JP2005277128A - 露光装置、および、デバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 露光スポットに位置ずれがあっても、精度よい露光を可能にする。
【解決手段】 複数の微小露光手段を配列した露光ユニットによって複数の露光スポットF1〜F9を露光対象上に形成し、複数の露光スポットF1〜F9それぞれに対応する露光分担領域SA11〜SA19を予め定めておき、前記露光分担領域内で前記露光スポットをスキャンするとともに、露光パターンに応じて前記露光スポットのパワーを制御することによって所望のパターンを露光し、複数の露光スポットF2,F5の規定位置からのずれの方向と大きさ（ずれ量ベクトルV2,V5）に応じて露光分担領域SA12,SA15を調整する露光分担領域調整手段と、複数の露光スポットF1〜F9の実位置に対応した前記露光パターンに応じて前記露光スポットのパワーを制御する露光スポット制御手段とを持つ。
【選択図】 図２

Description

本発明は、フォトマスクを用いずにウエハなどを露光するマスクレス露光装置に関し、特に複数の微小露光手段を配列したマスクレス露光装置に関するものである。

半導体製造などに用いられる露光装置としては、フォトマスクのパターンをウエハに一括露光するものが主流であるが、それに代わってフォトマスクを用いずに高スループットを得られる装置として、種々の方式の装置が考案されている。

例えば複数の電子ビームの位置と強度を複数の電子光学系によって独立に制御するマスクレス露光装置がある。
また微小な光シャッタとそれに対応する微小レンズをアレイ状に配列し、このアレイをスキャンしながらシャッタを開閉することによって所望のパターンを露光するマスクレス露光装置がある。
また複数の微小電極のアレイを露光対象に接触させながら、あるいはごく小さな距離を保ちながらスキャンし、微小電極から電子を放出させて露光するマスクレス露光装置がある。

こうしたマスクレス露光装置に共通するのは、微小な領域を露光する複数の微小露光手段が１次元または２次元に配列され、露光ユニットを形成していることである。
さらに共通するのは、個々の微小露光手段が露光を分担する範囲があらかじめ定められていることである。

一般にこうしたマスクレス露光装置の製造工程においては、個々の微小露光手段の定常位置が基準からどれだけずれているかをあらかじめ測定しておく。

図１０は従来のマスクレス露光装置の一例を示す図である。図１１はシャッタ・レンズアレイSLAを上から見た図である。
LSは平行光を生成する光源、SLAは複数のシャッタとそれらに１対１に対応するレンズを組み合わせたシャッタ・レンズアレイ、Wはレジストを塗布したウエハ、STGはウエハWを載せ水平方向および高さ方向に駆動可能なステージ、CTRはパターン情報PTNを保持し制御プログラムPGM1を実行して前記のシャッタの開閉とステージの動きを制御するコントローラである。

B1は光源LSによって生成された平行光である。S1はシャッタでありヒンジHG1で上部プレートP1に固定されており、駆動機構（不図示）により開閉可能である。シャッタS1の下部には貫通口H1があり、シャッタS1が開かれると平行光B1がレンズL1に達して集光され、ウエハWに到達する。レンズL1は下部プレートP2に固定されている。

シャッタ・レンズアレイSLAには、同様な構造のシャッタS2からS9とレンズL2からL9が備えられ、３×３のマトリクスを形成している。
図１０においてはシャッタS3が開いて集束ビームB2がウエハWに到達する様子が示されている。

図１２を用いて基本的な動作を説明する。SUは、ウエハW上の領域であって、シャッタ・レンズアレイSLAの一度のスキャンによって露光可能な単位露光領域である。
F1からF9は、それぞれシャッタS1からS9が開いた際に得られる集束ビームの露光スポットである。
SA01からSA09は、それぞれシャッタS1からS9に対応する露光分担領域であり、露光スポットF1からF9の位置ずれが全くないと仮定して示されている。位置ずれがまったくない状態における露光分担領域のことを、理想露光分担領域と呼ぶことにする。

ここでは露光分担領域SA01からSA09は、それぞれ４×４のピクセルに分割されており、それぞれのピクセルの位置に集束ビームの露光スポットを置くことで露光が行われる。この様子を図１２の露光分担領域SA01の部分に示す。

なお、露光スポットの位置ずれ量の計測や露光スポットのスキャンは、全て前記のピクセルを単位として行われるものとする。

所望の位置に集束ビームの露光スポットを置くために、シャッタ・レンズアレイSLAを単位駆動曲線 Rに示すようにジグザグに移動させながら、コントローラCTRに記憶されている露光パターン情報PTNに従って、シャッタS1からS9を開閉する。こうして単位露光領域SU内に任意のパターンを露光することができる。

この際、制御プログラムPGM1は、ウエハW上の現在位置に対応し単位露光領域SUに相当する大きさのデータを露光パターンPTNの対応位置から切り取り、さらにそのデータを露光分担領域SA01からSA09に相当する９個の部分に分割する。この分割されたデータに基づき、制御プログラムPGM1は、単位駆動曲線Rに沿ってシャッタ・レンズアレイを移動させる過程で、シャッタを適切なタイミングで開閉する。各露光分担領域は４×４のピクセルに分割されているから、この開閉回数は１６回になる。

さらに単位露光領域SUを露光するごとにウエハステージSTGをグローバル駆動曲線 RGに示すように駆動して、ウエハW全体を露光することができる。
以上が基本的な動作である。

次に露光スポットに位置ずれがある場合を説明する。なお、この位置ずれの原因としては、例えばレンズL1からL9の取り付け位置がずれたり傾いていることなど、シャッタ・レンズアレイの製造誤差（配列誤差）が考えられる。

例えば図１３に示すように、露光スポットF2とF5に位置ずれがある場合を想定する。露光スポットF2はY方向に１ピクセルだけずれ、露光スポットF5はXおよびYの両方向に１ピクセルずつずれているとする。このとき、位置ずれがないときと同じタイミングでシャッタの開閉を制御して露光を行うと、露光スポットF5によって露光分担領域SA05に露光されるべきパターンが本来の位置からずれることにより、一部が露光分担領域SA08に重なって露光されてしまうなどの不都合が生じるのは明らかである。

したがって露光スポットの定常位置のずれ量がある程度以上であると分かった場合、露光不良を防ぐために、対象の露光ユニットは、廃棄されるか、または前記のずれ量が小さくなるよう再組み立てするなどの措置がとられていた。
特表２００３−５１５２５５号公報 米国特許５９００６３７号明細書

上で述べたように、従来のマスクレス露光装置は、露光手段のずれ量が大きい場合にはユニット全体を破棄したり再組み立てしたりするので、露光ユニットの歩留まり低下を招き、露光装置の価格上昇を招いていた。また経時変化によって露光手段の配列にずれが生じた場合には、やはり露光ユニット全体の廃棄や再組み立てを行っている。

それゆえ、個々の露光手段に位置ずれがある場合でも高精度の露光が可能であって、露光ユニットの廃棄や再組み立てを必要としない露光装置が望まれていた。

本発明は、露光スポットに位置ずれがあっても、精度よく露光することができるマスクレス露光装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、複数の微小露光手段を配列した露光ユニットによって複数の露光スポットを露光対象上に形成し、前記複数の露光スポットそれぞれに対応する露光分担領域をあらかじめ定めておき、前記露光分担領域内で前記露光スポットをスキャンするとともに、露光パターンに応じて前記露光スポットのパワーを制御することによって所望のパターンを露光する露光装置において、前記複数の露光スポットの規定位置からのずれの方向と大きさに応じて前記露光分担領域を調整する露光分担領域調整手段と、前記複数の露光スポットの実際の位置に対応した前記露光パターンに応じて前記露光スポットのパワーを制御する露光スポット制御手段とを備えることを特徴とする。

前記露光分担領域調整手段は、前記露光スポットに対応する露光分担領域を調整する際に、当該露光スポットの初期位置を含めることを特徴としてもよく、前記露光分担領域調整手段は、互いに重なり合わないように前記露光分担領域を調整することを特徴としてもよい。

また、本発明では、例えば、前記複数の露光スポットの規定位置からのずれの平均を求める手段を持ち、前記複数の露光スポットの規定位置からのずれから前記平均を差し引いた値に基づいて露光分担領域調整を行い、前記平均の分だけ前記露光ユニットおよび前記露光対象の少なくともいずれかの位置をずらす手段を持つことを特徴としてもよく、全ての前記露光スポットに対応する露光分担領域を合わせて形成される単位露光領域は、露光対象面をタイル状に埋めることのできる形状であることを特徴としてもよく、例えば前記形状は長方形であることを特徴とする。

また、例えば、前記露光ユニットはシャッタ・レンズアレイであることを特徴としてもよく、前記露光ユニットは微小プローブアレイであることを特徴としてもよく、前記露光ユニットは複数の電子ビーム源のアレイであることを特徴としてもよい。

また、本発明は、露光対象にビームを照射する露光部が複数配列された露光アレイと、前記露光アレイ上での前記露光部の配列誤差に基づいて、それぞれの前記露光部からのビームで露光される露光領域を設定し、それぞれの前記露光領域内でのパターンデータを設定するコントローラと、設定された前記露光領域に基づいて、前記露光アレイに対して前記露光対象を移動させるステージと、設定された前記パターンデータに基づいて前記露光部からのビームの照射を制御するシャッタが複数配列されたシャッタアレイと、を備える露光装置であってもよい。

また、例えば、前記コントローラは、前記露光部の基準位置に対するずれ方向およびずれ量に基づいて、前記露光領域を設定することを特徴としてもよく、前記露光部は、光ビームまたは電子ビームを照射することを特徴としてもよい。

また、本発明は、露光対象に電子を放出するプローブが複数配列されたプローブアレイと、前記プローブアレイ上での前記プローブの配列誤差に基づいて、それぞれの前記プローブからの電子で露光される露光領域を設定し、それぞれの前記露光領域内でのパターンデータを設定するコントローラと、設定された前記露光領域に基づいて、前記プローブアレイに対して前記露光対象を移動させるステージと、設定された前記パターンデータに基づいて前記露光対象に対する前記プローブの高さを制御するカンチレバーが複数配列されたカンチレバーアレイと、を備える露光装置であってもよい。

また、本発明に係るデバイス製造方法は、上記いずれかの特徴を備える露光装置を用いて、露光対象に露光を行なう工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備する。

本発明によるマスクレス露光装置においては、個々の露光手段の位置の変位範囲を固定せず、位置ずれ量などに応じて変化させることにより課題を解決している。

本発明によれば、複数の微小露光手段を配列した露光ユニットを備えるマスクレス露光装置において、露光手段の取り付け誤差などに起因する露光スポットの位置ずれがあっても、当該露光ユニットを利用しての露光を可能とし、露光装置のコストを低減する効果がある。

本発明を実施するための最良の形態について、実施例を挙げて、以下に図面を参照しながら詳細に説明する。

以下に本発明の実施例に係るマスクレス露光装置を説明する。図１は本発明の実施例に係るマスクレス露光装置の一形態を示す図である。この露光装置は、図１０に示したのとほぼ同様に、貫通口H1〜H9及び対応するレンズL1〜 L9の各々が微小露光手段または露光部を構成しており、コントローラCTR内の制御プログラムPGM2の内容が図１０における制御プログラムPGM1とは異なっている。

制御プログラムPGM2内には以下に詳しく述べるように、露光分担領域の大きさと位置を調整して割り当て直す機能を持ち、その機能は割当て直しユニットUN1によって実現されている。

シャッタ・レンズアレイSLAの構成は図１１で説明した従来の例と同様であり、露光スポットに位置ずれがない場合の動作に関しては、図１２で示した従来の方法と同様である。

集束ビームの露光スポットに位置ずれがある場合を説明する。図１３において、露光スポットF2およびF5が、それぞれずれ量ベクトルV2 = (0, 1) 、ずれ量ベクトル V5 = (1, 1)
だけ、あらかじめ定められた基準位置からずれている。

本発明の実施例に係る露光装置は、コントローラCTR内のプログラムPGM2によって以下のように制御される。

まず、割当て直しユニットUN1は、ずれが生じている露光スポットとその周辺に関して、各露光分担領域の大きさと位置を調整して割り当て直す。露光分担領域の割り当て方法は一通りではなく種々の割り当てが可能である。ここでは、各露光スポットの初期位置を含み、単位駆動曲線 Rに沿ったスキャンで露光可能な範囲の長方形を露光分担領域としている。このようにしたのは割り当ての手順が簡単で高速に行えるからである。
この例の場合の露光分担領域の割り当て結果を図２に示す。SA11からSA19はそれぞれ露光スポットF1からF9に対応する新たな露光分担領域である。

次いで、単位駆動曲線 Rに沿ってシャッタ・レンズアレイSLAをスキャンしながらシャッタS1からS9を開閉することで露光を行う。
図２から分かるように、露光スポットにずれのないときと比べ、露光スポットF2、F5およびF8に対応する露光分担領域が異なっている。したがってシャッタS2、S5およびS8の開閉制御に関しては、ずれ量ベクトルに相当する分だけ開閉タイミングをずらす必要がある。

シャッタS1からS9の開閉制御として例えば以下のような方法がある。
全ての露光スポットF1からF9の現在位置のXY座標をテーブルとして持ち、リアルタイムに更新するようにしておく。
露光スポットF1からF9のスキャン中に各露光スポットがそれぞれに対応する露光分担領域内にあれば、各露光スポットの現在位置のXY座標に対応する露光データを露光パターン情報PTNから取り出し、当該露光スポットに対応するシャッタを開くか閉じるかを決定する。

またU1およびU2は単位駆動曲線 Rに沿った１度のスキャンではスキャンしきれない未露光領域である。未露光領域U1については、一旦シャッタ・レンズアレイSLAを下方向に１ピクセル分だけ移動させてからスキャンすることで露光可能である。未露光領域U2に関しても同様にシャッタ・レンズアレイSLAを左方向に１ピクセル分だけ移動させてからスキャンすることで露光可能である。未露光領域U1およびU2に露光すべきパターンが存在しなければ、このような露光は必要ない。

次に、上記の例とは異なるずれかたの例を図３に示す。
図３において露光スポットF2およびF5がそれぞれずれ量ベクトルV2a = (0, 1) 、ずれ量ベクトル V5a = (0, 1) だけずれている。

コントローラCTRは、ずれが生じている露光スポットとその周辺について、露光分担領域を割り当て直す。ここでは各露光スポットの初期位置を含み、単位駆動曲線 Rに沿った通常のスキャンで露光可能な範囲の長方形を露光分担領域としている。ここまでは先の実施例１と同様である。この実施例２ではさらに、可能であれば、未露光領域を除いた単位露光領域SUが長方形をなすように露光分担領域を割り当てる。このようにする理由は、単位露光領域SUが長方形であれば、小さな面積の未露光領域だけを露光し直す工程が必要なくなるからである。

コントローラCTRは、全ての露光スポットのずれ量ベクトルから、単位露光領域SUを長方形にすることが可能かどうかを判断している。
この例の場合の露光分担領域の割り当て結果を図４に示す。SA21からSA29はそれぞれ露光スポットF1からF9に対応する新たな露光分担領域であり、U4は単位駆動曲線 Rに沿った通常のスキャンでは露光しきれない未露光領域である。
ここで未露光領域U3およびU5は、通常のスキャンで露光可能な範囲であるが、単位露光領域SUを長方形にするために、シャッタS1およびS3を閉じることで未露光領域とする部分である。

シャッタ・レンズアレイSLAをスキャンしながらシャッタS1からS9を開閉することで露光を行う点に関しては、本実施例と先の実施例は同様である。
この実施例では単位露光領域SUが長方形をなすように未露光領域を決定したが、必ずしも長方形である必要はなく、ウエハ面をタイル状に埋めることのできる形状でありさえすればよい。また各露光分担領域が対応する露光スポットの初期位置を必ずしも含む必要はない。

この考えを図３のようなずれのある場合に適用し、露光分担領域SA31からSA39と、未露光領域U6およびU7とを割り当てた例を図５に示す。この例において単位露光領域SU内のスキャンによる露光に関しては、先の例と同様である。

この例においては、単位露光領域SUの上部にある凸部と下部にある凹部の形が一致するので、図６に示すように単位露光領域SUをタイル状に並べてウエハWの全面を露光することが可能である。

次に説明する実施例３は、各露光スポットのずれの方向に一定の傾向があるときに特に有効なものである。
図７は図２や図３と同様に露光スポットF1からF9のずれの例を示している。ここでV01からV09はそれぞれずれ量のベクトルを表している。
図７から分かるように、この実施例３では、全ての露光スポットがあらかじめ定められた基準位置からずれており、その方向は右上方向にかたよっていることが分かる。
この実施例の場合も、先の実施例と同様の方法で露光分担領域を割り当ててもかまわないが、以下に述べる方法でより効率的な露光を行うことができる。

まず、ずれ量ベクトルの平均VMを求めると VM = ( 1, 1 ) となる。これ以降、ずれ量ベクトルの平均VMの分だけステージSTGの位置をずらした状態で、シャッタ・レンズアレイSLAおよびステージSTGの駆動を制御することにする。そうすると実質的には各露光スポットのずれ量ベクトルは、ずれ量ベクトルの平均VMを差し引いたものと等価とみなすことができる。この様子を図８に示す。

図８においてSU1は、新たに定められた単位露光領域であり、平均VMだけ単位露光領域SUをずらしたものである。また、ずれ量ベクトルV01からV09について平均VMを差し引いた結果が、補正ずれ量ベクトルV11からV19である。

この補正ずれ量ベクトルに基づいて先の例と同様の方法で露光分担領域の割り当てを行えば、理想露光分担領域からの変更量を少なくすることができ、ずれ量ベクトルの平均VMを差し引かない場合よりも露光分担領域の割り当てを容易に行うことができる。

上の例ではずれ量ベクトルの平均VMの分だけステージSTGの位置をずらしているが、逆に −VM の分だけシャッタ・レンズアレイSLAの位置をずらした状態で同様に制御すれば同様の効果が得られる。

以上説明した例は、複数のシャッタとレンズを備え、光ビームにより任意のパターンを露光するマスクレス露光装置に関するものであるが、本発明は複数の露光手段を組み合わせた露光装置一般に適用可能である。

例えば図９において、PAはプローブアレイである。プローブアレイPAは、プレートP3に取り付けられカンチレバーアレイを構成する複数のカンチレバー CL1からCL4を有し、各カンチレバーの先端には微小プローブが取り付けられている。図９においてPR1は微小プローブのひとつである。

全ての微小プローブがウエハ面に接触するように、このプローブアレイPAは、高さを制御しながら、微小プローブに負、ウエハに正の電圧をかけ、微小プローブから電子を放出させることによって露光を行うことができる。同時に、このプローブアレイPAは、位置をXY方向に制御することで任意のパターンをウエハ上に露光できる。

このようなプローブアレイPAに関しても、カンチレバーCL1からCL4の取り付け誤差による露光スポットの位置ずれが起こりうる。先の例と全く同様に露光分担領域の割り当て操作を行うことで、このような位置ずれがあっても、プローブアレイPAは、廃棄せずに露光に利用することができる。

また、複数の電子ビームを同時に照射するマスクレス露光装置において、露光スポットに位置ずれがある場合も、上記と同様に露光分担領域の割り当て操作を行うことが可能である。

さらに、シャッタ・レンズアレイの代わりに、ＤＭＤ（デジタルマイクロミラーデバイス）を用い、露光パターンに応じて微小ミラーを傾けることで、光ビームを照射して任意のパターンを露光するマスクレス露光装置にも適用することができる。

次に、上記実施例１〜４において述べたいずれかの露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１４は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（ＥＢデータ変換）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。

一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ４で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。

上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。

本発明の実施例に係るマスクレス露光装置の一形態を示す図である。 本発明の実施例１に係る露光分担領域の割り当て直しを説明するための平面図である。 露光スポットの位置ずれの例を示す平面図である。 本発明の実施例２に係る露光分担領域の割り当て直しを説明するための平面図である。 本発明の実施例２に係る露光分担領域の割り当て直しを説明するための平面図である。 単位露光領域をタイル状に並べてウエハの全面を露光する場合の例を説明するための平面図である。 本発明の実施例３に係る露光スポットの位置ずれの例を示す平面図である。 本発明の実施例３に係るずれ量ベクトルの平均を差し引くことの効果を説明するための平面図である。 本発明の実施例４に係るプローブアレイの構造を説明するための図である。 シャッタ・レンズアレイを用いた従来のマスクレス露光装置の構成を示す図である。 シャッタ・レンズアレイを上から見た平面図である。 露光スポットのスキャンを説明するための平面図である。 露光スポットの位置ずれの例を示す平面図である。 半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。

符号の説明

CL1：カンチレバー、CTR：コントローラ、F1〜F9：露光スポット、L1：レンズ、PA：プローブアレイ、PR1：微小プローブ、PTN：露光パターン情報、R：単位駆動曲線、RG：グローバル駆動曲線、SA01〜SA09，SA11〜SA19：露光分担領域、S1：シャッタ、SLA：シャッタ・レンズアレイ、STG：ステージ、SU：単位露光領域、U1,U2：未露光領域、UN1：割当て直しユニット、V2,V5：ずれ量ベクトル、VM：ずれ量ベクトルの平均、W：ウエハ。

Claims (14)

1. 複数の微小露光手段を配列した露光ユニットによって複数の露光スポットを露光対象上に形成し、前記複数の露光スポットそれぞれに対応する露光分担領域をあらかじめ定めておき、前記露光分担領域内で前記露光スポットをスキャンするとともに、露光パターンに応じて前記露光スポットのパワーを制御することによって所望のパターンを露光する露光装置において、
   前記複数の露光スポットの規定位置からのずれの方向と大きさに応じて前記露光分担領域を調整する露光分担領域調整手段と、
   前記複数の露光スポットの実位置に対応した前記露光パターンに応じて前記露光スポットのパワーを制御する露光スポット制御手段と
   を備えることを特徴とする露光装置。
2. 前記露光分担領域調整手段は、前記露光スポットに対応する露光分担領域を調整する際に、当該露光スポットの初期位置を含めることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記露光分担領域調整手段は、互いに重なり合わないように前記露光分担領域を調整することを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
4. 前記複数の露光スポットの規定位置からのずれの平均を求める手段を持ち、前記複数の露光スポットの規定位置からのずれから前記平均を差し引いた値に基づいて露光分担領域調整を行い、前記平均の分だけ前記露光ユニットおよび前記露光対象の少なくともいずれかの位置をずらす手段を持つことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の露光装置。
5. 全ての前記露光スポットに対応する露光分担領域を合わせて形成される単位露光領域は、露光対象面をタイル状に埋めることのできる形状であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の露光装置。
6. 前記形状は長方形であることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
7. 前記露光ユニットはシャッタ・レンズアレイであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の露光装置。
8. 前記露光ユニットは微小プローブアレイであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の露光装置。
9. 前記露光ユニットは複数の電子ビーム源のアレイであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の露光装置。
10. 露光対象にビームを照射する露光部が複数配列された露光アレイと、
    前記露光アレイ上での前記露光部の配列誤差に基づいて、それぞれの前記露光部からのビームで露光される露光領域を設定し、それぞれの前記露光領域内でのパターンデータを設定するコントローラと、
    設定された前記露光領域に基づいて、前記露光アレイに対して前記露光対象を移動させるステージと、
    設定された前記パターンデータに基づいて前記露光部からのビームの照射を制御するシャッタが複数配列されたシャッタアレイと、を備えることを特徴とする露光装置。
11. 前記コントローラは、前記露光部の基準位置に対するずれ方向およびずれ量に基づいて、前記露光領域を設定することを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
12. 前記露光部は、光ビームまたは電子ビームを照射することを特徴とする請求項１０または１１に記載の露光装置。
13. 露光対象に電子を放出するプローブが複数配列されたプローブアレイと、
    前記プローブアレイ上での前記プローブの配列誤差に基づいて、それぞれの前記プローブからの電子で露光される露光領域を設定し、それぞれの前記露光領域内でのパターンデータを設定するコントローラと、
    設定された前記露光領域に基づいて、前記プローブアレイに対して前記露光対象を移動させるステージと、
    設定された前記パターンデータに基づいて前記露光対象に対する前記プローブの高さを制御するカンチレバーが複数配列されたカンチレバーアレイと、を備えることを特徴とする露光装置。
14. 請求項１〜１３のいずれか１つに記載の露光装置を用いて、露光対象に露光を行なう工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。

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