KR20150026448A

KR20150026448A - 표시 패널 및 이의 제조 방법

Info

Publication number: KR20150026448A
Application number: KR20130105309A
Authority: KR
Inventors: 김장현; 오근찬; 윤원갑; 이진형; 이창훈; 장지은
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-09-03
Filing date: 2013-09-03
Publication date: 2015-03-11
Also published as: US20150062524A1; US9372364B2

Abstract

개시된 표시 패널은 제1 기판 및 제2 기판, 액정층 및 다층 실런트를 포함한다.
상기 제1 기판은 표시 영역 및 상기 표시 영역을 감싸는 주변 영역을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판에 대향한다. 상기 액정층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 형성된다. 상기 다층 실런트는 제1 실런트층 및 제2 실런트 층을 포함한다. 상기 제1 실런트층은 상기 제1 기판의 상기 주변 영역 상에 형성되며, 상기 액정층을 둘러싸며, 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지를 포함한다. 상기 제2 실런트층은 상기 제1 실런트층에 인접하여 형성되며, (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지를 포함한다.
이와 같은 표시 패널은 투습력 및 접착력이 개선된 다층 실런트를 제공함으로써, 표시 패널의 신뢰성을 증가시킬 수 있다.

Description

표시 패널 및 이의 제조 방법{DISPLAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 투습력 및 접착력이 개선된 다층 실런트를 포함하는 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 평판 디스플레이(flat panel display, FPD)가 표시 장치로서 널리 이용되고 있으며, 이러한 평판 디스플레이로는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED) 등이 사용되고 있다.

최근 들어, 표시 패널의 베젤(Bezel) 및 블랙매트릭스의 폭이 점차 감소하고 있으며, 이에 따라 보다 감소된 실런트의 폭이 요구된다. 다만, 실런트의 폭을 감소시키는 경우, 투습력 및 접착력도 감소된다.

또한, 이 경우 투습력 및 접착력은 서로 트레이드 오프(trade off) 관계에 있어, 어느 하나의 물성을 개선시키면 다른 하나는 나빠지게 된다. 따라서, 두 가지 물성 모두의 개선이 어려운 문제점이 있다.

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 투습력 및 접착력이 개선된 다층 실런트를 포함하는 표시 패널을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판 및 제2 기판, 액정층 및 다층 실런트를 포함한다.

상기 제1 기판은 표시 영역 및 상기 표시 영역을 감싸는 주변 영역을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판에 대향한다. 상기 액정층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 형성된다. 상기 다층 실런트는 제1 실런트층 및 제2 실런트 층을 포함한다. 상기 제1 실런트층은 상기 제1 기판의 상기 주변 영역 상에 형성되어, 상기 액정층을 둘러싸며, 3개 이상의 탄소원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지를 포함한다. 상기 제2 실런트층은 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 다층 실런트는 0.1mm 내지 1.0mm의 범위의 너비 및 2um 내지 5um의 범위의 높이를 가진다.

일 실시예에서, 상기 제1 실런트층은 상기 제1 기판 상에 형성되고 상기 제2 실런트층은 상기 제1 실런트층 상에 형성되며, 상기 제2 실런트층 상에 형성되며, 상기 제1 실링 조성물로 형성된 제3 실런트층을 더 포함한다.

일 실시예에서, 상기 다층 실런트의 외측면에 인접하여 형성된 제1 댐 및 상기 다층 실런트의 내측면에 인접하여 형성된 제2 댐을 더 포함한다.

일 실시예에서, 상기 제1 댐 및 상기 제2 댐의 너비는 0.02mm 내지 0.05mm의 범위를 가진다.

일 실시예에서, 상기 제1 실런트층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 결합되며, 상기 제2 실런트층은 상기 제1 실런트층 및 상기 액정층 사이에 형성된다.

일 실시예에서, 상기 제1 실런트층 및 상기 제2 실런트층 사이에 형성된 제1 댐 및 상기 제2 실런트층 및 상기 액정층 사이에 형성된 제2 댐을 더 포함한다.

일 실시예에서, 상기 제1 실런트층 및 상기 제2 실런트층 사이가 서로 이격되어 형성된 공기층을 더 포함한다.

일 실시예에서, 상기 공기층의 너비는 0.02mm 내지 0.05mm의 범위를 가진다.

일 실시예에서, 상기 제2 실런트층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 결합되며, 상기 제1 실런트층은 상기 제2 실런트층 및 상기 액정층 사이에 형성된다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법에 따르면, 표시 영역 및 상기 표시 영역을 감싸는 주변 영역을 포함하는 제1 기판을 제공한다. 상기 제1 기판의 상기 주변 영역 상에 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지를 포함하는 제1 실링조성물 및 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지를 포함하는 제2 실링 조성물을 포함하는 실링 조성물을 제공한다. 상기 실링 조성물과 접촉하고, 상기 제1 기판에 대향하도록 제2 기판을 배치시킨다. 상기 실링 조성물에 광을 조사하여 광경화한다. 상기 실링 조성물을 가열하여 열경화한다.

일 실시예에서, 상기 제1 실링 조성물은 아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 10 중량% 내지 40 중량%, 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지 2 중량% 내지 10 중량%, 상기 아크릴레이트 모노머 10 중량% 내지 40 중량%, 열경화제 1 중량% 내지 10 중량%, 광중합 개시제 1 중량% 내지 10 중량%, 충진제 10 중량% 내지 50 중량% 및 용매 10 중량% 내지 30 중량%를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 제2 실링 조성물은 상기 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 10 중량% 내지 40 중량%, 5개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 3개 이상 포함하는 아크릴레이트 수지 2 중량% 내지 10 중량%, 아크릴레이트 모노머 10 중량% 내지 40 중량%, 열경화제 1 중량% 내지 10 중량%, 광중합 개시제 1 중량% 내지 10 중량%, 충진제 10 중량% 내지 50 중량% 및 용매 10 중량% 내지 30 중량%를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 실링 조성물은 아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 10 중량% 내지 40 중량%, 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지 2 중량% 내지 10 중량%, 아크릴레이트 모노머 10 중량% 내지 40 중량%, 열경화제 1 중량% 내지 10 중량%, 광중합 개시제 1 중량% 내지 10 중량%, 충진제 10 중량% 내지 50 중량%및 용매 10 중량% 내지 30 중량%를 포함하는 제3 실링 조성물을 더 포함한다.

일 실시예에서, 상기 실링 조성물을 제공하는 단계는 상기 제1 실링 조성물을 제공하고, 상기 제1 실링 조성물 상에 상기 제2 실링 조성물을 제공하한 뒤, 상기 제2 실링 조성물 상에 상기 제3 실링 조성물을 제공한다.

일 실시예에서, 상기 실링 조성물을 제공하는 단계는 상기 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실링 조성물을 동시에 제공한다.

일 실시예에서, 상기 제1 기판을 제공하는 단계는 상기 실링 조성물의 유동을 방지하기 위한 댐을 형성하는 단계를 더 포함한다.

이와 같은 표시 패널 및 이의 제조 방법에 따르면, 실런트가 2이상의 다중층으로 형성된다. 따라서, 투습력 및 접착력이 개선된 다층 실런트를 제공함으로써, 표시 패널의 신뢰성을 증가시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 확대도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 확대도이다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 확대도이다.
도 10a, 도 10b 및 도 10d는 도 2에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 도시한 단면도이다.
도 10c는 도 2에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 도시한 사시도이다.
도 11a 및 도 11b는 도 3에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 도시한 단면도이다.
도 12은 도 4에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 도시한 단면도이다.

이하에서는, 먼저 본 발명의 표시 패널에 대해서 설명한 후, 상기 표시 패널의 제조 방법을 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 실시예에서 상기 표시 패널은 제1 기판(100), 제2 기판(200), 액정층(300) 및 실런트(400)를 포함한다.

상기 제1 베이스 기판(110)에 화소를 형성하여, 상기 제1 기판(100)을 형성한다. 상기 화소는 화소 트랜지스터(PSW) 및 상기 화소 트랜지스터(PSW)와 전기적으로 연결된 화소 전극(PE)을 포함한다.

본 실시예에서, 상기 제1 베이스 기판(110)은 플라스틱 기판일 수 있으며, 구체적으로, 캡톤(kapton), 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 섬유 강화 플라스틱(fiber reinforced plastic: FRP) 등을 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 베이스 기판(110)은 예를 들어, 유리 기판일 수 있다.

상기 화소 트랜지스터(PSW)는 게이트 라인과 연결된 게이트 전극(GE), 상기 데이터 라인(DL)과 연결된 소스 전극(SE), 상기 소스 전극(SE)과 이격된 드레인 전극(DE) 및 반도체 패턴(AP)을 포함한다.

상기 반도체 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩되고, 상기 게이트 전극(GE) 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 반도체 패턴(AP)은 산화물을 포함한다. 산화물 반도체를 이용한 트랜지스터는 비교적 저온에서 형성될 수 있어, 플라스틱 어레이 기판의 제조에 적합할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 반도체 패턴(AP)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수도 있다.

예를 들어, 상기 반도체 패턴(AP)은 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 또는 갈륨 산화물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 패턴(AP)은 인듐-아연 산화물, 인듐-아연-주석 산화물 등의 다원계 산화물 반도체를 포함할 수도 있다.

또한, 상기 반도체 패턴(AP)은 도펀트로서, 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 알루미늄(Al), 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 이트륨(Y), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 테크네튬(Tc), 레늄(Re), 철(Fe), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 카드뮴(Cd), 수은(Hg), 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi), 란타늄(La), 세륨(Ce), 가돌리늄(Gd), 네오디뮴(Nd), 텔루륨(Te), 스칸듐(Sc), 폴로늄(Po), 프라세오디뮴(Pr), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 유로퓸(EU), 에르븀(Er), 이테르븀(Yb) 등을 추가적으로 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 이용될 수 있다.

상기 반도체 패턴(AP)은 화학적 기상 증착(CVD) 또는 용액 상태의 조성물을 이용하는 용액 공정을 통하여 형성될 수 있다.

한편, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 각각 상기 반도체 패턴(AP) 상에 형성될 수 있다. 상기 반도체 패턴(AP)은 상기 화소 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)을 형성하는 공정 중에서 식각액이나 스트립 용액에 의해 손상 받을 수 있기 때문에, 제1 에치 스토퍼(ES)가 상기 반도체 패턴(AP) 위에 형성되어, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)의 간극을 통해 상기 반도체 패턴(AP)이 노출되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 부분적으로, 상기 제1 에치 스토퍼(ES) 위에 형성될 수 있다. 다만, 상기 제1 에치 스토퍼(ES)는 산화물 반도체의 구성 및 공정에 따라 생략될 수도 있다.

상기 소스 전극(SE)이 상기 반도체 패턴(AP)의 제1 단부와 중첩되고, 상기 드레인 전극(DE)이 상기 반도체 패턴(AP)의 제2 단부와 중첩될 수 있다. 상기 반도체 패턴(AP)과 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 사이의 접촉 저항이 비정질 실리콘 반도체를 포함하는 경우에 비해서 상대적으로 낮으므로, 본 실시예에서 오믹 콘택층은 형성되지 않으나, 다른 실시예에서는 접촉 저항을 최소화시키기 위해서 별도의 오믹 콘택층(미도시)을 형성할 수도 있다.

상기 드레인 전극(DE)은 상기 화소 전극(PE)과 접촉하여, 상기 화소 트랜지스터(PSW)는 상기 화소 전극(PE)과 전기적으로 연결된다.

상기 베이스 기판(110)은 게이트 절연층(120) 및 패시베이션층(140)을 더 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연층(120)은 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 게이트 전극(GE)을 포함하는 베이스 기판(110) 상에 형성된다.

상기 게이트 절연층(120)은 질화물층 및/또는 산화물층을 포함할 수 있다. 상기 패시베이션층(140)은 상기 화소 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)과 상기 회로 소스 및 드레인 전극들(SE, DE) 상에 형성될 수 있다. 상기 패시베이션층(140)은 질화물, 산화물 또는 산화-질화물을 포함할 수 있다.

상기 화소 전극(PE)은 상기 패시베이션층(140) 상에 형성된다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 패시베이션층(140)을 관통하는 콘택홀을 통해서 상기 드레인 전극(DE)과 직접적으로 콘택한다. 상기 화소 전극(PE)은 투명 도전성 산화물을 포함하며, 구체적으로, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.

상기 화소 전극(PE) 및 상기 패시베이션층(140) 상에 배향막(PI1)이 형성된다. 상기 배향막(PI1)은 배향액을 이용하여 형성한다. 상기 제1 기판(100) 상에 상기 배향액을 도포한다. 그 후, 상기 배향액을 건조하여 상기 배향막(PI1)을 형성한다.

도 1을 참조하면, 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210), 상기 제2 베이스 기판(210) 위에 형성된 컬러 필터층(220) 및 상기 컬러 필터층(230) 위에 형성되어, 상기 화소에 대향하는 공통 전극(230)을 포함한다.

상기 공통 전극(230) 상에 배향막(PI2)이 형성된다. 상기 배향막(PI2)은 배향액을 이용하여 형성한다. 상기 제2 기판(200) 상에 상기 배향액을 도포한다. 그 후, 상기 배향액을 건조하여 상기 배향막(PI2)을 형성한다.

도시되지는 않았으나, 상기 제2 기판(200)은 블랙 매트릭스, 단차를 보상하기 위한 오버코팅층 등을 더 포함할 수 있다. 이와달리, 상기 컬러 필터층(220) 및/또는 상기 공통 전극(230)은 상기 제1 기판(100)에 형성될 수도 있다.

본 실시예에서, 상기 제2 베이스 기판(210)은 상기 제1 기판(100)의 제1 베이스 기판(110)과 유사하게, 플라스틱 기판일 수 있으며, 구체적으로, 캡톤(kapton), 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 섬유 강화 플라스틱(fiber reinforced plastic: FRP) 등을 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 제2 베이스 기판(210)은 예를 들어, 유리 기판일 수 있다.

도 1을 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 배향액이 상기 제1 베이스 기판(110) 전면적에 걸쳐 도포되지 않도록, 컬럼 스페이서 댐(D1)을 형성한다. 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 배향액이 상기 제2 베이스 기판(210) 전면적에 도포되지 않도록, 컬러 필터 댐(D2)을 형성한다.

일반적으로, 상기 배향액은 친수성 재료를 포함한다. 예를 들어, 폴리이미드(PI)를 포함한다. 상기 실링 조성물은 일반적으로 소수성 재료를 포함한다. 따라서, 상기 배향액이 상기 제1 베이스 기판(110) 전면적에 걸쳐 도포되어, 상기 실런트(400)가 상기 배향액에 의하여 형성된 배향막 상에 배치되는 경우 접착력이 감소할 수 있다.

이러한 접착력의 감소를 방지하고자, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 컬럼 스페이서 댐(D1)을 형성하며, 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 컬러 필터 댐(D2)를 형성한다.

상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)이 형성된다. 상기 액정층(300)은 전계에 의하여 액정 분자의 배열을 조절하여 상기 화소의 광 투과율을 조절할 수 있다.

상기 제1 기판(100)의 주변 영역에 실링 조성물을 도포하여 실런트(400)를 형성한다.

본 실시예에서, 상기 실링 조성물은 제1 베이스 기판(110) 및 제2 베이스 기판(210)과 접촉하나, 이와 달리, 상기 게이트 절연층(120)이 상기 주변 영역에서 제거되지 않고 잔류하여, 상기 실링 조성물이 게이트 절연층(120) 위에 제공될 수도 있다.

상기 실런트(400)는 화소가 형성된 표시 영역을 둘러싸는 형상을 갖는다. 추후 공정에서 기판들이 결합된 후, 액정이 주입된다.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 확대도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에서 실런트(400)은 다층 실런트이다.

상기 다층 실런트(400)는 제1 실런트층(410), 제2 실런트층(420) 및 제3 실런트층(430)을 포함한다.

상기 제1 실런트층(410)은 상기 제1 기판의 주변 영역에 형성된다. 본 실시예에서 상기 제1 실런트층(410)은 상기 제1 기판 상에 형성된다. 상기 제1 실런트층(410)은 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지를 포함한다.

상기 제2 실런트층(420)은 상기 제1 실런트층(410)에 인접하여 형성된다. 상기 제2 실런트층(420)은 상기 제1 실런트층(410) 상에 형성된다. 상기 제2 실런트층(420)은 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지를 포함한다.

상기 제3 실런트층(430)은 상기 제2 실런트층(420)에 인접하여 형성된다. 상기 제3 실런트층(430)은 상기 제2 실런트층(420) 상에 형성된다. 상기 제3 실런트층(430)은 상기 제1 실링 조성물로 형성된다.

상기 다층 실런트(400)가 2이상의 층을 가져 단일층의 실런트보다 투습력을 개선할 수 있다. 상기 실런트(400)가 단일층으로 형성되는 경우보다, 2이상의 층을 가지도록 다층으로 형성되는 경우, 상기 다층 실런트는 실런트층들 사이에서 경계면을 포함한다. 상기 경계면에서의 저항성 때문에 물분자의 수착(sorption)성이 감소되어 용해도가 줄어든다. 따라서, 투습력이 감소한다.

이하 상기 제1 실런트층(410) 및 상기 제3 실런트층(430)을 형성하는 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실런트층(420)을 형성하는 제2 실링 조성물에 관하여 설명한다.

상기 제1 실런트층(410) 및 상기 제3 실런트층(430)은 아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 10 중량% 내지 40 중량%, 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지 2 중량% 내지 10 중량%, 아크릴레이트 모노머 10 중량% 내지 40 중량%, 열경화제 1 중량% 내지 10 중량%, 광중합 개시제 1 중량% 내지 10 중량%, 충진제 10 중량% 내지 50 중량%및 용매 10 중량% 내지 30 중량%를 포함하는 제1 실링 조성물로 형성된다.

상기 제2 실런트층(420)은 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 10 중량% 내지 40 중량%, 5개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 3개 이상 포함하는 아크릴레이트 수지 2 중량% 내지 10 중량%, 아크릴레이트 모노머 10 중량% 내지 40 중량%, 열경화제 1 중량% 내지 10 중량%, 광중합 개시제 1 중량% 내지 10 중량%, 충진제 10 중량% 내지 50 중량% 및 용매 10 중량% 내지 30 중량%를 포함하는 제2 실링 조성물로 형성된다.

아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지

상기 제1 실링 조성물은 상기 아크릴기를 함유하는 변성 에폭시 수지를 포함한다.

상기 아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지는 상기 제1 실링 조성물 내에서 바인더 역할을 한다. 상기 아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지는 아크릴레이트기 및 에폭시기를 모두 포함함으로써, 상기 광경화성 아크릴레이트 모노머 및 열경화제 모두와 반응할 수 있다.

예를 들어, 상기 아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지는 비스페놀(bisphenol) A형 에폭시 수지, 비스페놀(bisphenol) F형 에폭시 수지, 노볼락(novolac)형 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 시클로알리파틱(cycloaliphatic)형 에폭시 수지, 고무 개질(rubber modified)형 에폭시 수지, 알리파틱 폴리글리시딜(aliphatic polyglycidyl)형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형(glycidyl amine)형 에폭시 수지, 비페닐(biphenyl)형 에폭시 수지, 나프탈렌(naphthalene)형 에폭시 수지, 트리스 페놀 메탄(tris-phenol methane)형 에폭시 수지 등이 사용될 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.

상기 아크릴기를 함유하는 변성 에폭시 수지의 함량이 전체 조성물에 대하여 10 중량% 미만인 경우, 충분한 두께의 도막을 형성하기 어려우며, 40중량%를 초과하는 경우, 적절한 점도를 얻기 어려우며, 도막의 두께가 분균일해질 수 있다. 따라서, 상기 아크릴기를 함유하는 변성 에폭시 수지의 함량은 바람직하게 10 중량% 내지 40 중량%일 수 있다.

(메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지

상기 제2 실링 조성물은 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지를 포함한다.

상기 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지는 상기 제2 실링 조성물 내에서 바인더 역할을 한다. 상기 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지는 (메타)아크릴레이트기 및 에폭시기를 모두 포함함으로써, 상기 광경화성 아크릴레이트 모노머 및 열경화제 모두와 반응할 수 있다.

예를 들어, 상기 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지는 비스페놀(bisphenol) A형 에폭시 수지, 비스페놀(bisphenol) F형 에폭시 수지, 노볼락(novolac)형 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 시클로알리파틱(cycloaliphatic)형 에폭시 수지, 고무 개질(rubber modified)형 에폭시 수지, 알리파틱 폴리글리시딜(aliphatic polyglycidyl)형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형(glycidyl amine)형 에폭시 수지, 비페닐(biphenyl)형 에폭시 수지, 나프탈렌(naphthalene)형 에폭시 수지, 트리스 페놀 메탄(tris-phenol methane)형 에폭시 수지 등이 사용될 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.

구체적으로, 상기 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지로는 YD-128 series, YDF-170 Series, YDB Series, YDCN Series, YH-434 series, YD-171 series, YD-128, YD-115, YDC-1312, YLSV-80XY, YLSV-120TE, KSR-177, KSR-176X90, KSR-276M70(이상 상품명, 국도화학) 등이 사용될 수 있다.

상기 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지의 함량이 전체 조성물에 대하여 10 중량% 미만인 경우, 충분한 두께의 도막을 형성하기 어려우며, 40중량%를 초과하는 경우, 적절한 점도를 얻기 어려우며, 도막의 두께가 분균일해질 수 있다. 따라서, 상기 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지의 함량은 바람직하게 10 중량% 내지 40 중량%일 수 있다.

아크릴레이트 모노머

상기 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실링 조성물은 상기 아크릴레이트 모노머를 포함한다.

상기 광경화성 아크릴레이트 모노머는 노광에 의해 상기 변성 에폭시 수지와 반응함으로써, 상기 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실링 조성물을 경화시킨다.

예를 들어, 상기 광경화성 아크릴레이트 모노머는, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(dipentaerythritol hexaacrylate), 디시클로펜타디엔 아크릴레이트(dicyclopentadiene acrylate), 디시클로펜타디엔 메타크릴레이트(dicyclopentadiene methacrylate), 트리메틸프로판 트리아크릴레이트(trimethylpropane triacrylate), 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate), 디에틸렌글리콜 디메틸아크릴레이트(diethyleen glycol dimethacrylate), 에틸렌글리콜 아크릴레이트(ethylene glycol acrylate), 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트(ethylene glycol dimethacrylate) 등이 사용될 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.

상기 광경화성 아크릴레이트 모노머의 함량이 전체 조성물에 대하여 10 중량% 미만인 경우, 광경화가 충분히 진행되지 않아 도막의 안정성이 저하되며, 40 중량%를 초과하는 경우, 도막의 유연성이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 광경화성 아크릴레이트 모노머의 함량은 바람직하게, 10 중량% 내지 40 중량%일 수 있다.

3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지

상기 제1 실링 조성물은 접착력 개선을 위하여 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지를 포함한다. 바람직하게는, 3 내지 10개의 탄소 원자를 포함하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지를 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 제1 실링 조성물은 하기의 화학식 2의 구조를 가지는 아크릴레이트 수지를 더 포함할 수 있다.

[화학식 2]

상기 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함함으로써, 아크릴레이트 수지들간의 응력이 완화된다. 따라서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판과의 접착력이 향상된다.

상기 아크릴레이트 수지의 함량이 전체 조성물에 대하여 2 중량% 미만인 경우, 충분한 두께의 도막을 형성하기 어려우며, 10 중량%를 초과하는 경우, 적절한 점도를 얻기 어려우며, 도막의 두께가 분균일해질 수 있다. 따라서, 상기 아크릴레이트 수지의 함량은 바람직하게 2 중량% 내지 10 중량%일 수 있다.

5개 이상의 탄소 원자를 포함하는 작용기를 3개 이상 포함하는 아크릴레이트 수지

상기 제2 실링 조성물은 상기 5개 이상의 탄소 원자를 포함하는 작용기를 3개 이상 포함하는 아크릴레이트 수지를 포함한다.

상기 5개 이상의 탄소 원자를 포함하는 작용기를 3개 이상 포함하는 아크릴레이트 수지는 상기 제2 실링 조성물 내에서 바인더 역할을 한다.

상기 아크릴레이트 수지는 아크릴레이트기를 포함함으로써, 상기 광경화성 아크릴레이트 모노머와 반응할 수 있다. 또한, 상기 아크릴레이트 수지는 작용기(functional group)를 3개 이상 포함하여, 상기 아크릴레이트 수지들 상호간에 반응하여, 상기 제2 실런트층(420)을 경화시킬 수 있다.

상기 아크릴레이트 수지는 5개 이상의 탄소 원자를 포함하여, 긴 사이드 체인을 가진다. 상기 아크릴레이트 수지는 긴 사이드 체인을 가져, 상기 아크릴레이트 수지들 상호 간에 내부 응력을 감소시켜, 투습력을 감소시킬 수 있다.

예를 들어, 상기 아크릴레이트 수지는 하기의 화학식 1의 구조를 가지는 수지일 수 있다.

[화학식 1]

열경화제

상기 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실링 조성물은 상기 열경화제를 포함한다. 상기 열경화제는 열에 의해 상기 아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지, 상기 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 및 상기 5개 이상의 탄소 원자를 포함하는 작용기를 3개 이상 포함하는 아크릴레이트 수지와 반응함으로써, 상기 실링 조성물을 경화시킨다.

예를 들어, 상기 열경화제는 아민계 경화제, 산무수물계 경화제, 이미다졸계 경화제 등을 포함할 수 있으며, 공정 온도에 따라 적절하게 선택되어 사용될 수 있다.

구체적으로, 상기 열경화제로는, 디아미노디페닐메탄(DDM, diaminodiphenylmethane), 디아미노디페닐술폰(DDS, diaminodiphenylsulfone), 테트라하이드로프탈릭무수물(THPA, tetrahydrophthalic anhydride), 헥사하이드로프탈릭무수물(HHPA, hexahydrophthalic anhydride), 메틸테트라하이드로프탈릭 무수물(MeTHPA, methyltetrahydrophthalic anhydride), 나딕메틸 무수물(NMA, nadicmethylanhydride), 가수분해 메틸나딕 무수물(HNMA, hydrolized methylnadic anhydride), 프탈릭 무수물(PA, phthalic anhydride), 2-페닐-4-메틸-히드록시메틸이미다졸(2-phenyl-4-methyl-hydroxymethylimidazole), 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸우레아(DCMU, 3-(3,4-dichlorophenyl)-1,1-dimethylurea), 설포늄염, 포스포늄염, 비페닐에테르블락카본산, 다가카본산의 활성 에스테르, 1-시아노에틸 2-페닐 이미다졸(TCI, 1-cyanoethyl 2-phenyl imidazole), 1,1-디메톡시-N,N-디메틸 메탄아민(1,1-dimethoxy-N,N-dimethyl methanamine), 1-페닐에틸아민(1-phenylethylamine), 2-(디에톡실아미노)에틸아민(2-(diethoxylamino)ethylamine), 2-페닐에틸아민(2-phenylethylamine), 3-메톡시프로필아민(3-methoxypropylamine), 부틸아민(butylamine), 시클로헥실아민(cyclohexylamine), 1-페닐프로필아민(1-phenylpropylamine), 디(2-에틸헥실)아민(di(2-ethylhexyl)amine), 디부틸아민(dibutylamine), 디에틸아민(diethylamine), 디에틸렌트리아민(diethylenetriamine), 디메틸에틸아민(dimethylethylamine), 디프로필아민(dipropylamine), 디프로필렌 트리아민(dipropylene triamine), 이소프로필아민(isopropylamine), N,N-비스(3-아민프로필)메틸아민(N,N-bis-(3-aminepropyl)methylamine), N,N-디메틸이소프로필아민(N,N-dimethylisopropylamine), N-에틸디이소프로필아민(N-ethyldiisopropylamine), N-옥틸아민(N-octylamine), N3-아민3-(2-아미노에틸아미노)프로필아민(N3-amine3-(2-aminoethylamino)propylamine), 프로필아민(propylamine), 트리부틸아민(tributylamine), 트리프로필아민(tripropylamine), 트리-(2-에틸헥실)아민(Tris-(2-ethylhexyl)amine), tert-부틸아민(tert-butylamine), 디이소프로판올아민(diisopropanolamine), 메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine), N,N-디메틸이소프로판올아민(N,N-dimethylisopropanolamine), N-메틸에탄올아민(N-methylethalonamine), 2,6-크실리딘(2,6-xylidine), N-에틸-N-(2-히드록시에틸)아닐린(N-ethyl-N-(2-hydroxyethyl)aniline), 에틸렌디아민(ethylenediamine), 이소포론 디아민(isophorone diamine), 에틸에탄올아민(ethylethanolamine), N-(2-아미노에틸)에탄올아민(N-(2-aminoethyl)ethanolamine), 트리이소프로판올아민(triisopropanolamine), 디에틸렌트리아민(diethylenetriamine), 에틸렌디아민(ethylenediamine), N-(2-아민에틸)에탄올아민(N-(2-aminethyl)ethanolamine), 1-메톡실이미다졸(1-methoxylimidazole), 1-비닐이미다졸(1-vinylimidazole), N,N-디메틸이소프로판올아민(N,N-dimethylisopropanolamine), N-에틸-N-(2-히드록시에틸)아닐린(N-ethyl-N-(2-hydroxyethyl)aniline), 1-메틸이미다졸(1-methylimidazole), N,N-디메틸사이클로헥실아민(N,N-dimethylcyclohexylamine), 트리메틸아미노에틸에탄올아민(trimethylaminoethylethanolamine) 등을 예로 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.

상기 열경화제의 함량이 전체 조성물에 대하여 1 중량% 미만인 경우, 도막의 안정성이 저하되며, 10 중량%를 초과하는 경우, 도막의 유연성이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 열경화제의 함량은 바람직하게, 1 중량% 내지 10 중량%일 수 있다.

광중합 개시제

상기 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실링 조성물은 광중합 개시제를 포함한다. 상기 광중합 개시제는 광에 의해 분해되어 라디컬을 생성함으로써, 상기 광경화성 아크릴레이트 모노머의 광중합을 활성화한다.

예를 들어, 상기 광중합 개시제로는 벤조인계 화합물, 아세토페논계 화합물, 디에톡시아세토페논계 화합물, 하이드록시 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, α-아실옥심에스테르계 화합물, 페닐글리옥실레이트계 화합물, 벤질계 화합물, 아조계 화합물, 디페닐술피드계 화합물, 아실포스핀옥실계 화합물, 유기 색소계 화합물, 철-프탈로시아닌계 화합물 등이 사용될 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.

구체적으로, 상기 광중합 개시제로는 1-페닐-2-히드록시-2-메틸 프로판-1-온(1-phenyl-2-hydroxy-2-methyl propane-1-one), 1-히드록시 시클로헥실페닐케톤(1-hydroxy cyclohexyl phenyl ketone), 아미노 아세토페논(amino acetophenone), 벤질 디메틸 케탈(benzyl dimethyl ketal), 벤조인 에테르(benzoin ether), 티오크산톤(thioxanthone) 2-에틸안트라퀴논(2-ethylanthraquinone, 2-ETAQ), 캄포퀴논(camphorquinone), 알파-나프톨(α-naphtol), 2,4-디에틸티오크산톤(2,4-diethylthioxanthone), 트리메틸벤조일 디페닐포스핀옥사이드(trimethylbenzoil diphenylphosphine oxide), 벤조페논(benzophenone), 2,2-디에톡시아세토페논(2,2-diethoxyacetophenone), 벤조일이소프로필에테르(benzoilisopropylether) 등이 사용될 수 있다.

보다 구체적으로, Irgacure 149, Irgacure 184, Irgacure 369, Irgacure 379, Irgacure 500, Irgacure 651, Irgacure 784, Irgacure 819, Irgacure 907, Irgacure 1700, Irgacure 1800, Irgacure 1850, Irgacure 2959, Irgacure1173, Darocur 1173, Darocur 4265, Irgacure OXE02 (이상 상품명, BASF) 등이 상기 광중합 개시제로사용될 수 있다.

상기 광중합 개시제의 함량이 전체 조성물에 대하여 1 중량% 미만인 경우, 경화가 충분히 진행되지 않으며, 10 중량%를 초과하는 경우, 도막의 유연성이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 광중합 개시제의 함량은 바람직하게, 1 중량% 내지 10 중량%일 수 있다.

충진제

상기 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실링 조성물은 상기 충진제를 포함한다. 상기 충진제는 상기 실링 조성물로부터 형성된 실런트가 열 등 외부 에너지에 의해 연화되는 것을 방지하며, 상기 실런트 내에서 지지체 역할을 한다.

상기 충진제는 유기 충진제 및/또는 무기 충진제를 포함할 수 있다.

상기 유기 충진제로는 폴리메타크릴산 메틸, 폴리스티렌, 또는 이들과 공중합이 가능한 모노머의 공중합체 등이 사용될 수 있다.

상기 무기 충진제로는 탄산칼륨, 탄산마그네슘, 황산바륨, 유산마그네슘, 산화철, 산화티탄, 산화아연, 산화 알루미나, 규산 알루미늄, 이산화규소, 티탄산 칼륨, 활석, 석면가루, 석영분, 유리섬유, 운모, 실리카, 규조토, 산화주석, 수산화 마그네슘, 수산화 알루미늄, 탄산 마그네슘, 석고, 규산칼슘, 탈크, 유리 비드, 견운모, 활석백토, 벤토나이트, 질화알루미늄, 질화규소, 티탄산칼륨, 제올라이트, 칼시아, 마그네시아, 페라이트, 제롤라이트, 스테아린산 알루미늄, 수산화 알루미늄 등이 사용될 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.

상기 실링 조성물이 상기 무기 충진제를 포함하는 경우, 상기 무기 충진제 입자들은 입자 크기가 균일한 것이 바람직하며, 상기 입자들의 최대 직경은 5㎛ 이하인 것이 바람직하다. 상기 무기 충진제 입자의 크기가 5㎛를 초과하는 경우, 액정 표시 패널의 결합 시, 표시 패널의 셀 갭이 균일하지 않을 수 있다.

상기 충진제의 함량이 전체 조성물에 대하여 10 중량% 미만인 경우, 기판들의 결합의 안정성이 저하되며, 50 중량%를 초과하는 경우, 도막의 유연성이 저하되고, 표시 패널의 셀 갭이 균일하지 않을 수 있다. 따라서, 상기 충진제의 함량은 바람직하게, 10 중량% 내지 50 중량%일 수 있다.

용매

상기 용매는 상기 실링 조성물의 점도를 조절하며, 예를 들어, N-메틸피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone), 감마부틸락톤(gamma butyl lactone), 부틸셀루솔브(butyl cellosolve), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate), 이소프로필아세테이트(isopropyl acetate), 부틸아세테이트(butyl acetate), 에탄올(ethanol), 에틸락테이트(ethyl lactate) 등을 포함할 수 있다.

상기 용매의 함량이 전체 조성물에 대하여 10 중량% 미만인 경우, 상기 실링 조성물의 점도가 지나치게 증가하여 실런트의 균일성이 저하될 수 있으며, 30 중량%를 초과하는 경우, 원하는 실런트의 두께를 얻기 어렵다. 따라서, 상기 용매의 함량은 바람직하게, 10 중량% 내지 30 중량%일 수 있다.

기능성 실리카

상기 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실링 조성물은 기능성 실리카를 더 포함할 수 있다. 최대 직경이 상이한 2 이상의 상기 기능성 실리카를 포함할 수 있다.

상기 기능성 실리카는 실리카 나노파티클을 포함한다.

상기 실리카 나노파티클에 아민기가 결합된다. 그 후, 상기 아민기에 여러가지 작용기가 결합된 것일 수 있다. 상기 작용기는 일반적인 알킬 체인일 수 있다.

예를 들면, 최대 직경이 0.5um 내지 1.0um의 범위를 가지는 상기 기능성 실리카 뿐만 아니라, 최대 직경이 0.1um 내지 0.4um의 범위를 가지는 상기 기능성 실리카를 포함할 수 있다.

최대 직경이 0.1um 내지 0.4um의 범위를 가지는 상기 기능성 실리카를 포함함으로써, 투습력을 감소시킬 수 있다. 상기 기능성 실리카의 최대 직경을 감소시켜, 상기 기능성 실리카의 표면적을 상승시킬 수 있다. 상기 기능성 실리카의 표면적이 증가함으로써, 접착력이 향상된다. 또한, 상기 기능성 실리카의 표면적이 증가하여 투습 경로를 방해하는 효과가 있어 투습력이 감소한다.

상기 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실링 조성물은 유연성 부여제 1 중량% 내지 10 중량%, 요변성 조절제 0.5 중량% 내지 8 중량% 및 실란 커플링제 0.01% 내지 1 중량%를 더 포함할 수 있다.

상기 유연성 부여제는 상기 실링 조성물로부터 형성되는 실런트의 유연성을 증가시킨다.

상기 유연성 부여제는 반응성 열가소성 수지, 페녹시 수지, 엘라스토머, 반응성 고무, 유기탄성체 변성 에폭시 수지 등을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 반응성 열가소성 수지는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리초산비닐, 폴리스티렌, 아크릴로니트릴부타디엔(ABS) 수지, 아크릴 수지 등을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 엘라스토머는 폴리이소프렌, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔, 폴리비닐클로라이드, 폴리우레탄, 폴리실록산 등을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 반응성 고무는 카르복시 아크릴로니트릴 부타디엔 고무(carboxylic acrylonitrile-butadiene rubber, xNBR), 카르복시 종결 부타디엔 아크릴로니트릴(carboxyl-terminated butadiene acrylonitrile, CTBN) 등의 니트릴 부타디엔 고무, cis-이소프렌 고무, 스티렌 부타디엔 고무 등을 포함할 수 있다.

예를 들어, 상기 유기 탄성체 변성 에폭시 수지는 에폭시기와 아크릴레이트기를 동시에 포함하며, 중량평균분자량은 약 5,000 내지 25,000인 것이 사용될 수 있다.

바람직하게, 상기 유연성 부여제로는 폴리이소프렌, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔, 폴리비닐클로라이드, 폴리우레탄, 폴리실록산 등의 엘라스토머가 사용될 수 있으며, 이들의 중량평균분자량은 약 5,000 내지 50,000인 것이 사용될 수 있다.

상기 유연성 부여제의 함량이 전체 조성물에 대하여 1 중량% 미만인 경우, 실런트의 유연성이 실질적으로 개선되지 않으며, 10 중량%를 초과하는 경우, 유연성이 과도하게 증가하여, 기판들은 안정적으로 결합하기 어렵다. 따라서, 상기 유연성 부여제의 함량은 바람직하게, 1 중량% 내지 10 중량%일 수 있다.

예를 들어, 상기 요변성 조절제로는 메틸 셀룰로오스, 메틸에틸 케톤 퍼옥사이드, 산화폴리에틸렌 왁스, 변성 폴리프로필렌 에멀젼, 폴리아마이드 왁스, 유기클레이, 알킬 설페이트, 하이드록실 에틸셀룰로오스, 하이드록실산 에스테르류, 폴리비닐 알코올, 폴리디메틸 실록산, 불포화 카르복실산 모노머, 수산화 카르복실산 아마이드, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 알칼리 토금속 수산화물, 알칼리 토금속 탄산염 등이 사용될 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.

상기 실란 커플링제는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 당업자에게 알려진 것이 사용될 수 있다.

상기 다층 실런트(400)의 너비(w0)는 0.1mm 내지 1.0mm의 범위를 가진다.

상기 다층 실런트(400)의 너비(w0)가 0.1mm 미만인 경우, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)과의 접착을 유지하기 어렵다. 상기 다층 실런트(400)의 너비(w0)가 1.0mm 초과인 경우, 블랙 매트릭스 및 베젤의 폭을 감소시키기 어렵다.

상기 다층 실런트(400)의 높이(h0)는 2um 내지 5um의 범위를 가진다. 예를 들어, 상기 제1 실런트층(410)의 높이(h1)는 0.5um 내지 1um의 범위를 가질 수 있다. 상기 제2 실런트층(420)의 높이(h2)는 1um 내지 3um의 범위를 가질 수 있다. 상기 제3 실런트층(430)의 높이(h3)는 0.5um 내지 1um의 범위를 가질 수 있다.

도 3에 따른 다층 실런트(400)의 구성은 도 2에 따른 다층 실런트(400)의 구성과 제1 댐(440a) 및 제2 댐(440b)을 제외하고는 구성이 동일한 바, 이하 설명을 생략하거나 간략히 하도록 한다.

도 3을 참조하면, 상기 다층 실런트(400)는 상기 제1 댐(440a) 및 제2 댐(440b)을 포함한다.

상기 제1 댐(440a)은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 양 끝단에 인접한 상기 다층 실런트의 일 측면에 인접하여 형성된다. 상기 제2 댐(440b)은 상기 다층 실런트의 타 측면에 인접하여 형성된다.

상기 제1 실런트층(410), 상기 제2 실런트층(420) 및 상기 제3 실런트층(430)은 순차대로 적층된다. 상기 제1 실런트층(410), 상기 제2 실런트층(420) 및 상기 제3 실런트층(430)은 경화되지 않아, 유동적인 상태이다. 따라서 상기 제1 실런트층(410), 상기 제2 실런트층(420) 및 상기 제3 실런트층(430)을 적층함에 있어서, 상기 제1 댐(440a) 및 상기 제2 댐(440b)은 유동을 방지한다.

상기 제1 댐(440a) 및 상기 제2 댐(440b)은 컬럼 스페이서의 재료 또는 컬러 필터의 재료로 형성될 수 있다.

상기 제1 댐(440a)의 너비(w1) 및 상기 제2 댐(440b)의 너비(w2)는0.2mm 내지 0.5mm의 범위를 가진다. 상기 제1 댐(440a)의 너비(w1) 및 상기 제2 댐(440b)의 너비(w2)가 0.2mm 미만인 경우, 상기 제1 댐(440a) 및 상기 제2 댐(440b)의 구조가 무너져 상기 실링 조성물의 유동을 방지하기 어렵다. 상기 제1 댐(440a)의 너비(w1) 및 상기 제2 댐(440b)의 너비(w2)가 0.5mm 초과인 경우, 블랙 매트릭스 및 베젤의 폭을 감소시키기 어렵다.

상기 제1 댐(440a)의 높이 및 상기 제2 댐(440b)의 높이(h4)는 1.5um 내지 5um의 범위를 가진다. 상기 제1 댐(440a)의 높이 및 상기 제2 댐(440b)의 높이(h4)가 1.5um 미만인 경우, 상기 실링 조성물이 유동을 방지하기 어렵다. 상기 제1 댐(440a)의 높이(h4) 및 상기 제2 댐(440b)의 높이(h4)가 5um 초과인 경우, 액정층(300)의 두께가 두꺼워져, 표시 패널이 전체적으로 두꺼워진다.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 확대도이다. 도 4 내지 도 6의 제1 실링 조성물 및 제2 실링 조성물은 도 2 및 도 3의 제1 실링 조성물 및 제2 실링 조성물과 동일한 바, 이하 설명을 생략하거나 간략히 하도록 한다.

도 1 및 도 4를 참조하면, 다층 실런트(400)는 제1 실런트층(410) 및 제2 실런트층(420)을 포함한다.

상기 제1 실런트층(410)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)의 양 끝단에 인접하여 형성된다. 상기 제2 실런트층(420)은 상기 제1 실런트층(410) 및 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 형성된 액정층(300) 사이에 형성된다.

상기 제1 실런트층(410)의 너비(w3)는 0.1mm 내지 0.5mm의 범위를 가진다.

상기 제1 실런트층(410)의 너비(w3)가 0.1mm 미만인 경우, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판(200)과의 접착을 유지하기 어렵다. 상기 제1 실런트층(410)의 너비(w3)가 0.5mm 초과인 경우, 블랙 매트릭스 및 베젤의 폭을 감소시키기 어렵다.

상기 제2 실런트층(420)의 너비(w4)는 0.1mm 내지 0.5mm의 범위를 가진다.

상기 제2 실런트층(420)의 너비(w4)가 0.1mm 미만인 경우, 충분한 투습력을 얻을 수 없어 표시 패널의 양 단부에 얼룩이 발생한다. 상기 제2 실런트층(420)의 너비(w4)가 0.5mm 초과인 경우, 블랙 매트릭스 및 베젤의 폭을 감소시키기 어렵다.

도 1 및 도 5를 참조하면, 다층 실런트(400)는 제1 실런트층(410), 제2 실런트층(420), 제1 댐(440a) 및 제2 댐(440b)을 포함한다.

상기 제1 실런트층(410) 및 상기 제2 실런트층(420)은 경화되지 않아, 유동적인 상태이다. 따라서 상기 제1 실런트층(410) 및 상기 제2 실런트층(420)을 형성함에 있어서, 상기 제1 댐(440a) 및 제2 댐(440b)은 상기 제1 실런트층(410) 및 상기 제2 실런트층(420)의 유동을 방지한다.

상기 제1 댐(440a) 및 제2 댐(440b)은 컬럼 스페이서의 재료 또는 컬러 필터의 재료로 형성될 수 있다.

상기 제1 댐(440a)의 너비(w1) 및 상기 제2 댐(440b)의 너비(w2)는 0.2mm 내지 0.5mm의 범위를 가진다. 상기 제1 댐(440a)의 너비(w1) 및 상기 제2 댐(440b)의 너비(w2)가 0.2mm 미만인 경우, 상기 제1 댐(440a) 및 상기 제2 댐(440b)의 구조가 무너져 상기 실링 조성물의 유동을 방지하기 어렵다. 상기 제1 댐(440a)의 너비(w1) 및 상기 제2 댐(440b)의 너비(w2)가 0.5mm 초과인 경우, 블랙 매트릭스 및 베젤의 폭을 감소시키기 어렵다.

상기 제1 댐(440a)의 높이(h4) 및 상기 제2 댐(440b)의 높이(h4)는 1.5um 내지 5um의 범위를 가진다. 상기 제1 댐(440a)의 높이(h4) 및 상기 제2 댐(440b)의 높이(h4)가 1.5um 미만인 경우, 상기 실링 조성물이 유동을 방지하기 어렵다. 상기 제1 댐(440a)의 높이 및 상기 제2 댐(440b)의 높이가 5um 초과인 경우, 액정층(300)의 두께가 두꺼워져, 표시 패널이 전체적으로 두꺼워진다.

도 1 및 도 6를 참조하면, 다층 실런트(400)는 제1 실런트층(410), 제2 실런트층(420) 및 공기층(450)을 포함한다.

상기 공기층(450)은 상기 제1 실런트층(410) 및 상기 제2 실런트층(420) 사이가 서로 이격되어 형성된다.

상기 공기층(450)을 포함하면, 상기 제1 실런트층(410) 및 상기 제2 실런트층(420)만 포함하는 경우보다 경계면이 증가한다. 즉, 상기 다층 실런트(400)는 상기 제1 실런트층(410) 및 상기 공기층(450) 사이의 경계면 및 상기 공기층(450) 및 상기 제2 실런트층(420) 사이의 경계면을 포함한다. 상기 경계면에서의 저항성 때문에 물분자의 수착(sorption)성이 감소되어 용해도가 줄어든다. 따라서, 투습력이 감소한다.

상기 공기층(450)을 포함함으로써, 상기 제1 실런트층(410) 및 상기 제2 실런트층(420)만 포함하는 도 2에 따른 실시예의 투습력보다 개선된 투습력을 얻을 수 있다.

상기 제1 실런트층(410)의 너비(w3)는 0.1mm 내지 0.5mm의 범위를 가진다. 상기 제2 실런트층(420)의 너비(w4)는 0.1mm 내지0.5mm의 범위를 가진다.

상기 공기층(450)의 너비(w5)는 0.02mm 내지 0.05mm의 범위를 가진다.

상기 공기층(450)의 너비(w5)가 0.02mm 미만인 경우, 충분히 개선된 투습력을 얻기 어렵다. 상기 공기층(450)의 너비(w5)가 0.05mm 초과인 경우, 블랙 매트릭스 및 베젤의 폭을 감소시키기 어렵다.

상기 제1 실런트층(410)의 너비(w3), 상기 공기층(450)의 너비(w5) 및 상기 제2 실런트층(420)의 너비(w4)의 비율은 1 내지 3: 0.5: 1 내지 2의 범위를 가질 수 있다.

도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 확대도이다. 도 7 내지 도 9의 제1 실링 조성물 및 제2 실링 조성물은 도 2 및 도 3의 제1 실링 조성물 및 제2 실링 조성물과 동일한 바, 이하 설명을 생략하거나 간략히 하도록 한다.

도 1 및 도 7를 참조하면, 다층 실런트(400)는 제1 실런트층(410) 및 제2 실런트층(420)을 포함한다.

상기 제2 실런트층(420)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)의 양 끝단에 인접하여 형성된다. 상기 제1 실런트층(410)은 상기 제2 실런트층(420) 및 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 형성된 액정층(300) 사이에 형성된다.

도 1 및 도 8를 참조하면, 다층 실런트(400)는 제1 실런트층(410), 제2 실런트층(420), 제1 댐(440a) 및 제2 댐(440b)을 포함한다.

상기 제1 댐(440a)의 높이(h4) 및 상기 제2 댐(440b)의 높이(h4)는 1.5um 내지 5um의 범위를 가진다. 상기 제1 댐(440a)의 높이(h4) 및 상기 제2 댐(440b)의 높이(h4)가 1.5um 미만인 경우, 상기 실링 조성물이 유동을 방지하기 어렵다. 상기 제1 댐(440a)의 높이(h4) 및 상기 제2 댐(440b)의 높이(h4)가 5um 초과인 경우, 액정층(300)의 두께가 두꺼워져, 표시 패널이 전체적으로 두꺼워진다.

도 1 및 도 9를 참조하면, 다층 실런트(400)는 제1 실런트층(410), 제2 실런트층(420) 및 공기층(450)을 포함한다.

상기 제1 실런트층(410)의 너비(w3)는 0.1mm 내지 0.5mm의 범위를 가진다. 상기 제2 실런트층(420)의 너비(w4)는 0.1mm 내지 0.5mm의 범위를 가진다.

상기 제1 실런트층(410)의 너비(w3), 상기 공기층(450)의 너비(w7) 및 상기 제2 실런트층(420)의 너비(w4)의 비율은 1 내지 3: 0.5: 1 내지 2의 범위를 가질 수 있다.

이하에서는 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조방법을 설명하기로 한다.

표시 패널의 제조방법

도 10a, 도 10b 및 도 10d는 도 2에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 도시한 단면도이다. 도 10c는 도 2에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 도시한 사시도이다.

도 10a를 참조하면, 제1 베이스 기판(110)에 화소를 형성하여, 제1 기판(100)을 형성한다. 상기 화소는 화소 트랜지스터(PSW) 및 상기 화소 트랜지스터(PSW)와 전기적으로 연결된 화소 전극(PE)을 포함한다.

상기 제1 베이스 기판(110)은 게이트 절연층(120) 및 패시베이션층(140)을 더 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연층(120)은 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 회로 게이트 전극(GE)을 포함하는 베이스 기판(110) 상에 형성된다.

상기 화소 전극(PE)은 상기 패시베이션층(140) 상에 형성된다.

상기 화소는 도 1에서 설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 구성과 동일하므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

도 10b 및 도 10c를 참조하면, 상기 제1 기판(100)의 주변 영역에 디스펜서(10)를 이용하여 실링 조성물을 도포하여 실런트(400)를 형성한다.

본 실시예에서, 상기 실링 조성물은 제1 베이스 기판(110)에 접촉한다. 이와 달리, 제1 배향막(PI1)이 상기 주변 영역에서 형성되어, 상기 실링 조성물이 상기 제1 배향막(PI1) 상에 형성될 수도 있다.

상기 실런트(400)는 상기 화소가 형성된 표시 영역을 둘러싸는 형상을 가지며, 일 측에 형성된 액정 주입구(50)를 갖는다. 추후 공정에서 기판들이 결합된 후, 상기 액정 주입구(50)를 통해 액정이 주입된다.

상기 실링 조성물은 제1 실링 조성물, 제2 실링 조성물 및 제3 실링 조성물을 포함한다.

상기 제1 실링 조성물 및 제3 실링 조성물은 아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 10 중량% 내지 40 중량%, 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지 2 중량% 내지 10 중량%, 아크릴레이트 모노머 10 중량% 내지 40 중량%, 열경화제 1 중량% 내지 10 중량%, 광중합 개시제 1 중량% 내지 10 중량%, 충진제 10 중량% 내지 50 중량% 및 용매 10 중량% 내지 30 중량%를 포함한다.

상기 제2 실링 조성물은 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 10 중량% 내지 40 중량%, 5개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 3개 이상 포함하는 아크릴레이트 수지 2 중량% 내지 10 중량%, 아크릴레이트 모노머 10 중량% 내지 40 중량%, 열경화제 1 중량% 내지 10 중량%, 광중합 개시제 1 중량% 내지 10 중량%, 충진제 10 중량% 내지 50 중량% 및 용매 10 중량% 내지 30 중량%를 포함한다.

상기 실링 조성물은 기설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 실링 조성물과 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

도 10d를 참조하면, 실런트(400)에 접촉하도록 대향 기판(200)을 상기 제1 기판(100) 위에 배치시킨 후, 광을 조사하여 상기 실런트(400)를 경화시킨다. 이에 따라, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)이 결합된다.

본 실시예에서, 상기 실링 조성물은 상기 제2 기판(200)의 제2 베이스 기판(210) 접촉하나, 이와 달리, 상기 공통 전극(230)이 상기 주변 영역에서 제거되지 않고 잔류하여, 상기 실링 조성물이 상기 공통 전극(230)에 접촉할 수도 있다.

예를 들어, 상기 광은 자외선일 수 있다. 광이 실런트(400)에 조사되면, 실링 조성물의 광중합 개시제에 의해 광중합이 일어나며, 이에 따라, 상기 실링 조성물이 경화된다.

다음으로, 상기 실런트(400)에 열을 가하여, 열경화 반응을 유도한다. 가열 온도는 약 110 ℃ 내지 약 170 ℃일 수 있다. 상기 실런트(400)에 열이 가해진다. 이에 따라, 상기 실런트(400)가2차적으로 경화된다.

상기 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210), 상기 제2 베이스 기판(210) 위에 형성된 컬러 필터층(220) 및 상기 컬러 필터층(230) 위에 형성되어, 상기 화소에 대향하는 공통 전극(230)을 포함한다. 도시되지는 않았으나, 상기 제2 기판(200)은 블랙 매트릭스, 단차를 보상하기 위한 오버코팅층 등을 더 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 컬러 필터층(220) 및/또는 상기 공통 전극(230)은 상기 제1 기판(100)에 형성될 수도 있다.

상기 실런트(400)가 형성된 후, 상기 실런트(400)의 액정 주입구(50)를 통하여, 액정이 주입됨으로써, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 게재된 액정층(300)이 형성된다. 상기 액정이 주입된 이후, 상기 액정 주입구(50)는 밀봉된다.

도 11a 및 도 11b는 도 3에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 도시한 단면도이다.

도 11a는 제1 댐(440a) 및 제2 댐(440b)를 제외하고는 도 10a의 구성과 동일한 바, 이하 설명을 생략하거나 간략히 하도록 한다.

도 11a를 참조하면, 상기 제1 댐(440a) 및 상기 제2 댐(440b)은 컬럼 스페이서 및 컬러 필터를 형성하는 공정과 동시에 형성될 수 있다.

따라서, 상기 제1 댐(440a) 및 상기 제2 댐(440b)은 컬럼 스페이서의 재료 또는 컬러 필터의 재료로 형성될 수 있다.

도 11b는 제1 댐(440a) 및 제2 댐(440b)를 제외하고는 도 10b의 구성과 동일한 바, 이하 설명을 생략하거나 간략히 하도록 한다.

다층 실런트는 제1 실런트층(410), 제2 실런트층(420) 및 제3 실런트층(430)을 포함한다. 상기 제1 실런트층(410), 상기 제2 실런트층(420) 및 상기 제3 실런트층(430)은 순차대로 적층된다.

상기 제1 실런트층(410), 상기 제2 실런트층(420) 및 상기 제3 실런트층(430)은 경화되지 않아, 유동적인 상태이다. 따라서 상기 제1 실런트층(410), 상기 제2 실런트층(420) 및 상기 제3 실런트층(430)을 적층함에 있어서, 상기 제1 댐(440a) 및 상기 제2 댐(440b)은 유동을 방지한다.

도 12은 도 4에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 도시한 단면도이다.

도 12는 디스펜서(10)을 이용하여 실링 조성물을 도포함에 있어, 제1 실링 조성물 및 제2 실링 조성물을 동시에 제공하는 것을 제외하고는 도 11b의 구성과 동일한 바, 이하 설명을 생략하거나 간략히 하도록 한다.

다층 실런트는 제1 실런트층(410) 및 제2 실런트층(420)을 포함한다. 상기 제1 실런트층(410) 및 상기 제2 실런트층(420)을 형성하기 위하여 상기 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실링 조성물이 동시에 제공될 수 있다.

본 실시예에서, 액정 표시 장치의 제조방법이 예시적으로 설명되었으나, 본 발명의 표시 패널은 다른 표시 장치, 예를 들면, 유기 발광 표시 장치의 제조에 이용될 수도 있다.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

본 발명의 실링 조성물은 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등과 같은 표시 장치의 제조에 이용될 수 있다.

100: 제1 기판 200: 제2 기판
300: 액정층 400: 실런트
10: 디스펜서 50: 액정 주입구
GE: 게이트 전극 SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극 AP: 반도체 패턴
ES: 에치 스토퍼 PE: 화소 전극

Claims

표시 영역 및 상기 표시 영역을 감싸는 주변 영역을 포함하는 제1 기판 및 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 형성된 액정층 및
상기 제1 기판의 상기 주변 영역 상에 형성되어, 상기 액정층을 둘러싸며, 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지를 포함하는 제1 실런트층 및 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지를 포함하는 제2 실런트층을 포함하는 다층 실런트를 포함하는 표시 패널.
제1항에 있어서, 상기 다층 실런트는 0.1mm 내지 1.0mm의 범위의 너비 및 2um 내지 5um의 범위의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제1항에 있어서, 상기 제1 실런트층은 상기 제1 기판 상에 형성되고 상기 제2 실런트층은 상기 제1 실런트층 상에 형성되며,
상기 제2 실런트층 상에 형성되며, 기능성 실리카를 포함하는 제3 실런트층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제3항에 있어서, 상기 다층 실런트의 외측면에 인접하여 형성된 제1 댐 및
상기 다층 실런트의 내측면에 인접하여 형성된 제2 댐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제4항에 있어서, 상기 제1 댐 및 상기 제2 댐의 너비는 0.02mm 내지 0.05mm의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제1항에 있어서, 상기 제1 실런트층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 결합되며, 상기 제2 실런트층은 상기 제1 실런트층 및 상기 액정층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제6항에 있어서, 상기 제1 실런트층 및 상기 제2 실런트층 사이에 형성된 제1 댐 및
상기 제2 실런트층 및 상기 액정층 사이에 형성된 제2 댐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제6항에 있어서, 상기 제1 실런트층 및 상기 제2 실런트층 사이가 서로 이격되어 형성된 공기층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제8항에 있어서, 상기 공기층의 너비는 0.02mm 내지 0.05mm의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제1항에 있어서, 상기 제2 실런트층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 결합되며, 상기 제1 실런트층은 상기 제2 실런트층 및 상기 액정층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제10항에 있어서, 상기 제1 실런트층 및 상기 제2 실런트층 사이에 형성된 제1 댐 및
상기 제1 실런트층 및 상기 액정층 사이에 형성된 제2 댐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제11항에 있어서, 상기 제1 실런트층 및 상기 제2 실런트층 사이가 서로 이격되어 형성된 공기층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제12항에 있어서, 상기 공기층의 너비는 0.02mm 내지 0.05mm의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
표시 영역 및 상기 표시 영역을 감싸는 주변 영역을 포함하는 제1 기판을 제공하는 단계
상기 제1 기판의 상기 주변 영역 상에 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지를 포함하는 제1 실링조성물 및 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지를 포함하는 제2 실링 조성물을 포함하는 실링 조성물을 제공하는 단계
상기 실링 조성물과 접촉하고, 상기 제1 기판에 대향하도록 제2 기판을 배치시키는 단계
상기 실링 조성물에 광을 조사하여 광경화하는 단계 및
상기 실링 조성물을 가열하여 열경화하는 단계를 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
제14항에 있어서, 상기 제1 실링 조성물은 아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 10 중량% 내지 40 중량%, 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지 2 중량% 내지 10 중량%, 아크릴레이트 모노머 10 중량% 내지 40 중량%, 열경화제 1 중량% 내지 10 중량%, 광중합 개시제 1 중량% 내지 10 중량%, 충진제 10 중량% 내지 50 중량%및 용매 10 중량% 내지 30 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
제14항에 있어서, 상기 제2 실링 조성물은 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 10 중량% 내지 40 중량%, 5개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 3개 이상 포함하는 아크릴레이트 수지 2 중량% 내지 10 중량%, 아크릴레이트 모노머 10 중량% 내지 40 중량%, 열경화제 1 중량% 내지 10 중량%, 광중합 개시제 1 중량% 내지 10 중량%, 충진제 10 중량% 내지 50 중량% 및 용매 10 중량% 내지 30 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
제14항에 있어서, 상기 실링 조성물은 아크릴레이트기를 함유하는 변성 에폭시 수지 10 중량% 내지 40 중량%, 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 작용기를 포함하는 아크릴레이트 수지 2 중량% 내지 10 중량%, 아크릴레이트 모노머 10 중량% 내지 40 중량%, 열경화제 1 중량% 내지 10 중량%, 광중합 개시제 1 중량% 내지 10 중량%, 충진제 10 중량% 내지 50 중량% 및 용매 10 중량% 내지 30 중량%를 포함하는 제3 실링 조성물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
제17항에 있어서, 상기 실링 조성물을 제공하는 단계는 상기 제1 실링 조성물을 제공하는 단계
상기 제1 실링 조성물 상에 상기 제2 실링 조성물을 제공하는 단계 및
상기 제2 실링 조성물 상에 상기 제3 실링 조성물을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
제14항에 있어서, 상기 실링 조성물을 제공하는 단계는 상기 제1 실링 조성물 및 상기 제2 실링 조성물을 동시에 제공하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
제14항에 있어서, 상기 제1 기판을 제공하는 단계는 상기 실링 조성물의 유동을 방지하기 위한 댐을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.