CN114203326A - 石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其制备方法、应用 - Google Patents

石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其制备方法、应用 Download PDF

Info

Publication number
CN114203326A
CN114203326A CN202111517496.6A CN202111517496A CN114203326A CN 114203326 A CN114203326 A CN 114203326A CN 202111517496 A CN202111517496 A CN 202111517496A CN 114203326 A CN114203326 A CN 114203326A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
film
pmma
radiation source
nicl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111517496.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114203326B (zh
Inventor
周春林
罗婷
吴巍伟
李培咸
冯焕然
苏晨
张劲松
杨毓枢
陈桎远
王磊
王旭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuclear Power Institute of China
Original Assignee
Nuclear Power Institute of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuclear Power Institute of China filed Critical Nuclear Power Institute of China
Priority to CN202111517496.6A priority Critical patent/CN114203326B/zh
Priority claimed from CN202111517496.6A external-priority patent/CN114203326B/zh
Publication of CN114203326A publication Critical patent/CN114203326A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114203326B publication Critical patent/CN114203326B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21H—OBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; UTILISING COSMIC RADIATION
    • G21H1/00—Arrangements for obtaining electrical energy from radioactive sources, e.g. from radioactive isotopes, nuclear or atomic batteries
    • G21H1/06—Cells wherein radiation is applied to the junction of different semiconductor materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/50—Multilayers
    • B05D7/56—Three layers or more
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
    • C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
    • C23C28/321—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer with at least one metal alloy layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
    • C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
    • C25D9/04—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials

Abstract

本发明公开了石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜及其制备方法、应用，其制备方法包括以下步骤：S1、在PMMA/石墨烯薄膜上制备63NiCl2薄膜，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜；S2、将步骤S1制备的PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜与PMMA/石墨烯薄膜面对面接触，使63NiCl2薄膜置于两层石墨烯之间，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜，然后真空干燥处理；S3、去除PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜中的PMMA，获得石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜；S4、将步骤S3获得的石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜置于真空环境进行还原处理，将63NiCl2还原成63Ni膜，获得石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜。通过本发明所述制备方法制备的封装整体厚度较薄，且封装结构中的镍‑63辐射源薄膜的厚度仅约为1μm。

Description

石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其制备方法、应用
技术领域
本发明涉及薄膜制备技术领域，具体涉及石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其制备方法、应用。
背景技术
β伏特同位素电池是利用β伏特效应将同位素β辐射能直接转为电能的装置，通过收集β粒子在半导体材料中激发出的电子和空穴,实现电流倍增和能量转换。目前微型同位素电池的辐射源普遍选择仅辐射电子的β放射源，低能β辐射源辐射电子能量多处于keV量级，不会对换能材料产生辐照损伤，当活度较低时也不会对人体产生永久性损伤，是一种较为安全的放射源。63Ni辐射源的半衰期长，β粒子能量适中，电子辐射对人体损害可忽略不计，因此常被作为同位素电池的辐射源。
现有专利镍-63辐射源的制备方法是将63NiCl2电解液中63Ni电沉积在10*20mm2的镍片或其他金属衬底上，其缺点是所制备的辐射源厚度较厚，受其厚度所限，辐射源无法用于微型器件，而对于封装结构，在镍-63辐射源薄膜的两侧均是金属衬底，厚度较大。
发明内容
本发明的目的在于提供石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，通过本发明所述制备方法制备的封装整体厚度较薄，且封装结构中的镍-63辐射源薄膜的厚度仅约为1μm。
此外，本发明还提供基于上述制备方法制备的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其应用。
本发明通过下述技术方案实现：
石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1、在PMMA/石墨烯薄膜上制备63NiCl2薄膜，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜，PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜中石墨烯的两侧分别为63NiCl2薄膜和PMMA薄膜；
S2、将步骤S1制备的PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜与PMMA/石墨烯薄膜面对面接触，使63NiCl2薄膜置于两层石墨烯之间，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜，然后真空干燥处理；
S3、去除PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜中的PMMA，获得石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜；
S4、将步骤S3获得的石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜置于真空环境进行还原处理，将63NiCl2还原成63Ni膜，获得石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜。
本发明在步骤S1中，选用石墨烯作为基底，直接将63NiCl2于石墨烯表面形成63NiCl2薄膜，且由于真空干燥以及还原过程中，烘箱(真空干燥)或者管式炉抽真空(还原处理)会使得位于上、下面的石墨烯紧密贴附在一起，依靠上下两片石墨烯片间的范德瓦尔斯力实现对辐射源的封装，从而制备出厚度约为1μm的自支撑(不需要其它不必要的支撑基底)镍-63辐射源。
本发明制得的石墨烯封装超薄镍-63辐射源可直接拿去制备肖特基结构的叠层核电池。但如果选用传统方法在金属基底表面电沉积Ni源，无法制备超薄叠层核电池。
本发明整个合成过程简单、高效。制备得到的辐射源薄膜完整可自支撑，厚度可控，且应用范围广泛，特别适用于肖特基结型叠层β辐射电池的制备。
进一步地，步骤S1中，所述PMMA/石墨烯薄膜的制备过程如下：
首先采用CVD方法在Cu箔表面生长大面积单晶石墨烯，依次用丙酮，乙醇，去离子水清洗干净，之后在其表面旋涂PMMA，使PMMA与石墨烯紧密贴附。随后将其置于FeCl3溶液中，去除Cu基底，得到大面积PMMA/石墨烯薄膜漂浮在去离子水表面待用。
进一步地，步骤S1中，采用旋涂法制备63NiCl2薄膜：配置一定浓度的63NiCl2溶液，并在PMMA/石墨烯表面旋涂一层63NiCl2薄膜。
进一步地，步骤S2中，真空干燥处理的温度为50-80℃。
进一步地，步骤S3中，采用温度为70-100℃的丙酮去除PMMA：PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜浸泡在丙酮溶液中，缓慢加热丙酮至70-100℃从而去除PMMA薄膜，得到漂浮于液体表面的大面积石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜待用。
进一步地，步骤S4中，还原处理在管式炉中进行，采用H2还原处理，温度大于等于500℃，时间大于等于4小时：将待还原的样品放入管式炉中，先抽真空排出空气，再通入氢气至炉内压力为1.8×105Pa，进行还原反应。每隔两小时进行一次排气、充气循环，达到预期反应时间后，停止加热，继续通氢气直至试样完全冷却。
采用上述制备方法制备的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜，所述石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜包括镍-63辐射源薄膜层，所述镍-63辐射源薄膜层的两侧均与石墨烯层连接。
采用上述制备方法制备的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜在制备肖特基结型叠层β辐射电池中的应用。
本发明制备的石墨烯封装辐射源适于肖特基结型叠层β辐射电池的制备。石墨烯一方面起到封装的作用，另一方面作为金属，可与其他半导体材料构成肖特基型换能器件。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
1、本发明所述制备方法的直接将63NiCl2旋涂于石墨烯表面，且由于真空干燥以及氢气还原过程中，烘箱或者管式炉抽真空会使得位于上、下面的石墨烯紧密贴附在一起，从而凭借石墨烯片与片之间的范德瓦尔斯力，实现对63Ni辐射源的有效封装，所制备的镍-63辐射源厚度可降至1μm左右，且辐射源薄膜完整可自支撑。
2、利用本发明得到的自支撑石墨烯封装镍-63辐射源薄膜厚度可控，且应用范围广泛，特别适用于肖特基结型叠层β辐射电池的制备。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1为本发明石墨烯封装的超薄镍-63辐射源薄膜制备流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例1：
如图1所示，石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1、在PMMA/石墨烯薄膜上旋涂63NiCl2制备63NiCl2薄膜，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜，PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜中石墨烯的两侧分别为63NiCl2薄膜和PMMA薄膜；
PMMA/石墨烯薄膜的制备过程如下：
用CVD方法在Cu箔表面生长15*5cm2的单晶石墨烯，随后依次用丙酮，乙醇，去离子水将其表面清洗干净；将Cu基的石墨烯安放于匀胶机上，用滴管取适量PMMA溶液滴在石墨烯的表面，打开匀胶机，先以100-500rpm的转速匀胶1-5s，再以3500rpm转速旋胶10-30s，PMMA薄膜层的厚度为300-650nm。随后将涂有PMMA层的样品，放置到135-170℃热板上烘烤30-50min，使PMMA与石墨烯层紧密贴附。烘烤结束后，将样品从热板上取下，冷却至室温。随后将样品放入三氯化铁(FeCl3)溶液中，使之漂浮在溶液表面。刻蚀30-60min，使Cu完全去除。待Cu去除干净后，用一个清洁抛光后的硅基片(或其它抛光基片)将PMMA/石墨烯膜轻轻拖出移至去离子水中，使其保持漂浮状态，浸泡10min，再移至干净离子水中浸泡10min，如此3次，以保证残余的三氯化铁去除干净；
S2、将步骤S1制备的PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜与同样尺寸的PMMA/石墨烯薄膜面对面接触，使63NiCl2薄膜置于两层石墨烯之间，相贴，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜，并用模具将其夹紧固定放入真空烘箱中，在60℃下进行干燥处理；
S3、将PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜放入盛有丙酮的烧杯中，缓慢加热丙酮至70-80℃，30min后将烧杯中的样品取出再次放入干净的烧杯中重复以上步骤3次，将PMMA完全除去，获得石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜；
S4、将步骤S3获得的石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜置于真空环境进行还原处理，将63NiCl2还原成63Ni膜，具体的步骤如下：将干燥后的样品放入管式炉内，先抽真空排出空气，再通入氢气至炉内压力为1.8×105Pa，进行还原反应。每隔2h进行一次排气、充气循环，达到预期反应时间后，停止加热，继续通氢气直至试样完全冷却；反应温度为500-550℃，还原时间为4-6小时，获得石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜。
本实施例的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜依靠石墨烯片层之间的范德瓦尔斯力，将63Ni膜进行封装，所述石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜完整可自支撑，其长度约为15cm，宽度约为5cm，63Ni辐射源厚度约为1μm。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在PMMA/石墨烯薄膜上制备63NiCl2薄膜，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜；
S2、将步骤S1制备的PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜与PMMA/石墨烯薄膜面对面接触，使63NiCl2薄膜置于两层石墨烯之间，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜，然后真空干燥处理；
S3、去除PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜中的PMMA，获得石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜；
S4、将步骤S3获得的石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜置于真空环境进行还原处理，将63NiCl2还原成63Ni膜，获得石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜。
2.根据权利要求1所述的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述PMMA/石墨烯薄膜的制备过程如下：
先采用CVD方法在铜箔表面生长单晶石墨烯，再在石墨烯表面制备PMMA薄膜，最后去除铜箔。
3.根据权利要求2所述的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，其特征在于，采用旋涂法制备PMMA薄膜。
4.根据权利要求2所述的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，其特征在于，采用FeCl3溶液浸泡去除铜箔。
5.根据权利要求1所述的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用旋涂法制备63NiCl2薄膜。
6.根据权利要求1所述的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，真空干燥处理的温度为50-80℃。
7.根据权利要求1所述的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，采用温度为70-100℃的丙酮去除PMMA。
8.根据权利要求1所述的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S4中，还原处理在管式炉中进行，采用H2还原处理，温度大于等于500℃，时间大于等于4小时。
9.如权利要求1-8任一项所述制备方法制备的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜，其特征在于，所述石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜包括镍-63辐射源薄膜层，所述镍-63辐射源薄膜层的两侧均与石墨烯层连接。
10.如权利要求1-8任一项所述制备方法制备的石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜在制备肖特基结型叠层β辐射电池中的应用。
CN202111517496.6A 2021-12-13 石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其制备方法、应用 Active CN114203326B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111517496.6A CN114203326B (zh) 2021-12-13 石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其制备方法、应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111517496.6A CN114203326B (zh) 2021-12-13 石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其制备方法、应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114203326A true CN114203326A (zh) 2022-03-18
CN114203326B CN114203326B (zh) 2024-04-30

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114203330A (zh) * 2021-12-13 2022-03-18 中国核动力研究设计院 一种超薄镍-63辐射源及其制备方法、应用

Citations (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006069513A1 (fr) * 2004-12-28 2006-07-06 Chengdu Chemphys Chemical Industry Co., Ltd. Poudre de nickel spherique ultrafine presentant une densite apres tassement elevee et procede de preparation par voie humide
CN101733985A (zh) * 2009-12-23 2010-06-16 天津大学 一种石墨烯/氧化镍层状结构复合薄膜及其制备方法
CN102877109A (zh) * 2012-09-19 2013-01-16 四川大学 电泳沉积法制备石墨烯透明导电薄膜
CN103058177A (zh) * 2013-01-05 2013-04-24 张家港市东大工业技术研究院 一种利用高能微波真空辐照实现氮掺杂石墨烯的制备方法
CN103215548A (zh) * 2013-04-24 2013-07-24 厦门烯成新材料科技有限公司 一种金属纳米颗粒掺杂石墨烯的制备方法
CN103500917A (zh) * 2013-10-23 2014-01-08 山东师范大学 三明治式石墨烯饱和吸收体及其制备方法
CN103556148A (zh) * 2013-10-29 2014-02-05 中国石油大学(北京) 一种NiTi形状记忆合金的表面改性方法
US20140141600A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of preparing graphene and device including graphene
CN104183700A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种柔性透明导电石墨烯薄膜及其制备方法和应用
CN104218114A (zh) * 2014-08-28 2014-12-17 太原理工大学 一种二维异质结太阳能电池及其制备方法
CN104409555A (zh) * 2014-12-05 2015-03-11 厦门烯成科技有限公司 一种基于石墨烯的紫外感应器及其制备方法
CN104987134A (zh) * 2015-07-29 2015-10-21 长安大学 一种在陶瓷表面利用原位还原法制备镍涂层的方法
CN105023629A (zh) * 2014-04-28 2015-11-04 中国科学院上海硅酸盐研究所 石墨烯-铜纳米线复合薄膜及其制备方法
CN105036114A (zh) * 2015-07-29 2015-11-11 苏州捷迪纳米科技有限公司 石墨烯-碳纳米管-石墨烯复合结构及其制备方法
CN105132884A (zh) * 2015-09-25 2015-12-09 南京航空航天大学 一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法
CN105274491A (zh) * 2015-11-12 2016-01-27 杭州电子科技大学 一种石墨烯-氮化硼异质相复合薄膜材料的制备方法
CN105304860A (zh) * 2014-05-28 2016-02-03 福建省辉锐材料科技有限公司 一种制备石墨烯基底电极及电池和超级电容器的方法
JP2016047777A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 国立大学法人大阪大学 グラフェン薄膜の製造方法、並びにグラフェン薄膜を備えた電子素子およびセンサ
CN105752965A (zh) * 2016-01-26 2016-07-13 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 Cvd方法制备石墨烯中直接形成多层石墨烯薄膜的刻蚀方法
CN106158144A (zh) * 2016-06-23 2016-11-23 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法
CN106191805A (zh) * 2016-06-06 2016-12-07 重庆大学 一种磁性石墨烯复合薄膜的制备方法
CN106297936A (zh) * 2015-06-02 2017-01-04 刘建国 同位素β射线辐射荧光发光光伏电池
KR101723769B1 (ko) * 2016-02-17 2017-04-05 원광대학교산학협력단 그래핀의 직접 전사 방법 및 그래핀층 상의 선택적 원자층 증착 방법
CN106653924A (zh) * 2017-01-20 2017-05-10 郑州航空工业管理学院 一种肖特基太阳能电池及其制备方法
CN106881112A (zh) * 2017-03-20 2017-06-23 北京理工大学 一种以还原氧化石墨烯为载体的Ni@Pd核壳结构的电催化剂及其制备方法
CN107293602A (zh) * 2017-07-06 2017-10-24 北京邮电大学 基于氧化锌/石墨烯/氧化锌三明治结构的光电探测器
CN107311158A (zh) * 2017-06-24 2017-11-03 南昌航空大学 一种在镍基上制备石墨烯薄膜并转移到其它基底的方法
JP2018006044A (ja) * 2016-06-28 2018-01-11 国立研究開発法人産業技術総合研究所 グラフェンを含む透明導電膜
CN107706421A (zh) * 2016-08-07 2018-02-16 福建新峰二维材料科技有限公司 一种铝离子电池正极材料的制备方法
CN107697906A (zh) * 2017-08-21 2018-02-16 上海理工大学 一种铜/石墨烯复合材料的制备方法
CN108893762A (zh) * 2018-08-03 2018-11-27 中国核动力研究设计院 一种Ni-63放射性片状源的电沉积方法
CN108977859A (zh) * 2018-08-03 2018-12-11 中国核动力研究设计院 一种制备镍-63放射源的方法
CN109119179A (zh) * 2018-08-06 2019-01-01 中国科学院合肥物质科学研究院 一种新型亚微米级放射性薄膜源及其制备方法
CN109336099A (zh) * 2018-09-28 2019-02-15 西安交通大学 一种石墨烯纳米片结构缺陷修复与片间拼接方法
CN110156001A (zh) * 2019-07-11 2019-08-23 电子科技大学 一种转移石墨烯薄膜的方法
CN110797140A (zh) * 2019-11-13 2020-02-14 东南大学 一种银纳米线和石墨烯复合柔性透明导电薄膜及制备方法
CN111017872A (zh) * 2019-11-25 2020-04-17 西安邮电大学 一种三明治结构复合纳米阵列衬底的制备方法
CN111091931A (zh) * 2019-12-25 2020-05-01 荆楚理工学院 一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法
CN111519186A (zh) * 2020-05-26 2020-08-11 中国人民解放军国防科技大学 一种铁磁/石墨烯外延界面及其低温制备方法
CN111968772A (zh) * 2020-08-25 2020-11-20 中国科学院合肥物质科学研究院 一种基于石墨烯的异质结同位素电池
CN112133568A (zh) * 2020-08-11 2020-12-25 威海广泰空港设备股份有限公司 一种可用于机场摆渡车的超级电容及其电极的制作方法
US20210035768A1 (en) * 2019-07-29 2021-02-04 National Central University Ion generation composite target and laser-driven ion acceleration apparatus using the same
CN112938964A (zh) * 2021-04-19 2021-06-11 北京化工大学 一种采用一锅法制备氮掺杂多孔石墨化碳气凝胶微球的方法
CN113436775A (zh) * 2021-06-23 2021-09-24 中国核动力研究设计院 一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法
CN113510988A (zh) * 2021-07-29 2021-10-19 北京卫星环境工程研究所 基于石墨烯/pmma复合薄膜标准漏孔及制备方法

Patent Citations (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006069513A1 (fr) * 2004-12-28 2006-07-06 Chengdu Chemphys Chemical Industry Co., Ltd. Poudre de nickel spherique ultrafine presentant une densite apres tassement elevee et procede de preparation par voie humide
CN101733985A (zh) * 2009-12-23 2010-06-16 天津大学 一种石墨烯/氧化镍层状结构复合薄膜及其制备方法
CN102877109A (zh) * 2012-09-19 2013-01-16 四川大学 电泳沉积法制备石墨烯透明导电薄膜
US20140141600A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of preparing graphene and device including graphene
CN103058177A (zh) * 2013-01-05 2013-04-24 张家港市东大工业技术研究院 一种利用高能微波真空辐照实现氮掺杂石墨烯的制备方法
CN103215548A (zh) * 2013-04-24 2013-07-24 厦门烯成新材料科技有限公司 一种金属纳米颗粒掺杂石墨烯的制备方法
CN104183700A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种柔性透明导电石墨烯薄膜及其制备方法和应用
CN103500917A (zh) * 2013-10-23 2014-01-08 山东师范大学 三明治式石墨烯饱和吸收体及其制备方法
CN103556148A (zh) * 2013-10-29 2014-02-05 中国石油大学(北京) 一种NiTi形状记忆合金的表面改性方法
CN105023629A (zh) * 2014-04-28 2015-11-04 中国科学院上海硅酸盐研究所 石墨烯-铜纳米线复合薄膜及其制备方法
CN105304860A (zh) * 2014-05-28 2016-02-03 福建省辉锐材料科技有限公司 一种制备石墨烯基底电极及电池和超级电容器的方法
JP2016047777A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 国立大学法人大阪大学 グラフェン薄膜の製造方法、並びにグラフェン薄膜を備えた電子素子およびセンサ
CN104218114A (zh) * 2014-08-28 2014-12-17 太原理工大学 一种二维异质结太阳能电池及其制备方法
CN104409555A (zh) * 2014-12-05 2015-03-11 厦门烯成科技有限公司 一种基于石墨烯的紫外感应器及其制备方法
CN106297936A (zh) * 2015-06-02 2017-01-04 刘建国 同位素β射线辐射荧光发光光伏电池
CN105036114A (zh) * 2015-07-29 2015-11-11 苏州捷迪纳米科技有限公司 石墨烯-碳纳米管-石墨烯复合结构及其制备方法
CN104987134A (zh) * 2015-07-29 2015-10-21 长安大学 一种在陶瓷表面利用原位还原法制备镍涂层的方法
CN105132884A (zh) * 2015-09-25 2015-12-09 南京航空航天大学 一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法
CN105274491A (zh) * 2015-11-12 2016-01-27 杭州电子科技大学 一种石墨烯-氮化硼异质相复合薄膜材料的制备方法
CN105752965A (zh) * 2016-01-26 2016-07-13 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 Cvd方法制备石墨烯中直接形成多层石墨烯薄膜的刻蚀方法
KR101723769B1 (ko) * 2016-02-17 2017-04-05 원광대학교산학협력단 그래핀의 직접 전사 방법 및 그래핀층 상의 선택적 원자층 증착 방법
CN106191805A (zh) * 2016-06-06 2016-12-07 重庆大学 一种磁性石墨烯复合薄膜的制备方法
CN106158144A (zh) * 2016-06-23 2016-11-23 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法
JP2018006044A (ja) * 2016-06-28 2018-01-11 国立研究開発法人産業技術総合研究所 グラフェンを含む透明導電膜
CN107706421A (zh) * 2016-08-07 2018-02-16 福建新峰二维材料科技有限公司 一种铝离子电池正极材料的制备方法
CN106653924A (zh) * 2017-01-20 2017-05-10 郑州航空工业管理学院 一种肖特基太阳能电池及其制备方法
CN106881112A (zh) * 2017-03-20 2017-06-23 北京理工大学 一种以还原氧化石墨烯为载体的Ni@Pd核壳结构的电催化剂及其制备方法
CN107311158A (zh) * 2017-06-24 2017-11-03 南昌航空大学 一种在镍基上制备石墨烯薄膜并转移到其它基底的方法
CN107293602A (zh) * 2017-07-06 2017-10-24 北京邮电大学 基于氧化锌/石墨烯/氧化锌三明治结构的光电探测器
CN107697906A (zh) * 2017-08-21 2018-02-16 上海理工大学 一种铜/石墨烯复合材料的制备方法
CN108893762A (zh) * 2018-08-03 2018-11-27 中国核动力研究设计院 一种Ni-63放射性片状源的电沉积方法
CN108977859A (zh) * 2018-08-03 2018-12-11 中国核动力研究设计院 一种制备镍-63放射源的方法
CN109119179A (zh) * 2018-08-06 2019-01-01 中国科学院合肥物质科学研究院 一种新型亚微米级放射性薄膜源及其制备方法
CN109336099A (zh) * 2018-09-28 2019-02-15 西安交通大学 一种石墨烯纳米片结构缺陷修复与片间拼接方法
CN110156001A (zh) * 2019-07-11 2019-08-23 电子科技大学 一种转移石墨烯薄膜的方法
US20210035768A1 (en) * 2019-07-29 2021-02-04 National Central University Ion generation composite target and laser-driven ion acceleration apparatus using the same
CN110797140A (zh) * 2019-11-13 2020-02-14 东南大学 一种银纳米线和石墨烯复合柔性透明导电薄膜及制备方法
CN111017872A (zh) * 2019-11-25 2020-04-17 西安邮电大学 一种三明治结构复合纳米阵列衬底的制备方法
CN111091931A (zh) * 2019-12-25 2020-05-01 荆楚理工学院 一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法
CN111519186A (zh) * 2020-05-26 2020-08-11 中国人民解放军国防科技大学 一种铁磁/石墨烯外延界面及其低温制备方法
CN112133568A (zh) * 2020-08-11 2020-12-25 威海广泰空港设备股份有限公司 一种可用于机场摆渡车的超级电容及其电极的制作方法
CN111968772A (zh) * 2020-08-25 2020-11-20 中国科学院合肥物质科学研究院 一种基于石墨烯的异质结同位素电池
CN112938964A (zh) * 2021-04-19 2021-06-11 北京化工大学 一种采用一锅法制备氮掺杂多孔石墨化碳气凝胶微球的方法
CN113436775A (zh) * 2021-06-23 2021-09-24 中国核动力研究设计院 一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法
CN113510988A (zh) * 2021-07-29 2021-10-19 北京卫星环境工程研究所 基于石墨烯/pmma复合薄膜标准漏孔及制备方法

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘乐;汤建;王琴琴;时东霞;张广宇;: "石墨烯封装单层二硫化钼的热稳定性研究", 物理学报, no. 22, 5 November 2018 (2018-11-05), pages 226501 - 1 *
张光宇;王欣;徐芮;刘琳婧;李闯;吕胤霖;陈玉娟;朱大福;杨昕瑞;: "气液界面自组装还原氧化石墨烯薄膜", 哈尔滨理工大学学报, no. 04, 20 July 2018 (2018-07-20), pages 148 - 152 *
曹宏, 王学华, 宾晓蓓, 陈理强, 王家辉: "石墨包覆纳米铁镍材料的制备及表征", 矿物学报, no. 01, 30 March 2005 (2005-03-30), pages 75 - 80 *
米远祝;颜学敏;: "溶剂热法制备的多边形薄片镍粉", 磁性材料及器件, no. 03, 15 June 2010 (2010-06-15), pages 22 - 25 *
赵元;杜袁鑫;陈冠雄;陶柱晨;程涛;朱彦武;: "基于石墨烯复合薄膜的等离激元传感研究进展", 科技导报, no. 05, 13 March 2015 (2015-03-13), pages 18 - 25 *
黄维;付志兵;朱家艺;王朝阳;: "石墨烯/碳纳米管复合薄膜的制备研究进展", 材料导报, no. 1, 25 May 2016 (2016-05-25), pages 24 - 30 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114203330A (zh) * 2021-12-13 2022-03-18 中国核动力研究设计院 一种超薄镍-63辐射源及其制备方法、应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Van Le et al. Dual use of tantalum disulfides as hole and electron extraction layers in organic photovoltaic cells
EP2584074B1 (en) Large area deposition and doping of graphene, and products including the same
US20160027935A1 (en) Method for producing stacked electrode and method for producing photoelectric conversion device
CN106449985A (zh) 一种具有石墨烯阻挡层的钙钛矿电池及制备方法
CN102759467B (zh) 一种制作多层石墨烯tem样品的方法
WO2018024182A1 (zh) 一种三维石墨烯-Si-MoS2复合材料的制备方法
WO2013104141A1 (zh) 一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法
JP2001085715A (ja) 半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法
CN105264645B (zh) 电子构件的剥离方法及叠层体
JP3982221B2 (ja) リチウムイオンポリマー二次電池及び該電池の密着層に用いる結着剤の合成方法
WO2016060156A1 (ja) 太陽電池
CN107302057A (zh) 基于三硫化二锑致密薄膜的平面结构杂化太阳能电池
CN108615700A (zh) 一种薄型太阳电池刚性-柔性衬底有机键合转移工艺方法
CN103746077A (zh) 一种有机无机复合的太阳能电池及其制备方法
CN113744916A (zh) 一种透明导电薄膜及其制备方法
CN106124587B (zh) 一种薄膜生物电极
JP2013035699A (ja) グラフェン構造体、グラフェン構造体の製造方法、光電変換素子、太陽電池及び撮像装置
CN114203326A (zh) 石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其制备方法、应用
TWI521729B (zh) 用於製造銅銦二硒化物半導體薄膜的方法
CN114203326B (zh) 石墨烯封装超薄镍-63辐射源薄膜及其制备方法、应用
CN114180562A (zh) 一种石墨烯转移方法
US20210032108A1 (en) Hybrid structure using graphene-carbon nanotube and perovskite solar cell using the same
Zhou et al. Anti-corrosion strategy to improve the stability of perovskite solar cells
Lipson et al. In-situ charged particles and X-ray detection in Pd thin film-cathodes during electrolysis in Li2SO4/H2O
TW201250017A (en) Method and apparatus for depositing selenium thin-film and plasma head thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant