CN110164953B - 显示基板母板及制备方法、显示面板母板、基板制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了显示基板母板及其制备方法、显示面板母板、显示基板的制备方法。该显示基板母板包括:衬底基板,衬底基板包括多个基板区域,基板区域包括:显示区和焊盘区,焊盘区位于显示区沿第一方向的一侧;沿第一方向排列的多个基板区域中,每相邻两个基板区域之间设置有拦截区域;衬底基板上设置有显示结构层,显示结构层包括像素界定层和位于像素界定层与衬底基板之间的多个膜层;拦截区域中的显示结构层上设置有第一凹槽,第一凹槽所在区域与相邻的焊盘区之间存在第一间隔区;第一间隔区中的显示结构层的厚度小于显示区中的显示结构层的厚度。由于拦截区域两端存在梯度差,金属颗粒被拦截区域拦截,从而防止金属颗粒进入衬底基板中的显示区。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种显示基板母板及其制备方法、显示面板母板、显示基板的制备方法。
背景技术
复合型透明导电膜(例如ITO-Ag-ITO)是一种极具潜力的高性能透明导电膜,其导电性远高于传统透明导电材料氧化铟锡ITO,同时可大幅节约ITO膜中的稀缺元素In。OLED显示基板的制作过程中,通常采用复合型透明导电膜来制作发光单元的阳极。
然而,在制备该阳极的过程中,会随之产生金属颗粒(例如Ag particle,AgPT),而此时在显示基板的焊盘区中会存在部分裸露的导线,从而导致金属颗粒被裸露的导线吸附;在后续膜层制备工艺的显影过程中,随着药液冲刷,金属颗粒被冲入显示区,从而在显示过程中形成暗点和不良。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种显示基板母板及其制备方法、显示面板母板、显示基板的制备方法。
为了实现上述目的,本发明提供一种显示基板母板,其中,显示基板母板包括:
衬底基板,衬底基板包括多个基板区域,基板区域包括:显示区和焊盘区,焊盘区位于显示区沿第一方向的一侧;
沿第一方向排列的多个基板区域中,每相邻两个基板区域之间设置有拦截区域;
衬底基板上设置有显示结构层,显示结构层包括像素界定层和位于像素界定层与衬底基板之间的多个膜层;
拦截区域中的显示结构层上设置有第一凹槽,第一凹槽所在区域与相邻的焊盘区之间存在第一间隔区;
第一间隔区中的显示结构层的厚度小于显示区中的显示结构层的厚度。
可选地,显示区与拦截区域在第一方向上至少部分交叠,第一凹槽在衬底基板上的正投影沿第二方向穿过拦截区域,第二方向与第一方向垂直。
可选地,多个膜层包括沿远离衬底基板的方向依次层叠设置的:栅极绝缘层、层间绝缘层和平坦化层,第一凹槽贯穿栅极绝缘层、层间绝缘层、平坦化层和像素界定层。
可选地,第一间隔区中的平坦化层的厚度小于显示区中的平坦化层的厚度;和/或,
第一间隔区中的像素界定层的厚度小于显示区中的像素界定层的厚度。
可选地,显示结构层上还设置有第二凹槽,第二凹槽位于第一凹槽所在区域与在第一方向上相邻的显示区之间。
可选地,第二凹槽与第一凹槽之间设置有第二间隔区,第一间隔区中的显示结构层的厚度与第二间隔区中的显示结构层的厚度相同。
可选地,第一凹槽以及第二凹槽的横截面积沿逐渐靠近衬底基板的方向逐渐减小。
本发明还提供一种显示面板母板,其中,显示面板母板包括上述的显示基板母板。
本发明还提供一种显示基板母板的制备方法,其中,制备方法包括:
提供衬底基板,衬底基板上包括多个基板区域,基板区域包括:显示区和焊盘区,焊盘区位于显示区沿第一方向的一侧;其中,在沿所述第一方向排列的多个所述基板区域中,每相邻两个所述基板区域之间设置有拦截区域;
在衬底基板上形成显示结构层,显示结构层包括像素界定层和位于像素界定层与衬底基板之间的多个膜层;并且,拦截区域中的显示结构层上形成有第一凹槽,第一凹槽所在区域与相邻的焊盘区之间存在第一间隔区;第一间隔区中的显示结构层的厚度小于显示区中的显示结构层的厚度。
可选地,制备显示结构层的步骤包括:
形成平坦化材料层;
对平坦化材料层进行曝光,并显影,以形成平坦化层;平坦化层对应于第一凹槽的部分被去除;
形成像素界定材料层;
对像素界定材料层进行曝光,并显影,以形成像素界定层;像素界定层对应于第一凹槽的部分被去除;
其中,第一间隔区中的平坦化层的厚度小于显示区中的平坦化层的厚度;和/或,
第一间隔区中的像素界定层的厚度小于显示区中的像素界定层的厚度。
可选地,对像素界定材料层进行显影的过程中,采用喷淋显影液的方式进行显影,且喷淋装置沿第一方向相对于衬底基板移动。
可选地,显示区与拦截区域在第一方向上至少部分交叠,第一凹槽在衬底基板上的正投影沿第二方向穿过拦截区域,第二方向与第一方向垂直;
在衬底基板上形成显示结构层之后还包括:
沿第二方向对第一凹槽进行冲洗。
可选地,在显示结构层上形成第二凹槽,第二凹槽位于第一凹槽所在区域与在第一方向上相邻的显示区之间。
本发明还提供一种显示基板的制备方法,其中,制备方法包括:
采用上述显示基板母板的制备方法制作显示基板母板;
沿经过第一凹槽的切割线对显示基板母板进行切割;
去除显示基板母板位于拦截区域的部分。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明实施例提供的拦截区域纵截面的示意图;
图2为本发明实施例提供的区域划分的示意图之一;
图3为本发明实施例提供的拦截金属颗粒的示意图之一;
图4为本发明实施例提供的区域划分的示意图之二;
图5为本发明实施例提供的拦截区域的示意图之二;
图6为本发明实施例提供的拦截金属颗粒的示意图之二;
图7为本发明实施例提供的显示基板母板的制备方法的流程图;
图8为本发明实施例提供的显示结构层的制备方法的流程图;
图9为本发明实施例提供的喷淋显影液的示意图;
图10为本发明实施例提供的显示基板的制备方法的流程图。
其中,附图标记包括:
10、衬底基板;11、显示区;12、焊盘区;13、拦截区域;14、第一凹槽;15、第一间隔区;16、显影液;17、金属颗粒;18、第二凹槽;19、第二间隔区;20、像素界定层;30、栅极绝缘层;40、层间绝缘层;50、平坦化层;60、喷淋装置。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
本发明实施例提供一种显示基板母板,图1为本发明实施例提供的拦截区域纵截面的示意图,图2为本发明实施例提供的区域划分的示意图之一,如图1以及图2所示,显示基板母板包括:
衬底基板10,衬底基板10包括多个基板区域,基板区域包括:显示区11和焊盘区12,焊盘区12位于显示区11沿第一方向的一侧。其中,多个基板区域排成多行多列。沿第一方向排列的多个基板区域中,每相邻两个基板区域之间设置有拦截区域13。
衬底基板10上设置有显示结构层,显示结构层包括像素界定层20和位于像素界定层20与衬底基板10之间的多个膜层。
拦截区域13中的显示结构层上设置有第一凹槽14,第一凹槽14所在区域与相邻的焊盘区12之间存在第一间隔区15。第一间隔区15中的显示结构层的厚度小于显示区中的显示结构层的厚度。
需要说明的是,与第一凹槽14所在区域相邻的焊盘区12是指,该焊盘区12与第一凹槽14所在区域之间不存在其他焊盘区12或显示区11。
如图1所示,在衬底基板10上沿第一方向排列有多个基板区域,第一方向可以为上、下、左或右中的任一方向,具体为与药液(显影液)冲刷显示基板母板时,与显示基板母板行进方向相反。在本发明实施例中,优选采用第一方向为水平向右的方向。对于同一个基板区域而言,焊盘区12即位于显示区11的右侧。
焊盘区12是衬底基板10与外部电路进行连接的区域。将左侧基板区域的焊盘区12与右侧基板区域的显示区11之间设为拦截区域13。如图2所示,在拦截区域13的显示结构层上设置第一凹槽14,第一凹槽14与左侧基板区域的焊盘区12之间的部分为第一间隔区15,将第一间隔区15中的显示结构层做薄。
显示区11中设有电极层(即,多个发光单元的阳极构成的电极层),像素界定层20形成在电极层背离衬底基板10一侧。在显示区中形成发光单元的阳极之前,焊盘区12中的部分金属导线是裸露的,因此,在显示区中通过构图工艺形成阳极时,很容易导致构图过程中产生的金属颗粒吸附在焊盘区12裸露的金属导线上。由于金属颗粒主要滞留在焊盘区12,因此,在制备其他层结构层时,随着显影等过程的显影液冲刷,金属颗粒被显影液卷带流动,若显示结构层位于第一间隔区15的高度和显示结构层位于显示区11的高度一致,则很容易导致金属颗粒被冲入相邻基板的显示区11,在显示区11形成暗点不良,从而影响显示面板显示的均匀性。
图3为本发明实施例提供的拦截金属颗粒的示意图之一,如图3所示,采用本发明实施例的显示基板母板,当金属颗粒17被显影液16卷带流动时,金属颗粒17从显示结构层厚度较薄的一侧被冲向显示结构层厚度较厚的一侧,由于第一间隔区的显示结构层与显示区的显示结构层存在梯度差,金属颗粒17的流动被显示结构层厚度较厚的一侧侧壁阻挡,并由于重力的作用落入第一凹槽14中,从而将金属颗粒17拦截下来,防止金属颗粒17进入衬底基板10中的显示区11,形成暗点不良,从而提高显示区11显示的均匀性。
图4为本发明实施例提供的显示基板母板的示意图之二,如图4所示,显示区11与拦截区域在第一方向上至少部分交叠,第一凹槽14在衬底基板上的正投影沿第二方向穿过拦截区域,第二方向与第一方向垂直。
具体地,第二方向与第一方向垂直,可以为垂直向上或垂直向下,在本发明实施例中,采用垂直向下为第二方向。
如图4所示,第一凹槽14沿第二方向贯穿拦截区域,从而保证在显影液16冲刷过程中,将显示区11中产生的金属颗粒17全部拦截下来,提高拦截效果。
在一具体实施例中,多个膜层包括沿远离衬底基板10的方向依次层叠设置的:栅极绝缘层30、层间绝缘层40和平坦化层50,第一凹槽14贯穿栅极绝缘层30、层间绝缘层40、平坦化层50和像素界定层20。栅极绝缘层30、层间绝缘层40和平坦化层50均覆盖显示区11,显示区11中设置有多个薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极,有源层位于栅极背离衬底基板10的一侧,栅极位于有源层背离衬底基板10的一侧,且栅极和有源层被栅极绝缘层30间隔开;源极和漏极位于层间绝缘层40背离衬底基板10的一侧,并通过贯穿层间绝缘层40的过孔与有源层相连;显示单元的阳极位于平坦化层50背离衬底基板10的一侧,并通过贯穿平坦化层50的过孔与漏极相连。焊盘区12的金属线可以与源极和漏极同步形成。
具体地,第一凹槽14的形成方式包括在形成显示结构层中每个膜层时即形成与第一凹槽14位置对应的开口。第一凹槽14沿第一方向的开口尺寸大小在540μm~560μm之间。
在一具体实施例中,第一间隔区15中的平坦化层50的厚度小于显示区11中的平坦化层50的厚度。和/或,第一间隔区15中的像素界定层20的厚度小于显示区11中的像素界定层20的厚度。
具体地,当平坦化层50和像素界定层20均做薄时,第一凹槽14两侧的梯度差较大,拦截效果较好,同时能够使第一凹槽14达到一定的深度,防止进入第一凹槽14中的金属颗粒17被冲回左侧的显示区11中;当然,为简化制备工艺,也可以在平坦化层50和像素界定层20中择一做薄。或者,将第一间隔区15的栅极绝缘层30和层间绝缘层40均减薄或完全除去。
图5为本发明实施例提供的拦截区域的示意图之二,如图5所示,显示结构层上还设置有第二凹槽18,第二凹槽18位于第一凹槽14所在区域与在所述第一方向上相邻的显示区11之间。
在一具体实施例中,第二凹槽18与第一凹槽14之间设置有第二间隔区,第一间隔区15中的显示结构层的厚度与第二间隔区中的显示结构层的厚度相同。
在一具体实施例中,第一凹槽14以及第二凹槽18的横截面积沿逐渐靠近衬底基板10的方向逐渐减小。
具体地,如图5所示,在第一凹槽14的右侧增设第二凹槽18,将第二凹槽18沿第一方向的开口尺寸控制在100μm~110μm之间,并且第一间隔区15以及第二间隔区中显示结构层采用相同的厚度,第一凹槽14以及第二凹槽18为上宽下窄的倒梯形状。
综上所述,图6为本发明实施例提供的拦截金属颗粒的示意图之二,如图6和图1所示,通过增设第二凹槽18,将第一凹槽14未能拦截的金属颗粒17拦截下来,提高了拦截金属颗粒17的效果。
本发明实施例还提供一种显示面板母板,显示面板母板包括上述的显示基板母板。
本发明实施例还提供一种显示基板母板的制备方法,图7为本发明实施例提供的显示基板母板的制备方法的流程图,如图7所示,制备方法包括:
S710、提供衬底基板,衬底基板上包括多个基板区域,基板区域包括:显示区和焊盘区,焊盘区位于显示区沿第一方向的一侧。其中,在沿第一方向排列的多个基板区域中,每相邻两个基板区域之间设置有拦截区域。
具体地,衬底基板10可以为透明基板,其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定硬度的导光且非金属材料制成的基板。
S720、在衬底基板上形成显示结构层,显示结构层包括像素界定层和位于像素界定层与衬底基板之间的多个膜层。并且,拦截区域中的显示结构层上形成有第一凹槽,第一凹槽所在区域与相邻的焊盘区之间存在第一间隔区。第一间隔区中的显示结构层的厚度小于显示区中的显示结构层的厚度。
具体地,像素界定层的形成步骤包括:形成像素界定材料层;在形成像素界定材料层之后,通过具有不同光透过率的掩膜板对像素界定材料层进行曝光,具体地,掩膜板包括与第一间隔区对应的第一掩膜部、与第一凹槽对应的第二掩膜部以及与显示区对应的第三掩膜部,第一掩膜部的光透过率与掩膜板其他部分的光透过率不同,根据像素界定材料的光阻特性而定,当像素界定材料层为正向光阻材料时:第一掩膜部的光透过率小于第二掩膜部的光透过率,且大于第三掩膜部的光透过率;当像素界定材料层为负向光阻材料时:第一掩膜部的光透过率大于第二掩膜部的光透过率,且小于第三掩膜部的光透过率。
需要说明的是,由于显示结构层中还包括有多个膜层,在本发明实施例中,还可以采用上述方式对第一间隔区中显示结构层的其他膜层(例如平坦化层)进行做薄。
采用本发明实施例的显示基板母板,当金属颗粒17被显影液16卷带流动时,金属颗粒17从显示结构层厚度较薄的一侧被冲向显示结构层厚度较厚的一侧,由于第一间隔区的显示结构层与显示区的显示结构层存在梯度差,金属颗粒17的流动被显示结构层厚度较厚的一侧侧壁阻挡,并由于重力的作用落入第一凹槽14中,从而将金属颗粒17拦截下来,防止金属颗粒17进入衬底基板10中的显示区11,形成暗点不良,从而提高显示区11显示的均匀性。
图8为本发明实施例提供的显示结构层的制备方法的流程图,如图8所示,制备显示结构层的步骤包括:
S810、形成平坦化材料层。
S820、对平坦化材料层进行曝光,并显影,以形成平坦化层。平坦化层对应于第一凹槽的部分被去除。
S830、形成像素界定材料层。
S840、对像素界定材料层进行曝光,并显影,以形成像素界定层。像素界定层对应于第一凹槽的部分被去除。
其中,第一间隔区中的平坦化层的厚度小于显示区中的平坦化层的厚度。和/或,第一间隔区中的像素界定层的厚度小于显示区中的像素界定层的厚度。
具体地,在步骤S820中,通过具有不同光透过率的掩膜板对平坦化材料层进行曝光,并显影,得到具有第一凹槽的平坦化层,并且,第一间隔区的平坦化层的厚度小于显示区的平坦化层的厚度。
在平坦化层背离衬底基板一侧形成像素界定材料层,并通过上述步骤使第一间隔区的像素界定层的厚度小于显示区的像素界定层的厚度。
需要说明的是,在本发明实施例中,可以第一间隔区的平坦化层和像素界定层均做薄,也可以在平坦化层和像素界定层中,选择其中一个膜层做薄。
图9为本发明实施例提供的喷淋显影液的示意图,如图9所示,对像素界定材料层进行显影的过程中,采用喷淋显影液的方式进行显影,且喷淋装置60沿第一方向相对于衬底基板移动。
具体地,喷淋装置60沿第一方向相对于衬底基板移动的方式包括:衬底基板保持不动,喷淋装置60沿与第一方向相同的方向移动;或者,喷淋装置60保持不动,衬底基板沿与第一方向相反的方向移动。
在一具体实施例中,显示区与拦截区域在第一方向上至少部分交叠,第一凹槽在衬底基板上的正投影沿第二方向穿过拦截区域,第二方向与第一方向垂直。
在衬底基板上形成显示结构层之后还包括:
沿第二方向对第一凹槽进行冲洗。
在一具体实施例中,在显示结构层上形成第二凹槽,第二凹槽位于第一凹槽所在区域与在第一方向上相邻的显示区之间。
本发明实施例还提供一种显示基板的制备方法,图10为本发明实施例提供的显示基板的制备方法的流程图,如图10所示,其中,制备方法包括:
S1010、提供衬底基板,衬底基板上包括多个基板区域,基板区域包括:显示区和焊盘区,焊盘区位于显示区沿第一方向的一侧。其中,在沿第一方向排列的多个基板区域中,每相邻两个基板区域之间设置有拦截区域。
S1020、在衬底基板上形成显示结构层,显示结构层包括像素界定层和位于像素界定层与衬底基板之间的多个膜层。并且,拦截区域的显示结构层上形成有第一凹槽,第一凹槽所在区域与相邻的焊盘区之间存在第一间隔区。第一间隔区中的显示结构层的厚度小于显示区中的显示结构层的厚度。
S1030、沿经过第一凹槽的切割线对显示基板母板进行切割。
S1040、去除显示基板母板位于拦截区域的部分。
具体地,第一凹槽可以沿上述第二方向延伸,切割线可以沿第一凹槽的延伸方向穿过第一凹槽,且位于第一凹槽中部。在对显示基板母板进行切割时,沿切割线进行第一次切割(粗切)将显示基板母板分为多个初始显示基板,之后,对每个初始显示基板进行第二次切割(精切),以去除每个初始显示基板中残余的无效区域,通过控制第二次切割时的切割范围,可以使拦截区域一并被切除,从而去除位于拦截区域中的金属颗粒。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种显示基板母板,其特征在于,所述显示基板母板能够被切割形成多个显示基板,所述显示基板母板包括:衬底基板,所述衬底基板包括多个基板区域,所述基板区域包括:显示区和焊盘区,所述焊盘区位于所述显示区沿第一方向的一侧;所述第一方向与冲刷显示基板母板时,显示基板母板的行进方向相反;
沿所述第一方向排列的多个所述基板区域中,每相邻两个所述基板区域之间设置有拦截区域;
所述衬底基板上设置有显示结构层,所述显示结构层包括像素界定层和位于所述像素界定层与所述衬底基板之间的多个膜层;
所述拦截区域中的显示结构层上设置有第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽所在区域与相邻的所述焊盘区之间存在第一间隔区;所述第二凹槽位于所述第一凹槽所在区域与在所述第一方向上相邻的所述显示区之间,所述第二凹槽与所述第一凹槽之间设置有第二间隔区;
所述第一间隔区中的显示结构层的厚度小于所述显示区中的显示结构层的厚度;所述第一间隔区中的所述显示结构层的厚度与所述第二间隔区中的所述显示结构层的厚度相同;
其中,所述显示基板母板被切割时的切割线经过所述第一凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示基板母板,其特征在于,所述显示区与所述拦截区域在所述第一方向上至少部分交叠,所述第一凹槽在所述衬底基板上的正投影沿第二方向穿过所述拦截区域,所述第二方向与所述第一方向垂直。
3.根据权利要求1所述的显示基板母板,其特征在于,所述多个膜层包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的:栅极绝缘层、层间绝缘层和平坦化层,所述第一凹槽贯穿所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层、所述平坦化层和所述像素界定层。
4.根据权利要求3所述的显示基板母板,其特征在于,所述第一间隔区中的所述平坦化层的厚度小于所述显示区中的所述平坦化层的厚度;和/或,
所述第一间隔区中的所述像素界定层的厚度小于所述显示区中的所述像素界定层的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示基板母板,其特征在于,所述第一凹槽以及所述第二凹槽的横截面积沿逐渐靠近所述衬底基板的方向逐渐减小。
6.一种显示面板母板,其特征在于,所述显示面板母板包括权利要求1~5任一项所述的显示基板母板。
7.一种显示基板母板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供衬底基板,所述衬底基板上包括多个基板区域,所述基板区域包括:显示区和焊盘区,所述焊盘区位于所述显示区沿第一方向的一侧;其中,在沿所述第一方向排列的多个所述基板区域中,每相邻两个所述基板区域之间设置有拦截区域;所述第一方向与冲刷显示基板母板时,显示基板母板的行进方向相反;
在所述衬底基板上形成显示结构层,所述显示结构层包括像素界定层和位于所述像素界定层与所述衬底基板之间的多个膜层;并且,所述拦截区域中的显示结构层上形成有第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽所在区域与相邻的所述焊盘区之间存在第一间隔区;所述第二凹槽位于所述第一凹槽所在区域与在所述第一方向上相邻的所述显示区之间,所述第二凹槽与所述第一凹槽之间设置有第二间隔区;所述第一间隔区中的显示结构层的厚度小于所述显示区中的显示结构层的厚度;所述第一间隔区中的所述显示结构层的厚度与所述第二间隔区中的所述显示结构层的厚度相同。
8.根据权利要求7所述的显示基板母板的制备方法,其特征在于,制备所述显示结构层的步骤包括:
形成平坦化材料层;
对所述平坦化材料层进行曝光,并显影,以形成平坦化层;所述平坦化层对应于所述第一凹槽的部分被去除;
形成像素界定材料层;
对所述像素界定材料层进行曝光,并显影,以形成所述像素界定层;所述像素界定层对应于所述第一凹槽的部分被去除;
其中,所述第一间隔区中的所述平坦化层的厚度小于所述显示区中的所述平坦化层的厚度;和/或,
所述第一间隔区中的所述像素界定层的厚度小于所述显示区中的所述像素界定层的厚度。
9.根据权利要求8所述的显示基板母板的制备方法,其特征在于,对所述像素界定材料层进行显影的过程中,采用喷淋显影液的方式进行显影,且喷淋装置沿所述第一方向相对于所述衬底基板移动。
10.根据权利要求7所述的显示基板母板的制备方法,其特征在于,所述显示区与所述拦截区域在所述第一方向上至少部分交叠,所述第一凹槽在所述衬底基板上的正投影沿第二方向穿过所述拦截区域,所述第二方向与所述第一方向垂直;
在所述衬底基板上形成显示结构层之后还包括:
沿所述第二方向对所述第一凹槽进行冲洗。
11.根据权利要求7所述的显示基板母板的制备方法,其特征在于,在所述显示结构层上形成第二凹槽,所述第二凹槽位于所述第一凹槽所在区域与在所述第一方向上相邻的所述显示区之间。
12.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
采用权利要求7~11中任一项所述的制备方法制作显示基板母板;
沿经过所述第一凹槽的切割线对所述显示基板母板进行切割;
去除所述显示基板母板位于所述拦截区域的部分。
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---|---|---|---|---|
CN110796949B (zh) * | 2019-11-08 | 2021-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置 |
CN111584757B (zh) * | 2020-05-27 | 2022-12-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示母板和显示基板的制作方法 |
CN114911088B (zh) * | 2021-02-08 | 2023-10-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板母板及其制作方法、显示面板母板 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106959561A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-07-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示面板 |
CN107561796A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 乐金显示有限公司 | 具有延伸至非显示区域的信号线的显示装置 |
CN107845667A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-03-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板、显示装置及其制作方法 |
CN108400261A (zh) * | 2018-05-02 | 2018-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示器件及其制作方法 |
US10216023B2 (en) * | 2013-07-31 | 2019-02-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device |
CN109449186A (zh) * | 2018-11-02 | 2019-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板母板及其制作方法、和oled显示装置 |
CN109811345A (zh) * | 2017-11-21 | 2019-05-28 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂和通过利用该蚀刻剂制造显示装置的方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006277989A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置の製造方法 |
JP2009120879A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置及び薄膜形成方法 |
JP6133173B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-05-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2016122122A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR101763616B1 (ko) * | 2015-07-29 | 2017-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10319797B2 (en) * | 2016-05-26 | 2019-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
CN107768402B (zh) * | 2016-08-23 | 2020-10-09 | 陈扬证 | 具有阻挡装置的显示面板 |
US10388677B2 (en) * | 2017-05-09 | 2019-08-20 | HKC Corporation Limited | Display panel and display device |
JP6742277B2 (ja) * | 2017-07-03 | 2020-08-19 | 株式会社Joled | 表示装置および表示装置の製造方法 |
KR102394984B1 (ko) * | 2017-09-04 | 2022-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN107819014A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-03-20 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
CN109728196B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-06-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板、其制作方法和显示装置 |
-
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- 2019-07-04 CN CN201910600149.6A patent/CN110164953B/zh active Active
-
2020
- 2020-04-09 US US16/844,307 patent/US11411059B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10216023B2 (en) * | 2013-07-31 | 2019-02-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device |
CN107561796A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 乐金显示有限公司 | 具有延伸至非显示区域的信号线的显示装置 |
CN106959561A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-07-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示面板 |
CN107845667A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-03-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板、显示装置及其制作方法 |
CN109811345A (zh) * | 2017-11-21 | 2019-05-28 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂和通过利用该蚀刻剂制造显示装置的方法 |
CN108400261A (zh) * | 2018-05-02 | 2018-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示器件及其制作方法 |
CN109449186A (zh) * | 2018-11-02 | 2019-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板母板及其制作方法、和oled显示装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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