CN1379866A - 在微刻写入中的射束定位 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于在感光基片上进行微刻写入和检查的系统和方法,特别是用极高的精度印刷和检查图案,例如用于半导体器件图案、显示面板、集成光设备以及电子互联结构的光掩膜。更加具体来说,本发明涉及通过改变位置数据或者把该数据传送到偏转器而补偿基片的偏移,并且使用直接数字分析(DDS)单元来产生扫频驱动信号。
Description
发明领域
本发明涉及一种用于微刻(microlithographic)写入以及检查感光基片的系统和方法,并且特别地用极高的精度印刷和检查图案,例如用于半导体器件图案、显示面板、集成光学设备以及电子互联结构的光掩膜。“写入”和“印刷”这个术语应当被广义地理解,其意思是对光刻胶和感光剂进行曝光,并且还通过光和热的消除或化学处理把光作用在例如干法处理纸(dry-process paper)这样的其它感光介质上。光线不限于可见光,而是从红外线到紫外线的宽的波长范围。
发明背景
现有的用于基片的微刻写入的系统和方法例如可以从由同一申请人所递交的欧洲专利申请EP 0 467 076而获得。通常,这种用于微刻写入的系统包括光源,例如激光器;产生要写入的所需图案的调制器,该调制器被根据输入的图案数据而控制;声光偏转器,其由扫频信号所驱动,以根据表示该射束的连续位置的一组数据而在该基片上扫描该射束;以及一个透镜,用于在射束到达基片之前对该射束聚焦。另外,该基片被设置在一个载物台上,并且该台(工作台)被一个伺服系统所控制,以在垂直于射束的扫描方向的方向上运动。
但是,这种现有的写入系统具有一个问题是该载物台不能够总是执行直线运动,并且它还可能在不垂直于扫描方向而是形成另一个倾斜角的方向上运动。
对该问题的一个解决方案已经由Whitney在美国专利US 4 541712中提出,其中控制调制器的数据根据对该基片台测量的偏移而延迟。因此,在这种情况中,通过时序控制而处理该问题。但是,该方法不能够用于所有系统。这种现有方法的另外一个问题是由于延迟功能所造成必须在每次扫描的开始和结束时增加额外的时间,从而该处理的效率下降。结果,同样在每次扫描获得较少的分辨图案特征。
另一个与现有技术相关的问题是难以提供一种可靠、准确和有效的从输入射束位置数据转换为由声光调制器所使用的扫频信号,以正确地把该射束导向基片。在目前为止的转换通常由一系列的部件来提供,包括数模转换器(DAC)和压控振荡器(VCO)。这些部件,特别是VCO是非线性的,并且还容易随着温度、来自其它电子部件等等的干扰而改变。另外,VCO具有一种固有的避免快速改变的类似“惯性”。由于从输入射束位置数据转换为输出扫频信号的这些和其它问题,还会使偏转器的控制变差。
光栅扫描检查系统具有类似的结构,并且会产生类似的问题。
发明内容
因此本发明的一个目的是提供一种解决或至少减轻上述问题的系统和方法。
该目的是通过根据所附权利要求的系统和方法来实现的。
根据本发明第一个方面,提供一种用于在感光基片上进行微刻写入或图案的检查的激光扫描系统。该系统包括一个激光源,其产生至少一条激光束;计算机控制的光调制器,其被根据输入的图案信号而控制;一个透镜,其在光线到达基片之前对来自光源的光束进行聚焦;以及基片载物台,用于承载基片。在写入操作过程中,由根据表示射束在基片上的连续位置的一组数据的扫频信号所驱动的声光偏转器把至少一条射束在该基片表面的一个区域上偏转,并且该基片与偏转的方向成一个倾斜角的方向上运动,最好与偏转方向相垂直,以把它重新定位用于在射束的下一次扫射过程中进行曝光。另外,该系统包括至少一个传感器,其测量在基片在偏转方向上偏移的范围;用于改变位置数据或位置数据传送的装置,以对应于横向偏移的扫描;以及控制单元,用于根据由偏转器所测量的偏移而控制数据读出到偏转器,从而补偿所述偏移。激光源和调制器可以集成在一个单元中。另外,用于改变数据的装置最好包括用于产生不同数据组的装置。因此,偏移补偿是通过控制偏转器而不是控制调制器来实现的。
因此,对所测量偏差的补偿最好不是由时序控制所完成的,而是通过把延迟添加到输入数据中,而是通过选择具有不同特性的几种可能的输入位置数据的集合中的一个而完成。因此,在每次扫描开始和结束时不需要额外的补偿时间,从而该时间更加有效,并且提高每次扫描的可能分辨图案特征的数目。
根据本发明的优选实施例,该激光扫描系统包括几个数据存储装置,用于存储不同的数据集合,并且该控制单元包括一个选择器,选择一个数据存储装置,其中的数据被根据由检测器所测量的偏差而读出到偏转器,以补偿所述偏差。另外,该控制单元包括一个加法器,以根据所测量的偏差改变该位置数据,最好实时地改变该数据,因此产生要读出到偏转器的修正的数据,以补偿所述偏差。
根据本发明的另一个方面,提供一种用于微刻写入或者检查感光基片上的图案的激光扫描系统。该系统包括一个激光源,其产生至少一束激光束;计算机控制的光调制器,其被根据输入的图案数据而控制;透镜,用于在光束到达基片之前聚焦来自光源的光束;以及基片载物台,以承载该基片。在写入操作过程中,根据一组表示射束在该基片上的连续位置的数据,由扫频信号驱动的声光偏转器把至少一条射束在基片表面区域上偏转,并且该基片在与偏转方向成一个倾斜角的方向上运动,最好是与偏转的方向相垂直,以把它重新定位用于在射束的下一次扫射过程中进行曝光。另外,该系统包括至少一个传感器,其测量在基片在偏转方向上偏移的范围;以及直接数字分析(DDS)单元,用于产生初始的线性调频脉冲(chirp),接着该DDS单元被表示扫描开始的输入数据所控制。
该DDS具有非常适用于该应用的性能,因为它可以执行从输入数据到输出频率信号的转换,因此代替通常使用的几种其它成份。该DDS是非常稳定的,它不受到其它部件的环境中的干扰所影响。另外,在DDS中的变换基本上是线性的,并且对改变数据的响应时间非常短。
但是,最好本发明的所述两个方面被结合使用。
另外,该系统最好包括第一高频发生器,其产生第一高频信号;以及混频器,用于把来自DDS的驱动信号混频(即加或减)到高频信号中。因此,可以使用非常便宜并且也更加可靠和准确的低频DDS,同时仍然可以把输出频率保持在适当的范围内,用于在写入或检查过程中驱动声光设备,该范围一般是100-250MHz。
另外,最好该高频发生器和DDS单元被提供有合成的时钟信号,并且最好该时钟信号来源于相同的时钟。因此,可以保持在转换过程中的同步。
另外,本系统进一步包括第二高频发生器,其用于产生第二高频信号;以及混频器,用于把混频到到第一高频信号中之后的来自DDS的驱动信号与第二高频信号混频。从而,可以增加输出频率的相关范围。
最好,该系统包括至少一个用于倍频的单元,例如用于把输入信号与其自身相混频的混频器,并且该混频器最好置于用于混合第一和第二高频信号的混频器之间。这还增加输出频率的绝对范围。
根据本发明的优选实施例,该计算控制的光调制器和DDS单元另外具有同步的时钟,并且最好该时钟信号由相同的时钟所产生。由此,调制器和偏转器可以在整个写入或检查处理中保持同步。因此避免由于数据和扫描之间的时序不确定性所造成的不确定因素。
本发明还可以获得两个或多个具有受控制的相位差的射频信号。这种相位受控信号可以通过所谓的相位阵列驱动扩展声光偏转器的有用带宽。这可以通过使用该系统中的由不同输入数据所控制的至少两个DDS单元。从而,到达该通道的输入数据具有小的计算差值,其产生一个相位差。这两个DDS单元最好被按照等间隔而相位同步,并且相同的射频信号用于在两个单元中的向上和向下转换。按照这种方式可以创建具有极其精确的相位相关性但是仍然具有任意精确控制的相位差的两个信号。但是,它还可以由单个DDS、信号分离器和在射频技术领域所公知的一个或多个相位调制器而获得。
根据本发明另一个方面,提供一种用于通过图案的激光扫描系统在感光基片上进行微刻写入的方法,该系统包括激光源;计算机控制的光调制器,其被根据输入的图案信号而控制;一个透镜,其在光线到达基片之前对来自光源的光束进行聚焦。在写入操作过程中,由根据表示射束在基片上的连续位置的一组数据的扫频信号所驱动的声光偏转器把至少一条射束在该基片表面的一个区域上偏转,并且该基片与偏转的方向成一个倾斜角的方向上运动,最好与偏转方向相垂直,以把它重新定位用于在射束的下一次扫射过程中进行曝光;并且测量在基片在偏转方向上偏移的范围。另外,该方法包括如下步骤:产生对应于横向偏移的扫描的位置数据集合,以及根据由检测器所测量的偏差选择所述位置数据集合中的一个集合,读出到偏转器,以补偿所述偏差。
根据本发明的另一个方面,提供一种用于通过图案的激光扫描系统在感光基片上进行微刻写入的方法,该系统包括:激光源;计算机控制的光调制器,其被根据输入的图案信号而控制;一个透镜,其在光线到达基片之前对来自光源的光束进行聚焦。在写入操作过程中,根据一组表示射束在该基片上的连续位置的数据,由扫频信号驱动的声光偏转器把至少一条射束在基片表面区域上偏转,并且该基片在与偏转方向成一个倾斜角的方向上运动,最好是与偏转的方向相垂直,以把它重新定位用于在射束的下一次扫射过程中进行曝光;并且测量基片在偏转方向上偏移的范围。另外,该扫频驱动信号由直接数字分析(DDS)单元所产生,该DDS单元被表示扫描开始的输入数据所控制。
最好,上述两个方法被结合使用。
附图说明
为了简化的目的,下面将参照在附图中示出的实施例更加详细地描述本发明,其中:
图1为根据本发明一个实施例的系统的示意图;
图2为根据本发明用于补偿基片的位置误差的补偿装置的示意图;
图3为表示在现有技术中补偿位置误差的示意图;
图4为示出在本发明中所用的补偿位置误差的示意图;
图5为根据本发明第一实施例的补偿和转换装置的示意图;
图6为根据本发明第二实施例的补偿和转换装置的示意图;
图7为根据本发明第三实施例的补偿和转换装置的示意图;
图8为图6和7中所示的第二和第三实施例的更加详细的示意图。
具体实施方式
参见图1,根据本发明的系统包括光源1,其最好是一个连续激光器;计算机控制的光调制器3;以及在光束到达感光基片6之前聚焦来自光源的光束的透镜5。另外它最好包括在该调制器之前的第二汇聚透镜。该激光器例如是413纳米、100微瓦的氪离子激光器。调制器根据由传送电子设备10传送到调制器的所输入图案数据控制该射束。
根据本发明的系统最好也称为“飞速写入(write on the fly)”系统,其中该基片被置于基片台上,并且该在基片在台写入过程中在至少一个方向上执行连续运动,并且该激光束同时在另一个方向上进行扫描。该微刻技术是本领域所公知的,并且通常称为光栅扫描。本发明另外涉及一种检查系统,并且基本上用相同的方式执行光栅扫描检查。传感器在这种系统中被设置为检查反射或透射的扫描光束,或者该激光器被检测器所代替,从而该检测器扫描该基片。在这种情况中,数据输出变为数据读入。
该系统进一步包括由一个线性调频脉冲频率信号所驱动的声光偏转器4,以根据表示该射束的连续位置的一组数据把该射束转向该基片6,并且在该基片的扫描线上扫描该射束。该台面(载物台)最好由一个伺服系统等等所控制,以在与射束的扫描方向相垂直的方向上移动。
另外,射束分离器(未示出)可以被设置为产生几条射束,或者几条射束可以由几个激光源所产生。该调制器还可以集成在激光器中。然后该射束可以同时由声光偏转器同时在基片表面上偏转。
声光偏转器也是本领域中所公知的,并且在一个角度范围内偏转该激光束中的大部分能量,偏转的偏转角取决于用于驱动声光偏转器的信号的频率。
在扫描方向上的基片偏转范围被至少在传感器7上测量,该传感器例如是一个激光干涉计,或者其它用于测量该台面的位置的装置,最好在要使用的部分光波长范围内。相应地,该传感器产生一个位置误差信号。
该偏转器被根据通常由计数器所产生的扫描像素数目,位置数据和位置误差信号而控制,并且控制每次偏转的启动,从而所产生的图案的每个部分从基片表面上的均匀参考线开始。最好,该位置误差信号被用于通过补偿装置8来改变位置数据信号,以产生要传送到偏转器的纠正位置数据信号。该变型最好是通过改变输入数据而实现的,但是还可以改变数据传送的时序。该信号通常是数字信号,并且转换装置9把所述数字信号转换为要由声光偏转器所使用的模拟射频信号。
参见图2,其中示出根据本发明的补偿装置。在本实施例中,该补偿装置包括具有几个存储区域801’的数据存储器801。但是,也可以使用几个分离的数据存储器。存储器/存储区域被提供有对应于横向偏移的扫描的数据。然后,该数据被读出,以按照由输入扫描像素数目所控制的次序传送到该偏转器。因此来自补偿装置的输出是一个纠正的未知数据,其中该数据被改变以补偿所测量的错误偏移。这种可选的存储阵列需要大的存储容量,但是它是相当便宜的。另外,可以处理和补偿在该系统中的非线性。
因此该补偿不是如现有技术中通过延迟到达调制器的数据而实现的,并且这在图3中示出。取而代之的是提供另外一组位置数据,从而进行选择以补偿所测量的误差。这类似地在图4中示出。
在图5中示出根据本发明的补偿和转换装置的第一实施例。其包括一个计数器803,其被提供时钟信号并且产生要由该补偿装置所使用的扫描像素数。另外,它包括一个存储器,例如随机存取存储器(RAM),其被提供输入位置数据(未示出)。选择器802接收位置误差信号并且选择一个存储区域以相应地读出该信号。读出的数字信号被一个数模转换器804转换为模拟信号,并且该信号随后被一个压控振荡器901(VCO)转换为射频信号,然后它被发送到声光偏转器4(AOD)。
在图6中示出根据本发明的补偿的转换装置的第二实施例。该实施例不同于上述第一实施例之处在于它使用直接数字合成(DDS)单元902来把该数字位置信号转换为可以由AOD4所使用的射频信号。DDS具有非常适合该应用的性能,因为它可以执行从输入数据到输出频率信号的转换,并且如此替换该VCO和DAC。DDS是非常稳定的,并且不受到其它部件的环境中的干扰所影响。特别地,VCO对于温度变化、电子噪声等等非常敏感。另外,在DDS中的转换基本上是线性的,并且还非常快,并且获得高频分辨率。
DDS通常包括一个相位累加器、正弦表和数模转换器,并且这是例如可以从Qualcom公司和Stanford Telecom公司获得的。在DDS中,相位累加器包括串联的加法器和锁存器,并且相位累加器在每个时钟脉冲把一个数值加到它的前一个数值上。该相位累加器的数值因此以时钟信号的速率而增加,从而在相位累加器的输出中形成增长的斜坡。允许该累加器溢出。该相位累加器的输出被作为读取地址连接到正弦表,其中存储正弦信号周期。从正弦表接收的数字正弦信号被传送到数模转换器,在此它被转换为模拟形式,从而在输出端接收一个正弦波,最好是基于该频率的一个射频信号。
在图7中,示出根据本发明的补偿和转换装置的第三实施例。该实施例不同于上述第二实施例之处在于它不使用几个预先存储的几个位置数据组来根据位置误差信号进行补偿。取而代之的是,使用加法器805来根据该位置误差信号实时地改变位置数据。这种解决方案更加容易,但是不能够处理非线性的情况。另外可以用其它方式来改变该数据或传送该数据。
在使用用于把数字信号传送到射频信号的DDS单元中的一个问题是,由于需要较高的时钟频率,因此足够快以用于上述应用中的DDS单元通常比较昂贵。另外,在输入信号中通常存在误差,并且存在由于高频信号所造成的同步问题。低频DDS具有非常小的误码率,并且数据的加载是完全同步的。低频DDS单元也是非常便宜的。但是,由于较低的带宽使得这些单元不能够用于上述应用中。
低频DDS单元的这些问题可以通过调整信号以增加带宽而克服。这可以通过结合倍频和频移来实现。
图8中所示的优选实施例中,基本上对应于上述的第二和第三实施例,使用一个低频DDS(LF DDS)单元901。该单元被提供来自主时钟806的时钟信号。例如,可以使用10MHz的主时钟,产生10MHz的信号S1。然后最好通过使用锁相环(PLL)单元903增加该频率,这是本领域所公知的,以产生例如200MHz的信号S2。然后最好使用相同的信号来控制传送电子设备10来把图案传送到调制器3。从而,可以容易地获得调制器3和偏转器4之间的同步。为了适合于该调制器,时钟信号可以在一个单元904中分频,例如被4分频。
来自低频DDS902的信号S4例如可以在14-64MHz的范围内。该频率然后被频移,这可以通过把它与高频信号S5在混频器907中混频而获得。该高频信号最好通过使用在第二PLL905中的相同时钟信号S1而产生。如果使用例如315MHz的高频信号S5,则在与S2混合之后的信号S6的范围将在251-301MHz之内。
然后,最好对该信号进行倍频。例如,通过在混合器908中把该信号与其自身进行倍频可以实现两倍倍频,并且通过在另一个混频器909中把该信号与其自身再次混频可以实现四倍倍频。在本例中所用的在第一次倍频之后的信号S7具有502-602MHz的范围,并且在第二次倍频之后的信号S8具有1004-1204MHz的范围。如射频技术领域的专业人员所公知,也可以获得其它倍频数值。
如果需要的话,然后可以使用一个带宽(BP)滤波器910来抑制在信号中的噪声和寄生频率。
根据一个优选实施例,然后该信号被再次向下频移,这可以通过把它与第二高频信号S9在另一个混频器911中混频而实现。该第二高频信号最好通过使用PLL906从相同的时钟信号产生。例如,该信号S9可以具有904MHz的频率,从而所获得的信号S10具有100-300MHz的频率范围。与来自低频DDS的原始信号S4相比,该带宽明显增加,从50MHz增加到200MHz,并且处于适当的频率范围内。
如果需要的话,该信号可以被再一次在另一个BP滤波器912中进行带宽滤波,并且在它被传送到偏转器4之前在放大器914中放大。进一步提供一个幅度调制器913,以根据该频率而控制功率。
为了增加偏转器的带宽,可以使用由不同输入数据所控制的几个DDS单元,以获得射束方向的相位控制。但是这种相位控制还可以通过使用单个DDS、信号分离器和一个或多个相位调制器而获得,从而该分离信号被控制以获得射束方向的相位控制。
现在已经通过举例说明本发明。但是,还可能有几种其它变型,例如使DDS单元用于其它类型的基片偏移补偿,例如时间延迟。混频被进一步理解为加法和减法,并且它们是等价和可替换的。直接数字分析可以进一步被理解为包括使用DDS技术与压控振荡器的组合。这种变形被认为是在由所附权利要求定义的本发明的范围之内。
Claims (30)
1.一种用于在感光基片(6)上进行微刻写入或图案的检查的激光扫描系统,该系统包括一个激光源(1),其产生至少一条激光束;计算机控制的光调制器(3),其被根据输入的图案信号而控制;一个透镜,其在光线到达基片之前对来自光源的光束进行聚焦;以及基片载物台,用于承载基片,从而在写入操作过程中,由根据表示射束在基片上的连续位置的一组数据的扫频信号所驱动的声光偏转器把至少一条射束在该基片表面的一个区域上偏转,并且该基片与偏转的方向成一个倾斜角的方向上运动,最好与偏转方向相垂直,以把它重新定位用于在射束的下一次扫射过程中进行曝光;以及至少一个传感器,其测量在基片在偏转方向上偏移的范围,其特征在于,进一步包括用于改变位置数据或位置数据传送的装置,以对应于横向偏移的扫描;以及控制单元,用于根据由偏转器所测量的偏移而控制所述位置数据和位置数据的传送,以把数据读出到偏转器,从而补偿所述偏移。
2.根据权利要求1所述的激光扫描系统,其中用于调制该数据的装置包括用于产生对应于横向偏移扫描的位置数据集合的装置。
3.根据权利要求2所述的激光扫描系统,其中进一步包括几个数据存储装置,用于存储不同的数据集合,并且该控制单元包括一个选择器,选择一个数据存储装置,其中的数据被根据由检测器所测量的偏差而读出到偏转器,以补偿所述偏差。
4.根据权利要求1所述的激光扫描系统,其中该控制单元包括一个加法器,以根据所测量的偏差改变该位置数据,最好实时地改变该数据,因此产生要读出到偏转器的修正的数据,以补偿所述偏差。
5.根据上述任何一项权利要求所述的激光扫描系统,其中该系统进一步包括一个射束分离器,其它该激光束分为几束,并且同时在基片表面上扫描。
6.根据上述任何一项权利要求所述的激光扫描系统,其中该扫频驱动信号由直接数据分析(DDS)单元所产生,该单元由表示扫描开始的输入数据所控制。
7.根据权利要求6所述的激光扫描系统,其中该DDS单元包括相位累加器;具有用于一个波形的数值的表格的存储器,该波形最好为正弦波形;以及一个数模转换器(DAC)。
8.一种用于微刻写入或者检查感光基片(6)上的图案的激光扫描系统,该系统包括一个激光源(1),其产生至少一束激光束;计算机控制的光调制器(3),其被根据输入的图案数据而控制;透镜,用于在光束到达基片之前聚焦来自光源的光束;以及基片载物台,以承载该基片,从而,在写入操作过程中,根据一组表示射束在该基片上的连续位置的数据,由扫频信号驱动的声光偏转器把至少一条射束在基片表面区域上偏转,并且该基片在与偏转方向成一个倾斜角的方向上运动,最好是与偏转的方向相垂直,以把它重新定位用于在射束的下一次扫射过程中进行曝光,其特征在于,该系统包括一个直接数字分析(DDS)单元,用于产生扫频驱动信号。
9.根据权利要求8所述的激光扫描系统,其中进一步包括:该系统包括至少一个传感器,其测量在基片在偏转方向上偏移的范围,从而该DDS单元被表示扫描开始的输入数据所控制。
10.根据权利要求6至9中的任何一项所述的激光扫描系统,其中该系统进一步第一高频发生器,其产生第一高频信号;以及混频器,用于把来自DDS的驱动信号与高频信号混频。
11.根据权利要求10所述的激光扫描系统,其中第一高频发生器包括一个锁相环。
12.根据权利要求10或9所述的激光扫描系统,其中该高频发生器和DDS单元被提供有合成的时钟信号,并且最好该时钟信号来源于相同的时钟。
13.根据权利要求9至12中的任何一项所述的激光扫描系统,该系统进一步包括第二高频发生器,其用于产生第二高频信号;以及混频器,用于把混频到到第一高频信号中之后的来自DDS的驱动信号与第二高频信号混频。
14.根据权利要求13所述的激光扫描系统,其中第一高频发生器包括一个锁相环。
15.根据权利要求7至12中的任何一项所述的激光扫描系统,其中该系统包括至少一个用于倍频的单元,例如用于把输入信号与其自身相混频的混频器,并且该单元最好置于用于混合第一和第二高频信号的混频器之间。
16.根据权利要求15所述的激光扫描系统,其中用于把来自DDS的驱动信号与其自身相加的混频器被设置在用于把来自DDS的驱动信号与高频信号混频的混频器之后。
17.根据权利要求6至16中的任何一项所述的激光扫描系统,其中该计算控制的光调制器和DDS单元具有同步的时钟。
18.根据权利要求17所述的激光扫描系统,其中该该同步时钟由相同的时钟所产生。
19.根据权利要求6至18中的任何一项所述的激光扫描系统,其中包括至少两个由不同输入数据所控制的DDS单元,以获得射束方向的相位同步。
20.根据权利要求6至18中的任何一项所述的激光扫描系统,其中包括单个DDS、单个信号分离器和一个或多个相位调制器,从而该分离的信号被控制以获得射束方向的相位同步。
21.一种用于通过图案的激光扫描系统在感光基片(6)上进行微刻写入的方法,该系统包括激光源(1);计算机控制的光调制器(3),其被根据输入的图案信号而控制;一个透镜,其在光线到达基片之前对来自光源的光束进行聚焦,从而在写入操作过程中,由根据表示射束在基片上的连续位置的一组数据的扫频信号所驱动的声光偏转器把至少一条射束在该基片表面的一个区域上偏转,并且该基片与偏转的方向成一个倾斜角的方向上运动,最好与偏转方向相垂直,以把它重新定位用于在射束的下一次扫射过程中进行曝光;并且测量在基片在偏转方向上偏移的范围,其特征在于,该方法进一步包括如下步骤:根据由该监测器所测量的偏移改变该位置数据或者该位置数据的传送,以对应于横向偏移的扫描。
22.根据权利要求21所述的方法,其特征在于,对该位置数据的改变是通过产生对应于横向偏移的扫描的位置数据集合,以及选择所述位置数据集合中的一个集合,读出到偏转器而获得的。
23.根据权利要求21至22中的任何一项所述的方法,其中其中该激光束被分为几束,并且同时在基片表面上扫描。
24.根据权利要求21-23中的任何一项权利要求所述的方法,其中该扫频驱动信号由直接数据分析(DDS)单元所产生,该单元由表示扫描开始的输入数据所控制。
25.一种用于通过图案的激光扫描系统在感光基片(6)上进行微刻写入的方法,该系统包括:激光源(1);计算机控制的光调制器(3),其被根据输入的图案信号而控制;一个透镜,其在光线到达基片之前对来自光源的光束进行聚焦,从而在写入操作过程中,根据一组表示射束在该基片上的连续位置的数据,由扫频信号驱动的声光偏转器把至少一条射束在基片表面区域上偏转,并且该基片在与偏转方向成一个倾斜角的方向上运动,最好是与偏转的方向相垂直,以把它重新定位用于在射束的下一次扫射过程中进行曝光,其特征在于,该扫频驱动信号由直接数字分析(DDS)单元所产生。
26.根据权利要求25所述的方法,其特征在于,进一步包括如下步骤:测量基片在偏转方向上的基片偏移范围,并且通过输入表示扫描开始的数据控制该DDS。
27.根据权利要求22所述的方法,其特征在于,来自该DDS单元的信号被进一步与第一高频信号相混合。
28.根据权利要求23所述的方法,其特征在于,来自DDS的驱动信号被进一步添加到其自身中。
29.根据权利要求23或24所述的方法,其特征在于,来自该DDS的驱动信号在与第一高频信号混频之后,与第二高频信号混频。
30.根据权利要求19至25中的任何一项所述的方法,其特征在于,该计算机控制的光调节器和DDS单元被提供有同步时钟信号。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9904186A SE516347C2 (sv) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | Laserskanningssystem och metod för mikrolitografisk skrivning |
SE99041865 | 1999-11-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1379866A true CN1379866A (zh) | 2002-11-13 |
CN1204614C CN1204614C (zh) | 2005-06-01 |
Family
ID=20417775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB008144273A Expired - Lifetime CN1204614C (zh) | 1999-11-17 | 2000-11-17 | 在微刻写入中的射束定位 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6700600B1 (zh) |
JP (2) | JP4729219B2 (zh) |
KR (1) | KR100700132B1 (zh) |
CN (1) | CN1204614C (zh) |
AU (1) | AU1565801A (zh) |
DE (1) | DE10085131B3 (zh) |
SE (1) | SE516347C2 (zh) |
WO (1) | WO2001037051A1 (zh) |
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- 2000-11-17 AU AU15658/01A patent/AU1565801A/en not_active Abandoned
- 2000-11-17 WO PCT/SE2000/002254 patent/WO2001037051A1/en active Application Filing
- 2000-11-17 KR KR1020027002630A patent/KR100700132B1/ko active IP Right Grant
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- 2000-11-17 DE DE10085131T patent/DE10085131B3/de not_active Expired - Lifetime
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DE10085131T1 (de) | 2002-10-10 |
SE9904186D0 (sv) | 1999-11-17 |
DE10085131B3 (de) | 2012-01-26 |
KR100700132B1 (ko) | 2007-03-28 |
JP2011124586A (ja) | 2011-06-23 |
JP2003515255A (ja) | 2003-04-22 |
US6700600B1 (en) | 2004-03-02 |
SE9904186L (sv) | 2001-05-18 |
CN1204614C (zh) | 2005-06-01 |
AU1565801A (en) | 2001-05-30 |
JP4729219B2 (ja) | 2011-07-20 |
WO2001037051A1 (en) | 2001-05-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20050601 |