CN112835232A - 具有延伸至非显示区域的信号线的显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了一种具有延伸至非显示区域的信号线的显示装置。所述显示装置可包括:下基板,所述下基板包括显示区域、位于所述显示区域的外部的边缘区域、以及位于所述显示区域与所述边缘区域之间的焊接区域;位于所述下基板的显示区域中的信号线,所述信号线延伸到所述焊接区域和所述边缘区域上;和位于所述下基板的边缘区域中的外部覆盖绝缘层,所述外部覆盖绝缘层覆盖所述信号线,其中所述外部覆盖绝缘层包括在所述信号线的纵向方向上延伸的至少一个沟槽。
Description
本申请是申请日为2017年4月19日、申请号为201710258026.X、发明名称为“具有延伸至非显示区域的信号线的显示装置”的发明专利申请的分案申请。
本申请要求2016年6月30日提交的韩国专利申请No.10-2016-0082915的权益,在此援引该专利申请作为参考,如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,其中用于传输信号以实现图像的信号线从显示区域延伸至位于显示区域外部的非显示区域。
背景技术
一般来说,诸如监视器、TV、笔记本电脑和数码摄像机之类的电子产品包括显示装置以实现图像。典型的显示装置可包括液晶显示装置或有机发光显示装置。
这种显示装置包括显示面板。显示面板可包括显示区域和位于显示区域外部的非显示区域。在显示面板的非显示区域中可设置焊盘,以便从外部接收与图像相关的信号。例如,显示面板的非显示区域可包括焊接区域(bonding area),焊接区域配置成连接至电路板(其上安装有驱动IC)。电路板可使用各向异性导电膜(ACF)连接至显示面板的焊接区域。
可使用从显示区域延伸的信号线形成位于显示面板的非显示区域中的焊盘。为了防止信号线由于例如划线(scribing)而破裂,可在显示面板的位于焊接区域外部的边缘区域中设置外部覆盖绝缘层,从而覆盖信号线。例如,外部覆盖绝缘层可沿显示面板的边缘延伸。
然而,外部覆盖绝缘层可能阻挡在电路板的连接工艺中由各向异性导电膜产生的气泡释放到显示面板的外部,因此电路板的连接工艺可能是不稳定的。
发明内容
因此,本发明旨在提供一种基本上避免了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的具有延伸至非显示区域的信号线的显示装置。
本发明的目的是提供一种可防止位于非显示区域中的信号线破裂并且可确保电路板的连接工艺的稳定实施的显示装置。
在下面的描述中将部分列出本发明的其它优点、目的和特征,这些优点、目的和特征的一部分根据下面的解释对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点并根据本发明的意图,如在此具体化和概括描述的,提供了一种显示装置,包括:下基板,所述下基板包括显示区域、位于所述显示区域的外部的边缘区域、以及位于所述显示区域与所述边缘区域之间的焊接区域;位于所述下基板的显示区域中的信号线,所述信号线延伸到所述焊接区域和所述边缘区域上;和位于所述下基板的边缘区域中的外部覆盖绝缘层,所述外部覆盖绝缘层覆盖所述信号线,其中所述外部覆盖绝缘层包括在所述信号线的纵向方向上延伸的至少一个沟槽。
所述沟槽可完全横跨所述下基板的边缘区域。
所述沟槽可垂直穿透所述外部覆盖绝缘层。
所述显示装置可进一步包括位于所述下基板的边缘区域中并且在所述信号线与所述外部覆盖绝缘层之间的外部保护层,所述沟槽可垂直穿透所述外部保护层。
所述显示装置可进一步包括:位于所述下基板的焊接区域中的各向异性导电膜;和位于所述各向异性导电膜上的电路板,所述电路板延伸到所述下基板的边缘区域,所述沟槽可具有低于所述各向异性导电膜的下表面的底表面。
所述显示装置可进一步包括焊盘电极,所述焊盘电极位于所述下基板的所述焊接区域中并且在所述信号线与所述各向异性导电膜之间。
所述沟槽可具有底表面,所述底表面的最低水平面低于所述信号线的上表面。
根据本发明的一个或多个实施方式,提供一种显示装置,所述显示装置包括显示面板和连接所述显示面板的电路板。所述电路板通过各向异性导电膜连接至所述显示面板的焊接区域。所述显示面板包括暴露所述焊接区域的覆盖绝缘层。所述覆盖绝缘层包括横跨边缘区域的至少一个沟槽,所述边缘区域位于所述的焊接区域外部。
应当理解,本发明前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的,意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并且并入本申请组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式,并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是示意性图解根据本发明一实施方式的显示装置的示图;
图2是沿图1的线C-C’截取的剖面图;
图3A是沿图2的线I-I’截取的剖面图;
图3B是沿图2的线II-II’截取的剖面图;以及
图4是示意性图解根据本发明另一实施方式的显示装置的剖面图。
具体实施方式
下文中,通过随后参照示出了本发明实施方式的附图进行的详细描述将清楚理解到与本发明的上述目的、技术构造和操作效果相关的细节。在此,提供本发明的实施方式是为了将本发明的技术精神充分地传达给所属领域技术人员,因而本发明可以以其他形式实施,并不限于下面描述的实施方式。
此外,在整个说明书中相同或非常相似的元件由相同的参考标记表示,在附图中,为了方便而放大了层和区域的长度和厚度。将理解,当称第一元件位于第二元件“上”时,尽管第一元件可设置在第二元件上从而与第二元件接触,但可在第一元件与第二元件之间插入第三元件。
在此,例如可使用诸如“第一”和“第二”之类的术语来区分任意一个元件与其他元件。然而,在不背离本发明的技术精神的情况下,第一元件和第二元件可根据所属领域技术人员的方便而被任意命名。
仅是为了描述具体实施方式而使用了本发明的说明书中使用的术语,这些术语不旨在限制本发明的范围。此外,在本发明的说明书中,将进一步理解到,术语“包括”和“包含”指明存在所述的特征、整体(integer)、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合,但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
除非有相反定义,否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解到,诸如通用词典中定义的术语之类的术语应当解释为具有与其在相关技术的语境中的含义一致的含义,不应以理想化的或过度形式的意义进行解释,除非在此进行了明确定义。
(实施方式)
图1是示意性图解根据本发明一实施方式的显示装置的示图。
参照图1,根据本发明实施方式的显示装置可包括用于实现图像的显示面板100、以及给显示面板100施加与图像相关的信号的电路板200。
显示面板100可包括基于电路板200施加的信号实现图像的显示区域AA、以及位于显示区域AA外部的非显示区域NA。电路板200可连接至显示面板100的非显示区域NA。
图2是沿图1的线C-C’截取的剖面图。图3A是沿图2的线I-I’截取的剖面图。图3B是沿图2的线II-II’截取的剖面图。
参照图1、2、3A和3B,根据本发明实施方式的显示装置的显示面板100可包括:下基板110、设置在下基板110上的缓冲层120、设置在缓冲层120上的层间绝缘层140、设置在层间绝缘层140上的信号线150、覆盖下基板110的非显示区域NA中的信号线150的外部覆盖绝缘层171、以及覆盖下基板110的显示区域AA中的信号线150的内部覆盖绝缘层172。
下基板110可包括绝缘材料。例如,下基板100可包括玻璃或塑料基板。
下基板110可以是薄膜晶体管(TFT)基板。例如,栅极线、与栅极线交叉的数据线、位于数据线和栅极线的交叉部分处的薄膜晶体管、以及连接至各个薄膜晶体管的像素电极可设置在下基板110上。
设置在像素电极上的有机发光层和覆盖有机发光层的上公共电极可进一步设置在下基板110上。例如,根据本发明实施方式的显示装置可以是有机发光显示装置。显示面板100可进一步包括接合至下基板110的封装基板。
下基板110的非显示区域NA可包括边缘区域EA和焊接区域BA。焊接区域BA可位于显示区域AA与边缘区域EA之间。在一示例中,边缘区域EA可包括下基板110的边缘。
缓冲层120和层间绝缘层140各自可包括绝缘材料。缓冲层120和层间绝缘层140可将形成在下基板110的显示区域AA中的元件彼此绝缘。例如,缓冲层120可在下基板110与薄膜晶体管之间延伸。层间绝缘层140可在薄膜晶体管的栅极电极与源极电极之间以及薄膜晶体管的栅极电极与漏极电极之间延伸。层间绝缘层140可包括与缓冲层120相同的材料。例如,缓冲层120和层间绝缘层140可包括硅氧化物(SiO)。
根据本发明实施方式的显示装置被描述为缓冲层120和层间绝缘层140堆叠在下基板110的非显示区域NA上。然而,在根据本发明另一实施方式的显示装置中,缓冲层120和/或层间绝缘层140可不延伸至下基板110的非显示区域NA。例如,在根据本发明另一实施方式的显示装置中,层间绝缘层140可在下基板110的非显示区域NA中与下基板110直接接触。
信号线150可将用于实现图像的信号传输至显示区域AA。例如,每条信号线150可连接至栅极线或数据线。信号线150可从显示区域AA延伸至焊接区域BA和边缘区域EA。
信号线150可包括导电材料。例如,信号线150可包括金属。信号线150可包括与栅极线或数据线相同的材料。
根据本发明实施方式的显示装置可进一步包括屏蔽图案135,屏蔽图案135位于下基板110的边缘区域EA中并且在缓冲层120与层间绝缘层140之间。屏蔽图案135可包括导电材料。
屏蔽图案135可电连接至信号线150之中的施加某一信号的信号线150。例如,每个屏蔽图案135可连接至施加电源电压的信号线150。每个屏蔽图案135可与相应信号线150垂直交叠。层间绝缘层140可包括部分暴露屏蔽图案135的接触孔140h。每个屏蔽图案135可经由相应接触孔140h连接至相应信号线150。接触孔140h可设置在下基板110的边缘区域EA上。
外部覆盖绝缘层171可设置在下基板110的边缘区域EA上。外部覆盖绝缘层171可覆盖信号线150。例如,外部覆盖绝缘层171可沿下基板110的边缘延伸。
外部覆盖绝缘层171可包括绝缘材料。在下基板110的边缘区域EA中,相邻信号线150可通过外部覆盖绝缘层171彼此绝缘。
外部覆盖绝缘层171可包括在信号线150的纵向方向或长度方向(longitudinaldirection)上延伸的至少一个沟槽(trench)SP。沟槽SP可在信号线150的纵向方向上穿透外部覆盖绝缘层171。在一示例中,沟槽SP可完全横跨(cross)下基板110的边缘区域EA。
内部覆盖绝缘层172可设置在下基板110的显示区域AA上。内部覆盖绝缘层172可覆盖信号线150。内部覆盖绝缘层172可包括绝缘材料。在下基板110的显示区域AA中,相邻信号线150可通过内部覆盖绝缘层172彼此绝缘。例如,内部覆盖绝缘层172可包括与外部覆盖绝缘层171相同的材料。外部覆盖绝缘层171和内部覆盖绝缘层172可同时形成。
电路板200可通过信号线150给下基板110的显示区域AA施加与图像相关的信号。
电路板200可通过下基板110的焊接区域BA电连接至显示面板100。例如,电路板200可通过各向异性导电膜300电连接至信号线150。各向异性导电膜300可位于下基板110的焊接区域BA中的信号线150上。各向异性导电膜300可填充外部覆盖绝缘层171与内部覆盖绝缘层172之间的空间。
在根据本发明实施方式的显示装置中,覆盖与下基板110的边缘靠近的信号线150的边缘部分的外部覆盖绝缘层171可包括在信号线150的纵向方向上延伸的至少一个沟槽SP。由此,在根据本发明实施方式的显示装置中,在将电路板200连接至设置在下基板110的焊接区域BA上的信号线150的工艺中由各向异性导电膜300产生的气泡可被释放到下基板110的焊接区域BA外部。因而,根据本发明实施方式的显示装置可防止信号线150破裂,并且可确保电路板200的连接工艺的稳定实施。
此外,根据本发明实施方式的显示装置被描述为形成在外部覆盖绝缘层171中的沟槽SP在信号线150的纵向方向上穿透外部覆盖绝缘层171。由此,在根据本发明实施方式的显示装置中,在电路板200的连接工艺中产生的气泡可被完全释放到显示面板100外部。因而,根据本发明实施方式的显示装置可防止电路板200的连接工艺由于存在各向异性导电膜300产生的气泡而变得不稳定。
在根据本发明实施方式的显示装置中,沟槽SP可具有足以使各向异性导电膜300产生的气泡移动到下基板110的焊接区域BA外部的垂直深度。例如,在根据本发明实施方式的显示装置中,沟槽SP可垂直穿透外部覆盖绝缘层171。因而,在根据本发明实施方式的显示装置中,各向异性导电膜300产生的气泡可顺利地向着形成在外部覆盖绝缘层171中的沟槽SP移动。
根据本发明实施方式的显示装置可进一步包括外部保护层161和内部保护层162,以便防止湿气从外部进入。外部保护层161可位于下基板110的边缘区域EA上并且在信号线150与外部覆盖绝缘层171之间。内部保护层162可位于下基板110的显示区域AA上并且在信号线150与内部覆盖绝缘层172之间。
外部保护层161和内部保护层162可包括绝缘材料。内部保护层162可包括与外部保护层161相同的材料。例如,外部保护层161和内部保护层162可同时形成。外部保护层161和内部保护层162可包括与外部覆盖绝缘层171和内部覆盖绝缘层172不同的材料。例如,外部保护层161和内部保护层162可包括硅氮化物(SiN)。
在根据本发明实施方式的显示装置中,沟槽SP可穿透外部保护层161。例如,在根据本发明实施方式的显示装置中,一些信号线150可被下基板110的边缘区域EA中的沟槽SP暴露。在根据本发明实施方式的显示装置中,沟槽SP的底表面的最低水平面(lowermostlevel)可低于信号线150的上表面。例如,在根据本发明实施方式的显示装置中,在下基板110的最外侧边缘处,沟槽SP的底表面可低于信号线150的上表面。由此,在根据本发明实施方式的显示装置中,各向异性导电膜300产生的气泡可通过沟槽SP顺利地向外释放。
在根据本发明实施方式的显示装置中,为了将在电路板200的连接工艺中产生的气泡顺利地释放到外部,沟槽SP的底表面可低于各向异性导电膜300的下表面。例如,根据本发明实施方式的显示装置可进一步包括焊盘电极180,焊盘电极180覆盖位于下基板110的焊接区域BA上的信号线150的上表面。焊盘电极180可位于信号线150与各向异性导电膜300之间。焊盘电极180的上表面可高于沟槽SP的底表面。
焊盘电极180可包括导电材料。电路板200可经由各向异性导电膜300和焊盘电极180电连接至信号线150。例如,焊盘电极180可包括氧化铟锡(ITO)。
根据本发明实施方式的显示装置被描述为沟槽SP垂直穿透外部覆盖绝缘层171和外部保护层161。然而,在根据本发明另一实施方式的显示装置中(其中电路板200的连接工艺中产生的气泡通过形成在外部覆盖绝缘层171中的沟槽SP顺利地移动到下基板110的焊接区域BA的外部),沟槽SP可不垂直穿透外部保护层161。例如,在根据本发明另一实施方式的显示装置中,如图4中所示,沟槽SP可暴露外部保护层161的上表面。
通过上面的描述很清楚的是,在根据本发明的显示装置中,设置在边缘区域中以覆盖信号线的外部覆盖绝缘层可提供可将在电路板的连接工艺中产生的气泡释放到显示面板外部的空间。由此,根据本发明的显示装置可防止信号线破裂并且可确保电路板的连接工艺的稳定实施。因此,根据本发明的显示装置可提高显示面板与电路板之间的电连接的可靠性。
对于所属领域技术人员来说是显而易见的是,上述本发明不限于上述实施方式和附图,在本发明的精神和范围内可设计出各种替换、修改和变化。
Claims (12)
1.一种显示装置,包括:
下基板,所述下基板包括显示区域、位于所述显示区域的外部的边缘区域、以及位于所述显示区域与所述边缘区域之间的焊接区域;
位于所述下基板的所述显示区域的信号线,所述信号线延伸到所述下基板的所述焊接区域和所述边缘区域上;
位于所述下基板的所述边缘区域的外部覆盖绝缘层,所述外部覆盖绝缘层选择性地覆盖所述信号线;
位于所述下基板的所述焊接区域的各向异性导电膜;和
位于所述各向异性导电膜上的电路板,所述电路板延伸到所述下基板的所述边缘区域,
其中所述外部覆盖绝缘层包括具有在所述信号线的纵向方向上延伸的长度的至少一个沟槽。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述至少一个沟槽在所述信号线的纵向方向上完全横跨所述下基板的所述边缘区域。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述至少一个沟槽垂直穿透所述外部覆盖绝缘层。
4.根据权利要求3所述的显示装置,还包括位于所述下基板的所述边缘区域中并且在所述信号线与所述外部覆盖绝缘层之间的外部保护层。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述至少一个沟槽垂直穿透所述外部保护层。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述至少一个沟槽的底表面低于所述各向异性导电膜的下表面。
7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括焊盘电极,所述焊盘电极位于所述下基板的所述焊接区域中并且在所述信号线与所述各向异性导电膜之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述至少一个沟槽的底表面的最低水平面低于所述信号线的上表面。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述至少一个沟槽包括彼此连接的多个沟槽。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述至少一个沟槽具有足以使所述各向异性导电膜产生的气泡移动到所述下基板的所述焊接区域外部的垂直深度。
11.一种显示装置,包括:
下基板,所述下基板包括显示区域、位于所述显示区域的外部的边缘区域、以及位于所述显示区域与所述边缘区域之间的焊接区域;
位于所述下基板的所述显示区域的信号线,所述信号线延伸到所述下基板的所述焊接区域和所述边缘区域上;
位于所述下基板的所述边缘区域的外部覆盖绝缘层,所述外部覆盖绝缘层选择性地覆盖所述信号线;
位于所述下基板的所述焊接区域的各向异性导电膜;和
位于所述各向异性导电膜上的电路板,所述电路板延伸到所述下基板的所述边缘区域,
其中所述外部覆盖绝缘层包括在所述信号线的纵向方向上延伸的至少一个沟槽;并且
其中所述至少一个沟槽的底表面低于所述各向异性导电膜的下表面。
12.一种显示装置,包括:
下基板,所述下基板包括显示区域、位于所述显示区域的外部的边缘区域、以及位于所述显示区域与所述边缘区域之间的焊接区域;
位于所述下基板的所述显示区域的信号线,所述信号线延伸到所述下基板的所述焊接区域和所述边缘区域上;
位于所述下基板的所述边缘区域的外部覆盖绝缘层,所述外部覆盖绝缘层选择性地覆盖所述信号线;和
位于所述下基板的所述焊接区域的各向异性导电膜,
其中所述外部覆盖绝缘层包括在所述信号线的纵向方向上延伸的至少一个沟槽;并且
其中所述至少一个沟槽暴露所述各向异性导电膜的一部分。
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CN109713017B (zh) * | 2019-01-14 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1414538A (zh) * | 2001-10-22 | 2003-04-30 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其制造方法 |
CN1601713A (zh) * | 2003-09-24 | 2005-03-30 | 精工爱普生株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
CN101231435A (zh) * | 2007-01-24 | 2008-07-30 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板 |
CN103579286A (zh) * | 2012-08-09 | 2014-02-12 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法 |
CN104134408A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-11-05 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
Family Cites Families (15)
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---|---|---|---|---|
JP3532788B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2004-05-31 | 唯知 須賀 | 半導体装置及びその製造方法 |
TW494447B (en) * | 2000-02-01 | 2002-07-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TW594117B (en) * | 2001-10-22 | 2004-06-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
US7786496B2 (en) * | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
KR101194713B1 (ko) * | 2007-10-03 | 2012-10-25 | 가부시키가이샤후지쿠라 | 모듈, 배선판 및 모듈의 제조 방법 |
JP5593676B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2014-09-24 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
KR101888447B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2018-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 |
EP3012820B1 (en) * | 2013-06-17 | 2018-04-04 | Toppan Printing Co., Ltd. | Substrate for display device, and display device using same |
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CN103926732B (zh) * | 2014-04-09 | 2017-05-17 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种tft阵列基板、显示面板和显示装置 |
KR102192589B1 (ko) * | 2014-08-08 | 2020-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
JP6462325B2 (ja) * | 2014-11-14 | 2019-01-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法および表示装置の端子露出方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1414538A (zh) * | 2001-10-22 | 2003-04-30 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其制造方法 |
CN1601713A (zh) * | 2003-09-24 | 2005-03-30 | 精工爱普生株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
CN101231435A (zh) * | 2007-01-24 | 2008-07-30 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板 |
CN103579286A (zh) * | 2012-08-09 | 2014-02-12 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法 |
CN104134408A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-11-05 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
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