CN114734690B - 带减反射膜的透明基体 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及带减反射膜的透明基体。本发明可以提供一种具有光吸收能力、绝缘性的、且透射光不带黄色的带减反射膜的透明基体。一种带减反射膜的透明基体，其在透明基体的一个主面上具有减反射膜，其特征在于，带减反射膜的透明基体的光透射率为20％～85％，D65光源下的透射色的b*值为5以下，所述减反射膜的光反射率为1％以下，所述减反射膜的薄层电阻为104Ω/□以上。

Description

带减反射膜的透明基体
本申请为申请日为2018年1月16日、申请号为201810039562.5的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种带减反射膜的透明基体。
背景技术
从外观设计性的观点考虑，在液晶显示器(LCD)等图像显示装置的正面设置保护玻璃的情况正在增加。为了防止外部光映射到屏幕中，经常在该保护玻璃上设置减反射膜。
图像显示装置与保护玻璃使用光学透明的粘合剂(OCA)、UV固化树脂等光学透明的树脂(OCR)进行胶粘，但是为了提高图像显示装置的明场对比度(明所コントラスト)，期望抑制来自图像显示装置与胶粘层的界面的反射。
通过对减反射膜赋予光吸收能力，可以抑制来自图像显示装置与胶粘层的界面的反射。例如，专利文献1中公开了赋予了光吸收能力的减反射膜。专利文献1中记载的光吸收性减反射体中，在基体上从基体侧开始依次形成有：光吸收膜、对可见光实质上透明的介电体膜。
对于图像显示装置的显示面而言，有时要求赋予触控面板的功能，但是专利文献1中记载的光吸收性减反射体的光吸收膜含有金、铜、或它们的合金因而具有导电性，因此无法赋予触控面板的功能。
另外，从图像品质的观点考虑，优选保护玻璃的透射光不带黄色。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-96801号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的目的在于提供一种具有光吸收能力、绝缘性的、且透射光不带黄色的带减反射膜的透明基体。
用于解决问题的手段
本发明的一个实施方式的带减反射膜的透明基体具有：具有两个主面的透明基体、和形成于该透明基体的一个主面上的减反射膜，其特征在于，所述带减反射膜的透明基体的光透射率(視感透過率)为20％～85％，D65光源下的透射色的b*值为5以下，所述减反射膜的光反射率(視感反射率)为1％以下，所述减反射膜的薄层电阻(シート抵抗)为104Ω/□以上。
优选地，在本发明的一个实施方式的带减反射膜的透明基体中，所述减反射膜为将折射率彼此不同的介电体层层叠至少两层以上而得到的层叠结构，所述层叠结构的各介电体层主要由选自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn和In构成的组中的至少一种元素的氧化物、或选自由Si和Al构成的组中的至少一种元素的氮化物构成，在所述层叠结构的至少一层减反射膜中分散有选自由Ag、Mo、W、Cu、Au、Pd、Pt、Ir、Ni、Co、Fe、Cr、C、TiC、SiC、TiN和CrN构成的组中的至少一种微粒。
优选地，在本发明的一个实施方式的带减反射膜的透明基体中，所述减反射膜为将折射率彼此不同的层层叠至少两层以上而得到的层叠结构，所述层叠结构的层中至少一层主要由Si的氧化物构成，所述层叠结构的层中至少另一层主要由选自由Mo和W构成的A组中的至少一种元素的氧化物和选自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn和In构成的B组中的至少一种元素的氧化物的混合氧化物构成，相对于该混合氧化物中所含的A组的元素与该混合氧化物中所含的B组的元素的合计，该混合氧化物中所含的B组的元素的含有率小于50质量％。
优选地，在本发明的一个实施方式的带减反射膜的透明基体中，在所述减反射膜上还具有防污膜。
优选地，在本发明的一个实施方式的带减反射膜的透明基体中，所述透明基体为玻璃基板。
优选地，所述玻璃基板进行了化学强化。
优选地，对所述玻璃基板的具有所述减反射膜的一侧的主面实施了防眩处理。
发明效果
根据本发明的一个实施方式，可以提供具有光吸收能力、绝缘性的、且透射光不带黄色的带减反射膜的透明基体。
利用上述的特征，本发明的带减反射膜的透明基体适合作为图像显示装置的保护玻璃、特别是车辆等上搭载的导航系统的图像显示装置等车辆等上搭载的图像显示装置的保护玻璃。
附图说明
图1为示意性地示出带减反射膜的透明基体的一个构成例的剖视图。
图2为示意性地示出带减反射膜的透明基体的另一个构成例的剖视图。
附图标记
10透明基体
20、30减反射膜
22、26、32、34介电体层
24微粒
具体实施方式
以下，参照附图对于本发明的实施方式详细地进行说明。
本发明的带减反射膜的透明基体具有：具有两个主面的透明基体、和形成于透明基体的一个主面上的减反射膜，所述带减反射膜的透明基体的光透射率为20％～85％，D65光源下的透射色的b*值为5以下，所述减反射膜的光反射率为1％以下，所述减反射膜的薄层电阻为104Ω/□以上。
本发明的一个实施方式为在透明基体的一个主面上具有减反射膜的带减反射膜的透明基体。
形成减反射膜的透明基体只要为透光性优良的透明的基体，就没有特别的限定，从强度和耐热性的观点考虑优选为玻璃基板。
本发明的带减反射膜的透明基体的光透射率为20％～85％。如果光透射率为上述范围，则具有适度的光吸收能力，因此在用作图像显示装置的保护玻璃时，可以抑制来自图像显示装置与胶粘层的界面的反射。由此提高图像显示装置的明场对比度。需要说明的是，光透射率可以如后述的实施例中所记载的那样利用JIS Z 8709(1999年)中规定的方法来测定。本发明的带减反射膜的透明基体的光透射率优选为50％～80％，更优选为65％～75％。
本发明的带减反射膜的透明基体的D65光源下的透射色的b*值为5以下。如果b*值为上述范围，则透射光不带黄色，因此适合用作图像显示装置的保护玻璃。需要说明的是，D65光源下的透射色的b*值可以如后述的实施例中所记载的那样利用JIS Z 8729(2004年)中规定的方法来测定。本发明的带减反射膜的透明基体的b*值优选为3以下，更优选为2以下。
本发明的带减反射膜的透明基体的减反射膜的光反射率为1％以下。如果减反射膜的光反射率为上述范围，则在用作图像显示装置的保护玻璃时，防止外部光映射到屏幕中的效果高。需要说明的是，光反射率可以如后述的实施例中所记载的那样利用JIS Z8701(1999年)中规定的方法来测定。本发明的带减反射膜的透明基体的减反射膜的光反射率优选为0.8％以下，更优选为0.6％以下。
本发明的带减反射膜的透明基体的减反射膜的薄层电阻为104Ω/□以上。如果减反射膜的薄层电阻为上述范围，则减反射膜为绝缘性，因此在用作图像显示装置的保护玻璃时，即使附加触控面板，也保持对于静电电容式触摸感应器而言所必需的、由手指接触而产生的静电电容的变化，从而使触控面板发挥功能。需要说明的是，薄层电阻可以如后述的实施例中所记载的那样利用ASTM D257或JIS K6271-6(2008年)中规定的方法来测定。本发明的带减反射膜的透明基体的减反射膜的薄层电阻优选为106Ω/□以上，更优选为108Ω/□以上。
本发明的一个实施方式的带减反射膜的透明基体中的减反射膜优选下述构成。
图1为示意性地示出带减反射膜的透明基体的一个构成例的剖视图，在透明基体10上形成有减反射膜20。图1所示的减反射膜20为层叠两层折射率彼此不同的介电体层22、26而得到的层叠结构。通过层叠折射率彼此不同的介电体层22、26而抑制光的反射。
图1所示的减反射膜20中，可以为介电体层22为高折射率层、介电体层26为低折射率层的组合，也可以为介电体层22为低折射率层、介电体层26为高折射率层的组合。此处所述的高折射率层是指例如波长550nm下的折射率为1.9以上的层，低折射率层是指波长550nm下的折射率为1.6以下的层。
图1所示的减反射膜20中，在介电体层22中分散有具有光吸收能力的微粒24。作为具有光吸收能力的微粒24，使用在可见光的整个波长范围中具有高光吸收能力的微粒。
本实施方式中，通过使用在可见光的整个波长范围中具有高光吸收能力的微粒作为分散在介电体层22中的微粒24，更有效地防止透射光带黄色。
本实施方式中，作为分散在介电体层22中的微粒24，使用选自由Ag、Mo、W、Cu、Au、Pd、Pt、Ir、Ni、Co、Fe、Cr、C、TiC、SiC、TiN和CrN构成的组中的至少一种微粒。
虽然作为微粒24的选择项而例示的微粒的导电性高，但是与专利文献1中记载的光吸收性减反射体的光吸收膜不同，由于以微粒24的形式分散在介电体层22中，因此减反射膜20为绝缘性。
优选地，介电体层22、26主要由选自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn和In构成的组中的至少一种元素的氧化物、或选自由Si和Al构成的组中的至少一种元素的氮化物构成。其理由如下所述。
优选地，介电体层本身不具有光吸收能力，因此优选地，介电体层本身在整个可见光波长范围中吸收能力小。另外，为了制成具有减反射性能的膜，例如在使用玻璃基板作为透明基体时，如果为低折射率层，则优选为波长550nm的折射率为1.5以下的膜，如果为高折射率层，则优选为波长550nm的折射率为1.8以上的膜。如果从上述的组中选择，则满足该条件。
本说明书中，“主要”是指在介电体层22、26的构成材料中上述的氧化物或氮化物所占的比率为70质量％以上。
对于介电体层22、26而言，从上述的氧化物或氮化物中适当选择它们的构成材料，以使得各自成为所期望的折射率层(高折射率层、低折射率层)。需要说明的是，对于介电体层22而言，适当选择构成材料，以使得包含微粒24的折射率在内成为所期望的折射率层(高折射率层、低折射率层)。
需要说明的是，介电体层22、26可以仅由上述的氧化物或氮化物中的一种构成，也可以由两种以上构成。
图1所示的减反射膜20为将介电体层22、26这两层层叠而得到的层叠结构，但是本发明中的减反射膜并不限定于此，也可以为将折射率彼此不同的层层叠三层以上而得到的层叠结构。在这种情况下，不需要所有层的折射率不同。例如，在三层层叠结构的情况下，可以为低折射率层、高折射率层、低折射率层的三层层叠结构，或高折射率层、低折射率层、高折射率层的三层层叠结构。在前者的情况下，存在的两层低折射率层可以为相同的折射率，在后者的情况下，存在的两层高折射率层可以为相同的折射率。在四层层叠结构的情况下，可以为低折射率层、高折射率层、低折射率层、高折射率层的四层层叠结构，或高折射率层、低折射率层、高折射率层、低折射率层的四层层叠结构。在这种情况下，存在的两层低折射率层和两层高折射率层各自可以为相同的折射率。
另外，图1所示的减反射膜20中，在介电体层22中分散有微粒24，但是也可以在介电体层26中分散有微粒。也可以在介电体层22、介电体层26两者中分散有微粒。
另外，在减反射膜为将折射率彼此不同的层层叠三层以上而得到的层叠结构的情况下，可以在两层以上的层中分散有微粒。例如，在低折射率层、高折射率层、低折射率层的三层层叠结构的情况下，可以在存在的两层低折射率层中分散有微粒。在高折射率层、低折射率层、高折射率层的三层层叠结构的情况下，可以在存在的两层高折射率层中分散有微粒。在低折射率层、高折射率层、低折射率层、高折射率层的四层层叠结构，或高折射率层、低折射率层、高折射率层、低折射率层的四层层叠结构的情况下，可以在存在的两层低折射率层或存在的两层高折射率层中分散有微粒。
从以下的理由考虑，在介电体层22中分散的微粒24优选为选自由Ag、Mo、W、Cu、Au、Pd、Pt、Ir、Ni、Co、Fe、Cr、C、TiC、SiC、TiN和CrN构成的组中的至少一种微粒。
这些微粒的氧化还原电位都高，与周围的氧化物反应而生成氧化物微粒的可能性小。另外，光吸收能力大，通过添加少量的微粒，就会产生充分的光吸收，因此微粒彼此附聚(くっつく)而宏观上产生导电性的可能性小。另外，还具有容易获得的优点。
在介电体层22中分散的微粒24可以仅为上述中的一种，也可以为两种以上。
需要说明的是，在通过后述的步骤在透明基体的主面上形成减反射膜的情况下，优选地，在构成减反射膜的介电体层中，在除最表层以外的介电体层中分散有微粒。
对上述的本发明的带减反射膜的透明基体的特性中带减反射膜的透明基体的光透射率和减反射膜的薄层电阻产生影响的是分散有微粒24的介电体层22。
优选地，为了将带减反射膜的透明基体的光透射率调节为20％～85％、且将减反射膜的薄层电阻调节为104Ω/□以上，对介电体层22和在该介电体层22中分散的微粒24这两者的组合进行选择，以使得满足以下所示的条件。
对于其中将要分散微粒24的介电体层22而言，在制成未分散有微粒24的介电体层22的情况下的薄层电阻优选为1×108Ω/□以上，更优选为1×109Ω/□以上。
另一方面，微粒24的单独的体积电阻率优选为1×10-5Ωm以下。需要说明的是，薄层电阻可以如后述的实施例中所记载的那样利用ASTM D257或JIS K 6271-6(2008年)中规定的方法来测定。
分散有微粒24的介电体层22的波长550nm下的消光系数为0.005～3的范围，更优选为0.01～1的范围。
波长550nm下的消光系数小于0.005时，在合理的膜厚下难以得到吸收特性，对于带减反射膜的透明基体而言，难以实现85％以下的光透射率。另一方面，波长550nm下的消光系数大于3时，反而吸收过强，对于带减反射膜的透明基体而言，难以实现20％以上的光透射率。
另外，如果波长550nm下的消光系数为上述范围，则透射光不带黄色，对于带减反射膜的透明基体而言，D65光源下的透射色的b*值可以为5以下。
优选地，形成于满足上述物性的介电体层22上的介电体层26的介电常数为1.3～1.5，且厚度为30nm～150nm。
光透射率、b*值、以及减反射膜的光反射率和薄层电阻满足上述条件的带减反射膜的透明基体可以为例如以下的构成。
在透明基体的一个主面形成有以往的减反射膜，在该透明基体的另一个主面上形成有分散有具有光吸收能力的微粒的介电体层。
作为具有光吸收能力的微粒，可以使用氧化铬、氧化铁等氧化物、碳化铬、碳化钨等碳化物、炭黑、云母等。
作为分散具有光吸收能力的微粒的介电体层，可以列举：包含：环氧树脂、丙烯酸类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚芳酯、聚碳酸酯、透明ABS树脂、酚树脂(フェノール樹脂)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂、聚氨酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯醇缩丁醛、聚醚醚酮、聚乙烯、聚酯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺等均聚物、以及这些树脂的单体与可共聚的单体的共聚物的树脂层。
图2为示意性地示出带减反射膜的透明基体的另一个构成例的剖视图，在透明基体10上形成有减反射膜30。图2所示的减反射膜30为层叠两层折射率彼此不同的层32、34而得到的层叠结构。通过层叠折射率彼此不同的层32、34而抑制光的反射。
图2所示的减反射膜30中，层32由选自由Mo和W构成的A组中至少一种元素与选自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn和In构成的B组中的至少一种元素的混合氧化物构成。其中，对于该混合氧化物而言，相对于该混合氧化物中所含的A组的元素与该混合氧化物中所含的B组的元素的合计，该混合氧化物中所含的B组的元素的含有率(以下，记载为B组含有率)小于50质量％。
层34主要由Si的氧化物、即SiO2构成。
作为具有光吸收能力且绝缘性的透光膜，已知在半导体制造领域中使用的半色调掩模(ハーフトーンマスク)。作为半色调掩模，可以使用含有少量Mo的Mo-SiOx膜等贫氧膜(酸素欠損膜)。另外，作为具有光吸收能力且绝缘性的透光膜，有在半导体制造领域中使用的窄带隙膜。
但是，这些膜的可见光中的短波长侧的光吸收能力高，因此透射光带黄色。因此，不适合于图像显示装置的保护玻璃。
本发明的本实施方式中，通过具有提高了Mo的含有率的层32和由SiO2构成的层34，可以得到具有光吸收能力、绝缘性的、且透射光不带黄色的带减反射膜的透明基体。
图2所示的减反射膜30中，层32为高折射率层，层34为低折射率层。
本说明书中，“主要”是指：选自由Mo和W构成的A组中的至少一种元素与选自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn和In构成的B组中的至少一种元素的混合氧化物在层32的构成材料中所占的比率为70质量％以上，是指：Si的氧化物在层34的构成材料中所占的比率为70质量％以上。
以下，本说明书中，将主要由A组和B组的混合氧化物构成的层记载为层(A-B-O)，将主要由Si的氧化物构成的层记载为层(SiO2)。
对于图2所示的带减反射膜的透明基体而言，通过减反射膜30为上述的构成，满足上述的本发明的带减反射膜的透明基体的特性。
之所以将层(A-B-O)32中的B组含有率设定为小于50质量％，是因为B组含有率为50质量％以上时，b*值大于5。B组含有率优选为45质量％以下，更优选为40质量％以下，进一步优选为35质量％以下。
图2所示的减反射膜30为将层(A-B-O)32、层(SiO2)34这两层层叠而得到的层叠结构，但是本发明中的减反射膜并不限定于此，也可以为在透明基体上按照层(SiO2)、层(A-B-O)的顺序层叠而得到的层叠结构。另外，也可以为将折射率彼此不同的层层叠三层以上而得到的层叠结构。在这种情况下，至少一层为层(SiO2)，至少另一层为层(A-B-O)。例如，在三层层叠结构的情况下，可以为在透明基体上按照层(A-B-O)、层(SiO2)、层(A-B-O)的顺序层叠而得到的三层层叠结构，或按照层(SiO2)、层(A-B-O)、层(SiO2)的顺序层叠而得到的三层层叠结构。在四层层叠结构的情况下，可以为在透明基体上按照层(A-B-O)、层(SiO2)、层(A-B-O)、层(SiO2)的顺序层叠而得到的四层层叠结构，或按照层(SiO2)、层(A-B-O)、层(SiO2)、层(A-B-O)的顺序层叠而得到的四层层叠结构。
另外，在将折射率彼此不同的层层叠三层以上而得到层叠结构的情况下，可以包含除层(A-B-O)和层(SiO2)以外的层。在这种情况下，需要选择各层以使得包含层(A-B-O)和层(SiO2)在内成为低折射率层、高折射率层、低折射率层的三层层叠结构，或高折射率层、低折射率层、高折射率层的三层层叠结构，或者低折射率层、高折射率层、低折射率层、高折射率层的四层层叠结构，或高折射率层、低折射率层、高折射率层、低折射率层的四层层叠结构。但是，优选最外表面的层为层(SiO2)。这是因为，为了得到低反射性，如果最外表面的层为层(SiO2)，则可以比较容易制作。另外，在形成防污膜的情况下，从与防污膜的耐久性相关的结合性的观点考虑，优选形成在层(SiO2)上。
以下，对于本发明的带减反射膜的透明基体进一步进行记载。
(透明基体)
透明基体优选折射率为1.4以上且1.7以下的材质。这是因为，在将显示器、触控面板等光学胶粘的情况下，可以充分抑制胶粘面上的反射。
如上所述，作为透明基体优选玻璃基板。作为玻璃基板，可以利用具有各种组成的玻璃。例如，本发明中使用的玻璃优选包含钠，优选为能够成形、能够利用化学强化处理进行强化的组成。具体而言，可以列举例如：铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃、铅玻璃、碱钡玻璃(アルカリバリウムガラス)、铝硼硅酸盐玻璃等。
玻璃基板的厚度并没有特别的限定，在进行化学强化处理的情况下，为了有效地进行化学强化处理，通常优选为5mm以下，更优选为3mm以下。
对于玻璃基板而言，为了提高保护玻璃的强度，优选为进行了化学强化的化学强化玻璃。需要说明的是，在对玻璃基板实施防眩处理的情况下，化学强化在防眩处理之后、形成减反射膜之前进行。
对于玻璃基板而言，优选对具有减反射膜的一侧的主面实施了防眩处理。防眩处理方法并没有特别的限定，可以利用：对玻璃主面实施表面处理而形成所期望的凹凸的方法。具体而言，可以列举：对玻璃基板的主面进行化学处理的方法、例如实施磨砂处理(フロスト処理)的方法。对于磨砂处理而言，例如可以将作为被处理物的玻璃基板浸渍于氟化氢与氟化铵的混合溶液中，从而对浸渍面进行化学表面处理。另外，除了这样的利用化学处理的方法以外，还可以利用例如：用压缩空气将晶体二氧化硅粉、碳化硅粉等喷吹至玻璃基板表面的所谓的喷砂处理；用水将附着有晶体二氧化硅粉、碳化硅粉等的刷子润湿，然后用该刷子进行磨光等利用物理处理的方法。
(减反射膜)
上述的减反射膜可以使用溅射法等公知的成膜方法而形成在透明基体的主面上。即，将构成减反射膜的介电体层或层按照其层叠顺序使用溅射法等公知的成膜方法形成在透明基体的主面上。
可以通过以下的步骤来形成分散有微粒的介电体层。
将作为基质的介电体材料以数nm的厚度进行溅射成膜，从而形成作为介电体材料的氧化物或氮化物的介电体的连续膜。
接着，将微粒材料在不成为连续膜的范围内进行溅射成膜。不成为连续膜的范围是指通过溅射成膜形成不连续膜的膜厚。形成不连续膜的膜厚根据微粒材料而不同，可以根据所选择的微粒材料适当选择。
接着，在不引入氧气或氮气的情况下，利用仅氩气等稀有气体的等离子体放电，以约1nm的厚度将作为基质的介电体材料进行溅射成膜。其是在溅射成膜接下来的介电体膜时用于防止通过之前的步骤而成膜出的不连续膜的氧化或氮化的牺牲层。
接着，将作为基质的介电体材料以数nm的厚度进行溅射成膜，从而形成作为介电体材料的氧化物或氮化物的介电体的连续膜。
以这样的方式形成在作为基质的介电体中分散有微粒的膜。
通过重复该步骤，得到任意膜厚的介电体层。
如果使用数字溅射法(デジタルスパッタリング法)，则上述的步骤变得容易。
数字溅射法与通常的磁控溅射法不同，其为在同一腔室内重复进行如下工序而形成金属氧化物的薄膜的方法：首先通过溅射而形成金属材料的极薄膜、然后通过照射氧等离子体或氧离子或氧自由基而进行氧化的工序。
如果使用该方法，则按照透明基体通过的顺序，配置微粒用的靶、作为基质的介电体用的金属靶、氧等离子体源，在微粒上沉积作为基质的介电体的金属，然后将对氧等离子体的输入功率和作为基质的介电体的沉积膜厚调节到利用氧等离子体源刚好氧化作为基质的介电体金属的程度，由此可以简便地形成分散有微粒的介电体层。
在使用通过型在线溅射装置的情况下，通过进行对靶本身进行细分等设计，也可以形成分散有微粒的介电体层。
减反射膜的材料并没有特别的限定，只要为能够抑制光的反射的材料，就可以利用各种材料。例如作为减反射膜，可以为将高折射率层与低折射率层层叠而得到的构成。此处所谓的高折射率层是波长550nm下的折射率为1.9以上的层，低折射率层是波长550nm下的折射率为1.6以下的层。
需要说明的是，本发明的带减反射膜的透明基体中，减反射膜设置在透明基体的至少一个主面上即可，但是根据需要，也可以为设置在透明基体的两个主面上的构成。
＜防污膜＞
对于本发明的带减反射膜的透明基体而言，从对膜最外表面进行保护的观点考虑，在上述减反射膜上可以还具有防污膜(也称为“防指纹(AFP)膜”)。防污膜例如可以由含氟有机硅化合物构成。作为含氟有机硅化合物，只要能够赋予防污性、拒水性、拒油性，就可以没有特别限定地使用，可以列举例如：具有选自由多氟聚醚基、多氟亚烷基和多氟烷基构成的组中的一个以上基团的含氟有机硅化合物。需要说明的是，多氟聚醚基是指具有多氟亚烷基与醚氧原子交替地键合的结构的二价基团。
另外，作为市售的具有选自由多氟聚醚基、多氟亚烷基和多氟烷基构成的组的一个以上基团的含氟有机硅化合物，可以优选使用：KP-801(商品名、信越化学公司制造)、KY178(商品名、信越化学公司制造)、KY-130(商品名、信越化学公司制造)、KY-185(商品名、信越化学公司制造)、OPTOOL(注册商标)DSX和OPTOOL AES(均为商品名、大金公司制造)等。
防污膜层叠在减反射膜上。在将减反射膜成膜在玻璃基板的两个主面上的情况下，可以将防污膜成膜在两个减反射膜上，也可以为仅对任意一个面层叠防污膜的构成。这是因为，防污膜只要设置于人手等可能接触的部位即可，可以根据其用途等来选择。
实施例
以下，举出实施例，具体地说明本发明，但是本发明并不限定于此。
(实施例1)
利用以下的方法，在透明基体的一个主面上形成减反射膜，从而制作了带减反射膜的透明基体。
使用纵向50mm×横向50mm×厚度2mm的化学强化玻璃基板(DRAGONTRAIL：注册商标、旭硝子公司制造)作为透明基体。
接着，利用通常的溅射法，在透明基体的一个主面上形成了以下所示的层叠结构的减反射膜。需要说明的是，通常的溅射法是指：使用磁控溅射法，按照上述减反射膜的项中记载的步骤形成分散有微粒的介电体层的方法。层叠结构的减反射膜从透明基体的一个主面侧开始具有以下的层构成。
介电体层(1)：分散有Ag微粒的SiO2层(厚度20nm)
介电体层(2)：TiO2层(厚度25nm)
介电体层(3)：SiO2层(厚度120nm)
需要说明的是，特性值如下所述。
·各层的波长550nm的折射率
介电体层(1)：1.55
介电体层(2)：2.35
介电体层(3)：1.47
·对于介电体层(1)而言，未分散有Ag微粒的SiO2层的薄层电阻：1010Ω/□以上
·对于介电体层(1)而言，波长550nm下的消光系数：0.36
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施以下的评价。
(减反射膜的薄层电阻)
使用测定装置(三菱化学分析技术公司制造、装置名：Hiresta UP(MCP-HT450型))，测定薄层电阻值。使探针接触带减反射膜的透明基体的中央，在10V下通电10秒而进行测定。
(减反射膜的光反射率)
利用分光光度计(岛津制作所公司制造、商品名：SolidSpec-3700)，测定分光反射率，通过计算而求出光反射率(JIS Z 8701：1999中规定的反射的刺激值(刺激値)Y)。需要说明的是，利用漆将带减反射膜的透明基体的背面侧(玻璃基板侧)涂黑，在消除背面反射的状态下进行测定。
(带减反射膜的透明基体的光透射率)
利用分光光度计(岛津制作所公司制造、商品名：SolidSpec-3700)，测定分光透射率，通过计算而求出光透射率(JIS Z 8701：1999中规定的刺激值Y)。
(带减反射膜的透明基体的D65光源下的透射色(b*值))
根据通过测定上述的分光透射率而得到的透射光谱，求出JIS Z8729：2004中规定的色指数(b*值)。光源使用D65光源。
将结果示于下述表1。
(实施例2)
除了将层叠结构的减反射膜设定为下述构成以外，与实施例1相同。
介电体层(1)：分散有Cu微粒的SiO2层(厚度80nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度40nm)
需要说明的是，特性值如下所述。
·各层的波长550nm的折射率
介电体层(1)：1.42
介电体层(2)：1.47
·对于介电体层(1)而言，未分散有Cu微粒的SiO2层的薄层电阻：1010Ω/□以上
·对于介电体层(1)而言，波长550nm下的消光系数：0.17
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表1。
(实施例3)
除了在介电体层的形成中使用数字溅射法和将层叠结构的减反射膜设定为下述构成以外，与实施例1相同。
介电体层(1)：分散有Ag微粒的TiO2层(厚度22nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度105nm)
需要说明的是，特性值如下所述。
·各层的波长550nm的折射率
介电体层(1)：2.03
介电体层(2)：1.47
·对于介电体层(1)而言，未分散有Ag微粒的TiO2层的薄层电阻：5×109Ω/□
·对于介电体层(1)而言，波长550nm下的消光系数：0.34
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表1。
(实施例4)
除了将层叠结构的减反射膜设定为下述构成以外，与实施例1相同。
介电体层(1)：分散有Mo微粒的SiO2层(厚度30nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度100nm)
需要说明的是，特性值如下所述。
·各层的波长550nm的折射率
介电体层(1)：1.82
介电体层(2)：1.47
·对于介电体层(1)而言，未分散有Mo微粒的SiO2层的薄层电阻：1010Ω/□以上
·对于介电体层(1)而言，波长550nm下的消光系数：0.38
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表2。
(实施例5)
除了将层叠结构的减反射膜设定为下述构成以外，与实施例1相同。
介电体层(1)：分散有Ag微粒的Nb2O5层(厚度13nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度26nm)
介电体层(3)：Nb2O5层(厚度100nm)
介电体层(4)：SiO2层(厚度95nm)
需要说明的是，特性值如下所述。
·各层的波长550nm的折射率
介电体层(1)：2.38
介电体层(2)：1.47
介电体层(3)：2.38
介电体层(4)：1.47
·对于介电体层(1)而言，未分散有Ag微粒的Nb2O5层的薄层电阻：3×109Ω/□
·对于介电体层(1)而言，波长550nm下的消光系数：0.076
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表2。
(实施例6)
除了在介电体层的形成中使用数字溅射法和将层叠结构的减反射膜设定为下述构成以外，与实施例1相同。
介电体层(1)：分散有Ag微粒的Nb2O5层(厚度25nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度30nm)
介电体层(3)：分散有Ag微粒的Nb2O5层(厚度125nm)
介电体层(4)：SiO2层(厚度95nm)
需要说明的是，特性值如下所述。
·各层的波长550nm的折射率
介电体层(1)：2.38
介电体层(2)：1.47
介电体层(3)：2.38
介电体层(4)：1.47
·对于介电体层(1)、(3)而言，未分散有Ag微粒的Nb2O5层的薄层电阻：两者均为3×109Ω/□
·对于介电体层(1)、(3)而言，波长550nm下的消光系数：两者均为0.076
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表2。
(实施例7)
除了将层叠结构的减反射膜设定为下述构成以外，与实施例1相同。
介电体层(1)：分散有Ag微粒的SiN层(厚度25nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度90nm)
需要说明的是，特性值如下所述。
·各层的波长550nm的折射率
介电体层(1)：1.99
介电体层(2)：1.47
·对于介电体层(1)而言，波长550nm下的消光系数：0.88
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表3。
(实施例8)
除了在介电体层的形成中使用数字溅射法和将层叠结构的减反射膜设定为下述构成以外，与实施例1相同。
介电体层(1)：Nb2O5层(厚度8nm)
介电体层(2)：分散有包含1重量％Pd的Ag微粒的SiO2层(厚度25nm)
介电体层(3)：Nb2O5层(厚度112nm)
介电体层(4)：SiO2层(厚度90nm)
需要说明的是，特性值如下所述。
·各层的波长550nm的折射率
介电体层(1)：2.38
介电体层(2)：1.55
介电体层(3)：2.38
介电体层(4)：1.47
对于介电体层(2)而言，未分散有含有1重量％Pd的Ag微粒的SiO2层的薄层电阻：1010Ω/□以上
对于介电体层(2)而言，波长550nm下的消光系数：0.36
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表3。
(实施例9)
按照以下的方法，在透明基体的一个主面上形成减反射膜，从而制作了带减反射膜的透明基体。
首先，在引入在氩气中混合10体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用硅靶和钼靶，对于硅靶，在频率20kHz、功率密度0.6W/cm2、反向脉冲宽度(反転パルス幅)5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，对于钼靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，通过硅与钼的共溅射，在透明基体的一个主面上成膜出14nm的Mo-Si-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度35nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
接着，在引入在氩气中混合10体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用硅靶和钼靶，对于硅靶，在频率20kHz、功率密度0.6W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，对于钼靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，通过硅与钼的共溅射，成膜出120nm的Mo-Si-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度90nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
层叠结构的减反射膜从透明基体的一个主面侧开始具有以下的层构成。
介电体层(1)：Mo-Si-O层(厚度14nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度35nm)
介电体层(3)：Mo-Si-O层(厚度120nm)
介电体层(4)：SiO2层(厚度90nm)
根据利用XPS进行分析的结果可知，介电体层(1)和介电体层(3)的Mo-Si-O层中的Mo与Si的组成比为Mo：Si＝99：1(重量％)。另外，这些Mo-Si-O层的550nm的折射率为2.1，消光系数为0.08。
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表5。
(实施例10)
按照以下的方法，在透明基体的一个主面上形成减反射膜，从而制作了带减反射膜的透明基体。
首先，在引入在氩气中混合15体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用硅靶和钼靶，对于硅靶，在频率20kHz、功率密度1.6W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，对于钼靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，通过硅与钼的共溅射，在透明基体的一个主面上成膜出14nm的Mo-Si-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度35nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
接着，在引入在氩气中混合15体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用硅靶和钼靶，对于硅靶，在频率20kHz、功率密度1.6W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，对于钼靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，通过硅与钼的共溅射，成膜出120nm的Mo-Si-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度90nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
层叠结构的减反射膜从透明基体的一个主面侧开始具有以下的层构成。
介电体层(1)：Mo-Si-O层(厚度14nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度35nm)
介电体层(3)：Mo-Si-O层(厚度120nm)
介电体层(4)：SiO2层(厚度90nm)
根据利用XPS进行分析的结果可知，介电体层(1)和介电体层(3)的Mo-Si-O层中的Mo与Si的组成比为Mo：Si＝90：10(重量％)。另外，这些Mo-Si-O层的550nm的折射率为1.9，消光系数为0.08。
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表5。
(实施例11)
按照以下的方法，在透明基体的一个主面上形成减反射膜，从而制作了带减反射膜的透明基体。
首先，在引入在氩气中混合39体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用将铌和钼以重量比为80:20的比例混合并烧结而得到的靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，在透明基体的一个主面上成膜出14nm的Mo-Nb-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度35nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
接着，在引入在氩气中混合10体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用将铌和钼以重量比为80:20的比例混合并烧结而得到的靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出120nm的Mo-Nb-O层。
接着，在引入在氩气中混合39体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度90nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
层叠结构的减反射膜从透明基体的一个主面侧开始具有以下的层构成。
介电体层(1)：Mo-Nb-O层(厚度14nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度35nm)
介电体层(3)：Mo-Nb-O层(厚度120nm)
介电体层(4)：SiO2层(厚度90nm)
根据利用XPS进行分析的结果可知，介电体层(1)和介电体层(3)的Mo-Nb-O层中的Mo与Nb的组成比为Mo：Nb＝80：20(重量％)。另外，这些Mo-Nb-O层的550nm的折射率为2.1，消光系数为0.04。
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表6。
(实施例12)
按照以下的方法，在透明基体的一个主面上形成减反射膜，从而制作了带减反射膜的透明基体。
首先，在引入在氩气中混合39体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用将铌和钼以重量比为50:50的比例混合并烧结而得到的靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，在透明基体的一个主面上成膜出14nm的Mo-Nb-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度35nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
接着，在引入在氩气中混合39体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用将铌和钼以重量比为50:50的比例混合并烧结而得到的靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出110nm的Mo-Nb-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度90nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
层叠结构的减反射膜从透明基体的一个主面侧开始具有以下的层构成。
介电体层(1)：Mo-Nb-O层(厚度14nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度35nm)
介电体层(3)：Mo-Nb-O层(厚度110nm)
介电体层(4)：SiO2层(厚度90nm)
根据利用XPS进行分析的结果可知，介电体层(1)和介电体层(3)的Mo-Nb-O层中的Mo与Nb的组成比为Mo：Nb＝50：50(重量％)。另外，这些Mo-Nb-O层的550nm的折射率为2.2，消光系数为0.12。
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表6。
(实施例13)
按照以下的方法，在透明基体的一个主面上形成减反射膜，从而制作了带减反射膜的透明基体。
首先，在引入在氩气中混合10体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用钛靶和钼靶，对于钛靶，在频率20kHz、功率密度1.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，对于钼靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，通过钛与钼的共溅射，在透明基体的一个主面上成膜出12nm的Mo-Ti-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度30nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
接着，在引入在氩气中混合10体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用钛靶和钼靶，对于钛靶，在频率20kHz、功率密度1.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，对于钼靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，通过钛与钼的共溅射，成膜出106nm的Mo-Ti-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度80nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
层叠结构的减反射膜从透明基体的一个主面侧开始具有以下的层构成。
介电体层(1)：Mo-Ti-O层(厚度12nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度30nm)
介电体层(3)：Mo-Ti-O层(厚度106nm)
介电体层(4)：SiO2层(厚度80nm)
根据利用XPS进行分析的结果可知，介电体层(1)和介电体层(3)的Mo-Ti-O层中的Mo与Ti的组成比为Mo：Ti＝93：7(重量％)。另外，这些Mo-Ti-O层的550nm的折射率为2.1，消光系数为0.06。
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表7。
(比较例1)
除了将层叠结构的减反射膜设定为下述构成以外，与实施例1相同。
介电体层(1)：CuO层(厚度10nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度45nm)
介电体层(3)：CuO层(厚度15nm)
介电体层(4)：SiO2层(厚度100nm)
需要说明的是，特性值如下所述。
·各层的波长550nm的折射率
介电体层(1)：2.82
介电体层(2)：1.47
介电体层(3)：2.82
介电体层(4)：1.47
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表4。
(比较例2)
除了将层叠结构的减反射膜设定为下述构成以外，与实施例1相同。
介电体层(1)：TiN层(厚度10nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度80nm)
介电体层(1)的波长550nm的折射率：1.55
对于介电体层(1)而言，波长550nm下的消光系数：1.32
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表4。
(比较例3)
除了形成分散有Ag微粒的SiO2层(厚度100nm)的单层膜作为介电体层以外，与实施例1相同。需要说明的是，特性值如下所述。
·波长550nm的折射率：1.55
·未分散有Ag微粒的SiO2层的薄层电阻：1010Ω/□以上
·分散有Ag微粒的SiO2层的波长550nm下的消光系数：0.36
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表4。
(比较例4)
按照以下的方法，在透明基体的一个主面上形成减反射膜，从而制作了带减反射膜的透明基体。
首先，在引入在氩气中混合10体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用硅靶和钼靶，对于硅靶，在频率20kHz、功率密度4.6W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，对于钼靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，通过硅与钼的共溅射，在透明基体的一个主面上成膜出14nm的Mo-Si-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度35nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
接着，在引入在氩气中混合10体积％的氧气而得到的混合气体的同时，将压力保持在0.3Pa，使用硅靶和钼靶，对于硅靶，在频率20kHz、功率密度4.6W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，对于钼靶，在频率20kHz、功率密度4.0W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，通过硅与钼的共溅射，成膜出120nm的Mo-Si-O层。
接着，在引入在氩气中混合40体积％的氧气而得到的混合气体的同时，使用硅靶在压力0.3Pa、频率20kHz、功率密度3.8W/cm2、反向脉冲宽度5微秒的条件下、在脉冲宽度5微秒的条件下进行脉冲溅射，成膜出厚度90nm的包含氧化硅(二氧化硅(SiO2))的层。
层叠结构的减反射膜从透明基体的一个主面侧开始具有以下的层构成。
介电体层(1)：Mo-Si-O层(厚度14nm)
介电体层(2)：SiO2层(厚度35nm)
介电体层(3)：Mo-Si-O层(厚度120nm)
介电体层(4)：SiO2层(厚度90nm)
根据利用XPS进行分析的结果可知，介电体层(1)和介电体层(3)的Mo-Si-O层中的Si与Mo的组成比为Mo：Si＝50：50(重量％)。另外，这些Mo-Si-O膜的550nm的折射率为1.7，消光系数为0.15。
对于所制作的带减反射膜的透明基体，实施上述评价，将结果示于下述表5。
表1
Figure BDA0003551791820000321
表2
Figure BDA0003551791820000331
表3
Figure BDA0003551791820000332
表4
Figure BDA0003551791820000333
表5
Figure BDA0003551791820000341
表6
Figure BDA0003551791820000342
表7
Figure BDA0003551791820000351
对于实施例1～10的带减反射膜的透明基体而言，减反射膜的薄层电阻为104Ω/□以上，减反射膜的光反射率为1％以下，带减反射膜的透明基体的光透射率为20％～85％，D65光源下的透射色的b*值为5以下。
另一方面，对于未以分散有微粒的介电体层作为构成要素的比较例1的带减反射膜的透明基体而言，D65光源下的透射色的b*值大于5。
另外，对于形成有TiN的连续膜作为介电体层(1)的比较例2的带减反射膜的透明基体而言，减反射膜的薄层电阻小于104Ω/□。
另外，对于形成了分散有Ag微粒的SiO2层(厚度100nm)的单层膜作为介电体层的比较例3的带减反射膜的透明基体而言，减反射膜的光反射率大于1％，D65光源下的透射色的b*值大于5。
另外，对于形成有Si与Mo的组成比为Mo：Si＝50：50(重量％)的Mo-Si-O层作为层(1)、(3)的比较例4的带减反射膜的透明基体而言，D65光源下的透射色的b*值大于5。
详细且参照特定的实施方式对本发明进行了说明，但是在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以加入各种各样的变更、修正，这对于本领域技术人员而言是显而易见的。
本申请基于2017年1月16日申请的日本专利申请(日本特愿2017-005124)，其内容作为参考并入本申请中。

Claims (8)

1.一种带减反射膜的透明基体，其具有：具有两个主面的透明基体、和形成于该透明基体的一个主面上的减反射膜，
其特征在于，所述带减反射膜的透明基体的光透射率为20％～85％，D65光源下的透射色的b*值为5以下，所述减反射膜的光反射率为1％以下，所述减反射膜的薄层电阻为104Ω/□以上，
所述减反射膜为将折射率彼此不同的层层叠至少两层以上而得到的层叠结构，所述层叠结构的层中至少一层主要由Si的氧化物构成，所述层叠结构的层中至少另一层主要由选自由Mo和W构成的A组中的至少一种元素的氧化物和选自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn和In构成的B组中的至少一种元素的氧化物的混合氧化物构成，相对于该混合氧化物中所含的A组的元素与该混合氧化物中所含的B组的元素的合计，该混合氧化物中所含的B组的元素的含有率小于50质量％。
2.如权利要求1所述的带减反射膜的透明基体，其中，在所述减反射膜上还具有防污膜。
3.如权利要求1或2所述的带减反射膜的透明基体，其中，所述透明基体为玻璃基板。
4.如权利要求3所述的带减反射膜的透明基体，其中，所述层叠结构的层中至少另一层主要由W的氧化物或者Mo的氧化物和W的氧化物的混合氧化物和选自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn和In构成的B组中的至少一种元素的氧化物的混合氧化物构成，所述玻璃基板进行了化学强化。
5.如权利要求3或4所述的带减反射膜的透明基体，其中，所述层叠结构的层中至少另一层主要由W的氧化物或者Mo的氧化物和W的氧化物的混合氧化物和选自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn和In构成的B组中的至少一种元素的氧化物的混合氧化物构成，对所述玻璃基板的具有所述减反射膜的一侧的主面实施了防眩处理。
6.如权利要求2所述的带减反射膜的透明基体，其中，所述防污膜由含氟有机硅化合物构成。
7.如权利要求2所述的带减反射膜的透明基体，其中，所述防污膜形成在所述减反射膜中的SiO2层上。
8.如权利要求1所述的带减反射膜的透明基体，其中，所述混合氧化物中所含的B组的元素的含有率为35质量％以下。
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