TW573155B

TW573155B - Liquid crystal display device and fabricating method thereof

Info

Publication number: TW573155B
Application number: TW90131924A
Authority: TW
Inventors: Yun-Bok Lee
Original assignee: Lg Philips Lcd Co Ltd
Priority date: 2001-03-26
Filing date: 2001-12-21
Publication date: 2004-01-21
Also published as: KR100857719B1; CN1299251C; US20020135722A1; JP2002365640A; CN1377020A; KR20020075625A; US7474372B2

Description

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【發明領域】本發明係論及一種液晶液晶顯示器及其製造方法，處理時間。【發明背景】顯示器，其可減少以及係特別論及一種單膜之數目和製造之一活性矩陣驅動车膜電晶體（TFT)做為交換梦之/曰顯_不器（LCD)，可使用薄 LCD能夠形成較現有布朗^ Λ顯不一自然之電影。由於在電腦監示器和膝上型電VV裝[彼等係普遍使用化設備中、和類似行動‘類似影印機等辦公室自動 -活性矩陣LCD可攜式設備中。像信號之畫面，复诵對應於類似電視信號等影資料線路之每…；=:具有一些安排在閘極線路與每一像辛係包括ΪΪ像素像素（或畫素）矩陣上面。吟瓦货、巴括一液晶晶格，i — 之資料信號的電壓位m 八了根據一來自一資料線路 # Φ ^ ^ -坚位丰，來控制一傳輸之光通量。一 =1 =極線路與資料線路之-交點處，藉以二資料作f卢交拖5外知旒（亦即，閘極脈波），將一

貝竹1。琥父換至該液晶晶格。 T 彼等LCD之運作，主要 . ^ ^ ^ miN) „ g Λ /Λ π, 換（IPS)模態，1 ψ往# Λ $罝冤％，和一冋相交液晶之帝p Μ _;、中係靶加—水平電場，而依據一驅動該 ί二向’使具有-寬廣的視角。電極Lr，係顯示一傳統式以模態lcd裝置之tft基質處的 ° ，以及第2圖係一沿第1圖中之A-A’線所載取之 573155 五、發明說明（2) TFT基質的剖面圖。誠如第1和2圖中所示，該LCD裝置係包括—設置在一閘極線路15與一資料線路13之交點處的τρτ，和一嗖置在路15與資料線路13之交點附近的像素區域内之該m係藉由在-基質！ G上面依序沉積—閘極電極、閘極絕緣薄膜1 4、活性層1 6、歐姆接觸層i 8、源極電極20和汲極電極22、保護性層24、像素電極26、和配列薄膜28而形成。其閘極電極12，係連接至其閘極線路^，以及其源極電極20，係連接至其資料線路丨3。泫TFT可將一來自資料線路丨3之資料信號，施加至該像素電極26，以及可施加一掃描脈波至該閘極電極12，藉以驅動一液晶晶格。該像素電極26，係形成於一部分之保護性層24和一部分之汲極電極22上面，該等部分係由一形成於該保護性層24内之接觸孔30暴露出。該像素電極26，係由一類似銦-錫-氧化物（ιτο)、銦-辞—氧化物（IZ〇)、或銦-錫-辞-氧化物（ITZO)等透明導電性材料所形成。該閘極絕緣薄膜1 4，係由一無機絕緣材料所形成，以及該保護性層24，係由一有機絕緣材料所形成。第3A至3G圖係顯示一製造第2圖中所示TFT之方法的步驟。誠如第3A圖中所示，該閘極電極12，係藉由使用一嘴鍍技術，在該透明基質1 0上面，沉積一金屬薄膜層，以及藉由石版印刷術和濕式蝕刻，使其圖樣化而形成。該閘極

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=2二係由一類似鋁(A1)、銅(Cu)、或鉻(cr)等金屬材 ===成，以及係使用（NH4)2S208水溶液，倣為其濕式餘刻所需之一蝕刻劑。誠如第3B圖中所示，該等閘極絕緣薄膜14、活性層 16、和歐姆接觸層18，係依序形成在該等透明基質1〇和間極電極12上面。該閘極絕緣薄膜14 ’係藉由一化學汽相沉積（CVD)技術，將一類似氮化矽以““或氧化矽（si〇x)等絕緣材料，沉積在該透明基質1〇上面而形成。一非晶矽 (a-j〇層和一摻雜有（n+ a_Si)摻雜物之非晶矽層，係依序 >儿積在其閘極絕緣薄膜丨4上面。該等活性層丨6和歐姆接觸層1 8，係藉由石版印刷術和乾式蝕刻，圖樣化該等i 和n+ a-Si之薄膜而形成。誠如第3C圖中所示，該等源極電極2〇和汲極電極22，係形成於該歐姆接觸層18上面。該等源極電極2〇、汲極電極22、和資料線路13，係藉由使用一喷鍍技術，以及接著使用石版印刷術和濕式蝕刻使其圖樣化，在該閘極絕緣薄膜14上面沉積一金屬層而形成，其方式係使覆蓋該歐姆接觸層18。該等源極電極2〇和汲極電極22，係由鉬（M〇)或一類似MoW、MoTa、或MoNb等鉬合金所形成，以及係使用一 (N Η 4) 2 S 2 0 8水溶液做為一餘刻劑。

Ik後’誠如第3D圖所示，上述曝露之歐姆接觸層Μ，係藉由使用該等源極電極2〇和汲極電極22做為一罩膜，而加以乾式#刻，藉以經由該等歐姆接觸層1 8、源極電極 20、和汲極電極22，曝露出該活性層1 6。

第6頁

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誠如第3E圖中所示，該保護性層24，係形成於部分之該等閘極絕緣薄膜1 4、源極電極2 〇、和汲極電極2 2上面。此保護性層24，係藉由沉積一絕緣材料，以及接著使其圖樣化而形成。上述之接觸孔3 〇，係形成於該保護性層2 4 内，以及可曝露出一部分之汲極電極22 ^該保護性層24，係由一類似氮化矽（Si Nx)或氧化矽（si 〇χ)等無機絕緣材料，或由一具有一小介電係數而類似一丙烯酸有機化合物、鐵弗龍、BCB (苯基環丁烯）、Cy t〇p或pFCB (全氟環丁烷）等有機絕緣材料來形成。

誠如第3F圖中所示，該像素電極26，係形成於該保護性層24和該汲極電極22為接觸孔3〇所曝露之部分上面。此像素電極26，係藉由沉積一透明導電性材料至該保護性層 24上面，以及接著圖樣化此材料而形成。該像素電極μ係由ΙΤ0、ΙΖ0或ΙΤΖ0所形成。此像素電極26，係經由上述之接觸孔30，與上述之汲極電極22成電氣接觸。

^ 誠如第3G圖中所示，該配列薄膜28，係形成於該等保痩性層24和像素電極26上面。在形成該配列薄膜28之前，係先對所有薄層執行一退火運作。此外，該TFT係藉由施加一電氣信號來加以測試，以確認該TFT在其啟通和啟之運作狀態中係功能正常。匕若其測試指示該TFT係功能正常，接著便使用一滾筒，壓印聚醯亞胺，而形成一小於丨〇〇〇 A之基本配列薄膜，以及隨後藉由磨擦此基本配列薄膜之表面，而述正常之配列薄獏2 8。

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五、發明說明（5) 第4圖係顯示一傳統式IPS模態LCD裝置之TFT基質處的電極安排，以及第5圖係此TFT基質沿第4圖中之B_B，線載取之一剖面圖。誠如第4和5圖中所示，此IPS模態LCD裝置，係包括— 設置在一閘極線路3 5和資料線路3 3之交點處的T F T，和一設置在該等閘極線路3 5和資料線路3 3之交點附近的一個像素區域處之像素電極46和共接電極44。該TFT係形成在一透明基質31上面，以及係包括一連接至閘極線路35之閘極電極32、一連接至資料線路33之源極電極、和一連接至像素電極46之汲極電極42。該荨閘極電極3 2、閘極線路3 5、和共接電極4 4，传葬由沉積-類似紹⑴）、銅（Cu)、或鉻⑹等^，至= =基質31上面，以及接著使其圖樣化而形成。此處、該此 3電極44，係在其像素晶格區域内，被圖樣化成一三線條其一由一類似氮電材料所製成之閘極閘極電極32.、和共接之活性層36，係沉積摻雜有n+離子之a-si 活性層36上面。該等極42、和資料線路33 等源極電極4〇和汲極隔一預定之凹槽寬度化矽（S i N X)或氧化矽（s 絕緣薄膜3 4，係沉積在電極44之表面上面。其在該閘極絕緣薄膜3 4上所形成的歐姆接觸層38 由一金屬形成之源極電 ’係沉積在該歐姆接觸電極42被圖樣化之方式。該像素電極46，係藉 i〇x)等無機介該等基質31、一由a - S i形成面’以及一由，係沉積在該極40、汲極電層3 8上面。該，係使彼此相由沉積IT0至

第8頁 573155 五、發明説明（6) 一部分之汲極電極42和閘極絕緣薄膜34上面，以及接著圖樣化此沉積之材料而形成。該像素電極46，係被圖樣化成一在該像素晶格區域内之二線條帶之形狀，而與該共接電極44相交$。隨後，其設置在該等源極電極4〇和汲極電極 42間之預定凹槽寬度所界定之空間内的歐姆接觸層38，將會被蝕刻，以曝露上述之活性層36。一由一具有小介電係數之無機絕緣材料或有機絕緣材料所形成之保護性層48，係使沉積在閘極絕緣薄膜34、活性層36、源極電極4〇、汲極電，42，和像素電極46之曝露表面上面。最後，其一配列薄膜5 0，係形成於該保護性薄膜4 8上面。在形成此配列薄膜50之前，先對所有薄層執行一退火運作此外’咸TFT係藉由施加一電氣信號來加以測試，以確，該TFT在其啟通和啟斷之運作&態中係功能正常。，$ ,測試指示該TFT係功能正常，#著便使用一滾 =’堅P聚酸亞胺，而形成一小於1〇〇〇 A之基本配列薄 :=及後藉由磨擦此基本配列薄膜之表面，而形成上遮正常之配列薄膜5 〇。似來ί:雖H傳統式TN或叫模態LCD裝置時’其類此f盆·制、L性薄膜等罩膜程序之數目，將會變得過量。因 LCD步、/\造所需之長處理時間，係該傳統式TN*IPS模態裝置之一項缺點。【發明概要】法，本發明係指向-液晶顯示器和一種其之製造方八可大幅排除其相關技藝之限制和缺點所致一或多之

$ 9頁 573155 五、發明說明（7) 問題。本發明之一目的，旨在接之製造方法，#中係塗附一具：：種f晶顯示器和-種其兩種功能之聚醯亞胺樹脂，^ :濩性層和-配列薄膜程。精U簡化液晶裝置之製造流本發明額外之優點、Β μ i 、來之說明，以及部份可於檢視；特徵，將部份列舉於接下本發明而習得。本發明之而臻…或可由實施而得以實圍加上所附諸圖所特別指出之結構，的，：；ί 2:;他優點，以及依據本發明之s 晶顯示器裝置係“ ：用本發明之-特徵的液閉極線路與資信號之資料線路卜設置在該等極之薄膜信號而•資料信號交換進此像素電料線路和像素形成於其至少一部分閘極線路、資列薄膜。”。面以決定一液晶之基本配列方向的配收線路間之交點$ 、、、，一 5又在該等閘極線路與資料電極和共接ΐ:，象素區域ί以驅動-液晶晶袼的像素 ° 可嚮應該掃描信號而將資料信號交換包括：：可：：：*其一根據本發明之液晶顯示器裝置係資料信描信號之間極線路，·-可用以接。之貝科線路；一設置在該等開極線路與資料第10頁 573155 五、發明說明（8) 進此像素電極之薄膜電晶體；—… 以保護彼等包括閘極線路、資::完全塗附在一基質上面極之信號接線並決定一液晶之其:路、像素電極和共接電 f二：一特徵中’其-根據：發明之J : ί :配列薄膜。衣仏方法所包括之步騾有··在_ 液日日顯示器裝置的和一薄膜電晶體之閘極電極；6f 士面形成一閘極線路形成該薄膜電晶體之一半導體=王/塗附一閘極絕緣層；膜電晶體之源極和汲極電極；1=成一貧料線路和該薄使其與該汲極電極相接觸；以及：f素電椏，其方式係線並決定一液晶之其，’、電極和清膜電晶體之信號拯及B曰之基本配列方向的配列。 U接 ^ 特徵中，其一根據本發明之液:gg 製造方法所包括之步驟有：在顯示器裝置的路、-薄膜電晶體之開極電極、；閉極線，路和該薄膜電晶體之源極和汲極電：:成-資料係使其與該汲極電極相接觸；2二電極和薄膜電晶體京電極、共接電的配列薄膜。“接線並決定-液晶之基本配列方向在另特徵中’其一根據本發明之液Θ龜一製造方法所包括之步液日日Μ員不器裝置的路、-薄膜電晶體之間極電極、二共極：極絕緣層；形成該薄膜電晶體之一半導體層；形成第11頁 573155 五、發明說明（9) 線路和該薄臈電晶縣夕％和-共接電極，電極；形成-像素電極及形成-可用以保後彼a專與該汲極電極相接觸；以電極、共接電極和薄膜ί2閉極線路、資料線路、像素基本配列方向的體之信號接線並決定-液晶之般性之說明和以下之詳細說以及係意在對申請專利範圍所步之說明。理應瞭解的是，以上明’係屬例示性和說明性請求之本發明，提供更進【發明詳細說明】示哭J :根據本發明之第-實施例_模能LC] C-C’線所截取的m基f之剖面圖&第7圖係-沿第6圖之誠如第6和7圖中所示，此ΙΓ驻，極線路65與一資料線路63間之交裝點置處係的在-在此寺閘極線路65與資料線路63之 ’和-設置之像素電極7 6。 ”附近的像素區域處該TFT係藉由在一基質 62、閘極絕緣薄膜64、活性層66、歐姆序接:積:閘極電極極70、汲極電極72、像辛姆接觸層68、源極電閉極電極62,係連接至線，係連接至其資料線路63 /路65 ’以及其源極電極 5亥TFT可將一來自盆咨jh > / „76， 62，藉以驅動一液晶晶袼。：：=’施加至其開極電極格其像素電極76,係由一類似 573155 五、發明說明（10) 1 το、I ZO或I TZO所舉為例之透明導電性材料所形成。其閘極絕緣薄膜6 4，係由一無機絕緣材料形成，以及其配列薄膜7 8 ’係由一聚醯亞胺樹脂形成。第8A至8F圖係顯示一可用以製造第7圖中所示之TFT的方法之步驟。誠如第8A圖中所示，該閘極電極62，係藉由使用一喷鏡技術儿積一金屬薄膜層至該透明基質6 〇上面，以及藉由石版印刷術和濕式蝕刻使其圖樣化，形成在此透明基質 60上面：該閘極電極62，係由一類似鋁（A1)、銅（Cu)、或鉻（Cr)等所舉為例之金屬材料所形成，以及係使用一 (NH4) 2S208水溶液，做為其濕式蝕刻所需之一蝕刻劑。誠如第8B圖中所示，該等閘極絕緣薄膜64、活性層 66、和歐姆接觸層68，係依序形成在該等透明基質6〇和閘極電極62上面。該閘極絕緣薄膜64，係藉由將一類似氮化矽（SiNx)或氧化矽（Si〇x)等絕緣材料，沉積在該透明基質 60上面而形成。一非晶矽（a-Si)層與一摻雜有（n+ a-si) 摻雜物之非晶矽層，係藉由一所舉為例之CVD技術，依序沉積在其閘極絕緣薄膜64上面。該等活性層66和歐姆接觸層68，係藉由石版印刷術和乾式蝕刻，圖樣化該等a — si和 n+ a-Si之薄膜而形成。 ^ /誠如第8C圖中所示，該等源極電極7〇和汲極電極了2，係形成於該歐姆接觸層68上面。該等源極電極7〇、汲極電極72和資料線路63，係藉由使用一喷鍍技術，以及接著使用石版印刷術和濕式蝕刻使其圖樣化，在該閘極絕緣薄

573155 五、發明說明（11) 一膜64上面，沉積一金屬層而形成，其方式係使覆蓋該歐姆接觸層68。該等源極電極7〇和汲極電極72，係由鉬（M〇)或一類似MoW、MoTa、或M〇Nb等鉬合金所形成，以及係使用一（NH4)2S208水溶液做為一飯刻劑。誠如第8D圖中所示，該像素電極76，係藉由沉積一類似IT0、IZ0或ITZ0所舉為例之透明導電性材料，至一部分之閘極絕緣薄膜64和該汲極電極72上面而形成。刀誠如第8E圖所示，上述曝露之歐姆接觸層68，係藉由使用該等源極電極70和汲極電極72做為一罩膜，而加以乾式蝕刻，藉以經由該等歐姆接觸層6 8、源極電極7 〇、和汲極電極7 2，曝露出該活性層6 6。誠如第8F圖中所示，該配列薄膜78，係形成於部分之閘極絕緣薄膜64、活性層66、源極電極70、汲極電極72和像素電極76上面。在形成該配列薄膜78之前，係先對所有薄層執行一退火運作。此外，該TFT係藉由施加一電氣俨號來加以測試，以確認該TFT在其啟通和啟斷之運作狀^ 中係功能正常。 ^ 若其測試指示該TFT係功能正常，接著便使用一穿筒，壓印聚醯亞胺樹脂，用做其相關技藝中之保護性層24 和配列薄膜28，而形成一小於1〇〇〇 A之基本配列薄膜:以及隨後藉由磨擦此基本配列薄膜之表面，而形成上述正常之配列薄膜7 8。第9圖係顯示一根據本發明之第二實施例的Ips模離 LCD顯示器之TFT基質處的電極安排，以及第1〇圖係」ς 第

573155 五、發明說明（12) 9圖之D-D，線所截取的TFT基質之剖面圖。一和U圖中所示，此1PS模態LCD裝置，係包括 T 1? ΐ 一閘極線路85和資料線路83之交點附近的TFT。此外，其一像素電極96和一共接電極1〇〇，係設置在一像素區域内’且在該等間極線路85和f料線路Μ之交點附近。該TFT係形成在一透明基㈣上面，以及係包括_連接^極線路85之_電極82、—連接至資料線路83之源極電極90、和一連接至像素電極96之汲極電極92。

其閘極電極82，係藉由沉積一類似紹⑴）、銅（Cu)、或絡（cr)等所舉為例之金屬，至該透明基質8〇上面，以及接者使其圖樣化而形成。其一由一類似氮化矽（SiNx)或氧

=相心）等所舉為例之無機介電材料所形成之閘極絕緣溥膜84，係沉積在該等透明基質8〇和閘極電極82上面。其一由al!形成之活性層86，和一由—摻雜有n+離子之a_si 所形成的，姆接觸層88，係依序沉積在其閘極絕緣薄膜84 上面。該等由某種金屬製成之源極電極9〇、汲極電極92、和資料線路83，係設置在其歐姆接觸層⑽上面。該等源極，極90和沒極電極92被圖樣化之方式，係使彼此相隔一預疋之凹槽寬度。該像素電極96，係藉由沉積IT〇至該等汲極電極92和閘極絕緣薄膜84上面，以及接著圏樣化此沉積物之材料而形成。其共接電極1〇〇 ,係被圖樣化成一在該像素晶格區域内之一線條帶之形狀。在此一情況中，該像素電極9 6，係連接至其汲極電極9 2，以及係被圖樣化成一

573155 五、發明說明（13) 在該像素晶格區域内之一線條帶之形狀，其方式係與其共接電極1 0 0相交替。第11 A至11 F圖係顯示一可用以製造第1 〇圖中所示之 TFT的方法之步驟。誠如第1 1A圖中所示，該閘極電極8 2，係藉由使用一噴鍍技術，在該透明基質8 0上面，沉積一金屬薄膜層，以及藉由石版印刷術及接著濕式蝕刻，使其圖樣化而形成。該閘極電極8 2，係由一類似鋁（A 1)、銅（C u )、或鉻（c r )等金屬材料所形成，以及係使用一（NH4)2S208水溶液，做為其濕式钮刻所需之一#刻劑。誠如第11B圖中所示，該等閘極絕緣薄膜84、活性層 8 6、和歐姆接觸層8 8，係依序形成在該等透明基質8 〇和閘極電極82上面。該閘極絕緣薄膜84，係藉由將一類似氮化矽（Si Nx)或氧化矽（Si Ox)等絕緣材料，沉積在該透明基質 80上面而形成。其一非晶矽（a —Si)層和一摻雜有（n + a-Si)摻雜物之非晶矽層，係藉由一CVD技術，依序沉積在其閘極絕緣薄膜8 4上面。該等活性層8 6和歐姆接觸層8 8，係藉由使用石版印刷術及接著乾式蝕刻，圖樣化該等a_Si 和n + a - S i之薄膜而形成。誠如第11C圖中所示，該等源極電極9 〇和汲極電極 9 2 ’係形成於該歐姆接觸層8 8上面。該等源極電極9 〇、汲極電極92、和資料線路83，係藉由使用一喷鍍技術，以及使用石版印刷術及接著濕式蝕刻使其圖樣化，在該閘極絕緣薄膜84上面，沉積一金屬層而形成，其方式係使覆蓋該

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五、發明說明（14) 歐姆接觸層88。該等源極電極90和汲極電極92，係由翻 (Mo)或一類似MoW、MoTa、或MoNb等所舉為例之鉬合金所形成，以及係使用一（NH4)2S208水溶液做為一蝕刻"劑。誠如第11D圖所示，該等像素電極96和共接電極1〇〇，係形成於該等閘極絕緣薄膜8 4和汲極電極9 2上面。該等像素電極96和共接電極1〇〇，係由一類似IT〇、IZ〇或所舉為例之透明導電性材料所形成。該共接電極1 〇〇，最好係與該像素電極9 6相隔一段固定之距離。誠如第11Ε圖所示，上述曝露之歐姆接觸層88，係藉由使用該等源極電極90和汲極電極92做為一罩膜，而加以乾式姓刻，藉以經由該等源極電極9 〇和沒極電極g 2，曝露出該活性層8 6。本誠如第11F圖中所示，該配列薄膜98，係沉積在該等閘極絕緣薄膜84、活性層86、源極電極90、汲極電極92、像素電極96、和共接電極1〇〇之曝露表面上面。在形成該配列薄膜98之前，係先對所有薄層執行一退火運作。此外，該TFT係藉由施加一電氣信號來加以測試，以確認該TFT在其啟通和啟斷之運作狀態中係功能正常。右其測试指示該TFT係功能正常，接著便使用一滾筒，壓印聚醯亞胺樹脂，用做其相關技藝中之保護性層48 和配列薄膜5 0，而形成一小於1 〇〇〇 a之基本配列薄膜，以及隨後藉由磨擦此基本配列薄膜之表面，而形成該配列薄膜98。第12圖係顯示一根據本發明之第三實施例的丨ps模態

573155 五、發明說明（15) LCD顯示器之TFT基質處的電極安排，以及第丨3圖係一沿圖之E-E’線所截取的TFT基質之剖面圖。誠如第12和13圖中所示，此IPS模態LCD裝置，係包括一設置在一閘極線路11 5和資料線路丨丨3之交點附近的匕 TFT。此外，其一像素電極126和一共接電極，係設置在一像素區域内，且在該等閘極線路丨丨5和資料線路^3之交點附近。該TFT係形成在一透明基質11〇上面，以及係包括一連接至閘極線路11 5之閘極電極11 2、一連接至資料線路丨丄3 之源極電極1 2 0、和一連接至像素電極丨2 6之汲極電極 122 〇 ^ 該等閘極電極112閘極線路115、和共接電極124，係藉由沉積一類似鋁（Α1)、銅（Cu)、或鉻（Cr)等所舉為例之金屬，至該透明基質11 〇上面，以及接著使其圖樣化而形成。其共接電極124，最好係在其像素晶格區域内，被圖樣化成一三線條帶之形狀。其一由一類似氮化矽（SiNx)或氧化矽（Si〇x)等所舉為例之無機介電材料所形成之閘極絕緣薄膜114，係沉積在該等透明基質1 1 〇、閘極電極丨丨2、和共接電極丨24上面。其一由a-Si形成之活性層116，和一由一摻雜有n+離子之所形成的歐姆接觸層118，係依序沉積在其閘極絕緣薄膜114上面。該等各由某種金屬形成之源極電極12〇、汲極電極122^、和資料線路113，係設置在該歐姆接觸層ιΐ8 上面。該等源極電極12〇和汲極電極122被圖樣化之方式，

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五、發明說明（16) 係使彼此相隔一預定之凹槽寬度。其像素電極丨26，係藉由沉積I TO至該等汲極電極1 2 2和閘極絕緣薄膜丨丨4上面，以及接著使其圖樣化而形成。在此一情況中，其像素電極 126，係連接至其汲極電極122，以及最好係被圖樣化成一在該像素晶格區域内之二線條帶之形狀，其方式係與其共接電極124相交替。隨後，其設置在該等源極電極12〇與^ 極電極122間之歐姆接觸層118，係加以蝕刻以曝露該^性層116。其配列薄膜128，係形成在該等基質11〇、活性層 116 ^姆接觸層11 8、源極電極1 2 0、沒極電極1 2 2、和像

素電極126之曝露部分上面。第14A至14F圖係顯示一可用以製造第13圖中所示之 TFT的方法之步驟。

誠如第1 4A圖中所示，該等閘極電極丨丨2和共接電極 1 2 4 ’係藉由使用一噴鍍技術，在該透明基質丨丨〇上面，沉積一金屬薄膜層，以及藉由石版印刷術及接著濕式蝕刻，使其圖樣化而形成。該等閘極電極11 2和共接電極1 2 4，係由一類似鋁（A 1)、銅（Cu )、或鉻（C r)等所舉為例之金屬材料所形成，以及係使用一（NH4)2S208水溶液，做為其濕式蝕刻所需之一蝕刻劑。該共接電極124，可交替地由一ιτο 薄膜形成，藉以增進一孔徑比。誠如第1 4B圖中所示，該等閘極絕緣薄膜1丨4、活性層 116、和歐姆接觸層118，係依序形成在該等透明基質 11 0、閘極電極11 2、和共接電極1 2 4上面。該閘極絕緣薄膜114 ’係藉由將一類似氮化；ε夕（s i NX)或氧化石夕（s i 〇χ)等

第19頁 573155 ~五、發明說明（17) — --— --- :舉為例之絕緣材料，沉積在該透明基質丄i 〇上面而形 :其一非晶矽U-Si)層和一摻雜有（n+ a_Si)摻雜物之丄：係藉由—CVD技術’依序沉積在其閘極絕緣薄田上面。該等活性層116和歐姆接觸層i丨8，係藉由用石版印刷術及接著乾式蝕刻，圖樣化該等a_si和0+ a-Si之薄膜而形成。誠如第14C圖中所示，該等源極電極12〇和汲極電極，係形成於該歐姆接觸層118上面。該等源極電極 1 20、汲極電極122、和資料線路113，係藉由使用一喷鍍技術，以及使用石版印刷術及接著濕式蝕刻使其圖樣化，在該閘極絕緣薄膜11 4上面，沉積一金屬層而形成，其方式係使覆蓋該歐姆接觸層118。該等源極電極12〇和汲極電極122，係由鉬（Mo)或一類似MoW、M〇Ta、或MoNb等所舉為例之鉬合金所形成，以及係使用一（NH4)2S2〇8a溶液做一钱刻劑。 … 誠如第1 4D圖所示，其像素電極丨2 6，係由將一類似 HO、IZ0或ITZ0所舉為例之透明導電性材料，沉積至該等閘極絕緣薄膜11 4和汲極電極1 22之曝露部分而形成。誠如第1 4E圖所示，上述曝露之歐姆接觸層丨1 8，係藉由使用該等源極電極120和汲極電極122做為一罩膜，而加以乾式蝕刻，藉以經由該等歐姆接觸層118、源極電極12〇和汲極電極1 2 2，曝露出該活性層1 1 6。誠如第1 4F圖中所示，該配列薄膜1 28，係沉積在該等基質11 0、活性層11 6、歐姆接觸層11 8、閘極絕緣薄膜

第20頁 573155 五、發明說明（18) 1 1 4、活性層11 6、源極電極1 2 0、汲極電極1 2 2、和像素電極126之曝露表面上面。在形成該配列薄膜128之前，係先對所有薄層執行一退火運作。此外，該TFT係藉由施加一電氣《a 5虎來加以測试’以綠認該T F T在其啟通和啟斷之運作狀態中係功能正常。測試指示聚醯亞胺膜50，而藉由磨擦薄膜1 2 8 數，和一明之製造一保護性 >及極電極序中，完和一配列少其罩膜和製造成藝之專業製造方法成各種之明之修飾之界定範若其筒，壓印和配列薄以及隨後常之配列之介電係本發構中形成專源極和基質之程保護性層包括可減處理時間本技示器和其圍内，做涵蓋本發專利範圍

該TFT係功能正常，接著便使用一滾樹脂，用做其相關技藝中之保護性層4 8 塗附成一小於1 0 0 0 A之基本配列薄膜，此基本配列薄膜之表面，而形成上述正 3該聚酿亞胺樹脂，可具有一大約3左右大約5 0 0至7 0 0 A所舉為例之厚度。方法，省略了上述傳統式五罩膜1(^結層之步驟。其像素電極係被圖樣化在該上面，以及係接著在經由其配列形成其全地沉積一聚醯亞胺樹脂，藉以具有一薄膜之兩種功能。因此，本發明之優點數目，加上可降低其液晶顯示器製造之〇

人員將可輕易理解，在本發明之液晶顯中，可在不違離本發明之精神或界定範修飾體和變更形式。因此，本發明意在體和變更形式，只要彼等係在所附申請圍和彼等之等價體内。

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【圖式簡單說明】並谨ί I ί提供本發明更進—步之瞭解而納入及被合併進 ^ 5明書之一部分的伴隨繪圖，係例示本發明之實 %例^以及與其說明一起用以解釋本發明之原理。第1圖係一可顯不一傳統式TN模態液晶顯示器之TFT基貝上面的電極安排之平面圖；第2圖係一沿第i圖之A-A，線所載取的7][^基質之剖面圖；第3A至3G圖係一些可顯示一可用以製造第2圖中所示之TFT的方法之步驟的剖面圖；第4圖係一可顯示一俸統sIPS模態液晶顯示器之以丁基質上面的電極安排之平面圖；第5圖係一沿第4圖之B-B，線所截取的TFT基質之剖面圖；第6圖係一可顯示一根據本發明之第一實施例的TN模態液晶顯示器之TFT基質上面的電極安排之平面圖；第7圖係一沿第6圖之C-C，線所截取的TFT基質之剖面圖；第8A至8F圖係一些可顯示一可用以製造第7圖中所示之TFT的方法之步驟的剖面圖；第9圖係一可顯示一根據本發明之第二實施例的I ps模態液晶顯示器之TFT基質上面的電極安排之平面圖；第10圖係一沿第9圖之D-D’線所截取的TFT基質之剖面

第22頁 573155 圖式簡單說明 ' "------- 第 1 1 A 至 1 1 F 圖係一 4b 可顯；—ra ^ 1 Π S3 一 J顯不一可用以製造第10圖中所示之TFT的方法之步驟的剖面圖；第12圖一可顯示一根據本發明之第三實施例的ips模恕液b曰顯示器之TFT基質上面的電極安排之平面圖；第1 3圖一沿第1 2圖之E-E’線所戴取的TFt基質之剖面圖；而第14A至14F圖則係一些可顯示一可用以製造第13圖中所示之TFT的方法之步驟的剖面圖。【圖式編號說明】 10 基質 12 閘極電極 13 資料線路 14 閘極絕緣薄膜 15 閘極線路 16 活性層 18 歐姆接觸層 20 源極電極 22 汲極電極 24 保護性層 26 像素電極 28 配列薄膜 30 接觸孔 31 透明基質

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第24頁圖式簡單說明 3 2 閘極電極 33 資料線路 34 閘極絕緣薄膜 35 閘極線路 36 活性層 38 歐姆接觸層 40 源極電極 42 汲極電極 44 共接電極 46 像素電極 48 保護性層 50 配列薄膜 60 ' 基質 62 閘極電極 63 資料線路 64 閘極絕緣薄膜 65 閘極線路 66 活性層 68 歐姆接觸層 70 源極電極 72 汲極電極 76 像素電極 78 配列薄膜 80 透明基質 573155 圖式簡單說明 82 閘極電極 83 資料線路 84 閘極絕緣薄膜 85 閘極線路 86 活性層 88 歐姆接觸層 90 源極電極 92 $及極電極 96 像素電極 98 配列薄膜 100 共接電極 110 透明基質 112 閘極電極 113 資料線路 114 閘極絕緣薄膜 115 閘極線路 116 活性層 118 歐姆接觸層 120 源極電極 122 汲極電極 124 共接電極 126 像素電極 128 配列薄膜

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Claims

573155 案號 90131924 年月曰修正六、申請專利範圍資料線路、像素電極和共接電極之信號接線並決定一液晶之基本配列方向的配列薄膜。 5 .如申請專利範圍第4項之液晶顯示器，其中之共接電極，係以一透明導電性材料，形成在其與像素電極相同之薄層處，而不覆蓋其像素電極。 6 .如申請專利範圍第4項之液晶顯示器，其中之共接電極，係形成在一不同於其像素電極之薄層處。 7. 如申請專利範圍第4項之液晶顯示器，其中之配列薄膜，係由一聚si亞胺樹脂形成。

8. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示器，其中之聚醯亞胺樹脂，係具有3之介電係數，和5 0 0至7 0 0 A之厚度。 9. 一種液晶顯示器之製造方法，其包括：在一基質上面形成一閘極線路和一薄膜電晶體之閘極電極；完全地塗附一閘極絕緣層；形成該薄膜電晶體之一半導體層；

形成一資料線路和該薄膜電晶體之源極和沒極電極，形成一像素電極，其方式係使其與該汲極電極相接觸；以及形成一可用以保護彼等包括閘極線路、資料線路、像素電極和薄膜電晶體之信號接線並決定一液晶之基本配列方向的配列薄膜。 1 〇.如申請專利範圍第9項之方法，其中形成一配列薄膜

第27頁 573155 _案號90131924_年月曰修正_ 六、申請專利範圍係包括：影印一聚醯亞胺樹脂；使此聚醯亞胺樹脂退火；以及磨擦其基本配列薄膜。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中進一步包括：施加一電氣信號至其薄膜電晶體以確認此薄膜電晶體係功能正常。 12. —種液晶顯示器之製造方法，其包括：

在一基質上面形成一閘極線路、一薄膜電晶體之閘極電極、和一共接電極；塗附一閘極絕緣層；形成該薄膜電晶體之一半導體層；形成一資料線路和該薄膜電晶體之源極和汲極電極；形成一像素電極，其方式係使其與該汲極電極相接觸；以及形成一可用以保護彼等包括閘極線路、資料線路、像素電極、共接電極和薄膜電晶體之信號接線並決定一液晶之基本配列方向的配列薄膜。

1 3.如申請專利範圍第1 2項之方法，其中形成一配列薄膜係包括：影印一聚龜亞胺樹脂；同時地使此聚醯亞胺樹脂烘烤及退火；以及磨擦其基本配列薄膜。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之方法，其中進一步包括：

第28頁 573155 _案號90131924_年月日修正_ 六、申請專利範圍施加一電氣信號至其薄膜電晶體以確認此薄膜電晶體係功能正常。 15. —種液晶顯示器之製造方法，其包括：在一基質上面形成一閘極線路、一薄膜電晶體之閘極電極、和一共接電極；塗附一閘極絕緣層；形成該薄膜電晶體之一半導體層；形成一資料線路和彼等源極和汲極電極；

形成一像素電極和一共接電極，其方式係使其與該汲極電極相接觸；以及形成一可用以保護彼等包括閘極線路、資料線路、像素電極、共接電極和薄膜電晶體之信號接線並決定一液晶之基本配列方向的配列薄膜。 16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中進一步包括：同時地形成該等像素電極和共接電極。 1 7.如申請專利範圍第1 5項之方法，其中形成一配列薄膜係包括：影印一聚醯亞胺樹脂；

同時地使此聚醯亞胺樹脂退火；以及磨擦其基本配列薄膜。 1 8.如申請專利範圍第1 7項之方法，其中進一步包括：施加一電氣信號至其薄膜電晶體以確認此薄膜電晶體係功能正常。

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