CN114930503A - 套件及半导体芯片的制造方法 - Google Patents

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根本拓
田村樱子
森下友尧
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Abstract

本发明的课题在于提供能够使半导体芯片的强度提高、同时能够抑制保护膜的剥落的包含固化性树脂膜的套件。作为解决该课题的套件，提供包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)的套件，所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。

Description

套件及半导体芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及套件及半导体芯片的制造方法。更具体而言，本发明涉及包含用于在半导体芯片形成固化树脂膜的固化性树脂膜的套件、以及利用了该套件的半导体芯片的制造方法。
背景技术
近年来，已使用被称为所谓倒装(face down)方式的安装法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，通过将在电路面具备凸块的半导体芯片和该半导体芯片搭载用基板以使该半导体芯片的电路面与该基板相对的方式层叠，从而将该半导体芯片搭载在该基板上。
需要说明的是，该半导体芯片通常是将在电路面具备凸块的半导体晶片进行单片化而得到的。
在具备凸块的半导体晶片上，有时出于对凸块与半导体晶片的接合部分(以下也称为“凸块颈部”)加以保护的目的而设有保护膜。
例如，在专利文献1及专利文献2中，将由支撑基材、粘合剂层及热固性树脂层依次层叠而成的层叠体以热固性树脂层为贴合面按压并粘贴于具备凸块的半导体晶片的凸块形成面之后，对该热固性树脂层进行加热以使其固化，由此形成了保护膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-092594号公报
专利文献2：日本特开2012-169484号公报
发明内容
发明要解决的问题
近年来，伴随着电子设备等IC嵌入式产品的小型化及薄型化，对于半导体芯片的薄型化也不断提出了更高的要求。然而，当半导体芯片变薄时，会导致半导体芯片的强度降低。因此，例如在运送半导体芯片、或实施将半导体芯片封装化的后续工序时，存在半导体芯片容易发生破损的问题。
为此，可考虑在半导体晶片的凸块形成面形成保护膜，在保护凸块颈部的同时谋求半导体芯片的强度的提高。但是，仅通过在半导体晶片的凸块形成面形成保护膜，并无法充分实现半导体芯片的强度的提高。另外，该保护膜有时会发生膜剥落。
于是，本发明人等想到了：通过将出于保护凸块颈部的目的而设置的保护膜不仅设于半导体芯片的凸块形成面还设于侧面、以及与凸块形成面为相反侧的面(背面)，用保护膜覆盖半导体芯片全部面，能够使半导体芯片的强度提高，同时能够抑制保护膜的剥落，可以构建出极为合理的构成。
本发明是基于这样的想法而完成的，课题在于提供能够使半导体芯片的强度提高、同时能够抑制保护膜的剥落的包含固化性树脂膜的套件、以及利用了该套件的半导体芯片的制造方法。
解决问题的方法
本发明人等经过了深入研究，结果发现了能够解决上述课题的发明的构成。
即，本发明涉及下述[1]～[15]。
[1]一种套件，其包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)，
所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，
所述第二固化性树脂膜(x2)用于在上述半导体芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
[2]上述[1]所述的套件，其中，上述第一固化性树脂膜(x1)满足下述条件(I)。
<条件(I)>
在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。
X＝Gc1/Gc300····(i)
[3]上述[1]或[2]所述的套件，其中，上述第一固化性树脂膜(x1)的层(X1)是形成为层叠于第一支撑片(Y1)的第一复合片(α1)而包含的层。
[4]上述[1]～[3]中任一项所述的套件，其中，上述第二固化性树脂膜(x2)的层(X2)是形成为层叠于第二支撑片(Y2)的第二复合片(α2)而包含的层。
[5]上述[1]～[4]中任一项所述的套件的使用方法，该方法包括：
将上述套件的第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，并且，
将上述套件的第二固化性树脂膜(x2)用于在上述半导体芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
[6]一种半导体芯片的制造方法，该方法使用上述[1]～[4]中任一项所述的套件，
该方法包括下述工序(S)及下述工序(T)，
·工序(S)：使用上述套件的第一固化性树脂膜(x1)在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的工序
·工序(T)：使用上述套件的第二固化性树脂膜(x2)在上述半导体芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)的工序
[7]上述[6]所述的半导体芯片的制造方法，其中，上述工序(S)依次包括下述工序(S1)～(S4)，
·工序(S1)：准备在具有凸块形成面的半导体晶片的上述凸块形成面以不到达背面的方式形成有作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片的工序，所述凸块形成面具备凸块；
·工序(S2)：将上述套件的第一固化性树脂(x1)按压并粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面，在利用第一固化性树脂(x1)包覆上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面的同时，使上述第一固化性树脂(x1)填入形成在上述半导体芯片制作用晶片上的上述槽部的工序；
·工序(S3)：使上述第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的工序；
·工序(S4)：将上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片沿着上述分割预定线进行单片化的工序
上述工序(S)在上述工序(S2)之后且上述工序(S3)之前、上述工序(S3)之后且上述工序(S4)之前、或上述工序(S4)中进一步包括下述工序(S-BG)。
·工序(S-BG)：对上述半导体芯片制作用晶片的上述背面进行磨削的工序
[8]上述[7]所述的半导体芯片的制造方法，其中，上述工序(S2)通过以下方式来实施：将具有使第一支撑片(Y1)和上述第一固化性树脂(x1)的层(X1)层叠而成的层叠结构的第一复合片(α1)以上述层(X1)为粘贴面按压并粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面。
[9]上述[8]所述的半导体芯片的制造方法，其中，
在上述工序(S2)之后且上述工序(S3)之前包括上述工序(S-BG)，
上述工序(S-BG)通过以下方式来实施：在粘贴有上述第一复合片(α1)的状态下对上述半导体芯片制作用晶片的上述背面进行了磨削之后，将上述第一支撑片(Y1)从上述第一复合片(α1)剥离，
上述工序(S4)通过以下方式来实施：对上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的上述第一固化树脂膜(r1)中形成于上述槽部的部分沿着上述分割预定线进行切断。
[10]上述[8]所述的半导体芯片的制造方法，其中，
在上述工序(S3)之后且上述工序(S4)之前包括上述工序(S-BG)，
不将上述第一支撑片(Y1)从上述第一复合片(α1)剥离而实施上述工序(S3)，
上述工序(S-BG)通过以下方式来实施：在粘贴有上述第一复合片(α1)的状态下对上述半导体芯片制作用晶片的上述背面进行了磨削之后，将上述第一支撑片(Y1)从上述第一复合片(α1)剥离，
上述工序(S4)通过以下方式来实施：对上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的上述第一固化树脂膜(r1)中形成于上述槽部的部分沿着上述分割预定线进行切断。
[11]上述[8]所述的半导体芯片的制造方法，其中，
在上述工序(S3)之后且上述工序(S4)之前包括上述工序(S-BG)，
在上述工序(S2)之后且上述工序(S3)之前将上述第一支撑片(Y1)从上述第一复合片(α1)剥离，
上述工序(S-BG)通过以下方式来实施：在上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的上述第一固化树脂膜(r1)的表面粘贴背磨片(b-BG)，在粘贴有上述背磨片(b-BG)的状态下对上述半导体芯片制作用晶片的上述背面进行了磨削之后，将上述背磨片(b-BG)从上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片剥离，
上述工序(S4)通过以下方式来实施：对上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的上述第一固化树脂膜(r1)中形成于上述槽部的部分沿着上述分割预定线进行切断。
[12]上述[8]所述的半导体芯片的制造方法，其中，
在上述工序(S4)中包括上述工序(S-BG)，
在上述工序(S2)之后且上述工序(S3)之前将上述第一支撑片(Y1)从上述第一复合片(α1)剥离，
上述工序(S4)通过以下方式来实施：对上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的上述第一固化树脂膜(r1)中形成于上述槽部的部分沿着上述分割预定线切入切痕，或者在沿着上述分割预定线形成了改性区域之后，作为上述工序(S-BG)而在上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的上述第一固化树脂膜(r1)的表面粘贴背磨片(b-BG)，并在粘贴有上述背磨片(b-BG)的状态下对上述半导体芯片制作用晶片的上述背面进行磨削。
[13]上述[9]～[11]中任一项所述的半导体芯片的制造方法，其中，
上述工序(T)依次包括下述工序(T1-1)及下述工序(T1-2)，
·工序(T1-1)：在上述工序(S-BG)之后且上述工序(S4)之前将上述套件的上述第二固化性树脂(x2)粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述背面的工序
·工序(T1-2)：在上述工序(S4)之前或之后使上述第二固化性树脂(x2)固化而形成上述第二固化树脂膜(r2)的工序
在上述工序(S4)中，在对上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的上述第一固化树脂膜(r1)中形成于上述槽部的部分沿着上述分割预定线进行切断时，将上述第二固化性树脂(x2)或上述第二固化树脂膜(r2)也一并切断。
[14]上述[12]所述的半导体芯片的制造方法，其中，
上述工序(T)依次包括下述工序(T2-1)及下述工序(T2-2)，
·工序(T2-1)：在上述工序(S-BG)之后且上述工序(S4)之后，在保持着粘贴有上述背磨片(b-BG)的状态下将上述套件的上述第二固化性树脂(x2)粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述背面的工序
·工序(T2-2)：使上述第二固化性树脂(x2)固化而形成上述第二固化树脂膜(r2)的工序
上述工序(T)在上述工序(T2-2)之前或之后进一步包括下述工序(T2-3)、制造方法。
·工序(T2-3)：沿着切口分割上述第二固化性树脂层(x2)或上述第二固化树脂膜(r2)的工序
[15]上述[6]～[14]中任一项所述的半导体芯片的制造方法，其中，
上述工序(T)通过以下方式来实施：将具有使第二支撑片(Y2)和上述第二固化性树脂(x2)的层(X2)层叠而成的层叠结构的第二复合片(α2)以上述层(X2)为粘贴面按压并粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述背面。
发明的效果
根据本发明，可提供能够使半导体芯片的强度提高、同时能够抑制保护膜的剥落的包含固化性树脂膜的套件、以及利用了该套件的半导体芯片的制造方法。
附图说明
图1是示出了本发明的套件的一个方式的剖面示意图。
图2是用于对树脂膜的平面形状为圆形时树脂膜的溢出量进行示意性说明的平面图。
图3是示出了在本发明的制造方法中使用的第一复合片(α1)的构成的剖面简图。
图4是示出了第一复合片(α1)的具体构成的一例的剖面简图。
图5是示出了第一复合片(α1)的具体构成的其它例的剖面简图。
图6是示出了第一复合片(α1)的具体构成的另一其它例的剖面简图。
图7是本发明的一个方式的半导体芯片的制造方法的工序简图。
图8是示出了在工序(S1)中准备的半导体芯片制作用晶片的一例的俯视图。
图9是示出了在工序(S1)中准备的半导体芯片制作用晶片的一例的剖面简图。
图10是示出了工序(S2)的概要的图。
图11是示出了第一实施方式的制造方法的概要的图。
图12是示出了第二实施方式的制造方法的概要的图。
图13是示出了第三实施方式的制造方法的概要的图。
图14是示出了第四实施方式的制造方法的概要的图。
图15为平面图，示意性地示出了在测定第一热固性树脂膜(x1-1)的溢出量时制作的包含第一热固性树脂膜(x1-1)的层叠物。
图16是示出了显示第一固化性树脂膜(x1-1a)及第二固化性树脂膜(x1-1b)向槽部的填入性的剖面观察结果的附图替代用照片。
符号说明
10 半导体芯片制作用晶片
11 晶片
11a 凸块形成面
11b 背面
12 凸块
13 槽部
40 半导体芯片
x1 第一固化性树脂
r1 第一固化树脂膜
X1 层
Y1 第一支撑片
α1 第一复合片
x2 第二固化性树脂
r2 第二固化树脂膜
X2 层
Y2 第二支撑片
α2 第二复合片
51 基材
61 粘合剂层
71 中间层
具体实施方式
在本说明书中，“有效成分”是指，在作为对象的组合物所包含的成分中除水、有机溶剂等稀释溶剂以外的成分。
另外，在本说明书中，重均分子量及数均分子量是通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的换算为聚苯乙烯的值。
另外，在本说明书中，关于优选的数值范围(例如含量等的范围)，分层次地记载的下限值及上限值可以各自独立地组合。例如，根据“优选为10～90、更优选为30～60”这样的记载，也可以将“优选的下限值(10)”与“更优选的上限值(60)”加以组合而得到“10～60”。
[套件]
本发明的套件是包含用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的第一固化性树脂膜(x1)、和用于在上述半导体芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)的第二固化性树脂膜(x2)的套件。
图1示出了本发明的一个方式的套件的剖面示意图。
本发明的套件1包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)。
需要说明的是，在以下的说明中使用的图中，为了使本发明的特征易于理解，有时出于方便而将成为主要部分的部分进行了放大显示，各构成要素的尺寸比率等并不一定与实际相同。
图1所示的第一固化性树脂膜(x1)在其一面x1a(在本说明书中，有时称为“第1面x1a”)上具备第1剥离膜151、在与上述第1面x1a为相反侧的另一面x1b(在本说明书中，有时称为“第2面x1b”)上具备第2剥离膜152。
具备这样的构成的第一固化性树脂膜(x1)适于以例如卷状的形式保存。
另外，图1所示的第二固化性树脂膜(x2)在其一面x2a(在本说明书中，有时称为“第1面x2a”)上具备第1剥离膜251，在与上述第1面x2a为相反侧的另一面x2b(在本说明书中，有时称为“第2面x2b”)上具备第2剥离膜252。
具备这样的构成的第二固化性树脂膜(x2)也适于以例如卷状的形式保存。
第1剥离膜151、251及第2剥离膜152、252均可以是公知的。
第1剥离膜151及第2剥离膜152相互可以相同也可以不同。作为第1剥离膜151及第2剥离膜152不同的情况下的例子，可列举在从第一固化性树脂膜(x1)剥离时所需的剥离力不同的情况等。
关于第1剥离膜251及第2剥离膜252，也同样地，相互可以相同也可以不同。
就图1所示的第一固化性树脂膜(x1)而言，第1剥离膜151及第2剥离膜152中的任意一者被去除，所产生的露出面成为对粘贴对象物的粘贴面。进而，第1剥离膜151及第2剥离膜152中剩余的另一者被去除，所产生的露出面成为用于构成后述的第一复合片(α1)的第一支撑片(Y1)的粘贴面。
需要说明的是，图1中示出了在第一固化性树脂膜(x1)的两面(第1面x1a、第2面x1b)设有剥离膜的例子，但剥离膜也可以仅设于第一固化性树脂膜(x1)的任意一面，即，也可以仅设于第1面x1a、或仅设于第2面x1b。
就图1所示的第二固化性树脂膜(x2)而言，也同样地，第1剥离膜251及第2剥离膜252中的任意一者被去除，所产生的露出面成为对粘贴对象物的粘贴面。进而，第1剥离膜251及第2剥离膜252中剩余的另一者被去除，所产生的露出面成为用于构成后述的第二复合片(α2)的第二支撑片(Y2)的粘贴面。
需要说明的是，图1中示出了在第二固化性树脂膜(x2)的两面(第1面x2a、第2面x2b)设有剥离膜的例子，但剥离膜也可以仅设于第二固化性树脂膜(x2)的任意一面，即，也可以仅设于第1面x2a、或仅设于第2面x2b。
以下针对构成本发明的套件的第一固化性树脂膜(x1)及第二固化性树脂膜(x2)进行详细说明。
<第一固化性树脂膜(x1)>
本发明的套件包含第一固化性树脂膜(x1)。
第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)。
这里，在本发明的一个方式的套件中，优选第一固化性树脂膜(x1)满足下述条件(I)。
<条件(I)>
在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。
X＝Gc1/Gc300····(i)
进行储能模量的测定的上述试验片为膜状，其平面形状为圆形。
上述试验片也可以是厚度1mm的单层的第一固化性树脂膜(x1)，但从制作容易的方面考虑，优选为由厚度小于1mm的单层的第一固化性树脂膜(x1)经多片层叠而构成的层叠膜。
构成上述层叠膜的多片的单层的第一固化性树脂膜(x1)的厚度可以全部相同，也可以全部不同，还可以仅部分相同，但从制作容易的方面考虑，优选为全部相同。
需要说明的是，在本说明书中，不限于上述Gc1及Gc300，所述的“试验片的储能模量”是指，“在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的树脂膜的试验片产生应变时，与该应变相对应的试验片的储能模量”。
第一固化性树脂膜(x1)可以构成复合片(第一复合片(α1))，该复合片具有例如由第一支撑片(Y1)和第一固化性树脂膜(x1)层叠而成的层叠结构。
第一固化性树脂膜(x1)可以是热固性及能量射线固化性中的任意膜，也可以具有热固性及能量射线固化性这两种特性。
在本说明书中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量子的那些。作为能量射线的例子，可列举紫外线、放射线、电子束等。紫外线例如可以使用高压水银灯、聚变灯、氙气灯、黑光或LED灯等作为紫外线光源而进行照射。电子束可以照射由电子束加速器等产生的电子束。
另外，在本说明书中，“能量射线固化性”表示通过照射能量射线而发生固化的性质，“非能量射线固化性”表示即使照射能量射线也不会发生固化的性质。
第一固化性树脂膜(x1)含有树脂成分。
另外，第一固化性树脂膜(x1)在含有树脂成分的同时，既可以含有、也可以不含有除树脂成分以外的成分。
作为第一固化性树脂膜(x1)的优选方式，如上所述，从容易使第一固化性树脂膜(x1)满足条件(I)的观点出发，第一固化性树脂膜(x1)优选含有例如树脂成分、填充材料、以及不属于这些(树脂成分及填充材料)中的任一者并且具有对第一固化性树脂膜(x1)的储能模量的调节效果的各种添加剂。
作为具有对第一固化性树脂膜(x1)的储能模量的调节效果的上述添加剂，可列举例如：流变调节剂(触变剂)、表面活性剂、硅油等。
第一固化性树脂膜(x1)是软质的，适于用于粘贴至具有具备凸块的凸块形成面及作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片那样的、具有凹凸面的粘贴对象物。
需要说明的是，在以下的说明中，也将具有具备凸块的凸块形成面及作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片简称为“半导体芯片制作用晶片”。
这里，使用上述条件(I)中规定的X值为19以上且低于10,000的第一固化性树脂膜(x1)时，更容易发挥出以下的效果。
即，通过相对于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面按压并粘贴第一固化性树脂膜(x1)，容易将第一固化性树脂膜(x1)以良好的填入性填充于槽部。
另外，通过相对于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面按压并粘贴第一固化性树脂膜(x1)，凸块贯穿第一固化性树脂膜(x1)，凸块的头顶部从第一固化性树脂膜(x1)突出。进而，经过了软化后的第一固化性树脂膜(x1)以覆盖凸块的方式在凸块间扩展，在与凸块形成面密合的同时，覆盖着凸块的表面、特别是凸块形成面的附近部位的表面而填入凸块的基部。在该状态下，在以凸块的头顶部为首的上部，第一固化性树脂膜(x1)的残存容易得到抑制。因此，对于作为第一固化性树脂膜(x1)的固化物的第一固化树脂膜(r1)而言，其在凸块的上部的附着也当然容易得到抑制。进一步，第一固化性树脂膜(x1)在粘贴至粘贴对象物之后也容易保持最初(粘贴前)的第一固化性树脂膜(x1)的面积，粘贴后的面积相比于最初(粘贴前)的第一固化性树脂膜(x1)的面积扩大的现象(以下也称为“溢出”)容易得到抑制。因此，在相对于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面粘贴第一固化性树脂膜(x1)时，向槽部、凸块的基部的填入不良等也容易得到抑制。
进一步，在使用了第一固化性树脂膜(x1)的情况下，在第一固化性树脂膜(x1)及作为其固化物的第一固化树脂膜(r1)设于凸块形成面的状态下，容易抑制凸块的除上部以外的区域、或凸块形成面的凸块附近的区域发生意图外的露出(以下，也称为“缩孔”)。
需要说明的是，在凸块的上部有无第一固化性树脂膜(x1)或第一固化树脂膜(r1)的残存可以如下地确认：例如，针对凸块的上部，进行利用光学显微镜或SEM(扫描电子显微镜)的观察、取得拍摄数据。
另外，第一固化性树脂膜(x1)有无溢出、以及第一固化性树脂膜(x1)或第一固化树脂膜(r1)有无缩孔可以如下地确认：例如，针对凸块形成面，进行利用光学显微镜或SEM(扫描电子显微镜)的观察、取得拍摄数据。
需要说明的是，在将第一固化性树脂膜(x1)等树脂膜粘贴于粘贴对象物时发生了溢出的情况下，可以通过以下的方法计算出溢出量。
即，从上方向下地俯视观察发生了溢出的状态的树脂膜，求出此时连结上述树脂膜的外周上不同两点间的线段的长度的最大值。进一步，求出在与显示该最大值的上述线段重合的位置上的、最初(即，发生溢出之前)的上述树脂膜的宽度的值。然后，由上述线段的长度的最大值减去上述树脂膜的宽度的值，由此可以计算出上述树脂膜的溢出量。
图2是用于对树脂膜的平面形状为圆形时上述树脂膜的溢出量进行示意性说明的平面图。
图2所示的树脂膜101在粘贴于粘贴对象物102的状态下，形成了相对于最初的大小发生了溢出的状态。符号101’中示出的是最初大小的树脂膜，是为了便于理解溢出量而示出的。在此，最初的树脂膜101’的平面形状为圆形，但形成为溢出的状态的树脂膜101的平面形状为非圆形。但需要说明的是，这仅为一例，形成为溢出的状态的101的平面形状并不限定于这里所示的形状。
为了求出树脂膜101的溢出量，求出连结树脂膜101的外周1010上的其中一点1010a、和与该点不同的另一点1010b之间的线段的长度D1的最大值，然后求出在与显示该最大值的上述线段重合的位置上的、最初(即，溢出前)的树脂膜101’的宽度的值D0即可。D1与D0之差(D1-D0)为上述溢出量。
在俯视下，树脂膜101中的显示最大值的上述线段有时通过最初的树脂膜101’中的圆的中心，在该情况下，在与显示该最大值的上述线段重合的位置上的、最初的树脂膜101’的宽度的值为树脂膜101’的直径。
需要说明的是，这里，结合附图对树脂膜的平面形状为圆形时树脂膜的溢出量进行了说明，但在平面形状为圆形以外的情况下，也可以利用同样的方法计算出树脂膜的溢出量。
在将第一固化性树脂膜(x1)粘贴于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面时，在凸块上部贯穿第一固化性树脂膜(x1)而突出的同时第一固化性树脂膜(x1)开始向槽部侵入的中间阶段、和第一固化性树脂膜(x1)在填入凸块的基部的同时填入槽部的终局阶段，固化性树脂膜的应变的程度大不相同。更具体而言，上述中间阶段中第一固化性树脂膜(x1)的应变小，而上述终局阶段中第一固化性树脂膜(x1)的应变大。
因此，对于第一固化性树脂膜(x1)，优选通过采用Gc1作为其应变小时的储能模量、采用Gc300作为其应变大时的储能模量，并使Gc1高而Gc300低，从而将在上述条件(I)中规定的X值(＝Gc1/Gc300)限定为19以上且低于10,000。由此，可易于实现在上述中说明的优异效果。
从更容易发挥出上述说明的优异效果的观点出发，第一固化性树脂膜(x1)的在上述条件(I)中规定的X值的上限优选为5000以下、更优选为2000以下、进一步优选为1000以下、更进一步优选为500以下、进一步更优选为300以下、进一步优选为100以下、更进一步优选为70以下。
另外，从使得本发明的效果中的、向半导体芯片制作用晶片的槽部的填入性更为良好的观点出发，上述条件(I)中规定的X值更优选为25以上、进一步优选为30以上、更进一步优选为40以上、进一步更优选为50以上、进一步优选为60以上。
在第一固化性树脂膜(x1)中，就Gc1而言，从更容易发挥出上述说明的优异效果的观点出发，Gc1优选为1×104～1×106Pa、更优选为3×104～7×105Pa、进一步优选为5×104～5×105Pa。
在第一固化性树脂膜(x1)中，就Gc300而言，从使得上述说明的优异效果中的、向半导体芯片制作用晶片的槽部的填入性更为良好的观点出发，优选低于15,000Pa、更优选为10,000Pa以下、进一步优选为5,000Pa以下、更进一步优选为4,000Pa以下、进一步更优选为3,500Pa以下。另外，从抑制第一固化性树脂膜(x1)的缩孔的观点出发，Gc300优选为100Pa以上、更优选为500Pa以上、进一步优选为1,000Pa以上。
就第一固化性树脂膜(x1)而言，从更容易发挥出上述说明的优异效果的观点出发，优选满足上述条件(I)中规定的X值，更优选在满足上述条件(I)中规定的X值的同时、Gc1及Gc300中的一者或两者满足上述范围。
需要说明的是，要调节上述条件(I)中规定的X值的情况下，需要对第一固化性树脂膜(x1)的储能模量进行调节，但对于第一固化性树脂膜(x1)的储能模量，不限于Gc1及Gc300的情况，可以通过调节第一固化性树脂膜(x1)的含有成分的种类及含量中的一者或两者而容易地进行调节。为此，只要对用于形成第一固化性树脂膜(x1)的组合物中的含有成分的种类及含量中的一者或两者进行调节即可。例如，在使用后述的第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)的情况下，可以通过调节该组合物中的聚合物成分(A)、填充材料(D)等主要的含有成分的种类及含量中的一者或两者，并调节选自流变调节剂、表面活性剂及硅油等中的一种以上的添加剂(I)的种类及含量中的一者或两者，从而容易地对第一固化性树脂膜(x1)的储能模量进行调节。
例如，在使第一固化性树脂膜(x1)及第一固化性树脂膜形成用组合物中的上述填充材料(D)及添加剂(I)中的一者或两者的含量增大时，容易将Gc1调节为较大的值，其结果是容易将X值调节为较大的值。
第一固化性树脂膜(x1)可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多层构成。在第一固化性树脂膜(x1)由多层构成的情况下，这多层相互可以相同也可以不同，这多层的组合没有特殊限定。
在本说明书中，并不限于第一固化性树脂膜(x1)的情况，“多层相互可以相同也可以不同”表示“可以全部层相同、也可以全部层不同、还可以仅部分层相同”，进一步，“多层互不相同”表示“各层的构成材料及厚度中的至少一者互不相同”。
从提高对半导体芯片制作用半导体晶片的凸块形成面的包覆性的观点、使得向半导体芯片制作用半导体晶片的槽部的填入性更为良好的观点出发，第一固化性树脂膜(x1)的厚度优选为10μm以上、更优选为20μm以上、进一步优选为30μm以上、更进一步优选超过30μm。另外，优选为200μm以下、更优选为150μm以下、进一步优选为130μm以下、更进一步优选为100μm以下、进一步更优选为80μm以下。
这里，“第一固化性树脂膜(x1)的厚度”是指第一固化性树脂膜(x1)整体的厚度，例如，由多层构成的第一固化性树脂膜(x1)的厚度是指构成第一固化性树脂膜(x1)的全部层的合计厚度。
<第一固化性树脂膜形成用组合物>
第一固化性树脂膜(x1)可以使用含有其构成材料的第一固化性树脂膜形成用组合物形成。例如，第一固化性树脂膜(x1)可以通过在其形成对象面涂敷第一固化性树脂膜形成用组合物并根据需要使其干燥而形成。第一固化性树脂膜形成用组合物中的、在常温下不会发生气化的成分彼此间的含量的比率通常是与在第一固化性树脂膜(x1)中上述成分彼此间的含量的比率相同的。在本说明书中，“常温”是指不特别地进行冷却或加热的温度、即平常的温度，例如，可列举15～25℃的温度等。
第一热固性树脂膜(x1-1)可以使用第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)而形成，第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)可以使用第一能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x1-2-1)而形成。需要说明的是，在本说明书中，第一固化性树脂膜(x1)具有热固性及能量射线固化性这两种特性的情况下，在相对于通过其固化而形成的第一固化树脂膜(r1)而言，第一固化性树脂膜(x1)的热固化的贡献大于能量射线固化的贡献的情况下，将第一固化性树脂膜(x1)作为热固性的树脂膜处理。相反地，在相对于其固化而言，第一固化性树脂膜(x1)的能量射线固化的贡献大于热固化的贡献的情况下，将第一固化性树脂膜(x1)作为能量射线固化性的树脂膜处理。
第一固化性树脂膜形成用组合物的涂敷采用公知的方法进行即可，例如，可列举使用旋涂机、喷涂机、气刀涂布机、刮涂机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布器、吻涂机等各种涂布机的方法。
无论第一固化性树脂膜(x1)为热固性及能量射线固化性中的哪种树脂膜，固化性树脂膜形成用组合物的干燥条件均没有特殊限定。其中，在第一固化性树脂膜形成用组合物含有后述的溶剂的情况下，优选使其进行加热干燥。进而，优选使含有溶剂的固化性树脂膜形成用组合物在例如70～130℃下10秒钟～5分钟的条件下进行加热干燥。需要说明的是，对于第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)，优选以不导致该组合物本身、和由该组合物形成的第一热固性树脂膜(x1-1)发生热固化的方式使其加热干燥。
以下，针对第一热固性树脂膜(x1-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)进行更为详细的说明。
<第一热固性树脂膜(x1-1)>
在使第一热固性树脂膜(x1-1)固化而形成作为其固化物的第一固化树脂膜(r1)时，其固化条件只要使得固化物达到充分发挥其功能的程度的固化度则没有特别限定，根据第一热固性树脂膜(x1-1)的种类、上述固化物的用途等而适当选择即可。
第一热固性树脂膜(x1-1)的固化时的加热温度优选为100～200℃、更优选为110～170℃、特别优选为120～150℃。另外，上述热固化时的加热时间优选为0.5～5小时、更优选为0.5～4小时、特别优选为1～3小时。
<第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)>
作为第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)，可列举例如含有聚合物成分(A)、热固性成分(B)、填充材料(D)、及添加剂(I)的第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)(在本说明书中，有时简称为“组合物(x1-1-1)”)等。
(聚合物成分(A))
聚合物成分(A)是用以对第一热固性树脂膜(x1-1)赋予成膜性、挠性等的聚合物化合物。聚合物成分(A)具有热塑性、而不具有热固性。需要说明的是，在本说明书中，聚合物化合物也包括缩聚反应的产物。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)所含有的聚合物成分(A)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
作为聚合物成分(A)，可列举例如：聚乙烯醇缩醛、丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、苯氧基树脂、有机硅树脂、饱和聚酯树脂等。
这些中，优选聚合物成分(A)为聚乙烯醇缩醛。通过使聚合物成分(A)为聚乙烯醇缩醛，在将第一热固性树脂膜(x1-1)粘贴于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面时，抑制第一热固性树脂膜(x1-1)在凸块的上部的残存的效果、抑制第一热固性树脂膜(x1-1)的溢出的效果、抑制凸块形成面上的第一热固性树脂膜(x1-1)及其固化物的缩孔的效果、以及第一热固性树脂膜(x1-1)向槽部的填入性的改善效果进一步提高。
作为聚合物成分(A)中的上述聚乙烯醇缩醛，可列举公知的那些。
其中，作为优选的聚乙烯醇缩醛，可列举例如聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯醇缩丁醛等，更优选为聚乙烯醇缩丁醛。
作为聚乙烯醇缩丁醛，可列举具有下述式(i)-1、(i)-2及(i)-3所示的结构单元的聚乙烯醇缩丁醛。
[化学式1]
Figure BDA0003714940220000171
(式中，l、m及n各自独立地为1以上的整数。)
聚乙烯醇缩醛的重均分子量(Mw)优选为5,000～200,000、更优选为8,000～100,000。通过使聚乙烯醇缩醛的重均分子量在这样的范围，在将第一热固性树脂膜(x1-1)粘贴于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面时，抑制第一热固性树脂膜(x1-1)在凸块的上部的残存的效果、抑制第一热固性树脂膜(x1-1)的溢出的效果、抑制凸块形成面上的第一热固性树脂膜(x1-1)及其固化物的缩孔的效果、以及第一热固性树脂膜(x1-1)向槽部的填入性的改善效果进一步提高。
聚乙烯醇缩醛的玻璃化转变温度(Tg)优选为40～80℃、更优选为50～70℃。通过使聚乙烯醇缩醛的Tg在这样的范围，在将第一热固性树脂膜(x1-1)粘贴于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面时，抑制第一热固性树脂膜(x1-1)在凸块的上部的残存的效果、抑制第一热固性树脂膜(x1-1)的溢出的效果、抑制凸块形成面上的第一热固性树脂膜(x1-1)及其固化物的缩孔的效果、以及第一热固性树脂膜(x1-1)向槽部的填入性的改善效果进一步提高。
构成聚乙烯醇缩醛的三种以上单体的比率可以任意选择。
作为聚合物成分(A)中的上述丙烯酸树脂，可列举公知的丙烯酸聚合物。
丙烯酸树脂的重均分子量(Mw)优选为5,000～1,000,000、更优选为8,000～800,000。通过使丙烯酸树脂的重均分子量在这样的范围，在将第一热固性树脂膜(x1-1)粘贴于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面时，抑制第一热固性树脂膜(x1-1)在凸块的上部的残存的效果、抑制第一热固性树脂膜(x1-1)的溢出的效果、抑制凸块形成面上的第一热固性树脂膜(x1-1)及其固化物的缩孔的效果、以及第一热固性树脂膜(x1-1)向槽部的填入性的改善效果进一步提高。
丙烯酸树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-50～70℃、更优选为-30～60℃。通过使丙烯酸树脂的Tg在这样的范围，在将第一热固性树脂膜(x1-1)粘贴于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面时，抑制第一热固性树脂膜(x1-1)在凸块的上部的残存的效果、抑制第一热固性树脂膜(x1-1)的溢出的效果、抑制凸块形成面上的第一热固性树脂膜(x1-1)及其固化物的缩孔的效果、以及第一热固性树脂膜(x1-1)向槽部的填入性的改善效果进一步提高。
丙烯酸树脂具有两种以上结构单元的情况下，其丙烯酸树脂的玻璃化转变温度(Tg)可以使用Fox公式来计算。作为此时所使用的导出上述结构单元的单体的Tg，可以使用在高分子数据手册(高分子データ·ハンドブック)或粘合手册(粘着ハンドブック)中所记载的值。
构成丙烯酸树脂的单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
作为丙烯酸树脂，可列举例如：
一种或两种以上的(甲基)丙烯酸酯的聚合物；
选自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羟甲基丙烯酰胺等中的两种以上单体的共聚物；
一种或两种以上的(甲基)丙烯酸酯、与选自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羟甲基丙烯酰胺等中的一种或两种以上单体的共聚物等。
在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是包括“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。关于与(甲基)丙烯酸类似的用语也同样，例如，所述“(甲基)丙烯酸酯”是包括“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的概念，所述“(甲基)丙烯酰基”是包括“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”这两者的概念。
作为构成丙烯酸树脂的上述(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：
(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等构成烷基酯的烷基为碳原子数1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯；
(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；
(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯等(甲基)丙烯酸环烯基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸环烯氧基烷基酯；
(甲基)丙烯酰亚胺；
(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯；
(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等含羟基(甲基)丙烯酸酯；
(甲基)丙烯酸N-甲基氨基乙酯等含取代氨基的(甲基)丙烯酸酯等。这里，“取代氨基”是指氨基的1个或2个氢原子被氢原子以外的基团取代而成的基团。
丙烯酸树脂也可以具有乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等能够与其它化合物键合的官能团。丙烯酸树脂的上述官能团可以经由后述的交联剂(F)与其它化合物键合，也可以不经由交联剂(F)而与其它化合物直接键合。通过使丙烯酸树脂通过上述官能团与其它化合物键合，存在例如使用第一热固性树脂膜(x1-1)而得到的封装体的可靠性提高的倾向。
在组合物(x1-1-1)中，相对于除溶剂以外的全部成分的总含量的聚合物成分(A)的含量的比例(即，相对于第一热固性树脂膜(x1-1)中的第一热固性树脂膜(x1-1)的总质量的、聚合物成分(A)的含量的比例)不依赖于聚合物成分(A)的种类而优选为5～25质量％、更优选为5～15质量％。
(热固性成分(B))
热固性成分(B)优选为具有热固性、用于使第一热固性树脂膜(x1-1)热固化而形成硬质的固化物的成分。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中含有的热固性成分(B)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
作为热固性成分(B)，可列举例如：环氧类热固性树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂等。
这些中，热固性成分(B)优选为环氧类热固性树脂。
·环氧类热固性树脂
环氧类热固性树脂包含环氧树脂(B1)及热固化剂(B2)。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜中含有的环氧类热固性树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
·环氧树脂(B1)
作为环氧树脂(B1)，可列举公知的环氧树脂，可列举例如：多官能类环氧树脂、联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等双官能以上的环氧化合物。
环氧树脂(B1)可以是具有不饱和烃基的环氧树脂。相比于不具有不饱和烃基的环氧树脂而言，具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸树脂的相容性更高。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂，存在例如使用第一热固性树脂膜(x1-1)而得到的封装体的可靠性提高的倾向。
作为具有不饱和烃基的环氧树脂，可列举例如：多官能类环氧树脂的环氧基的一部分转变为具有不饱和烃基的基团而成的化合物。这样的化合物例如可通过使(甲基)丙烯酸或其衍生物相对于环氧基发生加成反应而得到。
另外，作为具有不饱和烃基的环氧树脂，可列举例如：在构成环氧树脂的芳环等上直接键合有具有不饱和烃基的基团的化合物等。
不饱和烃基是具有聚合性的不饱和基团，作为其具体例，可列举：乙烯基(vinyl)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基等，优选为丙烯酰基。
环氧树脂(B1)的数均分子量没有特殊限定，但从第一热固性树脂膜(x1-1)的固化性、以及第一热固性树脂膜(x1-1)的固化物的强度及耐热性的方面出发，优选为300～30,000、更优选为400～10,000、特别优选为500～3,000。
环氧树脂(B1)的环氧当量优选为100～1,000g/eq、更优选为200～800g/eq。
环氧树脂(B1)可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用，在将两种以上组合使用的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
·热固化剂(B2)
热固化剂(B2)作为对环氧树脂(B1)的固化剂发挥功能。
作为热固化剂(B2)，可列举例如：1分子中具有2个以上能够与环氧基反应的官能团的化合物。作为上述官能团，可列举例如：酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、酸基经酸酐化而成的基团等，优选为酚羟基、氨基、或酸基经酸酐化而成的基团，更优选为酚羟基或氨基。
作为热固化剂(B2)中的具有酚羟基的酚类固化剂，可列举例如：多官能酚醛树脂、联苯酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯类酚醛树脂、芳烷基酚醛树脂等。
作为热固化剂(B2)中的具有氨基的胺类固化剂，可列举例如：双氰胺(以下，有时简记为“DICY”)等。
热固化剂(B2)也可以具有不饱和烃基。
作为具有不饱和烃基的热固化剂(B2)，可列举例如：酚醛树脂的羟基的一部分被具有不饱和烃基的基团取代而成的化合物、酚醛树脂的芳环上直接键合有具有不饱和烃基的基团的化合物等。
热固化剂(B2)中的上述不饱和烃基是与上述具有不饱和烃基的环氧树脂中的不饱和烃基同样的基团。
热固化剂(B2)中的例如多官能酚醛树脂、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯型酚醛树脂、芳烷基型酚醛树脂等树脂成分的数均分子量优选为300～30,000、更优选为400～10,000、特别优选为500～3,000。
热固化剂(B2)中的例如联苯酚、双氰胺等非树脂成分的分子量没有特别限定，例如优选为60～500。
热固化剂(B2)可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用，在将两种以上组合使用的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中，相对于环氧树脂(B1)的含量100质量份，热固化剂(B2)的含量优选为0.1～500质量份、更优选为1～200质量份，可以是例如5～150质量份、10～100质量份、及15～75质量份中的任意含量。通过使热固化剂(B2)的上述含量在上述下限值以上，第一热固性树脂膜(x1-1)的固化变得更加容易进行。通过使热固化剂(B2)的上述含量在上述上限值以下，第一热固性树脂膜(x1-1)的吸湿率降低，例如使用第一热固性树脂膜(x1-1)而得到的封装体的可靠性进一步提高。
在组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中，相对于聚合物成分(A)的含量100质量份，热固性成分(B)的含量(例如，环氧树脂(B1)及热固化剂(B2)的总含量)优选为600～1000质量份。通过使热固性成分(B)的上述含量在这样的范围，在将第一热固性树脂膜(x1-1)粘贴于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面时，抑制第一热固性树脂膜(x1-1)在凸块的上部的残存的效果、抑制第一热固性树脂膜(x1-1)的溢出的效果、抑制凸块形成面上的第一热固性树脂膜(x1-1)及其固化物的缩孔的效果、以及第一热固性树脂膜(x1-1)向槽部的填入性的改善效果进一步提高，并且能够形成硬质的固化物。
进一步，从更显著地获得这样的效果的方面出发，热固性成分(B)的含量也可以根据聚合物成分(A)的种类而适当调节。
例如，在聚合物成分(A)为上述聚乙烯醇缩醛的情况下，在组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中，相对于聚合物成分(A)的含量100质量份，热固性成分(B)的含量优选为600～1,000质量份、更优选为650～1,000质量份、特别优选为650～950质量份。
(填充材料(D))
在调节上述X值而形成满足上述条件(I)的第一热固性树脂膜(x1-1)的情况下，通过调节组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中的填充材料(D)的量，可以更容易地对上述X值进行调节。另外，通过调节组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中的填充材料(D)的量，可以更容易地对第一热固性树脂膜(x1-1)的固化物的热膨胀系数进行调节，例如，通过使第一热固性树脂膜(x1-1)的固化物的热膨胀系数相对于该固化物的形成对象物而言达到最优化，使用第一热固性树脂膜(x1-1)而得到的封装体的可靠性会进一步提高。另外，通过使用含有填充材料(D)的第一热固性树脂膜(x1-1)，还可以减小第一热固性树脂膜(x1-1)的固化物的吸湿率、或改善放热性。
填充材料(D)可以是有机填充材料及无机填充材料中的任意材料，但优选为无机填充材料。
作为优选的无机填充材料，可列举例如：二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、氧化铁红、碳化硅、氮化硼等的粉末；将这些无机填充材料球形化而得到的珠；这些无机填充材料的表面改性品；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。
这些中，无机填充材料优选为二氧化硅或氧化铝。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中含有的填充材料(D)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在组合物(x1-1-1)中，相对于除溶剂以外的全部成分的总含量的填充材料(D)的含量的比例(即，相对于第一热固性树脂膜(x1-1)中的第一热固性树脂膜(x1-1)的总质量的、填充材料(D)的含量的比例)优选为5～45质量％、更优选为5～40质量％、进一步优选为5～30质量％。通过使上述比例在这样的范围，在将第一热固性树脂膜(x1-1)粘贴于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面时，抑制第一热固性树脂膜(x1-1)在凸块的上部的残存的效果、抑制第一热固性树脂膜(x1-1)的溢出的效果、抑制凸块形成面上的第一热固性树脂膜(x1-1)及其固化物的缩孔的效果、以及第一热固性树脂膜(x1-1)向槽部的填入性的改善效果进一步提高，同时，能够更容易地对上述的热膨胀系数进行调节。
(添加剂(I))
在调节上述X值而形成满足上述条件(I)的第一热固性树脂膜(x1-1)的情况下，通过调节组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中的添加剂(I)的种类或量，可以将Gc1调节至适宜，从而更容易地调节上述X值。
其中，作为从能够更容易地调节上述X值的方面考虑优选的添加剂(I)，可列举例如：流变调节剂、表面活性剂、硅油等。
更具体而言，作为上述流变调节剂，可列举例如：聚羟基羧酸酯、多元羧酸、聚酰胺树脂等。
作为上述表面活性剂，可列举例如：改性硅氧烷、丙烯酸聚合物等。
作为上述硅油，可列举例如：芳烷基改性硅油、改性聚二甲基硅氧烷等，作为改性基团，可列举：芳烷基；羟基等极性基团；乙烯基、苯基等具有不饱和键的基团。
作为除上述以外的添加剂(I)，还可列举例如：增塑剂、抗静电剂、抗氧剂、吸气剂、紫外线吸收剂、增粘剂等其它的各种通用添加剂。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中含有的添加剂(I)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)的添加剂(I)的含量没有特殊限定，可以根据其种类、目的而适当调节。
例如，在出于调节上述X值的目的的情况下，在组合物(x1-1-1)中，相对于除溶剂以外的全部成分的总含量的添加剂(I)的含量的比例(即，相对于第一热固性树脂膜(x1-1)中的第一热固性树脂膜(x1-1)的总质量的、添加剂(I)的含量的比例)优选为0.5～10质量％、更优选为0.5～7质量％、进一步优选为0.5～5质量％。
(固化促进剂(C))
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)也可以含有固化促进剂(C)。固化促进剂(C)是用于调整组合物(x1-1-1)的固化速度的成分。
作为优选的固化促进剂(C)，可列举例如：三乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类(1个以上的氢原子被氢原子以外的基团取代而成的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(1个以上的氢原子被有机基团取代而成的膦)；四苯基
Figure BDA0003714940220000241
四苯基硼酸盐、三苯基膦四苯基硼酸盐等四苯基硼盐等。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中含有的固化促进剂(C)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
使用固化促进剂(C)的情况下，在组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中，相对于热固性成分(B)的含量100质量份，固化促进剂(C)的含量优选为0.01～10质量份、更优选为0.1～5质量份。通过使固化促进剂(C)的上述含量在上述下限值以上，可更显著地获得使用固化促进剂(C)所带来的效果。通过使固化促进剂(C)的上述含量在上述上限值以下，例如，抑制高极性的固化促进剂(C)在高温/高湿度条件下在第一热固性树脂膜(x1-1)中向与被粘附物的粘接界面侧移动而发生偏析的效果提高，例如，使用第一热固性树脂膜(x1-1)而得到的封装体的可靠性进一步提高。
(偶联剂(E))
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)也可以含有偶联剂(E)。通过使用具有能够与无机化合物或有机化合物反应的官能团的成分作为偶联剂(E)，可以使第一热固性树脂膜(x1-1)相对于被粘附物的粘接性及密合性进一步提高。另外，通过使用偶联剂(E)，对于第一热固性树脂膜(x1-1)的固化物而言，能够在不破坏耐热性的情况下提高耐水性。
偶联剂(E)优选为具有能够与聚合物成分(A)、热固性成分(B)等所具有的官能团反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。
作为优选的上述硅烷偶联剂，可列举例如：3-缩水甘油基氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油基氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油基氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油基氧基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中含有的偶联剂(E)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
使用偶联剂(E)的情况下，在组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中，相对于聚合物成分(A)及热固性成分(B)的总含量100质量份，偶联剂(E)的含量优选为0.03～20质量份、更优选为0.05～10质量份、特别优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(E)的上述含量在上述下限值以上，可更显著地获得填充材料(D)在树脂中的分散性的提高、第一热固性树脂膜(x1-1)的与粘贴对象物的粘接性的提高等使用偶联剂(E)所带来的效果。通过使偶联剂(E)的上述含量在上述上限值以下，可进一步抑制排气的发生。
(交联剂(F))
在作为聚合物成分(A)而使用具有能够与其它化合物键合的乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等官能团的树脂的情况下，组合物(X1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)也可以含有交联剂(F)。交联剂(F)是用于使聚合物成分(A)中的上述官能团与其它化合物键合而发生交联的成分，通过这样地进行交联，可以调节第一热固性树脂膜(x1-1)的初始粘接力及凝聚力。
作为交联剂(F)，可列举例如：有机多异氰酸酯化合物、有机多元胺化合物、金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)等。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，可列举例如：芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物及脂环族多异氰酸酯化合物(以下，有时将这些化合物统一简称为“芳香族多异氰酸酯化合物等”)；上述芳香族多异氰酸酯化合物等的三聚体、异氰脲酸酯体及加合物；使上述芳香族多异氰酸酯化合物等与多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。上述“加合物”表示上述芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物或脂环族多异氰酸酯化合物、与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等低分子含活化氢化合物的反应物。作为上述加合物的例子，可列举如后所述的三羟甲基丙烷的苯二甲基二异氰酸酯加成物等。另外，“末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物”表示具有氨基甲酸酯键、并且在分子的末端部具有异氰酸酯基的预聚物。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，更具体而言，可列举例如：2,4-甲苯二异氰酸酯；2,6-甲苯二异氰酸酯；1,3-苯二甲基二异氰酸酯；1,4-苯二甲基二异氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；使甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯及苯二甲基二异氰酸酯中的任意一种或两种以上加成于三羟甲基丙烷等多元醇的全部或部分羟基上而得到的化合物；赖氨酸二异氰酸酯等。
作为上述有机多元胺化合物，可列举例如：N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
在使用有机多异氰酸酯化合物作为交联剂(F)的情况下，作为聚合物成分(A)，优选使用含羟基聚合物。在交联剂(F)具有异氰酸酯基、聚合物成分(A)具有羟基的情况下，能够通过使交联剂(F)与聚合物成分(A)反应而向第一热固性树脂膜(x1-1)简便地导入交联结构。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中含有的交联剂(F)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
使用交联剂(F)的情况下，在组合物(x1-1-1)中，相对于聚合物成分(A)的含量100质量份，交联剂(F)的含量优选为0.01～20质量份、更优选为0.1～10质量份、特别优选为0.5～5质量份。通过使交联剂(F)的上述含量在上述下限值以上，可更显著地获得使用交联剂(F)所带来的效果。通过使交联剂(F)的上述含量在上述上限值以下，可抑制交联剂(F)的过量使用。
(能量射线固化性树脂(G))
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)也可以含有能量射线固化性树脂(G)。
通过使第一热固性树脂膜(x1-1)含有能量射线固化性树脂(G)，可以通过照射能量射线而使特性得以改变。
能量射线固化性树脂(G)是使能量射线固化性化合物聚合(固化)而得到的树脂。作为能量射线固化性化合物，可列举例如分子内具有至少1个聚合性双键的化合物，优选为具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。
作为丙烯酸酯类化合物，可列举例如：三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等含链状脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；二环戊基二(甲基)丙烯酸酯等含环状脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯；低聚酯(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物；环氧改性(甲基)丙烯酸酯；上述聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯以外的聚醚(甲基)丙烯酸酯；衣康酸低聚物等。
能量射线固化性化合物的重均分子量优选为100～30,000、更优选为300～10,000。
用于聚合的能量射线固化性化合物可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。用于聚合的能量射线固化性化合物为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
使用能量射线固化性树脂(G)的情况下，以组合物(x1-1-1)的有效成分的总量为基准，能量射线固化性树脂(G)的含量优选为1～95质量％、更优选为5～90质量％、进一步优选为10～85质量％。
(光聚合引发剂(H))
在组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)含有能量射线固化性树脂(G)的情况下，为了使能量射线固化性树脂(G)的聚合反应有效地进行，在组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中可以含有光聚合引发剂(H)。
作为光聚合引发剂(H)，可列举例如：二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、安息香双甲醚、2,4-二乙基噻吨酮、1-羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、联苄、丁二酮、1,2-二苯基甲烷、2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、及2-氯蒽醌等。
光聚合引发剂(H)可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。光聚合引发剂(H)为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在组合物(x1-1-1)中，相对于能量射线固化性树脂(G)的含量100质量份，光聚合引发剂(H)的含量优选为0.1～20质量份、更优选为1～10质量份、进一步优选为2～5质量份。
(其它成分)
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)也可以在不破坏本发明的效果的范围内，含有不属于上述的聚合物成分(A)、热固性成分(B)、固化促进剂(C)、填充材料(D)、偶联剂(E)、交联剂(F)、能量射线固化性树脂(G)、光聚合引发剂(H)、及添加剂(I)中的任意成分的其它成分。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中含有的上述其它成分可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)的上述其它成分的含量没有特殊限定，根据目的而适当选择即可。
(溶剂)
组合物(x1-1-1)优选进一步含有溶剂。含有溶剂的组合物(x1-1-1)的处理性变得良好。
上述溶剂没有特别限定，作为优选的溶剂，可列举例如：甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲乙酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。
组合物(x1-1-1)中含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
作为组合物(x1-1-1)中含有的溶剂中更优选的溶剂，从能够将组合物(x1-1-1)中的含有成分更均匀地混合的观点出发，可列举甲乙酮等。
组合物(x1-1-1)的溶剂的含量没有特殊限定，例如，根据溶剂以外的成分的种类而适当选择即可。
<第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)的制造方法>
第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)可通过将用于构成该组合物的各成分进行配合而得到。
各成分配合时的添加顺序没有特殊限定，也可以同时添加两种以上的成分。
配合时将各成分混合的方法没有特殊限定，从下述的公知方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌桨等旋转而进行混合的方法；使用混合器进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。
各成分的添加及混合时的温度及时间只要不会导致各配合成分发生劣化则没有特殊限定，适当调节即可，但温度优选为15～30℃。
<第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)>
使第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)固化而形成作为其固化物的第一固化树脂膜(r1)时的固化条件，只要使固化物达到充分发挥其功能的程度的固化度则没有特殊限定，根据第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的种类、上述固化物的用途等适当选择即可。
例如，在第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)固化时，能量射线的照度优选为180～280mW/cm2。此外，在上述固化时能量射线的光量优选为450～1000mJ/cm2。
<第一能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x1-2-1)>
作为第一能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x1-2-1)，可列举例如：含有能量射线固化性成分(a)、填充材料及添加剂的第一能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x1-2-1)(在本说明书中，有时简称为“组合物(x1-2-1)”)等。
(能量射线固化性成分(a))
能量射线固化性成分(a)是通过照射能量射线而发生固化的成分，也是用于对第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)赋予成膜性、挠性等的成分。
能量射线固化性成分(a)优选为未固化的，优选具有粘合性，更优选为未固化且具有粘合性。
作为能量射线固化性成分(a)，可列举例如：具有能量射线固化性基团的重均分子量80,000～2,000,000的聚合物(a1)、及具有能量射线固化性基团的分子量100～80,000的化合物(a2)。上述聚合物(a1)可以是其至少一部分经交联剂进行了交联的聚合物，也可以是未经交联的聚合物。
·具有能量射线固化性基团的重均分子量80,000～2,000,000的聚合物(a1)
作为具有能量射线固化性基团的重均分子量80,000～2,000,000的聚合物(a1)，可列举例如：由具有能够与其它化合物所具有的基团发生反应的官能团的丙烯酸聚合物(a11)、和具有与上述官能团发生反应的基团、及能量射线固化性双键等能量射线固化性基团的能量射线固化性化合物(a12)聚合而成的丙烯酸树脂(a1-1)。
作为能够与其它化合物所具有的基团发生反应的上述官能团，可列举例如：羟基、羧基、氨基、取代氨基(氨基的1个或2个氢原子被氢原子以外的基团取代而成的基团)、环氧基等。其中，从防止半导体晶片、半导体芯片等的电路的腐蚀的观点出发，优选上述官能团为羧基以外的基团。
这些中，上述官能团优选为羟基。
·具有官能团的丙烯酸聚合物(a11)
作为具有上述官能团的丙烯酸聚合物(a11)，可列举例如：具有上述官能团的丙烯酸单体、和不具有上述官能团的丙烯酸单体共聚而成的聚合物，也可以是除了这些单体以外还进一步共聚了丙烯酸单体以外的单体(非丙烯酸单体)的聚合物。
另外，上述丙烯酸聚合物(a11)可以是无规共聚物，也可以是嵌段共聚物。
作为具有上述官能团的丙烯酸单体，可列举例如：含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含取代氨基单体、含环氧基单体等。
作为上述含羟基单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸不饱和醇(不具有(甲基)丙烯酰基骨架的不饱和醇)等。
作为上述含羧基单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和单羧酸(具有烯属不饱和键的单羧酸)；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸(具有烯属不饱和键的二羧酸)；上述烯属不饱和二羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
具有上述官能团的丙烯酸单体优选为含羟基单体、含羧基单体，更优选为含羟基单体。
构成上述丙烯酸聚合物(a11)的具有上述官能团的丙烯酸单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
作为不具有上述官能团的丙烯酸单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等构成烷基酯的烷基为碳原子数1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯等。
作为不具有上述官能团的丙烯酸单体，还可列举例如：(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯；包括(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等在内的具有芳香族基团的(甲基)丙烯酸酯；非交联性的(甲基)丙烯酰胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基丙酯等具有非交联性的叔氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
构成上述丙烯酸聚合物(a11)的不具有上述官能团的丙烯酸单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
作为上述非丙烯酸单体，可列举例如：乙烯、降冰片烯等烯烃；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
构成上述丙烯酸聚合物(a11)的上述非丙烯酸单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在上述丙烯酸聚合物(a11)中，相对于构成该聚合物的结构单元的总量，源自于具有上述官能团的丙烯酸单体的结构单元的量的比例(含量)优选为0.1～50质量％、更优选为1～40质量％、特别优选为3～30质量％。通过使上述比例在这样的范围，在上述丙烯酸聚合物(a11)与上述能量射线固化性化合物(a12)经共聚而得到的上述丙烯酸树脂(a1-1)中能量射线固化性基团的含量能够容易地将第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的固化物的固化程度调整至优选的范围。
构成上述丙烯酸树脂(a1-1)的上述丙烯酸聚合物(a11)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在组合物(x1-2-1)中，相对于溶剂以外的成分的总含量，丙烯酸树脂(a1-1)的含量的比例(即，第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中的丙烯酸树脂(a1-1)的含量相对于上述膜的总质量的比例)优选为1～40质量％、更优选为2～30质量％、特别优选为3～20质量％。
·能量射线固化性化合物(a12)
上述能量射线固化性化合物(a12)优选为具有选自异氰酸酯基、环氧基及羧基中的一种或两种以上作为能够与上述丙烯酸聚合物(a11)所具有的官能团反应的基团的化合物，更优选为具有异氰酸酯基作为上述基团的化合物。上述能量射线固化性化合物(a12)例如在具有异氰酸酯基作为上述基团的情况下，该异氰酸酯基容易与具有羟基作为上述官能团的丙烯酸聚合物(a11)的该羟基发生反应。
上述能量射线固化性化合物(a12)优选在1分子中具有1～5个、更优选具有1～2个上述能量射线固化性基团。
作为上述能量射线固化性化合物(a12)，可列举例如：
2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间-异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰异氰酸酯、异氰酸烯丙酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；
二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物、与(甲基)丙烯酸羟基乙酯经反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；
二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物、与多元醇化合物、及(甲基)丙烯酸羟基乙酯经反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物等。
这些中，上述能量射线固化性化合物(a12)优选为2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。
构成上述丙烯酸树脂(a1-1)的上述能量射线固化性化合物(a12)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在上述丙烯酸树脂(a1-1)中，相对于源自上述丙烯酸聚合物(a11)的上述官能团的含量，源自上述能量射线固化性化合物(a12)的能量射线固化性基团的含量的比例优选为20～120摩尔％、更优选为35～100摩尔％、特别优选为50～100摩尔％。通过使上述含量的比例在这样的范围，能量射线固化性树脂膜(x1-2)的固化物的粘接力会变得更大。需要说明的是，在上述能量射线固化性化合物(a12)为单官能(1分子中具有1个上述基团)化合物的情况下，上述含量的比例的上限值为100摩尔％，但在上述能量射线固化性化合物(a12)为多官能(1分子中具有2个以上上述基团)化合物的情况下，上述含量的比例的上限值有时超过100摩尔％。
上述聚合物(a1)的重均分子量(Mw)优选为100,000～2,000,000、更优选为300,000～1,500,000。
在上述聚合物(a1)为至少一部分通过交联剂而发生了交联的聚合物的情况下，上述聚合物(a1)可以是由不属于上述作为构成丙烯酸聚合物(a11)的单体而进行了说明的上述中的任一单体、且具有与交联剂反应的基团的单体聚合、并通过与上述交联剂反应的基团而发生了交联的聚合物，也可以是通过源自上述能量射线固化性化合物(a12)的与上述官能团反应的基团而发生了交联的聚合物。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中含有的上述聚合物(a1)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
作为具有能量射线固化性基团的分子量100～80,000的化合物(a2)中的上述能量射线固化性基团，可列举包含能量射线固化性双键的基团，作为优选的基团，可列举(甲基)丙烯酰基、乙烯基等。
上述化合物(a2)只要是满足上述条件的化合物则没有特殊限定，可列举：具有能量射线固化性基团的低分子量化合物、具有能量射线固化性基团的环氧树脂、具有能量射线固化性基团的酚醛树脂等。
作为上述化合物(a2)中的具有能量射线固化性基团的低分子量化合物，可列举例如多官能的单体或低聚物等，优选为具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。
作为上述丙烯酸酯类化合物，可列举例如：
甲基丙烯酸2-羟基-3-(甲基)丙烯酰氧基丙酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基多乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-双[4-(2-(甲基)丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基多丙氧基)苯基]丙烷、三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚四亚甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-1,3-二(甲基)丙烯酰氧基丙烷等双官能(甲基)丙烯酸酯；
三(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、ε-己内酯改性三-(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二(三羟甲基丙烷)四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯；
氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物等多官能(甲基)丙烯酸酯低聚物等。
作为上述化合物(a2)中的具有能量射线固化性基团的环氧树脂、具有能量射线固化性基团的酚醛树脂，可使用例如在“日本特开2013-194102号公报”的第0043段等中记载的那些。这样的树脂虽然也属于构成后述的热固性成分的树脂，但在本发明中作为上述化合物(a2)处理。
上述化合物(a2)的重均分子量优选为100～30,000、更优选为300～10,000。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中含有的上述化合物(a2)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
(不具有能量射线固化性基团的聚合物(b))
在组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)含有上述化合物(a2)作为上述能量射线固化性成分(a)的情况下，优选还进一步含有不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)。
上述聚合物(b)可以是其至少一部分经交联剂进行了交联的聚合物，也可以是未经交联的聚合物。
作为不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，可列举例如：丙烯酸聚合物、苯氧基树脂、氨基甲酸酯树脂、聚酯、橡胶类树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂等。
这些聚合物中，上述聚合物(b)优选为丙烯酸聚合物(以下，有时简称为“丙烯酸聚合物(b-1)”)。
丙烯酸聚合物(b-1)可以是公知的那些，例如，可以是一种丙烯酸单体的均聚物，也可以是两种以上丙烯酸单体的共聚物，还可以是一种或两种以上丙烯酸单体与一种或两种以上丙烯酸单体以外的单体(非丙烯酸单体)的共聚物。
作为构成丙烯酸聚合物(b-1)的上述丙烯酸单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸烷基酯、具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯、含缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯、含羟基(甲基)丙烯酸酯、含取代氨基(甲基)丙烯酸酯等。这里，所述“取代氨基”参见前述说明。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举例如与在前述中说明的构成丙烯酸聚合物(a11)的不具有上述官能团的丙烯酸单体(构成烷基酯的烷基为碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯等)相同的那些。
作为上述具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：
(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；
(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯等(甲基)丙烯酸环烯基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸环烯氧基烷基酯等。
作为上述含缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
作为上述含羟基(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。
作为上述含取代氨基(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：(甲基)丙烯酸N-甲基氨基乙酯等。
作为构成丙烯酸聚合物(b-1)的上述非丙烯酸单体，可列举例如：乙烯、降冰片烯等烯烃；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
作为至少一部分通过交联剂而发生了交联的上述不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，可列举例如：上述聚合物(b)中的反应性官能团与交联剂反应而得到的聚合物。
上述反应性官能团根据交联剂的种类等而适当选择即可，没有特殊限定。例如，在交联剂为多异氰酸酯化合物的情况下，作为上述反应性官能团，可列举羟基、羧基、氨基等，在这些官能团中，优选与异氰酸酯基的反应性高的羟基。另外，在交联剂为环氧类化合物的情况下，作为上述反应性官能团，可列举羧基、氨基、酰胺基等，在这些官能团中，优选与环氧基的反应性高的羧基。需要说明的是，从防止半导体晶片、半导体芯片的电路的腐蚀的方面考虑，优选上述反应性官能团为除羧基以外的基团。
作为具有上述反应性官能团的不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，可列举例如使至少具有上述反应性官能团的单体聚合而得到的聚合物。如果是丙烯酸聚合物(b-1)的情况，则使用具有上述反应性官能团的单体作为以构成该聚合物的单体而列举的上述丙烯酸单体及非丙烯酸单体中的任意一者或两者即可。作为具有羟基作为反应性官能团的上述聚合物(b)，可列举例如使含羟基(甲基)丙烯酸酯聚合而得到的聚合物，除此以外，还可列举使前面列举的上述丙烯酸单体或非丙烯酸单体中的1个或2个以上氢原子被上述反应性官能团取代而成的单体聚合而得到的聚合物。
在具有反应性官能团的上述聚合物(b)中，相对于构成该聚合物的结构单元的总量，源自于具有反应性官能团的单体的结构单元的量的比例(含量)优选为1～20质量％、更优选为2～10质量％。通过使上述比例在这样的范围，在上述聚合物(b)中，交联的程度会达到更优选的范围。
从组合物(IV)的成膜性变得更为良好的方面考虑，不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的重均分子量(Mw)优选为10,000～2,000,000、更优选为100,000～1,500,000。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中含有的不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
作为组合物(x1-2-1)，可列举含有上述聚合物(a1)及上述化合物(a2)中的任意一者或两者的组合物。其中，在组合物(x1-2-1)含有上述化合物(a2)的情况下，优选还进一步含有不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，在该情况下，优选还进一步含有上述聚合物(a1)。另外，组合物(x1-2-1)也可以不含有上述化合物(a2)、而同时含有上述聚合物(a1)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)。
在组合物(x1-2-1)含有上述聚合物(a1)、上述化合物(a2)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的情况下，在组合物(x1-2-1)中，相对于上述聚合物(a1)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总含量100质量份，上述化合物(a2)的含量优选为10～400质量份、更优选为30～350质量份。
在组合物(x1-2-1)中，相对于溶剂以外的成分的总含量，上述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的合计含量的比例(即，第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中的上述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的合计含量相对于上述膜的总质量的比例)优选为5～90质量％、更优选为10～80质量％、特别优选为20～70质量％。通过使上述比例在这样的范围，第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的能量射线固化性变得更为良好。
(填充材料)
通过对组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中的填充材料的量进行调节，能够更容易调节上述X值。另外，通过对组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中的填充材料的量进行调节，能够更容易调节第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的固化物的热膨胀系数，例如，通过使第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的固化物的热膨胀系数相对于保护膜的形成对象物而言达到最优化，使用第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)得到的封装体的可靠性进一步提高。另外，通过使用含有填充材料的第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)，还能够使第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的固化物的吸湿率减小、或使放热性提高。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中含有的上述填充材料与在前述中说明的组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中含有的填充材料(D)相同。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中填充材料的含有形态可以与在组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中填充材料(D)的含有形态相同。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中含有的填充材料可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
在组合物(x1-2-1)中，相对于除溶剂以外的全部成分的总含量的填充材料的含量的比例(即，第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中的填充材料的含量相对于第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的总质量的比例)例如可以为5～45质量％。通过使上述比例在这样的范围，在将第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)粘贴于半导体芯片制作用晶片的凸块形成面时，抑制第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)在凸块的上部的残存的效果、抑制第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的溢出的效果、抑制凸块形成面上的第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)及其固化物的缩孔的效果、以及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)向槽部的填入性的改善效果进一步提高，而且能够更容易调节上述的热膨胀系数。
(添加剂)
通过对组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中的添加剂的种类或量进行调节，能够更容易调节上述X值。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中含有的上述添加剂与在前述中说明的组合物(x1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中含有的添加剂(I)相同。
例如，从能够更容易地调节上述X值的方面出发，作为优选的添加剂，可列举流变调节剂、表面活性剂、硅油等。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中添加剂的含有形态可以与在组合物(X1-1-1)及第一热固性树脂膜(x1-1)中添加剂(I)的含有形态相同。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中含有的添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的添加剂的含量没有特殊限定，可以根据其种类、目的而适当调节。
例如，在以调节上述X值为目的的情况下，在组合物(x1-2-1)中，相对于除溶剂以外的全部成分的总含量的添加剂的含量的比例(即，第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中的添加剂的含量相对于第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的总质量的比例)例如可以为0.5～10质量％。
(其它成分)
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)也可以在不破坏本发明的效果的范围内，含有不属于能量射线固化性成分(a)、上述填充材料及上述添加剂中的任意成分的其它成分。
作为上述其它成分，可列举例如：热固性成分、光聚合引发剂、偶联剂、交联剂等。例如，通过使用含有上述能量射线固化性成分(a)及热固性成分的组合物(x1-2-1)，第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)可通过加热而使其相对于被粘附物的粘接力提高，该第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的固化物的强度也提高。
作为组合物(x1-2-1)中的上述热固性成分、光聚合引发剂、偶联剂、及交联剂，分别可列举与组合物(x1-1-1)中的热固性成分(B)、光聚合引发剂、偶联剂(E)、及交联剂(F)相同的那些。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)中含有的上述其它成分可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
组合物(x1-2-1)及第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的上述其它成分的含量没有特殊限定，根据目的而适当选择即可。
(溶剂)
组合物(x1-2-1)优选进一步含有溶剂。含有溶剂的组合物(x1-2-1)的处理性变得良好。
作为组合物(x1-2-1)中含有的溶剂，可列举例如与在前述说明的组合物(x1-1-1)中含有的溶剂相同的那些。
组合物(x1-2-1)中含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
组合物(x1-2-1)的溶剂的含量没有特殊限定，例如，根据溶剂以外的成分的种类而适当选择即可。
<第一能量射线固化性保护膜形成用组合物(x1-2-1)的制造方法>
第一能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x1-2-1)可通过将用于构成该组合物的各成分进行配合而得到。
对于第一能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x1-2-1)，除了例如配合成分的种类不同的方面以外，可以通过与前述说明的第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)的情况相同的方法来制造。
[第一复合片(α1)]
第一固化性树脂膜(x1)如前所述，可以通过与第一支撑片(Y1)层叠而构成第一复合片(α1)。
需要说明的是，在以下的说明中，也将“第一固化性树脂膜(x1)”简称为“第一固化性树脂(x1)”。
第一复合片(α1)的构成例如图3所示。
第一复合片(α1)如图3所示的第一复合片(α1)那样，在第一支撑片(Y1)的一面具备有第一固化性树脂(x1)的层(X1)。通过在第一支撑片(Y1)的一面具备有第一固化性树脂(x1)的层(X1)，在制成产品封装体而搬运第一固化性树脂(x1)的层(X1)、或在工序内运送第一固化性树脂(x1)的层(X1)时，可稳定地支撑/保护第一固化性树脂(x1)的层(X1)。
另外，第一复合片(α1)的具体的构成例如图4～图6所示。
第一复合片(α1)如图4所示的第一复合片(α1a)那样，第一支撑片(Y1)为基材51，且在基材51的一面具备有第一固化性树脂(x1)的层(X1)。
另外，第一复合片(α1)可以如图5所示的第一复合片(α1b)那样，第一支撑片(Y1)为将基材51和粘合剂层61层叠而成的粘合片，且该粘合片的粘合剂层61与第一固化性树脂(x1)的层(X1)贴合在一起。
此外，第一复合片(α1)也可以如图6所示的第一复合片(α1c)那样，第一支撑片(Y1)为将基材51、中间层71及粘合剂层61依次层叠而成的粘合片，且该粘合片的粘合剂层61与第一固化性树脂(x1)的层(X1)贴合在一起。将基材51、中间层71及粘合剂层61依次层叠而成的粘合片可以适宜用作背磨胶带。即，图6所示的第一复合片(α1c)由于具有背磨胶带作为第一支撑片(Y1)，因此在将第一复合片(α1c)的第一固化性树脂(x1)的层(X1)与半导体芯片制作用晶片的凸块形成面贴合之后对半导体芯片制作用晶片的背面进行磨削而进行薄化处理时，可以适宜地使用。
以下，针对用于第一复合片(α1)的第一固化性树脂(x1)及第一支撑片(Y1)进行说明。
<第一支撑片(Y1)>
第一支撑片(Y1)作为用于支撑第一固化性树脂(x1)的支撑体发挥功能。
第一支撑片(Y1)可以如图4所示那样，仅由基材51构成，也可以如图5所示那样，为基材51与粘合剂层61的层叠体，还可以如图6所示那样，为由基材51、中间层71及粘合剂层61依次层叠而成的层叠体。由基材51、中间层71及粘合剂层61依次层叠而成的层叠体适宜用作背磨片(b-BG)。
以下，针对第一支撑片(Y1)所具有的基材、第一支撑片(Y1)可任选具有的粘合剂层及中间层进行说明。
(基材)
基材为片状或膜状，作为其构成材料，可列举例如以下的各种树脂。
作为构成基材的树脂，可列举例如：低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯树脂等除聚乙烯以外的聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯类共聚物(使用乙烯作为单体而得到的共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯类树脂(使用氯乙烯作为单体而得到的树脂)；聚苯乙烯；聚环烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、全部的结构单元具有芳环式基团的全芳香族聚酯等聚酯；两种以上上述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚氨基甲酸酯；聚氨基甲酸酯丙烯酸酯；聚酰亚胺；聚酰胺；聚碳酸酯；氟树脂；聚缩醛；改性聚苯醚；聚苯硫醚；聚砜；聚醚酮等。
另外，作为构成基材的树脂，还可列举例如上述聚酯和除其以外的树脂的混合物等聚合物合金。上述聚酯和除其以外的树脂的聚合物合金中，优选聚酯以外的树脂的量为较少量。
另外，作为构成基材的树脂，还可列举例如：至此为止所示例出的上述树脂中的一种或两种以上经交联而得到的交联树脂；使用了至此为止所示例出的上述树脂中的一种或两种以上的离聚物等改性树脂。
构成基材的树脂可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。构成基材的树脂为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
基材可以仅为一层(单层)，也可以为两层以上的多层。基材为多层的情况下，这多个层相互可以相同也可以不同，对于这多个层的组合没有特别限定。
基材的厚度优选为5μm～1,000μm、更优选为10μm～500μm、进一步优选为15μm～300μm、更进一步优选为20μm～150μm。
这里，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如，由多层构成的基材的厚度是指构成基材的全部层的合计厚度。
基材优选为厚度精度高的材料，即，优选为厚度的偏差不依赖于部位而得到了抑制的材料。在上述构成材料中，作为能够用于构成这样的基材的厚度精度高的材料，可列举例如：聚乙烯、除聚乙烯以外的聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
基材中除了上述树脂等主要构成材料以外，还可以含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。
基材既可以是透明的，也可以是不透明的，可以根据目的而经过了着色，或者也可以蒸镀有其它层。另外，在第一固化性树脂膜(x1)为第一能量射线固化性树脂膜(x1-2)的情况下、以及粘合剂层为能量射线固化性的粘合剂层的情况下，优选基材为使能量射线透过的材料。
基材可利用公知的方法制造。例如，含有树脂的基材可以通过将含有上述树脂的树脂组合物成型而制造。
(粘合剂层)
粘合剂层为片状或膜状，含有粘合剂。
作为粘合剂，可列举例如：丙烯酸类树脂(由具有(甲基)丙烯酰基的树脂形成的粘合剂)、氨基甲酸酯类树脂(由具有氨基甲酸酯键的树脂形成的粘合剂)、橡胶类树脂(由具有橡胶结构的树脂形成的粘合剂)、有机硅类树脂(由具有硅氧烷键的树脂形成的粘合剂)、环氧类树脂(由具有环氧基的树脂形成的粘合剂)、聚乙烯基醚、聚碳酸酯等粘合性树脂。这些中，优选为丙烯酸类树脂。
需要说明的是，在本发明中，所述“粘合性树脂”为包括具有粘合性的树脂、和具有粘接性的树脂这两者的概念，例如，不仅包括树脂本身具有粘合性的情况，还包括通过与添加剂等其它成分组合使用而显示出粘合性的树脂、通过热或水等触发源(trigger)的存在而显示出粘接性的树脂等。
粘合剂层可以仅为一层(单层)，也可以为两层以上的多层。粘合剂层为多层的情况下，这多个层相互可以相同也可以不同，对于这多个层的组合没有特别限定。
粘合剂层的厚度优选为1μm～1000μm、更优选为5μm～500μm、进一步优选为10μm～100μm。这里，“粘合剂层的厚度”是指粘合剂层整体的厚度，例如，由多层构成的粘合剂层的厚度是指构成粘合剂层的全部层的合计厚度。
粘合剂层可以是使用能量射线固化性粘合剂形成的层，也可以是使用非能量射线固化性粘合剂形成的层。使用能量射线固化性的粘合剂形成的粘合剂层在固化前及固化后的物性能够容易地进行调节。
(中间层)
中间层为片状或膜状，其构成材料只要根据目的而适当选择即可，没有特殊限定。例如，在以抑制由于在覆盖半导体表面的保护膜反映出在半导体表面存在的凸块的形状而导致保护膜发生变形作为目的的情况下，作为中间层的优选的构成材料，从凹凸追随性高、中间层的粘贴性进一步提高的观点出发，可列举氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。
中间层可以仅为一层(单层)，也可以为两层以上的多层。中间层为多层的情况下，这多个层相互可以相同也可以不同，对于这多个层的组合没有特别限定。
中间层的厚度可以根据成为保护对象的半导体表面的凸块的高度而适当调节，但从对于高度较高的凸块的影响也能够容易地吸收的观点出发，优选为50μm～600μm、更优选为70μm～500μm、进一步优选为80μm～400μm。这里，“中间层的厚度”是指中间层整体的厚度，例如，由多层构成的中间层的厚度是指构成中间层的全部层的合计厚度。
接下来，针对第一复合片(α1)的制造方法进行说明。
[第一复合片(α1)的制造方法]
第一复合片(α1)可以通过将上述各层以形成为对应的位置关系的方式依次层叠而制造。
例如，在制造第一支撑片(Y1)时，要在基材上层叠粘合剂层或中间层的情况下，可以通过在基材上涂敷粘合剂组合物或中间层形成用组合物，并根据需要进行干燥、或照射能量射线，从而层叠粘合剂层或中间层。
作为涂敷方法，可列举例如：旋涂法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、辊刀涂布法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。
另一方面，例如，要在已层叠于基材上的粘合剂层上进一步层叠第一固化性树脂膜(x1)的情况下，可以通过在粘合剂层上涂敷第一热固性树脂组合物(x1-1-1)或第一能量射线固化性树脂组合物(x1-2-1)而直接形成第一固化性树脂(x1)的层(X1)。
同样地，要在已层叠于基材上的中间层上进一步层叠粘合剂层的情况下，可以通过在中间层上涂敷粘合剂组合物而直接形成粘合剂层。
像这样地，在使用任意的组合物来形成连续两层的层叠结构的情况下，可以在由上述组合物形成的层上进一步涂敷组合物而新形成层。其中，优选预先使用上述组合物在另外的剥离膜上形成这两层中的后层叠的层，再将该已形成的层的与和上述剥离膜接触一侧相反侧的露出面与已经形成的其余的层的露出面贴合，从而来形成连续两层的层叠结构。此时，上述组合物优选涂敷于剥离膜的剥离处理面。剥离膜在形成了层叠结构之后根据需要而去除即可。
<第二固化性树脂膜(x2)>
本发明的套件包含第二固化性树脂膜(x2)。
第二固化性树脂膜(x2)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述与凸块形成面为相反侧的面(背面)形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
第二固化性树脂膜(x2)(以下也简称为“第二固化性树脂(x2)”)可以适当地用于形成半导体芯片的背面保护膜的一般的固化性树脂膜，例如可以与上述的第一固化性树脂膜(x1)为同样的材质及构成。
需要说明的是，由于一般而言在半导体晶片的背面不存在凸块、槽部而是平滑的，因此对于第二固化性树脂膜(x2)，并不要求满足在第一固化性树脂膜(x1)中作为优选条件的条件(I)。因此，在第二固化性树脂(x2)中，X值可以为18以下，另外，可以为10,000以上。
(着色剂(J))
这里，从提高通过激光打标形成的印字的视觉辨认性的观点、使半导体芯片背面的磨痕不易被观察到而提高半导体芯片的设计性的观点等出发，优选第二固化性树脂(x2)及用于形成第二固化性树脂(x2)的固化性树脂膜形成用组合物含有着色剂(J)。
作为着色剂(J)，可列举例如：无机类颜料、有机类颜料、有机类染料等公知的着色剂。
作为上述有机类颜料及有机类染料，可列举例如：铵系色素、花青系色素、部花青系色素、克酮酸(coronium)系色素、方酸菁系色素、薁
Figure BDA0003714940220000451
系色素、聚甲炔系色素、萘醌系色素、吡喃
Figure BDA0003714940220000452
系色素、酞菁系色素、萘酞菁系色素、萘内酰亚胺系色素、偶氮系色素、缩合偶氮系色素、靛蓝系色素、芘酮系色素、苝系色素、二
Figure BDA0003714940220000453
嗪系色素、喹吖啶酮系色素、异吲哚啉酮系色素、喹酞酮系色素、吡咯系色素、硫靛系色素、金属络合物系色素(金属络盐染料)、二硫醇金属络合物系色素、吲哚酚系色素、三烯丙基甲烷系色素、蒽醌系色素、萘酚系色素、偶氮甲碱系色素、苯并咪唑酮系色素、皮蒽酮系色素及还原系色素等。
作为上述无机类颜料，可列举例如：炭黑、钴色素、铁系色素、铬系色素、钛系色素、钒系色素、锆系色素、钼系色素、钌系色素、铂系色素、ITO(氧化铟锡)系色素、ATO(氧化锑锡)系色素等。
第二固化性树脂(x2)及用于形成第二固化性树脂(x2)的固化性树脂膜形成用组合物中含有的着色剂(J)可以仅为一种，也可以为两种以上。着色剂(J)为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。
使用着色剂(J)的情况下，第二固化性树脂(x2)的着色剂(J)的含量根据目的而适当调整即可。例如，如前所述，作为通过使第二固化性树脂(x2)固化而形成的固化物的第二固化树脂膜(r2)有时要通过激光照射而施加印字，而通过调节第二固化性树脂(x2)的着色剂(J)的含量、调节保护膜的透光性，可以对印字视觉辨认性进行调节。另外，通过调节热固性保护膜形成用膜的着色剂(J)的含量，还可以使保护膜的设计性提高，从而使半导体晶片的背面的磨痕不易被观察到。出于这些考虑，在用于形成第二固化性树脂(x2)的固化性树脂膜形成用组合物中，着色剂(J)的含量相对于溶剂以外的全部成分的总含量(也称为保护膜形成用组合物(III-1)的固体成分的总质量)的比例(即，热固性保护膜形成用膜的着色剂(J)的含量)优选为0.1～10质量％、更优选为0.1～7.5质量％、特别优选为0.1～5质量％。通过使着色剂(J)的上述含量在上述下限值以上，可更显著地获得使用着色剂(J)所带来的效果。另外，通过使着色剂(J)的上述含量在上述上限值以下，可抑制第二固化性树脂(x2)的透光性的透过下降。
(第二固化性树脂膜(x2)的适宜的物性)
第二固化性树脂膜(x2)优选与第一固化树脂膜(r1)的密合性高。由此，在将后述的第二复合片(α2)的第二固化性树脂膜(x2)粘贴于晶片的背面之后将第二固化性树脂膜(x2)从第二支撑片(Y2)剥离时，第二固化性树脂膜(x2)不会从第一固化树脂膜(r1)及晶片的背面剥离、而是牢固地密合。
另外，从在将第二固化性树脂膜(x2)粘贴于晶片的背面时在粘贴位置等出错的情况下修正该错误的观点出发，优选第二固化性树脂膜(x2)为容易从晶片的背面剥离(欢颜之，为再加工性高)的膜。
具体而言，从第二固化性树脂膜(x2)与第一固化树脂膜(r1)的密合性的观点出发，第一固化树脂膜(r1)与第二固化性树脂膜(x2)之间的剥离力优选为25mN/25mm以上、更优选为28mN/25mm以上、进一步优选为30mN/25mm以上。
另外，从改善第二固化性树脂膜(x2)的再加工性的观点出发，第一固化树脂膜(r1)与第二固化性树脂膜(x2)之间的剥离力优选小于700mN/25mm、更优选为600mN/25mm以下、进一步优选为500mN/25mm以下、更进一步优选为400mN/25mm以下、进一步优选为300mN/25mm以下。
需要说明的是，第一固化树脂膜(r1)与第二固化性树脂膜(x2)之间的剥离力例如可以通过第二固化性树脂膜(x2)中填充剂直径的大小来进行调整。
需要说明的是，第一固化树脂膜(r1)与第二固化性树脂膜(x2)之间的剥离力可以在温度23℃、相对湿度50％的环境中，使用万能型拉伸试验机(株式会社Orientec制、型号:Tensilon RTC-1210A)，基于JIS Z0237:2009的剥离力的测定法在剥离角度180°、剥离速度300mm/min的条件下进行测定。
另外，从改善再加工性的观点出发第2固化性树脂膜(x2)相对于硅晶片(镜面)的剥离力优选为3,000mN/25mm以下、更优选为1,000mN/25mm以下、特别优选为700mN/25mm以下。
需要说明的是，第2固化性树脂膜(x2)相对于硅晶片(镜面)的剥离力可以在温度23℃、相对湿度50％的环境中，使用万能型拉伸试验机(株式会社Orientec制、型号:Tensilon RTC-1210A)，基于JIS Z0237:2009的剥离力的测定法在剥离角度180°、剥离速度300mm/min的条件下进行测定。
进一步，在使第二固化性树脂膜(x2)固化而形成第二固化树脂膜(r2)时，优选该第二固化性树脂膜(r2)不从第一固化树脂膜(r1)及晶片的背面剥离、而是牢固地密合。
[第二复合片(α2)]
第二复合片(α2)只要是能够在半导体晶片的背面形成保护膜的构成则没有特殊限定，可以采用例如与第一复合片(α1)同样的构成。
另外，第二复合片(α2)所具有的第二支撑片(Y2)可以是与上述第一支撑片(Y1)同样的构成。具体而言，第二支撑片(Y2)可以与第一支撑片(Y1)同样地，为图4所示那样的仅由基材51构成的材料，也可以是图5所示那样的由基材51和粘合剂层61层叠而成的粘合片，还可以是图6所示那样的由基材51、中间层71及粘合剂层61层叠而成的粘合片。
第二支撑片(Y2)所具有的基材、中间层及粘合剂层可以是与第一支撑片(Y1)所具有的基材、中间层、及粘合剂层同样的构成及材质。
需要说明的是，在第二固化性树脂膜(x2)为热固性的情况下，从抑制在热固化工序中的收缩、熔融的观点出发，优选第二支撑片(Y2)的耐热性优异。另外，在第二固化性树脂膜(x2)为能量射线固化性的情况下，优选第二支撑片(Y2)具有能量射线透过性。
[套件的使用方法]
本发明的套件中，将第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，并且将第二固化性树脂膜(x2)用于在上述半导体芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
更详细而言，本发明的套件通过使用了具有具备凸块的凸块形成面及作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片的、后述的半导体芯片的制造方法，将第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，并且第二固化性树脂膜(x2)用于在上述半导体芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
[本发明的半导体芯片的制造方法]
本发明的半导体芯片的制造方法包括下述工序(S)及下述工序(T)。
·工序(S)：使用上述套件的第一固化性树脂膜(x1)在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的工序
·工序(T)：使用上述套件的第二固化性树脂膜(x2)在上述半导体芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)的工序
在本发明的半导体芯片的制造方法的一个方式中，工序(S)包括工序(S1)～工序(S4)、并进一步包括工序(S-BG)。
这里，本发明的一个方式的半导体芯片的制造方法的工序简图如图7所示。
在本发明的一个方式的半导体芯片的制造方法中，工序(S)大致包括准备半导体芯片制作用晶片的工序(S1)、粘贴第一固化性树脂膜(x1)的工序(S2)、使第一固化性树脂(x1)固化的工序(S3)、及进行单片化的工序(S4)，并进一步包括对半导体芯片制作用晶片的背面进行磨削的工序(S-BG)。
本发明的半导体芯片的制造方法如上所述，可使用本发明的套件来实施。
详细而言，在本发明的一个方式的半导体芯片的制造方法中，工序(S)依次包括下述工序(S1)～(S4)。
·工序(S1)：准备在具有凸块形成面的半导体晶片的上述凸块形成面以不到达背面的方式形成有作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片的工序，所述凸块形成面具备凸块；
·工序(S2)：将本发明的套件的第一固化性树脂(x1)按压并粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面，在利用第一固化性树脂(x1)包覆上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面的同时，使上述第一固化性树脂(x1)填入形成在上述半导体芯片制作用晶片上的上述槽部的工序；
·工序(S3)：使上述第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的工序；
·工序(S4)：将上述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片沿着上述分割预定线进行单片化的工序
在上述工序(S2)之后且上述工序(S3)之前、上述工序(S3)之后且上述工序(S4)之前、或上述工序(S4)中进一步包括下述工序(S-BG)。
·工序(S-BG)：对上述半导体芯片制作用晶片的上述背面进行磨削的工序
通过使用了本发明的套件的包括工序(S)及工序(T)的制造方法，不仅是半导体芯片的凸块形成面，侧面也被第一固化树脂膜(r1)所包覆，进而半导体芯片的背面也被第二固化树脂膜(r2)所包覆。因此，可得到强度优异、并且不易发生作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的剥落的半导体芯片。
需要说明的是，这里的所述“被包覆”是指在1个半导体芯片的凸块形成面和侧面沿着半导体芯片的形状而形成有第一固化树脂膜(r1)、并在半导体芯片的背面形成有第二固化树脂膜(r2)。即，本发明明确区别于将多个半导体芯片封入树脂中的密封技术。
以下，针对本发明的半导体芯片的制造方法，逐个工序地进行详细说明。
需要说明的是，在以下的说明中，也将“半导体芯片”简称为“芯片”、也将“半导体晶片”简称为“晶片”。
[工序(S1)]
关于在工序(S1)中准备的半导体晶片的一例，将俯视图示于图8、将剖面简图示于图9。
在工序(S1)中，准备半导体芯片制作用晶片10，该半导体芯片制作用晶片10在具有具备凸块12的凸块形成面11a的半导体晶片11的凸块形成面11a以不到达背面11b的方式形成有作为分割预定线的槽部13。
需要说明的是，在图8中，省略了凸块的图示。
凸块12的形状没有特殊限定，只要能够与芯片搭载用的基板上的电极等接触而固定则可以是任意形状。
例如，在图9中，将凸块12形成为了球状，但凸块12也可以是旋转椭球体。该旋转椭球体例如可以是向着相对于晶片11的凸块形成面11a垂直的方向拉伸而成的旋转椭球体，也可以是向着相对于晶片11的凸块形成面11a水平的方向拉伸而成的旋转椭球体。另外，凸块12也可以是ピラ一(柱)形状。
凸块12的高度没有特殊限定，可根据设计上的要求而适当变更。
作为示例，为30μm～300μm、优选为60μm～250μm、更优选为80μm～200μm。
需要说明的是，“凸块12的高度”是指在着眼于1个凸块时，存在于距离凸块形成面11a最高的位置的部位的高度。
关于凸块12的个数，没有特殊限定，可根据设计上的要求而适当变更。
晶片11是表面形成有例如布线、电容器、二极管、及晶体管等的电路的半导体晶片。该晶片的材质没有特殊限定，可列举例如：硅晶片、碳化硅晶片、化合物半导体晶片、玻璃晶片、及蓝宝石晶片等。
就晶片11的尺寸而言，没有特殊限定，从提高批处理效率的观点出发，通常为8英寸(直径200mm)以上、优选为12英寸(直径300mm)以上。需要说明的是，晶片的形状并不限定于圆形，也可以是例如正方形、长方形等方形。在为方形晶片的情况下，就晶片11的尺寸而言，从提高批处理效率的观点出发，优选最长的边的长度在上述尺寸(直径)以上。
晶片11的厚度没有特殊限定，但从容易抑制伴随使第一固化性树脂(x1)固化时的收缩而发生的翘曲的观点、在后续工序中抑制晶片11的背面11b的磨削量从而缩短背面磨削所需要的时间的观点出发，优选为100μm～1,000μm、更优选为200μm～900μm、进一步优选为300μm～800μm。
在工序(S1)中准备的半导体芯片制作用晶片10的凸块形成面11a，作为对半导体芯片制作用晶片10进行单片化时的分割预定线，呈格子状而形成有多个槽部13。多个槽部13是采用刀片尖端切割法(Dicing Before Grinding)时所形成的切入槽，以浅于晶片11的厚度的深度形成，从而使槽部13的最深部不到达晶片11的背面11b。多个槽部13可以通过现有公知的使用了具备切割刀的晶片切割装置等的切割而形成。需要说明的是，多个槽部13也可不使用刀片、而是通过使用了激光等的切割而形成。
需要说明的是，多个槽部13只要使所制造的半导体芯片形成为期望的尺寸及形状即可，未必要以图8所示那样的格子状形成槽部13。另外，半导体芯片的尺寸通常为0.5mm×0.5mm～1.0mm×1.0mm左右，但并不限定于该尺寸。
从使第一固化性树脂(x1)的填入性良好的观点出发，槽部13的宽度优选为10μm～2,000μm、更优选为30μm～1,000μm、进一步优选为40μm～500μm、更进一步优选为50μm～300μm。
槽部13的深度可相应于所使用的晶片的厚度及所要求的芯片厚度而进行调整，优选为30μ。
槽部13的纵横比可以为2～6、也可以为2.5～5、还可以为3～5。
在工序(S1)中准备的半导体芯片制作用晶片10被供于工序(S2)。
[工序(S2)]
图10示出了工序(S2)的概要。
在工序(S2)中，将本发明的套件的第一固化性树脂(x1)按压并粘贴于半导体芯片制作用晶片10的凸块形成面11a。
这里，就本发明的套件中所含的第一固化性树脂(x1)而言，从其处理性的观点出发，优选层叠于支撑片而使用。
因此，在工序(S2)中，优选将具有使第一支撑片(Y1)和第一固化性树脂(x1)的层(X1)层叠而成的层叠结构的第一复合片(α1)以上述层(X1)为粘贴面按压并粘贴于半导体芯片制作用晶片10的凸块形成面11a。
通过工序(S2)，如图4所示地，将半导体芯片制作用晶片10的凸块形成面11a用第一固化性树脂(x1)包覆，并且使第一固化性树脂(x1)填入形成于半导体芯片制作用晶片10的槽部13。
通过将第一固化性树脂(x1)填入形成于半导体芯片制作用晶片10的槽部13，可以在工序(S4)中对半导体芯片制作用晶片10进行单片化时将成为半导体芯片的侧面的部分用第一固化性树脂(x1)包覆。也就是，可以通过工序(S2)而形成使得半导体芯片的强度优异、同时对于抑制作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的剥落而言必要的包覆物，该包覆物为包覆半导体芯片侧面的第一固化树脂膜(r1)的前体。
需要说明的是，从使第一固化性树脂(x1)向槽部13的填入性良好的观点出发，将第一复合片(α1)粘贴于半导体芯片制作用晶片10时的按压力优选为1kPa～200kPa、更优选为5kPa～150kPa、进一步优选为10kPa～100kPa。
需要说明的是，将第一复合片(α1)粘贴于半导体芯片制作用晶片10时的按压力从粘贴初期到末期可以适当变动。例如，从使第一固化性树脂(x1)向槽部13的填入性更为良好的观点出发，优选将粘贴初期的按压力设定得较低、并缓慢提高按压力。
另外，将第一复合片(α1)粘贴于半导体芯片制作用晶片10时，在第一固化性树脂(x1)为热固性树脂的情况下，从使第一固化性树脂(x1)向槽部13的填入性更为良好的观点出发，优选进行加热。在第一固化性树脂(x1)为热固性树脂的情况下，第一固化性树脂(x1)会因加热而发生流动性的暂时性的提高，而通过继续加热则会发生固化。为此，通过在第一固化性树脂(x1)的流动性提高的范围内进行加热，容易使第一固化性树脂(x1)遍布槽部13整体，从而能够进一步提高第一固化性树脂(x1)向槽部13的填入性。
作为具体的加热温度(粘贴温度)，优选为50℃～150℃、更优选为60℃～130℃、进一步优选为70℃～110℃。
需要说明的是，对第一固化性树脂(x1)进行的该加热处理并不包括于第一固化性树脂(x1)的固化处理。
进一步，将第一复合片(α1)粘贴于半导体芯片制作用晶片10时，优选在减压环境下进行。由此，槽部13成为负压，容易使第一固化性树脂(x1)遍布槽部13整体。其结果，第一固化性树脂(x1)向槽部13的填入性变得更为良好。作为减压环境的具体压力，优选为0.001kPa～50kPa、更优选为0.01kPa～5kPa、进一步优选为0.05kPa～1kPa。
另外，从使第一固化性树脂(x1)向槽部13的填入性更为良好的观点出发，第一复合片(α1)中的第一固化性树脂(x1)的层(X1)的厚度优选大于30μm且为200μm以下、更优选为60μm～150μm、进一步优选为80μm～130μm。
进一步，就第一固化性树脂(x1)的层(X1)而言，在将第一复合片(α1)粘贴于半导体芯片制作用晶片10的凸块形成面11a时，从容易抑制第一固化性树脂(x1)在凸块12上部的残存的观点、容易抑制第一固化性树脂(x1)的层(X1)的溢出的观点、容易抑制在凸块形成面11a上的作为第一固化性树脂(x1)及其固化物的第一固化树脂膜(r1)的缩孔的观点、以及使第一固化性树脂(x1)向槽部13的填入性变得良好的观点出发，优选满足上述条件(I)。
这里，第一复合片(α1)所具有的第一支撑片(Y1)优选对第一固化性树脂(x1)进行支撑，同时兼具作为背磨片的功能。
在该情况下，在粘贴有第一复合片(α1)的状态下对晶片11的背面11b进行磨削时，第一支撑片(Y1)作为背磨片发挥功能，能够使背磨工序的实施变得容易。
[工序(S3)、工序(S4)、工序(S-BG)、及工序(T)]
通过上述的直到工序(S2)为止的工序，可形成在半导体芯片制作用晶片10上粘贴而层叠了第一复合片(α1)的层叠体。该层叠体优选相应于实施工序(S-BG)及工序(T)的时间点而被供于在以下进行说明的第一实施方式～第四实施方式中任意实施方式所涉及的工序。
以下，关于第一实施方式～第四实施方式，穿插着有关实施工序(S-BG)及工序(T)的时间点的说明而对工序(S3)及工序(S4)进行说明。
<第一实施方式>
在第一实施方式中，可如图7所示地，在工序(S2)之后且工序(S3)之前进行工序(S-BG)。
图11示出了有关第一实施方式的简图。
(第一实施方式：工序(S-BG))
在第一实施方式中，首先实施工序(S-BG)。具体而言，如图11的(1-a)所示地，在粘贴有第一复合片(α1)的状态下对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行磨削。图11中的“BG”表示背磨，在之后的附图中也同样。接着，如图11的(1-b)所示地，将第一支撑片(Y1)从第一复合片(α1)剥离。
对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行磨削时的磨削量只要是至少使半导体芯片制作用晶片10的槽部13的底部露出的量即可，但也可以进一步进行磨削而在磨削半导体芯片制作用晶片10的同时、对填入槽部13的第一固化性树脂(x1)也进行磨削。
在第一实施方式中，由于在实施工序(S3)之前将第一支撑片(Y1)剥离，因此即使是第一固化性树脂(x1)为热固性树脂、在工序(S3)中要实施用以固化的加热处理的情况下，对于第一支撑片(Y1)也不要求耐热性。因此，第一支撑片(Y1)在设计上的自由度提高。
(第一实施方式：工序(S3))
在实施了工序(S-BG)之后，实施工序(S3)。具体而言，如图11的(1-c)所示地，使第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10。
通过使第一固化性树脂(x1)固化而形成的第一固化树脂膜(r1)在常温下比第一固化性树脂(x1)更强固。因此，通过形成第一固化树脂膜(r1)，可良好地保护凸块颈部。另外，在图11的(1-d)所示的工序(S4)中，通过将带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10单片化，可以得到侧面也被第一固化树脂膜(r1)所包覆的半导体芯片，从而可得到强度优异的半导体芯片。而且，还可抑制作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)发生剥落。
(第一实施方式：固化方法)
第一固化性树脂(x1)的固化可以相应于第一固化性树脂(x1)中所包含的固化性成分的种类而通过热固化及基于能量射线照射的固化中的任意形式而进行。
作为进行热固化的情况下的条件，固化温度优选为100～200℃、更优选为110～170℃、特别优选为120～150℃。另外，上述热固化时的加热时间优选为0.5～5小时、更优选为0.5～4小时、特别优选为1～3小时。
作为进行基于能量射线照射的固化的情况下的条件，可根据所使用的能量射线的种类而适当设定，例如，在使用紫外线的情况下，照度优选为180～280mW/cm2，光量优选为450～1000mJ/cm2。
这里，在使第一固化性树脂(x1)固化而形成第一固化树脂膜(r1)的过程中，从除去在工序(S2)中用第一固化性树脂(x1)填入槽部13时有时会混入的气泡等的观点出发，第一固化性树脂(x1)优选为热固性树脂。即，在第一固化性树脂(x1)为热固性树脂的情况下，第一固化性树脂(x1)会因加热而发生流动性的暂时性的提高，而通过继续加热则会发生固化。通过利用该现象，不仅可在第一固化性树脂(x1)的流动性提高时除去在用第一固化性树脂(x1)填入槽部13时有时会混入的气泡等，从而使第一固化性树脂(x1)向槽部13的填入性达到更为良好的状态，而且能够使第一固化性树脂(x1)固化。
另外，从缩短固化时间的观点出发，第一固化性树脂(x1)优选为能量射线固化性树脂。
(第一实施方式：工序(T))
在实施了工序(S3)之后，实施工序(T)。具体而言，如图11的(1-d)、(1-f)所示，工序(T)依次包括下述工序(T1-1)及(T1-2)。
·工序(T1-1)：在工序(S-BG)之后且工序(S4)之前，将上述套件的上述将第二固化性树脂(x2)粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述背面的工序
·工序(T1-2)：在工序(S4)之前或之后，使上述第二固化性树脂(x2)固化而形成上述第二固化树脂膜(r2)的工序
需要说明的是，在图11中，以在工序(S4)之前实施工序(T1-2)的情况为例进行了说明，但也可以在工序(S4)之后实施工序(T1-2)。
需要说明的是，实施工序(T1-1)的时间点只要在工序(S-BG)之后且工序(S4)之前即可，并不限于在工序(S3)之后。这对于在工序(S4)之前实施工序(T1-2)时也是同样的。
例如，可以在工序(S3)之前实施工序(T1-1)，并同时实施工序(S3)和工序(T1-2)。在该情况下，如果第一固化性树脂(x1)与第二固化性树脂(x2)这两者为热固性树脂，则通过同时实施工序(S3)和工序(T1-2)，可以使第一固化性树脂(x1)和第二固化性树脂(x2)一次性地发生热固化而同时形成第一固化树脂膜(r1)和第二固化树脂膜(r2)。
需要说明的是，在工序(T1-2)中，作为进行热固化的情况下的条件，固化温度优选为100～200℃、更优选为110～170℃、特别优选为120～150℃。另外，上述热固化时的加热时间优选为0.5～5小时、更优选为0.5～4小时、特别优选为1～3小时。
作为进行基于能量射线照射的固化的情况下的条件，可根据所使用的能量射线的种类而适当设定，例如，在使用紫外线的情况下，照度优选为180～280mW/cm2、光量优选为450～1000mJ/cm2。
这里，在工序(T)中，优选使用具有由第二支撑片(Y2)和第二固化性树脂(x2)的层(X2)层叠而成的层叠结构的第二复合片(α2)。详细而言，优选使工序(T1)为将具有由第二支撑片(Y2)和第二固化性树脂(x2)的层(X2)层叠而成的层叠结构的第二复合片(α2)以上述层(X2)为粘贴面粘贴于半导体芯片制作用晶片的背面的工序。
在该情况下，将第二支撑片(Y2)从第二复合片(α2)剥离的时间点可以在工序(T1-1)和工序(T1-2)之间，也可以在工序(T1-2)之后。
需要说明的是，在工序(T1-1)中使用第二复合片(α2)的情况下，第二复合片(α2)所具有的第二支撑片(Y2)优选对第二固化性树脂(x2)进行支撑、同时兼具作为切割片的功能。
对于第一实施方式的制造方法的的情况而言，通过在工序(S4)中将第二复合片(α2)粘贴于带第一固化树脂膜(r1)的半导体晶片10的背面11b，在进行基于切割的单片化时，可使第二支撑片(Y2)发挥出作为切割片的功能，从而易于实施切割。
(第一实施方式：工序(S4))
在工序(S4)中，对带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的第一固化树脂膜(r1)中形成于上述槽部的部分沿着上述分割预定线进行切断。此时，也将第二固化性树脂(x2)或第二固化树脂膜(r2)一次性地切断。
具体而言，如图11的(1-f)所示地，对带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10的第一固化树脂膜(r1)中形成于槽部的部分沿着分割预定线进行切断，此时，也将第二固化性树脂(x2)或第二固化树脂膜(r2)一次性地切断。在第二固化性树脂(x2)是未固化的情况下，在实施工序(S4)后进行固化处理，从而形成第二固化树脂膜(r2)(工序(T1-2))。
切断可以采用刀片切割法、激光切割法等现有公知的方法而适当实施。
由此，可以得到凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)无间断地连续包覆、且背面11b被第二固化树脂膜(r2)所包覆的半导体芯片40。
半导体芯片40由于凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)所包覆、且背面11b被第二固化树脂膜(r2)所包覆，因此具有优异的强度。另外，由于凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)所包覆，因此凸块形成面11a与第一固化树脂膜(r1)的接合面(界面)在半导体芯片40的侧面并未露出。凸块形成面11a与第一固化树脂膜(r1)的接合面(界面)中在半导体芯片40的侧面露出了的露出部容易成为膜剥落的起点。本发明的半导体芯片40由于不存在该露出部，因此从该露出部的膜剥落在将半导体芯片制作用晶片10切断而制造半导体芯片40的过程中、及制造后不易发生。因此，可得到作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的剥落得到了抑制的半导体芯片40。另外，第一固化树脂膜(r1)与第二固化树脂膜(r2)的密合性也良好，不易发生剥离。
需要说明的是，在工序(S4)中，在沿着分割预定线将带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10的第一固化树脂膜(r1)中形成于槽部的部分切断的情况下，优选第一固化树脂膜(r1)是透明的。通过使第一固化树脂膜(r1)透明，可透视地观察半导体晶片11，因此可确保分割预定线的视觉辨认性。由此，容易沿着分割预定线进行切断。
<第二实施方式>
在第二实施方式中，可如图4所示地，在工序(S3)之后且工序(S4)之前进行工序(S-BG)。
图6示出了有关第二实施方式的简图。
(第二实施方式：工序(S3))
在第二实施方式中，首先实施工序(S3)。具体而言，如图12的(2-a)所示地，在粘贴有第一复合片(α1)的状态下使第一固化性树脂(x1)固化，从而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10。
通过使第一固化性树脂(x1)固化而形成的第一固化树脂膜(r1)在常温下比第一固化性树脂(x1)更强固。因此，通过形成第一固化树脂膜(r1)，可良好地保护凸块颈部。另外，在工序(S4)中，通过将带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10单片化，可以得到侧面也被第一固化树脂膜(r1)所包覆的半导体芯片，从而可得到强度优异的半导体芯片。而且，还可抑制作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)发生剥落。
固化方法可列举与在第一实施方式中说明的固化方法同样的方法。
通过不剥离第一支撑片(Y1)而进行热固化处理，可以在热固化时利用第一支撑片(Y1)来抑制在使第一固化性树脂(x1)固化时暂时性发生的在第一固化性树脂(x1)表面的流动，从而可以使在凸块形成面的第一固化树脂膜(r1)的平坦性提高。另外，通过在对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行磨削之前使第一固化性树脂(x1)固化，可抑制半导体芯片制作用晶片10的翘曲。
(第二实施方式：工序(S-BG))
在实施了工序(S3)之后，实施工序(S-BG)。如图12的(2-b)所示地，在粘贴有第一复合片(α1)的状态下对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行磨削。
需要说明的是，对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行磨削时的磨削量只要是至少使半导体芯片制作用晶片10的槽部13的底部露出的量即可，但也可以进一步进行磨削而在磨削半导体芯片制作用晶片10的同时、对填入槽部13的第一固化树脂膜(r1)也进行磨削。
接着，如图12的(2-c)所示地，将第一支撑片(Y1)从第一复合片(α1)剥离。
(第二实施方式：工序(T))
在实施了工序(S3)之后，实施工序(T)。具体而言，如图12的(2-d)、(2-e)所示，工序(T)依次包括下述工序(T1-1)及(T1-2)。
·工序(T1-1)：在工序(S-BG)之后且工序(S4)之前，将上述套件的上述将第二固化性树脂(x2)粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述背面的工序
·工序(T1-2)：在工序(S4)之前或之后，使上述第二固化性树脂(x2)固化而形成上述第二固化树脂膜(r2)的工序
需要说明的是，在图12中，以在工序(S4)之前实施工序(T1-2)的情况为例进行了说明，但也可以在工序(S4)之后实施工序(T1-2)。
需要说明的是，实施工序(T1-1)的时间点只要在工序(S-BG)之后且工序(S4)之前即可，与第一实施方式同样地，并不限于在工序(S3)之后。这对于在工序(S4)之前实施工序(T1-2)时也是同样的。
例如，可以在工序(S3)之前实施工序(T1-1)，并同时实施工序(S3)和工序(T1-2)。
另外，如在第一实施方式中说明的那样，在工序(T)中，优选使用具有由第二支撑片(Y2)和第二固化性树脂(x2)的层(X2)层叠而成的层叠结构的第二复合片(α2)。
(第二实施方式：工序(S4))
在实施工序(T)之后，与第一实施方式同样地，实施工序(S4)。具体而言，如图12的(2-f)所示地，对带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的第一固化树脂膜(r1)中形成于上述槽部的部分沿着上述分割预定线进行切断。此时，也将第二固化性树脂(x2)或第二固化树脂膜(r2)一次性地切断。在第二固化性树脂(x2)为未固化的情况下，在实施工序(S4)后进行固化处理，从而形成第二固化树脂膜(r2)(工序(T1-2))。
切断可以采用刀片切割法、激光切割法等现有公知的方法而适当实施。
由此，可以得到凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)所包覆、且背面11b被第二固化树脂膜(r2)所包覆的半导体芯片40。
半导体芯片40由于凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)所包覆，因此具有优异的强度。另外，基于前述的理由，可得到作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的剥落得到了抑制的半导体芯片40。另外，第一固化树脂膜(r1)与第二固化树脂膜(r2)的密合性也良好，不易发生剥离。
<第三实施方式>
在第三实施方式中，在可如图4所示地在工序(S3)之后且工序(S4)之前进行工序(S-BG)的这一方面与第二实施方式是共同的。但在另外使用背磨片(b-BG)的这一方面不同于第二实施方式。
图13示出了有关第三实施方式的简图。
(第三实施方式：工序(S3))
在第三实施方式中，首先进行工序(S3)，但在此之前，如图13的(3-a)所示地，将第一支撑片(Y1)从第一复合片(α1)剥离。在此基础上实施工序(S3)。具体而言，如图13的(3-b)所示地，使第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10。
固化方法可列举与在第一实施方式中说明的固化方法同样的方法。
由于在实施工序(S3)之前将第一支撑片(Y1)剥离，因此即使是第一固化性树脂(x1)为热固性树脂、在工序(S3)中要实施用以固化的加热处理的情况下，对于第一支撑片(Y1)也不要求耐热性。因此，第一支撑片(Y1)在设计上的自由度提高。
另外，通过在对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行磨削之前使第一固化性树脂(x1)固化，可抑制半导体芯片制作用晶片10的翘曲。
(第三实施方式：工序(S-BG))
在实施了工序(S3)之后，实施工序(S-BG)。具体而言，如图13的(3-c)所示地，在带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10的第一固化树脂膜(r1)的表面粘贴背磨片(b-BG)。接着，如图13的(3-d)所示地，在粘贴有背磨片(b-BG)的状态下对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行了磨削之后，将背磨片(b-BG)从带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10剥离。
由于背磨片(b-BG)在工序(S3)中没有使用，因此即使是第一固化性树脂(x1)为热固性树脂、在工序(S3)中要实施用以固化的加热处理的情况下，对于背磨片(b-BG)也不要求耐热性。因此，背磨片(b-BG)在设计上的自由度提高。
需要说明的是，对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行磨削时的磨削量只要是至少使半导体芯片制作用晶片10的槽部13的底部露出的量即可，但也可以进一步进行磨削而在磨削半导体芯片制作用晶片10的同时、对填入槽部13的第一固化树脂膜(r1)也进行磨削。
(第三实施方式：工序(T))
在实施了工序(S3)之后，实施工序(T)。具体而言，如图13的(3-e)、(3-f)所示，工序(T)依次包括下述工序(T1-1)及(T1-2)。
·工序(T1-1)：在工序(S-BG)之后且工序(S4)之前，将上述套件的上述将第二固化性树脂(x2)粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述背面的工序
·工序(T1-2)：在工序(S4)之前或之后，使上述第二固化性树脂(x2)固化而形成上述第二固化树脂膜(r2)的工序
需要说明的是，在图13中，以在工序(S4)之前实施工序(T1-2)的情况为例进行了说明，但也可以在工序(S4)之后实施工序(T1-2)。
需要说明的是，实施工序(T1-1)的时间点只要在工序(S-BG)之后且工序(S4)之前即可，并不限于在工序(S3)之后。这对于在工序(S4)之前实施工序(T1-2)时也是同样的。
例如，可以在工序(S3)之前实施工序(T1-1)，并同时实施工序(S3)和工序(T1-2)。
另外，如在第一实施方式中说明的那样，在工序(T)中，优选使用具有由第二支撑片(Y2)和第二固化性树脂(x2)的层(X2)层叠而成的层叠结构的第二复合片(α2)。
(第三实施方式：工序(S4))
在实施工序(T)之后，与第一实施方式及第二实施方式同样地，实施工序(S4)。具体而言，如图13的(3-g)所示地，对带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的第一固化树脂膜(r1)中形成于上述槽部的部分沿着上述分割预定线进行切断。此时，也将第二固化性树脂(x2)或第二固化树脂膜(r2)一次性地切断。在第二固化性树脂(x2)为未固化的情况下，在实施工序(S4)后进行固化处理，从而形成第二固化树脂膜(r2)(工序(T1-2))。
切断可以采用刀片切割法、激光切割法等现有公知的方法而适当实施。
由此，可以得到凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)所包覆、且背面11b被第二固化树脂膜(r2)所包覆的半导体芯片40。
半导体芯片40由于凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)所包覆，因此具有优异的强度。另外，基于前述的理由，可得到作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的剥落得到了抑制的半导体芯片40。另外，第一固化树脂膜(r1)与第二固化树脂膜(r2)的密合性也良好，不易发生剥离。
<第四实施方式>
在第四实施方式中，可如图4所示地在工序(S4)中进行工序(S-BG)。
图14示出了有关第四实施方式的简图。
(第四实施方式：工序(S3))
在第四实施方式中，首先进行工序(S3)，但在此之前，如图14的(4-a)所示地，将第一支撑片(Y1)从第一复合片(α1)剥离。在此基础上实施工序(S3)。具体而言，如图14的(4-b)所示地，使第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10。
固化方法可列举与在第一实施方式中说明的固化方法同样的方法。
由于在实施工序(S3)之前将第一支撑片(Y1)剥离，因此即使是第一固化性树脂(x1)为热固性树脂、在工序(S3)中要实施用以固化的加热处理的情况下，对于第一支撑片(Y1)也不要求耐热性。因此，第一支撑片(Y1)在设计上的自由度提高。
另外，通过在对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行磨削之前使第一固化性树脂(x1)固化，可抑制半导体芯片制作用晶片10的翘曲。
(第四实施方式：包括工序(S-BG)的工序(S4))
在实施了工序(S3)之后，如图14的(4-c)所示地，在带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10的第一固化树脂膜(r1)中形成于槽部13的部分沿着分割预定线切入切痕。从容易进行单片化的观点出发，切痕的深度优选设为到达槽部13的最深部的深度。由此，在后述的工序(S-BG)中，可沿着该切痕使带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10单片化。
或者，虽省略了图示，也可以在带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10的第一固化树脂膜(r1)中形成于槽部13的部分沿着分割预定线形成改性区域。改性区域可以通过激光或等离子体处理等而形成。由此，在后述的工序(S-BG)中，会已该改性区域为起点产生龟裂，并沿着该改性区域使带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10单片化。
接下来，实施工序(S-BG)。具体而言，如图14的(4-d)所示地，在带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片10的第一固化树脂膜(r1)的表面粘贴背磨片(b-BG)。接着，如图14的(4-e)所示地，在粘贴有背磨片(b-BG)的粘贴下对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行磨削。
由此，可以得到至少凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)所包覆的半导体芯片40。
需要说明的是，对半导体芯片制作用晶片10的背面11b进行磨削时的磨削量只要是至少使半导体芯片制作用晶片10的槽部13的底部露出的量即可，但也可以进一步进行磨削而在磨削半导体芯片制作用晶片10的同时、对填入槽部13的第一固化树脂膜(r1)也进行磨削。
半导体芯片40由于凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)所包覆，因此具有优异的强度。
需要说明的是，由于背磨片(b-BG)在工序(S3)中没有使用，因此即使是第一固化性树脂(x1)为热固性树脂、在工序(S3)中要实施用以固化的加热处理的情况下，对于背磨片(b-BG)也不要求耐热性。因此，背磨片(b-BG)在设计上的自由度提高。
(第四实施方式：工序(T))
在实施了包括工序(S-BG)的工序(S4)之后，实施工序(T)。具体而言，如图14的(4-f)所示，工序(T)依次包括下述工序(T2-1)及下述工序(T2-2)。需要说明的是，在图14中，省略了工序(T2-2)的图示。
·工序(T2-1)：在上述工序(S-BG)之后且上述工序(S4)之后，在保持着粘贴有上述背磨片(b-BG)的状态下将上述套件的上述第二固化性树脂(x2)粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述背面的工序
·工序(T2-2)：使上述第二固化性树脂(x2)固化而形成上述第二固化树脂膜(r2)的工序
进一步，图14的(4-e)所示地，工序(T)在上述工序(T2-2)之前或之后包括下述工序(T2-3)。
·工序(T2-3)：沿着切口分割上述第二固化性树脂层(x2)或上述第二固化树脂膜(r2)的工序
实施工序(T2-3)的方法没有特殊限制，可以适当采用公知的方法。具体可列举：利用了刀片、激光的割断方法；通过激光、等离子体在第二固化性树脂层(x2)或第二固化树脂膜(r2)的内部形成了改性区域之后，进行扩张(expand)而割断的方法等。
通过以上工序，可以得到凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)所包覆、且背面11b被第二固化树脂膜(r2)所包覆的半导体芯片40。
半导体芯片40由于凸块形成面11a及侧面被第一固化树脂膜(r1)所包覆，因此具有优异的强度。另外，基于前述的理由，可得到作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的剥落得到了抑制的半导体芯片40。另外，第一固化树脂膜(r1)与第二固化树脂膜(r2)的密合性也良好，不易发生剥离。
这里，在第一实施方式～第四实施方式中，列举在工序(S-BG)中使用第一支撑片(Y1)或背磨片(b-BG)的方式进行了说明，但在本发明的一个方式中，也可以代替第一支撑片(Y1)或背磨片(b-BG)而形成背磨用的树脂层(Z1)。
具体而言，也可以在使用具有流动性的树脂(z1)包覆了第一固化树脂膜(r1)的表面、同时也包覆了从第一固化树脂膜(r1)露出的凸块之后，使树脂(z1)固化而形成背磨用的树脂层(Z1)，由此来代替背磨片的使用而进行磨削工序。
需要说明的是，在用树脂(z1)包覆第一固化树脂膜(r1)的表面和从第一固化树脂膜(r1)露出的凸块时，通过隔着能够追随凸块的凹凸的具有柔软性的树脂膜(z2)而进行包覆，可以在工序(S-BG)后容易地将不再需要的背磨用的树脂层(Z1)剥离。
[其它工序]
在本发明的半导体芯片的制造方法的一个方式中，也可以在不脱离本发明的要点的范围内包括其它工序。
作为这样的处理，可列举例如对形成保护膜(第一固化树脂膜(r1)后的凸块形成面进行的湿法蚀刻处理、干法蚀刻处理等。
实施例
针对本发明，结合以下的实施例进行更为具体的说明，但本发明并不限定于以下的实施例。
1.第一固化性树脂膜(x1)的制造
1-1.第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)的制造原料
用于制造第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)的原料如下所示。
(1)聚合物成分(A)
具有下述式(i)-1、(i)-2及(i)-3所示的结构单元的聚乙烯醇缩丁醛(积水化学工业株式会社制“S-LEC BL-10”、重均分子量25000、玻璃化转变温度59℃)。
[化学式2]
Figure BDA0003714940220000631
(式中，l1约为28、m1为1～3、n1为68～74的整数。)
(2)环氧树脂(B1)
(B1)-1：液态改性双酚A型环氧树脂(DIC株式会社制“EPICLON EXA-4850-150”、分子量900、环氧当量450g/eq)
(B1)-2：双环戊二烯型环氧树脂(DIC株式会社制“EPICLON HP-7200HH”、环氧当量254～264g/eq)
(3)热固化剂(B2)
邻甲酚型酚醛清漆树脂(DIC株式会社制“PHENOLITE KA-1160”)
(4)固化促进剂(C)
2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(四国化成工业公司制“Curezol 2PHZ-PW”)
(5)填充剂(D)
利用环氧基进行了修饰的球状二氧化硅(株式会社Admatechs制“AdamanoYA050C-MKK”、平均粒径50nm)
(6)添加剂(I)
(I)-1：表面活性剂(丙烯酸聚合物、BYK公司制“BYK-361N”)
(I)-2：硅油(芳烷基改性硅油、Momentive Performance Materials Japan合同会社制“XF42-334”)
(I)-3：流变调节剂(聚羟基羧酸酯、BYK公司制“BYK-R606”)
1-2.热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)的制造
(1)热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1a)的制造
将聚合物成分(A)(100质量份)、环氧树脂(B1)-1(350质量份)、环氧树脂(B1)-2(270质量份)、热固化剂(B2)(190质量份)、固化促进剂(C)(2质量份)、填充剂(D)(90质量份)、及添加剂(I)-3(9质量份)溶解或分散于甲乙酮，于23℃下进行搅拌，由此得到了除溶剂以外的全部成分的合计浓度为45质量％的热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1a)。需要说明的是，这里所示的除溶剂以外的成分的配合量全部是不包含溶剂的目标物的配合量。
(2)热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1b)的制造
将聚合物成分(A)(100质量份)、环氧树脂(B1)-1(290质量份)、环氧树脂(B1)-2(220质量份)、热固化剂(B2)(160质量份)、固化促进剂(C)(2质量份)、填充剂(D)(200质量份)、添加剂(I)-1(25质量份)、及添加剂(I)-2(3质量份)溶解或分散于甲乙酮，于23℃下进行搅拌，由此得到了除溶剂以外的全部成分的合计浓度为45质量％的热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1b)。这里所示的除溶剂以外的成分的配合量全部是不包含溶剂的目标物的配合量。。
(3)第一固化性树脂膜(x1-1a)及(x1-1b)的制造
使用通过有机硅处理使聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面经过了剥离处理的剥离膜(琳得科株式会社制“SP-PET381031”、厚度38μm)，在其上述剥离处理面分别涂敷上述得到的组合物(x1-1-1a)及组合物(x1-1-1b)，并使其在120℃下加热干燥2分钟，由此形成了厚度45μm的第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)。
2.第二固化性树脂膜(x2)的制造
2-1.第二热固性树脂膜形成用组合物(x2-1-1)的制造原料
在第二热固性树脂膜形成用组合物(x2-1-1)的制造中使用的原料如下所示。
(1)聚合物成分(a)
使丙烯酸丁酯(55质量份)、丙烯酸甲酯(10质量份)、甲基丙烯酸缩水甘油酯(20质量份)、及丙烯酸-2-羟基乙酯(15质量份)共聚而得到的丙烯酸树脂(重均分子量800,000、玻璃化转变温度-28℃)。
(2)环氧树脂(b)
(b1)-1：双酚A型环氧树脂(三菱化学株式会社制jER828、环氧当量184～194g/eq)
(b1)-2：双环戊二烯型环氧树脂(DIC公司制EPICLON HP-7200HH、环氧当量255～260g/eq)
(3)固化剂(b2)
联苯芳烷基型酚醛树脂(明和化成株式会社制、MEHC-7851-H、羟基当量218g/eq)
(4)固化促进剂(c)
2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑(四国化成工业公司制“Curezol 2PHZ-PW”)
(5)填充剂(d)
利用环氧基进行了修饰的球状二氧化硅(株式会社Admatechs制5SE-CH1、平均粒径500nm)
(6)偶联剂(e)
3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制KBM403)
(7)着色剂(j)
黑色颜料(东洋油墨株式会社制Multilac A903 Black)
2-2.第二热固性树脂膜形成用组合物(x2-1-1)的制造
(1)第二热固性树脂膜形成用组合物(x2-1-1a)及第二热固性树脂膜(x2-1a)的制造
将聚合物成分(a)、环氧树脂(b1)-1、环氧树脂(b1)-2、固化剂(b2)、固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、及着色剂(J)溶解或分散于甲乙酮，并使它们的含量(固体成分量、质量份)达到150/70/30/5/2/320/2/18(固体成分重量比)，在23℃下进行搅拌，由此制备了固体成分浓度为52质量％的第二热固性树脂膜形成用组合物(x2-1-1a)。
使用通过有机硅处理使聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面经过了剥离处理的剥离膜(琳得科株式会社制“SP-PET381031”、厚度38μm)，在其上述剥离处理面涂敷上述得到的组合物(x2-1-1a)，在露出面粘贴另外的剥离膜(琳得科株式会社制“SP-PET382150”)之后，使其在120℃下加热干燥2分钟，由此形成了被剥离膜夹持的厚度25μm的第二热固性树脂膜(x2-1a)。在各种试验时，将该膜形成为卷状使用。
(2)第二热固性树脂膜形成用组合物(x2-1-1b)及第二热固性树脂膜(x2-1b)的制造
将填充材料(d)变更为二氧化硅填料(株式会社龙森制“SV-10”、平均粒径8μm)，除此以外，通过与“(1)第二热固性树脂膜形成用组合物(x2-1-1a)及第二热固性树脂膜(x2-1a)的制造”同样的方法形成了厚度25μm的第二热固性树脂膜(x2-1b)。
(3)第二热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1b)及第二热固性树脂膜(x1-1b)的制造
在“1-2.热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)的制造”的“(2)热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1b)的制造”中进行了说明的热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1b)的组成中添加了着色剂(j)(黑色颜料(东洋油墨株式会社制Multilac A903Black))3质量份，除此以外，通过与同样的方法制造了厚度25μm的第二热固性树脂膜(x1-1b)。
3.第一热固性树脂膜(x1-1)的评价
3-1.第一复合片(α1)的制造
使用背磨胶带(琳得科株式会社制“E-8510HR”)作为第一支撑片(Y1)，使该背磨胶带分别与上述中得到的剥离膜上的第一热固性树脂膜(x1-1a)和第一热固性树脂膜(x1-1b)贴合。由此，得到了将第一支撑片(Y1)和第一热固性树脂膜(x1-1)层叠而成的第一复合片(α1)。
3-2.第一热固性树脂膜(x1-1)的Gc1及Gc300的测定、X值的计算
除了变更了组合物(x1-1-1a)及组合物(x1-1-1b)的涂敷量以外，利用与上述同样的方法制作了厚度50μm的第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)各20片。接着，将这些第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)分别层叠，将所得层叠膜裁切成直径25mm的圆板状，由此制作了厚度1mm的第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)的试验片。
将粘弹性测定装置(Anton Paar公司制“MCR301”)中的试验片的设置部位预先在90℃下保温，将上述得到的第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)的试验片载置于该设置部位，将测定用具压在该试验片的上表面，由此将试验片固定于上述设置部位。
接着，在温度90℃、测定频率1Hz的条件下使试验片所产生的应变在0.01％～1000％的范围内阶段性地上升，测定了试验片的储能模量Gc。然后，由Gc1及Gc300的测定值计算出X值。结果如表1所示。
3-3.第一热固性树脂膜(x1-1)的溢出量的测定
使用通过有机硅处理使聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面经过了剥离处理的剥离膜(琳得科株式会社制“SP-PET381031”、厚度38μm)，在其上述剥离处理面分别涂敷上述得到的组合物(x1-1-1a)及组合物(x1-1-1b)，并使其在120℃下加热干燥2分钟，由此形成了厚度30μm的第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)。
接着，将第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)连同上述剥离膜一起加工成直径170mm的圆形状，由此制作了带剥离膜的试验片。
使所得试验片的露出面(换言之，与具备剥离膜的一侧为相反侧的面)整面与透明的带状的背磨胶带(琳得科株式会社制“E-8180”)的表面贴合，由此得到了图15所示的层叠物。图15是示意性地示出了对所得层叠物从其中的背磨胶带侧的上方向下观察到的状态的平面图。
如该图所示，所得层叠物101是由背磨胶带107、试验片120(第一热固性树脂膜(x1-1))、及剥离膜依次在它们的厚度方向上层叠而构成的。
接着，从所得层叠物去除上述剥离膜，将新产生的上述试验片的露出面(换言之，上述试验片的与具备上述背磨胶带的一侧为相反侧的面)压合至直径12英寸的硅晶片的一侧表面，由此将上述试验片粘贴于硅晶片的表面。此时、试验片的粘贴是使用粘贴装置(辊式层压机、琳得科株式会社制“RAD-3510F/12”)，在操作台温度:90℃、粘贴速度:2mm/sec、粘贴压力:0.5MPa、辊粘贴高度:-200μm的条件下边对第一热固性树脂膜(x1-1)进行加热边进行的。
接着，针对粘贴于硅晶片的带背磨胶带的上述试验片，测定连结其外周上不同两点间的线段的长度的最大值，并使用其测定值(上述线段的长度的最大值)、通过结合图2而进行了说明的方法，计算出了上述试验片(换言之，第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b))的溢出量(mm)。结果如表1所示。
需要说明的是，在溢出量为170mm的情况下，判断为没有相对于原试验片的形状变化、未发生溢出。另一方面，在溢出量超过170mm的情况下，判断为存在相对于原试验片的形状变化、发生了溢出。
3-4.在凸块的上部有无第一热固性树脂膜(x1-1)的残存的确认
从在“3-1.第一复合片(α1)的制造”中得到的第一复合片(α1)去除剥离膜，将由此而露出了的第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)的表面(露出面)压合于具有凸块的直径8英寸的半导体晶片的凸块形成面，由此将去除了剥离膜后的第一复合片(α1)粘贴于半导体晶片的凸块形成面。此时，作为半导体晶片，使用了凸块的高度为210μm、凸块的宽度为250μm、凸块间的距离为400μm的半导体晶片。另外，第一复合片(α1)的粘贴是使用粘贴装置(辊式层压机、琳得科株式会社制“RAD-3510F/12”)，在操作台温度:90℃、粘贴速度:2mm/sec、粘贴压力:0.5MPa、辊粘贴高度:-200μm的条件下边对第一复合片(α1)进行加热边进行的。
接着，使用多晶片贴片机(琳得科株式会社制“RAD-2700F/12”)，从第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)将第一支撑片(Y1)去除，使第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)露出。
接着，使用扫描电子显微镜(SEM、KEYENCE公司制“VE-9700”)，从与相对于半导体晶片的凸块形成面垂直的方向成60°角度的方向对半导体晶片的凸块的表面进行观察，对在凸块的上部有无第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)的残渣进行了确认。其中，在凸块上部存在残渣的情况下判定为“有残渣”，在凸块上部不存在残渣的情况下判定为“无残渣”。结果如表1所示。
3-5.在凸块形成面有无第一热固性树脂膜(x1-1)的缩孔的确认
针对在凸块形成面上的半导体芯片的表面有无由第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)的固化物所引起的缩孔，使用未形成凸块的12英寸的半导体晶片进行了研究。
具体而言，使用未形成凸块的12英寸的硅晶片，利用与上述的“3-4.在凸块的上部有无第一热固性树脂膜(x1-1)的残存的确认”的情况同样的方法粘贴第一复合片(α1)，并将第一支撑片(Y1)从第一热固性树脂膜(x1-1)去除。
接着，使用加压烘箱(琳得科株式会社制“RAD-9100”)对粘贴于半导体晶片的第一热固性树脂膜在温度:130℃、时间:2h、炉内压力:0.5MPa的加热条件下进行加热处理，由此使第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)热固化。
接着，使用光学显微镜(KEYENCE公司制“VHX-1000”)，从上述固化物侧对第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)的固化物(第1固化树脂膜(r1))与半导体晶片的层叠物整体进行了观察。其中，在存在能够直接确认到半导体晶片的露出的区域的情况判定为“有缩孔”，在不存在能够直接确认到半导体晶片的露出的区域的情况判定为“无缩孔”。
3-5.向槽部的填入性的评价
(1)半导体芯片制作用晶片的准备
作为半导体芯片制作用晶片，使用了将分割预定线半切割而成的12英寸的硅晶片(晶片厚度750μm)。该硅晶片的半切割部的宽度(槽部的宽度)为60μm、槽的深度为230μm。
(2)评价方法
从在“3-1.第一复合片(α1)的制造”中得到的第一复合片(α1)将剥离膜去除，在将由此而露出了的第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)的表面(露出面)以下条件下边按压边粘贴于半导体芯片制作用晶片的表面侧(半切割形成面)。
·粘贴装置：全自动贴合机(琳得科株式会社制、产品名“RAD-3510”)
·辊压力：0.5MPa
·辊高度：-400μm
·粘贴速度：5mm/sec
·粘贴温度：90℃
接着，将第一支撑片(Y1)从第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)剥离后，将粘贴有第一热固性树脂膜(x1-1)的半导体芯片制作用晶片于130℃下加热4小时而使其固化，形成了第一固化树脂膜(r1)。然后，对半导体芯片制作用晶片从半切割形成面向着背面切断，利用光学显微镜(KEYENCE公司制“VHX-1000”)对第一固化树脂膜(r1)向半切割部的槽部的填入性进行了观察。
填入性的评价标准如下所述。
评价S：未观察到第一固化树脂膜(r1)的形状上的变形，填入性最好。
评价A：在槽部入口附近观察到了第一固化树脂膜(r1)的形状上的变形，但填入性良好。
评价B：填入性不良。
4.利用套件对半导体芯片的包覆性的评价
(1)实施例1
作为半导体芯片制作用晶片，使用了将分割预定线半切割而成的12英寸的硅晶片(晶片厚度750μm)。该硅晶片的半切割部的宽度(槽部的宽度)为60μm、槽的深度为230μm。
使用BG Tape Laminator RAD-3510F/12将层叠第一支撑片(Y1)(BG Tape E-8510HR(琳得科株式会社制))和厚度45μm的第一热固性树脂膜(x1-1a)而成的第一复合片(α1)的第一热固性树脂膜(x1-1a)在操作台温度90℃下粘贴于半导体芯片制作用晶片之后，于160℃下加热1小时使其固化，得到了第一固化树脂膜(r1)。接着，对晶片背面进行磨削，使半导体芯片制作用晶片的厚度达到200μm。
接着，使用RAD-3600将被剥离膜夹持的卷形状的厚度25μm的第二热固性树脂膜(x2-1)在操作台温度70℃下粘贴于半导体芯片制作用晶片的背面。在130℃下加热2小时，得到了第二固化树脂膜(r2)。在第二固化树脂膜(r2)侧粘贴DC Tape D-686H(琳得科株式会社制)，使用刀片切割机DFG6362通过刀片切割法沿着分割预定线进行切割，单片化为芯片尺寸6mm见方。将芯片从DC Tape剥离，利用光学显微镜(KEYENCE公司制“VHX-1000”)实施了芯片观察。
然后，相对于半导体芯片(6mm见方、厚度200μm)的表面积，计算出了被保护膜(第一固化树脂膜(r1)、第二固化树脂膜(r2))包覆着的表面积的比例(包覆率)。
评价标准
D…包覆率0％
C…包覆率1％～49％
B…包覆率50％～99％
A…包覆率100％
(2)实施例2
将第一热固性树脂膜(x1-1a)变更为第一热固性树脂膜(x1-1b)，除此以外，通过与实施例1同样的方法进行了评价。
(3)实施例3
将第二热固性树脂膜(x2-1a)变更为第二热固性树脂膜(x2-1b)，除此以外，通过与实施例2同样的方法进行了评价。
(4)实施例4
将第二热固性树脂膜(x2-1a)变更为第二热固性树脂膜(x1-1b)，除此以外，通过与实施例2同样的方法进行了评价。
(5)比较例1～3
在比较例1中，将第二热固性树脂膜(x2-1a)仅粘贴于半导体芯片制作用晶片的背面，除此以外，通过与实施例1同样的方法进行了评价。
在比较例2中，将第一热固性树脂膜(x1-1a)变更为第一热固性树脂膜(x1-1b)，并将第一热固性树脂膜(x1-1b)仅粘贴于未将分割预定线半切割的12英寸的硅晶片(晶片厚度750μm)的表面侧的面，除此以外，通过与实施例1同样的方法进行了评价。
在比较例3中，代替第二固化性树脂膜(x2-1a)而使用了第二固化性树脂膜(x1-1b)、并且半导体芯片制作用晶片的背面未经保护，除此以外，通过与实施例1同样的方法进行了评价。
5.第二固化性树脂膜相对于第一固化树脂膜的剥离力的评价
针对实施例1～4的第一固化树脂膜和第二固化树脂膜进行了以下的评价。
将厚度45μm的第一固化性树脂膜在操作台温度90℃下粘贴于8英寸的硅晶片(晶片厚度730μm)，在130℃加热4小时而使其固化，制作了带第一固化树脂膜的晶片。接着，将被剥离膜夹持着的厚度25μm的第二固化性树脂膜边剥去单侧的剥离膜边在操作台温度70℃下粘贴于该带第一固化树脂膜的晶片的第一固化树脂膜。从第二固化性树脂膜将另一侧的剥离膜剥去之后，在第二固化性树脂膜上粘贴了琳得科株式会社制PET50(A)PL Thin8LK(具有粘合剂层的PET基材)。利用切刀从PET50(A)PLThin 8LK侧切入切痕直至第二固化性树脂膜，将试验片形成为25mm宽的长条状。
然后，在温度23℃、相对湿度50％的环境中，使用万能型拉伸试验机(株式会社Orientec制、型号:Tensilon RTC-1210A)，基于JIS Z0237:2009的剥离力的测定法使试验片端部在第一固化树脂膜与第二固化树脂膜的界面剥离，测定了剥离力。剥离角度设为180°、剥离速度设为300mm/min。
需要说明的是，将被剥离膜夹持着的厚度25μm的第二固化性树脂膜边剥去单侧的剥离膜边在操作台温度70℃下粘贴于8英寸的硅晶片(晶片厚度730μm)，利用与上述同样的方法测定了第二固化性树脂膜相对于硅晶片(镜面)的剥离力。
6.第二固化性树脂膜的再加工性评价
针对实施例1～4的第一固化树脂膜和第二固化树脂膜进行了以下的评价。
将厚度45μm的第一固化性树脂膜在操作台温度90℃下粘贴于8英寸的硅晶片(晶片厚度730μm)，在130℃加热4小时而使其固化，制作了带第一固化树脂膜的晶片。接着，将被剥离膜夹持着的厚度25μm的卷状的第二固化性树脂膜边剥去单侧的剥离膜边在操作台温度70℃下粘贴于该带第一固化树脂膜的晶片的第一固化树脂膜。从第二固化性树脂膜将另一侧的剥离膜剥去之后，在第二固化性树脂膜上粘贴了琳得科株式会社制PET50(A)PLThin 8LK(具有粘合剂层的PET基材)。
然后，将具有粘合剂层的PET基材手动剥离，由此对第二固化性树脂膜相对于第一固化树脂膜而言的再加工性进行了评价。评价标准如下所述。
·评价A：在第一固化树脂膜与第二固化性树脂膜的界面发生了全面剥离。
·评价B：在第一固化树脂膜与第二固化性树脂膜的界面的剥离、和在第二固化性树脂膜与具有粘合剂层的PET基材的粘合剂层的界面的剥离混合存在。
·评价C：在第二固化性树脂膜与具有粘合剂层的PET基材的粘合剂层的界面发生了全面剥离。
7.第一固化树脂膜与第二固化树脂膜的密合性评价
将厚度45μm的第一固化性树脂膜在操作台温度90℃下粘贴于8英寸的硅晶片(晶片厚度730μm)，在130℃加热4小时而使其固化，制作了带第一固化树脂膜的晶片。接着，将被剥离膜夹持着的厚度25μm的第二固化性树脂膜边剥去单侧的剥离膜边在操作台温度70℃下粘贴于该带第一固化树脂膜的晶片的第一固化树脂膜。从第二固化性树脂膜将另一侧的剥离膜剥去之后，在130℃下加热2小时而使第二固化性树脂膜固化，形成了第二固化树脂膜。在第二固化树脂膜上粘贴了琳得科株式会社制PET50(A)PLThin 8LK。
然后，将具有粘合剂层的PET基材手动剥离，由此对第一固化树脂膜与第二固化树脂膜的密合性进行了评价。评价标准如下所述。
·评价A：在第二固化树脂膜与具有粘合剂层的PET基材的粘合剂层的界面发生了全面剥离(表示第一固化树脂膜与第二固化树脂膜的密合性良好、无法剥离)。
·评价B：在第一固化树脂膜与第二固化树脂膜的界面的剥离、和在第二固化树脂膜与具有粘合剂层的PET基材的粘合剂层的界面的剥离混合存在。
·评价C：在第一固化树脂膜与第二固化树脂膜的界面发生了全面剥离(表示第一固化树脂膜与第二固化树脂膜容易发生剥离)。
8.结果
第一热固性树脂膜形成用组合物(x1-1-1)的含有成分及热固性树脂膜的各种评价结果如表1所示。
另外，“4.利用套件对半导体芯片的包覆性的评价”、“5.第二固化性树脂膜相对于第一固化树脂膜的剥离力的评价”及“7.第一固化树脂膜与第二固化树脂膜的密合性评价”的结果如表2所示。
另外，“6.第二固化性树脂膜的再加工性评价”的结果如表3所示。
此外，“3-5.向槽部的填入性的评价”结果(附图替代用照片)如图16所示。
[表1]
Figure BDA0003714940220000741
[表2]
Figure BDA0003714940220000742
[表3]
Figure BDA0003714940220000751
根据表1所示的结果可知以下事项。
可知，第一热固性树脂膜(x1-1a)及第一热固性树脂膜(x1-1b)均未观察到溢出，也没有凸块上部的残渣，也未观察到粘贴时缩孔，槽填入性也良好。
另外，根据表2所示的结果可知，在实施例1～4的情况下，半导体芯片的保护性(包覆性)优异，第一固化树脂膜与第二固化性树脂膜的密合性、第一固化树脂膜与第二固化树脂膜的密合性也良好，不易发生在第一固化树脂膜与第二固化树脂膜的界面的剥离。因此，能够使半导体芯片的全面保护性(包覆性)在长期内保持良好，使半导体芯片的强度的改善效果在长期内保持良好。
与此相对，在比较例1～3中，半导体芯片的保护性(包覆性)不良，因此半导体芯片的强度的改善效果不足。
此外，根据表3所示的结果还可知，在实施例1～3中使用的第二固化性树脂膜的再加工性也良好，容易进行第二固化性树脂膜的再贴等，能够提供处理性优异的套件。

Claims (15)

1.一种套件，其包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)，
所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述凸块形成面具备凸块，
所述第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
2.根据权利要求1所述的套件，其中，所述第一固化性树脂膜(x1)满足下述条件(I)，
<条件(I)>
在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的所述树脂膜的试验片产生应变并测定所述试验片的储能模量，在将所述试验片的应变为1％时的所述试验片的储能模量设为Gc1、将所述试验片的应变为300％时的所述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000，
X＝Gc1/Gc300····(i)。
3.根据权利要求1或2所述的套件，其中，所述第一固化性树脂膜(x1)的层(X1)是形成为层叠于第一支撑片(Y1)的第一复合片(α1)而包含的层。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的套件，其中，所述第二固化性树脂膜(x2)的层(X2)是形成为层叠于第二支撑片(Y2)的第二复合片(α2)而包含的层。
5.权利要求1～4中任一项所述的套件的使用方法，该方法包括：
将所述套件的第一固化性树脂膜(x1)用于在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述凸块形成面具备凸块，并且，
将所述套件的第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
6.一种半导体芯片的制造方法，该方法使用权利要求1～4中任一项所述的套件，
该方法包括下述工序(S)及下述工序(T)，
·工序(S)：使用所述套件的第一固化性树脂膜(x1)在具有凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)的工序，所述凸块形成面具备凸块；
·工序(T)：使用所述套件的第二固化性树脂膜(x2)在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)的工序。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述工序(S)依次包括下述工序(S1)～(S4)，
·工序(S1)：准备在具有凸块形成面的半导体晶片的所述凸块形成面以不到达背面的方式形成有作为分割预定线的槽部的半导体芯片制作用晶片的工序，所述凸块形成面具备凸块；
·工序(S2)：将所述套件的第一固化性树脂(x1)按压并粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面，在利用第一固化性树脂(x1)包覆所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面的同时，使所述第一固化性树脂(x1)填入形成在所述半导体芯片制作用晶片上的所述槽部的工序；
·工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化而得到带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的工序；
·工序(S4)：将所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片沿着所述分割预定线进行单片化的工序，
所述工序(S)在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或所述工序(S4)中进一步包括下述工序(S-BG)，
·工序(S-BG)：对所述半导体芯片制作用晶片的所述背面进行磨削的工序。
8.根据权利要求7所述的半导体芯片的制造方法，其中，
所述工序(S2)通过以下方式来实施：将具有使第一支撑片(Y1)和所述第一固化性树脂(x1)的层(X1)层叠而成的层叠结构的第一复合片(α1)以所述层(X1)为粘贴面按压并粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述凸块形成面。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片的制造方法，其中，
在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前包括所述工序(S-BG)，
所述工序(S-BG)通过以下方式来实施：在粘贴有所述第一复合片(α1)的状态下对所述半导体芯片制作用晶片的所述背面进行了磨削之后，将所述第一支撑片(Y1)从所述第一复合片(α1)剥离，
所述工序(S4)通过以下方式来实施：对所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的所述第一固化树脂膜(r1)中形成于所述槽部的部分沿着所述分割预定线进行切断。
10.根据权利要求8所述的半导体芯片的制造方法，其中，
在所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前包括所述工序(S-BG)，
不将所述第一支撑片(Y1)从所述第一复合片(α1)剥离而实施所述工序(S3)，
所述工序(S-BG)通过以下方式来实施：在粘贴有所述第一复合片(α1)的状态下对所述半导体芯片制作用晶片的所述背面进行了磨削之后，将所述第一支撑片(Y1)从所述第一复合片(α1)剥离，
所述工序(S4)通过以下方式来实施：对所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的所述第一固化树脂膜(r1)中形成于所述槽部的部分沿着所述分割预定线进行切断。
11.根据权利要求8所述的半导体芯片的制造方法，其中，
在所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前包括所述工序(S-BG)，
在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前将所述第一支撑片(Y1)从所述第一复合片(α1)剥离，
所述工序(S-BG)通过以下方式来实施：在所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的所述第一固化树脂膜(r1)的表面粘贴背磨片(b-BG)，在粘贴有所述背磨片(b-BG)的状态下对所述半导体芯片制作用晶片的所述背面进行了磨削之后，将所述背磨片(b-BG)从所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片剥离，
所述工序(S4)通过以下方式来实施：对所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的所述第一固化树脂膜(r1)中形成于所述槽部的部分沿着所述分割预定线进行切断。
12.根据权利要求8所述的半导体芯片的制造方法，其中，
在所述工序(S4)中包括所述工序(S-BG)，
在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前将所述第一支撑片(Y1)从所述第一复合片(α1)剥离，
所述工序(S4)通过以下方式来实施：对所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的所述第一固化树脂膜(r1)中形成于所述槽部的部分沿着所述分割预定线切入切痕，或者在沿着所述分割预定线形成了改性区域之后，作为所述工序(S-BG)而在所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的所述第一固化树脂膜(r1)的表面粘贴背磨片(b-BG)，并在粘贴有所述背磨片(b-BG)的状态下对所述半导体芯片制作用晶片的所述背面进行磨削。
13.根据权利要求9～11中任一项所述的半导体芯片的制造方法，其中，
所述工序(T)依次包括下述工序(T1-1)及下述工序(T1-2)，
·工序(T1-1)：在所述工序(S-BG)之后且所述工序(S4)之前将所述套件的所述第二固化性树脂(x2)粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述背面的工序；
·工序(T1-2)：在所述工序(S4)之前或之后使所述第二固化性树脂(x2)固化而形成所述第二固化树脂膜(r2)的工序，
在所述工序(S4)中，在对所述带第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶片的所述第一固化树脂膜(r1)中形成于所述槽部的部分沿着所述分割预定线进行切断时，将所述第二固化性树脂(x2)或所述第二固化树脂膜(r2)也一并切断。
14.根据权利要求12所述的半导体芯片的制造方法，其中，
所述工序(T)依次包括下述工序(T2-1)及下述工序(T2-2)，
·工序(T2-1)：在所述工序(S-BG)之后且所述工序(S4)之后，在保持着粘贴有所述背磨片(b-BG)的状态下将所述套件的所述第二固化性树脂(x2)粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述背面的工序；
·工序(T2-2)：使所述第二固化性树脂(x2)固化而形成所述第二固化树脂膜(r2)的工序，
所述工序(T)在所述工序(T2-2)之前或之后进一步包括下述工序(T2-3)，
·工序(T2-3)：沿着切口分割所述第二固化性树脂层(x2)或所述第二固化树脂膜(r2)的工序。
15.根据权利要求6～14中任一项所述的半导体芯片的制造方法，其中，
所述工序(T)通过以下方式来实施：将具有使第二支撑片(Y2)和所述第二固化性树脂(x2)的层(X2)层叠而成的层叠结构的第二复合片(α2)以所述层(X2)为粘贴面按压并粘贴于所述半导体芯片制作用晶片的所述背面。
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