CN1607443A - 液晶显示面板器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示面板器件，包括：薄膜晶体管阵列基板，其具有设在基板上的栅极线，与所述栅极线相交的数据线，且在所述栅极线与数据线之间设有栅极绝缘图案用以确定像素区域，设在所述栅极线与数据线之间交叉点处的薄膜晶体管，用来保护所述薄膜晶体管的保护膜；设在所述像素区域处且连接到所述薄膜晶体管的像素电极，连接到所述栅极线且由包含在所述栅极线内的透明导电膜形成的栅极焊盘；以及连接到所述数据线且由所述透明导电膜形成的数据焊盘；与所述薄膜晶体管阵列基板结合且彼此相对的滤色片阵列基板；其中所述保护膜设置在薄膜晶体管阵列基板与所述滤色片阵列基板相重叠的区域，以暴露包含在所述栅极焊盘和所述数据焊盘内的所述透明导电膜。

Description

液晶显示面板器件及其制造方法
本发明要求于2003年10月14日提交的韩国专利申请号P2003-71377的权益，在此结合其作为参考。
技术领域
本发明涉及液晶显示(LCD)器件和制造LCD器件的方法，特别涉及LCD面板器件和制造LCD面板器件的方法。
背景技术
通常，LCD器件通过向液晶材料施加电场来控制穿过液晶材料的光的透射，由此显示图像。这种LCD器件通过改变在上下基板上彼此相对设置的像素电极与公共电极之间形成的电场来驱动液晶材料。
这种LCD器件包括接合在一起的下阵列基板(即薄膜晶体管(TFT)阵列基板)和上阵列基板(即滤色片阵列基板)。因此，将衬垫料设置在上基板与下基板之间，以使上基板与下基板之间保持均匀的盒间隙，其中将液晶材料填充在该盒间隙内。
下阵列基板包括多条信号布线和多个TFT，以及涂敷在其上以保持液晶材料取向的定向膜。上阵列基板包括用来产生彩色光的滤色片，用来避免漏光的黑矩阵，以及涂敷在其上以保持液晶材料取向的定向膜。
下阵列基板的制作包括比较复杂的制作工序，例如需要多个掩模工序的各种半导体工序，由此增加了LCD面板器件的制造成本。因此，对下阵列基板的研制已经朝着减少单个掩模工序的总数目的方向发展。举例来说，单个掩模工序可能包括很多的各种中间工序，如薄膜沉积，清洁，光刻，蚀刻，光刻胶剥离，以及检查。目前，已经研制出四轮(four-round)掩模工序，其从现在使用的五轮掩模工序除去一次掩模工序。
图1是现有技术的LCD面板器件的下阵列基板的平面图，图2是沿图1中现有技术的LCD面板器件其II-II’线的横截面图。在图1和图2中，LCD面板器件的下阵列基板包括以彼此交叉且其间形成有栅极绝缘膜12的方式设置在下基板1上的栅极线2和数据线4；设置在每个交叉点处的TFT 30；在交叉点确定的单元区域设置的像素电极22；设置在栅极线2与存储电极28之间重叠部分处的存储电容器40；连接到栅极线2上的栅极焊盘50；连接到数据线4上的数据焊盘60。由此，栅极线2传输栅极信号，而数据线4传输数据信号。
TFT 30响应沿栅极线2传输的栅极信号使沿数据线4传输的像素信号充电进入像素电极22并保持在其中。TFT 30包括连接在栅极线2上的栅极6，连接在数据线4上的源极8，和连接在像素电极22上的漏极10。另外，TFT 30还包括有源层14，其与栅极6相重叠并在两者之间具有栅极绝缘膜12，以确定源极8与漏极10之间的沟道。此外，有源层14与数据线4、下数据焊盘电极62以及存储电极28相重叠。另外，在有源层14上设置一欧姆接触层，以使其与数据线4、源极8、漏极10、下数据焊盘电极62以及存储电极22电接触。
像素电极22经由穿过保护膜18的第一接触孔20连接到薄膜晶体管30的漏极10上，并且设置在像素区域5处。由此，在经薄膜晶体管30加有像素信号的像素电极22与加有基准电压的公用电极(未示出)之间形成电场。下阵列基板和上阵列基板之间的液晶分子因液晶材料的介电各向异性而由这种电场引起旋转。像素区5上的透光率随着液晶分子的旋转程度而变化，由此形成灰度。
存储电容器40包括栅极线2，与栅极线2相重叠且具有栅极绝缘膜12的存储电极28，有源层14，以及位于存储电极28与有源层14之间的欧姆接触层16。因此，存储电极28经由保护膜18确定的第二接触孔42连接到像素电极22。这样，存储电容器40使像素信号充入像素电极22并得以在其中保持，直至接下来的下一个像素信号充入像素电极22。
栅极焊盘50连接到栅极驱动器(未示出)上，以向栅极线2供给栅极信号，栅极焊盘50包括从栅极线2延伸的下栅极焊盘电极52，和经由穿过栅极绝缘膜12和保护膜18的第三接触孔56连接到下栅极焊盘电极52的上栅极焊盘电极54。
数据焊盘60连接到数据驱动器(未示出)上，以向数据线4供给数据信号，数据焊盘60包括从数据线4延伸的下数据焊盘电极62，和经由穿过保护膜18的第四接触孔66连接到下数据焊盘电极62的上数据焊盘电极64。
图3A至3D是制造图2所示现有技术的下阵列基板的方法的横截面图。在图3A中，用第一掩模工序将包含有栅极线2，栅极6和下栅极焊盘电极52的栅极金属图案设置在下基板1上。例如，用沉积技术如溅射将栅极金属层形成在下基板1上。然后，使用第一掩模，用光刻法和蚀刻工序对栅极金属层构图，以形成包含有栅极线2，栅极6，和下栅极焊盘电极52的栅极金属图案。栅极金属层由铝族金属制成。
在图3B中，将栅极绝缘膜12涂敷在设有栅极金属图案的下基板1上。然后，用第二掩模工序，将包括有源层14和欧姆接触层16的半导体图案，和包括数据线4，源极8，漏极10，下数据焊盘电极62，和存储电极28的数据图案形成在栅极绝缘膜12上。例如，用沉积技术像等离子增强化学气相沉积法(PECVD)和溅射将栅极绝缘膜12，非晶硅层，n+非晶硅层，以及数据金属层依次形成在设有栅极金属图案的下基板1上。相应地，栅极绝缘膜12由无机绝缘材料，如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成，数据金属(data metal)选自钼(Mo)，钛(Ti)，钽(Ta)或钼合金。
然后，使用第二掩模，用光刻法将光刻胶图案形成在数据金属层上。例如，在TFT的沟道部分处具有衍射曝露部的衍射曝露掩模用作第二掩模，由此使沟道部分的光刻胶图案具有比其它源/漏极图案部分更低的高度。随后，用该光刻胶图案，借助于湿蚀刻工序对数据金属层构图，以提供包括数据线4，源极8，与源极8整体形成的漏极10，和存储电极28的数据图案。
接着，用相同的光刻胶图案，借助于干蚀刻工序对n+非晶硅层和非晶硅层同时构图，以提供欧姆接触层16和有源层14。然后，用灰化工序将具有比较低高度的光刻胶图案从沟道部分移除，并借助于干蚀刻工序蚀刻掉数据金属层和欧姆接触层16。这样，沟道部分的有源层14就被曝露，从而使源极8与漏极10断开。接着，用剥离工序将残留在数据图案组上的光刻胶图案去除。
在图3C中，包括第一接触孔20、第二接触孔42、第三接触孔56和第四接触孔66的保护膜18形成在设有数据图案的栅极绝缘膜12上。例如，用沉积技术，如等离子增强化学气相沉积法(PECVD)将保护膜18整个地形成在设有数据图案的栅极绝缘膜12上。然后，用第三掩模，借助于光刻法和蚀刻工序对保护膜18构图，以确定第一接触孔20、第二接触孔42、第三接触孔56和第四接触孔66。第一接触孔20穿过保护膜18来曝露漏极10，而第二接触孔42穿过保护膜18来曝露存储电极28。第三接触孔56穿过保护膜18和栅极绝缘膜12来曝露下栅极焊盘电极52，而第四接触孔66穿过保护膜18来曝露下数据焊盘电极62。因此，当具有较大干蚀刻率的金属如钼(Mo)被用作数据金属时，第一接触孔20、第二接触孔42和第四接触孔66分别穿过源极10，存储电极28和下数据焊盘电极62，来分别曝露其侧面。保护膜18由相同于栅极绝缘膜12的无机绝缘材料制成，或者由有机绝缘材料如具有小介电常数的丙烯酸有机化合物，苯并环丁烯(BCB)或者全氟环丁烷(PFCB)制成。
在图3D中，用第四掩模工序，将包括像素电极22，上栅极焊盘电极54以及上数据焊盘电极64的透明导电图案形成在保护膜18上。例如，用沉积技术如溅射，将透明导电膜涂敷在保护膜18上。接着，用第四掩模，借助于光刻法和蚀刻工序对该透明导电膜构图，以提供包括像素电极22，上栅极焊盘电极54以及上数据焊盘电极64的透明导电图案。像素电极22经由第一接触孔20电连接到漏极10上，同时经由第二接触孔42电连接到存储电极28上。上栅极焊盘电极54经由第三接触孔56电连接到下栅极焊盘电极52上，而上数据焊盘电极64经由第四接触孔66电连接到下数据焊盘电极62上。透明导电膜由氧化铟锡(ITO)，氧化锡(TO)，氧化铟锡锌(ITZO)或氧化铟锌(IZO)形成。
依照现有技术的制造下阵列基板的方法采用四轮掩模工序，由此与五轮掩模工序相比，减少了制作工序的数目，并降低了与制作工序的总数成正比的制造成本。然而，由于这种四轮掩模工序比较复杂，因此成本降低是有限的。因此，需要进一步地简化制作工序来更多地降低制造成本。
发明内容
因此，本发明涉及LCD面板器件和制造LCD面板器件的方法，其基本上能够消除由现有技术的局限和不足而引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种用减少数目的掩模工序制造的LCD面板器件。
本发明的另一个目标是提供一种制造具有减少数目的掩模工序的LCD面板器件的方法。
本发明其它的特征和优点将在下面的描述中得到阐述，而且由这些描述将会使其中的部分特征和优点变得更为明显，或者可以由实施本发明而得知。借助于特别是在说明书和其权利要求书以及附图中说明的结构，可以实现和获得本发明的这些目的和其它优点。
为了实现本发明的这些和其它优点，作为广义和具体的描述，本发明一种液晶显示面板器件包括：薄膜晶体管阵列基板，具有设在基板上的栅极线；与所述栅极线相交的数据线，具有设在所述栅极线与数据线之间以确定像素区域的栅极绝缘图案；设在所述栅极线与数据线之间交叉点处的薄膜晶体管；用来保护所述薄膜晶体管的保护膜；设在所述像素区域处且连接到所述薄膜晶体管的像素电极；连接到所述栅极线且由包含在所述栅极线内的透明导电膜形成的栅极焊盘；以及连接到所述数据线且由所述透明导电膜形成的数据焊盘；与所述薄膜晶体管阵列基板结合且彼此相对的滤色片阵列基板；其中所述保护膜设在与所述滤色片阵列基板重叠的区域，以曝露包含在所述栅极焊盘和所述数据焊盘内的所述透明导电膜。
另一方面，一种液晶显示面板器件，包括：设在基板上的栅极线；与所述栅极线相交、且与所述栅极线绝缘以确定像素区域的数据线；设在所述栅极线与所述数据线间的交叉点处的薄膜晶体管；连接到所述薄膜晶体管且设在所述像素区域处的像素电极；连接到所述栅极线且由包含在所述栅极线内的透明导电膜形成的栅极焊盘；连接到所述数据线且由所述透明导电膜形成的数据焊盘；设在除包含所述栅极焊盘和数据焊盘的焊盘区域外的区域处的定向膜；以及以与所述定向膜相同的图案设在所述定向膜下部的保护膜，以曝露所述栅极焊盘和所述数据焊盘的透明导电膜。
另一方面，一种制造液晶显示面板器件的方法，包括如下的步骤：提供下阵列基板的步骤，该下阵列基板具有设在基板上的栅极线，与所述栅极线相交且其间具有栅极绝缘图案以确定像素区域的数据线，设在所述栅极线与数据线之间交叉点处的薄膜晶体管，用来保护所述薄膜晶体管的保护膜，设在所述像素区域处且连接到所述薄膜晶体管的像素电极，连接到所述栅极线且由包含在所述栅极线内的透明导电膜形成的栅极焊盘，以及连接到所述数据线且由所述透明导电膜形成的数据焊盘；提供与所述薄膜晶体管阵列基板相对的滤色片阵列基板的步骤；使所述薄膜晶体管阵列基板与所述滤色片阵列基板结合的步骤，以曝露包含所述栅极焊盘和所述数据焊盘的焊盘区域；以及将所述滤色片阵列基板用作掩模，在所述数据焊盘处曝露所述透明导电膜的步骤。
又一方面，一种制造液晶显示面板器件的方法，包括以下步骤：提供下阵列基板的步骤，该下阵列基板具有设在基板上的栅极线，与所述栅极线相交且其间具有栅极绝缘图案以确定像素区域的数据线，设在所述栅极线与数据线之间交叉点处的薄膜晶体管，用来保护所述薄膜晶体管的保护膜，设在所述像素区域处且连接到所述薄膜晶体管的像素电极，连接到所述栅极线且由包含在所述栅极线内的透明导电膜形成的栅极焊盘，以及连接到所述数据线且由所述透明导电膜形成的数据焊盘；提供与所述薄膜晶体管阵列基板相对的滤色片阵列基板的步骤；使所述薄膜晶体管阵列基板与所述滤色片阵列基板结合的步骤，以曝露包含所述栅极焊盘和所述数据焊盘的焊盘区域；以及将所述滤色片阵列基板用作掩模，在所述数据焊盘处曝露所述透明导电膜。
再一方面，一种制造液晶显示面板器件的方法，包括以下步骤：在基板上形成具有栅极线，栅极，栅极焊盘，以及包含透明导电膜和像素电极的数据焊盘的栅极图案的步骤；在设有所述栅极图案和像素电极的所述基板上形成半导体图案和栅极绝缘图案的步骤；曝露包含在所述数据焊盘，所述栅极焊盘，以及所述像素电极内的透明导电膜的步骤；在设有所述半导体图案和所述栅极绝缘图案的所述基板上形成包含所述数据线，源极和漏极的数据图案的步骤；沿所述基板的整个表面形成保护膜，以保护所述薄膜晶体管的步骤；在所述保护膜上除包含所述栅极焊盘和数据焊盘的焊盘区域外的其余区域处形成定向膜的步；以及将所述定向膜用作掩模，去除所述保护膜来覆盖所述焊盘区域，以曝露包含在所述焊盘区域内的透明导电膜的步骤。
附图说明
所附的附图被包括用来提供对本发明的进一步理解，并结合构成说明书的一部分，示出本发明的各种实施方式，而且与下面的描述一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是现有技术的LCD面板器件其下阵列基板的平面图；
图2是沿图1中现有技术的LCD面板器件其II-II’线的横截面图；
图3A至3D是制作图2所示现有技术的下阵列基板的方法的横截面图；
图4是本发明的LCD面板器件的示例性下阵列基板的平面图；
图5是沿本发明图4中V-V’线的下阵列基板的横截面图；
图6A和6B是本发明一个示例性冗余线(redundancy line)的平面图和横截面图；
图7A和7B是制造本发明下阵列基板的一种示例性方法其示例性第一掩模工序的平面图和横截面图；
图8A和8B是制造本发明下阵列基板的一种示例性方法其示例性第二掩模工序的平面图和横截面图；
图9A至9C是依照本发明的图8A和图8B的示例性第二掩模工序的横截面图；
图10A和10B是制造本发明下阵列基板的一种示例性方法其示例性第三掩模工序的平面图和横截面图；
图11A至11E是依照本发明的图9A和9B的示例性第三掩模工序的横截面图；
图12是包括依照本发明图5的示例性下阵列基板的示例性LCD面板器件的横截面图；
图13是包括依照本发明图5的下阵列基板的另一种示例性LCD面板器件的横截面图；
图14是依照本发明的LCD面板器件其另一个示例性下阵列基板的平面图；
图15是取自本发明图14的XV1-XV1’和XV2-XV2’线的下阵列基板的横截面图；
图16A至16C是制造依照本发明图15的下阵列基板的一种示例性方法的横截面图；
图17A至17E是依照本发明图16C的示例性第三掩模工序的横截面图；
图18是包括依照本发明图15的示例性下阵列基板的示例性LCD面板器件的横截面图；
图19是包括依照本发明图15的示例性下阵列基板的另一种示例性LCD面板器件的横截面图。
具体实施方式
现在，详细说明本发明的各种优选实施方式，其实施例示出在附图中。
图4是依照本发明的LCD面板器件的示例性下阵列基板的平面图，图5是依照本发明沿图4中V-V’线的下阵列基板的横截面图。在图4和5中，下阵列基板可以包括在下基板101上以彼此相交且其间具有栅极绝缘图案112的方式设置的栅极线102和数据线104；设置在每个交叉点处的TFT 130；设置在由交叉点确定的像素区域105上的像素电极122；设置在像素电极122与栅极线102之间的重叠部分处的存储电容器140；从栅极线102延伸的栅极焊盘150；从数据线104延伸的数据焊盘160。栅极线102可以传输栅极信号，数据线104可以传输数据信号。
TFT 130向应沿栅极线102传输的栅极信号将沿数据线104传输的像素信充入像素电极122并将其保持在其中。因此，TFT 130可以包括连接到栅极线102的栅极106；连接到数据线104的源极108；以及连接到像素电极122的漏极110。另外，TFT 130可以包括与栅极106相重叠并在两者之间具有栅极绝缘图案112的半导体图案114和116，以在源极108与漏极110之间确定一条沟道。
栅极图案可以包括栅极106和栅极线102，且还可以包括一其上可以设置透明导电膜170和栅极金属膜172的结构。半导体图案可以在源极108与漏极110之间形成一条沟道，而且可以包括与栅极图案部分重叠的有源层114，并在栅极图案与有源层114之间具有栅极绝缘膜112。另外，半导体图案可以形成在有源层114上，而且可以包括欧姆接触层116，以与数据线104、存储电极128、源极108以及漏极110欧姆接触。半导体图案可以在相邻单元之间分别形成，以避免由半导体图案在相邻单元之间引起信号的干扰。
像素电极122可以由透明导电膜170形成在要直接连接到薄膜晶体管130的漏极110上的像素区域105处。从而，可以在经薄膜晶体管130加有像素信号的像素电极122和加有基准电压的公用电极(未示出)之间形成电场。由此，使下阵列基板和上阵列基板之间的液晶分子因液晶材料的介电各向异性而由这种电场引起旋转。像素区105上的透光率随着液晶分子的旋转程度而变化，由此形成灰度。
存储电容器140包括栅极线102；和与栅极线102相重叠，且具有栅极绝缘膜112的存储电极128；有源层114；以及位于存储电极128与有源层114之间的欧姆接触层116，存储电容器140可以直接连接在像素电极122上。因此，存储电容器140就可以将像素信号充入并稳定地保持在像素电极122，直至接下来的下一个像素信号充入像素电极122。
栅极焊盘150可以连接到栅极驱动器(未示出)上，以经由栅极链路152向栅极线102供给栅极驱动器产生的栅极信号。栅极焊盘150可以具有其中可以曝露从连接栅极线102的栅极链路152延伸的透明导电膜170的结构。因此，栅极链路152可以包括透明导电膜170和形成在该透明导电膜170上的栅极金属层172。
数据焊盘160可以连接到数据驱动器(未示出)上，以经由数据链路168向数据线104供给由数据驱动器产生的数据信号。数据焊盘160可以具有其中可以曝露从连接数据线104的数据链路168延伸的透明导电膜170的结构。因此，数据链路168可以包括由透明导电膜170形成的下数据链路电极162和连接到数据线104的上数据链路电极166。
图6A和6B是依照本发明一个示例性冗余线的平面图和横截面图。在图6A和6B中，下阵列基板101可以包括直接连接到数据线104的冗余线290，而且可以具有小于数据线104的宽度，以补偿数据线104的阻抗。例如，冗余线290可以由透明导电膜170形成。
图7A和7B是制造本发明下阵列基板的一种示例性方法其示例性第一掩模工序的平面图和横截面图。在图7A和7B中，下基板101可以包括像素电极122；包含有栅极线102的栅极图案；栅极106；栅极链路152；栅极焊盘150；数据焊盘160；下数据焊盘电极162；以及冗余线(未示出)，其中的每一个都可以具有双层结构，而且可以用第一掩模工序来形成。例如，透明导电膜170和栅极金属膜172可以用沉积技术如溅射顺序形成在下基板101上。该透明导电膜170可以由透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)，氧化锡(TO)，氧化铟锡锌(ITZO)，氧化铟锌(IZO)制成，栅极金属膜172可以包括金属，如包括铝/钕(AlNd)，钼(Mo)，铜(Cu)，铬(Cr)，钽(Ta)和钛(Ti)的铝族金属。
然后，透明导电膜170和栅极金属层172可以用第一掩模借助于光刻和蚀刻工序进行构图，以提供栅极线102，栅极106，栅极链路152，和下数据链路电极162，其中的每一个都可以具有双层结构；以及含有栅极金属膜172的栅极焊盘150，数据焊盘160，和像素电极122。
图8A和8B是制造本发明下阵列基板的一种示例性方法其示例性第二掩模工序的平面图和横截面图。在图8A和8B中，用第二掩模工序，将栅极绝缘膜111，含有有源层114和欧姆接触层116的半导体图案形成在设有栅极图案的下基板101上。包括在数据焊盘160，下数据链路电极162，栅极焊盘150，以及像素电极内的栅极金属膜172可以被去除来曝露透明导电膜170。
图9A至9C是依照本发明的图8A和图8B的示例性第二掩模工序的横截面图。在图9A中，用沉积技术，如PECVD或溅射，将栅极绝缘膜111和第一及第二半导体层115和117顺序形成在设有栅极图案的下基板101上。例如，栅极绝缘膜111可以由无机绝缘材料如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成。另外，第一半导体层115可以由未掺杂的非晶硅形成，第二半导体层117可以由掺杂N型或P型杂质的非晶硅形成。接着，光刻胶膜316沿该第二半导体层117的整个表面形成，将第二掩模300对准在下基板101的上端部分处。第二掩模300可以包括由透明材料制成的掩模基板302，和设在掩模基板302的遮蔽区域S2处的遮蔽部314。从而，掩模基板302的曝露区域就变成曝露区域S1。
在图9B中，用第二掩模300将光刻胶膜316暴露于光下进行显影，由此形成对应于第二掩模300的遮蔽部314的光刻胶图案318。然后，运用该光刻胶图案318，借助于蚀刻工序对栅极绝缘模111和第一及第二半导体层115和117进行构图。结果，使栅极绝缘图案112与包括栅极线102、栅极106、以及栅极链路152的栅极图案相重叠，另外，该半导体图案可以包括有源层114和欧姆接触层116，并且在栅极图案上具有比栅极图案更宽的宽度，如图9C所示。从而，当该半导体图案具有比栅极106更窄的宽度时，可以避免沟道性能恶化的出现。
接着，将栅极绝缘图案112及半导体图案114和116用作掩模，用湿蚀刻去除曝露的栅极金属膜172。例如，包含在栅极焊盘150、数据焊盘160、下数据链接电极162以及像素电极122内的栅极金属膜172可以被去除来曝露包含在其内的透明导电膜170。
图10A和10B是制造本发明下阵列基板的一种示例性方法其示例性第三掩模工序的平面图和横截面图。在图10A和10B中，包含数据线104、源极108、漏极110、存储电极128的数据图案，以及上数据链路电极166可以用第三掩模工序形成在设有栅极绝缘图案112和半导体图案的下基板101上。
图11A至11E是依照本发明的图9A和9B的示例性第三掩模工序的横截面图。在图11A中，数据金属层109和光刻胶膜328可以借助于沉积技术如溅射顺序形成在设有半导体图案的下基板101上。例如，数据金属层109可以由诸如钼(Mo)，铜(Cu)等金属形成。
接着，作为部分曝露掩模的第三掩模320可以对准在下基板101的上部处。该第三掩模320可以包括由透明材料制成的掩模基板322；设在该掩模基板322其遮蔽区域S2处的遮蔽部324；以及设在掩模基板322其部分曝露区域S3处的衍射曝露部(或透反射部)326。从而，掩模基板322的曝露区域就变成曝露区域S1。
在图11B中，使用第三掩模320将光刻胶膜328暴露于光下进行显影，由此形成在遮蔽区域S2和部分曝露区域S3处具有台阶覆盖层的光刻胶图案330，其中遮蔽区域S2和部分曝露区域S3对应于第三掩模320的遮蔽部324和衍射曝露部326。例如，设在部分曝露区域S3处的光刻胶图案330可以具有比设在遮蔽区域S2处的光刻胶图案330的第一高度更低的第二高度。
将光刻胶图案330用作掩模，借助于湿蚀刻工序对数据金属层109(图11A中)构图，以形成含有存储电极128；数据线104；源极108；和连接到数据线104一侧的漏极110的数据图案，以及连接到数据线104另一侧的上数据链路电极166。
接下来，将光刻胶图案330用作掩模，借助于干蚀刻将有源层114和欧姆接触层116沿数据图案形成。因此，可以去除有源层114和欧姆接触层116中处于与数据图案相重叠部分以外的其余区域的那部分。从而，由于半导体图案包含有源层114和欧姆接触层116，因此可以避免相邻单元间的短路。
在图11C中，使用氧(O2)等离子体，借助于灰化工序形成在部分曝露区域S3处具有第二高度的光刻胶图案230，同时，减少在遮蔽区域S2处具有第一高度的光刻胶图案330(图11B中)的高度。接着，使用光刻胶图案330，借助于蚀刻工序去除设在部分曝露区域S3即TFT沟道部分处的数据金属层和欧姆接触层116，由此将漏极110与源极108断开。
在图11D中，可以借助于剥离工序将残留在数据图案上的光刻胶图案230去除。
在图11E中，保护膜118可以沿设有数据图案的基板101的整个表面形成。该保护膜118可以由相同于栅极绝缘图案112的无机绝缘材料制成，或者由有机绝缘材料如具有小介电常数的丙烯酸有机化合物，苯并环丁烯(BCB)或者全氟环丁烷(PFCB)制成。
图12是包括依照本发明图5的示例性下阵列基板的示例性LCD面板器件的横截面图。在图12中，LCD面板器件可以包括用密封剂354彼此粘接的上阵列基板300和下阵列基板302。上阵列基板300可以包括含有黑矩阵，滤色片的上阵列352，以及设在上基板350上的公共电极。下阵列基板302可以设置成使其与上阵列基板300相重叠的区域被保护图案304所保护，而且在未与上阵列基板重叠的焊盘区域处包含在栅极焊盘150、数据焊盘160和公共焊盘180中至少一个内的透明导电膜170可以被曝露。
一种制造LCD面板器件的示例性方法可以包括单独制备上阵列基板300和下阵列基板302，以及用密封剂354将上阵列基板300与下阵列基板302粘结在一起。然后，将下阵列基板300用作掩模，用焊盘开口(pad opening)工序对下阵列基板302的保护膜118构图，以在显示区域处形成保护图案304，并曝露处于焊盘区域包含在栅极焊盘150、数据焊盘160和公共焊盘180中的任何一个内的透明导电膜170。
接下来，焊盘开口工序可以利用由大气等离子体发生器产生的等离子体顺序地扫描由上阵列基板300曝露的每个焊盘，或者可以共同扫描每一个焊盘，由此曝露栅极焊盘150和数据焊盘160中的透明导电膜170。或者，可以将由上阵列基板300与下阵列基板302相结合而制成的多个液晶盒引入一个腔室。然后，利用常压等离子体，用上阵列基板300曝露位于焊盘区域处的保护膜118，由此曝露栅极焊盘150和数据焊盘160中的透明导电膜170。另外，可以将其中有上阵列基板300与下阵列基板302彼此相结合的整个LCD面板器件浸入蚀刻液中。或者，可以仅将含有栅极焊盘150、数据焊盘160和公共焊盘180的焊盘区域浸入蚀刻液中，由此曝露栅极焊盘150和数据焊盘160中的透明导电膜170。
图13是包括依照本发明图5的下阵列基板的另一种示例性LCD面板器件的横截面图。在图13中，LCD面板器件可以包括用密封剂354彼此结合的上阵列基板300和下阵列基板302。下阵列基板302可以设置成使由定向膜382确定的显示区域被保护图案304所保护。另外，在包含于未与定向膜382相重叠的区域内的焊盘区域处，包含在栅极焊盘150、数据焊盘160和公共焊盘180中至少一个内的透明导电膜170可以被曝露。在上阵列基板300中，上阵列352可以包括黑矩阵，滤色片，以及设在上基板350上的公共电极。
制造LCD面板器件的一种示例性方法可以包括用第一，第二和第三掩模工序形成的下阵列基板302。下阵列基板302可以用清洁液体进行清洁，定向膜382如聚酰亚胺可以印刷在除焊盘区域外的剩余区域上。将该定向膜382用作掩模，用蚀刻工序对位于焊盘区域处的保护膜118构图，以形成用来曝露栅极焊盘150和数据焊盘160中的透明导电膜170的保护图案304。蚀刻工序所用的气体可以包括SF6。接下来，沿预定方向擦掉定向膜382，具有定向膜382的下阵列基板302可以与单独制备的上阵列基板300相结合，从而得到LCD面板器件。
图14是依照本发明的LCD面板器件其另一个示例性下阵列基板的平面图，图15是取自本发明图14的XV1-XV1’和XV2-XV2’线的下阵列基板的横截面图。在图14和15中，下阵列基板可以包括以彼此相交的方式设在下基板101上、且两者之间具有栅极绝缘图案212的栅极线202和数据线204；设在每个交叉点处的TFT 230；以可生成水平电场的方式设在由交叉点所确定的像素区域205处的像素电极222和公共电极284；以及连接到公共电极284的公共线286。另外，下阵列基板可以包括设在存储电极228与公共线286间重叠部分处的存储电容器240；从栅极线202延伸的栅极焊盘250；从栅极线204延伸的栅极焊盘260；以及从公共线286延伸的公共焊盘280。栅极线202可以供给栅极信号，数据线204可以供给数据信号。另外，公共线286可以供给用来驱动液晶材料的基准电压，而且可以平行于栅极线202来设置，且公共线286与栅极线202之间设有像素区域205。
TFT 230可以响应沿栅极线202传输的栅极信号将沿数据线204传输的像素信号充入像素电极222并保持在其中。因此，TFT 230可以包括连接到栅极线202的栅极206；连接到数据线204的源极208；以及连接到像素电极222的漏极210。另外，TFT 230包括有源层214，其与栅极206相重叠并在两者之间具有栅极绝缘图案212，以在源极208与漏极210之间确定一个沟道，其中有源层214也可以与存储电极228相重叠。而且，可以在有源层214上设置使其与漏极210和存储电极228电接触的一个欧姆接触层216。
像素电极222可以与TFT 230的漏极210和要设置在像素区域205处的存储电极228两者整体形成。例如，像素电极222可以包括从平行于相邻栅极线202的漏极210延伸的水平部222a，和从沿水平部222a的垂直方向延伸的指形部222b。另外，公共电极284可以连接到要设置在像素区域205处的公共线286上。例如，公共电极284可以平行于像素电极222的指形部222b而设置在像素区域205处。从而，可以在经TFT 230加有像素信号的像素电极222与经公共线286加有基准电压的公共电极284之间产生电场。例如，水平电场可以形成在像素电极222的指形部222b与公共电极284之间。因此，由于液晶材料的介电各向异性，电场就可以旋转下阵列基板与上阵列基板之间的液晶材料的液晶分子。因此，像素区域205上透光率随着液晶分子的旋转程度而变化，由此形成灰度。
存储电容器240包括栅极线202；与栅极线202相重叠且具有栅极绝缘膜212的存储电极228；有源层214；以及设在存储电极228与有源层214之间的欧姆接触层216，而且存储电容器240可以与像素电极222整体形成。因此，存储电容器240可以将像素信号充入并且稳定地保持在像素电极222，直至接下来的下一个像素信号充入像素电极222。
栅极焊盘250可以连接到栅极驱动器(未示出)上，以经由栅极链路252向栅极线202供给由栅极驱动器产生的栅极信号。栅极焊盘250可以具有曝露从连接到栅极线202的栅极链路252延伸的透明导电膜170的结构。因此，栅极链路252可以包括透明导电膜170，和形成在该透明导电膜170上的栅极金属层172。
数据焊盘260连接到数据驱动器(未示出)上，以经由数据链路268向数据线204供给由数据驱动器产生的数据信号。数据焊盘260可以具有曝露从连接到数据线204的数据链路268延伸的透明导电膜170的结构。因此，数据链路268可以包括具有透明导电膜170的下数据链路电极262，和形成在该透明导电膜170上的数据金属层172，以及连接到数据线204的上数据链路电极266。
公共焊盘280可以连接到栅极驱动器(未示出)上，以经由公共链路282向公共线286供给由栅极驱动器产生的栅极信号。公共焊盘280可以具有曝露从连接到公共线286的公共链路282延伸的透明导电膜170的结构。因此，公共链路282可以包括透明导电膜170，和形成在该透明导电膜170上的栅极金属层172。
图16A至16C是制造依照本发明图15的下阵列基板的一种示例性方法的横截面图。在图16A中，像素电极222(图14中)，和包含每个都可以具有双层结构的栅极线202，栅极206，栅极链路252，栅极焊盘250，数据焊盘260，下数据链路电极262，公共电极284，公共线286(图14中)，公共链路282，以及公共焊盘280的栅极图案，其都可以用第一掩模工序形成在下基板101上。例如，透明导电膜170和栅极金属膜172可以用沉积技术如溅射顺序形成在下基板101上。因此，透明导电膜170可以由透明导电材料诸如氧化铟锡(ITO)，氧化锡(TO)，氧化铟锡锌(ITZO)，氧化铟锌(IZO)等制成，而栅极金属膜172可以由金属，如包括铝/钕(AlNd)，钼(Mo)，铜(Cu)，铬(Cr)，钽(Ta)，钛(Ti)等铝族金属制成。
然后，透明导电膜170和栅极金属层172可以用第一掩模借助于光刻法和蚀刻工序进行构图，由此形成包含栅极线202，栅极206，栅极链路252，栅极焊盘250，数据焊盘260，下数据焊盘电极262，公共电极284，公共线286(图14中)，公共链路282，和公共焊盘280的栅极图案，其中的每一个都可以具有双层结构；以及包含栅极金属膜172的像素电极222。
在图16B中，栅极绝缘层212和包含有源层214和欧姆接触层216的半导体图案可以用第二掩模工序形成在设有栅极图案的下基板101上。例如，栅极绝缘膜和第一及第二半导体层可以用沉积技术如PECVD或溅射顺序形成在设有栅极图案的下基板101上。相应地，栅极绝缘膜可以由无机绝缘材料如化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。第一半导体层可以由未掺杂的非晶硅形成，第二半导体层可以由掺杂N型或P型杂质的非晶硅形成。
接下来，栅极绝缘膜和第一及第二半导体层可以利用第二掩模用蚀刻工序进行构图，以形成与含有栅极线202，栅极206，栅极链路252，公共链路282的栅极图案相重叠的栅极绝缘图案212，以及包含有源层214和欧姆接触层216且具有宽度比栅极绝缘图案212上栅极图案的宽度更宽的半导体图案。从而，可以避免当半导体图案的宽度比栅电极206的宽度更窄时出现的沟道性能的恶化。
在图16C中，包含数据线204，源极208，漏极210，存储电极228，上数据链路电极266，以及像素电极222的数据图案可以用第三掩模工序形成在设有栅极绝缘图案212和半导体图案的下基板101上。可以去除包含在栅极焊盘260，栅极焊盘250，公共焊盘280，以及公共电极282上的栅极金属膜172，以曝露透明导电膜170。
图17A至17E是依照本发明图16C的示例性第三掩模工序的横截面图。在图17A中，数据金属层209和光刻胶膜378可以利用沉积技术如溅射顺序形成在设有半导体图案的下基板101上。相应地，数据金属层209可以由诸如钼(Mo)，铜(Cu)等的金属形成。然后，将第三掩模370，其为部分曝露掩模，对准下基板101的上部。该第三掩模370可以包括由透明材料制成的掩模基板372，设在掩模基板372其遮蔽区域S2处的遮蔽部374，以及设在掩模基板372其部分曝露区域S3处的衍射曝露部(或透反射部)376。由此，掩模基板372的曝露区域就变成了曝露区域S1。
在图17B中，用第三掩模370对光刻胶膜378进行曝露和显影，由此提供在遮蔽区域S2和部分曝露区域S3处具有台阶覆盖层的光刻胶图案360，其中遮蔽区域S2和部分曝露区域S3对应于第三掩模370的遮蔽部374和衍射曝露部376。例如，设在部分曝露区域S3处的光刻胶图案360可以具有比设在遮蔽区域S2处的光刻胶图案360的第一高度更低的第二高度。
然后，将光刻胶图案360作为掩模，用湿蚀刻工序对数据金属层209构图，以形成包含存储电极228，数据线204，源极208，和连接到数据线204一侧的漏极210的数据图案，以及形成连接到数据线204另一侧的上数据链路电极266。通过将栅极绝缘图案212用作掩模，可以去除设在数据图案较低部分处的栅极金属膜172，以曝露包含在数据焊盘260，栅极焊盘250，公共焊盘280以及公共电极284中的透明导电膜170。
接下来，将光刻胶图案360用作掩模，借助于干蚀刻沿数据图案形成有源层214和欧姆接触层216。相应地，可以去除有源层214和欧姆接触层216中处于除与数据图案相重叠部分之外的其余区域的那部分。从而，就可以避免由包含有源层214和欧姆接触层216的半导体图案造成的相邻单元间的短路。
在图17C中，在部分曝露区域S3处具有第二高度h2的光刻胶图案360可以用氧(O2)等离子体借助于灰化工序去除，同时在遮蔽区域S2处具有第一高度h1的光刻胶图案360的高度可以降低。设在部分曝露区域S3即薄膜晶体管沟道部分处的数据金属层和欧姆接触层216可以用光刻胶图案360借助于蚀刻工序来去除，由此将漏极210与源极208断开。
在图17D中，用剥离工序去除残留在数据图案上的光刻胶图案360。
在图17E中，保护膜218可以沿设有数据图案的基板101的整个表面形成。保护膜218可以由相同于栅极绝缘图案212的无机绝缘材料制成，或者由有机绝缘材料如具有小介电常数的丙烯酸有机化合物，苯并环丁烯(BCB)或者全氟环丁烷(PFCB)制成。
图18是包括依照本发明图15的示例性下阵列基板的示例性LCD面板器件的横截面图。在图18中，LCD面板器件可以包括用密封剂354彼此结合的上阵列基板300和下阵列基板302。在上阵列基板300中，可以将包含黑矩阵、滤色片和公共电极的上阵列352设置在上基板350上。下阵列基板302可以设置成使其与上阵列基板300相重叠的区域被保护图案304所保护，而且可以曝露在未与上阵列基板300相重叠的焊盘区域处包含在栅极焊盘250、数据焊盘260和公共焊盘中至少一个内的透明导电膜170。
一种制造LCD面板器件的示例性方法可以包括单独制备上阵列基板300和下阵列基板302，以及用密封剂354将上阵列基板300与下阵列基板302结合在一起。然后，将下阵列基板300用作掩模，用焊盘开口工序对下阵列基板302的保护膜218构图，以在显示区域处提供保护图案304，并曝露在焊盘区域处包含在栅极焊盘250，数据焊盘260和公共焊盘中任何一个内的透明导电膜170。
同时，焊盘开口工序可以利用由大气等离子体发生器产生的等离子体顺序地扫描由上阵列基板300曝露的每个焊盘，或者可以共同地扫描每个焊盘，由此曝露栅极焊盘250和数据焊盘260中的透明导电膜170。或者，可以将由上阵列基板300与下阵列基板302相结合而成的多个液晶盒引入一个腔室。然后，利用常压等离子体，用上阵列基板300曝露位于焊盘区域处的保护膜218，由此曝露栅极焊盘250和数据焊盘260中的透明导电膜170。另外，可以将由上阵列基板300与下阵列基板302彼此相结合而成的LCD面板器件浸入蚀刻液中，或者，可以仅将含有栅极焊盘250和数据焊盘260的焊盘区域浸入蚀刻液中，由此曝露栅极焊盘250和数据焊盘260的透明导电膜170。
图19是包括依照本发明图15的示例性下阵列基板的另一种示例性LCD面板器件的横截面图。在图19中，LCD面板器件可以包括用密封剂354彼此结合的上阵列基板300和下阵列基板302。下阵列基板302可以设置成使由定向膜382确定的显示区域可以被保护图案304所保护，而且可以将在包含于未与定向膜382相重叠的区域内的焊盘区域处，包含在栅极焊盘250、数据焊盘260和公共焊盘中至少一个内的透明导电膜170曝露。相应地，将定向膜382用作掩模，可以用由蚀刻工序制成的图案来形成保护图案304。在上阵列基板300中，可以在上基板350上形成包括黑矩阵、滤色片以及公共电极的上阵列352。
依照本发明，像素电极和栅极图案可以用第一掩模工序来形成，半导体图案可以用第二掩模工序来形成，数据图案可以用第三掩模工序来形成。相应地，包括像素电极和公共电极在内的任何一个驱动电极都可以用第二或第三掩模工序曝露，包含在像素电极和公共电极内的透明导电膜。这样，下阵列基板可以以这种方式用三轮掩模工序来形成，从而可以减化其结构和其制作工序，由此降低制造成本和提高产率。另外，在基板的粘接或者定向膜的印刷之后，可以用焊盘开口工序来曝露包含在焊盘内的透明导电膜，由此避免焊盘电极的侵蚀。
很显然，对于本领域的熟练人员来说，只要在不脱离本发明的精神或范围下，可以对本发明的LCD面板器件和制造本发明LCD面板器件的方法做出各种改进和改变。因此，本发明旨在涵盖落入本发明所附权利要求及其等同物范围内的这些改进和改变。

Claims (26)

1.一种液晶显示面板器件，包括：
薄膜晶体管阵列基板，其具有设在基板上的栅极线，与所述栅极线相交的数据线，且在所述栅极线与数据线之间设有栅极绝缘图案用以确定像素区域，设在所述栅极线与数据线之间交叉点处的薄膜晶体管，用来保护所述薄膜晶体管的保护膜，设在所述像素区域处且连接所述薄膜晶体管的像素电极，连接所述栅极线且由包含在所述栅极线内的透明导电膜形成的栅极焊盘，以及连接所述数据线且由所述透明导电膜形成的数据焊盘；
与所述薄膜晶体管阵列基板结合且彼此相对的滤色片阵列基板；
其中所述保护膜设置在薄膜晶体管阵列基板与所述滤色片阵列基板相重叠的区域，以曝露包含在所述栅极焊盘和所述数据焊盘内的所述透明导电膜。
2.按照权利要求1的液晶显示面板器件，其特征在于，还包括：
从所述数据线延伸且连接到所述数据焊盘的数据链路；以及
从所述栅极线延伸且连接到所述栅极焊盘的栅极链路。
3.按照权利要求2的液晶显示面板器件，其特征在于，所述数据链路包括：
包含所述透明导电膜的下数据链路电极；以及
连接到所述下数据链路电极和所述数据线的上数据链路电极。
4.按照权利要求1的液晶显示面板器件，其特征在于，还包括含有所述栅极线的存储电容器，和与所述栅极线相重叠且与所述栅极线绝缘并连接到所述像素电极的存储电极。
5.按照权利要求3的液晶显示面板器件，其特征在于，所述栅极线、所述薄膜晶体管的栅极、所述栅极链路及所述下数据链路电极由所述透明导电膜形成，而且栅极金属膜形成在所述透明导电膜上。
6.按照权利要求1的液晶显示面板器件，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
连接到所述栅极线的栅极；
连接到所述数据线的源极；
与所述源极相对的漏极；以及
与所述栅极相重叠的半导体层，且在所述栅极与所述半导体层之间具有栅极绝缘层，以在所述源极与所述漏极之间确定一沟道部分。
7.按照权利要求1的液晶显示面板器件，其特征在于，还包括包含在所述滤色片阵列基板内、与所述像素电极一起产生垂直电场的公共电极。
8.按照权利要求1的液晶显示面板器件，其特征在于，还包括：
平行于所述像素电极、且用来与所述像素电极一起产生水平电场的公共电极；
平行于连接到所述公共电极的所述栅极而设置的公共线；以及
连接到所述公共线且向所述公共线供给基准电压的公共焊盘。
9.一种液晶显示面板器件，包括：
设在基板上的栅极线；
与所述栅极线相交、且与所述栅极线绝缘以确定像素区域的数据线；
设在所述栅极线与所述数据线间的交叉点处的薄膜晶体管；
连接到所述薄膜晶体管且设置在所述像素区域处的像素电极；
连接到所述栅极线且由包含在所述栅极线内的透明导电膜形成的栅极焊盘；
连接到所述数据线且由所述透明导电膜形成的数据焊盘；
设置在除包含所述栅极焊盘和数据焊盘的焊盘区域以外的区域处的定向膜；及
以与所述定向膜相同的图案设置在所述定向膜下部的保护膜，以曝露所述栅极焊盘和所述数据焊盘的透明导电膜。
10.按照权利要求9的液晶显示面板器件，其特征在于，还包括：
从所述数据线延伸且连接所述数据焊盘的数据链路；以及
从所述栅极线延伸且连接所述栅极焊盘的栅极链路。
11.按照权利要求10的液晶显示面板器件，其特征在于，所述数据链路包括：
包含所述透明导电膜的下数据链路电极；以及
连接所述下数据链路电极和所述数据线的上数据链路电极。
12.按照权利要求9的液晶显示面板器件，其特征在于，还包括含有所述栅极线的存储电容器，和与所述栅极线相重叠且与所述栅极线绝缘并连接到所述像素电极的存储电极。
13.按照权利要求11的液晶显示面板器件，其特征在于，所述栅极线、所述薄膜晶体管的栅极、所述栅极链路、以及所述下数据链路电极由所述透明导电膜形成，栅极金属膜形成在所述透明导电膜上。
14.按照权利要求9的液晶显示面板器件，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
连接到所述栅极线的栅极；
连接到所述数据线的源极；
连接到所述像素电极的漏极；以及
与所述栅极相重叠的半导体层，在所述栅极与所述半导体层之间设置栅极绝缘层，以在所述源极与所述漏极之间确定一沟道部分。
15.按照权利要求9的液晶显示面板器件，其特征在于，还包括：
平行于所述像素电极、且用来与所述像素电极一起产生水平电场的公共电极；
平行于所述栅极且连接所述公共电极的公共线；以及
连接到所述公共线且向所述公共线供给基准电压的公共焊盘。
16.一种制造液晶显示面板器件的方法，包括步骤：
提供具有设置在基板上的栅极线的下阵列基板；
与所述栅极线相交且具有设在所述栅极线与数据线之间以确定像素区域的栅极绝缘图案的数据线；
设在所述栅极线与数据线之间交叉点处的薄膜晶体管；
用来保护所述薄膜晶体管的保护膜；
设在所述像素区域且连接所述薄膜晶体管的像素电极；
连接到所述栅极线且由包含在所述栅极线内的透明导电膜形成的栅极焊盘；
以及连接所述栅极线且由所述透明导电膜形成的数据焊盘；
提供与所述薄膜晶体管阵列基板相对的滤色片阵列基板；
将所述薄膜晶体管阵列基板与所述滤色片阵列基板结合，以曝露包含所述栅极焊盘和所述数据焊盘的焊盘区域；以及
将所述滤色片阵列基板用作掩模，在所述数据焊盘处曝露所述透明导电膜。
17.按照权利要求16的方法，其特征在于，提供所述下阵列基板的步骤包括：
在所述基板上形成具有所述数据线、所述栅极、所述栅极焊盘及包含所述透明导电膜和所述像素电极的数据焊盘的栅极图案；
在设有所述栅极图案和像素电极的所述基板上形成半导体图案和栅极绝缘图案，以曝露包含在所述栅极焊盘、所述数据焊盘和所述像素电极内的所述透明导电膜；
在设有所述半导体图案和所述栅极绝缘图案的基板上形成包括所述数据线、源极、漏极的数据图案；以及
在设有所述数据图案的所述基板上形成保护膜。
18.按照权利要求16的方法，其特征在于，提供所述下阵列基板的步骤包括：
在所述基板上形成具有所述栅极线、所述栅极、所述栅极焊盘、所述公共线、所述公共电极、所述公共焊盘及包含所述透明导电层和所述栅极的数据焊盘的栅极图案；
在设有所述栅极图案和所述像素电极的所述基板上形成半导体图案和栅极绝缘图案；
在设有所述半导体图案和所述栅极绝缘图案的所述基板上形成包含所述数据线、源极和漏极的数据图案，且曝露包含在所述数据焊盘、所述栅极焊盘、所述公共焊盘、所述公共电极及所述像素电极内的所述透明导电膜；以及
在设有所述数据图案的所述基板上形成保护膜。
19.按照权利要求16的方法，其特征在于，所述提供滤色片阵列基板的步骤包括：
提供用以与所述像素电极一起产生垂直电场的公共电极。
20.按照权利要求16的方法，其特征在于，所述曝露透明导电膜的步骤包括：
将所述滤色片阵列基板用作掩模，用大气等离子体干蚀刻所述保护膜。
21.按照权利要求16的方法，其特征在于，所述曝露透明导电膜的步骤包括：
将所述滤色片阵列基板用作掩模，用常压等离子体干蚀刻所述保护膜。
22.按照权利要求16的方法，其特征在于，所述曝露透明导电膜的步骤包括：
湿蚀刻由将所述滤色片阵列基板与所述薄膜晶体管阵列基板相结合而形成的液晶盒中被所述滤色片阵列基板曝露的所述保护膜。
23.一种制造液晶显示面板器件的方法，包括步骤：
在基板上形成具有栅极线、栅极、栅极焊盘及包含透明导电膜和像素电极的数据焊盘的栅极图案；
在设有所述栅极图案和像素电极的所述基板上形成半导体图案和栅极绝缘图案，且曝露包含在所述数据焊盘、所述栅极焊盘及所述像素电极内的透明导电膜；
在设有所述半导体图案和所述栅极绝缘图案的所述基板上形成包含所述栅极线、源极和漏极的数据图案；
沿所述基板的整个表面形成保护膜以保护所述薄膜晶体管；
在所述保护膜上除包含所述栅极焊盘和数据焊盘的焊盘区域以外的其余区域形成定向膜；及
将所述保护膜用作掩模，去除覆盖所述焊盘区域的所述保护膜，以曝露包含在所述焊盘区域内的透明导电膜。
24.按照权利要求23的方法，其特征在于，所述形成半导体图案和栅极绝缘图案的步骤包括：
用包括干蚀刻工序的光刻法，由栅极绝缘膜和第一及第二半导体层形成所述半导体图案和所述栅极绝缘图案；
将所述半导体图案和所述栅极绝缘图案用作掩模，去除包含在所述数据焊盘、所述栅极焊盘及所述像素电极内的所述栅极金属膜。
25.按照权利要求23的方法，其特征在于，所述去除保护膜的步骤包括；
在设有所述保护膜的所述基板上印刷所述定向膜；以及
将所述定向膜用作掩模，蚀刻覆盖所述栅极焊盘、所述数据焊盘和所述公共焊盘中任何一个的所述的保护膜。
26.按照权利要求23的方法，其特征在于，还包括提供包含所述栅极线和与所述栅极线相重叠的存储电极的存储电容器的步骤，所述存储电极与所述栅极线绝缘且连接到所述像素电极。
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