CN1276467C - 对中机构、对中装置、半导体制造装置及对中方法 - Google Patents

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Abstract

一种对中装置，包括：平板(232)、支撑体(233)、对中机构(234)、连杆机构(234C)及气缸机构(234D)。平板(232)将框体(231)内划分为上下。支撑体(233)被配置在平板(232)上的大致中央。对中机构(234)每次接受支撑体(233)上的一片晶片W并进行对中。对中机构(234)的对中板(232)被配置在支撑体(233)的两侧，并且具有适合晶片W的外周面的接合面(234E、234F)。连杆机构(234C)和气缸机构(234D)可使对中板(234A)间隔扩大和缩小。

Description

对中机构、对中装置、半导体制造装置及对中方法
技术领域
本发明涉及对中机构、对中装置、半导体制造装置及对中方法。本发明涉及例如在自动运送装置和半导体制造装置之间，用于可靠地移送被处理体的对中机构、配有对中机构的对中装置、半导体制造装置和对中方法。
背景技术
例如，在半导体器件的检测工序中，探针器(prober)作为形成在半导体晶片(以下简记为‘晶片’)上的集成电路(以下记为‘器件’)的检测装置被广泛使用。探针器通常配有装载室和探针器室。加载室包括装载部、晶片运送机构和预对准机构。装载部装载容纳了多片(例如25片)晶片的运载器。晶片运送机构(以下记为‘臂机构’)从运载器每次运送一片晶片。预对准机构(以下记为‘副卡盘’)对通过臂机构运送的晶片进行预对准。
探针器室是用于检测处于晶片状态下的器件的电特性的区域，探针器室包括装载台(以下记为‘主卡盘’)、对准机构、探针板及测试头。装载台装载晶片，在X、Y、Z及θ方向上移动。对准机构与主卡盘进行合作，将晶片相对于探针板进行对准。探针板配置在主卡盘的上方，测试头被配置在探针板和测试器之间，将两者电连接。
在检测晶片上的器件的电特性时，操作者以批为单位将容纳了多片晶片的运载器，装载在加载室的运载器装载部中。如果探针器被驱动，则臂机构每次取出运载器内的一片晶片，预对准机构进行预对准，臂机构将晶片移送到探针器室内的主卡盘上。
在加载室中，主卡盘和对准机构进行晶片的对准。主卡盘将对准后的晶片进行分度(index)传送。每当晶片被分度传送时，探针板的探针与晶片上的各器件的电极进行电接触，测试器对各器件的预定电特性进行检测。在晶片检测后，加载室的臂机构接受主卡盘上的晶片，并将其返回到运载器内的原来的地方。通过重复进行以上的工序，可实施对下一个晶片的检测。如果检测了运载器内的所有晶片，则操作者将该运载器与下一个运载器进行移送，检测在新的运载器内的晶片上形成的器件的电特性。
但是，在晶片的尺寸例如为300mm时，容纳多片晶片的运载器变得非常重。因此，操作者几乎不可能搬运运载器。此外，即使可进行搬运，单人搬运该重物也有危险。该问题不限于探针器，在半导体制造装置等对晶片状基板进行处理的装置中都存在这种问题。
(日本)特开平10-303270号公报提出了以下运送方法：自动运送车(以下记为‘AGV’)运送运载器，在AGV和工序设备之间可以按运载器为单位来移送同一批的晶片。
随着晶片大尺寸化、超微细加工的进展，使处理一片晶片所需要的时间加长。因此，以运载器为单位来处理晶片的方法将处理后的晶片在其装置内长时间地移送停留放置，生产效率下降。因此，例如，提出了以下单片方式：半导体制造装置对自动运送车在与半导体制造装置之间每次移送的晶片进行处理。该单片方式可以提高生产效率。但是，在该方式中，如果自动运送车和半导体制造装置间移送晶片的位置精度差，则存在不能正确地移送晶片的课题。此外，在采用单片方式时，可能混杂不同尺寸的晶片，需要构筑具有通用性的自动运送系统。
发明内容
本发明用于解决上述课题。本发明的目的在于提供可以在AGV和半导体制造装置之间可靠地移送被处理体的对中机构、对中装置、半导体制造装置及对中方法。
本发明的其他目的和优点记载于以下的说明书中，其一部分从该公开中不言自明，或通过执行本发明可获得。本发明的目的及优点可通过与这里特别指出的部件进行组合来实现。
根据本发明的第1方案，提供一种对中机构，对被处理体进行对中，其具有：
用于装载被处理体的支撑体；
配置在所述支撑体的两侧并且有适合所述被处理体的外周面的接合面的至少一个对中板；以及
使这些对中板相对于被处理体进行移动的驱动机构。
按照本发明的第2方案，提供具有依据上述第1方案的对中机构、以及容纳多个被处理体的容纳部的对中装置。
根据本发明的第3方案，提供一种半导体制造装置，包括：用于装载被处理体的装载台；以及对该装载台上装载的被处理体进行预定处理的处理机构；该半导体制造装置包括：
用于将被处理体进行对中的对中机构；以及
在该对中机构和装载台之间运送所述被处理体的运送结构；
其中，对中机构包括：
用于装载被处理体的支撑体；
配置在所述支撑体的两侧并且有适合所述被处理体的外周面的接合面的至少一个对中板；以及
用于使这些对中板的至少一个相对于被处理体进行移动的驱动机构。
根据本发明的第4方案，提供一种对被处理体在支撑体上进行对中的方法，该方法包括：
将被处理体装载在支撑体上；
使配置在所述支撑体的两侧并且有适合所述被处理体的外周面的接合面的至少一个对中板向该被处理体移动；
使该对中板的接合面与被处理体的外周面接触；
通过该对中板的接合面，按压被处理体的外周面，通过使被处理体移动，将该被处理体配置在中心位置上。
根据上述第1、第2、第3和第4方案提供的对中机构、对中装置、半导体制造装置和对中方法最好是包括下述(1)至(6)的其中一个、或将多个进行组合。
(1)用于使上述支撑体进行升降的升降机构。
(2)所述对中板是一对对中板，所述驱动机构通过使一对对中板的至少一个进行移动，从而将它们的间隔扩大和缩小。
(3)所述对中板上形成的接合面(接合面的形状为了对应不同大小的多种被处理体，与所述不同大小的被处理体的各个外周面相适应，这些接合面形成为多层)。
(4)驱动机构，包括：连接到支撑所述各对中板的至少一个轴(234B)上的连杆机构(234C)；以及连接到该连杆机构的气缸机构(234D)。
(5)具有容纳大小不同的多种被处理体的容纳部。
(6)使所述被处理体在自动运送装置和支撑体之间移送的机构。
附图说明
附图与说明书的一部分相结合并且构成其一部分，用于图示本发明的优选实施例。而且，根据上述一般论述和以下论述的有关优选实施例的详细说明，该附图有助于本发明的说明。
图1A是表示本发明中使用的被处理体的运送系统一例的示意图，图1B是表示AGV结构的示意图。
图2是表示探针器室和AGV之间的晶片移送状态的示意平面图。
图3A是表示本发明的对中装置的一实施例的正面图，图3B是表示AGV的晶片接受动作的主要部分的侧面图，图3C是表示支撑体233的腰部的平面图。
图4表示在图3所示的晶片容纳部中临时堆积的晶片的状态。
具体实施方式
本发明的被处理体的对中机构、对中装置、对中方法不限于半导体制造装置，也可以适用于对被处理体进行必要的对中的任何装置。这里，从更具体地说明本发明的观点来看，说明在检测晶片上形成的器件的电特性的探针装置中采用的对中机构等。因此，本发明不限于探针装置。
以下，根据图1～图4来说明本发明的实施例。说明可以应用于本发明的对中装置和半导体制造装置的被处理体的运送系统。该运送系统(Automated material handling system(AMHS))E如图1A、1B所示，可以包括：主计算机1；多个检测装置(例如探针器)2；多个自动运送装置(以下记为‘AGV’)3；以及运送控制装置(以下记为‘AGV控制器’)4。主计算机1对包含晶片检测工序的工厂整体进行生产管理。各探针器2在该主计算机1的管理下检测晶片的电特性。各AGV3抓住各探针器2请求的不同尺寸的多种晶片并且每次将一片晶片自动运送到探针器中。AGV控制器4对多个AGV3进行控制。探针器2和AGV3例如具有基于SEM1规格E23和E84并且被光耦合的并行I/O(以下记为‘PIO’)通信接口。在探针器2和AGV3两者间，在PIO通信下，将晶片每次移送一片。该探针器2可构成为单片式探针器2的结构，以便以片为单位每次接受一片晶片W，对该晶片W进行检测。以下，将单片式探针器2简称为探针器2。AGV控制器4由主计算机1和SECS(半导体设备通信标准：Semiconductor EquipmentCommunication Standard)通信线路来连接。AGV控制器4在主计算机1的管理下通过无线通信对AGV3进行控制，同时能够以批为单位来管理晶片W。再有，运送系统中的自动运送装置也可以采用RGV来取代AGV3。运送系统的自动运送车除了AGV3、RGV以外还可以配有OHT等。OHT可以沿桥式轨道运送晶片。
如图1所示，多个探针器2通过组控制器5和SECS通信线路被连接到主计算机1。主计算机1通过对组控制器5进行控制，来管理多个探针器2。组控制器5对有关探针器2的处理方法数据和记录数据等检测的信息进行管理。各个探针器2分别通过SECS通信线路被连接到各个测试器6。各探针器2根据来自各个测试器6的指令来执行预定的检测。这些测试器6通过主计算机(以下记为‘测试器主计算机’)7和SECS通信线路被连接到主计算机1。主计算机1通过对测试器主计算机7进行控制，对多个测试器6进行管理。打印装置8通过打印指示装置9被连接到主计算机1。打印装置8根据晶片的检测结果，在晶片上进行预定的打印。打印指示装置9根据测试器主计算机7的数据对打印装置8指示进行打印。保管多个运载器C的储料器10通过SECS通信线路被连接到主计算机1。储料器10在主计算机1的管理下以运载器为单位来保管检测前和检测后的晶片，并进行分类，同时以运载器为单位输入输出晶片。
如图2所示，本实施例的探针器2包括加载室21、探针器室22、以及控制装置37，在控制装置37的控制下，加载室21和探针器室22内的各装置工作。
加载室21可以具有对中装置23、臂机构24和副卡盘25。加载室21除了本实施例的对中装置23以外，以现有的加载室为标准来构成。
如图3A所示，本实施例的对中装置23可以包括：将框体231的内部划分成上下的平板232；在该平板232上的大致中央配置的支撑体233；对该支撑体233上的晶片W进行对中的对中机构234；以及在该平板232下方形成的晶片容纳部235。晶片容纳部235临时容纳例如形成200mm和300mm不同尺寸的多片(例如6片)晶片W。晶片容纳部235可以通过升降机构(例如分度器)进行升降。
支撑上述支撑体233的轴233A贯通平板232，被连结到固定于平板232背面的气缸236上。气缸236使轴233A在图3A中箭头A的方向上可以升降。如图3C所示，在支撑体233的表面上，可以形成同心圆状的槽233C和放射状的槽233D。在这些槽的适当地方，将真空排气路径的一端233E进行开口。将真空排气装置连接到真空排气路径中，通过真空排气装置对支撑体233的槽和晶片之间的空间进行抽真空，使晶片W被真空吸附在支撑体233的表面上。
如图3A所示，上述对中机构234可以包括对中板234A、轴234B、连杆机构234C、以及连杆机构(例如空气气缸)234D。在图2中，配置左右一对的对中板234A，使得从探针器2的晶片运送机构24侧观察，在左右两侧夹持支撑体233。
通过从左右夹持晶片W，对中板234A对晶片W进行对中。该夹持操作在晶片W被举起到对中板234A上的状态下实施较为理想。如图3A所示，可通过气缸236使支撑体233下降来实现该状态。但是，该夹持操作也可以在将晶片W装载在支撑体233上的状态下来实施。而且，也可以形成为使图3A所示的一对对中板的一个固定、使另一个左右移动的结构。
轴234B从下方支撑各对中板。轴234B最好贯通在平板232上形成的长孔232A。
连杆机构234C分别与平板232下侧的轴234B连接。气缸机构234D与连杆机构234C连接。
气缸机构234D通过连杆机构234C使左右的对中板234A的空间如图3A的箭头B所示那样扩大和缩小。通过将对中板234A的空间扩大和缩小，将晶片W进行对中。
对中板234A例如为了夹持不同外径的晶片W(例如200mm和300mm的晶片W)，对中板234A的表面可以有与这些晶片W的外径相适应的多层的接合面(例如圆弧面)234E、234F。接合面234E、234F不一定必须是圆弧面。接合面234E、234F只要是与晶片W的侧面接触，在对中板的夹持操作时，可使晶片W沿预定的方向移动的形状就可以。
如图3A所示，在支撑体233例如将200mm的晶片W移送到对中板234A上时，左右的对中板234A形成比晶片W的尺寸大的状态。在该状态下，通过气缸机构234D使一对对中板234A的空间缩小，空气气缸236使支撑体233下降，将晶片W装载在对中板234A上。
气缸机构234D通过连杆机构234C使左右的对中板234A靠近。通过对中板234A的圆弧面234E或圆弧面234F夹持晶片W，将晶片W进行对中。
如图3A所示，晶片W容纳部235具有第1晶片容纳室235A和第2晶片容纳室235B，这些容纳室可以配置成上下段。第1晶片W容纳室235A例如容纳200mm的晶片W，第2晶片W容纳室235B容纳300mm的晶片W。第1晶片容纳室235A和第2晶片容纳室235B的各正面位置最好是大致一致的位置。如后述那样，该晶片容纳室235可以具有临时容纳晶片W的缓存功能。
在图2中，臂机构24有上下两段的臂241，各个臂241通过真空吸附力来保持晶片W。各个臂241在解除了真空吸附力的状态下，与对中装置23之间进行晶片W的移送。各臂241将从对中装置接受的晶片W运送到探针器室2。副卡盘25在臂机构24运送晶片W期间进行晶片W的预对准。
探针器室22包括主卡盘26、对准机构27和处理机构(例如探针板)28。主卡盘26可通过X、Y台向X、Y方向移动，同时可通过未图示的升降机构和θ旋转机构向Z方向和θ方向移动。对准机构27如以往公知的那样，包括对准桥接器271、CCD摄象机272等。对准机构27与主卡盘进行合作，进行晶片W和探针板28之间的对准。探针板28有多个探针281。探针281与主卡盘26上装载的晶片W上形成的被测试体的电极进行电接触。在该接触状态中，探针281通过测试头(未图示)将被检测体与测试器6连接。
如图1B、图2所示，AGV3可以包括装置本体31、运载器装载部32、映射(mapping)传感器33、移送机构(例如臂机构)34、光学式的预对准传感器38、光学式字符读取装置(OCR)36、副卡盘35。
运载器装载部32被配置在装置本体31的一端，对运载器C进行装载。映射传感器33检测运载器C内的晶片W的容纳位置。臂机构34从运载器C、以及向运载器C运送晶片W。光学式字符读取装置(OCR)36读取晶片W的ID代码。副卡盘35进行晶片W的预对准。
AGV由AGV控制器4通过无线通信来控制。AGV在储料器10和探针器2之间、或在多个探针器2之间边自行边运送运载器C。臂机构34将AGV运送来的运载器C内的晶片W每次一片分配给各探针器2。运载器C可以容纳不同尺寸的多片晶片。例如，运载器C可以划分成上下两段，其上段容纳多片200mm的晶片，其下段容纳多片300mm的晶片。
臂机构34在移送晶片W时，最好是可进行旋转和升降。如图2所示，臂机构34可以配有臂341、基座342和驱动机构。臂441最好是配有通过真空吸附力来保持晶片W的上下两段的臂。基座342可前后移动地支撑这些臂341，且可正反旋转。用于对臂341进行驱动的驱动机构被容纳在基座342内。
在移送晶片W时，如后述那样，上下的臂341通过驱动机构分别在基座342上进行前后移动。基座342使晶片W向移送方向正反旋转。
AGV3在AGV控制器4的控制下，在达到向探针器2移送晶片W的位置的状态下，AGV3的臂机构34从运载器C中每次取出一片晶片W。在AGV3的臂机构34与探针器2的对中装置23之间移送晶片W时，探针器2和AGV3间由光耦合PIO通信来连接，传送晶片W的规格信息等。由此，可以正确地移送一片晶片W。
AGV3的臂机构34进行升降，上臂341将预定的晶片W从缓存盒32内取出。在使上臂341缩短后，如图所示，晶片运送机构34通过基座342顺时针方向旋转90°。通过该旋转，臂341朝向探针器2的对中装置23侧。如图3A所示，上臂341向对中装置23行进。在图3B中，如一点点打印所示，晶片W到达对中装置23的支撑体233的上方。此时，支撑体233通过空气气缸236上升，如该图B所示，支撑体233从上臂341接受晶片W。如果空气气缸236使支撑体233下降，则如图3A所示，将晶片W装载在从支撑体233向外方向左右扩大的一对对中板234A上。将支撑体233的真空吸附力解除，使晶片W移送到对中板234A上。使气缸机构234D和连杆机构234C靠近左右的对中板234A。如果通信传送的规格是有关尺寸小的晶片W的规格，则对中板234A的左右圆弧面234E夹住晶片W。如果通信传送的规格是有关尺寸大的规格，则对中板234A的左右圆弧面234F夹住晶片W。通过使气缸机构234D和连杆机构234C进一步靠近左右的对中板234A，晶片W被自动地对准。即使在支撑体233上的晶片W偏离中心位置被装载的情况下，对中板234A也可以可靠地对晶片W进行对中。
在加载室21中，在晶片W被对中后，如图3A所示，晶片运送机构24的臂241行进到对中装置23内。臂241在对晶片W进行真空吸附的同时，左右的对中板234A进行扩大。在晶片运送机构24使臂241从对中装置23后退后，将晶片W运送至探针器室22。在运送晶片W期间，晶片W被预对准在副卡盘25上，同时OCR读取副卡盘25上的晶片W的ID代码。在晶片W被预对准后，晶片运送机构24的臂241再次从副卡盘25接受晶片W。臂241朝向探针器室22。
在此期间，在探针器室22内，主卡盘26移动至待机位置。通过晶片运送机构24的臂241的行进，向主卡盘26移送晶片W。在晶片W被装载到主卡盘26上后，主卡盘上配置的吸附机构30对晶片W进行吸附固定。在检测结束后，按相反路径使晶片W返回到对中装置23内。在晶片运送机构24将晶片W返回到对中装置23内时，如果在对中装置23和AGV3之间为晶片W的移送中，则晶片运送机构24将检测过的晶片W临时容纳在晶片容纳部235内。晶片容纳部235具有缓存功能。
在设置多个AGV3时，探针器2可以在多个AGV3之间进行晶片W的移送。例如，如图4所示，在探针器2进行晶片W的检测，而其他的AGV3′进行用于将其他批的晶片运送到该探针器2的存取(access)时，在其他AGV3′和探针器2之间进行PIO通信。其结果，晶片容纳部235的空着的空间(该图中为了简明用虚线从探针器错开图示)235V被指定。在该空着的空间235V中，可以容纳检测后的晶片W。例如，作为容纳场所，在指定晶片容纳部235时，在检测结束后，臂机构24用下臂241从主卡盘26接受检测过的晶片W，将检测过的晶片W容纳在晶片容纳部235的空着的空间235V中。臂机构24进行用于装载下一批的晶片W。按与上述相同的要点，其他AGV3′的臂机构34向对中装置23的支撑体233装载晶片W。臂机构24的上臂241向主卡盘26移送新的晶片W，实施该晶片W的检测。在晶片W被检测期间，晶片容纳部235内的检测过的晶片W经由支撑体233返回AGV3。在晶片W被检测期间，即使在装载新的晶片W时，并且在对中装置23的晶片容纳部235空着时，其他AGV3′也将新的晶片W容纳到晶片容纳部235内，等待检测中的晶片W结束检测。
如上所述，即使用于移送晶片W的支撑体233为一处，也可以将晶片容纳部235作为缓存机构来使用。其结果，即使在探针器2内例如存在检测后的晶片W时，也可以移送晶片W，可以提高检测的生产量。在现有的探针器中，AGV3仅卸下检测过的晶片W，而其他的AGV3′不能进行其他晶片W的装载。
如以上说明，根据本实施例，即使从AGV3向探针器2移送晶片W的位置精度差，对中机构234也可以可靠地进行晶片W的对中。其结果是可以可靠地从AGV3向探针器2移送晶片W。
可以在AGV3和探针器2之间可靠地移送晶片W。随着目前的晶片的大尺寸化及超微细化，在一片晶片上形成的器件的数量迅速增加，一片晶片的处理时间也迅速变长，在每次检测结束后，卸下检测过的晶片W，可以直接转到下一个工序。其结果，可以缩短TAT(回转时间：Turn-Around-Time)。对中装置23的晶片容纳部235具有缓存功能，所以在从气缸机构3将晶片W移送到探针器2时，可以将检测过的晶片W临时容纳在晶片容纳部235内，支撑体233可以接受新的晶片W。其结果，可以提高检测的生产量。
本发明不受上述实施例的任何限制，可以根据需要进行适当的设计变更。例如，在上述实施例中，说明了200mm、300mm两种晶片所对应的对中装置23。但是，对中装置也可以构成对应于一种晶片或对应于两种晶片的结构。作为半导体制造装置的例子，说明了探针器2，但本发明也可以适用于对晶片等被处理体实施预定处理的任何半导体制造装置。
根据本发明的实施例，可在自动运送车和半导体制造装置间可靠地移送被处理体。按照被处理体的处理状态，可以临时容纳被处理体。其结果，可以提供使检测的生产量提高的对中装置和半导体制造装置。
对于本领域技术人员来说，还可以设想其他的特征和变更。因此，本发明是建立在更广泛的观点上的发明，不限定于特定的细节和这里公开的有代表性的实施例。因此，在所附权利要求定义的宽广的发明概念及其等价物的解释范围中，可以进行不脱离该范围的各种变更。

Claims (15)

1.一种对被处理体进行对中的对中机构，其特征在于，包括：
支撑体，用于装载被处理体；
至少一个对中板，配置在所述支撑体的一侧或两侧并且有适合所述被处理体的外周面的接合面，所述接合面的截面平行于所述被处理体的外周面的截面；以及
驱动机构，用于使至少一个对中板在与所述被处理体相同的平面内移动，其中，所述对中板的所述接合面按压所述被处理体使该被处理体移动，从而将所述被处理体配置在中心位置。
2.如权利要求1的对中机构，其特征在于：所述支撑体配有升降机构。
3.如权利要求1的对中机构，其特征在于：所述对中板是一对对中板，所述驱动机构通过使一对对中板的至少一个进行移动，从而将它们的间隔扩大和缩小。
4.如权利要求1的对中机构，其特征在于：所述对中板为了对应不同大小的多种被处理体，具有与所述不同大小的被处理体的各个外周面相适应的多个接合面，该接合面形成为多层。
5.如权利要求1所述的对中机构，其特征在于：所述驱动机构包括：连接到支撑所述各对中板的至少一个轴上的连杆机构；以及连接到该连杆机构的气缸机构。
6.一种对中装置，其特征在于：包括权利要求1所述的对中机构、以及容纳多个被处理体的容纳部。
7.如权利要求6的对中装置，其特征在于：所述容纳部包括容纳大小不同的多种被处理体的部分。
8.一种半导体制造装置，其特征在于，包括：用于装载被处理体的装载台；以及对该装载台上装载的被处理体进行预定处理的处理机构；该半导体制造装置包括：
用于将被处理体进行对中的对中机构；以及
在该对中机构和装载台之间运送所述被处理体的运送结构；
其中，所述对中机构包括：
支撑体，用于装载被处理体；
至少一个对中板，配置在所述支撑体的一侧或两侧并且有适合所述被处理体的外周面的接合面，所述接合面的截面平行于所述被处理体的外周面的截面；以及
驱动机构，用于使至少一个对中板在与被处理体相同的平面内移动，其中，所述对中板的所述接合面按压所述被处理体使该被处理体移动，从而将所述被处理体配置在中心位置。
9.如权利要求8的半导体制造装置，其特征在于：所述支撑体配有升降装置。
10.如权利要求8的半导体制造装置，其特征在于：所述对中板是一对对中板，所述驱动机构通过使一对对中板的至少一个进行移动，从而将它们的间隔扩大和缩小。
11.如权利要求8的半导体制造装置，其特征在于：所述对中板为了对应不同大小的多种被处理体，具有与所述不同大小的被处理体的各个外周面相适应的多个接合面，该接合面形成为多层。
12.如权利要求8的半导体制造装置，其特征在于：所述驱动机构包括：连接到支撑所述各对中板的至少一个轴上的连杆机构；以及连接到该连杆机构的气缸机构。
13.如权利要求8的半导体制造装置，其特征在于：还具有容纳多个被处理体的容纳部。
14.如权利要求13所述的半导体制造装置，其特征在于：所述容纳部具有容纳大小不同的多种被处理体的部分。
15.一种对被处理体在支撑体上进行对中的方法，其特征在于：包括以下步骤：
将被处理体装载在支撑体上；
使配置在所述支撑体的一侧或两侧并且有适合所述被处理体的外周面的接合面的至少一个对中板，向该被处理体移动，在与所述被处理体相同的平面内，所述接合面的截面平行于所述被处理体的外周面的截面；
使该对中板的接合面与被处理体的外周面接触；
通过该对中板的接合面，按压被处理体的外周面，通过使被处理体移动，将该被处理体配置在中心位置上。
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