TW202140641A - 硬化性樹脂薄膜，複合薄片及半導體晶片之製造方法 - Google Patents

硬化性樹脂薄膜，複合薄片及半導體晶片之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明的課題為提供一種硬化性樹脂薄膜，其係對於半導體晶片的凸塊形成面及側面之兩者，可形成被覆性優異之保護膜。作為解決此課題的硬化性樹脂薄膜，係提供用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上，形成作為保護膜的硬化樹脂膜；並且滿足下述要件(I)的硬化性樹脂薄膜。 ＜要件(I)＞ 在溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述硬化性樹脂薄膜的試驗片產生應變，並測定前述試驗片的儲存彈性模數，於將前述試驗片的應變為1%時之前述試驗片的儲存彈性模數設為Gc1，且將前述試驗片的應變為300%時之前述試驗片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由下述式(i)所算出之X值為19以上且未滿10,000。

Description

硬化性樹脂薄膜，複合薄片及半導體晶片之製造方法
本發明係關於硬化性樹脂薄膜、複合薄片及半導體晶片之製造方法。更詳細說明，本發明係關於硬化性樹脂薄膜及具備該硬化性樹脂薄膜的複合薄片，以及藉由利用該等而設置硬化樹脂膜作為保護膜的半導體晶片之製造方法。
近年來，進行著使用稱為所謂倒裝(face down)方式之安裝法的半導體裝置的製造。倒裝方式中，係藉由將電路面上具備凸塊之半導體晶片與搭載該半導體晶片用之基板，以該半導體晶片之電路面與該基板對向的方式進行層合，使該半導體晶片搭載於該基板上。 另外，該半導體晶片通常係將電路面上具備凸塊之半導體晶圓予以單片化而得。
在具備凸塊之半導體晶圓中，以保護凸塊與半導體晶圓的接合部分(以下，亦稱為「凸塊頸部」)為目的，有時會設置保護膜。 例如專利文獻1及專利文獻2中，係將依序層合支持基材、黏著劑層與熱硬化性樹脂層而成之層合體，以熱硬化性樹脂層作為貼合面，按壓並貼附至具備凸塊之半導體晶圓的凸塊形成面後，藉由加熱該熱硬化性樹脂層使其硬化，而形成保護膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-092594號公報 [專利文獻2]日本特開2012-169484號公報
[發明欲解決之課題]
近年來，隨著電子機器等IC組裝製品之小型化及薄型化的進行，亦變得更進一步要求半導體晶片的薄型化。但是，若半導體晶片變薄，則半導體晶片的強度會降低。因此，存在有例如搬送半導體晶片、實施將半導體晶片封裝(Package)化之後步驟時，半導體晶片變得容易破損之問題。 因此，想到在半導體晶圓的凸塊形成面上形成保護膜，謀求保護凸塊頸部並且提升半導體晶片的強度。但是，僅在半導體晶圓的凸塊形成面上形成保護膜，半導體晶片的強度的提升並不充分。並且，該保護膜有時會產生膜剝離。
據此，本發明人等，構思出藉由將保護凸塊頸部為目的所設置之保護膜，不僅於半導體晶片的凸塊形成面亦設置於側面，可提升半導體晶片的強度的同時，亦抑制保護膜之剝離，且能構築出極為合理之構造。該構思之下，本發明人等致力反覆研討，從而創出了對於半導體晶片的凸塊形成面及側面之兩者可形成被覆性優異之保護膜的硬化性樹脂薄膜。
因此，本發明的課題在於提供對於半導體晶片的凸塊形成面及側面之兩者可形成被覆性優異之保護膜的硬化性樹脂薄膜、具備該硬化性樹脂薄膜的複合薄片、以及利用該等(該硬化性樹脂薄膜及該複合薄片)之半導體晶片之製造方法。 [用以解決課題之手段]
本發明人等致力反覆研討的結果，發現到藉由著眼於從硬化性樹脂薄膜具有之特定物性值所算出之參數，可解決上述課題，從而達至完成本發明。
亦即，本發明係關於下述[1]~[14]。 [1] 一種硬化性樹脂薄膜，其係用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上，形成作為保護膜的硬化樹脂膜；並且滿足下述要件(I)。 ＜要件(I)＞ 在溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述硬化性樹脂薄膜的試驗片產生應變，並測定前述試驗片的儲存彈性模數，於將前述試驗片的應變為1%時之前述試驗片的儲存彈性模數設為Gc1，且將前述試驗片的應變為300%時之前述試驗片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由下述式(i)所算出之X值為19以上且未滿10,000。
Figure 02_image001
[2] 如上述[1]所記載的硬化性樹脂薄膜，其中，前述要件(I)中，Gc300未滿15,000。 [3] 一種複合薄片，其係用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上，形成作為保護膜的硬化樹脂膜， 並且具有層合支持薄片與硬化性樹脂之層而成之層合構造， 前述硬化性樹脂為如上述[1]或[2]所記載的硬化性樹脂薄膜。 [4] 一種使用方法，其係將如上述[1]或[2]所記載的硬化性樹脂薄膜使用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上，形成作為保護膜的硬化樹脂膜的使用方法。 [5] 一種使用方法，其係將如上述[3]所記載之複合薄片使用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上，形成作為保護膜的硬化樹脂膜的使用方法。 [6] 一種半導體晶片之製造方法，其依序包含下述步驟(S1)~(S4)， ･步驟(S1)：準備半導體晶片製作用晶圓的步驟，該半導體晶片製作用晶圓係於具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶圓的前述凸塊形成面上，以未到達背面的方式形成有作為分割預定線的溝部 ･步驟(S2)：將第一硬化性樹脂(x1)按壓並貼附至前述半導體晶片製作用晶圓的前述凸塊形成面，並且，以前述第一硬化性樹脂(x1)被覆前述半導體晶片製作用晶圓的前述凸塊形成面的同時，埋入前述第一硬化性樹脂(x1)至形成於前述半導體晶片製作用晶圓上的前述溝部的步驟 ･步驟(S3)：使前述第一硬化性樹脂(x1)硬化，得到附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的步驟 ･步驟(S4)：沿著前述分割預定線，將前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓進行單片化，得到至少前述凸塊形成面及側面被前述第一硬化樹脂膜(r1)被覆之半導體晶片的步驟 進而，在前述步驟(S2)之後且在前述步驟(S3)之前、在前述步驟(S3)之後且在前述步驟(S4)之前、或在前述步驟(S4)中，包含下述步驟(S-BG)， ･步驟(S-BG)：將前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面進行研削的步驟；並且 使用如上述[1]或[2]所記載的硬化性樹脂薄膜作為前述第一硬化性樹脂(x1)。 [7] 如上述[6]所記載之半導體晶片之製造方法，其中，前述步驟(S2)係藉由將具有層合第一支持薄片(Y1)與前述第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)而成之層合構造的第一複合薄片(α1)，以前述層(X1)作為貼附面按壓並貼附至前述半導體晶片製作用晶圓的前述凸塊形成面來實施。 [8] 如上述[7]所記載之半導體晶片之製造方法，其中，在前述步驟(S2)之後且在前述步驟(S3)之前包含前述步驟(S-BG)，並且 前述步驟(S-BG)係藉由在貼附有前述第一複合薄片(α1)之狀態下，研削前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面之後，從前述第一複合薄片(α1)剝離前述第一支持薄片(Y1)來實施， 前述步驟(S4)係藉由將前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於前述溝部的部分，沿著前述分割預定線切斷來實施。 [9] 如上述[7]所記載之半導體晶片之製造方法，其中，在前述步驟(S3)之後且在前述步驟(S4)之前包含前述步驟(S-BG)，並且 以未從前述第一複合薄片(α1)剝離前述第一支持薄片(Y1)的方式來實施前述步驟(S3)， 前述步驟(S-BG)係藉由在貼附有前述第一複合薄片(α1)之狀態下，研削前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面之後，從前述第一複合薄片(α1)剝離前述第一支持薄片(Y1)來實施， 前述步驟(S4)係藉由將前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於前述溝部的部分，沿著前述分割預定線切斷來實施。 [10] 如上述[7]所記載之半導體晶片之製造方法，其中，在前述步驟(S3)之後且在前述步驟(S4)之前包含前述步驟(S-BG)，並且 在前述步驟(S2)之後且在前述步驟(S3)之前，從前述第一複合薄片(α1)剝離前述第一支持薄片(Y1)， 前述步驟(S-BG)係藉由將背面研磨薄片(b-BG)貼附至前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之表面，在貼附有前述背面研磨薄片(b-BG)之狀態下，研削前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面之後，從前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓剝離前述背面研磨薄片(b-BG)來實施， 前述步驟(S4)係藉由將前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於前述溝部的部分，沿著前述分割預定線切斷來實施。 [11] 如上述[7]所記載之半導體晶片之製造方法，其中，在前述步驟(S4)中包含前述步驟(S-BG)，並且 在前述步驟(S2)之後且在前述步驟(S3)之前，從前述第一複合薄片(α1)剝離前述第一支持薄片(Y1)， 前述步驟(S4)係藉由於前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於前述溝部的部分，沿著前述分割預定線切入切口，或沿著前述分割預定線形成改質區域之後，作為前述步驟(S-BG)，將背面研磨薄片(b-BG)貼附至前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之表面，在貼附有前述背面研磨薄片(b-BG)之狀態下，研削前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面來實施。 [12] 如上述[6]~[11]中任一項所記載之半導體晶片之製造方法，其中，進而包含下述步驟(T)。 ･步驟(T)：於前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面，形成第二硬化樹脂膜(r2)的步驟 [13] 如上述[6]~[12]中任一項所記載之半導體晶片之製造方法，其中，前述溝部的寬度為10μm~2000μm。 [14] 如上述[6]~[13]中任一項所記載之半導體晶片之製造方法，其中，前述溝部的深度為30μm~700μm。 [發明之效果]
根據本發明，能夠提供對於半導體晶片的凸塊形成面及側面之兩者可形成被覆性優異之保護膜的硬化性樹脂薄膜、具備該硬化性樹脂薄膜的複合薄片、以及利用該等(該硬化性樹脂薄膜及該複合薄片)之半導體晶片之製造方法。
本說明書中，所謂「有效成分」係指作為對象之組成物所含之成分中，除了水或有機溶媒等稀釋溶媒以外之成分。 又，本說明書中，重量平均分子量及數平均分子量為藉由凝膠･滲透･層析法(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算值。 又，本說明書中，關於較佳之數值範圍(例如，含量等範圍)，階段地所記載之下限值及上限值可分別獨立地組合。例如，由「較佳為10~90，更佳為30~60」之記載，亦可組合「較佳之下限值(10)」與「更佳之上限值(60)」而設為「10~60」。
[硬化性樹脂薄膜(第一硬化性樹脂薄膜(x1))] 本發明的硬化性樹脂薄膜為，用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上，形成作為保護膜的硬化樹脂膜；並且滿足下述要件(I)。 ＜要件(I)＞ 在溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述硬化性樹脂薄膜的試驗片產生應變，並測定前述試驗片的儲存彈性模數，於將前述試驗片的應變為1%時之前述試驗片的儲存彈性模數設為Gc1，且將前述試驗片的應變為300%時之前述試驗片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由下述式(i)所算出之X值為19以上且未滿10,000。
Figure 02_image003
進行儲存彈性模數之測定的前述試驗片為薄膜狀，其平面形狀為圓形。 前述試驗片可為厚度1mm之單層的前述硬化性樹脂薄膜，但就製作容易的點而言，較佳為將厚度未滿1mm之單層的前述硬化性樹脂薄膜複數片層合所構成之層合薄膜。 構成前述層合薄膜之複數片之單層的前述硬化性樹脂薄膜的厚度可全部相同，亦可全部不同，也可僅一部分相同，但就製作容易的點而言，較佳為全部相同。
另外，本說明書中，並不限於前述Gc1及Gc300，所謂「試驗片之儲存彈性模數」意指「在溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之樹脂薄膜的試驗片產生應變時之對應於該應變之試驗片的儲存彈性模數」。
本發明之一態樣的硬化性樹脂薄膜可構成例如，具有層合支持薄片與前述硬化性樹脂薄膜之層而成之層合構造的複合薄片。
本說明書中，用於對半導體晶片的凸塊形成面及側面之兩者，形成作為保護膜的硬化樹脂膜的硬化性樹脂薄膜(本發明的硬化性樹脂薄膜)亦稱為「第一硬化性樹脂薄膜(x1)」或「第一硬化性樹脂(x1)」。並且，將「第一硬化性樹脂薄膜(x1)」或「第一硬化性樹脂(x1)」硬化而形成的硬化樹脂膜亦稱為「第一硬化樹脂膜(r1)」。又，用於在與半導體晶片的凸塊形成面相反側之面(背面)，形成作為保護膜的硬化樹脂膜的硬化性樹脂薄膜亦稱為「第二硬化性樹脂薄膜(x2)」或「第二硬化性樹脂(x2)」。並且，將「第二硬化性樹脂薄膜(x2)」或「第二硬化性樹脂(x2)」硬化而形成的硬化樹脂膜亦稱為「第二硬化樹脂膜(r2)」。 又，本說明書中，用於對在半導體晶片的凸塊形成面及側面之兩者，形成作為保護膜之第一硬化樹脂膜(r1)的複合薄片亦稱為「第一複合薄片(α1)」。「第一複合薄片(α1)」具有層合「第一支持薄片(Y1)」與「第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)」而成之層合構造。 又，用於在半導體晶片之背面形成作為保護膜之第二硬化樹脂膜(r2)的複合薄片亦稱為「第二複合薄片(α2)」。「第二複合薄片(α2)」具有層合「第二支持薄片(Y2)」與「第二硬化性樹脂(x2)之層(X2)」而成之層合構造。
將第一硬化性樹脂薄膜(x1)的剖面示意圖表示於圖1。 另外，於以下說明所使用之圖，係為了使本發明之特徵更易於理解，方便上，有擴大顯示作為主要部分之部位的情況，並未限定各構成要件的尺寸比率等與實際相同。
於圖1中所示之第一硬化性樹脂薄膜(x1)，係在其一面(本說明書中，亦稱為「第1面」)x1a上具備第1剝離薄膜151，並在與前述第1面x1a相反側之另一面(本說明書中，亦稱為「第2面」)x1b上具備第2剝離薄膜152。 具備此構成之第一硬化性樹脂薄膜(x1)，例如，適合作為輥狀來保存。
第1剝離薄膜151及第2剝離薄膜152皆可為公知者。 第1剝離薄膜151及第2剝離薄膜152相互可為相同，亦可為不同。作為第1剝離薄膜151及第2剝離薄膜152不同的情況之例，可舉出從第一硬化性樹脂薄膜(x1)剝離時所需之剝離力不同等。
於圖1中所示之第一硬化性樹脂薄膜(x1)係去除第1剝離薄膜151及第2剝離薄膜152的任一者，使產生之露出面成為對貼附對象物之貼附面。接著，去除第1剝離薄膜151及第2剝離薄膜152之剩餘的另一者，使產生之露出面成為後述用於構成第一複合薄片(α1)之第一支持薄片(Y1)的貼附面。
另外，圖1中，雖表示剝離薄膜設置於第一硬化性樹脂薄膜(x1)之兩面(第1面x1a，第2面x1b)的例，但剝離薄膜可僅設置於第一硬化性樹脂薄膜(x1)的任一面，亦即，僅設置於第1面x1a，或僅設置於第2面x1b。
第一硬化性樹脂薄膜(x1)可為熱硬化性及能量線硬化性的任一者，亦可具有熱硬化性及能量線硬化性兩者的特性。
本說明書中，所謂「能量線」意指於電磁波或帶電粒子束之中具有能量量子者。作為能量線之例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、融合(Fusion)燈、氙氣燈、螢光燈或LED燈等作為紫外線源進行照射。電子束可照射藉由電子束加速器等所產生者。 又，本說明書中，所謂「能量線硬化性」意指藉由照射能量線而硬化之性質，「非能量線硬化性」意指即使照射能量線亦不硬化之性質。
第一硬化性樹脂薄膜(x1)含有樹脂成分。 又，第一硬化性樹脂薄膜(x1)係可與樹脂成分一同含有或不含有樹脂成分以外之成分。 作為第一硬化性樹脂薄膜(x1)的較佳態樣，例如可舉出樹脂成分、填充材與不相當於該等(樹脂成分與填充材)之任一者且具有第一硬化性樹脂薄膜(x1)的儲存彈性模數的調節效果的各種添加劑。
作為具有第一硬化性樹脂薄膜(x1)的儲存彈性模數的調節效果的前述添加劑，例如可列舉流變控制劑(觸變劑)、界面活性劑、矽油等。
第一硬化性樹脂薄膜(x1)為軟質，且適合用於對如具有具備凸塊之凸塊形成面及作為分割預定線的溝部的半導體晶片製作用晶圓般之具有凹凸面之貼附對象物的貼附用。 另外，在之後的說明中，「具有具備凸塊之凸塊形成面及作為分割預定線的溝部的半導體晶片製作用晶圓」亦可僅稱為「半導體晶片製作用晶圓」。 第一硬化性樹脂薄膜(x1)係藉由對半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面進行按壓並貼附，而將第一硬化性樹脂薄膜(x1)以良好的埋入性填充至溝部。 又，第一硬化性樹脂薄膜(x1)係藉由對半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面進行按壓並貼附，而使凸塊貫通第一硬化性樹脂薄膜(x1)，且凸塊的頭頂部自第一硬化性樹脂薄膜(x1)突出。並且，第一硬化性樹脂薄膜(x1)覆蓋凸塊並於凸塊之間擴展，在與凸塊形成面密著的同時，覆蓋凸塊的表面，特別是凸塊形成面之附近部位的表面，並埋入凸塊的基部。此狀態下，在凸塊之以頭頂部為主的上部，可抑制第一硬化性樹脂薄膜(x1)的殘留。因此，當然也抑制了作為第一硬化性樹脂薄膜(x1)的硬化物的第一硬化樹脂膜(r1)附著於凸塊的上部。又，第一硬化性樹脂薄膜(x1)係在貼附於貼附對象物之後，亦可以容易地維持初始(貼附前)之第一硬化性樹脂薄膜(x1)的面積，也可抑制貼附後的面積相較於初始(貼附前)之第一硬化性樹脂薄膜(x1)的面積擴大的現象(以下，亦稱為「突出」)。因此，對半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面貼附第一硬化性樹脂薄膜(x1)時，也可抑制對溝部或凸塊基部之埋入不良等。 進而，在使用第一硬化性樹脂薄膜(x1)時，於凸塊形成面設置第一硬化性樹脂薄膜(x1)及作為其硬化物之第一硬化樹脂膜(r1)的狀態下，可抑制凸塊的上部以外之區域，或，凸塊形成面的凸塊附近之區域非預期地露出之情況(以下，亦稱為「收縮(cissing)」)。 此等效果，係藉由上述要件(I)中所規定之X值為19以上且未滿10,000而可獲得。
另外，凸塊的上部之第一硬化性樹脂薄膜(x1)或第一硬化樹脂膜(r1)的殘留的有無，例如，可藉由對於凸塊的上部，進行由光學顯微鏡或SEM(掃描型電子顯微鏡)之觀察或攝像資料的取得來確認。 又，第一硬化性樹脂薄膜(x1)的突出的有無可藉由目視等來觀察。 進而，第一硬化性樹脂薄膜(x1)或第一硬化樹脂膜(r1)之收縮(cissing)的有無，例如，可藉由對於凸塊形成面，進行由光學顯微鏡或SEM(掃描型電子顯微鏡)之觀察或攝像資料的取得來確認。
另外，將第一硬化性樹脂薄膜(x1)等樹脂薄膜貼附至貼附對象物時，產生突出的情況下，可藉由以下方法算出突出量。 亦即，對產生突出之狀態的樹脂薄膜，從其上方往下看進行俯視，求出此時之連結前述樹脂薄膜的外周上之不同二點間之線段的長度的最大值。進而，在與表示該最大值之前述線段重複的位置，求出初始(亦即，產生突出之前)之前述樹脂薄膜的寬度之值。接著，藉由自前述線段的長度的最大值減去前述樹脂薄膜的寬度之值，可算出前述樹脂薄膜的突出量。
圖2為用於示意地說明樹脂薄膜的平面形狀為圓形時之前述樹脂薄膜的突出量的平面圖。 圖2所示之樹脂薄膜101係貼附於貼附對象物102的狀態下，成為自初始之大小突出的狀態。符號101’所示的是初始之大小的樹脂薄膜，係為了易於理解突出量而簡便地顯示。初始之樹脂薄膜101’的平面形狀在此處為圓形，但成為突出的狀態之樹脂薄膜101的平面形狀為非圓形。但是，此為一例，成為突出的狀態之樹脂薄膜101的平面形狀並不限定於此處所示者。
為了獲得樹脂薄膜101的突出量，只要求出連結樹脂薄膜101的外周1010上之中的一點1010a與不同於其的另外一點1010b之間的線段的長度D1 的最大值，進而，在與表示該最大值之前述線段重複的位置，求出初始(亦即，突出之前)之樹脂薄膜101’的寬度之值D0 即可。D1 與D0 之差(D1 -D0 )為前述突出量。 樹脂薄膜101中表示最大值之前述線段，在俯視下，可以存在通過初始之樹脂薄膜101’中的圓的中心，此情況下，在與表示該最大值之前述線段重複的位置，初始之樹脂薄膜101’的寬度之值為樹脂薄膜101’之直徑。
另外，此處，雖參照圖面並針對樹脂薄膜的平面形狀為圓形時之樹脂薄膜的突出量進行說明，但平面形狀為圓形以外的情況下，亦可用相同方法算出樹脂薄膜的突出量。
將第一硬化性樹脂薄膜(x1)貼附至半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面時，在凸塊上部貫通突出第一硬化性樹脂薄膜(x1)且第一硬化性樹脂薄膜(x1)開始侵入至溝部的中盤階段，與，第一硬化性樹脂薄膜(x1)埋入凸塊的基部且埋入溝部的終盤階段，硬化性樹脂薄膜的應變程度很大的不同。更具體來說，於前述中盤階段之第一硬化性樹脂薄膜(x1)的應變小，於前述終盤階段之第一硬化性樹脂薄膜(x1)的應變大。 第一硬化性樹脂薄膜(x1)係採用Gc1作為其應變小之時的儲存彈性模數，並採用Gc300作為其應變大之時的儲存彈性模數，藉由將Gc1設定為高，Gc300設定為低，並將上述要件(I)中所規定之X值(=Gc1/Gc300)規定為19以上且未滿10,000，可取得前述說明之優異的效果。
就更容易發揮本發明的效果的觀點而言，第一硬化性樹脂薄膜(x1)係，上述要件(I)中所規定之X值的上限較佳為5000以下，更佳為2000以下，再更佳為1000以下，又再更佳為500以下，進而更佳為300以下，再更佳為100以下，又再更佳為70以下。 又，本發明的效果中，就使對半導體晶片製作用晶圓之溝部的埋入性更良好的觀點而言，上述要件(I)中所規定之X值較佳為25以上，更佳為30以上，再更佳為40以上，又再更佳為50以上，進而更佳為60以上。
第一硬化性樹脂薄膜(x1)中，Gc1只要是上述要件(I)中所規定之X值為19以上且未滿10000，則並未特別限定。 但是，就更容易發揮本發明的效果的觀點而言，Gc1較佳為1×104 ~1×106 Pa，更佳為3×104 ~7×105 Pa，再更佳為5×104 ~5×105 Pa。
第一硬化性樹脂薄膜(x1)中，Gc300只要是X值為19以上且未滿10000，則並未特別限定。 但是，本發明的效果中，就使對半導體晶片製作用晶圓之溝部的埋入性更良好的觀點而言，Gc300較佳為未滿15,000Pa，更佳為10,000Pa以下，再更佳為5,000Pa以下，又再更佳為4,000Pa以下，進而更佳為3,500Pa以下。又，就抑制第一硬化性樹脂薄膜(x1)之收縮(cissing)的觀點而言，Gc300較佳為100Pa以上，更佳為500Pa以上，再更佳為1,000Pa以上。
第一硬化性樹脂薄膜(x1)中，較佳為於上述要件(I)所規定之X值的同時，Gc1及Gc300的任一者或兩者滿足上述範圍。
第一硬化性樹脂薄膜(x1)的儲存彈性模數不限於Gc1及Gc300的情況，可藉由調節第一硬化性樹脂薄膜(x1)之含有成分的種類及含量的一者或兩者而容易地調節。為此，可調節用於形成第一硬化性樹脂薄膜(x1)之組成物中之含有成分的種類及含量的一者或兩者。例如，使用後述之第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)的情況下，藉由調節該組成物中之聚合物成分(A)、填充材(D)等之主要含有成分的種類及含量的一者或兩者，並調節選自流變控制劑、界面活性劑及矽油等之1種以上的添加劑(I)的種類及含量的一者或兩者，可容易地調節第一硬化性樹脂薄膜(x1)的儲存彈性模數。 例如，若增大第一硬化性樹脂薄膜(x1)及第一硬化性樹脂薄膜形成用組成物之前述填充材(D)及添加劑(I)的一者或兩者的含量，則容易將Gc1調節為較大的值，作為其結果係容易地將X值調節為較大的值。
第一硬化性樹脂薄膜(x1)可為由1層(單層)所構成者，亦可為由2層以上之複數層所構成者。第一硬化性樹脂薄膜(x1)由複數層所成的情況下，該等複數層相互可為相同亦可為不同，該等複數層之組合並未特別限定。
本說明書中，不限第一硬化性樹脂薄膜(x1)之情況，所謂「複數層相互可為相同亦可為不同」意指「可全部層為相同，可全部層為不同，可僅一部分的層為相同」，進一步所謂「複數層相互為不同」意指「各層之構成材料及厚度的至少一者相互為不同」。
就提升對於半導體晶片製作用半導體晶圓的凸塊形成面之被覆性的觀點、使對半導體晶片製作用半導體晶圓之溝部的埋入性更良好的觀點而言，第一硬化性樹脂薄膜(x1)的厚度較佳為10μm以上，更佳為20μm以上，再更佳為30μm以上，又再更佳為超過30μm。又，較佳為200μm以下，更佳為150μm以下，再更佳為130μm以下，又再更佳為100μm以下，進而更佳為80μm以下。 此處，「第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)的厚度」意指層(X1)全體的厚度，例如，由複數層所成之層(X1)的厚度意指構成層(X1)的全部層之合計厚度。 此處，「第一硬化性樹脂薄膜(x1)的厚度」意指第一硬化性樹脂薄膜(x1)全體的厚度，例如，由複數層所成之第一硬化性樹脂薄膜(x1)的厚度意指構成第一硬化性樹脂薄膜(x1)的全部層之合計厚度。
＜第一硬化性樹脂薄膜形成用組成物＞ 第一硬化性樹脂薄膜(x1)係可使用含有其構成材料之第一硬化性樹脂薄膜形成用組成物而形成。例如，第一硬化性樹脂薄膜(x1)係可藉由將第一硬化性樹脂薄膜形成用組成物塗佈於其形成對象面，視需要進行乾燥來形成。第一硬化性樹脂薄膜形成用組成物中之在常溫下不氣化之成分彼此的含量比率通常係與第一硬化性樹脂薄膜(x1)中之前述成分彼此的含量比率相同。本說明書中，所謂「常溫」意指沒有特別冷、沒有特別熱之溫度，亦即平常之溫度，例如，可舉出15~25℃之溫度等。
第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)係可使用第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)而形成，第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)係可使用第一能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-2-1)而形成。另外，本說明書中，第一硬化性樹脂薄膜(x1)具有熱硬化性及能量線硬化性之兩者的特性的情況下，對於藉由其硬化而形成之第一硬化樹脂膜(r1)而言，第一硬化性樹脂薄膜(x1)的熱硬化的貢獻大於能量線硬化的貢獻的情況下，將第一硬化性樹脂薄膜(x1)作為熱硬化性者來處理。相反的，對於其硬化，第一硬化性樹脂薄膜(x1)之能量線硬化的貢獻大於熱硬化的貢獻的情況下，將第一硬化性樹脂薄膜(x1)作為能量線硬化性者來處理。
第一硬化性樹脂薄膜形成用組成物的塗佈，可以公知方法來進行，例如可列舉使用旋轉塗佈機、噴霧塗佈機、氣刀塗佈機、刀片塗佈機、棒塗佈機、凹板塗佈機、輥塗佈機、輥刀塗佈機、簾式塗佈機、模塗佈機、刀塗佈機、絲網塗佈機、繞線棒(Meyer bar)塗佈機、吻合塗佈機等各種塗佈機的方法。
第一硬化性樹脂薄膜(x1)不論是熱硬化性及能量線硬化性的任一者，硬化性樹脂薄膜形成用組成物的乾燥條件並未特別限定。但是，第一硬化性樹脂薄膜形成用組成物含有後述溶媒的情況下，較佳為進行加熱乾燥。並且，含有溶媒的硬化性樹脂薄膜形成用組成物，較佳為例如在70~130℃下10秒~5分鐘之條件進行加熱乾燥。但，第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)較佳為使該組成物本身與由該組成物所形成之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)以不熱硬化的方式進行加熱乾燥。
以下，針對第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)，進一步進行詳細說明。
＜第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)＞ 使第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)硬化而形成作為其硬化物之第一硬化樹脂膜(r1)時，其硬化條件只要是硬化物能成為充分地發揮其功能之程度的硬化度，則並未特別限定，可因應第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的種類、前述硬化物的用途等而適宜選擇。 第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的硬化時的加熱溫度較佳為100~200℃，更佳為110~170℃，特佳為120~150℃。並且，前述熱硬化時的加熱時間較佳為0.5~5小時，更佳為0.5~4小時，特佳為1~3小時。
＜第一硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)＞ 作為第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)，例如可舉出含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、填充材(D)與添加劑(I)之第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)(本說明書中，有時僅稱為「組成物(x1-1-1)」)等。
(聚合物成分(A)) 聚合物成分(A)係用於將造膜性或可撓性等賦予至第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的聚合物化合物。聚合物成分(A)具有熱塑性，不具有熱硬化性。另外，於本說明書，聚合物化合物中亦包含聚縮合反應之生成物。 組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所含有之聚合物成分(A)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(A)，例如可列舉聚乙烯醇縮醛、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚矽氧樹脂、飽和聚酯樹脂等。 該等之中，就將Gc300調節為適當的值而使更容易地將X值調節為適當的值的觀點而言，聚合物成分(A)較佳為聚乙烯醇縮醛。
作為聚合物成分(A)中之前述聚乙烯醇縮醛，可列舉公知者。 其中，作為較佳之聚乙烯醇縮醛，例如可列舉聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯醇縮丁醛等，更佳為聚乙烯醇縮丁醛。 作為聚乙烯醇縮丁醛，可列舉具有下述式(i)-1、(i)-2及(i)-3所示之構成單元者。
Figure 02_image005
(式中，l、m及n分別獨立地為1以上之整數。)
聚乙烯醇縮醛的重量平均分子量(Mw)較佳為5,000~200,000，更佳為8,000~100,000。藉由聚乙烯醇縮醛的重量平均分子量為如此之範圍，將第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)貼附至半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面時，可更提高：抑制在凸塊的上部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之殘留的效果、抑制第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之突出的效果、抑制在凸塊形成面上之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)及其硬化物之收縮(cissing)的效果、以及提升對溝部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的埋入性的效果。
聚乙烯醇縮醛的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為40 ~80℃，更佳為50~70℃。藉由聚乙烯醇縮醛的Tg為如此之範圍，將第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)貼附至半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面時，可更提高：抑制在凸塊的上部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之殘留的效果、抑制第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之突出的效果、抑制在凸塊形成面上之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)及其硬化物之收縮(cissing)的效果、以及提升對溝部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的埋入性的效果。
構成聚乙烯醇縮醛之3種以上之單體的比率係可任意選擇。
作為聚合物成分(A)中之前述丙烯酸樹脂，可列舉公知之丙烯酸聚合物。 丙烯酸樹脂的重量平均分子量(Mw)較佳為5,000~ 1,000,000，更佳為8,000~800,000。藉由丙烯酸樹脂的重量平均分子量為如此之範圍，將第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)貼附至半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面時，可更提高：抑制在凸塊的上部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之殘留的效果、抑制第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之突出的效果、抑制在凸塊形成面上之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)及其硬化物之收縮(cissing)的效果、以及提升對溝部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的埋入性的效果。
丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-50~ 70℃，更佳為-30~60℃。藉由丙烯酸樹脂的Tg為如此之範圍，將第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)貼附至半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面時，可更提高：抑制在凸塊的上部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之殘留的效果、抑制第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之突出的效果、抑制在凸塊形成面上之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)及其硬化物之收縮(cissing)的效果、以及提升對溝部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的埋入性的效果。
丙烯酸樹脂具有2種以上之構成單元的情況下，該丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)可使用Fox式來算出。此時所用之衍生前述構成單元的單體的Tg可使用於高分子資料･手冊或黏著手冊所記載之值。
構成丙烯酸樹脂之單體可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
作為丙烯酸樹脂，例如可列舉1種或2種以上之(甲基)丙烯酸酯的聚合物； 選自(甲基)丙烯酸、伊康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等之2種以上之單體的共聚物； 1種或2種以上之(甲基)丙烯酸酯，與選自(甲基)丙烯酸、伊康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等之1種或2種以上之單體的共聚物等。
本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」係設為包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」之兩者的概念。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦相同，例如，「(甲基)丙烯酸酯」係包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」之兩者的概念，「(甲基)丙烯醯基」係包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」之兩者的概念。
作為構成丙烯酸樹脂之前述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數1~18之鏈狀構造的(甲基)丙烯酸烷酯； (甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯； (甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯； (甲基)丙烯酸二環戊烯酯等(甲基)丙烯酸環烯基酯； (甲基)丙烯酸二環戊烯基氧乙酯等(甲基)丙烯酸環烯基氧烷基酯； (甲基)丙烯酸醯亞胺酯； (甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含有縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯； (甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等含有羥基之(甲基)丙烯酸酯； (甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等含有取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，所謂「取代胺基」意指胺基之1個或2個氫原子被氫原子以外之基取代而成之基。
丙烯酸樹脂可具有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等之能與其他化合物鍵結之官能基。丙烯酸樹脂之前述官能基係可經由後述之交聯劑(F)與其他化合物鍵結，也可以不經由交聯劑(F)與其他化合物直接鍵結。藉由丙烯酸樹脂經由前述官能基與其他化合物鍵結，例如，使用第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所得之封裝(Package)的可靠性具有提升的傾向。
組成物(x1-1-1)中，相對於溶媒以外之全部成分的總含量之聚合物成分(A)的含量的比例(亦即，第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中，聚合物成分(A)的含量相對於第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之總質量的比例)係不論聚合物成分(A)的種類，較佳為5~25質量%，更佳為5~15質量%。
(熱硬化性成分(B)) 熱硬化性成分(B)為，具有熱硬化性且用於使第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)熱硬化形成硬質的硬化物的成分。 組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所含有之熱硬化性成分(B)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
作為熱硬化性成分(B)，例如可列舉環氧系熱硬化性樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。 該等之中，熱硬化性成分(B)較佳為環氧系熱硬化性樹脂。
･環氧系熱硬化性樹脂 環氧系熱硬化性樹脂係由環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)所成。 組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜所含有之環氧系熱硬化性樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
･環氧樹脂(B1) 作為環氧樹脂(B1)可列舉公知者，例如可列舉多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等、2官能以上之環氧化合物。
環氧樹脂(B1)可為具有不飽和烴基的環氧樹脂。具有不飽和烴基的環氧樹脂係，與丙烯酸樹脂之相溶性高於不具有不飽和烴基的環氧樹脂。因此，藉由使用具有不飽和烴基的環氧樹脂，例如，使用第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所得之封裝(Package)的可靠性具有提升的傾向。
作為具有不飽和烴基的環氧樹脂，例如可列舉多官能系環氧樹脂之環氧基的一部分轉換為具有不飽和烴基之基而成之化合物。如此之化合物，例如，藉由使(甲基)丙烯酸或其衍生物對環氧基進行加成反應而得。 又，作為具有不飽和烴基的環氧樹脂，例如可列舉，具有不飽和烴基之基直接鍵結至構成環氧樹脂之芳香環等而成之化合物等。 不飽和烴基為具有聚合性之不飽和基，作為其具體例，可列舉乙烯(ethenyl)基(乙烯(vinyl)基)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯胺基等，較佳為丙烯醯基。
環氧樹脂(B1)的數平均分子量並未特別限定，但就第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的硬化性以及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的硬化物的強度及耐熱性的觀點來看，較佳為300~30,000，更佳為400~10,000，特佳為500 ~3,000。 環氧樹脂(B1)的環氧當量，較佳為100~1,000g/eq，更佳為200~800g/eq。
環氧樹脂(B1)可單獨使用1種，亦可併用2種以上，併用2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
･熱硬化劑(B2) 熱硬化劑(B2)係作為作用於環氧樹脂(B1)的硬化劑而發揮功能。 作為熱硬化劑(B2)，例如可列舉在1分子中具有2個以上可與環氧基反應之官能基的化合物。作為前述官能基，例如可列舉苯酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化之基等，較佳為苯酚性羥基、胺基、或酸基經酐化之基，更佳為苯酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(B2)之中，作為具有苯酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、芳烷基酚樹脂等。 熱硬化劑(B2)之中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉二氰二胺(以下，亦簡稱為「DICY」)等。
熱硬化劑(B2)可具有不飽和烴基。 作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(B2)，例如可列舉酚樹脂之羥基的一部分被具有不飽和烴基之基所取代而成之化合物、具有不飽和烴基之基直接鍵結於酚樹脂之芳香環而成之化合物等。 熱硬化劑(B2)中之前述不飽和烴基係與上述具有不飽和烴基的環氧樹脂中之不飽和烴基相同。
熱硬化劑(B2)之中，例如多官能酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等樹脂成分的數平均分子量，較佳為300~30,000，更佳為400~10,000，特佳為500~3,000。 熱硬化劑(B2)之中，例如聯苯酚、二氰二胺等之非樹脂成分的分子量並未特別限定，但較佳為例如60~500。
熱硬化劑(B2)可單獨使用1種，亦可併用2種以上，併用2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中，相對於環氧樹脂(B1)的含量100質量份，熱硬化劑(B2)的含量較佳為0.1~500質量份，更佳為1~200質量份，例如可為5~150質量份、10~100質量份及15~75質量份的任一者。藉由熱硬化劑(B2)的前述含量為前述下限值以上，第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的硬化更容易進行。藉由熱硬化劑(B2)的前述含量為前述上限值以下，第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的吸濕率減低，例如，使用第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所得之封裝(Package)的可靠性更提升。
組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中，相對於聚合物成分(A)的含量100質量份，熱硬化性成分(B)的含量(例如，環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)的總含量)較佳為600~1000質量份。藉由熱硬化性成分(B)的前述含量為如此之範圍，將第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)貼附至半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面時，可更提高：抑制在凸塊的上部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之殘留的效果、抑制第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之突出的效果、抑制在凸塊形成面上之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)及其硬化物之收縮(cissing)的效果、以及提升對溝部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的埋入性的效果；並且可形成硬質的硬化物。 又，就更顯著地得到如此效果的點而言，熱硬化性成分(B)的含量，可因應聚合物成分(A)的種類而適宜調節。
例如，聚合物成分(A)為前述聚乙烯醇縮醛的情況下，組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中，相對於聚合物成分(A)的含量100質量份，熱硬化性成分(B)的含量較佳為600~1,000質量份，更佳為650~1,000質量份，特佳為650~950質量份。
(填充材(D)) 藉由調節組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中之填充材(D)的量，可以更容易地調節前述X值。又，藉由調節組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中之填充材(D)的量，可以更容易地調節第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的硬化物的熱膨脹係數，例如，藉由將第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的硬化物的熱膨脹係數對於該硬化物之形成對象物進行最佳化，使用第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所得之封裝(Package)的可靠性更提升。又，藉由使用含有填充材(D)之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)，亦可減低第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的硬化物的吸濕率、使散熱性提升。
填充材(D)亦可為有機填充材及無機填充材的任一者，但較佳為無機填充材。 作為較佳之無機填充材，例如可列舉二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等粉末；將該等無機填充材球形化而成之珠；該等無機填充材的表面改質品；該等無機填充材的單晶纖維；玻璃纖維等。 該等之中，無機填充材較佳為二氧化矽或氧化鋁。
組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所含有之填充材(D)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
組成物(x1-1-1)中，相對於溶媒以外之全部成分的總含量之填充材(D)的含量的比例(亦即，第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中，填充材(D)的含量相對於第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之總質量的比例)較佳為5~45質量%，更佳為5~40質量%，再更佳為5~30質量%。藉由前述比例為如此之範圍，將第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)貼附至半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面時，可更提高：抑制在凸塊的上部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之殘留的效果、抑制第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之突出的效果、抑制在凸塊形成面上之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)及其硬化物之收縮(cissing)的效果、以及提升對溝部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的埋入性的效果；並且可以更容易地調節上述熱膨脹係數。
(添加劑(I)) 藉由調節組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中之添加劑(I)的種類或量，將Gc1適當地調節，可以更容易地調節前述X值。 其中，就可以更容易地調節前述X值之點，作為較佳之添加劑(I)，例如可列舉流變控制劑、界面活性劑、矽油等。
更具體來說，作為前述流變控制劑，例如可列舉聚羥基羧酸酯、多價羧酸、聚醯胺樹脂等。 作為前述界面活性劑，例如可列舉改質矽氧烷、丙烯酸聚合物等。 作為前述矽油，例如可列舉芳烷基改質矽油、改質聚二甲基矽氧烷等，作為改質基，可列舉芳烷基；羥基等之極性基；乙烯基、苯基等具有不飽和鍵之基。
作為添加劑(I)，除上述以外，亦可列舉例如塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、吸除(gettering)劑、紫外線吸收劑、增黏劑等之其他各種通用添加劑。
組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所含有之添加劑(I)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之添加劑(I)的含量並未特別限定，可因應其種類或目的而適宜調節。 例如，在以調節前述X值為目的之情況下，組成物(x1-1-1)中，相對於溶媒以外之全部成分的總含量之添加劑(I)的含量的比例(亦即，第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中，添加劑(I)的含量相對於第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之總質量的比例)較佳為0.5~10質量%，更佳為0.5~7質量%，再更佳為0.5~5質量%。
(硬化促進劑(C)) 組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)可含有硬化促進劑(C)。硬化促進劑(C)為用於調整組成物(x1-1-1)的硬化速度之成分。 作為較佳的硬化促進劑(C)，例如可列舉三伸乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、參(二甲基胺基甲基)苯酚等之第3級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等之咪唑類(1個以上之氫原子被氫原子以外之基取代之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等之有機膦類(1個以上之氫原子被有機基取代之膦)；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等之四苯基硼鹽等。
組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所含有之硬化促進劑(C)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
使用硬化促進劑(C)的情況下，組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中，相對於熱硬化性成分(B)的含量100質量份，硬化促進劑(C)的含量較佳為0.01~10質量份，更佳為0.1~5質量份。藉由硬化促進劑(C)的前述含量為前述下限值以上，可更顯著地得到使用硬化促進劑(C)之效果。藉由硬化促進劑(C)的前述含量為前述上限值以下，例如，抑制高極性的硬化促進劑(C)在高溫･高濕度條件下於第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中移動至與被著體之接著界面側而偏析的效果變高，例如，使用第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所得之封裝(Package)的可靠性更提升。
(偶合劑(E)) 組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)可含有偶合劑(E)。藉由使用具有可與無機化合物或有機化合物反應之官能基者作為偶合劑(E)，可提升第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)對於被著體之接著性及密著性。又，藉由使用偶合劑(E)，第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的硬化物不會損及耐熱性，並且耐水性提升。
偶合劑(E)較佳為具有可與聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)等所具有之官能基反應的官能基的化合物，更佳為矽烷偶合劑。 作為較佳之前述矽烷偶合劑，例如可列舉3-縮水甘油基氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油基氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油基氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油基氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。
組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所含有之偶合劑(E)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
使用偶合劑(E)的情況下，組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中，相對於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)的總含量100質量份，偶合劑(E)的含量較佳為0.03~20質量份，更佳為0.05~10質量份，特佳為0.1~5質量份。藉由偶合劑(E)的前述含量為前述下限值以上，可更顯著地得到填充材(D)對於樹脂之分散性的提升，或第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之與貼附對象物之接著性的提升等之使用偶合劑(E)的效果。藉由偶合劑(E)的前述含量為前述上限值以下，可更抑制排氣的產生。
(交聯劑(F)) 作為聚合物成分(A)，使用具有能與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基者的情況下，組成物(X1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)可含有交聯劑(F)。交聯劑(F)為用於使聚合物成分(A)中之前述官能基與其他化合物鍵結進行交聯之成分，藉由如此般進行交聯，可調節第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的初期接著力及凝集力。
作為交聯劑(F)，例如可列舉有機多價異氰酸酯化合物、有機多價亞胺化合物、金屬螫合系交聯劑(具有金屬螫合構造之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
作為前述有機多價異氰酸酯化合物，例如可列舉芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物及脂環族多價異氰酸酯化合物(以下，亦將此等化合物彙總簡稱為「芳香族多價異氰酸酯化合物等」)；前述芳香族多價異氰酸酯化合物等之三聚物、異三聚氰酸酯體及加成體；使前述芳香族多價異氰酸酯化合物等與多元醇化合物反應而得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。前述「加成體」意指，前述芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物或脂環族多價異氰酸酯化合物，與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等之含有低分子活性氫的化合物的反應物。作為前述加成體之例，可列舉如後述之三羥甲基丙烷之苯二亞甲基二異氰酸酯加成物等。又，所謂「末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物」意指，具有胺基甲酸酯鍵且於分子之末端部具有異氰酸酯基的預聚物。
作為前述有機多價異氰酸酯化合物，更具體來說，例如可列舉2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-苯二亞甲基二異氰酸酯；1,4-二甲苯二異氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯；對於三羥甲基丙烷等之多元醇的全部或一部分的羥基，加成甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯及苯二亞甲基二異氰酸酯的任1種或2種以上而成之化合物；離胺酸二異氰酸酯等。
作為前述有機多價亞胺化合物，例如可列舉N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
使用有機多價異氰酸酯化合物作為交聯劑(F)時，作為聚合物成分(A)，較佳使用含有羥基之聚合物。交聯劑(F)具有異氰酸酯基，且聚合物成分(A)具有羥基的情況，藉由交聯劑(F)與聚合物成分(A)的反應，可於第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)中簡便地導入交聯構造。
組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所含有之交聯劑(F)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
使用交聯劑(F)的情況下，組成物(x1-1-1)中，相對於聚合物成分(A)的含量100質量份，交聯劑(F)的含量較佳為0.01~20質量份，更佳為0.1~10質量份，特佳為0.5~5質量份。藉由交聯劑(F)的前述含量為前述下限值以上，可更顯著地得到使用交聯劑(F)的效果。藉由交聯劑(F)的前述含量為前述上限值以下，可抑制交聯劑(F)的過量使用。
(能量線硬化性樹脂(G)) 組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)可含有能量線硬化性樹脂(G)。 第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)藉由含有能量線硬化性樹脂(G)，可透過能量線之照射使特性變化。
能量線硬化性樹脂(G)為，將能量線硬化性化合物聚合(硬化)所得者。作為能量線硬化性化合物，例如可列舉在分子內具有至少1個聚合性雙鍵的化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
作為丙烯酸酯系化合物，例如可列舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等之含鏈狀脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；二環戊基二(甲基)丙烯酸酯等之含環狀脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等之聚烷二醇(甲基)丙烯酸酯；寡酯(甲基)丙烯酸酯；胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物；環氧改質(甲基)丙烯酸酯；前述聚烷二醇(甲基)丙烯酸酯以外之聚醚(甲基)丙烯酸酯；伊康酸寡聚物等。
能量線硬化性化合物的重量平均分子量較佳為100~30,000，更佳為300~10,000。
聚合所使用之能量線硬化性化合物可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。聚合所使用之能量線硬化性化合物為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
使用能量線硬化性樹脂(G)時，基於組成物(x1-1-1)之有效成分的總量基準，能量線硬化性樹脂(G)的含量較佳為1~95質量%，更佳為5~90質量%，再更佳為10~85質量%。
(光聚合起始劑(H)) 組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)含有能量線硬化性樹脂(G)的情況下，為了使能量線硬化性樹脂(G)之聚合反應有效率地進行，組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)可含有光聚合起始劑(H)。
作為光聚合起始劑(H)，例如可列舉二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻安息香酸、苯偶姻安息香酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、1-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮雙異丁腈、二苯基乙二酮、聯苄、聯乙醯、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦及2-氯蒽醌等。
光聚合起始劑(H)可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。光聚合起始劑(H)為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
組成物(x1-1-1)中，相對於能量線硬化性樹脂(G)的含量100質量份，光聚合起始劑(H)的含量較佳為0.1~20質量份，更佳為1~10質量份，再更佳為2~5質量份。
(其他成分) 在不損及本發明之效果的範圍內，組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)可含有非相當於上述聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、硬化促進劑(C)、填充材(D)、偶合劑(E)、交聯劑(F)、能量線硬化性樹脂(G)、光聚合起始劑(H)及添加劑(I)之任一者的其他成分。
組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所含有之前述其他成分可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。 組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之前述其他成分的含量並未特別限定，只要因應目的適宜選擇即可。
(溶媒) 組成物(x1-1-1)較佳為進一步含有溶媒。含有溶媒之組成物(x1-1-1)係處理性變良好。 前述溶媒並未特別限定，但作為較佳者，例如可列舉甲苯、二甲苯等之烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等之醇；乙酸乙酯等之酯；丙酮、甲基乙基酮等之酮；四氫呋喃等之醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等之醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 組成物(x1-1-1)所含有之溶媒可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
於組成物(x1-1-1)所含有之溶媒，作為更佳者，例如就可更均勻地混合組成物(x1-1-1)中之含有成分的點而言，可列舉甲基乙基酮等。
組成物(x1-1-1)之溶媒的含量並未特別限定，例如，只要因應溶媒以外之成分的種類適宜選擇即可。
＜第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)之製造方法＞ 第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)係藉由將用於構成其之各成分進行摻合而得。 各成分之摻合時的添加順序並未特別限定，可同時添加2種以上的成分。 於摻合時混合各成分的方法並未特別限定，自以下公知方法適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉進行混合之方法；使用攪拌機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。 各成分的添加及混合時之溫度以及時間，只要不使各摻合成分劣化則並未特別限定，可適宜調節，但溫度較佳為15~30℃。
＜第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)＞ 使第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)硬化而形成作為其硬化物之第一硬化樹脂膜(r1)時，其硬化條件只要是硬化物能成為充分地發揮其功能之程度的硬化度，則並未特別限定，可因應第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)的種類、前述硬化物的用途等而適宜選擇。 例如，第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)的硬化時的能量線照度較佳為180~280mW/cm2 。並且，前述硬化時之能量線的光量較佳為450~1000mJ/cm2 。
＜第一能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-2-1)＞ 作為第一能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-2-1)，例如可列舉含有能量線硬化性成分(a)、填充材與添加劑之第一能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-2-1)(本說明書中，有時僅稱為「組成物(x1-2-1)」)等。
(能量線硬化性成分(a)) 能量線硬化性成分(a)為可藉由能量線之照射而硬化的成分，亦為用於將造膜性或可撓性等賦予至第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)的成分。 能量線硬化性成分(a)較佳為未硬化，較佳為具有黏著性，更佳為未硬化且具有黏著性。
作為能量線硬化性成分(a)，例如可列舉具有能量線硬化性基之重量平均分子量為80,000~2,000,000的聚合物(a1)、及具有能量線硬化性基之分子量為100~80,000的化合物(a2)。前述聚合物(a1)可為其至少一部分經由交聯劑進行交聯者，亦可為未交聯者。
･具有能量線硬化性基之重量平均分子量為80,000~2,000,000的聚合物(a1) 作為具有能量線硬化性基之重量平均分子量為80,000 ~2,000,000的聚合物(a1)，例如可列舉：具有可與其他化合物所具有之基反應的官能基之丙烯酸聚合物(a11)；與具有與前述官能基反應之基及能量線硬化性雙鍵等之能量線硬化性基的能量線硬化性化合物(a12)進行聚合而成之丙烯酸樹脂(a1-1)。
作為可與其他化合物所具有之基反應的前述官能基，例如可列舉羥基、羧基、胺基、取代胺基(胺基之1個或2個氫原子被氫原子以外之基取代而成之基)、環氧基等。但是，就防止半導體晶圓或半導體晶片等之電路的腐蝕的點而言，前述官能基較佳為羧基以外之基。 該等之中，前述官能基較佳為羥基。
･具有官能基之丙烯酸聚合物(a11) 作為前述具有官能基之丙烯酸聚合物(a11)，例如可列舉：具有前述官能基之丙烯酸單體與不具有前述官能基之丙烯酸單體進行共聚合而成者，亦可為除該等單體以外，進而使丙烯酸單體以外之單體(非丙烯酸單體)進行共聚合而成者。 又，前述丙烯酸聚合物(a11)可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物。
作為具有前述官能基之丙烯酸單體，例如可列舉含有羥基之單體、含有羧基之單體、含有胺基之單體、含有取代胺基之單體、含有環氧基之單體等。
作為前述含有羥基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷酯；乙烯醇、烯丙醇等之非(甲基)丙烯酸不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。
作為前述含有羧基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸、巴豆酸等之乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；富馬酸、伊康酸、馬來酸、檸康酸等之乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等之(甲基)丙烯酸羧基烷酯等。
具有前述官能基之丙烯酸單體較佳為含有羥基之單體、含有羧基之單體，更佳為含有羥基之單體。
構成前述丙烯酸聚合物(a11)的具有前述官能基之丙烯酸單體可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
作為不具有前述官能基之丙烯酸單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數1~18之鏈狀構造的(甲基)丙烯酸烷酯等。
作為不具有前述官能基之丙烯酸單體，例如亦可列舉(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等之含有烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯；包含(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等之具有芳香族基的(甲基)丙烯酸酯；非交聯性之(甲基)丙烯醯胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基丙酯等之非交聯性之具有3級胺基的(甲基)丙烯酸酯等。
構成前述丙烯酸聚合物(a11)的不具有前述官能基之丙烯酸單體可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
作為前述非丙烯酸單體，例如可列舉乙烯、降莰烯等烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。 構成前述丙烯酸聚合物(a11)的前述非丙烯酸單體可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸聚合物(a11)中，相對於構成其之構成單位的總量，由具有前述官能基之丙烯酸單體所衍生之構成單位的量的比例(含量)較佳為0.1~50質量%，更佳為1~40質量%，特佳為3~30質量%。藉由前述比例為如此之範圍，在由前述丙烯酸聚合物(a11)與前述能量線硬化性化合物(a12)的共聚合所得之前述丙烯酸樹脂(a1-1)中，能量線硬化性基的含量可容易地將第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)的硬化物的硬化程度調節至較佳範圍。
構成前述丙烯酸樹脂(a1-1)的前述丙烯酸聚合物(a11)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
組成物(x1-2-1)中，相對於溶媒以外之成分的總含量之丙烯酸樹脂(a1-1)的含量的比例(亦即，第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)中，丙烯酸樹脂(a1-1)的含量相對於前述薄膜之總質量的比例)較佳為1~40質量%，更佳為2~30質量%，特佳為3~20質量%。
･能量線硬化性化合物(a12) 前述能量線硬化性化合物(a12)較佳具有選自由異氰酸酯基、環氧基及羧基所成群組中之1種或2種以上作為可與前述丙烯酸聚合物(a11)所具有之官能基反應之基，更佳為具有異氰酸酯基作為前述基。前述能量線硬化性化合物(a12)，例如，具有異氰酸酯基作為前述基的情況下，該異氰酸酯基容易地與具有羥基作為前述官能基之丙烯酸聚合物(a11)的該羥基進行反應。
前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為在1分子中具有1~5個前述能量線硬化性基，更佳為具有1~2個。
作為前述能量線硬化性化合物(a12)，例如可列舉2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙基異氰酸酯； 由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應所得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物； 由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應所得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。 該等之中，前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。
構成前述丙烯酸樹脂(a1-1)的前述能量線硬化性化合物(a12)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸樹脂(a1-1)中，相對於源自前述丙烯酸聚合物(a11)之前述官能基的含量，源自前述能量線硬化性化合物(a12)之能量線硬化性基的含量的比例較佳為20~120莫耳%，更佳為35~100莫耳%，特佳為50~100莫耳%。藉由前述含量的比例為如此之範圍，能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)的硬化物的接著力進一步變大。另外，前述能量線硬化性化合物(a12)為一官能(在1分子中具有1個前述基)化合物的情況下，前述含量的比例之上限值為100莫耳%，但前述能量線硬化性化合物(a12)為多官能(在1分子中具有2個以上前述基)化合物的情況下，前述含量的比例之上限值有時會超過100莫耳%。
前述聚合物(a1)的重量平均分子量(Mw)較佳為100,000~2,000,000，更佳為300,000~1,500,000。
前述聚合物(a1)其至少一部分經由交聯劑進行交聯的情況下，前述聚合物(a1)可為使非相當於前述作為構成丙烯酸聚合物(a11)所說明之上述單體的任一者且具有與交聯劑反應之基的單體進行聚合，並在前述與交聯劑反應之基中進行交聯而成者，亦可為在源自前述能量線硬化性化合物(a12)之與前述官能基反應之基中進行交聯而成者。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)所含有之前述聚合物(a1)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
具有能量線硬化性基之分子量為100~80,000的化合物(a2) 作為具有能量線硬化性基之分子量為100~80,000的化合物(a2)中之前述能量線硬化性基，可列舉包含能量線硬化性雙鍵之基，作為較佳者，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。
前述化合物(a2)只要是滿足上述條件者則並未特別限定，但可列舉具有能量線硬化性基之低分子量化合物、具有能量線硬化性基之環氧樹脂、具有能量線硬化性基之酚樹脂等。
前述化合物(a2)之中，作為具有能量線硬化性基之低分子量化合物，例如可列舉多官能之單體或寡聚物等，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。 作為前述丙烯酸酯系化合物，例如可列舉甲基丙烯酸2-羥基-3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-雙[4-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚丙氧基)苯基]丙烷、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二(甲基)丙烯醯氧基丙烷等之2官能(甲基)丙烯酸酯； 參(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯、ε-己內酯改質參-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯、乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等之多官能(甲基)丙烯酸酯； 胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物等之多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物等。
前述化合物(a2)之中，作為具有能量線硬化性基之環氧樹脂、具有能量線硬化性基之酚樹脂，例如可使用「日本特開2013-194102號公報」之段落0043等中所記載者。如此之樹脂亦適用於構成後述之熱硬化性成分的樹脂，但在本發明中視作為前述化合物(a2)。
前述化合物(a2)的重量平均分子量較佳為100~30,000，更佳為300~10,000。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)所含有之前述化合物(a2)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
(不具有能量線硬化性基之聚合物(b)) 組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)含有前述化合物(a2)作為前述能量線硬化性成分(a)的情況下，較佳進而含有不具有能量線硬化性基之聚合物(b)。 前述聚合物(b)可為其至少一部分經由交聯劑進行交聯者，亦可為未交聯者。
作為不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉丙烯酸聚合物、苯氧基樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚酯、橡膠系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂等。 該等之中，前述聚合物(b)較佳為丙烯酸聚合物(以下，亦簡稱為「丙烯酸聚合物(b-1)」)。
丙烯酸聚合物(b-1)可為公知者，例如可為1種丙烯酸單體的均聚物，亦可為2種以上之丙烯酸單體的共聚物，也可為1種或2種以上之丙烯酸單體與1種或2種以上之丙烯酸單體以外之單體(非丙烯酸單體)的共聚物。
作為構成丙烯酸聚合物(b-1)之前述丙烯酸單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸烷酯、具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯、含有縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯、含有羥基之(甲基)丙烯酸酯、含有取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，「取代胺基」係如同前述說明。
作為前述(甲基)丙烯酸烷酯，例如，可列舉與前述說明之構成丙烯酸聚合物(a11)之不具有前述官能基之丙烯酸單體(構成烷基酯之烷基為碳數1~18之鏈狀構造的(甲基)丙烯酸烷酯等)相同者。
作為前述具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯； (甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯； (甲基)丙烯酸二環戊烯酯等(甲基)丙烯酸環烯基酯； (甲基)丙烯酸二環戊烯基氧乙酯等(甲基)丙烯酸環烯基氧烷基酯等。
作為前述含有縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。 作為前述含有羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。 作為前述含有取代胺基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等。
作為構成丙烯酸聚合物(b-1)之前述非丙烯酸單體，例如可列舉乙烯、降莰烯等烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
作為至少一部分經由交聯劑進行交聯之前述不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉前述聚合物(b)中之反應性官能基與交聯劑反應而成者。 前述反應性官能基可因應交聯劑的種類等而適宜選擇，並未特別限定。例如，交聯劑為聚異氰酸酯化合物的情況下，作為前述反應性官能基，可列舉羥基、羧基、胺基等，該等之中，較佳為與異氰酸酯基之反應性高的羥基。又，交聯劑為環氧系化合物的情況下，作為前述反應性官能基，可列舉羧基、胺基、醯胺基等，該等之中，較佳為與環氧基之反應性高的羧基。但是，就防止半導體晶圓或半導體晶片之電路的腐蝕的點而言，前述反應性官能基較佳為羧基以外之基。
作為前述具有反應性官能基且不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉至少使具有前述反應性官能基之單體進行聚合而得者。若為丙烯酸聚合物(b-1)的情況，只要作為構成其之單體所列舉之前述丙烯酸單體及非丙烯酸單體的任一者或兩者，使用具有前述反應性官能基者即可。具有羥基作為反應性官能基的前述聚合物(b)，例如可列舉將含有羥基之(甲基)丙烯酸酯進行聚合而得者，除此之外，亦可列舉將先前所列舉之前述丙烯酸單體或非丙烯酸單體中1個或2個以上之氫原子被前述反應性官能基取代而成之單體進行聚合而得者。
具有反應性官能基之前述聚合物(b)中，相對於構成其之構成單位的總量，由具有反應性官能基之單體所衍生之構成單位的量的比例(含量)較佳為1~20質量%，更佳為2~10質量%。藉由前述比例為如此之範圍，前述聚合物(b)中，交聯程度成為更佳的範圍。
就組成物(IV)的造膜性變得更良好的點而言，不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的重量平均分子量(Mw)較佳為10,000~2,000,000，更佳為100,000~1,500,000。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)所含有之不具有能量線硬化性基之聚合物(b)可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
作為組成物(x1-2-1)，可列舉含有前述聚合物(a1)及前述化合物(a2)的任一者或兩者之組成物。並且，組成物(x1-2-1)含有前述化合物(a2)的情況下，較佳為進而含有不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，此情況下，較佳為更含有前述(a1)。又，組成物(x1-2-1)亦可不含有前述化合物(a2)，而一併含有前述聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)。
組成物(x1-2-1)含有前述聚合物(a1)、前述化合物(a2)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的情況，組成物(x1-2-1)中，相對於前述聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的總含量100質量份，前述化合物(a2)的含量較佳為10~400質量份，更佳為30~350質量份。
組成物(x1-2-1)中，相對於溶媒以外之成分的總含量之前述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之合計含量的比例(亦即，第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)中，前述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之合計含量相對於前述薄膜之總質量的比例)較佳為5~90質量%，更佳為10~80質量%，特佳為20~70質量%。藉由前述比例為如此之範圍，第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)的能量線硬化性變得更良好。
(填充材) 藉由調節組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)中之填充材的量，可以更容易地調節前述X值。又，藉由調節組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)中之填充材的量，可以更容易地調節第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)的硬化物的熱膨脹係數，例如，藉由將第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)的硬化物的熱膨脹係數對於保護膜之形成對象物進行最佳化，使用第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)所得之封裝(Package)的可靠性更提升。又，藉由使用含有填充材之第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)，亦可減低第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)的硬化物的吸濕率、使散熱性提升。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)所含有之前述填充材係可與前述說明之組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)所含有之填充材(D)相同。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)之填充材的含有態樣係可與組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之填充材(D)的含有態樣相同。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)所含有之填充材可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
組成物(x1-2-1)中，相對於溶媒以外之全部成分的總含量之填充材的含量的比例(亦即，第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)中，填充材的含量相對於第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)之總質量的比例)，例如可為5~45質量%。藉由前述比例為如此之範圍，將第一能量硬化性樹脂薄膜(x1-2)貼附至半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面時，可更提高：抑制在凸塊的上部之第一能量硬化性樹脂薄膜(x1-2)之殘留的效果、抑制第一能量硬化性樹脂薄膜(x1-2)之突出的效果、抑制在凸塊形成面上之第一能量硬化性樹脂薄膜(x1-2)及其硬化物之收縮(cissing)的效果、以及提升對溝部之第一能量硬化性樹脂薄膜(x1-2)的埋入性的效果；並且可以更容易地調節上述熱膨脹係數。
(添加劑) 藉由調節組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)中之添加劑的種類或量，可以更容易地調節前述X值。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)所含有之前述添加劑係可與前述說明之組成物(x1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-2)所含有之添加劑(I)相同。 例如，就可以更容易地調節前述X值的點而言，作為較佳之添加劑，可列舉流變控制劑、界面活性劑、矽油等。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)之添加劑的含有態樣係可與組成物(X1-1-1)及第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之添加劑(I)的含有態樣相同。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)所含有之添加劑可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)之添加劑的含量並未特別限定，可因應其種類或目的而適宜調節。 例如，在以調節前述X值為目的之情況下，組成物(x1-2-1)中，相對於溶媒以外之全部成分的總含量之添加劑的含量的比例(亦即，第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)中，添加劑的含量相對於第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)之總質量的比例)，例如可為0.5~10質量%。
(其他成分) 在不損及本發明之效果的範圍內，組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)可含有非相當於能量線硬化性成分(a)、前述填充材與前述添加劑之任一者的其他成分。 作為前述其他成分，例如可列舉熱硬化性成分、光聚合起始劑、偶合劑、交聯劑等。例如，藉由使用含有前述能量線硬化性成分(a)及熱硬化性成分之組成物(x1-2-1)，第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)通過加熱而對於被著體之接著力提升，且該第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)的硬化物的強度亦提升。
作為組成物(x1-2-1)中之前述熱硬化性成分、光聚合起始劑、偶合劑及交聯劑，分別可列舉與組成物(x1-1-1)中之熱硬化性成分(B)、光聚合起始劑、偶合劑(E)及交聯劑(F)相同者。
組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)所含有之前述其他成分可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。 組成物(x1-2-1)及第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)之前述其他成分的含量並未特別限定，只要因應目的適宜選擇即可。
(溶媒) 組成物(x1-2-1)較佳為進一步含有溶媒。含有溶媒之組成物(x1-2-1)係處理性變良好。 作為組成物(x1-2-1)所含有之溶媒，例如可列舉與前述說明之組成物(x1-1-1)所含有之溶媒相同者。 組成物(x1-2-1)所含有之溶媒可僅為1種，亦可為2種以上，為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。 組成物(x1-2-1)之溶媒的含量並未特別限定，例如，只要因應溶媒以外之成分的種類適宜選擇即可。
＜第一能量線硬化性保護膜形成用組成物之製造方法＞ 第一能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-2-1)係藉由將用於構成其之各成分進行摻合而得。 第一能量線硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-2-1)係例如，除了摻合成分的種類不同之點以外，可使用與前述說明之第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)的情況相同之方法來製造。
[第一複合薄片(α1)] 第一硬化性樹脂薄膜(x1)係如前述般，可藉由與第一支持薄片(Y1)層合而構成第一複合薄片(α1)。 將第一複合薄片(α1)的構成例示於圖3。 第一複合薄片(α1)係如圖3所示之第一複合薄片(α1)般，於第一支持薄片(Y1)之一面具備第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)。藉由於第一支持薄片(Y1)之一面具備第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)，當作為製品封裝(Package)搬運第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)、於步驟內搬送第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)時，第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)被安定地支持、保護。
又，將第一複合薄片(α1)的具體構成例示於圖4~圖6。 第一複合薄片(α1)係如圖4所示之第一複合薄片(α1a)般，第一支持薄片(Y1)為基材51，並且於基材51之一面具備第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)。 又，第一複合薄片(α1)亦可如圖5所示之第一複合薄片(α1b)般，第一支持薄片(Y1)為層合基材51與黏著劑層61而成之黏著薄片，並且貼合該黏著薄片之黏著劑層61與第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)。 進而，第一複合薄片(α1)亦可如圖6所示之第一複合薄片(α1c)般，第一支持薄片(Y1)為依序層合基材51與中間層71與黏著劑層61而成之黏著薄片，並且貼合該黏著薄片之黏著劑層61與第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)。依序層合基材51與中間層71與黏著劑層61而成之黏著薄片係可適合使用作為背面研磨膠帶。亦即，如圖6所示之第一複合薄片(α1c)，由於具有背面研磨膠帶作為第一支持薄片(Y1)，故在貼合第一複合薄片(α1c)之第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)與半導體晶片製作用晶圓的凸塊形成面之後，將半導體晶片製作用晶圓之背面進行研削予以薄化處理之時可適宜使用。
以下，針對第一複合薄片(α1)所使用之第一硬化性樹脂(x1)及第一支持薄片(Y1)進行說明。 ＜第一支持薄片(Y1)＞ 第一支持薄片(Y1)係作為用於支持第一硬化性樹脂(x1)的支持體而發揮功能。 第一支持薄片(Y1)係可如圖4所示般，僅由基材51構成，亦可如圖5所示般，為基材51與黏著劑層61之層合體，也可如圖6所示般，為依序層合基材51與中間層71與黏著劑層61而成之層合體。依序層合基材51與中間層71與黏著劑層61而成之層合體可適合使用作為背面研磨薄片(b-BG)。
以下，針對第一支持薄片(Y1)所具有之基材、第一支持薄片(Y1)可具有之黏著劑層及中間層進行說明。
(基材) 基材為薄片狀或薄膜狀，作為其構成材料，例如可列舉以下各種樹脂。 作為構成基材之樹脂，例如可列舉低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降莰烯樹脂等聚乙烯以外之聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降莰烯共聚物等乙烯系共聚物(使用乙烯作為單體所得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(使用氯乙烯作為單體所得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二羧酸乙二酯、全部構成單元具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；2種以上之前述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚胺基甲酸酯丙烯酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改質聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。 又，作為構成基材之樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與其以外之樹脂的混合物等聚合物合金。前述聚酯與其以外之樹脂的聚合物合金較佳為聚酯以外之樹脂的量為較少量。 又，作為構成基材之樹脂，例如亦可列舉至此所例示之前述樹脂中的1種或2種以上經交聯而成之交聯樹脂；使用至此所例示之前述樹脂中的1種或2種以上而成之離子聚合物等改質樹脂。
構成基材之樹脂可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。構成基材之樹脂為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。
基材可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之複數層。基材為複數層的情況下，該等複數層相互可為相同亦可為不同，該等複數層之組合並未特別限定。
基材的厚度較佳為5μm~1,000μm，更佳為10μm~500μm，再更佳為15μm~300μm，又再更佳為20μm ~150μm。 此處，「基材的厚度」意指基材全體的厚度，例如，由複數層所成之基材的厚度意指構成基材的全部層之合計厚度。
基材較佳為厚度精度高，亦即，不論任何部位均抑制厚度的不均。上述構成材料之中，作為用於構成如此基材可使用之厚度精度高的材料，例如可列舉聚乙烯、聚乙烯以外之聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
除了前述樹脂等主要構成材料以外，基材亦可含有填充材、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。
基材可為透明，亦可為不透明，亦可因應目的而著色，或，也可蒸鍍其他層。又，第一硬化性樹脂薄膜(x1)為第一能量線硬化性樹脂薄膜(x1-2)時、及黏著劑層為能量性硬化性之黏著劑層時，基材較佳為能使能量線透過者。
基材可利用公知方法製造。例如，含有樹脂之基材可藉由將含有前述樹脂之樹脂組成物成形而製造。
(黏著劑層) 黏著劑層為薄片狀或薄膜狀，且含有黏著劑。 作為黏著劑，例如可列舉丙烯酸系樹脂(由具有(甲基)丙烯醯基之樹脂所成之黏著劑)、胺基甲酸酯系樹脂(由具有胺基甲酸酯鍵之樹脂所成之黏著劑)、橡膠系樹脂(由具有橡膠構造之樹脂所成之黏著劑)、聚矽氧系樹脂(由具有矽氧烷鍵之樹脂所成之黏著劑)、環氧系樹脂(由具有環氧基之樹脂所成之黏著劑)、聚乙烯醚、聚碳酸酯等黏著性樹脂。該等之中，較佳為丙烯酸系樹脂。
另外，本發明中，所謂「黏著性樹脂」係包含具有黏著性的樹脂與具有接著性的樹脂之兩者的概念，例如，不僅為樹脂本身具有黏著性者，亦包含藉由併用添加劑等其他成分而顯示黏著性之樹脂，或藉由熱或水等的觸發(trigger)的存在而顯示接著性之樹脂等。
黏著劑層可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之複數層。黏著劑層為複數層的情況下，該等複數層相互可為相同亦可為不同，該等複數層之組合並未特別限定。
黏著劑層的厚度較佳為1μm~1000μm，更佳為5μm~500μm，再更佳為10μm~100μm。此處，「黏著劑層的厚度」意指黏著劑層全體的厚度，例如，由複數層所成之黏著劑層的厚度意指構成黏著劑層的全部層之合計厚度。
黏著劑層可為使用能量線硬化性黏著劑而形成者，亦可為使用非能量線硬化性黏著劑而形成者。使用能量線硬化性之黏著劑而形成的黏著劑層可容易地調節硬化前及硬化後的物性。
(中間層) 中間層為薄片狀或薄膜狀，其構成材料只要因應目的適宜選擇即可，並未特別限定。例如，當目的為抑制因覆蓋半導體表面的保護膜上反映半導體表面存在的凸塊形狀而第一硬化樹脂膜(r1)變形的情況，作為中間層之較佳的構成材料，就凹凸追隨性高且更提升中間層之貼附性的點而言，可列舉胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。
中間層可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之複數層。中間層為複數層的情況下，該等複數層相互可為相同亦可為不同，該等複數層之組合並未特別限定。
中間層的厚度可因應作為保護對象之半導體表面之凸塊的高度而適宜調節，但就可容易地吸收高度較高之凸塊的影響的點而言，較佳為50μm~600μm，更佳為70μm~500μm，再更佳為80μm~400μm。此處，「中間層的厚度」意指中間層全體的厚度，例如，由複數層所成之中間層的厚度意指構成中間層的全部層之合計厚度。
接著，針對第一複合薄片(α1)之製造方法進行說明。
[第一複合薄片(α1)之製造方法] 第一複合薄片(α1)係可藉由將上述各層以成為對應之位置關係依序層合來製造。 例如，製造第一支持薄片(Y1)時，在基材上層合黏著劑層或中間層的情況下，可藉由將黏著劑組成物或中間層形成用組成物塗佈於基材上，視需要乾燥或照射能量線，而層合黏著劑層或中間層。 作為塗佈方法，例如可列舉旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刀塗佈法、輥塗佈法、輥刀塗佈法、刀片塗佈法、模塗佈法、凹板塗佈法等。
另外，例如，在經層合在基材上的黏著劑層之上，進一步層合第一硬化性樹脂(x1)時，可將熱硬化性樹脂組成物(x1-1-1)或能量線硬化性樹脂組成物(x1-2-1)塗佈於黏著劑層上，直接形成第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)。 同樣地，在經層合在基材上的中間層之上，進一步層合黏著劑層時，可將黏著劑組成物塗佈於中間層上，直接形成黏著劑層。
如此般，當使用任一種組成物形成連續之2層層合構造時，可在由前述組成物所形成之層上，進一步塗佈組成物形成新的層。惟，在該等2層之中後層合之層，較佳為使用前述組成物預先形成在其他剝離薄膜上，將該經形成之層的與前述剝離薄膜接觸之側為相反側的露出面，與已形成完之其餘層的露出面進行貼合，而形成連續之2層層合構造。此時，前述組成物較佳為塗佈於剝離薄膜的剝離處理面。剝離薄膜係在形成層合構造後，可視需要去除。
[第二複合薄片(α2)] 第二複合薄片(α2)只要是可在半導體晶圓的背面形成保護膜之構成則並未特別限定，例如，可採用與第一複合薄片(α1)相同之構成。 因此，第二複合薄片(α2)所具有之第二硬化性樹脂薄膜(x2)可與上述第一硬化性樹脂薄膜(x1)為相同的材質及構成。 但是，一般而言半導體晶圓的背面中不存在凸塊或溝部而為平滑，故，對於第二硬化性樹脂薄膜(x2)而言，並不要求滿足第一硬化性樹脂薄膜(x1)中的要件(I)。因此，第二硬化性樹脂薄膜(x2)中，X值可為18以下且亦可為10,000以上。
(著色劑(J)) 此處，就提升由雷射標記所形成之印字的可見性的觀點、使半導體晶片背面的研削痕難以看見而提升半導體晶片之設計性的觀點等而言，第二硬化性樹脂薄膜(x2)及用於形成第二硬化性樹脂薄膜(x2)之第二硬化性樹脂薄膜形成用組成物較佳含有著色劑(J)。 作為著色劑(J)，例如可列舉無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等公知者。 作為前述有機系顏料及有機系染料，例如可列舉銨系色素、花青系色素、部花青素系色素、克酮鎓(croconium)系色素、方酸鎓(squalium)系色素、薁鎓系色素、聚次甲基系色素、萘醌系色素、吡喃鎓系色素、酞青素系色素、萘酞青素系色素、萘并內醯胺系色素、偶氮系色素、縮合偶氮系色素、靛藍系色素、紫環酮系色素、苝系色素、二噁嗪系色素、喹吖酮系色素、異吲哚啉酮系色素、喹啉黃系色素、吡咯系色素、硫靛藍系色素、金屬錯合物系色素(金屬錯鹽染料)、二硫醇金屬錯合物系色素、吲哚酚系色素、三烯丙基甲烷系色素、蒽醌系色素、萘酚系色素、甲亞胺系色素、苯并咪唑酮系色素、皮蒽酮(pyranthrone)系色素及士林(threne)系色等。 作為前述無機系顏料，例如可列舉碳黑、鈷系色素、鐵系色素、鉻系色素、鈦系色素、釩系色素、鋯系色素、鉬系色素、釕系色素、鉑系色素、ITO(氧化銦錫)系色素、ATO(氧化銻錫)系色素等。
第二硬化性樹脂薄膜(x2)及第二硬化性樹脂薄膜形成用組成物所含有之著色劑(J)可僅為1種，亦可為2種以上。著色劑(J)為2種以上的情況下，該等之組合及比率可任意選擇。 使用著色劑(J)的情況下，第二硬化性樹脂薄膜(x2)之著色劑(J)的含量可因應目的而適宜調節。例如，如上述般，由硬化第二硬化性樹脂薄膜(x2)所形成之硬化物的第二硬化樹脂膜(r2)存在有使用雷射照射施加印字的情況，藉由調節第二硬化性樹脂(x2)之著色劑(J)的含量，且調節保護膜之光透過性，可調節印字的可見性。又，藉由調節著色劑(J)的含量，亦可提升保護膜之設計性，使難以看見半導體晶圓之背面的研削痕。若考慮此些點，用於形成第二硬化性樹脂薄膜(x2)之第二硬化性樹脂薄膜形成用組成物中，相對於溶媒以外之全部成分的總含量(亦稱為第二硬化性樹脂薄膜形成用組成物之固體成分的總質量)之著色劑(J)的含量的比例(亦即，第二硬化性樹脂薄膜(x2)之著色劑(J)的含量)較佳為0.1~10質量%，更佳為0.1~7.5質量%，特佳為0.1~5質量%。藉由著色劑(J)的前述含量為前述下限值以上，可更顯著地得到使用著色劑(J)之效果。又，藉由著色劑(J)的前述含量為前述上限值以下，可抑制第二硬化性樹脂薄膜(x2)之光透過性的過度降低。
另外，上述第一硬化性樹脂薄膜(x1)及第一硬化性樹脂薄膜形成用組成物中，亦可含有著色劑(J)。但是，就確保半導體晶片製作用晶圓之分割預定線的可見性的觀點而言，著色劑(J)的含量較佳為能夠確保該分割預定線的可見性之等級的透明性經確保之範圍內的量。
又，第二複合薄片(α2)所具有之第二支持薄片(Y2)可為與上述第一支持薄片(Y1)相同之構成。具體來說，第二支持薄片(Y2)係與第一支持薄片(Y1)相同，可為如圖4所示之僅由基材51所成者，亦可為如圖5所示之層合基材51與黏著劑層61而成之黏著薄片，也可為如圖6所示之層合基材51與中間層71與黏著劑層61而成之黏著薄片。 第二支持薄片(Y2)所具有之基材、中間層及黏著劑層可為與第一支持薄片(Y1)所具有之基材、中間層及黏著劑層相同之構成及材質。
[第一硬化性樹脂薄膜(x1)之使用方法] 第一硬化性樹脂薄膜(x1)係可用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上形成作為保護膜的硬化樹脂膜(第一硬化樹脂膜(r1))。 更詳言之，第一硬化性樹脂薄膜(x1)係可用於藉由使用具有具備凸塊之凸塊形成面及作為分割預定線的溝部的半導體晶片製作用晶圓之後述的半導體晶片之製造方法，而在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上形成作為保護膜的硬化樹脂膜(第一硬化樹脂膜(r1))。
[第二硬化性樹脂薄膜(x2)之使用方法] 第二硬化性樹脂薄膜(x2)係可用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的背面形成作為保護膜的硬化樹脂膜(第二硬化樹脂膜(r2))。 更詳言之，第一硬化性樹脂薄膜(x1)係可用於在使用具有具備凸塊之凸塊形成面及作為分割預定線的溝部的半導體晶片製作用晶圓之後述的半導體晶片之製造方法之步驟(T)中，於具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的背面形成作為保護膜的硬化樹脂膜(第二硬化樹脂膜(r2))。
[第一複合薄片(α1)之使用方法] 第一複合薄片(α1)係可用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上形成作為保護膜的硬化樹脂膜(第一硬化樹脂膜(r1))。 更詳言之，第一複合薄片(α1)係可用於藉由使用具有具備凸塊之凸塊形成面及作為分割預定線的溝部的半導體晶片製作用晶圓之後述的半導體晶片之製造方法，而在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上形成作為保護膜的硬化樹脂膜(第一硬化樹脂膜(r1))。
[第二複合薄片(α2)之使用方法] 第二複合薄片(α2)係可用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的背面形成作為保護膜的硬化樹脂膜(第二硬化樹脂膜(r2))。 更詳言之，第二複合薄片(α2)係可用於在使用具有具備凸塊之凸塊形成面及作為分割預定線的溝部的半導體晶片製作用晶圓之後述的半導體晶片之製造方法之步驟(T)中，於具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的背面形成作為保護膜的硬化樹脂膜(第二硬化樹脂膜(r2))。
[本發明的半導體晶片之製造方法] 將本發明的半導體晶片之製造方法的步驟概略圖表示於圖7。 本發明的半導體晶片之製造方法，大致上包含：準備半導體晶片製作用晶圓的步驟(S1)、貼附第一複合薄片(α1)的步驟(S2)、硬化第一硬化性樹脂(x1)的步驟(S3)及進行單片化的步驟(S4)，且進一步包含研削半導體晶片製作用晶圓之背面的步驟(S-BG)。 在本發明之一態樣的半導體晶片之製造方法中，可使用上述第一硬化性樹脂薄膜(x1)，但就提升處理性等的觀點而言，較佳為使用上述第一複合薄片(α1)。
詳言之，本發明之一態樣的半導體晶片之製造方法係使用上述第一複合薄片(α1)，並依序包含下述步驟(S1)~(S4)。 ･步驟(S1)：準備半導體晶片製作用晶圓的步驟，該半導體晶片製作用晶圓係於具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶圓的前述凸塊形成面上，以未到達背面的方式形成有作為分割預定線的溝部 ･步驟(S2)：將第一硬化性樹脂(x1)按壓並貼附至前述半導體晶片製作用晶圓的前述凸塊形成面，並且，以第一硬化性樹脂(x1)被覆前述半導體晶片製作用晶圓的前述凸塊形成面的同時，埋入前述第一硬化性樹脂(x1)至形成於前述半導體晶片製作用晶圓上的前述溝部的步驟 ･步驟(S3)：使前述第一硬化性樹脂(x1)硬化，得到附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的步驟 ･步驟(S4)：沿著前述分割預定線，將前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓進行單片化，得到至少前述凸塊形成面及側面被前述第一硬化樹脂膜(r1)被覆之半導體晶片的步驟 進而，在前述步驟(S2)之後且在前述步驟(S3)之前、在前述步驟(S3)之後且在前述步驟(S4)之前、或在前述步驟(S4)中，包含下述步驟(S-BG)。 ･步驟(S-BG)：將前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面進行研削的步驟
藉由包含上述步驟之製造方法，可得到不僅凸塊形成面，側面亦被第一硬化樹脂膜(r1)被覆之強度優異並且作為保護膜之第一硬化樹脂膜(r1)的剝離亦難以發生之半導體晶片。 另外，此處所謂「被覆」意指在1個半導體晶片的至少凸塊形成面與側面上，沿著半導體晶片的形狀形成第一硬化樹脂膜(r1)。亦即，本發明係明確地不同於將複數之半導體晶片封入樹脂中之密封技術。
以下，針對本發明的半導體晶片之製造方法，詳細說明每個步驟。 另外，在之後的說明中，「半導體晶片」亦可僅稱為「晶片」，「半導體晶圓」亦可僅稱為「晶圓」。
[步驟(S1)] 關於在步驟(S1)準備之半導體晶圓的一例，將俯視圖表示於圖8，並且將概略剖面圖表示於圖9。 於步驟(S1)中，準備於具有具備凸塊12之凸塊形成面11a的半導體晶圓11的凸塊形成面11a上，以未到達背面11b的方式形成作為分割預定線的溝部13的半導體晶片製作用晶圓10。 另外，圖8中，凸塊係於圖示省略。
凸塊12的形狀並未特別限定，只要能與晶片搭載用之基板上的電極等接觸並固定，則可為任何形狀。 例如，於圖9中，將凸塊12設為球狀，但凸塊12亦可為回轉橢圓體(spheroid)。該回轉橢圓體，例如可為相對於晶圓11的凸塊形成面11a而言朝垂直方向延長的回轉橢圓體，也可為相對於晶圓11的凸塊形成面11a而言朝水平方向延長的回轉橢圓體。又，凸塊12亦可為柱體(柱)形狀。
凸塊12的高度並未特別限定，可因應設計上之要求而適宜變更。 舉例為30μm~300μm，較佳為60μm~250μm，更佳為80μm~200μm。 另外，所謂「凸塊12的高度」意指當著眼於1個凸塊時，於距凸塊形成面11a最高位置所存在之部位的高度。
關於凸塊12的個數，並未特別限定，可因應設計上之要求而適宜變更。
晶圓11，例如為於表面形成有配線、電容器、二極體及電晶體等電路的半導體晶圓。該晶圓的材質並未特別限定，例如可列舉矽晶圓、碳化矽晶圓、化合物半導體晶圓、玻璃晶圓及藍寶石晶圓等。
晶圓11的尺寸並未特別限定，但就提高批次處理效率的觀點而言，通常為8吋(直徑200mm)以上，較佳為12吋(直徑300mm)以上。另外，晶圓的形狀並未限定為圓形，亦可為例如正方形或長方形等方型。方型之晶圓的情況下，就提高批次處理效率的觀點而言，晶圓11的尺寸較佳為最長邊的長度為上述尺寸(直徑)以上。
晶圓11的厚度並未特別限定，但就易於抑制硬化第一硬化性樹脂(x1)時之收縮所引起的翹曲的觀點、抑制後續步驟中晶圓11的背面11b的研削量而縮短背面研削所需要之時間的觀點而言，較佳為100μm~1,000μm，更佳為200μm~900μm，再更佳為300μm~800μm。
在步驟(S1)準備之半導體晶片製作用晶圓10的凸塊形成面11a中，將複數的溝部13形成為格子狀，作為將半導體晶片製作用晶圓10單片化時的分割預定線。複數的溝部13為應用刀片先切割法(Dicing Before Grinding)時所形成之切口溝，以相較於晶圓11的厚度淺的深度來形成，使溝部13的最深部未到達晶圓11的背面11b。複數的溝部13可藉由使用以往公知之具備切割刀片的晶圓切割裝置等的切割來形成。另外，複數的溝部13亦可並非使用刀片，而是藉由使用雷射等的切割來形成。 另外，複數的溝部13係只要以所製造之半導體晶片成為期望的尺寸及形狀的方式來形成即可，並不一定要將溝部13形成為如圖8所示的格子狀。又，半導體晶片的尺寸通常為0.5mm×0.5mm~1.0mm×1.0mm左右，但並不限定於該尺寸。
溝部13的寬度，就使第一硬化性樹脂(x1)的埋入性良好的觀點而言，較佳為10μm~2,000μm，更佳為30μm~1,000μm，再更佳為40μm~500μm，又再更佳為50μm ~300μm。
溝部13的深度可因應使用之晶圓的厚度與所要求之晶片厚度來調整，較佳為30μm~700μm，更佳為60μm~600μm，再更佳為100μm~500μm。
溝13的縱橫比可為2~6，亦可為2.5~5，也可為3~5。
將在步驟(S1)準備之半導體晶片製作用晶圓10供給至步驟(S2)。
[步驟(S2)] 將步驟(S2)的概略示於圖10。 於步驟(S2)中，將第一硬化性樹脂(x1)按壓並貼附至半導體晶片製作用晶圓10的凸塊形成面11a。 此處，就第一硬化性樹脂(x1)的處理性的觀點來看，第一硬化性樹脂(x1)較佳為層合於支持薄片來使用。 因此，於步驟(S2)中，較佳為將具有層合第一支持薄片(Y1)與第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)而成之層合構造的第一複合薄片(α1)，以前述層(X1)作為貼附面按壓並貼附至半導體晶片製作用晶圓10的凸塊形成面11a。 藉由步驟(S2)，如圖4所示般，以第一硬化性樹脂(x1)被覆半導體晶片製作用晶圓10的凸塊形成面11a的同時，第一硬化性樹脂(x1)被埋入至形成於半導體晶片製作用晶圓10的溝部13。
藉由埋入第一硬化性樹脂(x1)至形成於半導體晶片製作用晶圓10的溝部13，於步驟(S4)中將半導體晶片製作用晶圓10進行單片化時，能以第一硬化性樹脂(x1)被覆作為半導體晶片之側面的部分。亦即，藉由步驟(S2)可形成：為了使半導體晶片的強度變得優異，並且抑制作為保護膜之第一硬化樹脂膜(r1)的剝離為必要之作為被覆半導體晶片側面之第一硬化樹脂膜(r1)的前驅物的被覆物。
另外，就使第一硬化性樹脂(x1)對溝部13的埋入性良好的觀點而言，將第一複合薄片(α1)貼附至半導體晶片製作用晶圓10時的按壓力較佳為1kPa~200kPa，更佳為5kPa~150kPa，再更佳為10kPa~100kPa。 另外，將第一複合薄片(α1)貼附至半導體晶片製作用晶圓10時的按壓力係從貼附初期到終期可適宜變動。例如，就使對溝部13之第一硬化性樹脂(x1)的埋入性更良好的觀點而言，較佳為在貼附初期降低按壓力，並逐漸地提高按壓力。
又，將第一複合薄片(α1)貼附至半導體晶片製作用晶圓10時，在第一硬化性樹脂(x1)為熱硬化性樹脂的情況下，就使第一硬化性樹脂(x1)對溝部13的埋入性更良好的觀點而言，較佳為進行加熱。第一硬化性樹脂(x1)為熱硬化性樹脂時，第一硬化性樹脂(x1)藉由加熱而流動性暫時的提高，並且藉由繼續加熱而硬化。因此，藉由在第一硬化性樹脂(x1)的流動性提升之範圍內進行加熱，第一硬化性樹脂(x1)易於遍布溝部13全體，可更提升第一硬化性樹脂(x1)對溝部13的埋入性。 作為具體的加熱溫度(貼附溫度)，較佳為50℃~150℃，更佳為60℃~130℃，再更佳為70℃~110℃。 另外，對第一硬化性樹脂(x1)進行的該加熱處理不包含在第一硬化性樹脂(x1)的硬化處理中。
又，將第一複合薄片(α1)貼附至半導體晶片製作用晶圓10時，較佳為在減壓環境下進行。藉此，溝部13成為負壓，第一硬化性樹脂(x1)變得易於遍布溝部13全體。其結果，第一硬化性樹脂(x1)對溝部13的埋入性變得更良好。作為減壓環境之具體的壓力，較佳為0.001kPa~50kPa，更佳為0.01kPa~5kPa，再更佳為0.05kPa~1kPa。
又，就使第一硬化性樹脂(x1)對溝部13的埋入性更良好的觀點而言，第一複合薄片(α1)中之第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)的厚度較佳為超過30μm且200μm以下，更佳為60μm~150μm，再更佳為80μm~130μm。
又，由於第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)係由第一硬化性樹脂(x1)所構成，故滿足上述要件(I)。因此，由於X值為19以上且未滿10,000，故將第一複合薄片(α1)貼附至半導體晶片製作用晶圓10的凸塊形成面11a時，抑制在凸塊12上部之第一硬化性樹脂(x1)之殘留的效果、抑制第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)之突出的效果、抑制在凸塊形成面11a上之第一硬化性樹脂(x1)及作為其硬化物之第一硬化樹脂膜(r1)之收縮(cissing)的效果優異，對溝部13之第一硬化性樹脂(x1)的埋入性亦良好。
此處，第一複合薄片(α1)所具有之第一支持薄片(Y1)較佳為兼具支持第一硬化性樹脂(x1)及作為背面研磨薄片之功能。 此時，在貼附有第一複合薄片(α1)之狀態下進行晶圓11的背面11b之研削時，第一支持薄片(Y1)發揮作為背面研磨薄片之功能，可容易實施背面研磨步驟。
[步驟(S3)、步驟(S4)及步驟(S-BG)] 藉由至上述步驟(S2)為止之步驟，形成將第一複合薄片(α1)貼附至半導體晶片製作用晶圓10而層合之層合體。該層合體較佳係因應步驟(S-BG)的實施時機，被供給至以下說明之第一實施形態~第四實施形態的任一者的步驟。 以下，針對第一實施形態~第四實施形態，邊摻雜關於實施步驟(S-BG)之時機的說明，邊說明步驟(S3)及步驟(S4)。
＜第一實施形態＞ 於第一實施形態，如圖7所示般，在步驟(S2)之後且在步驟(S3)之前進行步驟(S-BG)。 將關於第一實施形態之概略圖表示於圖11。
(第一實施形態：步驟(S-BG)) 於第一實施形態，首先，實施步驟(S-BG)。具體來說，如圖11的(1-a)所示般，在貼附有第一複合薄片(α1)之狀態下，研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b。圖11中的「BG」意指背面研磨，在之後的圖面中亦相同。接著，如圖11的(1-b)所示般，從第一複合薄片(α1)剝離第一支持薄片(Y1)。 研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b時的研削量，只要是至少半導體晶片製作用晶圓10的溝部13之底部露出的量即可，但也可更進一步進行研削，使埋入至溝部13的第一硬化性樹脂(x1)亦與半導體晶片製作用晶圓10一併研削。 於第一實施形態，由於在實施步驟(S3)之前剝離第一支持薄片(Y1)，故即使第一硬化性樹脂(x1)為熱硬化性樹脂，且於步驟(S3)中實施用於硬化的加熱處理的情況，第一支持薄片(Y1)亦不要求耐熱性。因此，第一支持薄片(Y1)的設計自由度提升。
(第一實施形態：步驟(S3)) 在實施步驟(S-BG)之後，實施步驟(S3)。具體來說，如圖11的(1-c)所示般，使第一硬化性樹脂(x1)硬化，得到附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10。 藉由硬化第一硬化性樹脂(x1)所形成之第一硬化樹脂膜(r1)係在常溫中，相較於第一硬化性樹脂(x1)更牢固。因此，藉由形成第一硬化樹脂膜(r1)，可良好地保護凸塊頸部。又，如圖11的(1-d)所示之步驟(S4)中，藉由將附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10單片化，可得到側面亦被第一硬化樹脂膜(r1)被覆之半導體晶片，能得到強度優異之半導體晶片。並且，亦抑制作為保護膜之第一硬化樹脂膜(r1)剝落。
(第一實施形態：硬化方法) 第一硬化性樹脂(x1)的硬化係可因應第一硬化性樹脂(x1)中所含之硬化性成分的種類，藉由熱硬化及能量線照射之硬化的任一者來進行。 作為進行熱硬化時的條件，硬化溫度較佳為100~200℃，更佳為110~170℃，特佳為120~150℃。並且，前述熱硬化時的加熱時間較佳為0.5~5小時，更佳為0.5~4小時，特佳為1~3小時。 作為進行能量線照射之硬化時的條件，可依據使用之能量線的種類而適宜設定，例如，使用紫外線的情況下，照度較佳為180~280mW/cm2 ，光量較佳為450~1000mJ/cm2 。 此處，使第一硬化性樹脂(x1)硬化而形成第一硬化樹脂膜(r1)的過程中，就去除在步驟(S2)中以第一硬化性樹脂(x1)埋入溝部13時會進入之氣泡等的觀點而言，第一硬化性樹脂(x1)較佳為熱硬化性樹脂。亦即，第一硬化性樹脂(x1)為熱硬化性樹脂的情況下，第一硬化性樹脂(x1)藉由加熱而流動性暫時的提高，並且藉由繼續加熱而硬化。藉由利用此現象，當第一硬化性樹脂(x1)的流動性變高時，能夠去除以第一硬化性樹脂(x1)埋入溝部13時會進入之氣泡等，可使第一硬化性樹脂(x1)對溝部13的埋入性成為更良好的狀態下，硬化第一硬化性樹脂(x1)。 又，就縮短硬化時間的觀點來看，第一硬化性樹脂(x1)較佳為能量線硬化性樹脂。 另外，在之後說明關於用於形成第一硬化樹脂膜(r1)之第一硬化性樹脂(x1)的細節。
(第一實施形態：步驟(S4)) 在實施步驟(S3)之後，實施步驟(S4)。具體來說，如圖11的(1-d)所示般，將附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10的第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於溝部的部分，沿著分割預定線切斷。 切斷係可採用刀片切割或雷射切割等以往公知的方法來適宜實施。 藉此，可得到至少凸塊形成面11a及側面被第一硬化樹脂膜(r1)被覆之半導體晶片40。 半導體晶片40係因凸塊形成面11a及側面被第一硬化樹脂膜(r1)被覆，故具有優異的強度。又，凸塊形成面11a及側面被第一硬化樹脂膜(r1)無縫隙地連續被覆，因此凸塊形成面11a與第一硬化樹脂膜(r1)的接合面(界面)在半導體晶片40的側面中並未露出。凸塊形成面11a與第一硬化樹脂膜(r1)的接合面(界面)中，在半導體晶片40的側面中露出之露出部，易成為膜剝離的起點。本發明之半導體晶片40並不存在此露出部，因此將半導體晶片製作用晶圓10切斷而製造半導體晶片40的過程、或在製造後，不易產生自該露出部的膜剝離。因此，可得到作為保護膜之第一硬化樹脂膜(r1)的剝離經抑制之半導體晶片40。
另外，於步驟(S4)中，將附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10的第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於溝部的部分，沿著分割預定線切斷時，第一硬化樹脂膜(r1)較佳為透明。藉由第一硬化樹脂膜(r1)為透明，可以透過而看到半導體晶圓11，故能夠確保分割預定線的可見性。因此，易於沿著分割預定線予以切斷。
＜第二實施形態＞ 於第二實施形態，如圖4所示般，在步驟(S3)之後且在步驟(S4)之前進行步驟(S-BG)。 將關於第二實施形態之概略圖表示於圖6。
(第二實施形態：步驟(S3)) 於第二實施形態，首先，實施步驟(S3)。具體來說，如圖12的(2-a)所示般，在貼附有第一複合薄片(α1)之狀態下 使第一硬化性樹脂(x1)硬化，得到附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10。 藉由硬化第一硬化性樹脂(x1)所形成之第一硬化樹脂膜(r1)係在常溫中，相較於第一硬化性樹脂(x1)更牢固。因此，藉由形成第一硬化樹脂膜(r1)，可良好地保護凸塊頸部。又，於步驟(S4)中，藉由將附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10單片化，可得到側面亦被第一硬化樹脂膜(r1)被覆之半導體晶片，能得到強度優異之半導體晶片。並且，亦抑制作為保護膜之第一硬化樹脂膜(r1)剝落。 硬化方法可列舉與在第一實施形態中說明之硬化方法相同的方法。 藉由未剝離第一支持薄片(Y1)進行熱硬化處理，在熱硬化時由第一支持薄片(Y1)，可抑制硬化第一硬化性樹脂(x1)時暫時產生的第一硬化性樹脂(x1)表面的流動，可提升凸塊形成面中之第一硬化樹脂膜(r1)的平坦性。又，在研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b前，藉由硬化第一硬化性樹脂(x1)，可抑制半導體晶片製作用晶圓10的翹曲。
(第二實施形態：步驟(S-BG)) 在實施步驟(S3)之後，實施步驟(S-BG)。如圖12的(2-b)所示般，在貼附有第一複合薄片(α1)之狀態下，研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b。 另外，研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b時的研削量，只要是至少半導體晶片製作用晶圓10的溝部13之底部露出的量即可，但也可更進一步進行研削，使埋入至溝部13的第一硬化樹脂膜(r1)亦與半導體晶片製作用晶圓10一併研削。 接著，如圖12的(2-c)所示般，從第一複合薄片(α1)剝離第一支持薄片(Y1)。
(第二實施形態：步驟(S4)) 在實施步驟(S-BG)之後，與第一實施形態相同，實施步驟(S4)。具體來說，如圖12的(2-d)所示般，將附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10的第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於溝部的部分，沿著分割預定線切斷。 切斷係可採用刀片切割或雷射切割等以往公知的方法來適宜實施。 藉此，可得到至少凸塊形成面11a及側面被第一硬化樹脂膜(r1)被覆之半導體晶片40。 半導體晶片40係因凸塊形成面11a及側面被第一硬化樹脂膜(r1)被覆，故具有優異的強度。又，依據已說明之理由，可得到作為保護膜之第一硬化樹脂膜(r1)的剝離經抑制之半導體晶片40。
＜第三實施形態＞ 於第三實施形態，如圖4所示般，在步驟(S3)之後且在步驟(S4)之前進行步驟(S-BG)的方面，係與第二實施形態共通。但是，在另外使用背面研磨薄片(b-BG)的方面，與第二實施形態不同。 將關於第三實施形態之概略圖表示於圖13。
(第三實施形態：步驟(S3)) 於第三實施形態，首先，進行步驟(S3)，但在其之前，如圖13的(3-a)所示般，從第一複合薄片(α1)剝離第一支持薄片(Y1)。之後，實施步驟(S3)。具體來說，如圖13的(3-b)所示般， 使第一硬化性樹脂(x1)硬化，得到附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10。 硬化方法可列舉與在第一實施形態中說明之硬化方法相同的方法。 由於在實施步驟(S3)之前剝離第一支持薄片(Y1)，故即使第一硬化性樹脂(x1)為熱硬化性樹脂，且於步驟(S3)中實施用於硬化的加熱處理的情況，第一支持薄片(Y1)亦不要求耐熱性。因此，第一支持薄片(Y1)的設計自由度提升。 又，在研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b前，藉由硬化第一硬化性樹脂(x1)，可抑制半導體晶片製作用晶圓10的翹曲。
(第三實施形態：步驟(S-BG)) 在實施步驟(S3)之後，實施步驟(S-BG)。具體來說，如圖13的(3-c)所示般，將背面研磨薄片(b-BG)貼附至附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10的第一硬化樹脂膜(r1)之表面。接著，如圖13的(3-d)所示般，在貼附有背面研磨薄片(b-BG)之狀態下，研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b之後，如圖13的(3-e)所示般，從附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10剝離背面研磨薄片(b-BG)。 由於在步驟(S3)中未使用背面研磨薄片(b-BG)，故即使第一硬化性樹脂(x1)為熱硬化性樹脂，且於步驟(S3)中實施用於硬化的加熱處理的情況，背面研磨薄片(b-BG)亦不要求耐熱性。因此，背面研磨薄片(b-BG)的設計自由度提升。 另外，研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b時的研削量，只要是至少半導體晶片製作用晶圓10的溝部13之底部露出的量即可，但也可更進一步進行研削，使埋入至溝部13的第一硬化樹脂膜(r1)亦與半導體晶片製作用晶圓10一併研削。
(第三實施形態：步驟(S4)) 在實施步驟(S-BG)之後，與第一實施形態及第二實施形態相同，實施步驟(S4)。具體來說，如圖13的(3-f)所示般，將附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10的第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於溝部的部分，沿著分割預定線切斷。 切斷係可採用刀片切割或雷射切割等以往公知的方法來適宜實施。 藉此，可得到至少凸塊形成面11a及側面被第一硬化樹脂膜(r1)被覆之半導體晶片40。 半導體晶片40係因凸塊形成面11a及側面被第一硬化樹脂膜(r1)被覆，故具有優異的強度。又，依據已說明之理由，可得到作為保護膜之第一硬化樹脂膜(r1)的剝離經抑制之半導體晶片40。
＜第四實施形態＞ 於第四實施形態，如圖4所示般，步驟(S-BG)係於步驟(S4)中進行。 將關於第四實施形態之概略圖表示於圖14。
(第四實施形態：步驟(S3)) 於第四實施形態，首先，進行步驟(S3)，但在其之前，如圖14的(4-a)所示般，從第一複合薄片(α1)剝離第一支持薄片(Y1)。之後，實施步驟(S3)。具體來說，如圖14的(4-b)所示般，使第一硬化性樹脂(x1)硬化，得到附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10。 硬化方法可列舉與在第一實施形態中說明之硬化方法相同的方法。 由於在實施步驟(S3)之前剝離第一支持薄片(Y1)，故即使第一硬化性樹脂(x1)為熱硬化性樹脂，且於步驟(S3)中實施用於硬化的加熱處理的情況，第一支持薄片(Y1)亦不要求耐熱性。因此，第一支持薄片(Y1)的設計自由度提升。 又，在研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b前，藉由硬化第一硬化性樹脂(x1)，可抑制半導體晶片製作用晶圓10的翹曲。
(第四實施形態：包含步驟(S-BG)的步驟(S4)) 在實施步驟(S3)之後，如圖14的(4-c)所示般，於附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10的第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於溝部13的部分，沿著分割預定線切入切口。就易於進行單片化的觀點而言，切口的深度較佳設為到達溝部13之最深部的深度。藉此，後述之步驟(S-BG)中，沿著該切口而附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10被單片化。 或者，雖於圖示省略，亦可於附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10的第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於溝部13的部分，沿著分割預定線形成改質區域。改質區域係可藉由雷射或電漿處理等而形成。藉此，後述之步驟(S-BG)中，以該改質區域為起點產生龜裂，沿著該改質區域而附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10被單片化。 接著，實施步驟(S-BG)。具體來說，如圖14的(4-d)所示般，將背面研磨薄片(b-BG)貼附至附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10的第一硬化樹脂膜(r1)之表面。接著，如圖14的(4-e)所示般，在貼附有背面研磨薄片(b-BG)之狀態下，研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b。最後，如圖14的(4-f)所示般，從附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓10剝離背面研磨薄片(b-BG)。 藉此，可得到至少凸塊形成面11a及側面被第一硬化樹脂膜(r1)被覆之半導體晶片40。 另外，研削半導體晶片製作用晶圓10的背面11b時的研削量，只要是至少半導體晶片製作用晶圓10的溝部13之底部露出的量即可，但也可更進一步進行研削，使埋入至溝部13的第一硬化樹脂膜(r1)亦與半導體晶片製作用晶圓10一併研削。 半導體晶片40係因凸塊形成面11a及側面被第一硬化樹脂膜(r1)被覆，故具有優異的強度。 另外，由於在步驟(S3)中未使用背面研磨薄片(b-BG)，故即使第一硬化性樹脂(x1)為熱硬化性樹脂，且於步驟(S3)中實施用於硬化的加熱處理的情況，背面研磨薄片(b-BG)亦不要求耐熱性。因此，背面研磨薄片(b-BG)的設計自由度提升。
此處，於第一實施形態至第四實施形態，在步驟(S-BG)中，舉出使用第一支持薄片(Y1)或背面研磨薄片(b-BG)的態樣來進行說明，但於本發明之一態樣中，可替代第一支持薄片(Y1)或背面研磨薄片(b-BG)，形成背面研磨用之樹脂層(Z1)。 具體來說，可藉由使用具有流動性的樹脂(z1)，在被覆第一硬化樹脂膜(r1)之表面並且一併被覆自第一硬化樹脂膜(r1)露出之凸塊後，使樹脂(z1)硬化，形成背面研磨用的樹脂層(Z1)，而作為背面研磨薄片之替代來進行研削步驟。 另外，以樹脂(z1)被覆第一硬化樹脂膜(r1)之表面與自第一硬化樹脂膜(r1)露出之凸塊時，藉由介隔具有能追隨凸塊凹凸之柔軟性的樹脂薄膜(z2)而進行被覆，在步驟(S-BG)後可容易剝離不需要之背面研磨用之樹脂層(Z1)。
[步驟(T)] 於本發明的半導體晶片之製造方法之一態樣，較佳為進而包含下述步驟(T)。 ･步驟(T)：於前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面，形成第二硬化樹脂膜(r2)的步驟
藉由上述實施形態之製造方法，可得到至少凸塊形成面11a及側面被第一硬化樹脂膜(r1)被覆之半導體晶片40。但是，半導體晶片40的背面露出。因此，就保護半導體晶片40的背面使半導體晶片40的強度更提升的觀點而言，較佳為實施上述步驟(T)。
更詳言之，上述步驟(T)較佳依序包含下述步驟(T1)~下述步驟(T2)。 ･步驟(T1)：將第二硬化性樹脂(x2)貼附至半導體晶片製作用晶圓之背面的步驟 ･步驟(T2)：使第二硬化性樹脂(x2)硬化，形成第二硬化性樹脂膜(r2)的步驟 又，於步驟(T1)中，較佳為使用具有層合第二支持薄片(Y2)與第二硬化性樹脂(x2)之層(X2)而成之層合構造的第二層合體(α2)。詳言之，步驟(T1)較佳為將具有層合第二支持薄片(Y2)與第二硬化性樹脂(x2)之層(X2)而成之層合構造的第二層合體(α2)，以前述層(X2)作為貼附面貼附至半導體晶片製作用晶圓之背面的步驟。 此時，從第二層合體(α2)剝離第二支持薄片(Y2)的時機，可為步驟(T1)與步驟(T2)之間，亦可為步驟(T2)之後。
此處，於步驟(T1)中使用第二層合體(α2)的情況下，第二複合薄片(α2)所具有之第二支持薄片(Y2)較佳為兼具支持第二硬化性樹脂(x2)及作為切割薄片之功能。 在第一實施形態至第三實施形態之製造方法的情況下，於步驟(S4)中藉由將第二複合薄片(α2)貼附至附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶圓10的背面11b，在進行利用切割之單片化時，第二支持薄片(Y2)發揮作為切割薄片之功能，可容易實施切割。
此處，如第一實施形態之製造方法般，在步驟(S-BG)後實施步驟(S3)的情況下，於實施步驟(S3)之前實施上述步驟(T1)，接著，可使步驟(S3)與步驟(T2)同時進行。亦即，可將第一硬化性樹脂(x1)與第二硬化性樹脂(x2)一起同時硬化。藉此，能夠減低硬化處理的次數。
具體來說，於第一實施形態至第三實施形態之製造方法中，步驟(T)依序包含下述步驟(T1-1)及下述步驟(T1-2)， ･步驟(T1-1)：在步驟(S-BG)之後且在步驟(S4)之前，將第二硬化性樹脂(x2)貼附至半導體晶片製作用晶圓之背面的步驟 ･步驟(T1-2)：在步驟(S4)之前或後，使第二硬化性樹脂(x2)硬化，形成第二硬化樹脂膜(r2)的步驟 於步驟(S4)中，較佳為將附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓之第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於溝部的部分，沿著分割預定線切斷時，亦將第二硬化性樹脂(x2)或第二硬化樹脂膜(r2)一起切斷。 又，於第四實施形態之製造方法中，步驟(T)依序包含下述步驟(T2-1)及下述步驟(T2-2)， ･步驟(T2-1)：在步驟(S-BG)之後且在步驟(S4)之後，在貼附有背面研磨薄片(b-BG)之狀態，直接將第二硬化性樹脂(x2)貼附至半導體晶片製作用晶圓之背面的步驟 ･步驟(T2-2)：將第二硬化性樹脂(x2)進行硬化，形成第二硬化樹脂膜(r2)的步驟 進而，步驟(T)較佳係在步驟(T2-2)之前或後，包含下述步驟(T2-3)。 ･步驟(T2-3)：沿著切口將第二硬化性樹脂層(x2)或第二硬化樹脂膜(r2)分割的步驟
[其他步驟] 於本發明的半導體晶片之製造方法之一態樣，在不脫離本發明之主旨的範圍，可含有其他步驟。 作為此般處理，例如可列舉，對於保護膜(第一硬化樹脂膜(r1)形成後之凸塊形成面的溼蝕刻處理或乾蝕刻處理等。 [實施例]
針對本發明，藉由以下實施例進行具體說明，但本發明並不限定於以下實施例。
1.第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)之製造原料 將製造第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)所使用的原料示於以下。
(1)聚合物成分(A) (A)-1：具有下述式(i)-1、(i)-2及(i)-3所示之構成單元的聚乙烯醇縮丁醛(積水化學工業公司製「S-LEC BL-10」，重量平均分子量25000，玻璃轉移溫度59℃)。 (A)-2：將丙烯酸丁酯(55質量份)、丙烯酸甲酯(10質量份)、甲基丙烯酸縮水甘油酯(20質量份)及丙烯酸-2-羥基乙酯(15質量份)共聚合而得之丙烯酸樹脂(重量平均分子量800,000，玻璃轉移溫度-28℃)。
Figure 02_image007
(式中，l1 為約28，m1 為1~3，n1 為68~74之整數。)
(2)環氧樹脂(B1) (B1)-1：液狀改質雙酚A型環氧樹脂(DIC股份有限公司製「EPICLON EXA-4850-150」，分子量900，環氧當量450g/eq) (B1)-2：液狀雙酚F型環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製「YL983U」，環氧當量165~175g/eq) (B1)-3：多官能芳香族型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製「EPPN-502H」)，環氧當量158~178g/eq) (B1)-4：二環戊二烯型環氧樹脂(DIC股份有限公司製「EPICLON HP-7200HH」，環氧當量254~264g/eq)
(3)熱硬化劑(B2) (B2)-1：酚醛清漆型酚樹脂(昭和電工股份有限公司製「BRG-556」) (B2)-2：O-甲酚型酚醛清漆樹脂(DIC股份有限公司製「Phenolite KA-1160」)
(4)硬化促進劑(C) (C)-1：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業公司製「Curezol 2PHZ-PW」)
(5)填充劑(D) (D)-1：經環氧基修飾之球狀二氧化矽(Admatechs公司製「Admanano YA050C-MKK」，平均粒徑50nm)
(6)添加劑(I) (I)-1：界面活性劑(丙烯酸聚合物，BYK公司製「BYK-361N」) (I)-2：矽油(芳烷基改質矽油，Momentive Performance Materials Japan Inc.製「XF42-334」) (I)-3：流變控制劑(聚羥基羧酸酯，BYK公司製「BYK-R606」)
2.實施例1~2，比較例1~3 2-1.實施例1 (1)第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)之製造 藉由將聚合物成分(A)-1(100質量份)、環氧樹脂(B1)-1(350質量份)、環氧樹脂(B1)-4(270質量份)、(B2)-1(190質量份)、硬化促進劑(C)-1(2質量份)、填充劑(D)-1(90質量份)及添加劑(I)-3(9質量份)，溶解或分散至甲基乙基酮，在23℃下進行攪拌，得到溶媒以外之全部成分的合計濃度為45質量%之熱硬化樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)。另外，此處所示之溶媒以外之成分的摻合量均為不包含溶媒之目標物的摻合量。
(2)第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之製造 使用聚對苯二甲酸乙二酯製薄膜的單面經聚矽氧處理進行剝離處理而成之剝離薄膜(Lintec公司製「SP-PET381031」，厚度38μm)，在其前述剝離處理面上塗佈上述所得之組成物(x1-1-1)，以120℃進行2分鐘加熱乾燥，藉此形成厚度45μm之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)。
2-2.實施例2，比較例1~3 第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)之含有成分的種類及含量係成為如後述之表1所示般，將第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)之製造時之摻合成分的種類及摻合量的任一者或兩者進行變更，除了此點以外，以與實施例1之情況相同的方法，形成厚度45μm的第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)。 另外，表1中之含有成分的欄之「-」的記載意指第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)不含有該成分。
3.評估 3-1.第一複合薄片(α1)之製造 使用背面研磨膠帶(Lintec股份有限公司製「E-8510HR」)作為第一支持薄片(Y1)，將該背面研磨膠帶與上述所得之實施例1~2、比較例1~3之剝離薄膜上的第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)分別進行貼合。藉此，得到層合第一支持薄片(Y1)與第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)而成之第一複合薄片(α1)。
3-2.第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之Gc1及Gc300的測定、X值的計算 除了變更組成物(x1-1-1)的塗佈量之點以外，以與上述相同之方法，製作20片厚度50μm的第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)。接著，層合該等第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)，將所得之層合薄膜裁切成直徑25mm的圓板狀，而製作厚度1mm的第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之試驗片。 將黏彈性測定裝置(Anton Paar公司製「MCR301」)中之試驗片的設置部位預先以90℃進行保溫，於該設置部位上載置上述所得之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之試驗片，藉由將測定治具壓抵至該試驗片的上表面，而將試驗片固定於前述設置部位。 接著，在溫度90℃、測定頻率1Hz之條件下，使於試驗片產生之應變在0.01%~1000%之範圍階段地上升，並測定試驗片的儲存彈性模數Gc。接著，由Gc1及Gc300之測定值算出X值。將結果示於表1。
3-3.第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的突出量之測定 使用聚對苯二甲酸乙二酯製薄膜的單面經聚矽氧處理進行剝離處理而成之剝離薄膜(Lintec公司製「SP-PET381031」，厚度38μm)，在其前述剝離處理面上塗佈上述所得之組成物(x1-1-1)，以120℃進行2分鐘加熱乾燥，藉此形成厚度30μm之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)。 接著，藉由將該第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)與前述剝離薄膜一起加工成直徑170mm之圓形狀，而製作附剝離薄膜之試驗片。 將所得之試驗片的露出面(換言之，與具備剝離薄膜之側為相反側之面)全面與透明帶狀之背面研磨膠帶(Lintec公司製「E-8180」)的表面進行貼合，藉此得到如圖15所示之層合物。圖15為將對於所得之層合物，從其中之背面研磨膠帶側的上方往下看時之狀態示意地表示之平面圖。 如此處所示般，所得之層合物101為在厚度方向中依序層合背面研磨膠帶107、試驗片120(第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1))及剝離薄膜所構成。
接著，從所得之層合物去除前述剝離薄膜，將新產生之前述試驗片的露出面(換言之，前述試驗片之與具備前述背面研磨膠帶之側為相反側之面)壓接至直徑12吋之矽晶圓的一個表面，而將前述試驗片貼附至矽晶圓的表面。此時，試驗片的貼附係使用貼附裝置(輥式層壓機，Lintec公司製「RAD-3510 F/12」)，在載台溫度：90℃、貼附速度：2mm/sec、貼附壓力：0.5MPa、輥貼附高度：-200μm之條件下，邊加熱第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)邊進行。 接著，對於貼附在矽晶圓的附背面研磨膠帶之前述試驗片，測定其連結外周上之不同二點間之線段的長度的最大值，使用該測定值(前述線段的長度的最大值)，參照圖2並藉由已說明之方法，算出前述試驗片(換言之，第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1))的突出量(mm)。將結果示於表1。 另外，突出量為170mm的情況下，判斷為沒有自原始試驗片的形狀變化，未產生突出。另一方面，突出量超過170mm的情況下，判斷為具有自原始試驗片的形狀變化，產生突出。
3-4.在凸塊的上部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的殘留有無之確認 從「3-1.第一複合薄片(α1)之製造」所得之第一複合薄片(α1)去除剝離薄膜，將由此露出之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的表面(露出面)壓接至具有凸塊的直徑8吋之半導體晶圓的凸塊形成面，藉此，將去除掉剝離薄膜之第一複合薄片(α1)貼附至半導體晶圓的凸塊形成面。此時，作為半導體晶圓，係使用凸塊的高度為210μm、凸塊的寬度為250μm、凸塊間的距離為400μm者。又，第一複合薄片(α1)的貼附係使用貼附裝置(輥式層壓機，Lintec公司製「RAD-3510 F/12」)，在載台溫度：90℃、貼附速度：2mm/sec、貼附壓力：0.5MPa、輥貼附高度：-200μm之條件下，邊加熱第一複合薄片(α1)邊進行。 接著，使用多晶圓貼合機(Lintec公司製「RAD-2700 F/12」)，從第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)去除第一支持薄片(Y1)，使第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)露出。 接著，使用掃描型電子顯微鏡(SEM，keyence公司製「VE-9700」)，從相對於半導體晶圓的凸塊形成面為垂直之方向與為60°之角度的方向，觀察半導體晶圓之凸塊的表面，來確認在凸塊的上部之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的殘渣的有無。並且，於凸塊上部存在殘渣的情況下判定為「有殘渣」，於凸塊上部不存在殘渣的情況下判定為「無殘渣」。將結果示於表1。
3-5.在凸塊形成面之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之收縮(cissing)的有無之確認 關於凸塊形成面中之半導體晶片的表面中的第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的硬化物之收縮(cissing)的有無，係使用未形成凸塊的12吋之半導體晶圓來探討。 具體來說，使用未形成凸塊的12吋之矽晶圓，以與上述「3-4.在凸塊的上部之熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的殘留有無之確認」的情況相同之方法，貼附第一複合薄片(α1)，並從第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)去除掉第一支持薄片(Y1)。 接著，對貼附於半導體晶圓之第一熱硬化性樹脂薄膜，使用加壓烘箱(Lintec公司製「RAD-9100」)，在溫度：130℃、時間：2h、爐內壓力：0.5MPa之加熱條件下進行加熱處理，藉此使第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)熱硬化。 接著，使用光學顯微鏡(keyence公司製「VHX-1000」)，從前述硬化物側觀察第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的硬化物(第1硬化樹脂膜(r1))與半導體晶圓之層合物全體。接著，存在有可直接確認半導體晶圓之露出的區域的情況下判定為「有收縮(cissing)」，不存在可直接確認半導體晶圓之露出的區域的情況下判定為「無收縮(cissing)」。
3-5.對溝部之埋入性的評估 (1)半導體晶片製作用晶圓的準備 使用將分割預定線半切割之12吋的矽晶圓(晶圓厚度750μm)作為半導體晶片製作用晶圓。該矽晶圓之半切割部的寬度(溝部的寬度)為60μm，溝的深度為230μm。
(2)評估方法 從「3-1.第一複合薄片(α1)之製造」所得之第一複合薄片(α1)去除剝離薄膜，將由此露出之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的表面(露出面)，藉由以下條件邊按壓邊貼附至半導體晶片製作用晶圓之表面側(半切割形成面)。 ･貼附裝置：全自動貼合機(Lintec股份有限公司製，製品名「RAD-3510」) ･輥壓力：0.5MPa ･輥高度：-400μm ･貼附速度：5mm/sec ･貼附溫度：90℃ 接著，從第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)剝離第一支持薄片(Y1)之後，將貼附有第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)之半導體晶片製作用晶圓，在130℃下加熱4小時進行硬化而形成第一硬化樹脂膜(r1)。接著，將半導體晶片製作用晶圓從半切割形成面往背面予以切斷，並使用光學顯微鏡(keyence公司製「VHX-1000」)觀察半切割部的對溝部之第一硬化樹脂膜(r1)的埋入性。 埋入性的評估基準係如同以下。 S：第一硬化樹脂膜(r1)的形狀未見到變形，埋入性最良好。 A：在溝部入口附近，第一硬化樹脂膜(r1)的形狀雖看到稍微的變形，但埋入性良好。 B：埋入性不良。
4.結果 將第一熱硬化性樹脂薄膜形成用組成物(x1-1-1)之含有成分及評估結果示於表1。 又，將「3-5.對溝部之埋入性的評估」之結果(圖面替代照片)示於圖16。
Figure 02_image009
由表1所示之結果，可知如下。 可知在X值為19以上且未滿10,000的實施例1及2中，未見到突出，亦無凸塊上部之殘渣，貼附時也沒有見到收縮(cissing)，溝埋入性亦為良好。 相對於此，可知若如比較例1及3般，X值未滿19，則會產生：突出的發生、凸塊上部中之殘渣的發生、埋入性亦不良的任一者以上。 又，由圖16之圖面替代照片可知，若如比較例1般發生突出，則溝埋入性變得不良。又，在比較例3中，第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)未侵入至溝中。 進而，可知若如比較例2般，X值為10,000以上，則凸塊形成面中產生收縮(cissing)。
由以上結果可知，藉由將使用實施例1及2之第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)而形成之附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓，供於上述步驟(S4)及上述步驟(S-BG)進行單片化，可以得到凸塊形成面及側面被第一硬化樹脂膜(r1)良好地被覆之半導體晶片。
10:半導體晶片製作用晶圓 11:晶圓 11a:凸塊形成面 11b:背面 12:凸塊 13:溝部 40:半導體晶片 x1:第一硬化性樹脂 r1:第一硬化樹脂膜 X1:層 Y1:第一支持薄片 α1:第一複合薄片 x2:第二硬化性樹脂 r2:第二硬化樹脂膜 X2:層 Y2:第二支持薄片 α2:第二複合薄片 51:基材 61:黏著劑層 71:中間層
[圖1]為第一硬化性樹脂薄膜(x1)的剖面示意圖。 [圖2]為用於示意地說明樹脂薄膜的平面形狀為圓形時之樹脂薄膜的突出量的平面圖。 [圖3]為表示本發明之製造方法所使用之第一複合薄片(α1)之構成的概略剖面圖。 [圖4]為表示第一複合薄片(α1)之具體構成之一例的概略剖面圖。 [圖5]為表示第一複合薄片(α1)之具體構成之其他例的概略剖面圖。 [圖6]為表示第一複合薄片(α1)之具體構成之另一其他例的概略剖面圖。 [圖7]為本發明的半導體晶片之製造方法的步驟概略圖。 [圖8]為表示在步驟(S1)中所準備之半導體晶片製作用晶圓之一例的俯視圖。 [圖9]為表示在步驟(S1)中所準備之半導體晶片製作用晶圓之一例的概略剖面圖。 [圖10]為表示步驟(S2)的概略的圖。 [圖11]為表示第一實施形態之製造方法之概略的圖。 [圖12]為表示第二實施形態之製造方法之概略的圖。 [圖13]為表示第三實施形態之製造方法之概略的圖。 [圖14]為表示第四實施形態之製造方法之概略的圖。 [圖15]為示意地表示於第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的突出量的測定時所製作之包含第一熱硬化性樹脂薄膜(x1-1)的層合物的平面圖。 [圖16]為表示顯示實施例1、2及比較例1中之溝部的埋入性的剖面觀察結果的圖面替代照片。
151:第1剝離薄膜
152:第2剝離薄膜
x1:第一硬化性樹脂
x1a:第1面
x1b:第2面

Claims (14)

  1. 一種硬化性樹脂薄膜，其係用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上，形成作為保護膜之硬化樹脂膜；並且滿足下述要件(I)， ＜要件(I)＞ 在溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述硬化性樹脂薄膜的試驗片產生應變，並測定前述試驗片的儲存彈性模數，於將前述試驗片的應變為1%時之前述試驗片的儲存彈性模數設為Gc1，且將前述試驗片的應變為300%時之前述試驗片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由下述式(i)所算出之X值為19以上且未滿10,000，
    Figure 03_image001
    。
  2. 如請求項1之硬化性樹脂薄膜，其中，前述要件(I)中，Gc300未滿15,000。
  3. 一種複合薄片，其係用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上，形成作為保護膜之硬化樹脂膜， 並且具有層合支持薄片與硬化性樹脂之層而成之層合構造， 前述硬化性樹脂為如請求項1或2之硬化性樹脂薄膜。
  4. 一種使用方法，其係將如請求項1或2之硬化性樹脂薄膜使用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上，形成作為保護膜之硬化樹脂膜的使用方法。
  5. 一種使用方法，其係將如請求項3之複合薄片使用於在具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶片的前述凸塊形成面及側面之兩者上，形成作為保護膜之硬化樹脂膜的使用方法。
  6. 一種半導體晶片之製造方法，其依序包含下述步驟(S1)~(S4)， 步驟(S1)：準備半導體晶片製作用晶圓的步驟，該半導體晶片製作用晶圓係於具有具備凸塊之凸塊形成面的半導體晶圓的前述凸塊形成面上，以未到達背面的方式形成有作為分割預定線之溝部； 步驟(S2)：將第一硬化性樹脂(x1)按壓並貼附至前述半導體晶片製作用晶圓的前述凸塊形成面，並且，以前述第一硬化性樹脂(x1)被覆前述半導體晶片製作用晶圓的前述凸塊形成面的同時，埋入前述第一硬化性樹脂(x1)至形成於前述半導體晶片製作用晶圓上的前述溝部的步驟； 步驟(S3)：使前述第一硬化性樹脂(x1)硬化，得到附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的步驟； 步驟(S4)：沿著前述分割預定線，將前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓進行單片化，得到至少前述凸塊形成面及側面被前述第一硬化樹脂膜(r1)被覆之半導體晶片的步驟； 進而，在前述步驟(S2)之後且在前述步驟(S3)之前、在前述步驟(S3)之後且在前述步驟(S4)之前、或在前述步驟(S4)中，包含下述步驟(S-BG)， 步驟(S-BG)：將前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面進行研削的步驟；並且 使用如請求項1或2之硬化性樹脂薄膜作為前述第一硬化性樹脂(x1)。
  7. 如請求項6之半導體晶片之製造方法，其中，前述步驟(S2)係藉由將具有層合第一支持薄片(Y1)與前述第一硬化性樹脂(x1)之層(X1)而成之層合構造的第一複合薄片(α1)，以前述層(X1)作為貼附面按壓並貼附至前述半導體晶片製作用晶圓的前述凸塊形成面來實施。
  8. 如請求項7之半導體晶片之製造方法，其中，在前述步驟(S2)之後且在前述步驟(S3)之前包含前述步驟(S-BG)，並且 前述步驟(S-BG)係藉由在貼附有前述第一複合薄片(α1)之狀態下，研削前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面之後，從前述第一複合薄片(α1)剝離前述第一支持薄片(Y1)來實施， 前述步驟(S4)係藉由將前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於前述溝部的部分，沿著前述分割預定線切斷來實施。
  9. 如請求項7之半導體晶片之製造方法，其中，在前述步驟(S3)之後且在前述步驟(S4)之前包含前述步驟(S-BG)，並且 以未從前述第一複合薄片(α1)剝離前述第一支持薄片(Y1)的方式來實施前述步驟(S3)， 前述步驟(S-BG)係藉由在貼附有前述第一複合薄片(α1)之狀態下，研削前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面之後，從前述第一複合薄片(α1)剝離前述第一支持薄片(Y1)來實施， 前述步驟(S4)係藉由將前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於前述溝部的部分，沿著前述分割預定線切斷來實施。
  10. 如請求項7之半導體晶片之製造方法，其中，在前述步驟(S3)之後且在前述步驟(S4)之前包含前述步驟(S-BG)，並且 在前述步驟(S2)之後且在前述步驟(S3)之前，從前述第一複合薄片(α1)剝離前述第一支持薄片(Y1)， 前述步驟(S-BG)係藉由將背面研磨薄片(b-BG)貼附至前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之表面，在貼附有前述背面研磨薄片(b-BG)之狀態下，研削前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面之後，從前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓剝離前述背面研磨薄片(b-BG)來實施， 前述步驟(S4)係藉由將前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於前述溝部的部分，沿著前述分割預定線切斷來實施。
  11. 如請求項7之半導體晶片之製造方法，其中，在前述步驟(S4)中包含前述步驟(S-BG)，並且 在前述步驟(S2)之後且在前述步驟(S3)之前，從前述第一複合薄片(α1)剝離前述第一支持薄片(Y1)， 前述步驟(S4)係藉由於前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之中形成於前述溝部的部分，沿著前述分割預定線切入切口，或沿著前述分割預定線形成改質區域之後，作為前述步驟(S-BG)，將背面研磨薄片(b-BG)貼附至前述附第一硬化樹脂膜(r1)之半導體晶片製作用晶圓的前述第一硬化樹脂膜(r1)之表面，在貼附有前述背面研磨薄片(b-BG)之狀態下，研削前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面來實施。
  12. 如請求項6~11中任一項之半導體晶片之製造方法，其中，進而包含下述步驟(T)， 步驟(T)：於前述半導體晶片製作用晶圓的前述背面，形成第二硬化樹脂膜(r2)的步驟。
  13. 如請求項6~12中任一項之半導體晶片之製造方法，其中，前述溝部的寬度為10μm~2000μm。
  14. 如請求項6~13中任一項之半導體晶片之製造方法，其中，前述溝部的深度為30μm~700μm。
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