CN1265332C - 电光转换面板、投射型显示装置及电光转换面板的制造方法 - Google Patents

Abstract

为了提供基板之间的间隙尺寸的精度高而且在整个图像显示区中间隙尺寸均匀的面板、使用了该面板的投射型显示装置及电光转换面板的制造方法，在整个TFT阵列基板2的表面上以包围图像显示区37周围的方式，涂布那种硬化后也可弹性变形的树脂，使其硬化，形成内周一侧凸起22及具备圆形部分24的外周一侧凸起23。其次，对由内周一侧凸起22及外周一侧凸起23夹持的区域涂布未硬化的密封材料200，在外周一侧凸起23的由圆形部分24包围了的区域内涂布基板之间导通用的未硬化导通材料56。向TFT阵列基板2按压对置基板3使凸起22、23、24的高度保持为变成约2μm压扁了的状态，使导通材料56及密封材料200硬化。

Description

电光转换面板、投射型显示装置及 电光转换面板的制造方法

[技术领域]

本发明涉及在一对基板之间封入了液晶等电光转换物质的电光转换面板、使用了该电光转换面板的投射型显示装置及电光转换面板的制造方法。更详细地说，涉及用于确保在一对基板之间规定尺寸的间隙的技术。

[背景技术]

在一对基板之间封入了液晶等电光转换物质的电光转换面板中，如图19及图20中所示，概略地由下列部分构成：TFT阵列基板(晶体管阵列基板)2，在石英玻璃等透明基板的表面上形成了像素电极8及像素开关用的薄膜晶体管(以下，称为TFT)10；对置基板3，在新陶瓷等耐高温的玻璃基板的表面上形成了对置电极32；及液晶等电光转换物质39，被封入并夹持在这些基板之间。由含有间隙材料的密封材料200’通过规定的间隙胶合TFT阵列基板2与对置基板3，与此同时由密封材料200’区划、形成在该间隙内封入了物质39的图像显示区37。作为这样的含有间隙的密封材料200’，迄今使用把玻璃珠等作为间隙材料配合到环氧树脂系列或丙烯酸树脂系列的粘结剂成分中而成的材料。

在这样构成的电光转换面板1’中，在FTF阵列基板2上，利用通过数据线(未图示)及TFT10施加到像素电极8上的图像信号，在像素电极8与对置电极32之间对于每一个像素控制电光转换物质39的取向状态，显示对应于图像信号的规定图像。因而，必须在TFT阵列基板2上，通过数据线及TFT10把图像信号供给像素电极8，与比同时把规定的电位还施加到对置电极32上。

因此，在电光转换面板1’中，预先采用数据线等的形成工艺在TFT阵列基板2一侧上形成基板之间导通用的第1电极47，另一方面采用对置电极32的形成工艺在对置基板3一侧上形成基板之间导通用的第2电极48，利用把银粉或镀金纤维等导电粒子配合到环氧树脂系列或丙烯酸树脂系列的粘结剂成分中而成的导通材料56使这些基板之间导通用的第1电极47与第2电极48电导通。因此，在电光转换面板1’中，即使不把柔性布线基板等分别连接到TFT阵列基板2及对置基板3上，而是通过只把柔性布线基板99等连接到TFT阵列基板2的输入输出端子45上也能把规定的信号输入到TFT阵列基板2及对置基板3此二者上。

但是，在电光转换面板1’中，作了使TFT阵列基板2与对置基板3的间隙尺寸(单元厚度)薄到约2μm来谋求提高显示清晰度的尝试，但是，如果只利用与周边密封材料200’配合的间隙材料就想确保这样薄的单元厚度，则因单元厚度太薄而使离散性变大了。其结果，存在着下述这样的问题，由于电光转换物质39这一层的厚度离散性变大，故在显示画面中发生不自然的亮暗及电光转换物质39的响应速度离散性等，反而降低了显示清晰度。

因此，可以考虑通过把衬垫材料散布到图像显示区37中来控制单元厚度的结构。但是，如果把图像显示区37中散布了衬垫材料的电光转换面板1’用于投射型显示装置，则存在着下述这样的问题，由于在散布的衬垫材料密集的部位上使光透射性降低，故这样的不良情况原原本本地放大投射到屏幕上。

此外，在电光转换面板1’中，作了使TFT阵列基板2与对置基板3的间隙尺寸(单元厚度)薄到约2μm来谋求提高显示清晰度的尝试，但是，如果只利用与周边密封材料200’配合的间隙材料就想确保这样薄的单元厚度，则因单元厚度太薄而使离散性变大了。其结果，存在着下述这样的问题，由于电光转换物质39这一层的厚度离散性变大，故在显示画面中发生不自然的亮暗及电光转换物质39的响应速度离散性等，反而降低了显示清晰度。

因此，可以考虑通过把衬垫材料散布到图像显示区37中来控制单元厚度的结构。但是，如果把图像显示区37中散布了衬垫材料的电光转换面板1’用于投射型显示装置，则存在着下述这样的问题，由于在散布的衬垫材料密集的部位上使光透射性降低，故这样的不良情况原原本本地放大投射到屏幕上。

鉴于以上的问题，本发明的课题在于提供间隙尺寸的精度高、而且在整个图像显示区中间隙尺寸均匀的电光转换面板，使用了该电光转换面板的投射型显示装置及电光转换面板的制造方法。

[发明的公开]

为了解决上述课题，在本发明中，所提供的电光转换面板，其中把电光转换物质夹持在一对基板之间，上述一对基板相互间由密封材料粘结固定，在上述密封材料的形成区的内侧具有由多个像素构成的图像显示区，其特征在于，在上述一对基板中的一基板上具有向另一基板伸出并与该另一基板相接的凸起；

上述凸起具有与上述密封材料形成区的内周缘邻接面形成的第1凸起及与外周缘邻接面形成的第2凸起，在由上述第1凸起与上述第2凸起所夹的区域内形成了上述密封材料。

在本发明中，由于通过使在一基板上形成的凸起与另一基板相接来控制基板之间的间隙尺寸(单元厚度)，故与利用与密封材料配合的间隙材料来控制间隙尺寸的结构相比较能够以高精度来控制间隙尺寸。此外，由于以包围图像显示区的方式形成了凸起，故可抑制在整个图像显示区中在基板之间的间隙尺寸方面的离散性。因此，即使是窄的间隙，也可实现间隙尺寸的精度高、而且在整个图像显示区中间隙尺寸均匀的电光转换面板。此外，由于可不在密封材料中加入间隙材料，故即使在密封材料的下层一侧存在着布线也可防止这些布线被间隙材料压碎而断路。

如果这样来构成，则由于由第1凸起及第2凸起堵住密封材料，故在涂布未硬化的密封材料时或者在加热密封材料时，密封材料不会溢出到不需要的部位上。因此，作为密封材料可使用热硬化性材料。

在本发明的另一形态中，所提供的电光转换面板其中把电光转换物质夹持在一对基板之间，上述一对基板相互间由密封材料粘结固定，在上述密封材料的形成区内具有由多个像素构成的图像显示区，其特征在于，在上述一对基板中的一基板上具有向另一基板伸出并与该另一基板相接的凸起，以包围在上述一对基板的每一基板上形成了的导电层之间导电性地连接的导通材料形成区的周围的方式形成了该凸起。

如果这样来构成，则由于由凸起堵住导通材料，故在涂布未硬化的导通材料时或者在加热导通材料时，导通材料不会溢出到不需要的部位上。因此，作为导通材料的粘结剂成分可使用热硬化性材料。

本发明以至少以一部分与在上述图像显示区周边形成了的遮光膜重叠的方式形成了上述密封材料。利用这样的结构，由于把密封材料延伸到遮光膜，故可提高密封材料产生的密接性。

在本发明中，较为理想的是，上述凸起由可弹性变形的材料构成，在上述一对基板之间被压扁。如果这样来构成，被压扁了的凸起要恢复原有的形状而在基板之间施加要扩大基板间隔的力，另一方面由于基板互相间由密封材料固定了，故可使基板之间的间隙尺寸均匀。

在本发明中，上述一对基板例如由以矩阵状形成了像素电极及开关用薄膜晶体管的晶体管阵列基板、以及形成为对置电极的对置基板构成。

在使用了这样的电光转换面板的投射型显示装置(电光转换装置)中，配置：电源；聚光光学系统，把从该光源射出的光引导到上述电光转换面板上；以及扩大投射光学系统，扩大并投射利用该电光转换面板进行了光调制的光。

在与本发明有关的电光转换面板的制造方法中，其特征在于，在上述一对基板中的一基板上形成了上述凸起之后，涂布上述密封材料，然后，按压上述一对基板，并使上述密封材料硬化。

在与本关的电光转换面板的制造方法中，较为理想的是，在形成了沿形成上述密封材料的预定区的内周缘的第1凸起及沿外周缘的第2凸起之后，在由上述第1凸起与上述第2凸起所夹的区域内涂布上述密封材料，然后，一边按压上述一对基板，一边使上述密封材料硬化。如果这样来构成，则在涂布了未硬化的密封材料时等，由于由凸起堵住密封材料，故密封材料不会溢出到不需要的部位上。

在与本发明有关的电光转换面板的制造方法中，较为理想的是，在以包围形成上述导通材料的预定区周围的方式形成了上述凸起之后，在由该凸起包围了的区域内涂布上述导通材料，然后，按压上述一对基板，并使上述密封材料及上述导通材料同时或分别硬化。如果这样来构成，则在涂布了未硬化的导通材料时，由于由凸起堵住导通材料，故导通材料不会溢出到不需要的部位上。

在与本发明有关的电光转换面板的制造方法中，较为理想的是，在利用可弹性变形的材料在上述一对基板中的一基板上形成了上述凸起之后，在该一基板上涂布密封材料，然后，一边按压上述一对基板，一边使上述凸起弹性变形，在该状态下使上述密封材料硬化。

此外，在本发明中，所提供的电光转换面板其中把电光转换物质夹持在一对基板之间，上述一对基板相互间由密封材料粘结固定，在上述密封材料的形成区内侧具有由多个像素构成的图像显示区，其特征在于，在上述一对基板中的一基板上形成向另一基板伸出并与该另一基板相接的凸起，该凸起散布在上述图像显示区内的规定位置上。

在本发明中，由于通过使在一基板上形成的凸起与另一基板相接来控制基板之间的间隙尺寸(单元厚度)，故与利用与密封材料配合的间隙材料来控制间隙尺寸的结构相比较能够以高精度来控制间隙尺寸。此外，由于以散布在图像显示区内的方式形成了凸起，故在整个图像显示区中在基板之间的间隙尺寸方面不发生离散性。因此，即使是窄的间隙，也可实现间隙尺寸的精度高、而且在整个图像显示区中间隙尺寸均匀的电光转换面板。此外，在这样的电光转换面板中，即使在图像显示区内形成凸起，凸起也不会集中到图像显示区内的某一区域中。进而，由于可不在密封材料中加入间隙材料，故即使在密封材料的下层一侧存在着布线也可防止这些布线被间隙材料压碎而断路。

在本发明中，较为理想的是，在上述图像显示区内形成的各像素上，在光不透过的非孔径区上形成了上述凸起。如果这样来构成，则即使在图像显示区内形成凸起，在显示中也不会看到凸起。因此，本发明在把电光转换面板作为投射型显示装置的光阀来使用的情况下，是有效的。

在本发明中，较为理想的是，在上述图像显示区内形成了的各像素中在同一部位上形成了上述凸起。即，较为理想的是，在各像素内的同一坐标上形成了上述凸起。如果这样来构成，由于在各像素中在相同高度的位置上形成凸起，故可作到基板之间的间隙尺寸更加恒定。因此，即使在使用了台阶差大的基板的情况下，也能确保在与另一基板之间恒定的间隙。

在本发明中，较为理想的是，上述凸起具有圆柱形状。如果这样来构成，则在充填液晶等电光转换物质时，由于在凸起的周围平滑地蔓延故不发生物质的充填不良。

在本发明中，较为理想的是，在上述图像显示区内的周围区中与中心区相比以高密度形成了上述凸起。如果这样来构成，则按照在基板之间注入液晶等电光转换物质的时序有时面板的中心膨胀，但是，较为理想的是，预期这样的膨胀之发生而胶合基板互相之间。即，在胶合了基板互相之间后，在图像显示区的中心区内基板之间的间隙变窄，但是，即使在图像显示区内注入了物质时该区内的间隙尺寸多少有所变大，也可由注入电光转换物质之前的间隙尺寸之差来吸收、缓和。因此，可在整个图像显示区中使基板之间的间隙尺寸均匀化。

在本发明中，较为理想的是，在上述图像显示区内的一侧区域中与另一侧区域相比以高密度形成了上述凸起。在制造与本发明有关的电光转换面板时，在一基板上形成了凸起之后涂布密封材料，然后，一边施加减小一对基板之间间隙那样的力一边使密封材料硬化，但是，在按压一对基板时如果知道其力始终发生增大或减小的区域，则可以吸收、缓和该情况那样的密度来形成凸起。即，由于在考虑到对基板进行胶合的装置之特性以后、以规定的分布在一基板上形成凸起，故在整个图像显示区中可使基板之间的间隙均匀。

在本发明中，较为理想的是，上述凸起由可弹性变形的材料构成，在上述一对基板之间被压扁。如果这样来构成，被压扁了的凸起要恢复原有的形状而在基板之间施加要扩大基板间隔的力，另一方面由于基板互相间由密封材料固定了，故可使基板之间的间隙尺寸均匀。

在本发明中，上述一对基板例如由以矩阵状形成了像素电极及开关用薄膜晶体管的晶体管阵列基板、以及形成为对置电极的对置基板构成。

在使用了这样的电光转换面板的投射型显示装置(电光转换装置)中，配置：电源；聚光光学系统，把从该光源射出的光引导到上述电光转换面板上；以及扩大投射光学系统，扩大并投射利用该电光转换面板进行了光调制的光。

在与本发明有关的电光转换面板的制造方法中，其特征在于，在上述一对基板中的一基板上形成了上述凸起之后，涂布上述密封材料，然后，一边按压上述一对基板，一边使上述密封材料硬化。

在与本发明有关的电光转换面板的制造方法中，较为理想的是，在利用可弹性变形的材料在上述一对基板中的一基板上形成了上述凸起之后，在该一基板上涂布密封材料，然后，按压上述一对基板并使上述凸起弹性变形，在该状态下使上述密封材料硬化。如果这样来构成，被压扁了的凸起要恢复原有的形状而在基板之间施加要扩大基板间隔的力，另一方面由于基板互相间由密封材料固定了，故可使基板之间的间隙尺寸均匀。

在本发明中，所提供的电光转换面板其中把电光转换物质夹持在一对基板之间，上述一对基板相互间由密封材料粘结固定，在上述密封材料的形成区内具有由多个像素构成的图像显示区，其特征在于，在上述一对基板中的一基板上具有向另一基板伸出并与该另一基板相接的凸起，以与在包围上述像素区的区域上形成了的遮光膜对置的方式配置了该凸起。

按照本发明，由于通过使在一基板上形成的凸起与另一基板相接来控制基板之间的间隙尺寸(单元厚度)，故与利用与密封材料配合的间隙材料来控制间隙尺寸的结构相比较能够以高精度来控制间隙尺寸。此外，由于以包围图像显示区的方式形成了凸起，故可抑制在整个图像显示区中在基板之间的间隙尺寸方面的离散性。此外，由于以与遮光膜对置的方式设置了凸起，故可有效地利用非显示区来设置凸起。

此外，本发明的特征在于，以从平面上看纳入到上述遮光膜宽度之内的方式配置了上述凸起。按照本发明，由于从平面上看把凸起纳入到遮光膜的宽度之内，故可防止凸起对显示区域产生影响。

[附图的简单说明]

图1为从对置基板一侧看的、与本发明实施形态1有关的电光转换面板的平面图；

图2为沿图1的H-H’线切断时的电光转换面板的剖面图；

图3为示出沿图1的H’-H”线切断时的TFT阵列基板、对置基板及这些基板的胶合结构的面板端部的剖面图；

图4为示意性地示出图1中示出的电光转换面板的结构的框图；

图5为图1中示出的电光转换面板的像素之一部分的平面图；

图6为在相当于图5的A-A’线的位置上切断时的电光转换面板的剖面图；

图7为示出在把基板互相间如图3中所示胶合之前的情况的剖面图；

图8为从对置基板一侧看的、与本发明实施形态2有关的电光转换面板的平面图；

图9(A)、(B)分别为电光转换面板的剖面图及基板之间导通部分的平面图；

图10(A)、(B)分别为示出在把基板互相间如图9(A)中所示粘贴之前的状态的电光转换面板端部的剖面图及基板之间导通部分的平面图；

图11为从对置基板一侧看的、与本发明实施形态了有关的面板的平面图；

图12为选出图11中所示电光转换面板的一部分像素而示出的平面图；

图13为在相当于图12的A-A’线的位置上切断时的电光转换面板的剖面图；

图14为示出在把基板互相间如图13中所示胶合之前的情况的剖面图；

图15为示出与本发明实施形态3的改进例有关的面板上的凸起分布的说明图；

图16为示出与本发明实施形态3的另一改进例有关的电光转换面板上的凸起分布的说明图；

图17(A)、(B)分别为示出在与本发明实施形态1之变形例有关的电光转换面板上、在分别不同的基板上形成或涂布了凸起及密封材料的状态的说明图及把这些基板互相间胶合起来的状态的说明图；

图18为示出应用了本发明的电光转换面板之使用例的投射型显示装置(投影仪)的整体结构图；

图19为从对置电极一侧看的、现有电光转换面板的平面图；

图20为沿图19的H’-H”线切断时的电光转换面板的剖面图及基板之间导通部分的平面图；以及

图21为示出在与本发明实施形态4有关的电光转换面板上形成凸起，并把基板互相间胶合起来的状态的说明图。

符号的说明

1电光转换面板

2TFT阵列基板

3对置基板

8像素电极

9像素开关用的TFT

21、22、23、25基板之间间隙尺寸控制用的凸起

30、31石英玻璃

32对置电极

37图像显示区

39电光转换物质

47基板之间导通用的第1电极

48基板之间导通用的第2电极

90数据线

91扫描线

200密封材料

241电光转换物质注入口

242密封剂

[用于实施发明的最佳形态]

参照附图，说明本发明的实施形态。再者，在与本形态有关的电光转换面板中，对于与现有电光转换面板共同的部分付以相同的符号进行说明。

[实施形态1]

(电光转换面板的整体结构)

图1为从对置基板一侧看的、与本形态有关的电光转换面板的平面图。图2为沿图1的H-H’线切断时的电光转换面板的剖图。图3为示出在本形态电光转换面板中使用了的TFT阵列基板、对置基板及这些基板的胶合结构的面板端部的剖面图。

如图1、图2及图3中所示，在投射型显示装置等中使用的电光转换面板1概略地由下列部分构成：TFT阵列基板2，在石英玻璃30的表面上以矩阵状形成了透明的像素电极8；对置基板3，在相同的石英玻璃31的表面上形成了对置电极32；以及液晶等电光转换物质39，被封入并夹持在这些基板之间。

由沿着对置基板3的外周缘形成的密封材料200通过规定的间隙胶合TFT阵列基板2与对置基板3。此外，由密封材料200在TFT阵列基板2与对置基板3之间区划、形成电光转换物质封入区40，在该图像显示区37内封入了液晶等电光转换物质39。

在本形态中，如下所述，利用从TFT阵列基板2向对置基板3伸出的凸起确保了TFT阵列基板2与对置基板3之间的间隙尺寸(单元厚度)。因而，与现有不同，不需要把间隙材料配合到本形态中使用的密封材料200中。

在电光转换面板1中，对置基板3比TFT阵列基板2小，在TFT阵列基板2的外围部分从对置基板3的外周缘露出的状态下把这两个基板胶合。因而，TFT阵列基板2的驱动电路(扫描线驱动电路70及数据线驱动电路60)及输入输出端子45处于对置基板3露出的状态下，柔性布线基板99可对输入输出端子45连接。在此，由于密封材料200有部分中断故可由该中断部分构成电光转换物质注入口241。因此，在把对置基板3与TFT阵列基板2胶合后，如果使密封材料200的内侧区处于减压状态下，则可从电光转换物质注入口241减压注入电光转换物质39，在电光转换物质39封入之后用密封剂242堵塞电光转换物质注入口241，即可。再者，在对置基板3上、且在密封材料200的形成区的内侧，即在图像显示区37的周围形成了遮光膜55。此外，在对置基板3上、且在对应于TFT阵列基板2的各像素电极8之边界区的区域内形成了遮光膜6。

把本形态的电光转换面板1用于例如投射型显示装置(投影仪)中。在此情况下，把3个电光转换面板1分别作为RGB用的光阀来使用，把通过RGB色分解用的二色镜分解的各色光作为投射光分别入射到每一个电光转换面板1上。因而，在本形态的电光转换面板1中未形成滤色片。但是，通过在对置基板3中在与各像素电极8对置的区域内与其保护膜一起形成了RGB滤色片，除了投射型显示装置之外还能够构成彩色液晶电视机等这样的彩色显示装置。此外，还可以通过对置基板3上层叠若干层折射系数不同的干涉层形成利用光的干涉作用来制作RGB色的二色滤色片。按照带有该二色滤色片的对置基板，可进行更亮的彩色显示。进而，根据所使用的电光转换物质39的种类，即TN(扭曲向列)模式、STN(超TN)模式、DSTN(双STN)模式等工作模式及常白模式/常黑模式的区别，把偏振光滤色片、相位差滤色片、偏振光板等以规定的方向配置到对置基板3及TFT阵列基板2的光入射一侧的面、或者光射出一侧上。

在这样构成的电光转换面板1中，在FTF阵列基板2上，利用通过数据线(未图示)及TFT10施加到像素电极8上的图像信号，在像素电极8与对置电极32之间对于每一个像素控制电光转换物质39的取向状态，显示对应于图像信号的规定图像。因而，必须在TFT阵列基板2上，通过数据线及TFT10把图像信号供给像素电极8，与比同时把规定的电位还施加到对置电极32上。

因此，在电光转换面板1中，采用数据线等的形成工艺在TFT阵列基板2的表面上与对置基板3的各角部对置的部分上形成了由铝膜(遮光性材料)构成的基板之间导通用的第1电极47。另一方面，采用对置电极32的形成工艺在对置基板3的各角部上形成了由透明导电膜(铟锡氧化物膜，ITO膜)构成的基板之间导通用的第2电极48。进而，利用把银粉或镀金纤维等导电粒子配合到环氧树脂系列或丙烯酸树脂系列的粘结剂成分中而成的导通材料56使这些基板之间导通用的第1电极47与第2电极48电导通。因此，在电光转换面板1中，即使不把柔性布线基板等分别连接到TFT阵列基板2及对置基板3上，而是通过只把柔性布线基板99连接到TFT阵列基板2上也能把规定的信号输入到TFT阵列基板2及对置基板3此二者上。

(TFT阵列基板的结构)

图4为示意性地示出电光转换面板的结构的框图，图5为选出该电光转换面板中的一部分像素而示出的平面图，图6为在图5中的A-A’线上的TFT阵列基板的剖面图。

如图1及图4中所示，构成本实施形态的电光转换面板1的图像显示区37的、以矩阵状形成的多个像素分别由：扫描线91、数据线90、像素电极8及控制像素电极8用的TFT10构成，接受图像信号的数据线90与该TFT10的源极导电性地连接。此外，以脉冲方式构成扫描信号G1、G2、…Gm，以便按此顺序、以线顺序施加到TFT10的扫描线91上。像素电极8导电性地连接到TFT10的漏极上，通过使TFT10闭合其开关恒定的期间，以规定的时序写入由数据线90供给的图像信号S1、S2、…Sn。通过像素电极8写入液晶中的规定电平的图像信号S1、S2、…Sn在与对置基板3上形成的对置电极32之间保持恒定的期间。电光转换物质39利用分子团的取向及次序随所施加的电压电平而发生变化对光进行调制，可进行灰度显示。在此，为了防止所保持的图像信号漏泄掉，与在像素电极8与对置电极32之间形成的电光转换物质并联地附加了存储电容40。再者，作为这样来形成存储电容器40的方法可以设置形成电容用的布线即电容线92，也可以如下所述在与前级扫描线91之间形成电容。

图5示出一部分像素的平面图。数据线90通过接触孔与由多晶硅膜构成的半导体层中的源区16导电性地连接，像素电极8通过接触孔与漏区17导电性地连接。此外，以与沟道区15对置的方式延伸扫描线91。再有，存储电容40的结构为，把与用于形成像素开关用的TFT10的硅膜10a(半导体膜/图5中带有斜线的区域)的延伸设置部分相当的硅膜40a(半导体膜/图5中带有斜线的区域)导电化了的膜作为下电极41、与下电极相对把电容线92作为上电极对该下电极41重叠起来。

如图6中所示，来表示在这样构成的像素A-A’线上的剖面。首先，在作为TFT阵列基板2的基体的石英玻璃30的表面上形成绝缘性的基底保护膜301，在该基底保护膜301的表面上形成岛状的硅膜10a、40a。此外，在硅膜10a的表面上形成栅绝缘膜13，在该栅绝缘膜13上形成扫描线(栅线)91。在硅膜10a上，通过栅绝缘膜13与扫描线91相对的区域成为沟道区15。对于该沟道区15，在一侧上形成具备低浓度源区161及高浓度源区162的源区16，在另一侧上形成具备低浓度漏区171及高浓度漏区172的漏区17。在这样构成的像素开关用的TFT10的表面一侧形成第1层间绝缘膜18及第2层间绝缘膜19，在第1层间绝缘膜18的表面上形成的数据线90通过在第1层间绝缘膜18上形成的接触孔与高浓度源区162导电性地连接。此外，像素电极8通过在第1层间绝缘膜18以第2层间绝缘膜19上形成的接触孔与高浓度漏区172导电性地连接。此外，在从高浓度漏区172延伸设置的硅膜40a上形成由高浓度区构成的下电极41，电容线92通过与栅绝缘膜13同时形成的绝缘膜(电介质膜)与该下电极41对置。通过这样作，形成了存储电容。

在此，较为理想的是，如上所述TFT10具有LDD结构，但是，可具有偏置结构，或者也可以是以扫描线91为掩模、以高浓度注入杂质离子、以自对准方式形成了高浓度源及漏区的自对准型的TFT。在对置基板3上、且在与像素开关用的TFT10对置的区域中，按下述顺序形成遮光膜6、对置电极32及取向膜49。

(基板之间间隙尺寸的控制)

在这样构成的电光转换面板1中，如图1、图2及图3中所示，在本形态中，以包围图像显示区37的周围的方式在TFT阵列基板2的表面(夹持电光转换物质39的一侧的面)上、沿密封材料200形成区的内周缘形成了凸起21。该凸起21通过向对置基板3伸出并与对置基板3相接，确保了在TFT阵列基板2与对置基板3之间2μm的间隙(单元厚度)。即，凸起21由可弹性变形的材料构成，在由密封材料200粘结固定的TFT阵列基板2与对置基板3之间处于被压扁了的状态。

(制造方法)

参照图1、图2、图3及图7，与电光转换面板1的制造方法一起详细地描述该状态。图7为示出在把基板互相间如图3中所示胶合之前的情况的剖面图。

当制造本形态的电光转换面板1时，首先，为了形成对置基板3，在石英玻璃31等绝缘基板的表面上顺序地形成了遮光膜6及对置电极32之后，在对置电极32的表面上薄薄地涂布用于形成取向膜的聚酰胺树脂49。其次，在约150°～200℃的温度下使聚酰胺树脂49热硬化。通过这样作，在对置基板3一侧上形成了聚酰胺树脂49的层之后，进行抛光处理。

另一方面，为了形成TFT阵列基板2，首先，利用周知的半导体工艺在石英玻璃30的表面上顺序地形成TFT10及像素电极8。

其次，在整个TFT阵列基板2的表面上涂布了那种硬化后也可弹性变形的树脂之后，使用光刻技术对其进行构图，在包围图像显示区37周围的区域内形成凸起21。在此，例如如果基板之间的间隙尺寸之目标值为2μm，则把凸起21形成为比间隙尺寸的目标值(2μm)稍厚。

其次，在TFT阵列基板2的表面上薄薄地形成用于形成取向膜的聚酰胺树脂47，然后，进行抛光处理。

其次，一边从撒布器喷出未硬化的密封材料200，一边将其以包围凸起21的外侧的方式涂布到TFT阵列基板2的表面上。此外，一边从点式撒布器喷出基板之间导通用的未硬化导通材料56，一边将其涂布到TFT阵列基板2的表面上、且在密封材料200涂布区的稍外周一侧上。在本形态中，作为导通材料56使用了把银粉或镀金纤维等导电粒子配合到具有光硬化性或热硬化性的环氧树脂系列或两烯酸树脂系列的粘结剂成分中而成的材料。此外，作为密封材料200与导通材料56同样使用了具有光硬化性或热硬化性的环氧树脂系列或丙烯酸树脂系列的粘结剂。未把间隙材料配合以该密封材料200中。因而，由于可不在密封材料200中加入间隙材料，故即使在密封材料200的下层一侧存在着布线也没有这些布线被间隙材料压碎而断路这样的情况。

其次，在对于对置基板3与TFT阵列基板2进行了位置重合使得在TFT阵列基板2上形成的基板之间导通用的第1电极47与在对置基板3上形成的基板之间导通用的第2电极48对置之后，在向TFT阵列基板2按压对置基板3使凸起21保持为高度变成约2μm轻轻压扁了的状态下，通过从对置基板3一侧向密封材料200照射紫外线或加热处理使导通材料56及密封材料200硬化。

在此，虽然可以从涂布开始就汇总使导通材料56及密封材料200此二者硬化，但是，也可以分开涂布导通材料56及密封材料200并使其硬化。此外，也可以把硬化分成为暂时硬化及永久硬化这2个阶段来进行。

其结果，如图1～图3中所示，在把凸起21作为衬垫介入了的状态下通过2μm的间隙来胶合对置基板3与TFT阵列基板2，而且，通过导通材料56导电性地连接在TFT阵列基板2上形成的基板之间导通用的第1电极47与在对置基板3上形成的基板之间导通用的第2电极48。

在通过这样作把对置基板3与TFT阵列基板2胶合之后，如图1中所示，使密封材料200的内侧区处于减压状态下，从电光转换物质注入口241减压注入电光转换物质39，然后，用密封剂242堵塞电光转换物质注入口241。

这样，在本形态中，由于通过使在TFT陈列基板2上形成的凸起21在弹性变形了的状态下介入到与对置基板3之间来控制基板之间的间隙尺寸(单元厚度)，故与利用与密封材料配合的间隙材料来控制间隙尺寸的结构相比较例如，即使是2μm这样窄的间隙尺寸也能够以高精度来控制。此外，由于以包围图像显示区37的方式形成了凸起21，故可在整个图像显示区37中控制间隙尺寸，在每一个部位上在基板之间的间隙尺寸方面都不发生离散性。因此，即使是窄的间隙，也可实现间隙尺寸的精度高、而且在整个图像显示区37中间隙尺寸均匀的电光转换面板1。因此，如果使用该电光转换面板1进行显示，则没有显示的不匀，而且可进行对比度高、且亮的显示，提高显示的清晰度。

[实施形态2]

图8为从对置基板一侧看的、与本形态有关的电光转换面板的平面图。图9(A)、(B)分别为沿图8的H’-H”线切断时的面板的剖面图及基板之间导通部分的平面图。图10(A)、(B)分别为示出在把基板互相间如图9中所示胶合之前的情况的电光转换面板的剖面图及基板之间导通部分的平面图。再者，在与本形态有关的电光转换面板中，对于与实施形态1有关的电光转换面板共同的部分付以相同的符号进行图示，省略其说明。

在实施形态1中，只沿密封材料200形成区的内周缘形成了单元厚度控制用的凸起21，但是，在本形态中，如图8及图9(A)中所示，在TFT阵列基板2的表面上、且在沿密封材料200形成区的内周缘及外周缘这2个缘形成了内周侧凸起22及外周侧凸起23。此外，在本形态中，如图9(B)中所示，在外周侧凸起23上形成了包围进行基板之间导通的导通材料56的形成区周围的圆形部分24。在现在示出的例中，包围导通材料56的形成区周围的圆形部分24与外周侧凸起23成为一体，但是，有时它们也独立地形成。

参照图9和图10，一边说明这样结构的电光转换面板1的制造方法，同时一边详细描述确保基板之间规定的间隙尺寸的方法。

当制造本形态的电光转换面板1时，首先，如图10(A)中所示，在作为对置基板3使用的石英玻璃31的表面上形成遮光膜6、对置电极32及由聚酰胺树脂49构成的取向膜。

另一方面，在作为TFT阵列基板2使用的石英玻璃30的表面上，首先形成TFT10及像素电极8等。

其次，在整个TFT阵列基板2的表面上涂布了那种硬化后也可弹性变形的树脂之后，使用光刻技术对其进行构图，以包围图像显示区37周围的方式形成内周一侧凸起22及具备圆形部分24的外周一侧凸起23。在此，如果基板之间间隙尺寸的目标值为2μm，则把内周一侧凸起22及外周一侧凸起23形成为比间隙尺寸的目标值(2μm)稍厚。此外，如图10(B)中所示，在外周一侧凸起23的角部分处以包围用于通过导通材料56使基板互相间导通的第1电极47的周围的方式来形成圆形部分24。

其次，在TFT阵列基板2的表面上进行聚酰胺树脂46的形成及抛光处理，把聚酰胺树脂46的层作为取向膜。

其次，一边从撒布器喷出未硬化的密封材料200，一边对TFT阵列基板2的表面上由内周一侧凸起22与外周一侧凸起23夹持的区域进行涂布。此外，一边从点式撒布器喷出基板之间导通用的未硬化导通材料56，一边将其涂布到外周一侧凸起23的由圆形部分24包围了的区域内。在本形态中也是，作为导通材料56使用了把银粉或镀金纤维等导电粒子配合到具有光硬化性或热硬化性的环氧树脂系列或丙烯酸树脂系列的粘结剂成分中而成的材料。此外，作为密封材料200使用了具有光硬化性或热硬化性的环氧树脂系列或丙烯酸树脂系列的粘结剂。未把间隙材料配合到该密封材料200中。

其次，在对于对置基板3与TFT阵列基板12进行了位置重合使得在TFT阵列基板2上形成的基板之间导通用的第1电极47与在对置基板3上形成的基板之间导通用的第2电极48对置之后，在向TFT陈列基板2按压对置基板3使凸起22、23、24的高度保持为变成约2μm压扁了的状态下，通过从对置基板3一侧向密封材料200照射紫外线或加热处理使导通材料56硬化，与此同时使密封材料200硬化。

其结果，如图8～图9中所示，通过规定的间隙来胶合对置基板3与TFT阵列基板2，而且，通过导通材料56导电性地连接在TFT阵列基板2上形成的基板之间导通用的第1电极47与在对置基板3上形成的基板之间导通用的第2电极48。

这样，在本形态中，由于通过使在TFT阵列基板2上形成的内周一侧凸起22及外周一侧凸起23与对置基板3相接来控制基板之间的间隙尺寸(单元厚度)，故与利用与密封材料配合的间隙材料来控制间隙尺寸的结构相比较能够以高精度来控制间隙尺寸。此外，由于以包围图像显示区37的方式形成了内周一侧凸起22及外周一介凸起23，故在整个图像显示区37中在基板之间的间隙尺寸方面都不发生离散性。因此，可实现间隙尺寸的精度高、而且在整具图像显示区37中间隙尺寸均匀的电光转换面板1。

此外，由于把未硬化的密封材料200涂布到由内周一侧凸起22与外周一侧凸起23夹持的区域内，故在涂布时及加热时没有密封材料200溢出到多余区域中的情况。进而，由于未硬化的导通材料56涂布到外周一侧凸起23的圆形部分24之内侧中，故在涂布时及加热时没有导通材料56溢出到多余区域中的情况。因此，作为密封材料200及导通材料56的粘结剂成分可使用热硬化性的成分。在此，如果把热硬化性成分作为密封材料200或导通材料56来使用，则与使用了紫外线硬化性成分的情况不同，可以避免因紫外线照射而引起构成取向膜的聚酰胺树脂46、49发生恶化。因此，不需要在进行紫外线照射时对于规定区域进行遮光这样费功夫的工序了。此外，在使用了紫外线硬化性的密封材料200时，有在与密封材料200重叠的区域中不能形成各种电路及布线以使紫外线达到密封材料200上这样的限制，但是，如果是热硬化性的密封材料200，则可有效地利用与其重叠的区域，可在其中配置各种电路及布线。此外，通过把密封材料200的形成区扩展到至少部分地与在图像显示区37的外围形成了的遮光膜55重叠的位置上，也可提高其密封性。

[实施形态3]

图11为从对置基板一侧看的、与本形态有关的面板的平面图。图12及图13分别为电光转换面板的像素的平面图及剖面图。此外，图14为示出在把基板互相间如图13中所示胶合之前的情况的像素的剖面图。再者，在与本形态有关的电光转换面板中，对于与实施形态1有关的电光转换面板共同的部分付以相同的符号进行图示，省略其说明。

在实施形态1、2中，沿密封材料200的形成区形成了单元厚度控制用的凸起21、22、23，但是，在本形态中，并不像图11所示沿密封材料200的形成区形成单元厚度控制用的凸起等，而是具有与参照图19说明了的现有电光转换面板大致相同的平面形状。

作为代价，在本形态中，如图12及图13中所示，在液晶面板1的图像显示区37内散布的指定位置上形成了多个圆柱形凸起25，通过使该多个凸起25介于用密封材料200胶合的TFT阵列基板2与对置基板3之间确保了在基板之间规定的间隙。在本形态中，作为凸起25的位置也是在图像显示区37内形成的任一个像素上，在光不透过的非孔径区上被形成。即，在利用在各像素中且在参照图5说明了的像素中与用于形成像素开关用的TFT10的硅膜10a(半导体膜/图5中带有斜线的区域)的延伸设置部分相当的硅膜40a(半导体膜/图5中带有斜线的区域)、以及电容线92形成了存储电容器40的区域中，形成了凸起25。

参照图11、图12、图13和图14，一边说明这样结构的面板1的制造方法，同时一边详细描述确保基板之间规定的间隙尺寸的方法。

当制造本形态的电光转换面板1时，首先，如图14中所示，在作为对置基板3使用的石英玻璃31的表面上形成遮光膜6、对置电极32及由聚酰胺树脂49构成的取向膜。

另一方面，在作为TFT阵列基板2使用的石英玻璃30的表面上，形成TFT10及像素电极8等。

其次，在整个TFT阵列基板2的表面上涂布了那种硬化后也可弹性变形的树脂之后，如图12及图14中所示，使用光刻技术对其进行构图，在TFT阵列基板2的表面上，且在形成了存储电容40的比较平坦的区域上形成凸起25。在此，如果基板之间间隙尺寸的目标值为2μm，则把凸起25形成为比间隙尺寸的目标值(2μm)稍厚。

其次，通过进行聚酰胺树脂46的形成及抛光处理，在TFT阵列基板2的表面上形成由聚酰胺树脂46的层构成的取向膜。

其次，一边从撒布器喷出未硬化的密封材料200，一边对TFT阵列基板2的表面上与对置基板3的外周缘重叠的区域进行涂布。此外，一边从点式撒布器喷出基板之间导通用的未硬化导通材料56，一边将其涂布到密封材料200的外周一侧上。在本形态中也是，作为导通材料56使用了把银粉或镀金纤维等导电粒子配合到具有光硬化性或热硬化性的环氧树脂系列或丙烯酸树脂系列的粘结剂成分中而成的材料。在此，作为密封材料200可以利用具有光硬化性或热硬化性的环氧树脂系列或丙烯酸树脂系列的粘结剂、将间隙材料配合到该密封材料200中而成的材料以及未把间隙材料配合到该密封材料中而成的材料之任一种材料。在此，如果使用未配合间隙材料的密封材料200，则即使在密封材料200的下层一侧存在着布线也可防止这些布线被间隙材料压碎而断路。

其次，在对于对置基板3与TFT阵列基板2进行了位置重合使得在阵列基板2上形成的基板之间导通用的第1电极47与在对置基板3上形成的基板之间导通用的第2电极48对置之后，在向TFT阵列基板2按压对置基板3，如图13中所示使凸起25的高度保持为变成约2μm压扁了的状态下，通过从对置基板3一侧向密封材料200照射紫外线或加热处理使导通材料56硬化，与此同时使密封材料200硬化。

其结果，如图11及图13中所示，通过规定的间隙来胶合对置基板3与TFT阵列基板2，而且，通过导通材料56导电性地连接在TFT阵列基板2上形成的基板之间导通用的第1电极47与在对置基板3上形成的基板之间导通用的第2电极48。

在通过这样作把对置基板3与TFT阵列基板2胶合之后，如图11中所示，使密封材料200的内侧区处于减压状态下，从电光转换物质注入口241减压注入液晶等电光转换物质39，在充填了电光转换物质39之后，用密封剂242堵塞电光转换物质注入口241。此时，因为凸起25是圆柱形的，所以液晶等电光转换物质39不受凸起25的阻碍平滑地在凸起周围蔓延，因此，可适当地充填电光转换物质39。因而，不发生电光转换物质39的充填不良。

这样，在本形态中，由于通过使在TFT阵列基板2上形成的凸起25与对置基板3相接来控制基板之间的间隙尺寸(单元厚度)，故与利用与密封配合的间隙材料来控制间隙尺寸的结构相比较能够以高精度来控制间隙尺寸。此外，由于凸起25在图像显示区37内散布的多个位置上介于TFT阵列基板2与对置基板3之间，故在整个图像显示区37中在基板之间的间隙尺寸方面都不发生离散性。因此，即使是窄的间隙，也可实现间隙尺寸的精度高、而且在整个图像显示区37中间隙尺寸均匀的电光转换面板1。

此外，由于把起到衬垫作用的凸起25作入TFT基板2中，故与对于图像显示区37散布了衬垫的情况不同，可避免开使显示品质下降那样的位置而是只在各像素中光不透过的非孔径区内有选择地形成凸起25。例如，像本形态那样，可在形成了存储电容40的平坦的区域上有选择地形成凸起25。因而，即使把电光转换面板1作为投射型显示装置的光阀来使用，也不会把凸起25作为像进行扩大、投射。

此外，由于在各像素中的同一部位(存储电容40的形成区)上、即在各像素内的同一坐标上形成了凸起25，故凸起25在各像素中的相同高度的位置上被形成。因此，由于凸起25高度的位置在各像素之间是相同的，故可作到基板之间的间隙尺寸更加可靠地恒定。因此，即使在使用了段差大的TFT阵列基板2的情况下，也能确保在TFT阵列基板2与对置基板3之间恒定的间隙。

[实施形态3的改进例]

图15为示出与实施形态3的改进例有关的电光转换面板上的凸起分布的说明图，图16有示出与实施形态3的另一改进例有关的电光转换面板上的凸起分布的说明图。

在与实施形态3有关的电光转换面板1中，为在像素显示区37上以相等的密度形成圆柱形凸起25之例，但是，在此说明之例中，在像素显示区37中某一特定的区域内以高密度来形成凸起25，在其它区域内只以低密度形成凸起25。

即，在图15中示出之例中，在电光转换面板1的像素显示区37中以矩阵状并列的多个像素中以周围区作为凸起25(在图15中，附以黑圆点之处有)的高密度形成区，在全部像素上形成了凸起25，与此相反，以中心区作为凸起25的低密度形成区，只在一部分像素上形成了凸起25。

如果这样来构成，则在胶合了基板互相之间之后，在图像显示区37的中心区内基板之间的间隙变窄。即，按照在基板之间注入液晶等电光转换物质的时序有时电光转换面板1的中心膨胀，但是，可预期这样的膨胀之发生而胶合基板互相间。即，在图像显示区37内减压注入了电光转换物质39时，即使中心区多少有所膨胀、间隙尺寸变大，这样的扩大部分也可由注入电光转换物质39之前的间隙尺寸之差来吸收、缓和。因此，可在整个图像显示区37中使基板之间的间隙尺寸均匀化。

此外，作为改变凸起25的形成密度的形态，如图16中所示，在胶合对置基板3与TFT阵列基板2时向着TFT阵列基板2按压对置基板3的装置中、在按压力具有随部位而离散的倾向的情况下，以抵销这样离散的分布来形成凸起25。例如，如果向着图16，在左侧上对TFT阵列基板2的按压力大、而在右侧上对TFT阵列基板2的按压力小，则在像素显示区37中，向着图16对左侧区域作为凸起25的高密度形成区，增加形成凸起25的像素数例如在全部像素上形成凸起25，另一方面，向着图16对右侧区域作为凸起25的低密度形成区，只在一部分像素上形成凸起25。

如果这样来构成，则即使按压力随部位而不同，由于据此而设定介于对置基板3与TFT阵列基板2之间的凸起25的密度，故作为其结果，能够在整个图像显示区37上使基板之间的间隙均匀。

[其它实施形态]

图17(A)中示出实施形态1的变形例1。在实施形态1中示出了在TFT阵列基板2的密封材料形成区的外围上形成凸起21、且在TFT阵列基板2上还形成密封材料200之例，但是，在图17(A)的变形例中，在对置基板3一侧的规定位置上形成凸起21，另一方面，在TFT阵列基板2上形成密封材料200，然后，胶合TFT阵列基板2与对置基板3。此时，凸起21的形成位置与密封材料200的涂布位置可有偏移，如上述实施形态1那样，但是，也可以像图17(A)中所示之例那样，在与凸起21重叠的位置上涂布密封材料200，此时，如图17(B)中所示那样，通过使密封材料200介于凸起21与TFT阵列基板2之间把凸起21与TFT阵列基板2粘结、固定。由于其它结构与上述实施形态1相同，故对于对应的部分付以同一符号，省略其说明。再有，在实施形态2及3中，也可采用这样的结构，但省略其说明。

[实施形态4]

图21中示出实施形态4。在实施形态4的形态中示出了在TFT阵列基板2的密封材料形成区的外围且在其内侧上形成凸起21、且在FT阵列基板2上还形成密封材料200之例，但是，在图21的实施例4中，以与显示区周围的遮光膜55对置的方式、在对置基板3一侧或者在TFT阵列基板2一侧上形成，然后，胶合TFT阵列基板2与对置基板3。再有，该遮光膜55是为了把以矩阵状形成了像素的显示区与其外围的非显示区隔开而形成的膜。此时，凸起21的形成位置与遮光膜55的涂布位置可以有偏移，但是，如果以纳入到遮光膜55的宽度之内的方式来形成凸起21，则可利用凸起21来控制基板之间的间隙而不受遮光膜55台阶差的影响。而且，在平面上看，因为凸起21与遮光膜55重叠，同时被遮光膜55所隐蔽，所以，可防止凸起21对显示的影响。此外，可以沿遮光膜55同样以包围非显示区的方式来形成该凸起21，或者也可以沿遮光膜55而散布。这样，密封材料200介于凸起21与TFT阵列基板2之间，由此，使凸起21与TFT阵列基板2粘结、固定。此外，设置凸起21使之与TFT阵列基板一例的遮光膜55的4个角对置，也可以胶合TFT阵列基板与对置基板。此时，设置在TFT阵列基板一侧上的凸起21可以起到与对置基板胶合的对准标志的作用。由于其它结构与上述实施形态1相同，故对于对应的部分付以同一符号，省略其说明。

[电光转换面板对电子装置的应用]

其次，作为具备电光转换面板1的电子装置之一例，说明投射型显示装置。图18为示出应用了本发明的电光转换面板1之使用例的投射型显示装置(电光转换装置)的整体结构图。

在图18中，投射型显示装置1100是把电光转换面板1分别作为RGB用的光阀100R、100G及100B使用了的投影仪。在液晶投影仪1100中，一从金属卤化物灯等白色光源的灯装置1102发射投射光，就利用3个反射镜1106及2个二色镜1108分成对应于RGB三基色的光分量R、G、B，将其分别引导到对应于各色的光阀100R、100G及100B上。此时，特别是蓝光，为了防止长光程所引起的光损耗通过由入射透镜1122、中继透镜1123及射出透镜1124组成的中继透镜系统进行引导。然后，在由二色棱镜112把对应于分别由光阀100R、100G及100B调制了的三基色的光分量再次合成之后，通过投射镜头114作为彩色图像投射到屏幕1120上。

[工业上的利用领域]

如上所述，在本发明中，由于通过使在一基板上形成的凸起与另一基板相接来控制基板之间的间隙尺寸(单元厚度)，故与利用与密封材料配合的间隙材料来控制间隙尺寸的结构相比较能够以高精度来控制间隙尺寸。此外，由于凸起包围图像显示区，故在整个图像显示区中在基板之间的间隙尺寸方面不发生离散性。因此，即使是窄的间隙，也可实现间隙尺寸的高精度、而且在整个图像显示区中间隙尺寸均匀的电光转换面板。此外，由于可不在密封材料中加入间隙材料，故即使在密封材料的下层一侧存在着布线也没有这些布线被间隙材料压碎而断路这样的情况。

Claims (8)

1.一种电光转换面板，把电光转换物质夹持在一对基板之间，上述一对基板相互间由密封材料粘结固定，在上述密封材料的形成区的内侧具有由多个像素构成的图像显示区，其特征在于，

在上述一对基板中的一基板上具有向另一基板伸出并与该另一基板连接的凸起；

上述凸起具有与上述密封材料形成区的内周缘邻接而形成的第1凸起及与外周缘邻接而形成的第2凸起，在上述第1凸起与上述第2凸起之间所夹的区域内形成上述密封材料。

2.根据权利要求1所述的电光转换面板，其特征在于，上述凸起由可弹性变形的材料构成，在上述一对基板之间处于被压扁了的状态。

3.根据权利要求1中所述的电光转换面板，其特征在于，以至少一部分与在上述图像显示区周边形成了的遮光膜重叠的方式形成上述密封材料。

4.根据权利要求1中所述的电光转换面板，其特征在于，所述一对基板由以矩阵状形成了像素电极及像素开关用薄膜晶体管的晶体管阵列基板，以及形成对置电极的对置基板构成。

5.一种投射型显示装置，是使用了权利要求4中所述的电光转换面板的扩大投射型显示装置，其特征在于，具有：光源；聚光光学系统，把从该光源射出的光引导到上述电光转换面板上；以及扩大投射光学系统，扩大并投射利用该电光转换面板进行了光调制的光。

6.一种电光转换面板的制造方法，所述电光转换面板把电光转换物质夹持在一对基板之间，上述一对基板相互间由密封材料粘结固定，在上述密封材料的形成区的内侧具有由多个像素构成的图像显示区，其特征在于，在形成了沿形成上述密封材料的预定区的内周缘的第1凸起及沿外周缘的第2凸起之后，在上述第1凸起与上述第2凸起之间所夹的区域内涂布上述密封材料，然后，一边按压上述一对基板，一边使上述密封材料硬化。

7.根据权利要求6中所述的电光转换面板的制造方法，其特征在于，在利用可弹性变形的材料在上述一对基板中的一基板上形成了上述凸起之后，在该一基板上涂布密封材料，然后，一边按压上述一对基板，一边使上述密封材料硬化。

8.根据权利要求6中所述的电光转换面板的制造方法，其特征在于，利用可弹性变形的材料在上述一对基板中的一基板上形成上述凸起，另一方面，在另一基板上涂布密封材料，然后，一边按压上述一对基板，一边使上述密封材料硬化。

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