CN116496720A - 绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法。其中,该绝缘胶包括:绝缘胶体、以及掺杂于绝缘胶体内的绝缘颗粒。其中,绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强。由于绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强,因此,绝缘胶体比绝缘颗粒更容易击穿。当静电放电电流作用于该绝缘胶时,静电放电电流将击穿绝缘性能更差、更容易击穿的绝缘胶体,而绕过绝缘性能更好、更难击穿的绝缘颗粒,使得静电放电电流的击穿路径变长,击穿绝缘胶所需的击穿电压将增加,从而提升了绝缘胶的绝缘性能。

Description

绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法
本案是分案申请,原申请的申请号是202111310407.0,原申请的申请日是2021年11月04日,原申请的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及绝缘胶技术领域,尤其涉及一种绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法。
背景技术
手机、平板等电子设备的两两壳体部件之间不可避免地存在缝隙。出于防尘防水等目的,通常使用绝缘胶带进行粘合,以阻断该缝隙。该绝缘胶带通常由绝缘薄膜和粘在绝缘薄膜上的绝缘胶层构成。为了使得绝缘胶层具备粘性,绝缘胶层需要掺杂粘性物质,从而使得其绝缘性低于绝缘薄膜,成为绝缘薄弱区。当缝隙两边的壳体部件为绝缘体时,缝隙将存在静电放电风险,产生静电放电(ESD,electro-static discharge)电流,该ESD电流有可能沿着绝缘胶层的粘接面所在方向击穿绝缘胶层,进而造成电子设备内部器件损坏。
可见,电子设备是否具有足够的静电防护能力以阻挡静电放电,很大程度上依赖绝缘胶层的绝缘性能。因此,如何提高用于静电防护的绝缘胶层的绝缘性能,对于保障电子设备的可靠性至关重要。目前常用的方式无法有效保证绝缘胶层在粘接面所在方向的绝缘性能。
发明内容
本申请实施例提供一种绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法,用于解决现有技术中无法有效保证绝缘胶层在粘接面所在方向的绝缘性能的问题。
为达到上述目的,本申请的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供了一种绝缘胶。该绝缘胶包括:绝缘胶体、以及掺杂于绝缘胶体内的绝缘颗粒。其中,绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强,且绝缘颗粒为高电负性非极性绝缘微粒。
该绝缘胶中,由于绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强,因此,绝缘胶体比绝缘颗粒更容易击穿。当ESD电流作用于该绝缘胶时,ESD电流将击穿绝缘性能更差、更容易击穿的绝缘胶体,而绕过绝缘性能更好、更难击穿的绝缘颗粒,使得ESD电流的击穿路径变长,击穿绝缘胶所需的击穿电压将增加,从而提升了绝缘胶的绝缘性能。
应理解,绝缘胶内的绝缘颗粒通过掺杂的方式嵌入绝缘胶体内,因此,绝缘颗粒将分布在绝缘胶体的任意位置。换而言之,绝缘胶在任意方向所呈现的绝缘性能从宏观上来说是无差异的,对于来自于任意方向的ESD电流,该绝缘胶均可以通过加长该ESD电流的击穿路径的长度的方式,提升自身被击穿的击穿电压,从而提升各方向的绝缘性能。基于此,当绝缘胶作为绝缘胶层存在时,自然,该绝缘胶层沿粘接面所在方向的绝缘性能也可以得到提升。
此外,绝缘颗粒为高电负性非极性绝缘微粒。
一方面,绝缘颗粒为高电负性绝缘颗粒。需要说明的是,高负性是指绝缘颗粒的电负性高于绝缘胶体的电负性。
该实施例中,绝缘颗粒的电负性代表其吸附电子能力。当绝缘颗粒的电负性高于绝缘胶体的电负性时,绝缘颗粒具有高电负性。相比于低电负性的情况而言,更高的电负性使得其具有较强的吸附电子能力。在此基础上,大量电子被绝缘颗粒的表面所吸附,使得绝缘颗粒周围介质中的电子数量减少。随着绝缘颗粒周围介质中的电子数量减少,绝缘颗粒周围介质中碰撞电离现象将减弱,从而使得绝缘颗粒周围介质中的离子数量骤减,该绝缘颗粒周围介质难以被击穿,从而提高了绝缘胶的耐电击穿能力,即绝缘性能。
另一方面,绝缘颗粒为非极性绝缘颗粒。相比于绝缘颗粒为极性的情况,当绝缘颗粒为非极性时,两两相邻的绝缘颗粒之间将不会产生与击穿场强方向相同的内电场。在此情况下,绝缘胶沿击穿方向的总电场将不会为内电场和击穿场强之和,从而不会削弱绝缘胶的绝缘性能。
可选地,绝缘胶体的材料包括橡胶或材料。
进一步地,用于掺杂形成绝缘颗粒的绝缘材料包括四氟乙烯和/或四氟乙烯聚合物。该绝缘材料的绝缘颗粒同时具备高电负性和非极性,因此,高电负性保证了绝缘颗粒的掺杂可以提高绝缘胶的绝缘性能的同时,非极性保证了绝缘颗粒的掺杂不会削弱绝缘胶的绝缘性能。
更进一步地,四氟乙烯聚合物包括聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、全氟丙基全氟乙烯基醚-聚四氟乙烯共聚物中的一种或多种。
可选地,绝缘颗粒与绝缘胶体的质量比为30%至60%。绝缘颗粒的掺杂比例不宜过高,也不宜过低。由于绝缘颗粒不具备粘性,当掺杂比例过高时,绝缘胶的粘性和强度将降低。当掺杂比例过低时,对于绝缘胶的绝缘性能的改善效果不明显。本实施例中,控制绝缘颗粒与绝缘胶体的质量比为30%至60%,一方面可以保证绝缘胶的粘性和强度,另一方面还可以保障绝缘胶的绝缘性能。
第二方面,提供了一种绝缘胶带。该绝缘胶带包括:第一薄膜层、以及胶体层,胶体层层叠于第一薄膜层上。其中,胶体层由第一方面任一项所述的绝缘胶制成。
在本申请的一些实施例中,绝缘颗粒的直径小于胶体层的厚度的十分之一。应理解,绝缘颗粒的直径不宜过大,也不宜过小。若绝缘颗粒的直径过大,分布在胶体层的表面的不具备粘性的绝缘颗粒,将使得胶体层的表面粘性过低;分布在胶体层内的不具备粘性的绝缘颗粒,将不容易和绝缘胶体粘合,导致胶体层的整体强度较低。并且,两两绝缘颗粒之间的绝缘胶体较薄,导致胶体层容易开裂。
在本申请的一些实施例中,上述绝缘胶带还包括第二薄膜层。第二薄膜层层叠于胶体层远离第一薄膜层的表面。第二薄膜层的存在使得胶体层在使用之前均可以得到保护。
第三方面,提供了一种绝缘胶的制备方法。该绝缘胶的制备方法包括:将绝缘胶体加工至熔融态。将绝缘颗粒掺杂至熔融态的绝缘胶体中并混合,获得待处理绝缘胶。其中,绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强,且绝缘颗粒为高电负性非极性绝缘微粒。对待处理绝缘胶进行冷却处理,获得绝缘胶。
可选地,绝缘胶体的材料包括橡胶或材料。
进一步地,用于掺杂形成绝缘颗粒的绝缘材料包括四氟乙烯和/或四氟乙烯聚合物。
更进一步地,四氟乙烯聚合物包括聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、全氟丙基全氟乙烯基醚-聚四氟乙烯共聚物中的一种或多种。
可选地,绝缘颗粒和绝缘胶体的质量比为30%至60%。
需要说明的是,第二方面至第三方面中任一实施例所带来的技术效果可参见第一方面中相应实施例所带来的技术效果,此处不再赘述。
附图说明
图1a为本申请一些实施例提供的电子设备的结构示意图;
图1b为图1a沿A1-A1线剖切所得的剖面图;
图1c为图1b中区域X的局部放大图;
图2为一种可能的设计方案中绝缘胶层的结构示意图;
图3为本申请一些实施例提供的绝缘胶带的剖面结构示意图;
图4为本申请一些实施例提供的绝缘颗粒对ESD电流击穿路径的影响关系对照图;
图5为本申请一些实施例提供的ESD电流在绝缘颗粒周围介质的击穿路径示意图;
图6为本申请一些实施例提供的电子雪崩过程中电子数量的变化示意图;
图7为申请一些实施例提供的极性分子在电场作用下的极化示意图;
图8为本申请另一些实施例提供的绝缘胶带的剖面结构示意图;
图9为本申请实施例提供的一种绝缘胶的制备方法的流程图。
具体实施方式
在本申请实施例中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
在本申请实施例中,“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本申请实施例中,“多种”是指两种以上(包含两种)。
本申请实施例中,“上”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义的,应当理解到,这些方向性术语是相对的概念,它们用于相对于的描述和澄清,其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化。
手机、平板等电子设备的两两壳体部件之间不可避免地存在缝隙。出于防尘防水等目的,通常使用绝缘胶带进行粘合,以阻断该缝隙。该绝缘胶带通常由绝缘薄膜和粘在绝缘薄膜上的绝缘胶层构成。为了使得绝缘胶具备粘性,绝缘胶层需要掺杂粘性物质,从而使得其绝缘性低于绝缘薄膜,成为绝缘薄弱区。当缝隙两边的壳体部件为绝缘体时,缝隙将存在静电放电风险,静电电流有可能击穿绝缘胶层,进而造成电子设备内部器件损坏。为了方便理解,下面结合图1a至图1c对上述静电发生的场景进行举例说明。
示例性地,图1a为本申请一些实施例提供的电子设备的结构示意图。该电子设备100为手机,包括后壳103、安装于后壳103上的摄像头支架104、以及设置于摄像头支架104内的摄像头模组106。请参阅图1b,图1b为图1a所示的电子设备沿A1-A1线剖切所得的剖面图。由图可见,该电子设备100包括由下至上依次层叠的显示屏101、中框102、后壳103、安装于后壳103上的摄像头支架104、以及设置于摄像头支架104下方的摄像头模组106。为了摄像头支架104和后壳103之间通常会存在缝隙,液体、粉尘等外界物质可能通过该缝隙进入电子设备100内部,影响摄像头模组106等内部器件的可靠性。基于此,通常在缝隙的下方通过绝缘胶带105对该缝隙107进行粘合。
具体来说,请参阅图1c,图1c为图1b中区域X的局部放大图。该图中示意了摄像头支架104和后壳103之间的缝隙107。为了阻断该缝隙107,绝缘胶带105通常由绝缘薄膜1051、以及附着于绝缘薄膜1051上的绝缘胶层1052构成,绝缘薄膜1051与摄像头支架104两侧的后壳103区域贴合,并通过绝缘胶层1052进行粘接。需要说明的是,由于摄像头支架104和后壳103通常为非金属的绝缘材料,因此,当其静电荷积累到一定程度时,将通过缝隙107发生ESD现象,从而产生ESD电流。虽然上述绝缘胶层1052可以隔绝物质进入电子设备100内部,但是对超过其绝缘能力的ESD电流却无法隔绝。ESD电流将可能沿图中虚线箭头示意的方向击穿绝缘胶层1052,从而对摄像头模组106等内部器件造成损坏。
由图1c可见,电子设备100是否具有足够的静电防护能力以阻挡静电放电,很大程度上依赖绝缘胶层1052的绝缘性能。因此,如何提高用于静电防护的绝缘胶层1052的绝缘性能,对于保障电子设备100的可靠性至关重要。目前较为常用的方式是通过将绝缘胶层1052设计为各向异性绝缘胶的结构,实现绝缘性能的提升。
示例性地,请参阅图2,图2为一种可能的设计方案中绝缘胶层的结构示意图。该绝缘胶层1052为复合层结构,包括依次层叠的第一绝缘胶层M1、PET薄膜层M2、第二绝缘胶层M3。为方便下文描述,在图2上建立O—X0Z0坐标系,X0方向为绝缘胶层1052的粘接面所在的方向,Z0方向为绝缘胶层1052中各复合层的堆叠方向。其中,绝缘胶层1052的粘接面为用于与其他结构进行粘接的面,X0方向垂直于Z0方向。应理解,绝缘胶层1052在使用过程中通常为片状结构,则绝缘胶层1052的粘接面为片状结构的宽面,X0方向为片状结构的宽面所在的方向,Z0方向为片状结构的厚度方向。
当沿Z0方向的ESD电流I0作用于该绝缘胶层1052时,需要依次击穿第二绝缘胶层M3、PET薄膜层M2、第一绝缘胶层M1,才能将绝缘胶层1052彻底击穿。由于PET薄膜层M2高于绝缘胶层的绝缘性能,因此,PET薄膜层M2的存在增加了该击穿路径的击穿难度,从而增加了绝缘胶层1052沿Z0方向的绝缘性能。
然而,上述通过沿Z0方向层叠PET薄膜层M2的方案所获得的绝缘胶层1052增加的是沿Z0方向的绝缘性能,其沿X0方向的绝缘性能无法得到有效地保证。具体而言,当沿X0方向的ESD电流I1作用于该绝缘胶层1052的PET薄膜层M2时,则绝缘胶层1052沿X0方向的绝缘性能取决于PET薄膜层M2;当沿X0方向的ESD电流I2作用于PET薄膜层M2以外的其他位置(如第二绝缘胶层M3)时,则绝缘胶层1052沿X0方向的绝缘性能主要取决于绝缘胶层(如第二绝缘胶层M3),PET薄膜层M2将可能完全失去效用。因此,对于沿X0方向击穿的ESD电流的应用场景(如图1c所示的场景)而言,图2所示的绝缘胶层1052无法为电子设备的静电防护能力提供有效保障。
此外,由于绝缘胶层1052沿X0方向的宽度较大,因此,当沿Z0方向层叠PET薄膜时,PET薄膜层M2可以分别和第一绝缘胶层M1、第二绝缘胶层M3形成较强的粘结力,从而形成稳固、牢靠的复合层结构。但由于绝缘胶层1052沿Z0方向的厚度较小,若沿X0方向层叠PET薄膜,将无法和两侧的复合层之间形成良好的粘结力,从而绝缘胶层1052存在易脱层、强度差的问题。换而言之,通过层叠PET薄膜的方案适用于增加绝缘胶层1052沿Z0方向的绝缘性能,对于增加绝缘胶层1052沿X0方向的绝缘性能并不适用。
基于此,为了可以提升绝缘胶层1052沿X0方向的绝缘性能,本申请实施例提供了一种绝缘胶带和绝缘胶。下面结合图3至图5对本申请实施例提供的绝缘胶带和绝缘胶进行详细说明。
请参阅图3,图3为本申请一些实施例提供的绝缘胶带的剖面结构示意图。该绝缘胶带00包括依次层叠的第一薄膜层L1、胶体层L2、以及第二薄膜层L3。
其中,第一薄膜层L1和第二薄膜层L3用于粘附胶体层L2。实际使用过程中,使用者通过揭开第一薄膜层L1和第二薄膜层L3,可以使用胶体层L2进行双面粘接;当然,也可以通过揭开第一薄膜层L1或第二薄膜层L3,使用胶体层L2进行单面粘接。示例性地,第一薄膜层L1和第二薄膜层L3的材质可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene glycolterephthalate,PET)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)、或聚乙烯(polyethene,PE)。
其中,胶体层L2由绝缘胶01制成。该绝缘胶01包括绝缘胶体10、以及掺杂于绝缘胶体10内的绝缘颗粒20。绝缘颗粒20的击穿场强大于绝缘胶体10的击穿场强。
需要说明的是,图3中示意了形成胶体层L2的绝缘胶01的具体内部构造,本申请实施例不再对绝缘胶01进行单独示意。为方便下文描述,在图3上建立O—X1Z1坐标系,X1方向为胶体层L2的粘接面所在的方向,Z1方向为第一薄膜层L1、胶体层L2、以及第二薄膜层L3的层叠方向,也为胶体层L2的厚度方向。此外,本申请实施例中其他各图示意的X1方向、Y1方向、Z1方向可以参照图3中相应方向的实施,后续不再赘述。
图3所示的绝缘胶带00中,由于绝缘颗粒20的击穿场强大于绝缘胶体10的击穿场强,因此,绝缘颗粒20的绝缘性能大于绝缘胶体10的绝缘性能,绝缘胶体10比绝缘颗粒20更容易击穿。当沿X1方向的ESD电流作用于图3所示的胶体层L2时,ESD电流将击穿绝缘性能更差、更容易击穿的绝缘胶体10,而绕过绝缘性能更好、更难击穿的绝缘颗粒20,图4中的(a)示意了沿X1方向的ESD电流的击穿路径示意图。
请参阅图4,图4为本申请一些实施例提供的绝缘颗粒20对ESD电流击穿路径的影响关系对照图。其中,图4中的(a)所示的绝缘胶带为图3所示的绝缘胶带00,胶体层L2由掺杂有绝缘颗粒20的绝缘胶01制成。区别于图4中的(a),图4中的(b)所示的绝缘胶带中,胶体层L2由未掺杂图4中的(a)所示的绝缘颗粒20的绝缘胶制成,即由图4中的(a)所示的绝缘胶体10制成。
通过对比图4中的(a)的ESD电流I3(图中带箭头的粗线)的击穿路径、以及图4中的(b)中的ESD电流I4的击穿路径(图中带箭头的粗线)可以发现,绝缘颗粒20的存在使得ESD电流的击穿路径变长。根据场强微分公式可知,当击穿路径变长时,沿X1方向击穿胶体层L2所需的击穿电压将增加,因此,胶体层L2沿X1方向的绝缘性能得以提升。
此外,应理解,图4中的(a)中,胶体层L2内的绝缘颗粒20在整个Z1方向均有掺杂,因此,无论ESD电流I3作用于胶体层L2沿Z1方向上的哪个位置,其击穿路径均得以变长,不会受作用位置所影响。换而言之,相比于图2所示的绝缘胶层1052而言,胶体层L2沿X1方向的绝缘性能在Z1方向上并不会存在差异,绝缘性能更稳定和牢靠。
需要说明的是,虽然图4中的(a)以沿X1方向的ESD电流I3说明了图3中胶体层L2沿X1方向的绝缘性能得以提升,应理解,图3沿Z1方向的绝缘性能同样得以提升,原理类似,此处不再赘述。也就是说,本申请实施例中的胶体层L2在使用过程中沿各向的绝缘性能均达到了提升。
进一步地,请继续参阅图3,在本申请的一些实施例中,绝缘颗粒20为高电负性非极性绝缘颗粒,即绝缘颗粒20一方面为高电负性绝缘颗粒,另一方面为非极性绝缘颗粒。需要说明的是,绝缘颗粒20为高电负性绝缘颗粒,是指绝缘颗粒20的电负性高于绝缘胶体10的电负性。
示例性地,绝缘胶体10由有机绝缘材料制成。示例性地,有机绝缘材料可以包括橡胶或塑料。其中,橡胶可以包括天然橡胶或合成橡胶,合成橡胶可以包括丁腈、硅橡胶、或丁苯橡胶。塑料可以包括热塑型塑料和热固型塑料,热塑性塑料可以包括丙烯酸、环氧树脂、或酚醛树脂;热固性塑料可以包括丙烯酸、PE、PVC、或PET。在此情况下,用于掺杂形成绝缘颗粒20的绝缘材料包括四氟乙烯和/或四氟乙烯聚合物。
其中,四氟乙烯聚合物可以包括聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、全氟丙基全氟乙烯基醚-聚四氟乙烯共聚物中的一种或多种。
需要说明的是,影响绝缘颗粒20的击穿场强的因素较多,例如材料本身、电负性、以及非极性等。也就是说,绝缘胶体10的高电负性以及非极性,有助于提高绝缘颗粒20的击穿场强,从而有助于使绝缘颗粒20的击穿场强高于绝缘胶体10的击穿场强。但绝缘颗粒20的击穿场强高于绝缘胶体10的击穿场强,并不代表绝缘胶体10的电负性一定高于绝缘胶体10的电负性,且绝缘颗粒20一定为非极性。在某些实施例中,在绝缘胶体10的电负性低于绝缘胶体10的电负性,和/或绝缘颗粒20为极性的情况下,绝缘颗粒20的击穿场强也有高于绝缘胶体10的击穿场强。下面就本实施例中绝缘颗粒20的电负性和非极性分别讨论。
首先,绝缘颗粒20的电负性代表其吸附电子能力。当绝缘颗粒20的电负性高于绝缘胶体10的电负性时,绝缘颗粒20具有高电负性。相比于低电负性的情况而言,更高的电负性使得其具有较强的吸附电子能力,从而可以增加绝缘颗粒20周围介质的击穿电压,下面结合图5分析其具体原因。
请参阅图5,图5为本申请一些实施例提供的ESD电流在绝缘颗粒20周围介质的击穿路径示意图。为方便展示,图5中的绝缘颗粒20未填充。需要说明的是,绝缘颗粒20周围的介质分为以下情况:
情况一:绝缘颗粒20周围的介质为空气间隙30。
请参阅图5中的(a),当绝缘颗粒20与绝缘胶体10未完全贴合时,绝缘颗粒20与包裹该绝缘颗粒20的绝缘胶体10之间将存在微小的空气间隙30,在此情况下,绝缘颗粒20周围的介质为空气间隙30,ESD电流I5通过击穿该空气间隙30而继续行进。应理解,为了方便展示,该图对空气间隙30的尺寸进行了放大,实际实施过程中空气间隙30的尺寸比图示小很多。
空气间隙30的击穿过程是一个电子雪崩的过程。具体而言,请参阅图6,电子N1在电场作用下定向移动,当电场强度足够强时,电子N1将被加速而撞击中性的空气分子,电离出一个新的电子N2和新的离子(图中未示出)。同样的过程,电子N1和电子N2在电场作用下撞击中性的空气分子,电子N1电离出一个新的电子N3和新的离子(图中未示出),电子N2则电离出一个新的电子N4和新的离子(图中未示出)。以此类推,将产生更多的电子和离子,从而电子数量和离子数量将雪崩似地增加。请继续参阅图5,当空气间隙30内的电子雪崩过程足够强,使得空气间隙30中的离子数量足够多时,空气间隙30将被击穿。
而本实施例中,由于绝缘颗粒20具有更高的吸附电子能力,大量电子被绝缘颗粒20的表面所吸附,使得空气间隙30中的电子数量减少。随着空气间隙30中的电子数量减少,空气间隙30中碰撞电离现象将减弱,从而使得空气间隙30中的离子数量骤减,该空气间隙30难以被击穿。应理解,电场强度越强,上述碰撞电离的现象越强,从而空气间隙30中的电子数量和离子数量越多。基于此,为了击穿绝缘颗粒20周围的空气间隙30,则需要提高电场强度。根据场强公式,在空隙间隙不变的情况下,则需要更强的击穿电压。
情况二:绝缘颗粒20周围的介质为绝缘胶体10。
请参阅图5中的(b),当绝缘颗粒20与绝缘胶体10完全贴合时,绝缘胶体10将绝缘颗粒20紧紧包裹,在此情况下,绝缘颗粒20周围的介质为绝缘胶体10,ESD电流I6将击穿该绝缘胶体10而继续行进。
区别于图5中的(a)所示的空气间隙30的击穿,绝缘胶体10的击穿是固体的击穿。该击穿过程具体如下:当电场强度足够大时,电子N1在电场作用下定向移动,从一个势阱跑到另一个势阱,形成定向移动,从而撞击绝缘胶体10的固体分子,从而产生绝缘胶体10内的电子雪崩过程。该过程和发生在空气间隙30的类似,此处不再赘述。同理,当绝缘颗粒20具有更高的吸附电子能力,大量电子被绝缘颗粒20的表面所吸附,使得绝缘颗粒20周围的绝缘胶体10中的电子数量减少。随着电子数量减少,绝缘颗粒20周围的绝缘胶体10中碰撞电离将减弱,从而使得绝缘颗粒20周围的绝缘胶体10中的离子数量骤减,难以被击穿。基于此,为了击穿绝缘颗粒20周围的绝缘胶体10,则需要更强的击穿电压。
综上情况一和情况二的内容可知,当ESD电流流经绝缘颗粒20周围介质时,具有更高电负性的绝缘颗粒20的存在,使得需要更强的击穿电压才能击穿其周围介质。基于此,图3所示的绝缘胶01(即胶体层L2)的绝缘性能得以提升。
此外,请继续参阅图3,当绝缘颗粒20为非极性时,代表其极化率低,即在电场作用下不易发生极化。相比于绝缘颗粒20为极性的情况而言,非极性的绝缘颗粒20将不会降低绝缘胶01的击穿电压,从而不会降低绝缘胶01的绝缘性能,下面结合图7分析其具体原因。
请参阅图7,图7示意了极性分子在电场作用下的极化示意图。通过图7可以发现,极化分子在外电场E0作用下被极化,从而呈现一端带正电、另一端带负电的状态。两两相邻的极性分子之间将形成和外电场E0方向相同的内电场E1
针对于本实施例而言,请继续参阅图3,当ESD电流沿X1方向击穿胶体层L2时,外电场E0的方向为X1方向。当绝缘颗粒20为极性时,则两两相邻的绝缘颗粒20之间将产生与击穿场强方向相同的内电场E1,即X1方向的内电场E1。在此情况下,胶体层L2沿X1方向的总电场为内电场E1和外电场E0之和,使得胶体层L2更容易击穿,削弱胶体层L2沿X1方向的绝缘性能。当绝缘颗粒20为非极性时,将不会产生内电场E1,从而不会削弱胶体层L2沿X1方向的绝缘性能。
通过上述分析可见,绝缘颗粒20的电负性和非极性对于保证胶体层L2的绝缘性能均产生了效果。基于此,绝缘颗粒20的电负性和非极性的构思可以分别在单独的实施例中进行实施,即在一些实施例中,绝缘颗粒20的电负性高于绝缘胶体10的电负性,而无需绝缘颗粒20为非极性。在此情况下,绝缘颗粒20的材料可以包括偏氟乙烯聚合物、偏氟乙烯共聚物、三氟氯乙烯聚合物、或三氟氯乙烯共聚物。在另一些实施例中,绝缘颗粒20为非极性,而无需绝缘颗粒20的电负性高于绝缘胶体10的电负性。在此情况下,绝缘颗粒20可以由前述有机绝缘材料中击穿场强大于绝缘胶体10的击穿场强的材料制成。本申请实施例对此不作具体限定。
在本申请的一些实施例中,请继续参阅图3,为了保证胶体层L2的强度和粘性,绝缘颗粒20的直径小于或等于胶体层L2的直径的十分之一。示例性地,绝缘颗粒20的直径可以为胶体层L2的直径的十分之一,也可以为胶体层L2的十一分之一。
应理解,绝缘颗粒20的直径不宜过大。若绝缘颗粒20的直径过大,分布在胶体层L2的表面的不具备粘性的绝缘颗粒20,将使得胶体层L2的表面粘性过低;分布在胶体层L2内的不具备粘性的绝缘颗粒20,将不容易和绝缘胶体10粘合,导致胶体层L2的整体强度较低。并且,两两绝缘颗粒20之间的绝缘胶体10较薄,导致胶体层L2在Z1方向上容易开裂。
在本申请的另一些实施例中,请继续参阅图3,为了保证胶体层L2的强度和粘性,绝缘颗粒20与绝缘胶体10的质量比为30%至60%。示例性地,绝缘颗粒20与绝缘胶体10的质量比为30%、45%、50%、55%、60%。
应理解,绝缘颗粒20的掺杂比例不宜过高,也不宜过低。由于绝缘颗粒20不具备粘性,当掺杂比例过高时,绝缘胶的粘性和强度将降低。当掺杂比例过低时,对于绝缘胶的绝缘性能的改善效果不明显。本实施例中,控制绝缘颗粒20与绝缘胶体10的质量比为30%至60%,一方面可以保证绝缘胶的粘性和强度,另一方面还可以保障绝缘胶的绝缘性能。
需要说明的是,图3以绝缘胶带00包括两层薄膜层为例进行了说明。在其他实施例中,绝缘胶带00也可以仅包括一层薄膜层。请参阅图8,绝缘胶带00包括第一薄膜层L1、以及胶体层L2。其中,胶体层L2层叠于第一薄膜层L1上。第一薄膜层L1和胶体层L2的具体实施可以参照图3所示的相关内容,此处不再赘述。实际生产过程中,该绝缘胶带00可以通过裹卷的方式进行生产,类似于市面上的透明胶的裹卷的方式。实际使用过程中,使用者通过揭开第一薄膜层L1,可以使用胶体层L2进行双面粘接;当然,也可以直接使用带第一薄膜层L1的胶体层L2进行单面粘接。
为了获得上述各实施例所示的绝缘胶,本申请实施例还提供了一种绝缘胶的制备方法。
请参阅图9,该绝缘胶的制备方法包括:
S901,将绝缘胶体加工至熔融态。
S902,将绝缘颗粒掺杂至熔融态的绝缘胶体中并混合,获得待处理绝缘胶;其中,绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强,且绝缘颗粒为高电负性非极性绝缘颗粒。
S903,对待处理绝缘胶进行冷却处理。
S904,获得绝缘胶。
具体实施过程中,根据绝缘胶的类型不同,在对待处理绝缘胶进行冷却处理之后,还可以适应性地进行其他加工处理,以获得所需的绝缘胶。举例来说,若绝缘胶为泡棉胶,在S903之后,S904之前还可以进行发泡处理,然后进行定型加工,获得绝缘胶。若绝缘胶不是泡棉胶,在S903之后,S904之前直接进行定型加工,获得绝缘胶。需要说明的是绝缘胶体和绝缘颗粒的材质、质量比、绝缘颗粒的直径已经在图3的相关实施例中进行了详细说明,可以参照实施例,此处不再赘述。
以上所述,仅为本申请实施例的具体实施方式,但本申请实施例的保护范围并不局限于此,任何在本申请实施例揭露的技术范围内的变化或替换,都应涵盖在本申请实施例的保护范围之内。因此,本申请实施例的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种壳体组件,其特征在于,用于保护电子设备中的摄像头模组,所述摄像头模组位于所述壳体组件的一侧,所述壳体组件包括:后壳以及安装于所述后壳上的摄像头支架,所述摄像头支架与所述壳体之间具有缝隙;
所述后壳上连接有绝缘胶带,所述绝缘胶带位于所述后壳与所述摄像头模组之间,所述绝缘胶带将所述缝隙与所述摄像头模组隔绝;
所述绝缘胶带包括:
绝缘胶体和绝缘颗粒,所述绝缘颗粒掺杂于所述绝缘胶体内;其中,所述绝缘颗粒的击穿场强大于所述绝缘胶体的击穿场强,且所述绝缘颗粒为高电负性非极性绝缘微粒,所述绝缘颗粒的电负性大于所述绝缘胶体的电负性。
2.根据权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述绝缘颗粒的绝缘材料包括四氟乙烯和/或四氟乙烯聚合物。
3.根据权利要求2所述的壳体组件,其特征在于,所述四氟乙烯聚合物包括聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、全氟丙基全氟乙烯基醚-聚四氟乙烯共聚物中的一种或多种。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的壳体组件,其特征在于,所述绝缘颗粒与所述绝缘胶体的质量比为30%至60%。
5.根据权利要求4所述的壳体组件,其特征在于,所述绝缘颗粒与所述绝缘胶体的质量比为30%、45%、50%、55%或60%。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的壳体组件,其特征在于,所述绝缘胶体的材料为橡胶或塑料。
7.根据权利要求6所述的壳体组件,其特征在于,所述橡胶包括丁腈、硅橡胶、或丁苯橡胶;
所述塑料包括丙烯酸、环氧树脂、酚醛树脂、PE、PVC、或PET。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的壳体组件,其特征在于,所述绝缘胶带包括绝缘薄膜和绝缘胶层,所述绝缘薄膜的两端通过所述绝缘胶层粘接在所述后壳上,所述绝缘薄膜和所述绝缘胶层共同将所述缝隙与所述摄像头模组隔绝。
9.根据权利要求8所述的壳体组件,其特征在于,所述绝缘胶层包括:
第一薄膜层和胶体层,所述第一薄膜层粘附在所述胶体层的一侧。
10.根据权利要求9所述的壳体组件,其特征在于,所述绝缘胶层还包括:
第二薄膜层;
所述第二薄膜层粘附在所述胶体层远离所述第一薄膜层的一侧。
11.根据权利要求9或10所述的壳体组件,其特征在于,所述绝缘颗粒的直径小于或等于所述胶体层的厚度的十分之一。
12.一种电子设备,其特征在于,包括摄像头模组以及权利要求1-11任意一项所述的壳体组件,所述摄像头模组设置于所述壳体组件的一侧,所述壳体组件用于保护所述摄像头模组。
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