CN116430616A - 显示面板 - Google Patents
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- CN116430616A CN116430616A CN202310465961.9A CN202310465961A CN116430616A CN 116430616 A CN116430616 A CN 116430616A CN 202310465961 A CN202310465961 A CN 202310465961A CN 116430616 A CN116430616 A CN 116430616A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 186
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 23
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 205
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical group 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
显示面板包括:第一衬底,具有顶表面和侧表面,顶表面包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域;第二衬底,面对第一衬底;第一绝缘结构,设置在第二衬底和第一衬底之间,第一绝缘结构与非显示区域重叠而不与显示区域重叠;有机发光二极管,在第一衬底和第二衬底之间,并且与显示区域重叠;薄膜封装层,在有机发光二极管上;信号线,具有与第一衬底的侧表面对齐的侧表面,信号线设置在第一衬底上;第二绝缘结构,与信号线重叠并且设置在第一衬底和第一绝缘结构之间,第二绝缘结构具有与第一衬底的侧表面对齐的侧表面;以及连接焊盘,与信号线的侧表面接触,其中,第二绝缘结构包括与信号线和非显示区域重叠而不与显示区域重叠的有机图案。
Description
本申请为于2018年09月13日提交的、题为“显示面板”的第201811066081.X号中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的示例性实施方式大体涉及显示面板,并且更具体地,涉及具有结实的结构和大的观看区域的显示面板。
背景技术
通常,在制造显示面板之后,将印刷电路板(PCB)连接至显示面板。例如,在带式自动结合(TAB)安装方法中,PCB利用各向异性导电膜(ACF)结合至显示面板。通常,PCB在连接之后具有在大体平行于显示面板的方向上从显示面板延伸的平面形状,这增加了显示面板的整体尺寸。
最近,已经以各种方式研究了用于减少边框区域(或非显示区域)的显示面板设计方法。
该背景部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景,并且因此,它可包括不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的示例性实施方式构造的显示面板具有连接至显示面板的侧表面的PCB,这可改善结构完整性和提供更紧凑的配置,从而减小非显示区域和/或改善PCB与信号线之间的电连接,以及可防止信号线在诸如磨削过程的制造过程中损坏和/或变形。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式,显示面板包括:第一衬底,具有顶表面以及在与顶表面交叉的方向上延伸的侧表面;第二衬底,面对第一衬底;绝缘层,设置在第一衬底和第二衬底之间;第一绝缘结构,设置在绝缘层和第一衬底之间;像素,设置在第一衬底和第二衬底之间;信号线,具有与第一衬底的侧表面基本对齐的侧表面;第二绝缘结构,与信号线重叠并且与第一绝缘结构接触;以及连接焊盘,与第一衬底的侧表面、信号线的侧表面和第二绝缘结构的侧表面接触。第一绝缘结构与绝缘层接触,信号线设置在第一衬底上,且第二绝缘结构具有与第一衬底的侧表面基本对齐的侧表面。
第二绝缘结构可包括与信号线重叠的有机层以及设置在有机层上的无机层。
像素可包括第一电极、与第一电极绝缘的第二电极、电连接至第一电极的薄膜晶体管以及由在第一电极和第二电极之间形成的电场控制的液晶层。
显示面板还可包括与薄膜晶体管重叠的间隔件。第一电极和第二电极可彼此重叠并且可在第一衬底的厚度方向上彼此间隔开,无机层可延伸以与薄膜晶体管重叠,第二电极可与薄膜晶体管重叠,且间隔件可设置在无机层的与薄膜晶体管重叠的部分和第二电极的与薄膜晶体管重叠的部分之间。
第一绝缘结构和间隔件可包括基本相同的材料。
显示面板还可包括设置在第一衬底和第一电极之间并且与第一电极重叠的滤色器。
无机层可延伸以滤色器重叠并且与滤色器接触。
有机层和滤色器可包括基本相同的材料。
信号线可设置在与薄膜晶体管的控制电极基本相同的层上。
显示面板还可包括与第二绝缘结构的有机层间隔开的密封件。密封件可环绕液晶层。
显示器还可包括与信号线和第二绝缘结构重叠的浮动电极。浮动电极可设置在信号线与第二绝缘结构的有机层之间。
浮动电极可设置在与薄膜晶体管的输入电极或输出电极基本相同的层上。
显示面板还可包括电连接至连接焊盘的电路衬底。
像素可包括第一电极、与第一电极绝缘的第二电极、电连接至第一电极的薄膜晶体管以及设置在第一电极和第二电极之间的发光层。
信号线可包括铜,且连接焊盘可包括银膏。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式,显示面板包括:第一衬底,具有顶表面以及在与顶表面交叉的方向上延伸的侧表面;第二衬底,面对第一衬底;电极,设置在第一衬底和第二衬底之间;液晶层,设置在第一衬底和第二衬底之间;密封结构,设置在第一衬底和第二衬底之间并且配置为围绕液晶层;绝缘结构,设置在第一衬底和第二衬底之间并且设置在密封结构的外部;信号线,具有与第一衬底的侧表面基本对齐的侧表面;以及连接焊盘,与第一衬底的侧表面、信号线的侧表面和绝缘结构的侧表面接触。绝缘结构具有与第一衬底的侧表面基本对齐的侧表面并且包括与密封结构的层不同的层。信号线设置在第一衬底上并且与绝缘结构重叠。
绝缘结构可围绕密封结构。
密封结构可具有单层结构,且绝缘结构可包括至少两个堆叠的有机层。
绝缘结构还可包括设置在两个有机层之间的无机层。
电极可包括彼此间隔开的第一电极和第二电极,液晶层可设置在第一电极和第二电极之间,密封结构可与第一电极和第二电极之一接触,且绝缘结构可与第一电极和第二电极间隔开。
发明构思的另外的特征将在接下来的描述中阐述,并且根据该描述将部分地显而易见,或者可通过实践发明构思而被习得。
要理解,前面的概括描述和接下来的详细描述两者均是示例性和说明性的,并且旨在提供对如要求专利保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图示出本发明的示例性实施方式,并且与说明书一起用于解释发明构思,其中,附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且并入本说明书中且构成本说明书的一部分。
图1是根据本发明的原理构造的显示设备的示例性实施方式的示意性立体图。
图2是图1的显示设备的示意性平面图。
图3是图1的显示设备的显示面板的显示区域的示意性局部立体图。
图4是图1的显示设备的显示面板的非显示区域的示意性局部立体图。
图5是图2的显示设备的显示面板的像素的等效电路图。
图6A至图6C是根据本发明的一些实施方式构造的显示面板的显示区域的示意性剖视图。
图7是根据本发明的实施方式构造的显示面板的非显示区域的示意性剖视图。
图8是根据本发明的实施方式构造的显示面板的非显示区域的剖视图像。
图9A是在根据本发明的实施方式的制造显示面板的示例性方法中使用的工作面板的示意性立体图。
图9B是图9A的工作面板的示意性剖视图。
图9C是从图9A的工作面板切割的初始显示面板的示意性剖视图。
图9D是作为比较示例的显示面板的剖视图像。
图10是根据本发明的实施方式构造的显示面板的非显示区域的示意性剖视图。
图11是可在根据本发明的实施方式构造的显示面板中的任意显示面板中应用的像素的等效电路图。
图12是根据本发明的实施方式构造的显示面板的显示区域的示意性剖视图。
图13是根据本发明的实施方式构造的显示面板的非显示区域的示意性剖视图。
具体实施方式
在以下描述中,出于解释的目的,阐述了诸多具体细节,以提供对本发明的各示例性的实施方式或实施例的彻底理解。如本文所使用,“实施方式”和“实施例”是可互换的词语,其是应用了本文公开的发明构思中的一个或多个的设备或方法的非限制性示例。然而,显而易见,各示例性实施方式可在没有这些具体细节的情况下或者通过一个或多个等同布置来实施。在其他情况中,为了避免不必要地混淆各示例性实施方式,以框图形式示出公知的结构和设备。此外,各示例性实施方式可以是不同的,但是不必是排他的。例如,在不脱离发明构思的情况下,可在另一示例性实施方式中使用或实施示例性实施方式的具体形状、配置和特性。
除非另行指出,否则所示出的示例性实施方式应理解为提供可实际上实施发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此,除非另行指出,否则在不脱离发明构思的情况下,各实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中个别地称为或统称为“元件”)可另行组合、分离、交换和/或重新布置。
附图中剖面线和/或阴影的使用通常用于使相邻元件之间的边界清楚。这样,除非指出,否则剖面线或阴影的存在和不存在均不传达或表示对于特定材料、材料特性、尺寸、比例、所示出的元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外,在附图中,出于清楚和/或描述性的目的,可能放大元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施方式可不同地执行时,可与所描述的顺序不同地执行具体的过程顺序。例如,可基本同时执行或者可以以与所描述的顺序相反的顺序来执行两个连续描述的过程。另外,相同的附图标记表示相同的元件。
当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时,它可直接在所述另一元件或层上、连接至或联接至所述另一元件或层,或者可存在介于中间的元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时,不存在介于中间的元件或层。为此,术语“连接”可表示在具有或不具有介于中间的元件的情况下的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外,D1轴线、D2轴线和D3轴线不限于直角坐标系的三个轴线(诸如x轴线、y轴线和z轴线),并且能以更宽泛的意义进行解释。例如,D1轴线、D2轴线和D3轴线可垂直于彼此,或者可代表不垂直于彼此的不同方向。出于本公开的目的,“X、Y和Z中至少之一”和“从由X、Y和Z构成的群组中选择的至少之一”可解释为仅X、仅Y、仅Z或者诸如X、Y和Z中的两者或更多者的任意组合,例如,XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的那样,术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。
虽然本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可被称为第二元件。
空间相对术语,诸如“在……下面(beneath)”、“在……下方(below)”、“在……之下(under)”、“下(lower)”、“在……上方(above)”、“上(upper)”、“在……之上(over)”、“更高(higher)”、“侧(side)”(例如,如“侧壁”中那样)等可出于描述性目的在本文中使用,并且因此可用来描述如附图中所示的一个元件与另一元件(多个元件)的关系。除了附图中描绘的定向之外,空间相对术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如,如果附图中的装置翻转,则描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将定向成在所述其他元件或特征“上方”。因此,示例性术语“下方”可涵盖上方定向和下方定向二者。此外,装置可另行定向(例如,旋转90度或者处于其他定向),并且因而,本文所使用的空间相对描述语应被相应地进行解释。
本文使用的术语是出于描述具体实施方式的目的,且不旨在进行限制。除非上下文清楚地另行指出,否则如本文所使用的那样,单数形式“一”、“一个”和“所述”旨在还包括复数形式。此外,术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在本说明书中使用时指定所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在,但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。另外应注意的是,如本文所使用的术语“基本”、“约”及其他类似术语用作近似术语而不用作程度术语,并且因而,用于对会由本领域普通技术人员意识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差做出解释。
本文参考作为理想化示例性实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各示例性实施方式。这样,应设想到由于例如制造技术和/或公差引起的与附图的形状的偏差。因此,本文公开的示例性实施方式不应一定解释为限于区域的特定示出的形状,而是应包括由例如制造引起的形状偏差。以这样的方式,附图中所示的区域实质上可以是示意性的,且这些区域的形状可以不反映设备的区域的实际形状,并且因而,不一定旨在进行限制。
除非另行限定,否则本文使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)具有与由本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。术语(诸如常用词典中所定义的那些)应解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义相一致的含义,且不应以理想化或过于正式的意义进行解释,除非本文明确地限定成这样。
图1是根据本发明的原理构造的显示设备的示例性实施方式的示意性立体图。图2是图1的显示设备的示意性平面图。图3是图1的显示设备的显示面板的显示区域的示意性局部立体图。图4是图1的显示设备的显示面板的非显示区域的示意性局部立体图。
参考图1和图2,显示设备DD包括显示面板DP、栅极驱动单元GDC、数据驱动单元DDC、主电路衬底PB以及信号控制器SC。显示设备DD还可包括底座构件或模制构件,并且根据所应用的显示面板DP的类型还可包括背光单元。
显示面板DP可形成为液晶显示面板、等离子体显示面板、电泳显示面板、微电子机械系统(MEMS)显示面板、电润湿显示面板或者本领域已知的其他类型的显示面板。
显示面板DP可包括第一显示衬底100和设置在第一显示衬底100上的第二显示衬底200。虽然图1中不可见,但是在第一显示衬底100和第二显示衬底200之间可形成间隙。
如图1中所示,显示面板DP可通过显示表面DP-IS显示图像。显示表面DP-IS平行于由第一方向轴线DR1和第二方向轴线DR2限定的平面。显示表面DP-IS可包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可沿着显示表面DP-IS的边缘限定并且可围绕显示区域DA。
显示表面DP-IS的法线方向(即,显示面板DP的厚度方向)由第三方向轴线DR3指示。在下文中,层或单元中的每一个的前表面(或顶表面)以及后表面(或底表面)可具有在第三方向轴线DR3上限定的厚度。然而,在所示的实施方式中示出的第一方向轴线DR1、第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3是本发明的示例,并且第一方向轴线DR1、第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3可以是相对概念并且可改变成其他方向。在下文中,第一方向、第二方向和第三方向是分别由第一方向轴线DR1、第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3指示的方向,并且通过与第一方向轴线DR1、第二方向轴线DR2和第三方向轴线DR3相同的附图标记指示。
在所示的实施方式中示出具有平面显示表面的显示面板DP。然而,发明构思不限于此。在某些实施方式中,显示面板DP可包括弯曲显示表面或三维(3D)显示表面。3D显示表面可包括由不同方向指示的多个显示区域。
栅极驱动单元GDC和数据驱动单元DDC可分别包括电路衬底GCB和DCB以及驱动芯片GC和DC,其中,电路衬底GCB和DCB可形成为印刷电路板(PCB)。电路衬底GCB和DCB中的每一个具有绝缘层和导电层堆叠的结构。导电层可包括多条信号线。栅极驱动单元GDC和数据驱动单元DDC可联接至显示面板DP的侧表面以电连接至显示面板DP的信号线,并且可具有大体垂直于显示面板DP的通过第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面延伸的、通过第二方向DR2(或第一方向DR1)和第三方向DR3限定的平面形状。因为栅极驱动单元GDC和数据驱动单元DDC以这样方式联接至显示面板DP的侧表面,所以与通过大体平行于显示表面DP-IS的平面延伸的电路衬底限定的平面形状中的典型配置相比,非显示区域NDA可减小。
在所示的实施方式中,栅极驱动单元GDC和数据驱动单元DDC联接至显示面板DP的不同的侧表面。然而,发明构思不限于此。在另一个实施方式中,可省略栅极驱动单元GDC和数据驱动单元DDC之一。在其他实施方式中,栅极驱动单元GDC和数据驱动单元DDC可联接至显示面板DP的基本相同的侧表面,或者栅极驱动单元GDC可通过氧化硅栅极驱动器电路(OSG)工艺或非晶硅栅极驱动器电路(ASG)工艺而集成在显示面板DP上。
主电路衬底PB可连接至数据驱动单元DDC的电路衬底DCB。主电路衬底PB可通过各向异性导电膜(ACF)或焊料球电连接至数据驱动单元DDC的电路衬底DCB。信号控制器SC可安装在主电路衬底PB上。信号控制器SC从外部图形控制器接收图像数据和控制信号。信号控制器SC可向栅极驱动单元GDC和数据驱动单元DDC提供控制信号。
在本发明的实施方式中,显示设备DD还可包括连接至栅极驱动单元GDC的电路衬底GCB的主电路衬底。在本发明的实施方式中,数据驱动单元DDC的驱动芯片DC可安装在主电路衬底PB上。
图2示出显示面板DP中的信号线GL1至GLn、DL1至DLm、PL-G和PL-D以及像素PX11至PXnm的平面布置。信号线GL1至GLn、DL1至DLm、PL-G和PL-D可包括多条栅极线GL1至GLn、多条数据线DL1至DLm以及第一辅助信号线PL-G和第二辅助信号线PL-D。
栅极线GL1至GLn在第一方向DR1上延伸并且布置在第二方向DR2上,以及数据线DL1至DLm与栅极线GL1至GLn绝缘并且与栅极线GL1至GLn交叉。
栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm彼此重叠并且设置在显示区域DA中。第一辅助信号线PL-G和第二辅助信号线PL-D设置在非显示区域NDA中并且连接至栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm。
连接至栅极线GL1至GLn的第一辅助信号线PL-G可设置在与栅极线GL1至GLn基本相同的层上,并且可与栅极线GL1至GLn构成一个单一体。连接至数据线DL1至DLm的第二辅助信号线PL-D可设置在与上面设置有数据线DL1至DLm的层不同的层上。数据线DL1至DLm中的每一个可通过穿透设置在第二辅助信号线PL-D和数据线DL1至DLm之间的至少一个绝缘层的接触孔CH电连接至第二辅助信号线PL-D中的相应一个。
在本发明的实施方式中,可省略接触孔CH,并且数据线DL1至DLm和第二辅助信号线PL-D可设置在基本相同的层上。在所示的实施方式中,栅极线GL1至GLn和第一辅助信号线PL-G彼此区分开。然而,在另一个实施方式中,彼此连接的栅极线和第一辅助信号线可限定为一个信号线。在这种情况中,彼此连接的栅极线和第一辅助信号线可限定为一个信号线的不同部分。
信号线GL1至GLn、DL1至DLm、PL-G和PL-D还可包括其他信号线,诸如用于将栅极驱动单元GDC电连接至彼此的信号线以及用于将栅极驱动单元GDC电连接至主电路衬底PB的信号线。
像素PX11至PXnm中的每一个连接至栅极线GL1至GLn中的相应一个以及数据线DL1至DLm中的相应一个。像素PX11至PXnm中的每一个可包括像素驱动电路和显示元件。
图2中作为示例示出布置成矩阵形状的像素PX11至PXnm。然而,发明构思不限于此。在另一个实施方式中,像素PX11至PXnm可布置成放弃蜂窝状(pentile)的形状。
图3示出显示区域DA的中央部分。显示区域DA可包括像素区域PXA和外围区域NPXA。外围区域NPXA可围绕像素区域PXA中的每一个,并且可与像素区域PXA之间的边界区域对应。像素区域PXA可布置成与像素PX11至PXnm基本相同的形状。
像素区域PXA可与显示颜色的区域基本对应。在透射式显示面板中,像素区域PXA可与透射区域对应,或者在发光显示面板中,像素区域PXA可与发光区域对应。像素区域PXA可基于通过像素区域PXA显示的颜色而分为多个群组。换言之,像素区域PXA中的每一个可显示原色之一。原色可包括红色、绿色、蓝色和白色。
第一显示衬底100和第二显示衬底200之间限定有间隙GP。参考图2描述的信号线GL1至GLn、DL1至DLm、PL-G和PL-D可包括在第一显示衬底100和第二显示衬底200之一中。像素PX11至PXnm可包括在第一显示衬底100和第二显示衬底200之一中。可替代地,像素PX11至PXnm的一些组件可包括在第一显示衬底100中,且像素PX11至PXnm的其他组件可包括在第二显示衬底200中。像素PX11至PXnm可设置在第一显示衬底100的基衬底和第二显示衬底200的基衬底之间。
图4示出非显示区域NDA的可连接至栅极驱动单元GDC和数据驱动单元DDC的部分。图4示出设置有第二辅助信号线PL-D的部分。
绝缘结构IS(其具有与显示面板DP的侧表面基本对齐的侧表面)可与第二辅助信号线PL-D重叠。绝缘结构IS可具有多层结构。图4中作为示例示出具有两层结构的绝缘结构IS。绝缘结构IS的第一绝缘结构IS1和第二绝缘结构IS2之一可与第一显示衬底100和第二显示衬底200之一的一部分对应。
虽然图4中示出绝缘结构IS的一部分,但是绝缘结构IS可在平面图中沿着显示面板DP的边缘延伸并且在平面图中可具有闭环形状。
在第一显示衬底100和第二显示衬底200之间还可设置有密封结构SS。密封结构SS可设置在绝缘结构IS的内部。换言之,密封结构SS可比绝缘结构IS更靠近显示区域DA。换言之,密封结构SS可设置在绝缘结构IS和显示区域DA之间。密封结构SS可围绕间隙GP。换言之,第一显示衬底100、第二显示衬底200和密封结构SS可限定密封的空间。
密封结构SS可具有与绝缘结构IS的结构不同的结构。密封结构SS可具有单层结构。密封结构SS可包括可光固化有机材料、热固性有机材料或玻璃熔料密封剂。
图5是图2的显示设备的显示面板的像素的等效电路图。图6A至图6C是根据本发明的一些实施方式构造的显示面板的显示区域的示意性剖视图。图7是根据本发明的实施方式构造的显示面板的非显示区域的示意性剖视图。图8是根据本发明的实施方式构造的显示面板的非显示区域的剖视图像。
图5至图8示出了作为显示面板DP的示例的液晶显示面板。图5中作为示例示出连接至第i条栅极线GLi和第j条数据线DLj的像素PXij。
像素PXij可包括薄膜晶体管TR(在下文中,称为“晶体管”)、液晶电容器Clc和存储电容器Cst。液晶电容器Clc可与显示元件对应,且晶体管TR和存储电容器Cst可构成像素驱动电路。晶体管TR和存储电容器Cst的数量可根据液晶显示面板的操作模式而改变。
液晶电容器Clc可存储从晶体管TR输出的像素电压。液晶层LCL中所包括的液晶指向矢的排列可根据液晶电容器Clc中所存储的电荷量而改变。换言之,液晶指向矢可受在液晶电容器Clc的两个电极之间形成的电场控制。可根据液晶指向矢的排列透射或阻挡入射至液晶层LCL的光。
存储电容器Cst并联地连接至液晶电容器Clc。对于某一周期,存储电容器Cst保持液晶指向矢的排列。
晶体管TR包括连接至第i条栅极线GLi的控制电极GE、与控制电极GE重叠的有源部件AL、连接至第j条数据线DLj的输入电极SE以及与输入电极SE间隔开的输出电极DE。
液晶电容器Clc包括像素电极PE和公共电极CE。存储电容器Cst包括像素电极PE以及存储线STL的与像素电极PE重叠的部分。
第i条栅极线GLi和存储线STL设置在第一显示衬底100的第一基衬底BS1的一个表面上。控制电极GE从第i条栅极线GLi分支。第i条栅极线GLi和存储线STL可包括金属(例如,铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti))或者它们的任何合金。在实施方式中,第i条栅极线GLi和存储线STL可具有多层结构(例如,钛层和铜层)。
第一基衬底BS1可以是玻璃衬底或塑料衬底。第一绝缘层10可设置在第一基衬底BS1的一个表面上并且可覆盖控制电极GE和存储线STL。第一绝缘层10可包括无机材料和有机材料中至少之一。例如,第一绝缘层10可包括硅的氮化物层、硅的氮氧化物层、硅的氧化物层、钛的氧化物层或铝的氧化物层。在实施方式中,第一绝缘层10可包括多层结构(例如,硅的氮化物层和硅的氧化物层)。
与控制电极GE重叠的有源部件AL设置在第一绝缘层10上。有源部件AL可包括半导体层SCL和欧姆接触层OCL。半导体层SCL设置在第一绝缘层10上,且欧姆接触层OCL设置在半导体层SCL上。
半导体层SCL可包括非晶硅或多晶硅。可替代地,半导体层SCL可包括金属氧化物半导体。欧姆接触层OCL可掺杂有掺杂剂。欧姆接触层OCL中的掺杂剂的浓度可高于半导体层SCL中的掺杂剂的浓度。欧姆接触层OCL可包括彼此间隔开的两个部分。在本发明的实施方式中,欧姆接触层OCL可具有单一体。
输出电极DE和输入电极SE设置在有源部件AL上。输出电极DE和输入电极SE彼此间隔开。输出电极DE和输入电极SE中的每一个与控制电极GE部分地重叠。
第二绝缘层20设置在第一绝缘层10上并且覆盖有源部件AL、输出电极DE和输入电极SE。第二绝缘层20可包括无机材料和有机材料中至少之一。例如,第二绝缘层20可包括硅的氮化物层、硅的氮氧化物层、硅的氧化物层、钛的氧化物层或铝的氧化物层。在实施方式中,第二绝缘层20可包括多层结构(例如,硅的氮化物层和硅的氧化物层)。
图6A中作为示例示出具有交错式结构的晶体管TR。然而,晶体管TR的结构不限于此。在另一个实施方式中,晶体管TR可具有平面结构。
第三绝缘层30设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以是提供平坦表面的单个有机层。在所示的实施方式中,第三绝缘层30可包括多个滤色器。滤色器可至少完全覆盖如图3中所示的像素区域PXA。在外围区域NPXA中,相邻像素的滤色器可部分地彼此重叠。
第四绝缘层40设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以是覆盖滤色器的无机层。例如,第四绝缘层40可包括硅的氮化物层、硅的氮氧化物层、硅的氧化物层、钛的氧化物层或铝的氧化物层。在实施方式中,第四绝缘层40可包括多层结构(例如,硅的氮化物层和硅的氧化物层)。
像素电极PE设置在第四绝缘层40上。像素电极PE通过穿透第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40的接触孔CH10连接至输出电极DE。覆盖像素电极PE的取向层可设置在第四绝缘层40上。
第二显示衬底200的第二基衬底BS2可以是玻璃衬底或塑料衬底。黑矩阵层BM设置在第二基衬底BS2的底表面上。黑矩阵层BM可具有与如图3中所示的外围区域NPXA对应的形状。换言之,与像素区域PXA对应的开口可限定在黑矩阵层BM中。
覆盖黑矩阵层BM的至少一个绝缘层设置在第二基衬底BS2的底表面上。在图6A中,作为设置第二基衬底BS2的底表面上的绝缘层的示例示出了提供基本平坦表面的第五绝缘层50。第五绝缘层50可包括有机材料。
公共电极CE设置在第二基衬底BS2的底表面上。公共电压施加至公共电极CE。公共电压的值与像素电压的值不同。然而,图6A的像素PXij的截面被作为本发明的示例示出。在另一个实施方式中,第一显示衬底100和第二显示衬底200可翻转。
在所示的实施方式中,作为示例描述了垂直取向(VA)模式的液晶显示面板。然而,发明构思不限于此。本发明的实施方式可应用于共面转换(IPS)模式、边缘场转换(FFS)模式、面线转换(PLS)模式、超垂直取向(SVA)模式或者表面稳定型垂直取向(SS-VA)模式或者本领域已知的其他模式的液晶显示面板。
图6B中示出共面转换(IPS)模式的液晶显示面板,以及图6C中示出面线转换(PLS)模式的液晶显示面板。在共面转换(IPS)模式的液晶显示面板中,像素电极PE和公共电极CE可设置在基本相同的层上。像素电极PE和公共电极CE中的每一个可包括多个分支部分。像素电极PE的分支部分和公共电极CE的分支部分可交替地布置。公共电极CE可通过接触孔CH20连接至接收公共电压的信号线(例如,存储线STL)。
在面线转换(PLS)模式的液晶显示面板中,像素电极PE和公共电极CE可设置在第四绝缘层40上并且第六绝缘层45插置于像素电极PE和公共电极CE之间。像素电极PE可包括多个分支部分或者可包括多个缝隙。
间隔件CS可设置在第一显示衬底100和第二显示衬底200之间。间隔件CS保持如图3中所示的间隙GP。间隔件CS可包括光敏有机材料。间隔件CS与外围区域NPXA重叠。间隔件CS可与晶体管TR重叠。
如图7中所示,第二辅助信号线PL-D的侧表面PL-DS与第一基衬底BS1的侧表面BS1-S基本对齐。绝缘结构IS的侧表面与第一基衬底BS1的侧表面BS1-S基本对齐。绝缘结构IS包括与第二显示衬底200的第五绝缘层50接触的第一绝缘结构IS1。第一绝缘结构IS1设置在第五绝缘层50和第一基衬底BS1之间。在取向层设置于第五绝缘层50下方的情况下,第一绝缘结构IS1可与取向层接触。取向层可限定为另一绝缘层。
第一绝缘结构IS1可包括与图6A至6C中所示的间隔件CS基本相同的材料。当制造要通过图9A至图9C描述的第二工作衬底200-W时,第一绝缘结构IS1和间隔件CS可通过基本相同的过程形成。
绝缘结构IS包括与第一显示衬底100的一部分对应的第二绝缘结构IS2。第二绝缘结构IS2的侧表面与第一基衬底BS1的侧表面BS1-S基本对齐。第二绝缘结构IS2可具有两层结构。第二绝缘结构IS2的第一层IS2-1可包括有机材料。第一层IS2-1可包括与如图6A至6C中所示的第三绝缘层30基本相同的材料。第一层IS2-1可包括与滤色器基本相同的材料。第二绝缘结构IS2的第二层IS2-2可包括无机材料。第二层IS2-2可以是第四绝缘层40的一部分。在本发明的实施方式中,可省略第二层IS2-2。
连接焊盘CP设置在显示面板DP的侧表面上。连接焊盘CP可设置为多个,并且连接焊盘CP可分别与第二辅助信号线PL-D的侧表面PL-DS接触。连接焊盘CP可与第一基衬底BS1的侧表面BS1-S、第二辅助信号线PL-D的侧表面PL-DS和绝缘结构IS的侧表面接触。在本发明的一个实施方式中,连接焊盘CP可与第一基衬底BS1的侧表面BS1-S、绝缘结构IS的侧表面和第二基衬底BS2的侧表面接触。图7中作为示例示出与第二绝缘结构IS2的侧表面IS2-S接触的连接焊盘CP。连接焊盘CP可包括金属膏。金属膏包括金属和绝缘材料的混合物。连接焊盘CP可包括银膏。
连接焊盘CP可通过各向异性导电膜(ACF)电连接至电路衬底DCB的焊盘DCB-P。电路衬底DCB的焊盘DCB-P的尺寸和各向异性导电膜(ACF)的尺寸可设定成与连接焊盘CP的尺寸对应。各向异性导电膜(ACF)可用焊锡膏替代,且连接焊盘CP可直接连接至电路衬底DCB的焊盘DCB-P。
密封结构SS可设置在绝缘结构IS的内部,并且可设置在公共电极CE和第四绝缘层40之间。在设置取向层的情况下,密封结构SS设置在取向层之间。在非显示区域NDA中还设置有黑矩阵层BM。
图8示出与绝缘结构IS重叠的第二辅助信号线PL-D以及连接至第二辅助信号线PL-D的连接焊盘CP。绝缘结构IS可设置成在显示面板DP的侧表面附近消除第一显示衬底100和第二显示衬底200之间的间隙。因此,可防止第二辅助信号线PL-D的端部在待稍后描述的制造过程中被损坏。
图9A是在根据本发明的实施方式的制造显示面板的示例性方法中使用的工作面板的示意性立体图。图9B是图9A的工作面板的示意性剖视图。图9C是从图9A的工作面板切割的初始显示面板的示意性剖视图。图9D是作为比较示例的显示面板的剖视图像。
如图9A中所示,可对在工作面板WP中限定的单元格区域DP-C执行基本相同的过程,以在单元格区域DP-C中的每一个中形成如图5至图7中所示的显示面板DP。更具体地,第一工作衬底100-W和第二工作衬底200-W可联接至彼此以形成工作面板WP。在单元格区域DP-C中的每一个中,第一工作衬底100-W可具有与参考图5至图7描述的第一显示衬底100基本相同的结构,且在单元格区域DP-C中的每一个中,第二工作衬底200-W可具有与参考图5至图7描述的第二显示衬底200基本相同的结构。
如图9B中所示,从单元格区域DP-C的结构延伸的结构可设置在工作面板WP的边界区域BA中。可通过例如刻划过程沿着图9B中所示的切割线CL切割工作面板WP,并且因此,可分离出图9C的初始显示面板DP-P。
与图7的显示面板DP的侧表面相比,图9C的初始显示面板DP-P的侧表面处于非均匀状态。利用砂轮机GM打磨初始显示面板DP-P的侧表面,这被称为磨削过程。可利用磨削过程使绝缘结构IS的侧表面、第二辅助信号线PL-D的侧表面、第一基衬底BS1的侧表面和第二基衬底BS2的侧表面与彼此基本对齐。第二辅助信号线PL-D的截面形状可根据磨削方法(例如,砂轮机GM的旋转方向)而不同。然而,无论磨削方法如何,第二辅助信号线PL-D的侧表面和第一基衬底BS1的侧表面均可与彼此基本对齐。图8的第二辅助信号线PL-D的侧表面根据图9C的砂轮机GM的旋转方向来形成。
如本文所使用的那样,术语“基本对齐”可包括绝缘结构IS、第二辅助信号线PL-D以及第一基衬底BS1和第二基衬底BS2的侧表面构成一个表面的情况,以及,术语“基本对齐”还可包括由于制造技术和/或工艺公差所引起的偏差。例如,第二辅助信号线PL-D的侧表面可具有通过砂轮机GM形成的精细的弯曲表面。限定第二辅助信号线PL-D的弯曲侧表面的拐角可与限定绝缘结构IS的侧表面的拐角对齐。
在磨削过程中,可防止第二辅助信号线PL-D的端部的损坏/变形。这可以是因为绝缘结构IS支承第一显示衬底100和第二显示衬底200,从而防止显示面板DP的侧表面因砂轮机GM的摩擦而损坏/变形。
图9D示出作为比较示例的显示面板DP-S的截面。图9D示出与图8的截面对应的截面。然而,因为在图9D中在与绝缘结构IS对应的区域GP-E中未设置绝缘结构IS,所以区域GP-E填充有在磨削过程中生成的残渣。此外,第一基衬底BS1的残渣覆盖第二辅助信号线PL-D的侧表面,并且因此,第二辅助信号线PL-D不完全地连接至连接焊盘CP。换言之,第二辅助信号线PL-D和连接焊盘CP之间的接触阻力增加。
图10是根据本发明的实施方式构造的显示面板的非显示区域的示意性剖视图。图10示出与图7对应的剖视图。在下文中,为了避免冗余,将省略对与在图1至图9D的实施方式中的组件相同或基本相同的组件的描述。
与参考图1至图7描述的显示面板DP相比,根据所示实施方式的显示面板DP还包括浮动电极FE。浮动电极FE与第二辅助信号线PL-D以及第二绝缘结构IS2的第一层IS2-1重叠。浮动电极FE设置在第二辅助信号线PL-D与第二绝缘结构IS2的第一层IS2-1之间。浮动电极FE可设置在与晶体管TR的输入电极SE基本相同的层上。
浮动电极FE的侧表面可与第一基衬底BS1的侧表面BS1-S基本对齐。连接焊盘CP可与浮动电极FE的侧表面接触。
图8中示出浮动电极FE。浮动电极FE可设置在第二辅助信号线PL-D上,以抵抗在磨削过程中施加至第二辅助信号线PL-D的应力,并且因此可防止第二辅助信号线PL-D的损坏/变形。
图11是可在根据本发明的实施方式构造的显示面板中的任意显示面板中应用的像素的等效电路图。图12是根据本发明的实施方式构造的显示面板的显示区域的示意性剖视图。图13是根据本发明的实施方式构造的显示面板的非显示区域的示意性剖视图。
已经作为示例参考图5至8描述了液晶显示面板。然而,本发明的原理还可应用于其他类型的显示器,诸如,如图11至13中所示的有机发光显示面板。在下文中,为了避免冗余,将主要描述液晶显示面板和有机发光显示面板之间的差别。
如图11中所示,连接至第i条栅极线GLi和第j条数据线DLj的像素PXij可包括有机发光二极管OLED和像素驱动电路。有机发光二极管OLED可以是前表面型发光二极管或后表面型发光二极管。像素驱动电路可包括第一薄膜晶体管(或开关晶体管)TR1、第二薄膜晶体管(或驱动晶体管)TR2和电容器Cst。第一电源电压ELVDD提供至第二薄膜晶体管TR2,且第二电源电压ELVSS提供至有机发光二极管OLED。第二电源电压ELVSS可低于第一电源电压ELVDD。然而,像素驱动电路可不限于此,而是可进行各种改变。像素驱动电路还可包括多个晶体管和/或可包括两个或更多电容器。在另一个实施方式中,有机发光二极管OLED可连接在电力线PL和第二薄膜晶体管TR2之间。
如图12中所示,电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和薄膜封装层TFE相继地堆叠在第一基衬底BS1上。在所示的实施方式中,电路元件层DP-CL可包括缓冲层BFL、第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30,其中缓冲层BFL与无机层对应。第一绝缘层10和第二绝缘层20可以是无机层,且第三绝缘层30可以是有机层。无机层和有机层的材料不限于特定材料,且在本发明的一些实施方式中可设置或省略缓冲层BFL。
第一薄膜晶体管TR1的半导体图案OSP1(在下文中,称为“第一半导体图案”)和第二薄膜晶体管TR2的半导体图案OSP2(在下文中,称为“第二半导体图案”)设置在缓冲层BFL上。第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2中的每一个可以是从由非晶硅、多晶硅和金属氧化物半导体构成的群组中选择的至少一种材料。
第一绝缘层10设置在第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2上。第一薄膜晶体管TR1的控制电极GE1(在下文中,称为“第一控制电极”)和第二薄膜晶体管TR2的控制电极GE2(在下文中,称为“第二控制电极)”设置在第一绝缘层10上。第一控制电极GE1和第二控制电极GE2可利用与参考图11形成的栅极线GLi基本相同的光刻工艺来形成。
第二绝缘层20设置在第一绝缘层10上并且覆盖第一控制电极GE1和第二控制电极GE2。第一薄膜晶体管TR1的输入电极DE1(在下文中,第一输入电极)和输出电极SE1(在下文中,第一输出电极)以及第二薄膜晶体管TR2的输入电极DE2(在下文中,第二输入电极)和输出电极SE2(在下文中,第二输出电极)设置在第二绝缘层20上。
第一输入电极DE1和第一输出电极SE1分别经由穿透第一绝缘层10和第二绝缘层20的第一通孔CH1和第二通孔CH2连接至第一半导体图案OSP1的部分。第二输入电极DE2和第二输出电极SE2分别经由穿透第一绝缘层10和第二绝缘层20的第三通孔CH3和第四通孔CH4连接至第二半导体图案OSP2的部分。另一方面,在其他实施方式中,第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2中至少之一可具有底栅式结构。
第三绝缘层30设置在第二绝缘层20上并且覆盖第一输入电极DE1、第二输入电极DE2、第一输出电极SE1和第二输出电极SE2。第三绝缘层30可提供平坦表面。
显示元件层DP-OLED设置在第三绝缘层30上。显示元件层DP-OLED可包括像素限定层PDL和有机发光二极管OLED。像素限定层PDL可包括有机材料。第一电极AE设置在第三绝缘层30上。第一电极AE经由穿透第三绝缘层30的第五通孔CH5连接至第二输出电极SE2。在像素限定层PDL中限定有开口OP。像素限定层PDL的开口OP暴露第一电极AE的至少一部分。在本发明的实施方式中,可省略像素限定层PDL。
显示区域DA可包括像素区域(或发光区域)PXA以及邻近像素区域PXA的外围区域(或非发光区域)NPXA。外围区域NPXA可环绕像素区域PXA。在所示的实施方式中,像素区域PXA限定成与第一电极AE的通过开口OP暴露的局部区域对应。
在本发明的实施方式中,像素区域PXA还可与第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2中的至少之一重叠。开口OP可更宽,且第一电极AE和待稍后描述的发光层EML也可更宽。
空穴控制层HCL可共同设置在像素区域PXA和外围区域NPXA中。虽然附图中未示出,但是诸如空穴控制层HCL的公共层可共同形成在如图3中所示的像素区域PXA中。
发光层EML设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可设置在与开口OP对应的区域中。换言之,像素区域PXA的发光层EML可彼此分离。发光层EML可包括有机材料和/或无机材料。发光层EML可生成具有预定颜色的光。
在所示的实施方式中,作为示例示出图案化的发光层EML。然而,在另一个实施方式中,发光层EML可共同设置在如图3中所示的像素区域PXA中。在这种情况中,发光层EML可生成白光。此外,发光层EML可具有称作“串级式(tandem)”的多层结构。
电子控制层ECL设置在发光层EML上。虽然附图中未示出,但是电子控制层ECL可共同形成在如图3中所示的像素区域PXA中。第二电极NE设置在电子控制层ECL上。第二电极NE共同设置在如图3中所示的像素区域PXA中。
薄膜封装层TFE设置在第二电极NE上。薄膜封装层TFE共同设置在如图3中所示的像素区域PXA中。在所示的实施方式中,薄膜封装层TFE直接覆盖第二电极NE。在本发明的实施方式中,覆盖第二电极NE的封盖层可进一步地设置在薄膜封装层TFE和第二电极NE之间。在这种情况中,薄膜封装层TFE可直接覆盖封盖层。
在本发明的实施方式中,有机发光二极管OLED还可包括用于控制从发光层EML生成的光的共振距离的共振结构。共振结构可设置在第一电极AE和第二电极NE之间,并且共振结构的厚度可根据从发光层EML生成的光的波长确定。
第二基衬底BS2与薄膜封装层TFE间隔开。第二基衬底BS2可包括玻璃衬底或塑料衬底。在所示的实施方式中,第二基衬底BS2与第二显示衬底200对应。然而,在另一个实施方式中,各功能层可设置在第二基衬底BS2的顶表面或底表面上。
如图13中所示,薄膜封装层TFE、电子控制层ECL和空穴控制层HCL延伸到非显示区域NDA中。绝缘结构IS设置在第二基衬底BS2和第一基衬底BS1之间。绝缘结构IS的侧表面与第一基衬底BS1的侧表面BS1-S基本对齐。在所示的实施方式中,作为示例示出具有两层结构的绝缘结构IS。然而,发明构思不限于此。
绝缘结构IS的第一绝缘结构IS1和第二绝缘结构IS2可与参考图7描述的第一绝缘结构IS1和第二绝缘结构IS2基本相同。然而,发明构思不限于此。在其他实施方式中,第一绝缘结构IS1和第二绝缘结构IS2中的每一个可包括有机层并且可进行各种修改。
绝缘结构IS设置在第一显示衬底100的最上表面和第二显示衬底200的最下表面之间。在所示的实施方式中,第一显示衬底100的最上表面与薄膜封装层TFE的顶表面对应,且第二显示衬底200的最下表面与第二基衬底BS2的底表面对应。然而,发明构思不限于此。在另一个实施方式中,薄膜封装层TFE、电子控制层ECL和空穴控制层HCL可以不设置在非显示区域NDA中,且像素限定层PDL的顶表面可与第一显示衬底100的最上表面对应。连接焊盘CP可通过各向异性导电膜(ACF)电连接至电路衬底DCB的焊盘DCB-P。
根据以上描述,连接焊盘可设置在显示面板的侧表面上,并且因此,电路衬底可连接至显示面板的侧表面。因为电路衬底和显示面板的连接区域限定在显示面板的侧表面上,所以可减小非显示区域且可改善结构完整性。
因为绝缘结构的侧表面与显示面板的侧表面和信号线的侧表面基本对齐,所以可防止信号线在诸如磨削过程的制造过程中发生损坏和/或变形。可确保限定在信号线的侧表面上的接触区域,由此减少电路衬底和显示面板之间的接触阻力。
虽然本文已经描述了某些示例性实施方式和实施例,但是通过该描述其他实施方式和修改将是显而易见的。因此,发明构思不限于这样的实施方式,而是受限于所附权利要求的更宽的范围以及如对本领域普通技术人员将显而易见的各种明显修改和等同布置。
Claims (33)
1.显示面板,包括:
第一衬底,具有顶表面和侧表面,所述顶表面包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域;
第二衬底,面对所述第一衬底;
第一绝缘结构,设置在所述第二衬底和所述第一衬底之间,其中,所述第一绝缘结构与所述非显示区域重叠而不与所述显示区域重叠;
有机发光二极管,在所述第一衬底和所述第二衬底之间,并且与所述显示区域重叠;
薄膜封装层,在所述有机发光二极管上;
信号线,具有与所述第一衬底的所述侧表面对齐的侧表面,其中,所述信号线设置在所述第一衬底上;
第二绝缘结构,与所述信号线重叠并且设置在所述第一衬底和所述第一绝缘结构之间,其中,所述第二绝缘结构具有与所述第一衬底的所述侧表面对齐的侧表面;以及
连接焊盘,与所述信号线的所述侧表面接触,
其中,所述第二绝缘结构包括与所述信号线和所述非显示区域重叠而不与所述显示区域重叠的有机图案。
2.如权利要求1所述的显示面板,其中,所述第一绝缘结构和所述第二绝缘结构设置在所述薄膜封装层上。
3.如权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二衬底与所述薄膜封装层间隔开。
4.如权利要求1所述的显示面板,还包括:像素限定层,在所述第一衬底上,以及
其中,所述第一绝缘结构和所述第二绝缘结构设置在所述像素限定层上。
5.如权利要求1所述的显示面板,还包括:薄膜晶体管,电连接到所述有机发光二极管,以及
其中,所述信号线设置在与所述薄膜晶体管的控制电极相同的层上。
6.如权利要求1所述的显示面板,还包括:密封件,设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间,并且与所述第二绝缘结构的所述有机图案间隔开。
7.如权利要求1所述的显示面板,还包括:浮动电极,与所述信号线和所述第二绝缘结构重叠,
其中,所述浮动电极设置在所述信号线与所述第二绝缘结构的所述有机图案之间。
8.如权利要求7所述的显示面板,其中,所述浮动电极接触所述连接焊盘。
9.如权利要求7所述的显示面板,还包括:薄膜晶体管,电连接到所述有机发光二极管,以及
其中,所述浮动电极设置在与所述薄膜晶体管的输入电极或输出电极相同的层上。
10.如权利要求1所述的显示面板,还包括:电路衬底,电连接至所述连接焊盘。
11.如权利要求1所述的显示面板,其中,所述信号线包括铜,以及所述连接焊盘包括银膏。
12.如权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二绝缘结构接触所述第一绝缘结构。
13.如权利要求1所述的显示面板,其中,所述连接焊盘接触所述第一衬底的所述侧表面和所述第二绝缘结构的所述侧表面。
14.显示面板,包括:
第一衬底,具有顶表面和侧表面,所述顶表面包括显示区域和所述显示区域之外的非显示区域;
显示元件,设置在所述显示区域上;
信号线,具有与所述第一衬底的所述侧表面对齐的侧表面;
绝缘层,在所述第一衬底上,并且与所述信号线重叠;以及
电极,具有与所述第一衬底的所述侧表面对齐的侧表面,
其中,所述电极设置在所述绝缘层上并且与所述信号线重叠。
15.如权利要求14所述的显示面板,其中,所述电极是浮动的。
16.如权利要求14所述的显示面板,还包括:连接焊盘,与所述信号线的所述侧表面接触。
17.如权利要求16所述的显示面板,其中,所述连接焊盘与所述电极的所述侧表面接触。
18.如权利要求16所述的显示面板,还包括:电路衬底,电连接到所述连接焊盘。
19.如权利要求16所述的显示面板,其中,所述信号线包括铜,并且所述连接焊盘包括银膏。
20.如权利要求14所述的显示面板,还包括:
第二衬底,面对所述第一衬底;
第一绝缘结构,设置在所述第二衬底和所述第一衬底之间;以及
第二绝缘结构,与所述信号线重叠,并且设置在所述第一衬底和所述第一绝缘结构之间。
21.如权利要求20所述的显示面板,其中,所述第一绝缘结构与所述非显示区域重叠而不与所述显示区域重叠。
22.如权利要求20所述的显示面板,其中,所述第二绝缘结构具有与所述第一衬底的所述侧表面对齐的侧表面。
23.如权利要求22所述的显示面板,其中,所述第二绝缘结构包括与所述非显示区域重叠而不与所述显示区域重叠的有机图案。
24.如权利要求23所述的显示面板,其中,所述第二绝缘结构还包括设置在所述有机图案上并且与所述显示区域和所述非显示区域重叠的无机层。
25.如权利要求20所述的显示面板,还包括:密封结构,设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间,以及
其中,在平面图中,所述密封结构设置在所述第二绝缘结构的内部。
26.如权利要求25所述的显示面板,其中,所述密封结构包括与所述第二绝缘结构的层不同的层。
27.如权利要求20所述的显示面板,还包括:连接焊盘,与所述信号线的所述侧表面接触,以及
其中,所述连接焊盘与所述第一衬底的所述侧表面和所述第二绝缘结构的所述侧表面接触。
28.如权利要求14所述的显示面板,还包括:薄膜晶体管,电连接到所述显示元件。
29.如权利要求28所述的显示面板,其中,所述信号线设置在与所述薄膜晶体管的控制电极相同的层上。
30.如权利要求14所述的显示面板,其中,所述显示元件包括有机发光二极管。
31.显示面板,包括:
第一衬底,具有顶表面和侧表面;
第二衬底,面对所述第一衬底;
显示元件,在所述第一衬底和所述第二衬底之间;
密封结构,设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间;
绝缘结构,设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间,其中,所述绝缘结构具有与所述第一衬底的所述侧表面对齐的侧表面,并且包括与所述密封结构的层不同的层;
信号线,具有与所述第一衬底的所述侧表面对齐的侧表面,其中,所述信号线设置在所述第一衬底上并且与所述绝缘结构重叠;
电极,具有与所述第一衬底的所述侧表面对齐的侧表面,
其中,所述电极设置在与所述信号线不同的层上并且与所述信号线重叠。
32.如权利要求31所述的显示面板,还包括:连接焊盘,与所述信号线的所述侧表面接触。
33.如权利要求32所述的显示面板,其中,所述电极是浮动的。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0123750 | 2017-09-25 | ||
KR1020170123750A KR102413716B1 (ko) | 2017-09-25 | 2017-09-25 | 표시패널 |
CN201811066081.XA CN109557700B (zh) | 2017-09-25 | 2018-09-13 | 显示面板 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811066081.XA Division CN109557700B (zh) | 2017-09-25 | 2018-09-13 | 显示面板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116430616A true CN116430616A (zh) | 2023-07-14 |
Family
ID=63642807
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811066081.XA Active CN109557700B (zh) | 2017-09-25 | 2018-09-13 | 显示面板 |
CN202310465961.9A Pending CN116430616A (zh) | 2017-09-25 | 2018-09-13 | 显示面板 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811066081.XA Active CN109557700B (zh) | 2017-09-25 | 2018-09-13 | 显示面板 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10725348B2 (zh) |
EP (1) | EP3460565B1 (zh) |
KR (2) | KR102413716B1 (zh) |
CN (2) | CN109557700B (zh) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180028097A (ko) * | 2016-09-07 | 2018-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20190083027A (ko) | 2018-01-02 | 2019-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 그 제조방법 |
CN109243305B (zh) * | 2018-09-17 | 2021-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法 |
KR20200089789A (ko) * | 2019-01-17 | 2020-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102608754B1 (ko) * | 2019-04-17 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210002287A (ko) * | 2019-06-28 | 2021-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN110299393B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-07-09 | 广州国显科技有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置及其制作方法 |
CN110286531B (zh) * | 2019-07-09 | 2021-07-23 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
KR20210019256A (ko) * | 2019-08-12 | 2021-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
KR20210024345A (ko) * | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210027579A (ko) * | 2019-08-28 | 2021-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR20210027626A (ko) | 2019-08-29 | 2021-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210027666A (ko) * | 2019-08-30 | 2021-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP7415384B2 (ja) | 2019-09-06 | 2024-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
US11194196B2 (en) | 2019-12-18 | 2021-12-07 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate and liquid crystal display panel |
CN110989234A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
TWI755034B (zh) * | 2020-08-19 | 2022-02-11 | 友達光電股份有限公司 | 元件基板及其製造方法 |
KR20220124325A (ko) * | 2021-03-02 | 2022-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5293262A (en) * | 1988-03-15 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having heat-insulating members and driving circuit boards attached to rear edges of light box |
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JP3777857B2 (ja) * | 1999-03-08 | 2006-05-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
JP2003186022A (ja) | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Toshiba Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR101010082B1 (ko) | 2002-12-17 | 2011-01-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
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KR101947165B1 (ko) | 2012-10-16 | 2019-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 이의 제조 방법 및 회로 필름의 회전 장치 |
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KR102060657B1 (ko) | 2013-05-20 | 2019-12-30 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 패널 및 그를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102060665B1 (ko) | 2013-05-20 | 2019-12-30 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 패널 및 그를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102060652B1 (ko) | 2013-05-20 | 2019-12-30 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 패널 및 그를 포함하는 디스플레이 장치 |
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KR102044392B1 (ko) | 2013-10-25 | 2019-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 이를 구비하는 표시장치 |
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KR102127379B1 (ko) | 2013-12-23 | 2020-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
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KR20160032393A (ko) * | 2014-09-15 | 2016-03-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
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KR102584326B1 (ko) | 2015-06-29 | 2023-10-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102387880B1 (ko) * | 2015-07-03 | 2022-04-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102304632B1 (ko) | 2015-07-17 | 2021-09-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102354928B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-01-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이용 측면 커버 필름과 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102403671B1 (ko) * | 2015-09-18 | 2022-05-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102378891B1 (ko) | 2015-09-18 | 2022-03-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102652604B1 (ko) | 2016-06-08 | 2024-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20180008971A (ko) * | 2016-07-14 | 2018-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102473541B1 (ko) * | 2017-04-25 | 2022-12-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2017
- 2017-09-25 KR KR1020170123750A patent/KR102413716B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-09-13 CN CN201811066081.XA patent/CN109557700B/zh active Active
- 2018-09-13 CN CN202310465961.9A patent/CN116430616A/zh active Pending
- 2018-09-19 EP EP18195377.9A patent/EP3460565B1/en active Active
- 2018-09-24 US US16/139,390 patent/US10725348B2/en active Active
-
2020
- 2020-07-07 US US16/922,998 patent/US11016348B2/en active Active
-
2021
- 2021-05-19 US US17/325,111 patent/US11340502B2/en active Active
-
2022
- 2022-05-22 US US17/750,381 patent/US11686981B2/en active Active
- 2022-06-22 KR KR1020220076437A patent/KR102587563B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3460565B1 (en) | 2021-10-27 |
US11016348B2 (en) | 2021-05-25 |
US20190094633A1 (en) | 2019-03-28 |
US10725348B2 (en) | 2020-07-28 |
CN109557700A (zh) | 2019-04-02 |
US11340502B2 (en) | 2022-05-24 |
US11686981B2 (en) | 2023-06-27 |
US20200333671A1 (en) | 2020-10-22 |
EP3460565A1 (en) | 2019-03-27 |
US20210271137A1 (en) | 2021-09-02 |
CN109557700B (zh) | 2023-05-16 |
US20220357622A1 (en) | 2022-11-10 |
KR102413716B1 (ko) | 2022-06-28 |
KR20220093061A (ko) | 2022-07-05 |
KR102587563B1 (ko) | 2023-10-12 |
KR20190035993A (ko) | 2019-04-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |