CN116133452A

CN116133452A - 发光装置和包括其的电子设备

Info

Publication number: CN116133452A
Application number: CN202211384849.4A
Authority: CN
Inventors: 金应道; 秋昌雄; 朴俊河; 田美恩
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-11-12
Filing date: 2022-11-07
Publication date: 2023-05-16
Also published as: KR102549366B1; KR20230070339A; US20230157041A1

Abstract

本发明涉及发光装置和包括其的电子设备。在发光装置中，第一掺杂剂和第二掺杂剂中具有小的HOMO能级的绝对值的掺杂剂的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值和第一主体的HOMO能级的绝对值之间的差为0.3eV或更小。

Description

发光装置和包括其的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0156050号的优先权和权益，其公开通过引用以其整体并入本文。

技术领域

一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。

背景技术

发光装置为自发射装置，其与相关领域的装置相比，具有宽的视角，高的对比度，短的响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面更卓越的或适当的特点。

在发光装置中，第一电极放置在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可穿过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子可穿过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合而产生光。

发明内容

根据本公开的实施方式的方面涉及具有改善的寿命的发光装置。

另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

根据一个或多个实施方式，发光装置包括：

第一电极，

面向第一电极的第二电极，以及

在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，

其中发射层包括第一主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且

其中：

第一掺杂剂的最高占据分子轨道(HOMO)能级(HOMO_D1)的绝对值小于第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值，并且第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值和第一掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D1)的绝对值之间的差为0.3eV或更小；或第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值小于第一掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D1)的绝对值，并且第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值和第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值之间的差为0.3eV或更小。

根据一个或多个实施方式，

电子设备包括发光装置。

附图说明

结合所附附图，本公开的某些实施方式的上面的和其他的方面、特征和增强将从下述的描述中更显而易见，其中：

图1为根据实施方式的发光装置的示意图；

图2为根据实施方式的电子设备的横截面图；并且

图3为根据另一实施方式的电子设备的横截面图。

具体实施方式

现将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复的描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考附图描述实施方式，以解释本描述的方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者(例如，同时a和b)，a和c二者(例如，同时a和c)，b和c二者(例如，同时b和c)，所有的a、b和c，或其变型。

根据本公开的一个或多个实施方式，发光装置包括：

第一电极；

面向第一电极的第二电极；以及

放置在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，

其中发射层可包括第一主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且

其中：

第一掺杂剂的最高占据分子轨道(HOMO)能级(HOMO_D1)的绝对值可小于第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值，并且第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值和第一掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D1)的绝对值之间的差可为0.3eV或更小；或第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值可小于第一掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D1)的绝对值，并且第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值和第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值之间的差可为0.3eV或更小。

例如，在根据本公开的实施方式的发光装置的发射层中，第一掺杂剂和第二掺杂剂中具有小的HOMO能级的绝对值的掺杂剂的HOMO能级的绝对值和第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值之间的差可为0.3eV或更小。

由于许多重复的实验和理解，本公开的发明人已发现在包括第一主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂的发光装置的发射层中，随着第一掺杂剂和第二掺杂剂中具有小的HOMO能级的绝对值的掺杂剂的HOMO能级的绝对值和第一主体的HOMO能级(HOMO_H1)的绝对值之间的差变小，可增加发光装置的寿命，并且当差为0.3eV或更小时，发光装置的寿命增加的程度可显著且实质性不同。

此外，发明人已发现，同样地，随着第一掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D1)的绝对值和第二掺杂剂的HOMO能级(HOMO_D2)的绝对值之间的差变小，可增加发光装置的寿命，并且当差为0.3eV或更小时，发光装置的寿命增加的程度可显著地且实质性地不同。

在实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括放置在第一电极和发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合的空穴传输区。

在实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括放置在第二电极和发射层之间并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合的电子传输区。

在实施方式中，发射层可发射红光、绿光、蓝光或白光。例如，发射层可发射蓝光。

在实施方式中，第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一种可为磷光掺杂剂，并且第一掺杂剂和第二掺杂剂中的另一种可为荧光掺杂剂。例如，第一掺杂剂可为磷光掺杂剂，并且第二掺杂剂可为荧光掺杂剂。例如，第一掺杂剂可为荧光掺杂剂，并且第二掺杂剂可为磷光掺杂剂。

在实施方式中，在第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一种中，能量转移的发生可比光的发射更活跃。能量转移可为例如福斯特转移或德克斯特转移。术语“福斯特转移”或“德克斯特转移”的含义对于本领域技术人员而言应该是已知的，并且因此，未提供其详细描述。

在实施方式中，选自第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一种可为磷光掺杂剂，并且选自第一掺杂剂和第二掺杂剂中的另一种可为荧光掺杂剂，其中，在磷光掺杂剂中，能量转移(福斯特转移或德克斯特转移)的发生可比光的发射更活跃。

例如，第一掺杂剂可为磷光掺杂剂，其中能量转移(福斯特转移或德克斯特转移)的发生可比光的发射更活跃。主体中生成的单重态激子可通过能量转移(福斯特转移或德克斯特转移)而转移至第二掺杂剂。

例如，约20％至约30％的作为第一掺杂剂的磷光掺杂剂可发射光，并且约70％至约80％的磷光掺杂剂可造成能量转移(福斯特转移或德克斯特转移)。由第一主体生成的单重态激子(或在存在第二主体的情况下，由第二主体生成的单重态激子和/或由第一主体和第二主体生成的单重态激子)可通过能量转移(福斯特转移或德克斯特转移)而转移至作为第二掺杂剂的荧光掺杂剂。

在实施方式中，荧光掺杂剂可为热激活延迟荧光掺杂剂。

在实施方式中，第一掺杂剂与第二掺杂剂的重量比可为约1:9至约9:1。例如，发射层可包括重量比为约3:5至约5:3的第一掺杂剂和第二掺杂剂。当第一掺杂剂与第二掺杂剂的重量比在这些范围内时，通过能量转移(福斯特转移或德克斯特转移)，发射系统的运转可为卓越的或适当的。

在实施方式中，第一主体可为能够(例如，同时)传输空穴和电子二者的主体。例如，发光装置的发射层可仅包括能够(例如，同时)传输空穴和电子二者的第一主体作为单一主体。

在实施方式中，发光装置可进一步包括第二主体，第一主体可为空穴传输主体，并且第二主体可为电子传输主体。

在实施方式中，第一主体与第二主体的重量比可为约1:9至约9:1。例如，发射层可包括重量比为约3:7至约7:3的第一主体和第二主体。当第一主体与第二主体的重量比在这些范围内时，空穴传输可与电子传输达到期望的平衡。

下面将更详细地描述主体和掺杂剂。

根据本公开的一个或多个实施方式，电子设备包括发光装置。

在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，

其中薄膜晶体管可包括源电极和漏电极，并且

发光装置的第一电极可电连接至薄膜晶体管的源电极或漏电极。

在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

如在本文中使用的，术语“夹层”指放置在发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层。

图1的描述

图1为根据本公开的实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

下文，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外放置在第一电极110下方或放置在第二电极150上。作为基板，可利用玻璃基板和/或塑料基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的或适当的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为可适当地利于空穴的注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任何组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合。

第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

夹层130

夹层130可放置在第一电极110上。夹层130可包括发射层。

在实施方式中，夹层130可进一步包括放置在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及放置在发射层和第二电极150之间的电子传输区。

在实施方式中，除了一种或多种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和/或无机材料(比如量子点)等。

在一个或多个实施方式中，夹层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射层，和ii)放置在两个或更多个发射层之间的电荷生成层。当夹层130包括如上述的两个或更多个发射层和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

夹层130中的空穴传输区

空穴传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中在各个结构中，从第一电极110以各自叙述的顺序依次堆叠构成层。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₂₀₅可为*-O-*’、*-S-*’、*-N(Q₂₀₁)-*’、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基等)(例如，见化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为选自1至4的整数。

例如，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

式CY201至式CY217中的R_10b和R_10c可各自独立地与参考R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基或C₁-C₂₀杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可为未被取代的或被R_10a取代。

在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，R₂₀₁可为由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R₂₀₂可为由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团中的任何一个。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团中的任何一个，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY217表示的基团中的任何一个。

例如，空穴传输区可包括化合物HT1至化合物HT46中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺TPD、螺NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任何组合：

空穴传输区的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的空穴传输特点。

发射辅助层可通过根据从发射层发射的光的波长补偿光学共振距离而增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少来自发射层的电子泄露至空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了如上述的材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电特性的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单个层的形式)。

电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级(或功函)可为-3.5eV或更小。

在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、包括元素EL1和元素EL2的化合物(下面更详细地描述)或其任何组合。

醌衍生物的示例可包括TCNQ和/或F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例可包括HAT-CN和/或由式221表示的化合物等：

式221

其中，在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被下述取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任何组合取代的C₁-C₂₀烷基；或其任何组合。

在包括元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任何组合。

金属的示例可包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和/或铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)和/或钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)和/或金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)和/或锡(Sn)等)；和/或镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和/或镥(Lu)等)；等。

准金属的示例可包括硅(Si)、锑(Sb)和/或碲(Te)等。

非金属的示例可包括氧(O)和/或卤素(例如，F、Cl、Br和/或I等)等。

例如，包括元素EL1和元素EL2的化合物可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物等)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃和/或W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂和/或V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃和/或Mo₂O₅等)和/或铼氧化物(例如，ReO₃等)等。

金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和/或镧系金属卤化物等。

碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和/或CsI等。

碱土金属卤化物的示例可包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和/或BaI₂等。

过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄和/或TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄和/或ZrI₄等)、铪卤化物(例如HfF₄、HfCl₄、HfBr₄和/或HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃和/或VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃和/或NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃和/或TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃和/或CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃和/或MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃和/或WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂和/或MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂和/或TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂和/或ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂和/或FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂和/或RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂和/或OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂和/或CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂和/或RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂和/或IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂和/或NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂和/或PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂和/或PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr和/或CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr和/或AgI等)和/或金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr和/或AuI等)等。

后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂和/或ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和/或锡卤化物(例如，SnI₂等)等。

镧系金属卤化物的示例可包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和/或SmI₃等。

准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)等。

金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te和/或Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe和/或BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe和/或Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和/或镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe和/或LuTe等)等。

夹层130中的发射层

当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素而图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开以发射白光。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。

发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。

基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。

例如，基于100重量份的作为单一主体的第一主体(例如，当利用单一主体时)，或100重量份的作为混合主体的第一主体和第二主体(例如，当利用两种主体的混合物并且使用100重量份的混合物时)，发射层中第一掺杂剂和第二掺杂剂的总量可为约0.01重量份至约15重量份。

在一个或多个实施方式中，发射层可包括量子点。

在一些实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得卓越的或适当的发光特性。

主体

空穴传输主体可为具有强空穴特性的化合物。表述“具有强空穴特性的化合物”指易于接受空穴的化合物，并且这种特性可通过包括空穴接收部分(也称为空穴传输部分)而获得。

空穴接收部分可包括，例如，由富π电子的杂芳族化合物(例如，咔唑衍生物或吲哚衍生物)和/或芳族胺化合物的基团。

电子传输主体可为具有强电子特性的化合物。表述“具有强电子特性的化合物”指易于接受电子的化合物，并且这种特性可通过包括电子接收部分(也称为电子传输部分)而获得。

电子接收部分可包括，例如，由缺π电子的杂芳族化合物得到的基团。例如，电子接收部分可包括由含氮杂芳族化合物得到的基团。

根据本公开的实施方式的发光装置的发射层可仅包括能够(例如，同时)传输空穴和电子二者的第一主体(例如，单一主体材料)。在该情况下，第一主体可(例如，同时)包括空穴传输部分和电子传输部分二者，并且因此可同时具有空穴传输特性和电子传输特性。在该情况下，第一主体的空穴传输特性和电子传输特性可具有相同的量级，空穴传输特性可大于电子传输特性，或电子传输特性可大于空穴传输特性。

根据本公开的实施方式的发光装置的发射层可进一步包括第二主体，并且在该情况下，第一主体可为空穴传输主体，并且第二主体可为电子传输主体。

当化合物仅包括空穴传输部分或仅包括电子传输部分时，该化合物的性质是具有空穴传输特性还是电子传输特性是清楚的。即，很容易辨别出仅包括空穴传输部分的化合物具有空穴传输特性，并且仅包括电子传输部分的化合物具有电子传输特性。

在实施方式中，化合物可(例如，同时)包括空穴传输部分和电子传输部分二者。在该情况下，化合物中空穴传输部分的总数和电子传输部分的总数之间的简单比较可作为预测该化合物是空穴传输化合物还是电子传输化合物的标准，但是这种简单比较不能用作绝对标准。这种简单比较不能用作绝对标准的原因之一是一个空穴传输部分和一个电子传输部分分别吸引空穴和电子的能力可不完全相同。

所以，确定具有特定结构的化合物是空穴传输化合物还是电子传输化合物的相对可靠的方式是直接在装置中实施该化合物。

主体可包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21，

其中，在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃可各自独立地与参考Q₁描述的相同。

例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar₃₀₁可经单键彼此连接。

在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁可为O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可各自独立地分别与本说明书中参考式301描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄可各自独立地与参考L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可各自独立地与参考xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可各自独立地与参考R₃₀₁描述的相同。

在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物。例如，主体可包括Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或其任何组合。

在一个或多个实施方式中，主体可包括化合物H1至化合物H124中的一种、HT-01、HT-02、HT-03、ET-01、ET-02、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)或其任何组合：

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属(例如，中心金属原子)。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2，

其中，在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁可彼此相同或不同，

L₄₀₂可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，其中，当xc2为2或更大时，两个或更多个L₄₀₂可彼此相同或不同，

式402

在式402中，

X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁可为单键、-O-、-S-、-C(＝O)-、-N(Q₄₁₁)-、-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝或＝C＝，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可各自独立地与参考Q₁(下面更详细地描述)描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可各自独立地与参考Q₁描述的相同，

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*’各自指示与式401中M的键合位点。

例如，在式402中，i)X₄₀₁可为氮，并且X₄₀₂可为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可为氮。

在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可任选地经作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，并且两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₂可任选地经作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可各自独立地与参考T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可为有机配体。例如，L₄₀₂可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、-C(＝O)基、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基和/或亚磷酸盐基等)或其任何组合。

磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至化合物PD39中的一种或其任何组合：

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。

例如，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可为1、2、3、4、5或6。

例如，式501中的Ar₅₀₁可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基和/或芘基等)。

在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。

例如，荧光掺杂剂可包括化合物FD1至化合物FD36中的一种、DPVBi、DPAVBi或其任何组合：

延迟荧光材料

发射层可包括延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可选自能够通过延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的化合物。

包括在发射层中的延迟荧光材料可充当(例如，用作)主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层中的其他材料的类型或种类。

在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可等于或大于0eV并且等于或小于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，可有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的上转换，并且因此，可改善发光装置10的发光效率。

例如，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团比如咔唑基等)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基和/或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团等)的材料，和/或ii)包括包含至少两个彼此稠合的环状基团并且共用硼(B)的C₈-C₆₀多环基团的材料等。

延迟荧光材料的示例可包括化合物DF1至化合物DF12中的至少一种：

夹层130中的电子传输区

电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在各个结构中，构成层从发射层以各自叙述的顺利依次堆叠。

电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，电子传输区可包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21，

其中，在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可各自独立地与参考Q₁描述的相同，

xe21可为1、2、3、4或5，并且

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar₆₀₁可经单键彼此连接。

在一个或多个实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可各自独立地与参考L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可各自独立地与参考xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可各自独立地与参考R₆₀₁描述的相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括化合物ET1至化合物ET45中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ或其任何组合：

电子传输区的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层或其任何组合时，空穴阻挡层或电子传输层的厚度可各自独立地为约

至约

例如，约

至约

并且电子传输层的厚度可为约

至约

例如，约

至约

当空穴阻挡层和/或电子传输层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特点。

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物和碱土金属复合物的金属离子配位的配体可各自独立地为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

例如，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，化合物ET-D1(Liq)或ET-D2：

电子传输区可包括利于来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。

电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属的一种或多种氧化物、一种或多种卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物等)、一种或多种碲化物，或其任何组合。

含碱金属化合物可包括一种或多种碱金属氧化物，比如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O；一种或多种碱金属卤化物，比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI；或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)和/或Ba_xCa_1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任何组合。在一个或多个实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和/或Lu₂Te₃等。

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括：i)上述的碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方式中，电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。例如，电子注入层可为KI:Yb共沉积层和/或RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子注入特点。

第二电极150

第二电极150可放置在具有如上述的结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且用于形成第二电极150的材料可包括各自具有低功函的金属、合金、导电性化合物或其任何组合。

第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或包括多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层可放置在第一电极110的外侧(例如，在与第二电极150相对的侧)和/或第二封盖层可放置在第二电极150的外侧(例如，在与第一电极110相对的侧)。在一个实施方式中，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构。

在一些实施方式中，发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第一电极110和第一封盖层朝向外侧发射或提取。在一些实施方式中，发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第二电极150和第二封盖层朝向外侧发射或提取。

第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理增加外部发光效率。相应地，可增加发光装置10的光提取效率，使得可改善发光装置10的发光效率。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括(在589nm下)具有1.6或更大的折射率的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。

第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

例如，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB或其任何组合：

电子设备

发光装置可包括在一个或多个适当的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可放置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光。关于发光装置的细节，可参考上面提供的相关描述。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可放置在多个子像素区域之间以限定多个子像素区域中的每一个。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和放置在多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和放置在多个颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。在实施方式中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点。关于量子点的细节，可参考在本文中提供的相关描述。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自进一步包括散射体。

在实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三-第一颜色光。就此而言，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有不同的最大发射波长。在实施方式中，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，并且第三-第一颜色光可为蓝光。

除了如上述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的一个。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可放置在颜色转换层和/或滤色器与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光提取至外侧，并且同时(例如，并发地)防止或基本上防止环境空气和/或湿气渗透至发光装置中。密封部分可为包括透明的玻璃基板和/或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适当的功能层可另外放置在密封部分上。功能层的示例可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层和/或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过利用活体(例如，指尖和/或瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。

除了如上述的发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。

电子设备可应用于一个或多个适当的显示器、光源、照明(例如，照明设备)、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学仪器(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、一个或多个适当的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、航空器和/或船只的仪表)和/或投影仪等。

图2和图3的描述

图2为根据本公开的实施方式的电子设备的横截面图。

图2的电子设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板(例如，塑料基板)、玻璃基板和/或金属基板。缓冲层210可放置在基板100上。缓冲层210可防止或减少穿过基板100的杂质的渗透，并且可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可放置在缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体比如硅和/或多晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可放置在有源层220上，并且栅电极240可放置在栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250可放置在栅电极240上。夹层绝缘膜250可放置在栅电极240和源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，以及放置在栅电极240和漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可放置在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可放置为接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT可电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任何组合。发光装置可提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可放置在钝化层280上。钝化层280可不完全覆盖漏电极270并且可暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可放置或布置为连接至漏电极270的暴露部分。

包括绝缘材料的像素限定层290可放置在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的特定区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。在一个或多个实施方式中，夹层130的一个或多个层可延伸超过像素限定层290的上部，而以公共层的形式放置。

第二电极150可放置在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。

封装部分300可放置在封盖层170上。封装部分300可放置在发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)，或无机膜和有机膜的任何组合。

图3为根据本公开的另一实施方式的电子设备的横截面图。

图3的电子设备与图2的电子设备基本上相同，只是遮光图案500和功能区400另外放置在封装部分300上。功能区400可为：i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，包括在图3的电子设备中的发光装置可为串联发光装置。

制造方法

构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过利用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像等中的一种或多种适当的方法形成在特定区中。

当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

/秒至约

/秒的沉积速度下进行，这取决于待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构。

当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过旋涂形成时，通过考虑待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，旋涂可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂层速度和在约80℃至约200℃的热处理温度下进行。

取代基的一般限定

如在本文中使用的，术语“C₃-C₆₀碳环基”指仅由碳原子作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀杂环基”指除了1至60个碳原子之外还具有杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基具有3至61个成环原子。

如在本文中使用的，术语“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基。

如在本文中使用的，术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”指具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*’作为成环部分的环状基团(例如，碳环基或杂环基)，并且如在本文中使用的，术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指具有1至60个碳原子并且进一步包括*-N＝*’作为成环部分的杂环基。

例如，

C₃-C₆₀碳环基可为：i)T1基团或ii)其中至少两个T1基团彼此稠合的基团(例如，C₃-C₆₀碳环基可为环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基可为：i)T2基团，ii)其中至少两个T2基团彼此稠合的基团，或iii)其中至少一个T2基团与至少一个T1基团稠合的基团(例如，C₁-C₆₀杂环基可为吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和/或氮杂二苯并呋喃基等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为：i)T1基团，ii)其中至少两个T1基团彼此稠合的稠环基团，iii)T3基团，iv)其中至少两个T3基团彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为C₃-C₆₀碳环基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和/或苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为：i)T4基团，ii)其中至少两个T4基团彼此稠合的基团，iii)其中至少一个T4基团与至少一个T1基团稠合的基团，iv)其中至少一个T4基团与至少一个T3基团稠合的基团，或v)其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的基团(例如，缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和/或氮杂二苯并呋喃基等)，

其中T1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚烷基)、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

T2基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

T3基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

T4基团可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如在本文中使用的，术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基”、“C₁-C₆₀杂环基”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指根据使用该对应的术语的式的结构，与任何环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团。例如，“苯基”可为苯并基、苯基和/或亚苯基等，这可根据包括“苯基”的式的结构由本领域普通技术人员容易理解。

单价C₃-C₆₀碳环基和单价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团。二价C₃-C₆₀碳环基和二价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，例如，C₁-C₂₀烷基，并且其示例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基等。如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀亚烷基”指具有与C₁-C₆₀烷基相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例可包括乙烯基、丙烯基和/或丁烯基等。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀亚烯基”指具有与C₂-C₆₀烯基相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例可包括乙炔基和/或丙炔基等。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀亚炔基”指具有与C₂-C₆₀炔基相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁表示的单价基团(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)，并且其示例可包括甲氧基、乙氧基和/或异丙氧基等。

如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，并且其示例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和/或二环[2.2.2]辛基等。如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指具有与C₃-C₁₀环烷基相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了1至10个碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子的单价环状基团，并且其示例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和/或四氢噻吩基等。如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指具有与C₁-C₁₀杂环烷基相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀环烯基”指具有3至10个碳原子和在其环中的至少一个碳-碳双键并且无芳香性的单价环状基团，并且其示例可包括环戊烯基、环己烯基和/或环庚烯基等。如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指具有与C₃-C₁₀环烯基相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指在其环结构中除1至10个碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，并且具有至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的示例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和/或2,3-二氢噻吩基等。如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指具有与C₁-C₁₀杂环烯基相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀亚芳基”如指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例可包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基和/或芴基等。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环时，环可彼此稠合。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除了1至60个碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子。如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了1至60个碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子。C₁-C₆₀杂芳基的示例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基、咔唑基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基等。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子(例如，具有8至60个碳原子)作为成环原子，并且当整体考虑时在其分子结构中无芳香性(例如，整个分子结构不为芳族)的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的示例可包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基、茚并蒽基和/或金刚烷基等。如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有与上述单价非芳族稠合多环基团相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，至少一个除了碳原子(例如，1至60个碳原子)之外的杂原子作为成环原子，并且当整体考虑时在其分子结构中无芳香性(例如，整个分子结构不为芳族)的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的示例可包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基和/或氮杂金刚烷基等。如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有与上述单价非芳族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳氧基”指由-OA₁₀₂表示的单价基团(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳硫基”指由-SA₁₀₃表示的单价基团(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如在本文中使用的，术语“C₇-C₆₀芳烷基”指由-A₁₀₄A₁₀₅表示的单价基团(其中A₁₀₄可为C₁-C₅₄亚烷基，并且A₁₀₅可为C₆-C₅₉芳基)，并且如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀杂芳烷基”指由-A₁₀₆A₁₀₇表示的单价基团(其中A₁₀₆可为C₁-C₅₉亚烷基，并且A₁₀₇可为C₁-C₅₉杂芳基)。

如在本文中使用的，术语“R_10a”指：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

在本说明书中，Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀杂环基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₇-C₆₀芳烷基；或者未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₂-C₆₀杂芳烷基。

如在本文中使用的，术语“杂原子”指碳原子之外的任何原子。杂原子的示例可包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任何组合。

如在本文中使用的，术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和/或金(Au)等。

如在本文中使用的，术语“Ph”指苯基，如在本文中使用的，术语“Me”指甲基，如在本文中使用的，术语“Et”指乙基，如在本文中使用的，术语“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且如在本文中使用的，术语“OMe”指甲氧基。

如在本文中使用的，术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”属于“具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基”。

如在本文中使用的，术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”属于“具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基”。

该取代基限定章节中的最大碳原子数仅为示例。例如，C₁-C₆₀烷基中的最大碳原子数60为示例，并且烷基的限定同样适用于C₁-C₂₀烷基。这种限定也适用于其他情况。

除非另外限定，否则如在本文中使用的*和*’各自指与对应的式中的相邻原子的键合位点。

下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方式的化合物和发光装置。

实施例

HOMO能级值

通过循环伏安法利用ZIVE LAB SP2来测量下述化合物的HOMO能级，并且结果显示在表1中。

表1

发光装置的制造

比较例1

将玻璃基板(阳极，

)切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，通过用异丙醇和纯水各自超声处理5分钟进行清洁，通过紫外线的照射以及暴露于臭氧30分钟进行清洁，并且然后装载至真空沉积设备中。

将HAT-CN真空沉积在玻璃基板上以形成厚度为

的空穴注入层。然后，将作为空穴传输化合物的NPB真空沉积在其上以形成厚度为

的空穴传输层。

将作为第一主体的化合物100、作为第二主体的ET-01、作为第一掺杂剂的PD38和作为第二掺杂剂的DF10沉积(例如，共沉积)在空穴传输层上以形成厚度为

的发射层(其中基于100重量份的第一主体和第二主体的总和，第一主体与第二主体的重量比为5:5，并且第一掺杂剂和第二掺杂剂的掺杂比分别为10wt％和1.5wt％)。

将TPM-TAZ和Liq以5:5的重量比沉积(例如，共沉积)在发射层上以形成厚度为

的电子传输层。

将Yb真空沉积在电子传输层上至

的厚度，并且随后，将AgMg真空沉积在其上至

的厚度(其中Mg在Ag中的掺杂比为5wt％)以形成阴极。然后，将CP1沉积在其上以形成厚度为

的封盖层，从而完成发光装置的制造。

比较例2

以与比较例1基本上相同的方式制造发光装置，只是将作为第一主体的HT-01、作为第二主体的mCBP-2CN、作为第一掺杂剂的PtON7-dtb和作为第二掺杂剂的v-DABNA沉积(例如，共沉积)在空穴传输层上以形成厚度为

实施例1

以与比较例1基本上相同的方式制造发光装置，只是将作为第一主体的HT-01、作为第二主体的ET-01、作为第一掺杂剂的PD38和作为第二掺杂剂的DF11沉积(例如，共沉积)在空穴传输层上以形成厚度为

实施例2

以与比较例1基本上相同的方式制造发光装置，只是将作为第一主体的HT-01、作为第二主体的ET-01、作为第一掺杂剂的PD38和作为第二掺杂剂的DF12沉积(例如，共沉积)在空穴传输层上以形成厚度为

实施例3

以与比较例1基本上相同的方式制造发光装置，只是将作为第一主体的HT-02、作为第二主体的ET-01、作为第一掺杂剂的PD38和作为第二掺杂剂的DF10沉积(例如，共沉积)在空穴传输层上以形成厚度为

实施例4

以与比较例1基本上相同的方式制造发光装置，只是将作为第一主体的HT-02、作为第二主体的ET-01、作为第一掺杂剂的PD38和作为第二掺杂剂的DF11沉积(例如，共沉积)在空穴传输层上以形成厚度为

实施例5

以与比较例1基本上相同的方式制造发光装置，只是将作为第一主体的HT-02、作为第二主体的ET-01、作为第一掺杂剂的PD38和作为第二掺杂剂的DF12沉积在空穴传输层上以形成厚度为

为了评估根据比较例1和2以及实施例1至5制造的发光装置的特点，测量其在10mA/cm²的电流密度下的外部量子效率和寿命。比较例1和2以及实施例1至5的测量结果以及主体和掺杂剂的HOMO能级的绝对值的差(ΔHOMO)显示在表2中。寿命意指达到初始亮度的95％所需的时间。

利用由Hamamatsu Photonics公司制造的测量装置C9920-2-12测量每个发光装置的外部量子效率(EQE)。

表2

1)指示第一掺杂剂和第二掺杂剂中具有小的HOMO能级的绝对值的掺杂剂的HOMO能级的绝对值和第一主体的HOMO能级的绝对值之间的差。

参考表2，确认与比较例1和比较例2的发光装置相比，实施例1至实施例5的发光装置各自具有卓越的或适当的外部量子效率和寿命。

参考实施例1至实施例5的结果，确认随着第一掺杂剂和第二掺杂剂中具有小的HOMO能级的绝对值的掺杂剂的HOMO能级的绝对值和第一主体的HOMO能级的绝对值之间的差变小，每个发光装置的外部量子效率和寿命增加了。

如上述，根据一个或多个实施方式，与相关领域中的装置相比，发光装置可表现出改善的寿命。

可利用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件，或软件、固件和硬件的组合来实施在本文中描述的根据本发明实施方式的设备和/或任何其他相关装置或组件。例如，设备的各种组件可形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在分开的IC芯片上。进一步，装置的各种组件可在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实施，或形成在一个基板上。进一步，设备的各种组件可为在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运行、执行计算机程序指令并且与其他系统组件交互以进行在本文中描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可在使用标准存储器装置比如，例如，随机存取存储器(RAM)的计算装置中实施。计算机程序指令也可存储在其他非暂时性计算机可读介质比如，例如，CD-ROM或闪存驱动器等中。并且，本领域技术人员应认识到，在不背离实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可组合或集成到单个计算装置中，或专用计算装置的功能可分布在一个或多个其他计算装置上。

应理解，在本文中描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求和其等效方案限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的一种或多种适当的改变。

Claims

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层，

其中所述发射层包括第一主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且

其中：

所述第一掺杂剂的最高占据分子轨道能级的绝对值小于所述第二掺杂剂的最高占据分子轨道能级的绝对值，并且所述第一主体的最高占据分子轨道能级的绝对值和所述第一掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值之间的差为0.3eV或更小；或

所述第二掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值小于所述第一掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值，并且所述第一主体的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值和所述第二掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值之间的差为0.3eV或更小。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值和所述第二掺杂剂的所述最高占据分子轨道能级的所述绝对值之间的差为0.3eV或更小。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一电极为阳极，

所述第二电极为阴极，并且

所述夹层进一步包括在所述第一电极和所述发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合的空穴传输区。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一电极为阳极，

所述第二电极为阴极，并且

所述夹层进一步包括在所述第二电极和所述发射层之间并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合的电子传输区。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射蓝光。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一种为磷光掺杂剂，并且所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的另一种为荧光掺杂剂。

7.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述荧光掺杂剂为热激活延迟荧光掺杂剂。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中在所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一种中，能量转移的发生比光的发射更活跃。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中

选自所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一种为磷光掺杂剂，并且选自所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的另一种为荧光掺杂剂，并且

在所述磷光掺杂剂中，能量转移的发生比光的发射更活跃。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂的重量比为1:9至9:1。

11.根据权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一主体包括由式301表示的化合物、式301-1表示的化合物、式301-2表示的化合物或其任何组合，并且

所述第一主体为用于传输空穴和电子二者的主体：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21，

其中，在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11为1、2或3，

xb1为选自0至5的整数，

R₃₀₁为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀杂环基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₇-C₆₀芳烷基；或者未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₂-C₆₀杂芳烷基，

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁为O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁至L₃₀₄各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb1至xb4各自独立地为选自0至5的整数，

R₃₀₁至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

Q₃₀₁至Q₃₀₃与参考式301描述的相同，并且

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

其中Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀杂环基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₇-C₆₀芳烷基；或者未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₂-C₆₀杂芳烷基。

12.根据权利要求1所述的发光装置，进一步包括第二主体，

其中所述第一主体和所述第二主体各自独立地包括由式301表示的化合物、式301-1表示的化合物、式301-2表示的化合物或其任何组合，并且

所述第一主体为空穴传输主体，并且所述第二主体为电子传输主体：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21，

其中，在式301中，

xb11为1、2或3，

xb1为选自0至5的整数，

xb21为选自1至5的整数，并且

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

xb22和xb23各自独立地为0、1或2，

xb1至xb4各自独立地为选自0至5的整数，

Q₃₀₁至Q₃₀₃与参考式301描述的相同，并且

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

13.根据权利要求12所述的发光装置，其中所述第一主体与所述第二主体的重量比为1:9至9:1。

14.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一主体为下述化合物中的一种：

15.根据权利要求12所述的发光装置，其中所述第二主体为下述化合物中的一种：

16.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述磷光掺杂剂为由式401表示的化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2，

其中，在式401中，

M为过渡金属，

L₄₀₁为由式402表示的配体，并且xc1为1、2或3，其中，当xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁彼此相同或不同，

L₄₀₂为有机配体，并且xc2为0、1、2、3或4，其中，当xc2为2或更大时，两个或更多个L₄₀₂彼此相同或不同，

式402

在式402中，

X₄₀₁和X₄₀₂各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁为单键、-O-、-S-、-C(＝O)-、-N(Q₄₁₁)-、-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝或＝C＝，

X₄₀₃和X₄₀₄各自独立地为化学键、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

R₄₀₁和R₄₀₂各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄和Q₄₀₁至Q₄₀₃各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀杂环基；未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₇-C₆₀芳烷基；或者未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₂-C₆₀杂芳烷基，

xc11和xc12各自独立地为选自0至10的整数，

式402中的*和*’各自指示与式401中的M的键合位点，并且

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

17.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述磷光掺杂剂为下述化合物中的一种：

18.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述荧光掺杂剂为下述化合物中的一种：

19.一种电子设备，包括根据权利要求1-18中任一项所述的发光装置。

20.根据权利要求19所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，

其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且

所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极或所述漏电极。