JPH09222610A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPH09222610A JPH09222610A JP3036796A JP3036796A JPH09222610A JP H09222610 A JPH09222610 A JP H09222610A JP 3036796 A JP3036796 A JP 3036796A JP 3036796 A JP3036796 A JP 3036796A JP H09222610 A JPH09222610 A JP H09222610A
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- substrate
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シール材の外周部に力が作用した場合におい
て、シール材により囲まれた液晶層の厚みに変化をもた
らさない液晶素子を提供する。 【解決手段】 下基板20には、液晶層の内部の配向膜
22のほかに液晶層の外側にも配向膜22’を同一工程
で形成してある。これら配向膜22,22’には球状の
スペーサ41が分散され、固定されている。従って、下
基板20と上基板30を枠状のシール材40を介して貼
り合わせると、シール材40の外周部で基板間にスペー
サ41が挟持された状態となる。したがって、シール材
40の外周部に外力が作用した場合でも、スペーサ41
により支えられ、下基板20と上基板30の間隔を所定
の間隔で均一に維持できる。
て、シール材により囲まれた液晶層の厚みに変化をもた
らさない液晶素子を提供する。 【解決手段】 下基板20には、液晶層の内部の配向膜
22のほかに液晶層の外側にも配向膜22’を同一工程
で形成してある。これら配向膜22,22’には球状の
スペーサ41が分散され、固定されている。従って、下
基板20と上基板30を枠状のシール材40を介して貼
り合わせると、シール材40の外周部で基板間にスペー
サ41が挟持された状態となる。したがって、シール材
40の外周部に外力が作用した場合でも、スペーサ41
により支えられ、下基板20と上基板30の間隔を所定
の間隔で均一に維持できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は貼り合わせた2枚の
基板間に均一な液晶層厚(ギャップ)をもった液晶素子
に関するものである。
基板間に均一な液晶層厚(ギャップ)をもった液晶素子
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、家電製品の表示素子として、その
製造に関わるコスト的制約から、ピンによって外部回路
と電気接続をした液晶表示素子が用いられている。この
ピン付き型液晶表示素子はその断面を第3図に示す。
製造に関わるコスト的制約から、ピンによって外部回路
と電気接続をした液晶表示素子が用いられている。この
ピン付き型液晶表示素子はその断面を第3図に示す。
【0003】一対の透明基板(以下、図中下側の透明基
板を下基板1、上側の基板を上基板2と称する)が平行
に対向配置されている。下基板1と上基板2の対向する
面には、透明導電膜からなる電極とその上にポリイミド
等の配向膜が次のように形成される。下基板1には電極
3,配向膜4が形成され、上基板2には電極5,配向膜
6が形成される。シール材7は、下基板1と上基板2の
間に枠状に配置され、それら両基板1,2を均一な所定
の間隔に保ち接合している。そして、液晶8が下基板
1,上基板2,シール材7で囲まれた空間に封入され
て、液晶表示素子が形成されている。
板を下基板1、上側の基板を上基板2と称する)が平行
に対向配置されている。下基板1と上基板2の対向する
面には、透明導電膜からなる電極とその上にポリイミド
等の配向膜が次のように形成される。下基板1には電極
3,配向膜4が形成され、上基板2には電極5,配向膜
6が形成される。シール材7は、下基板1と上基板2の
間に枠状に配置され、それら両基板1,2を均一な所定
の間隔に保ち接合している。そして、液晶8が下基板
1,上基板2,シール材7で囲まれた空間に封入され
て、液晶表示素子が形成されている。
【0004】液晶層の外部において、入力端子電極3’
は液晶層内の電極3を液晶層の外部に引き出した電極で
ある。導電性の材料からなる接続ピン9は、入力端子電
極3’に接合され、外部の液晶駆動回路より出力された
信号を供給する端子となる。モールド剤10は紫外線硬
化性樹脂等からなり、前述の接続ピン9を下基板1に固
定するために接続ピン9の取付箇所に塗布される。しか
し、モールド剤10は通常ディスペンサー等により塗布
されるが、その際、下基板1の接続ピン9の取付箇所だ
けに塗布することが難しく、その近傍の領域に広く塗布
され、図示されるようにシール材7外側の基板間隙にも
充填されることが多い。
は液晶層内の電極3を液晶層の外部に引き出した電極で
ある。導電性の材料からなる接続ピン9は、入力端子電
極3’に接合され、外部の液晶駆動回路より出力された
信号を供給する端子となる。モールド剤10は紫外線硬
化性樹脂等からなり、前述の接続ピン9を下基板1に固
定するために接続ピン9の取付箇所に塗布される。しか
し、モールド剤10は通常ディスペンサー等により塗布
されるが、その際、下基板1の接続ピン9の取付箇所だ
けに塗布することが難しく、その近傍の領域に広く塗布
され、図示されるようにシール材7外側の基板間隙にも
充填されることが多い。
【0005】そのため、第4図のようにモールド剤10
が硬化するのに際して、その収縮による引っ張り力がシ
ール材7の外周部の下基板1と上基板2の隙間を小さく
するように作用する。この引っ張り力は、シール材7に
より支えられている部分をテコの支点としてシール材7
に囲まれた部分に対して、2枚の基板の間隔を広げるよ
うに作用する。その結果、下基板1と上基板2が歪み、
液晶層の厚みが不均一になり、液晶分子の配向不良やシ
ール材7の内周部分における気泡11の発生などの不具
合を引き起こし、液晶表示素子に表示不良や機能不良等
の障害をもたらす。
が硬化するのに際して、その収縮による引っ張り力がシ
ール材7の外周部の下基板1と上基板2の隙間を小さく
するように作用する。この引っ張り力は、シール材7に
より支えられている部分をテコの支点としてシール材7
に囲まれた部分に対して、2枚の基板の間隔を広げるよ
うに作用する。その結果、下基板1と上基板2が歪み、
液晶層の厚みが不均一になり、液晶分子の配向不良やシ
ール材7の内周部分における気泡11の発生などの不具
合を引き起こし、液晶表示素子に表示不良や機能不良等
の障害をもたらす。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前述の現象を解決する
方法として、シール材7の幅を広くして上基板2のシー
ル材7から外側にはみ出したひさし部分の寸法を小さく
する方法などが試みられているが、この方法は液晶表示
素子の外形寸法をより小さく、表示画面寸法をより大き
くという設計思想の下では、シール材7に対する上基板
2の切断位置の余白(以下、マージンと称する)の寸法
を小さくすることになる。そのため、シール材7を切断
部分に含めてしまう危険が増大する。端子部分の基板の
切断は貼り合わせた2枚の基板のうち一方のみを切断す
る工程であり切断面にシール材7を含むことで、シール
材7が切断面の両側のガラス基板を接着している状態と
なり、基板のカケやワレ等の不良を発生させる要因とな
っていた。
方法として、シール材7の幅を広くして上基板2のシー
ル材7から外側にはみ出したひさし部分の寸法を小さく
する方法などが試みられているが、この方法は液晶表示
素子の外形寸法をより小さく、表示画面寸法をより大き
くという設計思想の下では、シール材7に対する上基板
2の切断位置の余白(以下、マージンと称する)の寸法
を小さくすることになる。そのため、シール材7を切断
部分に含めてしまう危険が増大する。端子部分の基板の
切断は貼り合わせた2枚の基板のうち一方のみを切断す
る工程であり切断面にシール材7を含むことで、シール
材7が切断面の両側のガラス基板を接着している状態と
なり、基板のカケやワレ等の不良を発生させる要因とな
っていた。
【0007】そこで本発明では、そのシール材の外周部
分に力が作用しても、シール材により囲まれた液晶層の
厚みが変化せず、かつ製造歩留まりの良好な液晶素子を
提供することを課題とする。
分に力が作用しても、シール材により囲まれた液晶層の
厚みが変化せず、かつ製造歩留まりの良好な液晶素子を
提供することを課題とする。
【0008】
【発明を解決するための手段】上記課題は、一方の面に
電極と配向膜を形成した第1の基板と第2の基板を電極
と配向膜を形成した前記一方の面を内側にし、間に基板
間隙を一定に保つための間隙規制部材を挟んで枠状のシ
ール材により接合し、該シール材の内側に液晶を充填し
てなる液晶素子において、前記シール材の内側の液晶充
填領域だけでなく前記シール材の外側の基板間隙にも前
記間隙規制部材を介在させることにより解決される。
電極と配向膜を形成した第1の基板と第2の基板を電極
と配向膜を形成した前記一方の面を内側にし、間に基板
間隙を一定に保つための間隙規制部材を挟んで枠状のシ
ール材により接合し、該シール材の内側に液晶を充填し
てなる液晶素子において、前記シール材の内側の液晶充
填領域だけでなく前記シール材の外側の基板間隙にも前
記間隙規制部材を介在させることにより解決される。
【0009】また上記課題は、一方の面に電極と配向膜
を形成した、第1の基板と第2の基板を一定の間隔を保
って枠状のシール材により接合し、少なくとも一方の基
板の前記シール材より外側に前記電極を引出して入力端
子電極を形成し、該入力端子電極と外部回路とを電気接
続するための接続ピンを前記入力端子電極に樹脂モール
ド剤により固着してなる液晶素子において、前記樹脂モ
ールド剤中に絶縁性微粒子を含有させ、該絶縁性微粒子
を含む樹脂モールド剤を、少なくとも前記入力端子電極
が形成された側の前記シール材の外側の基板間隙に充填
することによっても解決される。
を形成した、第1の基板と第2の基板を一定の間隔を保
って枠状のシール材により接合し、少なくとも一方の基
板の前記シール材より外側に前記電極を引出して入力端
子電極を形成し、該入力端子電極と外部回路とを電気接
続するための接続ピンを前記入力端子電極に樹脂モール
ド剤により固着してなる液晶素子において、前記樹脂モ
ールド剤中に絶縁性微粒子を含有させ、該絶縁性微粒子
を含む樹脂モールド剤を、少なくとも前記入力端子電極
が形成された側の前記シール材の外側の基板間隙に充填
することによっても解決される。
【0010】
〔第1の実施形態〕第1図は本発明の第1の実施形態を
示す断面図である。一対の透明基板20,30(以下、
図中下側の透明基板を下基板20、上側の透明基板を上
基板30と称する)は枠状のシール材40を介して所定
の間隔を保ち接合されている。下基板20と上基板30
とシール材40で囲まれた空間内に液晶50が封入され
て、液晶表示素子が形成されている。
示す断面図である。一対の透明基板20,30(以下、
図中下側の透明基板を下基板20、上側の透明基板を上
基板30と称する)は枠状のシール材40を介して所定
の間隔を保ち接合されている。下基板20と上基板30
とシール材40で囲まれた空間内に液晶50が封入され
て、液晶表示素子が形成されている。
【0011】この液晶表示素子は単純マトリクス型であ
り、下基板20と上基板30のそれぞれの対向側表面に
透明導電膜からなる電極21,31が複数本ストライプ
状に配置されている。電極21と電極31は直交する関
係にある。
り、下基板20と上基板30のそれぞれの対向側表面に
透明導電膜からなる電極21,31が複数本ストライプ
状に配置されている。電極21と電極31は直交する関
係にある。
【0012】それぞれの電極21,31上には、液晶分
子の配向を規制するためにポリイミド等の配向膜22,
32が形成される。この各配向膜をラビング等により互
いに交差する方向に配向処理することにより、液晶分子
は、下基板20から他方の上基板30に向けて、液晶分
子がねじれるように並んだツイスト配向状態をなす。
子の配向を規制するためにポリイミド等の配向膜22,
32が形成される。この各配向膜をラビング等により互
いに交差する方向に配向処理することにより、液晶分子
は、下基板20から他方の上基板30に向けて、液晶分
子がねじれるように並んだツイスト配向状態をなす。
【0013】前述のシール材40は下基板20と上基板
30の間に枠状に配置し、均一な厚みを保って基板を接
着する。このときに、シール材40を配置する面に、前
述した配向膜が存在すると接着性が低くなるため、存在
しない所定の位置に正確に配置する。
30の間に枠状に配置し、均一な厚みを保って基板を接
着する。このときに、シール材40を配置する面に、前
述した配向膜が存在すると接着性が低くなるため、存在
しない所定の位置に正確に配置する。
【0014】シール材40の外側の領域には、位置する
入力端子電極21’が下基板20の液晶層の内部(シー
ル材40の内側)の電極21を外部に引き出して形成さ
れている。そして、対向する上基板30には液晶駆動表
示に関与しないダミー電極31’が設置されている。
入力端子電極21’が下基板20の液晶層の内部(シー
ル材40の内側)の電極21を外部に引き出して形成さ
れている。そして、対向する上基板30には液晶駆動表
示に関与しないダミー電極31’が設置されている。
【0015】そして、前述のシール材40の外側の電極
21とダミー電極31’上にも配向膜22’,32’が
形成されている。このとき、液晶層の外側(シール材4
0の外側)に形成した配向膜22’,32’と前述の液
晶層の内部(シール材40の内側)に形成した配向膜2
2,32とは不連続した領域として形成し、下基板20
や上基板30のシール材40が配置される領域と前述の
入力端子電極21’には、後の工程上で問題となるた
め、配向膜を形成しない。配向膜22’を形成する位置
は、前述の入力端子電極21’近傍のシール材40の外
側である。その配向膜22’の幅は入力端子電極21’
を被覆してしまわないように、0.5〜3mm程度とす
る。
21とダミー電極31’上にも配向膜22’,32’が
形成されている。このとき、液晶層の外側(シール材4
0の外側)に形成した配向膜22’,32’と前述の液
晶層の内部(シール材40の内側)に形成した配向膜2
2,32とは不連続した領域として形成し、下基板20
や上基板30のシール材40が配置される領域と前述の
入力端子電極21’には、後の工程上で問題となるた
め、配向膜を形成しない。配向膜22’を形成する位置
は、前述の入力端子電極21’近傍のシール材40の外
側である。その配向膜22’の幅は入力端子電極21’
を被覆してしまわないように、0.5〜3mm程度とす
る。
【0016】本実施形態では、下基板20上の配向膜2
2,22’に、液晶層厚を規制するためのスペーサ41
が分散配置され、そのスペーサ41は配向膜22,2
2’により固定されている。このスペーサ41には、電
極21や電極31の電極間の短絡を防止するために絶縁
性の物質からなる球状の粒子を用いる。粒径は得ようと
する液晶層厚に応じて設定される。例えば、ポリスチレ
ン,SiO2等の球状粒子などが適切である。そのスペ
ーサ41は配向膜22,22’の領域内に10〜100
0個/mm2の密度で配置できるように、配向膜材料中
に混合させる。
2,22’に、液晶層厚を規制するためのスペーサ41
が分散配置され、そのスペーサ41は配向膜22,2
2’により固定されている。このスペーサ41には、電
極21や電極31の電極間の短絡を防止するために絶縁
性の物質からなる球状の粒子を用いる。粒径は得ようと
する液晶層厚に応じて設定される。例えば、ポリスチレ
ン,SiO2等の球状粒子などが適切である。そのスペ
ーサ41は配向膜22,22’の領域内に10〜100
0個/mm2の密度で配置できるように、配向膜材料中
に混合させる。
【0017】前述した入力端子電極21’には、クリッ
プ式の接続ピン42が電気接続状態に取り付けられ、紫
外線硬化性樹脂等のモールド剤43により固定されてい
る。液晶表示素子は、この接続ピン42を介して液晶駆
動回路と接続され、信号の供給を受ける。
プ式の接続ピン42が電気接続状態に取り付けられ、紫
外線硬化性樹脂等のモールド剤43により固定されてい
る。液晶表示素子は、この接続ピン42を介して液晶駆
動回路と接続され、信号の供給を受ける。
【0018】上記の液晶表示素子の製造方法について説
明する。下基板20上に、電極21(信号電極)と入力
端子電極21’を形成した後、その上に配向膜22と配
向膜22’が同一工程で形成される。この配向膜22と
配向膜22’は、配向膜材料に前述のスペーサ41を均
一に分散させたものを、下基板20上のシール材40や
入力端子電極21’の形成領域を除く所定領域に均一に
塗布して形成される。本実施形態では、配向膜材料にス
ぺーサ41を均一に分散混合してから塗布したが、配向
膜材料を下基板20上に塗布してからスペーサ31を均
一に散布し、配向膜22,22’上に散布されたスペー
サ31のみを固定させる方法によってもよい。
明する。下基板20上に、電極21(信号電極)と入力
端子電極21’を形成した後、その上に配向膜22と配
向膜22’が同一工程で形成される。この配向膜22と
配向膜22’は、配向膜材料に前述のスペーサ41を均
一に分散させたものを、下基板20上のシール材40や
入力端子電極21’の形成領域を除く所定領域に均一に
塗布して形成される。本実施形態では、配向膜材料にス
ぺーサ41を均一に分散混合してから塗布したが、配向
膜材料を下基板20上に塗布してからスペーサ31を均
一に散布し、配向膜22,22’上に散布されたスペー
サ31のみを固定させる方法によってもよい。
【0019】上基板30に、前述の電極31(走査電
極)とダミー電極31’を同一工程で形成した後、その
上にポリイミド等の配向膜材料からなる配向膜32と配
向膜32’を同一工程で形成する。配向膜32’を形成
する位置は、前述の下基板20側の配向膜22’に対向
した位置とする。配向膜32と配向膜32’を上基板3
0上のシール材40の形成領域を除く所定領域に均一に
塗布する。
極)とダミー電極31’を同一工程で形成した後、その
上にポリイミド等の配向膜材料からなる配向膜32と配
向膜32’を同一工程で形成する。配向膜32’を形成
する位置は、前述の下基板20側の配向膜22’に対向
した位置とする。配向膜32と配向膜32’を上基板3
0上のシール材40の形成領域を除く所定領域に均一に
塗布する。
【0020】次に、配向膜形成後の下基板20と上基板
30に対して、ラビング等による配向処理を所定の方向
に実施する。
30に対して、ラビング等による配向処理を所定の方向
に実施する。
【0021】次に、上基板30にシール材40をスクリ
ーン印刷法等により枠状に均一な厚みで塗布して、前述
の下基板20と配向処理を行った面を対向させて、貼り
合わせる。そして、シール材40を硬化させる。
ーン印刷法等により枠状に均一な厚みで塗布して、前述
の下基板20と配向処理を行った面を対向させて、貼り
合わせる。そして、シール材40を硬化させる。
【0022】次に、液晶表示素子の形状にガラス基板を
切断する。このとき、従来の方法のように、素子の大き
さを変えずにシール材を幅広に形成すると、シール材に
対する基板の切断位置のマージンの寸法が小さくなり、
シール材の上を切断するおそれがある。端子部分の基板
の切断は貼り合わせた2枚の基板のうち一方のみを切断
する工程であるので、シール材がガラスの切断の障害と
なり、基板のカケやワレ等の不良を発生させる要因とな
っていた。しかし、本実施形態においては、シール材4
0の幅寸法は通常通りで切断マージンが充分に確保され
ており、容易に一方の基板をカケやワレを発生させずに
切断することができる。間隙規制部材であるスペーサ4
1は、下基板20側にのみ固定されているから、仮に上
基板30の切断位置をまたがる位置に配置されていて
も、切断の障害にはならない。
切断する。このとき、従来の方法のように、素子の大き
さを変えずにシール材を幅広に形成すると、シール材に
対する基板の切断位置のマージンの寸法が小さくなり、
シール材の上を切断するおそれがある。端子部分の基板
の切断は貼り合わせた2枚の基板のうち一方のみを切断
する工程であるので、シール材がガラスの切断の障害と
なり、基板のカケやワレ等の不良を発生させる要因とな
っていた。しかし、本実施形態においては、シール材4
0の幅寸法は通常通りで切断マージンが充分に確保され
ており、容易に一方の基板をカケやワレを発生させずに
切断することができる。間隙規制部材であるスペーサ4
1は、下基板20側にのみ固定されているから、仮に上
基板30の切断位置をまたがる位置に配置されていて
も、切断の障害にはならない。
【0023】そして、ガラス基板を切断した後は、あら
かじめ設けたシール材40の切れ目を注入口として用い
て、真空技術により、シール材40と下基板20と上基
板30で囲まれた空間内に液晶50を封入する。そし
て、注入口を紫外線硬化樹脂等により封止する。
かじめ設けたシール材40の切れ目を注入口として用い
て、真空技術により、シール材40と下基板20と上基
板30で囲まれた空間内に液晶50を封入する。そし
て、注入口を紫外線硬化樹脂等により封止する。
【0024】本実施形態による液晶表示素子に対して、
クリップ式接続ピン42を下基板20の各入力端子電極
21’に挟着し、モールド剤43により固定する。しか
し、製造工程上、このモールド剤43をディスペンサー
等により下基板20の接続ピン取付箇所のみに塗布する
のは困難である為、上基板30の対応部分も含めた近傍
領域にも塗布されることになる。この塗布されたモール
ド剤43を硬化させて、接続ピン42が対応する入力端
子電極21’に強固に固定される。このモールド剤43
を硬化させるとその収縮作用による引っ張り力が、シー
ル材40の外周部の下基板20と上基板30に対して間
隔を縮める方向に働くが、その部分の両基板20,30
は、シール材40の外周部に設置されたスペーサ41に
より支えられている為、基板間の隙間が縮小せず、前述
の従来見られたテコ作用は発生しないため、下基板20
と上基板30の間隔を液晶層内で所定の間隔に均一に維
持できる。
クリップ式接続ピン42を下基板20の各入力端子電極
21’に挟着し、モールド剤43により固定する。しか
し、製造工程上、このモールド剤43をディスペンサー
等により下基板20の接続ピン取付箇所のみに塗布する
のは困難である為、上基板30の対応部分も含めた近傍
領域にも塗布されることになる。この塗布されたモール
ド剤43を硬化させて、接続ピン42が対応する入力端
子電極21’に強固に固定される。このモールド剤43
を硬化させるとその収縮作用による引っ張り力が、シー
ル材40の外周部の下基板20と上基板30に対して間
隔を縮める方向に働くが、その部分の両基板20,30
は、シール材40の外周部に設置されたスペーサ41に
より支えられている為、基板間の隙間が縮小せず、前述
の従来見られたテコ作用は発生しないため、下基板20
と上基板30の間隔を液晶層内で所定の間隔に均一に維
持できる。
【0025】なお、本例では、シール材40外周部に配
向膜32’を形成したが、配向膜22,32の膜厚がス
ペーサ41の直径や電極21,31の膜厚に対して、無
視できる程度に小さな値である場合は、配向膜32’を
省略することも可能である。
向膜32’を形成したが、配向膜22,32の膜厚がス
ペーサ41の直径や電極21,31の膜厚に対して、無
視できる程度に小さな値である場合は、配向膜32’を
省略することも可能である。
【0026】〔第2の実施形態〕第2図は本発明の第2
の実施形態を示す断面図である。なお、第1の実施形態
と同一構成要素には同一符号を付し、その説明を省略す
る。
の実施形態を示す断面図である。なお、第1の実施形態
と同一構成要素には同一符号を付し、その説明を省略す
る。
【0027】第2の実施形態では、一対の透明基板2
0,30をシール材により貼り合わせ、その内部に液晶
50を封入している。下基板20の液晶層の外部では内
部の電極21より引き出した入力端子電極21’が形成
されている。クリップ式の接続ピン42を入力端子電極
21’に取付けて、モールド剤43により接続ピン42
の取付箇所を固定している。
0,30をシール材により貼り合わせ、その内部に液晶
50を封入している。下基板20の液晶層の外部では内
部の電極21より引き出した入力端子電極21’が形成
されている。クリップ式の接続ピン42を入力端子電極
21’に取付けて、モールド剤43により接続ピン42
の取付箇所を固定している。
【0028】そのモールド剤43は紫外線硬化性樹脂等
のモールド樹脂に絶縁性微粒子44を配合したものを使
用する。その絶縁性微粒子44は基板間の隙間(10μ
m以下)よりも小さく粒径の揃ったものとし、配合割合
も2〜10wt%とする。そして、その材質は隣接する
各接続ピン42や入力端子電極21’間の短絡を防止す
るために絶縁性としなければならず、形状も隙間を充填
しやすい球状とする。例えば、ポリスチレン,SiO2
等の球状粒子などが適切である。
のモールド樹脂に絶縁性微粒子44を配合したものを使
用する。その絶縁性微粒子44は基板間の隙間(10μ
m以下)よりも小さく粒径の揃ったものとし、配合割合
も2〜10wt%とする。そして、その材質は隣接する
各接続ピン42や入力端子電極21’間の短絡を防止す
るために絶縁性としなければならず、形状も隙間を充填
しやすい球状とする。例えば、ポリスチレン,SiO2
等の球状粒子などが適切である。
【0029】上記の第2の実施形態の液晶表示素子の製
造方法について説明する。下基板20には、電極21と
その上に配向膜22を形成し、ラビング等の配向処理を
実施する。上基板30に、電極31と配向膜32を形成
して、ラビング等の配向処理を実施し、シール材40を
枠状にスクリーン印刷法等により塗布する。この基板3
0と前述の下基板20とそれぞれの電極や配向膜を形成
した面を対向させて、貼り合わせる。そして、シール材
40を硬化させる。
造方法について説明する。下基板20には、電極21と
その上に配向膜22を形成し、ラビング等の配向処理を
実施する。上基板30に、電極31と配向膜32を形成
して、ラビング等の配向処理を実施し、シール材40を
枠状にスクリーン印刷法等により塗布する。この基板3
0と前述の下基板20とそれぞれの電極や配向膜を形成
した面を対向させて、貼り合わせる。そして、シール材
40を硬化させる。
【0030】次に、液晶表示素子の形状にガラス基板を
切断する。このとき、従来技術のようにシール材を幅広
くするとシール材に対する基板の切断位置のマージンの
寸法が小さくなり、シール材の上を切断するおそれがあ
る。しかし、第2の実施形態においては、シール材40
の幅寸法を通常通りに維持しているから、切断マージン
が充分確保され切断時におけるワレやカケの発生が防止
される。
切断する。このとき、従来技術のようにシール材を幅広
くするとシール材に対する基板の切断位置のマージンの
寸法が小さくなり、シール材の上を切断するおそれがあ
る。しかし、第2の実施形態においては、シール材40
の幅寸法を通常通りに維持しているから、切断マージン
が充分確保され切断時におけるワレやカケの発生が防止
される。
【0031】ガラス基板を切断した後は、あらかじめ設
けたシール材40の切れ目を注入口として用いて、真空
技術により、シール材40と下基板20と上基板30で
囲まれた空間内に液晶50を封入する。そして、注入口
を紫外線硬化性樹脂等により封止する。
けたシール材40の切れ目を注入口として用いて、真空
技術により、シール材40と下基板20と上基板30で
囲まれた空間内に液晶50を封入する。そして、注入口
を紫外線硬化性樹脂等により封止する。
【0032】次に、クリップ式接続ピン42を下基板2
0の各入力端子電極21’に挟着し、前述の絶縁性微粒
子44を配合したモールド剤43により固定する。しか
し、製造工程上、このモールド剤43をディスペンサー
等により下基板20の接続ピン取り付け箇所のみに塗布
するのは困難である為、上基板30の対応部分も含めた
近傍領域にも塗布されることになる。この塗布されたモ
ールド剤43を硬化させて、接続ピン42を対応する入
力端子電極21’に強固に固定する。
0の各入力端子電極21’に挟着し、前述の絶縁性微粒
子44を配合したモールド剤43により固定する。しか
し、製造工程上、このモールド剤43をディスペンサー
等により下基板20の接続ピン取り付け箇所のみに塗布
するのは困難である為、上基板30の対応部分も含めた
近傍領域にも塗布されることになる。この塗布されたモ
ールド剤43を硬化させて、接続ピン42を対応する入
力端子電極21’に強固に固定する。
【0033】この第2の実施形態による液晶表示素子に
よれば、モールド剤樹脂中に絶縁性微粒子44を含有さ
せてある為、モールド剤43の硬化時の収縮は絶縁性微
粒子44を含有させない場合ほど大きくはなく、かつ収
縮によりシール材40の外周部の基板が引っ張られて
も、モールド剤43中の絶縁性微粒子44により支えら
れて、基板間の間隔を小さくすることはなく、従来のよ
うなテコ作用は発生しない。したがって、下基板20と
上基板30の間隔を所定の間隔に均一に維持できる。
よれば、モールド剤樹脂中に絶縁性微粒子44を含有さ
せてある為、モールド剤43の硬化時の収縮は絶縁性微
粒子44を含有させない場合ほど大きくはなく、かつ収
縮によりシール材40の外周部の基板が引っ張られて
も、モールド剤43中の絶縁性微粒子44により支えら
れて、基板間の間隔を小さくすることはなく、従来のよ
うなテコ作用は発生しない。したがって、下基板20と
上基板30の間隔を所定の間隔に均一に維持できる。
【0034】なお、第1の実施形態と第2の実施形態と
もに、下基板20に接続ピン42を取り付ける場合につ
いて説明したが、上基板30に接続ピンを取り付ける場
合にも同様の構成を適用することが可能である。
もに、下基板20に接続ピン42を取り付ける場合につ
いて説明したが、上基板30に接続ピンを取り付ける場
合にも同様の構成を適用することが可能である。
【0035】さらに、第1の実施形態と第2の実施形態
ともに、入力端子電極21’側のシール材の外周部だけ
ではなくて、他の外周部の下基板20と上基板30の隙
間にも同様の部材の設置をしてもよく、その場合はモー
ルド剤43の収縮作用だけでなく、シール材40外周部
に作用する諸々の外力に抗して所定の基板間隔を均一に
維持できる。
ともに、入力端子電極21’側のシール材の外周部だけ
ではなくて、他の外周部の下基板20と上基板30の隙
間にも同様の部材の設置をしてもよく、その場合はモー
ルド剤43の収縮作用だけでなく、シール材40外周部
に作用する諸々の外力に抗して所定の基板間隔を均一に
維持できる。
【0036】
【発明の効果】本発明は、それぞれ一方の面に電極と配
向膜を形成した第1の基板と第2の基板を一定の間隔を
もってシール材により貼り合わせた液晶素子において、
このシール材の外周部の基板間の隙間に間隔規制部材あ
るいは樹脂モールド剤に絶縁性微粒子を含有させた部材
を設置することにより、素子形成後に発生する外部応力
に対してシール材より外周部分の基板間隔が縮小するこ
とを防止することができる。そのことにより、シール材
を支点としたテコ作用は発生しなくなり、所定の基板間
隔を均一に維持でき、所定の液晶層厚が確保された液晶
素子を容易に得ることができる。
向膜を形成した第1の基板と第2の基板を一定の間隔を
もってシール材により貼り合わせた液晶素子において、
このシール材の外周部の基板間の隙間に間隔規制部材あ
るいは樹脂モールド剤に絶縁性微粒子を含有させた部材
を設置することにより、素子形成後に発生する外部応力
に対してシール材より外周部分の基板間隔が縮小するこ
とを防止することができる。そのことにより、シール材
を支点としたテコ作用は発生しなくなり、所定の基板間
隔を均一に維持でき、所定の液晶層厚が確保された液晶
素子を容易に得ることができる。
【0037】また、本発明によれば、上下基板を接合す
るシール材は、従来と同じ幅寸法のシール材である為、
切断マージンが充分に確保でき、液晶素子の切断時にお
けるカケやワレの発生を防止できる。
るシール材は、従来と同じ幅寸法のシール材である為、
切断マージンが充分に確保でき、液晶素子の切断時にお
けるカケやワレの発生を防止できる。
【第1図】本発明の第1の実施形態としての液晶表示素
子とピン端子を示す断面図である。
子とピン端子を示す断面図である。
【第2図】本発明の第2の実施形態としての液晶表示素
子とピン端子を示す断面図である。
子とピン端子を示す断面図である。
【第3図】従来技術の液晶表示素子とピン端子を示す断
面図である。
面図である。
【第4図】従来技術(第3図)においてモールド剤が収
縮した状態を示す模式図である。
縮した状態を示す模式図である。
1,20 ・・・・下基板 2,30 ・・・・上基板 3,5,21,31 ・・・・電極 3’,21’ ・・・・入力端
子電極 31’ ・・・・ダミー
電極 4,6,22,22’,32,32’ ・・・・配向膜 7,40 ・・・・シール
材 8,50 ・・・・液晶 9,42 ・・・・接続ピ
ン 10,43 ・・・・モール
ド剤 11 ・・・・気泡 41 ・・・・スペー
サ 44 ・・・・絶縁性
微粒子
子電極 31’ ・・・・ダミー
電極 4,6,22,22’,32,32’ ・・・・配向膜 7,40 ・・・・シール
材 8,50 ・・・・液晶 9,42 ・・・・接続ピ
ン 10,43 ・・・・モール
ド剤 11 ・・・・気泡 41 ・・・・スペー
サ 44 ・・・・絶縁性
微粒子
Claims (2)
- 【請求項1】 一方の面に電極と配向膜を形成した第1
の基板と第2の基板を電極と配向膜を形成した前記一方
の面を内側にし、間に基板間隙を一定に保つための間隙
規制部材を挟んで枠状のシール材により接合し、該シー
ル材の内側に液晶を充填してなる液晶素子において、 前記シール材の内側の液晶充填領域だけでなく前記シー
ル材の外側の基板間隙にも前記間隙規制部材を介在させ
たことを特徴とする液晶素子。 - 【請求項2】 一方の面に電極と配向膜を形成した、第
1の基板と第2の基板を一定の間隔を保って枠状のシー
ル材により接合し、少なくとも一方の基板の前記シール
材より外側に前記電極を引出して入力端子電極を形成
し、該入力端子電極と外部回路とを電気接続するための
接続ピンを前記入力端子電極に樹脂モールド剤により固
着してなる液晶素子において、 前記樹脂モールド剤中に絶縁性微粒子を含有させ、該絶
縁性微粒子を含む樹脂モールド剤を、少なくとも前記入
力端子電極が形成された側の前記シール材の外側の基板
間隙に充填したことを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3036796A JPH09222610A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3036796A JPH09222610A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 液晶素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09222610A true JPH09222610A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12301905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3036796A Pending JPH09222610A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 液晶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09222610A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000045360A1 (fr) * | 1999-01-28 | 2000-08-03 | Seiko Epson Corporation | Panneau electro-optique, affichage de projection, et procede de fabrication associe |
US9684197B2 (en) | 2013-12-10 | 2017-06-20 | Seiko Epson Corporation | Electro-optic device and electronic apparatus |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP3036796A patent/JPH09222610A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000045360A1 (fr) * | 1999-01-28 | 2000-08-03 | Seiko Epson Corporation | Panneau electro-optique, affichage de projection, et procede de fabrication associe |
US6636192B1 (en) | 1999-01-28 | 2003-10-21 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic panel, projection display, and method for manufacturing electrooptic panel |
KR100411678B1 (ko) * | 1999-01-28 | 2003-12-18 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 패널, 투사형 표시 장치 및 전기 광학 패널의제조 방법 |
US9684197B2 (en) | 2013-12-10 | 2017-06-20 | Seiko Epson Corporation | Electro-optic device and electronic apparatus |
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