CN113629200A

CN113629200A - 发光装置

Info

Publication number: CN113629200A
Application number: CN202110302193.6A
Authority: CN
Inventors: 方珍淑; 金东勋; 任相薰; 崔真荣; 洪银政; 李宽熙
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2020-05-06
Filing date: 2021-03-22
Publication date: 2021-11-09
Also published as: US20210351365A1; KR20210136224A; US20240292733A1; US11957043B2

Abstract

发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及中间层，该中间层设置在第一电极和第二电极之间并且包括被图案化成相应子像素的红色发射层和绿色发射层的发射层，其中红色发射层包括具有水平偶极矩的红色掺杂剂，并且绿色发射层包括具有水平偶极矩的绿色掺杂剂，并且绿色掺杂剂的水平偶极矩大于红色掺杂剂的水平偶极矩。

Description

发光装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年5月6日提交的韩国专利申请号10-2020-0054095的优先权和权益，为了所有目的将该申请通过引用在此并入，如同在本文中充分陈述一样。

技术领域

本发明的示例性实施方式一般涉及发光装置，并且更具体地，涉及包括发光装置的电子设备。

背景技术

有机发光装置(OLED)是自发射装置，该自发射装置与本领域中的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间和在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越特性。

有机发光装置可包括设置在基板上的第一电极，以及顺序设置在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。

该背景技术部分中公开的以上信息仅用于本发明构思的背景的理解，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。

发明内容

根据本发明的示例性实施构造的发光装置和包括该发光装置的电子设备允许用户不识别出根据视角的颜色变化，因此从正面观看到的颜色与从侧面观看到的颜色基本上相同。例如，申请人发现，当发光装置的绿色掺杂剂的水平偶极矩和红色掺杂剂的水平偶极矩在本文公开的任何范围内时，根据视角的颜色-坐标变化移动的方向可为最小可感知的色差(MPCD)线方向，并且因此，用户可能不会识别出取决于视角的变化的颜色变化。

本发明构思的另外的特征将在随后的描述中陈述，并且部分将从描述中显而易见，或可通过本发明构思的实践而获知。

根据本发明的一个方面，发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及中间层，该中间层设置在第一电极和第二电极之间并且包括被图案化成相应子像素的红色发射层和绿色发射层的发射层，其中红色发射层包括具有水平偶极矩的红色掺杂剂，并且绿色发射层包括具有水平偶极矩的绿色掺杂剂，并且绿色掺杂剂的水平偶极矩大于红色掺杂剂的水平偶极矩。

绿色掺杂剂的水平偶极矩可在绿色掺杂剂的总偶极矩的约60％至约95％的范围内。

红色掺杂剂的水平偶极矩可为红色掺杂剂的总偶极矩的约80％或更低。

第二电极可具有折射率为约1.6或更大的封盖层。

封盖层可与第二电极接触。

封装层可设置在第二电极上。

可通过交替堆叠至少一个有机层和至少一个无机层来设置封装层。

发光装置可不包括封盖层。

绿色掺杂剂和红色掺杂剂可各自由式401表示：

式401

M(L₄₀₁)xc1(L₄₀₂)xc2

式402

其中，在式401和402中，变量在本文中被定义。

变量M可为铱、铂、钯、锇、钛、金、铪、铕、铽、铑、铼或铥。

式402中的变量X₄₀₁可为氮，并且变量X₄₀₂可为碳。

式402中的变量X₄₀₁和X₄₀₂可各自为氮。

变量L₄₀₂可为包括卤素基、二酮基、羧酸基、-C(＝O)、异腈基、-CN基、磷基或其任何组合的有机配体。

红色掺杂剂和绿色掺杂剂中的至少一种可为如本文定义的下述化合物1-53中的任一种。

中间层可进一步包括图案化成蓝色发射层的发射层。

根据视角的颜色-坐标变化移动的方向可为最小可感知的色差线方向。

颜色-坐标变化移动可为在大于约0度至约60度的视角下的移动。

红色掺杂剂的水平偶极矩可在红色掺杂剂的总偶极矩的约60％至约80％的范围内。

第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且中间层可设置在第一电极和第二电极之间，可包括被图案化成对应子像素的红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层的发射层，并且可包括：i)位于第一电极和发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、缓冲层、电子阻挡层或其任何组合的空穴传输区；和ii)位于发射层和第二电极之间并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合的电子传输区。

电子设备可包括：薄膜晶体管；和如以上定义的发光装置，其中薄膜晶体管可包括源电极、漏电极、有源层和栅电极，并且发光装置的第一电极可电连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个。

应当理解，前面的一般描述和随后的具体描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的示例性实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思。

图1为根据本发明原理构造的发光装置的示例性实施方式的示意性横截面图。

图2是示出了根据相关领域的发光装置的视角的颜色-坐标变化移动的曲线图描绘。

图3是示出了根据本发明原理构造的发光装置中根据视角的颜色-坐标变化移动的曲线图描绘。

图4是根据本发明原理构造的发射设备的示例性实施方式的示意性横截面图。

具体实施方式

在以下描述中，为了解释的目的，阐释了许多具体细节，以便提供对本发明的各种示例性实施方式或实施的透彻理解。如本文使用的“实施方式”和“实施”是可互换的词语，其是采用本文公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。但是，显而易见，可在没有这些具体细节的情况下或在用一个或多个等效布置的情况下实践各种示例性实施方式。在其他情况下，以框图形式显示熟知的结构和装置，以便避免不必要地混淆各种示例性实施方式。此外，各种示例性实施方式可能不同，但是不必是排他性的。例如，在不背离本发明构思的情况下，一个示例性实施方式的具体形状、构造和特性可在另一个示例性实施方式中使用或实施。

除非另外指出，否则所图示的示例性实施方式应理解为提供改变在实践中可实施本发明构思的一些方式的细节的示例性特征。因此，除非另外指出，否则在不背离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(下文单独或共同称为“元件”)可以以其他方式组合、分开、互换和/或重排。

通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用来使邻近元件的边界清楚。这样，除非指出，否则存在或缺少交叉影线或阴影都不表达或指示对元件的特定材料、材料性质、维度、比例、所示元件之间的共性，和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏爱或要求。此外，在附图中，为了清楚起见和/或描述目的，元件的尺寸和相对尺寸可被放大。当可不同地实施示例性实施方式时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地进行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。而且，相同的附图标记表示相同的元件。

当一个元件，比如层，被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、连接至或耦接至另一元件或层，或可存在中间元件或层。但是，当一个元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为了该目的，术语“连接”可指用或不用中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，D1-轴、D2-轴和D3-轴不限于直角坐标系的三个轴，比如x轴、y轴和z轴，并且可在更广泛的意义上来解释。例如，D1-轴、D2-轴和D3-轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一种”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一种”可解释为仅X、仅Y、仅Z，或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，比如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。

尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可称为第二元件。

空间相对术语，比如“之下”、“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上”、“上方”、“更高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等，可在本文中用于描述性目的，并且从而用于描述附图中所示的一个元件与另一个元件(多个元件)的关系。空间相对术语旨在包括除了图中描绘的定向之外的使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果将图中的设备翻转，描述为在其他元件或特征“下面”或“之下”的元件则将定向在其他元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“下面”可包括上面和下面的定向两者。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，这样，相应地解释本文使用的空间相对描述符。

本文使用的术语是为了描述具体实施方式的目的，并且不旨在是限制性的。如本文所使用，单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指出。而且，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在本说明书中使用时，表明存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。还应注意，如本文所使用，术语“基本上”、“约”和其他类似术语，用作近似的术语而不用作程度的术语，并且，这样，用于解释本领域普通技术人员会认识的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。

本文中参考作为理想的示例性实施方式和/或中间结构的示意图示的截面图示和/或分解图示，描述了各种示例性实施方式。这样，应预料到例如由于制造技术和/或公差造成的与图示形状的变化。因此，本文公开的示例性实施方式不应必须解释为限于区的具体所示形状，而是解释为包括例如由于制造造成的形状的偏差。如此，图中所示的区本质上可为示意性的，并且这些区的形状可能不反映装置的区的实际形状，并且这样，不一定旨在是限制性的。

除非以其他方式限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。术语，比如常用词典中限定的那些，应解释为具有的含义与它们在相关领域的语境下的含义一致，并且不应以理想化或过于正式的意义解释，除非本文明确如此限定。

光在发光化合物分子的偶极矩的垂直方向上传播，并且在x-y平面上排列的偶极矩中，光在垂直方向上发射。然而，在z轴的偶极矩中，光在水平方向上发射，导致光损失。当分子排列在基板的水平方向上定向时(即，当水平方向上的偶极矩增加时)，可提高效率。

在有机发光装置中，水平偶极矩越大，越多的光发射到前面，这增加了外部量子效率。所以，分子结构被设计成平面形式，使得当沉积发光材料时水平偶极矩增加。

图1是根据本发明的原理构造的发光装置的示例性实施方式的示意性横截面图。图2是示出了在相关领域的发光装置中根据视角的颜色-坐标变化移动的曲线图描绘。图3是示出了根据本发明原理构造的发光装置中根据视角的颜色-坐标变化移动的曲线图描绘。

如图2中所示，随着视角从约0度增加至约60度，颜色朝向红色区域、蓝色区域和绿色区域移动(数字“45”表示约45度的视角)。这种改变可被用户的肉眼观察为根据视角从浅红色到浅蓝色到浅绿色的颜色变化。

根据视角的颜色变化的原因之一是红色共振与绿色共振在强度上类似，并且因此颜色坐标根据视角变化(白色角度差：WAD)。

根据一个或多个示例性实施方式，发光装置可包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；和中间层，该中间层位于第一电极和第二电极之间并且包括根据子像素被图案化成红色发射层和绿色发射层的发射层，其中红色发射层可包括红色掺杂剂，绿色发射层可包括绿色掺杂剂，并且绿色掺杂剂的水平偶极矩可大于红色掺杂剂的水平偶极矩。

因为在高视角(例如，约60度)下绿色很强，所以有必要在高视角下加宽红色角度分布，以便不朝向绿色移动。当红色掺杂剂的水平偶极矩增加时，可增加高视角(例如，约60度)下的红光发射率。另一方面，通过调节绿色掺杂剂的水平偶极矩，可调节约60度的视角的位置。当绿色掺杂剂的水平偶极矩减小时，可增加高视角(例如，约60度)下的绿光发射率。

在根据一个或多个示例性实施方式的发光装置中，绿色掺杂剂的水平偶极矩可大于红色掺杂剂的水平偶极矩。在一些示例性实施方式中，绿色掺杂剂的水平偶极矩可在绿色掺杂剂的总偶极矩的约60％至约95％的范围内。

在一些示例性实施方式中，红色掺杂剂的水平偶极矩可为红色掺杂剂的总偶极矩的约80％或更低。在一些示例性实施方式中，红色掺杂剂的水平偶极矩可在红色掺杂剂的总偶极矩的约60％至约80％的范围内。在一些示例性实施方式中，红色掺杂剂的水平偶极矩可在约65％至约75％的范围内。

总偶极矩指水平偶极矩和垂直偶极矩的总和。当绿色掺杂剂的水平偶极矩和红色掺杂剂的水平偶极矩在这些范围中的任一个之内时，根据视角的颜色-坐标变化移动的方向可为最小可感知的色差(MPCD)线方向，并且因此，用户可不识别出取决于视角的变化的颜色变化。

在一些示例性实施方式中，绿色掺杂剂和红色掺杂剂可各自由式401表示：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

其中，在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，并且当xc1为2或更大时，至少两个L₄₀₁可彼此相同或不同，

式402

L₄₀₂可为有机配体，并且xc2可为0至4的整数，并且当xc2为2或更大时，至少两个L₄₀₂可彼此相同或不同，

在式402中，

X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₅-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可为单键、-O-、-S-、-C(＝O)-、-N(Q₄₁₁)-、-N＝、-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝或＝C＝，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

其中Q₄₁₁至Q₄₁₄可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、取代的或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代的或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代的或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可分别通过参考本文提供的Q₄₁₁至Q₄₁₄的描述来理解，

xc11和xc12可各自独立地为0至10的整数，并且

式402中的*和*'各自指示与式401中的M的结合位点。

在一个或多个示例性实施方式中，在式402中，i)X₄₀₁可为氮，且X₄₀₂可为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂可均为氮。

在一个或多个示例性实施方式中，当式402中的xc1为2或更大时，至少两个L₄₀₁的两个环A₄₀₁可任选地经作为连接基团的T₄₀₂结合，或两个环A₄₀₂可任选地经作为连接基团的T₄₀₃结合(见本文提供的化合物12至24)。T₄₀₂和T₄₀₃可各自通过参考本文提供的T₄₀₁的描述来理解。

式401中的L₄₀₂可为任何适当的有机配体。例如，L₄₀₂可为卤素基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶甲酸盐基)、-C(＝O)、异腈基、-CN或磷基(例如，膦基或亚磷酸盐基)，但是示例性实施方式不限于此。

在一些示例性实施方式中，绿色掺杂剂可为不同于红色掺杂剂的化合物。在一些示例性实施方式中，红色掺杂剂和绿色掺杂剂中的至少一种可为下述化合物中的任一种：

在一些示例性实施方式中，中间层可进一步包括被图案化成蓝色发射层的发射层。在一些示例性实施方式中，蓝色发射层中包括的掺杂剂可为包括配体和金属的金属络合物。蓝色掺杂剂可为通常使用的蓝色掺杂剂化合物。

在一些示例性实施方式中，根据视角的颜色-坐标变化移动的方向可为最小可感知的色差(MPCD)线方向。如本文所使用的表述“根据视角的颜色-坐标变化移动的方向为MPCD线方向”意思是根据视角的颜色-坐标变化移动的方向与MPCD线方向在同一方向上，而不是根据视角的颜色-坐标变化移动的方向与MPCD线方向完全相同。

如本文所使用的术语“相同方向”意味着，例如，根据视角的颜色-坐标变化移动的方向是上下方向，并且MPCD线方向也是上下方向。如本文所使用的术语“相同方向”意味着，例如，根据视角的颜色-坐标变化移动的方向为左右方向，并且MPCD线方向也为左右方向，或视角为右上方向，并且MPCD线方向也是右上方向。

在一些示例性实施方式中，颜色-坐标变化移动可为在大于约0度至约60度的视角下的移动。约0度的视角意为从正面观看的情况。

在一些示例性实施方式中，在发光装置中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且位于第一电极和第二电极之间并且包括根据子像素被图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层的发射层的中间层可包括：i)在第一电极和发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、缓冲层、电子阻挡层或其任何组合的空穴传输区；以及ii)在发射层和第二电极之间并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合的电子传输区。

电子设备可包括：薄膜晶体管和发光装置，其中薄膜晶体管可包括源电极、漏电极、有源层和栅电极，并且发光装置的第一电极可电连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个。

图1的描述

图1为根据实施方式的发光装置10的示意图。发光装置10可包括第一电极110、中间层150和第二电极190。如本文使用的，将结合图1描述根据一些示例性实施方式的发光装置10的结构和根据实施方式的发光装置10的制造方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极190上面。基板可为玻璃基板或塑料基板。第一电极110可通过将用于形成第一电极110的材料沉积或溅射在基板上而形成。当第一电极110为阳极时，可容易注入空穴的高功函数材料可用作用于第一电极110的材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任何组合，但是示例性实施方式不限于此。在一些示例性实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合可用作用于形成第一电极110的材料，但是示例性实施方式不限于此。

第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。在一些示例性实施方式中，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但是示例性实施方式不限于此。

中间层150

中间层150可在第一电极110上。中间层150可包括发射层。中间层150可进一步包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极190之间的电子传输区。除了各种有机材料之外，中间层150可进一步包括含金属的化合物(比如有机金属化合物)和无机材料(比如量子点)等。

中间层150中的空穴传输区

空穴传输区可具有i)由单个层组成的单层结构，所述单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，所述单个层包括多种不同材料，或iii)具有多个层的多层结构，所述多个层包括多种不同材料。空穴传输区可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射辅助层、电子阻挡层(EBL)或其组合。

例如，空穴传输区可具有多层结构，例如，空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中每种结构的层以各自叙述的顺序依次堆叠在第一电极110上，但是示例性实施方式不限于此。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

其中，在式201和202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为取代的或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代的或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团或者取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，

L₂₀₅可为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、取代的或未取代的C₁-C₂₀亚烷基、取代的或未取代的C₂-C₂₀亚烯基、取代的或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代的或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团或者取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，

xa1至xa4可各自独立地为0、1、2或3(例如，0、1或2)，

xa5可为1至10的整数(例如，1、2、3或4)，并且

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为取代的或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团或者取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团。

在一些示例性实施方式中，在式202中，R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基结合，并且R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基结合。

在一些示例性实施方式中，i)式201中的R₂₀₁至R₂₀₃中的至少一个和ii)式202中的R₂₀₁至R₂₀₄中的至少一个可各自独立地为各自未被取代或被以下中的至少一个取代的芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、萘基、菲基、茚基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二甲基苯并芴基、二苯基苯并芴基、茚并菲基、二甲基茚并菲基、二苯基茚并菲基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯基吲哚基、苯并吲哚基、苯基苯并吲哚基、异吲哚基、苯基异吲哚基、苯并异吲哚基、苯基苯并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、二甲基苯并硅杂环戊二烯基、二苯基苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、苯基咔唑基、联苯基咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二甲基二苯并硅杂环戊二烯基、二苯基二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基和二苯并呋喃基、但是示例性实施方式不限于此。

在一些示例性实施方式中，由式201或202表示的化合物可包括至少一个咔唑基。在一些示例性实施方式中，由式201表示的化合物可不包括咔唑基。

在一些示例性实施方式中，由式201表示的化合物可由式201A-1表示：

式201A-1

其中，在式201A-1中，式201A-1中的L₂₀₃、xa3和R₂₀₃可分别通过参考本文提供的L₂₀₃、xa3和R₂₀₃的描述来理解，并且R₂₁₁至R₂₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、萘基、菲基、茚基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二甲基苯并芴基、二苯基苯并芴基、茚并菲基、二甲基茚并菲基、二苯基茚并菲基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯基吲哚基、苯并吲哚基、苯基苯并吲哚基、异吲哚基、苯基异吲哚基、苯并异吲哚基、苯基苯并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、二甲基苯并硅杂环戊二烯基、二苯基苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、苯基咔唑基、联苯基咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二甲基二苯并硅杂环戊二烯基、二苯基二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基。

在一些示例性实施方式中，空穴传输区可包括化合物HT1至HT44中的一种、4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)、1-N,1-N-双[4-(二苯基氨基)苯基]-4-N,4-N-二苯基苯-1,4-二胺(TDATA)、4,4',4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-TNATA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(NPB或NPD)、N4,N4'-二(萘-2-基)-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(β-NPB)、N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基联苯胺(TPD)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-9,9-螺二芴-2,7-二胺(螺-TPD)、N2,N7-二-1-萘基-N2,N7-二苯基-9,9'-螺二[9H-芴]-2,7-二胺(螺-NPB)、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-2,2’-二甲基二苯基-(1,1′-联苯)-4,4′-二胺(甲基化的NPB)、4,4′-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N,N,N′,N′-四(3-甲基苯基)-3,3′-二甲基联苯胺(HMTPD)、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐(PANI/PSS)或其任何组合，但是示例性实施方式不限于此：

空穴传输区的厚度可在约

至约

的范围内，并且在一些示例性实施方式中，约

至约

的范围内。当空穴传输区包括选自空穴注入层和空穴传输层中的至少一个时，空穴注入层的厚度可在约

至约

的范围内，并且在一些示例性实施方式中，约

至约

的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约

至约

的范围内，并且在一些示例性实施方式中，约

至约

的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得卓越的空穴传输特性。

发射辅助层可根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率。电子阻挡层可减少或消除来自电子传输区的电子流。发射辅助层和电子阻挡层可包括上述的材料。

p-掺杂剂

空穴传输区可包括电荷产生材料以及上述的材料以提高空穴传输区的导电性能。电荷产生材料可基本上均匀或非均匀地分散于空穴传输区中。电荷产生材料可包括，例如，p-掺杂剂。

在一些示例性实施方式中，p-掺杂剂的LUMO能级可为约-3.5eV或更低。p-掺杂剂可为醌衍生物、金属氧化物、含氰基的化合物或其任何组合，但是示例性实施方式不限于此。

在一些示例性实施方式中，p-掺杂剂可包括：醌衍生物，比如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)；金属氧化物，比如氧化钨或氧化钼；含氰基的化合物，比如1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)；由式221表示的化合物或其任何组合，但是示例性实施方式不限于此：

式221

其中，在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为取代的或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团或者取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，其中R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团或单价非芳族稠合杂多环基团：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被至少一个氰基取代的C₁-C₂₀烷基；被至少一个-F取代的C₁-C₂₀烷基；被至少一个-Cl取代的C₁-C₂₀烷基；被至少一个-Br取代的C₁-C₂₀烷基；被至少一个-I取代的C₁-C₂₀烷基；或其任何组合。

中间层150中的发射层

当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个示例性实施方式中，发射层可具有堆叠结构。堆叠结构可包括选自红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层。两个或更多个层可彼此直接接触。在一些示例性实施方式中，两个或更多个层可彼此分开。在一个或多个示例性实施方式中，发射层可包括两种或更多种材料。两种或更多种材料可包括红色发光材料、绿色发光材料或蓝色发光材料。两种或更多种材料可在单个层中彼此混合。在单个层中彼此混合的两种或更多种材料可发射白光。

发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可为磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内，但是示例性实施方式不限于此。在一些示例性实施方式中，发射层可包括量子点。

发射层的厚度可在约

至约

的范围内，并且在一些示例性实施方式中，约

至约

的范围内。当发射层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得提高的发光特性。

发射层中的主体

主体可包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21

其中，在式301中，

Ar₃₀₁可选自取代的或未取代的C₅-C₆₀碳环基团和取代的或未取代的C₁-C₆₀杂环基团，xb11可为1、2或3，L₃₀₁可为取代的或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代的或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团或者取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，

xb1可为0、1、2、3、4或5，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代的或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代的或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为1、2、3、4或5，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃可各自通过参考本文提供的Q₁的描述来理解。

在一些示例性实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，至少两个Ar₃₀₁可经单键结合。

在一些示例性实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1至301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为C₅-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁可为O、S、N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可分别通过参考上面提供的L₃₀₁、xb1和R₃₀₁的描述来理解，

L₃₀₂至L₃₀₄可各自通过参考本文提供的L₃₀₁的描述来理解，

xb2至xb4可各自通过参考本文提供的xb1的描述来理解，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可各自通过参考本文提供的R₃₀₁的描述来理解。

在一些示例性实施方式中，主体可包括碱土金属络合物。例如，主体可包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其任何组合。

在一些示例性实施方式中，主体可包括化合物H1至H120中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)或其任何组合，但是示例性实施方式不限于此：

包括在中间层150的发射层中的磷光掺杂剂

发射层可根据代表性子像素被图案化成红色发射层和绿色发射层，并且绿色掺杂剂的水平偶极矩可大于红色掺杂剂的水平偶极矩。发射层可进一步包括被图案化成蓝色发射层的发射层。绿色掺杂剂和红色掺杂剂可各自为磷光掺杂剂。绿色掺杂剂和红色掺杂剂可各自通过参考本文提供的绿色掺杂剂和红色掺杂剂的描述来理解。

中间层150中的电子传输区

电子传输区可具有i)由单个层组成的单层结构，所述单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，所述单个层包括多种不同材料，或iii)具有多个层的多层结构，所述多个层包括多种不同材料。电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或电子注入层，但是示例性实施方式不限于此。

在一些示例性实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每个结构的层以各自叙述的顺序依次堆叠在发射层上，但是示例性实施方式不限于此。电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括不含金属的化合物，所述不含金属的化合物包括可容易接受电子的至少一个含π电子耗尽的氮的环状基团。

例如，"含π电子耗尽的氮的环状基团"可为i)第一环，ii)其中两个或更多个第一环稠合的稠合环状基团，或iii)其中至少一个第一环和至少一个第二环稠合的稠合环状基团，其中第一环为包括至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的杂单环基团(例如，咪唑基、吡啶基或三嗪基)，且第二环为不包括*-N＝*'部分作为成环部分的环状基团(例如，苯基、二苯并呋喃基或咔唑基)，

含π电子耗尽的氮的环状基团的实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基和咪唑并哒嗪基，但是示例性实施方式不限于此。

例如，电子传输区可包括由式601表示的且包括至少一个含π电子耗尽的氮的环状基团化合物。

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

其中，在式601中，

Ar₆₀₁可选自取代的或未取代的C₅-C₆₀碳环基团和取代的或未取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可为1、2或3，

L₆₀₁可为取代的或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代的或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团或者取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为取代的或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可各自通过参考本文提供的Q₁的描述来理解，并且

xe21可为1、2、3、4或5。

在一些示例性实施方式中，式601中的Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地包括含π电子耗尽的氮的环。在一些示例性实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，至少两个Ar₆₀₁可经单键结合。在一些示例性实施方式中，在式601中，Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在一些示例性实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，选自X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可各自通过参考本文提供的L₆₀₁的描述来理解，

xe611至xe613可各自通过参考本文提供的xe1的描述来理解，

R₆₁₁至R₆₁₃可各自通过参考本文提供的R₆₀₁的描述来理解，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。

在一些示例性实施方式中，在式601和601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括化合物ET1至ET36中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、三-(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、双(2-甲基-8-喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)或其任何组合，但是示例性实施方式不限于此：

缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地在约

至约

的范围内，并且在一些示例性实施方式中，约

至约

的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得卓越的空穴阻挡特性或卓越的电子控制特性。

电子传输层的厚度可在约

至约

的范围内，并且在一些示例性实施方式中，约

至约

的范围内。当电子传输层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得卓越的电子传输特性。

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属的材料。

含金属的材料可包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碱金属络合物的金属离子可为锂(Li)离子、钠(Na)离子、钾(K)离子、铷(Rb)离子或铯(Cs)离子。碱土金属络合物的金属离子可为铍(Be)离子、镁(Mg)离子、钙(Ca)离子、锶(Sr)离子或钡(Ba)离子。与碱金属络合物和碱土金属络合物的金属离子配位的每个配体可独立地为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合，但是示例性实施方式不限于此。

例如，含金属的材料可包括Li络合物。Li络合物可包括，例如，化合物ET-D1((8-羟基喹啉)锂(LiQ))或化合物ET-D2：

电子传输区可包括利于从第二电极190注入电子的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极190。

电子注入层可具有i)由单个层组成的单层结构，所述单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，所述单个层包括多种不同材料，或iii)具有多个层的多层结构，所述多个层包括多种不同材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。碱金属可为Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可为Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可为Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可分别为碱金属、碱土金属和稀土金属中的每一种的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或其任何组合。含碱金属的化合物可为碱金属氧化物(比如Li₂O、Cs₂O或K₂O)、碱金属卤化物(比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI)或其任何组合。含碱土金属的化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中0<x<1)或Ba_xCa_1-xO(其中0<x<1)。含稀土金属的化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任何组合。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括：i)上述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)与金属离子结合的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶，菲咯啉、环戊二烯或其任何组合，但是示例性实施方式不限于此。

电子注入层可由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合组成。在一些示例性实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合可均匀或非均匀地分散于包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

至约

的范围内，并且在一些示例性实施方式中，约

至约

的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得卓越的电子注入特性。

第二电极190

第二电极190可在中间层150上。在示例性实施方式中，第二电极190可为阴极，所述阴极为电子注入电极。在一些示例性实施方式中，用于形成第二电极190的材料可为具有低功函数的材料，例如，金属、合金、电导电化合物或其任何组合。

第二电极190可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、ITO、IZO或其任何组合，但是示例性实施方式不限于此。第二电极190可为透射电极、半透射电极或反射电极。第二电极190可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层可位于第一电极110外侧，和/或第二封盖层可位于第二电极190外侧。在一些示例性实施方式中，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、中间层150和第二电极190以该叙述的顺序依次堆叠的结构；其中第一电极110、中间层150、第二电极190和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构；或其中第一封盖层、第一电极110、中间层150、第二电极190和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。

在发光装置10中，从中间层150的发射层发射的光可穿过第一电极110(其可为半透射电极或透射电极)并穿过第一封盖层到达外侧。在发光装置10中，从中间层150中的发射层发射的光可穿过第二电极190(其可为半透射电极或透射电极)并穿过第二封盖层到达外侧。

第一封盖层和第二封盖层可基于相长干涉的原理提高外部发光效率。第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的封盖层、包括无机材料的无机封盖层或包括有机材料和无机材料的复合材料封盖层。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地在589nm处具有约1.6或更大的折射率。例如，第一封盖层可在589nm处具有约1.6的折射率，并且第二封盖层可在589nm处具有约1.7的折射率。在一些示例性实施方式中，第一封盖层和第二封盖层可在589nm处各自具有约1.6的折射率。例如，第二封盖层可在589nm处具有约1.6的折射率，并且第一封盖层可在589nm处具有约1.7的折射率。

在一些示例性实施方式中，第一封盖层和第二封盖层可各自独立地在589nm处具有在约1.6至约2.5的范围内的折射率。在一些示例性实施方式中，第一封盖层或第二封盖层可各自与第一电极110或第二电极190接触。

第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含氨基的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含氨基的化合物可任选地被O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在一些示例性实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含氨基的化合物。

在一些示例性实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。在一个或多个示例性实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括选自化合物HT28至HT33的化合物、选自化合物CP1至CP5的化合物或其任何组合，但是示例性实施方式不限于此：

电子设备

发光装置可包括于各种电子设备中。在一些示例性实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发射设备或认证设备。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发射设备)可进一步包括：i)滤色器层，ii)颜色-转换层，或iii)滤色器层和颜色-转换层。滤色器层和/或颜色-转换层可设置在从发光装置发射的光的至少一个传播方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置可通过参考本文提供的描述来理解。在一些示例性实施方式中，颜色-转换层可包括量子点。量子点可为，例如，本文所述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器层可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色-转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色-转换区域。

像素限定膜可位于多个子像素区域之间以限定每个子像素区域。滤色器层可进一步包括多个滤色器区域和在多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色-转换层可进一步包括多个颜色-转换区域和在多个颜色-转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域可包括：发射第一颜色光的第一滤色器区域；发射第二颜色光的第二滤色器区域；和/或发射第三颜色光的第三滤色器区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有不同的最大发射波长。在一些示例性实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光，但是示例性实施方式不限于此。在一些示例性实施方式中，多个滤色器区域(或多个颜色-转换区域)可各自包括量子点，但是示例性实施方式不限于此。在一些示例性实施方式中，第一滤色器区域可包括红色量子点，第二滤色器区域可包括绿色量子点，并且第三滤色器区域可不包括量子点。量子点可通过参考本文提供的量子点的描述来理解。第一滤色器区域、第二滤色器区域和/或第三滤色器区域可各自进一步包括发射器，但是示例性实施方式不限于此。

在一些示例性实施方式中，发光装置可发射第一光，第一滤色器区域可吸收第一光以发射1-1颜色光，第二滤色器区域可吸收第一光以发射2-1颜色光，并且第三滤色器区域可吸收第一光以发射3-1颜色光。在一些示例性实施方式中，1-1颜色光、2-1颜色光和3-1颜色光可各自具有不同的最大发射波长。在一些示例性实施方式中，第一光可为蓝光，1-1颜色光可为红光，2-1颜色光可为绿光，并且3-1光可为蓝光，但是示例性实施方式不限于此。

除了发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可电连接到发光装置的第一电极和第二电极中的一个。薄膜晶体管可进一步包括栅电极或栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和氧化物半导体，但是示例性实施方式不限于此。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可位于滤色器和发光装置之间。密封部分可允许光从发光装置传到外侧，并且同时防止空气和湿气渗透到发光装置。密封部分可为包括透明玻璃或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括多个有机层和/或多个无机层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。封装层可通过交替堆叠至少一个有机层和至少一个无机层来形成。

无机层和有机层可各有两个或更多个层。有机层可包括聚合物，例如，有机层可为包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯的单层膜或层压膜。在一些示例性实施方式中，有机层可包括聚丙烯酸酯，例如，包括二丙烯酸酯类单体和三丙烯酸酯类单体的聚合单体组合物。单体组合物可进一步包括单丙烯酸酯类单体。此外，单体组合物可进一步包括光引发剂，比如TPO，但是示例性实施方式不限于此。

无机层可为包括金属氧化物或金属氮化物的单层膜或层压膜。在一些示例性实施方式中，无机层可包括SiN_x、Al₂O₃、SiO₂和TiO₂中的至少一种。

封装层中暴露于外侧的最上层可形成为无机层，以防止水蒸汽透过发光装置。封装层可包括至少一个其中至少一个有机层插入在至少两个无机层之间的夹心结构。封装层可包括至少一个其中至少一个无机层插入在至少两个有机层之间的夹心结构。

封装层可包括从发光装置的顶部依次堆叠的第一无机层、第一有机层和第二无机层。在一些示例性实施方式中，封装层可包括从发光装置的顶部依次堆叠的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。在一些示例性实施方式中，封装层可包括从发光装置的顶部依次堆叠的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。

在发光装置和第一无机层之间可进一步包括包含LiF的卤化金属层。当通过使用溅射或等离子体沉积形成第一无机层时，卤化金属层可防止发光装置损坏。

第一有机层可比第二无机层具有更小的面积，并且第二有机层可比第三无机层具有更小的面积。此外，第一有机层可被第二无机层完全覆盖，并且第二有机层可被第三无机层完全覆盖。

在一些示例性实施方式中，封装层可在第二电极上。在一些示例性实施方式中，在封装层和第二电极之间可不包括封盖层。在一些示例性实施方式中，封装层可与第二电极接触。认证设备可为，例如，根据生物测定信息(例如，指尖或瞳孔等)识别个体的生物测定认证设备。除了上述发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集单元。

电子设备可适用于如下或采用如下的形式：各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子笔记本、电子词典、电子游戏控制台、医学装置(例如，电子温度计、血压仪、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图记录仪、超声诊断装置、内窥镜显示装置)、探鱼仪、各种测量装置、仪表(例如，车辆、飞机、轮船的仪表)、投影仪，但是示例性实施方式不限于此。

图4的描述

图4为根据本发明原理构造的发射设备的示例性实施方式的示意性横截面图。

图4中的发射设备可包括基板100、薄膜晶体管、发光装置和密封发光装置的封装单元300。基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可在基板100上。缓冲层210可防止杂质渗透基板100，并在基板100上提供大体平坦的表面。

薄膜晶体管可在缓冲层210上。薄膜晶体管可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且包括源区、漏区和沟道区。

用于绝缘有源层220和栅电极240的栅绝缘膜230可在有源层220上，并且栅电极240可在栅绝缘膜230上。中间层绝缘膜250可在栅电极240上。中间层绝缘膜250可在栅电极240与源电极260之间以及在栅电极240和漏电极270之间，以在其间提供绝缘。

源电极260和漏电极270可在中间层绝缘膜250上。中间层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可邻近有源层220的暴露的源区域和暴露的漏区域。

这种薄膜晶体管可电连接到发光装置以驱动发光装置并且可由钝化层280保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置可在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、中间层150和第二电极190。

第一电极110可在钝化层280上。钝化层280可不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的特定区域，并且第一电极110可被设置为连接到暴露的漏电极270。

像素限定膜290可在第一电极110上。像素限定膜290可暴露第一电极110的特定区域，并且中间层150可形成在暴露区域中。像素限定膜290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。中间层150的一些较高层可延伸至像素限定膜290的上部分并且可以公共层的形式设置。

第二电极190可在中间层150上，并且封盖层170可另外形成在第二电极190上。封盖层170可形成为覆盖第二电极190。封装单元300可在封盖层170上。封装单元300可在发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧的影响。封装单元300可通过参考本文提供的封装层的描述来理解。

制造方法

构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过使用一种或多种适当的方法，比如真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导的热成像，在特定区中形成。

当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层各自通过真空沉积形成时，取决于每层中要包括的材料和要形成的每层的结构，真空沉积可在约100℃至约500℃的范围内的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的范围内的真空度以及约

至约

的范围内的沉积速率下进行。

当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层各自通过旋涂形成时，取决于每层中要包括的材料和要形成的每层的结构，旋涂可在约2,000转每分钟(rpm)至约5,000rpm的涂布速率和约80℃至约200℃的热处理温度下进行。

包括取代基的一般定义

如本文所使用的术语“中间层”指发光装置中的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层。包括在“中间层”中的材料可为有机材料、无机材料或其任何组合。

如本文所使用的术语“含π电子耗尽的氮的环状基团”指具有至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C₁-C₆₀杂环基团。

如本文所使用的术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，并且其实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文所使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”指具有对应于C₁-C₆₀烷基的结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的烃基。其实例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文所使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”指具有对应于C₂-C₆₀烯基的结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基。其实例包括乙炔基和丙炔基。如本文所使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”指具有对应于C₂-C₆₀炔基的结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)表示的单价基团。其实例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如本文所使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”指包括3至10个碳原子的单价饱和烃单环基团。如本文所使用的C₃-C₁₀环烷基的实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基，降冰片烷基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基、双环[2.2.1]庚基或双环[2.2.2]辛基。如本文所使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指具有对应于C₃-C₁₀环烷基的结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指包括杂原子(例如，N、O、Si、P、S或其任何组合)作为成环原子和1至10个碳原子的单价环状基团。其实例包括1,2,3,4-氧杂三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文所使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指具有对应于C₁-C₁₀杂环烷基的结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₃-C₁₀环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键，且不是芳族的单价环状基团。其实例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文所使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指具有对应于C₃-C₁₀环烯基的结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指在其环中包括杂原子(例如，N、O、Si、P、S或其任何组合)作为成环原子、1至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-氧杂三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文所使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指具有对应于C₁-C₁₀杂环烷基的结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₆-C₆₀芳基”指具有包含6至60个碳原子的碳环芳族体系的单价基团。如本文所使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有对应于6至60个碳原子的结构的二价基团。C₆-C₆₀芳基的实例包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自独立地包括两个或更多个环时，相应的环可稠合。

如本文所使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有具有杂原子(例如，N、O、Si、P、S或其任何组合)作为成环原子和1至60个碳原子的杂环芳族体系的单价基团。如本文所使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有包含杂原子(例如，N、O、Si、P、S或其任何组合)作为成环原子和1至60个碳原子的杂环芳族体系的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基的实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自独立地包括两个或更多个环时，相应的环可稠合。

如本文所使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”由-OA₁₀₂(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)表示。如本文所使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基”由-SA₁₀₃(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)表示。

如本文所使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个稠合的环和仅碳原子作为成环原子(例如，8至60个碳原子)的单价基团，其中整个分子结构为非芳族的。单价非芳族稠合多环基团的实例包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文所使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合多环基团的结构的二价基团。

如本文所使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个稠合的环，且除了碳原子之外还具有杂原子(N、O、Si、P、S或其任何组合)作为成环原子的单价基团，其中在整个分子结构中分子结构整体为非芳族。单价非芳族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文所使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合杂多环基团的结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₅-C₆₀碳环基团”指仅具有5至60个碳原子作为成环原子的单环或多环基团。C₅-C₆₀碳环基团可为芳族碳环基团或非芳族碳环基团。如本文所使用的术语“C₅-C₆₀碳环基团”指化合物(例如，苯基)、单价基团(例如，苯基)或二价基团(例如，亚苯基)。而且，取决于连接到C₅-C₆₀碳环基团的取代基的数量，C₅-C₆₀碳环基团可为三价基团或四价基团。

C₅-C₆₀碳环基团的实例包括环戊二烯基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。

如本文所使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”指包括1至60个碳原子以及除了碳原子之外作为成环原子的杂原子(例如，N、O、Si、P、S或其任何组合)的单环或多环基团。C₁-C₆₀杂环基团可为芳族杂环基团或非芳族杂环基团。如本文所使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”指化合物(例如，吡啶基)、单价基团(例如，吡啶基)或二价基团(例如，亚吡啶基)。而且，取决于连接到C₁-C₆₀杂环基团的取代基的数量，C₁-C₆₀杂环基团可为三价基团或四价基团。

C₁-C₆₀杂环基团的实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。

取代的C₅-C₆₀碳环基团、取代的C₁-C₆₀杂环基团、取代的C₁-C₆₀亚烷基、取代的C₂-C₆₀亚烯基、取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代的二价非芳族稠合多环基团、取代的二价非芳族稠合杂多环基团、取代的C₁-C₆₀烷基、取代的C₂-C₆₀烯基、取代的C₂-C₆₀炔基、取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的C₃-C₁₀环烷基、取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代的C₃-C₁₀环烯基、取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代的C₆-C₆₀芳基、取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的取代基可为：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未被取代或被选自以下中的至少一个取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)和-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)；

各自未被取代或被选自以下中的至少一个取代的C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团或单价非芳族稠合杂多环基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)和-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)；

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任何组合。

如本文使用的，Q₁至Q₃，Q₁₁至Q₁₃，Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基或三联苯基。

本文使用的“Ph”表示苯基，本文使用的“Me”表示甲基，本文使用的“Et”表示乙基，本文使用的“t-Bu”、“Bu”、“ter-Bu”或“Bu^t”表示叔丁基，并且本文使用的“OMe”表示甲氧基。

如本文所使用的术语“联苯基”指被至少一个苯基取代的苯基。“联苯基”属于具有“C₆-C₆₀芳基”作为取代基的“取代的苯基”。

如本文所使用的术语“三联苯基”指被至少一个苯基取代的苯基。“三联苯基”属于具有“被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基”作为取代基的“取代的苯基”。

术语“氢”和“氘”指它们各自的原子和相应的自由基，并且术语“-F、-Cl、-Br和-I”分别为氟、氯、溴和碘的自由基。

如本文使用的，术语“原子”可意指元素或其相应的与一个或多个其他原子结合的自由基。

如本文使用的，单价基团(例如烷基)的取代基也可独立地为相应的二价基团(例如亚烷基)的取代基。

在下文，将参考实施例更详细地描述根据一些示例性实施方式的发光装置。

实施例

实施例1

根据第一子像素、第二子像素和第三子像素将阳极(ITO)图案化到基板上，并且在边缘部分上形成像素绝缘膜。

将本领域已知的HAT-CN真空沉积在暴露的阳极上，以形成厚度为

的空穴注入层。然后真空沉积作为空穴传输化合物的TAPC，以形成厚度为

的空穴传输层。

在第一子像素的空穴传输层上形成N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD)，作为厚度为

的第一辅助层。

将化合物Alq₃和Ir(phq)₃以97:3的重量比共沉积在第一辅助层上，以形成厚度为

的红色发射层。在第二子像素的空穴传输层上沉积(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)，以形成厚度为

的第二辅助层。

将化合物Alq₃和Ir(3',5',4-mppy)₂tmd以90:10的重量比共沉积在第二辅助层上，以形成厚度为

的绿色发射层。将化合物4,4'-双(2,2-二苯基乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)和苝以99:1的重量比共沉积在第三子像素的空穴传输层上，以形成厚度为

的蓝色发射层。将2,2',2"-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)沉积在发射层上，以形成厚度为

的电子传输层。

将LiF沉积在电子传输层上以形成厚度为

的电子注入层，并且将Al以

的厚度沉积在电子注入层上，以形成阴极，从而完成发光装置的制造。

比较例1

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，不同之处在于，在形成红色发射层中使用Ir(MDQ)₂(acac)代替Ir(phq)₃，并且在形成绿色发射层中使用Ir(ppy)₃代替Ir(3',5',4-mppy)₂tmd。

掺杂剂的水平偶极矩的比率的测量

测量了实施例1和比较例1中关于绿色掺杂剂和红色掺杂剂的水平偶极矩的比率。在激光穿过样品后，通过使用由韩国首尔的韩国技术公司CoCoLink以商品名LUXOL_OLEDPL Analyzer出售的分析仪测量由偏振滤光器偏振的在平面方向上的分量来测量水平偶极矩。详细的测量方法是本领域已知的，并且因此在本文省略。

结果示于表1中。

表1

表1中使用的“比率”指掺杂剂的水平偶极矩与总偶极矩的比率。

根据视角的颜色-坐标变化测量

测量了比较例1和实施例1的发光装置根据视角(从0度至60度)的颜色-坐标，并且将测量点连接并显示于图2和图3中。

在图2和图3的曲线图中，R、G、B和Y分别表示相应的区域为红色、绿色、蓝色和黄色。在图2和图3的曲线图中，背景线各自表示最小可感知的色差(MPCD)线。

如图2中所示，随着视角逐渐增加，颜色-坐标从红色变为蓝色变为绿色，并且总体颜色-坐标变化移动的方向不同于MPCD线方向。相应地，在图2的发光装置的情况下，用户的肉眼观察到取决于视角变化的颜色变化。

如图3所示，随着视角逐渐增加，颜色-坐标变化，然而，总体颜色-坐标变化移动的方向与MPCD线方向相同(数字15、30、45和60分别表示15、30、45或60的视角)。相应地，在图3的发光装置的情况下，显著且出乎意料的是，用户的肉眼几乎观察不到取决于视角变化的颜色变化。

在根据原理和一个或多个示例性实施方式构造的发光装置中，根据视角的颜色变化可不被用户的肉眼观察到，因此允许用户将从正面观看到的颜色识别为与从侧面观看到的颜色基本上相同。

尽管本文已经描述了某些示例性实施方式和实施，但是其他实施方式和修改将从该描述中显而易见。因此，本发明构思不限于这样的实施方式，而是限于所附权利要求和对本领域普通技术人员来说将是显而易见的各种明显的修改和等效布置的更宽范围。

Claims

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；以及

中间层，所述中间层设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括被图案化成相应子像素的红色发射层和绿色发射层的发射层，

其中所述红色发射层包括具有水平偶极矩的红色掺杂剂，并且所述绿色发射层包括具有水平偶极矩的绿色掺杂剂，并且

所述绿色掺杂剂的所述水平偶极矩大于所述红色掺杂剂的所述水平偶极矩。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述绿色掺杂剂的所述水平偶极矩在所述绿色掺杂剂的总偶极矩的60％至95％的范围内。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述红色掺杂剂的所述水平偶极矩为所述红色掺杂剂的总偶极矩的80％或更低。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述绿色掺杂剂和所述红色掺杂剂各自由式401表示：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

其中，在式401中，

M为过渡金属；

L₄₀₁为由式402表示的配体，并且xc1为1、2或3，并且当xc1为2或更大的整数时，至少两个L₄₀₁彼此相同或不同；

式402

L₄₀₂为包括卤素基、二酮基、羧酸基、-C(＝O)、异腈基、-CN基、磷基或其任何组合的有机配体，并且xc2为0至4的整数，并且当xc2为2或更大的整数时，至少两个L₄₀₂彼此相同或不同；

在式402中，

X₄₀₁和X₄₀₂各自彼此独立地为氮或碳；

环A₄₀₁和环A₄₀₂各自彼此独立地为C₅-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团；

T₄₀₁为单键、-O-、-S-、-C(＝O)-、-N(Q₄₁₁)-、-N＝、-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝或＝C＝；

X₄₀₃和X₄₀₄各自彼此独立地为化学键、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)；

R₄₀₁和R₄₀₂各自彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、取代的或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代的或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代的或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

其中Q₄₀₁至Q₄₀₃和Q₄₁₁至Q₄₁₄各自彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基或三联苯基；

xc11和xc12各自彼此独立地为0至10的整数；并且

式402中的*和*'各自指示与式401中的M的结合位点。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中红色掺杂剂和绿色掺杂剂中的至少一种为下述化合物中的任一种：

6.如权利要求1所述的发光装置，其中根据视角的颜色-坐标变化移动的方向为最小可感知的色差线方向。

7.如权利要求6所述的发光装置，其中所述颜色-坐标变化移动为在大于0度至60度的视角下的移动。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述红色掺杂剂的所述水平偶极矩在所述红色掺杂剂的总偶极矩的60％至80％的范围内。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，

所述第二电极为阴极，并且

所述中间层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，包括被图案化成相应子像素的红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层的发射层，并且包括：i)位于所述第一电极和所述发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、缓冲层、电子阻挡层或其任何组合的空穴传输区；以及ii)位于所述发射层和所述第二电极之间并且包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合的电子传输区。