CN114914373A - 发光装置和包括发光装置的电子设备 - Google Patents

Abstract

提供了发光装置和包括发光装置的电子设备。发光装置包括第一电极，面向第一电极的第二电极，以及设置在第一电极和第二电极之间的夹层。夹层包括发射层和设置在发射层和第二电极之间的n‑掺杂层。发射层包括第一化合物、第二化合物和发光掺杂剂，n‑掺杂层包括第三化合物和n‑掺杂剂，并且不包括发光掺杂剂，第一化合物包括空穴传输主体，第二化合物和第三化合物各自独立地包括电子传输主体、双极性主体或其任何组合，并且第二化合物和第三化合物彼此相同或不同。

Description

发光装置和包括发光装置的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年2月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0019361号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

实施方式涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。

背景技术

在发光装置中，自发射装置具有宽视角、高对比度、短响应时间以及从明度、驱动电压和响应速度的角度具有卓越的特点。

发光装置可包括基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可朝着发射层移动穿过空穴传输区，并且从第二电极提供的电子可朝着发射层移动穿过电子传输区。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。

应理解，该背景技术章节旨在部分提供用于理解该技术的有用的背景。然而，该背景技术章节也可包括在本文公开的主题的相应有效申请日之前不被相关领域的技术人员已知或理解的一部分的想法、概念或认知。

发明内容

实施方式提供了通过改善电荷平衡而具有改善的驱动电压、发射效率和寿命的发光装置，以及包括发光装置的电子设备。

另外的方面将部分在下面的描述中陈述，并且部分从描述中是显而易见的，或可通过本公开的实施方式的实践而了解到。

根据实施方式，发光装置可包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的夹层。夹层可包括发射层以及设置在发射层和第二电极之间的n-掺杂层。发射层可包括第一化合物、第二化合物和发光掺杂剂，n-掺杂层可包括第三化合物和n-掺杂剂，并且可不包括发光掺杂剂，第一化合物可包括空穴传输主体，第二化合物和第三化合物可各自独立地包括电子传输主体、双极性主体或其任何组合，并且第二化合物和第三化合物可彼此相同或不同。

在实施方式中，n-掺杂层可直接接触发射层。

在实施方式中，n-掺杂剂可包括含金属材料，该含金属材料包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。

在实施方式中，n-掺杂剂可包括Li复合物。

在实施方式中，基于n-掺杂层的总重，n-掺杂层中的n-掺杂剂的量可在约5wt％至约10wt％的范围内。

在实施方式中，n-掺杂层的厚度可在约1nm至约20nm的范围内。

在实施方式中，包括在n-掺杂层中的第三化合物和包括在发射层中的第二化合物可彼此相同。

在实施方式中，第二化合物可具有等于或大于约2.85eV的三重态能级(T1)。

在实施方式中，发射层中的发光掺杂剂可包括第一掺杂剂、第二掺杂剂或其任何组合，第一掺杂剂可为磷光掺杂剂，并且第二掺杂剂可为满足方程式1的热激活延迟荧光掺杂剂：

[方程式1]

△E_ST＝E(S1)-E(T1)≤0.3eV

在方程式1中，E(S1)可为热激活延迟荧光掺杂剂的最低激发单重态能级(eV)，并且E(T1)可为热激活延迟荧光掺杂剂的最低激发三重态能级(eV)。

在实施方式中，发射层中的发光掺杂剂可进一步包括荧光掺杂剂。

在实施方式中，夹层可进一步包括设置在第一电极和发射层之间的空穴传输区，以及设置在n-掺杂层和第二电极之间的电子传输区。空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施方式中，空穴传输区可包括空穴传输层，空穴传输层可包括空穴传输材料，并且包括在空穴传输层中的空穴传输材料和包括在发射层中的第一化合物可彼此相同。

在实施方式中，电子传输区可包括电子传输层，n-掺杂层可设置在发射层和电子传输层之间，并且n-掺杂层可直接接触发射层并且可直接接触电子传输层。

在实施方式中，电子传输区可包括Li复合物。

根据实施方式，电子设备可包括发光装置。

在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层。发光装置的第一电极和薄膜晶体管的源电极或漏电极可彼此电连接。

在实施方式中，电子设备可进一步包括功能层，该功能层可包括触摸屏层、偏振层、滤色器、颜色转换层或其任何组合。

附图说明

通过参考所附附图详细地描述本公开的实施方式，本公开的上面和其他方面和特征将变得更显而易见，其中：

图1为根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；

图2为根据实施方式的电子设备的示意性横截面图；并且

图3为根据另一实施方式的电子设备的示意性横截面图。

具体实施方式

下文参考其中显示了实施方式的所附附图，现将更充分地描述本公开。然而，本公开可体现为不同的形式并且不应解释为限于本文陈述的实施方式。相反，提供这些实施方式以便本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。

在附图中，为了易于描述和为了清楚起见，可放大元件的尺寸、厚度、比例和维度。相同的附图标记通篇指相同的元件。

在描述中，将理解，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件(或区域、层、部分等)“上”，“连接至”或“联接至”另一元件(或区域、层、部分等)时，其可直接在另一元件(或区域、层、部分等)上，连接至或联接至另一元件(或区域、层、部分等)，或在它们之间可存在一个或多个居间元件。在类似的意义上，当元件(或区域、层、部分等)被描述为“覆盖”另一元件(或区域、层、部分等)时，其可直接覆盖另一元件(或区域、层、部分等)，或在它们之间可存在一个或多个居间元件。

在描述中，当元件“直接在”另一元件“上”，“直接连接至”或“直接联接至”另一元件时，不存在居间元件。例如，“直接在……上”可意思是设置两个层或两个元件而在它们之间没有另外的元件比如粘附元件。

如本文使用的，以单数形式使用的表述，比如“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。

如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。例如，“A和/或B”可理解为意思是“A、B或A和B”。术语“和”和“或”可用于连接意义或分隔意义，并且可理解为等价于“和/或”。

术语“……中的至少一个”旨在包括“选自……中的至少一个”的含义，用于其含义和解释的目的。例如，“A和B中的至少一个”可理解为意思是“A、B或A和B”。当在元件的列表之后时，术语“……中的至少一个”修饰元件的整个列表，并且不修饰列表的单个元件。

将理解，尽管术语第一、第二等可在本文用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。因此，在不背离本公开教导的情况下，第一元件可称为第二元件。类似地，在不背离本公开的范围的情况下，第二元件可称为第一元件。

为了易于描述，可在本文使用空间相对术语“下面”、“之下”、“下”、“上面”或“上”等，以描述如附图中阐释的一个元件或组件和另一元件或组件之间的关系。将理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在囊括使用或操作中的装置的不同定向。例如，在将附图中阐释的装置翻转的情况下，位于另一装置“下面”或“之下”的设备可放置在另一装置“上面”。相应地，阐释性术语“下面”可包括下部位置和上部位置二者。装置也可在其他方向上定向，并且因此可取决于定向而不同地解释空间相对术语。

如本文使用的术语“约”或“近似”包括叙述的值，并且考虑到所讨论的测量和与阐述的量的测量相关的误差(即测量系统的局限性)，意思是在本领域普通技术人员确定的阐释的值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意思是在叙述的值的一个或多个标准偏差内，或在叙述的值的±20％、±10％或±5％内。

应理解，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”和“含有(containing)”等旨在指定存在本公开中叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合。

如本文使用的术语“夹层”可指在发光装置的第一电极和第二电极之间的单层和/或所有层。

除非本文另外限定或暗示，否则使用的所有术语(包括技术和科技术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解，术语，比如在常用词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义并且不应以理想的或过于正式的意义解释，除非在说明书中清楚地限定。

[图1的描述]

图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

下文，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

[第一电极110]

在图1中，基板(未显示)可进一步包括在第一电极110下方或第二电极150上面。基板可为玻璃基板或塑料基板。在实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

可通过例如在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任何组合。在实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合可用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可具有单层结构或包括多层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

[夹层130]

夹层130可设置在第一电极110上。夹层130可包括空穴注入层131、空穴传输层132、发射层133、n-掺杂层133N、电子传输层134和电子注入层135。

在图1中，尽管发光装置10显示为包括空穴注入层131、空穴传输层132、电子传输层134和电子注入层135，但是当需要时，可省略空穴注入层131、空穴传输层132、电子传输层134和电子注入层135中的至少一个。

除了各种有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物和无机材料比如量子点等。

在实施方式中，夹层130可包括依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元以及在两个或更多个发射单元之间的电荷生成层。如上述，当夹层130包括两个或更多个发射单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

[发射层133]

发射层133可包括第一化合物、第二化合物和发光掺杂剂。

第一化合物可包括空穴传输主体，并且第二化合物可包括电子传输主体、双极性主体或其任何组合。

例如，第一化合物可包括富含π电子的C₃-C₆₀环状基团，并且可不包括缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

如本文使用的术语“富含π电子的C₃-C₆₀环状基团”可为具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*’作为成环部分的环状基团。例如，富含π电子的C₃-C₆₀环状基团可为联苯基、三联苯基、四联苯基、苯基、庚搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、并五苯基、并六苯基、戊芬基、玉红省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、异吲哚基、吲哚基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻吩砜基、咔唑基、二苯并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、三吲哚并苯基、吖啶基或二氢吖啶基，但是实施方式不限于此。

如本文使用的术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”可为具有1至60个碳原子并且可包括*-N＝*’作为成环部分的杂环基团。例如，缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为其中咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂茚基、氮杂吲哚基、氮杂苯并呋喃基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基和氮杂二苯并噻咯基中的至少一个与任何环状基团稠合的稠环基团。

例如，第一化合物可为不含有缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团的含咔唑化合物。

在实施方式中，第一化合物可包括由式1-1表示的化合物、由式1-2表示的化合物或其任何组合。

[式1-1]

[式1-2]

在式1-1和式1-2中，

A₁₁至A₁₄可各自独立地为富含π电子的C₃-C₆₀环状基团，

R₁₁至R₁₄可各自独立地为由*-(L₁₃)_a13-(Ar₁₃)_b13表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10b取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10b取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10b取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10b取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10b取代的富含π电子的C₃-C₆₀环状基团、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)或-B(Q₁)(Q₂)，

c11至c14可各自独立地为选自1至8的整数，

L₁₁至L₁₃可各自独立地为单键；或者未取代的或被以下取代的富含π电子的C₃-C₆₀环状基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、富含π电子的C₃-C₆₀环状基团或其任何组合，

a11至a13可各自独立地为选自1至5的整数，

Ar₁₁至Ar₁₃可各自独立地为：

未取代的或被以下取代的富含π电子的C₃-C₆₀环状基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、富含π电子的C₃-C₆₀环状基团或其任何组合；或者-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)或-N(Q₁)(Q₂)，

b11至b13可各自独立地为选自1至5的整数，

R_10b可为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、富含π电子的C₃-C₆₀环状基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被以下取代的富含π电子的C₃-C₆₀环状基团、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、富含π电子的C₃-C₆₀环状基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)或-B(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的富含π电子的C₃-C₆₀环状基团。

在实施方式中，式1-1和式1-2中的A₁₁至A₁₄可各自独立地为苯基、萘基、蒽基、菲基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基或二苯并咔唑基。例如，A₁₁至A₁₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。

在实施方式中，L₁₁至L₁₃可各自独立地为：

单键；或

苯基、庚搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、并五苯基、并六苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、异吲哚基、吲哚基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻吩砜基、咔唑基、二苯并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、三吲哚并苯基、吖啶基或二氢吖啶基。

在实施方式中，Ar₁₁至Ar₁₃可各自独立地为：

各自未取代的或被以下取代的苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、异吲哚基、吲哚基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基或二氢吖啶基：氘、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、异吲哚基、吲哚基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、二氢吖啶基或其任何组合；或者

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)或-N(Q₁)(Q₂)，

其中Q₁至Q₃可各自独立地为氢、氘、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、三亚苯基、联苯基或三联苯基。

例如，第一化合物可为化合物1-1至化合物1-22中的一个，但是实施方式不限于此：

在实施方式中，电子传输主体可为包括至少一个吸电子基团的化合物。双极性主体可为包括至少一个吸电子基团和至少一个给电子基团的化合物。

例如，吸电子基团可为：-F、-CFH₂、-CF₂H、-CF₃、-CN或-NO₂；

被-F、-CFH₂、-CF₂H、-CF₃、-CN、-NO₂或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基；或

未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，给电子基团可为咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基或-N(Q₁)(Q₂)，

其中Q₁至Q₂可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者未取代的或被以下取代的富含π电子的C₃-C₆₀环状基团：氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合。

在实施方式中，第二化合物可包括由式2-1表示的化合物、由式2-2表示的化合物、由式2-3表示的化合物或其任何组合：

[式2-1]

[式2-2]

[式2-3]

在式2-1至式2-3中，

A₂₁至A₂₆可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

X₂₁可为N-[(L₂₁)_a21-(Ar₂₁)_b21]、O或S，

X₂₂至X₂₄可各自独立地为N或C(R₂₁)，并且X₂₂至X₂₄中的至少一个可为N，

L₂₁至L₂₇可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团，或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

a21至a27可各自独立地为选自1至3的整数，

Ar₂₁至Ar₂₆和R₂₁至R₂₅可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

b21至b26可各自独立地为选自1至5的整数，

c22至c25可各自独立地为选自1至8的整数，

式2-1中的A₂₁、A₂₂、L₂₁至L₂₃和Ar₂₁至Ar₂₃中的至少一个可包括缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团，

式2-3中的R₂₂至R₂₅中的至少一个可包括吸电子基团，

其中吸电子基团可为：

-F、-CFH₂、-CF₂H、-CF₃、-CN或-NO₂；

被-F、-CFH₂、-CF₂H、-CF₃、-CN、-NO₂或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基；或

未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团，

R_10a可为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基。

在实施方式中，式2-1和式2-3中的A₂₁至A₂₆可各自独立地为苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂茚基、氮杂吲哚基、氮杂苯并呋喃基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并噻咯基。

在实施方式中，式2-1至式2-3中的L₂₁至L₂₇可各自独立地为：

单键；或

各自未取代的或被以下取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂茚基、氮杂吲哚基、氮杂苯并呋喃基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并噻咯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂茚基、氮杂吲哚基、氮杂苯并呋喃基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任何组合，

其中Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、联苯基、三联苯基或萘基。

在实施方式中，式2-1中的A₂₁、A₂₂、L₂₁至L₂₃和Ar₂₁至Ar₂₃中的至少一个可为咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂茚基、氮杂吲哚基、氮杂苯并呋喃基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并噻咯基。

例如，当式2-1中的L₂₁至L₂₃中的至少一个包括缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团时，可包括前述基团的二价基团、三价基团或四价基团。例如，当Ar₂₁至Ar₂₃中的至少一个包括缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团时，可包括前述基团的单价基团。

在实施方式中，式2-3中的R₂₂至R₂₅中的至少一个可为：

-F、-CFH₂、-CF₂H、-CF₃、-CN或-NO₂；

被选自-F、-CFH₂、-CF₂H、-CF₃、-CN、-NO₂或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基；或

未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，第二化合物可为化合物2-1至化合物2-29中的一个，但是实施方式不限于此：

在实施方式中，发射层133中的第二化合物可具有等于或大于约2.85eV的三重态能级(T1)。第二化合物可具有适于用作例如蓝色主体的三重态能级，并且因此，发光装置10可具有高发射效率和长寿命。

在发光装置10中，因为发射层133可包括第一化合物和第二化合物的共主体，所以可改善发射层133的电荷平衡，并且可扩展在发射层133内侧形成的发射区，从而改善发射效率和寿命。

在实施方式中，发射层133中的发光掺杂剂可包括第一掺杂剂、第二掺杂剂或其任何组合，其中第一掺杂剂可为磷光掺杂剂，并且第二掺杂剂可为满足方程式1的热激活延迟荧光掺杂剂。

[方程式1]

△E_ST＝E(S1)-E(T1)≤0.3eV

在方程式1中，E(S1)可为热激活延迟荧光掺杂剂的最低激发单重态能级(eV)，并且E(T1)可为热激活延迟荧光掺杂剂的最低激发三重态能级(eV)。

例如，第一掺杂剂可包括由式3表示的化合物：

[式3]

M₃₁(L₃₁)_n31(L₃₂)_n32。

在式3中，

M₃₁可为元素周期表的第一行过渡金属、元素周期表的第二行过渡金属或元素周期表的第三行过渡金属，

L₃₁可为由式3A表示的配体、由式3B表示的配体或由式3C表示的配体，并且当n31为2或更大时，两个或更多个L₃₁可彼此相同或不同，

L₃₂可为单齿配体、二齿配体或三齿配体，并且当n32为2或更大时，两个或更多个L₃₂可彼此相同或不同，

n31可为选自1至3的整数，并且

n32可为选自0至4的整数。

在实施方式中，式3中的M₃₁可为铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)。

例如，式3中的M₃₁可为Ir或Pt。

在式3A至式3C中，

A₃₁至A₃₄可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

Y₃₁至Y₃₄可各自独立地为单键、双键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₃₀亚芳基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₃₀亚杂芳基、*-O-*’、*-S-*’、*-C(＝O)-*’、*-S(＝O)-*’、*-C(R₃₅)(R₃₆)-*’、*-C(R₃₅)＝C(R₃₆)-*’、*-C(R₃₅)＝*’、*-Si(R₃₅)(R₃₆)-*’、*-B(R₃₅)-*’、*-N(R₃₅)-*’或*-P(R₃₅)-*’，

a31至a33可各自独立地为选自1至3的整数，

a34可为选自0至3的整数，当a34为0时，A₃₂和A₃₄可不彼此连接，

T₃₁至T₃₄可各自独立地为化学键、*-O-*’、*-S-*’、*-B(R₃₇)-*’、*-N(R₃₇)-*’、*-P(R₃₇)-*’、*-C(R₃₇)(R₃₈)-*’、*-Si(R₃₇)(R₃₈)-*’、*-Ge(R₃₇)(R₃₈)-*’、*-C(＝O)-*’或*-C(＝S)-*’，

*₁、*₂、*₃和*₄各自指示与M₃₁的结合位点，

R₃₁至R₃₈可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

R₃₁至R₃₈和Y₃₁至Y₃₄可任选地连接相邻基团以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

c31至c34可各自独立地为选自0至10的整数，并且

R_10a可与说明书中描述的相同。

在实施方式中，式3A至式3C中的A₃₁至A₃₄可各自独立地为苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、环戊二烯基、1,2,3,4-四氢萘基、噻吩基、呋喃基、硒吩基、吲哚基、苯并硼杂环戊二烯基、苯并磷杂环戊二烯基、茚基、苯并噻咯基、苯并锗杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并硒吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硼杂环戊二烯基、二苯并磷杂环戊二烯基、芴基、二苯并噻咯基、二苯并锗杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并硒吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩5-氧化物基、9H-芴-9-酮基、二苯并噻吩5,5-二氧化物基、氮杂吲哚基、氮杂苯并硼杂环戊二烯基、氮杂苯并磷杂环戊二烯基、氮杂茚基、氮杂苯并噻咯基、氮杂苯并锗杂环戊二烯基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并硒吩基、氮杂苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并硒吩基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基、氮杂-9H-芴-9-酮基、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、5,6,7,8-四氢异喹啉基或5,6,7,8-四氢喹啉基。

在实施方式中，式3A至式3C中的Y₃₁至Y₃₄可各自独立地为单键、双键、*-O-*’、*-S-*’、*-C(R₃₅)(R₃₆)-*’或*-N(R₃₅)-*’。

在实施方式中，式3A至式3C中的R₃₁至R₃₈可各自独立地为：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

未取代的或被氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基；或

各自未取代的或被以下取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、芘基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并噻咯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、芘基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮杂芴基、氮杂螺-二芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、联苯基、三联苯基或其任何组合，

其中Q₁至Q₃可各自独立地为氢、氘、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、三亚苯基、联苯基或三联苯基。

式3中的L₃₂可为有机配体。例如，L₃₂可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、-C(＝O)、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任何组合。

在实施方式中，第一掺杂剂可包括由式3-1表示的化合物、由式3-2表示的化合物或其任何组合：

[式3-1]

[式3-2]

在式3-1和式3-2中，M₃₁、L₃₂、n31、n32、A₃₁至A₃₄、Y₃₁至Y₃₃、a31至a33、T₃₁至T₃₄、R₃₁至R₃₄和c31至c34可与说明书中描述的相同。

在实施方式中，式3-1中的M₃₁可为Ir。

在实施方式中，式3-2中的M₃₁可为Pt。

例如，第一掺杂剂可为化合物3-1至化合物3-8中的一个，但是实施方式不限于此：

在实施方式中，第二掺杂剂可包括由式4-1表示的化合物、由式4-2表示的化合物、由式4-3表示的化合物、由式4-4表示的化合物、由式4-5表示的化合物或其任何组合：

[式4-1]

在式4-1中，

A₄₁和L₄₁至L₄₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

a41至a43可各自独立地为选自0至3的整数，

Ar₄₁和Ar₄₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基，并且

m41可为选自1至6的整数。

在实施方式中，式4-1中的A₄₁可为萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基或茚并菲基；或

各自被以下中的至少一个取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基或茚并菲基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。

在实施方式中，式4-1中的L₄₁至L₄₃可各自独立地为：

亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基或亚吡啶基；或

各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基或亚吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。

在实施方式中，式4-1中的Ar₄₁和Ar₄₂可各自独立地为：

各自未取代的或被以下取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基或吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)或其任何组合，

其中Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为氢、氘、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、三亚苯基、联苯基或三联苯基。

例如，式4-1中的m41可为2，但是实施方式不限于此。

[式4-2]

[式4-3]

[式4-4]

[式4-5]

在式4-2至式4-5中，

X₄₁至X₄₅可各自独立地为单键、O、S、N(R₄₆)、C(R₄₆)(R₄₇)或Si(R₄₆)(R₄₇)，

Y₄₁和Y₄₂可各自独立地为N、B或P，

Z₄₁和Z₄₂可各自独立地为N、C(R₄₆)或Si(R₄₆)，

n41和n42可各自独立地为0、1或2，并且当n41为0时，A₄₁和A₄₂可不彼此连接，并且当n42为0时，A₄₄和A₄₅可不彼此连接，

A₄₁至A₄₅可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

R₄₁至R₄₇可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

c41至c45可各自独立地为选自1至10的整数，

c46、c48和c49可各自独立地为选自1至3的整数，并且

c47可为选自1至4的整数。

R_10a和Q₁至Q₃可各自与说明书中描述的相同。

在实施方式中，第二掺杂剂可为化合物4-1至化合物4-12中的一个，但是实施方式不限于此。

在实施方式中，第二掺杂剂的半峰全宽(FWHM)可在约5nm至约35nm的范围内，但是实施方式不限于此。例如，第二掺杂剂的FWHM可获自第二掺杂剂的光致发光(PL)光谱。

在实施方式中，发射层133中的发光掺杂剂可包括第一掺杂剂。

在实施方式中，发射层133中的发光掺杂剂可包括第二掺杂剂。

在实施方式中，发射层133中的发光掺杂剂可包括第一掺杂剂、第二掺杂剂或其任何组合，并且可进一步包括荧光掺杂剂。

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。

在实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

[式501]

在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，

xd4可为1、2、3、4、5或6。

在实施方式中，式501中的Ar₅₀₁可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。

在实施方式中，式501中的xd4可为2。

在实施方式中，荧光掺杂剂可包括化合物FD1至化合物FD36中的一个、DPVBi、DPAVBi或其任何组合：

在实施方式中，发射层133中的第一化合物和第二化合物可基本上不发光。

例如，发射层133中的发光掺杂剂可发光。当发光掺杂剂包括第一掺杂剂、第二掺杂剂或其任何组合时，第一掺杂剂、第二掺杂剂或其任何组合可发光。

例如，发射层133中的发光掺杂剂可从形成的激子中接收能量，并且可发射蓝色延迟荧光或蓝色磷光，而不直接参与形成激子。

在实施方式中，可从发射层133发射最大发射波长范围为约440nm至约470nm的光。

[n-掺杂层133N]

夹层130可包括在发射层133和第二电极150之间的n-掺杂层133N。

n-掺杂层133N可包括第三化合物和n-掺杂剂，并且可不包括发光掺杂剂。

当n-掺杂层133N包括发射层133的发光掺杂剂时，第三化合物和发光掺杂剂可形成基态复合物，并且在发射层133中形成的激子可扩散至n-掺杂层133N中，从而阻碍包括在发射层133中的发光掺杂剂发光。然而，在根据实施方式的发光装置10中，因为n-掺杂层133N不包括发光掺杂剂，所以在发射层133中形成的大部分激子可用于发光，并且因此可改善发光装置10的发射效率。

n-掺杂层133N中的第三化合物可包括电子传输主体、双极性主体或其任何组合。包括在n-掺杂层133N中的第三化合物和包括在发射层133中的第二化合物可彼此相同或不同。

第三化合物的电子传输主体和双极性主体可与说明书中描述的相同。

例如，第三化合物可包括由式2-1表示的化合物、由式2-2表示的化合物、由式2-3表示的化合物或其任何组合。

在实施方式中，包括在n-掺杂层133N中的第三化合物和包括在发射层133中的第二化合物可彼此相同。

例如，第三化合物可为化合物2-1至化合物2-29中的一个，但是实施方式不限于此：

在实施方式中，n-掺杂层133N中的n-掺杂剂可包括含金属材料，该含金属材料包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。

碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

例如，n-掺杂剂可包括Li复合物。例如，n-掺杂剂可包括化合物ET-D1(Liq)或ET-D2：

在实施方式中，n-掺杂层133N中的第三化合物的量可大于n-掺杂层133N中的n-掺杂剂的量。

例如，基于n-掺杂层133N的总重，n-掺杂层133N中的n-掺杂剂的量可在约5wt％至约49.99wt％的范围内。例如，基于n-掺杂层133N的总重，n-掺杂层133N中的n-掺杂剂的量可在约5wt％至约10wt％的范围内。

在实施方式中，n-掺杂层133N可直接接触发射层133。

在实施方式中，n-掺杂层133N的厚度可在约1nm至约20nm的范围内。例如，n-掺杂层133N的厚度可在约1nm至约10nm的范围内。

因为根据实施方式的发光装置10包括n-掺杂层133N，所以可改善发射层133的电荷平衡，并且因此，可在发射层133中有效地形成激子，并且可将形成的激子限制在发射层133中。可防止或减少由流入相邻层中的空穴或电子引起的漏电流的发生。

当发光掺杂剂在发射层133中时，可发生空穴俘获并且可延迟电荷转移，从而造成难以保持电荷平衡，并且因此，可降低发光装置10的寿命。在根据实施方式的发光装置10中，由于包括n-掺杂剂的n-掺杂层133N可直接接触发射层133，所以控制发射层133中的激子并且保持电荷平衡可为可能的。

相应地，可改善(例如，降低)发光装置10的驱动电压，并且可改善发射效率和寿命。

[空穴传输区]

空穴传输区可具有由(由单一材料组成的)层组成的结构、由(由不同材料组成的)层组成的结构或包括(包括不同材料的)层的多层结构。

空穴传输区可包括空穴注入层131、空穴传输层132、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

例如，空穴传输区可具有具备下述的多层结构：空穴注入层131/空穴传输层132结构、空穴注入层131/空穴传输层132/发射辅助层结构、空穴注入层131/发射辅助层结构、空穴传输层132/发射辅助层结构或空穴注入层131/空穴传输层132/电子阻挡层结构，其中对于每个结构，构成层可从第一电极110以其各自叙述的顺序堆叠。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

[式201]

[式202]

在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可为*-O-*’、*-S-*’、*-N(Q₂₀₁)-*’、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为选自1至4的整数。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个。

在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c可各自独立地与参考R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可为未取代的或被R_10a取代。

在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，式201中的xa1可为1，R₂₀₁可为由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R₂₀₂可为由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY217中的一个表示的基团。

在实施方式中，空穴传输区可包括化合物HT1至HT46中的一个、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任何组合：

在实施方式中，空穴传输区可包括空穴传输材料，并且包括在空穴传输区中的空穴传输材料和包括在发射层133中的第一化合物可彼此相同。例如，空穴传输区可包括空穴传输层132，空穴传输层132可包括空穴传输材料，并且包括在空穴传输层132中的空穴传输材料和包括在发射层133中的第一化合物可彼此相同。

空穴传输区的厚度可在约

至约

的范围内。例如，空穴传输区的厚度可在约

至约

的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层131、空穴传输层132或其任何组合时，空穴注入层131的厚度可在约

至约

的范围内，并且空穴传输层132的厚度可在约

至约

的范围内。例如，空穴注入层131的厚度可在约

至约

的范围内。例如，空穴传输层132的厚度可在约

至约

的范围内。当空穴传输区、空穴注入层131和空穴传输层132的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的空穴传输特点。

发射辅助层可通过根据由发射层133发射的光的波长补偿光学共振距离而增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡电子从发射层133泄漏至空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

[p-掺杂剂]

除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于传导特性的改善的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单层的形式)。

电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

在实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可等于或小于约-3.5eV。

在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物或其任何组合。

醌衍生物的示例可包括TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例可包括HAT-CN，和由下式221表示的化合物。

[式221]

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任何组合取代的C₁-C₂₀烷基；或其任何组合。

在含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任何组合。

金属的示例可包括碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的示例可包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的示例可包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

在实施方式中，含元素EL1和元素EL2的化合物的示例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和铼氧化物(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的示例可包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和锡卤化物(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的示例可包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。

准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

[电子传输区]

电子传输区可具有由(由单一材料组成的)层组成的结构、由(由不同材料组成的)层组成的结构或包括(包括不同材料的)层的多层结构。

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层134、电子注入层135或其任何组合。

例如，电子传输区可具有具备下述的结构：电子传输层134/电子注入层135结构、空穴阻挡层/电子传输层134/电子注入层135结构、电子控制层/电子传输层134/电子注入层135结构或缓冲层/电子传输层134/电子注入层135结构，其中对于每个结构，构成层可从发射层133以其各自叙述的顺序堆叠。

在实施方式中，电子传输区可包括彼此不同的两个或更多个有机层。例如，电子传输区可包括电子传输层134和电子注入层135。

由于电子传输区包括彼此不同的两个或更多个有机层，所以可容易地调节电子传输速度以平衡空穴和电子，使得降低驱动电压并且增加寿命。

在实施方式中，电子传输区可包括电子传输层134，n-掺杂层133N可设置在发射层133和电子传输层134之间，并且n-掺杂层133N可直接接触发射层133并且可直接接触电子传输层134。

电子传输区可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，电子传输区可包括由下式601表示的化合物：

[式601]

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21。

在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可各自独立地与参考Q₁描述的相同，

xe21可为1、2、3、4或5，

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar₆₀₁可经单键连接。

在实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

[式601-1]

在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，其中X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可各自独立地与参考L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可各自独立地与参考xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可各自独立地与参考R₆₀₁描述的相同，

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括化合物ET1至化合物ET45中的一个、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ、ET-2或其任何组合：

电子传输区的厚度可在约

至约

的范围内。例如，电子传输区的厚度可在约

至约

的范围内。当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层134或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地在约

至约

的范围内，并且电子传输层134的厚度可在约

至约

的范围内。例如，缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地在约

至约

的范围内。例如，电子传输层134的厚度可在约

至约

的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层134的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特点。

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层134)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可与参考n-掺杂剂描述的相同。例如，含金属材料可包括Li复合物。例如，在实施方式中，电子传输区可包括Li复合物。

在实施方式中，电子传输区可包括电子传输层134，并且电子传输层134可包括含金属材料，例如，Li复合物。

电子传输区可包括利于来自第二电极150的电子的注入的电子注入层135。电子注入层135可直接接触第二电极150。

电子注入层135可具有由(由单一材料组成的)层组成的结构、由(由不同材料组成的)层组成的结构或包括(包括不同材料的)层的多层结构。

电子注入层135可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或其任何组合。

含碱金属化合物可包括碱金属氧化物，比如Li₂O、Cs₂O或K₂O，碱金属卤化物，比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x为满足0<x<1的条件的实数)或Ba_xCa_1-xO(x为满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任何组合。在实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括碱金属的离子、碱土金属的离子和稀土金属的离子中的一个，以及与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

如上述，电子注入层135可由碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合组成。在实施方式中，电子注入层135可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方式中，电子注入层135可由含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)组成；或电子注入层135可由含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)和碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合组成。在实施方式中，电子注入层135可为KI:Yb共沉积层或RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层135进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层135的厚度可在约

至约

的范围内。例如，电子注入层135的厚度可在约

至约

的范围内。当电子传输层135的厚度在上述范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特点。

[第二电极150]

第二电极150可设置在具有如上述结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且可使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任何组合作为用于第二电极150的材料。

在实施方式中，第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。

[封盖层]

第一封盖层(未显示)可位于第一电极110外侧，和/或第二封盖层(未显示)可位于第二电极150外侧。在实施方式中，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该叙述的顺序堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序堆叠的结构。

发光装置10的夹层130的发射层133中生成的光可通过可为半透射电极或透射电极的第一电极110和通过第一封盖层向外侧提取，或发光装置10的夹层130的发射层133中生成的光可通过可为半透射电极或透射电极的第二电极150和通过第二封盖层向外侧提取。

根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可各自增加外部发射效率。相应地，可增加发光装置10的光提取效率，以便可改善发光装置10的发射效率。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括(在约589nm的波长下)折射率等于或大于约1.6的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。

第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物HT28至化合物HT33中的一个、化合物CP1至化合物CP6中的一个、β-NPB或其任何组合：

[电子设备]

发光装置10可包括在各种电子设备中。例如，包括发光装置10的电子设备可为发光设备或认证设备等。

除了发光装置10之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括滤色器、颜色转换层，或滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置10发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置10发射的光可为蓝光或白光。发光装置10可与上述的相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如本文描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素，滤色器可包括分别对应于多个子像素的多个滤色器区，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素的多个颜色转换区。

像素限定层可位于多个子像素之间以限定多个子像素中的每一个。

滤色器可进一步包括多个滤色器区和位于多个滤色器区之间的遮光图案，并且颜色转换层可包括多个颜色转换区和位于多个颜色转换区之间的遮光图案。

滤色器区(或颜色转换区)可包括发射第一颜色光的第一区、发射第二颜色光的第二区，和/或发射第三颜色光的第三区，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，滤色器区(或颜色转换区)可包括量子点。例如，第一区可包括红色量子点，第二区可包括绿色量子点，并且第三区可不包括量子点。量子点可与说明书中描述的相同。第一区、第二区和/或第三区可各自包括散射体。

在实施方式中，发光装置10可发射第一光，第一区可吸收第一光以发射第一第一-颜色光，第二区可吸收第一光以发射第二第一-颜色光，并且第三区可吸收第一光以发射第三第一-颜色光。就此而言，第一第一-颜色光、第二第一-颜色光和第三第一-颜色光可各自具有不同的最大发射波长。例如，第一光可为蓝光，第一第一-颜色光可为红光，第二第一-颜色光可为绿光，并且第三第一-颜色光可为蓝光。

除了如上述的发光装置10之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，并且源电极和漏电极中的任一个可电连接至发光装置10的第一电极110和第二电极150中的一个。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置10的封装部分。封装部分可位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置10之间。封装部分可允许来自发光装置10的光被提取到外侧，并且可同时防止或减少环境空气和湿气渗透至发光装置10中。封装部分可为包括透明玻璃基板或塑料基板的密封基板。封装部分可为包括有机层和无机层中的至少一个的薄膜封装层。当封装部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的使用，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可另外位于封装部分上。功能层可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏式触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。

除了发光装置10之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。

电子设备可应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量工具、仪表(例如，用于车辆、飞机和船只的仪表)和投影仪等。

[图2和图3的描述]

图2为显示根据实施方式的电子设备的示意性横截面图。

图2的电子设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可形成在基板100上。缓冲层210可防止或减少杂质的渗透穿过基板100，并且可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可位于缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体比如硅或多晶硅、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可位于有源层220上，并且栅电极240可位于栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可放置在栅电极240和源电极260之间，以将栅电极240与源电极260绝缘，并且放置在栅电极240和漏电极270之间，以将栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可电接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任何组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且可暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可电连接至漏电极270的暴露部分。

含有绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的区域，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露的区域中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。在实施方式中，夹层130的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部，以设置为公共层的形式。

第二电极150可位于夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。

封装部分300可位于封盖层170上。封装部分300可位于发光装置上，以保护发光装置避免湿气和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或其任何组合；或无机膜和有机膜的组合。

图3为显示根据另一实施方式的电子设备的示意性横截面图。

图3的电子设备可与图2的电子设备相同，只是遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为滤色器区、颜色转换区或滤色器区和颜色转换区的组合。在实施方式中，包括在图3的电子设备中的发光装置可为串联发光装置。

[制造方法]

包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多种适合的方法形成在指定的区域中。

当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度，约10^-8托至约10^-3托的真空度，和约

至约

的沉积速度下进行，这取决于待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构。

[术语的定义]

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”可为仅由碳作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”可为具有1至60个碳原子并且除了碳原子之外进一步具有至少一个杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基团可具有3至61个成环原子。

如本文使用的术语“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的术语“富含π电子的C₃-C₆₀环状基团”可为具有3至60个碳原子并且可不包括*-N＝*’作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”可为具有1至60个碳原子并且可包括*-N＝*’作为成环部分的杂环基团。

例如，C₃-C₆₀碳环基团可为T1基团或其中两个或更多个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基团可为T2基团、其中两个或更多个T2基团彼此稠合的稠环基团，或其中至少一个T2基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

富含π电子的C₃-C₆₀环状基团可为T1基团、其中两个或更多个T1基团彼此稠合的稠环基团、T3基团、其中两个或更多个T3基团彼此稠合的稠环基团，或其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为T4基团、其中两个或更多个T4基团彼此稠合的稠环基团、其中至少一个T4基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团、其中至少一个T4基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠环基团，或其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

其中T1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

T2基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

T3基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

T4基团可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如本文使用的术语“环状基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、富含π电子的C₃-C₆₀环状基团，或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”可为与任何环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团，这取决于参考该术语使用的式的结构。在实施方式中，“苯基”可为苯环、苯基或亚苯基等，其可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构而容易地理解。

单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的示例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的示例为C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基”可为具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，并且其示例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”可为与C₁-C₆₀烷基具有相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基”可为在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例可包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”可为与C₂-C₆₀烯基具有相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基”可为在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例可包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”可为与C₂-C₆₀炔基具有相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”可为由-OA₁₀₁表示的单价基团(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)，并且其示例可包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”可为具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其示例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”可为与C₃-C₁₀环烷基具有相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”可为除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子并且具有1至10个碳原子的单价环状基团，并且其示例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”可为与C₁-C₁₀杂环烷基具有相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烯基”可为具有3至10个碳原子和在其环中的至少一个碳-碳双键，并且无芳香性的单价环状基团，并且其示例可包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基”可为与C₃-C₁₀环烯基具有相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”可为具有除了碳原子之外至少一个杂原子作为成环原子，1至10个碳原子，和在其环结构中的至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的示例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”可为与C₁-C₁₀杂环烯基具有相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基”可为具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”可为具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例可包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环时，环可彼此稠合。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”可为具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统具有除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子，和1至60个碳原子。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”可为具有杂环芳族系统的二价基团，该二价基团具有除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子，和1至60个碳原子。C₁-C₆₀杂芳基的示例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，环可彼此稠合。

如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”可为具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子(例如，具有8至60个碳原子)作为成环原子，并且当整体考虑时在其分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的示例可包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”可为与单价非芳族稠合多环基团具有相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”可为具有两个或更多个彼此稠合的环，除了碳原子(例如，具有8至60个碳原子)之外的至少一个杂原子作为成环原子，并且当整体考虑时在其分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的示例可包括9,9-二氢吖啶基和9H-呫吨基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”可为与单价非芳族稠合杂多环基团具有相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”可为由-OA₁₀₂表示的单价基团(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基”可为由-SA₁₀₃表示的单价基团(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如本文使用的术语“C₇-C₆₀芳烷基”可为由-(A₁₀₄)(A₁₀₅)表示的单价基团(其中A₁₀₄可为C₁-C₅₄亚烷基，并且A₁₀₅可为C₆-C₅₉芳基)，并且如本文使用的的术语“C₂-C₆₀杂芳烷基”可为由-(A₁₀₆)(A₁₀₇)表示的单价基团(其中A₁₀₆可为C₁-C₅₉亚烷基，并且A₁₀₇可为C₁-C₅₉杂芳基)。

如本文使用的术语“R_10a”可为：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

如本文使用的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基。

如本文使用的术语“杂原子”可为除了碳原子之外的任何原子。杂原子的示例可包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se和其任何组合。

如本文使用的术语“第三行过渡金属”可包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等。

如本文使用的术语“Ph”指苯基，如本文使用的术语“Me”指甲基，如本文使用的术语“Et”指乙基，如本文使用的术语“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且如本文使用的术语“OMe”指甲氧基。

如本文使用的术语“联苯基”可为“被苯基取代的苯基”。例如，“联苯基”可为具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如本文使用的术语“三联苯基”可为“被联苯基取代的苯基”。例如，“三联苯基”可为具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

在描述中，除非以其他方式限定，否则如本文使用的*和*’，各自表示与相应的式或部分中的相邻原子的结合位点。

下文，将参考实施例详细地描述根据实施方式的发光装置。

[实施例]

[实施例1]

将康宁15Ω/cm²

ITO玻璃基板(阳极)切成50mm x 50mm x 0.5mm的尺寸，用丙酮、异丙醇和纯水各自超声15分钟，并且通过暴露于紫外线和臭氧清洁30分钟。将ITO玻璃基板提供至真空沉积设备。

将化合物HT3真空沉积在ITO玻璃基板上，以形成厚度为120nm的空穴注入层，并且将化合物1-3真空沉积在空穴注入层上，以形成厚度为5nm的空穴传输层。

将化合物1-3(第一化合物)、化合物2-16(第二化合物)和化合物3-1(第一掺杂剂)以6.3:2.7:1的重量比共沉积在空穴传输层上，以形成厚度为30nm的发射层。

将化合物2-16和Liq以9.5:0.5的重量比共沉积在发射层上，以形成厚度为5nm的n-掺杂层。

将ET-2和Liq以5:5的重量比共沉积在n-掺杂层上，以形成厚度为20nm的电子传输层。

将Liq真空沉积在电子传输层上，以形成厚度为1nm的电子注入层，并且将Mg:Ag以5:5的重量比共沉积在电子注入层上以形成厚度为10nm的阴极，从而完成实施例1的发光装置的制造。

[实施例2]

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成n-掺杂层中，化合物2-16和Liq的重量比为9:1。

[实施例3]

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是n-掺杂层形成为具有10nm的厚度。

[实施例4]

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物3-7作为第一掺杂剂代替化合物3-1。

[实施例5]

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物3-7作为第一掺杂剂代替化合物3-1，并且，在形成n-掺杂层中，化合物2-16和Liq的重量比为9:1。

[实施例6]

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物3-7作为第一掺杂剂代替化合物3-1，并且n-掺杂层形成为具有10nm的厚度。

[比较例1]

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是代替形成n-掺杂层，将化合物ET-1单独沉积，以形成厚度为5nm的层。

[比较例2]

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是代替形成n-掺杂层，将化合物ET-1单独沉积，以形成厚度为10nm的层。

[比较例3]

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物3-7作为第一掺杂剂代替化合物3-1，并且代替形成n-掺杂层，将化合物ET-1单独沉积，以形成厚度为5nm的层。

[比较例4]

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成发射层中，使用化合物3-7作为第一掺杂剂代替化合物3-1，并且代替形成n-掺杂层，将化合物ET-1单独沉积，以形成厚度为10nm的层。

[比较例5]

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成n-掺杂层中，将化合物2-16、Liq和化合物3-1以9:0.5:0.5的重量比共沉积。

[比较例6]

以与实施例4中基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成n-掺杂层中，将化合物2-16、Liq和化合物3-7以9:0.5:0.5的重量比共沉积。

[评估例1]

通过使用Keithley SMU 236和亮度仪PR650，在10mA/cm²的电流密度下测量根据实施例1至6和比较例1至6制造的发光装置的发射效率、寿命和驱动电压，并且其结果显示在表1中。发射效率(Cd/A)和寿命(hr)以相对于比较例1的百分数值示出。寿命是指明度变为初始明度的90％时所用的时间。

[表1]

表1显示与比较例1、2和5比较，实施例1至3的发光装置各自具有改善的发射效率、寿命和驱动电压，并且与比较例3、4和6比较，实施例4至6的发光装置各自具有改善的发射效率、寿命和驱动电压。

相应地，根据实施方式的包括n-掺杂层的发光装置可具有改善的发射效率和寿命以及卓越的驱动电压特点。

根据实施方式的发光装置可具有低驱动电压、高发射效率和长寿命。

本文已经公开了实施方式，并且尽管采用了术语，但是它们仅仅以一般性和描述性含义使用和解释，并且不是为了限制的目的。在一些情况下，如将对本领域普通技术人员显而易见的，参考实施方式描述的特征、特点和/或元件可单独使用或与参考其他实施方式描述的特征、特点和/或元件组合使用，除非以其他方式具体地指示。相应地，本领域普通技术人员将理解，在不背离如所附权利要求中陈述的本公开的精神和范围的情况下，可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (10)

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极，和

在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，所述夹层包括：

发射层；和

在所述发射层和所述第二电极之间的n-掺杂层，其中

所述发射层包括第一化合物、第二化合物和发光掺杂剂，

所述n-掺杂层包括第三化合物和n-掺杂剂，并且不包括所述发光掺杂剂，

所述第一化合物包括空穴传输主体，

所述第二化合物和所述第三化合物各自独立地包括电子传输主体、双极性主体或其组合，并且

所述第二化合物和所述第三化合物彼此相同或不同。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述n-掺杂层直接接触所述发射层。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中基于所述n-掺杂层的总重，所述n-掺杂层中的所述n-掺杂剂的量的范围为5wt％至10wt％。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述n-掺杂层的厚度的范围为1nm至20nm。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中包括在所述n-掺杂层中的所述第三化合物和包括在所述发射层中的所述第二化合物彼此相同。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中

所述发射层中的所述发光掺杂剂包括第一掺杂剂、第二掺杂剂或其组合，

所述第一掺杂剂为磷光掺杂剂，并且

所述第二掺杂剂为满足方程式1的热激活延迟荧光掺杂剂：

[方程式1]

△E_ST＝E(S1)-E(T1)≤0.3eV

其中，在方程式1中，

E(S1)为所述热激活延迟荧光掺杂剂的最低激发单重态能级，并且

E(T1)为所述热激活延迟荧光掺杂剂的最低激发三重态能级。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中

所述夹层进一步包括：

在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区；和

在所述n-掺杂层和所述第二电极之间的电子传输区，

所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合，并且

所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其组合。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其中

所述空穴传输区包括所述空穴传输层，

所述空穴传输层包括空穴传输材料，并且

包括在所述空穴传输层中的所述空穴传输材料和包括在所述发射层中的所述第一化合物彼此相同。

9.根据权利要求7所述的发光装置，其中

所述电子传输区包括电子传输层，

所述n-掺杂层设置在所述发射层和所述电子传输层之间，并且

所述n-掺杂层直接接触所述发射层并且直接接触所述电子传输层。

10.一种电子设备，包括根据权利要求1至9中任一项所述的发光装置。

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