JP7298078B2

JP7298078B2 - 反射防止膜付透明基体

Info

Publication number: JP7298078B2
Application number: JP2022057144A
Authority: JP
Inventors: 健輔藤井
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2017-01-16
Filing date: 2022-03-30
Publication date: 2023-06-27
Anticipated expiration: 2038-01-15
Also published as: US10551740B2; CN114734690B; CN108312655A; JP7052361B2; US20180203354A1; JP2018115105A; DE102018000306A1; JP2022087162A; CN114734690A; CN108312655B

Description

本発明は、反射防止膜付透明基体に関する。

意匠性の観点から、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のような画像表示装置の前面にカバーガラスを設置することが増えている。画面への外光の映り込み防止のために、かかるカバーガラスに反射防止膜を設置していることが多い。

画像表示装置とカバーガラスとは、光学的透明な粘着剤（ＯＣＡ）や、ＵＶ硬化樹脂等の光学的透明な樹脂（ＯＣＲ）を用いて接着するが、画像表示装置の明所コントラストを向上させるため、画像表示装置と接着層との界面からの反射も抑制することが望ましい。

反射防止膜に光吸収能を付与することで画像表示装置と接着層との界面からの反射を抑制できる。光吸収能が付与された反射防止膜は、たとえば、特許文献１に開示されている。特許文献１に記載の光吸収性反射防止体では、基体上に、基体側から、光吸収膜、可視光に対し実質的に透明な誘電体膜がこの順に形成されている。
画像表示装置の表示面には、タッチパネルの機能を付与することが求められる場合もあるが、特許文献１に記載の光吸収性反射防止体の光吸収膜は、金、銅、あるいはそれらの合金を含有し導電性を有するため、タッチパネルの機能を付与できない。

また画像品質の観点から、カバーガラスの透過光が黄色みを帯びないことが好ましい。

特開平１０－９６８０１号公報

本発明は、光吸収能を有し、絶縁性であり、かつ、透過光が黄色みを帯びることがない反射防止膜付透明基体を提供することを目的とする。

本発明の一態様の反射防止膜付透明基体は、二つの主面を有する透明基体及び該透明基体の一方の主面に形成された反射防止膜を有する反射防止膜付透明基体であって、視感透過率が２０～８５％であり、Ｄ６５光源下の透過色でｂ^＊値が５以下であり、前記反射防止膜の視感反射率が１％以下であり、前記反射防止膜のシート抵抗が１０^４Ω／□以上であることを特徴とする。

本発明の一態様の反射防止膜付透明基体において、前記反射防止膜は、互いに屈折率が異なる誘電体層を少なくとも２層以上積層させた積層構造であり、前記積層構造の各誘電体層は、主として、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｎ、およびＩｎからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物、あるいは、ＳｉおよびＡｌからなる群から選択される少なくとも１つの窒化物で構成されており、前記積層構造の反射防止膜のうち少なくとも１層には、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃ、ＴｉＣ、ＳｉＣ、ＴｉＮ、およびＣｒＮからなる群から選択される少なくとも１つの微粒子が分散していることが好ましい。

本発明の一態様の反射防止膜付透明基体において、前記反射防止膜は、互いに屈折率が異なる層を少なくとも２層以上積層させた積層構造であり、前記積層構造の層のうち少なくとも１層が、主として、Ｓｉの酸化物で構成されており、前記積層構造の誘電体層のうち別の少なくとも１層が、主として、ＭｏおよびＷからなるＡ群から選択される少なくとも一つの酸化物と、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｎ、およびＩｎからなるＢ群から選択される少なくとも一つの酸化物、の混合酸化物で構成され、該混合酸化物に含まれるＡ群の元素と該混合酸化物に含まれるＢ群の元素との合計に対する、該混合酸化物に含まれるＢ群の元素の含有率が５０質量％未満であることが好ましい。

本発明の一態様の反射防止膜付透明基体において、前記反射防止膜上に防汚膜をさらに有することが好ましい。

本発明の一態様の反射防止膜付透明基体において、前記透明基体がガラス基板であることが好ましい。
前記ガラス基板は、化学強化されていることが好ましい。
前記ガラス基板は、前記反射防止膜を有する側の主面に防眩処理が施されていることが好ましい。

本発明の一態様によれば、光吸収能を有し、絶縁性であり、かつ、透過光が黄色みを帯びることがない反射防止膜付透明基体が提供される。
上記の特徴により、本発明の反射防止膜付透明基体は、画像表示装置のカバーガラス、特に、車両等に搭載されるナビゲーションシステムの画像表示装置のような車両等に搭載される画像表示装置のカバーガラスとして好適である。

図１は、反射防止膜付透明基体の一構成例を模式的に示した断面図である。図２は、反射防止膜付透明基体の別の一構成例を模式的に示した断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。

本発明の反射防止膜付透明基体は、二つの主面を有する透明基体及び透明基体の一方の主面に形成された反射防止膜を有する反射防止膜付透明基体であって、視感透過率が２０～８５％であり、Ｄ６５光源下の透過色でｂ^＊値が５以下であり、前記反射防止膜の視感反射率が１％以下であり、前記反射防止膜のシート抵抗が１０^４Ω／□以上である。

本発明の一態様は、透明基体の一方の主面に反射防止膜を有する反射防止膜付透明基体である。

反射防止膜を形成する透明基体は、透光性に優れた透明の基体である限り特に限定されないが、ガラス基板であることが強度および耐熱性の点から好ましい。

本発明に係る反射防止膜付透明基体は、視感透過率が２０～８５％である。視感透過率が上記範囲であれば、適度な光吸収能を有するため、画像表示装置のカバーガラスとして使用した場合に、画像表示装置と接着層との界面からの反射を抑制できる。これにより画像表示装置の明所コントラストが向上する。なお、視感透過率は後述の実施例に記載のように、ＪＩＳＺ８７０９（１９９９年）に規定の手法で測定できる。本発明に係る反射防止膜付透明基体の視感透過率は５０～８０％が好ましく、６５～７５％がより好ましい。

本発明に係る反射防止膜付透明基体は、Ｄ６５光源下の透過色でｂ^＊値が５以下である。ｂ^＊値が上記範囲であれば、透過光が黄色みを帯びていないため、画像表示装置のカバーガラスとしての使用に好適である。なお、Ｄ６５光源下の透過色でのｂ^＊値は、後述の実施例に記載のように、ＪＩＳＺ８７２９（２００４年）に規定の手法で測定できる。本発明に係る反射防止膜付透明基体のｂ^＊値は３以下が好ましく、２以下がより好ましい。

本発明に係る反射防止膜付透明基体は、反射防止膜の視感反射率が１％以下である。反射防止膜の視感反射率が上記範囲であれば、画像表示装置のカバーガラスとして使用した場合に、画面への外光の映り込み防止効果が高い。なお、視感反射率は後述の実施例に記載のように、ＪＩＳＺ８７０１（１９９９年）に規定の手法で測定できる。本発明に係る反射防止膜付透明基体の反射防止膜の視感反射率は０．８％以下が好ましく、０．６％以下がより好ましい。

本発明に係る反射防止膜付透明基体は、反射防止膜のシート抵抗が１０^４Ω／□以上である。反射防止膜のシート抵抗が上記範囲であれば、反射防止膜が絶縁性であるため、画像表示装置のカバーガラスとして使用した場合に、タッチパネルを付与しても、静電容量式タッチセンサに必要な指の接触による静電容量の変化が維持され、タッチパネルを機能させられる。なお、シート抵抗は後述の実施例に記載のように、ＡＳＴＭＤ２５７またはＪＩＳＫ６２７１－６（２００８年）に規定の手法で測定できる。本発明に係る反射防止膜付透明基体の反射防止膜のシート抵抗は１０^６Ω／□以上が好ましく、１０^８Ω／□以上がより好ましい。

本発明の一実施形態に係る反射防止膜付透明基体における反射防止膜は下記構成が好ましい。
図１は、反射防止膜付透明基体の一構成例を模式的に示した断面図であり、透明基体１０上に反射防止膜２０が形成されている。図１に示す反射防止膜２０は、互いに屈折率が異なる誘電体層２２、２６を２層積層させた積層構造である。互いに屈折率が異なる誘電体層２２、２６を積層させることにより、光の反射を抑制する。
図１に示す反射防止膜２０において、誘電体層２２が高屈折率層、誘電体層２６が低屈折率層の組合せでも、誘電体層２２が低屈折率層、誘電体層２６が高屈折率層の組合せでもよい。ここでいう高屈折率層とは、例えば、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．９以上の層であり、低屈折率層とは、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．６以下の層である。

図１に示す反射防止膜２０において、誘電体層２２には光線吸収能を有する微粒子２４が分散している。光線吸収能を有する微粒子２４としては、可視光線の全波長域で高い光線吸収能を有するものを用いる。

本実施形態では、誘電体層２２に分散させる微粒子２４として、可視光線の全波長域で高い光線吸収能を有するものを用いることで、透過光が黄色みを帯びることをより効果的に防止する。
本実施形態では、誘電体層２２に分散させる微粒子２４として、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃ、ＴｉＣ、ＳｉＣ、ＴｉＮ、およびＣｒＮからなる群から選択される少なくとも１つを用いる。
微粒子２４の選択肢として例示したものは導電性が高いが、特許文献１に記載の光吸収性反射防止体の光吸収膜とは違い、誘電体層２２に微粒子２４として分散させているため、反射防止膜２０は絶縁性となる。

誘電体層２２、２６は、主として、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｎ、およびＩｎからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物、あるいは、ＳｉおよびＡｌからなる群から選択される少なくとも１つの窒化物で構成されていることが好ましい。その理由は以下に記載する通り。
誘電体層自体は、光線吸収能を有さない方が好ましく、したがって全可視波長域で吸収能が小さいものが好ましい。また反射防止性能を有する膜にするためには、例えば透明基体としてガラス基板を使用する場合には、低屈折率層であれば波長５５０ｎｍの屈折率が１．５以下の膜、高屈折率層であれば１．８以上の膜であることが好ましい。上記の群から選べば、かかる条件を満足する。
本明細書において、「主として」とは、誘電体層２２、２６の構成材料に占める上記の酸化物あるいは窒化物の比率が７０質量％以上であることを指す。

誘電体層２２、２６は、それぞれが所望の屈折率層（高屈折率層、低屈折率層）になるように、それらの構成材料を上記の酸化物あるいは窒化物から適宜選択する。なお、誘電体層２２は、微粒子２４による屈折率も含めて所望の屈折率層（高屈折率層、低屈折率層）になるように構成材料を適宜選択する。
なお、誘電体層２２、２６は、上記の酸化物あるいは窒化物のうち１種のみで構成されていてもよく、２種以上で構成されていてもよい。

図１に示す反射防止膜２０は、２層の誘電体層２２、２６を積層させた積層構造であるが、本発明における反射防止膜はこれに限定されず、互いに屈折率が異なる層を３層以上積層させた積層構造であってもよい。この場合、全ての層の屈折率が異なる必要はない。例えば、３層積層構造の場合、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の３層積層構造や、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層の３層積層構造とできる。前者の場合は２層存在する低屈折率層、後者の場合は２層存在する高屈折率層が同一の屈折率であってもよい。４層積層構造の場合、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層の４層積層構造や、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の４層積層構造とできる。この場合、それぞれ２層存在する低屈折率層および高屈折率層が同一の屈折率であってもよい。

また、図１に示す反射防止膜２０では、誘電体層２２に微粒子２４が分散しているが、誘電体層２６に微粒子が分散していてもよく、誘電体層２２、誘電体層２６の両方に微粒子が分散していてもよい。
また、反射防止膜が、互いに屈折率が異なる層を３層以上積層させた積層構造の場合、２層以上に微粒子が分散していてもよい。例えば、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の３層積層構造の場合、２層存在する低屈折率層に微粒子が分散していてもよい。高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層の３層積層構造の場合、２層存在する高屈折率層に微粒子が分散していてもよい。低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層の４層積層構造や、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の４層積層構造の場合、２層存在する低屈折率層若しくは２層存在する高屈折率層に微粒子が分散していてもよい。

誘電体層２２に分散する微粒子２４は、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃ、ＴｉＣ、ＳｉＣ、ＴｉＮ、およびＣｒＮからなる群から選択される少なくとも１つであることが以下の理由から好ましい。
これらはいずれも酸化還元電位が高く、周囲の酸化物と反応して、酸化物微粒子を作るおそれが少ない。また、光線吸収能が大きく、少量の微粒子添加で十分な光線吸収を発生させるため、微粒子同士がくっついて、マクロに導電性が発生するおそれも少ない。また、比較的入手しやすいという利点もある。
誘電体層２２に分散する微粒子２４は、上記のうち１種のみでも２種以上でもよい。

なお、後述する手順で透明基体の主面に反射防止膜を形成する場合、反射防止膜を構成する誘電体層のうち、最表層以外の誘電体層に微粒子が分散していることが好ましい。

上述した本発明に係る反射防止膜付透明基体の特性のうち、反射防止膜付透明基体の視感透過率、および、反射防止膜のシート抵抗に影響するのは、微粒子２４が分散している誘電体層２２である。
反射防止膜付透明基体の視感透過率を２０～８５％とし、反射防止膜のシート抵抗を１０^４Ω／□以上とするためには、誘電体層２２、および該誘電体層２２に分散する微粒子２４は、以下に示す条件を満たすように、両者の組合せを選択することが好ましい。

微粒子２４が分散する誘電体層２２は、微粒子２４が分散していない誘電体層２２とした場合のシート抵抗が１×１０^８Ω／□以上であることが好ましく、１×１０^９Ω／□以上がより好ましい。
一方、微粒子２４は、単体としての体積抵抗率が１×１０^－５Ωｍ以下であることが好ましい。なお、シート抵抗は後述の実施例に記載のように、ＡＳＴＭＤ２５７またはＪＩＳＫ６２７１－６（２００８年）に規定の手法で測定できる。

微粒子２４が分散している誘電体層２２は、波長５５０ｎｍにおける消衰係数は０．００５～３の範囲が好ましく、０．０１～１の範囲がより好ましい。
波長５５０ｎｍにおける消衰係数は０．００５未満だと合理的な膜厚で吸収特性を得ることが難しく、反射防止膜付透明基体について、８５％以下の視感透過率を達成することが困難になる。一方、波長５５０ｎｍにおける消衰係数が３超だと逆に吸収が強すぎて、反射防止膜付透明基体について、２０％以上の視感透過率を達成することが困難になる。
また、波長５５０ｎｍにおける消衰係数が上記範囲であれば、透過光が黄色みを帯びることがなく、反射防止膜付透明基体について、Ｄ６５光源下の透過色でｂ^＊値が５以下とできる。

上述した物性を満たす誘電体層２２上に形成する誘電体層２６は、誘電率が１．３～１．５、かつ厚さが３０～１５０ｎｍであることが好ましい。

視感透過率、ｂ^＊値、ならびに、反射防止膜の視感反射率およびシート抵抗が上述した条件を満たす反射防止膜付透明基体は、たとえば、以下の構成であってもよい。
透明基体の一方の主面に従来の反射防止膜が形成され、該透明基体の他方の主面に光線吸収能を有する微粒子を分散させた誘電体層が形成されている。
光線吸収能を有する微粒子としては、酸化クロム、酸化鉄などの酸化物、炭化クロム、炭化タングステン等の炭化物、カーボンブラック、雲母等を使用できる。
光線吸収能を有する微粒子を分散させる誘電体層としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリカーボネート、透明ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン樹脂、ポリウレタン、ポリメタクリル酸メチル、ポリビニル、ポリビニルブチラール、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド等のホモポリマー、およびこれらの樹脂のモノマーと共重合可能なモノマーとのコポリマーからなる樹脂層が挙げられる。

図２は、反射防止膜付透明基体の別の一構成例を模式的に示した断面図であり、透明基体１０上に反射防止膜３０が形成されている。図２に示す反射防止膜３０は、互いに屈折率が異なる層３２、３４を２層積層させた積層構造である。互いに屈折率が異なる層３２、３４を積層させることにより、光の反射を抑制する。

図２に示す反射防止膜３０において、層３２は、ＭｏおよびＷからなるＡ群から選択される少なくとも１つと、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｌ、ＳｎおよびＩｎからなるＢ群から選択される少なくとも１つとの混合酸化物で構成されている。但し、該混合酸化物は、該混合酸化物に含まれるＡ群の元素と該混合酸化物に含まれるＢ群の元素との合計に対する、該混合酸化物に含まれるＢ群の元素の含有率（以下、Ｂ群含有率と記載する。）が５０質量％未満である。
層３４は、主として、Ｓｉの酸化物、すなわち、ＳｉＯ_２で構成されている。

光吸収能を有し、かつ、絶縁性の光透過膜としては、半導体製造分野で用いられるハーフトーンマスクが知られている。ハーフトーンマスクとしては、Ｍｏを少量含むＭｏ－ＳｉＯ_ｘ膜のような酸素欠損膜が用いられる。また、光線吸収能を有し、かつ、絶縁性の光透過膜としては、半導体製造分野で用いられる狭バンドギャップ膜がある。
しかしながら、これらの膜は可視光線のうち、短波長側の光線吸収能が高いため、透過光が黄色みを帯びる。そのため、画像表示装置のカバーガラスには不適である。
本発明の本実施形態において、Ｍｏの含有率を高めた層３２と、ＳｉＯ_２で構成される層３４とを有することで、光線吸収能を有し、絶縁性であり、かつ、透過光が黄色みを帯びることがない反射防止膜付透明基体が得られた。

図２に示す反射防止膜３０において、層３２が高屈折率層であり、層３４が低屈折率層である。
本明細書において、「主として」とは、層３２の構成材料に占めるＭｏおよびＷからなるＡ群から選択される少なくとも１つと、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｌ、ＳｎおよびＩｎからなるＢ群から選択される少なくとも１つとの混合酸化物の比率が７０質量％以上であることを指し、層３４の構成材料に占めるＳｉの酸化物の比率が７０質量％以上であることを指す。
以下、本明細書において、主として、Ａ群およびＢ群の混合酸化物で構成される層を層（Ａ－Ｂ－Ｏ）、主として、Ｓｉの酸化物で構成される層を層（ＳｉＯ_２）と記載する。

図２に示す反射防止膜付透明基体は、反射防止膜３０が上述した構成であることにより、上述した本発明に係る反射防止膜付透明基体の特性を満たす。
層（Ａ－Ｂ－Ｏ）３２におけるＢ群含有率を５０質量％未満とするのは、Ｂ群含有率が５０質量％以上だと、ｂ^＊値が５超となるためである。Ｂ群含有率は４５質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、３５質量％以下がさらに好ましい。

図２に示す反射防止膜３０は、２層の層（Ａ－Ｂ－Ｏ）３２、層（ＳｉＯ_２）３４を積層させた積層構造であるが、本発明における反射防止膜はこれに限定されず、透明基体上に、層（ＳｉＯ_２）、層（Ａ－Ｂ－Ｏ）の順に積層させた積層構造であってもよい。また、互いに屈折率が異なる層を３層以上積層させた積層構造であってもよい。この場合、少なくとも１層が層（ＳｉＯ_２）であり、別の少なくとも１層が層（Ａ－Ｂ－Ｏ）である。例えば、３層積層構造の場合、透明基体上に、層（Ａ－Ｂ－Ｏ）、層（ＳｉＯ_２）、層（Ａ－Ｂ－Ｏ）の順に積層させた３層積層構造や、層（ＳｉＯ_２）、層（Ａ－Ｂ－Ｏ）、層（ＳｉＯ_２）の順に積層させた３層積層構造とできる。４層積層構造の場合、透明基体上に、層（Ａ－Ｂ－Ｏ）、層（ＳｉＯ_２）、層（Ａ－Ｂ－Ｏ）、層（ＳｉＯ_２）の順に積層させた４層積層構造や、層（ＳｉＯ_２）、層（Ａ－Ｂ－Ｏ）、層（ＳｉＯ_２）、層（Ａ－Ｂ－Ｏ）の順に積層させた４層積層構造とできる。
また、互いに屈折率が異なる層を３層以上積層させた積層構造の場合、層（Ａ－Ｂ－Ｏ）および層（ＳｉＯ_２）以外の層を含んでいてもよい。この場合、層（Ａ－Ｂ－Ｏ）および層（ＳｉＯ_２）を含めて低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の３層積層構造、若しくは、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層の３層積層構造、あるいは、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層の４層積層構造、若しくは、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の４層積層構造となるように各層を選択する必要がある。ただし、最表面の層は層（ＳｉＯ_２）であることが好ましい。低反射性を得るためには最表面の層が層（ＳｉＯ_２）であれば比較的容易に作製できるためである。また、防汚膜を形成する場合、防汚膜の耐久性に関わる結合性の観点から層（ＳｉＯ_２）上に形成することが好ましい。

以下、本発明に係る反射防止膜付透明基体についてさらに記載する。

（透明基体）
透明基体は、屈折率が１．４以上１．７以下の材質が好ましい。これはディスプレイやタッチパネルなどを光学的に接着する場合、接着面における反射を十分に抑制できるためである。
上述のように、透明基体としてガラス基板が好ましい。ガラス基板としては、種々の組成を有するガラスを利用できる。たとえば、本発明で使用されるガラスはナトリウムを含んでいることが好ましく、成形、化学強化処理による強化が可能な組成であることが好ましい。具体的には、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、鉛ガラス、アルカリバリウムガラス、アルミノホウ珪酸ガラス等が挙げられる。

ガラス基板の厚みは、特に制限はないが、化学強化処理を行う場合はこれを効果的に行うために、通常５ｍｍ以下が好ましく、３ｍｍ以下がより好ましい。

ガラス基板は、カバーガラスの強度を高めるために化学強化された化学強化ガラスが好ましい。なお、ガラス基板に防眩処理を施す場合、化学強化は防眩処理の後、反射防止膜を形成する前に行なう。

ガラス基板は、反射防止膜を有する側の主面に防眩処理が施されていることが好ましい。防眩処理方法は特に限定されず、ガラス主面について表面処理を施し、所望の凹凸を形成する方法を利用できる。具体的には、ガラス基板の主面に化学的処理を行う方法、例えばフロスト処理を施す方法が挙げられる。フロスト処理は、例えば、フッ化水素とフッ化アンモニウムの混合溶液に、被処理体であるガラス基板を浸漬し、浸漬面を化学的に表面処理できる。また、このような化学的処理による方法以外にも、例えば、結晶質二酸化ケイ素粉、炭化ケイ素粉等を加圧空気でガラス基板表面に吹きつけるいわゆるサンドブラスト処理や、結晶質二酸化ケイ素粉、炭化ケイ素粉等を付着させたブラシを水で湿らせたもので磨く等の物理的処理による方法も利用できる。

（反射防止膜）
上述した反射防止膜は、スパッタリング法などの公知の成膜方法を用いて、透明基体の主面に形成できる。すなわち、反射防止膜を構成する誘電体層又は層を、その積層順に応じて、透明基体の主面にスパッタリング法などの公知の成膜方法を用いて形成する。
微粒子が分散している誘電体層は以下の手順で形成できる。
母体となる誘電体材料を数ｎｍの厚さでスパッタ成膜して、誘電体材料の酸化物または窒化物である誘電体の連続膜を形成する。
次に、微粒子材料を連続膜にならない範囲でスパッタ成膜する。連続膜にならない範囲とは、スパッタ成膜により不連続膜が形成される膜厚を指す。不連続膜が形成される膜厚は、微粒子材料により異なり、選択した微粒子材料に応じて適宜選択する。
次に、母体となる誘電体材料を、酸素または窒素を導入せずに、アルゴン等の希ガスのみのプラズマ放電で、１ｎｍ程度の厚さでスパッタ成膜する。これは次の誘電体膜をスパッタ成膜する際に、先の手順で成膜した不連続膜の酸化または窒化を防止するための犠牲層である。
次に、母体となる誘電体材料を数ｎｍの厚さでスパッタ成膜して、誘電体材料の酸化物または窒化物である誘電体の連続膜を形成する。
このようにして、母体の誘電体中に微粒子が分散した膜が形成される。
この手順を繰り返すことにより、任意の膜厚の誘電体層が得られる。

デジタルスパッタリング法を用いれば上記の手順が容易になる。
デジタルスパッタリング法は、通常のマグネトロンスパッタリング法とは異なり、まずスパッタリングによって金属材料の極薄膜を形成してから、酸素プラズマあるいは酸素イオンあるいは酸素ラジカルを照射することによって酸化する、という工程を同一チャンバ内で繰り返して金属酸化物の薄膜を形成する方法である。
この方法を用いれば、透明基体が通過する順に、微粒子用のターゲット、母体となる誘電体用の金属ターゲット、酸素プラズマ源と配置し、微粒子の上に母体の誘電体の金属が堆積したのち、酸素プラズマ源で母体の誘電体金属がちょうど酸化する程度に酸素プラズマへの投入パワーおよび母体誘電体の堆積膜厚を調整することにより、微粒子が分散している誘電体層を簡便に形成できる。
通過型インラインスパッタリング装置を用いる場合も、ターゲット自体を細分化するなどの工夫を行うことにより、微粒子が分散している誘電体層を形成できる。

反射防止膜の材料は特に限定されず、光の反射を抑制できる材料であれば各種材料を利用できる。例えば反射防止膜としては、高屈折率層と低屈折率層とを積層した構成としてもよい。ここでいう高屈折率層とは、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．９以上の層であり、低屈折率層とは、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．６以下の層である。

なお、本発明の反射防止膜付透明基体では、反射防止膜は透明基体の少なくとも一方の主面に設けられていればよいが、必要に応じて、透明基体の両主面に設ける構成としてもよい。

＜防汚膜＞
本発明の反射防止膜付透明基体は、膜最表面を保護する観点から、上記反射防止膜上に、さらに防汚膜（「ＡｎｔｉＦｉｎｇｅｒＰｒｉｎｔ（ＡＦＰ）膜」とも称する。）を有してもよい。防汚膜は例えば、フッ素含有有機ケイ素化合物により構成できる。フッ素含有有機ケイ素化合物としては、防汚性、撥水性、撥油性を付与できれば特に限定されず使用でき、例えば、ポリフルオロポリエーテル基、ポリフルオロアルキレン基及びポリフルオロアルキル基からなる群から選ばれる１つ以上の基を有するフッ素含有有機ケイ素化合物が挙げられる。なお、ポリフルオロポリエーテル基とは、ポリフルオロアルキレン基とエーテル性酸素原子とが交互に結合した構造を有する２価の基のことである。

また、市販されているポリフルオロポリエーテル基、ポリフルオロアルキレン基及びポリフルオロアルキル基からなる群から選ばれる１つ以上の基を有するフッ素含有有機ケイ素化合物として、ＫＰ－８０１（商品名、信越化学社製）、ＫＹ１７８（商品名、信越化学社製）、ＫＹ－１３０（商品名、信越化学社製）、ＫＹ－１８５（商品名、信越化学社製）オプツ－ル（登録商標）ＤＳＸおよびオプツールＡＥＳ（いずれも商品名、ダイキン社製）などが好ましく使用できる。

防汚膜は、反射防止膜上に積層されることになる。ガラス基板の両主面に反射防止膜を成膜した場合には、両方の反射防止膜に防汚膜を成膜することもできるが、何れか一方の面についてのみ防汚膜を積層する構成としてもよい。これは、防汚膜は人の手等が接触する可能性がある場所について設けられていればよいためであり、その用途等に応じて選択できる。

以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。

（実施例１）
以下の方法で、透明基体の一方の主面に反射防止膜を形成して、反射防止膜付透明基体を作製した。

透明基体には、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ２ｍｍの化学強化ガラス基板（ドラゴントレイル：登録商標、旭硝子社製）を用いた。

次に、通常のスパッタリング法により、透明基体の一方の主面に以下に示す積層構造の反射防止膜を形成した。なお、通常のスパッタリング法とは、マグネトロンスパッタリング法を用いて、上記反射防止膜の項に記載の手順で微粒子が分散している誘電体層を形成する手法を指す。積層構造の反射防止膜は、透明基体の一方の主面側から以下の層構成を有する。
誘電体層（１）：Ａｇ微粒子が分散しているＳｉＯ_２層（厚さ２０ｎｍ）
誘電体層（２）：ＴｉＯ_２層（厚さ２５ｎｍ）
誘電体層（３）：ＳｉＯ_２層（厚さ１２０ｎｍ）
なお、特性値は下記の通りであった
・各層の波長５５０ｎｍの屈折率
誘電体層（１）：１．５５
誘電体層（２）：２．３５
誘電体層（３）：１．４７
・誘電体層（１）について、Ａｇ微粒子が分散していないＳｉＯ_２層のシート抵抗：１０^１０Ω／□以上
・誘電体層（１）について、波長５５０ｎｍにおける消衰係数：０．３６

作製した反射防止膜付透明基体について、以下の評価を実施した。
（反射防止膜のシート抵抗）
測定装置（三菱化学アナリテック社製、装置名：ハイレスタＵＰ（ＭＣＰ－ＨＴ４５０型））を用いてシート抵抗値を測定した。反射防止膜付透明基体の中央にプローブをあて、１０Ｖで１０秒間通電して測定した。
（反射防止膜の視感反射率）
分光光度計（島津製作所社製、商品名：ＳｏｌｉｄＳｐｅｃ－３７００）により分光反射率を測定し、計算により視感反射率（ＪＩＳＺ８７０１：１９９９において規定されている反射の刺激値Ｙ）を求めた。なお、反射防止膜付透明基体の裏面側（ガラス基板側）をラッカーにより黒く塗り、裏面反射をなくした状態で測定した。
（反射防止膜付透明基体の視感透過率）
分光光度計（島津製作所社製、商品名：ＳｏｌｉｄＳｐｅｃ－３７００）により分光透過率を測定し、計算により視感透過率（ＪＩＳＺ８７０１：１９９９において規定されている刺激値Ｙ）を求めた。
（反射防止膜付透明基体のＤ６５光源下の透過色（ｂ^＊値））
上記の分光透過率を測定して得られた透過スペクトルから、ＪＩＳＺ８７２９：２００４において規定されている色指標（ｂ^＊値）を求めた。光源はＤ６５光源を用いた。
結果を下記表１に示す。

（実施例２）
積層構造の反射防止膜を下記構成とした以外は実施例１と同様である。
誘電体層（１）：Ｃｕ微粒子が分散しているＳｉＯ_２層（厚さ８０ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ４０ｎｍ）
なお、特性値は下記の通りであった。
・各層の波長５５０ｎｍの屈折率
誘電体層（１）：１．４２
誘電体層（２）：１．４７
・誘電体層（１）について、Ｃｕ微粒子が分散していないＳｉＯ_２層のシート抵抗：１０^１０Ω／□以上
・誘電体層（１）について、波長５５０ｎｍにおける消衰係数：０．１７
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表１に示す。

（実施例３）
誘電体層の形成にデジタルスパッタリング法を用いた点、および、積層構造の反射防止膜を下記構成とした以外は実施例１と同様である。
誘電体層（１）：Ａｇ微粒子が分散しているＴｉＯ_２層（厚さ２２ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ１０５ｎｍ）
なお、特性値は下記の通りであった。
・各層の波長５５０ｎｍの屈折率
誘電体層（１）：２．０３
誘電体層（２）：１．４７
・誘電体層（１）について、Ａｇ微粒子が分散していないＴｉＯ_２層のシート抵抗：５×１０^９Ω／□
・誘電体層（１）について、波長５５０ｎｍにおける消衰係数：０．３４
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表１に示す。

（実施例４）
積層構造の反射防止膜を下記構成とした以外は実施例１と同様である。
誘電体層（１）：Ｍｏ微粒子が分散しているＳｉＯ_２層（厚さ３０ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ１００ｎｍ）
なお、特性値は下記の通りであった。
・各層の波長５５０ｎｍの屈折率
誘電体層（１）：１．８２
誘電体層（２）：１．４７
・誘電体層（１）について、Ｍｏ微粒子が分散していないＳｉＯ_２層のシート抵抗：１０^１０Ω／□以上
・誘電体層（１）について、波長５５０ｎｍにおける消衰係数：０．３８
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表２に示す。

（実施例５）
積層構造の反射防止膜を下記構成とした以外は実施例１と同様である。
誘電体層（１）：Ａｇ微粒子が分散しているＮｂ_２Ｏ_５層（厚さ１３ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ２６ｎｍ）
誘電体層（３）：Ｎｂ_２Ｏ_５層（厚さ１００ｎｍ）
誘電体層（４）：ＳｉＯ_２層（厚さ９５ｎｍ）
なお、特性値は下記の通りであった。
・各層の波長５５０ｎｍの屈折率
誘電体層（１）：２．３８
誘電体層（２）：１．４７
誘電体層（３）：２．３８
誘電体層（４）：１．４７
・誘電体層（１）について、Ａｇ微粒子が分散していないＮｂ_２Ｏ_５層のシート抵抗：３×１０^９Ω／□
・誘電体層（１）について、波長５５０ｎｍにおける消衰係数：０．０７６
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表２に示す。

（実施例６）
誘電体層の形成にデジタルスパッタリング法を用いた点、および、積層構造の反射防止膜を下記構成とした以外は実施例１と同様である。
誘電体層（１）：Ａｇ微粒子が分散しているＮｂ_２Ｏ_５層（厚さ２５ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ３０ｎｍ）
誘電体層（３）：Ａｇ微粒子が分散しているＮｂ_２Ｏ_５層（厚さ１２５ｎｍ）
誘電体層（４）：ＳｉＯ_２層（厚さ９５ｎｍ）
なお、特性値は下記の通りであった。
・各層の波長５５０ｎｍの屈折率
誘電体層（１）：２．３８
誘電体層（２）：１．４７
誘電体層（３）：２．３８
誘電体層（４）：１．４７
・誘電体層（１），（３）について、Ａｇ微粒子が分散していないＮｂ_２Ｏ_５層のシート抵抗：両方とも３×１０^９Ω／□
・誘電体層（１），（３）について、波長５５０ｎｍにおける消衰係数：両方とも０．０７６
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表２に示す。

（実施例７）
積層構造の反射防止膜を下記構成とした以外は実施例１と同様である。
誘電体層（１）：Ａｇ微粒子が分散しているＳｉＮ層（厚さ２５ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ９０ｎｍ）
なお、特性値は下記の通りであった。
・各層の波長５５０ｎｍの屈折率
誘電体層（１）：１．９９
誘電体層（２）：１．４７
・誘電体層（１）について、波長５５０ｎｍにおける消衰係数：０．８８
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表３に示す。

（実施例８）
誘電体層の形成にデジタルスパッタリング法を用いた点、および、積層構造の反射防止膜を下記構成とした以外は実施例１と同様である。
誘電体層（１）：Ｎｂ_２Ｏ_５層（厚さ８ｎｍ）
誘電体層（２）：１ｗｔ％Ｐｄを含むＡｇ微粒子が分散しているＳｉＯ_２層（厚さ２５ｎｍ）
誘電体層（３）：Ｎｂ_２Ｏ_５層（厚さ１１２ｎｍ）
誘電体層（４）：ＳｉＯ_２層（厚さ９０ｎｍ）
なお、特性値は下記の通りであった。
・各層の波長５５０ｎｍの屈折率
誘電体層（１）：２．３８
誘電体層（２）：１．５５
誘電体層（３）：２．３８
誘電体層（４）：１．４７
・誘電体層（２）について、１ｗｔ％ＰｄのＡｇ微粒子が分散していないＳｉＯ_２層のシート抵抗：１０^１０Ω／□以上
・誘電体層（２）について、波長５５０ｎｍにおける消衰係数：０．３６
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表３に示す。

（実施例９）
以下の方法で、透明基体の一方の主面に反射防止膜を形成して、反射防止膜付透明基体を作製した。
まず、アルゴンガスに１０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、シリコンターゲットとモリブデンターゲットを用いて、シリコンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度０．６Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、モリブデンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、シリコンとモリブデンのコスパッタによって、透明基体の一方の主面にＭｏ－Ｓｉ－Ｏ層を１４ｎｍ成膜した。
次いで、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
次に、アルゴンガスに１０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、シリコンターゲットとモリブデンターゲットを用いて、シリコンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度０．６Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、モリブデンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、シリコンとモリブデンのコスパッタによって、Ｍｏ－Ｓｉ－Ｏ層を１２０ｎｍ成膜した。
続いて、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
積層構造の反射防止膜は、透明基体の一方の主面側から以下の層構成を有する。
誘電体層（１）：Ｍｏ－Ｓｉ－Ｏ層（厚さ１４ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ３５ｎｍ）
誘電体層（３）：Ｍｏ－Ｓｉ－Ｏ層（厚さ１２０ｎｍ）
誘電体層（４）：ＳｉＯ_２層（厚さ９０ｎｍ）
ＸＰＳによる分析の結果、誘電体層（１）と誘電体層（３）のＭｏ－Ｓｉ－Ｏ層中のＭｏとＳｉの組成比は、Ｍｏ：Ｓｉ＝９９：１（ｗｔ％）であることが分かった。また、これらのＭｏ－Ｓｉ－Ｏ層の５５０ｎｍの屈折率は２．１、消衰係数は０．０８であった。
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表５に示す。

（実施例１０）
以下の方法で、透明基体の一方の主面に反射防止膜を形成して、反射防止膜付透明基体を作製した。
まず、アルゴンガスに１５体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、シリコンターゲットとモリブデンターゲットを用いて、シリコンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度１．６Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、モリブデンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、シリコンとモリブデンのコスパッタによって、透明基体の一方の主面にＭｏ－Ｓｉ－Ｏ層を１４ｎｍ成膜した。
次いで、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
次に、アルゴンガスに１５体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、シリコンターゲットとモリブデンターゲットを用いて、シリコンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度１．６Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、モリブデンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、シリコンとモリブデンのコスパッタによって、Ｍｏ－Ｓｉ－Ｏ層を１２０ｎｍ成膜した。
続いて、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
積層構造の反射防止膜は、透明基体の一方の主面側から以下の層構成を有する。
誘電体層（１）：Ｍｏ－Ｓｉ－Ｏ層（厚さ１４ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ３５ｎｍ）
誘電体層（３）：Ｍｏ－Ｓｉ－Ｏ層（厚さ１２０ｎｍ）
誘電体層（４）：ＳｉＯ_２層（厚さ９０ｎｍ）
ＸＰＳによる分析の結果、誘電体層（１）と誘電体層（３）のＭｏ－Ｓｉ－Ｏ層中のＭｏとＳｉの組成比は、Ｍｏ：Ｓｉ＝９０：１０（ｗｔ％）であることが分かった。また、これらのＭｏ－Ｓｉ－Ｏ層の５５０ｎｍの屈折率は１．９、消衰係数は０．０８であった。
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表５に示す。

（実施例１１）
以下の方法で、透明基体の一方の主面に反射防止膜を形成して、反射防止膜付透明基体を作製した。
まず、アルゴンガスに３９体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、ニオブとモリブデンとを重量比で８０：２０の割合で混合して焼結したターゲットを用いて、周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、透明基体の一方の主面にＭｏ－Ｎｂ－Ｏ層を１４ｎｍ成膜した。
次いで、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
次に、アルゴンガスに１０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、ニオブとモリブデンを重量比で８０：２０の割合で混合して焼結したターゲットを用いて、周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、Ｍｏ－Ｎｂ－Ｏ層を１２０ｎｍ成膜した。
続いて、アルゴンガスに３９体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
積層構造の反射防止膜は、透明基体の一方の主面側から以下の層構成を有する。
誘電体層（１）：Ｍｏ－Ｎｂ－Ｏ層（厚さ１４ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ３５ｎｍ）
誘電体層（３）：Ｍｏ－Ｎｂ－Ｏ層（厚さ１２０ｎｍ）
誘電体層（４）：ＳｉＯ_２層（厚さ９０ｎｍ）
ＸＰＳによる分析の結果、誘電体層（１）と誘電体層（３）のＭｏ－Ｎｂ－Ｏ層中のＭｏとＮｂの組成比は、Ｍｏ：Ｎｂ＝８０：２０（ｗｔ％）であることが分かった。また、これらのＭｏ－Ｎｂ－Ｏ層の５５０ｎｍの屈折率は２．１、消衰係数は０．０４であった。
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表６に示す。

（実施例１２）
以下の方法で、透明基体の一方の主面に反射防止膜を形成して、反射防止膜付透明基体を作製した。
まず、アルゴンガスに３９体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、ニオブとモリブデンを重量比で５０：５０の割合で混合して焼結したターゲットを用いて、周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、透明基体の一方の主面にＭｏ－Ｎｂ－Ｏ層を１４ｎｍ成膜した。
次いで、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
次に、アルゴンガスに３９体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、ニオブとモリブデンを重量比で５０：５０の割合で混合して焼結したターゲットを用いて、周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、Ｍｏ－Ｎｂ－Ｏ層を１１０ｎｍ成膜した。
続いて、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
積層構造の反射防止膜は、透明基体の一方の主面側から以下の層構成を有する。
誘電体層（１）：Ｍｏ－Ｎｂ－Ｏ層（厚さ１４ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ３５ｎｍ）
誘電体層（３）：Ｍｏ－Ｎｂ－Ｏ層（厚さ１１０ｎｍ）
誘電体層（４）：ＳｉＯ_２層（厚さ９０ｎｍ）
ＸＰＳによる分析の結果、誘電体層（１）と誘電体層（３）のＭｏ－Ｎｂ－Ｏ層中のＭｏとＮｂの組成比は、Ｍｏ：Ｎｂ＝５０：５０（ｗｔ％）であることが分かった。また、これらのＭｏ－Ｎｂ－Ｏ層の５５０ｎｍの屈折率は２．２、消衰係数は０．１２であった。
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表６に示す。

（実施例１３）
以下の方法で、透明基体の一方の主面に反射防止膜を形成して、反射防止膜付透明基体を作製した。
まず、アルゴンガスに１０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、チタンターゲットとモリブデンターゲットを用いて、チタンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度１．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、モリブデンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、チタンとモリブデンのコスパッタによって、透明基体の一方の主面にＭｏ－Ｔｉ－Ｏ層を１２ｎｍ成膜した。
次いで、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ３０ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
次に、アルゴンガスに１０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、チタンターゲットとモリブデンターゲットを用いて、チタンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度１．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、モリブデンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、チタンとモリブデンのコスパッタによって、Ｍｏ－Ｔｉ－Ｏ層を１０６ｎｍ成膜した。
続いて、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ８０ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
積層構造の反射防止膜は、透明基体の一方の主面側から以下の層構成を有する。
誘電体層（１）：Ｍｏ－Ｔｉ－Ｏ層（厚さ１２ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ３０ｎｍ）
誘電体層（３）：Ｍｏ－Ｔｉ－Ｏ層（厚さ１０６ｎｍ）
誘電体層（４）：ＳｉＯ_２層（厚さ８０ｎｍ）
ＸＰＳによる分析の結果、誘電体層（１）と誘電体層（３）のＭｏ－Ｔｉ－Ｏ層中のＭｏとＴｉの組成比は、Ｍｏ：Ｔｉ＝９３：７（ｗｔ％）であることが分かった。また、これらのＭｏ－Ｔｉ－Ｏ層の５５０ｎｍの屈折率は２．１、消衰係数は０．０６であった。
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表７に示す。

（比較例１）
積層構造の反射防止膜を下記構成とした以外は実施例１と同様である。
誘電体層（１）：ＣｕＯ層（厚さ１０ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ４５ｎｍ）
誘電体層（３）：ＣｕＯ層（厚さ１５ｎｍ）
誘電体層（４）：ＳｉＯ_２層（厚さ１００ｎｍ）
なお、特性値は下記の通りであった。
・各層の波長５５０ｎｍの屈折率
誘電体層（１）：２．８２
誘電体層（２）：１．４７
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表４に示す。

（比較例２）
積層構造の反射防止膜を下記構成とした以外は実施例１と同様である。
誘電体層（１）：ＴｉＮ層（厚さ１０ｎｍ）
誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ８０ｎｍ）
誘電体層（１）の波長５５０ｎｍの屈折率：１．５５
誘電体層（１）について、波長５５０ｎｍにおける消衰係数：１．３２
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表４に示す。

（比較例３）
誘電体層として、Ａｇ微粒子が分散しているＳｉＯ_２層（厚さ１００ｎｍ）の単膜を形成した以外は実施例１と同様である。なお、特性値は下記の通りであった。
・波長５５０ｎｍの屈折率：１．５５
・Ａｇ微粒子が分散していないＳｉＯ_２層のシート抵抗：１０^１０Ω／□以上
・Ａｇ微粒子が分散しているＳｉＯ_２層の波長５５０ｎｍにおける消衰係数：０．３６
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表４に示す。

（比較例４）
以下の方法で、透明基体の一方の主面に反射防止膜を形成して、反射防止膜付透明基体を作製した。
まず、アルゴンガスに１０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、シリコンターゲットとモリブデンターゲットを用いて、シリコンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．６Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、モリブデンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、シリコンとモリブデンのコスパッタによって、透明基体の一方の主面にＭｏ－Ｓｉ－Ｏ層を１４ｎｍ成膜した。
次いで、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ３５ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
次に、アルゴンガスに１０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、圧力を０．３Ｐａに保ち、シリコンターゲットとモリブデンターゲットを用いて、シリコンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．６Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、モリブデンターゲットには周波数２０ｋＨｚ、電力密度４．０Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、シリコンとモリブデンのコスパッタによって、Ｍｏ－Ｓｉ－Ｏ層を１２０ｎｍ成膜した。
続いて、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、厚さ９０ｎｍの酸化ケイ素（シリカ（ＳｉＯ_２））からなる層を成膜した。
積層構造の反射防止膜は、透明基体の一方の主面側から以下の層構成を有する。誘電体層（１）：Ｍｏ－Ｓｉ－Ｏ層（厚さ１４ｎｍ）誘電体層（２）：ＳｉＯ_２層（厚さ３５ｎｍ）誘電体層（３）：Ｍｏ－Ｓｉ－Ｏ層（厚さ１２０ｎｍ）誘電体層（４）：ＳｉＯ_２層（厚さ９０ｎｍ）
ＸＰＳによる分析の結果、誘電体層（１）と誘電体層（３）のＭｏ－Ｓｉ－Ｏ層中のＳｉとＭｏの組成比は、Ｍｏ：Ｓｉ＝５０：５０（ｗｔ％）であることが分かった。また、これらのＭｏ－Ｓｉ－Ｏ膜の５５０ｎｍの屈折率は１．７、消衰係数は０．１５であった。
作製した反射防止膜付透明基体について上述の評価を実施し、結果を下記表５に示す。

実施例１～１０の反射防止膜付透明基体は、反射防止膜のシート抵抗が１０^４Ω／□以上であり、反射防止膜の視感反射率が１％以下であり、反射防止膜付透明基体の視感透過率が２０～８５％であり、Ｄ６５光源下の透過色でｂ^＊値が５以下であった。
一方、微粒子が分散している誘電体層を構成要素としない比較例１の反射防止膜付透明基体は、Ｄ６５光源下の透過色でｂ^＊値が５超であった。
また、誘電体層（１）として、ＴｉＮの連続膜を形成した比較例２の反射防止膜付透明基体は、反射防止膜のシート抵抗が１０^４Ω／□未満であった。
また、誘電体層として、Ａｇ微粒子が分散しているＳｉＯ_２層（厚さ１００ｎｍ）の単膜を形成した比較例３の反射防止膜付透明基体は、反射防止膜の視感反射率が１％超であり、Ｄ６５光源下の透過色でｂ^＊値が５超であった。
また、層（１），（３）として、ＳｉとＭｏの組成比が、Ｍｏ：Ｓｉ＝５０：５０（ｗｔ％）であるＭｏ－Ｓｉ－Ｏ層を形成した比較例４の反射防止膜付透明基体は、Ｄ６５光源下の透過色でｂ^＊値が５超であった。

本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は２０１７年１月１６日出願の日本特許出願（特願２０１７－００５１２４）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

１０透明基体
２０、３０反射防止膜
２２、２６、３２、３４誘電体層
２４微粒子

Claims

二つの主面を有する透明基体及び該透明基体の一方の主面に形成された反射防止膜を有する反射防止膜付透明基体であって、視感透過率が２０～８５％であり、Ｄ６５光源下の透過色でｂ^＊値が５以下であり、前記反射防止膜の視感反射率が１％以下であり、前記反射防止膜のシート抵抗が１０^４Ω／□以上であり、
前記反射防止膜は、互いに屈折率が異なる層を少なくとも２層以上積層させた積層構造であり、前記積層構造の層のうち少なくとも１層が、主として、Ｓｉの酸化物で構成されており、前記積層構造の層のうち別の少なくとも１層が、主として、ＭｏおよびＷからなるＡ群から選択される少なくとも１つの酸化物と、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｌ、ＳｎおよびＩｎからなるＢ群から選択される少なくとも１つの酸化物、の混合酸化物で構成されることを特徴とする反射防止膜付透明基体。
前記反射防止膜上に防汚膜をさらに有する、請求項１に記載の反射防止膜付透明基体。
前記透明基体がガラス基板である、請求項１または２に記載の反射防止膜付透明基体。
前記ガラス基板が化学強化されている、請求項３に記載の反射防止膜付透明基体。
前記ガラス基板は、前記反射防止膜を有する側の主面に防眩処理が施されている、請求項３または４に記載の反射防止膜付透明基体。
前記混合酸化物で構成される層の、波長５５０ｎｍにおける消衰係数が０．００５～３の範囲である、請求項１から５のいずれか１項に記載の反射防止膜付透明基体。
前記反射防止膜は、３層以上積層させた積層構造である、請求項１から６のいずれか１項に記載の反射防止膜付透明基体。
前記反射防止膜は、前記混合酸化物で構成される層を２層以上含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の反射防止膜付透明基体。
前記反射防止膜の最表層は、主として、Ｓｉの酸化物で構成されている、請求項１から８のいずれか１項に記載の反射防止膜付透明基体。
請求項１から９のいずれか１項に記載の反射防止膜付透明基体からなる、画像表示装置用カバーガラス。
請求項１０に記載のカバーガラスを備えた画像表示装置。
請求項１０に記載のカバーガラスを備えた、車両に搭載される画像表示装置。