CN103814438B - 电子装置 - Google Patents
电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103814438B CN103814438B CN201280044713.7A CN201280044713A CN103814438B CN 103814438 B CN103814438 B CN 103814438B CN 201280044713 A CN201280044713 A CN 201280044713A CN 103814438 B CN103814438 B CN 103814438B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit board
- resin
- electronic unit
- opposed space
- electronic installation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/315—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the encapsulation having a cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10068—Non-printed resonator
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
电子装置(1)具备:布线基板(5);压电元件(7)(电子部件),其使功能面(19a)(主面)与布线基板(5)的上表面(11a)(表面)相对置地安装;和树脂部(9),其与压电元件(7)的侧面(19c)和布线基板(5)粘接在一起,并且对布线基板(5)的上表面(11a)与压电元件(7)的功能面(19a)之间的对置空间(S)进行密封。而且,树脂部(9)相对于对置空间(S)成凹状。
Description
技术领域
本发明涉及安装有压电元件等的电子部件的电子装置。
背景技术
已知具有布线基板、安装于该布线基板的电子部件和覆盖该电子部件进行密封的树脂的电子装置。例如,在专利文献1中,已公开了作为电子部件而具有弹性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave,表面声波)设备的电子装置。在该电子装置中,SAW设备按规定间隔使其功能面与布线基板的表面相对置地安装。SAW设备的功能面与布线基板的表面之间的对置空间通过覆盖弹性表面波设备的片以及密封材料(树脂)而被密封起来。片以及密封材料的包围对置空间的内壁面形成为凸状。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2000 4139号公报
发明内容
发明要解决的课题
对置空间的密封性下降有时会导致电子部件的功能下降。另一方面,若单纯地使密封材料变厚等,则将导致电子装置的大型化。此外,密封材料影响到热膨胀等所引起的电子部件的变形。这样,密封材料对于电子装置的功能维持等非常重要,所以要求更适当地密封电子部件。
解决课题的手段
本发明的一方式所涉及的电子装置具备:布线基板;电子部件,其使主面与该布线基板的表面相对置地安装;和树脂,其与该电子部件的侧面和所述布线基板粘接在一起,并且对所述布线基板的所述表面与所述电子部件的所述主面之间的对置空间进行密封,所述树脂相对于所述对置空间成凹状。
发明效果
根据上述的构成,能够适当地密封电子部件。
附图说明
图1(a)以及图1(b)是表示本发明的第1实施方式所涉及的电子装置的外观的从上表面侧以及下表面侧观察的立体图。
图2是图1的电子装置的分解立体图。
图3的(a)是沿图1(a)的IIIa-IIIa线的剖面图,图3的(b)是图3(a)的区域IIIb的放大图。
图4(a)~图4(d)是用于说明图1的电子装置的制造方法的剖面图。
图5(a)以及图5(b)是用于说明图1的电子装置的作用的一例的图。
图6是用于说明图1的电子装置的其他作用的图。
图7(a)~图7(c)是表示第1~第3变形例的剖面图。
图8是本发明的第2实施方式所涉及的剖面图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式所涉及的电子装置进行说明。另外,在以下的说明中所用到的图是示意性的图,附图上的尺寸比率等并不一定与现实中的一致。
此外,在各实施方式等的说明中,针对与已说明的构成相同或者相类似的构成,有时标注相同的符号而省略说明。
(第1实施方式)
图1(a)是表示本发明的第1实施方式所涉及的电子装置1的外观的从上表面侧观察的立体图,图1(b)是表示电子装置1的外观的从下表面侧观察的立体图。
另外,电子装置1不管将哪个方向作为上方或者下方都可以,但为了方便起见,采用定义正交坐标系xyz,并且将z方向的正侧作为上方而使用上表面或者下表面的用语。
电子装置1例如,形成为大致长方体状,并在其下表面,按适当的形状以及适当的数量露出有多个外部端子3。电子装置1的大小设为适当的大小即可,例如,1边的长度为1mm~数mm。
电子装置1通过使下表面与未图示的安装基板相对置地配置、并经由焊料凸块等将设置于安装基板的焊盘与多个外部端子3接合在一起而被安装于安装基板。然后,电子装置1例如,经由多个外部端子3的任意一个输入信号,并对所输入的信号施行规定处理而从多个外部端子3的任意一个输出。
图2是电子装置1的分解立体图。图3(a)是沿图1(a)的IIIa-IIIa线的剖面图。
电子装置1具有布线基板5、安装在该布线基板5上的压电元件7、介于布线基板5和压电元件7之间的凸块8(图3(a))和对压电元件7进行密封的树脂部9。
布线基板5例如由刚性印刷线路板构成,具有绝缘基体11、在绝缘基体11的上表面11a形成的上表面导电层13A(图3(a))、在绝缘基体11的内部与上表面11a平行地形成的内部导电层13B(图3(a))、在上下方向上贯通绝缘基体11的全部或一部分的贯通导体15(图3(a))和在绝缘基体11的下表面11b形成的已经叙述的外部端子3。另外,布线基板5也可以不设置内部导电层13B。
绝缘基体11例如形成为大致薄型的长方体状。此外,绝缘基体11例如含有树脂、陶瓷以及/或者无定形状态的无机材料而形成。绝缘基体11即可以由单一材料构成,也可以像使树脂浸渍到基材中而得到的基板那样由复合材料构成。
上表面导电层13A包含有用于将压电元件7安装到布线基板5的基板焊盘17(图3(a))。贯通导体15以及内部导电层13B包含有对基板焊盘17与外部端子3进行连接的布线。另外,上表面导电层13A、内部导电层13B以及贯通导体15也可以包含有电感器、电容器或者执行适当的处理的电路。上表面导电层13A、内部导电层13B、贯通导体15以及外部端子3例如由Cu等的金属构成。
压电元件7例如是SAW元件,具有压电基板19、设置于压电基板19的功能面19a的激励电极21、设置于功能面19a的与布线基板5相连接的元件焊盘25。另外,压电元件7除此之外,也可以具有覆盖激励电极21的保护层、覆盖压电基板19的上表面19b的电极以及/或者保护层等适当的构件。
压电基板19例如形成为大致薄型的长方体状。压电基板19的俯视的大小与布线基板5的俯视的大小相比较小。压电基板19例如由钽酸锂单晶、铌酸锂单晶等的具有压电性的单晶的基板构成。
激励电极21是所谓IDT(InterDigitaltransducer,叉指式换能器),包含有一对梳齿电极23(图2)。各梳齿电极23具有母线23a(图2)和从母线23a延伸的多个电极指23b,一对梳齿电极23配置为相互咬合(多个电极指23b相互交叉)。另外,因为图2等为示意图,所以仅图示了1对具有多个电极指23b的梳齿电极23,但实际上,也可以设置多对具有比此更多的电极指23b的梳齿电极23。激励电极21例如构成SAW滤波器、SAW共振器以及/或者双工器等。
若信号被输入到激励电极21,则该信号变换为SAW而在功能面19a上以与电极指23b正交的方向(y方向)传播,并再次变换为信号而从激励电极21输出。在该过程中,对信号进行滤波等。
元件焊盘25经由在功能面19a形成的未图示的布线与激励电极21相连接。激励电极21经由多个元件焊盘25中的任意一个输入信号,并经由多个元件焊盘25中的任意一个输出信号。
另外,激励电极21、元件焊盘25以及对这些进行连接的未图示的布线例如由Al-Cu合金等的适当的金属构成。这些既可以通过相同的材料而形成,也可以通过互相不同的材料而形成。
凸块8介于元件焊盘25与基板焊盘17之间,从而将这些焊盘接合在一起。凸块8由焊料构成。焊料既可以是Pb-Sn合金焊料等的使用了铅的焊料,也可以是Au-Sn合金焊料、Au-Ge合金焊料、Sn-Ag合金焊料、Sn-Cu合金焊料等的无铅焊料。另外,凸块8也可以利用导电性粘接剂而形成。
凸块8介于元件焊盘25与基板焊盘17之间,由此在绝缘基体11的上表面11a与压电基板19的功能面19a之间形成有间隙(对置空间S)。由此,功能面19a的振动(SAW的传播)变得容易化。
树脂部9例如设置为在布线基板5上覆盖压电元件7。即,树脂部9与压电元件7的上表面19b及侧面19c、以及布线基板5的上表面11a中的压电元件7的外周部分相抵接。优选这些抵接部分中至少一部分优选为全部粘接在一起。
树脂部9的外形例如形成为大致长方体状。其俯视的形状以及大小例如与布线基板5的平面形状相同,且树脂部9的侧面与布线基板5的侧面齐平。从压电元件7的保护的观点等的各种观点来看,树脂部9的压电元件7上的厚度也可以设为适当的大小。
树脂部9由树脂构成。树脂例如是环氧树脂、聚酰亚胺树脂、氰基树脂。树脂优选为热硬化性树脂,热硬化性树脂例如是环氧树脂或者酚醛树脂。也可以在树脂中混入由绝缘性粒子构成的填料,该绝缘性粒子通过热膨胀系数比该树脂低的材料而形成。绝缘性粒子的材料例如是二氧化硅、氧化铝、苯酚、聚乙烯、玻璃纤维、石墨填料。
另外,树脂部9因为由树脂形成,所以一般而言,与由压电体构成的压电基板19相比较,杨氏模量较小,而且,热膨胀率较大。此外,树脂部9与绝缘基体11相比较,杨氏模量或热膨胀率既可以较大,也可以同等,还可以较小。最好树脂部9的热膨胀率与绝缘基体11同等。
树脂部9并未填充到对置空间S,而在对置空间S中封入有空气等的气体。对置空间S内的压力在该对置空间S内的温度与大气的温度相等时,既可以高于大气压,也可以同等,还可以低于大气压。
图3(b)是图3(a)的区域IIIb的放大图。
树脂部9具有包围对置空间S的内壁面9a。内壁面9a相对于对置空间S成凹状。更具体来说,例如,对于内壁面9a,其上端位于压电基板19的功能面19a与侧面19c的角部,下端在绝缘基体11的上表面11a上位于比压电基板19更靠近外侧,并从上端向下端逐渐扩大,并且从上端向下端的线为大致圆弧状。
图4(a)~图4(d)是用于说明电子装置1的制造方法的剖面图。图4(a)~图4(c)是与图3(a)相当的剖面图,图4(d)是与图3(b)相当的剖面图(图4(c)的区域IVd的放大图)。
首先,如图4(a)所示,准备布线基板5。布线基板5可以与一般的多层基板同样地制作而成。
接着,如图4(b)所示,在布线基板5(或者压电元件7)上形成凸块8之后,将压电元件7安装于布线基板5。凸块8的形成也可以与一般的凸块同样地形成,例如,通过蒸镀法、镀敷法或者印刷法来进行。经由凸块8的布线基板5与压电元件7的粘接也可以与一般的安装同样地例如通过回流焊来进行。
接着,如图4(c)所示,将成为树脂部9的液状的材料31(例如未硬化状态的树脂材料)供给到布线基板5以及压电元件7上。材料31的供给例如通过印刷法或者分配法来进行。另外,关于材料31的供给,作为材料31而使用粘性比较高的材料或调整材料31的压力(例如调整丝网印刷的刮刀的速度),使得材料31不会流入到对置空间S中。
在此,在材料31中,如图4(d)所示,包围对置空间S的内壁面31a未必一定成凹状。虽然也取决于材料31的粘度、压电基板19以及绝缘基体11的涧湿性、施加给材料31的压力等的各种条件,但例如内壁面31a由于与材料31的扩展相对抗而力图使材料31接近球形的材料31的表面张力的作用而相对于对置空间S成凸状。
接着,虽然未特别图示,但对材料31加压的同时进行加热,并使材料31硬化。由于加压以及加热(热膨胀)对置空间S的压力升高。其结果,材料31的内壁面31a由于与对置空间S的扩展相对抗而力图使对置空间S接近球形的材料31的表面张力的作用而相对于对置空间S成凹状。此外,若加热(热膨胀)所引起的压力增加量超过了加压所引起的压力增加量,则为了谋求加热所引起的压力增加量和加压所引起的压力增加量的均衡,内壁面31a与图4(d)所示的位置相比向外侧移动。以及/或者,由于与材料31的硬化相伴随的收缩,内壁面31a向外侧移动。
其结果,如图3(b)所示,材料31硬化而形成的树脂部9的内壁面9a相对于对置空间S成凹状。此外,内壁面9a容易位于比压电基板19的侧面19c更靠近外侧。
另外,对于以上的工序,其全部或者到中途为止的工序也可以针对图案形成了多个布线基板5的母基板来进行,其全部或者从中途开始的工序也可以针对切割后的布线基板5来进行。
如上所述,在本实施方式中,电子装置1具备:布线基板5;压电元件7(电子部件),其使功能面19a(主面)与布线基板5的上表面11a(表面)相对置地安装;和树脂部9,其与压电元件7的侧面19c和布线基板5粘接在一起,并且对布线基板5的上表面11a和压电元件7的功能面19a之间的对置空间S进行密封。而且,树脂部9相对于对置空间S成凹状。
其结果,能够适当地密封压电元件7。具体来说,取得以下例示那样的作用/效果。
图5(a)以及图5(b)是用于说明本实施方式的作用的一例的图,图5(a)是比较例所涉及的与图3(b)相当的剖面图,图5(b)是本实施方式所涉及的与图3(b)相当的剖面图。不过,为了容易观看用于说明作用的箭头而省略了阴影线。
在图5(a)所示的比较例中,树脂部109的内壁面109a相对于对置空间S成凸状。另外,这样的内壁面109a通过未进行本实施方式中的加压以及加热工序(提高对置空间S中的气压的工序)而形成。
因为对置空间S内的气体的压力作用于与内壁面109a正交的方向,所以该压力在内壁面109a的各位置上,作用于箭头y1~y4所示的方向。具体来说,由于内壁面109a为凸状,在压电元件7的侧面19c附近,如箭头y1所示,气体的压力作用于使树脂部109从侧面19c剥离的方向,此外,在布线基板5的上表面11a附近,如箭头y4所示,气体的压力作用于使树脂部109从上表面11a剥离的方向。此外,由于内壁面109a为凸状,内壁面109a和上表面11a(或者侧面19c)所形成的形状成为切口形状,即,成为发生上述的剥离方向的压力所引起的应力的集中的形状。
因此,例如,在电子装置被置于高温(例如回流焊温度200℃~300℃)时,若对置空间S内的气压超过大气压(若假定以能够产生那样的状态的质量将气体封入到对置空间S内),则有可能由于对置空间S内的压力,树脂部9的剥离发生,对置空间S内的密封性被损坏。
另一方面,在图5(b)所示的本实施方式中,对置空间S内的气体的压力针对内壁面9a作用于箭头y6~y9所示的方向。具体来说,由于内壁面9a为凹状,在压电元件7的侧面19c附近,如箭头y6所示,气体的压力相对于使树脂部9从侧面19c剥离的方向而作用于与比较例中的箭头y1相比倾斜的方向,此外,在布线基板5的上表面11a附近,如箭头y9所示,气体的压力相对于使树脂部9从上表面11a剥离的方向而作用于与比较例中的箭头y4相比倾斜的方向。此外,由于内壁面9a为凹状,内壁面9a和上表面11a(或者侧面19c)所形成的形状成为与比较例相比切入的角度平缓的形状,即,成为与比较例相比难以发生剥离方向的压力所引起的应力的集中的形状。
因此,在本实施方式中,与比较例相比较,由于对置空间S内的气压从而降低树脂部剥离而导致对置空间S内的密封性受损的风险。从刖的观点来看,在实施方式中,能够使对置空间S内的压力(质量)大于比较例,其结果例如可以缓和制造工序中的环境气体的条件。
图6是用于说明本实施方式的其他作用的与图3(a)相当的剖面图。不过,为了容易观看用于说明作用的箭头等而省略了阴影线。
在电子装置1中,由于各种因素,产生使功能面19a扭曲的弯矩。其结果,可能产生SAW的传播特性的变化。但是,在本实施方式中,如参照图5说明的那样,与比较例相比较,对置空间S内的压力的自由度较高。因此,可以期待通过对置空间S的气压的调整来抑制这样的扭曲。
例如,若如箭头y13所示在布线基板5发生热膨胀,或如箭头y11所示发生树脂部9的硬化收缩,则箭头y14所示那样的弯矩被施加给压电元件7,功能面19a可能产生双点划线L1所示那样的扭曲。但是,可以期待通过预先将对置空间S的气压设定为某个程度的大小来抑制功能面19a的扭曲(产生箭头y12所示那样的与箭头y14的力矩相对抗的力矩)。
(第1~第3变形例)
图7(a)~图7(c)是与第1~第3变形例所涉及的图3(b)相当的剖面图。
在第1~第3变形例中,仅树脂部9的与对置空间S相接的部分的形状、大小以及/或者位置和第1实施方式不同。具体如下。
(第1变形例)
在图7(a)所示的第1变形例中,内壁面9a位于比第1实施方式更靠近对置空间S侧。具体来说,内壁面9a的上端位于比压电基板19的侧面19c和功能面19a的角部更靠近对置空间S侧。内壁面9a的下端与第1实施方式同样地位于比侧面19c更靠近外侧。但是,内壁面9a的下端也可以位于比侧面19c更靠近对置空间S侧。
这样的内壁面9a例如与第1实施方式相比较,通过调整成为树脂部9的材料31的粘度、供给速度、或增大材料31的硬化时的加压压力、以及/或者降低材料31的硬化时的温度而实现。
根据第1变形例也可以取得与第1实施方式相同的效果。此外,因为树脂部9与压电基板19的功能面19a相卡合,所以能提高对树脂部9从压电基板19的剥离抑制的效果。
(第2变形例)
在图7(b)所示的第2变形例中,与第1变形例相反地,内壁面9a与第1实施方式相比位于与对置空间S相反侧。具体来说,内壁面9a的上端位于比压电基板19的侧面19c和功能面19a的角部更靠近上方。从刖的观点来看,内壁面9a(凹状)的上端位于压电元件7的侧面19c。另外,内壁面9a的下端与第1实施方式同样地位于比侧面19c更靠近外侧。
这样的内壁面9a例如与第1实施方式相比较,通过调整成为树脂部9的材料31的粘度、供给速度、或减小材料31的硬化时的加压压力、以及/或者升高材料31的硬化时的温度而实现。
根据第2变形例也可以取得与第1实施方式相同的效果。此外,因为能抑制热膨胀或者落下冲击等所引起的树脂部9的压缩力或者拉伸力作用于压电基板19的功能面19a的附近,所以可以期待提高电子装置1的电气可靠性等。
(第3变形例)
在图7(c)所示的第3变形例中,与第2变形例同样地,内壁面9a(凹状部分)与第1实施方式相比位于与对置空间S相反侧。即,内壁面9a(凹状部分)的上端位于比压电基板19的侧面19c和功能面19a的角部更靠近上方,内壁面9a的下端位于比侧面19c更靠近外侧。
但是,树脂部9具有:第1膜部9b,其覆盖压电基板19的功能面19a的外周部分;和第2膜部9c,其覆盖布线基板5的上表面11a的与功能面19a的外周部分相对置的部分。这些第1膜部9b以及第2膜部9c的厚度小于对置空间S的高度。
这样的内壁面9a例如按以下的方式形成。首先,在树脂部9的材料31的供给时,调整材料31的粘度、供给速度,使得材料31与侧面19c相比向对置空间S侧浸入。即,使材料31与侧面19c相比在对置空间S侧附着于功能面19a以及上表面11a。然后,在硬化时,调整加压压力以及加热温度,使得对置空间S的气体越过侧面19c进行膨胀。由此,在材料31中,成为第1膜部9b以及第2膜部9c的部分残留在功能面19a以及上表面11a上,而且,内壁面9a成为其上方侧部分位于侧面19c的大小。
另外,在具有第1膜部9b以及第2膜部9c的同时,内壁面9a的大小也可以设为与第1实施方式或者第1变形例相同。此外,也可以通过适当地设定功能面19a以及上表面11a的润湿性等,仅设置第1膜部9b以及第2膜部9c中的一方。另外,也能够利用功能面19a以及上表面11a的润湿性等,在与第3变形例同样地使材料31与侧面19c相比向对置空间S侧浸入之后,形成第1实施方式或第2变形例的树脂部9。
根据第3变形例也可以取得与第1实施方式相同的效果。此外,在第3变形例中,因为压电元件7的功能面19a的外周部通过树脂部9(第1膜部9b)以比对置空间S的厚度薄的厚度而被覆盖,所以第1膜部9b成为牵连,从而提高树脂部9从压电元件7的剥离抑制效果。并且,与将树脂部9填充到功能面19a的外周部与布线基板5之间的情况相比较,能抑制树脂部9的热应力(换言之,与作用于功能面19a的大部分的对置空间S的气体的压力大小不同的压力)局部作用于功能面19a,进而可以期待功能面19a的扭曲抑制。
此外,在第3变形例中,因为布线基板5的与功能面19a的外周部对置的部分通过树脂部9(第2膜部9c)以比对置空间S的厚度薄的厚度而被覆盖,所以树脂部9与上表面11a的密接面积被扩大,能够提高树脂部9从布线基板5的剥离抑制效果。并且,和第1膜部9b同样地,与将树脂部9填充到功能面19a的外周部与布线基板5之间的情况相比较,能抑制树脂部9的热应力局部作用于功能面19a,进而可以期待功能面19a的扭曲抑制。
此外,在设置有第1膜部9b与第2膜部9c的双方的情况下,功能面19a的外周部与布线基板5之间的气体的压力所引起的力图使压电元件7从布线基板5剥离的力由于树脂部9的复原力而被减少。
(第2实施方式)
图8是表示第2实施方式的电子装置201的与图3(a)相当的剖面图。
在电子装置201中,树脂部209也覆盖了布线基板205的绝缘基体211的侧面211c。另外,布线基板205的侧面211c相对于压电基板19的侧面19c既可以位于内侧,也可以齐平,还可以位于外侧。在图8中,对齐平的情况进行了例示。
然后,在树脂部209中,包围对置空间S的内壁面209a也相对于对置空间S成凹状。更具体来说,成大致圆弧状。另外,内壁面209a的上端与第1实施方式同样地位于压电基板19的侧面19c和功能面19a的角部,内壁面209a的下端位于绝缘基体211的侧面211c和上表面211a的角部。
另外,在第2实施方式中,内壁面209a也可以与第1~第3变形例同样地将其上端设为适当的位置,或设置第1膜部9b。此外,内壁面209a对于其下端,也可以与上端同样地相对于侧面211c和上表面211a的角部,设定为对置空间S侧,或设定为侧面211c侧,或设置第2膜部9c。
在电子装置201中,外部端子3不仅形成于布线基板205的绝缘基体211,还形成于树脂部209。形成于树脂部209的外部端子3既可以其整体形成于树脂部209,也可以如图8所示,跨越绝缘基体211与树脂部209而形成。另外,也可以在布线基板205或者树脂部209的一方上不设置外部端子3。
电子装置201的制造方法可以设为与第1实施方式的电子装置1的制造方法大致相同。但是,布线基板205的切割需要在形成树脂部209之前进行,而且,外部端子3需要与布线基板205的制作分开,在树脂部209的形成后进行。另外,在电子装置201的制造方法中,能够在树脂部209的形成前,将图案形成多个压电元件7的母基板与图案形成多个布线基板205的母基板相粘合,并一同(同时)对该粘合后的母基板进行切割。
如上所述,在第2实施方式中,与第1实施方式同样地,电子装置201具备:布线基板205;压电元件7,其使功能面19a与布线基板205的上表面211a相对置地安装;和树脂部209,其与压电元件7的侧面19c和布线基板205粘接在一起,并且对布线基板205的上表面211a与压电元件7的功能面19a之间的对置空间S进行密封,树脂部209相对于对置空间S成凹状。因此,可以取得与第1实施方式相同的效果。
本发明并不限定于以上的实施方式,可以通过各种方式来实施。
电子装置并不限定于安装在安装基板。换言之,布线基板并不限定于介于电子部件与安装基板之间。例如,布线基板也可以是作为便携式设备等的电子设备的母板(主板、主基板)而发挥作用的基板。
此外,电子装置并不限定于仅具有被树脂密封的一个电子部件。即,电子装置也可以是包含1个以上与该一个电子部件一起被树脂密封的其他电子部件以及/或者未被树脂密封的其他电子部件、并被模块化的电子装置。另外,一同被树脂密封的多个电子部件无需所有的电子部件都构成对置空间,只要至少一个电子部件构成对置空间即可。
电子部件并不限定于压电元件。例如,电子部件也可以是半导体芯片、电容器、电感器或者电阻。此外,压电元件并不限定于SAW元件。例如,压电元件也可以是压电薄膜共振器(FBAR:Film Bulk Acoustic Resonator,薄膜体声波谐振器)、弹性边界波元件(不过,包含于广义的SAW元件)。另外,从有效利用对置空间的观点来看,电子部件优选为压电元件。
树脂的凹状的具体形状并不限定于在实施方式等中例示了的形状。例如,在第1实施方式中,内壁面9a从上端直到下端逐渐位于外侧,但内壁面9a也可以形成从上端直到中央逐渐位于外侧、并从中央直到下端逐渐位于内侧的内壁面。凹状的内壁面的形状能根据树脂的粘度、密度、供给速度、硬化时的加热温度或者加压压力、或、布线基板或者电子部件的润湿性等适当地进行调整。凹状的具体形状也可以是不能发挥在实施方式中进行了例示的作用/效果的形状。
树脂并不限定于其热膨胀率(或者热应力)比电子部件或者布线基板的热膨胀率高。树脂即使其热膨胀率等比电子部件小,也由于相对于对置空间为凹状而取得对置空间的压力设定的自由度提高等效果。
树脂部并不限定于仅通过液状的树脂的硬化而形成。例如,树脂部也可以通过在利用片状的树脂(或者粘性高的树脂)覆盖电子部件之后,从该树脂上面供给液状的树脂并使其硬化而形成。
树脂部也可以不覆盖电子部件的上表面。但是,若树脂部覆盖电子部件的上表面,则可以得到各种效果。
例如,在电子装置的上表面(树脂)通过激光等容易标注索引标记。另外,若直接对电子部件的上表面照射激光,则有可能激光透过电子部件。其结果例如在作为电子部件的压电元件中,下表面的激励电极可能被破坏。但是,树脂覆盖电子部件的上表面,由此能够利用树脂来吸收激光的能量,并降低那样的风险。
此外,例如,因为通过树脂使得电子装置的上表面的面积增加,所以通过吸附拿起电子装置变得容易化。此外,例如,电子部件的保护性提高。
电子装置也可以具有覆盖树脂部的导电膜。在该情况下,屏蔽性提高。另外,从提高屏蔽效果的观点来看,优选导电膜与接地电位相连接。导电膜的形成例如通过蒸镀或导电膏的涂敷来进行。
符号说明
1 电子装置
5 布线基板
7 压电元件(电子部件)
9 树脂部(树脂)
S 对置空间。
Claims (5)
1.一种电子装置,具备:
布线基板;
电子部件,其使主面与该布线基板的表面相对置地安装;和
树脂,其与该电子部件的侧面以及所述布线基板粘接在一起,并且对所述布线基板的所述表面与所述电子部件的所述主面之间的对置空间进行密封,
所述树脂相对于所述对置空间成凹状,
所述凹状的上端的位置比所述电子部件的侧面和所述主面构成的角部更靠近上方,
位于从所述凹状的所述上端至下方的所述电子部件的所述侧面的下端部、以及所述电子部件的所述主面的外周部由所述树脂以比所述对置空间的厚度薄的厚度覆盖。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,
所述树脂覆盖所述电子部件的上表面。
3.根据权利要求1或2所述的电子装置,其中,
所述凹状的下端的位置比所述电子部件的所述侧面更靠近外侧。
4.根据权利要求3所述的电子装置,其中,
位置比所述凹状的所述下端更靠近内侧的所述布线基板的与所述电子部件的所述主面的外周部相对置的部分及其周围部分由所述树脂以比所述对置空间的厚度薄的厚度覆盖。
5.一种电子装置,具备:
布线基板;
电子部件,其使主面与该布线基板的表面相对置地安装;和
树脂,其与该电子部件的侧面以及所述布线基板粘接在一起,并且对所述布线基板的所述表面与所述电子部件的所述主面之间的对置空间进行密封,
所述树脂相对于所述对置空间成凹状,
所述凹状的下端的位置比所述电子部件的所述侧面更靠近外侧,
位置比所述凹状的所述下端更靠近内侧的所述布线基板的与所述电子部件的所述主面的外周部相对置的部分及其周围部分由所述树脂以比所述对置空间的厚度薄的厚度覆盖。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011201915 | 2011-09-15 | ||
JP2011-201915 | 2011-09-15 | ||
PCT/JP2012/073470 WO2013039149A1 (ja) | 2011-09-15 | 2012-09-13 | 電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103814438A CN103814438A (zh) | 2014-05-21 |
CN103814438B true CN103814438B (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=47883366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280044713.7A Active CN103814438B (zh) | 2011-09-15 | 2012-09-13 | 电子装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9386703B2 (zh) |
JP (1) | JP5782129B2 (zh) |
CN (1) | CN103814438B (zh) |
WO (1) | WO2013039149A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016012692A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | 富士電機株式会社 | 電子部品の樹脂パッケージの形成方法 |
JP7000036B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2022-01-19 | キヤノン株式会社 | 振動子、振動子の製造方法、および電子機器 |
US11973486B2 (en) | 2019-03-25 | 2024-04-30 | Kyocera Corporation | Electronic component and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0840369A4 (en) * | 1995-06-30 | 2001-12-19 | Toshiba Kk | ELECTRONIC COMPONENT AND ITS MANUFACTURING METHOD |
JP2000004139A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの封止構造及びその封止方法 |
US6329739B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-12-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface-acoustic-wave device package and method for fabricating the same |
US6914367B2 (en) * | 2000-07-06 | 2005-07-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the device |
JP2002290199A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波装置 |
US6486554B2 (en) * | 2001-03-30 | 2002-11-26 | International Business Machines Corporation | Molded body for PBGA and chip-scale packages |
JP4179038B2 (ja) * | 2002-06-03 | 2008-11-12 | 株式会社村田製作所 | 表面弾性波装置 |
JP2004039945A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Murata Mfg Co Ltd | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2004215218A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-07-29 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性表面波装置及びそれを用いた移動体通信機 |
CN100463365C (zh) * | 2004-04-08 | 2009-02-18 | 株式会社村田制作所 | 声表面波滤波器及其制作方法 |
CN1828874A (zh) * | 2005-01-26 | 2006-09-06 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
KR100691160B1 (ko) * | 2005-05-06 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 적층형 표면탄성파 패키지 및 그 제조방법 |
JP4579104B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2010-11-10 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂封止デバイスの製造方法及びその製造装置 |
JP4231881B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2009-03-04 | 大日本印刷株式会社 | デバイス装置及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-09-13 CN CN201280044713.7A patent/CN103814438B/zh active Active
- 2012-09-13 US US14/345,143 patent/US9386703B2/en active Active
- 2012-09-13 JP JP2013533708A patent/JP5782129B2/ja active Active
- 2012-09-13 WO PCT/JP2012/073470 patent/WO2013039149A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2013039149A1 (ja) | 2015-03-26 |
CN103814438A (zh) | 2014-05-21 |
WO2013039149A1 (ja) | 2013-03-21 |
JP5782129B2 (ja) | 2015-09-24 |
US9386703B2 (en) | 2016-07-05 |
US20140369013A1 (en) | 2014-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103748787B (zh) | 弹性波装置以及电子部件 | |
JP4645233B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP4992908B2 (ja) | 弾性境界波素子、弾性境界波装置及び弾性境界波装置の製造方法 | |
US20070008051A1 (en) | Electronic component and manufacturing method thereof | |
WO2006006343A1 (ja) | 圧電デバイス | |
US9654081B2 (en) | Electronic component and manufacturing method therefor | |
JP5206377B2 (ja) | 電子部品モジュール | |
US10812042B2 (en) | Electronic component | |
CN103814438B (zh) | 电子装置 | |
JP2013251323A (ja) | 電子部品 | |
US8536959B1 (en) | Substrate with built-in electronic component | |
US10818566B2 (en) | Circuit module | |
TW201543811A (zh) | 水晶震盪裝置及其製造方法 | |
JP2007027211A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
US8093101B2 (en) | Electronic device and method of fabricating the same | |
JP7238097B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
KR102091424B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
JP2003273156A (ja) | 電子装置及びその製造方法 | |
JP5756715B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス | |
JP7170845B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP2010212379A (ja) | 電子部品モジュール及びその製造方法 | |
JP2004047897A (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
JP7008377B1 (ja) | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール | |
JP2011097247A (ja) | 高周波モジュールおよびその製造方法 | |
WO2021215463A1 (ja) | 電子部品、電子デバイス及び電子部品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |