TWI696013B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示面板，包括一第一基板、一第二基板、一顯示介質層、一密封膠以及一導體。第一以及第二基板經由圍繞設置在第一與第二基板之間的顯示介質層的密封膠所組裝。第二基板包括一第二導電層以及設置在第二導電層上的一鈍化層。鈍化層顯露出第二導電層的一部分。一導體將第一基板的一第一導電層電性連接至第二導電層的顯露的部分，且設置在密封膠以及顯示面板的邊緣之間。一第一導電突起以及一第二導電突起依序設置在第一以及第二基板的其中之一上，以形成此導體。第二導電突起的材料可從包括可固化材料的導電複合材料形成。

Description

顯示面板及其製造方法

本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種顯示面板。

液晶顯示面板通常包括可以用作液晶單元的夾在兩個基板之間的顯示介質層。每個基板通常包括一導電層。顯示介質層包括一顯示介質材料，並且顯示介質材料通常包括經由在基板之間建立的電場所驅動的液晶分子。用於液晶顯示面板的驅動電路可結合至基板的其中之一，因此連接在兩個基板之間的導電材料需要另一個基板上的導電層，以電性連接至驅動電路。將導電顆粒添加至黏合劑中是形成放置在基板之間的導電材料的一種方式。然而，顆粒傾向聚集，導致基板之間的單元間隙不均勻。單元間隙的不均勻性或從兩個基板的平行對準的偏差影響顯示面板的品質。當更大量的導電材料，並因此更大量的導電顆粒，被用來橋接基板之間的單元間隙時，這種不利的效果增加。

在根據本揭露實施例的顯示面板使用導電突起，以減少包括導電顆粒的導電複合材料的量，所述導電顆粒可聚合而不利地影響顯示面板的性能。

在根據本揭露實施例的顯示面板的製造方法可產生具有期望的單元間隙的顯示面板。

本揭露提供一種顯示面板，其包括一第一基板、一第二基板、一顯示介質層、一密封膠以及一導體。第一基板包括一第一導電層。第二基板與第一基板組裝，並包括一第二導電層以及設置在第二導電層上的一鈍化層。鈍化層顯露出第二導電層的一部分。顯示介質層設置在第一基板以及第二基板之間。密封膠設置在第一基板與第二基板之間，且圍繞顯示介質層。導體設置在密封膠以及顯示面板的邊緣之間，且在第一導電層以及第二導電層之間電性連接，其中導體與第二導電層顯露的部分接觸。導體包括一第一導電突起以及一第二導電突起。第一導電突起接觸第一導電層與第二導電層的其中之一。第二導電突起連接第一導電層以及第二導電層中的另一個與第一導電突起之間。第一導電層的材料與第二導電層的材料不同。

在一些實施例中，與第一基板以及第二基板的其中一個正交的第一導電突起的高度介於0.1微米與10微米之間。

在一些實施例中，第一導電突起的材料不同於第一導電層以及第二導電層的其中之一的材料。

在一些實施例中，第一導電突起的材料相同於第一導電層以及第二導電層的其中之一的材料。

在一些實施例中，第一導電突起為包括多於一種導電材料的堆疊結構。

在一些實施例中，第一導電突起具有錐形側壁。

在一些實施例中，第二導電突起的材料包括基質材料以及散布於基質材料中的金屬顆粒。

在一些實施例中，基質材料包括可固化材料。

在一些實施例中，第一基板更包括一第一配向層，其設置在第一基板的第一導電層上，且面向第二基板，並且第二基板更包括一第二配向層，其設置在第二基板的鈍化層上，且面向第一基板。

在一些實施例中，第一配向層以及第二配向層的至少其中之一延伸至導體的邊緣。

在一些實施例中，第一配向層以及第二配向層的至少其中之一被密封膠包圍。

在一些實施例中，導體位於第一配向層以及第二配向層的至少其中之一的區域內，且導體穿透第一配向層以及第二配向層的至少其中之一，以與第一導電層以及第二導電層中相應的那一個接觸。

在一些實施例中，導體更包括一第三導電突起。第三導電突起與第一導電層以及第二導電層中的另一個接觸，且第二導電突起夾在第一導電突起以及第三導電突起之間。

本揭露更提供一種顯示面板的製造方法，其包括以下步驟。提供一第一基板以及一第二基板。第一基板包括一第一導電層，且第二基板包括一第二導電層以及設置在第二導電層上的一鈍化層。在第一基板以及第二基板的其中之一上形成一密封膠材料以及一第一導電突起，其中第一導電突起位於第一基板以及第二基板的其中之一的邊緣與密封膠材料之間，並且與第一導電層以及第二導電層中相應的那一個接觸。在第一導電突起上形成一導電複合材料。導電複合材料包括基質材料以及金屬顆粒。經由密封膠材料組裝第一基板以及第二基板。在第一基板以及第二基板之間形成一顯示介質層，其中顯示介質層被密封膠材料所圍繞。固化密封膠材料以及導電複合材料，以分別形成一密封膠以及一第二導電突起。

在一些實施例中，第一導電突起的材料不同於第二導電突起的材料。

在一些實施例中，基質材料包括可固化材料。

在一些實施例中，金屬顆粒包括鎳顆粒。

在一些實施例中，第一導電突起的材料與第一導電層以及第二導電層中相應的那一個相同。

在一些實施例中，組裝第一基板以及第二基板使得導電複合材料被壓縮。

在一些實施例中，第一基板以及第二基板的另一個更包括覆蓋第一導電層以及第二導電層中的另一個的一配向層，且導電複合材料穿透配向層，以在組裝第一基板以及第二基板期間，與第一導電層以及第二導電層中的另一個接觸。

基於上述，第一導電突起減少了在第一基板的第一導電層以及第二基板的第二導電層的顯露的部分之間電性連接所需的第二導電突起的材料的量。在第二導電突起的前導材料是包括導電顆粒的導電複合材料的實施例中，在顯示面板中使用較少的導電複合材料防止或減少經由導電顆粒的聚集所引起的在第一以及第二基板之間的間隙的不均勻性。因此，第一導電突起防止或減少來自第一以及第二基板之間的不均勻的間隙的顯示面板的性能的下降。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1示意性地示出了顯示顯示面板DP的一些元件的上視圖。請參照圖1，顯示面板DP包括一第一基板SB1、一第二基板SB2、一密封膠SL、一顯示介質層DM以及一導體C。具體來說，第一基板SB1以及第二基板SB2以頂部與底部的方式堆疊，且由上方觀看的兩個基板的形狀可實質上相同，使得第一基板SB1的輪廓以及第二基板SB2的輪廓如圖1所示的對齊。密封膠SL設置在第一基板SB1與第二基板SB2之間，以完全圍繞顯示介質層DM，使得顯示介質層DM以及密封膠SL夾在第一基板SB1以及第二基板SB2之間。從上方觀看，密封膠SL可具有框狀圖案。導體C設置在第一基板SB1以及第二基板SB2之間，且位於密封膠SL以及顯示面板DP的邊緣之間。在這特定的實施例中，導體C的數量為4，並且導體C圍繞密封膠SL，且定位在顯示面板DP的角落。在替代的實施例中，導體C的數量可少於四個或多於四個。

圖2示意性地示出根據本揭露一實施例的一種顯示面板100的剖面。請參照圖2，顯示面板100包括一第一基板110、一第二基板120、一顯示介質層104、一密封膠106、一第一導電突起101以及一第二導電突起102。顯示面板100可具有相似於圖1中的顯示面板DP的上視圖，其中第一導電突起101以及第二導電突起102對應於圖1中的導體C。換句話說，圖2所示的顯示面板100相似於圖1所示的顯示面板DP，並且顯示面板100的組成部分相似於或相同於圖1的顯示面板DP的相應的組成部分。在圖2中描繪的顯示面板100的進一步描述可省略相同於圖1的顯示面板DP已經描述的細節。

在圖2中，第一基板110以及第二基板120彼此相對排列並實質上互相平行，且密封膠106設置在第一基板110以及第二基板120之間。具體來說，第一基板110以及第二基板120經由密封膠106彼此組裝。顯示介質層104設置在第一基板110以及第二基板120之間，且被密封膠106所圍繞。在一些實施例中，密封膠106完全圍繞顯示介質層104，使得顯示介質層104被第一基板110、第二基板120以及密封膠106所圍繞。顯示介質層104的材料可為液晶材料，使得第一基板110、第二基板120、顯示介質層104以及密封膠106可作為液晶單元。

從最外層到最內層，第一基板110可包括第一支撐板112、第一導電層114以及第一配向層118。第一導電層114完全覆蓋第一支撐板112面向顯示介質層104的一側；或者，可根據需求圖案化第一導電層114。第一支撐板112的材料可以是玻璃、石英、聚合物基板等。第一導電層114的材料可為透明導電材料，例如包括氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化鋁鋅（Aluminum Zinc Oxide，AZO）或氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）的金屬氧化物。

從最外層到最內層，第二基板120可包括電晶體陣列基板，此電晶體陣列基板包括第二支撐板122、第二導電層124、鈍化層126以及第二配向層128。第二導電層124設置在第二支撐板122面向顯示介質層104的一側。第二支撐板122可以是玻璃板、矽背板等。第二導電層124可以是例如薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）陣列或互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS）元件陣列的電晶體陣列層。鈍化層126可包括用於第二導電層124下面的氧化或氮化材料或者其他耐腐蝕的材料，以保護第二導電層124免於腐蝕。第一基板110的第一導電層114以及第二基板120的電晶體陣列可提供穿過顯示介質層104的電場，以例如驅動顯示介質層104中的液晶分子。顯示面板100可以是薄膜電晶體液晶顯示器（Thin-Film Transistor Liquid-Crystal Display，TFT-LCD）面板或矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon，LCoS）顯示面板。形成或圖案化鈍化層126以顯露出第二導電層124下面的表面，其中第二導電層124的顯露的表面至少足夠大，以允許第二導電突起102與第二導電層124接觸。在這特定的實施例中，鈍化層126顯露出第二導電層124的外面的部分，其延伸至顯示面板100的邊緣。

第一配向層118以及第二配向層128與顯示介質層104連接。在一些實施例中，顯示介質層104為液晶層，並且第一配向層118以及第二配向層128可取向液晶分子，且引起液晶分子的預傾角。第一配向層118的性質，包括其材料，可以與第二配向層128的性質相同，但本揭露不限於此。在這特定的實施例中，第一配向層118以及第二配向層128延伸至密封膠106的內部的邊緣。

第一導電突起101以及第二導電突起102以頂部與底部的方式堆疊，且由上方觀看的兩個突起的形狀可實質上相同，使得第一導電突起101的輪廓以及第二導電突起102的輪廓對齊。第一導電突起101以及第二導電突起102可構成如圖1所示的導體C。第一導電突起101與第一導電層114接觸，且第二導電突起102與第一導電突起101以及第二導電層124的顯露的部分接觸。也就是說，第一導電突起101以及第二導電突起102橋接第一基板110以及第二基板120之間的間隙，以將第一導電層114電性連接至第二導電層124。

圖3A至圖3E是示出了根據本揭露一實施例的一種顯示面板200的製造方法的示意性的剖面圖。圖3E的顯示面板200的製造方法可包括以下步驟，但本揭露並不限於此，並且步驟的順序也不限於這裡呈現的步驟的順序。圖3E的顯示面板200與圖2的顯示面板100相似，並且顯示面板200的組成部分與圖2的顯示面板100的相應的組成部分相似或相同。在圖3E中描繪的顯示面板200的進一步描述可省略相同於圖2的顯示面板100已經描述的細節。

關於圖3A，提供第一支撐板112以及設置在第一支撐板112上的第一導電層114。第一配向材料層118m設置在第一導電層114上。第一配向材料層118m的材料可為有機的，例如可熱固化或可紫外線固化的聚醯亞胺（polyimide），或無機的，例如氧化矽、氧化鋅或其組合。

關於圖3B，圖案化第一配向材料層118m，以形成第一配向層118。然而，本揭露不限於此。在其他實施例中，第一配向層118可以直接形成所期望的圖案，從而在形成步驟之後省略圖案化的步驟。第一支撐板112、第一導電層114以及第一配向層118依序堆疊，以形成第一基板110。圖3B的第一基板110可與圖2中所描繪的相似。第一配向層118覆蓋了的第一導電層114的中央部分，顯露出第一導電層114的外部或周圍部分。然而，本揭露不限於此。在其他實施例中，第一配向層可具有不同的圖案。在一些實施例中，第一配向材料層118m的材料是有機的，並且第一配向層118可經由濕法形成，例如旋轉塗佈、狹縫塗佈、柔性板塗佈（APR coating）或噴墨印刷。使用的原始材料可包括聚醯胺酸（polyamic acid）或聚醯亞胺（polyimide），然後可將其固化，以形成第一配向層118。所得到的第一配向層118的有機材料可包括熱固化的聚醯亞胺或紫外線固化的聚醯亞胺。在一些實施例中，第一配向材料層118m的材料是無機的，並且第一配向層118可例如經由溶膠-凝膠法或所需材料的熱蒸鍍所形成，例如傾斜沉積的氧化矽（silicon oxide，SiO _x）、奈米結構氧化鋅（zinc oxide，ZnO）或奈米多孔陽極氧化鋁。無機材料的第一配向材料層118m可經由蝕刻來圖案化，包括濕蝕刻或乾蝕刻，例如是雷射蝕刻或電漿蝕刻，以產生第一配向層118。或者，無機材料的第一配向層118可經由例如在熱蒸鍍過程的期間使用陰影遮罩在所需的圖案中直接形成或圖案化，以屏蔽在第一配向層118的材料不是期望的區域。在一些實施例中，無機材料的第一配向層118可用疏水性材料來進一步修改。第一配向層118可具有介於200至2000埃之間的厚度。

關於圖3C，第一導電突起101在第一導電層114的顯露的部分上形成。第一導電突起101可相似於其在圖2中所描繪的。第一導電突起101可為如圖3C中所示的單一材料的整體結構，或者，可具有多於一種導電材料的堆疊結構。第一導電突起101的材料可包括氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、氧化鋅（zinc oxide，ZnO）、其他導電金屬氧化物、鋁、金或其他金屬。第一導電突起101的材料可與第一導電層114、第二導電層124的材料相同或者與這些材料不同。在圖3C-3E中所示的這特定的實施例中，第一導電突起101的材料與第一導電層114以及第二導電層124的材料不同。第一導電突起101可經由例如熱蒸鍍或濺鍍的薄膜沉積形成。第一導電突起101的高度101h可以為約0.1微米至10微米。

關於圖3D，密封膠材料106m在第一基板110上形成。在這特定的實施例中，密封膠材料106m在第一配向層118的外部的部分以及相鄰於第一配向層118的邊緣的第一導電層114顯露的部分上形成。然而，本揭露不限於此。在其他實施例中，密封膠材料106m可完全設置在第一配向層118或第一導電層114顯露的部分上。像是液晶材料的顯示介質材料104m設置在第一配向層118上。顯示介質材料104m可經由滴下式注入法（One Drop Filling，ODF）設置在第一配向層118上，但本揭露不限於此。第二導電突起材料102m在第一導電突起101上形成。第二導電突起材料102m的材料可為導電複合材料。導電複合材料可為可壓縮的並且包括基質材料MR以及散布在基質材料MR中的金屬顆粒MP。基質材料MR可包括可固化材料，並且金屬顆粒MP可包括鎳顆粒或其他金屬顆粒。

關於圖3E，一種第二基板120，其包括依序堆疊的第二支撐板122、第二導電層124、鈍化層126以及第二配向層128。第二基板120可與如圖2中描繪的相似。第二配向層128可與第一配向層118相似，並且可與第一配向層118相似的方式形成。之後，經由密封膠材料106m組裝第一基板110以及第二基板120，使得密封膠材料106m以及第二導電突起材料102m被壓縮。顯示介質材料104m可填充由密封膠材料106m、第一基板110以及第二基板120所圍繞的顯示介質空間，以形成顯示介質層104。在替代的實施例中，如圖3D中所示的第二導電突起材料102m的材料可在組裝第一基板110以及第二基板120之前，在第二基板120的第二導電層124顯露的部分上形成，使得直到第一基板110與第二基板120組裝，第二導電突起材料102m以及第一導電突起101不互相接觸。

密封膠材料106m可包括可固化材料，例如光可固化材料。類似地，第二導電突起材料102m包括具有金屬顆粒MP散布在其中的可固化基質材料MR。在一些實施例中，第二導電突起材料102m的基質材料MR可與密封膠材料106m相同，但本揭露不限於此。在接合第一基板110以及第二基板120之後，可以對密封膠材料106m以及第二導電突起材料102m執行光或熱固化步驟，以分別形成密封膠206以及第二導電突起102，使得顯示面板200可形成。在替代的實施例中，在經由固化的密封膠206組裝第一基板110以及第二基板120之後，可經由真空注入法將顯示介質材料104m引入至顯示介質空間中。也就是說，可在形成密封膠206與由第一導電突起101以及第二導電突起102組成的導體之後，執行顯示介質材料104m的注入。

顯示面板200與圖2A中所示的顯示面板100相似。顯示面板100與200的差異在於，顯示面板200的密封膠206部分地定位於第一與第二配向層118與128上，且部分地定位於第一導電層114與鈍化層126上，而顯示面板100的密封膠106完全地定位於第一導電層114與鈍化層126上。換句話說，在組裝第一基板110以及第二基板120之前，顯示介質材料104m的數量以及位置與沉積在第一配向層118以及第一導電層114上的密封膠材料106m可被調整，如圖3D所示，以在組裝的顯示面板200中達成密封膠206以及顯示介質層104所期望的尺寸與位置。在組裝第一基板110以及第二基板120的步驟中，第二導電突起材料102m被壓縮。第二導電突起材料102m的壓縮可導致一些金屬顆粒MP的聚集。然而，所使用的第二導電突起材料102m的量的不足以使其在哪裡被實質的聚集，其聚集導致第一基板110以及第二基板120之間的單元間隙中的不均勻性，這不利地影響顯示面板的品質。因此，經由將第二導電突起材料102m與第一導電突起101組裝，防止了或充分地減少了單元間隙中的不均勻性的不利的效果。

圖4至圖9均示意性地示出根據本揭露一實施例的一種顯示面板的剖面。請參照圖4至圖9，顯示面板300至800的每一個與圖3E的顯示面板200相似。

請參照圖4，顯示面板300包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層104、密封膠306、第一導電突起101以及第二導電突起102。從最外層到最內層，第一基板110包括第一支撐板112、第一導電層114以及第一配向層218，且第二基板120包括第二支撐板122、第二導電層124、鈍化層126以及第二配向層228。圖4的顯示面板300與圖3E的顯示面板200不同在於，第一配向層218以及第二配向層228延伸至由第一導電突起101以及第二導電突起102組成的導體的內邊緣。第二配向層228還可在鈍化層126與導體的第二導電突起102之間的間隙中延伸。除此之外，第一配向層218以及第二配向層228可相似於並且以與圖3E的顯示面板200的第一配向層118以及第二配向層128相似的方式形成。

請參照圖5，顯示面板400包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層104、密封膠306、第一導電突起101以及第二導電突起102。從最外層至最內層，第一基板110包括第一支撐板112、第一導電層114以及第一配向層318，且第二基板120包括第二支撐板122、第二導電層124、鈍化層126以及第二配向層328。圖5的顯示面板400與圖3E的顯示面板200不同在於，第一導電突起101位於第一配向層318的區域內且穿透第一配向層318，以與第一導電層114接觸，並且相似地對於第二導電突起102、第二配向層328以及第二導電層124。第一配向層318以及第二配向層328可延伸至顯示面板400的邊緣。除此之外，第一配向層318以及第二配向層328可相似於並且以與圖3E的顯示面板200的第一配向層118以及第二配向層128相似的方式形成。

請參照圖6，顯示面板500包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層104、密封膠206、第一導電突起214p以及第二導電突起102。從最外層至最內層，第一基板110包括第一支撐板112、第一導電層214以及第一配向層118。第一導電突起214p與第一導電層214為一體成形。圖6的顯示面板500與圖3E的顯示面板200不同在於，第一導電突起214p具有與第一導電層214的其餘的部分相同的材料。第一導電突起214p可經由，例如蝕刻，在消去處理中由第一導電層214的厚材料部分形成，使得第一導電層214的剩餘的部分比第一導電突起214p薄。在替代的實施例中，第一導電突起214p可在添加處理中形成，例如，以與圖3E的顯示面板200的第一導電突起101相似的方式形成。然而，本揭露不限於此。除此之外，第一導電突起214p可相似於圖3E的顯示面板200的第一導電突起101。

請參照圖7，顯示面板600包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層104、密封膠206、第一導電突起314p以及第二導電突起102。從最外層至最內層，第一基板110包括第一支撐板112、第一導電層314以及第一配向層118。第一導電突起314p與第一導電層314為一體成形。圖7的顯示面板600與圖6的顯示面板500不同在於，第一導電突起314p的側壁是錐形的，使得第一導電突起314p的上表面的寬度314pwt小於第一導電突起314p的底面的寬度314pwb。除此之外，第一導電突起314p可相似於並且以與圖6的顯示面板500的第一導電突起214p相似的方式形成。

請參照圖8，顯示面板700包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層104、密封膠206、第一導電突起414p以及第二導電突起102。從最外層至最內層，第一基板110包括第一支撐板112、第一導電層414以及第一配向層118。第一導電突起414p與第一導電層414為一體成形。圖8的顯示面板700與圖6的顯示面板500不同在於，第一導電突起414p的側壁是錐形的，使得第一導電突起414p的上表面的寬度414pwt大於第一導電突起414p的底面的寬度414pwb。除此之外，第一導電突起414p可相似於並且以與圖6的顯示面板500的第一導電突起214p相似的方式形成。

請參照圖9，顯示面板800包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層104、密封膠206、第一導電突起101以及第二導電突起102。從最外層至最內層，第一基板110包括第一支撐板112、第一導電層114以及第一配向層118。第一基板110可相似於在圖3B中描繪的，但可修改第一配向層118面向顯示介質層104的表面，以形成疏水性表面118s。從最外層至最內層，第二基板120包括依序堆疊的第二支撐板122、第二導電層124、鈍化層126以及第二配向層128。可以將相似的疏水性修改應用於第二配向層128面向顯示介質層104的表面，以形成疏水性表面128s。可以經由在第一配向層118與第二配向層128的表面上進行疏水性修改來形成疏水性表面118s與128s。疏水性修改可以經由例如化學氣相沉積或噴墨印刷在表面上設置疏水性材料來進行。疏水性材料可包括矽烷（silanes）、氟化矽烷（fluorinated silanes）、長鏈醇（long-chain alcohols）或酸。

疏水性表面118s與128s可具有大於60度的水接觸角。在本實施例中，可以修改第一配向層118以及第二配向層128面向顯示介質層104的整個表面。然而，本揭露不限於此。疏水性表面可以直接形成或圖案化成所需的圖案。例如，可經由紫外光曝光或電漿蝕刻來去除疏水性表面118s的一部分上的疏水性分子以及/或疏水性表面128s的一部分。

圖10A至圖10D是示出了根據本揭露一實施例的一種顯示面板900的製造方法的示意性的剖面圖。圖10D的顯示面板900的製造方法包括以下步驟，但本揭露不限於此，並且步驟的順序也不限於這裡所呈現的步驟的順序。在圖10A至10D所描繪的製造方法中，將省略描述相同於圖3A至3E的顯示面板200的已經描述的製造方法的細節。

請參照圖10A，提供依序堆疊的第二支撐板122、第二導電層124以及鈍化層126。第二配向材料層128m設置在鈍化層126上與第二導電層124顯露的部分上。第二配向材料層128m的材料可相似於圖3A的第一配向材料層118m的材料。在本實施例中，第二導電層124可以是形成在第二支撐板122上的主動層中一個導電層，僅管未示出主動層的進一步細節。在一些情況下，主動層包括電晶體陣列，例如薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）陣列或互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS）元件陣列，且鈍化層126為覆蓋主動層的介電層。

請參照圖10B，圖案化第二配向材料層128m，以形成第二配向層128。然而，本揭露不限於此。在其他實施例中，第二配向層128可直接形成所需的圖案，從而在形成步驟之後省略圖案化的步驟。在本實施例中，圖案化第二配向材料層128m，使得鈍化層126的外部由第二配向層128顯露。然而，本揭露不限於此。在其他實施例中，第二配向層128可進一步朝向第二支撐板122的邊緣延伸或延伸至第二支撐板122的邊緣。可以與圖3A與3B的第一配向層118相似的方式圖案化第二配向層128。

請參照圖10C，在第二導電層124顯露的部分上形成第一導電突起101。第一導電突起101可相似於並且以與圖3C的第一導電突起101相似的方式形成。也就是說，第一導電突起101由氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、氧化鋅（zinc oxide，ZnO）、其他導電金屬氧化物、鋁、金或其他金屬所製成。

請參照圖10D，後續的步驟與關於圖3D至3E中的顯示面板200所描述的、具有在圖10D中進一步所描繪的部分以及其相同或相似於圖3D至3E中所對應的任何中間的版本相同。這導致顯示面板900具有第一基板110、第二基板120、顯示介質層104、密封膠206、第一導電突起101以及第二導電突起102，其中第一導電突起101與第二基板120的第二導電層124接觸。第二導電突起102包括基質材料MR以及散布在基質材料MR中的金屬顆粒MP，且基質材料MR可為可固化材料。在這實施例中的基質材料MR以及金屬顆粒MP可相似於在圖3E的顯示面板200以及圖3D中所示的那些。在經由密封膠材料接合第一基板110以及第二基板120之後，固化第二導電突起102，密封膠材料在固化時形成密封膠206。假設第二導電突起102不需足夠大以橫跨在第一導電層114以及第二導電層124之間的間隙，以在他們之間提供連續的電連接，則在第二導電突起102中的金屬顆粒MP的聚集效應可能不足以不利地影響第一基板110以及第二基板120之間的間隙的均勻性。因此，顯示面板900可具有足夠的品質，且其製造可具有提高的良率。

圖11示意性地示出根據本揭露一實施例的一種顯示面板的剖面。請參照圖11，顯示面板1000與圖10D的顯示面板900以及圖6的顯示面板500相似。顯示面板1000包括第一基板110、第二基板120、顯示介質層104、密封膠206、第一導電突起224p以及第二導電突起102。第二基板120包括第二支撐板122、第二導電層224、鈍化層126、第一導電突起224p以及第二配向層128。第一導電突起224p與第一導電層224為一體成形。圖11的顯示面板1000與圖10D的顯示面板900不同在於，第一導電突起224p具有與第二導電層224的其餘的部分相同的材料。除此之外，第一導電突起224p可相似於並且以與圖6的顯示面板500的第一導電突起214p相似的方式形成。

在與圖11的顯示面板1000另一相似的實施例中，具有設置在第二導電層上且與第二導電層相同的材料的第一導電突起的顯示面板也可具有第一與/或第二配向層，每個配向層具有相似於並且以與圖9的第一配向層118以及第二配向層128相似的方式形成的疏水性表面。在較佳的實施例中，具有疏水性表面的配向層可為無機的，並且不具有疏水性表面的配向層可為有機的。

圖12示意性地示出根據本揭露一實施例的一種顯示面板的一部分的剖面。請參照圖12，顯示面板1100包括第一基板110、第二基板120、第一導電突起101、第二導電突起102以及第三導電突起103。從最外層至最內層，第一基板110包括第一支撐板112以及第一導電層114，並且第二基板120包括第二支撐板122以及第二導電層124。第一導電突起101、第二導電突起102以及第三導電突起103堆疊設置且形成橫跨第一導電層114以及第二導電層124之間的間隙的導體。在圖12中僅示出了包括導體的顯示面板的一部分。除此之外，顯示面板1100相似於圖3E的顯示面板200或圖10D的顯示面板900。

橫跨在圖12的第一導電層114以及第二導電層124之間的間隙的導體可包括第一導電突起101、第二導電突起102以及第三導電突起103，並且可如下形成，但本揭露不限於此。第一導電突起101可具有與第一導電層114不同的材料，因此可在第一導電層上114以與如圖3C中所示，在圖3E的顯示面板200的第一導電層114上所形成的第一導電突起101的相似的方式形成。在替代的實施例中，第一導電突起101可具有與第一導電層114相同的材料，因此可與圖6的顯示面板500的第一導電突起214p相似的方式形成。除此之外，第一導電突起101與圖3E的顯示面板200的第一導電突起101相似。

第三導電突起103可具有與第二導電層124不同的材料，因此可在第二導電層上124以與如圖10C所示，在圖10D的顯示面板900的第二導電層124上所形成的第一導電突起101的相似的方式形成。在替代的實施例中，第三導電突起103可具有與第二導電層124相同的材料，因此可與圖11的顯示面板1000的第一導電突起224p相似的方式形成。除此之外，第三導電突起103與圖10D的顯示面板900的第一導電突起101相似。第一導電突起101與第三導電突起103可具有不同的材料或具有相同的材料。

第二導電突起102可與先前實施例中的第二導電突起102相似並且以相似的方式形成，例如圖3E的顯示面板200的第二導電突起102。也就是說，第二導電突起102是由固化了包括可固化基質材料MR以及散布在基質材料MR中的金屬顆粒MP的導電複合材料所形成。基質材料MR與金屬顆粒MP可相似於對應於圖3E的顯示面板200的那些，並且在圖3D中描繪。具體來說，導電複合材料相似於在圖3D中所示的顯示面板200的第二導電突起材料102m。在本實施例中，在組裝顯示面板1100之前，導電複合材料可在第一導電突起101上形成、在第三導電突起103上形成，或導電複合材料的一部分可在第一導電突起101上形成且其餘的部分可在第三導電突起103上形成。在第一基板110與第二基板120一起組裝期間，導電複合材料被壓縮，並且在組裝之後，導電複合材料被固化，以形成第二導電突起102。所使用的導電複合材料的量相似於或少於先前實施例，因此導電複合材料的壓縮可能不會引起導致不均勻的單元間隙的不利影響的金屬顆粒MP的顯著的聚集。

除此之外，顯示面板1100以與圖3E的顯示面板200或圖10D的顯示面板900相似方式形成。具體來說，在組裝之前，顯示介質材料以及密封膠材料可在第一基板110上、第二基板120上形成，或者顯示介質材料的各個部分以及密封膠材料可在第一基板110以及第二基板120的剩餘部分上形成。

基於上述，第一導電突起減少了在第一基板的第一導電層以及第二基板的第二導電層的顯露的部分之間電性連接所需的第二導電突起的材料的量。在第二導電突起的前導材料是包括導電顆粒的導電複合材料的實施例中，在顯示面板中使用較少的導電複合材料防止或減少經由導電顆粒的聚集所引起的在第一以及第二基板之間的間隙的不均勻性。因此，第一導電突起防止或減少來自第一以及第二基板之間的不均勻的間隙的顯示面板的性能的下降。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、DP、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100:顯示面板 101、214p、224p、314p、414p:第一導電突起 101h:高度 102:第二導電突起 102m:第二導電突起材料 103:第三導電突起 104、DM:顯示介質層 104m:顯示介質材料 106、206、306、SL:密封膠 106m:密封膠材料 110、SB1:第一基板 112:第一支撐板 114、214、314、414:第一導電層 118、218、318:第一配向層 118s、128s:疏水性表面 118m:第一配向材料層 120、SB2:第二基板 122:第二支撐板 124、224:第二導電層 126:鈍化層 128、228、328:第二配向層 128m:第二配向材料層 314pwb、314pwt、414pwb、414pwt:寬度 C:導體 MP:金屬顆粒 MR:基質材料

圖1示意性地示出根據本揭露一實施例的一種顯示面板的上視圖。 圖2示意性地示出根據本揭露一實施例的一種顯示面板的剖面。 圖3A至圖3E是示出了根據本揭露一實施例的一種顯示面板的製造方法的示意性的剖面圖。 圖4至圖9均示意性地示出根據本揭露一實施例的一種顯示面板的剖面。 圖10A至圖10D是示出了根據本揭露一實施例的一種顯示面板的製造方法的示意性的剖面圖。 圖11示意性地示出根據本揭露一實施例的一種顯示面板的剖面。 圖12示意性地示出根據本揭露一實施例的一種顯示面板的一部分的剖面。

100:顯示面板

101:第一導電突起

102:第二導電突起

104:顯示介質層

106:密封膠

110:第一基板

112:第一支撐板

114:第一導電層

118:第一配向層

120:第二基板

122:第二支撐板

124:第二導電層

126:鈍化層

128:第二配向層

Claims (20)

1. 一種顯示面板，包括：一第一基板，包括：一第一導電層；一第二基板，與該第一基板組裝，並包括：一第二導電層；以及一鈍化層，設置在該第二導電層上，其中該鈍化層顯露出該第二導電層的一部分；一顯示介質層，設置在該第一基板以及該第二基板之間；一密封膠，設置在該第一基板與該第二基板之間，且圍繞該顯示介質層；以及一導體，設置在該密封膠以及該顯示面板的邊緣之間，該導體比該密封膠更靠近該顯示面板的邊緣，且在該第一導電層以及該第二導電層之間電性連接，其中該導體與該第二導電層的顯露的部分接觸，且該導體包括：一第一導電突起，接觸該第一導電層以及該第二導電層的其中之一；以及一第二導電突起，連接該第一導電層以及該第二導電層中的另一個與該第一導電突起之間，其中該第一導電層的材料與該第二導電層的材料不同。
2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中與該第一基板以及該第二基板的其中一個正交的該第一導電突起的高度介於0.1微米與10微米之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一導電突起的材料不同於該第一導電層以及該第二導電層的其中之一的材料。
4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一導電突起的材料相同於該第一導電層以及該第二導電層的其中之一的材料。
5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一導電突起為包括多於一種導電材料的堆疊結構。
6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一導電突起具有錐形側壁。
7. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第二導電突起的材料包括基質材料以及散布在該基質材料中的金屬顆粒。
8. 如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，其中該基質材料包括可固化材料。
9. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一基板更包括：一第一配向層，設置在該第一基板的該第一導電層上，且面向該第二基板；以及 該第二基板更包括：一第二配向層，設置在該第二基板的該鈍化層上，且面向該第一基板。
10. 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中該第一配向層以及該第二配向層的至少其中之一延伸至該導體的邊緣。
11. 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中該第一配向層以及該第二配向層的至少其中之一被該密封膠包圍。
12. 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中該導體位於該第一配向層以及該第二配向層的至少其中之一的區域內，且該導體穿透該第一配向層以及該第二配向層的至少其中之一，以與該第一導電層以及該第二導電層中相應的那一個接觸。
13. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該導體更包括一第三導電突起，該第三導電突起與該第一導電層以及該第二導電層中的另一個接觸，且該第二導電突起夾在該第一導電突起以及該第三導電突起之間。
14. 一種顯示面板的製造方法，包括：提供包括一第一導電層的一第一基板與包括一第二導電層以及設置在該第二導電層上的一鈍化層的一第二基板；在該第一基板以及該第二基板的其中之一上形成一密封膠材料；在該第一基板以及該第二基板的其中之一上形成一第一導電突起，其中該第一導電突起位於該第一基板以及該第二基板的其 中之一的邊緣與該密封膠材料之間，並且與該第一導電層以及該第二導電層中相應的那一個接觸；在該第一導電突起上形成一導電複合材料，其中該導電複合材料包括基質材料以及金屬顆粒；經由該密封膠材料組裝該第一基板以及該第二基板；在該第一基板以及該第二基板之間形成一顯示介質層，其中該顯示介質層被該密封膠材料所圍繞；以及固化該密封膠材料以及該導電複合材料，以分別形成一密封膠以及一第二導電突起。
15. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該第一導電突起的材料不同於該第二導電突起的材料。
16. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該基質材料包括可固化材料。
17. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該金屬顆粒包括鎳顆粒。
18. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該第一導電突起的材料與該第一導電層以及該第二導電層中相應的那一個相同。
19. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中組裝該第一基板以及該第二基板使得該導電複合材料被壓縮。
20. 如申請專利範圍第19項所述的方法，其中該第一基板以及該第二基板的另一個更包括覆蓋該第一導電層以及該第二導 電層中的另一個的一配向層，且該導電複合材料穿透該配向層，以在組裝該第一基板以及該第二基板期間，與該第一導電層以及該第二導電層中的另一個接觸。

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