CN115461222A - 半导体封装用离型膜及其制备方法 - Google Patents

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CN115461222A CN202180031141.8A CN202180031141A CN115461222A CN 115461222 A CN115461222 A CN 115461222A CN 202180031141 A CN202180031141 A CN 202180031141A CN 115461222 A CN115461222 A CN 115461222A
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Abstract

本发明涉及半导体封装用离型膜及其制备方法。公开的半导体封装用离型膜可以包括第一聚氨酯层部及配置于上述第一聚氨酯层部上的第二聚氨酯层部。上述第一聚氨酯层部可以在上述第二聚氨酯层部的相对侧具有第一面，上述第一面可以具有用于离型性的第一微凹凸部。上述第二聚氨酯层部可以在上述第一聚氨酯层部的相对侧具有第二面，上述第二面可以具有用于离型性的第二微凹凸部。上述第一聚氨酯层部及第二聚氨酯层部可以包含具有交联结合的热固性聚氨酯。还可以在上述第一聚氨酯层部与上述第二聚氨酯层部之间配置中间层部。

Description

半导体封装用离型膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及基于聚合物的薄膜部件及其制备方法，更详细地，涉及半导体封装用离型膜及其制备方法。
背景技术
在半导体器件的封装过程中，模塑工序为使用模塑物质将芯片与安装芯片的载体基板胶囊化的工序。在半导体器件的密封中使用模塑成型装置，模塑物质主要使用向环氧树脂中加入无机材料和各种副材料的环氧树脂模塑料(EMC，epoxy molding compound)。通过向模具注入包含模塑树脂模塑材料来成型。
在封装过程中，在模塑材料的固化结束后使模具与成型品离型的方法可以使用在模具与模塑树脂之间介入离型膜的方法。上述离型膜在模塑成型装置内部提供，引入将温度调节为成型加工温度的模具中通过真空附着来紧贴于模具，在其上填充模塑树脂。据此，可以在上述模具与上述模塑树脂之间配置上述离型膜。在上述模塑树脂固化的时间点开放模具，从而可以将成型品从离型膜剥离出来。
以往的离型膜主要由乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE，ethylenetetrafluoroethylene)树脂制备。乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)离型膜具有热塑性，主要通过利用压出机的T模头(die)排出方式来制备。由于上述乙烯-四氟乙烯共聚物离型膜具有热塑性，因此在环氧树脂模塑料(EMC)模塑工序所需的高加热温度下会因上述离型膜无法承受压力而发生边缘(egde)部分破裂的问题，由此具有污染模塑成型装置的问题。因此，上述乙烯-四氟乙烯共聚物离型膜具有主要在约165℃以下的温度下使用的限制。并且，在利用上述乙烯-四氟乙烯共聚物离型膜模塑环氧树脂模塑料的情况下，由于环氧树脂模塑料中产生的含氟烟气(fume-gas)透过离型膜的透过性高，发生由含氟烟气引起的模具污染，因此具有因需要经常清洗模具而导致生产性低下的问题。
发明内容
技术问题
本发明所要解决的技术问题为提供在具有能够承受半导体封装的模塑工序时的高温及高压条件不破裂的优秀的机械物性的同时具有优秀的离型性的半导体封装用离型膜。
并且，本发明所要解决的技术问题为提供能够防止半导体封装的模塑工序时因含氟烟气引起的模具污染及由此引起的生产性低下等问题或使上述问题最小化的半导体封装用离型膜。
并且，本发明所要解决的技术问题为提供上述半导体封装用离型膜的制备方法。
本发明所要解决的技术问题不限于上述提及的问题，本发明所属技术领域的普通技术人员可以通过下述记载理解未提及的技术问题。
技术方案
根据本发明的一实施例，本发明提供一种半导体封装用离型膜(release film)，包括：第一聚氨酯层部；以及第二聚氨酯层部，配置于上述第一聚氨酯层部上，上述第一聚氨酯层部在上述第二聚氨酯层部的相对侧具有第一面，上述第一面具有用于离型性的第一微凹凸部，上述第二聚氨酯层部在上述第一聚氨酯层部的相对侧具有第二面，上述第二面具有用于离型性的第二微凹凸部，上述第一聚氨酯层部及第二聚氨酯层部包含具有交联结合的热固性聚氨酯。
上述第一面可以通过上述第一微凹凸部具有5μm以上的表面粗糙度(surfaceroughness)，上述第二面可以通过上述第二微凹凸部具有5μm以上的表面粗糙度。
在上述第一聚氨酯层部与上述第二聚氨酯层部之间还可以配置中间层部。
上述中间层部可以为粘结层。
上述粘结层可以包含氨基甲酸乙脂类聚合物。
上述中间层部可以具有与上述第一聚氨酯层部相同的物质组成。
上述第一聚氨酯层部与上述第二聚氨酯层部可以具有相同的物质组成。
上述第二聚氨酯层部可以具有与上述第一聚氨酯层部不同的物质组成。
上述第二聚氨酯层部可以包含无机物，可以由上述无机物在上述第二聚氨酯层部的上述第二面形成上述第二微凹凸部。
上述离型膜可以具有例如约30μm～120μm范围的厚度。
上述第一聚氨酯层部的厚度可以为例如约10μm～70μm。
上述第二聚氨酯层部的厚度可以为例如约10μm～70μm。
上述中间层部的厚度可以为例如约10μm～70μm。
根据本发明的另一实施例，本发明提供一种半导体封装用离型膜的制备方法，包括：在第一哑光膜(matte film)上涂敷第一聚氨酯形成用溶液后由上述第一聚氨酯形成用溶液形成第一聚氨酯层部的步骤；在第二哑光膜上涂敷第二聚氨酯形成用溶液后由上述第二聚氨酯形成用溶液形成第二聚氨酯层部的步骤；在中间层部的介入下使形成于上述第一哑光膜的上述第一聚氨酯层部与形成于上述第二哑光膜的上述第二聚氨酯层部相互接合，形成在上述第一聚氨酯层部上依次配置上述中间层部和上述第二聚氨酯层部的接合结构的步骤；以及从上述第一聚氨酯层部去除上述第一哑光膜，从上述第二聚氨酯层部去除上述第二哑光膜的步骤，上述第一聚氨酯层部在上述中间层部的相对侧具有第一面，上述第一面具有用于离型性的第一微凹凸部，上述第二聚氨酯层部在上述中间层部的相对侧具有第二面，上述第二面具有用于离型性的第二微凹凸部，上述第一聚氨酯层部及第二聚氨酯层部包含具有交联结合的热固性聚氨酯。
可以利用卷对卷(roll-to-roll)工序进行上述形成第一聚氨酯层部的步骤、上述形成第二聚氨酯层部的步骤以及上述形成接合结构的步骤。
利用微凹版涂布机(micro-gravure coater)、缺角轮涂布机(comma coater)及狭缝挤出式涂布机(slot die coater)中的一种进行上述形成第一聚氨酯层部的步骤、上述形成第二聚氨酯层部的步骤以及上述形成接合结构的步骤。
上述中间层部可以为粘结层。
上述粘结层可以包含氨基甲酸乙脂类聚合物。
上述中间层部可以具有与上述第一聚氨酯层部不同的物质组成。
上述中间层部可以具有与上述第一聚氨酯层部相同的物质组成。
上述离型膜的制备方法还可以包括：在从上述第一聚氨酯层部去除上述第一哑光膜的同时，在上述第一聚氨酯层部的上述第一面涂敷第一离型剂并附着粘结膜的步骤；以及在从上述第二聚氨酯层部去除上述第二哑光膜的同时，在上述第二聚氨酯层部的上述第二面涂敷第二离型剂的步骤。
根据本发明的另一实施例，本发明提供一种半导体封装用离型膜的制备方法，包括：在哑光膜上涂敷第一聚氨酯形成用溶液后由上述第一聚氨酯形成用溶液形成第一聚氨酯层部的步骤；在上述第一聚氨酯层部上涂敷第二聚氨酯形成用溶液后由上述第二聚氨酯形成用溶液形成第二聚氨酯层部的步骤；以及从上述第一聚氨酯层部去除上述哑光膜的步骤，上述第一聚氨酯层部在上述中间层部的相对侧具有第一面，上述第一面具有用于离型性的第一微凹凸部，上述第二聚氨酯层部在上述中间层部的相对侧具有第二面，上述第二面具有用于离型性的第二微凹凸部，上述第一聚氨酯层部及第二聚氨酯层部包含具有交联结合的热固性聚氨酯。
可以利用卷对卷工序进行上述形成第一聚氨酯层部的步骤及上述形成第二聚氨酯层部的步骤。
可以利用微凹版涂布机、缺角轮涂布机及狭缝挤出式涂布机中的一种进行上述形成第一聚氨酯层部的步骤及上述形成第二聚氨酯层部的步骤。
在上述形成第一聚氨酯层部的步骤后，还可以包括：在上述第一聚氨酯层部上涂敷中间层部形成用溶液后由上述中间层部形成用溶液形成中间层部的步骤。上述第二聚氨酯层部可以形成于上述中间层部上。
上述中间层部可以具有与上述第一聚氨酯层部相同的物质组成。
上述第二聚氨酯形成用溶液可以包含无机物，可以由上述无机物在上述第二聚氨酯层部的上述第二面形成上述第二微凹凸部。
上述无机物可以包含二氧化硅(silica)、碳酸钙(CaCO3)及硫酸钡(BaSO4)中的至少一种。
上述离型膜的制备方法还可以包括：在上述第二聚氨酯层部的上述第二面涂敷第一离型剂并附着粘结膜的步骤；在从上述第一聚氨酯层部去除上述哑光膜的同时，在上述第一聚氨酯层部的上述第一面涂敷第二离型剂的步骤。
发明的效果
根据本发明的实施例，可以实现在具有能够承受半导体封装的模塑工序时的高温及高压条件下不破裂的优秀的机械物性的同时具有优秀的离型性的半导体封装用离型膜。并且，根据本发明的实施例，可以实现能够防止半导体封装的模塑工序时因含氟烟气引起的模具污染及由此引起的生产性低下等问题或使上述问题最小化的半导体封装用离型膜。并且，根据本发明的实施例，可以通过比较容易的方法制备上述离型膜。
在利用实施例的半导体封装用离型膜的情况下，可以降低半导体封装件的不合格率并提高生产性，可以提高制备的封装件的特性。
附图说明
图1为本发明一实施例的半导体封装用离型膜(release film)的剖视图。
图2为本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的剖视图。
图3a至图3d为用于说明本发明一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的剖视图。
图4a至图4d为用于说明本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的剖视图。
图5a至图5d为用于说明本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的剖视图。
图6a至图6d为用于说明本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的剖视图。
图7为用于说明能够适用于本发明一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的装置及利用其的制备工序的图。
图8a至图8c为用于说明本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的图。
图9为用于说明本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的图。
图10为用于说明应用本发明一实施例的半导体封装用离型膜的半导体封装的模塑工序的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。
以下说明的本发明的实施例仅为使本发明所属技术领域的普通技术人员更为明确地说明本发明而提供，本发明的范围不限定于下述实施例，下述实施例可以变形为其他形态。
本说明书中使用的术语为说明特定实施例而使用，而非用来限制本发明。若上下文没有明确说明，则本说明书中使用的单数的形态的术语包括复数的形态。并且，本说明书中使用的术语“包括(comprise)”和/或“包括的(comprising)”是指提及的形状、步骤、数字、动作、部件、要素和/或它们的组合的存在，而非预先排除一个以上的其他形状、步骤、数字、动作、部件、要素和/或它们的组合的存在或附加。并且，本说明书中使用的术语“连接”不仅是指某些部件直接连接，还包括部件之间还介有其他部件的间接连接的概念。
同时，当本申请说明书中说某部件位于其他部件“上”时，不仅是指某部件与其他部件接触的情况，还包括两部件之间存在有其他部件的情况。本说明书中使用的术语“和/或”包括相关罗列的项目中的任一个或一个以上的全部组合。并且，本申请说明书中使用的“约”、“实质上”等表示程度的术语，考虑到其固有制备及物质可接受的误差，以其数值或程度的范畴或与之接近的含义来使用，是为防止用来为帮助理解本申请而提供的准确的数值被别有用心的人侵害公开内容而使用的。
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。附图中示出的区域或部分的尺寸或厚度可以为说明书的明确性及便利性而或多或少地夸张表达。在全部的详细说明中，相同的附图标记表示相同的结构要素。
图1为本发明一实施例的半导体封装用离型膜(release film)的剖视图。
参照图1，本实施例的离型膜可以包括第一聚氨酯层部P10以及配置于第一聚氨酯层部P10上的第二聚氨酯层部P20。在一实施例中，可以在第一聚氨酯层部P10与第二聚氨酯层部P20之间提供中间层部P15。
第一聚氨酯层部P10及第二聚氨酯层部P20可以包含具有交联结合的热固性(thermosetting)聚氨酯。在第一聚氨酯层部P10中，热固性聚氨酯的含量可以为约80重量百分比以上或约90重量百分比以上。在一实施例中，第一聚氨酯层部P10中的热固性聚氨酯的含量可以为约80重量百分比至100重量百分比。与此相似，第二聚氨酯层部P20中的热固性聚氨酯的含量可以为约80重量百分比以上或约90重量百分比以上。在一实施例中，第二聚氨酯层部P20中的热固性聚氨酯的含量可以为约80重量百分比至100重量百分比。第一聚氨酯层部P10及第二氨基甲酸乙脂层部P20可以分别包含热固性聚氨酯作为主要构成物质，或者由热固型聚氨酯构成。并且，根据情况，除热固型聚氨酯以外，第一聚氨酯层部P10及第二聚氨酯层部P20中的至少一个还可以包含其他添加物，例如，可以包含一部分(少量)用于交联反应的引发剂(activator)、流平剂和/或消泡剂。
第一聚氨酯层部P10可以在中间层部P15的相对侧具有第一面S10，第一面S10可以至少具有用于提高离型性的第一微凹凸部N10。在附图上，第一聚氨酯层部P10的下部面可以为第一面S10，中间层部P15可以接合于第一聚氨酯层部P10的上部面。第二聚氨酯层部P20可以在中间层部P15的相对侧具有第二面S20，第二面S20可以至少具有用于提高离型性的第二微凹凸部N20。在附图上，第二聚氨酯层部P20的上部面可以为第二面S20，中间层部P15可以接合于第二聚氨酯层部P20的下部面。
第一面S10可以通过第一微凹凸部N10具有约5μm以上的表面粗糙度Ra。在一实施例中，第一面S10的表面粗糙度Ra可以为约5μm至20μm。第二面S20可以通过第二微凹凸部N20具有约5μm以上的表面粗糙度(Ra)。在一实施例中，第二面S20的表面粗糙度(Ra)可以为约5μm至20μm。然而，第一面S10及第二面S20的表面粗糙度(Ra)不限定于上述内容，可以根据情况设计为其他粗糙度。
中间层部P15可以为一种粘结层(bonding layer or adhesive layer)。上述粘结层可以用在粘合(接合)第一聚氨酯层部P10与第二聚氨酯层部P20。上述粘结层可以包含氨基甲酸乙脂类聚合物。上述氨基甲酸乙脂类聚合物可以通过热固型氨基甲酸乙脂树脂液固化来形成。上述氨基甲酸乙脂类聚合物可以包含热固性聚氨酯。
中间层部P15与第一聚氨酯层部P10和/或第二聚氨酯层部P20相似，可以包含包括异氰酸酯或多元醇在内的包含活性氢化合物的聚氨酯键的氨基甲酸乙酯类粘合材料。在一实施例中，中间层部P15可以具有与第一聚氨酯层部P10和/或第二聚氨酯层部P20相同的物质组成。在一部分实施例中，第一聚氨酯层部P10可以与第二聚氨酯层部P20具有相同的物质组成。在此情况下，第一聚氨酯层部P10、中间层部P15及第二聚氨酯层部P20可以构成一体化的一个层结构(基材层结构)。但是，中间层部P15可以具有与第一聚氨酯层部P10及第二聚氨酯层部P20中的至少一个不同的物质组成。
本发明实施例的上述离型膜可以具有约30μm～120μm范围的厚度(总厚度)。上述离型膜的厚度可以为例如约50μm～100μm。在这样的厚度条件下，上述离型膜可以具有适合模塑工序的优秀的机械物性。另一方面，第一聚氨酯层部P10的厚度可以为例如约10μm～70μm，中间层部P15的厚度可以为约10μm～70μm，第二聚氨酯层部P20的厚度可以为例如约10μm～70μm。第一聚氨酯层部P10的厚度可以与第二聚氨酯层部P20的厚度相同或相似。中间层部P15的厚度可以与第一聚氨酯层部P10及第二聚氨酯层部P20各个的厚度相同，也可以都不相同。在后者的情况下，中间层部P15的厚度可以比第一聚氨酯层部P10及第二聚氨酯层部P20各个的厚度薄。在满足上述厚度条件的情况下，可以有利于离型膜的轻松形成(制备)及机械物性的提高。
图2为本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的剖视图。
参照图2，本实施例的离型膜可以包括第一聚氨酯层部P11、配置于第一聚氨酯层部P11上的中间层部P16以及配置于中间层部P16上的第二聚氨酯层部P22。第一聚氨酯层部P11及第二聚氨酯层部P22可以包含具有交联结合的热固性聚氨酯。第一聚氨酯层部P11中的热固性聚氨酯的含量可以为约80重量百分比以上或约90重量百分比以上。在一实施例中，第一聚氨酯层部P11中的热固性聚氨酯的含量可以为约80重量百分比至100重量百分比。第二聚氨酯层部P22中的热固性聚氨酯的含量可以为约60重量百分比以上或约80重量百分比以上。在一实施例中，第二聚氨酯层部P22中的热固性聚氨酯的含量可以为约60重量百分比至97重量百分比，可以为约60重量百分比至100重量百分比。第一聚氨酯层部P11及第二聚氨酯层部P22可以包含热固型聚氨酯作为主要构成物质，也可以有热固型聚氨酯构成。并且，根据情况，除热固型聚氨酯以外，第一聚氨酯层部P11及第二聚氨酯层部P22中的至少一个还可以包含一部分(少量)其他聚合物物质或其他添加物(例如流平剂、消泡剂等)。
第一聚氨酯层部P11可以在中间层部P16的相对侧具有第一面S11，第一面S11可以至少具有用于提高离型性的第一微凹凸部N11。在附图上，第一聚氨酯层部P11的下部面可以为第一面S11，中间层部P16可以接合于第一聚氨酯层部P11的上部面。第二聚氨酯层部P22可以在中间层部P16的相对侧具有第二面S22，第二面S22可以至少具有用于提高离型性的第二微凹凸部N22。在附图上，第二聚氨酯层部P22的上部面可以为第二面S22，中间层部P16可以接合于第二聚氨酯层部P22的下部面。第一面S11及第二面S22的各表面粗糙度(Ra)的范围条件可以与在图1中说明的有关第一面S10及第二面S20的内容相同或相似。
中间层部P16可以具有与第一聚氨酯层部P11相同的物质组成。因此，第一聚氨酯层部P11与中间层部P16可以形成一体化的一个层结构。另一方面，第二聚氨酯层部P22可以具有与第一聚氨酯层部P11及中间层部P16不同的物质组成。在此情况下，第二聚氨酯层部P22还可以包含无机物，可以由上述无机物在第二聚氨酯层部P22的第二面S22形成第二微凹凸部N22。更具体地，第二聚氨酯层部P22可以包含由热固性聚氨酯构成的基材层部及上述基材层部内含有的无机物，可以由上述无机物形成第二微凹凸部N22。例如，上述无机物可以具有粒子(多个粒子)形态。并且，上述无机物可以包含例如二氧化硅(silica)、碳酸钙(CaCO3)及硫酸钡(BaSO4)中的至少一种。但是，可以在本发明实施例中使用的无机物的种类不限定于前述内容，可以多种多样的变化。在第二聚氨酯层部P22包含上述无机物的情况下，上述无机物可以看作一种填料(filler)。在此情况下，在第二聚氨酯层部P22中，相对于上述热固性聚氨酯与上述无机物的总量，上述热固性聚氨酯的含量可以为约60重量百分比以上或约80重量百分比以上。例如，在第二聚氨酯层部P22中，相对于上述热固性聚氨酯与上述无机物的总量，上述热固性聚氨酯的含量可以为约60重量百分比至97重量百分比。在除上述无机物以外的剩余区域中，第二聚氨酯层部P22的热固性聚氨酯的含量可以为约80重量百分比至100重量百分比。在除上述无机物以外的剩余区域中，第二聚氨酯层部P22可以包含热固型聚氨酯作为主要构成物质，也可以由热固型聚氨酯构成。并且，根据情况，除热固型聚氨酯以外，第二聚氨酯层部P22还可以包含一部分(少量)其他聚合物物质或其他添加物(例如流平剂、消泡剂等)。
在图2的实施例中，离型膜的总厚度及各层部P11、P16、P22的厚度范围与有关图1的离型膜的说明相同或相似，将省略对此的重复说明。
在图2的离型膜结构中可以根据情况排除中间层部P16。即，图2的离型膜可以在没有中间层部P16的情况下包括第一聚氨酯层部P11与形成于其上的第二聚氨酯层部P22。在此情况下，第二聚氨酯层部P22可以与第一聚氨酯层部P11的上部面直接接触(接合)。
图3a至图3d为用于说明本发明一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的剖视图。
参照图3a，可以在第一哑光膜(matte film)M10上涂敷第一聚氨酯形成用溶液后，由上述第一聚氨酯形成用溶液形成第一聚氨酯层部P10。第一哑光膜M10为经过哑光(matte)处理的薄膜，其中，哑光处理是指在表面形成微凹凸的无光处理。例如，第一哑光膜M10可以为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)(polyethylene terephthalate)膜，但第一哑光膜M10的物质不限定于此，可以为其他物质。
在第一哑光膜M10的哑光处理的表面(附图的上部面)上涂敷上述第一聚氨酯形成用溶液后形成由此固化的第一聚氨酯层部P10时，可以在接合于第一哑光膜M10的第一聚氨酯层部P10的第一面S10形成第一微凹凸部N10。第一哑光膜M10的哑光处理的表面(附图的上部面)的形状可以转移到第一聚氨酯层部P10的第一面S10。上述第一聚氨酯形成用溶液可以包含氨基甲酸乙脂类源物质、溶剂及固化剂等。
参照图3b，可以在第二哑光膜M20上涂敷第二聚氨酯形成用溶液后，由上述第二聚氨酯形成用溶液形成第二聚氨酯层部P20。例如，第二哑光膜M20可以为聚对苯二甲酸乙二酯膜，但不限定于此，可以为其他多种物质。
在第二哑光膜M20的哑光处理的表面(附图的上部面)上涂敷上述第二聚氨酯形成用溶液后形成由此固化的第二聚氨酯层部P20时，可以在接合于第二哑光膜M20的第二聚氨酯层部P20的第二面S20形成第二微凹凸部N20。第二哑光膜M20的哑光处理的表面(附图的上部面)的形状可以转移到第二聚氨酯层部P20的第二面S20。上述第二聚氨酯形成用溶液可以包含氨基甲酸乙脂类源物质、溶剂及固化剂等。
参照图3c，可以使在图3a的步骤中形成于第一哑光膜M10的第一聚氨酯层部P10与在图3b的步骤中形成于第二哑光膜M20的第二聚氨酯层部P20在中间层部P15的介入下相互接合，从而形成在第一聚氨酯层部P10上依次配置中间层部P15和第二聚氨酯层部P20的接合结构。
例如，可以通过形成于第一哑光膜M10的第一聚氨酯层部P10上涂敷中间层部形成用溶液后，在上述涂敷的中间层部形成用溶液上接合(粘合)第二聚氨酯层部P20来形成如图3c所示的接合结构。其中，上述中间层部形成用溶液可以为一种粘合液，由此形成的中间层部P15可以为一种粘结层。上述粘结层可以包含氨基甲酸乙脂类聚合物。上述氨基甲酸乙脂类聚合物可以通过使热固型氨基甲酸乙脂树脂液固化来形成。上述氨基甲酸乙脂类聚合物可以包含热固性聚氨酯。
中间层部P15可以具有与第一聚氨酯层部P10相同的物质组成。并且，中间层部P15可以具有与第二聚氨酯层部P20相同的物质组成。并且，第一聚氨酯层部P10与第二聚氨酯层部P20可以具有相同的物质组成。在此情况下，第一聚氨酯层部P10、中间层部P15及第二聚氨酯层部P20可以构成一体化的一个层结构(基材层结构)。但是，中间层部P15可以与第一聚氨酯层部P10及第二聚氨酯层部P20中的至少一个具有不同的物质组成。
参照图3d，可以从第一聚氨酯层部P10去除上述第一哑光膜(图3c的M10)，可以从第二聚氨酯层部P20去除上述第二哑光膜(图3c的M20)。图3d的产物可以与图以说明的离型膜相同。图3a至图3d中说明的离型膜的制备方法可以称为通过“粘合方式”的离型膜的制备方法。
图4a至图4d为用于说明本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的剖视图。
参照图4a，可以准备具有与图3c的接合结构相同结构的接合结构。但是，在图4a中以上下颠倒的方式示出图3c的接合结构。其中，上述接合结构虽然以短的长度示出一部分，但实际上，上述接合结构可以具有卷为卷(roll)形态的长度(很长的长度)。
参照图4b，可以在从第一聚氨酯层部P10去除上述第一哑光膜(图4a的M10)后，在第一聚氨酯层部P10的第一面S10涂敷第一离型剂R10。例如，第一离型剂R10可以为包含硅(silicone)或氟(fluorine)的离型剂溶液。
参照图4c，可以在第一离型剂R10上附着粘结膜A10。粘结膜A10作为临时薄膜，可以具有易于剥离程度的粘合力。在一实施例中，在图4b及图4c的步骤中，可以在从第一聚氨酯层部P10去除上述第一哑光膜(图4a的M10)的同时，在第一聚氨酯层部P10的第一面S10涂敷第一离型剂R10(图4b)后，在第一离型剂R10上附着粘结膜A10(图4c)。
参照图4d，可以在从第二聚氨酯层部P20去除上述第二哑光膜(图4c的M20)的同时，在第二聚氨酯层部P20的第二面S20涂敷第二离型剂R20。第二离型剂R20可以为与上述第一离型剂R10相同的物质。可以将图4d的结构(薄膜部件)卷成卷形态来保管。在需要的情况下，可以在将图4d的结构(薄膜部件)切割(即，分切(slitting))为适当的宽度后，去除粘结膜A10。
图5a至图5d为用于说明本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的剖视图。
参照图5a，可以在哑光膜M11上涂敷第一聚氨酯形成用溶液后，由上述第一聚氨酯形成用溶液形成第一聚氨酯层部P11。例如，哑光膜M11可以为聚对苯二甲酸乙二酯膜，但哑光膜M11的物质不限定于此，可以为其他物质。
在哑光膜M11的哑光处理的表面(附图的上部面)上涂敷上述第一聚氨酯形成用溶液后形成由此固化的第一聚氨酯层部P11时，可以在接合于哑光膜M11的第一聚氨酯层部P11的第一面S11形成第一微凹凸部N11。上述第一聚氨酯形成用溶液可以包含氨基甲酸乙脂类源物质、溶剂及固化剂等。
参照图5b，可以在第一聚氨酯层部P11上涂敷中间层部形成用溶液后，由上述中间层部形成用溶液形成中间层部P16。上述中间层部形成用溶液可以与上述第一聚氨酯形成用溶液相同或相似。因此，中间层部P16可以聚集有与第一聚氨酯层部P11相同的物质组成。中间层部P16的形成也可以称为将第一聚氨酯层部P11的厚度增加为适当高度的工序。
参照图5c，可以在中间层部P16上涂敷第二聚氨酯形成用溶液后，由上述第二聚氨酯形成用溶液形成第二聚氨酯层部P22。第二聚氨酯层部P22可以在中间层部P16的相对侧具有第二面S22，第二面S22可以至少具有用于提高离型性的第二微凹凸部N22。
第二聚氨酯层部P22可以具有与第一聚氨酯层部P11及中间层部P16不同的物质组成。第二聚氨酯层部P22还可以包含无机物，可以由上述无机物在第二聚氨酯层部P22的第二面S22形成第二微凹凸部N22。更具体地，第二聚氨酯层部P22可以包含由热固性聚氨酯构成的基材层部及上述基材层部内含有的无机物，可以由上述无机物形成第二微凹凸部N22。例如，上述无机物可以具有粒子(多个粒子)形态。并且，上述无机物可以包含例如二氧化硅、碳酸钙及硫酸钡中的至少一种。但是，本发明实施例中使用的无机物的种类不限于前述内容，可以多种多样地变化。
在形成第二聚氨酯层部P22的过程中使用的上述第二聚氨酯形成用溶液可以为向与图5a中说明的上述第一聚氨酯形成用溶液相同的溶液中混合上述无机物的溶液。
参照图5d，可以从第一聚氨酯层部P11中去除上述哑光膜(图5c的M11)。图5d的产物可以与图2中说明的离型膜相同。5a至图5d中说明的离型膜的制备方法可以称为通过“反复涂敷方式”的离型膜的制备方法。
图6a至图6d为用于说明本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的剖视图。
参照图6a，可以准备与图5c的结构相同的结构。其中，虽然仅以短的长度示出上述结构(膜结构)的一部分，但实际上，上述结构(膜结构)可以具有能够卷为卷形态的长度。
参照图6b，可以在第二聚氨酯层部P22的第二面S22涂敷第一离型剂R11。例如，第一离型剂R11可以为包含硅或氟的离型剂溶液。
参照图6c，可以在第一离型剂R11上附着粘结膜A11。粘结膜A11作为临时薄膜，可以具有易于剥离程度的粘合力。
参照图6d，可以在从第一聚氨酯层部P11去除上述哑光膜(图6c的M11)的同时，在第一聚氨酯层部P11的第一面S11涂敷第二离型剂R22。第二离型剂R22可以为与上述第一离型剂R11相同的物质。可以将图6d的结构(薄膜部件)卷为卷形态来保管。在需要的情况下，可以在将图6d的结构(薄膜部件)切割(即，分切)为适当的宽度后，去除粘结膜A11。
在参照图5a至图5d说明的离型膜的制备方法中，可以根据情况排除中间层部P16的形成。即，在图5b的步骤中可以不形成中间层部P16，而是在第一聚氨酯层部P11上形成第二聚氨酯层部P22。在此情况下，第二聚氨酯层部P22可以与第一聚氨酯层部P11的上部面直接接触(接合)。这样变形的结构也同样适用于参照图6a至图6d说明的离型膜的制备方法。
在图3a至图3d、图4a至图4d、图5a至图5d、图6a至图6d中，为了便于说明，以短的长度示出薄膜部件，但实际上，薄膜部件可以具有可以卷为卷形态的长度，可以适用于相应的工序。
例如，在图3a至图3d及图4a至图4d的制备方法中，可以利用卷对卷工序进行上述形成第一聚氨酯层部P10的步骤、上述形成第二聚氨酯层部P20的步骤、上述形成接合结构的步骤等。在此情况下，例如，可以利用微凹版涂布机、缺角轮涂布机及狭缝挤出式涂布机中的一种进行上述形成第一聚氨酯层部P10的步骤、上述形成第二聚氨酯层部P20的步骤、上述形成接合结构的步骤等。
与此相似，在图5a至图5d及图6a至图6d的制备方法中，可以利用卷对卷工序进行上述形成第一聚氨酯层部P11的步骤、上述形成第二聚氨酯层部P21的步骤、上述形成接合结构的步骤等。在此情况下，例如，可以利用微凹版涂布机、缺角轮涂布机及狭缝挤出式涂布机中的一种进行上述形成第一聚氨酯层部P11的步骤、上述形成第二聚氨酯层部P21的步骤、上述形成接合结构的步骤等。
图7为用于说明能够适用于本发明一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的装置及利用其的制备工序的图。
参照图7，能够适用于本发明实施例的离型膜的制备方法的装置可以为利用卷对卷工序的涂层装置。例如，上述装置可以包括安装卷绕为卷形态的哑光膜10的部分，能够以通过拉哑光膜10的一端来移送哑光膜10的方式构成。上述装置可以包括在移送的哑光膜10上涂敷聚合物形成用溶液的涂层区(coating zone)20、用于从涂敷的聚合物形成用溶液(聚合物形成用薄膜)中去除(干燥)溶剂的干燥区(dry zone)30、用于固化涂敷的聚合物形成用溶液(聚合物形成用薄膜)的固化区(curing zone)40。固化区40中的固化可以包括通过热量的固化或通过紫外线(UV)的固化，也可以两者都包括。并且，上述装置还可以包括用于将完成涂层操作的哑光膜10重新卷绕为卷形态的再卷绕区(re-winding zone)50。
图7所示装置的结构仅用于例示，可以多种多样地变化。作为一例，图7示出并说明在装置内使聚合物形成用薄膜固化的情况，也可以在规定的干燥条件下干燥完成再卷绕的卷形态的薄膜部件来固化聚合物形成用薄膜。这也可以称为“养生固化”或“卷绕后干燥硬化”。例如，上述养生固化可以在约50℃的温度下以24小时以上的条件进行。但这仅为例示，还可以多种多样地变化。制备本发明实施例的离型膜时适用的固化方式不仅包括在涂层装置内的固化方式，还可以包括上述养生固化(卷绕后干燥固化)方式。
图8a至图8c为用于说明本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的图。
参照图8a，可以利用多个辊部件RL10移送第一薄膜部件FM1来卷绕为卷形态。在一实施例中，第一薄膜部件FM1可以具有图3a中说明的膜结构。第一薄膜部件FM1可以包括第一哑光膜M10及形成于其上的第一聚氨酯层部P10。
参照图8b，可以利用多个辊部件RL10移送第二薄膜部件FM2来卷绕为卷形态。其中，第二薄膜部件FM2可以具有图3b中说明的膜结构。在一实施例中，第二薄膜部件FM2可以包括第二哑光膜M20及形成于其上的第二聚氨酯层部P20。
参照图8c，可以利用多个辊部件RL20粘合图8a的第一薄膜部件FM1及图8b的第二薄膜部件FM2。在图8c中，附图标记FM2'表示在第二薄膜部件FM2的第二聚氨酯层部P20上涂敷中间层部形成用溶液(即，接合用树脂溶液)的薄膜部件。结果，可以形成与图3c中说明的相同的结构，即，可以通过在形成于第一哑光膜M10的第一聚氨酯层部P10与形成于第二哑光膜M20的第二聚氨酯层部P20之间介入中间层部P15的来形成相互接合的接合结构。
图9为用于说明本发明另一实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的图。
参照图9，可以利用多个辊部件RL30移送薄膜部件FM3来卷绕为卷形态。其中，薄膜部件FM3可以具有与图5c的薄膜部件相同的结构。在一实施例中，薄膜部件FM3可以包括依次涂层于哑光膜M11上的第一聚氨酯层部P11、中间层部P16及第二聚氨酯层部P22。
在参照图8a至图8c及图9说明的制备方法中，多个辊部件RL10、RL20、RL30相当于制备装置(涂层装置)的一部分结构，仅用于例示，多个辊部件RL10、RL20、RL30的结构或配置等可以多种多样地变化。
作为附加，根据本发明的另一实施例，可以不使用哑光膜来制备离型膜。例如，可以在不是哑光膜的普通聚对苯二甲酸乙二酯离型膜(底膜)上形成第一聚氨酯层部，在其上形成包含无机物填料的第二聚氨酯层部后，从上述第一聚氨酯层部去除上述聚对苯二甲酸乙二酯离型膜(底膜)后，在去除上述聚对苯二甲酸乙二酯离型膜而露出的上述第一聚氨酯层部的表面上形成包含无机物填料的第三聚氨酯层部。在此情况下，上述第一聚氨酯层部可以具有与图1及图2的中间层部P15、P16相同的物质组成，上述第二聚氨酯层部及第三聚氨酯层部可以具有与图2的第二聚氨酯层部P22相同的表面粗糙度及物质组成。因此，上述第一聚氨酯层部可以称为“中间层部”。此外，还可以有多种方式的结构变形及制备方式的变化。
以下，更为详细地说明适用于本发明的实施例的半导体封装用离型膜的制备方法的聚氨酯层的制备过程。
本发明的实施例中使用的聚氨酯树脂的数均分子量(或重均分子量)可以为约50000至500000。氨基甲酸乙脂(聚氨酯)可以通过多元醇(polyol)与异氰酸酯(isocyanate)的反应来获得，可以使用催化剂调节反应速度和分子量。
可以使用一种分子量约为500至700的上述多元醇的产品或者混合两种以上用作原料。醚(ether)类多元醇可以使用聚丙二醇(polypropylene glycol)、改性聚丙二醇(modified polypropylene glycol)及聚丁二醇(PTMG)等。聚醚(polyester)类多元醇可以使用分子量约为500至7000范围的聚乙二醇(polyethylene glycol)与聚碳酸酯(polycarbonate)类聚合的己二酸酯(adipate)类聚酯多元醇和开环的聚合类内酯(lactone)类多元醇。并且，可以使用聚丁二烯二醇(polybutadiene glycol)与丙烯酰(acryl)类多元醇中的一种或混合两种以上来使用。但上述物质仅为例示，本申请不限定于此。
上述异氰酸酯物质可以使用多种二异氰酸酯(diisocyanate)类物质。例如，可以使用分子量为160.1的对苯二异氰酸酯(p-phenylene diisocyanate，PPDI)、分子量为174.2的包括异构体在内的甲苯二异氰酸酯(toluene-diisocyanate，TDI)、分子量为210.2的1,5-萘二异氰酸酯(1,5-naphthalene diisocyanate，NDI)、分子量为168.2的1,6-六亚甲基二异氰酸酯(1,6-hexamethylene diisocyanate，HDI)、分子量为250.3的4,4'-二苯基甲烷二异氰酸酯(4,4'-diphenylmethane diisocyanate，MDI)、分子量为222.3的异佛尔酮二异氰酸酯(isoporon diisocyanate，IPDI)、分子量为262的环己基甲烷二异氰酸酯(cyclohexylmethane diisocyanate，H12MDI)等。但上述物质仅为例示，本申请不限定于此。
并且，附加地，还可以在上述多元醇及异氰酸酯中使用扩链剂(chain extender)。上述扩链剂可以起到增加聚氨酯的分子量并赋予多种功能性的作用。上述扩链剂可以使用一种或混合两种以上来使用。上述扩链剂可以使用乙二醇(ethylene glycol)类物质、丙二醇(propylene glycol)类物质、丁二烯二醇(butadiene glycol)类物质、包含硅的多元醇类、包含氟的多元醇类。但上述物质仅为例示，本申请不限定于此。
上述催化剂可以使用多种有机锡类物质及有机铋类物质。上述有机锡类物质(有机锡类化合物)可以包括例如二月桂酸二丁基锡(dibutyltin dilaurate)、辛酸亚锡(stannous octoate)、二乙酸二丁基锡(dibutyltin diacetate)、硫醇二丁基锡(dibutyltin dimercaptide)等。其中，二月桂酸二丁基锡为(CH3CH2CH2CH2)2Sn[CH3(CH2)10COO]2，辛酸亚锡为Sn[C7H15COO]2，二乙酸二丁基锡为(CH3CH2CH2CH2)2Sn[CH3COO]2，硫醇二丁基锡为(CH3CH2CH2CH2)2Sn[SC12H25]。上述有机铋类物质(有机铋类化合物)的分子量可以多种多样，例如，可以包括含铋的羧酸盐(carboxylate)类催化剂。其中，上述羧酸盐类催化剂可以含有约约9％至45％的铋。但上述物质仅为例示，本申请不限定于此。
用于制备聚氨酯树脂溶液的溶剂可以使用例如二甲基甲酰胺(DMF，dimethylformamide)、二乙基甲酰胺(DEF，diethylformamide)、二甲基亚砜(DMSO，dimethylsulfoxaide)、二甲基乙酰胺(DMAC、dimethylacetamide)、甲苯(toluene)、乙酸乙酯(ethyl acetate，EA)、包括甲基乙基甲酮(methyl ethyl ketone)在内的多种丙酮类溶剂。但上述物质仅为例示，本申请不限定于此。
在制备混合上述多元醇、异氰酸酯、溶剂等的聚氨酯制备用树脂液后，可以通过利用三聚氰胺(melamine)类固化剂与其催化剂以及以多种分子量聚合的异氰酸酯(isocyanate)类固化剂的反应来形成具有多种交联密度(crosslinking density)的高分子固化物。在此情况下，可以采用通过热量的固化方式。
可以在本发明一实施例中采用的固化性聚氨酯的组成说明如下。
在聚氨酯组合物中，可以采用聚酯类多元醇(例如，分子量为500～7000)、聚醚类多元醇(例如，分子量为200～3000)或聚碳酸酯类多元醇(例如，分子量为500～8000)等多元醇作为用于氨基甲酸乙脂反应的第一物质，可以采用异氰酸酯类物质作为用于氨基甲酸乙脂反应的第二物质。上述异氰酸酯类物质可以使用包括包含硫改性的苯环(benzene-ring)的多种异氰酸酯类和非硫改性的环己烷(hexamethylene)类、异佛尔酮(isophorone)类以及环己基甲烷(cyclohexylmethane)类在内的多种异氰酸酯。并且，为了增加聚氨酯的分子量，还可以是用扩链剂。上述扩链剂可以使用乙二醇类物质、丙二醇类物质、丁二烯二醇类物质、包含硅的多元醇类、包含氟的多元醇类，可以通过向氨基甲酸乙脂反应中加入上述扩链剂来增加聚氨酯的分子量。
还可以使用流平剂(leveling agent)、消泡剂、固化剂等作为其他添加物。上述流平剂可以使用包含硅类、氟类或非硅类的改性聚酯类流平剂，可以混合约0.1重量百分比～5重量百分比的上述流平剂来使用。上述消泡剂用于消泡功能，例如，可以使用硅类或非硅类消泡剂。可以混合约0.1重量百分比～5重量百分比的上述消泡剂来使用。并且，用于聚氨酯的固化反应的固化剂可以使用三聚氰胺类固化剂以及由几个分子聚合形成的异氰酸酯类固化剂等。并且，可以在酸性催化剂的作用下促进上述固化反应。
图10为用于说明应用本发明一实施例的半导体封装用离型膜的半导体封装的模塑工序的图。
参照图10，可以利用本发明实施例的离型膜100进行半导体封装的模塑工序。模塑装置可以包括第一模塑工具T10以及与之相向的第二模塑工具T20。第一模塑工具T10可以为下部模塑工具，第二模塑工具T20可以为上部模塑工具。
可以在第一模塑工具T10中准备规定的凹陷的部分(空腔区)，能够以覆盖上述凹陷的部分的方式放置离型膜100。可以通过真空吸附方式(即，抽吸(suction)方式)使离型膜100紧贴在上述凹陷部分的表面。在第二模塑工具T20的下面侧可以配置形成有多个半导体器件部210的基板200。可以在上述凹陷部分(空腔区)的离型膜100部分上配置模塑物质(例如环氧树脂模塑料)(未图示)。可以进行用于熔融上述模塑物质的加热工序及将熔融的模塑物质附着于半导体器件部210侧的真空压接(compression)工序。
在半导体封装的模塑工序时，本发明实施例的离型膜100可以在具有在高温及高压条件下不破裂的优秀的机械物性的同时具有优秀的离型性(剥离性)。尤其，由于离型膜100包含热固性物质，因此，相比于基于热塑性物质的现有的离型膜，可以具有更为优秀的机械物性。因此，本发明实施例的离型膜100在高温及高压的条件下也不会破裂。并且，离型膜100在通过吸附方式(即，抽吸方式)使膜100吸入第一模塑工具T10的空腔内来固定时，在规定的高温(例如约165℃)条件下，其瞬间拉伸的性质会很优秀。因此，可以防止离型膜100破裂的问题。并且，本发明实施例的离型膜100对模塑工序时产生的含氟烟气的透过性很低，因此可以防止因含氟烟气引起的模具污染生产性低下的问题。因此，利用本发明实施例的离型膜100可以降低半导体封装的不合格率并提高生产性，可以提高制备的封装的特性。
作为附加，本发明实施例的离型膜100下部面具有微凹凸(参照图1的N10)，因此在通过吸附将离型膜100固定于第一模塑工具T10的空腔内时，可以防止离型膜100的下部面产生气泡的问题，同时，还可以改善离型性(剥离性)。并且，离型膜100还可以在其上部面具有微凹凸部(参照图1的N20)，在上部面形成的微凹凸部可以转移到模塑物质(例如环氧树脂模塑料)的底面。因此，可以在半导体封装的模塑层(例如环氧树脂模塑料层)的下部面形成微凹凸部，而且，这样的模塑层的微凹凸部还可以起到抑制杂质的吸附并抑制污点及划痕的形成的作用。并且，在离型膜100的上部面形成的微凹凸部可以起到改善离型性(剥离性)的作用。
在本说明书中，公开了本发明的优选实施例，虽使用了特定的术语，但是以易于说明本发明并有助于理解本发明的通常的含义来使用，而不是要限定本发明的范围。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说显而易见的是，除在此公开的实施例以外，还可以有基于本发明技术思想的其他变形例。本发明所属技术领域的普通技术人员可以知道的是，参照图1至图10说明的实施例的半导体封装用离型膜及其制备方法可以在不脱离本发明的技术思想的范围内进行多种取代、变更及变形。因此，本发明的范围不应由说明的实施例来确定，而应通过发明要求保护范围中记载的技术思想来确定。

Claims (27)

1.一种半导体封装用离型膜，其特征在于，
包括：
第一聚氨酯层部；以及
第二聚氨酯层部，配置于上述第一聚氨酯层部上，
上述第一聚氨酯层部在上述第二聚氨酯层部的相对侧具有第一面，上述第一面具有用于离型性的第一微凹凸部，
上述第二聚氨酯层部在上述第一聚氨酯层部的相对侧具有第二面，上述第二面具有用于离型性的第二微凹凸部，
上述第一聚氨酯层部及第二聚氨酯层部包含具有交联结合的热固性聚氨酯。
2.根据权利要求1所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，
上述第一面通过上述第一微凹凸部具有5μm以上的表面粗糙度，
上述第二面通过上述第二微凹凸部具有5μm以上的表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，还包括中间层部，配置于上述第一聚氨酯层部与上述第二聚氨酯层部之间。
4.根据权利要求3所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述中间层部为粘结层。
5.根据权利要求4所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述粘结层包含氨基甲酸乙脂类聚合物。
6.根据权利要求3所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述中间层部具有与上述第一聚氨酯层部相同的物质组成。
7.根据权利要求3所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述第一聚氨酯层部与上述第二聚氨酯层部具有相同的物质组成。
8.根据权利要求1或3所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述第二聚氨酯层部与上述第一聚氨酯层部具有不同的物质组成。
9.根据权利要求8所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，
上述第二聚氨酯层部还包含无机物，
由上述无机物在上述第二聚氨酯层部的上述第二面形成上述第二微凹凸部。
10.根据权利要求1所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述离型膜具有30μm～120μm范围的厚度。
11.根据权利要求1所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，
上述第一聚氨酯层部的厚度为10μm～70μm，
上述第二聚氨酯层部的厚度为10μm～70μm。
12.一种半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，
包括：
在第一哑光膜上涂敷第一聚氨酯形成用溶液后由上述第一聚氨酯形成用溶液形成第一聚氨酯层部的步骤；
在第二哑光膜上涂敷第二聚氨酯形成用溶液后由上述第二聚氨酯形成用溶液形成第二聚氨酯层部的步骤；
在中间层部的介入下使形成于上述第一哑光膜的上述第一聚氨酯层部与形成于上述第二哑光膜的上述第二聚氨酯层部相互接合，形成在上述第一聚氨酯层部上依次配置上述中间层部和上述第二聚氨酯层部的接合结构的步骤；以及
从上述第一聚氨酯层部去除上述第一哑光膜，从上述第二聚氨酯层部去除上述第二哑光膜的步骤，
上述第一聚氨酯层部在上述中间层部的相对侧具有第一面，上述第一面具有用于离型性的第一微凹凸部，
上述第二聚氨酯层部在上述中间层部的相对侧具有第二面，上述第二面具有用于离型性的第二微凹凸部，
上述第一聚氨酯层部及第二聚氨酯层部包含具有交联结合的热固性聚氨酯。
13.根据权利要求12所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，利用卷对卷工序进行上述形成第一聚氨酯层部的步骤、上述形成第二聚氨酯层部的步骤以及上述形成接合结构的步骤。
14.根据权利要求12所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，利用微凹版涂布机、缺角轮涂布机及狭缝挤出式涂布机中的一种进行上述形成第一聚氨酯层部的步骤、上述形成第二聚氨酯层部的步骤以及上述形成接合结构的步骤。
15.根据权利要求12所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，上述中间层部为粘结层。
16.根据权利要求15所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，上述粘结层包含氨基甲酸乙脂类聚合物。
17.根据权利要求12所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，上述中间层部具有上述第一聚氨酯层部不同的物质组成。
18.根据权利要求12所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，上述中间层部具有与上述第一聚氨酯层部相同的物质组成。
19.根据权利要求12所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，还包括：
在从上述第一聚氨酯层部去除上述第一哑光膜的同时，在上述第一聚氨酯层部的上述第一面涂敷第一离型剂并附着粘结膜的步骤；以及
在从上述第二聚氨酯层部去除上述第二哑光膜的同时，在上述第二聚氨酯层部的上述第二面涂敷第二离型剂的步骤。
20.一种半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，
包括：
在哑光膜上涂敷第一聚氨酯形成用溶液后由上述第一聚氨酯形成用溶液形成第一聚氨酯层部的步骤；
在上述第一聚氨酯层部上涂敷第二聚氨酯形成用溶液后由上述第二聚氨酯形成用溶液形成第二聚氨酯层部的步骤；以及
从上述第一聚氨酯层部去除上述哑光膜的步骤，
上述第一聚氨酯层部在上述中间层部的相对侧具有第一面，上述第一面具有用于离型性的第一微凹凸部，
上述第二聚氨酯层部在上述中间层部的相对侧具有第二面，上述第二面具有用于离型性的第二微凹凸部，
上述第一聚氨酯层部及第二聚氨酯层部包含具有交联结合的热固性聚氨酯。
21.根据权利要求20所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，利用卷对卷工序进行上述形成第一聚氨酯层部的步骤及上述形成第二聚氨酯层部的步骤。
22.根据权利要求20所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，利用微凹版涂布机、缺角轮涂布机及狭缝挤出式涂布机中的一种进行上述形成第一聚氨酯层部的步骤及上述形成第二聚氨酯层部的步骤。
23.根据权利要求20所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，
在上述形成第一聚氨酯层部的步骤后，还包括在上述第一聚氨酯层部上涂敷中间层部形成用溶液后由上述中间层部形成用溶液形成中间层部的步骤，
上述第二聚氨酯层部形成于上述中间层部上。
24.根据权利要求23所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，上述中间层部具有与上述第一聚氨酯层部相同的物质组成。
25.根据权利要求19或23所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，上述第二聚氨酯形成用溶液包含无机物，由上述无机物在上述第二聚氨酯层部的上述第二面形成上述第二微凹凸部。
26.根据权利要求25所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，上述无机物包含二氧化硅、碳酸钙及硫酸钡中的至少一种。
27.根据权利要求20所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，还包括：
在上述第二聚氨酯层部的上述第二面涂敷第一离型剂并附着粘结膜的步骤；
在从上述第一聚氨酯层部去除上述哑光膜的同时，在上述第一聚氨酯层部的上述第一面涂敷第二离型剂的步骤。
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