JP2001154221A - アクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造
工程を短縮し、生産性をを向上させる。 【解決手段】ＴＦＴ基板の製造工程を最上層に保護絶縁
膜２５を形成した段階で終了し、その後このＴＦＴ基板
３０をシール材３３を介してカラーフィルタ基板３２と
相対向させ、カラーフィルタ基板３２をマスクとしてＴ
ＦＴ基板３０の最上層の保護絶縁膜２５をエッチングし
走査線および信号線の端部に形成されている圧接端子１
５，２３を露出させる。その後両基板の間に液晶を充填
する。これにより従来保護絶縁膜のパターニングに必要
としていたフォトレジスト成膜、パターン露光、現像工
程を削減できる。
工程を短縮し、生産性をを向上させる。 【解決手段】ＴＦＴ基板の製造工程を最上層に保護絶縁
膜２５を形成した段階で終了し、その後このＴＦＴ基板
３０をシール材３３を介してカラーフィルタ基板３２と
相対向させ、カラーフィルタ基板３２をマスクとしてＴ
ＦＴ基板３０の最上層の保護絶縁膜２５をエッチングし
走査線および信号線の端部に形成されている圧接端子１
５，２３を露出させる。その後両基板の間に液晶を充填
する。これにより従来保護絶縁膜のパターニングに必要
としていたフォトレジスト成膜、パターン露光、現像工
程を削減できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、製造工程を削減し
生産性の高いアクティブマトリクス型液晶表示パネルの
製造方法に関する。
生産性の高いアクティブマトリクス型液晶表示パネルの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示（ＬＣ
Ｄ）パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板とカラ
ーフィルタ基板を対向させ、間に液晶を充填し周りをシ
ール材で封止した構造を有している。ＬＣＤパネルを構
成しているＴＦＴ基板を製作するには、ガラス基板上に
走査線、信号線、半導体アイランド、圧接端子を形成す
る為のパターニングを行う必要があり、パターニングは
通常、成膜、フォトレジスト塗布、パターン露光、現
像、エッチング、フォトレジスト剥離のフローで行って
いる。ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板は、これらのフ
ローを数回繰り返して形成されるが工程数が多くなると
生産性が低下してしまう。
Ｄ）パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板とカラ
ーフィルタ基板を対向させ、間に液晶を充填し周りをシ
ール材で封止した構造を有している。ＬＣＤパネルを構
成しているＴＦＴ基板を製作するには、ガラス基板上に
走査線、信号線、半導体アイランド、圧接端子を形成す
る為のパターニングを行う必要があり、パターニングは
通常、成膜、フォトレジスト塗布、パターン露光、現
像、エッチング、フォトレジスト剥離のフローで行って
いる。ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板は、これらのフ
ローを数回繰り返して形成されるが工程数が多くなると
生産性が低下してしまう。
【０００３】図１７は、ＬＣＤパネルを構成するＴＦＴ
基板の等価回路図である。走査線５１と信号線５２の各
交点近傍に画素電極５３がマトリクス状に配設され、各
画素電極５３にはスイッチング用のＴＦＴ５４が設けら
れている。走査線５１の端部には走査線側圧接端子５５
が、信号線５２の端部には信号線側圧接端子５６がそれ
ぞれ設けられている。図１８は、ＴＦＴ基板の平面図を
示しており、図１９（ａ）は図１８のｂ−ｂ線断面図で
あり、図１９（ｂ）は図１８のａ−ａ線断面図である。
これらの図に示すように、ＴＦＴ基板は多層配線構造を
有しており、ガラス基板５０上に走査線５１、信号線５
２、画素電極５３、ゲート絶縁膜５７、半導体アイラン
ド５８、走査線側圧接端子５５、信号線側圧接端子５
６、保護絶縁膜５９、圧接端子部金属腐食防止用ＩＴＯ
膜６０を形成した構造を有している。以下に、従来の横
電界型ＬＣＤパネルの製造方法を順を追って説明する。
基板の等価回路図である。走査線５１と信号線５２の各
交点近傍に画素電極５３がマトリクス状に配設され、各
画素電極５３にはスイッチング用のＴＦＴ５４が設けら
れている。走査線５１の端部には走査線側圧接端子５５
が、信号線５２の端部には信号線側圧接端子５６がそれ
ぞれ設けられている。図１８は、ＴＦＴ基板の平面図を
示しており、図１９（ａ）は図１８のｂ−ｂ線断面図で
あり、図１９（ｂ）は図１８のａ−ａ線断面図である。
これらの図に示すように、ＴＦＴ基板は多層配線構造を
有しており、ガラス基板５０上に走査線５１、信号線５
２、画素電極５３、ゲート絶縁膜５７、半導体アイラン
ド５８、走査線側圧接端子５５、信号線側圧接端子５
６、保護絶縁膜５９、圧接端子部金属腐食防止用ＩＴＯ
膜６０を形成した構造を有している。以下に、従来の横
電界型ＬＣＤパネルの製造方法を順を追って説明する。
【０００４】まず、図２０（ａ）、（ｂ）の断面図と平
面図に示すように、ガラス基板５０上に金属膜を形成し
てパターニングし走査線５１とその端部に走査線側圧接
端子５５、および共通電極６２を形成する。なお、図２
０（ａ）は図２０（ｂ）のａ−ａ線断面図である。次
に、図２１（ａ）、（ｂ）に示すように、走査線５１を
含むガラス基板５０の全面にゲート絶縁膜５７、半導体
層６３およびオーミック層６4を形成した後、半導体層
６３およびオーミック層６4をパターニングして半導体
アイランド５８を形成する。なお、図２１（ａ）は図２
１（ｂ）のａ−ａ線断面図である。次いで、図２２
（ａ）、（ｂ）に示すように、全面に信号用金属膜を成
膜しパターニングして信号線５２と信号線側圧接端子５
６および画素電極５３を形成する。ここで、図２２
（ａ）は図２２（ｂ）のａ−ａ線断面図である。次に、
図２３（ａ）、（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ
部のオーミック層６4をエッチングする。次に、図２４
（ａ）、（ｂ）に示すように、全面に保護絶縁膜５９を
成膜し、保護絶縁膜５９およびゲート絶縁膜５７をパタ
ーニングして走査線側圧接端子５５と信号線側圧接端子
５６を露出させる。次に図２５（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、走査線側圧接端子５５および信号線側圧接端子５
６の金属の腐食などを防止するためＩＴＯ膜６０を成膜
しパターニングする。以上で、ＴＦＴ基板７０の製造工
程が完了する。
面図に示すように、ガラス基板５０上に金属膜を形成し
てパターニングし走査線５１とその端部に走査線側圧接
端子５５、および共通電極６２を形成する。なお、図２
０（ａ）は図２０（ｂ）のａ−ａ線断面図である。次
に、図２１（ａ）、（ｂ）に示すように、走査線５１を
含むガラス基板５０の全面にゲート絶縁膜５７、半導体
層６３およびオーミック層６4を形成した後、半導体層
６３およびオーミック層６4をパターニングして半導体
アイランド５８を形成する。なお、図２１（ａ）は図２
１（ｂ）のａ−ａ線断面図である。次いで、図２２
（ａ）、（ｂ）に示すように、全面に信号用金属膜を成
膜しパターニングして信号線５２と信号線側圧接端子５
６および画素電極５３を形成する。ここで、図２２
（ａ）は図２２（ｂ）のａ−ａ線断面図である。次に、
図２３（ａ）、（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ
部のオーミック層６4をエッチングする。次に、図２４
（ａ）、（ｂ）に示すように、全面に保護絶縁膜５９を
成膜し、保護絶縁膜５９およびゲート絶縁膜５７をパタ
ーニングして走査線側圧接端子５５と信号線側圧接端子
５６を露出させる。次に図２５（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、走査線側圧接端子５５および信号線側圧接端子５
６の金属の腐食などを防止するためＩＴＯ膜６０を成膜
しパターニングする。以上で、ＴＦＴ基板７０の製造工
程が完了する。
【０００５】このようにして製作したＴＦＴ基板７０を
用いてＬＣＤパネルを作成するには、まず、図２６に示
すようにＴＦＴ基板７０に配向膜７１を成膜する。次に
図２７に示すように、ＴＦＴ基板７０と別に製作したカ
ラーフィルタ基板７２をシール材７３をはさんで相対向
させ封着する。その後ＴＦＴ基板７０とカラーフィルタ
基板７２の間に液晶７４を注入する。最後に図２８に示
すように、偏光板７５をＴＦＴ基板７０とカラーフィル
タ基板７２の外側表面に貼り付けてＬＣＤパネルが完成
する（以下、従来例１という）。
用いてＬＣＤパネルを作成するには、まず、図２６に示
すようにＴＦＴ基板７０に配向膜７１を成膜する。次に
図２７に示すように、ＴＦＴ基板７０と別に製作したカ
ラーフィルタ基板７２をシール材７３をはさんで相対向
させ封着する。その後ＴＦＴ基板７０とカラーフィルタ
基板７２の間に液晶７４を注入する。最後に図２８に示
すように、偏光板７５をＴＦＴ基板７０とカラーフィル
タ基板７２の外側表面に貼り付けてＬＣＤパネルが完成
する（以下、従来例１という）。
【０００６】また、従来製造工程を簡略化する方法とし
て特開平８−３１３９３４号公報に開示されている方法
がある。この方法では、まずガラス基板上にゲート電極
を形成し、酸化シリコンのゲート絶縁膜を形成する。次
にゲート電極に対応するゲート絶縁膜上に高抵抗のアモ
ルファスシリコン層を形成し、隣接して低抵抗多結晶シ
リコン層を形成する。次に透明導電膜およびモリブデン
層を積層してソース電極およびドレイン電極を形成し、
ソース電極側の透明導電膜を延設して画素電極を形成す
る。薄膜トランジスタ上に窒化シリコンの保護絶縁膜を
全面的に形成し、フォトリソグラフィ法を用いてエッチ
ングしてパターニングしてＴＦＴ基板を構成する。この
ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とをシール材を介して
相対向させ両基板の間に液晶を充填してアクティブマト
リクス型液晶表示パネルが形成される（従来例２とい
う）。
て特開平８−３１３９３４号公報に開示されている方法
がある。この方法では、まずガラス基板上にゲート電極
を形成し、酸化シリコンのゲート絶縁膜を形成する。次
にゲート電極に対応するゲート絶縁膜上に高抵抗のアモ
ルファスシリコン層を形成し、隣接して低抵抗多結晶シ
リコン層を形成する。次に透明導電膜およびモリブデン
層を積層してソース電極およびドレイン電極を形成し、
ソース電極側の透明導電膜を延設して画素電極を形成す
る。薄膜トランジスタ上に窒化シリコンの保護絶縁膜を
全面的に形成し、フォトリソグラフィ法を用いてエッチ
ングしてパターニングしてＴＦＴ基板を構成する。この
ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とをシール材を介して
相対向させ両基板の間に液晶を充填してアクティブマト
リクス型液晶表示パネルが形成される（従来例２とい
う）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上で説明したように従
来例１では、ＬＣＤパネルの製造の際、特にＴＦＴ基板
の製造にあたり走査線パターニング用、半導体アイラン
ドパターニング用、信号線パターニング用、圧接端子表
出用、圧接端子保護膜パターニング用の５回のフォトマ
スク形成が必要となり、これらのフォトマスクを形成す
ることはＴＦＴ基板の生産に少なからず負荷となってお
り、フォトマスク形成の削減が検討されてきた。
来例１では、ＬＣＤパネルの製造の際、特にＴＦＴ基板
の製造にあたり走査線パターニング用、半導体アイラン
ドパターニング用、信号線パターニング用、圧接端子表
出用、圧接端子保護膜パターニング用の５回のフォトマ
スク形成が必要となり、これらのフォトマスクを形成す
ることはＴＦＴ基板の生産に少なからず負荷となってお
り、フォトマスク形成の削減が検討されてきた。
【０００８】上記従来例２の方法では、ＴＦＴ基板の最
上層の保護絶縁膜は通常どおりフォトリソグラフィ法を
用いてエッチングし所望のパターンを形成しているの
で、フォトレジスト成膜、パターン露光、現像工程が必
要になるという問題があり、以下に詳細に述べる本発明
の製造方法とは明らかに異なっている。
上層の保護絶縁膜は通常どおりフォトリソグラフィ法を
用いてエッチングし所望のパターンを形成しているの
で、フォトレジスト成膜、パターン露光、現像工程が必
要になるという問題があり、以下に詳細に述べる本発明
の製造方法とは明らかに異なっている。
【０００９】本発明では、カラーフィルタ基板またはガ
ラス板をマスクとして保護絶縁膜をエッチングすること
で、 従来保護絶縁膜のパターニングに必要なフォトマ
スク形成を３回に削減可能となり、これによりＬＣＤパ
ネルの生産性低下の問題を解決できる。
ラス板をマスクとして保護絶縁膜をエッチングすること
で、 従来保護絶縁膜のパターニングに必要なフォトマ
スク形成を３回に削減可能となり、これによりＬＣＤパ
ネルの生産性低下の問題を解決できる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＬＣＤパネル
の製造にあたり、カラーフィルタ基板をマスクとしてＴ
ＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜をエッチングすることで
ＴＦＴ基板の製造プロセスを短縮可能にすることを特徴
とする。すなはち、本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）基板とカラーフィルタ基板とをシール材を介して相
対向させ、両基板の間に液晶を充填するアクティブマト
リクス型液晶表示パネルの製造方法において、前記カラ
ーフィルタ基板をマスクとしてＴＦＴ基板の最上層の保
護絶縁膜をエッチングして走査線および信号線の圧接端
子を露出させることを特徴とする。前記ＴＦＴ基板の製
造工程は、最上層に保護絶縁膜を形成した段階で製造を
終了し、その後カラーフィルタ基板とシール材を介して
相対向させ、前記保護絶縁膜をカラーフィルタ基板をマ
スクとしてエッチングした後、両基板の間に液晶を充填
する。前記エッチングは、リアクティブイオンドライエ
ッチングにより行う。
の製造にあたり、カラーフィルタ基板をマスクとしてＴ
ＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜をエッチングすることで
ＴＦＴ基板の製造プロセスを短縮可能にすることを特徴
とする。すなはち、本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）基板とカラーフィルタ基板とをシール材を介して相
対向させ、両基板の間に液晶を充填するアクティブマト
リクス型液晶表示パネルの製造方法において、前記カラ
ーフィルタ基板をマスクとしてＴＦＴ基板の最上層の保
護絶縁膜をエッチングして走査線および信号線の圧接端
子を露出させることを特徴とする。前記ＴＦＴ基板の製
造工程は、最上層に保護絶縁膜を形成した段階で製造を
終了し、その後カラーフィルタ基板とシール材を介して
相対向させ、前記保護絶縁膜をカラーフィルタ基板をマ
スクとしてエッチングした後、両基板の間に液晶を充填
する。前記エッチングは、リアクティブイオンドライエ
ッチングにより行う。
【００１１】また、本発明によれば、ＴＦＴ基板とカラ
ーフィルタ基板とをシール材を介して相対向させ、両基
板の間に液晶を充填するアクティブマトリクス型液晶表
示パネルの製造方法において、前記ＴＦＴ基板にガラス
板を重ねあわせ、これをマスクとして前記ＴＦＴ基板の
最上層の保護絶縁膜をエッチングして走査線および信号
線の圧接端子を露出させた後、別に製作したカラーフィ
ルタ基板とシール材を介して相対向させ、両基板の間に
液晶を充填することを特徴とする。前記ＴＦＴ基板の製
造工程は、最上層に保護絶縁膜を形成した段階で終了
し、その後ガラス板を重ね合わせ、これをマスクとして
エッチングする。前記ＴＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜
のエッチングは、リアクティブイオンドライエッチング
により行うことができる。
ーフィルタ基板とをシール材を介して相対向させ、両基
板の間に液晶を充填するアクティブマトリクス型液晶表
示パネルの製造方法において、前記ＴＦＴ基板にガラス
板を重ねあわせ、これをマスクとして前記ＴＦＴ基板の
最上層の保護絶縁膜をエッチングして走査線および信号
線の圧接端子を露出させた後、別に製作したカラーフィ
ルタ基板とシール材を介して相対向させ、両基板の間に
液晶を充填することを特徴とする。前記ＴＦＴ基板の製
造工程は、最上層に保護絶縁膜を形成した段階で終了
し、その後ガラス板を重ね合わせ、これをマスクとして
エッチングする。前記ＴＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜
のエッチングは、リアクティブイオンドライエッチング
により行うことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実
施の形態である製造方法によって製作したＬＣＤパネル
の断面図およびの平面図である。ＬＣＤパネルはＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）基板３０、カラーフィルタ基板３
２、 シール材３３、液晶３４、偏光板３５、走査線側
圧接端子１５、信号線側圧接端子２３等から構成され
る。この実施の形態のＬＣＤパネルの製造方法の特徴
は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板３０
の製造工程で全面に保護絶縁膜２５を形成した状態でＴ
ＦＴ基板３０の製造を終了し、別に製作したカラーフィ
ルタ基板３２とシール材３３を介して重ね合わせた後、
カラーフィルタ基板３２をマスクとしてエッチングして
走査線側および信号線側の圧接端子１５、２３を露出さ
せた点である。
て説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実
施の形態である製造方法によって製作したＬＣＤパネル
の断面図およびの平面図である。ＬＣＤパネルはＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）基板３０、カラーフィルタ基板３
２、 シール材３３、液晶３４、偏光板３５、走査線側
圧接端子１５、信号線側圧接端子２３等から構成され
る。この実施の形態のＬＣＤパネルの製造方法の特徴
は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板３０
の製造工程で全面に保護絶縁膜２５を形成した状態でＴ
ＦＴ基板３０の製造を終了し、別に製作したカラーフィ
ルタ基板３２とシール材３３を介して重ね合わせた後、
カラーフィルタ基板３２をマスクとしてエッチングして
走査線側および信号線側の圧接端子１５、２３を露出さ
せた点である。
【００１３】図３は、本発明の第1の実施の形態により
製作したＴＦＴ基板部分の平面図を示しており、図４
（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３のｂ−ｂ線断面図および
ａ−ａ線断面図である。これらの図３および図４からわ
かるように、ＴＦＴ基板の構造は多層配線構造を有して
おり、ガラス基板１０、走査線１４、ゲート絶縁膜１
３、半導体アイランド１９、信号線２２、画素電極２
４、走査線側および信号線側圧接端子１５、２３、保護
絶縁膜２５で構成される。なお、この実施の形態では横
電界型ＬＣＤパネルを例にとって説明する。
製作したＴＦＴ基板部分の平面図を示しており、図４
（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３のｂ−ｂ線断面図および
ａ−ａ線断面図である。これらの図３および図４からわ
かるように、ＴＦＴ基板の構造は多層配線構造を有して
おり、ガラス基板１０、走査線１４、ゲート絶縁膜１
３、半導体アイランド１９、信号線２２、画素電極２
４、走査線側および信号線側圧接端子１５、２３、保護
絶縁膜２５で構成される。なお、この実施の形態では横
電界型ＬＣＤパネルを例にとって説明する。
【００１４】本発明では図４（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、ＴＦＴ基板の製造プロセスは最上層を保護絶縁膜２
５で覆った状態で終了させる。ＴＦＴ基板を覆っている
保護絶縁膜２５は、図２（ａ）、（ｂ）に示すようにカ
ラーフィルタ基板３２を重ねあわせた後、カラーフィル
タ基板３２をマスクとしてエッチングして走査線および
信号線の圧接端子部を露出する。図５（ａ）、（ｂ）は
エッチングを行った後のＴＦＴ基板の断面図を示してい
る。この図から、圧接端子部の保護絶縁膜２５がエッチ
ングによって除去され、走査線側圧接端子１５および信
号線側圧接端子２３が露出していることがわかる。これ
により圧接端子部を露出させる為に必要な保護絶縁膜上
へのフォトマスク形成が不要になり、ＴＦＴ基板を製造
するに当たり必要なフォトマスクは、走査線パターニン
グ用、半導体アイランドパターニング用、信号線パター
ニング用の３種類のフォトマスクに削減可能となる。以
降、液晶材注入、偏光板貼り付けを経てＬＣＤパネルが
完成する。
に、ＴＦＴ基板の製造プロセスは最上層を保護絶縁膜２
５で覆った状態で終了させる。ＴＦＴ基板を覆っている
保護絶縁膜２５は、図２（ａ）、（ｂ）に示すようにカ
ラーフィルタ基板３２を重ねあわせた後、カラーフィル
タ基板３２をマスクとしてエッチングして走査線および
信号線の圧接端子部を露出する。図５（ａ）、（ｂ）は
エッチングを行った後のＴＦＴ基板の断面図を示してい
る。この図から、圧接端子部の保護絶縁膜２５がエッチ
ングによって除去され、走査線側圧接端子１５および信
号線側圧接端子２３が露出していることがわかる。これ
により圧接端子部を露出させる為に必要な保護絶縁膜上
へのフォトマスク形成が不要になり、ＴＦＴ基板を製造
するに当たり必要なフォトマスクは、走査線パターニン
グ用、半導体アイランドパターニング用、信号線パター
ニング用の３種類のフォトマスクに削減可能となる。以
降、液晶材注入、偏光板貼り付けを経てＬＣＤパネルが
完成する。
【００１５】次に本発明の第１の実施の形態によるＬＣ
Ｄパネルの製造工程を順を追って詳細に説明する。ま
ず、図６（ａ）、（ｂ）の断面図と平面図に示すよう
に、ガラス基板１０上に配線用金属膜１１、ＩＴＯ膜１
２、ゲート絶縁膜１３を成膜しパターニングして走査線
１４および共通電極１６を形成する。また、走査線１４
の端部には走査線側圧接端子１５を設ける。なお、図６
（ａ）は図６（ｂ）のａ−ａ線断面図である。次に図７
（ａ）、（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１３の上に
半導体層１７、オーミック層１８を成膜しパターニング
して半導体アイランド１９を形成する。なお、図７
（ａ）は図７（ｂ）のａ−ａ線断面図である。次に図８
（ａ）、（ｂ）に示すように信号用金属膜２０、ＩＴＯ
膜２１を成膜しパターニングして信号線２２と信号線側
圧接端子２３および画素電極２４を形成する。次に図９
（ａ）、（ｂ）に示すように薄膜トランジスタ部のオー
ミック層をエッチングする。次に図１０（ａ）、（ｂ）
に示すように、全面に窒化シリコン膜を約２００ｎｍ成
膜して保護絶縁膜２５を形成する。なお、図１０（ａ）
は図１０（ｂ）のａ−ａ線断面図である。これでＴＦＴ
基板３０の作成フローが完了する。
Ｄパネルの製造工程を順を追って詳細に説明する。ま
ず、図６（ａ）、（ｂ）の断面図と平面図に示すよう
に、ガラス基板１０上に配線用金属膜１１、ＩＴＯ膜１
２、ゲート絶縁膜１３を成膜しパターニングして走査線
１４および共通電極１６を形成する。また、走査線１４
の端部には走査線側圧接端子１５を設ける。なお、図６
（ａ）は図６（ｂ）のａ−ａ線断面図である。次に図７
（ａ）、（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１３の上に
半導体層１７、オーミック層１８を成膜しパターニング
して半導体アイランド１９を形成する。なお、図７
（ａ）は図７（ｂ）のａ−ａ線断面図である。次に図８
（ａ）、（ｂ）に示すように信号用金属膜２０、ＩＴＯ
膜２１を成膜しパターニングして信号線２２と信号線側
圧接端子２３および画素電極２４を形成する。次に図９
（ａ）、（ｂ）に示すように薄膜トランジスタ部のオー
ミック層をエッチングする。次に図１０（ａ）、（ｂ）
に示すように、全面に窒化シリコン膜を約２００ｎｍ成
膜して保護絶縁膜２５を形成する。なお、図１０（ａ）
は図１０（ｂ）のａ−ａ線断面図である。これでＴＦＴ
基板３０の作成フローが完了する。
【００１６】次に、上記のようにして作成したＴＦＴ基
板３０を用いたＬＣＤパネルの作成方法を以下のフロー
で説明する。まず、図１１に示すようにＴＦＴ基板３０
の保護絶縁膜２５の上に配向膜３１を成膜する。次に図
１２に示すように、別の製作したカラーフィルタ基板３
２とＴＦＴ基板３０とをシール材３３を介して重ねあわ
せる。次に図１３に示すようにカラーフィルタ基板３２
をマスクとして保護絶縁膜２５をエッチングし、図１４
（ａ）、（ｂ）の断面図と平面図に示すように走査線側
圧接端子１５および信号線側圧接端子２３を露出させ
る。なお、図１４はＴＦＴ基板部分のみ示している。エ
ッチング方法としては、例えば、平行平板型リアクティ
ブイオンドライエッチング装置で電極間隔１８０ｍｍ、
圧力１０Ｐａ、エッチングガスとしてＳＦ6を用いて１
００ＳＣＣＭの流量で１００秒エッチングする。その
後、図１５に示すように、ＴＦＴ基板３０とカラーフィ
ルタ基板３２の間に液晶３４を注入する。最後にＴＦＴ
基板３０とカラーフィルタ基板３２の外側表面に偏光板
３５を貼り付けてＬＣＤパネルが完成する。このように
この実施の形態によれば、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ
基板を重ねあわせた後、カラーフィルタ基板をマスクと
してＴＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜をエッチングする
ことで圧接端子部を露出させるので、ＴＦＴ基板の製造
プロセスを短縮でき、ひいてはＬＣＤパネルの生産性を
上げることが可能になる。
板３０を用いたＬＣＤパネルの作成方法を以下のフロー
で説明する。まず、図１１に示すようにＴＦＴ基板３０
の保護絶縁膜２５の上に配向膜３１を成膜する。次に図
１２に示すように、別の製作したカラーフィルタ基板３
２とＴＦＴ基板３０とをシール材３３を介して重ねあわ
せる。次に図１３に示すようにカラーフィルタ基板３２
をマスクとして保護絶縁膜２５をエッチングし、図１４
（ａ）、（ｂ）の断面図と平面図に示すように走査線側
圧接端子１５および信号線側圧接端子２３を露出させ
る。なお、図１４はＴＦＴ基板部分のみ示している。エ
ッチング方法としては、例えば、平行平板型リアクティ
ブイオンドライエッチング装置で電極間隔１８０ｍｍ、
圧力１０Ｐａ、エッチングガスとしてＳＦ6を用いて１
００ＳＣＣＭの流量で１００秒エッチングする。その
後、図１５に示すように、ＴＦＴ基板３０とカラーフィ
ルタ基板３２の間に液晶３４を注入する。最後にＴＦＴ
基板３０とカラーフィルタ基板３２の外側表面に偏光板
３５を貼り付けてＬＣＤパネルが完成する。このように
この実施の形態によれば、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ
基板を重ねあわせた後、カラーフィルタ基板をマスクと
してＴＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜をエッチングする
ことで圧接端子部を露出させるので、ＴＦＴ基板の製造
プロセスを短縮でき、ひいてはＬＣＤパネルの生産性を
上げることが可能になる。
【００１７】次に本発明の第２の実施の形態について説
明する。この第２の実施の形態では、図１０（ａ）、
（ｂ）に示したように保護絶縁膜２５で覆われたＴＦＴ
基板３０を、図１６に示すように、平行平板型リアクテ
ィブイオンドライエッチング装置の周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電源４１側に結合された電極４０側に設置
し、さらにＴＦＴ基板３０上に耐プラズマ性に優れたＯ
リング４４を有するガラス板４３をマスクとして重ねあ
わせて、露出している保護絶縁膜をエッチングすること
により、圧接端子部を露出させる。この後このＴＦＴ基
板と別に製作したカラーフィルタ基板とをシール材を介
して相対向させ、両基板の間に液晶を充填してＬＣＤパ
ネルを製造する。この実施の形態でも保護絶縁膜上への
フォトマスク形成を削減して保護絶縁膜のエッチングが
できるという効果が得られる。なお、上記実施の形態で
は、横電界型ＬＣＤパネルを例にとって説明したが、本
発明は縦電界型ＬＣＤパネルの製造にも適用できる。
明する。この第２の実施の形態では、図１０（ａ）、
（ｂ）に示したように保護絶縁膜２５で覆われたＴＦＴ
基板３０を、図１６に示すように、平行平板型リアクテ
ィブイオンドライエッチング装置の周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電源４１側に結合された電極４０側に設置
し、さらにＴＦＴ基板３０上に耐プラズマ性に優れたＯ
リング４４を有するガラス板４３をマスクとして重ねあ
わせて、露出している保護絶縁膜をエッチングすること
により、圧接端子部を露出させる。この後このＴＦＴ基
板と別に製作したカラーフィルタ基板とをシール材を介
して相対向させ、両基板の間に液晶を充填してＬＣＤパ
ネルを製造する。この実施の形態でも保護絶縁膜上への
フォトマスク形成を削減して保護絶縁膜のエッチングが
できるという効果が得られる。なお、上記実施の形態で
は、横電界型ＬＣＤパネルを例にとって説明したが、本
発明は縦電界型ＬＣＤパネルの製造にも適用できる。
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に述べたように、本発明によれ
ば、カラーフィルタ基板またはガラス板をマスクとして
ＴＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜をエッチングすること
で、従来保護絶縁膜のパターニングに必要としていたフ
ォトレジスト成膜、パターン露光、現像工程を削除でき
るということである。これによりＬＣＤパネルの製造工
程を短縮でき、生産性を向上できる。
ば、カラーフィルタ基板またはガラス板をマスクとして
ＴＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜をエッチングすること
で、従来保護絶縁膜のパターニングに必要としていたフ
ォトレジスト成膜、パターン露光、現像工程を削除でき
るということである。これによりＬＣＤパネルの製造工
程を短縮でき、生産性を向上できる。
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施の形態に
より製造したＬＣＤパネルの断面図と平面図である。
より製造したＬＣＤパネルの断面図と平面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施の形態の
概略を説明する断面図である。
概略を説明する断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態により製造したＴＦ
Ｔ基板部分の平面図である。
Ｔ基板部分の平面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３のｂ−ｂ線断面
図とａ−ａ線断面図である。
図とａ−ａ線断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は図４においてエッチングを行
った後の状態を示す断面図である。
った後の状態を示す断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施の形態の
製造工程を示す断面図と平面図である。
製造工程を示す断面図と平面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は図６の次の製造工程を示す断
面図と平面図である。
面図と平面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は図７の次の製造工程を示す断
面図と平面図である。
面図と平面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は図８の次の製造工程を示す断
面図と平面図である。
面図と平面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は図９の次の製造工程を示す
断面図と平面図である。
断面図と平面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態によるＴＦＴ基板
に配向膜を形成する工程を示す断面図である。
に配向膜を形成する工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態におけるＬＣＤパ
ネルの組立工程を示す断面図である。
ネルの組立工程を示す断面図である。
【図１３】図１２のＬＣＤパネルのエッチング工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）はエッチングした後のＴＦＴ
基板を示す断面図と平面図である。
基板を示す断面図と平面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態により製造したＬ
ＣＤパネルの断面図である。
ＣＤパネルの断面図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態を説明する図であ
る。
る。
【図１７】ＬＣＤパネルを構成するＴＦＴ基板の等価回
路図である。
路図である。
【図１８】従来のＴＦＴ基板の平面図である。
【図１９】（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１８のｂ−ｂ線
断面図とａ−ａ線断面図である。
断面図とａ−ａ線断面図である。
【図２０】（ａ），（ｂ）は従来のＬＣＤパネルの製造
工程を示す断面図と平面図である。
工程を示す断面図と平面図である。
【図２１】（ａ），（ｂ）は図２０の次の製造工程を示
す断面図と平面図である。
す断面図と平面図である。
【図２２】（ａ），（ｂ）は図２１の次の製造工程を示
す断面図と平面図である。
す断面図と平面図である。
【図２３】（ａ），（ｂ）は図２２の次の製造工程を示
す断面図と平面図である。
す断面図と平面図である。
【図２４】（ａ），（ｂ）は図２３の次の製造工程を示
す断面図と平面図である。
す断面図と平面図である。
【図２５】（ａ），（ｂ）は図２４の次の製造工程を示
す断面図と平面図である。
す断面図と平面図である。
【図２６】従来のＴＦＴ基板に配向膜を形成する工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２７】従来のＬＣＤパネルの組み立て工程を示す断
面図である。
面図である。
【図２８】従来の製造工程により製造したＬＣＤパネル
の断面図である。
の断面図である。
１０ ガラス基板 １１ 配線用金属膜 １２、２１ ＩＴＯ膜 １３ ゲート絶縁膜 １４ 走査線 １５ 走査線側圧接端子 １６ 共通電極 １７ 半導体層 １８ オーミック層 １９ 半導体アイランド ２０ 信号用金属膜 ２２ 信号線 ２３ 信号線側圧接端子 ２４ 画素電極 ２５ 保護絶縁膜 ３０ ＴＦＴ基板 ３１ 配向膜 ３２ カラーフィルタ基板 ３３ シール材 ３４ 液晶 ３５ 偏光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ 21/336 Ｆターム(参考） 2H092 GA32 GA40 JA24 JB22 JB31 JB57 MA14 MA18 MA41 NA27 NA29 PA04 PA08 5C094 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 CA24 DA12 DB02 EA10 EB02 EC02 ED03 FA01 FB12 GB01 GB10 5F110 AA16 BB01 DD02 FF02 GG15 HK04 NN01 NN24 5G435 AA17 BB12 CC09 EE41 GG12 KK02 KK05
Claims (6)
- 【請求項１】 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板とカラ
ーフィルタ基板とをシール材を介して相対向させ、両基
板の間に液晶を充填するアクティブマトリクス型液晶表
示パネルの製造方法において、前記カラーフィルタ基板
をマスクとしてＴＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜をエッ
チングして走査線および信号線の圧接端子を露出させる
ことを特徴とするとアクティブマトリクス型液晶表示パ
ネルの製造方法。 - 【請求項２】 前記ＴＦＴ基板の製造工程は最上層に保
護絶縁膜を形成した段階で製造を終了し、その後カラー
フィルタ基板とシール材を介して相対向させ、前記保護
絶縁膜をカラーフィルタ基板をマスクとしてエッチング
した後、両基板の間に液晶を充填することを特徴とする
請求項1記載のアクティブマトリクス型液晶表示パネル
の製造方法。 - 【請求項３】 前記エッチングは、リアクティブイオン
ドライエッチングにより行うことを特徴とする請求項1
または２記載のアクティブマトリクス型液晶表示パネル
の製造方法。 - 【請求項４】 ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とをシ
ール材を介して相対向させ、両基板の間に液晶を充填す
るアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法に
おいて、前記ＴＦＴ基板にガラス板を重ねあわせ、これ
をマスクとして前記ＴＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜を
エッチングして走査線および信号線の圧接端子を露出さ
せた後、別に製作したカラーフィルタ基板とシール材を
介して相対向させ、両基板の間に液晶を充填することを
特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製
造方法。 - 【請求項５】 前記ＴＦＴ基板の製造工程は、最上層に
保護絶縁膜を形成した段階で終了することを特徴とする
請求項4記載のアクティブマトリクス型液晶表示パネル
の製造方法。 - 【請求項６】 前記ＴＦＴ基板の最上層の保護絶縁膜の
エッチングは、リアクティブイオンドライエッチングに
より行うことを特徴とする請求項4記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33402499A JP2001154221A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | アクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33402499A JP2001154221A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | アクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001154221A true JP2001154221A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18272658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33402499A Pending JP2001154221A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | アクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001154221A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004110105A1 (ja) * | 2003-06-06 | 2006-07-20 | パイオニア株式会社 | 有機半導体素子及びその製造方法 |
| US7166864B2 (en) | 2003-10-14 | 2007-01-23 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Liquid crystal display panel and fabricating method thereof |
| US7220611B2 (en) | 2003-10-14 | 2007-05-22 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and fabricating method thereof |
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| CN105096871A (zh) * | 2015-08-11 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板驱动电路、阵列基板、显示面板、显示装置 |
| US9735185B1 (en) * | 2016-06-10 | 2017-08-15 | Essential Products, Inc. | Hollowed electronic display |
| AU2017216463A1 (en) * | 2016-06-10 | 2017-09-21 | Essential Products, Inc. | Hollowed electronic display |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33402499A patent/JP2001154221A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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