CN104428874A - 半导体晶元表面保护粘结膜及其制备方法 - Google Patents

半导体晶元表面保护粘结膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104428874A
CN104428874A CN201380036862.3A CN201380036862A CN104428874A CN 104428874 A CN104428874 A CN 104428874A CN 201380036862 A CN201380036862 A CN 201380036862A CN 104428874 A CN104428874 A CN 104428874A
Authority
CN
China
Prior art keywords
base material
adhesive film
material film
film
mentioned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380036862.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104428874B (zh
Inventor
金民政
赵显珠
徐周用
李在官
金章淳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chemical Co Ltd filed Critical LG Chemical Co Ltd
Publication of CN104428874A publication Critical patent/CN104428874A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104428874B publication Critical patent/CN104428874B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C09J2433/006—Presence of (meth)acrylic polymer in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2475/00—Presence of polyurethane
    • C09J2475/006—Presence of polyurethane in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本发明提供一种粘结膜，其特征在于，上述粘结膜包括：基材膜，拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上；以及粘结层，形成于上述基材膜上。并且，本发明提供一种粘结膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯单体的组合物的步骤，使上述组合物固化来形成基材膜的步骤，以及在上述基材膜上形成粘结层的步骤；上述基材膜的拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上。

Description

半导体晶元表面保护粘结膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种半导体晶元(semiconductor wafer)表面保护粘结膜及其制备方法。更详细地涉及一种以将上述粘结膜附着于晶元之后切断时产生的毛刺(Burr)最小化为特征的粘结膜。
背景技术
最近，随着电子产品的小型化及轻量化等急剧变化，对半导体封装件的无铅(leadless)化、薄型化及芯片的高集成化的要求也逐渐增加。为了满足这种要求，同样，对上述半导体封装件所包括的晶元的大口径化及薄型化的要求也逐渐增加。
但是，随着大口径化，在背面磨削工序中频繁发生像晶元污染及龟裂一样的晶元的损坏，由此晶元加工用保护膜的作用尤为重要。
在韩国公开专利第10-2007-0019572号中提供了一种粘结片，对由丙烯酸(acrylate)类聚合物形成的中间层的初始弹性模量及损耗角正切、凝胶含量等进行限定，即使晶元表面的凹凸的高低差大，也可以适从其凹凸，但是，在工序过程中仍存在切断晶元时切断性明显变差的问题。像这样，在保护膜的切断性下降的情况下，在半导体加工工序过程中，因膜的切断不良而导致只能不连续地进行半导体加工工序，致使工序的有效性下降，当前，持续地对此进行研究。
发明内容
本发明要解决的技术问题
为了解决上述问题，本发明涉及一种半导体晶元表面保护粘结膜，其目的在于，调节粘结膜所包含的基材膜的弹性和韧性，在将粘结膜接合于半导体晶元表面并切断时，将粘结膜的切断碎屑的产生最小化。
技术方案
为了达成上述目的，本发明提供一种粘结膜，其特征在于，包括：基材膜，拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上；以及粘结层，形成于上述基材膜上。
并且，为了达成本发明的另一目的，本发明提供一种粘结膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物(Urethane acrylateoligomer)及丙烯酸酯单体的组合物的步骤，使上述组合物固化来形成基材膜的步骤，以及在上述基材膜上形成粘结层的步骤；上述基材膜的拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上。
有益效果
在半导体制备工序中，通过使用切断性及附着性卓越且缓冲性优秀的本发明的粘结膜，在晶元背面磨削等半导体制备工序中能够显著提高生产效率。
并且，通过使用利用本发明的制备方法来生产的粘结膜，在晶元附着上述粘结膜并切断时，膜中不产生异物，并且由于切断面干净，能够将毛刺(Burr)的产生最小化。
附图说明
图1示出了本发明的一实施例的粘结膜的剖视图。
图2示出了本发明的一实施例的包括剥离膜的粘结膜的剖视图。
图3示出了从基材膜的拉伸实验中得到的拉伸曲线(elongation graph)。
具体实施方式
参照后面要说明的实施例会让本发明的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法更加明确。但是，本发明并不局限于以下所公开的实施例，能够以互不相同的各种方式实施，本实施例只用于使本发明的公开内容更加完整，有助于本发明所属技术领域的普通技术人员完整地理解发明的范畴，本发明根据发明要求保护范围的范畴而定义。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的结构要素。
下面，对本发明进行详细的说明。
粘结膜
本发明提供一种粘结膜，其特征在于，包括：基材膜，拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上；以及粘结层，形成于上述基材膜上。
屈服强度表示在基材膜的拉伸试验中得到的拉伸曲线中从弹性区域到塑性区域的转折点上的力，以屈服强度为基准，将从拉伸长度0到屈服强度的拉伸曲线积分面积称为拉伸弹性区域面积，将从屈服强度到规定拉伸长度的拉伸曲线积分面积称为拉伸塑性区域面积。此时，弹性区域表示在向物质施加载荷的过程中除去载荷的情况下物质可恢复到初始状态的区域，与弹性区域相反，塑性区域表示即使除去载荷物质也无法回到原来状态的区域。
在本发明的情况下，其目的在于，提供一种在切断半导体晶元时能够将毛刺最小化的半导体晶元表面保护粘结膜，此时，特征在于，基材膜的拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下。优选地，上述面积比可以为0.005～0.015。上述面积比是利用拉伸弹性区域(B)的面积/拉伸塑性区域(A)的面积来计算的，在上述面积比大于0.015的情况下，存在产生很多毛刺的问题。并且，考虑到毛刺产生的最小化，可将利用拉伸弹性区域面积/拉伸塑性区域面积的面积比设为0.01以下。
更加详细地，在适用于半导体晶元的粘结膜中，在进行上述粘结膜所包括的基材膜的拉伸实验时，在弹性区域大于塑性区域的情况下，可维持优秀的弹性，但是，在晶元研磨工序时，具有晶元会弯曲一定程度的现象，即产生晶元的扭曲的担忧，在弹性区域小于塑性区域的情况下，基材膜的弹性下降，维持泥泞或柔软的状态，因而具有切断晶元时产生较少的毛刺的优点。因此，基材膜的弹性区域和塑性区域的比率在维持规定的粘结力及形状且使毛刺产生最小化的方面可成为重要的调节因素。
并且，本发明的特征在于，通过上述基材膜的拉伸试验测定出的延伸率为250％以上。延伸率的上限不受限制，但是，优选为，可以是250～400％以上。上述延伸率是指拉伸试验时材料增加的比率，在基材膜的延伸率小于250％的情况下，在晶元研磨工序时，具有产生晶元的龟裂或损坏的担忧。
上述基材膜的特征在于，包含30～70重量％的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及30～70重量％的丙烯酸酯单体。在上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物小于30重量％的情况下，针对光聚合性组合物的固化收缩率增加，很难实现基材膜，在上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物大于70重量％的情况下，作业粘度变高，导致作业性存在问题。
并且，在上述丙烯酸酯单体小于30重量％的情况下，具有基材膜的初始粘附力下降的担忧，在大于70重量％的情况下，具有因凝聚力下降而导致耐久性存在问题的担忧。
上述基材膜所包含的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物可将多元醇共聚物、异氰酸酯化合物和具有羟基的丙烯酸酯进行混合而合成。
上述多元醇共聚物包含(-CH2CH2O-)m或(-CH2CH(CH2CH3)O-)n(n，m＝整数)的反复单位，多元醇共聚物的优选例为聚酯多元醇(polyester polyol)、聚醚多元醇(polyether polyol)、聚碳酸酯多元醇(polycarbonate polyol)、聚己内酯多元醇(polycaprolactone polyol)或四氢呋喃环氧丙烷开环共聚物(tetrahydrofuranepropyleneoxide ring opening copolymer)等。
与其他多元醇相比，上述聚碳酸酯多元醇的耐水解性等耐久性及耐热性优秀，在形成本发明的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物时，韧性(toughness)也优秀，在这点上，优选的是上述聚碳酸酯多元醇。
根据情况，上述多元醇共聚物可以与山梨糖醇酐脂肪酸酯(sorbitan fatty acidester)、失水山梨醇脂肪酸酯(polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester)或它们的混合物一起混合使用。
优选地，上述异氰酸酯化合物具有1至3个异氰酸酯基，作为优选的例子，可以由2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-tolyene diisocyanate)、1,5-萘二异氰酸酯(1,5-Naphthalenediisocyanate)、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-二甲苯二异氰酸酯(1,3-Xylenediisocyanate)、1,4-二甲苯二异氰酸酯、1,6-己二异氰酸酯(1,6-hexanediisocyanate)、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI，isophoronediisocyanate)及它们的混合物组成。
具有上述羟基的丙烯酸酯，例如，可以包含2-(甲基)丙烯酸羟乙酯、2-(甲基)丙烯酸羟丙酯、4-(甲基)丙烯酸羟丁酯、6-(甲基)丙烯酸羟己酯，8-(甲基)丙烯酸羟辛酯等。
并且，可以向上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物添加氨基甲酸乙酯反应催化剂、聚合引发剂等。上述氨基甲酸乙酯反应催化剂是在氨基甲酸乙酯反应中少量添加的催化剂，作为其优选的例子，可以包含环烷酸铜(copper naphthenate)、环烷酸钴、环烷酸锌、月桂酸丁基锡(butyltinlaurate)、三乙胺(tristhylamine)或2-(甲基)三乙烯二酰胺。
并且，作为上述聚合引发剂的优选的例子，可以由二月桂酸二丁基锡(DBTDL，dibutyltin dilaurate)、对苯二酚(hydroquinone)、氢醌单甲醚、苯醌，吩噻嗪及它们的混合物组成。
更加详细地，上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物的重均分子量可以为5000～50000。在上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯的重均分子量小于5000的情况下，具有延伸率变低的担忧，在大于50000的情况下，因高的粘度而导致作业性存在问题。
上述基材膜所包含的上述丙烯酸酯单体的种类不受特别的限制，例如，可以使用烷基丙烯酸酯。此时，若单体所包含的烷基过于成为长链，则具有粘结剂的凝聚力下降且很难调节玻璃化转变温度(Tg)或粘结性的担忧，因此优选地，使用具有碳原子数为1至12的烷基的烷基丙烯酸酯。
作为这种单体的例子，可例举丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-乙基丁酯、丙烯酸-2-羟乙酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸异壬酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸酚酯及丙烯酸十四酯，可以混合它们中的一个以上来使用。
上述基材膜将上述丙烯酸酯单体的种类中丙烯酸异冰片酯、丙烯酸-2-羟乙酯作为必需成分包含。作为丙烯酸酯单体包含丙烯酸异冰片酯、丙烯酸-2-羟乙酯时，基材膜具有可以与粘结层兼容的粘结力和优秀的耐水性。
并且，在本发明中，在将上述丙烯酸异冰片酯或丙烯酸-2-羟乙酯与氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物进行混合的情况下，在作为晶元的保护膜来适用时，具有因对晶元表面的湿润性、耐水性及再剥离性更加优秀，能够得到将毛刺产生最小化的基材膜的优点。
本发明的基材膜可包含规定含量的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯单体，还可以追加包含0.01～5.0重量％的光引发剂。在上述光引发剂小于0.01重量％的情况下，具有固化速度明显下降，导致固化效率下降的担忧，在上述光引发剂大于5.0重量％的情况下，存在因残存成分而导致的物理性质降低的问题。
作为上述光引发剂，可以使用能够商业性地得到的西巴-盖吉(Ciba Geigy)公司的艳佳固(Irgacure)#184(羟基环己基苯基酮(hydroxycyclohexyl phenylketone))、艳佳固#907(2-甲基-1-[4-(甲硫)苯基]-2-吗啉代-丙-1-酮(2-methyl-1[4-(methythio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-on))、艳佳固#500(羟基酮和苯甲酮(hydroxy-ketones and benzo phoenone))、艳佳固#651(苯偶酰二甲基酮(benzildimethyl-ketone))、德牢固(Darocure)#1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one))、德牢固#116、CGI#1800(双酰基氧化膦(bisacylphosphineoxide))或CGI#1700(双酰基氧化膦和苯甲酮(bisacylphosphine oxide and hydroxy ketone))。
并且，在本发明的基材膜中，作为其他添加制，可使用有效剂量的常规的消泡剂、流平剂或附着增强剂等，优选地，添加0.1～1重量％。
上述基材膜的特征在于，厚度为50～300μm。在上述基材膜的厚度小于50μm的情况下，在晶元研磨工序中无法吸收冲击，具有晶元变形的担忧，在大于300μm的情况下，在研磨加工之后，在从薄的晶元除去粘结膜时，存在因弯曲应力(bendingstress)而导致晶元损坏的担忧。
本发明提供一种粘结膜，其特征在于，包括基材膜10，拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上；粘结层20，形成于上述基材膜10上。此时，上述粘结层20的特征在于，包含硅酮类粘结剂、合成橡胶类粘合剂、天然橡胶类粘结剂或丙烯酸类粘结剂。
并且，在不对发明的效果产生影响的范围内，除了上述成分之外，上述粘结层还可以包含选自由粘结性赋予树脂、低分子量体、环氧树脂、固化剂、紫外稳定剂、防氧化剂、调色剂、增强剂、消泡剂、表面活性剂、发泡剂、有机盐、增稠剂及阻燃剂组成的组中的一个以上的添加制。
在本发明的基材膜上形成的粘结层的厚度优选为0.5～50μm，更优选为1～30μm。在上述粘结层的厚度超过上述范围的情况下，很难得到均匀的粘结层，导致具有膜的物理性质不均匀的担忧。更加详细地，在粘结层的厚度小于0.5μm的情况下，具有粘结力下降的担忧，在大于50μm的情况下，具有因粘附力增加在除去粘结膜时晶元残存粘结膜的问题。
本发明的粘结膜除了基材膜及粘结层之外还可以包括形成于上述粘结层上的剥离膜。如上所述的剥离膜的具体的种类不受特别的限制，例如，可以使用利用硅酮或醇酸类的离型剂来对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET，polyethylene terephthalate)膜或烯烃类膜等的单面或双面进行离型处理的膜。根据其用途，适当地设定如上所述的剥离膜的厚度，该厚度不受特别的限制，例如，可以在10～70μm的范围内适当地选择。
本发明的粘结膜可以作为半导体晶元背面磨削时的保护膜等半导体加工用膜来利用。这种本发明的粘结膜因使用满足上述特征性的物理性质的基材膜而呈现优秀的切断性、附着性、缓和性及缓冲性，从而可以在晶元的背面磨削等工序中提高产品的量产效率。
粘结膜的制备方法
并且，本发明提供一种粘结膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯单体的组合物的步骤，使上述基材膜组合物固化来形成基材膜的步骤，以及在上述基材膜上形成粘结层的步骤；上述基材膜的拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上。
本发明的粘结膜的制备方法包括制备包含上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯单体的组合物的步骤。此时，利用常规的方法，例如，依次添加氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物、丙烯酸酯单体及光引发剂等，并在常温下以1000rpm(每分钟转数)以上的均匀的速度进行搅拌来得到上述组合物。
可通过光照射对上述组合物执行UV固化，来形成基材膜，并在固化的上述基材膜上形成粘结层。此时，在上述基材膜上形成粘结层的方法不受特别的限制。
例如，可以使用利用棒式涂敷、刮刀式涂敷、辊涂、溅射式涂敷、凹版涂敷、帘式淋涂、逗号刮涂和/或边缘式涂敷等方式来直接在上述基材膜的表面涂敷粘结剂涂敷液并干燥的方法，或者将粘结剂涂敷液涂敷在剥离性基材的表面并干燥之后将形成于上述剥离性基材的表面的粘结剂层转印到基材膜表面并进行时效处理的方法等。
本发明的粘结膜用于保护半导体晶元表面，可通过如下的步骤在半导体晶元的单面加工半导体晶元：附着粘结膜的步骤，该粘结膜包括拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上的基材膜和形成于上述基材膜上的粘结层；及对附着有上述粘结膜的半导体晶元进行加工的步骤。
此时，上述半导体晶元的加工可包括背面磨削或切割工序，利用压制法或热辊层压法等方式将上述粘结膜合在晶元，并使上述粘结膜固定于像研磨机一样的磨削工具之后，执行背面磨削工序。
如上所述，本发明的粘结膜包括具有规定的拉伸弹性区域及拉伸塑性区域的面积比及延伸率的基材膜，从而将切断晶元时产生的毛刺最小化，进而因对晶元的湿润性、剥离性及耐水性等优秀，而能够有效地适用于背面磨削工序，并且在执行上述背面磨削工序之后，可连续地执行晶元的切割、小片接合、引线键合及成型等常规的半导体封装件工序。
以上，以本发明的实施例为中心进行了说明，但这仅是示例，如果是本发明所属技术领域的普通技术人员应当理解能够从中实施各种变形及等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应借助所附的发明要求保护范围而进行判断。
实施例及比较例
<制备例A>
使53重量％聚碳酸酯多元醇和27重量％异佛尔酮二异氰酸酯在80℃条件下进行反应之后，添加20重量％丙烯酸羟乙酯使它们反应，由此制备出氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物。
<制备例B>
使用68重量％聚碳酸酯多元醇、22重量％异佛尔酮二异氰酸酯及10重量％丙烯酸羟乙酯，像上述制备例A一样制备出氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物。
<制备例C>
使用70重量％聚醚多元醇、20重量％异佛尔酮二异氰酸酯及10重量％丙烯酸羟乙酯，像上述制备例A一样制备出氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物。
<制备例D>
使用81重量％聚醚多元醇、10重量％异佛尔酮二异氰酸酯及9重量％丙烯酸羟乙酯，像上述制备例A一样制备出氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物。
表1
多元醇共聚物 聚异氰酸酯 分子量
A 53重量％聚碳酸酯多元醇 27重量％异佛尔酮二异氰酸酯 5200
B 68重量％聚碳酸酯多元醇 22重量％异佛尔酮二异氰酸酯 14800
C 70重量％聚醚多元醇 20重量％异佛尔酮二异氰酸酯 15500
D 81重量％聚醚多元醇 10重量％异佛尔酮二异氰酸酯 45000
在常温下，以1500rpm的均匀的速度对按上表1制备的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物和下表2的丙烯酸酯单体进行搅拌，得到实施例及比较例的组合物，并对上述组合物进行UV固化，由此形成厚度160μm的基材膜。
表2
实验例—通过拉伸试验的毛刺产生程度测定
以向测量仪器(XP plus，TA公司(制))的机械方向10mm且向与机械方向正交的方向80mm的大小裁剪基材膜，制备出试片之后，利用胶带以试片的纵向(与机械方向正交的方向)按20mm的长度缠绕试片的上端和下端。随后，利用测量仪器来固定缠绕(taping)在试片的上端及下端的部分(20mm)，并在300mm/min的拉伸速度的条件下进行拉伸，同时将根据试片切断为止的距离(distance)所测定的载荷(force)的曲线图(X轴：距离，Y轴：力)适用于膜的宽度及厚度，并通过延伸率(elongation)和拉伸强度(tensile strength)的曲线图(X轴：延伸率，Y轴：拉伸强度)来表示。
1)以拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)＝屈服强度为基准，从拉伸长度0到屈服强度为止的拉伸曲线积分面积/从屈服强度到规定拉伸长度为止的拉伸曲线积分面积
2)延伸率＝(断裂时长度―初始长度)/初始长度×100
3)在将毛刺(Burr)＝速度设为10m/min，来切割上述实施例及比较例的基材膜100m时，毛刺(Burr)的数量为50个以下的情况下用○表示，50-200个用Δ表示，200个以上用X表示。
表3
将如上地测定出的延伸率、拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)及是否产生毛刺的结果整理并记载在上表3中。参照实验结果，在实施例1至实施例4的情况下，测定出基材膜的延伸率为250％以上，伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下。并且，通过切割基材膜来测定出是否产生了毛刺，其结果，所有的毛刺的数量均为50个以下，这表示产生了最小限度的毛刺。
特别是，在形成氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物时，包含多元醇共聚物，使用聚碳酸酯多元醇来制备的实施例1及实施例2的情况与使用聚醚多元醇来制备的实施例3及实施例4的情况相比，抑制毛刺产生的效果更优秀。
与此相比，在测定出基材膜的延伸率为250％以下或者伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以上的比较例1至比较例4的情况下，表现出在切割时，毛刺的数量大于50个，甚至产生200个以上。

Claims (10)

1.一种粘结膜，其特征在于，包括：
基材膜，拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下，且延伸率为250％以上；以及
粘结层，其形成于所述基材膜上。
2.根据权利要求1所述的粘结膜，其特征在于，所述基材膜包含30～70重量％的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及30～70重量％的丙烯酸酯单体。
3.根据权利要求2所述的粘结膜，其特征在于，所述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物的重均分子量为5000～50000。
4.根据权利要求2所述的粘结膜，其特征在于，所述丙烯酸酯单体包含丙烯酸异冰片酯及丙烯酸-2-羟乙酯。
5.根据权利要求2所述的粘结膜，其特征在于，所述基材膜还包含0.01～5.0重量％的光引发剂。
6.根据权利要求1所述的粘结膜，其特征在于，所述基材膜的厚度为50～300μm。
7.根据权利要求1所述的粘结膜，其特征在于，所述粘结层包含硅酮类粘结剂、合成橡胶类粘合剂、天然橡胶类粘结剂或丙烯酸类粘结剂。
8.根据权利要求1所述的粘结膜，其特征在于，所述粘结层的厚度为0.5～50μm。
9.根据权利要求1所述的粘结膜，其特征在于，还包含形成于所述粘结层上的剥离膜。
10.一种粘结膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
制备包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯单体的组合物的步骤，
使所述组合物固化来形成基材膜的步骤，以及
在所述基材膜上形成粘结层的步骤；
其中，所述基材膜的拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下，且延伸率为250％以上。
CN201380036862.3A 2012-07-10 2013-07-10 半导体晶元表面保护粘结膜及其制备方法 Active CN104428874B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120074865A KR101539133B1 (ko) 2012-07-10 2012-07-10 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법
KR10-2012-0074865 2012-07-10
PCT/KR2013/006127 WO2014010933A1 (ko) 2012-07-10 2013-07-10 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104428874A true CN104428874A (zh) 2015-03-18
CN104428874B CN104428874B (zh) 2017-04-05

Family

ID=49916304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380036862.3A Active CN104428874B (zh) 2012-07-10 2013-07-10 半导体晶元表面保护粘结膜及其制备方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6306581B2 (zh)
KR (1) KR101539133B1 (zh)
CN (1) CN104428874B (zh)
TW (1) TWI560256B (zh)
WO (1) WO2014010933A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110997851A (zh) * 2017-08-22 2020-04-10 阿科玛法国公司 烯丙基官能化的氨基甲酸酯低聚物以及用于涂料和粘合剂的相关组合物
CN115461222A (zh) * 2021-01-15 2022-12-09 希利特株式会社 半导体封装用离型膜及其制备方法
WO2023272500A1 (zh) * 2021-06-29 2023-01-05 华为技术有限公司 光学胶及其制备方法、显示屏与终端设备

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101932489B1 (ko) * 2014-07-30 2018-12-27 주식회사 엘지화학 광경화성 점접착제 조성물, 점접착 필름 및 점접착 필름의 제조 방법
JP6940217B2 (ja) 2017-05-18 2021-09-22 株式会社ディスコ ウェハ処理に使用する為の保護シーティング、ウェハ、ウェハ及び保護シーティングの組合せの取扱いシステム
KR102155493B1 (ko) * 2017-05-29 2020-09-14 주식회사 엘지화학 다층 마킹 필름
KR102465207B1 (ko) * 2018-09-19 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 보호 필름 및 그것을 포함하는 전자 기기
KR102473246B1 (ko) * 2020-09-29 2022-12-02 주식회사 연우 방수테이프 및 이의 제조방법
CN115340830B (zh) * 2022-09-20 2023-07-25 威士达半导体科技(张家港)有限公司 一种半导体材料加工用切割胶带

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH024736A (ja) * 1988-06-22 1990-01-09 Hitachi Maxell Ltd ポリカーボネートポリオール、芳香族ポリカーボネートポリウレタン樹脂、コーティング材、キャストフィルム、磁気記録媒体
US5820958A (en) * 1997-07-01 1998-10-13 Swallow; Kevin W. Non-cracking, smooth, and flat patch for wall cracks
JPH11189762A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Nippon Kayaku Co Ltd 粘着シート基材用樹脂組成物、粘着シート用基材及びそれを用いた粘着シート
JP2000309615A (ja) * 1999-04-26 2000-11-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 光硬化性樹脂組成物及び光ファイバー用被覆材
JP5192622B2 (ja) * 2001-02-06 2013-05-08 アキレス株式会社 ダイシング用基体フィルム
JP4812963B2 (ja) * 2001-05-18 2011-11-09 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
KR100922226B1 (ko) * 2007-12-10 2009-10-20 주식회사 엘지화학 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치
JP5367990B2 (ja) * 2008-01-25 2013-12-11 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法
JP5367996B2 (ja) * 2008-03-21 2013-12-11 リンテック株式会社 粘着シートの基材フィルムおよび粘着シート
KR101114358B1 (ko) * 2008-04-21 2012-03-14 주식회사 엘지화학 점착 필름 및 이를 사용한 백라인딩 방법
US20110091676A1 (en) * 2008-04-21 2011-04-21 Lg Chem, Ltd Pressure-sensitive adhesive film and back-grinding method using the same
JP4851613B2 (ja) * 2009-12-22 2012-01-11 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
KR101682720B1 (ko) * 2010-07-16 2016-12-06 주식회사 엘지화학 반도체 웨이퍼 가공 방법
JP5548109B2 (ja) * 2010-11-30 2014-07-16 リンテック株式会社 粘着シート用基材フィルムの製造方法、粘着シート用基材フィルムおよび粘着シート

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110997851A (zh) * 2017-08-22 2020-04-10 阿科玛法国公司 烯丙基官能化的氨基甲酸酯低聚物以及用于涂料和粘合剂的相关组合物
CN115461222A (zh) * 2021-01-15 2022-12-09 希利特株式会社 半导体封装用离型膜及其制备方法
WO2023272500A1 (zh) * 2021-06-29 2023-01-05 华为技术有限公司 光学胶及其制备方法、显示屏与终端设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140015686A (ko) 2014-02-07
JP6306581B2 (ja) 2018-04-04
KR101539133B1 (ko) 2015-07-23
WO2014010933A1 (ko) 2014-01-16
JP2015527439A (ja) 2015-09-17
CN104428874B (zh) 2017-04-05
TW201402770A (zh) 2014-01-16
TWI560256B (en) 2016-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104428874A (zh) 半导体晶元表面保护粘结膜及其制备方法
CN105086730B (zh) 一种双组分固化uv减粘胶
CN100362069C (zh) 表面保护膜用胶粘剂与表面保护膜
CN102333834B (zh) 表面保护膜用粘合剂组合物及其利用
JP5639448B2 (ja) アクリル系粘着剤組成物、アクリル系粘着剤及び粘着剤層付き光学部材
TWI491691B (zh) 黏著劑組成物及表面保護膜
TWI580569B (zh) Adhesive sheet
CN110093107B (zh) 粘合片及其制造方法、以及图像显示装置的制造方法
KR102008183B1 (ko) 점착제 조성물, 점착필름 및 화상표시장치
KR20130140537A (ko) 라디칼 경화성 핫 멜트 우레탄 수지 조성물, 및 광학용 성형체
CN102186924A (zh) 光聚合的树脂组合物和使用该光聚合的树脂组合物制造的光纤
JP6528259B2 (ja) 表面保護フィルム
CN103360997A (zh) 粘着性组合物，粘着剂以及粘着片
CN110093111B (zh) 粘合片及其制造方法、以及图像显示装置
TWI656187B (zh) 光學黏結劑用光固化性組合物、適用其的圖像顯示裝置及圖像顯示裝置的製造方法
TW201936867A (zh) 黏著劑、硬化性黏著劑組合物、黏著片及其製造方法
TW201932562A (zh) 黏著片及其製造方法、以及黏著性膜
KR20130031033A (ko) 광학용 점착제 조성물, 이를 이용한 점착제층 및 점착 시트
KR102412526B1 (ko) 광 습기 경화성 점접착제 조성물 및 이의 제조방법
JP7471720B2 (ja) 表面保護フィルム
TW201319195A (zh) 黏著劑組合物之製造方法
CN105008477A (zh) 双面粘贴片
TW202039756A (zh) 黏著片材及其製造方法、與圖像顯示裝置
US20220162360A1 (en) Curable Composition
CN115595073B (zh) 粘合片及其制造方法、以及图像显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20170123

Address after: Seoul, Korea

Applicant after: LG CHEM, Ltd.

Address before: Seoul, Korea

Applicant before: LG HAUSYS, Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant