JP3103956B2 - 異方性導電膜 - Google Patents

異方性導電膜

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    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は回路基板上に配された多
数の微細導電パターンに対し、夫々対応する他の導電パ
ターン若しくは他の集積回路(IC)等の電子部品のリ
ード等を接続するのに適用して好適な異方性導電膜に関
する。
【0002】
【従来の技術】先に例えば図5に示す如くポリイミド基
板4に設けられた配線パターン5とガラスエポキシ基板
6に設けられた配線パターン7の配線パターン5及び7
同士を電気的に接続するのに異方性導電膜が使用されて
いた。
【0003】この異方性導電膜は図4に示す如く熱溶融
絶縁性接着剤1中にニッケル、銀、半田等の導電性粒子
2を分散し、厚さが20μm程度のシート状としたもの
である。
【0004】この異方性導電膜を使用して例えばポリイ
ミド基板4に設けられた配線パターン5とガラスエポキ
シ基板6に設けられた配線パターン7とを接続する場合
に図5に示す如く、ガラスエポキシ基板6の配線パター
ン7上の少なくともポリイミド基板4の配線パターン5
と接続すべき部分に差し渡って異方性導電膜を載せ、こ
れの上にポリイミド基板4をその配線パターン5が対応
するガラスエポキシ基板6上の配線パターン7上に互い
に接続すべき部分が、この異方性導電膜を介して重なり
合うように載せ、両者を例えば180℃のもとで40k
g/cm2 で30秒間加圧圧着する如くする。
【0005】このようにすることにより、この異方性導
電膜中の接着剤1が加熱によって流動性を呈するので、
特にポリイミド基板4及びガラスエポキシ基板6の互い
の対向面より実質的に突出しているために圧力が掛けら
れる配線パターン5及び7との間に介在する絶縁性接着
剤1の多くが側方に押し出され、これら配線パターン5
及び7とが導電性粒子2を介して電気的に接続されると
共に他の部分が機械的に接続され、隣接する配線パター
ン5,5、7,7間の絶縁性が確保される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、例えば液
晶表示装置のカラー化、高精細化に伴い配線パターン
5,7のピッチが微細化し、この場合は導電粒子2が均
一に分散していないこと等により図5に示す如く配線パ
ターン5,5間(又は7,7間)に複数個の導電粒子2
が連なりショート部Aが生ずる虞がある不都合があっ
た。
【0007】本発明は斯る点に鑑み、配線パターン間が
ショートする危険性を少なくすると共に導電不良を生ず
ることがないようにすることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明異方性導電膜は例
えば図1に示す如く、絶縁性接着剤1中に導電性粒子2
及び絶縁性粒子3を分散してなり、圧力方向にのみ導電
性を有し、それ以外の方向では絶縁性を示す異方性導電
膜において、この導電性粒子2及びこの絶縁性粒子3の
熱膨張係数が略同等であり、この絶縁性粒子3の混合量
はこの導電性粒子2の混合量と同等以下であり、この絶
縁性粒子の粒径が2.5μm以上であるものである。
【0009】本発明異方性導電膜は上述において例えば
図2に示す如く、この導電性粒子2が合成樹脂の粒子核
材2aの表面に導電層2bを設けたものである。
【0010】また本発明異方性導電膜は上述において、
この絶縁性粒子3がこの導電性粒子2の合成樹脂の粒子
核材2aと同じものである。
【0011】
【作用】斯る本発明によれば絶縁性接着剤1中に導電性
粒子2及びこの導電性粒子2に対して同等量以下の絶縁
性粒子3を分散するようにしたので、導電性粒子2のみ
複数個連なることがなくなり配線パターン間にショート
部を生ずる危険性が少なくなると共にこの導電性粒子2
及び絶縁性粒子3の夫々の熱膨張係数を略同等とし、こ
の絶縁性粒子3の粒径を2.5μm以上としたので温度
変化があっても導電不良を生ずることがない。
【0012】
【実施例】以下図面を参照して本発明異方性導電膜の実
施例につき説明しよう。図1において、1は絶縁性接着
剤を示し、この絶縁性接着剤1として次の組成とした。
【0013】この絶縁性接着剤1は以下述べる実施例1
〜7及び比較例1〜3につき同じものを使用した。
【0014】また、図1において、2は導電性粒子を示
し、この導電性粒子2として実施例1,3〜7、比較例
1〜3では導電性粒子Aを使用し、実施例2では導電性
粒子Bを使用した。
【0015】導電性粒子Aは図2に示す如く粒径が5μ
mの合成樹脂であるベンゾグアナミンを粒子核材2aと
し、この表面にメッキによりNi層0.2μm及びAu
層200Åより成る導電層2bを被着したものである。
【0016】また導電性粒子Bは図2に示す如く、粒径
が5μmの合成樹脂である架橋ポリスチレン(ジビニル
ベンゼン−スチレンの共重合体)を粒子核材2aとし、
この表面にメッキによりNi層0.2μm及びAu層2
00Åより成る導電層2bを被着したものである。
【0017】また図1において、3は絶縁性粒子を示
し、この絶縁性粒子3としては導電性粒子Aの粒子核材
と同じベンゾグアミン(ミクロパール、東都化成社製)
の粒径が5μm、2.5μm、0.5μmのものと導電
性粒子Bの粒子核材と同じ粒径が5μmの架橋ポリスチ
レンを使用した。
【0018】この場合架橋ポリスチレンの熱膨張係数は
7.0×10-5であり、ベンゾグアナミンの熱膨張係数
は6.0×10-5である。
【0019】実施例1としては、表1に示す如く、10
0重量部の絶縁性接着剤1中にこの導電性粒子Aを7重
量部と絶縁性粒子3として粒径5μmのミクロパールを
1.4重量部とを分散させ、乾燥後の厚みが30μmに
なるように剥離シート上にコーターによって塗布して異
方性導電膜とした。
【0020】実施例2としては、表1に示す如く、10
0重量部の絶縁性接着剤1中にこの導電性粒子Bを7重
量部と絶縁性粒子3として粒径が5μmの架橋ポリスチ
レンを1.4重量部とを分散させ、乾燥後の厚みが30
μmになるように剥離シート上にコーターによって塗布
して異方性導電膜とした。
【0021】実施例3としては、表1に示す如く、10
0重量部の絶縁性接着剤1中に、この導電性粒子Aを7
重量部と絶縁性粒子3として粒径2.5μmのミクロパ
ールを1.4重量部とを分散させ、乾燥後の厚みが30
μmになるように剥離シート上にコーターによって塗布
して異方性導電膜とした。
【0022】実施例4としては、表1に示す如く、10
0重量部の絶縁性接着剤1中に、この導電性粒子Aを7
重量部と絶縁性粒子3として粒径5μmのミクロパール
を0.7重量部とを分散させ、乾燥後の厚みが30μm
になるように剥離シート上にコーターによって塗布して
異方性導電膜とした。
【0023】実施例5としては、表1に示す如く、10
0重量部の絶縁性接着剤1中に、この導電性粒子Aを1
0.5重量部と絶縁性粒子3として粒径が5μmのミク
ロパールを1.3重量部とを分散させ、乾燥後の厚みが
30μmになるように剥離シート上にコーターによって
塗布して異方性導電膜とした。
【0024】実施例6としては、表1に示す如く、10
0重量部の絶縁性接着剤1中に、この導電性粒子Aを1
0.5重量部と絶縁性粒子3として粒径2.5μmのミ
クロパールを5.3重量部とを分散させ、乾燥後の厚み
が30μmになるように剥離シート上にコーターによっ
て塗布して異方性導電膜とした。
【0025】実施例7としては、表1に示す如く、10
0重量部の絶縁性接着剤1中に、この導電性粒子Aを1
4重量部と絶縁性粒子3として粒径5μmのミクロパー
ルを14重量部とを分散させ、乾燥後の厚みが30μm
になるように剥離シート上にコーターによって塗布して
異方性導電膜とした。
【0026】比較例1としては、表1に示す如く、10
0重量部の絶縁性接着剤1中に、この導電性粒子Aを7
重量部と絶縁性粒子3として粒径5μmの架橋ポリスチ
レンを1.4重量部とを分散させ、乾燥後の厚みが30
μmになるように剥離シート上にコーターによって塗布
して異方性導電膜とした。
【0027】比較例2としては、表1に示す如く、10
0重量部の絶縁性接着剤1中に、この導電性粒子Aを7
重量部と絶縁性粒子3として粒径0.5μmのミクロパ
ールを1.4重量部とを分散させ、乾燥後の厚みが30
μmになるように剥離シート上にコーターによって塗布
して異方性導電膜とした。
【0028】比較例3としては、表1に示す如く、10
0重量部の絶縁性接着剤1中に、この導電性粒子Aを7
重量部と絶縁性粒子3として粒径5μmのミクロパール
を10重量部とを分散させ、乾燥後の厚みが30μmに
なるように剥離シート上にコーターによって塗布して異
方性導電膜とした。
【0029】
【表1】
【0030】斯る実施例1〜7、比較例1〜3の異方性
導電膜を使用し、図3に示す如く例えばポリイミド基板
4に設けられた50μmピッチの配線パターン5とガラ
スエポキシ基板6に設けられた50μmピッチの配線パ
ターン7の配線パターン5及び7同士を電気的に接続し
た。この場合の条件は温度が170℃で圧力を40kg
/cm2 として20秒間とした。
【0031】この結果表1に示す如く実施例1〜7、比
較例1〜3においては隣接配線パターン間のショート部
は発生しなかった。これは図3に示す如く導電性粒子2
のみが複数個連なることがなく、この連なる粒子の内少
なくとも1個が絶縁性粒子3であることによるものと考
えられる。
【0032】またエージング条件を85℃、95%RH
で1000時間放置後の配線パターン5及び7間の導通
抵抗値を測定したところ実施例1〜7においては10Ω
以下であったが比較例1〜3は10Ω以上となる不都合
があった。
【0033】この不都合を生ずる比較例1の原因は導電
性粒子Aの粒子核材2aと絶縁性粒子3との熱膨張係数
が異なるためである。
【0034】また比較例2の原因は導電性粒子2に比較
し、絶縁性粒子3の大きさが小さいことによる。
【0035】また比較例3の原因は導電性粒子2に比較
し、絶縁性粒子3が多すぎるためと考えられる。従って
実施例1〜7よりして絶縁性粒子3を、この導電性粒子
2に対して10重量%〜100重量%混合することが適
当である。
【0036】以上述べた如く本例によれば絶縁性接着材
1中に導電性粒子2及び絶縁性粒子3を分散するように
したので、導電性粒子2のみが複数個連なることがなく
なり配線パターン間5,5(又は7,7)にショート部
を生ずる危険性が少なくなる利益があると共にこの導電
性粒子2及び絶縁性粒子3の夫々の熱膨張係数を同等と
したので温度変化があっても導電不良を生ずることがな
い利益がある。
【0037】尚、本発明は上述実施例に限ることなく本
発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採
り得ることは勿論である。
【0038】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば絶縁性
接着材1中に導電性粒子2及びこの導電性粒子2に対し
て同等量以下の絶縁性粒子3を分散するようにしたの
で、導電性粒子2のみが複数個連なることがなくなり配
線パターン間5,5(又は7,7)にショート部を生ず
る危険性が少なくなる利益があると共にこの導電性粒子
2及び絶縁性粒子3の夫々の熱膨張係数を略同等とし、
この絶縁性粒子3の粒径を2.5μm以上としたので温
度変化があっても導電不良を生ずることがない利益があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明異方性導電膜の一実施例を示す断面図で
ある。
【図2】本発明に使用する導電性粒子の例を示す断面図
である。
【図3】本発明の説明に供する線図である。
【図4】従来の異方性導電膜の例を示す断面図である。
【図5】従来の説明に供する線図である。
【符号の説明】
1 絶縁性接着剤 2 導電性粒子 2a 粒子核材 2b 導電層 3 絶縁性粒子
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01R 11/01 H05K 1/09 Z H05K 1/09 3/32 B 3/32 3/40 A 3/40 3/46 N 3/46 H01L 23/12 K (56)参考文献 特開 平4−160708(JP,A) 特開 平6−13432(JP,A) 特開 平6−203641(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01B 5/16 H01B 1/20 H01B 5/00 H01L 23/12 H01L 23/50 H01R 11/01 H05K 1/09 H05K 3/32 H05K 3/40 H05K 3/46

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁性接着剤中に導電性粒子及び絶縁性
    粒子を分散してなり、圧力方向にのみ導電性を有し、そ
    れ以外の方向では絶縁性を示す異方性導電膜において、 前記導電性粒子及び前記絶縁性粒子の熱膨張係数が略同
    等であり、前記絶縁性粒子の混合量は前記導電性粒子の
    混合量と同等以下であり、前記絶縁性粒子の粒径が2.
    5μm以上であることを特徴とする異方性導電膜。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の異方性導電膜において、
    前記導電性粒子が合成樹脂の粒子核材の表面に導電層を
    設けたものであることを特徴とする異方性導電膜。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の異方性導電膜において、
    前記絶縁性粒子が前記導電性粒子の合成樹脂の粒子核材
    と同じものであることを特徴とする異方性導電膜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP3660175B2 (ja) * 1998-11-25 2005-06-15 セイコーエプソン株式会社 実装構造体及び液晶装置の製造方法
JP3417354B2 (ja) 1999-08-19 2003-06-16 ソニーケミカル株式会社 接着材料及び回路接続方法
KR100622578B1 (ko) * 2000-02-21 2006-09-13 주식회사 새 한 전기적 접속신뢰성이 우수한 이방도전성 접착용 필름
WO2005054388A1 (ja) 2003-12-04 2005-06-16 Asahi Kasei Emd Corporation 異方導電性接着シート及び接続構造体
KR100597391B1 (ko) 2004-05-12 2006-07-06 제일모직주식회사 절연 전도성 미립자 및 이를 함유하는 이방 전도성 접착필름
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JP5225766B2 (ja) * 2008-06-25 2013-07-03 旭化成イーマテリアルズ株式会社 異方導電性接着シート及び微細接続構造体
JP5530571B1 (ja) * 2012-11-28 2014-06-25 積水化学工業株式会社 絶縁性粒子付き導電性粒子、導電材料及び接続構造体
TW202219987A (zh) * 2014-11-17 2022-05-16 日商迪睿合股份有限公司 異向性導電膜及連接構造體
JP6819657B2 (ja) * 2018-07-25 2021-01-27 カシオ計算機株式会社 プログラム
JP6819656B2 (ja) 2018-07-25 2021-01-27 カシオ計算機株式会社 回路基板、プログラム、及び、ボタン構造
CN113999628B (zh) * 2021-11-04 2023-04-11 荣耀终端有限公司 绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8145834B2 (en) 2008-05-21 2012-03-27 Fujitsu Limited Storage apparatus, disk controller, and command issue control method

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