背景技术
在当今的信息社会里,电子显示装置作为信息传递媒体更为重要,且有各种各样的电子显示装置被广泛地应用于工业设备或家庭用具。这种电子显示装置不断得以改进,以具有满足信息社会各种需求的新的适当功能。
通常,电子显示装置显示并将各种信息传递给利用这种信息的用户。即,电子显示装置将从电子设备输出的电子信息信号转变成用户通过其眼睛识别的光信息信号。
在分成发射型显示装置和非发射型显示装置的电子显示装置中,发射型显示装置通过其光发射现象显示光信息信号,而非发射型显示装置通过其反射、散射或干涉显示光信息信号。发射型显示装置包括阴极射线管(CRT)、等离子体显示板(PDP)、发光二极管(LED)和电致发光显示器(ELD)。发射型显示装置被称作有源显示装置。此外,被称作无源显示装置的非发射型显示装置包括液晶显示器(LCD)、电化学显示器(ECD)和电泳图像显示器(EPID)。
CRT被长期用于电视或计算机监视器作为显示装置,因为它具有高的质量和低的制造成本。然而,CRT具有一些缺点,例如大重量、大体积和高功耗。
近来,对新型电子显示装置的需求大为增长,例如具有厚度薄、重量轻、驱动电压低和功耗低等优秀特性的平板显示器。这种平板显示器可根据快速改进的半导体技术制造。
在平板显示器中,液晶显示器(LCD)被广泛地用于各种电子装置,因为LCD装置具有薄的厚度、低的功耗和高的大致等同于CRT的显示质量。此外,LCD装置可以在低驱动电压下运行,并可以容易地制造,使得LCD装置广泛地用于各种电子设备。
LCD装置通常分为透射型LCD装置、反射型LCD装置和反射-透射型LCD装置。透射型LCD装置利用外部光源显示信息,反射型LCD装置利用自然光显示信息。反射-透射型LCD装置在室内或者在不存在外部光源的黑暗地方以透射模式运行,以利用显示器的内建光源显示图像,而在高照明度的户外按反射模式运行,以通过反射外部入射光显示图像。
图1是显示传统液晶显示器的LCD板的示意性透视图,图2是显示传统LCD板和与LCD板连接以驱动LCD板的集成电路的平面图,图3是显示传统LCD板的薄膜晶体管和焊点区的横截面视图。
参照图1和2,液晶显示器包括显示图像的LCD板130和产生图像信号的驱动集成电路137和138。
LCD板130包括第一基板100、定位成与第一基板100相对的第二基板102,以及注入在第一基板100与第二基板102之间的液晶114。
多个栅极线和数据线104和106呈矩阵形形成在第一基板100上,象素电极108和薄膜晶体管(TFT)形成在栅极线104和数据线106的交点处。滤色板112和透明公共电极110形成在第二基板102上。滤色板112包括在光穿过象素时显示预定颜色的红、绿、蓝(R.G.B)象素。此外,偏振片(未示出)形成在第一和第二基板100和102外侧,以根据液晶114的取向维持其光透射的方向。
薄膜晶体管109具有形成在第一基底100上的栅电极15、形成在栅电极15和第一基底100上的栅极绝缘层25、形成在定位有栅电极15的栅极绝缘层25上的有源构图25、形成在有源构图30上的欧姆接触层构图35、以及形成在欧姆接触层构图35上的源电极和漏电极40和45,如图3所示。钝化层75形成在第一基底100上,在该基底上形成有薄膜晶体管109。钝化层75由无机材料或有机材料构成。接触孔80穿过钝化层75形成,以暴露漏电极45。此外,接触孔(未示出)经过钝化层75形成,以暴露焊点区的栅极接线端和漏极接线端。
栅电极15连接在栅极线104上,源电极40连接在数据线106上。漏电极45连接象素电极108。于是,在扫描电压经过栅极线104施加到栅电极15上时,经过数据线106的信号电压经有源构图30从源电极40加载到漏电极45。当信号电压施加到漏电极45上时,在第二基板102的公共电极110和连接漏电极45的象素电极108之间产生电势差。于是,象素电极108和公共电极110之间注入的液晶114的分子排列被改变,故而液晶114的光透射率被改变。于是,薄膜晶体管109用作操作LCD板130的象素的开关装置。
另外,第一焊点133和第二焊点134形成在LCD板130上,如图2所示。第一焊点133从栅极线104延长,第二焊点134从数据线106延长。第一焊点133连接产生扫描电压的第一集成电路137,第二焊点134连接产生信号电压的第二集成电路138。因此,从第一集成电路137产生的扫描电压通过第一焊点133加载到栅极线104上,且从第二集成电路138产生的信号电压经第二焊点134加载到数据线106上。此时,可以使用各种方法以将第一焊点133连接到第一集成电路137上,或将第二焊点134连接到第二集成电路138上。通常,用于连接焊点的凸点形成在集成电路的电极上,然后,焊点利用该凸点连接到集成电路上。
通常,载带自动焊(TAB)方法用于将焊点连接至集成电路。根据TAB方法,在具有粘接到其上的金属线的薄膜和电极利用凸点连接之后,TAB封装的连接在集成电路电极上的引线连接到LCD板上。即,在将集成电路安装在LCD板外侧后,集成电路的电极和LCD板的电极利用其上粘接有金属线的薄膜而电短路。
此外,取代TAB方法,玻璃上芯片(COG)方法可以用于将驱动集成电路连接至LCD板。根据驱动集成电路直接安装在LCD板上的COG方法,集成电路仅利用凸点和各向异性导电膜(AFC)连接到LCD板的基板上,而不使用TAB方法中所用的薄膜。
图4是示出将集成电路连接至液晶显示器的传统COG方法的横截面视图。
参照图4,ACF树脂153涂覆在基板180上,对应于LCD板的焊点181。然后,其上形成有凸点144的集成电路140经由热压方法粘接在基板180上。结果,分散在ACF树脂153内的导电球153被凸点144和焊点181挤压,使得封闭导电球153的绝缘层(未示出)裂开。于是,集成电路140的电极和LCD板的焊点181电短路。接着,集成电路140被加热,以硬化已经因压缩工艺而软化的ACF树脂153,从而粘接集成电路140和基板180的焊点181。
COG方法被广泛用于具有小或中等尺寸的显示板,以提高活动的产品对外部冲击或振动的耐久性,因为此方法与TAB方法相比更简单地进行,且液晶显示器中,LCD板的面积率增加。
然而,当诸如水汽或化学物质的污染物渗入与集成电路的凸点连接的焊点的暴露部分内时,焊点和连接其上的导线可被腐蚀,或因污染物与焊点和/或导线之间的电化学反应而短路。于是,金属腐蚀发生,且导线的电信号被中断,从而导致液晶显示器的驱动故障。
此外,这种金属腐蚀通过因邻近焊点间的电势差导致的电解而发生。即,当电势差在两个金属间发生时,正极(+)金属的电子迁徙到负极(-)金属内,使得正极金属缺电子,于是最终被腐蚀。具体地,因为邻近焊点间的电势差较大,所以焊点和/或连接到其上的导线易于腐蚀。
例如,加载到液晶显示器的栅极驱动集成电路上的栅极信号被分成电压Von、电压Voff、垂直时标和垂直起始脉冲。Von和Voff分别为+15V和-7V,于是其间的电势差变为22V。这种高电势差增加了电子的迁徙,从而腐蚀加载了电压Von的焊点,这导致栅极驱动集成电路的驱动故障。
发明内容
本发明是为了解决以上问题,因而本发明的一个目的是提供一种在LCD板的焊点被连接至驱动集成电路时防止焊点和/或连接到焊点的导线被腐蚀的液晶显示器。
本发明的另一个目的是提供一种制造一种液晶显示器的方法,尤其适于在LCD板的焊点被连接至驱动集成电路时防止焊点和/或连接到焊点的导线被腐蚀的液晶显示器。
为了实现本发明的目的,提供一种液晶显示器,该液晶显示器包括基板、形成在基板显示区上的象素阵列、形成在基板非显示区上的多个焊点、以及集成电路,该集成电路安装在基板的非显示区上并与焊点电连接以产生运行象素阵列所需的信号。导电阻挡层形成在连接至集成电路的每个焊点的周围部分上,并与每个焊点隔开。根据集成电路的内部连接,每个导电阻挡层具有等于每个焊点的电势。
此外,为了实现本发明的目的,提供一种液晶显示器,包括:基板;形成在基板显示区上的象素阵列;安装在基板的非显示区上以产生运行象素阵列所需的信号的集成电路;多个输出焊点,该焊点连接在从显示区延伸到非显示区并电连接在集成电路的一部分上的多个第一导线的端部;以及多个输入焊点,该焊点连接在形成在基板的非显示区上并与集成电路的另一部分电连接的多个第二导线的端部。在以上的液晶显示器中,与每个焊点分离的导电阻挡层形成在与集成电路连接的每个输入焊点的周围部分上。根据集成电路的内部连接,导电阻挡层具有等于每个输入焊点的电势。
此外,为了实现本发明的目的,提供一种液晶显示器,包括:具有象素阵列的第一基板,它包括形成在第一基板的中心部分上呈矩阵形的多个象素;形成在第一基板的第一周围部分上以将第一信号加载至多个象素的多个第一焊点,和形成在第一基板的第二周围部分上以将第二信号加载到多个象素上的多个第二焊点;第二基板,该基板具有对应第一基板中心部分形成的滤色板;形成在第一基板和第二基板间的液晶层;第一集成电路,该集成电路通过COG方法与第一周围部分上的第一焊点连接;以及第二集成电路,该集成电路通过COG方法与第二周围部分上的第二焊点连接。与每个第一焊点隔离的第一阻挡层形成在与第一集成电路连接的每个第一焊点的周围部分上,与每个第二焊点分隔的第二阻挡层形成在与第二集成电路连接的每个第二焊点的周围部分上。每个第一阻挡层具有等于每个第一焊点的电势,且每个第二阻挡层具有等于每个第二焊点的电势。
为了实现本发明的另一个目的,提供一种制造液晶显示器的方法,包括步骤:在基板上形成多个导线;在导线和基板上形成钝化层;部分蚀刻钝化层以敞开每个导线的接触区;在合成结构上沉积导电层并构图该导电层,以形成经过接触区与每个导线连接的多个焊点,并在连接至外部集成电路的每个焊点的周围部分上同时形成导电阻挡层,该导电阻挡层与每个焊点隔离,并具有等于每个焊点的电势;以及将焊点与外部集成电路相连。
根据本发明,具有相等电势的导电阻挡层与每个焊点隔离,并形成在与集成电路连接的焊点的周围部分上。导电阻挡层以与焊点相同的层形成。
在本发明的第一优选实施例中,导电阻挡层形成为闭合环形状。
根据本发明的第二优选实施例,导电阻挡层形成为开放环形状,以防止漏导在与焊点连接的导线和具有等电势的导电阻挡层之间产生。
在本发明的第三优选实施例中,导电缓冲层形成在与每个焊点连接的导线两侧,以从每个焊点和导电阻挡层凸出,从而防止导电阻挡层因诸如水汽或化学物质等污染物而腐蚀。
在本发明的第四优选实施例中,导电阻挡层形成形成在与每个焊点连接的每个导线两侧,以与每个焊点分离。于是,每个焊点和周围的导电阻挡层通过集成电路的内部连接而具有相等的电势。
在本发明的第五优选实施例中,至少一个接地线形成在与集成电路连接的每个焊点之间,从而防止具有与连接集成电路的焊点相等的电势的焊点被腐蚀。
具体实施方式
以下,根据本发明优选实施例的液晶显示器和制造该液晶显示器的方法将参照附图详细说明。
图5是显示根据本发明液晶显示器的LCD板的平面图。
参照图5,本发明的LCD板包括第一基板200、相对于第一基板200定位的第二基板400、以及注入在第一基板200和第二基板400之间的液晶(未示出)。
多个栅极线和多个数据线(未示出)呈矩阵形形成在第一基板200上,且象素电极和薄膜晶体管(未示出)形成在栅极线和数据线的交点上。
滤色板和透明公共电极(未示出)形成在第二基板400上。滤色板包括红、绿、蓝(RGB)象素,在光经过RGB象素时,该象素发出预定颜色。第一和第二基板200和400设置成彼此相对,并在其间注入液晶后彼此结合。此外,偏振片(未示出)可以粘接在第一和第二基板200和400外侧,以根据液晶的取向维持外部光的传输方向。
第二基板400的面积小于第一基板200的面积。第一和第二基板200和400重合的部分成为显示区320,除了重叠部分之外的其它部分成为非显示区325。
在非显示区325内,第一COG集成电路(IC)500的一个接线端(即,输出端)连接焊点268(以下称为第一输出焊点),该焊点连接从第一基板200的显示区320延伸到非显示区325的栅极线的端部。第一COG IC 500是栅极驱动集成电路。第一COG IC 500的其它接线端(即,输入接线端)通过第一信号线连接柔性印刷电路板(FPC)(未示出)。此时,第一输入焊点270连接第一信号线的端部。
另外,第二COG IC 450的一端(即,输出接线端)连接与数据线的端部连接的焊点272(以下称为“第二输出焊点”),该数据线从第一基板200的显示区320延伸至非显示区325。第二COG IC 450是数据驱动集成电路。第二COG IC 450的其它接线端(即,输出接线端)通过第二信号线连接FPC。此时,第二输入焊点274连接至第二信号线的端部。
输入焊点270和274将FPC产生的信号传输至COG IC 450和500,且输出焊点268和272将从COG IC 450和500产生的操作信号传输至形成在显示区320上的象素阵列。
通常,连接至栅极线和数据线端部的多个输出焊点268和272布置成Z字形,因为其间距因大量的输出信号而较窄。于是,COG IC 450和500的连接至输出焊点268和272的输出接线端也设置成Z字形。另一方面,连接至信号线端部的输入焊点270和274排列成直线,因为其间距因少量的输入信号而比输出焊点268和272的宽。因此,COG IC 450和500的与输入焊点270和274连接的输入接线端设置成直线。
至于连接至驱动集成电路的输出接线端的输出焊点268和272,相邻焊点之间的电势差较小。另一方面,在连接驱动集成电路的输入接线端的输入焊点270和274内,相邻焊点之间的电势差大。结果,其上施加有正电压的焊点内的电子迁徙到其上施加有负电压的焊点内,从而腐蚀正电压的输入焊点。因此,本发明提出,在输入焊点270和274的周围部分上形成导电阻挡层,以在集成电路连接到焊点上时防止连接到输入焊点270和274上的导线被腐蚀。
实施例1
图6是示出根据本发明第一实施例的栅极驱动集成电路的栅极输入焊点部分的平面图,图7是示出图6中“A”的横截面视图。
参照图6和7,多个信号线224形成在第一基板200上,在该基板上形成有薄膜晶体管和象素电极。每个信号线224覆盖有栅极绝缘层225和钝化层250。对应于每个信号线224的多个焊点接触孔260经过钝化层250和栅极绝缘层225形成。多个COG IC输入焊点270形成在钝化层250上。COG IC输入焊点270通过焊点接触孔260连接至对应信号线224的端部。
各向异性导电膜(ACF)树脂520涂覆在输入焊点270上。ACF树脂520包括其中的多个导电球530。
当作为栅极驱动集成电路的COG IC 500的多个凸点510排列并被压在对应的输入焊点270上,凸点510和输入焊点270之间的导电球530被压缩,使得COG IC 500和输入焊点270彼此接触。
在本发明的第一实施例中,与每个输入焊点270隔开的导电阻挡层275形成在与COG IC 500连接的每个输入焊点270的周围部分上。根据COG IC500的内部连接,导电阻挡层275具有等于每个输入焊点270的电势。导电阻挡层275由与输入焊点270内的相同的层形成。通常,在透射型液晶显示器内,因为焊点270由与象素电极内相同的层形成,所以导电阻挡层275包括透明导电膜,例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。或者,在反射型液晶显示器内,导电阻挡层275是由反光金属形成的金属膜,例如铝(Al)、铝合金、银和银合金。
优选地,导电阻挡层275形成为图6所示的闭合环形状。于是,当COGIC 500和输入焊点270彼此连接时,环绕每个输入焊点270附近的闭合环形状的导电阻挡层275通过COG IC 500的内部连接520而具有等于每个输入焊点270的电势。结果,当例如水汽或化学物质的污染物渗入与COG IC500的凸点510接触的焊点部分时,对应的输入焊点270因为具有等电势的导电阻挡层275而不受污染物的影响。即,导电阻挡层275起到了防止输入焊点270和与输入焊点270连接的信号线224被腐蚀的作用。
图8A至8D是说明制造根据本发明第一实施例的液晶显示器的方法的横截面视图。图8A至8D显示了具有底部栅极结构的薄膜晶体管液晶显示器。
参照图8A,第一金属层沉积在由例如玻璃或陶瓷的非导电材料形成的绝缘基板200上,并通过光刻工艺构图以形成栅极导线。第一金属层由具有约500厚度的铬(Cr)层和具有约2500厚度的铝-钕(Al-Nd)层构成。栅极导线包括在第一方向上从基板200的显示区向非显示区延伸的栅极线、从该栅极线分叉的栅电极215、以及位于栅极线端部的栅极接线端(未示出)。同时,第一信号线224在第一方向上形成在基板200的非显示区上。第一信号线224连接至第一COG IC 500(见图5)的输入接线端,该IC是栅极驱动集成电路。优选地,第一信号线224由用于形成栅极导线的金属层形成。此外,考虑到导线的电阻,优选的是,连接至作为数据驱动集成电路的第二COG IC 450(见图5)的输入接线端的第二信号线(未示出)由用于栅极导线的金属层制造。
参照图8B,氮化硅通过等离子体强化化学气相沉积(PECVD)方法在基板200的整个表面上沉积至约4500的厚度,在该基板200上,栅极导线和第一信号线224得以形成,从而形成栅极绝缘层225。
例如非晶硅层的有源层通过PECVD方法在栅极绝缘层225上沉积至约2000的厚度。例如n+掺杂非晶硅层的欧姆接触层通过PEVCD方法在有源层上沉积至约500的厚度。此时,非晶硅层和n+掺杂非晶硅层在PECVD设备的同一反应室内原位沉积。然后,欧姆接触层和有源层通过光刻工艺构图,以在位于栅电极215上的栅极绝缘层上形成由非晶硅层构成的有源构图230和由n+掺杂非晶硅层构成的欧姆接触层构图235。
诸如铬(Cr)、铬-铝(Cr-Al)或铬-铝-铬(Cr-Al-Cr)的第二金属层通过溅射方法在合成结构的整个表面上沉积至约1500至约4000的厚度。然后,第二金属层通过光刻工艺构图,以形成数据导线。数据导线包括在第二方向上从基板200的显示区到非显示区延伸的数据线、从数据线分叉的源电极240和漏电极245、以及位于数据线一端部的漏极接线端(未示出)。第二方向垂直于第一方向。因此,完成了具有栅电极215、有源构图230、欧姆接触层构图235、源电极240和漏电极245的薄膜晶体管300。此时,栅极绝缘层225间插在栅极线和数据线之间,以防止栅极线与数据线接触。
接着,暴露在源电极240和漏电极245之间的欧姆接触层构图235通过反应离子蚀刻(RIE)去除。籍此,暴露在源电极和漏电极240和245之间的有源构图区被制备成薄膜晶体管300的沟道区。
在本实施例中,有源构图230和数据导线利用两道掩膜形成。然而,本发明人发明并申请了一种利用一个掩膜形成有源构图230、欧姆接触层构图235和数据导线的方法,如韩国专利申请第1998-49710号所述,从而在制造具有底部栅极结构的薄膜晶体管液晶显示器中,将掩膜数量减少至四个。利用四个掩膜制造薄膜晶体管液晶显示器的方法将如下阐述。
首先,在接连沉积用于有源层的非晶硅层和用于欧姆接触层的n+掺杂非晶硅层于栅极绝缘层上后,在其上沉积用于数据导线的第二金属层。然后,在涂覆光致抗蚀剂层于第二金属层上后,暴露光致抗蚀剂层并显影之,以形成光致抗蚀剂构图(未示出),该构图包括具有第一厚度并位于薄膜晶体管的沟道部分上的第一部分、具有比第一厚度厚的第二厚度并位于数据导线部分上的第二部分、以及其上的光致抗蚀剂层被完全去除的第三部分。其后,位于第三部分下方的第二金属层、欧姆接触层和有源层,第一部分下方的第二金属层,以及第二部分的部分厚度被蚀刻掉。结果,同时形成由第二金属层构成的数据导线、由n+掺杂非晶硅层构成的欧姆接触层构图235和由非晶硅层构成的有源构图230。然后,去除剩余的光致抗蚀剂构图,使得利用一个掩膜同时形成了有源构图230、欧姆接触层构图235、以及包括源电极/漏电极240和245的数据导线。
参照图8C,用于将数据导线与将要形成在其上的象素电极绝缘的钝化层250形成在上面形成有薄膜晶体管300的基底200的整个表面上。钝化层250由例如氮化硅的无机材料或例如丙烯酸树脂的光敏有机材料构成。在反射型或反射-透射型液晶显示器的情形下,钝化层250由光敏有机材料形成,且多个槽形成在其表面上,以提高液晶显示器的反射率。
在暴露漏电极245的接触孔255通过光刻或曝光/显影工艺而穿过钝化层250形成之后,焊点区的栅极绝缘层225被干法蚀刻掉,以形成分别暴露栅极接线端端部、数据接线端和信号线的焊点接触孔260。
参照图8D,诸如ITO或IZO的透明导电层或诸如Al、Al合金、Ag和Ag合金的反光金属层沉积在合成结构的整个表面上,并通过光刻工艺构图,从而形成经过接触孔与薄膜晶体管的漏电极245连接的象素电极265。同时,在焊点接触孔上形成多个第一焊点和第二焊点。
第一焊点分为第一输出焊点268(见图5)和第一输入焊点270,前者连接至每个栅极接线端和栅极驱动集成电路(第一COG IC 500)的输出接线端,后者连接至每个第一信号线的端部和第一COG IC 500的输入接线端。
第二焊点分为第二输出焊点272(见图5)和第二输入焊点274(见图5),前者连接至每个数据接线端和数据驱动集成电路(第二COG IC 450)的输出接线端,后者连接至每个第二信号线的端部和第二COG IC 450的输入接线端。
根据本实施例,在形成象素电极265和焊点时,具有等电势的第一导电阻挡层275形成在连接作为栅极驱动集成电路的第一COG IC的每个第一输入焊点270的周围部分上,具有等电势的第二导电阻挡层(未示出)形成在连接数据驱动集成电路的每个第二输入焊点274的周围部分上。优选地,第一和第二导电阻挡层形成为闭合环形状。
在其上形成有象素电极265、焊点270和导电阻挡层275的合成结构的整个表面上形成第一取向层(未示出)之后,设置第二基板(未示出),以与第一基板200相对。第二基板包括滤色板、公共电极、第二取向层、相位差板(phase retardation plate)和偏振片。
在多个隔离衬(未示出)间插到第一基板200和第二基板之间后,在第一基板200和第二基板之间的空间内注入液晶(未示出),从而完成反射型、透射型或反射-透射型液晶显示器。
然后,在第一基板200的焊点上设置包括导电球的ACF树脂之后,通过COG方法将栅极和数据驱动集成电路的凸点压向焊点,从而完成液晶显示器模块。
实施例2
图9是显示根据本发明第二实施例的栅极驱动集成电路的栅极输入焊点部分的平面图。
参照图9,具有与每个输入焊点270的相等的电势的导电阻挡层276形成开放环形状,以防止漏导在连接每个输入焊点270的信号线224和导电阻挡层276之间产生。于是,即使诸如水汽或化学物质的污染物渗透进与栅极驱动集成电路的凸点接触的焊点部分内,输入焊点270和与每个输入焊点270连接的信号线224的腐蚀因导电阻挡层276而能得以防止。
实施例3
图10是显示根据本发明第三实施例的栅极驱动集成电路的栅极输入焊点部分的平面图。
参照图10,导电缓冲层278形成在连接每个输入焊点270的每个信号线224的两侧。导电缓冲层278从导电阻挡层277凸出,该导电阻挡层具有与每个焊点270相等的电势。因此,即使污染物渗入与栅极驱动集成电路的凸点接触的导电阻挡层277内,导电阻挡层277的腐蚀因具有等电势的导电缓冲层278而能得以防止。
实施例4
图11是显示根据本发明第四实施例的栅极驱动集成电路的栅极输入焊点部分的平面图。
参照图11,与信号线224隔离的导电阻挡层280形成在与每个输入焊点270连接的信号线224的两侧。在此情形中,每个输入焊点270和周围的导电阻挡层280通过栅极驱动集成电路的内部连接而具有等电势。于是,导电阻挡层280有效地防止了输入焊点270和与输入焊点270连接的信号线224被腐蚀。
实施例5
图12是显示根据本发明第五实施例的栅极驱动集成电路的栅极输入焊点部分的平面图。
参照图12,具有等电势的导电阻挡层285和286以与以上实施例1至4中的相同的方法形成在连接COG IC 500的每个输入焊点270和290的周围部分上,使得与信号线222和223连接的输入焊点270和290与位于信号线222和223两侧的输入焊点291、292、294和295之间的电势差成为零。然后,用于减少电势差的信号线,优选地是接地线(GND)298,间插在与COG IC 500相连的每个输入焊点270和290之间。
具体地,输入焊点291和292通过等电势的导电阻挡层285彼此连接,该焊点位于与信号线222连接的输入焊点270两侧,在信号线222上加载有电压Von。籍此,连接至Von信号线222的输入焊点270与位于其两侧的输入焊点291和292之间的电势差成为零。按与上述相同的方式,输入焊点294和295通过等电势的导电阻挡层285彼此连接,该输入焊点位于与信号线223连接的输入焊点290两侧,在信号线223上加载有电压Voff,使得连接至Voff信号线223的输入焊点290与位于其两侧的输入焊点294和295之间的电势差成为零。然后,一根接地线298间插在Von输入焊点270和Voff输入焊点290之间。
虽然Von的值高于15V,但是连接至COG IC 500的输入焊点270的腐蚀可以防止,因为连接至COG IC 500的输入焊点270与邻近的输入焊点291和292之间的电势差为零。此外,当Von为+15V,Voff为-7V时,Von输入焊点270与Voff输入焊点290之间的22V电势差分别降低至15V和7V。于是,位于连接至COG IC 500的输入焊点270和290两侧的输入焊点291、292、294和295的腐蚀几率降低。
此时,在腐蚀几率因为加载到与COG IC 500连接的输入焊点270和290上的信号电压增加而变高的情形下,优选的是在连接COG IC 500的每个输入焊点270和290之间插入多个接地线。
根据上述的本发明的第五实施例,至少一根接地线插在连接集成电路的各焊点之间,从而防止具有与连接集成电路的焊点相同的电势的焊点被腐蚀。
在本发明的上述实施例中,导电阻挡层形成在连接栅极驱动集成电路的输入接线端的栅极输入焊点部分上。然而,具有等电势的导电阻挡层可以根据与上述实施例相同的方法形成在数据输入焊点部分上,该焊点部分连接数据驱动集成电路的输入接线端。此外,驱动集成电路可以通过除COG方法以外的任何其它安装方法安装。
根据上述本发明,具有等电势的导电阻挡层与每个焊点隔离,并形成在连接集成电路的每个焊点的周围部分上,从而在集成电路的凸点与焊点彼此连接时,防止焊点和连接焊点的导线因污染物而腐蚀。
虽然已经描述了本发明的优选实施例,但是,应当理解的是,本发明不应限于这些优选实施例,相反,在本发明的精髓与范围内,本领域技术人员可作各种变化和改动。