TW201402770A - 用於半導體晶圓之表面保護黏結膜及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種黏結膜，包括：一基材膜，拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上；以及一黏結層，形成於該基材膜上。並且，本發明提供一種黏結膜的製備方法，包括如下步驟：製備一包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯單體的組合物；使該組合物固化而形成一基材膜；以及在該基材膜上形成一黏結層，其中該基材膜的拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上。

Description

用於半導體晶圓之表面保護黏結膜及其製備方法
本發明是關於一種用於半導體晶圓之表面保護黏結膜及其製備方法，特別是關於一種以將該黏結膜黏合於晶圓之後切斷時產生的毛邊(Burr)最小化為特徵的黏結膜。
近年來，隨著電子產品的小型化及輕量化等急劇變化，對半導體封裝件的無鉛(leadless)化、薄型化及晶圓之高整合化的要求也逐漸增加。為了滿足這種要求，同樣，對該半導體封裝件所包括之晶圓的大口徑化及薄型化的要求也逐漸地增加。
但是，隨著大口徑化，在背面磨削程序中頻繁發生像晶圓污染及龜裂一樣的晶圓的損壞，由此晶圓加工用保護膜的作用尤為重要。
在韓國公開專利第10-2007-0019572號中提供了一種黏結片，對由丙烯酸(acrylate)類聚合物形成的中間層的初始彈性模量及損耗角正切、凝膠含量等進行限定，即使晶圓表面的凹凸的高低差大，也可以適從其凹凸，但是，在程序過程中仍存在著切斷晶圓時切斷性明顯變差的問題。像這樣，在保護膜的切斷性下降的情況下，在半導體加工程序過程中，因膜的切斷不良而導致只能不連續地進行半導體加工程序，致使程序的有效性下降，當前，持續地對此進行研究。
為了解決上述問題，本發明是關於一種用於半導體晶圓之表面保護黏結膜，其目的在於，調節黏結膜所包含的基材膜之彈性和韌性， 在將黏結膜接合於半導體晶圓表面並切斷時，將黏結膜之切斷碎屑的產生最小化。
為了達成上述目的，本發明提供一種黏結膜，包括：一基材膜，拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上；以及一黏結層，形成於該基材膜上。
並且，為了達成本發明的另一目的，本發明提供一種黏結膜的製備方法，包括如下步驟：製備一包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物(urethane acrylate oligomer)及丙烯酸酯單體的組合物；使該組合物固化而形成一基材膜；以及在該基材膜上形成一黏結層，其中該基材膜的拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上。
在半導體製備程序中，藉由使用切斷性及附著性卓越且緩衝性優異的本發明之黏結膜，在晶圓背面磨削等半導體製備程序中能夠顯著提高生產效率。
並且，藉由使用利用本發明的製備方法來生產的黏結膜，在晶圓黏合該黏結膜並切斷時，膜中不產生異物，並且由於切斷面乾淨，能夠將毛邊(Burr)的產生最小化。
10‧‧‧基材膜
20‧‧‧黏結層
30‧‧‧剝離膜
100‧‧‧黏結膜
第1圖繪示本發明一實施例中黏結膜的剖視圖。
第2圖繪示本發明一實施例中包括剝離膜之黏結膜的剖視圖。
第3圖繪示從基材膜的拉伸實驗中得到的拉伸曲線(elongation graph)。
以下參照附圖詳細說明的實施例將會使得本發明的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法更加明確。但是，本發明不局限於以下所公開的實施例，本發明能夠以互不相同的各種方式實施，本實施例只 用於使本發明的公開內容更加完整，有助於本發明所屬技術領域的普通技術人員能夠完整地理解本發明之範疇，本發明是根據申請專利範圍而定義。在說明書全文中，相同的附圖標記表示相同的結構元件。
以下，對本發明進行詳細的說明。
黏結膜
本發明提供一種黏結膜，包括：一基材膜，拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上；以及一黏結層，形成於該基材膜上。
屈服強度表示在基材膜的拉伸試驗中得到的拉伸曲線中從彈性區域到塑性區域的轉捩點上的力，以屈服強度為基準，將從拉伸長度0到屈服強度的拉伸曲線積分面積稱為拉伸彈性區域面積，將從屈服強度到規定拉伸長度的拉伸曲線積分面積稱為拉伸塑性區域面積。此時，彈性區域表示在向物質施加載荷的過程中除去載荷的情況下物質可恢復到初始狀態的區域，與彈性區域相反，塑性區域表示即使除去載荷物質也無法回到原來狀態的區域。
在本發明的情況下，其目的在於，提供一種在切斷半導體晶圓時能夠將毛邊最小化的用於半導體晶圓之表面保護黏結膜，於此，基材膜的拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下。較佳地，上述面積比可以為0.005~0.015。上述面積比是利用拉伸彈性區域(B)的面積/拉伸塑性區域(A)的面積來計算的，在上述面積比大於0.015的情況下，會存在著產生很多毛邊的問題。並且，考慮到毛邊產生的最小化，可將利用拉伸彈性區域面積/拉伸塑性區域面積的面積比設為0.01以下。
更加詳細地，在適用於半導體晶圓的黏結膜中，在進行該黏結膜所包括的基材膜的拉伸實驗時，在彈性區域大於塑性區域的情況下，可維持優異的彈性，但是，在晶圓研磨程序時，具有晶圓會彎曲一定程度的現象，即產生晶圓的扭曲的擔憂，在彈性區域小於塑性區域的情況下，基材膜的彈性下降，維持泥濘或柔軟的狀態，因而具有切斷晶圓時產生較少的毛邊的優點。因此，基材膜的彈性區域和塑性區域的比率在維持規定 的黏結力及形狀且使毛邊產生最小化的方面可成為重要的調節因素。
並且，本發明的特徵在於，藉由該基材膜的拉伸試驗測定出的延伸率為250%以上。延伸率的上限不受限制，但是，較佳可以是250~400%以上。上述延伸率是指拉伸試驗時材料增加的比率，在基材膜的延伸率小於250%的情況下，在晶圓研磨程序時，具有產生晶圓的龜裂或損壞的擔憂。
該基材膜包含30~70重量百分比的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及30~70重量百分比的丙烯酸酯單體。在該氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物小於30重量百分比的情況下，針對光聚合性組合物的固化收縮率增加，很難實現基材膜，在該氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物大於70重量百分比的情況下，作業黏度變高，導致作業性存在問題。
並且，在該丙烯酸酯單體小於30重量%的情況下，具有基材膜的初始黏附力下降的擔憂，在大於70重量%的情況下，具有因凝聚力下降而導致耐久性存在問題的擔憂。
該基材膜所包含的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物可將多元醇共聚物(polyol copolymer)、異氰酸酯化合物和具有羥基的丙烯酸酯進行混合而合成。
該多元醇共聚物包含(-CH2CH2O-)m或(-CH2CH(CH2CH3)O-)n(n，m=整數)的反覆單位，多元醇共聚物的優選例為聚酯多元醇(polyester polyol)、聚醚多元醇(polyether polyol)、聚碳酸酯多元醇(polycarbonate polyol)、聚己內酯多元醇(polycaprolactone polyol)或四氫呋喃環氧丙烷開環共聚物(tetrahydrofurane propyleneoxide ring opening copolymer)等。
與其他多元醇相比，該聚碳酸酯多元醇的耐水解性等耐久性及耐熱性優異，在形成本發明的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物時，韌性(toughness)也優異，在這點上，較佳的是該聚碳酸酯多元醇。
根據情況，該多元醇共聚物可以與山梨糖醇酐脂肪酸酯(sorbitan fatty acid ester)、失水山梨醇脂肪酸酯(polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester)或它們的混合物一起混合使用。
較佳地，該異氰酸酯化合物具有1至3個異氰酸酯基，作為優選的範例，可以由2,4-甲苯二異氰酸酯(2,4-tolyene diisocyanate)、1,5-萘二異氰酸酯(1,5-Naphthalenediisocyanate)、2,6-甲苯二異氰酸酯(2,6-tolyene diisocyanate)、1,3-二甲苯二異氰酸酯(1,3-Xylenediisocyanate)、1,4-二甲苯二異氰酸酯(1,4-Xylenediisocyanate)、1,6-己二異氰酸酯(1,6-hexanediisocyanate)、異佛爾酮二異氰酸酯(isophoronediisocyanate,IPDI)及它們的混合物組成。
具有上述羥基的丙烯酸酯，例如，可以包含2-(甲基)丙烯酸羥乙酯(2-hydroxyethyl methacrylate)、2-(甲基)丙烯酸羥丙酯(2-hydroxypropyl methacrylate)、4-(甲基)丙烯酸羥丁酯(4-hydroxybutyl methacrylate)、6-(甲基)丙烯酸羥己酯(6-hydroxyhexyl methacrylate)，8-(甲基)丙烯酸羥辛酯(8-hydroxyoctyl methacrylate)等。
並且，可以向該氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物添加氨基甲酸乙酯反應催化劑、聚合引發劑等。該氨基甲酸乙酯反應催化劑是在氨基甲酸乙酯反應中少量添加的催化劑，作為其優選的範例，可以包含環烷酸銅(copper naphthenate)、環烷酸鈷(cobalt naphthenate)、環烷酸鋅(zinc naphthenate)、月桂酸丁基錫(butyltinlaurate)、三乙胺(tristhylamine)或2-(甲基)三乙烯二醯胺(2-methyl triethylene diamide)。
並且，作為該聚合引發劑的優選的範例，可以由二月桂酸二丁基錫(dibutyltin dilaurate,DBTDL)、對苯二酚(hydroquinone)、氫醌單甲醚(hydroquinone monomethyl ether)、苯醌(para-benzoquinone)，吩噻嗪(phenothiazine)及它們的混合物組成。
更加詳細地，該氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物的重均分子量可以為5000~50000。在該氨基甲酸乙酯丙烯酸酯的重均分子量小於5000的情況下，具有延伸率變低的擔憂，在大於50000的情況下，因高的黏度而導致作業性存在問題。
該基材膜所包含的該丙烯酸酯單體的種類不受特別的限制，例如，可以使用烷基丙烯酸酯(alkyl acrylate)。此時，若單體所包含的烷基過於成為長鏈，則具有黏結劑的凝聚力下降且很難調節玻璃化轉變 溫度(Tg)或黏結性的擔憂，因此較佳地，使用具有碳原子數為1至12之烷基的烷基丙烯酸酯。
作為這種單體的範例，可例舉丙烯酸甲酯(methyl acrylate)、丙烯酸乙酯(ethyl acrylate)、丙烯酸正丙酯(n-propyl acrylate)、丙烯酸異丙酯(isopropyl acrylate)、丙烯酸正丁酯(n-butyl acrylate)、丙烯酸叔丁酯(t-butyl acrylate)、丙烯酸仲丁酯(sec-butyl acrylate)、丙烯酸戊酯(pentyl acrylate)、丙烯酸2-乙基己酯(2-ethylhexyl acrylate)、丙烯酸2-乙基丁酯(2-ethylbutyl acrylate)、丙烯酸-2-羥乙酯(2-hydroxyethyl acrylate)、丙烯酸正辛酯(n-octyl acrylate)、丙烯酸異辛酯(isooctyl acrylate)、丙烯酸異冰片酯(isobornyl acrylate)、丙烯酸異壬酯(isononyl acrylate)、丙烯酸月桂酯(lauryl acrylate)、丙烯酸酚酯(phenol acrylate)及丙烯酸十四酯(tetradecyl acrylate)，可以混合它們中的一個以上來使用。
此時，出於該基材膜具有可以與黏結層相容的黏結力和優異的耐水性之觀點，較佳地，該基材膜可以包含丙烯酸異冰片酯或丙烯酸-2-羥乙酯。
並且，在本發明中，在將該丙烯酸酯單體與氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物進行混合的情況下，在作為晶圓的保護膜來適用時，具有因對晶圓表面的濕潤性、耐水性及再剝離性更加優異，能夠得到將毛邊產生最小化的基材膜之優點。
本發明的基材膜可包含規定含量的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯單體，還可以追加包含0.01~5.0重量%的光引發劑。在該光引發劑小於0.01重量%的情況下，具有固化速度明顯下降，導致固化效率下降的擔憂，在該光引發劑大於5.0重量%的情況下，存在著因殘存成分而導致的物理性質降低的問題。
作為該光引發劑，可以使用能夠由商業取得之西巴-蓋吉(Ciba Geigy)公司的豔佳固(Irgacure)#184(羥基環己基苯基酮(hydroxycyclohexyl phenylketone))、豔佳固#907(2-甲基-1-[4-(甲硫)苯基]-2-嗎啉代-丙-1-酮(2-methyl-1[4-(methythio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-on))、豔佳固#500(羥基酮和苯甲酮 (hydroxy-ketones and benzophoenone))、豔佳固#651(苯偶醯二甲基酮(benzildimethyl-ketone))、德牢固(Darocure)#1173(2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one))、德牢固#116、CGI#1800(雙醯基氧化膦(bisacylphosphineoxide))或CGI#1700(雙醯基氧化膦和苯甲酮(bisacylphosphine oxide and hydroxy ketone))。
並且，在本發明的基材膜中，作為其他添加劑，可使用有效劑量的常規之消泡劑、流平劑或附著增強劑等，較佳地，添加0.1~1重量%。
該基材膜的厚度為50~300μm。在該基材膜的厚度小於50μm的情況下，在晶圓研磨程序中無法吸收衝擊，具有晶圓變形的擔憂，在大於300μm的情況下，在研磨加工之後，在從薄的晶圓除去黏結膜時，存在因彎曲應力(bending stress)而導致晶圓損壞的擔憂。
本發明提供一種黏結膜，包括一基材膜10，拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上；一黏結層20，形成於該基材膜10上。於此，該黏結層20包含矽酮類黏結劑、合成橡膠類黏合劑、天然橡膠類黏結劑或丙烯酸類黏結劑。
並且，在不對發明的效果產生影響的範圍內，除了上述成分之外，該黏結層還可以包含選自由黏結性賦予樹脂、低分子量體、環氧樹脂、固化劑、紫外穩定劑、防氧化劑、調色劑、增強劑、消泡劑、表面活性劑、發泡劑、有機鹽、增稠劑及阻燃劑所組成之群組中的至少一種添加劑。
在本發明的基材膜上形成之黏結層的厚度較佳為0.5~50μm，更佳為1~30μm。在該黏結層的厚度超過上述範圍的情況下，很難得到均勻的黏結層，導致具有膜的物理性質不均勻的擔憂。更加詳細地，在黏結層的厚度小於0.5μm的情況下，具有黏結力下降的擔憂，在大於50μm的情況下，具有因黏附力增加在除去黏結膜時晶圓殘存黏結膜的問題。
本發明的黏結膜除了基材膜及黏結層之外還可以包括一形成於該黏結層上之剝離膜。如上所述的剝離膜的詳細種類不受特別的限 制，例如，可以使用利用矽酮或醇酸類的離型劑來對聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)膜或烯烴類膜等的單面或雙面進行離型處理的膜。根據其用途，適當地設定如上所述的剝離膜之厚度，該厚度不受特別的限制，例如，可以在10~70μm的範圍內適當地選擇。
本發明的黏結膜可以作為半導體晶圓背面磨削時的保護膜等半導體加工用膜來利用。這種本發明的黏結膜因使用滿足上述特徵性的物理性質的基材膜而呈現優異的切斷性、附著性、緩和性及緩衝性，從而可以在晶圓的背面磨削等程序中提高產品的量產效率。
黏結膜的製備方法
並且，本發明提供一種黏結膜的製備方法，包括如下步驟：製備一包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯單體的組合物；使該基材膜組合物固化而形成一基材膜；以及在該基材膜上形成一黏結層，其中該基材膜的拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上。
本發明之黏結膜的製備方法包括製備包含該氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯單體的組合物之步驟。此時，利用常規的方法，例如，依次添加氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物、丙烯酸酯單體及光引發劑等，並在常溫下以1000rpm(每分鐘轉數)以上的均勻的速度進行攪拌來得到該組合物。
可藉由光照射對該組合物執行UV固化，來形成基材膜，並在固化的該基材膜上形成黏結層。此時，在該基材膜上形成黏結層的方法不受特別的限制。
例如，可以使用利用棒式塗敷、刮刀式塗敷、輥塗、濺射式塗敷、凹版塗敷、簾式淋塗、逗號刮塗和/或邊緣式塗敷等方式來直接在該基材膜的表面塗敷黏結劑塗敷液並乾燥的方法，或者將黏結劑塗敷液塗敷在剝離性基材的表面並乾燥之後將形成於該剝離性基材的表面的黏結劑層轉印到基材膜表面並進行時效處理的方法等。
本發明的黏結膜用於保護半導體晶圓表面，可藉由如下的步驟在半導體晶圓的單面加工半導體晶圓：附著一黏結膜，該黏結膜包括拉 伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上的基材膜和形成於該基材膜上的黏結層；以及對附著有該黏結膜的半導體晶圓進行加工。
此時，該半導體晶圓的加工可包括背面磨削或切割程序，利用壓制法或熱輥層壓法等方式將該黏結膜黏合在晶圓，並使該黏結膜固定於像研磨機一樣的磨削工具之後，執行背面磨削程序。
如上所述，本發明的黏結膜包括具有規定的拉伸彈性區域及拉伸塑性區域的面積比及延伸率的基材膜，從而將切斷晶圓時產生的毛邊最小化，進而因對晶圓的濕潤性、剝離性及耐水性等優異，而能夠有效地適用於背面磨削程序，並且在執行該背面磨削程序之後，可連續地執行晶圓的切割、小片接合(die bonding)、引線鍵合(wire bonding)及成型等常規的半導體封裝件程序。
實施例及比較例
製備例A
使53重量%聚碳酸酯多元醇和27重量%異佛爾酮二異氰酸酯在80℃條件下進行反應之後，添加20重量%丙烯酸羥乙酯使它們反應，由此製備出氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物。
製備例B
使用68重量%聚碳酸酯多元醇、22重量%異佛爾酮二異氰酸酯及10重量%丙烯酸羥乙酯，像上述製備例A一樣製備出氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物。
製備例C
使用70重量%聚醚多元醇、20重量%異佛爾酮二異氰酸酯及10重量%丙烯酸羥乙酯，像上述製備例A一樣製備出氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物。
製備例D
使用81重量%聚醚多元醇、10重量%異佛爾酮二異氰酸酯及9重量%丙烯酸羥乙酯，像上述製備例A一樣製備出氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物。
在常溫下，以1500rpm的均勻的速度對按上表1製備的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物和下表2的丙烯酸酯單體進行攪拌，得到實施例及比較例的組合物，並對該組合物進行UV固化，由此形成厚度160μm的基材膜。
實驗例-藉由拉伸試驗的毛邊產生程度測定
以向測量儀器(XP plus，TA公司(製))的機械方向10mm且向與機械方向正交的方向80mm的大小裁剪基材膜，製備出試片之後，利用膠帶以試片的縱向(與機械方向正交的方向)按20mm的長度纏繞試 片的上端和下端。隨後，利用測量儀器來固定纏繞(taping)在試片的上端及下端的部分(20mm)，並在300mm/min的拉伸速度的條件下進行拉伸，同時將根據試片切斷為止的距離(distance)所測定的載荷(force)的曲線圖(X軸：距離，Y軸：力)適用於膜的寬度及厚度，並透過延伸率(elongation)和拉伸強度(tensile strength)的曲線圖(X軸：延伸率，Y軸：延伸率)來表示。
1)以拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)=屈服強度為基準，從拉伸長度0到屈服強度為止的拉伸曲線積分面積/從屈服強度到規定拉伸長度為止的拉伸曲線積分面積
2)延伸率=(斷裂時長度-初始長度)/初始長度×100
3)在將毛邊(Burr)=速度設為10m/min，來切割上述實施例及比較例的基材膜100m時，毛邊(Burr)的數量為50個以下的情況下用○表示，50-200個用△表示，200個以上用X表示。
將如上測定出之延伸率、拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)及是否產生毛邊的結果整理並記載在上表3中。參照實驗結果，在實施例1至實施例4的情況下，測定出基材膜的延伸率為250%以上，伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下。並且，藉由切割基材膜來測定出是否產生了毛邊，其結果，所有的毛邊的數量均為50個以下，這表示基本上都產生了毛邊。
特別是，在形成氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物時，包含多元醇共聚物，使用聚碳酸酯多元醇來製備的實施例1及實施例2的情況與使用聚醚多元醇來製備的實施例3及實施例4的情況相比，抑制毛邊產生的 效果更優異。
與此相比，在測定出基材膜的延伸率為250%以下或者伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以上的比較例1至比較例4的情況下，表現出在切割時，毛邊的數量大於50個，甚至產生200個以上。
雖然本發明已用較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧基材膜
20‧‧‧黏結層
100‧‧‧黏結膜

Claims (9)

  1. 一種黏結膜，包括：一基材膜，拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上；以及一黏結層，形成於該基材膜上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之黏結膜，其中該基材膜包含30~70重量百分比的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及30~70重量百分比的丙烯酸酯單體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之黏結膜，其中該氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物的重均分子量為5000~50000。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之黏結膜，其中該基材膜更包含0.01~5.0重量百分比的光引發劑。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之黏結膜，其中該基材膜的厚度為50~300μm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之黏結膜，其中該黏結層包含矽酮類黏結劑、合成橡膠類黏合劑、天然橡膠類黏結劑或丙烯酸類黏結劑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之黏結膜，其中該黏結層的厚度為0.5~50μm。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之黏結膜，其中更包含一形成於該黏結層上之剝離膜。
  9. 一種黏結膜的製備方法，包括以下步驟：製備一包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯單體的組合物； 使該組合物固化而形成一基材膜；以及在該基材膜上形成一黏結層，其中該基材膜的拉伸彈性區域(B)與拉伸塑性區域(A)的面積比(B/A)為0.015以下且延伸率為250%以上。
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