TWI491273B - 駐極體揚聲裝置 - Google Patents

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TWI491273B
TWI491273B TW101125872A TW101125872A TWI491273B TW I491273 B TWI491273 B TW I491273B TW 101125872 A TW101125872 A TW 101125872A TW 101125872 A TW101125872 A TW 101125872A TW I491273 B TWI491273 B TW I491273B
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Wen Hsin Hsiao
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Description

駐極體揚聲裝置
本發明是有關於一種駐極體揚聲裝置，且特別是有關於一種駐極體揚聲裝置中駐極體振膜之材料與其製作方式。
駐極體揚聲裝置利用駐極體振膜之靜電場，透過電極層傳導音源訊號的不同電位，帶動駐極體振膜產生音場。常用於作駐極體振膜之材料，例如膨體聚四氟乙烯(expanded poly-tetrafluoroethylene,ePTFE)便是常用的一種，膨體聚四氟乙烯(ePTFE)是一種由聚四氟乙烯(PTFE)經單向機械拉伸形成的多孔膜。白色，富有彈性和柔韌性，具有微細纖維連接而形成的網狀結構，這些微細纖維形成無數細孔。研究顯示，這些細孔形成的高接觸面積讓膨體聚四氟乙烯薄膜得以儲存更多電荷，提升駐電性，但另一方面，也同時讓膨體聚四氟乙烯駐極體薄膜在接觸環境濕氣或遇高溫時，駐電性流失的速度極快，對於使用膨體聚四氟乙烯駐極體薄膜作為振膜的駐極體揚聲裝置，因而產生耐用性的問題。因此對於使用膨體聚四氟乙烯駐極體薄膜作為振膜之駐極體揚聲裝置，容易在高溫高濕的環境下，因駐極體振膜駐電性流失而喪失其發聲的功能，因此駐極體揚聲裝置需要提升其防潮耐高溫之能力。
本發明提供一種駐極體揚聲裝置，具有防潮耐高溫的的能力。
本發明提出一種駐極體揚聲裝置，包括振膜、第一開孔電極及第一支撐件。振膜包括第一駐極體、第二駐極體、電極層及高分子層，第一駐極體與第二駐極體其中至少有一層是由膨體聚四氟乙烯(ePTFE)構成。第二駐極體疊置於第一駐極體之一側。電極層疊置於第一駐極體相對第二駐極體之另一側。高分子層為一疏水性材料。第二駐極體疊置於高分子層及第一駐極體之間，第一駐極體疊置於電極層及第二駐極體之間。第一開孔電極疊置於鄰近振膜之高分子層的一側。第一支撐件由絕緣材料構成並設置於振膜及第一開孔電極之間，且適於支撐第一開孔電極於振膜上以構成第一腔室。另提出一種製造駐極體揚聲裝置的方法。
本發明提出一種駐極體揚聲裝置的製造方法，包括提供第一駐極體材料薄膜，並於第一駐極體材料薄膜上之一面設置電極層。將設置電極層的第一駐極體材料薄膜進行極化以形成第一駐極體。在第一駐極體相對於電極層的一面上藉由第一駐極體之靜電力吸附第二駐極體材料薄膜。將吸附第二駐極體材料薄膜的第一駐極體再進行極化，使得極化後的第二駐極體材料薄膜形成第二駐極體。其中電極層、第一駐極體與第二駐極體構成一駐極體複合膜。設置高分子層於駐極體複合膜相對於第一駐極體的一面，高分子層適於藉由駐極體複合膜之靜電力吸附於第二駐極體 上。將堆疊高分子層的駐極體複合膜再進行極化形成振膜。以及最後在振膜之高分子層的一側設置第一支撐件及第一開孔電極。
在本發明之一實施例中，上述之第一駐極體為膨體聚四氟乙烯(ePTFE)駐極體，第二駐極體為實心駐極體。
在本發明之一實施例中，駐極體揚聲裝置更包括二外接電極，外接電極分別與第一開孔電極及振膜電性連接，並電性連接外接訊號。
在本發明之一實施例中，駐極體揚聲裝置更包括第二支撐件及保護件。第二支撐件疊置於第一開孔電極之上。保護件包括第一表面保護層及側面保護層，第一表面保護層疊置於第二支撐件之上，並覆蓋第一開孔電極，側面保護層設置於駐極體揚聲裝置的側邊，第一表面保護層及側面保護層為疏水性材料。
在本發明之一實施例中，駐極體揚聲裝置更包括第二開孔電極，疊置於鄰近振膜之電極層的一側，第一支撐件更設置於振膜及第二開孔電極之間，且適於支撐第二開孔電極於振膜上以構成第二腔室。
在本發明之一實施例中，駐極體揚聲裝置更包括第二支撐件及保護件。第二支撐件疊置於第一開孔電極及第二開孔電極之上。保護件包括第一表面保護層、第二表面保護層及側面保護層，第一表面保護層及第二表面保護層疊置於第二支撐件之上，並分別覆蓋第一開孔電極及第二開孔電極，側面保護層設置於駐極體揚聲裝置的側邊，第一 表面保護層、第二表面保護層及側面保護層為一疏水性材料。
在本發明之一實施例中，駐極體揚聲裝置更包括外接電極，外接電極分別與第一開孔電極、第二開孔電極或振膜三者其中之二電性連接。
在本發明之一實施例中，駐極體揚聲裝置更包括絕緣固定元件，每一絕緣固定元件適於貫穿第一支撐件及振膜。
在本發明之一實施例中，上述之第一駐極體與第二駐極體的材質包括聚丙烯(polypropylene,PP)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate,PC)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、環烯烴共聚合物(cyclic olefin copolymer,COC)、聚四氟乙烯(poly-tetrafluoroethylene,PTFE)、膨體聚四氟乙烯(ePTFE)或氟化乙丙烯(fluorinated ethylene propylene,FEP)其中之一或其組合。
在本發明之一實施例中，上述之高分子層的材質包括聚丙烯(polypropylene,PP)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚對苯二甲酸乙烯酯(Poly ethylene terephthalate,PET)或聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)其中之一或其組合。
在本發明之一實施例中，上述之極化的製程例如是一電暈放電的製程。
在本發明之一實施例中，上述之駐極體揚聲裝置的製造方法，更包括在將第二駐極體材料薄膜再進行極化，使 得極化後的第二駐極體材料薄膜形成一第二駐極體的步驟之後，在設置第二駐極體後利用靜電力貼合第三駐極體材料薄膜於駐極體複合膜上。將駐極體複合膜進行極化的製程，使第三駐極體材料薄膜形成第三駐極體。以及重複上述步驟直到所需駐極體複合膜的層數達到需求。
基於上述，本發明之駐極體揚聲裝置，藉由多層駐極體複合，以及在振膜上設置具有疏水性的高分子材料層，可避免水氣侵入振膜影響駐極體揚聲裝置內駐極體振膜的特性。此外，駐極體複合振膜的製造藉由靜電力吸附可使製程簡化，且每堆疊一層之後即進行一次極化的製程，更可增強駐極體振膜的駐電特性，使駐極體揚聲裝置在高溫高濕環境下運作更可維持良好性能。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明之一實施例之駐極體揚聲裝置的爆炸圖。圖1B為圖1A之駐極體揚聲裝置在堆疊狀態並外接訊號後的剖視圖。圖1C為圖1A之振膜的側視圖。請參考圖1A至圖1C，本發明之駐極體揚聲裝置100包括振膜110、第一開孔電極120及第一支撐件130。振膜110包括第一駐極體112、第二駐極體114、電極層116及高分子層118。第二駐極體114疊置於第一駐極體112之一側。電極層116疊置於第一駐極體112相對第二駐極體114之另一側。高 分子層118例如是一疏水性材料。第二駐極體114疊置於高分子層118及第一駐極體112之間，第一駐極體112疊置於電極層116及第二駐極體114之間。第一開孔電極120疊置於鄰近振膜110之高分子層118的一側，並具有多個開孔122。第一支撐件130設置於振膜110及第一開孔電極120之間，且第一支撐件130為一絕緣材料並具有多個開孔的結構。第一支撐件130的多個結構肋131適於支撐第一開孔電極120於振膜110上並將振膜110及第一開孔電極120之間構成多個第一腔室132。
在本實施例中，駐極體揚聲裝置100的振膜110，具有一高分子層118，以避免水氣侵入振膜110影響駐極體揚聲裝置100的聲音特性的高分子層118。因此，本實施例之駐極體揚聲裝置100應用於高溫高濕的環境下可具有較佳的駐電性。
在本實施例中，上述之振膜110之第一駐極體112例如是一膨體聚四氟乙烯(ePTFE)、而第二駐極體114例如是一實心駐極體。在此所述之駐極體的材料可以是聚丙烯(polypropylene,PP)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate,PC)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)與環烯烴共聚合物(cyclic olefin copolymer,COC)以及含氟聚合物，例如：聚四氟乙烯(poly-tetrafluoroethylene,PTFE)、膨體聚四氟乙烯(ePTFE)與氟化乙丙烯(fluorinated ethylene propylene,FEP)。本發明在此不限定第一駐極體 112及第二駐極體114的材質及其組合，惟其中至少有一由膨體聚四氟乙烯駐極體構成。而設置在振膜110及第一開孔電極120之間的第一支撐件130為一絕緣材質的支撐件，因此可將振膜110與第一開孔電極120電性絕緣。
本實施例之駐極體揚聲裝置100，其振膜110及第一開孔電極120可電性連接一外接訊號140(如圖1B所示)，以被驅動產生聲音。因此在本實施例中，更包括二外接電極152,154，外接電極152,154分別具有兩端點，外接電極152,154的第一端152a,154a分別與第一開孔電極120及振膜110電性連接，而外接電極152,154的第二端152b,154b電性連接一外接訊號140。
本實施例之駐極體揚聲裝置100因為其振模110具有一高分子層118適於應用在高溫高濕的環境，而為了使本實施例之駐極體揚聲裝置100具有更好的防水氣的特性，在本實施例中，駐極體揚聲裝置100更包括多個第二支撐件160及一保護件170。第二支撐件160疊置於第一開孔電極120之上。保護件170包括第一表面保護層172及側面保護層174，第一表面保護層172疊置於第二支撐件160之上，並覆蓋第一開孔電極120，側面保護層174設置於駐極體揚聲裝置100的側邊。
在此，第一表面保護層172的設置，不但可避免水氣進入第一開孔電極120，且更可在駐極體揚聲裝置100外層再提供一層保護。在此，第一表面保護層172可以是具有疏水特性的不織布，或者是疏水性的高分子材料，例如 是聚丙烯(polypropylene,PP)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚對苯二甲酸乙烯酯(Poly ethylene terephthalate,PET)或聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)。而在駐極體揚聲裝置100的側面設置側面保護層174，更能夠防止水氣從側邊進入駐極體揚聲裝置100。在此所述之側面保護層174例如是塑膠材質的藍膜(blue tape)。使得駐極體揚聲裝置100在高溫高濕的環境下操作，可具有更高的可靠度。
此外，在本實施例中，駐極體揚聲裝置100更包括至少一絕緣固定元件180(圖1B繪示為兩個)，振膜110及第一支撐件130更可具有一開口114,134，使得每一絕緣固定元件180適於貫穿開口114,134以固定第一支撐件130及振膜110的位置。
圖2為本發明另一實施例之駐極體揚聲器在堆疊狀態並外接訊號後的剖視圖。請參考圖2，本實施例之駐極體揚聲器200同樣包括振膜210、第一開孔電極220及第一支撐件230。且振膜210包括第一駐極體212、第二駐極體214、電極層216及高分子層218。駐極體揚聲器200與上述實施例的差異在於，圖1A之實施所揭示的駐極體揚聲裝置100具有單一的第一開孔電極120，為一單邊驅動的駐極體揚聲器100。而本實施例之駐極體揚聲器200更包括一第二開孔電極290，疊置於鄰近振膜210之電極層216的一側，且第二開孔電極290與第一開孔電極220都分別具有第多個開孔292,222。本實施之第一支撐件230不但設置於振膜210及第一開孔電極220之間，更設置於振膜 210及第二開孔電極290之間，且第一支撐件230的結構肋231適於支撐第一開孔電極220及第二開孔電極290於振膜上210以構成多個第一腔室232及第二腔室234。
在本實施例中，外接電極252,254的第一端252a,254a則可以跟第一開孔電極220、第二開孔電極290或振膜210三者其中之二電性連接。而外接電極252,254的第二端252b,254b電性連接一外接訊號240。
本實施之駐極體揚聲器200，因為其振膜210兩側分別設置第一開孔電極220及第二開孔電極290，因此為一雙邊驅動的駐極體揚聲器200。雙邊驅動的優點為，當外接電極252,254例如是與第一開孔電極220及第二開孔電極290電性連接時，正負訊號分別輸入第一開孔電極220及第二開孔電極290，就會對只帶有單一電荷的振膜110分別產生吸力跟斥力，可具有較佳的效率。
本實施例之駐極體揚聲器200更可如上述之實施例包括多個第二支撐件260及保護件270，以提高駐極體揚聲器200對水氣的隔絕。本實施例的差異在於，保護件270除了第一表面保護層272及多個側面保護層274之外，更包括第二表面保護層276。第一表面保護層272及第二表面保護層276疊置於第二支撐件260之上，並分別覆蓋第一開孔電極220及第二開孔電極290，側面保護層274設置於駐極體揚聲裝置200的側邊。第一表面保護層272、第二表面保護層276及側面保護層274為一疏水性材料。
本實施例之第一表面保護層272、第二表面保護層276 及側面保護層274的材質與上述實施例相同，本發明在此不再贅述。此外，在本實施例中，絕緣固定元件280不但設置於第一開孔電極220及振膜210之間，更設置於第二開孔電極290及振膜210之間。設置方式與上述實施例相同，本發明在此亦不再贅述。
圖3為製作圖1A所示之駐極體揚聲裝置100之振膜110的製造方法流程圖。請參考圖3，本發明提出一種製作駐極體揚聲裝置的方法300，包括在步驟S301提供第一駐極體材料薄膜(例如是膨體聚四氟乙烯)，並於第一駐極體材料薄膜之一面上設置電極層116，並在步驟S302中，將設置電極層116的第一駐極體材料薄膜經極化後形成第一駐極體112。在步驟S303中，於第一駐極體112相對於電極層116的一面上設置第二駐極體材料薄膜(例如是實心駐極體)，在本實施例中，第二駐極體材料薄膜是以靜電力吸附於第一駐極體112上，而不需再藉由其他製程將第二駐極體薄膜固定在第一駐極體112上，之後再經步驟S304，將吸附第二駐極體材料薄膜的第一駐極體112再極化後，使得極化後的第二駐極體材料薄膜形成第二駐極體114，在步驟S304之後，電極層118、第一駐極體112及第二駐極體114構成一駐極體複合膜。
在本發明其他未繪示實施例中，更可重複S303與S304之步驟形成第三、第四或第五駐極體，直到滿足所需的駐極體複合膜層數。值得注意的是，在本發明之實施例中，當增加駐極體的堆疊層數時，就必須進行一次極化的 製程。最後重複上述堆疊駐極體以及極化的步驟直到最後形成所需駐極體合膜層數達到需求。
堆疊所需的駐極體之後，在步驟S305中，設置高分子層118於駐極體複合膜相對於第一駐極體112的一側以形成圖1A所示之振膜110。在本實施例中，高分子層118同樣也是以靜電力吸附於駐極體複合膜上。在步驟S306中，再將堆疊高分子層118後的振膜110再進行極化的製程。最後，在步驟S307中，在振膜110之高分子層118的一側設置第一支撐件130及第一開孔電極120以構成駐極體揚聲裝置100。在步驟S301中，於第一駐極體112設置電極層116的方式，例如是採用噴塗、旋轉塗佈、濺鍍、蒸鍍(evaporation)、電鍍(electroplating)、網版印刷與刮刀塗佈等方式。而電極層的材質可以是金、銀、鋁、銅、鉻、鉑、氧化銦錫(Indium-Tin Oxide,ITO)、銀膠(silver paste)、碳膠(carbon paste)等。
在上述步驟中，將堆疊駐極體112,114及高分子層118之後的振膜110進行極化的製程，例如是採用電暈極化的製程，其佈電原理為利用非均勻電場引起空氣局部擊穿解離，離子與電子等在電場中被加速與碰撞而導致連鎖反應，產生局部的游離電荷，再透過電場加速轟擊至材料表面，隨著時間加長或電壓增高，植於表面的電荷將獲得更多的能量更有機會遷移至駐極體中，進而被捕獲成為永久電荷，其儲存電荷的類型多為空間電荷。其極化電壓、溫度、濕度與時間長短等是影響極化效果的主要因素。
電暈極化可得到獲得較高面電荷密度，電荷僅能沉積於樣品的近表面；電荷密度的橫向均勻性和充電電荷的穩定性比低能電子束轟擊略差，但其設備簡單與操作方便的優點，使其成為最普遍的極化方式，被廣泛應用於工業生產之中。然而，本發明在此並不限制極化的製程為電暈極化，舉凡E-beam駐電、熱駐電、輻射駐電等方法均可作為本發明之駐極體揚聲器的極化方法。
綜上所述，本發明之駐極體揚聲裝置，藉由在多層駐極體構成的振膜上設置高分子層，可避免水氣侵入振膜進而影響駐極體揚聲裝置的特性。此外，更可在駐極體揚聲裝置的外側及側面，再設置由疏水性材質構成的保護件，以提高對水氣的阻隔。而在駐極體揚聲裝置的製造方法中，振膜的每一層構件皆是藉由靜電力吸附，不但可使製程簡化，且每堆疊一構件之後即進行一次極化的製程，更可提高駐極體揚聲裝置駐電的穩定性，在高溫高濕環境下運作更可維持良好性能。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200‧‧‧駐極體揚聲裝置
110、210‧‧‧振膜
112、212‧‧‧第一駐極體
114、214‧‧‧第二駐極體
116、216‧‧‧電極層
118、218‧‧‧高分子層
120、220‧‧‧第一開孔電極
122、222、292‧‧‧開孔
130、230‧‧‧第一支撐件
131‧‧‧結構肋
132、232‧‧‧第一腔室
114、134‧‧‧開口
140、240‧‧‧外接訊號
152、154、252、254‧‧‧外接電極
152a、154a、252a、254a‧‧‧第一端
152b、154b、252b、254b‧‧‧第二端
160、260‧‧‧第二支撐件
170、270‧‧‧保護件
172、272‧‧‧第一表面保護層
174、274‧‧‧側面保護層
180‧‧‧絕緣固定元件
234‧‧‧第二腔室
276‧‧‧第一表面保護層
290‧‧‧第二開孔電極
300‧‧‧方法
S301~S307‧‧‧步驟
圖1A為本發明之一實施例之駐極體揚聲裝置的爆炸圖。
圖1B為圖1A之駐極體揚聲裝置在堆疊狀態並外接訊號後的剖視圖。
圖1C為圖1A之振膜的側視圖。
圖2為本發明另一實施例之駐極體揚聲器在堆疊狀態並外接訊號後的剖視圖。
圖3為製作圖1A所示之駐極體揚聲裝置之振膜的製造方法流程圖。
200‧‧‧駐極體揚聲裝置
210‧‧‧振膜
212‧‧‧第一駐極體
214‧‧‧第二駐極體
216‧‧‧電極層
218‧‧‧高分子層
220‧‧‧第一開孔電極
222、292‧‧‧開孔
230‧‧‧第一支撐件
232‧‧‧第一腔室
234‧‧‧第二腔室
240‧‧‧外接訊號
252、254‧‧‧外接電極
252a、254a‧‧‧第一端
252b、254b‧‧‧第二端
260‧‧‧第二支撐件
270‧‧‧保護件
272‧‧‧第一表面保護層
274‧‧‧側面保護層
276‧‧‧第一表面保護層
280‧‧‧絕緣固定元件
290‧‧‧第二開孔電極

Claims (14)

  1. 一種駐極體揚聲裝置，包括：一振膜，包括：一第一駐極體；一第二駐極體，疊置於該第一駐極體之一側，其中該第一駐極體與該第二駐極體的其中至少之一的材質為膨體聚四氟乙烯構成；一電極層，疊置於該第一駐極體相對該第二駐極體之另一側；以及一高分子層，為一疏水性材料，其中該第二駐極體疊置於該高分子層及該第一駐極體之間，該第一駐極體疊置於該電極層及該第二駐極體之間；一第一開孔電極，疊置於鄰近該振膜之該高分子層的一側；以及一第一支撐件，由絕緣材料構成，設置於該振膜及該第一開孔電極之間，且適於支撐該第一開孔電極於該振膜上以構成一第一腔室。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之駐極體揚聲裝置，其中該第一駐極體為該膨體聚四氟乙烯，該第二駐極體為一實心駐極體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之駐極體揚聲裝置，更包括二外接電極，該些外接電極分別與該第一開孔電極及該振膜電性連接，並電性連接一外接訊號。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之駐極體揚聲裝置，更 包括：一第二支撐件，疊置於該第一開孔電極之上；以及一保護件，包括一第一表面保護層及多個側面保護層，該第一表面保護層疊置於該些第二支撐件之上，並覆蓋該第一開孔電極，該些側面保護層設置於該駐極體揚聲裝置的側邊，該第一表面保護層及該些側面保護層為一疏水性材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之駐極體揚聲裝置，更包括：一第二開孔電極，疊置於鄰近該振膜之該電極層的一側，該些第一支撐件更設置於該振膜及該第二開孔電極之間，且適於支撐該第二開孔電極於該振膜上以構成一第二腔室。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之駐極體揚聲裝置，更包括：多個第二支撐件，疊置於該第一開孔電極及該第二開孔電極之上；以及一保護件，包括一第一表面保護層、一第二表面保護層及多個側面保護層，該第一表面保護層及該第二表面保護層疊置於該些第二支撐件之上，並分別覆蓋該第一開孔電極及該第二開孔電極，該些側面保護層設置於該駐極體揚聲裝置的側邊，該第一表面保護層、該第二表面保護層及該些側面保護層為一疏水性材料。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之駐極體揚聲裝置，更 包括二外接電極，該些外接電極分別與該第一開孔電極、該第二開孔電極或該振膜三者其中之二電性連接。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之駐極體揚聲裝置，更包括至少一絕緣固定元件，每一該絕緣固定元件適於貫穿該第一支撐件及該振膜。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之駐極體揚聲裝置，其中該第一駐極體與該第二駐極體的材質包括聚丙烯(polypropylene,PP)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate,PC)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、環烯烴共聚合物(cyclic olefin copolymer,COC)、聚四氟乙烯(poly-tetrafluoroethylene,PTFE)、膨體聚四氟乙烯(ePTFE)或氟化乙丙烯(fluorinated ethylene propylene,FEP)其中之一或其組合。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之駐極體揚聲裝置，其中該高分子層的材質包括聚丙烯(polypropylene,PP)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚對苯二甲酸乙烯酯(Poly ethylene terephthalate,PET)或聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)其中之一或其組合。
  11. 一種駐極體揚聲裝置的製作方法，包括：a.提供一第一駐極體材料薄膜，並於該第一駐極體材料薄膜上之一面設置一電極層；b.將設置該電極層的該第一駐極體材料薄膜進行極化以形成一第一駐極體； c.在該第一駐極體相對於該電極層的一面上藉由該第一駐極體之靜電力吸附一第二駐極體材料薄膜；d.將吸附該第二駐極體材料薄膜的該第一駐極體再進行極化，使得極化後的該第二駐極體材料薄膜形成一第二駐極體，其中該電極層、該第一駐極體與該第二駐極體構成一駐極體複合膜；e.設置一高分子層於該駐極體複合膜相對於該第一駐極體的一面，該高分子層適於藉由該駐極體複合膜之靜電力吸附於該第二駐極體上；f.將堆疊該高分子層的該駐極體複合膜再進行極化形成振膜；g.在該振膜之該高分子層的一側設置多個第一支撐件及一第一開孔電極。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之駐極體揚聲裝置的製作方法，其中在將該第二駐極體材料薄膜再進行極化，使得極化後的該第二駐極體材料薄膜形成一第二駐極體之後，更包括：利用靜電力貼合一第三駐極體材料薄膜於該駐極體複合膜上；將該駐極體複合膜進行極化的製程，使第三駐極體材料薄膜形成第三駐極體；以及重複上述步驟直到所需該駐極體複合膜的層數達到需求。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之駐極體揚聲裝置 的製作方法，其中該第一駐極體與該第二駐極體的材質包括聚丙烯(polypropylene,PP)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate,PC)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、環烯烴共聚合物(cyclic olefin copolymer,COC)、聚四氟乙烯(poly-tetrafluoroethylene,PTFE)、膨體聚四氟乙烯(ePTFE)或氟化乙丙烯(fluorinated ethylene propylene,FEP)其中之一或其組合。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之駐極體揚聲裝置的製作方法，其中該高分子層的材質包括聚丙烯(polypropylene,PP)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚對苯二甲酸乙烯酯(Poly ethylene terephthalate,PET)或聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)其中之一或其組合。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102329387B1 (ko) 2014-10-10 2021-11-22 삼성디스플레이 주식회사 고분자 일렉트렛트 및 이의 제조방법
US10848864B2 (en) * 2018-09-07 2020-11-24 Apple Inc. Liquid-resistant modules, acoustic transducers and electronic devices
US11317199B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Apple Inc. Vented acoustic transducers, and related methods and systems
US11310591B2 (en) 2019-05-28 2022-04-19 Apple Inc. Vented acoustic transducers, and related methods and systems
CN111836174A (zh) * 2020-06-30 2020-10-27 歌尔股份有限公司 一种复合振膜、复合振膜的制备方法及发声装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020080684A1 (en) * 2000-11-16 2002-06-27 Dimitri Donskoy Large aperture vibration and acoustic sensor
US20060066934A1 (en) * 2002-03-11 2006-03-30 Uni-Pixel Displays, Inc. Double-electret mems actuator
US20090016551A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Industrial Technology Research Institute Electrostatic electroacoustic transducers
US20090245547A1 (en) * 2008-03-10 2009-10-01 National Taiwan University Electret materials, electret speakers, and methods of manufacturing the same
TW201008302A (en) * 2008-08-11 2010-02-16 Ind Tech Res Inst Structure of a speaker unit
US20100111335A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Htc Corporation Electronic device with electret electro-acoustic transducer
CN101754078A (zh) * 2008-12-12 2010-06-23 志丰电子股份有限公司 驻极体背极式双振膜电声致动器及其制法
US20100166247A1 (en) * 2008-12-31 2010-07-01 Htc Corporation Flexible luminescent electro-acoustic transducer and electronic device using the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002024463A1 (en) * 2000-09-22 2002-03-28 Permacharge Corporation Electret composition adapted for high-speed printing
US20070003081A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Insound Medical, Inc. Moisture resistant microphone
TWI367034B (en) * 2008-08-01 2012-06-21 Ind Tech Res Inst Structure of a speaker unit
JP2011077924A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Yamaha Corp 静電型スピーカ
TWM395976U (en) * 2010-06-30 2011-01-01 Tsung-Hung Wu Electret electroacoustic transducer
US20120051564A1 (en) * 2010-08-31 2012-03-01 Industrial Technology Research Institute Flat speaker structure and manufacturing method thereof

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020080684A1 (en) * 2000-11-16 2002-06-27 Dimitri Donskoy Large aperture vibration and acoustic sensor
US20060066934A1 (en) * 2002-03-11 2006-03-30 Uni-Pixel Displays, Inc. Double-electret mems actuator
US20090016551A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Industrial Technology Research Institute Electrostatic electroacoustic transducers
US20090245547A1 (en) * 2008-03-10 2009-10-01 National Taiwan University Electret materials, electret speakers, and methods of manufacturing the same
TW201008302A (en) * 2008-08-11 2010-02-16 Ind Tech Res Inst Structure of a speaker unit
US20100111335A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Htc Corporation Electronic device with electret electro-acoustic transducer
CN101754078A (zh) * 2008-12-12 2010-06-23 志丰电子股份有限公司 驻极体背极式双振膜电声致动器及其制法
US20100166247A1 (en) * 2008-12-31 2010-07-01 Htc Corporation Flexible luminescent electro-acoustic transducer and electronic device using the same

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