CN1409667A - 供片、滤色片、有机el元件及它们的制造方法 - Google Patents

供片、滤色片、有机el元件及它们的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种用于用激光热成像法将图像图形转印至图象接收元件的供片，它具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在图象接收元件上的图象成分，其特征在于，上述转印层的图象成分含有最佳量的斥印墨性或斥溶剂性的化合物。使用该供片，可通过缩短的制造工艺，容易且准确地制造滤色片的分隔筋、液晶显示装置的黑底、有机EL元件的分隔壁等隔离部件，而且，可赋予隔离部件以优异的斥印墨性。

Description

供片、滤色片、有机EL元件及它们的制造方法
                          技术领域
本发明涉及使用激光的热成像法，更具体地说，涉及该方法中使用的供片(施主片，donor sheet)(所谓的“成像片”)、用该供片形成的光学元件(尤其是滤色片和有机EL元件)和它们的制造方法。本发明尤其涉及滤色片的分隔筋(separation rib)、液晶显示装置的黑底(black matrix)和有机EL元件的分隔壁(bank)的制作方法。使用激光的热成像法一般称作激光热转印法或LITI(Laser-induced Thermal Imaging，激光致热成像)法。
                             背景技术
众所周知，有一种印刷方法称作喷墨记录法，该记录方法具有可形成多色的精细图象等优点，因此，被用于各种成像领域。例如，在滤色片的分隔筋(所谓的分隔图形)和液晶显示装置的黑底的制作中，用喷墨记录法形成像素。
例如，日本特许公开公报1994年第347637号公开了一种在含有含氟斥水斥油剂的分隔图形(黑底)的间隙印刷彩色图形的方法，其特征在于，用具有特定表面张力的印墨通过喷墨记录法印刷。在该印刷方法中，分隔图形可用凹版印刷法、光刻法、热转印法等公知的方法制成。此外，日本特许公开公报1995年第35915号公开了一种在透明基板的特定位置上有多色像素、在该像素的间隙有遮光用黑底的滤色片，其特征在于，遮光用黑底是含有含氟化合物和(或)含硅化合物的黑色树脂层。在该滤色片中，黑底可以用黑色感光树脂组合物作为起始物质，通过光刻法形成。此后的多色像素可用印刷法或喷墨法形成。
在上述滤色片中，用含有含氟化合物和(或)含硅化合物的黑色树脂层形成黑底的理由如下。用喷墨法形成像素时，让印墨液滴从喷墨打印机的喷头射出，落在被黑底包围的开口部(像素区域)。此时，为了准确和高速地射出印墨的小小液滴和在开口部内迅速地以均匀的厚度扩展，必须使用粘度非常低、表面张力小的印墨。为此，为了防止由印墨从黑底中流出而导致的混色，需要赋予黑底本身以斥印墨性(斥水斥油性)。所用的合适材料有上述含氟化合物和含硅化合物。
但以往的黑底的形成方法中存在若干问题。例如，在由上述黑色感光树脂组合物或与其类似的、树脂中分散有用于产生遮光性的黑色颜料、染料和金属粉末的感光树脂组合物通过光刻法形成黑色基体时，必须进行树脂组合物的涂布、固化、曝光、显影、干燥等各种处理，不仅操作繁杂，而且，还存在处理装置复杂、制造成本上升的问题。此外，虽然也有用金属薄膜(例如，铬、铬氧化物等的薄膜)替代感光树脂组合物来形成黑底的，但此时，为了在金属薄膜上形成图形，也必须使用光刻法，由此，仍无法回避与前述同样的问题。
下面作具体说明。通常，上述形成黑底的方法包括以下一系列步骤。
1)在基板上形成由金属构成的黑底前体，即，黑底形成材料的薄膜。例如，用溅射法形成Cr薄膜或Cr和CrO2的薄膜。
2)在黑底前体的薄膜上以规定的膜厚涂布感光树脂组合物。通常，涂布采用旋涂法。
3)将感光树脂组合物在烘箱中预烘焙，使其固化，得到抗蚀膜。
4)使用具有所需黑底图形的掩膜，将抗蚀膜曝光。曝光源采用紫外线灯等。
5)例如用碱性显影液进行显影，除去抗蚀膜的未曝光部分。
6)将未除去而残留的抗蚀膜用作掩膜，用腐蚀液将衬底的黑底前体薄膜的露出部分溶解、除去。
7)将腐蚀时的残渣等通过清洗除去。得到具有所需图形的黑底。
8)将用作掩膜的抗蚀膜溶解、除去。
作为另一种方法，也可通过在将黑色颜料等遮光材料分散在用作抗蚀剂的感光树脂组合物中来形成黑底。此时，不使用黑底前体(即，金属薄膜)，基板采用玻璃基板。这样，在上述处理步骤中，省略步骤1)和6)，而且，与在步骤8)中除去抗蚀剂不同的是，通过后烘焙进行固化，使固化的抗蚀剂残留。
由上述说明可知，在用光刻法形成黑底的方法中，一般需要6-8个处理步骤，此外，与此相应，还需要树脂组合物的涂布装置、烘焙装置、曝光装置等处理设备。也可以考虑不使用光刻法，而用电沉积法、化学镀法等形成由金属构成的黑底。但其处理步骤仍然存在问题，没有优于光刻法之处。
鉴于上述情况，希望有一种不使处理步骤和处理装置复杂且可直接在基板上形成的黑底的制作方法。
然而，前述日本特许公开公报1994年第347637号虽然公开了用热转印法形成分隔图形的可能性，但未作具体说明。因此，在这点上，参照美国专利No.5,521,035的说明书中记载的用LITI法制作滤色片元件的方法。根据该制作方法，通过使用激光的热转印，可将着色剂由含有含氟表面活性剂的黑色供片转印到滤色片元件的基板上，以所需图形形状成黑底。该采用LITI法的黑底虽然能得到比以往的光刻法满意的结果，但在斥水斥油性方面，还需进一步改进。
此外，喷墨记录法在有机EL元件的制造中，还被用于形成有机化合物发光层。例如，在PCT专利申请公报WO98/24271中，公开了一种具有以下特征的有机EL元件的制造方法：具有在透明基板上形成像素电极的步骤、在上述像素电极上形成由有机化合物构成的至少1种颜色的发光层图形的步骤和形成与上述像素电极相对的阴极的步骤，用喷墨方式形成上述发光层。
                               发明内容
为解决现有技术中存在的上述问题，本发明的一个目的是提供这样一种供片，它可通过缩短的制造工艺，容易且准确地以高反差制造光学元件的隔离部件(如滤色片的分隔图形和黑底)，而且，可赋予该隔离部件以优异的斥印墨性(即，斥水斥油性)。
本发明的另一个目的是提供一种黑底、分隔图形等隔离部件的制作方法，它使用本发明的供片，不会使处理步骤和处理装置复杂化，且可直接形成于基板上。
本发明的又一个目的是提供一种具有用本发明的供片形成的隔离部件的滤色片。
本发明的再一个目的是提供一种使用本发明的供片、制造具有隔离部件的滤色片的方法。
本发明的还有一个目的是提供一种具有用本发明的供片形成的分隔壁的有机EL元件及其制造方法。
本发明的上述目的及其它目的可容易地通过以下的详细说明加以理解。
本发明的一个方面是，提供一种用于用激光热成像法将图像图形转印至图象接收元件的供片，它具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在图象接收元件上的图象成分，
其特征在于，
上述转印层的图象成分含有最佳量的斥印墨性或斥溶剂性的化合物。
在本发明的供片中，光热转换层和转印层之间最好还有中间层。中间层最好含有含氟化合物和/或硅氧烷化合物。
本发明的另一个方面是，提供一种滤色片，它具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素、将相邻的像素隔离的分隔图形，
其特征在于，
基板上的分隔图形通过将本发明的供片转印层与基板表面贴合、然后用激光热成像法将供片转印层的图象成分以与分隔图形对应的图形转印而形成。
在本发明的滤色片中，像素最好在形成分隔图形后通过用喷墨方式将印墨充填至像素形成区域而形成。
在本发明的滤色片中，分隔图形最好能起滤色片的分隔筋的作用，或者，分隔图形本身具有规定程度的遮光性，可用作液晶显示装置的黑底。
本发明的又一个方面是，提供一种滤色片的制造方法，该滤色片具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素、将相邻的像素隔离的分隔图形，
该方法的特征在于，它包含以下步骤：
用黑底形成材料涂覆基板表面，形成薄膜，
将基板和本发明的供片重叠，使薄膜状黑底形成材料和供片转印层贴合，
与所需黑底的图形对应，通过采用激光的热成像法，从上述供片的基材侧照射激光，将供片转印层的图象成分加热熔融、转印至上述薄膜状黑底形成材料上，
将以图形形状转印至基板的薄膜状黑底形成材料表面上的图象成分作为掩膜，将露出的黑底形成材料腐蚀除去，
用喷墨法将具有规定颜色的印墨充填到被由上述图象成分及其下面的黑底材料形成的分隔图形包围的开口部，形成像素。
本发明还提供这样一种滤色片的制造方法，该滤色片具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素、将相邻的像素隔离的分隔图形，
该方法的特征在于，它包含以下步骤：
以预定图形在基板表面形成薄膜状黑底，
将本发明的供片转印层贴在上述基板黑底侧的表面上，
与上述黑底的图形对应，通过采用激光的热成像法，从上述供片的基材侧照射激光，将供片转印层的图象成分加热熔融、堆积在上述黑底上，
用喷墨法将具有规定颜色的印墨充填到被形成的分隔图形包围的开口部，形成像素。
本发明还提供这样一种滤色片的制造方法，该滤色片具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素、将相邻的像素隔离的遮光用分隔图形，
该方法的特征在于，它包含以下步骤：
将基板和本发明的供片重叠，使基板表面和供片转印层贴合，
与所需黑底的图形对应，通过采用激光的热成像法，从上述供片的基材侧照射激光，将供片转印层的图象成分加热熔融、转印至上述基板上，
用喷墨法将具有规定颜色的印墨充填到被由上述图象成分形成的遮光用分隔图形包围的开口部，形成像素。
本发明还提供一种有机EL元件，该有机EL元件具有透明基板、配置在基板规定位置上的多个像素电极、将相邻的像素电极分隔的分隔图形、形成于像素电极上的至少1种颜色的发光层及形成于发光层上的相对电极，
其特征在于，
基板上的分隔图形通过将本发明的供片转印层和基板表面贴合、然后用激光热成像法将上述供片转印层的图象成分以与上述分隔图形对应的图形转印而形成。
本发明还提供有机EL元件的制造方法，该有机EL元件具有透明基板、配置在基板规定位置上的多个像素电极、将相邻的像素电极分隔的分隔图形、形成于像素电极上的至少1种颜色的发光层及形成于发光层上的相对电极，
该方法的特征在于，它包含以下步骤：
以预定图形在基板表面形成像素电极，
将供片转印层贴合在基板的像素电极例的表面上，所述供片具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在上述基板上的图象成分，
与上述分隔图形对应，通过采用激光的热成像法，从上述供片的基材侧照射激光，将供片转印层的图象成分加热熔融、堆积在上述基板上，用喷墨法将具有规定颜色的有机材料充填到被形成的分隔图形包围的开口部，形成发光层。
                          附图说明
图1是本发明的供片的典型构成的剖面示意图。
图2A-图2C是按顺序表示图1的供片中图像图形转印至图象接收元件的过程的剖面图。
图3是用图1的供片形成的本发明的滤色片的分隔筋一实例的剖面图。
图4是用图1的供片形成的本发明的液晶显示装置的黑底一实例的剖面图。
图5A-图5E是按顺序表示本发明的图3的分隔筋的一种制作方法的剖面图。
图6A-图6D是按顺序表示本发明的图3的分隔筋的另一种制作方法的剖面图。
图7A-图7D是按顺序表示本发明的图4的黑底的一种制作方法的剖面图。
图8A-图8G是按顺序表示用本发明的供片制作有机EL元件的方法的剖面图。
                        具体实施方式
下面结合附图就本发明的实施方式进行说明。在下面的参照附图的说明中，为便于说明，对于相同符号的部件，有时会使用不同的部件名称。
本发明的供片用作成像元件，用于用激光热成像法(LITI法)将图像图形转印至图象接收元件。图1示出本发明的该供片的典型构成。如图所示，供片10具有基材1、在其上面依次形成的光热转换层2、中间层3和转印层4，所述转印层4含有因光热转换层2的作用而受热熔融、以图形形状转印至图象接收元件(图中未标出)上的图象成分。视需要，本发明的供片可具有任意的附加层。
在本发明的供片中，基材只要能满足对供片的要求，可以用各种天然的或合成的材料形成。由于图象成分的转印需要通过照射激光进行加热来实施，因此，要求基材具有激光透过性和耐热性等。此外，由于基材需贴合在图象接收元件上使用且使用后要剥离，因此，还要求基材有合适的柔软性、较轻的重量以及合适的操作性、机械强度等。合适的基材的例子有聚酯树脂等各种塑料材料。基材厚度可根据所需供片的具体情况任意变化，通常在约0.01-2.54mm的范围内。
由基材支承的光热转换层(也称LTHC层)的作用是，将激光照射产生的光能转换成热能，通过中间层将相邻的转印层中的图象成分熔融，转印并固定在图象接收元件的表面上。因此，光热转换层最好由炭黑等光吸收材料制成，或者该光热转换层最好含有分散的光吸收材料。为了固化，该光热转换层最好还含有光聚合成分。光热转换层最好是将例如炭黑、光聚合单体或低聚物、光聚合引发剂等分散在粘合树脂中的层。这样的光热转换层通常通过将具有规定组成的树脂组合物用例如旋涂法、凹版印刷法、模压涂布法等常用的涂布方法涂布在基材表面、干燥而形成。光热转换层的厚度可根据所需供片的具体情况和效果等而有大的变化，但通常在约0.001-10μm的范围内。
介于光热转换层和转印层之间的中间层的作用是，使光热转换层的光热转换作用变得均匀。通常，可用满足这样的要求的树脂材料制成。该中间层与光热转换层同样，可通过将具有规定组成的树脂组合物用例如旋涂法、凹版印刷法、模压涂布法等常用的涂布方法涂布在光热转换层表面、干燥而形成。中间层的厚度可根据所需效果等而有大的变化，但通常在约0.05-10μm的范围内。
配置在本发明供片的最上层的转印层如上所述，含有因光热转换层的作用而被加热、熔融、以图形形状转印至图象接收元件的图象成分，因此，在本发明的供片中具有非常重要的作用。此外，如下面详细说明的，转印层的图象成分除了直接参与图象形成的成分(即，转印至图象接收元件、构成其隔离部件的成分)之外，为了获得优异的、得到控制的斥印墨性，还必须含有最佳量的含氟化合物和(或)硅氧烷化合物。
转印层可将所含的图象成分通过LITI法以高反差转印至图象接收元件表面，作为转印的图像图形固定。只要在将使用后的供片从图象接收元件剥离时不产生剥离残渣，转印层可以以任意的组成形成。根据由图象成分而形成的图像图形的用途，可以以适合各用途的组成形成转印层。例如，将图像图形用作液晶显示装置的黑底上的隔离部件(即，分隔筋或分隔图形)时以及在使图像图形本身具有遮光性、用作黑底兼分隔筋时，可在考虑到遮光性的基础上变更转印层的组成。为提高遮光性，一般可添加较大量的黑色颜料(炭黑等)和其它有色颜料，也可添加金属粉末等。
在任何情况下，根据本发明，可使转印的图像图形具有很强的斥水斥油性，且图像图形与图象接收元件表面的附着性良好。这是因为在本发明的转印层中，图象成分含有作为斥印墨成分的含氟化合物、硅氧烷化合物或它们的混合物，而且，这些斥印墨成分的含量控制在最佳范围内。若斥印墨成分的含量过大，则对基材的附着性下降，而若过小，则不能得到充分的斥水斥油性。
因此，根据本发明，例如当转印层为含有着色图象成分的着色印墨层时，可形成具有优异的斥水斥油性的着色图像图形而不会损害图象接收元件或其对基材的附着性。此外，在基材上形成这样的着色图像图形后，在该着色图像图形以外的区域通过例如印刷法、喷墨记录法、刷涂法等常用方法，用例如水性或油性液体印墨形成另外的着色图像图形时，可有效地将二个着色图像图形分开地形成，从而可防止出现混色、厚度不匀等缺陷。用与上述同样的方法形成3色或更多色的着色图像图形时，也可将得自转印层的最初着色图像图形用作将其它着色图像图形(例如第2和第3着色图像图形)分离的分隔图形或分隔筋。
在本发明中，为得到上述作用和效果，可使图象成分含有作为斥印墨成分的各种含氟混合物。合适的含氟化合物包括但不限于分子内含有氟原子的单体、低聚物或聚合物、含氟表面活性剂等。这样的含氟化合物最好能够与在转印层中用作图象成分一部分的粘合树脂(例如，丙烯酸树脂)相容或分散在其中。
上述含氟化合物在图象成分中的添加量可根据其种类等而作大的变化，但最好根据用于形成着色图像图形的印墨的表面张力进行最佳化。具体地说，含氟化合物的量占图象成分总重量的10％以下。
在实施本发明时，也可用相同添加量的硅氧烷化合物替代上述含氟化合物或与含氟化合物合用。合适的硅氧烷化合物包括但不限于以有机聚硅氧烷为主要成分的树脂、橡胶、表面活性剂、偶联剂等。
在本发明中，必须保证所得的转印图像图形具有提高的斥印墨性(即，斥水斥油性)。这里，“斥印墨性”的定义与例如日本特许公开公报1994年第347637号中规定的“斥水性”基本相同。即，“斥印墨性”通过图像图形所转印的图象接收元件的基板表面、印墨和分隔图形(例如，黑底)之间的表面能的关系进行定义。因此，为获得提高的斥印墨性，在本发明中，必须具备以下条件：
(1)满足下面的大小关系：
基板表面的临界表面张力＞印墨的表面张力＞分隔图形的临界表面张力
(2)分隔图形的临界表面张力小于35达因/cm。
(3)基板表面的临界表面张力在35达因/cm以上。
(4)印墨的表面张力与分隔图形或基板表面的表面张力之差在5达因以上。
此外，本发明中必需的斥印墨性也可从其它方面加以定义。较好的是，可根据基板表面与从喷墨打印机喷头喷出的印墨之间的接触角加以定义。使用表面张力为20-40mN/m的溶剂型印墨时，与印墨的接触角以30-55°为佳，40-50°更佳。使用表面张力为40-55mN/m的水基印墨时，与印墨的接触角以60-80°为佳。若接触角低于上述范围，则会与相邻的像素区域的其它颜色发生混色，无法制作所需滤色片。而若高于上述范围，则虽然不会与相邻的像素区域的其它颜色发生混色，但保持在像素区域中的印墨会以中间部分为中心隆起(凸起)，印墨干燥后像素中心部分仍比周围部分厚，出现色斑。
本发明的供片中的图象成分的转印过程可容易地由图2A-图2C而变得明白。图2A-图2C是按顺序表示图1的供片中图像图形转印至图象接收元件的过程的剖面图。
如图2A所示，准备好具有与图1所示的相同构成的供片10，将其与图象接收元件的基板11重叠，使其转印层4与基板11贴合。然后，从基材1一侧将激光L以规定图形照射在所得层叠物的供片10上。激光L的图形与要转印至图象接收元件的图像图形对应。
经激光照射，借助与供片10的基材1相邻的光热转换层2的作用，光能转换成热能，热能再由于中间层3的作用而变得均匀。这样，如图2B所示，转印层4内部所含的图象成分14被以图形形状加热、熔融，转印至图象接收元件的基板11上并被固定。
图2C是这样形成的转印至基板11上的图像图形7。该图像图形7牢固地贴合在基板11上。由于该图像图形7具有非常大的斥印墨性，因此，在用喷墨记录法等将印墨附着在非图像图形区域等情况下，可防止印墨渗出到其它区域和与相邻区域的颜色混色。从而，使用上述供片，在用喷墨记录法制造滤色片时，可有效地防止彩条混色和厚度不匀等。
本发明还涉及具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素和将相邻的像素隔离的分隔图形的滤色片。在该滤色片中，相邻的像素隔离的分隔图形(例如分隔筋或黑底)可以用本发明的供片，按上述方法形成。即，将本发明供片的转印层与基板表面贴合，然后用与分隔图形对应的图形，通过使用激光的热成像法将供片转印层的图象成分转印。
图3是用图1的供片形成的本发明的滤色片的分隔筋一实例的剖面图。如图所示，基板11的规定区域(分隔图形区域)形成有由黑底15和分隔筋7构成的分隔图形。像素可在形成分隔图形后，通过用喷墨方式将印墨6施加至像素区域8而形成。
图4为图3的一变例，是用图1的供片形成的本发明的液晶显示装置的黑底一实例的剖面图。如图所示，黑底15被省略，分隔筋7兼具黑底的功能。
图3和图4所示滤色片可以并最好用图5A-图5E、图6A-图6D和图7A-图7D依次示出的步骤制作。图示的是其一实例，但在本发明的范围内可进行各种变更和改进是不言而喻的。
图5A-图5D是按顺序表示本发明的图3的分隔筋的一种制作方法的剖面图。
如图5A所示，制备适合制作滤色片的透明基板11。合适的基板例子有在本技术领域常用的各种玻璃基板，但视需要，也可使用透明的塑料基板等。
然后，如图5B所示，在准备好的基板11的表面涂覆黑底形成材料。可在此使用的黑底形成材料例如有铬(Cr)、氧化铬(CrO2)等金属或其氧化物。黑底材料的薄膜可用各种成膜法(例如，溅射法、蒸镀法等)以规定的厚度形成。该薄膜可以是单层的，也可以是二层以上的多层。黑底形成材料的薄膜厚度虽然可以在大的范围内变更，但通常以0.01-1μm为佳，0.1-0.25μm更佳。这样，作为黑底前体的薄膜5就形成于基板11上。
接着，如图5C所示，将本发明的供片10以薄膜5为中介层，加载在基板11上，然后将它们重叠，使薄膜状黑底形成材料5和供片10的转印层(图中未标出)贴合。
然后，通过使用激光的热成像法，与所需黑底的图形对应，从供片10的基材侧照射激光L，将供片10的转印层的图象成分加热熔融，转印至薄膜状黑底形成材料5上。
如图5D所示，得到以图形形状转印至基板11的薄膜状黑底形成材料5表面的图象成分7。该图象成分7的矩阵状图形在最终得到的滤色片中起分隔筋的作用，其厚度可根据所需效果等在大的范围内进行变更，但通常以0.5-3.0μm为佳，1.5-2.5μm更佳。若小于0.5μm，则不能得到足以存放印墨的分隔筋高度，而若大于3.0μm，则会影响印墨干燥后的作为滤色片的平滑性，因此是不适宜的。
接着，以图象成分7的矩阵状图形为掩膜，将露出的薄膜状黑底形成材料5腐蚀除去。腐蚀剂可以是各种酸，视需要，也可干刻蚀。未被腐蚀除去的残渣可通过清洗等处理而去除干净。
腐蚀的结果如图5E所示，得到具有由黑底15和分隔筋7构成的分隔图形的基板11。这里，为形成黑底15而作为掩膜使用的分隔筋7若无必要存在，则可以通过用碱性溶液清洗或其它任意的剥离技术加以除去。
接着，虽然未在图中示出，但最好用喷墨记录法将具有规定颜色的印墨充填至被由分隔肋及作为基底的黑底形成材料形成的分隔图形包围的开口部(该部分称作像素区域)，形成像素(参见图3)。
通过上述一系列的但步骤数目比以往的方法少的处理步骤，使用简化的处理装置，得到作为本发明的具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素和将相邻的像素隔离的分隔图形的滤色片。由于该滤色片的分隔筋7具有优异的斥印墨性，因此，在用喷墨记录法将印墨充填至像素区域形成像素时，可防止印墨渗出至其它区域和与相邻区域的颜色发生混色。
图6A-图6D是按顺序表示本发明的图3的分隔筋的另一种制作方法的剖面图。图中所示的制作方法除了对处理步骤进行了变更之外，基本上与先前说明的图5A-图5E所示的方法相同。
首先，如图6A所示，以预定图形在准备好的透明基板11表面形成薄膜状的黑底15。黑底15可通过用溅射法将Cr等附着在薄膜上而形成。
然后，如图6B所示，将本发明的供片10的转印层(图中未标出)贴合在基板11的黑底15侧的表面，再如图6C所示，通过使用激光的热成像法，与黑底15的图形对应，从供片10的基材侧照射激光L。
以图形照射激光的结果是，可将供片10的转印层的图象成分加热熔融，然后如图6D所示，作为分隔筋堆积在黑底15上。得到由黑底15和其上面的分隔筋7构成的分隔图形。
接着，如先前参照图3所作的说明，用喷墨记录法将具有规定颜色的印墨充填至被形成的分隔图形包围的开口部(像素区域)，形成像素。由此，得到具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素和将相邻像素隔离的分隔图形的滤色片。
图7A-图7D是按顺序表示本发明的图4的黑底的一种制作方法的剖面图。该制作方法也可以基本上与先前说明的图5A-图5E和图6A-图6D所述的方法相同，但在该方法中，由于分隔筋还起着黑底的作用，因此，在决定转印层图象成分的组成时，必须考虑到能使转印层提供遮光性优异的分隔筋。关于这一点，已在前面的供片部分进行了说明。
首先，准备好图7A所示的透明基板11之后，如图7B所示，将本发明的供片10重叠在基板11的单面上。此时，要注意使基板11的表面与供片10的转印层(图中未标出)贴合。
然后，实施使用激光的热成像法。即，如图7C所示，与所需黑底的图形对应，从供片10的基材侧照射激光。经激光照射，供片10的转印层的图象成分被加热熔融，转印至基板11上。如图7D所示，形成黑底兼分隔筋，即，遮光用分隔图形7。
接着，虽然图中未示出，用喷墨记录法将具有规定颜色的印墨充填至被由图象成分形成的遮光用分隔图形包围的开口部(像素区域)，形成像素(参见图4)。
这样，用非常简单的方法和简化的处理装置，就可制造具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素和将相邻像素分隔的遮光用分隔图形的特性优异的滤色片。
根据本发明，除了滤色片之外，还可方便地制造有机EL元件和其它光学元件。
如先前说明的，本发明的有机EL元件具有透明基板、配置在基板规定位置上的多个像素电极、将相邻的像素电极分隔的分隔图形、形成于像素电极上的至少1种颜色的发光层及形成于发光层上的相对电极，
其特征在于，
基板上的分隔图形通过将本发明的供片转印层和基板表面贴合、然后用激光热成像法将上述供片转印层的图象成分以与上述分隔图形对应的图形转印而形成。
在本发明的有机EL元件中，发光层最好在分隔图形形状成后通过用喷墨方式将有机材料充填至发光层形成区域而形成。
本发明的具有分隔图形(即，分隔壁)的有机EL元件可以是各种形态的，因而可用各种方法制造。
图8A-图8G示出本发明的有机EL元件的一实例及其制造方法。下面就该实例进行说明，但本发明的有机EL元件不限于此实例。
图示的有机EL元件为具有3色的全色有机EL元件，如图所示，其制造方法包括以下步骤：在透明基板24上形成像素电极21、22和23(图8A)、用本发明的供片10实施LITI法(图8B)、形成分隔壁25(图8C)、在各像素电极上形成由有机化合物构成的发光层图形26和27(图8D)、形成发光层28(图8E)和形成阴极31(图8F)。发光层26和27可用喷墨方式形成。
透明基板24在起着支承体的功能的同时，还兼具透光面的功能。因此，透明基板24需考虑透光性和热稳定性等进行选择。透明基板材料例如有玻璃基板、透明塑料等，但优选玻璃基板，因为其耐热性优异。
首先，如图8A所示，在透明基板24上形成像素电极21、22和23。可采用的方法例如有光刻法、真空蒸镀法、溅射法、熔胶法等，但优选光刻法。这些像素电极最好是透明的。构成透明像素电极的材料例如有氧化锡膜、ITO膜、氧化铟与氧化锌的复合氧化物膜等。
然后，如图8C所示，形成分隔壁25，埋入在上述各透明像素电极之间。
这样，可提高对比度、防止发光材料混色和光从像素与像素之间泄漏等。
与形成滤色片中的分隔图形时一样，分隔壁25用LITI法形成。即，如图8C所示，准备好具有图1所示构成的供片10，将其重叠在透明基板24上，使其转印层贴合在透明基板24上。然后，从所得层叠物的基材侧将激光L以规定图形照射在层叠物的供片10上。激光L的图形与要转印至透明基板24的分隔壁25的图形对应。
经激光照射，借助与供片10的基材相邻的光热转换层2的作用，光能转换成热能，热能再由于中间层的作用而变得均匀。这样，转印层内部所含的图象成分被以图形形状加热、熔融，转印至基板24上并被固定。
图8C表示这样形成的转印至基板24上的分隔壁25的图形。该分隔壁图形25牢固地贴合在基板24上。由于该图形具有非常大的斥印墨性，因此，在用喷墨记录法等将印墨附着在非图象图形区域等情况下，可防止印墨渗出到其它区域和与相邻区域的颜色混色。
对构成分隔壁25的材料无特殊限定，只要对EL材料的溶剂具有耐久性即可。例如可以是丙烯酸树脂、环氧树脂、感光聚酰亚胺等有机材料、水玻璃等无机材料等。也可在上述分隔壁25的材料中加入炭黑等，用作黑色抗蚀剂。
当然，上述材料必须满足本发明对供片的要求乃不言而喻。
还有，在各像素电极上以规定图形形状成有机发光层。有机发光层最好具有3色，其中，至少1种颜色最好用喷墨方式形成。
在图示的实例中，在像素电极21和22上分别用喷墨方式形成红色发光层26和绿色发光层27。即，如图8D所示，将发光材料溶解或分散在溶剂中，作为喷射液，从喷墨打印机的喷头(图中未标出)以液滴6的形式喷出，形成红色、绿色、蓝色这3基色或其中间色中的至少1种颜色的像素。
用该喷墨方式，可简便且以较短时间形成精细图形。此外，可通过增减喷出量来调整膜厚或通过调整印墨浓度来容易且自由地控制发色平衡、辉度等发光特性。
当有机发光材料为共轭高分子前体时，用喷墨方式将各发光材料喷出、形成图形后，通过加热或光照射等，可将前体成分共轭化(成膜)，形成发光层。
然后，如图8E所示，将蓝色发光层28形成于红色发光层26、绿色发光层27和像素电极23之上。这样，不仅可形成红、绿、蓝这3原色，而且可消除红色发光层26与绿色发光层27和分隔壁25之间的凹凸不平，使表面变得平坦。
对形成蓝色发光层28的方法无特殊限定，例如可以是作为蒸镀法、湿法而一般公知的成膜法，也可以是喷墨法。
蓝色发光层28例如可由铝喹啉醇(aluminum quinolynol)络合物之类的电子注入输送型材料构成。在这种情况下，可促进载流子的注入和输送，提高发光效率。此外，与由空孔注入输送材料构成的层层叠，可以良好的平衡将来自电极的电子和空孔注入、输送至发光层中，进一步提高发光效率。
如本实例所示，用喷墨方式形成有机发光层中的2种颜色，用其它方法形成另一种颜色，这样，即使是不那么适合喷墨方式的发色材料，只要通过与喷墨方式中使用的其它有机发光材料组合，就可形成全色有机EL元件，从而使得设计的回旋余地变大了。当然，如果希望，也可所有颜色用喷墨方式形成。
最后，如图8F所示，形成阴极(相对电极)31，完成本发明的有机EL元件的制作。阴极31以金属薄膜电极为佳，构成阴极的金属例如可以是Mg、Ag、Al、Li等。除此之外，也可使用功函数小的材料，如碱金属、Ca等碱土金属和含有这些碱金属和/或碱土金属的合金。阴极31可用蒸镀法和溅射法等形成。
如图8G所示，也可在阴极31上形成保护膜32。通过形成保护膜32，可防止阴极31和各发光层26、27和28劣化、损伤和剥离等。构成保护膜32的材料例如可以是环氧树脂、丙烯酸树脂和水玻璃等。形成方法例如可以是旋涂法、铸塑法、浸渍法、刮棒涂布法、辊涂法、毛细管法等。
但较好的是，发光层由有机化合物构成，更好的是，由高分子有机化合物构成。用有机化合物构成发光层，就可以低电压进行高辉度的面发光。此外，在大的范围内选择发光材料，可以合理地设计EL发光元件。尤其是高分子有机化合物具有优异的成膜性，且用高分子有机化合物制成的发光层的耐久性非常良好。另外，这些高分子有机化合物在可视区域具有禁带宽度并具有较好的导电性，其中，共轭高分子具有明显的上述倾向。
有机发光层材料可以是高分子有机化合物本身，也可以是会通过加热等而共轭化(成膜)的共轭高分子有机化合物的前体等。
上面，就用LITI法将本发明的供片用于形成滤色片的分隔筋、液晶显示装置的黑底和有机EL元件的分隔壁作了具体说明，但本发明的供片也可方便地用于其它隔离部件的形成乃不言而喻的。特别值得注意的是，对于任何可用喷墨法形成图形的材料，可用本发明的供片形成该材料的隔离部件。
下面结合实施例对本发明进行说明，但应该理解，本发明不受下面的实施例的限定。
实施例1(1)供片的制作
用下述工序制作具有基材、依次形成于基材上的光热转换层、中间层和转印层的供片。
用厚75μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜作为基材，在其上面依次形成具有下述组成和厚度的光热转换层(LTHC层)、中间层和转印层。用模压涂布法涂布LTHC层和中间层、并照射紫外线使它们固化后，在其上面再同样地用模压涂布法形成转印层。光热转换层
炭黑(商品名：Raben 760，Colombian Carbon公司产品)                 100.00重量％
分散剂(商品名：Disperbyk 161，BYK-Chiemie公司产品)                8.9重量％
乙烯基丁醛树脂(商品名：Burvar B-98，日本Monsanto公司产            17.9重量％
               品)
含羧基的丙烯酸类树脂(商品名：Joncryi 67，Jonson Polymer           53.5重量％
                     公司产品)
丙烯酸类低聚物(商品名：Evecryl EB629，UCB Radcure公司             834.0重量％
               产品)
含羧基的丙烯酸类树脂(商品名：Elvacite 2669，ICI公司产品)          556.0重量％
光聚合引发剂(商品名：Irgacure 369，Ciba Geigy公司产品)            45.2重量％
光聚合引发剂(商品名：Irgacure 184，Ciba Geigy公司产品)            6.7重量％
                                                  合计            1622.3重量％
固含量：30％(在PMA/MEK＝60/40中)
膜厚：5μm中间层
乙烯基丁醛树脂(商品名：Burvar B-98，日本Monsanto             4.76重量％
               公司产品)
含羧基的丙烯酸类树脂(商品名：Joncryi 67，Jonson              14.29重量％
                     Polymer公司产品)
丙烯酸类单体(商品名：Sartomer 351，Sartomer公司产品)         79.45重量％
光聚合引发剂(商品名：Irgacure 369，Ciba Geigy公司产品)       4.50重量％
荧光染料                                                     1.12重量％
                                                 合计        104.12重量％
固含量：9.3％(在IPA/MEK＝90/10中)
膜厚：1μm转印层
颜料二噁烷(商品名：Hostaperm Violet RL NF，BASF公司          50.0重量％
           产品)
颜料二重氮黄(商品名：ECY-204，大日精化工业株式会社           50.0重量％
             产品)
分散剂(商品名：Disperbyk 161，BYK-Chiemie公司产品)           15.0重量％
含羧基的丙烯酸类树脂(商品名：CARBOSET GA1162，               268.8重量％
                     B.F.Goodrich公司产品)
氟树脂(商品名：FC55/35/10，3M公司产品)                       0.05重量％
环氧类交联剂(商品名：SU8，Shell Chemical公司产品)            111.1重量％
                                              合计           494.95重量％
固含量：13.5％(在PMA/MIBK/BC＝60/30/10中)
               BC＝丁基溶纤剂
膜厚：2.0μm(2)黑底的制作
用专用的LITI机(激光光热转印机，激光波长＝1064nm)在玻璃基板上制作黑底。将在先前的工序中制得的供片与玻璃基板重叠，以条状照射激光，功率为11W，扫描速度为15m/s，照射宽度为20μm。然后，为了使转印部分固化和贴合，在230℃烘箱中烘焙1小时。在玻璃基板上形成宽20μm、厚2.0μm的黑底。〔评价试验〕接触角和临界表面张力的测定
为评价前面制得的黑底(分隔图形)的斥印墨性，在25℃测定其与图形的接触角，如下表1所示，为65°。再根据被分隔图形包围的各开口部和图形部与各种溶剂的接触角算出临界表面张力，结果如下表1所示，在开口部的临界表面张力为55达因/cm，在图形部的临界表面张力为33达因/cm。在本实施例中，用水基彩色印墨(红、绿和蓝；表面张力45达因/cm)进行了测定。滤色片中的混色和色斑的测定
用前面制得的带黑底(分隔图形)的玻璃基板制作滤色片，评价各像素部中有无混色和色斑(和它们的程度)。
用喷墨式印墨喷射装置将水基红色、绿色和蓝色印墨喷射在有分隔图形的玻璃基板的各开口部上，形成红色、绿色和蓝色的着色部。在200℃烘箱中干燥10分钟后，用光学显微镜和显微分光光度计分别对形成的红色、绿色和蓝色像素部有无混色和色斑进行观察。混色的有无以是否有印墨渗至相邻像素部进行评价。色斑的有无则以完全未观察到作为“良好(◎)”，以略有色斑、但在可允许的范围内作为“可(○)”，以有明显色斑作为“差(×)”。对于发现混色的试样，不再就色斑进行评价。如下表1所示，未发现混色，色斑为“可”。
实施例2
采用与实施例1相同的方法，但在本实施例中，用带铬(Cr)黑底的玻璃基板(CrBM)代替实施例1中的玻璃基板，再在该基板上以下述顺序制作分隔筋。
用专用的LITI机(激光光热转印机，激光波长＝1064nm)在带黑底的玻璃基板上，与该黑底重叠，制作分隔筋。将在前面的实施例1中制得的供片与玻璃基板的黑底侧重叠，从供片侧按与黑底相同的图形以条状照射激光。功率为11W，扫描速度为15m/s，照射宽度为20μm。然后，为了使转印部分固化和贴合，在230℃烘箱中烘焙1小时。在玻璃基板上形成宽20μm、厚2.0μm的分隔筋。
对所得的带分隔图形(黑底+分隔筋)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为65°，图形部的临界表面张力为33达因/cm，无混色，色斑为“可”。比较例1
采用与实施例1相同的方法，但在本比较例中，为了比较，用溶剂型彩色印墨(红、绿和蓝；表面张力30达因/cm)代替水基印墨。
对所得的带分隔图形(黑底)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为7°，图形部的临界表面张力为33达因/cm，有混色。比较例2
采用与实施例1相同的方法，但在本比较例中，为了比较，将转印层的氟树脂(商品名：FC55/35/10，3M公司产品)添加量由0.05重量％改为0.51重量％。
对所得的带分隔图形(黑底)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为88°，图形部的临界表面张力为27达因/cm，无混色，但像素向上凸出，色斑为“差”。比较例3
采用与实施例1相同的方法，但在本比较例中，为了比较，与比较例1同样，使用溶剂型彩色印墨，并与比较例2同样，将氟树脂的添加量改为0.51重量％。
对所得的带分隔图形(黑底)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为30°，图形部的临界表面张力为27达因/cm，有混色。
实施例3
采用与实施例1相同的方法，但在本实施例中，与比较例1同样，使用溶剂型彩色印墨，并将氟树脂添加量由0.05重量％改为7.62重量％。
对所得的带分隔图形(黑底)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为45°，图形部的临界表面张力为20达因/cm，无混色，色斑为“良好”。
实施例4
采用与实施例2相同的方法，但在本实施例中，与实施例3同样，使用溶剂型彩色印墨并将氟树脂添加量由0.05重量％改为7.62重量％。
对所得的带分隔图形(黑底+分隔筋)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为45°，图形部的临界表面张力为20达因/cm，无混色，色斑为“良好”。
实施例5
采用与实施例3相同的方法，但在本实施例中，将烘焙后的转印层厚度(即，图形高度)由2μm改为1.6μm。
对所得的带分隔图形(黑底)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为45°，图形部的临界表面张力为20达因/cm，无混色，色斑为“良好”。比较例4
采用与实施例3相同的方法，但在本比较例中，为了比较，将烘焙后的转印层厚度(即，图形高度)由2μm改为0.9μm。
对所得的带分隔图形(黑底)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为45°，图形部的临界表面张力为20达因/cm，有混色。
实施例6
采用与实施例1相同的方法，但在本实施例中，与比较例1同样，使用溶剂型彩色印墨，并将氟树脂添加量由0.05重量％改为10.16重量％。
对所得的带分隔图形(黑底)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为50°，图形部的临界表面张力为18达因/cm，无混色，色斑为“良好”。比较例5
采用与实施例1相同的方法，但在本比较例中，为了比较，与比较例1同样，使用溶剂型彩色印墨，并将氟树脂的添加量由0.05重量％改为55.00重量％。
对所得的带分隔图形(黑底)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为60°，图形部的临界表面张力为15达因/cm，无混色，但像素向上凸出，色斑为“差”。
实施例7
采用与实施例3相同的方法，但在本实施例中，与实施例2同样，用BM材料基板代替玻璃基板。
对所得的带分隔图形(黑底)的玻璃基板作与实施例1同样的评价试验，结果如下表1所示，印墨与图形的接触角为45°，图形部的临界表面张力为20达因/cm。
                                                            表1
编  号 印墨类型1) 基板   图形高度(μm)   接触角2)(°) 临界表面张力(达因/cm)3) 混色 色斑
  开口部   图形部
  实施例1   水基型   玻璃     2     65     55     33     无     ○
  实施例2   水基型   CrBM     2     65     55     33     无     ○
  比较例1   溶剂型   玻璃     2     7     55     33     有     -
  比较例2   水基型   玻璃     2     88     55     27     无     ×
  比较例3   溶剂型   玻璃     2     30     55     27     有     -
  实施例3   溶剂型   玻璃     2     45     55     20     无     ◎
  实施例4   溶剂型   CrBM     2     45     55     20     无     ◎
  实施例5   溶剂型   玻璃     1.6     45     55     20     无     ◎
  比较例4   溶剂型   玻璃     0.9     45     55     20     有     -
  实施例6   溶剂型   玻璃     2     50     55     18     无     ◎
  比较例5   溶剂型   玻璃     2     60     55     15     无     ×
  实施例7   溶剂型   BM材料     2     45     55     20     -     -
1)溶剂型印墨的表面张力为30达因/cm，水基型印墨的表面张力为45达因/cm2)印墨与图形的接触角3)根据与各种溶剂的接触角算出
                        产业上应用的可能性
由上面的表1的结果可知，根据本发明，可用简便的方法制作适合以喷墨记录法制造滤色片的黑底和分隔筋。而且，通过控制转印层的图象成分中的氟树脂添加量，可得到合适的斥印墨性。此外，所得的滤色片可有效地防止像素区域出现混色和色斑。
如上所述，根据本发明，可提供一种供片，它可通过缩短的制造工艺，容易且准确地制造滤色片的分隔筋、液晶显示装置的黑底、有机EL元件的分隔壁等隔离部件，而且，可赋予隔离部件以优异的斥印墨性。此外，使用该供片，还具有可以简单的方法低成本地制造滤色片、液晶显示装置、有机EL元件和其它光学元件的效果。尤其值得注意的是，在这些光学元件上设置隔离部件时，无需象以往那样，使用光刻法之类的烦琐的方法，而可以直接印在基板上。而且，这样得到的光学元件的隔离部件(如分隔图形、分隔筋、黑底等)具有特别优异的斥印墨性(斥水斥油性)，因此，适合用喷墨记录法形成像素。此外，在本发明中，由于使供片转印层中所含的含氟化合物和(或)硅氧烷化合物的含量最佳化了，因此，还具有既可保持转印的图象成分(隔离部件)对图象接受元件的附着性又能控制该隔离部件的斥水斥油性的效果。

Claims (16)

1.一种用于用激光热成像法将图像图形转印至图象接收元件的供片，它具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在图象接收元件上的图象成分，
其特征在于，
上述转印层的图象成分含有最佳量的斥印墨性或斥溶剂性的化合物。
2.如权利要求1所述的供片，其特征在于，在光热转换层和转印层之间还有中间层。
3.如权利要求1或2所述的供片，其特征在于，中间层含有含氟化合物和/或硅氧烷化合物。
4.一种滤色片，它具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素、将相邻的像素隔离的分隔图形，
其特征在于，
基板上的分隔图形通过将权利要求1、2或3的供片的转印层与基板表面贴合、然后用激光热成像法将供片转印层的图象成分以与分隔图形对应的图形转印而形成。
5.如权利要求4所述的滤色片，其特征在于，像素在形成分隔图形后通过用喷墨方式将印墨充填至像素形成区域而形成。
6.如权利要求4或5所述的滤色片，其特征在于，所述分隔图形为液晶显示装置的黑底。
7.一种滤色片的制造方法，该滤色片具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素、将相邻的像素隔离的分隔图形，
该方法的特征在于，它包含以下步骤：
以预定图形在基板表面形成薄膜状黑底，
将具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层的供片的转印层贴在上述基板黑底侧的表面上，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在上述基板上的图象成分，
与上述黑底的图形对应，通过采用激光的热成像法，从上述供片的基材侧照射激光，将供片转印层的图象成分加热熔融、堆积在上述黑底上，
用喷墨法将具有规定颜色的印墨充填到被形成的分隔图形包围的开口部，形成像素。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述供片是权利要求1、2或3所述的供片。
9.一种滤色片的制造方法，该滤色片具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素、将相邻的像素隔离的分隔图形，
该方法的特征在于，它包含以下步骤：
用黑底形成材料涂覆基板表面，形成薄膜，
将基板和具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层的供片重叠，使薄膜状黑底形成材料和供片转印层贴合，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在上述基板上的图象成分，
与所需黑底的图形对应，通过采用激光的热成像法，从上述供片的基材侧照射激光，将供片转印层的图象成分加热熔融、转印至上述薄膜状黑底形成材料上，
将以图形形状转印至基板的薄膜状黑底形成材料表面上的图象成分作为掩膜，将露出的黑底形成材料腐蚀除去，
用喷墨法将具有规定颜色的印墨充填到被由上述图象成分及其下面的黑底材料形成的分隔图形包围的开口部，形成像素。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述供片是权利要求1、2或3所述的供片。
11.一种滤色片的制造方法，该滤色片具有透明基板、配置在基板规定位置上的多色像素、将相邻的像素隔离的遮光用分隔图形，
该方法的特征在于，它包含以下步骤：
将基板和具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层的供片重叠，使基板表面和供片转印层贴合，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在上述基板上的图象成分，
与所需黑底的图形对应，通过采用激光的热成像法，从上述供片的基材侧照射激光，将供片转印层的图象成分加热熔融、转印至上述基板上，
用喷墨法将具有规定颜色的印墨充填到被由上述图象成分形成的遮光用分隔图形包围的开口部，形成像素。
12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述供片是权利要求1、2或3所述的供片。
13.一种有机EL元件，它具有透明基板、配置在基板规定位置上的多个像素电极、将相邻的像素电极分隔的分隔图形、形成于像素电极上的至少1种颜色的发光层及形成于发光层上的相对电极，
其特征在于，
基板上的分隔图形通过将权利要求1、2或3所述的供片的转印层和基板表面贴合、然后用激光热成像法将上述供片转印层的图象成分以与上述分隔图形对应的图形转印而形成。
14.如权利要求13所述的有机EL元件，其特征在于，所述发光层在形成所述分隔图形后通过用喷墨方式充填有机材料而形成。
15.一种有机EL元件的制造方法，该有机EL元件具有透明基板、配置在基板规定位置上的多个像素电极、将相邻的像素电极分隔的分隔图形、形成于像素电极上的至少1种颜色的发光层及形成于发光层上的相对电极，
该方法的特征在于，它包含以下步骤：
以预定图形在基板表面形成像素电极，
将供片转印层贴合在基板的像素电极侧的表面上，所述供片具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在上述基板上的图象成分，
与上述分隔图形对应，通过采用激光的热成像法，从上述供片的基材侧照射激光，将供片转印层的图象成分加热熔融、堆积在上述基板上，用喷墨法将具有规定颜色的有机材料充填到被形成的分隔图形包围的开口部，形成发光层。
16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述供片为权利要求1、2或3所述的供片。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1322360C (zh) * 2003-04-17 2007-06-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 液晶显示装置
CN100433352C (zh) * 2003-09-25 2008-11-12 友达光电股份有限公司 顶部发光型有机电致发光显示器及其制造方法
CN100440580C (zh) * 2003-08-22 2008-12-03 精工爱普生株式会社 热处理方法、配线图案的形成方法、电光学装置及其制法
CN100460951C (zh) * 2004-12-03 2009-02-11 乐金显示有限公司 用于液晶显示装置的滤色器基板及其制造方法
CN101044030B (zh) * 2004-10-20 2010-05-05 E·I·内穆尔杜邦公司 一种供体元件及其制造方法，以及一种成像方法
CN101498805B (zh) * 2008-01-30 2011-12-28 财团法人工业技术研究院 用于微位相差膜热处理的多光束激光装置
CN103956374A (zh) * 2014-04-22 2014-07-30 华南理工大学 一种无掩膜的有机彩色电致发光显示器及其制备方法
CN110828521A (zh) * 2019-11-18 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置
CN114975840A (zh) * 2021-02-19 2022-08-30 歆炽电气技术股份有限公司 薄膜图案及其形成方法

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100630587B1 (ko) 2001-06-01 2006-10-04 세이코 엡슨 가부시키가이샤 컬러 필터의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법과 그 제조 장치, 및 전자 기기의 제조 방법
JP4682475B2 (ja) * 2001-08-01 2011-05-11 凸版印刷株式会社 表示装置用カラーフィルタの製造方法
JP3705264B2 (ja) 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP2003282276A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Morio Taniguchi 光源装置
JP3584933B2 (ja) * 2002-10-08 2004-11-04 セイコーエプソン株式会社 微細構造物の製造方法、光学素子、集積回路および電子機器
US6855636B2 (en) * 2002-10-31 2005-02-15 3M Innovative Properties Company Electrode fabrication methods for organic electroluminscent devices
JP2005005245A (ja) 2002-11-08 2005-01-06 Fuji Photo Film Co Ltd 転写素材の転写方法、形状転写方法及び転写装置
KR100914198B1 (ko) * 2002-12-27 2009-08-27 엘지디스플레이 주식회사 레지스트인쇄용 클리체의 제조방법
JP4401806B2 (ja) 2003-02-18 2010-01-20 シャープ株式会社 複合膜の製造方法、複合膜、カラーフィルタ、及びカラーフィルタを備えた表示装置
JP2006523154A (ja) * 2003-03-13 2006-10-12 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ マーキング方法およびマーキングされた対象
JP2005013985A (ja) * 2003-05-30 2005-01-20 Seiko Epson Corp 膜パターン形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板
JP2005011572A (ja) * 2003-06-17 2005-01-13 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置とその製造方法、並びに電子機器
JP4400138B2 (ja) 2003-08-08 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 配線パターンの形成方法
KR100611156B1 (ko) 2003-11-29 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자
US20050196530A1 (en) 2004-02-06 2005-09-08 Caspar Jonathan V. Thermal imaging process and products made therefrom
KR100721563B1 (ko) * 2004-08-23 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 도너 기판 및 상기 도너 기판을 사용하는 레이저 열전사방법
KR100761073B1 (ko) * 2004-08-27 2007-10-04 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 방법
KR20060020030A (ko) 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 도너 기판의 제조방법
KR20060020044A (ko) 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 도너 기판의 제조방법
JP2006086069A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Three M Innovative Properties Co 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US8796583B2 (en) 2004-09-17 2014-08-05 Eastman Kodak Company Method of forming a structured surface using ablatable radiation sensitive material
KR100793355B1 (ko) * 2004-10-05 2008-01-11 삼성에스디아이 주식회사 도너 기판의 제조방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR20060033554A (ko) 2004-10-15 2006-04-19 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기전계 발광 소자의제조 방법
TWI345082B (en) * 2005-03-18 2011-07-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Method for manufacturing color filter
JP2007095883A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成方法及びシートフィルム
WO2007052715A1 (ja) * 2005-11-01 2007-05-10 Sharp Kabushiki Kaisha カラーフィルタ基板及びその製造方法
KR100745350B1 (ko) * 2005-11-07 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열전사 방법
WO2007117698A2 (en) * 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing material
GB2437328A (en) * 2006-04-10 2007-10-24 Cambridge Display Tech Ltd Electric devices and methods of manufacture
KR100769431B1 (ko) * 2006-06-09 2007-10-22 삼성에스디아이 주식회사 도너필름의 제조방법 및 이를 이용한 유기 전계발광표시장치의 제조방법
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
WO2008105792A2 (en) * 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
WO2008111947A1 (en) 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
KR20080003554A (ko) * 2006-07-03 2008-01-08 엘지전자 주식회사 열전사 필름, 이를 이용하는 격벽 제조 방법 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법
WO2008033388A2 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Qd Vision, Inc. A composite including nanoparticles, methods, and products including a composite
KR20080023907A (ko) * 2006-09-12 2008-03-17 삼성전자주식회사 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법
US7419757B2 (en) * 2006-10-20 2008-09-02 3M Innovative Properties Company Structured thermal transfer donors
US20080233404A1 (en) * 2007-03-22 2008-09-25 3M Innovative Properties Company Microreplication tools and patterns using laser induced thermal embossing
JP2008251644A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Sharp Corp 半導体発光装置
US20080314273A1 (en) * 2007-06-20 2008-12-25 Toppan Printing Co., Ltd Bank formed substrate and color pattern formed substrate
US9199441B2 (en) * 2007-06-28 2015-12-01 E Ink Corporation Processes for the production of electro-optic displays, and color filters for use therein
CN101790462B (zh) * 2007-06-28 2012-10-03 卡伯特公司 引入改性颜料的光至热转化层
US8080811B2 (en) 2007-12-28 2011-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing evaporation donor substrate and light-emitting device
JP4932758B2 (ja) 2008-02-06 2012-05-16 富士フイルム株式会社 発光デバイス及びその製造方法
WO2009107548A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
JP5416987B2 (ja) 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP2009231277A (ja) * 2008-02-29 2009-10-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP5238544B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP5079722B2 (ja) 2008-03-07 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US8182863B2 (en) * 2008-03-17 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
JP5002502B2 (ja) * 2008-03-21 2012-08-15 東海ゴム工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5072674B2 (ja) * 2008-03-21 2012-11-14 東海ゴム工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8409672B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
KR101629637B1 (ko) * 2008-05-29 2016-06-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막방법 및 발광장치의 제조방법
KR101490491B1 (ko) * 2008-12-23 2015-02-05 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN106371241B (zh) 2010-07-26 2021-09-28 伊英克公司 用于在显示器基板上形成滤光元件的方法、设备和系统
JP5524776B2 (ja) * 2010-09-10 2014-06-18 日本電信電話株式会社 薄膜形成方法及びシートフィルム
WO2013066296A1 (en) * 2011-10-31 2013-05-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of fabricating a color filter array using a multilevel structure
US10109691B2 (en) * 2014-06-25 2018-10-23 Joled Inc. Method for manufacturing organic EL display panel
CN107209310B (zh) * 2015-01-30 2020-11-06 日本瑞翁株式会社 多层膜、其用途以及制造方法
KR102386848B1 (ko) 2015-04-13 2022-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
US20180033609A1 (en) * 2016-07-28 2018-02-01 QMAT, Inc. Removal of non-cleaved/non-transferred material from donor substrate
CN106707609B (zh) * 2017-03-24 2019-09-03 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板的制造方法、彩膜基板和显示面板
US10353243B2 (en) * 2017-08-01 2019-07-16 Innolux Corporation Display device
CN109671738B (zh) * 2017-10-13 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其制作方法和显示装置
CN108153071B (zh) * 2017-12-29 2020-12-11 惠州市华星光电技术有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
KR102620974B1 (ko) 2018-10-05 2024-01-05 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN110610979A (zh) * 2019-09-29 2019-12-24 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5188901A (en) * 1987-03-31 1993-02-23 Hoya Corporation Electroluminescent panel having a fluoroesin layer
JP2978552B2 (ja) * 1990-10-25 1999-11-15 コニカ株式会社 熱転写記録材料及び熱転写画像の形成方法
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
JPH06347637A (ja) * 1993-06-14 1994-12-22 Dainippon Ink & Chem Inc 印刷方法
JP3470352B2 (ja) 1993-07-23 2003-11-25 東レ株式会社 カラーフィルタ
JPH07104113A (ja) * 1993-10-04 1995-04-21 Konica Corp カラーフィルター及びその製造方法
US5521035A (en) * 1994-07-11 1996-05-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Methods for preparing color filter elements using laser induced transfer of colorants with associated liquid crystal display device
US6057067A (en) * 1994-07-11 2000-05-02 3M Innovative Properties Company Method for preparing integral black matrix/color filter elements
US5482989A (en) * 1994-08-19 1996-01-09 Buckman Laboratories Internationa, Inc. Calcium pyroborate as a microbicide for plastics
JP3419586B2 (ja) * 1995-04-11 2003-06-23 コニカ株式会社 再転写可能なヒートモードレーザー溶融熱転写用受像シート
JPH08292313A (ja) 1995-04-20 1996-11-05 Canon Inc カラーフィルタの製造方法、該方法により得られたカラーフィルタ及び該カラーフィルタを具備した液晶表示装置
JPH0945241A (ja) * 1995-08-03 1997-02-14 Mitsubishi Chem Corp 蛍光膜形成用熱転写シート及び蛍光膜形成方法
US5747217A (en) * 1996-04-03 1998-05-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser-induced mass transfer imaging materials and methods utilizing colorless sublimable compounds
US5691098A (en) * 1996-04-03 1997-11-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser-Induced mass transfer imaging materials utilizing diazo compounds
US5725989A (en) * 1996-04-15 1998-03-10 Chang; Jeffrey C. Laser addressable thermal transfer imaging element with an interlayer
JP3787897B2 (ja) * 1996-07-04 2006-06-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 光熱変換型記録材料及び光熱変換型画像形成材料、並びに画像形成方法
JP3382475B2 (ja) * 1996-10-22 2003-03-04 キヤノン株式会社 カラーフィルターの製造方法
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR100195175B1 (ko) 1996-12-23 1999-06-15 손욱 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자
JP2998931B2 (ja) * 1997-04-01 2000-01-17 三星電管株式會社 カラーフィルタ形成用の熱硬化性着色組成物
KR19980080195A (ko) * 1997-04-01 1998-11-25 손욱 칼라 필터 형성용 열경화성 착색 조성물
JP3654739B2 (ja) * 1997-05-13 2005-06-02 富士写真フイルム株式会社 レーザーアブレーション記録材料
KR100247819B1 (ko) * 1997-05-23 2000-03-15 손욱 칼라필터의제조방법
US5840463A (en) * 1997-07-14 1998-11-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive donor element assemblages and associated process for laser-induced thermal transfer
JPH11194211A (ja) * 1998-01-07 1999-07-21 Canon Inc カラーフィルタ基板とその製造方法、該基板を用いた液晶素子
JP2000030871A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Futaba Corp 有機ｅｌ素子
US6766817B2 (en) * 2001-07-25 2004-07-27 Tubarc Technologies, Llc Fluid conduction utilizing a reversible unsaturated siphon with tubarc porosity action
US6766918B1 (en) * 2003-01-03 2004-07-27 Ron Bogdanovich Storage container with captive lid

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1322360C (zh) * 2003-04-17 2007-06-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 液晶显示装置
CN100440580C (zh) * 2003-08-22 2008-12-03 精工爱普生株式会社 热处理方法、配线图案的形成方法、电光学装置及其制法
CN100433352C (zh) * 2003-09-25 2008-11-12 友达光电股份有限公司 顶部发光型有机电致发光显示器及其制造方法
CN101044030B (zh) * 2004-10-20 2010-05-05 E·I·内穆尔杜邦公司 一种供体元件及其制造方法，以及一种成像方法
CN100460951C (zh) * 2004-12-03 2009-02-11 乐金显示有限公司 用于液晶显示装置的滤色器基板及其制造方法
CN101498805B (zh) * 2008-01-30 2011-12-28 财团法人工业技术研究院 用于微位相差膜热处理的多光束激光装置
CN103956374A (zh) * 2014-04-22 2014-07-30 华南理工大学 一种无掩膜的有机彩色电致发光显示器及其制备方法
CN103956374B (zh) * 2014-04-22 2017-01-18 华南理工大学 一种无掩膜的有机彩色电致发光显示器及其制备方法
CN110828521A (zh) * 2019-11-18 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置
CN114975840A (zh) * 2021-02-19 2022-08-30 歆炽电气技术股份有限公司 薄膜图案及其形成方法
US12087742B2 (en) 2021-02-19 2024-09-10 Skiileux Electricity Inc. Film pattern and methods for forming the same

Also Published As

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US7713676B2 (en) 2010-05-11

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