CN116096120A

CN116096120A - 发光装置和包括其的电子设备

Info

Publication number: CN116096120A
Application number: CN202211361706.1A
Authority: CN
Inventors: 金民齐; 田美恩; 秋昌雄
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-11-04
Filing date: 2022-11-02
Publication date: 2023-05-09
Also published as: KR20230065431A; US20230165143A1

Abstract

提供了发光装置和包括该发光装置的电子设备，在该发光装置中，夹层包括包含电子传输主体和空穴传输主体的接触层。接触层直接接触发射层，并且发射层包括第一掺杂剂和第二掺杂剂。

Description

发光装置和包括其的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2021年11月4日提交的韩国专利申请第10-2021-0150855号的优先权和权益，其全部内容通过引用由此并入。

技术领域

本公开的一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。

背景技术

发光装置为自发射装置，其与现有技术的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的或适当的特性。

在示例中，发光装置可具有这样的结构，其中第一电极布置在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生光。

发明内容

本公开的一个或多个实施方式的方面涉及具有改善的(增加的)效率和长的寿命的发光装置。

本公开的实施方式的另外方面将在随后的描述中陈述，并且部分是从本公开中显而易见的，或可通过本公开的实施方式呈现的实践而了解到。

根据一个或多个实施方式，发光装置包括：

第一电极，

面向第一电极的第二电极，和

布置在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层(发射层在夹层中)，其中，

夹层包括接触层，该接触层包括电子传输主体和空穴传输主体，

接触层直接接触发射层，并且

发射层包括第一掺杂剂和第二掺杂剂。

根据一个或多个实施方式，电子设备包括：

发光装置。

附图说明

本公开的某些实施方式的上面和其他方面和特征将从结合所附附图的下述描述中更显而易见，其中：

图1为根据实施方式的发光装置的示意图；

图2为根据实施方式的电子设备的横截面图；并且

图3为根据另一实施方式的电子设备的横截面图。

具体实施方式

现将更详细地参考其示例示出在所附附图中的实施方式，其中贯穿整个说明书相同的附图标记指相同的元件，并且可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。相应地，仅通过参照附图来描述实施方式，以解释本公开的实施方式的各方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相同的相关列举项目的任意和所有组合。贯穿整个公开，表述“a、b和c中的一个”、“a、b和c中的至少一个”或“a至c中的一个”等可指示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有的a、b和c，或其变型。

本公开的实施方式的一个方面提供了发光装置，其包括：

第一电极；

面向第一电极的第二电极；和

布置在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层(发射层在夹层中)，其中：

夹层包括包含电子传输主体和空穴传输主体的层(例如，接触层)，

该层(例如，接触层)直接接触发射层，并且

发射层包括第一掺杂剂和第二掺杂剂。

在实施方式中，第一电极可为阳极，且第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括空穴传输区，该空穴传输区布置在第一电极和发射层之间且包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或者其一个或多个的组合。

在实施方式中，第一电极可为阳极，且第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括电子传输区，该电子传输区布置在第二电极和发射层之间且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或者其一个或多个的组合。

在实施方式中，发射层可发射红光、绿光、蓝光或白光，并且例如，可发射蓝光。

在实施方式中，接触发射层且包括电子传输主体和空穴传输主体的层可允许电子和空穴分别向第一电极或第二电极泄漏，以再次形成激子。相应地，可改善(增加)发光装置的发光效率。

在一些实施方式中，该层(例如，接触层)可通过降低发射区的界面处过密的激子的密度来抑制或减少发射层的劣化，从而改善(增加)发光装置的寿命。

在实施方式中，电子传输主体和空穴传输主体可均(例如，同时)具有大于2.8eV的T₁能级。T₁意指三重态激发态。

当电子传输主体或空穴传输主体具有2.8eV或更小的T₁能级时，主体本身可发射光，导致发射不需要的光。从而，发光装置的效率可能会降低。

在实施方式中，在该层(例如，接触层)中，电子传输主体的量可大于空穴传输主体的量。例如，该层(例如，接触层)可包括电子传输主体和空穴传输主体(例如，由电子传输主体和空穴传输主体组成)，并且电子传输主体的量可大于空穴传输主体的量。例如，基于100wt％的电子传输主体和空穴传输主体的总量，电子传输主体的量可在约55wt％至约85wt％的范围内。例如，基于100wt％的电子传输主体和空穴传输主体的总量，电子传输主体的量可在约60wt％至约70wt％的范围内。

在该实施方式中，夹层可进一步包括电子传输层，并且接触层可直接接触电子传输层。该层(例如，接触层)可用于阻挡或减少空穴和注入电子，并且如上述的，可允许空穴向第二电极泄漏以再次形成激子。相应地，可改善(增加)发光装置的发光效率。

该层(例如，接触层)可具有例如约

至约

(例如，约

至约

)的范围内的厚度。当该层(例如，接触层)的厚度在上述范围内时，该层(例如，接触层)可具有满意的(适当的)阻挡空穴的作用(例如，该层(例如，接触层)可适当地阻挡并且保留空穴)，而不会显著增加驱动电压和注入电子，并且因此空穴可再次形成激子。

在实施方式中，在该层(例如，接触层)中，空穴传输主体的量可大于电子传输主体的量。例如，该层(例如，接触层)可包括电子传输主体和空穴传输主体(例如，由电子传输主体和空穴传输主体组成)，并且空穴传输主体的量可大于电子传输主体的量。例如，基于100wt％的电子传输主体和空穴传输主体的总量，空穴传输主体的量可在约55wt％至约85wt％的范围内。例如，基于100wt％的电子传输主体和空穴传输主体的总量，空穴传输主体的量可在约60wt％至约70wt％的范围内。

在该实施方式中，夹层可进一步包括空穴传输层，并且接触层可直接接触空穴传输层。该层(例如，接触层)可用于阻挡或减少电子并注入空穴，并且如上述的，可允许电子向第一电极泄漏以再次形成激子。相应地，可改善发光装置的发光效率。

该层(例如，接触层)可具有例如约

至约

(例如，约

至约

)的范围内的厚度。当该层(例如，接触层)的厚度在上述范围内时，该层(例如，接触层)可具有满意的(适当的)阻挡电子的作用(例如，该层(例如，接触层)可适当地阻挡并且保留空穴)，而不显著增加驱动电压和注入空穴，并且因此电子可再次形成激子。

在实施方式中，该层(例如，接触层)可包括第一层和第二层，并且夹层可进一步包括电子传输层和空穴传输层，

第一层可包括电子传输主体和空穴传输主体，并且空穴传输主体的量可大于电子传输主体的量，

第二层可包括电子传输主体和空穴传输主体，并且电子传输主体的量可大于空穴传输主体的量，

第一层可直接接触空穴传输层，并且

第二层可直接接触空穴传输层。

在该情况下，例如，第一层可包括电子传输主体和空穴传输主体(例如，由电子传输主体和空穴传输主体组成)，并且空穴传输主体的量可大于电子传输主体的量，并且

第二层可包括电子传输主体和空穴传输主体(例如，由电子传输主体和空穴传输主体组成)，并且电子传输主体的量可大于空穴传输主体的量。

例如，基于100wt％的电子传输主体和空穴传输主体的总量，第一层中空穴传输主体的量可在约55wt％至约85wt％的范围内。例如，基于100wt％的电子传输主体和空穴传输主体的总量，第一层中空穴传输主体的量可在约60wt％至约70wt％的范围内。

例如，基于100wt％的电子传输主体和空穴传输主体的总量，第二层中电子传输主体的量可在约55wt％至约85wt％的范围内。例如，基于100wt％的电子传输主体和空穴传输主体的总量，第二层中电子传输主体的量可在约60wt％至约70wt％的范围内。

第一层可用于阻挡或减少电子并注入空穴，并且可允许电子向第一电极泄漏以再次形成激子。第二层可用于阻挡或减少空穴并注入电子，并且可允许空穴向第二电极泄漏以再次形成激子。相应地，可改善发光装置的发光效率。

第一层和第二层可各自独立地具有例如约

至约

(例如，约

至约

)的范围内的厚度。

当第一层和第二层的厚度以及主体的量满足于上述范围内时，该层(例如，接触层)可具有满意的阻挡电子或空穴而不显著增加驱动电压，注入空穴或电子，并且再次利用电子和空穴形成激子的作用。

在实施方式中，第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一种可为磷光掺杂剂，并且第一掺杂剂和第二掺杂剂中的另一种可为荧光掺杂剂。例如，第一掺杂剂可为磷光掺杂剂，并且第二掺杂剂可为荧光掺杂剂。例如，第一掺杂剂可为荧光掺杂剂，并且第二掺杂剂可为磷光掺杂剂。

在实施方式中，在第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一种中，系间窜跃(ISC)可比光的发射更活跃(频繁)地发生。

在实施方式中，第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一种可为磷光掺杂剂，并且第一掺杂剂和第二掺杂剂中的另一种可为荧光掺杂剂，并且在这种磷光掺杂剂中，ISC可比光的发射更活跃(频繁)地发生。

在实施方式中，发射层可包括第一主体，或可(例如，同时)包括第一主体和第二主体二者。第一主体和第二主体可各自独立地与电子传输主体和空穴传输主体相同或不同。

例如，第一掺杂剂可为磷光掺杂剂，并且在这种磷光掺杂剂中，ISC可比光的发射更活跃(频繁)地发生。在主体中产生的单重态激子可通过ISC转移到第二掺杂剂。

例如，50％或更少的作为第一掺杂剂的磷光掺杂剂可发射三重态激子，而超过50％的磷光掺杂剂可通过Forster共振能量转移(FRET)机制和/或Dexter能量转移(DEXT)机制等将能量从第一掺杂剂转移到第二掺杂剂。在第一主体中生成的单重态激子(在存在第二主体的情况下，在第二主体中生成的单重态激子和/或在第一主体和第二主体中生成的激子)可通过ISC转移到作为第二掺杂剂的荧光掺杂剂。

在实施方式中，荧光掺杂剂可为热激活延迟荧光掺杂剂。

在实施方式中，基于主体的总量，第一掺杂剂和第二掺杂剂中的每一个的量可在约0.2wt％至约30wt％的范围内。第一掺杂剂与第二掺杂剂的比率可为在约1:99至约99:1的范围内的重量比。当第一掺杂剂与第二掺杂剂的重量比在上述范围内时，可增强通过ISC的发射系统的运转。

当发射层包括第一主体和第二主体时，第一主体和第二主体可具有在约1:9至约9:1的范围内的重量比。例如，发射层可以以约3:7至约7:3的范围内的重量比包括第一主体和第二主体。当第一主体和第二主体的重量比在上述范围内时，空穴传输可与电子传输处于期望的(适当的)平衡。

主体和掺杂剂可与本文描述的相同。

本公开的实施方式的另一方面提供了包括该发光装置的电子设备。

在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，

其中薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且

发光装置的第一电极可电连接至薄膜晶体管的源电极或薄膜晶体管的漏电极。

在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或者其一个或多个的组合。

如本文使用的术语“夹层”指布置在发光装置的第一电极和第二电极之间的单层和/或所有的多个层。

图1的描述

图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

下文，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外布置在第一电极110下方或第二电极150上方。在实施方式中，作为基板，可使用玻璃基板和/或塑料基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且例如，可包括具有卓越的或适当的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(PAR)、聚醚酰亚胺或者其一个或多个的组合。

例如，第一电极110可通过在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料而形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。在实施方式中，当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或者其一个或多个的组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或者其一个或多个的组合。

第一电极110可具有包括单层(例如，由单层组成)的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

夹层130

夹层130布置在第一电极110上。夹层130可包括发射层。

夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区，以及在发射层和第二电极150之间的电子传输区。

除了一种或多种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物，和/或无机材料比如量子点等。

在一个或多个实施方式中，夹层130可包括i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射层，和ii)布置在两个或更多个发射层之间的电荷生成层。当夹层130包括如上述的发射层和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

夹层130中的空穴传输区

空穴传输区可具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)；ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)；或iii)包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或者其一个或多个的组合。

例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中每个结构的构成层从第一电极110依次堆叠。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其组合：

式201

式202

在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₂₀₅可为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为选自1至4的整数。

例如，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c可各自与结合R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基或C₁-C₂₀杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可未被取代或被R_10a取代。

在一个或多个实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，R₂₀₁可为由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R₂₀₂可为由式CY204至CY207中的一个表示的基团。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团，并且可包括由式CY204至CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY217表示的基团。

例如，空穴传输区可包括化合物HT1至HT46中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或者其一个或多个的组合：

空穴传输区的厚度可在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其组合时，空穴注入层的厚度可在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得满意的(适当的)空穴传输特性。

发射辅助层可通过根据从发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少电子从发射层到空穴传输区的泄漏。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和/或电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了上述材料之外，空穴传输区可进一步包括用于导电性能的提高的电荷生成材料。电荷生成材料可基本上均匀地或非均匀地分散于空穴传输区中(例如，以包括电荷生成材料(例如，由电荷生成材料组成)的单层的形式)。

电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂可具有约-3.5eV或更小的最低未占分子轨道(LUMO)能级。

在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、包含元素EL1和元素EL2的化合物或者其一个或多个的组合。

醌衍生物的示例为TCNQ和/或F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例为HAT-CN和/或由式221表示的化合物等：

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被下述取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或者其一个或多个的组合取代的C₁-C₂₀烷基。

在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其组合。

金属的示例为碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和/或铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)和/或钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)和/或金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)和/或锡(Sn)等)；和/或镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)和/或镥(Lu)等)；等。

准金属的示例为硅(Si)、锑(Sb)和/或碲(Te)等。

非金属的示例为氧(O)和/或卤素(例如，F、Cl、Br和/或I等)等。

包含元素EL1和元素EL2的化合物的示例为金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物等)、金属碲化物或者其一个或多个的组合。

金属氧化物的示例为钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃和/或W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂和/或V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃和/或Mo₂O₅等)和/或铼氧化物(例如，ReO₃等)等。

金属卤化物的示例为碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和/或镧系金属卤化物等。

碱金属卤化物的示例为LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和/或CsI等。

碱土金属卤化物的示例为BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和/或BaI₂等。

过渡金属卤化物的示例为钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄和/或TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄和/或ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄和/或HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃和/或VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃和/或NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃和/或TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃和/或CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃和/或MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃和/或WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂和/或MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂和/或TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂和/或ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂和/或FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂和/或RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂和/或OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂和/或CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂和/或RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂和/或IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂和/或NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂和/或PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂和/或PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr和/或CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr和/或AgI等)和/或金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr和/或AuI等)等。

后过渡金属卤化物的示例为锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂和/或ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和/或锡卤化物(例如，SnI₂等)等。

镧系金属卤化物的示例为YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和/或SmI₃等。

准金属卤化物的示例为锑卤化物(例如，SbCl₅等)等。

金属碲化物的示例为碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te和/或Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe和/或BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe和/或Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和/或镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe和/或LuTe等)等。

夹层130中的发射层

当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层可具有这样的堆叠结构，其中红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层彼此接触或彼此分开以发射白光。在一个或多个实施方式中，发射层可具有这样的结构，其中红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。

在实施方式中，发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂，荧光掺杂剂或其组合。

基于100重量份的主体，包括在发射层中的掺杂剂的量可在约0.01重量份至约30重量份的范围内。

例如，基于100重量份的主体，包括在发射层中的第一掺杂剂和第二掺杂剂的总量可在约0.01重量份至约30重量份的范围内。

在一个或多个实施方式中，发射层可包括量子点。

在一个或多个实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得卓越的或适当的发光特性。

主体

空穴传输主体可为具有强空穴特性的化合物。表述“具有强空穴特性的化合物”指可以容易接受空穴的化合物，并且这种特性可通过包括空穴接收部分(也称为空穴传输部分)来获得。

这种空穴接收部分可包括，例如，富π电子的杂芳基(例如，咔唑衍生物或吲哚衍生物)或芳族胺基。

电子传输主体可为具有强电子特性的化合物。表述“具有强电子特性的化合物”指可以容易接受电子的化合物，并且这种特性可通过包括电子接收部分(也称为电子传输部分)来获得。

这种电子接收部分可包括，例如，缺π电子的杂芳基。例如，电子接收部分可包括含氮杂芳基。

在本文公开的发光装置中，包括在夹层中的层(例如，第一层和/或第二层)可包括空穴传输主体和/或电子传输主体。

当化合物仅包括空穴传输部分或仅包括电子传输部分时，很清楚该化合物的性质是具有空穴传输特性还是电子传输特性。

在实施方式中，化合物可(例如，同时)包括空穴传输部分和电子传输部分二者。在该实施方式中，化合物中空穴传输部分的总数和电子传输部分的总数之间的简单比较可以是预测该化合物是空穴传输化合物还是电子传输化合物的标准，但不能是绝对标准。这种简单的比较不能成为绝对标准的原因之一是一个空穴传输部分和一个电子传输部分分别不具有完全相同的吸引空穴的能力和吸引电子的能力。

所以，确定具有特定结构的化合物是空穴传输化合物还是电子传输化合物的相对可靠的方法是在装置中直接实施该化合物。

在实施方式中，主体可包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21，

其中，在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃可各自与结合Q₁描述的相同。

例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar₃₀₁可经由单键连接在一起。

在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其组合：

式301-1

式301-2

在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁可为O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可各自与本文描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄可各自独立地与结合L301描述的相同，

xb2至xb4可各自独立地与结合xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可各自与结合R₃₀₁描述的相同。

在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物。在一个或多个实施方式中，主体可包括Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或者其一个或多个的组合。

在一个或多个实施方式中，主体可包括化合物H1至H124中的一种、化合物HT-01至HT-17中的一种、化合物ET-01至ET-015中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(2-萘基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCP)或者其一个或多个的组合：

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或者其一个或多个的组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2。

在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中，当xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁可彼此相同或不同，

式402

L₄₀₂可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，其中，当xc2为2或更大时，两个或更多个L₄₀₂可彼此相同或不同，

在式402中，X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁可为单键、-O-、-S-、-C(＝O)-、-N(Q₄₁₁)-、-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝或＝C＝，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可各自与结合Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可各自与结合Q₁描述的相同，

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*’各自指示与式401中的M的结合位点。

例如，在式402中，i)X₄₀₁可为氮，并且X₄₀₂可为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可为氮。

在实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可任选地经由作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，并且两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₂可任选地经由作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(见例如，化合物PD1至PD4和PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可各自与结合T₄₀₁描述的相同。

在式401中，L₄₀₂可为有机配体。例如，L₄₀₂可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、-C(＝O)、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或者其一个或多个的组合。

磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至PD39中的一种、化合物1至120中的一种或者其一个或多个的组合：

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其组合。

例如，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

式501

在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可为1、2、3、4、5或6。

例如，式501中的Ar₅₀₁可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基和/或芘基等)。

例如，式501中的xd4可为2。

在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物FD1至FD36中的一种；DPVBi；DPAVBi；或者其一个或多个的组合：

延迟荧光材料

发射层可包括延迟荧光材料。

在本公开中，延迟荧光材料可选自能够通过延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。

包括在发射层中的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于包括于发射层中的其他材料的类型或种类。

在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可为约0eV或更大且约0.5eV或更小。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差在上述范围内时，延迟荧光材料从三重态至单重态的上转换可有效地发生，从而改善(增加)发光装置10的发光效率等。

例如，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团等，比如咔唑基)和至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基和/或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团等)的材料；和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼(B)的同时稠合在一起的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的示例为化合物DF1至DF9和D-01至D-52中的至少一种：

夹层130中的电子传输区

电子传输区可具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或iii)包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。

电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或者其一个或多个的组合。

在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在每个结构中，构成层从发射层依次堆叠。

在实施方式中，电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，电子传输区可包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21，

其中，在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可各自与结合Q₁描述的相同，

xe21可为1、2、3、4或5，并且

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar₆₀₁可经由单键连接在一起。

在一个或多个实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可各自与结合L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可各自与结合xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可各自与结合R₆₀₁描述的相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括化合物ET1至ET45中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ或者其一个或多个的组合：

电子传输区的厚度可在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层或其组合时，空穴阻挡层的厚度可为约

至约

例如，约

至约

并且电子传输层的厚度可为约

至约

例如，约

至约

当空穴阻挡层和/或电子传输层的厚度在这些范围内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特性。

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或者其一个或多个的组合。

例如，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，化合物ET-D1(Liq)或ET-D2：

电子传输区可包括利于电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。

电子注入层可具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括单种材料(例如，由其组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或iii)包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或者其一个或多个的组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或者其一个或多个的组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或者其一个或多个的组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物等)或碲化物，或者其一个或多个的组合。

含碱金属化合物可包括碱金属氧化物，比如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O等；碱金属卤化物，比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI等；或者其一个或多个的组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)和/或Ba_xCa_1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或者其一个或多个的组合。例如，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例为LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和/或Lu₂Te₃等。

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括：i)碱金属、碱土金属和/或稀土金属的金属离子中的一种；和ii)作为连接至金属离子的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或者其一个或多个的组合。

在实施方式中，电子注入层可包括(例如，由以下组成)如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或者其一个或多个的组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在一个或多个实施方式中，电子注入层可包括(例如，由以下组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，和/或b)碱金属、碱土金属、稀土金属或者其一个或多个的组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可为KI:Yb共沉积层和/或RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或者其一个或多个的组合可基本上均匀地或非均匀地分散于包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得满意的(适当的)电子注入特性。

第二电极150

第二电极150布置在上述夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且作为用于形成第二电极150的材料，可利用各自具有低功函的金属、合金、导电性化合物或者其一个或多个的组合。

第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或者其一个或多个的组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或包括多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层可布置在第一电极110外侧，和/或第二封盖层可布置在第二电极150外侧。更详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。

在实施方式中，发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层向外侧提取。在一个或多个实施方式中，发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层向外侧提取。

第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理增加外部发射效率。相应地，可增加发光装置10的光提取效率，从而可也改善(增加)发光装置10的发光效率。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括折射率为1.6或更大(在589nm)的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合材料封盖层。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或者其一个或多个的组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可各自任选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或者其一个或多个的组合的取代基取代。在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其组合。

在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物CP1至CP6中的一种、β-NPB或者其一个或多个的组合：

电子设备

发光装置可包括在一个或多个适当的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括，i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)(例如，同时)滤色器和颜色转换层二者。滤色器和/或颜色转换层可布置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光。发光装置的细节可各自独立地与本文描述的相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可布置在多个子像素区域之间以限定多个子像素区域之间的每一个。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和布置在多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和布置在多个颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。例如，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点。量子点的细节可与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自进一步包括散射体。

例如，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光并且发射第一-第一颜色光，第二区域可吸收第一光并且发射第二-第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光并且发射第三-第一颜色光。这里，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。更详细地，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，和/或第三-第一颜色光可为蓝光。

除了上述发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的相应一个。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可布置在滤色器和发光装置之间和/或在颜色转换层和发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光提取至外侧，并且同步地(例如，同时)防止(减少)环境空气和水分渗透至发光装置中。密封部分可为包括透明玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，一个或多个适当的功能层可另外布置在密封部分上。功能层的示例为触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。例如，认证设备可为通过利用活体(例如，指尖和/或瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。

除了如上述的发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。

电子设备可应用于一个或多个适当的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、一个或多个适当的测量工具、仪表(例如，用于车辆、航空器和船只的仪表)和/或投影仪等。

图2和图3的描述

图2为根据实施方式的电子设备的横截面图。

图2的电子设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可布置在基板100上。缓冲层210可防止或减少杂质通过基板100渗透并且可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可布置在缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且也可包括源区、漏区和/或沟道区。

用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可布置在有源层220上，并且栅电极240可布置在栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250可布置在栅电极240上。夹层绝缘膜250可布置在栅电极240和源电极260之间以及在栅电极240和漏电极270之间，以将各电极彼此绝缘。

源电极260和漏电极270可布置在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可布置成接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT可电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可因被钝化层280覆盖而受到保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置可提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可布置在钝化层280上。钝化层280可布置成暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可布置成与漏电极270的暴露部分连接。

包括绝缘材料的像素限定层290可布置在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的特定区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺类有机膜和/或聚丙烯酸类有机膜。夹层130的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部，以公共层的形式布置。

第二电极150可布置在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。

封装部分300可布置在封盖层170上。封装部分300可布置在发光装置上以保护发光装置免受水分或氧气的影响(例如，减少水分和/或氧气的量)。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或者其一个或多个的组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或者其一个或多个的组合；或无机膜和有机膜的组合。

图3为根据本公开的另一实施方式的电子设备的横截面图。

图3的电子设备与图2的电子设备基本上相同，只是遮光图案500和功能区400另外布置在封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多个实施方式中，包括在图3的电子设备中的发光装置可为串联发光装置。

制造方法

包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中的层可通过利用一个或多个适当的方法比如真空沉积、旋涂、浇注、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和/或激光诱导热成像等形成于特定区中。

当包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的范围内的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的范围内的真空度和约

至约

的范围内的沉积速度下进行，这取决于待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构。

当包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中的层通过旋涂形成时，通过考虑待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，旋涂可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度和在约80℃至约200℃的热处理温度下进行。

取代基的一般定义

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基”指仅由碳原子作为成环原子组成且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基”指具有1至60个碳原子且除碳原子以外进一步具有杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基可各自为由一个环组成的单环基团，或者其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基具有3至61个成环原子。

如本文使用的术语“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基。

如本文使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”指具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指具有1至60个碳原子并且包括*-N＝*'作为成环部分的杂环基。

例如，

C₃-C₆₀碳环基可为i)T1基团或ii)其中两个或更多个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基可为i)T2基团，ii)其中两个或更多个T2基团彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个T2基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和/或氮杂二苯并呋喃基等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为i)T1基团，ii)其中两个或更多个T1基团彼此稠合的稠环基团，iii)T3基团，iv)其中两个或更多个T3基团彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，C₃-C₆₀碳环基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和/或苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为i)T4基团，ii)其中两个或更多个T4基团彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个T4基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个T4基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和/或氮杂二苯并呋喃基等)，

T1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

T2基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

T3基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

T4基团可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如本文使用的术语“环状基团、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、富π电子的C₃-C₆₀环状基团或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指根据利用该对应的术语的式的结构，与任何环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团和/或四价基团等)稠合的基团。例如，“苯基”可为苯并基、苯基和/或亚苯基等，其可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构而容易理解。

单价C₃-C₆₀碳环基和单价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和/或单价非芳族稠合杂多环基团。二价C₃-C₆₀碳环基和二价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和/或二价非芳族稠合杂多环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，并且其具体示例为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基等。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”指具有与C₁-C₆₀烷基基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，且其示例为乙烯基、丙烯基和/或丁烯基等。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”指具有与C₂-C₆₀烯基基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，且其示例为乙炔基和/或丙炔基等。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”指具有与C₂-C₆₀炔基基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁表示的单价基团(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)，且其示例为甲氧基、乙氧基和/或异丙氧基等。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，且其示例为环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和/或二环[2.2.2]辛基等。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指与C₃-C₁₀环烷基基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的1至10个碳原子的单价环状基团，具体示例为1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和/或四氢噻吩基等。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且无芳香性的单价环状基团，且其具体示例为环戊烯基、环己烯基和/或环庚烯基等。如本文使用的术语“C₃-C₁₀环亚烯基”指具有与C₃-C₁₀环烯基基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指除了碳原子以外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子且在其环结构中具有至少一个双键的1至10个碳原子的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的示例为4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和/或2,3-二氢噻吩基等。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例为苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、芴基、螺-二芴基和/或苯并芴基等。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有杂环芳族系统的1至60个碳原子的单价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还进一步包括至少一个杂原子作为成环原子。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有1至60个碳原子的杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还进一步包括至少一个杂原子作为成环原子。C₁-C₆₀杂芳基的示例为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基、氮杂芴基、咔唑基、氮杂咔唑基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基和/或苯并咔唑基等。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，这些环可彼此稠合。

如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅具有碳原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的示例为茚基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有与上述单价非芳族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，除碳原子之外还进一步包括至少一个杂原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的示例为吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和/或苯并噻吩并二苯并噻吩基等。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有与上述单价非芳族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”指示-OA₁₀₂(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，且如本文使用的术语"C₆-C₆₀芳硫基"指示-SA₁₀₃(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如本文使用的术语“C₇-C₆₀芳基烷基”指-A₁₀₄A₁₀₅(其中A₁₀₄为C₁-C₅₄亚烷基，且A₁₀₅为C₆-C₅₉芳基)，且如本文使用的术语“C₂-C₆₀杂芳基烷基”指-A₁₀₆A₁₀₇(其中A₁₀₆为C₁-C₅₉亚烷基，且A₁₀₇为C₁-C₅₉杂芳基)。

如本文使用的术语“R_10a”可为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未被取代或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)，-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或者其一个或多个的组合；

各自未被取代或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基或C₂-C₆₀杂芳基烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)，-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或者其一个或多个的组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

在本说明书中，Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或者其一个或多个的组合取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₇-C₆₀芳基烷基或C₂-C₆₀杂芳基烷基。

如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子之外的任何原子。杂原子的示例为O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或者其一个或多个的组合。

如本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和/或金(Au)等。

如本文使用的“Ph”指苯基，如本文使用的“Me”指甲基，如本文使用的“Et”指乙基，如本文使用的“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，如本文使用的“iso-Pr”指异丙基，且如本文使用的“OMe”指甲氧基。

如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。例如，“联苯基”为具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

该取代基定义部分中的最大碳原子数仅是示例。在实施方式中，C₁-C₆₀烷基中的最大碳数60为示例，并且该烷基的定义同样适用于C₁-C₂₀烷基。相同内容适用于其他实施方式。

除非另外定义，否则如本文使用的*和*'各自指与相应的式中的相邻原子的结合位点。

下文，将参考实施例更详细描述根据实施方式的化合物和发光装置。

实施例

发光装置的制造

比较例1

将基板(阳极，ITO

/Ag

/ITO

)切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，通过分别用异丙醇和纯水超声5分钟来清洁，通过紫外线照射并且将其暴露于臭氧30分钟来清洁，并且然后装入真空沉积设备中。

将HAT-CN真空沉积在基板上以形成厚度为

的空穴注入层。随后，将作为空穴传输化合物的NPB真空沉积在空穴注入层上，以形成厚度为

的空穴传输层。

将作为空穴传输主体的HT-01真空沉积在空穴传输层上，以形成厚度为

的第一层。

将作为第一主体的化合物HT-10、作为第二主体的ET-08、作为第一掺杂剂的化合物1和作为第二掺杂剂的D-01沉积在第一层上，以形成厚度为

的发射层(其中第一主体与第二主体的重量比为5:5，基于100重量份的第一主体和第二主体的总和，第一掺杂剂和第二掺杂剂的掺杂比分别为10wt％和1.5wt％)。

将作为电子传输主体的ET-01真空沉积在发射层上，以形成厚度为

的第二层。

将TPM-TAZ和Liq以5:5的重量比沉积在第二层上，以形成厚度为

的电子传输层。

在电子传输层上真空沉积Yb至

的厚度，并且随后，于其上真空沉积AgMg至

的厚度，以形成阴极(其中Mg的掺杂比为5wt％)，并且将CP1沉积在阴极上以形成厚度为

的封盖层，从而完成发光装置的制造。

实施例1

以与比较例1基本相同的方式制造发光装置，只是：将作为空穴传输主体的HT-01和作为电子传输主体的ET-02以55:45的重量比真空沉积在空穴传输层上，以形成厚度为

的第一层；并且

在发射层上形成电子传输层而不形成第二层。

实施例2

以与比较例1基本相同的方式制造发光装置，只是：在空穴传输层上形成发射层，而不形成第一层；并且

将作为电子传输主体的ET-01和作为空穴传输主体的HT-14以55:45的重量比真空沉积在发射层上，以形成厚度为

的第二层。

实施例3

以与比较例1基本相同的方式制造发光装置，只是：将作为空穴传输主体的HT-07和作为电子传输主体的ET-04以65:35的重量比真空沉积在空穴传输层上，以形成厚度为

的第一层；并且

将作为电子传输主体的ET-06和作为空穴传输主体的HT-16以65:35的重量比真空沉积在发射层上，以形成厚度为

的第二层。

实施例4

以与比较例1基本相同的方式制造发光装置，只是：将作为空穴传输主体的HT-05和作为电子传输主体的ET-03以80:20的重量比真空沉积在空穴传输层上，以形成厚度为

的第一层；并且

将作为电子传输主体的ET-03和作为空穴传输主体的HT-05以80:20的重量比真空沉积在发射层上，以形成厚度为

的第二层。

实施例5

的第一层；并且

的第二层。

实施例6

的第一层；并且

的第二层；并且

以下述方式形成发射层：将作为第一主体的HT-05、作为第二主体的ET-03、作为第一掺杂剂的化合物1和作为第二掺杂剂的D-01沉积至

的厚度(其中第一主体与第二主体的重量比为7:3，并且基于100重量份的第一主体和第二主体的总和，第一掺杂剂和第二掺杂剂的掺杂比分别为10wt％和1.5wt％)。

实施例7

以与比较例1基本相同的方式制造发光装置，只是：仅将作为空穴传输主体的HT-03真空沉积在空穴传输层上，以形成厚度为

的第一层；

将作为电子传输主体的ET-08和作为空穴传输主体的HT-03以30:70的重量比真空沉积在发射层上，以形成厚度为

的第二层；并且

以下述方式形成发射层：将作为第一主体的化合物HT-03、作为第二主体的ET-08、作为第一掺杂剂的化合物1和作为第二掺杂剂的D-01沉积至

实施例8

以与比较例1基本相同的方式制造发光装置，只是：将作为空穴传输主体的HT-03和作为电子传输主体的ET-08以70:30的重量比真空沉积在空穴传输层上，以形成厚度为

的第一层；

仅将作为电子传输主体的ET-08真空沉积在发射层上，以形成厚度为

的第二层；并且

为了测量根据比较例1和实施例1至8制造的发光装置的特点，测量了10mA/cm²的电流密度下的驱动电压、效率和T₉₅寿命，并且其结果显示在表1中。在一些实施方式中，确认用于形成第一层和第二层的电子传输主体和空穴传输主体都具有大于2.8eV的T₁能级。

通过使用由Hamamatsu Photonics Inc.制造的测量装置C9920-2-12测量发光装置的效率。

表1

	驱动电压(V)	效率(cd/A/CIE_y)	T₉₅寿命(相对值)
				比较例1	4.0	400	50小时(100％)
实施例1	4.2	450	80小时(130％)
				实施例2	4.4	470	80小时(130％)
实施例3	4.1	440	85小时(135％)
				实施例4	4.2	420	80小时(130％)
实施例5	3.9	420	80小时(130％)
				实施例6	4.1	460	70小时(120％)
实施例7	4.3	430	65小时(115％)
				实施例8	4.2	440	75小时(125％)

参考表1，确认与比较例1的发光装置相比，实施例1至8的发光装置具有卓越的或适当的效率和长寿命。

就此而言，确定通过包括额外使用的电子传输主体和空穴传输主体的层泄漏电子和空穴以形成激子，获得了上述这种卓越的或适当的特点。通过降低发光区的界面处过密的激子的密度，抑制了发射层的劣化。

如上述，根据一个或多个实施方式，与现有技术中的装置(例如，比较例)相比，发光装置可表现出改善的效率和长寿命。

当描述本公开的实施方式时，“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。

如本文使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文使用的“约”或“近似”包括叙述值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)而确定的特定值的可接受偏差的范围内。例如，“约”可指在叙述的值的一个或多个标准偏差内，或在叙述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。

而且，本文阐述的任何数值范围旨在包括落入阐述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括阐述的1.0的最小值和阐述的10.0的最大值之间(并且包括1.0和10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。本文阐述的任何最大数值界限旨在包括落入其中的所有较低数值界限并且本公开中阐述的任何最小数值界限旨在包括落入其中的所有较高数值界限。相应地，申请人保留修改包括权利要求在内的本公开内容的权利，以明确地阐述包含在本文明确地阐述的范围内的任何子范围。

根据本文所述的本公开的实施方式的电子设备或任何其他相关装置或组件可利用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实施。例如，该设备的各种组件可形成在一个集成电路(IC)芯片或单独的IC芯片上。进一步，该设备的各种组件可在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)或印刷电路板(PCB)上实现，或形成在一个基板上。进一步，该设备的各种组件可为在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并与其他系统组件交互以执行本文中描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以在使用标准记忆装置的计算装置中实现，比如，例如随机存取存储器(RAM)。计算机程序指令也可以存储在其他非瞬态计算机可读介质中，比如，例如CD-ROM或闪存驱动器等。此外，本领域技术人员应认识到，在不脱离本公开的实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中，或者专用计算装置的功能可以分布在一个或多个其他计算装置上。

应理解，本文描述的实施方式应该仅以描述性意义考虑，而不是为了限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于一个或多个实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等同方式限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上在其中进行一个或多个适当的改变。

Claims

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；和

布置在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的夹层，其中：

所述夹层包括接触层，所述接触层包括：

电子传输主体；和

空穴传输主体，

所述接触层直接接触所述发射层，并且

所述发射层包括第一掺杂剂和第二掺杂剂。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层配置为发射蓝光。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输主体和所述空穴传输主体各自具有大于2.8eV的T₁能级。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中，在所述接触层中，所述电子传输主体的量大于所述空穴传输主体的量。

5.如权利要求4所述的发光装置，其中所述夹层进一步包括电子传输层，并且所述接触层和所述电子传输层彼此直接接触。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中，在所述接触层中，所述空穴传输主体的量大于所述电子传输主体的量。

7.如权利要求6所述的发光装置，其中所述夹层进一步包括空穴传输层，并且所述接触层和所述空穴传输层彼此直接接触。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中：

所述接触层包括第一层和第二层，

所述夹层进一步包括电子传输层和空穴传输层，

所述第一层包括电子传输主体和空穴传输主体，并且所述空穴传输主体的量大于所述电子传输主体的量，

所述第二层包括电子传输主体和空穴传输主体，并且所述电子传输主体的量大于所述空穴传输主体的量，

所述第一层直接接触所述空穴传输层，并且

所述第二层直接接触所述电子传输层。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一种为磷光掺杂剂，并且所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的另一种为荧光掺杂剂。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一种为磷光掺杂剂，并且所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的另一种为荧光掺杂剂，并且在所述磷光掺杂剂中，系间窜跃比光的发射更频繁地发生。

11.一种电子设备，包括如权利要求1-10中任一项所述的发光装置。