CN1377020A - 液晶显示器及其装配方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的一种液晶显示器及其装配方法,该液晶显示器以矩阵形式排布液晶盒,包括:一选通线,用来接收一扫描信号;一数据线,用来接收一数据信号;一象素电极,设置在选通线与数据线的交点处以驱动一液晶盒;一薄膜晶体管,用来响应扫描信号以将数据信号切换至象素电极;一准直膜(alignmentfilm),形成于选通线、数据线和象素电极的至少一部分上以确定液晶的主准直方向。

Description

液晶显示器及其装配方法
本发明要求享有2001年3月26日在韩国提出的第P2001-15744号专利申请的利益，该申请在此引入以作参考。
发明领域
本发明涉及一种液晶显示器，尤其涉及一种液晶显示器及其装配方法，它们能够减少掩模的数目和装配过程的时间。
现有技术
一种有源矩阵型驱动系统的液晶显示器(LCD)可以将薄膜晶体管(TFT)用作开关装置以显示自然的活动图像。由于LCD可以形成为比现有布朗(Brown)管更小的装置，所以它们一般用在计算机监视器和膝上型电脑中、办公自动化设备如复印机中以及便携式设备如蜂窝电话和寻呼机中。
有源矩阵型LCD通常把与视频信号如电视信号相对应的图像显示在一象素矩阵上，该矩阵令象素排布在选通线与数据线的每一个交点处。每个象素包括一液晶盒，该液晶盒根据来自一数据线的数据信号的电压电平控制透射光量。一TFT安装在选通线与数据线的交点处以响应于来自选通线的一个扫描信号(即一选通脉冲)将一数据信号切换至液晶盒。
LCD的工作主要可以根据驱动液晶的电场方向分为两种模式：扭转向列(TN)模式，其中施加有一垂直电场；同面切换(in-planeswitching)(IPS)模式，其中施加有一水平电场以有一宽视角。
图1示出一传统TN模式LCD装置的TFT衬底上的电极分布，图2是沿图1中的A-A’线所取的TFT衬底剖视图。
如图1和图2所示，该LCD装置包括：设置在选通线15与数据线13交点处的TFT和设置在选通线15与数据线13交点附近一象素区域中的象素电极26。
通过在衬底10上依次淀积栅极12、选通绝缘膜14、有源层16、欧姆接触层18、源极20与漏极22、保护层24、象素电极26和准直膜28来形成该TFT。栅极12接至选通线15，而源极20接至数据线13。
TFT把来自数据线13的数据信号加至象素电极26，并且把一扫描脉冲加至栅极12以驱动一液晶盒。象素电极26形成于保护层24的一部分和被保护层24中形成的接触孔30所暴露的漏极22的一部分上。象素电极26由一种透明导电材料形成，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)。选通绝缘膜14由一种无机绝缘材料形成，保护层24由一种有机绝缘材料形成。
图3A至3G示出图2中所示TFT的装配方法的步骤。
如图3A所示，利用溅射技术将一金属薄膜层淀积在透明衬底10上并且利用光刻法和湿刻(wet etching)法对其制作图案，从而在透明衬底10上形成栅极12。栅极12由一种金属材料如铝(Al)、铜(Cu)或铬(Cr)形成，(NH4)2S2O8水溶液用作湿刻的蚀刻剂。
如图3B所示，选通绝缘膜14、有源层16和欧姆接触层18依次形成在透明衬底10和栅极12上。通过利用一化学蒸汽淀积(CVD)技术将一绝缘材料如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)淀积到透明衬底10上，形成选通绝缘膜14。将一非晶硅(a-Si)层和一涂有杂质的非晶硅(n+a-Si)层依次淀积到选通绝缘膜14上。通过利用光刻法和干刻(dry etching)法对a-Si层和n+a-Si层制作图案形成有源层16和欧姆接触层18。
如图3C所示，源极20和漏极22形成于欧姆接触层18上。通过以一种方式将一金属层淀积在选通绝缘膜14上形成源极20、漏极22和数据线13，这种方式是利用溅射技术将该金属层覆盖欧姆接触层18，然后利用光刻法和湿刻法对其制作图案。源极20和漏极22由钼(Mo)或钼合金如MoW、MoTa或MoNb形成，它们用(NH4)2S2O8水溶液作为蚀刻剂。
接着，如图3D所示，通过将源极20和漏极22用作掩模干刻所暴露的欧姆接触层18，从而通过欧姆接触层18、源极20和漏极22暴露出有源层16。
如图3E所示，保护层24形成于选通绝缘膜14、源极20和漏极22的各部分上。通过淀积一绝缘材料然后对其制作图案形成保护层24。接触孔30形成于保护层24中，并且暴露出漏极22的一部分。保护层24由一种无机绝缘材料如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成，或者由具有小介电常数的有机绝缘材料如丙烯酸有机化合物、聚四氟乙烯、BCB(环苯丁烯benzocyclobutene)、Cytop或PFCB(全氟环丁烷)形成。
如图3F所示，象素电极26形成于保护层24上和由接触孔30所暴露的漏极22的一部分上。通过将一种透明导电材料淀积在保护层24上，然后对该材料制作图案，形成象素电极26。象素电极26由ITO、IZO或ITZO形成。象素电极26通过接触孔30与漏极22电接触。
如图3G所示，准直膜28形成于保护层24和象素电极26上。在形成准直膜28之前，在所有层上进行退火处理。此外，通过施加一电信号测试TFT，以确认TFT在开、关工作状态下运行正常。
如果试验显示TFT工作正常，那么通过利用轧辊(roller)印制聚酰亚胺，形成小于
Figure A0210233900091
的主准直膜，之后通过摩擦主准直膜的表面形成正常的准直膜28。
图4示出传统IPS模式LCD装置的TFT衬底上的电极分布，图5是沿图4中的B-B’线所取的TFT衬底剖视图。
如图4和图5所示，IPS模式LCD装置包括：设置在选通线35与数据线33交点处的TFT；设置在选通线35与数据线33交点附近的象素电极46和公共电极44。
该TFT形成于透明衬底31上，包括：接至选通线35的栅极32；接至数据线33的源极40；接至象素电极46的漏极42。
通过将一种金属如铝(Al)、铜(Cu)或铬(Cr)等淀积到透明衬底31上，然后对其制作图案，形成栅极32、选通线35和公共电极44。这里，公共电极44制作成象素盒区域内三线条形的图案。
由例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机介电材料制成的选通绝缘膜34淀积在衬底31、栅极32和公共电极44的表面上。a-Si形成的有源层36淀积在选通绝缘膜34上，涂有n+离子的a-Si形成的欧姆接触层38淀积在有源层36上。一种金属形成的源极40、漏极42和数据线33淀积在欧姆接触层38上。以这样一种方式对源极40和漏极42制作图案，即，通过一预定的沟道宽度使它们相互分隔开。通过将ITO淀积到漏极42的一部分和选通绝缘膜34上，然后对所淀积的材料制作图案，从而形成象素电极46。将象素电极46在与公共电极44交叠的象素盒区域内制作成双线条形的图案。接着，对源极40与漏极42之间预定沟道宽度所限定空间内设置的欧姆接触层38进行蚀刻，以暴露有源层36。将一保护层48淀积到选通绝缘膜34、有源层36、源极40、漏极42和象素电极46的暴露表面上，该保护层48由具有小介电常数的无机绝缘材料或有机绝缘材料形成。
最后，在保护膜48上形成一准直膜50。在形成准直膜50之前，在所有层上进行退火处理。此外，通过施加一电信号来测试TFT，以确认TFT在其开、关工作状态下正常运行。
如果试验显示TFT工作正常，那么通过利用辊子印制聚酰亚胺，形成小于 的主准直膜，之后通过摩擦主准直膜的表面形成正常的准直膜50。
但是，在装配传统TN或IPS模式LCD装置中，掩模处理过程如形成保护膜的数量过多。这样，装配需要较长的时间是传统TN或IPS模式LCD装置的缺点。
发明的内容
因此，本发明涉及一种液晶显示器及其装配方法，它们基本上避免了因已有技术的局限和缺点所带来的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种液晶显示器及其装配方法，其中涂敷一聚酰亚胺树脂，以使其具有保护层和准直膜的双重功能，由此简化了液晶显示装置的装配过程。
本发明的其他特征和优点将在以下的说明中列出，根据该说明，这些中的一部分将变得很明显，或者可以通过对本发明的实践学会。本发明的目的和优点将通过以下所撰写的说明书、权利要求书以及附图中特别指出的结构实现和得到。
为了实现根据本发明目的的这些和其他优点，如所具体实施和广泛描述的那样，根据本发明一个方面的液晶显示装置包括：一选通线，用来接收一扫描信号；一数据线，用来接收一数据信号；一象素电极，设置在选通线与数据线交点处以驱动一液晶盒；一薄膜晶体管，用来响应扫描信号以将数据信号切换至该象素电极中；和一准直膜，形成于选通线、数据线和象素电极的至少一部分上，用以确定液晶的主准直方向。
在另一方面，根据本发明的液晶显示装置包括：一选通线，用来接收一扫描信号；一数据线，用来接收一数据信号；一象素电极和一公共电极，它们设置在该选通线与该数据线交点附近的一个象素区域处以驱动一液晶盒；一薄膜晶体管，用来响应扫描信号以将数据信号切换至该象素电极；和一准直膜，整个涂敷于一衬底上，用以保护包括选通线、数据线、象素电极和公共电极的信号导线，并且用以确定液晶的主准直方向。
在又一方面，根据本发明的液晶显示装置的装配方法包括以下步骤：在一衬底上形成一选通线和一薄膜晶体管的栅极；整个涂敷一选通绝缘层；形成该薄膜晶体管的半导体层；形成一数据线和该薄膜晶体管的源极与漏极；以一要与漏极接触的方式形成一象素电极；以及形成一准直膜，该准直膜用来保护包括栅极、数据线、象素电极的信号导线和薄膜晶体管，并且用来确定液晶的主准直方向。
在另一方面，根据本发明的液晶显示装置的装配方法包括以下步骤：在一衬底上形成一选通线、一薄膜晶体管的栅极和一公共电极；涂敷一选通绝缘层；形成该薄膜晶体管的半导体层；形成一数据线和该薄膜晶体管的源极与漏极；以一要与漏极接触的方式形成一象素电极；以及形成一准直膜，该准直膜用来保护包括栅极、数据线、象素电极、公共电极的信号导线和薄膜晶体管，并且用来确定液晶的主准直方向。
在再一个方面，根据本发明的液晶显示装置的装配方法包括以下步骤：在一衬底上形成一选通线、一薄膜晶体管的栅极和一公共电极；涂敷一选通绝缘层；形成该薄膜晶体管的半导体层；形成一数据线和源极与漏极；以一要与漏极接触的方式形成一象素电极与一公共电极；以及形成一准直膜，该准直膜用来保护包括栅极、数据线、象素电极、公共电极的信号导线和薄膜晶体管，并且用来确定液晶的主准直方向。
应理解的是，前面总的描述和以下的详细描述是示例性的和解释性的，试图用它们来提供对如所要求保护的本发明的进一步解释。
附图简述
这些附图包括在内是用来提供对本发明的进一步理解，它们包括在说明书内，并且构成说明书的一部分，它们示出了本发明的实施例，连同文字描述一起用来解释本发明的原理。
这些附图中：
图1是一平面图，它示出一传统TN模式液晶显示器的TFT衬底上的电极设置。
图2是沿图1中A-A’线所取的TFT衬底的剖视图。
图3A至图3G是示出图2所示TFT的装配方法步骤的剖视图。
图4是一平面图，它示出一传统IPS模式液晶显示器的TFT衬底上的电极设置。
图5是沿图4中B-B’线所取的TFT衬底的剖视图。
图6是一平面图，它示出根据本发明第一实施例的TN模式液晶显示器的TFT衬底上的电极设置。
图7是沿图6中C-C’线所取的TFT衬底的剖视图。
图8A至图8F是示出图7所示TFT的装配方法步骤的剖视图。
图9是一平面图，它示出根据本发明第二实施例的IPS模式液晶显示器的TFT衬底上的电极设置。
图10是沿图9中D-D’
图11A至图11F是示出图10所示TFT的装配方法步骤的剖视图。
图12是一平面图，它示出根据本发明第三实施例的IPS模式液晶显示器的TFT衬底上的电极设置。
图13是沿图12中E-E’线所取的TFT衬底的剖视图。
图14A至图14F是示出图13所示TFT的装配方法步骤的剖视图。
优选实施例的详细描述
图6示出根据本发明第一实施例的TN模式液晶显示器的TFT衬底上的电极设置，图7是沿图6中C-C’线所取的TFT衬底的剖视图。
如图6和图7所示，该LCD装置包括：设置在选通线65与数据线63交点处的TFT和设置在选通线65与数据线63交点附近一象素区域中的象素电极76。
通过在衬底60上依次淀积栅极62、选通绝缘膜64、有源层66、欧姆接触层68、源极70、漏极72、象素电极76和准直膜78来形成该TFT。栅极62接至选通线65，而源极70接至数据线63。
TFT把来自数据线63的数据信号加至象素电极76，并且把一扫描脉冲加至栅极62以驱动一液晶盒。象素电极76由一种透明导电材料形成，例如ITO、IZO或ITZO。选通绝缘膜64由一种无机绝缘材料形成，准直膜78由聚酰亚胺树脂形成。
图8A至8F示出图7中所示TFT的装配方法的步骤。
如图8A所示，利用溅射技术将一金属薄膜层淀积在透明衬底60上并且利用光刻法和湿刻法对其制作图案，从而在透明衬底60上形成栅极62。栅极62由一种金属材料如铝(Al)、铜(Cu)或铬(Cr)形成，(NH4)2S2O8水溶液用作湿刻的蚀刻剂。
如图8B所示，选通绝缘膜64、有源层66和欧姆接触层68依次形成在透明衬底60和栅极62上。通过将一绝缘材料如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)淀积到透明衬底60上，形成选通绝缘膜64。例如通过CVD技术将一非晶硅(a-Si)层和一涂有杂质的非晶硅(n+a-Si)层依次淀积到选通绝缘膜64上。通过利用光刻法和干刻法对a-Si层和n+a-Si层制作图案形成有源层66和欧姆接触层68。
如图8C所示，源极70和漏极72形成于欧姆接触层68上。通过一种方式将一金属层淀积在选通绝缘膜64上形成源极70、漏极72和数据线63，这种方式是利用溅射技术将该金属层覆盖欧姆接触层68，然后利用光刻法和湿刻法对其制作图案。源极70和漏极72由钼(Mo)或钼合金如MoW、MoTa或MoNb形成，它们用(NH4)2S2O8水溶液作为蚀刻剂。
如图8D所示，通过将一透明导电材料如ITO、IZO或ITZO例如淀积到选通绝缘膜64的一部分和漏极72上，形成象素电极76。
如图8E所示，通过将源极70和漏极72用作掩模干刻所暴露的欧姆接触层68，从而通过欧姆接触层68、源极70和漏极72暴露出有源层66。
如图8F所示，准直膜78形成于选通绝缘膜64、有源层66、源极70、漏极72和象素电极76的各部分上。在形成准直膜78之前，在所有层上进行退火处理。此外，通过施加一电信号测试TFT，以确认TFT在开、关工作状态下运行正常。
如果试验显示TFT工作正常，那么通过利用辊子印制在已有技术中作为保护层24和准直膜28的聚酰亚胺树脂，涂敷小于1000的主准直膜，之后通过摩擦主准直膜的表面形成准直膜78。
图9示出根据本发明第二实施例的IPS模式液晶显示器的TFT衬底上的电极设置，图10是沿图9中D-D’线所取的TFT衬底的剖视图。
如图9和图10所示，该IPS模式LCD装置包括：设置在选通线85与数据线83交点附近的TFT。此外，在选通线85与数据线83交点附近的象素区域中还设置有象素电极96和公共电极100。
该TFT形成于透明衬底80上，包括：接至选通线85的栅极82；接至数据线83的源极90；接至象素电极96的漏极92。
通过将一种金属如铝(Al)、铜(Cu)或铬(Cr)等例如淀积到透明衬底80上然后对其制作图案，形成栅极82。由例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机介电材料制成的选通绝缘膜84例如淀积在透明衬底80和栅极82上。a-Si形成的有源层86和涂有n+离子的a-Si形成的欧姆接触层88依次淀积在选通绝缘膜84上。一种金属制成的源极90、漏极92和数据线83设置在欧姆接触层88上。以这样一种方式对源极90和漏极92制作图案，即，通过一预定的沟道宽度使它们相互分隔开。通过将ITO淀积到漏极92的一部分和选通绝缘膜94上，然后对所淀积的材料制作图案，从而形成象素电极96。将公共电极100制作成象素盒区域内一条形的图案。这种情况下，象素电极96接至漏极92，并且将该象素电极96制作成与公共电极100交叠的象素盒区域内条形的图案。
图11A至图11F示出图10所示TFT的装配方法的步骤。
如图11A所示，利用溅射技术将一金属薄膜淀积在透明衬底80上并且利用光刻法和湿刻法对其制作图案，从而在透明衬底80上形成栅极82。栅极82由一种金属材料如铝(Al)、铜(Cu)或铬(Cr)形成，(NH4)2S2O8水溶液用作湿刻的蚀刻剂。
如图11B所示，选通绝缘膜84、有源层86和欧姆接触层88依次形成在透明衬底80和栅极82上。通过将一绝缘材料如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)淀积到透明衬底80上，形成选通绝缘膜84。通过CVD技术将一非晶硅(a-Si)层和一涂有杂质的非晶硅(n+a-Si)层依次淀积到选通绝缘膜84上。通过利用光刻法和干刻法对a-Si层和n+a-Si层制作图案形成有源层86和欧姆接触层88。
如图11C所示，源极90和漏极92形成于欧姆接触层88上。通过一种方式将一金属层淀积在选通绝缘膜84上形成源极90、漏极92和数据线83，这种方式是利用溅射技术将该金属层覆盖欧姆接触层88，然后利用光刻法和湿刻法对其制作图案。源极90和漏极92由钼(Mo)或钼合金如MoW、MoTa或MoNb形成，它们用(NH4)2S2O8水溶液作为蚀刻剂。
如图11D所示，象素电极96和公共电极100形成于选通绝缘膜84和漏极92上。象素电极96和公共电极100由如ITO、IZO或ITZO的透明导电材料形成。公共电极100优选与象素电极96间隔一恒定距离。
如图11E所示，通过将源极90和漏极92用作掩模干刻所暴露的欧姆接触层88，从而通过源极90和漏极92暴露出有源层86。
如图11F所示，准直膜98淀积在选通绝缘膜84、有源层86、源极90、漏极92、象素电极96和公共电极100的暴露表面上。在所述的形成准直膜98之前，在所有层上进行退火处理。
此外，通过施加一电信号测试TFT，以确认TFT在开、关工作状态下运行正常。
如果试验显示TFT工作正常，那么通过利用辊子印制在已有技术中作为保护层48和准直膜50的聚酰亚胺树脂，涂敷小于1000的主准直膜，之后通过摩擦主准直膜的表面形成准直膜98。
图12示出根据本发明第三实施例的IPS模式液晶显示器的TFT衬底上的电极设置，图13是沿图12中E-E’线所取的TFT衬底的剖视图。
如图12和图13所示，该IPS模式LCD装置包括：设置在选通线115与数据线113交点附近的TFT。此外，在选通线115与数据线113交点附近的象素区域中还设置有象素电极126和公共电极124。
该TFT形成于透明衬底110上，包括：接至选通线115的栅极112；接至数据线113的源极120；接至象素电极126的漏极122。
通过将一种金属如铝(Al)、铜(Cu)或铬(Cr)等例如淀积到透明衬底110上然后对其制作图案，形成栅极112、选通线115和公共电极124。公共电极124优选制作成象素盒区域内三条线条形的图案。
由例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机介电材料制成的选通绝缘膜114例如淀积在透明衬底110、栅极112和公共电极124上。a-Si形成的有源层116和涂有n+离子的a-Si形成的欧姆接触层118依次淀积在选通绝缘膜114上。每一个都由一种金属制成的源极120、漏极122和数据线113设置在欧姆接触层118上。以这样一种方式对源极120和漏极122制作图案，即，通过一预定的沟道宽度使它们相互分隔开。通过将ITO淀积到漏极122和选通绝缘膜114上，然后对其制作图案，从而形成象素电极126。这种情况下，象素电极126接至漏极122，并且优选制作成与公共电极124交叠的象素盒区域内双线条形的图案。接着，蚀刻设置在源极120与漏极122之间的欧姆接触层118，以暴露有源层116。准直膜128形成于衬底110、有源层116、欧姆接触层118、源极120、漏极122和象素电极126的暴露部分上。
图14A至图14F示出图13所示TFT的装配方法的步骤。
如图14A和14B所示，利用溅射技术将一金属薄膜淀积在透明衬底110上然后利用光刻法和湿刻法对其制作图案，从而在透明衬底110上形成栅极112和公共电极124。栅极112和公共电极124由例如一种金属材料如铝(Al)、铜(Cu)或铬(Cr)形成，(NH4)2S2O8水溶液用作湿刻的蚀刻剂。公共电极124另一方面可以由一ITO膜形成以便改善孔径比。
如图14B所示，选通绝缘膜114、有源层116和欧姆接触层118依次形成在透明衬底110、栅极112和公共电极124上。通过将一绝缘材料如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)例如淀积到透明衬底110上，形成选通绝缘膜114。通过CVD技术将一非晶硅(a-Si)层和一涂有杂质的非晶硅(n+a-Si)层依次淀积到选通绝缘膜114上。通过利用光刻法和干刻法对a-Si层和n+a-Si层制作图案形成有源层116和欧姆接触层118。
如图14C所示，源极120和漏极122形成于欧姆接触层128上。通过一种方式将一金属层淀积在选通绝缘膜114上形成源极120、漏极122和数据线113，这种方式是利用溅射技术将该金属层覆盖欧姆接触层118，然后利用光刻法和湿刻法对其制作图案。源极120和漏极122由例如钼(Mo)或钼合金如MoW、MoTa或MoNb形成，它们用(NH4)2S2O8水溶液作为蚀刻剂。
如图14D所示，通过将一透明导电材料如ITO、IZO或ITZO例如淀积到选通绝缘膜114和漏极122的暴露部分上，形成象素电极126。
如图14E所示，通过将源极120和漏极122用作掩模干刻所暴露的欧姆接触层118，从而通过欧姆接触层118、源极120和漏极122暴露出有源层116。
如图14F所示，准直膜128淀积在衬底110、有源层116、欧姆接触层118、源极120、漏极122和象素电极126的暴露表面上。在形成准直膜128之前，在所有层上进行退火处理。此外，通过施加一电信号测试TFT，以确认TFT在开、关工作状态下运行正常。
如果试验显示TFT工作正常，那么通过利用辊子印制在已有技术中作为保护层48和准直膜50的聚酰亚胺树脂，涂敷小于1000的主准直膜，之后通过摩擦主准直膜的表面形成准直膜128。例如，聚酰亚胺树脂具有约3的介电常数和约500～700的厚度。
本发明的装配方法中省去了传统五个掩模LCD结构中形成保护层的步骤。在源极和漏极上对象素电极制作图案，然后在通过准直形成衬底的过程中，使其整个淀积有一聚酰亚胺树脂，由此使其具有保护层和准直膜的双重功能。因此，本发明的优点包括减少了掩模的数量，减少了液晶显示器的装配时间，并且降低了装配生产成本。
对本领域普通技术人员来说很明显的是，在不脱离本发明的实质或范围的情况下，可以在本发明的液晶显示器及其装配方法中作各种修改和变换。这样，假定本发明的这些修改和变换都落在所附权利要求书及其等同物的范围内，则申请人意欲使本发明覆盖这些修改和变换。

Claims (18)

1.一种以矩阵形式排布液晶盒的液晶显示装置，包括：
一选通线，用来接收一扫描信号；
一数据线，用来接收一数据信号；
一象素电极，设置在该选通线与该数据线的交点处以驱动一液晶盒；
一薄膜晶体管，用来响应该扫描信号以将该数据信号切换至该象素电极；和
一准直膜，形成于该选通线、该数据线和该象素电极的至少一部分上以确定液晶的主准直方向。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中准直膜由聚酰亚胺树脂形成。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其中聚酰亚胺树脂具有约3的介电常数和约
Figure A0210233900021
的厚度。
4.一种以矩阵形式排布液晶盒的液晶显示装置，包括：
一选通线，用来接收一扫描信号；
一数据线，用来接收一数据信号；
一象素电极和一公共电极，它们设置在该选通线与该数据线交点附近的一个象素区域处以驱动一液晶盒；
一薄膜晶体管，用来响应该扫描信号以将该数据信号切换至该象素电极；和
一准直膜，整个涂敷于一衬底上，用以保护包括该选通线、该数据线、该象素电极和该公共电极的信号导线，并且用以确定液晶的主准直方向。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置，其中公共电极由与象素电极在同一层上的透明导电材料以不与象素电极交叠的形式形成。
6.如权利要求4所述的液晶显示装置，其中公共电极形成于与象素电极不同的层上。
7.如权利要求4所述的液晶显示装置，其中准直膜由聚酰亚胺树脂形成。
8.如权利要求7所述的液晶显示装置，其中聚酰亚胺树脂具有约3的介电常数和约
Figure A0210233900031
的厚度。
9.一种液晶显示装置的装配方法，包括：
在一衬底上形成一选通线和一薄膜晶体管的栅极；
整个涂敷一选通绝缘层；
形成该薄膜晶体管的半导体层；
形成一数据线和该薄膜晶体管的源极与漏极；
以一与该漏极接触的方式形成一象素电极；以及
形成一准直膜，该准直膜用来保护包括栅极、数据线、象素电极的信号导线和薄膜晶体管，并且用来确定液晶的主准直方向。
10.如权利要求9所述的方法，其中形成一准直膜包括：
印制一聚酰亚胺；
对该聚酰亚胺进行退火(annealing)；以及
摩擦该准直膜。
11.如权利要求10所述的方法，还包括：
将一电极信号加到薄膜晶体管上以确认该薄膜晶体管正常工作。
12.一种液晶显示装置的装配方法，包括：
在一衬底上形成一选通线、一薄膜晶体管的栅极和一公共电极；
涂敷一选通绝缘层；
形成该薄膜晶体管的半导体层；
形成一数据线和该薄膜晶体管的源极与漏极；
以一与该漏极接触的方式形成一象素电极；以及
形成一准直膜，该准直膜用来保护包括栅极、数据线、象素电极、公共电极的信号导线和薄膜晶体管，并且用来确定液晶的主准直方向。
13.如权利要求12所述的方法，其中形成一准直膜包括：
印制一聚酰亚胺；
对该聚酰亚胺同时进行烘烤和退火；以及
摩擦该准直膜。
14.如权利要求13所述的方法，还包括：
将一电极信号加到薄膜晶体管上以确认该薄膜晶体管正常工作。
15.一种液晶显示装置的装配方法，包括：
在一衬底上形成一选通线、一薄膜晶体管的栅极和一公共电极；
涂敷一选通绝缘层；
形成该薄膜晶体管的半导体层；
形成一数据线和源极与漏极；
以一与该漏极接触的方式形成一象素电极与一公共电极；以及
形成一准直膜，该准直膜用来保护包括栅极、数据线、象素电极、公共电极的信号导线和薄膜晶体管，并且用来确定液晶的主准直方向。
16.如权利要求15所述的方法，还包括：
同时形成象素电极和公共电极。
17.如权利要求15所述的方法，其中形成一准直膜包括：
印制一聚酰亚胺；
对该聚酰亚胺同时进行烘烤和退火；以及
摩擦该准直膜。
18.如权利要求17所述的方法，还包括：
将一电极信号加到薄膜晶体管上以确认该薄膜晶体管正常工作。
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