CN101803489A - 导电性层叠体 - Google Patents

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CN101803489A CN200880107651A CN200880107651A CN101803489A CN 101803489 A CN101803489 A CN 101803489A CN 200880107651 A CN200880107651 A CN 200880107651A CN 200880107651 A CN200880107651 A CN 200880107651A CN 101803489 A CN101803489 A CN 101803489A
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宫泽英明
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Abstract

本发明提供透射·反射带宽、导电性(电磁波屏蔽性)、可见光透射性、防可见光反射性、近红外线屏蔽性及耐湿性良好的导电性层叠体，使用了该导电性层叠体的等离子显示器用电磁波屏蔽体等。该导电性层叠体是包括基体(21)和形成于基体(21)上的导电膜(22)的导电性层叠体(20)，其特征在于，导电膜(22)是从基体(21)侧开始依次交替层叠合计2n+1层[n为1～12的整数]的高折射率层(23a～23e)和金属层(24a～24d)、且在离基体(21)最远的位置还具备碳氢化合物层(25)的多层构造体，高折射率层(23a～23e)的折射率为1.5～2.7，碳氢化合物层(25)含有碳原子和氢原子且氢原子含量为9～50原子％。

Description

导电性层叠体
技术领域
本发明涉及导电性层叠体，被设置在等离子显示面板(以下简称为PDP)的观察者侧、具有屏蔽PDP产生的电磁噪音的电磁波屏蔽性能的PDP用电磁波屏蔽体以及PDP用滤波器。
背景技术
具有透明性的导电性层叠体被用作为液晶显示元件等的透明电极、汽车挡风玻璃、热镜、电磁波屏蔽窗玻璃等。此外，导电性层叠体也被用作为PDP用电磁波屏蔽膜。由于从PDP的前表面发射出电磁波，因此以屏蔽该电磁波为目的在PDP的观察者侧配置在塑料膜等基体上形成有导电膜的电磁波屏蔽膜。
例如，专利文献1中记载了具有作为导电膜的由氧化物层和金属层交替层叠而成的层叠体的PDP用电磁波屏蔽体。但是，现有的PDP用电磁波屏蔽体存在耐湿性和耐指纹擦拭性等方面的问题，因此必须通过粘附剂在导电性层叠体的最表面贴附聚对苯二甲酸乙二酯等塑料膜。所以，在PDP用电磁波屏蔽体的制造中，还要花费工夫在导电性层叠体表面层叠塑料膜，这样工序数就会增加，制造变得复杂，还有成本提高的问题。
此外，已知由低热放射率的透明热反射膜和基板构成的层叠体，该透明热反射膜通过层叠电介质层和金属层并在最表层层叠了厚70nm的碳氢化合物层而制得。但是，所述层叠体存在碳氢化合物层厚、可见光透射率低的问题。
专利文献1：日本专利特开2006-186309号公报
专利文献2：日本专利特开2005-271495号公报
发明的揭示
为了解决所述问题，本发明的目的是提供透射·反射带宽、且导电性(电磁波屏蔽性)、可见光透射性、防可见光反射性、近红外线屏蔽性及耐湿性良好的导电性层叠体、等离子显示器用电磁波屏蔽体。
本发明提供导电性层叠体，它是包括基体和形成于基体上的导电膜的导电性层叠体，该导电性层叠体的特征在于，所述导电膜是从基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n层或2n+1层、且在最远离基体的位置还具备碳氢化合物层的多层构造体，其中，n为1～12的整数，碳氢化合物层含有碳原子和氢原子且氢原子含量为9～50原子％。
此外，本发明提供导电性层叠体的制造方法，该方法是包括在基体的一个表面按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n层或2n+1层的工序以及在最远离基体的位置还形成碳氢化合物层的工序的导电性层叠体的制造方法，其中n为1～12的整数；该方法的特征在于，所述形成碳氢化合物层的工序是使用石墨靶通过溅射法形成碳氢化合物层的工序，或者是通过使用选自CH4、C2H2及C2H4的1种以上的原料气体的化学气相沉积法而形成碳氢化合物层的工序。
本发明的导电性层叠体的导电性(电磁波屏蔽性)、可见光透射性、防可见光反射性及近红外线屏蔽性良好。此外，本发明的导电性层叠体的耐湿性、耐指纹附着性良好，因此无需用塑料膜等保护导电性层叠体的最表面。
附图的简单说明
图1是表示本发明的导电性层叠体的—例的剖视图。
图2是表示本发明的导电性层叠体的一例的剖视图。
图3是表示本发明的导电性层叠体的一例的剖视图。
图4是表示本发明的导电性层叠体的一例的剖视图。
图5是本发明的实施例中的测定接触电阻的试样的俯视图。
图6是图5的试样的电阻值模式图(model)。
图7是表示本发明的等离子显示器用滤波器的一例的剖视图。
符号说明：10、20、30、40、100··导电性层叠体，11、21、31、41··基体，12、22、32、42··导电膜，13a～13d、23a～23e、33a～33e、43a～43e··高折射率层，47a～47e··第一高折射率层，48a～48e··第二高折射率层，14a～14d、24a～24d、34a～34d、44a～44d··金属层，15、25、35、45··碳氢化合物层，36、46··密合层，100··导电性层叠体，101··电极a，102··电极b，103··电极c，104··电极d，200··等离子显示器用滤波器，210··导电性层叠体，211··基体，212··导电膜，220··玻璃基板，230··粘附剂层，240··近红外线吸收粘附剂层，250··防反射膜，260··树脂膜，270··防反射层。
实施发明的最佳方式
(基体)
作为本发明的基体，优选透明基体。本发明中的“透明”是指让可见光范围的波长的光透过，其透射率较好为50％以上，更好为70％以上，进一步更好为90％以上。
作为透明基体的材质，可例举玻璃(包括风冷强化玻璃、化学强化玻璃等强化玻璃)，聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、三乙酰纤维素(TAC)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等塑料等。
作为基体的厚度，较好为0.01mm～10mm，更好为0.08～5mm。基体的材质为玻璃时，优选厚度为0.5～10mm，更优选的厚度为1～5mm。基体的材质为塑料时，优选厚度为0.01～3mm，更优选的厚度为0.05～1mm。
(导电膜)
本发明的导电膜是从基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n层或2n+1层[n为1～12的整数]、且在最远离基体的位置还层叠有碳氢化合物层的多层构造体。为该结构的导电膜时，在最远离基体的金属层的与基体相反侧的表面由于可以仅加厚碳氢化合物层以替代层叠高折射率层，因此可减少层叠数，从制造的简便性方面考虑优选。
导电膜中，较好是设置2～8层的金属层，更好是设置2～6层。即，导电膜中，较好是n＝2～8，更好是n＝2～6。如果金属层为2层以上，则可充分降低电阻值，如果为12层以下，则可进一步抑制导电性层叠体的内部应力增加，如果为8层以下，则可更明显地抑制内部应力增加。
本发明的导电性层叠体中，优选在从所述基体侧开始第2n层的金属层表面再层叠高折射率层合计层叠2n+1层[n为1～12的整数]、然后在离基体最远的位置再层叠了碳氢化合物层的导电膜。该结构的导电膜可减小碳氢化合物层的厚度，因此能够使导电性层叠体的可见光透射率提高，所以优选。
(金属层)
作为金属层，优选含银层。通过使金属层为含银层，可降低导电膜整体的薄膜电阻值。金属层中的银含量较好为90质量％以上，更好为94质量％以上。银含量如果为90质量％以上，则可降低导电膜的薄膜电阻值，因此优选。
从降低导电膜的电阻值的角度考虑，金属层最好为由纯银形成的层。本发明中的“纯银”是指金属层(100质量％)中含有99.9质量％以上的银。
从抑制银的扩散以提高耐湿性的角度考虑，金属层优选为由还含有选自金、铋、钯的1种以上的金属的银合金形成的层。特好的是由含有选自金、铋及钯的1种以上的金属的银合金形成的层。为使金属层的电阻率为6.0μΩcm以下，金属层(100质量％)中选自金、铋及钯的1种以上的金属的合计含量较好为0.2～1.5质量％。
导电膜中的全部金属层的合计膜厚较好为25～100nm。所述合计膜厚更好为25～80nm，进一步更好为25～70nm，特好为30～60nm。金属层的层数如果较多，则各金属层会变薄，这样电阻率就提高。因此，为了降低电阻率，合计膜厚有增加的倾向。
导电膜中的各金属层的膜厚较好是分别为5～25nm，更好是分别为5～20nm，进一步更好是分别为5～17nm，最好是分别为10～17nm。导电膜中的各金属层的膜厚可以全部相同也可以各不相同。
(高折射率层)
导电膜中的高折射率层含有无机化合物。所述无机化合物的折射率较好为1.5～2.7，更好为1.7～2.5，进一步更好为2.0～2.5。本发明中的“折射率”是指波长550nm处的折射率。高折射率层中的所述无机化合物的含有比例较好为90质量％以上，更好为95质量％以上，特好为99质量％以上。导电膜中的高折射率层的折射率为1.5～2.7，较好为1.7～2.5，更好为1.9～2.4。
作为本发明中的无机化合物，优选例举金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物等。
作为金属氧化物，可例举选自锌、钛、铌、钽、铟、锡、铬、铪、锆、镓及镁等金属各自的金属氧化物以及2种以上的所述金属的复合氧化物的1种以上。
作为金属氮化物，可例举选自硅及铝等金属各自的金属氮化物以及2种以上的所述金属的复合氮化物的1种以上。
作为金属硫化物，可例举选自锌、铅及镉等金属各自的金属硫化物以及2种以上的所述金属的复合硫化物的1种以上。
作为本发明的高折射率层包含的无机化合物，优选金属氧化物。如果为金属氧化物，则可提高可见光的透射率，因此优选。
高折射率层较好是作为金属氧化物以氧化锌为主成分的层，特好是作为主成分含有2.3以上的高折射率金属氧化物和氧化锌的层(以下也称为含氧化锌层)。含氧化锌层较好是含有合计90质量％以上的折射率2.3以上的高折射率金属氧化物和氧化锌，更好是含有95质量％以上，特好是含有99质量％以上。高折射率层中的氧化锌含量较好为50质量％以上，更好为70～90质量％。
折射率2.3以上的高折射率金属氧化物中，由于选自氧化钛(折射率2.5)及氧化铌(折射率2.4)的1种以上的金属氧化物能够进一步加宽反射带，因此优选。
高折射率金属氧化物的存在可提高含氧化锌层的折射率，可加宽导电膜的透射·反射带。含氧化锌层中，高折射率金属氧化物的金属原子的含有比例相对于该金属原子和锌原子的合计量较好为1～50原子％，特好为5～20原子％。在该范围内时，可在保持透射·反射带的宽度的同时获得耐湿性良好的导电膜。其理由虽然还不明确，可能是在以上的范围内时可保持氧化锌的良好物性的同时能够缓解高折射率层和金属层的应力的缘故。
在无损物性的范围内，高折射率层中可含有氧化锌、氧化钛及氧化铌以外的金属氧化物。例如为了赋予导电性可混合氧化镓、氧化铟、氧化铝、氧化镁等。
高折射率层的物理膜厚(以下简称为膜厚)较好是：离基体最近的高折射率层和离基体最远的高折射率层为20～60nm(特好为30～50nm)，除此以外的高折射率层为40～120nm(特好为40～100nm)。高折射率层可以由各自单独一层的均一的层构成，也可以是2层以上层叠而成的多层构成的层。
作为多层构成的高折射率层，例如为从基体侧开始按照第一高折射率层/第二高折射率层的顺序层叠的2层构成的层时，作为第一高折射率层，较好是含有氧化铌、氧化钛等金属氧化物的第一高折射率层整体的折射率在2.3以上。金属层为含银层时，作为第二高折射率层，较好是作为主成分含有氧化锌的层，更好为所述含氧化锌层。此时，最好在第二高折射率层中的与基体相反侧的面上直接接触地层叠金属层。以氧化锌为主成分的物质的晶体结构与构成金属层的银的晶体结构近似。因此，如果在以氧化锌为主成分的材料形成的第二高折射率层上直接层叠银，则可获得由结晶性高的银形成的金属层。结晶性良好的银由于电阻率较小，因此可减小金属层的电阻率，这样就能够使用于获得所要的薄膜电阻值的金属层的厚度减薄。如果能够减薄金属层的厚度，则能够提高导电性层叠体的可见光透射率，因此优选。另外，如果金属层中的银的结晶性良好，则可减少银迁移的发生。第二高折射率层采用以氧化锌为主成分的材料可抑制银的迁移，从而维持第二高折射率层和金属层的密合性。由于可维持密合性，因此可抑制水分向界面的侵入，使得银的耐湿性变好，所以优选。
第一高折射率层的厚度较好是：离基体最近的第一高折射率层为20～60nm(特好为30～50nm)，除此以外的第一高折射率层为40～120nm(特好为40～100nm)。第二高折射率层的厚度较好为1～20nm，更好为2～10nm，进一步更好为3～6nm。
本发明的高折射率层的构成、材料可以全部相同也可以各不相同。另外，本发明的高折射率层的膜厚可以全部相同也可各不相同。
(碳氢化合物层)
碳氢化合物层含有碳原子和氢原子，碳氢化合物层中的氢原子含量为9～50原子％。氢原子含量较好为15～50原子％，更好为20～48原子％，进一步更好为25～45原子％。
氢原子含量如果超过50原子％，则生成聚合物DLC，机械耐久性可能会大幅度下降。氢原子含量如果为9原子％以上，则可提高可见光透射率，因此优选。本发明的碳氢化合物层中的氢原子含量如果少，则sp2键增加，光学能隙变窄，因此可见光范围的光吸收增加。其结果是，本发明的导电性层叠体的光透射率(日文：視感透過率)下降。如果氢原子含量不足9原子％，则本发明的导电性层叠体的光透射率可能会低于60％。如果本发明的导电性层叠体的光透射率低于60％，则将本发明的导电性层叠体用于显示器用滤波器，特别是等离子显示器用滤波器的用途时，进行滤波器整体的色调修正等设计时的自由度减少，因此不理想。
碳氢化合物层的厚度较好为1～60nm。
本发明的导电膜从基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n层[n为1～12的整数]时，碳氢化合物层的厚度较好为20～60nm，更好为30～50nm。此时，碳氢化合物层具有与高折射率层同样的功能，有利于提高导电性层叠体的光学特性(光透射率的提高、可见光反射率的降低)。
另外，本发明的导电膜从基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n+1层[n为1～12的整数]时，碳氢化合物层的厚度较好为2～15nm，更好为3～10nm。此时，可减薄碳氢化合物层的厚度。因此，能够提高导电性层叠体的可见光透射率，因此优选。
(密合层)
为了提高本发明的导电性层叠体的机械耐久性，最好还在碳氢化合物层的基体侧的面直接接触地层叠密合层。密合层是指由与碳氢化合物层、高折射率层及金属层直接接触地层叠时密合性良好不易剥离的材质形成的层。作为密合层的材质，较好例举含有Sn、In、Ti、Si、Ga等金属的氧化物或氮化物的膜等。本发明的导电膜为从基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n+1层、在离基体最远的位置还具备碳氢化合物层、且高折射率层是含有氧化锌作为主成分的层的多层构造体时，密合层更好为含Sn氧化物的膜。特好为铟-锡氧化物(ITO)膜、镓-铟-锡氧化物(GIT)膜。
通过将密合层设置于碳氢化合物层的基体侧，密合层和碳氢化合物层的密合性良好，因此碳氢化合物层不会被剥离，所得的导电性层叠体的机械耐久性良好。另外，通过设置密合层，还可获得本发明的导电性层叠体的耐化学品性提高的效果。另外，由于密合层不易通过水分，可防止水分向导电性层叠体的高折射率层或金属层的扩散和浸透，因此导电性层叠体的耐湿性提高，因此优选。即，通过设置密合层，导电性层叠体的水分扩散的时间常数增加，因此优选。
密合层的膜厚较好为2～30nm，更好为3～20nm。
(其它层)
在无损导电膜的性能的范围内，本发明的导电膜中可掺入其它层。作为用于其它层的材料，可例举有机化合物及折射率低于1.5或超过2.5的无机化合物等。
(导电性层叠体的制造方法)
作为导电膜的形成方法，可例举例如溅射法、真空蒸镀法、离子电镀法、化学气相沉积法等。溅射法由于品质、特性的稳定性良好，因此优选。作为溅射法，可例举例如脉冲溅射法、AC溅射法等。
特别是作为碳氢化合物层的形成方法，优选例举AC溅射法、化学气相沉积法。AC溅射法由于电流方向发生周期性变化，因此电荷不易滞留于被处理物，可防止成膜时的发弧(arcing)所导致的膜缺陷的产生。另外，AC溅射法中，可利用存在于被处理物附近的等离子流形成致密的膜，因此优选。
作为化学气相沉积法，可例举磁控管等离子CVD法、LIS(直线离子源(Linear Ion Source))-CVD法等。
磁控管等离子CVD法是在腔中配置阴极(碳靶等)和被处理物，通过对阴极施加高频(13.56MHz或27.12MHz)使得阴极负偏置，产生等离子。然后，同时流过原料气体(选自CH4、C2H2及C2H4的1种以上的气体)，该气体被等离子分解，在被处理物表面形成碳氢化合物层。此时，将磁路等磁石装于阴极，产生磁力线，该磁力线到达被处理物表面。利用被磁通捕集的电子在被处理物表面附近引发磁控放电，加快成膜速度。所述磁力线较好为100G～1000G，更好为300G～500G。磁力线如果在100G以上，则可充分加快成膜速度，因此优选。在1000G以下时等离子强度不会过大，不易引起热对被处理物的损伤，因此优选。
LIS-CVD法是通过向LIS导入原料气体(选自CH4、C2H2及C2H4的1种以上的气体)来形成碳氢化合物层的方法。LIS是直线离子源的简称，配置阳极和阴极，在阳极和阴极间施加DC偏压使等离子产生。向其导入原料气体，原料气体被分解，在高折射率层表面形成碳氢化合物层。LIS-CVD法中由于采用离子束，因此可形成致密的碳氢化合物层，可获得机械强度优良的膜，因此优选。
利用溅射法形成导电膜时可如下进行。以下例举的制造方法为本发明的导电性层叠体的制造方法的一例，本发明并不限定于此。
(i)导入氧气和氩气的混合气体的同时，使用含金属氧化物的靶在基体表面进行脉冲溅射，形成高折射率层。
(ii)在导入氩气的同时，使用银靶或银合金靶进行脉冲溅射，形成金属层。
(iii)将所述(i)、(ii)的操作合计重复n次，最后以与(i)同样的操作形成高折射率层。
(iv)导入氢气和氩气的混合气体的同时，在最后形成的高折射率层的表面用石墨靶进行脉冲溅射，形成碳氢化合物层。
所述(iv)中，氢气和氩气的混合气体中的氢气含量较好为5～60体积％，更好为15～40体积％。在该范围内时可使所得的碳氢化合物层中的氢原子含量达到所要的量，因此优选。
作为形成所述高折射率层的靶的材质，可例举选自锌、钛、铌、钽、铟、锡、铬、铪、锆、镓及镁等金属各自的金属氧化物以及2种以上的所述金属的复合氧化物的1种以上。特别优选含有2.3以上的高折射率金属氧化物和氧化锌为主成分的靶(以下称为含氧化锌靶)。较好是含氧化锌靶中折射率2.3以上的高折射率金属氧化物和氧化锌合计含有90质量％以上，更好是含有95质量％以上，特好是含有99质量％以上。
折射率2.3以上的高折射率金属氧化物中，由于选自氧化钛(折射率2.5)及氧化铌(折射率2.4)的1种以上的金属氧化物能够进一步加宽反射带，因此优选。
作为靶，也可使用由选自硅、铝、锌、铅及镉的1种以上的金属形成的靶。这种情况下，在导入氩气和氧气的同时进行反应性溅射，藉此可形成高折射率层。
所述制造方法中，作为(iv)的碳氢化合物层的形成工序，还可例举以下所示的(iv)-2、(iv)-3的方法。
(iv)-2
通过磁控管等离子CVD法形成碳氢化合物层。具体例如按照如下工序进行。通过对阴极施加高频(13.56MHz或27.12MHz)使得阴极负偏置，产生等离子。然后，同时流过原料气体(选自CH4、C2H2及C2H4的1种以上的气体)，该气体被等离子分解，在高折射率层表面形成碳氢化合物层。此时，将磁路等磁石装于阴极，产生磁力线。
(iv)-3
通过LIS-CVD法形成碳氢化合物层。具体例如按照如下工序进行。向阳极施加直流电压1kV(DC)，同时向LIS内部流过50sccm的原料气体(选自CH4、C2H2及C2H4的1种以上的气体)，该气体被等离子分解，在高折射率层表面形成碳氢化合物层。
(导电性层叠体)
参照附图对本发明的导电性层叠体进行说明，但本发明并不限定于此。
图1是表示采用从基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n层而得的导电膜的本发明的导电性层叠体的一例的简单剖视图。导电性层叠体10大致由基体11和设置于该基体11上的导电膜12构成。导电膜12是从基体11侧开始依次为高折射率层13a/金属层14a/高折射率层13b/金属层14b/高折射率层13c/金属层14c/高折射率层13d/金属层14d/碳氢化合物层15的构成的层叠体。图1中是n＝4时的构成，在n＝4以外的情况下，通过改变高折射率层和金属层的层叠次数，可制得n值不同的导电层层叠体。
图2是表示采用从基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n+1层而得的导电膜的本发明的导电性层叠体的一例的简单剖视图。导电性层叠体20大致由基体21和设置于该基体21上的导电膜22构成。导电膜22是从基体21侧开始依次为高折射率层23a/金属层24a/高折射率层23b/金属层24b/高折射率层23c/金属层24c/高折射率层23d/金属层24d/高折射率层23e/碳氢化合物层25的构成的层叠体。这种情况下，离基体最近的高折射率层23a和离基体最远的高折射率层23e的厚度较好为20～60nm(特好为30～50nm)。利用该构成，能够获得耐湿性和光学特性俱佳的导电性层叠体。这里，所述光学特性是指可提高可见光透射率、降低可见光反射率且可在较宽的波长范围内减少可见光的反射。
图3是表示采用从基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n+1层而得的导电膜、且还具备密合层的本发明的导电性层叠体的一例的简单剖视图。导电性层叠体30大致由基体31和设置于该基体31上的导电膜32构成。导电膜32是从基体31侧开始依次为高折射率层33a/金属层34a/高折射率层33b/金属层34b/高折射率层33c/金属层34c/高折射率层33d/金属层34d/高折射率层33e/密合层36/碳氢化合物层35的构成的层叠体。该构成和图2的构成相比还加入了密合层36。通过设置密合层36，可使导电性层叠体30的机械耐久性、耐湿性、耐化学品性更佳。
图4是表示采用从基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n+1层而得的导电膜、且从基体开始第1～n层的高折射率层由2层构成、从基体开始第n+1层的高折射率层由1层构成、还具备密合层的本发明的导电性层叠体的一例的简单剖视图。导电性层叠体40大致由基体41和设置于该基体41上的导电膜42构成。导电膜42是从基体41侧开始依次为第一高折射率层47a/第二高折射率层48a/金属层44a/第一高折射率层47b/第二高折射率层48b/金属层44b/第一高折射率层47c/第二高折射率层48c/金属层44c/第一高折射率层47d/第二高折射率层48d/金属层44d/第一高折射率层47e/密合层46/碳氢化合物层45的构成的层叠体。
本发明的导电性层叠体的光透射率较好为60％以上，更好为65％以上。在PDP用滤波器使用本发明的导电性层叠体时，为了进行PDP滤波器整体的色调设计，还必须用吸收可见光的染料等进行色调修正。进行色调修正时，必须充分提高色调修正前的PDP用滤波器的光透射率。这样就不会因为色调修正用染料的添加而导致PDP用滤波器的光透射率过分下降。为了提高PDP用滤波器的色调修正的自由度，本发明的导电性层叠体的光透射率越高越好。本发明的导电性层叠体的光透射率达到60％以上时，可充分确保PDP用滤波器的色调修正的自由度。因此优选。光透射率为65％以上时，滤波器整体的色调设计的自由度更大，因此更优选。
本发明的导电性层叠体的波长850nm处的透射率较好为5％以下，更好为2％以下。
本发明的导电性层叠体的电阻值较好为0.4～3.5Ω/□，更好为0.6～2.5Ω/□，进一步更好为0.7～1.5Ω/□。电阻值在所述范围内可充分确保电磁波屏蔽性和可见光透射性。
另外，本发明的导电性层叠体中的导电膜的表面的接触电阻较好为0.25～0.6Ω，更好为0.3～0.5Ω。该接触电阻为0.6Ω以下时，接触电阻所造成的本发明的导电性层叠体的电磁波屏蔽的下降可在4dB以下，因此优选。接触电阻越低越好，但从技术极限的角度考虑，下限值较好为0.25Ω。
(用途)
本发明的导电性层叠体的导电性(电磁波屏蔽性)、可见光透射性及近红外线屏蔽性良好且层叠于玻璃等支承基体时透射·反射带变宽，因此可用作为PDP用电磁波屏蔽体。
另外，本发明的PDP用滤波器具有所述PDP用电磁波屏蔽体，还可包含具有其它功能的层。其它功能可例举例如防可见光反射层、色调修正层、近红外线吸收层和硬质涂层等。
本发明的PDP用电磁波屏蔽体由于在最表面层叠有碳氢化合物层，因此耐湿性和耐指纹附着性良好。因此，具有PDP用电磁波屏蔽体的PDP用滤波器无需在导电膜表面贴附用于保护导电性层叠体不受到湿气等的影响的PET膜等塑料膜，所以可减少膜的贴合数。藉此，能够减少PDP用滤波器的制造时的工序，可降低成本。
以下，参照附图对本发明的PDP用滤波器的一例进行说明，但本发明并不限定于此。
图7是介以粘附剂层230将导电性层叠体210配置于玻璃基板220的一个表面。导电性层叠体210中的基体211和玻璃基板220相向地配置。介以由含近红外线吸收染料的粘附剂形成的近红外线吸收粘附剂层240，将由树脂膜260和防反射层270构成的防反射膜250配置在玻璃基板210的另一表面。防反射膜250中的树脂膜260和玻璃基板220相向地配置。作为树脂膜260，可采用与基体211同样的材质和厚度的膜。防反射层270可例举由高折射率材料的薄膜和低折射率材料的薄膜交替层叠而得的层叠体、由低折射率材料形成的层等。作为由低折射率材料形成的层，可例举由含氟丙烯酸树脂等含氟树脂形成的层、含硅原子的化合物的层等。在PDP的观察者侧，该PDP用滤波器中的导电性层叠体210和PDP相向地配置。
本发明的导电性层叠体210在离基体211最远的位置，即最表面配置了碳氢化合物层，因此即使不再在导电膜212的表面贴附树脂膜等保护膜，也能够防止湿气等造成的导电性层叠体中的银的劣化等。
本发明的导电性层叠体可在导电膜表面和电极或密封垫片(gasket)等接地用零部件间获得导通。因此，如图7所示，通过形成为导电膜212被配置在最表面的PDP用滤波器，能够简便地获得与PDP装置主体的接地导通。
本发明的导电性层叠体可用作为液晶显示元件等的透明电极。该透明电极由于表面电阻低因此响应性良好，由于反射率下降因此视觉辨认度良好。
另外，本发明的导电性层叠体可以用作为汽车挡风玻璃。通过向导电膜通电，该汽车挡风玻璃可以发挥防雾或融冰的功能，并且，由于电阻低，因此通电中所需的电压低，另外，反射率降低，因此不会损害驾驶者的视觉辨认度。
此外，本发明的导电性层叠体在红外线范围内的反射率非常高，因此可以用作为设置于建筑物窗户等的热镜。
此外，本发明的导电性层叠体的电磁波屏蔽效果好，因此可以用作防止从电气·电子设备放射的电磁波漏到室外且防止影响电气·电子设备的电磁波从室外侵入到室内的电磁波屏蔽窗玻璃。
实施例
以下通过实施例对本发明进行详细说明，但本发明并不限定于此。
例1、例3～8为实施例，例2为比较例。
(碳氢化合物层中的氢原子含量的测定)
用扫描型俄歇(Auger)电子光谱装置(珀金埃尔默(Perkin-Elmer)公司制装置名：PHI4300改进型)和静电半球型检测器(欧米克朗(Omicron)公司制EA125)测定碳氢化合物层中的氢浓度。
(耐湿热性试验)
将导电性层叠体切成100mm×100mm的尺寸，以形状的稳定性为目的介以粘附剂层将基体侧贴附于100mm×100mm、厚1.8mm的钠钙玻璃板。将该贴附有导电性层叠体的玻璃板在温度60℃湿度90％RH的恒温恒湿槽(雅玛特(ヤスト)科学株式会社制，装置名：IG420)中保持500小时，取出后计数导电性层叠体10表面的缺陷数。
(光透射率的测定)
通过色彩分析仪(东京电色公司制，装置名：TC1800)测定导电性层叠体的光透射率(JIS Z 8701中规定的刺激值Y)。
(机械耐久性试验)
将导电性层叠体切成100mm×100mm的尺寸，以形状的稳定性为目的介以粘附剂层将基体侧贴附于100mm×100mm、厚1.8mm的钠钙玻璃板。利用平面摩擦试验机(涂敷试验机(コ一テイングテスタ一)工业株式会社制，装置名：821)对该玻璃板的导电性层叠体侧表面施加500g荷重的同时，用白绒布以1分钟内往复17次的速度在表面上以同一方向摩擦200次。测定贴附于该玻璃板的导电性层叠体上的损伤痕迹的大小。
(接触电阻试验)
将导电性层叠体切成100mm×100mm的尺寸，以形状的稳定性为目的介以粘附剂层将基体11侧贴附于100mm×100mm、厚1.8mm的钠钙玻璃板。将银糊(太阳油墨制造株式会社制，商品名：AF4810)以图5的形状通过丝网印刷涂敷在贴附于该玻璃板的导电性层叠体表面，用热风循环炉于85℃干燥35分钟，形成电极a101、电极b102、电极c103、电极d104。
然后，测定图5的电极a101和电极b间的电阻R(a-b)。另外，测定电极b和电极c间的电阻R(b-c)。图5中，将电极(银糊)和层叠体间的接触电阻设为R1、将电极a-b间的导电性层叠体的电阻设为R2、将电极b-c间的导电性层叠体的电阻设为R3时，由电极间的距离确立R3＝5R2的关系。由以上结果可计算R1＝{5R(a-b)-R(b-c)}/8。利用该关系式可算出导电性层叠体和银糊的接触电阻。
[例1]
图3所示的导电性层叠体30如下制作。
首先，以洗涤作为基体31的厚100μm的PET膜的表面为目的的利用离子束的干式洗涤如下进行。首先在氩气中混入约30％的氧气，投入100W的功率。向基体表面照射通过离子束源被离子化的氩离子及氧离子。
然后，对经过干式洗涤处理的基体表面，用氧化锌和氧化钛混合靶[氧化锌∶氧化钛＝80∶20(质量比)]，在氩气中混入10体积％的氧气并导入，在0.73Pa的压力下进行频率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反转脉冲宽度2μ秒的脉冲溅射，形成厚度35nm、折射率2.1的高折射率层33a。利用卢瑟福后方散射法进行测定，结果是该高折射率层33a中，锌和钛的合计(100原子％)中锌为80原子％，钛为20原子％。另外，高折射率层33a中，全部原子合计(100原子％)中，锌为34.3原子％、钛为8.0原子％、氧为57.7原子％。如果换算成ZnO和TiO2，则氧化物合计为96.7质量％。
然后，用掺杂有1.0质量％金的银合金靶，导入氩气，在0.73Pa的压力下进行频率50kHz、功率密度2.3W/cm2、反转脉冲宽度10μ秒的脉冲溅射，形成厚度9nm的金属层34a。
然后，用氧化锌和氧化钛混合靶[氧化锌∶氧化钛＝80∶20(质量比)]，在氩气中混入10体积％的氧气并导入，在0.73Pa的压力下进行频率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反转脉冲宽度2μ秒的脉冲溅射，形成厚度70nm的氧化锌氧化钛混合膜(折射率2.1)。由此获得的氧化锌氧化钛混合膜构成高折射率层33b。
然后，用掺杂有1.0质量％金的银合金靶，导入氩气，在0.73Pa的压力下进行频率50kHz、功率密度2.3W/cm2、反转脉冲宽度10μ秒的脉冲溅射，形成厚度11nm的金属层34b。
然后，用氧化锌和氧化钛混合靶[氧化锌∶氧化钛＝80∶20(质量比)]，在氩气中混入10体积％的氧气并导入，在0.73Pa的压力下进行频率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反转脉冲宽度2μ秒的脉冲溅射，形成厚度70nm的氧化锌氧化钛混合膜(折射率2.1)。由此获得的氧化锌氧化钛混合膜构成高折射率层33c。
然后，用掺杂有1.0质量％金的银合金靶，导入氩气，在0.73Pa的压力下进行频率50kHz、功率密度2.3W/cm2、反转脉冲宽度10μ秒的脉冲溅射，形成厚度14nm的金属层34c。
然后，用氧化锌和氧化钛混合靶[氧化锌∶氧化钛＝80∶20(质量比)]，在氩气中混入10体积％的氧气并导入，在0.73Pa的压力下进行频率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反转脉冲宽度2μ秒的脉冲溅射，形成厚度70nm的氧化锌氧化钛混合膜(折射率2.1)。由此获得的氧化锌氧化钛混合膜构成高折射率层33d。
然后，用掺杂有1.0质量％金的银合金靶，导入氩气，在0.73Pa的压力下进行频率50kHz、功率密度2.3W/cm2、反转脉冲宽度10μ秒的脉冲溅射，形成厚度14nm的金属层34d。
然后，用氧化锌和氧化钛混合靶[氧化锌∶氧化钛＝80∶20(质量比)]，在氩气中混入10体积％的氧气并导入，在0.73Pa的压力下进行频率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反转脉冲宽度2μ秒的脉冲溅射，形成厚度30nm的氧化锌氧化钛混合膜(折射率2.1)。由此获得的氧化锌氧化钛混合膜构成高折射率层33e。
然后，用氧化镓、氧化铟及氧化锡混合靶(旭硝子陶瓷株式会社制，GIT靶)，导入氩气中混有8体积％的氧气的气体，在0.53Pa的压力下进行频率50kHz、功率密度1.5W/cm2、反转脉冲宽度1μ秒的脉冲溅射，形成厚度5nm的密合层36。
然后，用石墨靶[东洋碳株式会社制商品名：IG-510U]，导入氩气和氢气的混合气体，在0.20Pa的压力下进行频率100kHz、功率密度2.5W/cm2、反转脉冲宽度4.5μ秒的脉冲溅射，形成厚度5nm的碳氢化合物层35。气体中的氢气含量为30体积％。
藉此，获得在基体31上交替层叠了含有氧化钛和氧化锌作为主成分的高折射率层33a～33e和由金-银合金形成的金属层34a～34d、在高折射率层33e表面还依次层叠了密合层36和碳氢化合物层35的导电性层叠体30。
对于所得导电性层叠体，进行碳氢化合物层中的氢原子含量测定、耐湿热性试验、光透射率的测定、机械耐久性的测定、接触电阻的测定。结果示于表1。
[例2]
除了未设置碳氢化合物层35，且离基体最远的高折射率层33e的厚度改为35nm以外，与例1同样操作，制得导电性层叠体。
对于所得导电性层叠体，进行碳氢化合物层中的氢原子含量测定、耐湿热性试验、光透射率的测定、机械耐久性的测定、接触电阻的测定。结果示于表1。
[例3]
除了碳氢化合物层35成膜时导入的气体改为氢气含量为10体积％的氩气和氢气的混合气体以外，与例1同样操作，形成导电性层叠体30。
对于所得导电性层叠体，进行碳氢化合物层中的氢原子含量测定、耐湿热性试验、光透射率的测定、机械耐久性的测定、接触电阻的测定。结果示于表1。
[例4]
除了未设置密合层36以外，与例1同样操作，形成导电性层叠体。
对于所得导电性层叠体，进行碳氢化合物层中的氢原子含量测定、耐湿热性试验、光透射率的测定、机械耐久性的测定、接触电阻的测定。结果示于表1。
[例5]
除了碳氢化合物层35的成膜方法由脉冲溅射改为AC溅射以外，与例1同样操作，形成导电性层叠体30。AC溅射是导入氩气和氢气的混合气体，在0.2Pa的压力下以25.0kHz的频率在每1个阴极的功率密度为3.94W/cm2的条件下进行溅射，形成了厚5nm的碳氢化合物层35。所述混合气体中的氢气含量为20体积％。
对于所得导电性层叠体，进行碳氢化合物层中的氢原子含量测定、耐湿热性试验、光透射率的测定、机械耐久性的测定、接触电阻的测定。结果示于表1。
[例6]
除了碳氢化合物层35的成膜方法由脉冲溅射改为AC溅射以外，与例1同样操作，形成导电性层叠体30。氢气AC溅射是导入氩气和氢气的混合气体，在0.2Pa的压力下以25.0kHz的频率在每1个阴极的功率密度为3.94W/cm2的条件下进行溅射，形成了厚5nm的碳氢化合物层35。所述混合气体中的氢气含量为30体积％。
对于所得导电性层叠体，进行碳氢化合物层中的氢原子含量测定、耐湿热性试验、光透射率的测定、机械耐久性的测定、接触电阻的测定。结果示于表1。
[例7]
除了碳氢化合物层35的成膜方法由脉冲溅射改为磁控管等离子CVD法以外，与例1同样操作，形成导电性层叠体30。磁控管等离子CVD法中作为阴极使用石墨靶[东洋碳株式会社制商品名：IG-15]，将磁路装于阴极，产生400G的磁力线。使用C2H4气体作为原料气体，以压力2Pa、功率450W、频率13.56MHz的条件来实施。
对于所得导电性层叠体，进行碳氢化合物层中的氢原子含量测定、耐湿热性试验、光透射率的测定、机械耐久性的测定、接触电阻的测定。结果示于表2。
[例8]
除了碳氢化合物层35的成膜方法用LIS-CVD法(原料气体：C2H4，压力：0.08Pa，功率：120W)替代脉冲溅射且厚度改为3nm以外，与例1同样操作，形成导电性层叠体30。
对于所得导电性层叠体，进行碳氢化合物层中的氢原子含量测定、耐湿热性试验、光透射率的测定、机械耐久性的测定、接触电阻的测定。结果示于表2。
例1、例5、例6、例7、例8的导电性层叠体的光透射率、耐湿热性、机械耐久性和接触电阻都很好。例3的导电性层叠体由于碳氢化合物层中的氢量为10.1原子％，因此光透射率略差，但耐湿热性、机械耐久性和接触电阻良好。例3中，碳氢化合物层中的氢原子含量为10.1原子％，较少，因此光透射率为62.5％的较低值，但由于其光透射率在60％以上，因此用于等离子显示器用滤波器时可确保色调修正的自由度。例1及4～8的导电性层叠体的光透射率超过65％，因此可进一步充分确保色调修正的自由度。氢原子含量如果不足9％，则导电性层叠体的光透射率可能会低于60％，因此将该导电性层叠体用于等离子显示器用滤波器时，色调设计的自由度几乎消失。
例4的导电性层叠体不具有密合层，因此易发生高折射率层和碳氢化合物层的界面的剥离，机械耐久性略差，但光透射率、耐湿热性和接触电阻良好。例2的导电性层叠体不具有碳氢化合物层，因此耐湿热性和机械耐久性差。
[表1]
  溅射法   H2浓度(体积％)   膜中氢量(原子％)   密合层   耐湿热性(个)   Tv(％)  损伤痕迹大小(μm)   接触电阻(Ω)
  例1   30   29.8   有   0   68.8   无痕迹   0.35
  例2   -   -   无   11   70.9   31   0.20
  溅射法   H2浓度(体积％)   膜中氢量(原子％)   密合层   耐湿热性(个)   Tv(％)  损伤痕迹大小(μm)   接触电阻(Ω)
  例3   10   10.1   有   0   62.5   无痕迹   0.35
  例4   30   29.6   无   0   69.6   18   0.32
  例5   20   39.2   有   0   69.6   无痕迹   0.32
  例6   30   43.9   有   0   70.8   无痕迹   0.34
[表2]
 CVD法   C2H4浓度(体积％)   膜中氢量(原子％)   密合层   耐湿热性(个)   Tv(％)  损伤痕迹大小(μm)   接触电阻(Ω)
 例7   100   43.7   有   0   68.8   无痕迹   0.34
 例8   100   25.7   有   0   71.6   无痕迹   0.33
表中用语分别表示如下含义。
[H2密度]：通过溅射法形成碳氢化合物层时的气体中的氢气含量。
[膜中氢量]：碳氢化合物层中的氢原子含量。
[密合层]：耐湿热性试验中的缺陷个数。
[Tv]：光透射率。
[损伤痕迹大小]：机械耐久性试验中测得的损伤痕迹的大小。
[接触电阻]：接触电阻试验中测得的接触电阻。
[C2H4浓度]：通过CVD法形成碳氢化合物层时的原料气体中的乙烯气体含量。
产业上利用的可能性
本发明的导电性层叠体的导电性(电磁波屏蔽性)、可见光透射性和近红外线屏蔽性良好，且层叠于支承基体时，由于透射·反射带变宽，因此可用作为PDP用电磁波屏蔽膜、PDP用滤波器。另外，本发明的导电性层叠体可用作为液晶显示元件等的透明电极、汽车挡风玻璃、热镜、电磁波屏蔽窗玻璃等。
这里引用2007年9月19日提出申请的日本专利申请2007-242795号的说明书、权利要求书、附图及摘要的全部内容作为本发明的说明书的揭示。

Claims (11)

1.导电性层叠体，它是包括基体和形成于基体上的导电膜的导电性层叠体，其特征在于，
所述导电膜是从所述基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n层或2n+1层、且在最远离基体的位置还具备碳氢化合物层的多层构造体，其中，n为1～12的整数，
所述高折射率层的折射率为1.5～2.7，
所述碳氢化合物层含有碳原子和氢原子且所述碳氢化合物层中的氢原子含量为9～50原子％。
2.如权利要求1所述的导电性层叠体，其特征在于，密合层与碳氢化合物层的基体侧表面直接接触地配置。
3.如权利要求2所述的导电性层叠体，其特征在于，
导电膜是从基体侧开始按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n+1层、且在最远离基体的位置还具备碳氢化合物层的多层构造体，其中，n为1～12的整数，
高折射率层是以氧化锌为主成分的层，
密合层是含Sn氧化物的膜。
4.如权利要求1～3中任一项所述的导电性层叠体，其特征在于，金属层是含银层。
5.如权利要求1～4中任一项所述的导电性层叠体，其特征在于，碳氢化合物层的厚度为1～60nm。
6.如权利要求1～5中任一项所述的导电性层叠体，其特征在于，光透射率为60％以上。
7.等离子显示器用电磁波屏蔽体，其特征在于，具备权利要求1～6中任一项所述的导电性层叠体。
8.等离子显示器用滤波器，其特征在于，具备权利要求7所述的等离子显示器用电磁波屏蔽体。
9.导电性层叠体的制造方法，该方法是包括在基体的一个表面按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n层或2n+1层的工序以及在最远离基体的位置还形成碳氢化合物层的工序的导电性层叠体的制造方法，其中，n为1～12的整数，
其特征在于，所述形成碳氢化合物层的工序是用石墨靶进行溅射的工序。
10.如权利要求9所述的导电性层叠体的制造方法，其特征在于，所述用石墨靶进行溅射的工序在供给含氢气的气体的同时进行溅射，所述气体中的氢气含量为5～60体积％。
11.导电性层叠体的制造方法，该方法是包括在基体的一个表面按照高折射率层和金属层的顺序交替层叠合计2n层或2n+1层的工序以及在最远离基体的位置还形成碳氢化合物层的工序的导电性层叠体的制造方法，其中，n为1～12的整数，
其特征在于，所述形成碳氢化合物层的工序是通过使用选自CH4、C2H2及C2H4的1种以上的原料气体的化学气相沉积法而形成碳氢化合物层的工序。
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