることになる。
たレーザー光の照射によって行なわれる。この場合、例
えば１μｍのレーザービームが１０ｍ／ｓの線速度で通
過するとき、光ディスクのある点に光が照射される時間
は１００ｎｓであり、この時間内で上記相変化と反射率
の検出を行う必要がある。また、上記結晶学的な相変化
すなわちアモルファスと結晶との相変化を実現する上
で、溶融と急冷が光ディスクの相変化記録層だけでなく
周辺の誘電体保護層やアルミニウム合金の反射膜にも繰
返し付与されることになる。
【０００４】このようなことから相変化光ディスクは、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録薄膜層の両側をＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ２系の高融点誘電体の保護層で挟み、さらにアルミ
ニウム合金反射膜を設けた四層構造となっている。この
なかで反射層と保護層はアモルファス部と結晶部との吸
収を増大させ反射率の差が大きい光学的機能が要求され
るほか、記録薄膜の耐湿性や熱による変形の防止機能、
さらには記録の際の熱的条件制御という機能が要求され
る（雑誌「光学」２６巻１号頁９〜１５参照）。このよ
うに、高融点誘電体の保護層は昇温と冷却による熱の繰
返しストレスに対して耐性をもち、さらにこれらの熱影
響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、か
つそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが
必要である。この意味において誘電体保護層は重要な役
割を有する。
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録薄膜層の両側をＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ２系の高融点誘電体の保護層で挟み、さらにアルミ
ニウム合金反射膜を設けた四層構造となっている。この
なかで反射層と保護層はアモルファス部と結晶部との吸
収を増大させ反射率の差が大きい光学的機能が要求され
るほか、記録薄膜の耐湿性や熱による変形の防止機能、
さらには記録の際の熱的条件制御という機能が要求され
る（雑誌「光学」２６巻１号頁９〜１５参照）。このよ
うに、高融点誘電体の保護層は昇温と冷却による熱の繰
返しストレスに対して耐性をもち、さらにこれらの熱影
響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、か
つそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが
必要である。この意味において誘電体保護層は重要な役
割を有する。
【０００５】上記誘電体保護層は、通常スパッタリング
法によって形成されている。このスパッタリング法は正
の電極と負の電極とからなるターゲットとを対向させ、
不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に
高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時
電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成さ
れ、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電
極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、こ
の飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形
成されるという原理を用いたものである。
法によって形成されている。このスパッタリング法は正
の電極と負の電極とからなるターゲットとを対向させ、
不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に
高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時
電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成さ
れ、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電
極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、こ
の飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形
成されるという原理を用いたものである。
【０００６】従来、上記保護層は可視光域での透過性や
耐熱性等を要求されるため、ＺｎＳ−ＳｉＯ２等のセラ
ミックスターゲットを用いてスパッタリングし、１００
０〜２０００Å程度の薄膜が形成されている。これらの
材料は、高周波スパッタリング（ＲＦ）装置、マグネト
ロンスパッタリング装置又はターゲット材に特殊な処理
を施してＤＣ（直流）スパッタリング装置を使用して成
膜される。ＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットの結晶粒を微細
化し、且つ高密度化することで、ターゲットのスパッタ
面を均一かつ平滑にすることが可能であり、パーティク
ルやノジュールを低減させ、さらにターゲットライフも
長くなるという特徴を有する。その結果として光ディス
クの生産性が向上することは知られている。
耐熱性等を要求されるため、ＺｎＳ−ＳｉＯ２等のセラ
ミックスターゲットを用いてスパッタリングし、１００
０〜２０００Å程度の薄膜が形成されている。これらの
材料は、高周波スパッタリング（ＲＦ）装置、マグネト
ロンスパッタリング装置又はターゲット材に特殊な処理
を施してＤＣ（直流）スパッタリング装置を使用して成
膜される。ＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットの結晶粒を微細
化し、且つ高密度化することで、ターゲットのスパッタ
面を均一かつ平滑にすることが可能であり、パーティク
ルやノジュールを低減させ、さらにターゲットライフも
長くなるという特徴を有する。その結果として光ディス
クの生産性が向上することは知られている。
【０００７】しかし、従来これらターゲットの結晶粒を
微細化するほど、ホットプレス等による製造条件をより
高温、高面圧にする必要があった。例えば、ホットプレ
ス法で作製する場合、高温になるほど１工程に要する時
間が長くなり、また高面圧にするほどグラファイト型の
強度を保つため、外周の肉厚を大きくし、荷重面積部分
を小さくしなければならず、ホットプレスのバッチ当た
りの生産量が減少する。逆に、生産量を減少させないよ
うに、ホットプレス装置を大きくし、グラファイト型自
体も大きくしても良いが、ホットプレス装置やグラファ
イト型等のコストが上昇する。通常、ホットプレス法や
ＨＩＰ法はバッチ式のため、充填する粉体の嵩密度が小
さいこともバッチ当たりの処理量低減の原因となる。ま
た、粉体の流動性が悪いと、ターゲットの密度ばらつき
の原因となり、良すぎると、グラファイト型の隙間から
粉もれ等が生じ、密度のばらつきや割れが生ずる問題が
ある。このようなことから、従来は高密度のＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ２相変化型光ディスク保護膜用スパッタリングター
ゲットを低コストで得ることができなかった。したがっ
て、一般には低密度のターゲットを使用せざるを得ず、
この結果スパッタリングによって膜を形成する際に、ス
パッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュール
が発生しするため、成膜の均一性及び品質が低下し、生
産性も劣るという問題があった。
微細化するほど、ホットプレス等による製造条件をより
高温、高面圧にする必要があった。例えば、ホットプレ
ス法で作製する場合、高温になるほど１工程に要する時
間が長くなり、また高面圧にするほどグラファイト型の
強度を保つため、外周の肉厚を大きくし、荷重面積部分
を小さくしなければならず、ホットプレスのバッチ当た
りの生産量が減少する。逆に、生産量を減少させないよ
うに、ホットプレス装置を大きくし、グラファイト型自
体も大きくしても良いが、ホットプレス装置やグラファ
イト型等のコストが上昇する。通常、ホットプレス法や
ＨＩＰ法はバッチ式のため、充填する粉体の嵩密度が小
さいこともバッチ当たりの処理量低減の原因となる。ま
た、粉体の流動性が悪いと、ターゲットの密度ばらつき
の原因となり、良すぎると、グラファイト型の隙間から
粉もれ等が生じ、密度のばらつきや割れが生ずる問題が
ある。このようなことから、従来は高密度のＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ２相変化型光ディスク保護膜用スパッタリングター
ゲットを低コストで得ることができなかった。したがっ
て、一般には低密度のターゲットを使用せざるを得ず、
この結果スパッタリングによって膜を形成する際に、ス
パッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュール
が発生しするため、成膜の均一性及び品質が低下し、生
産性も劣るという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＺｎＳ粉と
ＳｉＯ２粉のそれぞれのメジアン粒径比、比表面積比、
嵩密度、流動性の目安となる安息角、水分量を規定した
混合粉を作製することにより、安定して低コストで結晶
粒が微細な９７％以上の高密度ターゲット作製出来るよ
うにし、さらに成膜の均一性を高め、生産効率を上げる
ことができる光ディスク保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットの製造方法を得ることを目的とする。
ＳｉＯ２粉のそれぞれのメジアン粒径比、比表面積比、
嵩密度、流動性の目安となる安息角、水分量を規定した
混合粉を作製することにより、安定して低コストで結晶
粒が微細な９７％以上の高密度ターゲット作製出来るよ
うにし、さらに成膜の均一性を高め、生産効率を上げる
ことができる光ディスク保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットの製造方法を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明者らは鋭意研究を行った結果、従来の粉末
に替えて、ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉のそれぞれのメジアン
粒径比、比表面積比、嵩密度、流動性の目安となる安息
角、水分量を規定した混合粉を使用することにより結晶
粒が微細な高密度のターゲットを安定した製造条件で、
再現性よく低コストで得ることができるとの知見を得
た。本発明はこの知見に基づき、 １．レーザー回折並びに散乱法によるＺｎＳ粉とＳｉＯ
２粉のメジアン粒径をそれぞれＡμｍ、Ｂμｍとし、Ｓ
ｉＯ２の混合比をＭｍｏｌ％とした時、１０≦Ｍ≦３０
の範囲内において、Ｂ／Ａ≧０．８ｅ０．０９Ｍ、且つ
０．１μｍ≦Ｂ≦１５μｍを満たすＺｎＳ粉とＳｉＯ２
粉が均一に分散混合した粉を使用して成形することを特
徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの
製造方法。 ２．ＢＥＴ法によるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の比表面積を
それぞれＣｍ２／ｇ、Ｄｍ２／ｇとし、ＳｉＯ２の混合
比をＭｍｏｌ％とした時、１０≦Ｍ≦３０の範囲内にお
いて、Ｃ／Ｄ≧０．１Ｍ＋７、且つ０．１５ｍ２／ｇ≦
Ｄ≦１５ｍ２／ｇを満たすＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均一
に分散混合した粉を使用して成形することを特徴とする
ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方
法。 ３．ＢＥＴ法によるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の比表面積を
それぞれＣｍ２／ｇ、Ｄｍ２／ｇ、とし、ＳｉＯ２の混
合比をＭｍｏｌ％とした時、１０≦Ｍ≦３０の範囲内に
おいて、Ｃ／Ｄ≧０．１Ｍ＋７、且つ０．１５ｍ２／ｇ
≦Ｄ≦１５ｍ２／ｇを満たすＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均
一に分散混合した粉を使用して成形することを特徴とす
る上記１記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲ
ットの製造方法。 ４．ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均一に分散した混合粉ある
いはその造粒粉の嵩密度が０．４ｇ／ｃｍ３以上である
ことを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングター
ゲットの製造方法。 ５．ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均一に分散した混合粉ある
いはその造粒粉の嵩密度が０．４ｇ／ｃｍ３以上である
ことを特徴とする上記１〜３のそれぞれに記載のＺｎＳ
−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法。 ６．ＺｎＳ粉、ＳｉＯ２粉又はこれらの混合粉あるいは
その造粒粉の安息角が３０°〜８０°であることを特徴
とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製
造方法。 ７．ＺｎＳ粉、ＳｉＯ２粉又はこれらの混合粉あるいは
その造粒粉の安息角が３０°〜８０°であることを特徴
とする上記１〜５のそれぞれに記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２
スパッタリングターゲットの製造方法。 ８．ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の混合前原料粉又はこれらの
混合粉の含有水分量又は１００〜４００°Ｃの範囲で加
熱した時の重量減少が２％以下であることを特徴とする
ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方
法。 ９．ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の混合前原料粉又はこれらの
混合粉の含有水分量又は１００〜４００°Ｃの範囲で加
熱した時の重量減少が２％以下であることを特徴とする
上記１〜７のそれぞれに記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッ
タリングターゲットの製造方法。 １０．不活性雰囲気中で、温度１２００°Ｃ以下、面圧
２５０ｋｇ／ｃｍ２以下で、相対密度９７％以上のター
ゲットに成形することを特徴とする上記１〜９のそれぞ
れに記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット
の製造方法。 を提供する。
めに、本発明者らは鋭意研究を行った結果、従来の粉末
に替えて、ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉のそれぞれのメジアン
粒径比、比表面積比、嵩密度、流動性の目安となる安息
角、水分量を規定した混合粉を使用することにより結晶
粒が微細な高密度のターゲットを安定した製造条件で、
再現性よく低コストで得ることができるとの知見を得
た。本発明はこの知見に基づき、 １．レーザー回折並びに散乱法によるＺｎＳ粉とＳｉＯ
２粉のメジアン粒径をそれぞれＡμｍ、Ｂμｍとし、Ｓ
ｉＯ２の混合比をＭｍｏｌ％とした時、１０≦Ｍ≦３０
の範囲内において、Ｂ／Ａ≧０．８ｅ０．０９Ｍ、且つ
０．１μｍ≦Ｂ≦１５μｍを満たすＺｎＳ粉とＳｉＯ２
粉が均一に分散混合した粉を使用して成形することを特
徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの
製造方法。 ２．ＢＥＴ法によるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の比表面積を
それぞれＣｍ２／ｇ、Ｄｍ２／ｇとし、ＳｉＯ２の混合
比をＭｍｏｌ％とした時、１０≦Ｍ≦３０の範囲内にお
いて、Ｃ／Ｄ≧０．１Ｍ＋７、且つ０．１５ｍ２／ｇ≦
Ｄ≦１５ｍ２／ｇを満たすＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均一
に分散混合した粉を使用して成形することを特徴とする
ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方
法。 ３．ＢＥＴ法によるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の比表面積を
それぞれＣｍ２／ｇ、Ｄｍ２／ｇ、とし、ＳｉＯ２の混
合比をＭｍｏｌ％とした時、１０≦Ｍ≦３０の範囲内に
おいて、Ｃ／Ｄ≧０．１Ｍ＋７、且つ０．１５ｍ２／ｇ
≦Ｄ≦１５ｍ２／ｇを満たすＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均
一に分散混合した粉を使用して成形することを特徴とす
る上記１記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲ
ットの製造方法。 ４．ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均一に分散した混合粉ある
いはその造粒粉の嵩密度が０．４ｇ／ｃｍ３以上である
ことを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングター
ゲットの製造方法。 ５．ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均一に分散した混合粉ある
いはその造粒粉の嵩密度が０．４ｇ／ｃｍ３以上である
ことを特徴とする上記１〜３のそれぞれに記載のＺｎＳ
−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法。 ６．ＺｎＳ粉、ＳｉＯ２粉又はこれらの混合粉あるいは
その造粒粉の安息角が３０°〜８０°であることを特徴
とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製
造方法。 ７．ＺｎＳ粉、ＳｉＯ２粉又はこれらの混合粉あるいは
その造粒粉の安息角が３０°〜８０°であることを特徴
とする上記１〜５のそれぞれに記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２
スパッタリングターゲットの製造方法。 ８．ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の混合前原料粉又はこれらの
混合粉の含有水分量又は１００〜４００°Ｃの範囲で加
熱した時の重量減少が２％以下であることを特徴とする
ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方
法。 ９．ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の混合前原料粉又はこれらの
混合粉の含有水分量又は１００〜４００°Ｃの範囲で加
熱した時の重量減少が２％以下であることを特徴とする
上記１〜７のそれぞれに記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッ
タリングターゲットの製造方法。 １０．不活性雰囲気中で、温度１２００°Ｃ以下、面圧
２５０ｋｇ／ｃｍ２以下で、相対密度９７％以上のター
ゲットに成形することを特徴とする上記１〜９のそれぞ
れに記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット
の製造方法。 を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、レーザー回折並びに散
乱法によるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉のメジアン粒径をそれ
ぞれＡμｍ、Ｂμｍとし、ＳｉＯ２の混合比をＭｍｏｌ
％とした時、１０≦Ｍ≦３０の範囲内であり、Ｂ／Ａ≧
０．８ｅ０．０９Ｍ、且つ０．１μｍ≦Ｂ≦１５μｍを
満たすようＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉を選び、均一に混合し
た粉を使用する。これにより、温度１２００°Ｃ以下、
面圧２５０ｋｇ／ｃｍ２以下で成形したターゲットは結
晶粒が微細で相対密度９７％以上であるＺｎＳ−ＳｉＯ
２相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングター
ゲットを得ることができる。嵩密度が０．４ｇ／ｃｍ３
以上であるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の混合粉あるいは造粒
粉を使用する場合には生産性向上にさらに効果がある。
また、より安定した品質を確保し、歩留まりの向上を図
るため、使用する粉体の流動性を調整するためにＺｎＳ
粉とＳｉＯ２粉あるいはこれらの混合粉又は造粒粉の三
輪式安息角を３０〜８０°とし、含有水分量を２％以下
とすることが望ましい。
乱法によるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉のメジアン粒径をそれ
ぞれＡμｍ、Ｂμｍとし、ＳｉＯ２の混合比をＭｍｏｌ
％とした時、１０≦Ｍ≦３０の範囲内であり、Ｂ／Ａ≧
０．８ｅ０．０９Ｍ、且つ０．１μｍ≦Ｂ≦１５μｍを
満たすようＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉を選び、均一に混合し
た粉を使用する。これにより、温度１２００°Ｃ以下、
面圧２５０ｋｇ／ｃｍ２以下で成形したターゲットは結
晶粒が微細で相対密度９７％以上であるＺｎＳ−ＳｉＯ
２相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングター
ゲットを得ることができる。嵩密度が０．４ｇ／ｃｍ３
以上であるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の混合粉あるいは造粒
粉を使用する場合には生産性向上にさらに効果がある。
また、より安定した品質を確保し、歩留まりの向上を図
るため、使用する粉体の流動性を調整するためにＺｎＳ
粉とＳｉＯ２粉あるいはこれらの混合粉又は造粒粉の三
輪式安息角を３０〜８０°とし、含有水分量を２％以下
とすることが望ましい。
【００１１】温度を１２００°Ｃ以下、面圧を２５０ｋ
ｇ／ｃｍ２以下とすることができるため、例えばホット
プレスを使用して作製する場合、小型のホットプレス装
置を使用しても生産性を上げ、かつコストを低減できる
著しい効果がある。Ｂ／Ａが０．８ｅ０．０９Ｍ未満の
場合には、１２００°Ｃ以下、面圧２５０ｋｇ／ｃｍ２
以下で相対密度９７％以上のＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型
光ディスク保護膜形成用ターゲットを得ることができな
い。ＳｉＯ２粉のメジアン粒径が１５μｍより大きい場
合には結晶粒が大きくなってしまう。
ｇ／ｃｍ２以下とすることができるため、例えばホット
プレスを使用して作製する場合、小型のホットプレス装
置を使用しても生産性を上げ、かつコストを低減できる
著しい効果がある。Ｂ／Ａが０．８ｅ０．０９Ｍ未満の
場合には、１２００°Ｃ以下、面圧２５０ｋｇ／ｃｍ２
以下で相対密度９７％以上のＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型
光ディスク保護膜形成用ターゲットを得ることができな
い。ＳｉＯ２粉のメジアン粒径が１５μｍより大きい場
合には結晶粒が大きくなってしまう。
【００１２】同様に、本発明はＢＥＴ法によるＺｎＳ粉
とＳｉＯ２粉の比表面積をそれぞれＣ、Ｄとし、ＳｉＯ
２の混合比をＭｍｏｌ％とした時、１０≦Ｍ≦３０の範
囲内において、Ｃ／Ｄ≧０．１Ｍ＋７、且つ０．１５ｍ
２／ｇ≦Ｄ≦１５ｍ２／ｇを満たすＺｎＳ粉とＳｉＯ２
粉が均一に混合した粉を使用することにより、温度１２
００°Ｃ以下、面圧２５０ｋｇ／ｃｍ２以下で成形した
ターゲットの結晶粒が微細で、相対密度９７％以上であ
るＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜形成用ス
パッタリングターゲットを得ることができる。嵩密度が
０．４ｇ／ｃｍ３以上であるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の混
合粉を使用する場合には高密度化にさらに効果がある。
また、より安定した品質を確保し、歩留まりの向上を図
るため、使用する粉体の流動性を調整するためにＺｎＳ
粉とＳｉＯ２粉あるいはこれらの混合粉の安息角を３０
〜８０°とし、水分量を２％以下とする。
とＳｉＯ２粉の比表面積をそれぞれＣ、Ｄとし、ＳｉＯ
２の混合比をＭｍｏｌ％とした時、１０≦Ｍ≦３０の範
囲内において、Ｃ／Ｄ≧０．１Ｍ＋７、且つ０．１５ｍ
２／ｇ≦Ｄ≦１５ｍ２／ｇを満たすＺｎＳ粉とＳｉＯ２
粉が均一に混合した粉を使用することにより、温度１２
００°Ｃ以下、面圧２５０ｋｇ／ｃｍ２以下で成形した
ターゲットの結晶粒が微細で、相対密度９７％以上であ
るＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜形成用ス
パッタリングターゲットを得ることができる。嵩密度が
０．４ｇ／ｃｍ３以上であるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の混
合粉を使用する場合には高密度化にさらに効果がある。
また、より安定した品質を確保し、歩留まりの向上を図
るため、使用する粉体の流動性を調整するためにＺｎＳ
粉とＳｉＯ２粉あるいはこれらの混合粉の安息角を３０
〜８０°とし、水分量を２％以下とする。
【００１３】これによって、１２００°Ｃ以下、面圧を
２５０ｋｇ／ｃｍ２以下とすることができるため、例え
ばホットプレスを使用して作製する場合、小型のホット
プレス装置を使用しても生産性を上げかつコストを低減
できる著しい効果がある。Ｃ／Ｄが０．１Ｍ＋７未満の
場合は、面圧２５０ｋｇ／ｃｍ２以下で相対密度９７％
以上のＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜形成
用ターゲットを得ることができない。このように、Ｚｎ
Ｓ粉とＳｉＯ２粉のそれぞれのメジアン粒径比、比表面
積比及び嵩密度、安息角、水分量を規定した混合粉を作
製することにより、ＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットの結晶
粒を微細化し、且つ高密度化することができるので、タ
ーゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることがで
き、スパッタリング時のパーティクルやノジュールを低
減させ、さらにターゲットライフも長くすることができ
るという著しい効果を有する。その結果として光ディス
クの生産性が向上し、品質の優れた材料を得ることがで
きる。
２５０ｋｇ／ｃｍ２以下とすることができるため、例え
ばホットプレスを使用して作製する場合、小型のホット
プレス装置を使用しても生産性を上げかつコストを低減
できる著しい効果がある。Ｃ／Ｄが０．１Ｍ＋７未満の
場合は、面圧２５０ｋｇ／ｃｍ２以下で相対密度９７％
以上のＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜形成
用ターゲットを得ることができない。このように、Ｚｎ
Ｓ粉とＳｉＯ２粉のそれぞれのメジアン粒径比、比表面
積比及び嵩密度、安息角、水分量を規定した混合粉を作
製することにより、ＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットの結晶
粒を微細化し、且つ高密度化することができるので、タ
ーゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることがで
き、スパッタリング時のパーティクルやノジュールを低
減させ、さらにターゲットライフも長くすることができ
るという著しい効果を有する。その結果として光ディス
クの生産性が向上し、品質の優れた材料を得ることがで
きる。
【００１４】
【実施例および比較例】以下、実施例および比較例に基
づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であ
り、この例によって何ら制限されるものではない。すな
わち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限される
ものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形
を包含するものである。
づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であ
り、この例によって何ら制限されるものではない。すな
わち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限される
ものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形
を包含するものである。
【００１５】（実施例１）レーザー回折並びに散乱法で
分散剤にアルコールを使用し、超音波で十分に分散させ
相対屈折率も考慮したときのＺｎＳ粉のメジアン粒径が
１．２μｍ、同様にＳｉＯ２粉のメジアン粒径が１２μ
ｍである粉体を用い、ＺｎＳに対し２０ｍｏｌ％の比率
でＳｉＯ２を混ぜ合わせた。この混合粉をグラファイト
ダイスに充填し、Ａｒ雰囲気、面圧１５０ｋｇ／ｃ
ｍ２、温度１０００°Ｃの条件でホットプレスを行っ
た。この時のいずれの条件も本発明の範囲に入る条件で
ある。この結果、相対密度が９７％である高密度ＺｎＳ
−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットが得られた。
分散剤にアルコールを使用し、超音波で十分に分散させ
相対屈折率も考慮したときのＺｎＳ粉のメジアン粒径が
１．２μｍ、同様にＳｉＯ２粉のメジアン粒径が１２μ
ｍである粉体を用い、ＺｎＳに対し２０ｍｏｌ％の比率
でＳｉＯ２を混ぜ合わせた。この混合粉をグラファイト
ダイスに充填し、Ａｒ雰囲気、面圧１５０ｋｇ／ｃ
ｍ２、温度１０００°Ｃの条件でホットプレスを行っ
た。この時のいずれの条件も本発明の範囲に入る条件で
ある。この結果、相対密度が９７％である高密度ＺｎＳ
−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットが得られた。
【００１６】（実施例２）ＢＥＴ法によるＺｎＳ粉の比
表面積が２０ｍ２／ｇ、ＳｉＯ２の比表面積が２ｍ２／
ｇである粉体を用い、ＺｎＳに対し２０ｍｏｌ％の比率
でＳｉＯ２を混ぜ合わせた。この混合粉をグラファイト
ダイスに充填し、Ａｒ雰囲気、面圧１５０ｋｇ／ｃ
ｍ２、温度１０００°Ｃの条件でホットプレスを行っ
た。この時のいずれの条件も本発明の範囲に入る条件で
ある。この結果、相対密度が９８％である高密度ＺｎＳ
−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットが得られた。
表面積が２０ｍ２／ｇ、ＳｉＯ２の比表面積が２ｍ２／
ｇである粉体を用い、ＺｎＳに対し２０ｍｏｌ％の比率
でＳｉＯ２を混ぜ合わせた。この混合粉をグラファイト
ダイスに充填し、Ａｒ雰囲気、面圧１５０ｋｇ／ｃ
ｍ２、温度１０００°Ｃの条件でホットプレスを行っ
た。この時のいずれの条件も本発明の範囲に入る条件で
ある。この結果、相対密度が９８％である高密度ＺｎＳ
−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットが得られた。
【００１７】（比較例１）レーザー回折並びに散乱法に
よるＺｎＳ粉のメジアン粒径が５μｍ、ＳｉＯ２のメジ
アン粒径が１２μｍである粉体を用い、ＺｎＳに対し２
０ｍｏｌ％の比率でＳｉＯ２を混ぜ合わせた。この条件
は、ＺｎＳ粉のメジアン粒径ＡμｍとＳｉＯ２のメジア
ン粒径Ｂμｍの比Ｂ／Ａ＝１２／５となり、Ｂ／Ａ≧
０．８ｅ０． ０９Ｍの条件を満たしていない。その他は
実施例１と同一の条件である。前記混合粉をグラファイ
トダイスに充填し、Ａｒ雰囲気、面圧１５０ｋｇ／ｃｍ
２、温度１０００°Ｃの条件でホットプレスを行った。
この結果、相対密度が９３％となり、本発明の実施例よ
りも密度に劣るＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保
護膜形成用スパッタリングターゲットが得られた。
よるＺｎＳ粉のメジアン粒径が５μｍ、ＳｉＯ２のメジ
アン粒径が１２μｍである粉体を用い、ＺｎＳに対し２
０ｍｏｌ％の比率でＳｉＯ２を混ぜ合わせた。この条件
は、ＺｎＳ粉のメジアン粒径ＡμｍとＳｉＯ２のメジア
ン粒径Ｂμｍの比Ｂ／Ａ＝１２／５となり、Ｂ／Ａ≧
０．８ｅ０． ０９Ｍの条件を満たしていない。その他は
実施例１と同一の条件である。前記混合粉をグラファイ
トダイスに充填し、Ａｒ雰囲気、面圧１５０ｋｇ／ｃｍ
２、温度１０００°Ｃの条件でホットプレスを行った。
この結果、相対密度が９３％となり、本発明の実施例よ
りも密度に劣るＺｎＳ−ＳｉＯ２相変化型光ディスク保
護膜形成用スパッタリングターゲットが得られた。
【００１８】（比較例２）ＢＥＴ法によるＺｎＳ粉の比
表面積が１５ｍ２／ｇ、ＳｉＯ２の比表面積が３ｍ２／
ｇである粉体を用い、ＺｎＳに対し２０ｍｏｌ％の比率
でＳｉＯ２を混ぜ合わせた。この条件は、ＺｎＳ粉の比
表面積Ｃｍ２／ｇとＳｉＯ２粉の比表面積Ｄｍ２／ｇの
比１５／３となり、本発明のＣ／Ｄ≧０．１Ｍ＋７の条
件を満たしていない。その他は実施例２と同一の条件で
ある。前記混合粉をグラファイトダイスに充填し、Ａｒ
雰囲気、１５０ｋｇ／ｃｍ２、温度１０００°Ｃの条件
でホットプレスを行った。この結果、相対密度が９２％
となり、本発明の実施例よりも密度に劣るＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ２相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットが得られた。
表面積が１５ｍ２／ｇ、ＳｉＯ２の比表面積が３ｍ２／
ｇである粉体を用い、ＺｎＳに対し２０ｍｏｌ％の比率
でＳｉＯ２を混ぜ合わせた。この条件は、ＺｎＳ粉の比
表面積Ｃｍ２／ｇとＳｉＯ２粉の比表面積Ｄｍ２／ｇの
比１５／３となり、本発明のＣ／Ｄ≧０．１Ｍ＋７の条
件を満たしていない。その他は実施例２と同一の条件で
ある。前記混合粉をグラファイトダイスに充填し、Ａｒ
雰囲気、１５０ｋｇ／ｃｍ２、温度１０００°Ｃの条件
でホットプレスを行った。この結果、相対密度が９２％
となり、本発明の実施例よりも密度に劣るＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ２相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングタ
ーゲットが得られた。
【００１９】ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉のメジアン粒径比を
選択し、スパッタリングターゲット相対密度９７％以上
を達成できる条件の範囲を示すと図１に示すグラフの上
側の部分である。なお、この範囲は実施例１及び比較例
１並びにこれらに準じてＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉を選択、
かつ同条件で焼結して、その範囲を求めたものである。
同様に、ＺｎＳ粉とＳｉＯ２の比表面積比を選択し、ス
パッタリングターゲット相対密度９７％以上を達成でき
る条件の範囲を示すと図２に示すグラフの上側の部分で
ある。なお、この範囲は実施例２及び比較例２並びにこ
れらに準じてＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉を選択、かつ同条件
で焼結して、その範囲を求めたものである。以上に示す
ように、ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉のそれぞれのメジアン粒
径比、比表面積比、さらに必要に応じて嵩密度を規定し
た混合粉を作製することにより、スパッタリングターゲ
ット相対密度９７％以上を達成できる条件を得ることが
できる。
選択し、スパッタリングターゲット相対密度９７％以上
を達成できる条件の範囲を示すと図１に示すグラフの上
側の部分である。なお、この範囲は実施例１及び比較例
１並びにこれらに準じてＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉を選択、
かつ同条件で焼結して、その範囲を求めたものである。
同様に、ＺｎＳ粉とＳｉＯ２の比表面積比を選択し、ス
パッタリングターゲット相対密度９７％以上を達成でき
る条件の範囲を示すと図２に示すグラフの上側の部分で
ある。なお、この範囲は実施例２及び比較例２並びにこ
れらに準じてＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉を選択、かつ同条件
で焼結して、その範囲を求めたものである。以上に示す
ように、ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉のそれぞれのメジアン粒
径比、比表面積比、さらに必要に応じて嵩密度を規定し
た混合粉を作製することにより、スパッタリングターゲ
ット相対密度９７％以上を達成できる条件を得ることが
できる。
【００２０】
【発明の効果】ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉のそれぞれのメジ
アン粒径比、比表面積比及び必要に応じて嵩密度を規定
した混合粉を使用する本発明により、加圧焼結時の面圧
を下げても９７％以上の高密度ターゲット作製すること
ができ、これによってスパッタ時に発生するパーティク
ル（発塵）やノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性
を高め、生産効率を上げることができる光ディスク保護
膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を
得ることができるという優れた効果を有する。
アン粒径比、比表面積比及び必要に応じて嵩密度を規定
した混合粉を使用する本発明により、加圧焼結時の面圧
を下げても９７％以上の高密度ターゲット作製すること
ができ、これによってスパッタ時に発生するパーティク
ル（発塵）やノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性
を高め、生産効率を上げることができる光ディスク保護
膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を
得ることができるという優れた効果を有する。
【図１】ＺｎＳ粉及びＳｉＯ２粉のメジアン径比と焼結
ターゲットの相対密度９７％以上を達成できる条件の関
係を示す図である。
ターゲットの相対密度９７％以上を達成できる条件の関
係を示す図である。
【図２】ＺｎＳ粉及びＳｉＯ２の比表面積比と焼結ター
ゲットの相対密度９７％以上を達成できる条件の関係を
示す図である。
ゲットの相対密度９７％以上を達成できる条件の関係を
示す図である。
Claims (10)
- 【請求項１】 レーザー回折並びに散乱法によるＺｎＳ
粉とＳｉＯ２粉のメジアン粒径をそれぞれＡμｍ、Ｂμ
ｍとし、ＳｉＯ２の混合比をＭｍｏｌ％とした時、１０
≦Ｍ≦３０の範囲内において、Ｂ／Ａ≧０．８ｅ
０．０９Ｍ、且つ０．１μｍ≦Ｂ≦１５μｍを満たすＺ
ｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均一に分散混合した粉を使用して
成形することを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリ
ングターゲットの製造方法。 - 【請求項２】 ＢＥＴ法によるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の
比表面積をそれぞれＣｍ２／ｇ、Ｄｍ２／ｇとし、Ｓｉ
Ｏ２の混合比をＭｍｏｌ％とした時、１０≦Ｍ≦３０の
範囲内において、Ｃ／Ｄ≧０．１Ｍ＋７、且つ０．１５
ｍ２／ｇ≦Ｄ≦１５ｍ２／ｇを満たすＺｎＳ粉とＳｉＯ
２粉が均一に分散混合した粉を使用して成形することを
特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット
の製造方法。 - 【請求項３】 ＢＥＴ法によるＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の
比表面積をそれぞれＣｍ２／ｇ、Ｄｍ２／ｇとし、Ｓｉ
Ｏ２の混合比をＭｍｏｌ％とした時、１０≦Ｍ≦３０の
範囲内において、Ｃ／Ｄ≧０．１Ｍ＋７、且つ０．１５
ｍ２／ｇ≦Ｄ≦１５ｍ２／ｇを満たすＺｎＳ粉とＳｉＯ
２粉が均一に分散混合した粉を使用して成形することを
特徴とする請求項１記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリ
ングターゲットの製造方法。 - 【請求項４】 ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均一に分散した
混合粉あるいはその造粒粉の嵩密度が０．４ｇ／ｃｍ３
以上であることを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ ２スパッタ
リングターゲットの製造方法。 - 【請求項５】 ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉が均一に分散した
混合粉あるいはその造粒粉の嵩密度が０．４ｇ／ｃｍ３
以上であることを特徴とする請求項１〜３のそれぞれに
記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製
造方法。 - 【請求項６】 ＺｎＳ粉、ＳｉＯ２粉又はこれらの混合
粉あるいはその造粒粉の安息角が３０°〜８０°である
ことを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングター
ゲットの製造方法。 - 【請求項７】 ＺｎＳ粉、ＳｉＯ２粉又はこれらの混合
粉あるいはその造粒粉の安息角が３０°〜８０°である
ことを特徴とする請求項１〜５のそれぞれに記載のＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項８】 ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の混合前原料粉又
はこれらの混合粉の含有水分量又は１００〜４００°Ｃ
の範囲で加熱した時の重量減少が２％以下であることを
特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット
の製造方法。 - 【請求項９】 ＺｎＳ粉とＳｉＯ２粉の混合前原料粉又
はこれらの混合粉の含有水分量又は１００〜４００°Ｃ
の範囲で加熱した時の重量減少が２％以下であることを
特徴とする請求項１〜７のそれぞれに記載のＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項１０】 不活性雰囲気中、温度１２００°Ｃ以
下、面圧２５０ｋｇ／ｃｍ２以下で、相対密度９７％以
上のターゲットに成形することを特徴とする請求項１〜
９のそれぞれに記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリング
ターゲットの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068168A JP2002266069A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法 |
| TW91103900A TW554061B (en) | 2001-03-12 | 2002-03-04 | Method for manufacturingZnS-SiO2 sputtering target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068168A JP2002266069A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002266069A true JP2002266069A (ja) | 2002-09-18 |
Family
ID=18926397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001068168A Withdrawn JP2002266069A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002266069A (ja) |
| TW (1) | TW554061B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005298978A (ja) * | 2001-09-21 | 2005-10-27 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット焼結用粉末及びスパッタリングターゲット |
| JP2011202282A (ja) * | 2001-09-21 | 2011-10-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | スパッタリングターゲット焼結用粉末及びスパッタリングターゲット |
-
2001
- 2001-03-12 JP JP2001068168A patent/JP2002266069A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-03-04 TW TW91103900A patent/TW554061B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005298978A (ja) * | 2001-09-21 | 2005-10-27 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット焼結用粉末及びスパッタリングターゲット |
| JP2011202282A (ja) * | 2001-09-21 | 2011-10-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | スパッタリングターゲット焼結用粉末及びスパッタリングターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW554061B (en) | 2003-09-21 |
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