CN1254914C - 声表面波器件及其生产方法 - Google Patents

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Abstract

一种生产能够容易地提供密封性并适合于倒装片键合的小表面安装型声表面波器件的方法，包含以下步骤：将声表面波器件进行倒装片式键合，用作在移动通讯领域中处理大约几GHz高频的分支滤波器，在压电基片的前表面相对底部基片的状态下，从压电基片的后表面上侧放射第一密封微粒成分从而将第一密封成分粘合于压电基片的后表面，以及从压电基片的端部到底部基片悬挂第一密封成分以形成桥接，从而在第一密封成分上形成用于安装的第二密封成分。

Description

声表面波器件及其生产方法
技术领域
本发明涉及声表面波元件的安装，确切地说，是涉及用作诸如蜂窝式电话之类移动通讯设备的声表面波器件的密封技术。
背景技术
近几年里，为了实现最小化和表面安装，通过将声表面波元件的换能器面与具有布线图案且相对换能器面的底板(电路板)倒装片式连接来制造声表面波器件。为了使大量生产容易，底板由在预定工序之后被分割成单独片的多片板(底板组合)组成。
声表面波元件的密封方法包括，用盖状密封材料覆盖元件并将该密封材料键合于底板的方法，以及将不单独分割的处于晶片状态的声表面波元件键合到多片板并连同处于晶片状态的声表面波元件、底板组合以及键合它们的粘合剂一起分割成单独片的方法。
但是，前一种方法需要分开准备盖状密封材料并需要新的在底板上的粘合工序。此外，需要新的工序以硬化粘合剂从而将盖状密封材料和底板键合在一起。以这种方式，前一种方法增加了额外的工序并降低了生产率。
另一方面，后一种方法需要同时分割声表面波元件和包含不同种类材料底板的工序。在该工序中，声表面波元件可能在部件之间会有损坏、削掉或分离，从而无法提供充分的密封特性并破坏了产量。
发明内容
已结合上述的情况制作了本发明，而且本发明打算提供能够容易地实现密封性且适合于倒装片式连接的紧凑的表面安装的声表面波器件，同时提供它的生产方法。
为了完成该目的，本发明的第一方面提供了一种声表面波器件，它具有一声表面波元件，该元件带有形成于压电基片表面的叉指换能器；一底板，通过声表面波元件和该底板之间形成的给定空间，声表面波元件与该底板进行倒装片式连接；一底层(第一密封材料)，它被施加于压电基片的后面并从压电基片的边缘悬挂到底板从而形成桥接；以及一施加于底层的包层(第二密封材料)。
根据本发明的第一方面，声表面波元件用通过所保持的压电基片和底板之间的倒装片式连接而形成的空间形状来密封。也就是说，无密封材料进入压电基片和底板之间的空间，而且声表面波元件用在叉指换能器下保持的空间进行气密密封。当形成底层和包层时，相对于压电基片，底层和包层无未对准。也就是说，相对于压电基片，以自对准的方式设置底层和包层，从而改进生产效益。该底层可通过喷射熔融金属或沉积汽化金属来形成，从而在保持压电基片和底板形状的同时密封压电基片和底板之间的空间。
本发明的第二方面提供了一种生产声表面波器件的方法，它包括：
(1)在压电基片表面形成叉指型换能器的工序；
(2)将多个压电基片与以预定间隔的底板组合进行倒装片式连接的工序；
(3)从压电基片的后面的上方发射第一密封微粒材料的工序，从而向压电基片的后面施加第一密封材料并从压电基片的边缘到底板悬挂第一密封材料以形成桥接；以及
(4)在第一密封材料上沉积第二密封材料的工序。
根据本发明的第二方面，发射第一密封微粒材料以向压电基片的后面施加第一密封材料并从压电基片的边缘到底板悬挂第一密封材料以形成桥接。通过底板和压电基片之间倒装片式连接形成的空间形状被保持，以密封压电基片和叉指换能器。另外，相对于压电基片，第一和第二密封材料无未对准，从而提高了生产效益。此外，发射第一密封材料，并在其上沉积致密的第二密封材料以保证有足够的密封功能。结果，该密封工序以低成本用数目减少的步骤实现了，从而提供了良好的大规模生产能力和工业价值。
附图简述
图1是示出根据本发明实施例1的声表面波器件的剖面图；
图2A到图2D是说明根据本发明实施例1的声表面波器件生产方法的图(部件1)；
图3A到图3C是说明根据本发明实施例1的声表面波器件生产方法的图(部件2)；
图4A到图4B是说明根据本发明实施例1的声表面波器件生产方法的图(部件3)；
图5是说明飞溅到底板上的密封材料的位置关系的图；
图6是示出带固定纵横比的声表面波元件间隔部分的剖面图；
图7是示出根据本发明实施例2的声表面波器件的剖面图；以及
图8A到图8C是说明根据本发明实施例2的声表面波器件生产方法的图。
实施本发明的最佳方式
参考附图，将说明本发明的最佳实现方式(下文中称为“实施例”)。在附图中，相同或相似的部分用相同或相似的标记表示。附图是典型的，而且必须指出的是，厚度和平面尺寸之间的关系、层之间厚度比等是不同于实际的。因此，必须考虑以下所述的说明来判断特定的厚度和尺寸。自然地，在图中，尺寸关系和比率是彼此不同的。
(实施例1)
图1是示出根据本发明实施例1的声表面波器件的剖面图。根据实施例1的声表面波器件具有底板1，它带有预定线路和形成于其前面和后面的电极片6；连接于底板1上电极片6的撞柱2；声表面波元件，它具有电极片5和形成于压电基片3表面上的换能器4；以及密封材料7和8，它们机械连接于底板1并覆盖且密封声表面波元件。
在底板1的后面，形成了连接于外侧的端子9，且在其表面形成有线路图案和连接于端子9的电极片6。撞柱2是电气并机械地将电极片6与电极片5相连的连接部分。该声表面波元件具有压电基片3、形成于压电基片3表面之上的换能器4、连接于换能器4的接线(未示出)以及连接于接线的电极片5。该密封材料7和8被施加于声表面波元件的后面并在从压电基片3的边缘到底板1上进行悬挂以形成桥接。该声表面波元件用密封材料7和8以及底板1进行气密密封。
设置形成换能器4所在的压电基片3的表面以使其相对形成电极片6所在的底板1的表面。也就是说，根据实施例1的声表面波器件具有倒装片式键合结构。插入在电极片5和电极片6之间的撞柱2具有几十微米的高度，并且因此，在换能器4下形成空间从而相对于底板1，用给定的插入在换能器4和压电基片3之间的缝隙固定压电基片3。
第一密封材料7和第二密封材料8形成双层密封材料结构。第一密封材料7和第二密封材料8起到不同的作用。它们共同的目的是密封声表面波元件。第一密封材料7主要起的作用是从压电基片3的边缘到底板1形成桥接。
另一方面，第二密封材料8主要起的作用是密封声表面波元件并将换能器4下的空间与外部空间分离。因此，第二密封材料8较佳是在第一密封材料(底层)7上生长的致密膜(包层)。例如，它较佳是镀膜或通过化学汽相淀积(CVD)形成的金属膜。该金属膜可用起核作用的第一密封材料7进行培植。结果，可在第一密封材料上形成致密膜。以这种方式，声表面波元件被第一和第二密封材料7和8以及底板1包围并密封。第一密封材料7是通过喷射熔融金属形成的膜或通过沉积汽化金属形成的膜。
第一密封材料7是通过喷射熔融金属形成的膜或通过沉积汽化金属形成的膜，因此，相对于换能器4下空间的密封材料7的内表面倾斜了。该倾斜方向的起始点由压电基片3后面的边缘提供，其终止点沿着底板表面从一个起始点到底板表面延伸的法线和底板表面的交点向电极片6移动。这是因为，飞溅到底板1上的金属粒子不仅来自于底板1的法线方向，还来自于相对于法线的预定角度。
在该声表面波器件中，通过换能器处理或产生的输入/输出信号通过引线(未示出)、电极片5、撞柱2以及设置在底板1上的电极片6到达外部连接端子9。在换能器4下形成的空间使换能器4正常地产生声表面波。
图2到图4中的每幅图示出了根据第一实施例的声表面波器件的生产方法。
(1)首先，如图2A所示，制备形成压电基片3的晶片10。压电基片3是由钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)或石英(SiO2)制成的单晶基片。另外，可以代替单晶基片，应用由钛酸铅(PbTiO3)、锆钛酸铅(PbZrTiO3(PZT))或其固体溶液制成的压电陶瓷基片。
(2)接着，如图2B所示，在压电晶片10表面形成的是包括换能器4、电极片5以及将换能器4连接于电极片5的引线在内的金属图案11。金属图案11的材料可以是铝(Al)、铜(Cu)或者它们的合金。更精确地讲，应用溅射方法从而在压电晶片10上形成大约几百纳米厚的金属膜。在该金属膜上，形成保护膜，并使用光刻技术对该保护膜进行曝光和显影。将该保护膜作为掩模，通过反应离子蚀刻(RIE)的方法选择性地蚀刻该金属膜，以形成金属图案11。
(3)下一步，如图2C所示，在电极片5上形成导电撞柱2。更精确地讲，撞柱2用超声波振动并被模压到电极片5上。此时，可对电极片5的附近进行加热以提高撞柱2和电极片5之间的粘附性。该撞柱较佳为金(Au)撞柱。金(Au)撞柱2适当地粘附于电极片5并在接触部分显示低电阻。可使用焊接撞柱以代替金撞柱2。撞柱2的高度较佳大约为20到50μm。撞柱2的高度确定底板1和压电基片3之间的缝隙。如稍后将要作的说明，在范围20到50μm中的高度可抑制第一密封材料7的衍射并容易地形成桥接。
(4)下一步，如图2D所示，压电晶片10按照一个个换能器4地被分割成单独的声表面波元件(压电基片)3。
(5)其间，如图3A所示，多片底板组合13独立于压电晶片10进行制备。该组合13由多个连接的底板1制成。每个底板1包括电极片6、外部连接端子9和将电极片6与外部连接端子9相连的线路。底板1的组合13可以是，比如由氧化铝(Al2O3)陶瓷、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、低温锻造铝玻璃陶瓷(LTCC)等制成的陶瓷板。在金属图案的表面镀金(Au)。
(6)接着，如图3B和图3C所示，对声表面波元件进行倒装片式(面朝下)键合。也就是说，形成换能器4、电极片5等所在的压电基片3的表面，相对着形成电极片6所在的底板1组合13的表面，而且电极片5和电极片6通过撞柱2互相电气并机械地连接。
此时，在压电基片3和底板1组合之间的缝隙较佳为100μm或更短。这是为了避免当喷射熔融金属或沉积汽化金属时，金属进入到压电基片3和底板1的组合13之间的空间，从而使第一密封材料7和布线图案短路。
压电基片3和底板1的组合13之间的缝隙必须为1μm或更大。这是因为，声表面波的幅度近似等于该值(大约1μm)，而且必须保证对应换能器4下声表面波的幅度的空间。该缝隙是撞柱2的高度和电极片5和6厚度的总和。撞柱2的高度与电极片5和6的厚度相比是非常高的，因此，通过改变撞柱2的高度来改变该缝隙。
撞柱2被模压到电极片5和6上，以电气并机械地将撞柱2与电极片5和6进行连接。在模压的时候，撞柱2在高度方向压陷并变形。因此，为了正确设置底板1和压电基片3之间的缝隙，必须考虑由于压陷所引起的撞柱2的变形。在模压的时候，撞柱2可用相对于底板1组合13的超声波来振动，从而使模压连接变得容易。加热对于模压连接也是有效的。对于适当的电气连接，必须在电极片6上不留下诸如阻焊剂之类的任何层。为了该目的，在电极片表面上的保护层可用脱膜剂进行清洗。本实施例应用了Au撞柱，因此，压电基片3和底板13之间的缝隙在键合后为20到30μm。
(7)下一步，如图4A所示，从底板13的声表面波元件一侧的上方发射第一密封微粒材料7，将第一密封材料7施加到底板1的组合13上并从压电基片3的边缘到底板1的组合13悬挂第一密封材料7以形成桥接。“发射第一密封微粒材料7”包括喷射熔融金属或沉积汽化金属。第一密封材料7的厚度容易通过改变熔融金属的发射时间或汽化金属的沉积时间来调节。
当发射熔融金属时，同时发射乙炔(C2H2)气体。使用的金属是铝。当发射微粒金属时，飞溅到压电基片3和底板13上的金属微粒(第一密封材料)7的微粒直径扩大至大约10μm。结果，沉积的材料(第一密封材料)7变得粗糙，且金属微粒7几乎不进入压电基片3和底板1的组合13之间的缝隙。因为这点，第一密封材料7从压电基片3的边缘到底板1的组合13悬挂以形成桥接。如果微粒直径大，则桥接将容易形成，但将容易产生微粒之间的缝隙。如果微粒直径小，则将难以形成桥接，但桥接中的小孔将得到关闭从而改进密封性。可通过控制吹动的气流来改变微粒直径，同时实现桥接的形成和足够的密封性能。提高发射速度将减少金属微粒的进入(到空间中)。
另一方面，如果沉积汽化金属，使用的金属可以是，例如，诸如铜或铝之类的不昂贵的金属。还是在这种情况下，提高汽化沉积的速度可以防止金属的进入和在声表面波元件的换能器4一侧的坏影响。
在任何情况下，诸如布线之类的金属图案不能在底板1的组合13的区域内形成，而必须在相对声表面波元件的区域形成。如果布线图案在不相对声表面波元件的区域内形成，并且如果该布线图案是非接地信号线的信号线，则它们对于施加地电位的第一密封材料7是短路的。因此，必须按照熔融金属或汽化金属的发射源和压电基片3之间的位置关系来设置线路图案6，诸如在基片3阴影下底板1之上的引线。
图5是说明发射源A和B、压电基片31、32和33以及底板1上设置第一密封材料7和图案6的区域之间位置关系的图。在这里，发射源A和B是点源。通常，发射源等具有宽阔的区域，且该宽阔区域的特性可被认为是点源的集合。我们认为，两个点源A和B的发射特性的重叠表示标准发射源的特性。点源A和B之间的距离可表示标准发射源的大小。发射源A形成了第一密封材料7的所谓衍射区域A1和A3。发射源B形成了第一密封材料7的衍射区域B1、B2和B3。发生源A和压电基片32之间的位置关系不会引起衍射。发生源B甚至在基片32上引起衍射，从而在所有压电基片31、32和33上产生衍射。通常，发射源等的大小(点源A和B之间的距离)被认为是大于压电基片的大小，因此，看来所有的压电基片都要受到衍射的影响。另一方面，必须在排除衍射区域A1、A3、B1、B2和B3的区域中设置图案6。应用熔融金属发射方法或汽化金属沉积方法的原因是，与其它诸如化学汽相淀积(CVD)方法和溅射方法之类的膜形成方法相比，它们包含较少的衍射。
(8)接着，如图4B所示，用镍(Ni)镀覆沉积底层(第一密封材料)7的外表面以形成表层(第二密封材料)8。该镀覆可以是电镀也可以是无电镀。可以代替镀覆，将它插入到导电膏中并进行加热处理。通过该步骤，形成了导电(金属)膜。如果底层7是金属膜，则可以应用不昂贵的电镀法来形成起表层(包层)作用的致密金属膜并提高密封性能。在以这种方法形成的密封材料中，表层具有较低的孔隙度(孔隙)而且比底层更加致密，从而提供了适当的密封。该孔隙度可通过用光学或电子显微镜来观察剖面来判定。
图6是对所有固定部件以纵横放大比和放大比示出图4B压电基片3端区域边缘部分的结构图。底板1和压电基片3之间的距离d1为大约25μm，而压电基片3的厚度d2大约为350μm。第一密封材料7的厚度较佳为10到100μm，在此时，其为100μm。关于生产效率方面，在汽相淀积的情况下较佳为10到50μm，在熔融金属喷射的情况下较佳为50到100μm。但是，第一密封材料7的厚度具有各向异性，且厚度d8大约为厚度d3的一半。由镀膜制成的第二密封材料8包含彼此基本相等的厚度d4和d9，该材料的厚度为大约100μm。如果压电基片3之间的距离d5大约为600μm，则插入在第二密封材料层8之间空间的宽度d10大约为300μm。底板组合13分割设备的刀片21的宽度d6是60μm，且如果分割宽度差几乎是相同的，则切割宽度是小于宽度d10的大约120μm。因此，沿压电基片3侧壁形成的密封材料8不会受到破坏。
当底板1的组合13被分割时，沿着切割面曝光第一密封材料7。由于曝光密封效果不受到破坏。这可能是因为保证了从第一密封材料7的曝光面到密封空间的200μm或更多的距离。为了改进密封的安全性，可减少第一密封材料7的曝光区域，而且将第一密封材料7的膜厚弄薄可减小曝光区域。
衍射量d7为小于距离d1的大约20μm。从压电基片3的侧面到电极片6的距离被设置为大约80μm，因此，第一密封材料7不会与电极片6接触。此外，当第一密封材料7形成密封空间内侧壁的时候，该侧壁在第一密封材料7的膜厚超过距离d1之前完成，因此，似乎第一密封材料7的膜厚较佳地要大于距离d1。
(9)最后，底板1的组合13通过分割设备，单片分割设备等，被分割成各个片。这使底板1的组合13被分割成许多芯片，从而实现大规模生产。通过上述的工序，完成了图1所示的声表面波器件。
以这种方式产生的声表面波器件密封了通过底板1和压电基片3之间的倒装片连接形成的空间，从而提供了适合于表面安装的小结构。相对于压电基片3，第一密封材料7和第二密封材料8无未对准。以被称为自对准的方式，相对于压电基片3设置第一密封材料7和第二密封材料8，从而提高生产效益。
通过喷射熔融金属或沉积汽化金属来形成第一密封材料7，且在其表面完成镀金属(第二密封材料)8，从而容易地改进密封性能。这可以低成本通过小数量的工序来实现，从而使大规模生产变得便利并增加了工业价值。
虽然实施例1已结合声表面波器件进行了说明，本发明却不限制于此，而是总体地适用于电子仪器。特别地适合于具有诸如声表面波之类可移动部分的仪器。例如，它适用于带有铅锤体的加速传感器。这是因为，本发明能够容易地形成密封的空间并在该空间中调节可移动的部分，从而提供稳定的仪器特性。
(实施例2)
图7是示出根据本发明实施例2的声表面波器件的剖面图。实施例2的声表面波器件也具有底板1、撞柱2以及声表面波元件，该仪器具有与实施例1仪器中底板1、撞柱2以及声表面波元件相同的设置。密封材料被机械地连接于底板1，并与底板一起覆盖并密封声表面波元件。密封材料的结构与实施例1的不同，它具有三层结构。
根据实施例2，该密封材料由绝缘树脂22、第一密封材料7和第二密封材料8组成。该绝缘树脂22是，例如，聚乙烯醇树脂。对绝缘树脂22的应用避免了诸如线路片6之类金属线路与第一密封材料7之间的短路。绝缘树脂22本身就可以提供密封，但其主要目的是在底板1和压电基片3之间形成桥接。绝缘树脂22通过喷射(喷注)并沉积溶解在溶液中的树脂以及通过挥发该溶液来形成。因此，绝缘树脂22相对换能器4下空间的内侧面是倾斜的。该倾斜方向的起始点由压电基片3后面的边缘提供，其终止点沿着底板表面从一个起始点到底板表面延伸的法线和底板表面的交点向电极片6移动。这是因为，喷射的溶液等，其不仅从底板1的法线方向飞溅到板1，也从非法线方向的方向飞溅到板1。
就像实施例1，第一密封材料7是通过喷射熔融金属或通过沉积汽化金属形成的底层。但是，设置相同的目的不同于实施例1图1的第一密封材料7的。实施例1的桥接目的是被稀释，且主要目的是提高密封特性并通过电镀提供形成第二密封材料8的底层。第二密封材料8是通过电镀得到的金属。第二密封材料8的主要目的是密封。
图2、图3和图8是示出根据本发明实施例2的声表面波器件的生产方法的图。与实施例1的生产方法相比，实施例2的声表面波器件的生产方法包括了与图2和图3中相同的操作，对这些操作的说明将省略，而将说明在最后一道工序中不同的操作。
(1)首先，如图3C以及后来的图8A所示，通过从底板1的声表面波元件上方的沉积来形成绝缘树脂膜22。更精确地讲，绝缘树脂粉首先溶解在起溶液作用的n-丁醇中。从声表面波元件一侧喷射该液体，从而沉积绝缘树脂膜22。
绝缘树脂膜22的厚度容易通过改变喷射时间来调节。在此时，较佳地使换能器4一侧上的声表面波元件的表面面对地表面，并从声表面波元件的后面一侧喷射该液体。适当地调节溶液与树脂的比率可以控制速度。另外，对溶液的选择可提供快速干燥的特性。通过这种方法，可以不进入声表面波元件的换能器4或无对该部分有坏影响的条件下对绝缘树脂膜22进行沉积。
(2)接着，如图8B所示，从底板13的声表面波元件一侧上方喷射熔融金属或沉积汽化金属，从而沉积第一密封材料7。第一密封材料7的形成方法与实施例1中的相同。由于存在绝缘树脂膜22，就不存在实施例1中的限制，即诸如线路之类的金属图案6不能在相对声表面波元件的底板1区域以外的区域中形成，因此可自由地接线。
(3)最后，如图8C所示，对沉积的金属部分7的外面镀覆镍(Ni)以形成镀膜8。在镀覆之后工序的实现就像在实施例1中镀覆之后的工序之后一样。
以这种方式生产的声表面波器件密封了通过保持基片1和3之间的倒转片连接形成的空间，因此提供了适合于表面安装的紧凑结构。相对于压电基片3，密封材料22、7和8无未对准。以被称为自对准的方式相对于压电基片3，设置密封材料22、7和8，从而提高生产效益。
第一密封材料通过喷射并沉积绝缘树脂层以及通过喷射熔融金属或通过沉积汽化金属来形成，第二密封材料通过镀金属来形成，从而容易地提高密封性能。这可以低成本用小数目的工序来实现，从而使大规模生产变得便利并增加了工业价值。
如上所述，本发明的实施例1和实施例2容易地提供了能够轻易实现密封功能并适合于倒装片连接的最小化的声表面波器件，以及其生产方法。
在这些实施例中，较佳地使底层的厚度等于或大于压电基片和底板之间的缝隙，从而起底层作用的金属层或绝缘层可以形成适当的桥接。例如，当应用Au撞柱时，较佳地该底层为20μm厚或更厚。为了生产效率和仪器最小化，则较佳为1000μm，更佳地为500μm或更薄一些。此时，底层的沉积厚度可用压电基片上的沉积厚度来表示。
在上述的实施例中，其表层(底层)作用的金属层可用另一层(例如，通过丝网印刷或压印形成的环氧树脂层)来包裹。比如，这些层可用于仪器验证的标记。

Claims (11)

1.一种声表面波器件，包括：
声表面波元件，它具有形成于压电基片表面上的叉指换能器；
底板，它与声表面波元件进行倒装片式连接；
底层，它通过发射第一密封微粒材料被施加于压电基片的后面，并从压电基片的边缘到底板进行悬挂以形成桥接；以及
施加于底层的包层，其中，
声表面波元件和底板之间的距离为100μm或更小。
2.如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，该包层是比底层更加致密的层。
3.如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，该包层是金属层。
4.如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，该底层是金属层。
5.如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，该底层是绝缘层。
6.一种生产声表面波器件的方法，包括：
在压电基片表面上形成叉指换能器的工序；
以预定间隔通过撞柱将多个压电基片倒装片式连接到底板组合上的工序；
从压电基片的后面的上方发射第一密封微粒材料的工序，从而对压电基片的后面施加第一密封材料并从压电基片的边缘到底板悬挂第一密封材料以形成桥接；以及
在第一密封材料上沉积致密第二密封材料的工序。
7.如权利要求6所述的生产声表面波器件的方法，其特征在于，所述的发射第一密封材料是喷射熔融金属或沉积汽化金属。
8.如权利要求6所述的生产声表面波器件的方法，其特征在于，所述的沉积第二密封材料的工序是通过第一密封材料上的镀覆来形成金属膜的工序。
9.如权利要求6所述的生产声表面波器件的方法，其特征在于，在发射第一密封材料之前，进行从压电基片的后面之上喷射或喷注绝缘树脂的工序，从而向压电基片的后面施加绝缘树脂并从压电基片的边缘到底板悬挂绝缘树脂以形成桥接。
10.如权利要求6所述的生产声表面波器件的方法，其特征在于，在将多个压电基片倒装片式连接的工序之前，对每个叉指换能器进行分割压电基片的工序。
11.如权利要求6所述的生产声表面波器件的方法，其特征在于，在沉积第二密封材料的工序之后，对每个压电基片进行分割底板组合的工序。
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