CN115732316A - 场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构。该形成方法包括：提供半导体衬底并对半导体衬底进行离子注入，形成有源区；在半导体衬底表面形成栅极结构；在栅极结构的两侧注入两种以上离子形成浅掺杂区；两种以上离子包含氟离子；对半导体衬底进行退火处理。另外，该形成方法还包括：根据场效应晶体管阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。本申请通过在场效应晶体管浅掺杂区注入氟离子，实现了使用一道离子注入工艺，达到场效应晶体管电性能调节的目的。
Description
技术领域
本申请涉及半导体工艺技术领域，更具体地，涉及一种场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构。
背景技术
在半导体生产领域，金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)作为半导体制造工艺中最常用的器件，其主要结构的生成主要是通过离子注入的方式。
为了调节场效应晶体管的电性能参数，通常需要两道离子注入工艺来调节，生产成本较高。另一方面，低阈值电压型场效应晶体管和非低阈值电压型场效应晶体管在共用一道光罩进行电性能调节时，如果使用浅掺杂区结合halo区离子注入的方式调节，两种器件的电性能会同时漂移。
发明内容
鉴于此，本申请实施例的目的是提供一种场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构，以缓解现有的技术问题。
根据一些实施例，本申请第一方面提供了一种场效应晶体管形成方法，包括：提供半导体衬底并对半导体衬底进行离子注入，形成有源区；在半导体衬底表面形成栅极结构；在栅极结构的两侧注入两种以上离子形成浅掺杂区；两种以上离子包含氟离子；对半导体衬底进行退火处理。
可选地，在浅掺杂区注入氟离子的工艺参数，包括：注入的剂量范围为1E14～1E16atom/cm2，注入的能量范围为5KeV～20KeV，注入的倾斜角度范围为5度～60度。
可选地，还包括：根据场效应晶体管阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。
可选地，在栅极结构的两侧注入离子形成halo区。
可选地，在halo区注入氟离子。
可选地，氟离子的注入深度，大于浅掺杂区除氟离子外其它离子的注入深度。
可选地，退火处理的退火温度为1000℃-1200℃，持续时间为9s-12s。
可选地，退火处理包括尖峰退火。
本公开实施例可以/至少具有以下优点，通过在场效应晶体管浅掺杂区注入氟离子，实现了使用一道离子注入工艺，达到场效应晶体管电性能调节的目的。
根据一些实施例，本申请第二方面提供了在场效应晶体管浅掺杂区和/或halo区注入氟离子；对场效应晶体管进行退火处理。
可选地，注入氟离子的工艺参数，包括：注入的剂量范围为1E14～1E16atom/cm2，注入的能量范围为5KeV～20KeV，注入的倾斜角度范围为5度～60度。
可选地，还包括：根据场效应晶体管阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。
可选地，退火处理包括尖峰退火。
本公开实施例可以/至少具有以下优点，低阈值电压型场效应晶体管和非低阈值电压型场效应晶体管在共用一道光罩进行电性能调节时，使用一道氟离子注入工艺，达到对低阈值电压型场效应晶体管电性能调节的目的，不影响非低阈值电压型场效应晶体管的电性能。
根据一些实施例，本申请第三方面提供了一种场效应晶体管结构，包括：半导体衬底、栅极结构和浅掺杂区；有源区位于半导体衬底中；栅极结构形成在半导体衬底表面；浅掺杂区采用离子注入工艺注入两种以上的离子形成在栅极结构的两侧；两种以上的离子包含氟离子。
可选地，还包括：halo区，halo区采用离子注入工艺形成在栅极结构的两侧。
可选地，氟离子的注入深度，大于浅掺杂区除氟离子外其它离子的注入深度。
附图说明
图1是本申请实施例一种场效应晶体管形成方法流程示意图；
图2至图5是本申请实施例一种场效应晶体管形成方法场效应晶体管形成过程示意图；
图6是本申请实施例一种场效应晶体管电性能参数调节方法流程示意图；
图7是本申请实施例一种场效应晶体管电性能参数调节方法场效应晶体管结构示意图；
图8(a)—图8(b)是本申请实施例低阈值电压型场效应晶体管电性能参数调节参数示意图；
图9(a)—图9(b)是本申请实施例非低阈值电压型场效应晶体管电性能参数调节参数示意图；
图10是本申请实施例一种场效应晶体管结构示意图；
图11是本申请实施例另一种场效应晶体管结构示意图。
附图标记：
10：低阈值电压型场效应晶体管；20：非低阈值电压型场效应晶体管；100：半导体衬底；200：栅极结构；210：栅电极层；220：栅氧化层；300：浅掺杂区其它离子分布；400：浅掺杂区氟离子分布；500：halo区注入的离子分布；600：源极；700：漏极。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本申请进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本申请的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本申请的概念。
在附图中示出了根据本申请实施例的层结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。以下将参照附图更详细地描述本申请。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
图1是本申请实施例一种场效应晶体管形成方法流程示意图。
如图1所示，本申请实施例提供的场效应晶体管形成方法主要包括4个步骤，以下对4个步骤进行详细说明。
步骤S1，提供半导体衬底并对半导体衬底进行离子注入，形成有源区。
以PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor，P型金属-氧化物-半导体)为例，向半导体衬底100内部注入N型离子形成具有一定深度的有源区，例如注入砷离子。砷是五价元素，其它五价杂质元素还包括磷、锑等，在半导体衬底100内部掺入的五价杂质，它的四个价电子与其相邻的四个主原子的价电子形成共价键，第五个价电子不能形成共价键而变成自由电子。这种掺杂方式有盈余的自由电子，所以五价杂质元素掺杂形成为N型半导体。离子注入法利用电场加速杂质离子，将其注入半导体衬底中。
在其他实施方式中，还可以是向半导体衬底内部注入P型离子形成有源区,例如注入硼离子。硼是三价杂质元素，它的三个价电子与其相邻的三个主原子的价电子形成共价键，会因缺少一个价电子而形成一个空位，掺杂为P型半导体。需要说明的是，半导体衬底100可采用但不限于硅、锗、锗硅等常用的半导体衬底材料，注入离子的类型根据实际需求选择。
步骤S2，在半导体衬底表面形成栅极结构。
图2示意性示出了半导体衬底表面形成栅极结构示意图，参考图2，在半导体衬底100表面形成栅极结构200，栅极结构200包括位于半导体衬底100表面的栅电极层210、位于栅电极层210表面的栅氧化层220。栅电极层210的材料为多晶硅、掺杂的多晶硅或者金属，栅氧化层220的材料为氧化硅或高介质材料。在其它实施例中，在栅极结构表面形成氧化硅层或氮化硅层，利用氧化硅层或氮化硅层可防止后续的离子注入工艺将杂质离子注入到栅氧化层或栅电极内，影响栅极结构的电学性能。
在一些实施例中，栅极结构200的由多晶硅曝光蚀刻形成。
步骤S3，注入离子形成浅掺杂区。具体地，在栅极结构的两侧注入两种以上离子形成浅掺杂区
图3示意性示出了浅掺杂区结构示意图；在图3基础上，图4示意性示出了浅掺杂区注入氟离子后结构示意图。参考图3和图4，在图中浅掺杂区注入的离子为两种以上。浅掺杂区其它离子分布300，以及浅掺杂区氟离子分布400。浅掺杂区其它离子分布300中包含至少一种离子，示例性地，浅掺杂区其它离子分布300中采用硼离子或二氟化硼或二者的组合进行掺杂。因此，浅掺杂区注入的离子为两种以上。需要进行说明的是，对形成浅掺杂区其它离子分布300，以及浅掺杂区氟离子分布400的顺序没有限制，既可以先注入氟离子形成浅掺杂区氟离子分布400，也可以先注入浅掺杂区其它离子分布300中的离子形成浅掺杂区其它离子分布300。
需要进行说明的是，在浅掺杂区进行掺杂，可以缓解短沟道效应和热载流子效应。短沟道效应是指当MOSFET晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应。MOSFET栅极下耗尽区电荷不再完全受栅极控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受栅极控制的耗尽区电荷不断减少。当受栅极控制的耗尽区电荷不断减少，只需要较少的栅极电荷就可以达到反型，从而使场效应晶体管阈值电压降低。当载流子从外界获得了很大能量时，即可成为热载流子。例如在强电场作用下，载流子沿着电场方向不断漂移，不断加速，可获得很大的动能，从而可成为热载流子。热载流子效应是半导体领域导致器件和集成电路产生失效的重要原因。
在浅掺杂区注入氟离子，则可以改善场效应晶体管阈值电压及开态电流。例如，浅掺杂区其它离子分布300中包含硼离子，浅掺杂区氟离子分布400中的氟离子可以增强硼离子在半导体衬底中的扩散。此外，从原子结构而言，氟为7价，容易得电子，提供空穴，从而提高场效应晶体管开态电流。需要进行说明的是，采用离子注入工艺，需要先电离原子，使其带上电荷形成离子，例如B+离子可以由硼原子或者氟化硼电离而成。利用电场加速离子，在电场作用下离子打进半导体衬底内部。如果为中性原子，则无法利用电场加速实现离子注入工艺。
在一些实施例中，在浅掺杂区注入氟离子的工艺参数，包括：注入的剂量范围为1E14～1E16atom/cm2，注入的能量范围为5KeV～20KeV，注入的倾斜角度范围为5度～60度。示例性地，氟离子注入的能量为15KeV，注入的倾斜角为21度。需要进行说明的是，氟离子注入的剂量决定了掺杂浓度，即注入的剂量大则掺杂浓度高，掺杂浓度高则半导体中多数载流子的浓度高。氟离子注入的能量和倾斜角度决定了掺杂分布的深度和形状。离子注入法可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度掺杂分布，即实现注入的剂量的精确控制，示例性地，离子的注入量可以通过测量流过基片的电流大小来精确控制。
在一些实施例中，氟离子的注入深度，大于浅掺杂区除氟离子外其它离子的注入深度。相对于浅掺杂区注入的其它离子，氟离子打入较深的深度时，从而进一步提高场效应晶体管开态电流。示例性地，调节氟离子注入的能量和倾斜角度，从而使氟离子的注入深度大于浅掺杂区除氟离子外其它离子的注入深度。
在一些实施例中，根据场效应晶体管阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。示例性地，增加氟离子的注入剂量，可以降低场效应晶体管的阈值电压、提高场效应晶体管的开态电流。例如，注入氟离子的剂量每增加1E15atom/cm2，场效应晶体管的阈值电压降低50mV，场效应晶体管的开态电流升高26uA/um。因此，可以根据场效应晶体管阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。
步骤S4，对半导体衬底进行退火处理。示例性地，在浅掺杂区离子注入完成后，需要退火处理，掺杂原子的注入所造成的半导体衬底损伤会被退火处理修复。需要进行说明的是，注入的氟离子不需要单独的退火处理，与浅掺杂区注入的离子一起退火处理即可。
需要进行说明的是，氟离子进入半导体衬底的过程是破坏性的，会使部分半导体衬底原子被电离，或者破坏了半导体衬底原子的价键。半导体衬底原子半径小，向维持稳定形态转变所越过的能垒小。通过加热时，半导体衬底原子将自动修复，即错误的价键排列将被修复，固定电荷会被外来的电子补充。经过恰当温度和时间的处理后，半导体衬底原子复原，就如中性的原子扩散进了半导体衬底原子中一样。热修复的过程就是退火处理，示意性地，浅掺杂区离子注入的硼离子和氟离子一起退火处理，以修复半导体衬底原子。
在一些实施例中，退火处理的退火温度为1000℃-1200℃，持续时间为9s-12s。
在一些实施例中，退火处理包括尖峰退火。需要进行说明的是，尖峰退火是浸入式退火的一种，在尖峰退火过程中,晶圆以极快的升温速率升高到设定的温度,升温速率最快可达近250℃/s，又以较快的降温速率将其冷却到600℃以下，降温速率最快可达近90℃/s。尖峰退火主要应用在0.13um以下的场效应管器件制造工艺中,位于轻掺杂漏和源漏极离子注入之后,在形成超浅结的同时,修复离子注入造成的晶格损伤和缺陷。示例性地，尖峰退火处理过程为：以220℃/s的升温速率升温到1020℃，维持10s，然后以90℃/s降温速率的降低到600℃以下。
在一些实施例中，参考图5，本申请实施例提供的场效应晶体管形成方法，在在栅极结构的两侧注入离子形成halo区。为了进一步缓解短沟道效应，以及抑制漏致势垒降低效应，通过注入与衬底相同类型的掺杂离子，在衬底100中形成halo区注入的离子分布500。
需要进行说明的是，halo区是衬底靠近源、漏处进行重掺杂衬底的掺杂区域。示例性地，如果衬底100为N型衬底，那么Halo区的掺杂类型是N+，使PN结的耗尽区或空间电荷区变窄，防止源、漏处的耗尽区连通，造成源漏导通。Halo区的掺杂除了防止源漏导通，还能抑制漏致势垒降低效应。漏致势垒降低效应(Drain Induced Barrier Lowering Effect,DIBL)是超大规模MOSFET器件中重要的物理效应,体现在漏端电压引起阈值电压的降低,导致漏源电流增大。
示例性地，halo区注入的离子角度大于浅掺杂区离子注入的角度，以抑制场效应晶体管亚阈值电流退化。参考图5，halo区注入的离子分布500中离子注入的深度，大于浅掺杂区其它离子分布300和浅掺杂区氟离子分布400的离子注入的深度。需要进行说明的是，栅极结构200两侧halo区注入的离子，既可以是对称方式注入，也可以是非对称注入方式，对于注入方式没有限制。
在一些实施例中，在halo区注入氟离子。参考图4和图5，浅掺杂区其它离子分布300、浅掺杂区氟离子分布400、以及halo区注入的离子分布500，三者存在重合区域。示例性地，halo区注入的离子的倾斜角度为40至50度，氟离子注入的倾斜角度范围为5度～60度，氟离子的倾斜角度注入范围包含halo区注入的离子的倾斜角度范围，因此可以在halo区注入氟离子。
需要进行说明的是，对形成浅掺杂区其它离子分布300、浅掺杂区氟离子分布400、以及halo区注入的离子分布500的形成顺序没有限制。
此外，场效应晶体管形成过程还包括源极和漏极的形成，源极和漏极可以通过离子注入的方式形成。示例性地，如果衬底100为P型衬底，halo区注入的离子分布500的掺杂类型是P+，源极和漏极通过离子注入的方式形成N+类型的掺杂；同样如果衬底100为N型衬底，则源极和漏极的掺杂类型为P+；对于掺杂类型和掺杂的离子没有限制。
图6是本申请实施例一种场效应晶体管电性能参数调节方法流程示意图。
如图1所示，本申请实施例场效应晶体管电性能参数调节方法主要包括2个步骤，以下对2个步骤进行详细说明。
步骤S31，在浅掺杂区和/或halo区注入氟离子。
图7是本申请实施例一种场效应晶体管电性能参数调节方法场效应晶体管结构示意图。
参考图7，低阈值电压型场效应晶体管10，及非低阈值电压型场效应晶体管20，在同一道光罩下进行电性能参数的调节。如果浅掺杂区结合halo区离子注入的方式调节，两种器件的电性能会同时漂移。
图8(a)—图8(b)是本申请实施例低阈值电压型场效应晶体管电性能参数调节参数示意图，其中图8(a)为阈值电压参数调节示意图，图8(b)为开态电流参数调节示意图。参考图8(a)和图8(b)，图中none表示不掺杂氟离子的情况，F表示掺杂氟离子的情况。在图8(a)中，不掺杂氟离子时，场效应晶体管阈值电压Vt的值在0.29V左右；掺杂氟离子时，场效应晶体管阈值电压Vt的值在0.24V左右。在图8(b)中，不掺杂氟离子时，场效应晶体管开态电流IDS的值在272uA/um左右；掺杂氟离子时，场效应晶体管开态电流IDS的值在298uA/um左右。因此，在浅掺杂区和/或halo区注入氟离子，对低阈值电压型场效应晶体管10而言，相对于不注入氟离子的情况，可以显著降低阈值电压Vt，及提高开态电流IDS。
图9(a)—图9(b)是本申请实施例非低阈值电压型场效应晶体管电性能参数调节参数示意图，其中图9(a)为阈值电压参数调节示意图，图9(b)为开态电流参数调节示意图。参考图9(a)和图9(b)，图中none表示不掺杂氟离子的情况，F表示掺杂氟离子的情况。在图9(a)中，不掺杂氟离子及掺杂氟离子时，场效应晶体管阈值电压Vt的值在0.55V左右。在图9(b)中，不掺杂氟离子及掺杂氟离子时，场效应晶体管开态电流IDS的值在510uA/um左右。因此，对非低阈值电压型场效应晶体管20而言，相对于不注入氟离子的情况，阈值电压Vt和开态电流IDS无明显变化。这样就达到了只用一道氟离子注入工艺，就可以调节低阈值电压型场效应晶体管10电性能参数，而对非低阈值电压型场效应晶体管20无影响的技术效果。
下表是低阈值电压型场效应晶体管10和非低阈值电压型场效应晶体管20，在有无氟离子注入的两种情况下，电性能参数的变化情况汇总表。
由上表可知低阈值电压型场效应晶体管10，在经过浅掺杂区和/或halo区注入氟离子后，电性能参数明显改善。
需要进行说明的是，在浅掺杂区和/或halo区注入氟离子，可以先注入氟离子，之后在浅掺杂区和/或halo区注入其它离子。此外，也可以在浅掺杂区和/或halo区注入其它离子，形成浅掺杂区或者halo区，之后再注入氟离子。
在一些实施例中，在浅掺杂区注入氟离子的工艺参数，包括：注入的剂量范围为1E14～1E16atom/cm2，注入的能量范围为5KeV～20KeV，注入的倾斜角度范围为5度～60度。示例性地，氟离子注入的能量为15KeV，注入的倾斜角为21度。
在一些实施例中，根据所述场效应晶体管阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。示例性地，增加氟离子的注入剂量，可以降低场效应晶体管的阈值电压、提高场效应晶体管的开态电流。例如，注入氟离子的剂量每增加1E15atom/cm2，场效应晶体管的阈值电压降低50mV，场效应晶体管的开态电流升高26uA/um。
步骤S41，进行退火处理。需要进行说明的是，注入的氟离子不需要单独的退火处理，与浅掺杂区和/或halo区注入的离子一起退火即可。
在一些实施例中，退火处理包括尖峰退火。示例性地，尖峰退火处理过程为：以220℃/s的升温速率升温到1020℃，维持10s，然后以90℃/s降温速率的降低到600℃以下。
图10是本申请实施例一种场效应晶体管结构示意图。
如图10所示的场效应晶体管结构中，包括：半导体衬底100、栅极结构200和浅掺杂区；有源区位于半导体衬底100中；栅极结构200形成在半导体衬底表面；浅掺杂区采用离子注入工艺注入两种以上的离子形成在栅极结构的两侧；两种以上的离子包含氟离子。参考图10，浅掺杂区掺杂的离子分布，包括浅掺杂区其它离子分布300，以及浅掺杂区氟离子分布400。此外，场效应晶体管还包括源极600和漏极700，可选的，源极600和漏极700通过离子注入工艺形成。
示例性地，浅掺杂区其它离子分布300中掺杂地离子为硼离子，硼离子可以是氟化硼电离出来，电离后通过离子注入工艺注入到场效应晶体管结构中形成浅掺杂区其它离子分布300，同样氟离子也可以由氟的单质或化合物电离后注入形成浅掺杂区氟离子分布400。
在一些实施例中，氟离子的注入深度，大于浅掺杂区除氟离子外其它离子的注入深度，以利于进一步提高场效应晶体管开态电流。
图11是本申请实施例另一种场效应晶体管结构示意图。
与图10相比，图11中所示的场效应晶体管结构实施例，还包括：halo区，halo区采用离子注入工艺形成在栅极结构的两侧，halo区注入的离子分布500如图中所示，从而进一步缓解短沟道效应，以及抑制漏致势垒降低效应。
应当理解的是，本申请的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本申请的原理，而不构成对本申请的限制。因此，在不偏离本申请的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。此外，本申请所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
Claims (15)
1.一种场效应晶体管形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底并对所述半导体衬底进行离子注入，形成有源区；
在所述半导体衬底表面形成栅极结构；
在所述栅极结构的两侧注入两种以上离子形成浅掺杂区；
所述的两种以上离子包含氟离子；
对所述半导体衬底进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述浅掺杂区注入氟离子的工艺参数，包括：
注入的剂量范围为1E14～1E16atom/cm2，注入的能量范围为5KeV～20KeV，注入的倾斜角度范围为5度～60度。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：
根据所述场效应晶体管的阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，
在所述栅极结构的两侧注入离子形成halo区。
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，
在所述halo区注入氟离子。
6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，
所述氟离子的注入深度，大于所述浅掺杂区除氟离子外其它离子的注入深度。
7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述的退火处理的退火温度为1000℃-1200℃，持续时间为9s-12s。
8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述的退火处理包括尖峰退火。
9.一种场效应晶体管电性能参数调节方法，其特征在于，包括：
在所述场效应晶体管浅掺杂区和/或halo区注入氟离子；
对所述场效应晶体管进行退火处理。
10.根据权利要求9所述的调节方法，其特征在于，所述注入氟离子的工艺参数，包括：
注入的剂量范围为1E14～1E16atom/cm2，注入的能量范围为5KeV～20KeV，注入的倾斜角度范围为5度～60度。
11.根据权利要求9所述的调节方法，其特征在于，还包括：
根据所述场效应晶体管的阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。
12.根据权利要求9所述的调节方法，其特征在于，所述的退火处理包括尖峰退火。
13.一种场效应晶体管结构，其特征在于，包括：
半导体衬底、栅极结构和浅掺杂区；
有源区位于所述半导体衬底中；
所述栅极结构形成在半导体衬底表面；
所述浅掺杂区采用离子注入工艺注入两种以上的离子形成在栅极结构的两侧；
所述两种以上的离子包含氟离子。
14.根据权利要求13所述的场效应晶体管结构，其特征在于，还包括：halo区，所述halo区采用离子注入工艺形成在栅极结构的两侧。
15.根据权利要求13所述的场效应晶体管结构，其特征在于，
所述氟离子的注入深度，大于所述浅掺杂区除氟离子外其它离子的注入深度。
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