CN115124576A - 发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物 - Google Patents

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金咍振
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Abstract

本申请提供了发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层；和由式1表示的有机金属化合物：式1
Figure DDA0003548040520000011
其中，在式1中，变量在本文描述。

Description

发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年3月24日提交的韩国专利申请第10-2021-0038275号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用由此并入，如同在本文中充分陈述。
技术领域
本发明的实施方式大体上涉及显示装置，并且更具体而言，涉及包括有机金属化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物。
背景技术
一些发光装置，即自发射装置，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性。
在发光装置中，第一电极位于基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。
该背景技术章节中公开的上述信息仅用于本发明构思的背景的理解，因此，其可含有不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的原理和阐释性实现方式构造的发光装置和电子设备包括由本文所述的一个或多个式表示的有机金属化合物。通过包括根据本发明的原理和阐释性实现方式制造的有机金属化合物，发光装置可具有优异的驱动电压特性、优异的亮度和/或优异的发光效率，并且可使用发光装置制造高质量电子设备。
本发明构思的另外特征将在下面的描述中陈述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过本发明构思的实践而认识到。
根据本发明的一个方面，发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层；和由式1表示的有机金属化合物：
式1
Figure BDA0003548040500000021
其中，在式1中，变量在本文描述。
夹层可进一步包括第一电极和发射层之间的空穴传输区以及发射层和第二电极之间的电子传输区，空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
夹层可包括由式1表示的有机金属化合物。
发射层可包括由式1表示的有机金属化合物。
发射层可配置为发射蓝光。
发射层可包括主体并且主体的量可大于由式1表示的有机金属化合物的量。
电子设备可包括如上所述的发光装置。
电子设备可进一步包括薄膜晶体管，其中薄膜晶体管可包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可电连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。
电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。
由式1表示的有机金属化合物：
式1
Figure BDA0003548040500000031
其中，在式1中，变量在本文描述。
M1和M2彼此不同。
基团M1可为铱且基团M2可为铂。
X1至X4中的每一个可为C。
X1与M1之间，X3与M1之间，以及X10与M1之间的键可各自为配位键，并且X2与M1之间，X4与M1之间，以及X9与M1之间的键可各自为共价键。
基团X5可为N，并且X6和X7中的每一个可为C。
环CY1和环CY3可各自彼此独立地为：咪唑基或三唑基；或各自与以下稠合的咪唑基或三唑基：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或其任何组合，并且环CY8可为：吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基或噻二唑基；或各自与以下稠合的吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基或噻二唑基：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或其任何组合。
环CY2和环CY4至环CY7可各自彼此独立地为：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基；或各自与以下稠合的苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、环己烷基、环己烯基、金刚烷基、降冰片烷基或其任何组合。
基团T1可为C(Z1a)(Z1b)，且n可为选自2至10的整数。
由式1表示的有机金属化合物可满足如本文描述的条件1至条件8中的至少一个。
式1中
由
Figure BDA0003548040500000041
的表示基团可由如本文描述的式CY8(1)至式CY8(16)中的一个表示。
要理解，前面的一般描述和下面的详细描述是阐释性和解释性的，并且旨在提供对要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
包括所附附图以提供对本发明的进一步理解，并且所附附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，所附附图阐释了本发明的阐释性实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思。
图1为根据本发明的原理构造的发光装置的实施方式的示意性横截面图。
图2为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的实施方式的示意性横截面图。
图3为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的另一实施方式的示意性横截面图。
具体实施方式
在下述描述中，为了解释的目的，陈述了许多具体细节，以便提供对本发明的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文使用的“实施方式”和“实现方式”是采用本文公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而，显而易见的是，各种实施方式可以在没有这些具体细节的情况下或者具有一个或多个等效布置的情况下实践。在其他情况下，熟知的结构和装置以框图形式示出，以便避免不必要地混淆各种实施方式。此外，各种实施方式可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不背离本发明构思的情况下，实施方式的具体形状、配置和特性可以在另一个实施方式中使用或实现。
除非另外指出，否则所阐释的实施方式应被理解为提供了本发明构思可在实践中实现的一些方式的不同细节的阐释性特征。因此，除非另外指出，否则在不背离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(下文单独或共同称为“元件”)可以以其他方式组合、分开、互换、和/或重排。
在所附附图中提供交叉影线和/或阴影的使用通常是为了阐明相邻元件之间的边界。这样，除非指出，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所阐释元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在所附附图中，为了清楚起见和/或描述性目的，元件的尺寸和相对尺寸可被放大。当实施方式可以不同地实现时，具体的工艺顺序可与描述的顺序不同地进行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时进行或以与叙述的顺序相反的顺序进行。而且，相同的附图标记表示相同的元件，并且省略重复的解释以避免冗余。
当元件或层被称为“在”另一个元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一个元件或层时，它可以直接在另一个元件或层上、直接连接到或直接耦接到另一个元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一个元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴，比如x轴、y轴和z轴，并且可以在更广泛的意义上来解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或多个的任何组合，比如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。
空间相对术语，比如“之下”、“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上”、“上方”、“较高”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等可在本文用于描述性目的，从而描述附图中所阐释的一个元件与另一个(些)元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的定向之外的使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，被描述为在其他元件或特征“下面”或“之下”的元件则随之被定向在其他元件或特征“上面”。因此，术语“下面”可以涵盖上面和下面的两种定向。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，这样，相应地解释本文使用的空间相对描述符。
本文使用的术语是为了描述特定实施方式的目的，而不是旨在限制。如本文使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。而且，术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含(including)”在本说明书中使用时，指定所叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。还要注意，如本文使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似术语用作近似的术语，而不用作程度的术语，并且这样，用来说明本领域普通技术人员会认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
参考作为理想化的实施方式和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示，本文描述了各种实施方式。这样，应预期由例如制造技术和/或公差造成的图示的形状的变化。因此，本文公开的实施方式不一定被解释为限于特定所示的区的形状，而是解释为包括例如由制造导致的形状偏差。以这种方式，附图中所示的区本质上可以是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，这样，不一定旨在是限制性的。
除非另外限定，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。术语，比如常用词典中定义的那些术语，应被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文明确如此定义。
根据本发明的一个方面，发光装置(例如，有机发光装置)的实施方式包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；位于第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层；和由式1表示的有机金属化合物。
首先，将描述有机金属化合物。有机金属化合物可由式1表示：
式1
Figure BDA0003548040500000061
式1中的基团M1和M2可各自独立地为过渡金属。例如，M1和M2可各自独立地为周期表的第4周期过渡金属、第5周期过渡金属或第6周期过渡金属。
在一个实施方式中，M1和M2可各自独立地为铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铥(Tm)或铑(Rh)。在实施方式中，M1和M2可各自独立地为Ir、Pt、Os或Rh。在实施方式中，M1和M2可彼此不同。在实施方式中，M1可为铱，且M2可为铂。
式1中的基团X1至X10可各自独立地为N或C。在实施方式中，X1至X4可各自为C。在一个或多个实施方式中，X9可为C且X10可为N。在一个或多个实施方式中，X9可为N且X10可为C。在一个或多个实施方式中，X1与M1之间的键，X3与M1之间的键，以及X10与M1之间的键可各自为配位键。在一个或多个实施方式中，X1和X3可各自为C，且X1与M1之间的键以及X3与M1之间的键可各自为配位键。即，X1和X3中的每一个可为碳烯部分的碳。在一个或多个实施方式中，X2与M1之间的键，X4与M1之间的键，以及X9与M1之间的键可各自为共价键。在一个或多个实施方式中，X5可为N，并且X6和X7中的每一个可为C。在一个或多个实施方式中，X5与M2之间的键以及X8与M2之间的键可各自为配位键。在一个或多个实施方式中，X6与M2之间的键以及X7与M2之间的键可各自为共价键。在一个或多个实施方式中，X8可为C，并且X8与M2之间的键可为配位键。即，X8可为碳烯部分的碳。
由式1表示的有机金属化合物可为电中性的。式1中的环CY1至环CY8可各自独立地为C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。在实施方式中，环CY1和环CY3可各自独立地为：咪唑基或三唑基；或各自与以下稠合的咪唑基或三唑基：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或其任何组合。
在一个或多个实施方式中，环CY8可为：吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基或噻二唑基；或各自与以下稠合的吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基或噻二唑基：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或其任何组合。
在一个或多个实施方式中，环CY2和环CY4至环CY7可各自独立地为：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基；或各自与以下稠合的苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、环己烷基、环己烯基、金刚烷基、降冰片烷基或其任何组合。
在一个或多个实施方式中，环CY1和环CY3可彼此相同。在一个或多个实施方式中，环CY2和环CY4可彼此相同。在实施方式中，环CY2和环CY3可不彼此连接。
式1中的基团T1可为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、O、S、N(Z1a)、B(Z1a)、P(Z1a)、C(Z1a)(Z1b)、C(Z1a)＝C(Z1b)或Si(Z1a)(Z1b)，且n为选自1至20的整数，其中当n为2或更大时，两个或更多个T1可彼此相同或不同。即，式1中的环CY1和环CY3通过(T1)n彼此连接。Z1a和Z1b可通过参考下面的相关描述来理解。
在实施方式中，T1可为C(Z1a)(Z1b)，且n为选自2至10的整数(例如，2、3、4或5)。例如，化合物BD01对应于由式1表示的有机金属化合物，其中T1为CH2且n为4。在式1中，T2可为单键、O、S、N(Z2a)、B(Z2a)、P(Z2a)、C(Z2a)(Z2b)或Si(Z2a)(Z2b)，T3可为单键、O、S、N(Z3a)、B(Z3a)、P(Z3a)、C(Z3a)(Z3b)或Si(Z3a)(Z3b)，且T4可为单键、O、S、N(Z4a)、B(Z4a)、P(Z4a)、C(Z4a)(Z4b)或Si(Z4a)(Z4b)。Z2a、Z2b、Z3a、Z3b、Z4a和Z4b可通过参考下面的相关描述来理解。在实施方式中，T2可为O、S、N(Z2a)、B(Z2a)、P(Z2a)、C(Z2a)(Z2b)或Si(Z2a)(Z2b)，且T3和T4中的每一个可为单键。
基团R1至R8、Z1a、Z1b、Z2a、Z2b、Z3a、Z3b、Z4a和Z4b可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基、未取代的或被至少一个R10a取代的C7-C60芳基烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，Q1至Q3可通过参考下面的相关描述来理解。
例如，R1至R8、Z1a、Z1b、Z2a、Z2b、Z3a、Z3b、Z4a和Z4b可各自独立地为：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；各自被以下取代的C1-C20烷基或C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或其任何组合；各自未被取代或被以下取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、吡咯烷酮基、苯基、联苯基、三联苯基、C1-C20烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并噻咯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、吡咯烷酮基、苯基、联苯基、三联苯基、C1-C20烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或其任何组合；或-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)。基团Q1至Q3和Q31至Q33可各自独立地为：-CH3、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CH2CH3、-CH2CD3、-CH2CD2H、-CH2CDH2、-CHDCH3、-CHDCD2H、-CHDCDH2、-CHDCD3、-CD2CD3、-CD2CD2H或-CD2CDH2；或者各自未被取代或被以下取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基：氘、C1-C20烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合。
在实施方式中，R1至R8、Z1a、Z1b、Z2a、Z2b、Z3a、Z3b、Z4a和Z4b可各自独立地为：氢、氘、-F、氰基、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；各自被以下取代的C1-C20烷基或C1-C20烷氧基：氘、-F、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、氰基或其任何组合；各自未被取代或被以下取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、吡咯烷酮基、苯基、联苯基、三联苯基、C1-C20烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、噻吩基、呋喃基、茚基、异吲哚基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基或苯并噻咯并咔唑基：氘、-F、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、氰基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、吡咯烷酮基、苯基、联苯基、三联苯基、C1-C20烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、噻吩基、呋喃基、茚基、异吲哚基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)或其任何组合；或-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)或-B(Q1)(Q2)。
式1中的变量a1至a8分别指示R1至R8的数量，并且可各自独立地为选自0至20的整数(例如，0、1、2或3)。当a1为2或更大时，两个或更多个R1可彼此相同或不同，当a2为2或更大时，两个或更多个R2可彼此相同或不同，当a3为2或更大时，两个或更多个R3可彼此相同或不同，当a4为2或更大时，两个或更多个R4可彼此相同或不同，当a5为2或更大时，两个或更多个R5可彼此相同或不同，当a6为2或更大时，两个或更多个R6可彼此相同或不同，当a7为2或更大时，两个或更多个R7可彼此相同或不同，且当a8为2或更大时，两个或更多个R8可彼此相同或不同。
在式1中，数量为a1的R1中的两个或更多个，数量为a2的R2中的两个或更多个，数量为a3的R3中的两个或更多个，数量为a4的R4中的两个或更多个，数量为a5的R5中的两个或更多个，数量为a6的R6中的两个或更多个，数量为a7的R7中的两个或更多个，数量为a8的R8中的两个或更多个，Z1a和Z1b，Z2a和Z2b，Z3a和Z3b，Z4a和Z4b，或其任何组合可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基。
在实施方式中，由式1表示的有机金属化合物可满足条件1至条件8中的至少一个：
条件1
式1中由
Figure BDA0003548040500000111
表示的基团由式CY1-1至式CY1-9中的一个表示：
Figure BDA0003548040500000112
其中，在式CY1-1至式CY1-9中，
X1与如上所述的相同，
*指示与式1中的M1的结合位点，
*'指示与式1中的(T1)n的结合位点，并且
*"指示与式1中的环CY2的结合位点。
条件2
式1中由
Figure BDA0003548040500000113
表示的基团由式CY2-1至式CY2-17中的一个表示：
Figure BDA0003548040500000121
其中，在式CY2-1至式CY2-17中，
X2与本文描述的相同，
*指示与式1中的M1的结合位点，并且
*"指示与式1中的环CY1的结合位点。
条件3
式1中由
Figure BDA0003548040500000122
表示的基团式1由式CY3-1至式CY3-9中的一个表示：
Figure BDA0003548040500000123
其中，在式CY3-1至式CY3-9中，
X3与本文描述的相同，
*指示与式1中的M1的结合位点，
*'指示与式1中的(T1)n的结合位点，并且
*"指示与式1中的环CY4的结合位点。
条件4
式1中由
Figure BDA0003548040500000131
表示的基团由式CY4-1至式CY4-17中的一个表示：
Figure BDA0003548040500000132
其中，在式CY4-1至式CY4-17中，
X4与本文描述的相同，
*指示与式1中的M1的结合位点，并且
*"指示与式1中的环CY3的结合位点。
条件5
式1中由
Figure BDA0003548040500000133
表示的基团由式CY5-1至式CY5-10中的一个表示：
Figure BDA0003548040500000141
其中，在式CY5-1至式CY5-10中，
X5和X9与本文描述的相同，
*指示与式1中的M2的结合位点，
*'指示与式1中的M1的结合位点，并且
Figure BDA0003548040500000142
指示与式1中的T3的结合位点。
条件6
式1中由
Figure BDA0003548040500000143
表示的基团由式CY6-1至式CY6-6中的一个表示：
Figure BDA0003548040500000144
其中，在式CY6-1至式CY6-6中，
X6和X10与本文描述的相同，
*指示与式1中的M2的结合位点，
*'指示与式1中的M1的结合位点，
*"指示与式1中的T2的结合位点，并且
Figure BDA0003548040500000145
指示与式1中的T3的结合位点。
条件7
式1中由
Figure BDA0003548040500000151
表示的基团由式CY7-1至式CY7-10中的一个表示：
Figure BDA0003548040500000152
其中，在式CY7-1至式CY7-10中，
X7与本文描述的相同，
*指示与式1中的M2的结合位点，
*'指示与式1中的T4的结合位点，并且
*"指示与式1中的T2的结合位点。
条件8
式1中由
Figure BDA0003548040500000153
表示的基团由式CY8-1至式CY8-62中的一个表示：
Figure BDA0003548040500000161
Figure BDA0003548040500000171
其中，在式CY8-1至式CY8-62中，
X8与本文描述的相同，
Z81可为O、S、N(R8a)、C(R8a)(R8b)或Si(R8a)(R8b)，
R8a和R8b与参照R8描述的相同，
*指示与式1中的M2的结合位点，并且
*'指示与式1中的T4的结合位点。
在一个或多个实施方式中，式1中由
Figure BDA0003548040500000172
表示的基团可由式CY8(1)至式CY8(16)中的一个表示：
Figure BDA0003548040500000181
其中，在式CY8(1)至式CY8(16)中，
X8与本文描述的相同，
R81至R85与参照R8描述的相同，且R81至R85中的每一个不为氢，
*指示与式1中的M2的结合位点，并且
*'指示与式1中的T4的结合位点。
根据实施方式，由式1表示的有机金属化合物可由式1-1或式1-2表示：
式1-1
Figure BDA0003548040500000182
式1-2
Figure BDA0003548040500000191
其中，在式1-1和式1-2中，
M1、M2、T1、n、T2、T3和T4与本文描述的相同，
X11可为C(R11)或N，X12可为C(R12)或N，
R11和R12与参照R1描述的相同，并且R11和R12可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
X21为C(R21)或N，X22为C(R22)或N，X23为C(R23)或N，且X24为C(R24)或N，
R21至R24与参照R2描述的相同，且R21至R24中的两个或更多个可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
X31可为C(R31)或N且X32可为C(R32)或N，
R31和R32与参照R3描述的相同，并且R31和R32可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
X41可为C(R41)或N，X42可为C(R42)或N，X43可为C(R43)或N，且X44可为C(R44)或N，
R41至R44与参照R4描述的相同，且R41至R44中的两个或更多个可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
X51可为C(R51)或N，X52可为C(R52)或N，且X53可为C(R53)或N，
R51至R53与参照R5描述的相同，且R51至R53中的两个或更多个可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
X61可为C(R61)或N和X62可为C(R62)或N，
R61和R62与参照R6描述的相同，且R61和R62可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
X71可为C(R71)或N，X72可为C(R72)或N，且X73可为C(R73)或N，
R71至R73与参照R7描述的相同，并且R71至R73中的两个或更多个可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
X81可为C(R81)或N，X82可为C(R82)或N，且X83可为C(R83)或N，并且
R81至R83与参照R8描述的相同，并且R81至R83中的两个或更多个可任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
X1至X10和R10a各自与本文描述的相同。
在实施方式中，由式1表示的有机金属化合物可为化合物BD01至BD104中的一种：
Figure BDA0003548040500000201
Figure BDA0003548040500000211
Figure BDA0003548040500000221
Figure BDA0003548040500000231
Figure BDA0003548040500000241
由式1表示的有机金属化合物具有如式1中所示的两种过渡金属M1和M2，以及具有与如式1中所示的相同骨架的配体，其中环CY1和环CY3通过(T1)n彼此键合。尽管不希望受理论束缚，但是在由式1表示的有机金属化合物中，含有与M1键合的配体的虚拟平面和含有与M2键合的配体的虚拟平面之间的角可相对增加，从而可基本上抑制基态分子的形成。另外，两个二齿配体(指包括环CY1和环CY2的配体，以及包括环CY3和环CY4的配体)与M1键合，并且一个四齿配体(指包括环CY5至环CY8的配体)与M2键合，并且包括环CY5和环CY6的部分与M1和M2中的每一个键合。因此，由式1表示的有机金属化合物具有刚性分子结构。
因此，包括由式1表示的有机金属化合物的电子设备(例如，发光装置)的亮度和发光效率可得到改善。
通过参考下面提供的合成例和/或实施例，本领域普通技术人员可认识到由式1表示的有机金属化合物的合成方法。
在一些实施方式中，发光装置的第一电极为阳极，发光装置的第二电极为阴极，夹层进一步包括第一电极和发射层之间的空穴传输区以及发射层和第二电极之间的电子传输区，空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
在实施方式中，由式1表示的有机金属化合物可包括在发光装置的第一电极和第二电极之间。因此，由式1表示的有机金属化合物可包括在发光装置的夹层中，例如，在夹层的发射层中。发射层可发射红光、绿光、蓝光和/或白光。例如，发射层可发射蓝光。蓝光可具有例如，约400nm至约490nm的最大发射波长。在实施方式中，发射层可进一步包括主体，并且主体的量可大于由式1表示的有机金属化合物的量。
在实施方式中，发光装置可包括位于第一电极外部或第二电极外部的封盖层。例如，由式1表示的有机金属化合物可包括在封盖层中。在实施方式中，发光装置可进一步包括第一电极外部的第一封盖层和第二电极外部的第二封盖层中的至少一个，并且由式1表示的有机金属化合物可包括在第一封盖层和第二封盖层中的至少一个中。第一封盖层和/或第二封盖层的更多细节与本文描述的相同。
在一个或多个实施方式中，发光装置可进一步包括：位于第一电极外部且包括由式1表示的有机金属化合物的第一封盖层；位于第二电极外部且包括由式1表示的有机金属化合物的第二封盖层；或第一封盖层和第二封盖层。
如本文使用的措辞“(夹层和/或封盖层)包括由式1表示的有机金属化合物”可被理解为“(夹层和/或封盖层)可包括一个种类的由式1表示的有机金属化合物或两个或更多个不同种类的各自由式1表示的有机金属化合物”。
例如，夹层和/或封盖层可包括化合物BD01作为有机金属化合物。就此而言，化合物BD01可存在于发光装置中的发射层中。在实施方式中，夹层可包括化合物BD01和化合物BD02作为有机金属化合物。就此而言，化合物BD01和化合物BD02可存在于同一层中(例如，化合物BD01和化合物BD02可均存在于发射层中)，或存在于不同层中(例如，化合物BD01可存在于发射层中且化合物BD02可存在于电子传输区中)。
根据本发明的另一方面，电子设备包括发光装置的实施方式。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。在一个或多个实施方式中，电子设备可进一步包括包含源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且发光装置的第一电极可电连接到源电极或漏电极。在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。关于电子设备的更多细节与本文描述的相同。
一个或多个实施方式包括由式1表示的有机金属化合物，其中式1的详细描述与本文描述的相同。
图1的描述
图1为根据本发明的原理构造的发光装置的实施方式的示意性横截面图。特别地，图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
下文，将参照图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的阐释性方法。
第一电极110
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为基板，可使用玻璃基板或塑料基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有优异的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。
第一电极110可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴注入的高功函材料。
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或任何其组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或任何其组合可用作用于形成第一电极110的材料。
第一电极110可具有由单层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
夹层130
夹层130可位于第一电极110上。夹层130可包括发射层。夹层130可进一步包括位于第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及位于发射层和第二电极150之间的电子传输区。
除了各种有机材料之外，夹层130可进一步包括，含金属化合物(比如有机金属化合物)和无机材料(比如量子点)等。在一个或多个实施方式中，夹层130可包括i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发光单元，和ii)位于两个或更多个发光单元之间的电荷生成层。当夹层130包括如上所述的发光单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。
夹层130中的空穴传输区
空穴传输区可具有：i)由单层组成的单层结构，该单层由单种材料组成，ii)由单层组成的单层结构，该单层由多种不同材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同材料。空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。
例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构，空穴注入层/发射辅助层结构，空穴传输层/发射辅助层结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每个结构中，各层从第一电极110依次堆叠。
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：
式201
Figure BDA0003548040500000271
式202
Figure BDA0003548040500000272
其中，在式201和式202中，
L201至L204各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
L205为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20亚烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C20亚烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
xa1至xa4各自独立地为选自0至5的整数，
xa5为选自1至10的整数，
R201至R204和Q201各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
R201和R202可任选地经由单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C5亚烷基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C5亚烯基彼此键合，以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C8-C60多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物HT16)，
R203和R204可任选地经由单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C5亚烷基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C5亚烯基彼此键合，以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C8-C60多环基团，并且
na1可为选自1至4的整数。
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个。
Figure BDA0003548040500000281
式CY201至式CY217中的基团R10b和R10c与参照R10a描述的相同，环CY201至环CY204可各自独立地为C3-C20碳环基或C1-C20杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可未被取代或被R10a取代。在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY201至环CY204可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。在一个或多个实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。在一个或多个实施方式中，式201中的xa1为1，R201为由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，且R202可为由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团。
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY217中的一个表示的基团。
在实施方式中，空穴传输区可包括化合物HT1至HT46中的一种，4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)，1-N,1-N-双[4-(二苯基氨基)苯基]-4-N,4-N-二苯基苯-1,4-二胺(TDATA)，4,4',4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-TNATA)，N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(NPB或NPD)，N4,N4'-二(萘-2-基)-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(β-NPB)，N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基联苯胺(TPD)，N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-9,9-螺二芴-2,7-二胺(螺-TPD)，N2,N7-二-1-萘基-N2,N7-二苯基-9,9'-螺二[9H-芴]-2,7-二胺(螺-NPB)，N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-2,2'-二甲基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(甲基化的NPB)，4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)，N,N,N',N'-四(3-甲基苯基)-3,3'-二甲基联苯胺(HMTPD)，4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)，聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)，聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)，聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)，聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)，9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi)，或其任何组合：
Figure BDA0003548040500000291
Figure BDA0003548040500000301
Figure BDA0003548040500000311
Figure BDA0003548040500000321
Figure BDA0003548040500000331
空穴传输区的厚度可在约
Figure BDA0003548040500000332
至约
Figure BDA0003548040500000333
例如，约
Figure BDA0003548040500000334
至约
Figure BDA0003548040500000335
的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约
Figure BDA0003548040500000336
至约
Figure BDA0003548040500000337
例如，约
Figure BDA0003548040500000338
至约
Figure BDA0003548040500000339
的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约
Figure BDA00035480405000003310
至约
Figure BDA00035480405000003311
例如，约
Figure BDA00035480405000003312
至约
Figure BDA00035480405000003313
的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在没有明显增加驱动电压的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
发射辅助层可通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡电子从发射层泄漏到空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。
p-掺杂剂
除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电性质的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单层的形式)。
电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。
在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可为约-3.5eV或更小。
在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物，含氰基化合物，包括元素EL1和元素EL2的化合物，或其任何组合。
醌衍生物的实例为四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)等。含氰基化合物的实例为1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯基-六腈(HAT-CN)和由下式221表示的化合物。
Figure BDA0003548040500000341
在式221中，R221至R223可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，并且R221至R223中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任何组合取代的C1-C20烷基；或其任何组合。在包括元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任何组合，且元素EL2可为非金属、准金属或其任何组合。
金属的实例为碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。
准金属的实例为硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。非金属的实例为氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。在一个或多个实施方式中，包括元素EL1和元素EL2的化合物的实例为金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。
金属氧化物的实例为钨氧化物(例如，WO、W2O3、WO2、WO3、W2O5等)、钒氧化物(例如，VO、V2O3、VO2、V2O5等)、钼氧化物(MoO、Mo2O3、MoO2、MoO3、Mo2O5等)和铼氧化物(例如，ReO3等)。金属卤化物的实例为碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
碱金属卤化物的实例为LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。碱土金属卤化物的实例为BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2和BaI2。
过渡金属卤化物的实例为钛卤化物(例如，TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4等)、锆卤化物(例如，ZrF4、ZrCl4、ZrBr4、ZrI4等)、铪卤化物(例如，HfF4、HfCl4、HfBr4、HfI4等)、钒卤化物(例如，VF3、VCl3、VBr3、VI3等)、铌卤化物(例如，NbF3、NbCl3、NbBr3、NbI3等)、钽卤化物(例如，TaF3、TaCl3、TaBr3、TaI3等)、铬卤化物(例如，CrF3、CrCl3、CrBr3、CrI3等)、钼卤化物(例如，MoF3、MoCl3、MoBr3、MoI3等)、钨卤化物(例如，WF3、WCl3、WBr3、WI3等)、锰卤化物(例如，MnF2、MnCl2、MnBr2、MnI2等)、锝卤化物(例如，TcF2、TcCl2、TcBr2、TcI2等)、铼卤化物(例如，ReF2、ReCl2、ReBr2、ReI2等)、亚铁卤化物(例如，FeF2、FeCl2、FeBr2、FeI2等)、钌卤化物(例如，RuF2、RuCl2、RuBr2、RuI2等)、锇卤化物(例如，OsF2、OsCl2、OsBr2、OsI2等)、钴卤化物(例如，CoF2、CoCl2、CoBr2、CoI2等)、铑卤化物(例如，RhF2、RhCl2、RhBr2、RhI2等)、铱卤化物(例如，IrF2、IrCl2、IrBr2、IrI2等)、镍卤化物(例如，NiF2、NiCl2、NiBr2、NiI2等)、钯卤化物(例如，PdF2、PdCl2、PdBr2、PdI2等)、铂卤化物(例如，PtF2、PtCl2、PtBr2、PtI2等)、亚铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。
后过渡金属卤化物的实例为锌卤化物(例如，ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2等)、铟卤化物(例如，InI3等)和锡卤化物(例如，SnI2等)。镧系金属卤化物的实例为YbF、YbF2、YbF3、SmF3、YbCl、YbCl2、YbCl3、SmCl3、YbBr、YbBr2、YbBr3、SmBr3、YbI、YbI2、YbI3和SmI3。准金属卤化物的实例为锑卤化物(例如，SbCl5等)。
金属碲化物的实例为碱金属碲化物(例如，Li2Te、Na2Te、K2Te、Rb2Te、Cs2Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe2、ZrTe2、HfTe2、V2Te3、Nb2Te3、Ta2Te3、Cr2Te3、Mo2Te3、W2Te3、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu2Te、CuTe、Ag2Te、AgTe、Au2Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。
夹层130中的发射层
当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。例如，发射层可发射蓝光。
在实施方式中，发射层可包括如本文描述的由式1表示的有机金属化合物。发射层可包括主体和掺杂剂。在实施方式中，掺杂剂可包括如本文描述的由式1表示的有机金属化合物。就此而言，除了由式1表示的有机金属化合物之外，掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其组合。除了由式1表示的有机金属化合物之外，磷光掺杂剂、荧光掺杂剂等可进一步包括在发射层中，并且下面将描述磷光掺杂剂和荧光掺杂剂。
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。在一个或多个实施方式中，发射层可包括量子点。发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。
发射层的厚度可在约
Figure BDA0003548040500000361
至约
Figure BDA0003548040500000362
例如，约
Figure BDA0003548040500000363
至约
Figure BDA0003548040500000364
的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可在没有明显增加驱动电压的情况下获得优异的发光特性。
主体
主体可包括，例如，含咔唑化合物、含蒽化合物或其组合。在实施方式中，主体可包括由式301表示的化合物：
式301
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21，
其中，在式301中，
Ar301和L301可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
xb11可为1、2或3，
xb1可为选自0至5的整数，
R301可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)或-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可为选自1至5的整数，并且
Q301至Q303与参照Q1描述的相同。
例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar301可经由单键彼此连接。在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：
式301-1
Figure BDA0003548040500000371
式301-2
Figure BDA0003548040500000372
其中，在式301-1和式301-2中，
环A301至环A304可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
X301可为O、S、N-[(L304)xb4-R304]、C(R304)(R305)或Si(R304)(R305)，
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
L301、xb1和R301与本文描述的相同，
L302至L304可各自独立地与参照L301描述的相同，
xb2至xb4可各自独立地与参照xb1描述的相同，并且
R302至R305和R311至R314与参照R301描述的相同。
在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其任何组合。在一个或多个实施方式中，主体可包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其任何组合。
在一个或多个实施方式中，主体可包括化合物H1至H124中的一种，9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)，2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)，9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)，4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)，1,3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)，1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)，3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯(mCBP)，或其任何组合：
Figure BDA0003548040500000381
Figure BDA0003548040500000391
Figure BDA0003548040500000401
Figure BDA0003548040500000411
Figure BDA0003548040500000421
Figure BDA0003548040500000431
Figure BDA0003548040500000441
磷光掺杂剂
在一个或多个实施方式中，磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。磷光掺杂剂可为电中性的。
例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
式401
M(L401)xc1(L402)xc2，
其中，在式401中，
M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，
L401可为由式402表示的配体，且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个L401可彼此相同或不同，
式402
Figure BDA0003548040500000451
L402可为有机配体，且xc2可为0、1、2、3或4，且当xc2为2或更大时，两个或更多个L402可彼此相同或不同，
在式402中，
X401和X402可各自独立地为氮或碳，
环A401和环A402可各自独立地为C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
T401可为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或*＝C＝*'，
X403和X404可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q413)、B(Q413)、P(Q413)、C(Q413)(Q414)或Si(Q413)(Q414)，
Q411至Q414与参照Q1描述的相同，
R401和R402可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)或-P(＝O)(Q401)(Q402)，
Q401至Q403与参照Q1描述的相同，
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
式402中的*和*'各自指示与式401中的M的结合位点。
例如，在式402中，i)X401为氮，且X402为碳，或ii)X401和X402中的每一个为氮。在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L401中的两个环A401可任选地经由T402(其为连接基团)彼此连接，并且两个环A402任选地经由T403(其为连接基团)彼此连接(见化合物PD1至PD4和PD7)。基团T402和T403与参照T401描述的相同。
式401中的L402可为有机配体。例如，L402可包括卤素基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸基)、-C(＝O)基、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任何组合。
磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至PD39中的一种或其任何组合：
Figure BDA0003548040500000461
Figure BDA0003548040500000471
Figure BDA0003548040500000481
荧光掺杂剂
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
式501
Figure BDA0003548040500000482
其中，在式501中，
Ar501、L501至L503、R501和R502可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
xd4可为1、2、3、4、5或6。
在一个或多个实施方式中，式501中的Ar501可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物FD1至FD36中的一种；DPVBi；DPAVBi；或其任何组合：
Figure BDA0003548040500000491
Figure BDA0003548040500000501
Figure BDA0003548040500000511
延迟荧光材料
发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。包括在发射层中的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层中的其他材料的类型。
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(以电子伏特(eV)计)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可大于或等于约0eV且小于或等于约0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，延迟荧光材料的三重态到单重态的上转换可有效发生，因此，可改善发光装置10的发射效率。
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料可包括i)包括至少一个电子供体(例如，富π电子的C3-C60环状基团，比如咔唑基)和至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮C1-C60环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团稠合同时共用硼(B)的C8-C60多环基团的材料。
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料可包括下述化合物DF1至DF9中的至少一种：
Figure BDA0003548040500000521
夹层130中的电子传输区
电子传输区可具有：i)由单层组成的单层结构，该单层由单种材料组成，ii)由单层组成的单层结构，该单层由多种不同材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同材料。电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，电子控制层/电子传输层/电子注入层结构，或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每个结构，构成层从发射层依次堆叠。
在实施方式中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括包含至少一个缺π电子的含氮C1-C60环状基团的无金属化合物。
在实施方式中，电子传输区可包括由下式601表示的化合物：
式601
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21，
其中，在式601中，
Ar601和L601可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
xe11可为1、2或3，
xe1可为0、1、2、3、4或5，
R601可为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603与参照Q1描述的相同，
xe21可为1、2、3、4或5，并且
Ar601、L601和R601中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的缺π电子的含氮C1-C60环状基团。
例如，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar601可经由单键彼此连接。在一个或多个实施方式中，式601中的Ar601可为取代的或未取代的蒽基。
在实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
式601-1
Figure BDA0003548040500000531
其中，在式601-1中，
X614可为N或C(R614)，X615可为N或C(R615)，X616可为N或C(R616)，X614至X616中的至少一个可为N，
L611至L613与参照L601描述的相同，
xe611至xe613与参照xe1描述的相同，
R611至R613与参照R601描述的相同，并且
R614至R616可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基。
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
电子传输区可包括化合物ET1至ET45中的一种，2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)，双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)，3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)，4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)，二苯基[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]氧化膦(TSPO1)，1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)，或其任何组合：
Figure BDA0003548040500000541
Figure BDA0003548040500000551
Figure BDA0003548040500000561
电子传输区的厚度可为约
Figure BDA0003548040500000562
至约
Figure BDA0003548040500000563
例如，约
Figure BDA0003548040500000564
至约
Figure BDA0003548040500000565
当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地为约
Figure BDA0003548040500000566
至约
Figure BDA0003548040500000567
例如，约
Figure BDA0003548040500000568
至约
Figure BDA0003548040500000569
并且电子传输层的厚度可为约
Figure BDA00035480405000005610
至约
Figure BDA00035480405000005611
例如，约
Figure BDA00035480405000005612
Figure BDA00035480405000005613
至约
Figure BDA00035480405000005614
当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在没有明显增加驱动电压的情况下获得令人满意的电子传输特性。
除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
含金属材料可包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碱金属络合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
例如，含金属材料可包括Li络合物。Li络合物可包括，例如，化合物ET-D1(8-羟基喹啉锂，Liq)或ET-D2：
Figure BDA0003548040500000571
电子传输区可包括利于电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。电子注入层可具有：i)由单层组成的单层结构，该单层由单种材料组成，ii)由单层组成的单层结构，该单层由多种不同材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同材料。
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或其任何组合。
含碱金属化合物可包括碱金属氧化物比如Li2O、Cs2O或K2O，碱金属卤化物比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI，或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(x为满足0<x<1的条件的实数)或BaxCa1-xO(x为满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3、YbI3、ScI3、TbI3或其任何组合。在一个或多个实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例为LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La2Te3、Ce2Te3、Pr2Te3、Nd2Te3、Pm2Te3、Sm2Te3、Eu2Te3、Gd2Te3、Tb2Te3、Dy2Te3、Ho2Te3、Er2Te3、Tm2Te3、Yb2Te3和Lu2Te3。
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合作为与金属离子键合的配体。
电子注入层可由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合组成。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
在一个或多个实施方式中，电子注入层可由以下组成：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可为KI:Yb共沉积层或RbI:Yb共沉积层等。
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合可均匀或非均匀地分散于包括有机材料的基质中。
电子注入层的厚度可在约
Figure BDA0003548040500000581
至约
Figure BDA0003548040500000582
例如，约
Figure BDA0003548040500000583
至约
Figure BDA0003548040500000584
的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可在没有明显增加驱动电压的情况下具有令人满意的电子注入特性。
第二电极150
第二电极150可位于具有此类结构的夹层130上。第二电极150可为阴极(其为电子注入电极)，并且作为用于第二电极150的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、电导性化合物或其任何组合。
在一个或多个实施方式中，第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。第二电极150可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
封盖层
第一封盖层可位于第一电极110外部，和/或第二封盖层可位于第二电极150外部。详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以此叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以此叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以此叙述的顺序依次堆叠的结构。
发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层朝向外部提取，或发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层朝向外部提取。
尽管不希望受理论束缚，但是第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理增加外部发射效率。因此，发光装置10的光提取效率增加，从而发光装置10的发光效率可得到改善。第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括具有约1.6或更大的折射率(在589nm处)的材料。
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物HT28至HT33中的一种，化合物CP1至CP6中的一种，N4,N4'-二(萘-2-基)-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(β-NPB)，或其任何组合：
Figure BDA0003548040500000591
Figure BDA0003548040500000601
电子设备
发光装置10可包括在各种电子设备中。在一个或多个实施方式中，包括发光装置10的电子设备可为发光设备或认证设备等。
除了发光装置10之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置10发射的光的至少一个行进方向上。在一个或多个实施方式中，从发光装置10发射的光可为蓝光或白光。发光装置10可与如上所述的相同。在一个或多个实施方式中，颜色转换层可包括量子点。
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
像素限定层可位于多个子像素区域之间以限定多个子像素区域中的每一个。滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。
滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域，和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在一个或多个实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在一个或多个实施方式中，滤色器区域(或颜色转换区域)可包括量子点。详细地，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。
在一个或多个实施方式中，发光装置10可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三第一颜色光。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可具有不同的最大发射波长。详细地，第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光。
除了如上所述的发光装置10之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可电连接到发光装置10的第一电极和第二电极中的任一个。
薄膜晶体管可进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。
电子设备可进一步包括用于密封发光装置10的密封部分。密封部分可位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置10之间。密封部分允许来自发光装置10的光被提取到外部，同时防止环境空气和水分渗透到发光装置10。密封部分可为包括透明玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。
根据电子设备的使用，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可另外位于密封部分上。功能层可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。除了发光装置10之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
电子设备可采用下述形式或应用于下述：各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事薄、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖仪、脉冲测量装置、脉冲波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量工具、仪表(例如，用于车辆、飞机和船只的仪表)和投影仪等。
图2和图3的描述
图2为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的实施方式的示意性横截面图。
图2的发光设备180包括基板100、薄膜晶体管(TFT)200、发光装置10(见图1)和密封发光装置10的封装部分300。基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可形成在基板100上。缓冲层210可防止通过基板100的杂质渗透并且可在基板100上提供基本上平坦的表面。
TFT 200可位于缓冲层210上。TFT 200可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可位于有源层220上，并且栅电极240可位于栅绝缘膜230上。夹层绝缘膜250位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可位于栅电极240和源电极260之间以将栅电极240与源电极260绝缘，以及位于栅电极240和漏电极270之间以将栅电极240与漏电极270绝缘。
源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
TFT 200电连接到发光装置10以驱动发光装置10，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任何组合。发光装置10提供在钝化层280上。发光装置10可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280可不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可连接到漏电极270的暴露部分。
包括绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。夹层130中的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部，从而以公共层的形式布置。
第二电极150可位于夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。
封装部分300可位于封盖层170上。封装部分300可位于发光装置10上以保护发光装置10免受水分或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，该无机膜包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，该有机膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或其任何组合；或无机膜和有机膜的任何组合。
图3为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的另一实施方式的示意性横截面图。
图3的发光设备190与图2的发光设备180基本上相同，只是遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为：i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多个实施方式中，包括在图3的发光设备190中的发光装置10可为串联发光装置。
制造方法
包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一个或多个适当的方法形成在特定区中。
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约
Figure BDA0003548040500000631
至约
Figure BDA0003548040500000632
的沉积速度下进行，这取决于要形成的层中要包括的材料和要形成的层的结构。
术语的定义
如本文使用的术语“夹层”指位于发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有的多个层。
如本文使用的，术语“能级”可以以“电子伏特”表示，并且缩写为“eV”。
如本文使用的，术语“原子”可意指与一个或多个其他原子键合的元素或其相应的自由基。
术语“氢”和“氘”指它们各自的原子和相应的自由基，氘自由基缩写为“-D”，且术语“-F、-Cl、-Br和-I”分别为氟、氯、溴和碘的自由基。
如本文使用的，单价基团(例如烷基)的取代基也可以独立地为相应二价基团(例如亚烷基)的取代基。
如本文使用的术语“C3-C60碳环基”指仅由作为成环原子的碳组成且具有3至60个碳原子的环状基团，且如本文使用的术语“C1-C60杂环基”指具有1至60个碳原子且除了碳之外进一步具有杂原子作为成环原子的环状基团。C3-C60碳环基和C1-C60杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，C1-C60杂环基具有3至61个成环原子。
如本文使用的“环状基团”可包括C3-C60碳环基和C1-C60杂环基。
如本文使用的术语“富π电子的C3-C60环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-N＝*'作为成环部分的环状基团，且如本文使用的术语“缺π电子的含氮C1-C60环状基团”指具有1至60个碳原子且包括*-N＝*'作为成环部分的杂环基。
例如，C3-C60碳环基可为i)基团T1G或ii)其中两个或更多个基团T1G彼此稠合的稠环基团，例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基。
C1-C60杂环基可为i)基团T2G，ii)其中两个或更多个基团T2G彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团T2G和至少一个基团T1G彼此稠合的稠环基团，例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等。
富π电子的C3-C60环状基团可为i)基团T1G，ii)其中两个或更多个基团T1G彼此稠合的稠环基团，iii)基团T3G，iv)其中两个或更多个基团T3G彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团T3G和至少一个基团T1G彼此稠合的稠环基团，例如，C3-C60碳环基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等。
缺π电子的含氮C1-C60环状基团可为i)基团T4G，ii)其中两个或更多个基团T4G彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团T4G和至少一个基团T1G彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团T4G和至少一个基团T3G彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团T4G、至少一个基团T1G和至少一个基团T3G彼此稠合的稠环基团，例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等。
基团T1G可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基。
基团T2G可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基。
基团T3G可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基。
基团T4G可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
如本文使用的术语“环状基团”、“C3-C60碳环基”、“C1-C60杂环基”、“富π电子的C3-C60环状基团”或“缺π电子的含氮C1-C60环状基团”指与环状基团稠合(例如，结合在一起)的单价或多价基团(例如，二价基团、三价基团或四价基团等)，这取决于使用该术语所参照的式的结构。在一个或多个实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，这可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构容易理解。
单价C3-C60碳环基和单价C1-C60杂环基的实例为C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，且二价C3-C60碳环基和二价C1-C60杂环基的实例为C3-C10亚环烷基、C1-C10亚杂环烷基、C3-C10亚环烯基、C1-C10亚杂环烯基、C6-C60亚芳基、C1-C60亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
如本文使用的术语“C1-C60烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，且其实例为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文使用的术语“C1-C60亚烷基”指具有对应于C1-C60烷基的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60烯基”指在C2-C60烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，且其实例为乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“C2-C60亚烯基”指具有对应于C2-C60烯基的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60炔基”指在C2-C60烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，且其实例包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的术语“C2-C60亚炔基”指具有对应于C2-C60炔基的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C60烷氧基”指由-OA101(其中A101为C1-C60烷基)表示的单价基团，且其实例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
如本文使用的术语“C3-C10环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，且其实例为环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“C3-C10亚环烷基”指具有对应于C3-C10环烷基的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子且具有1至10个碳原子的单价环状基团，且其实例为1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烷基”指具有对应于C1-C10杂环烷基的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烯基”指具有3至10个碳原子以及在其环中具有至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价环状基团，且其实例为环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的术语“C3-C10亚环烯基”指具有对应于C3-C10环烯基的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烯基”指除了碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子，具有1至10个碳原子，以及在其环结构中具有至少一个双键的单价环状基团。C1-C10杂环烯基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。术语“C1-C10亚杂环烯基”指具有对应于C1-C10杂环烯基的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳基”指具有碳环芳族系统(具有6至60个碳原子)的单价基团，且如本文使用的术语“C6-C60亚芳基”指具有碳环芳族系统(具有6至60个碳原子)的二价基团。C6-C60芳基的实例为苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当C6-C60芳基和C6-C60亚芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。
如本文使用的术语“C1-C60杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，和1至60个碳原子。如本文使用的术语“C1-C60亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，和1至60个碳原子。C1-C60杂芳基的实例为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C1-C60杂芳基和C1-C60亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环、仅碳原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的实例为茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合多环基团的结构的二价基团。
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环、具有至少一个除碳原子以外的杂原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的实例为吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合杂多环基团的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳氧基”指示-OA102(其中A102为C6-C60芳基)，且如本文使用的术语“C6-C60芳硫基”指示-SA103(其中A103为C6-C60芳基)。
如本文使用的术语“C7-C60芳基烷基”指-A104A105(其中A104可为C1-C54亚烷基，且A105可为C6-C59芳基)，且如本文使用的术语“C2-C60杂芳基烷基”指-A106A107(其中A106可为C1-C59亚烷基，且A107可为C1-C59杂芳基)。
如本文使用的术语“R10a”指：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
各自未被取代或被以下取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任何组合；
各自未被取代或被以下取代的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基或C2-C60杂芳基烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任何组合；或
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)。
基团Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；各自未被取代或被以下取代的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基：氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合；C7-C60芳基烷基；或C2-C60杂芳基烷基。
如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子以外的任何原子。杂原子的实例为O、S、N、P、Si、B、Ge、Se及其任何组合。
如本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等。
如本文使用的，术语“Ph”指苯基，术语“Me”指甲基，术语“Et”指乙基，术语“tert-Bu”或“But”指叔丁基，且术语“OMe”指甲氧基。
如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被C6-C60芳基取代的C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
如本文使用的符号*、*'、*”和
Figure BDA0003548040500000681
除非另外定义，否则各自指与相应式或部分中的相邻原子的结合位点。
下文，将参考合成例和实施例详细地描述根据实施方式的化合物和根据实施方式的发光装置。在描述合成例中使用的措辞“用B代替A”指用相等的摩尔当量的B代替A。
实施例
合成例1(化合物BD02)
Figure BDA0003548040500000691
合成中间体L2-1
将量为10.5克(g)[31毫摩尔(mmol)]的苯并咪唑、10.1g(37mmol)的溴苯、13.2g(62mmol)的磷酸三钾、590mg(3.1mmol)的碘铜和380mg(3.1mmol)的吡啶甲酸装入反应容器中并悬浮于310毫升(mL)的二甲亚砜中。将所得反应混合物加热，在160℃下搅拌12小时(hr)，冷却至室温，并用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗，并用硫酸钠干燥以从中除去溶剂。从中获得的残余物通过柱色谱分离，以获得10.6g(20mmol)的中间体L2-1。
合成中间体L2-2
将量为10.6g(20mmol)的中间体L2-1和1.2g(22mmol)的1,4-二碘丁烷装入反应容器中并悬浮于220mL的二氯甲烷中，并且将反应温度升至50℃，并将所得混合物搅拌12小时。在反应完成后，将反应混合物冷却至室温，并用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗，并用硫酸钠干燥以从中除去溶剂。从中获得的残余物通过柱色谱分离，以获得9.5g(16mmol)的中间体L2-2。
合成中间体L2-3
将量为9.5g(16mmol)的中间体L2-2和1.1g(17.6mmol)的氯化铱(III)(IrCl3)装入反应容器中，然后悬浮于320mL的混合物(其中2-甲基丙-2-醇和H2O以3:1的体积比混合)中。然后，将反应温度升至120℃，并将所得混合物搅拌24小时。在反应完成后，将反应混合物冷却至室温，并用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗，并用硫酸钠干燥以从中除去溶剂。从中获得的残余物通过柱色谱分离，以获得3.7g(5.2mmol)的中间体L2-3。
Figure BDA0003548040500000701
合成中间体R2-1
将量为5.3g(19mmol)的2-吡啶基硼酸、4.4g(17mmol)的2-溴-4-吡啶基醇、270mg(1.2mmol)的乙酸钯、630mg(2.4mmol)的三苯基膦和15.9g(115mmol)的碳酸钾装入反应容器，然后，悬浮于混合物(包括430mL的1,4-二噁烷和150mL的水)中。然后，将反应温度升至110℃，并将所得混合物搅拌12小时。在反应完成后，将反应混合物冷却至室温，并用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗，并用硫酸钠干燥以从中除去溶剂。从中获得的残余物通过柱色谱分离，以获得5.3g(16mmol)的中间体R2-1。
合成中间体R2-2
将量为5.3g(16mmol)的中间体R2-1、4.7g(17mmol)的1,3-二溴苯、13.2g(62mmol)的磷酸三钾、590mg(3.1mmol)的碘铜和380mg(3.1mmol)的吡啶甲酸装入反应容器中并悬浮于310mL的二甲亚砜中。然后，将反应混合物加热并在160℃的温度下搅拌12小时。在反应完成后，将反应混合物冷却至室温，并用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗，并用硫酸钠干燥以从中除去溶剂。从中获得的残余物通过柱色谱分离，以获得5.1g(12mmol)的中间体R2-2。
合成中间体R2-3
将量为5.1g(12mmol)的中间体R2-2、7.3g(15mmol)的1-甲基-1H-苯并[d]咪唑、13.2g(62mmol)的磷酸三钾、500mg(2.7mmol)的碘铜和310mg(2.9mmol)的吡啶甲酸装入反应容器中，然后，悬浮于280mL的二甲亚砜中。然后，将反应混合物加热并在160℃的温度下搅拌12小时。在反应完成后，将反应混合物冷却至室温，并用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗，并用硫酸钠干燥以从中除去溶剂。从中获得的残余物通过柱色谱分离，以获得4.5g(11mmol)的中间体R2-3。
合成中间体R2-4
将量为4.5g(11mmol)的中间体R2-3和1.2g(33mmol)的碘代甲烷装入反应容器中并悬浮于220mL的二氯甲烷中，并且将反应温度升至50℃并将所得混合物搅拌12小时。在反应完成后，将反应混合物冷却至室温，并用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗，并用硫酸钠干燥以从中除去溶剂。从中获得的残余物通过柱色谱分离，以获得5.7g(10mmol)的中间体R2-4。
合成中间体R2-5
将量为5.7g(10mmol)的中间体R2-4、4.1g(11.0mmol)的二氯(1,5-环辛二烯)铂和1.8g(22mmol)的乙酸钠悬浮于220mL的二噁烷中，然后，将反应混合物加热并且在110℃的温度下搅拌72小时。在反应完成后，将反应混合物冷却至室温，并用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗，并用硫酸钠干燥以从中除去溶剂。从中获得的残余物通过柱色谱分离，以获得2.2g(2.1mmol)的中间体R2-5。
合成化合物BD02
Figure BDA0003548040500000711
将量为3.7g(5.2mmol)的中间体L2-3、2.2g(2.1mmol)的中间体R2-5和0.9g(10mmol)的乙酸钠悬浮于100mL的二噁烷中，然后，将反应混合物加热并在120℃的温度下搅拌72小时。在反应完成后，将反应混合物冷却至室温，并用乙酸乙酯萃取，并且将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗，并用硫酸钠干燥以从中除去溶剂。从中获得的残余物通过柱色谱分离，以获得0.7g(1.2mmol)的化合物BD02。
合成例2(化合物BD01)
Figure BDA0003548040500000712
合成中间体L1-1
量为13.1g(90.1mmol)的中间体L1-1以与用于合成合成例1的中间体L2-1的方式基本上相同的方式获得，只是使用咪唑代替苯并咪唑。
合成中间体L1-2
量为10.5g(42.5mmol)的中间体L1-2以与用于合成合成例1的中间体L2-2的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体L1-1代替中间体L2-1。
合成中间体L1-3
量为3.4g(12.1mmol)的中间体L1-3以与用于合成合成例1的中间体L2-3的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体L1-2代替中间体L2-2。
合成化合物BD01
Figure BDA0003548040500000721
量为0.5g(3.7mmol)化合物BD01以与用于合成化合物BD02的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体L1-3代替中间体L2-3。
合成例3(化合物BD17)
Figure BDA0003548040500000722
合成中间体R17-3
量为12.5g(32.1mmol)的中间体R17-3以与用于合成合成例1的中间体R2-3的方式基本上相同的方式获得，只是使用1-(甲基-d3)-1H-苯并[d]咪唑代替1-甲基-1H-苯并[d]咪唑。
合成中间体R17-4
量为12.7g(30.8mmol)的中间体R17-4以与用于合成合成例1的化合物R2-4的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R17-3代替中间体R2-3。
合成中间体R17-5
量为5.8g(10.2mmol)的中间体R17-5以与用于合成合成例1的中间体R2-5的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R17-4代替中间体R2-4。
合成化合物BD17
Figure BDA0003548040500000731
量为1.1g(0.5mmol)的化合物BD17以与用于合成合成例1的化合物BD02的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R17-5代替中间体R2-5。
合成例4(化合物BD25)
Figure BDA0003548040500000732
合成中间体R25-2
量为9.2g(28.5mmol)的中间体R25-2以与用于合成合成例1的中间体R2-2的方式基本上相同的方式获得，只是使用3,5-二溴-1,1'-联苯代替1,3-二溴苯。
合成中间体R25-3
量为8.8g(25.4mmol)的中间体R25-3以与用于合成合成例1的中间体R2-3的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R25-2代替中间体R2-2。
合成中间体R25-4
量为9.5g(25.2mmol)的中间体R25-4以与用于合成合成例1的中间体R2-4的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R25-3代替中间体R2-3。
合成中间体R25-5
量为3.2g(8.5mmol)的中间体R25-5以与用于合成合成例1的中间体R2-5的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R25-4代替中间体R2-4。
合成化合物BD25
Figure BDA0003548040500000741
量为1.3g(0.4mmol)的化合物BD25以与用于合成合成例1的化合物BD02的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R25-5代替中间体R2-5。
合成例5(化合物BD33)
Figure BDA0003548040500000742
合成中间体R33-1
量为17.2g(59.7mmol)的中间体R33-1以与用于合成合成例1的中间体R2-1的方式基本上相同的方式获得，只是分别使用(5-(叔丁基)吡啶-2-基)硼酸和2-溴-5-(叔丁基)吡啶-4-醇代替2-吡啶基硼酸和2-溴-4-吡啶基醇。
合成中间体R33-2
量为15.4g(48.4mmol)的中间体R33-2以与用于合成合成例1的中间体R2-2的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R33-1代替中间体R2-1。
合成中间体R33-3
量为12.8g(40.2mmol)的中间体R33-3以与用于合成合成例1的中间体R2-3的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R33-2代替中间体R2-2。
合成中间体R33-4
量为13.8g(38.5mmol)的中间体R33-4以与用于合成合成例1的中间体R2-4的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R33-3代替中间体R2-3。
合成中间体R33-5
量为3.5g(9.4mmol)的中间体R33-5以与用于合成合成例1的中间体R2-5的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R33-4代替中间体R2-4。
合成化合物BD33
Figure BDA0003548040500000751
量为0.9g(0.3mmol)的化合物BD33以与用于合成合成例1的化合物BD02的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体R33-5代替中间体R2-5。
合成例6(化合物BD41)
Figure BDA0003548040500000752
合成中间体L41-1
量为10.5g(52.5mmol)的中间体L41-1以与用于合成合成例1的中间体L2-1的基本上方式相同的方式获得，只是分别使用1-溴-4-(叔丁基)苯和咪唑代替溴苯和苯并咪唑。
合成中间体L41-2
量为8.4g(22.2mmol)的中间体L41-2以与用于合成合成例1的中间体L2-2的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体L41-1代替中间体L2-1。
合成中间体L41-3
量为2.3g(7.4mmol)的中间体L41-3以与用于合成合成例1的中间体L2-3的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体L41-2代替中间体L2-2。
合成化合物BD41
Figure BDA0003548040500000753
量为1.3g(0.8mmol)的化合物BD41以与用于合成化合物BD02的方式基本上相同的方式获得，只是使用中间体L41-3代替中间体L2-3。
表1显示根据合成例1至6合成的化合物BD02、BD01、BD17、BD25、BD33和BD41的质子核磁共振(1H NMR)数据和质谱/快原子轰击(MS/FAB)。
表1
Figure BDA0003548040500000761
实施例1
作为阳极，将其上形成有15欧姆每平方厘米(Ω/cm2)
Figure BDA0003548040500000762
ITO电极的玻璃基板(纽约康宁的康宁公司的产品)切成50毫米(mm)x 50mm x 0.7mm的尺寸，用异丙基醇和纯水各自超声5分钟，然后通过暴露于紫外射线和臭氧30分钟进行清洗。然后，将所得结构安装在真空沉积设备上。
将化合物2-TNATA沉积在阳极上以形成厚度为
Figure BDA0003548040500000763
的空穴注入层，然后将N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(NPB)沉积在空穴注入层上以形成厚度为
Figure BDA0003548040500000764
的空穴传输层。
在空穴传输层上，将作为主体的3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯(mCBP)和作为掺杂剂的化合物BD01以90:10的重量比共沉积，以形成厚度为
Figure BDA0003548040500000765
的发射层。
然后，将二苯基[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]氧化膦(TSPO1)沉积在发射层上以形成厚度为
Figure BDA0003548040500000771
的空穴阻挡层，然后，将Alq3沉积在空穴阻挡层上以形成厚度为
Figure BDA0003548040500000772
的电子传输层，然后，将氟化锂(LiF)沉积在电子传输层上以形成厚度为
Figure BDA0003548040500000773
的电子注入层，并将Al沉积在电子注入层上以形成厚度为
Figure BDA0003548040500000774
的阴极，从而完成发光装置的制造，该发光装置具有包括
Figure BDA0003548040500000775
Figure BDA0003548040500000776
Figure BDA0003548040500000777
的结构。
Figure BDA0003548040500000778
实施例2至5和比较例CE1、CE2、A和B
发光装置以与实施例1基本上相同的方式制造，只是在形成发射层中，使用表2中所示的相应化合物代替化合物BD01来作为掺杂剂。
评估例1
根据实施例1至5和比较例CE1、CE2、A和B制造的发光装置的驱动电压(以伏特(V)计)、亮度(以坎德拉每平方米(cd/A或cd/m2)计)、发光效率(cd/A)、发射颜色和最大发射波长(nm)(以50毫安每平方厘米(mA/cm2))通过使用源表(由俄勒冈州比弗顿的Tektronix公司以商品名Keithley MU 236出售)和亮度表(由加利福尼亚州洛杉矶的Photo Research公司以商品名PR650出售)来测量。其结果示于表2中。
表2
Figure BDA0003548040500000779
Figure BDA0003548040500000781
Figure BDA0003548040500000782
Figure BDA0003548040500000791
表2显示，与比较例CE1、CE2、A和B相比，实施例1至5的发光装置在发射蓝光的同时，具有显著且出乎意料地改善的驱动电压特性、增加的亮度和/或增加的发光效率。因为发光装置包括由式1表示的有机金属化合物，所以可以获得优异的驱动电压特性、优异的亮度和/或优异的发光效率。因此，可以用这种发光装置制造高质量电子设备。
尽管本文已经描述了某些实施方式和实现方式，但是其他实施方式和修改从该描述中将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这样的实施方式，而是限于所附权利要求书的更宽范围以及如对本领域普通技术人员来说是显而易见的各种明显的修改和等效布置。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；
在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的夹层；和
由式1表示的有机金属化合物：
式1
Figure FDA0003548040490000011
其中，在式1中，
M1和M2各自彼此独立地为过渡金属，
X1至X10各自彼此独立地为N或C，
环CY1至环CY8各自彼此独立地为C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
T1为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、O、S、N(Z1a)、B(Z1a)、P(Z1a)、C(Z1a)(Z1b)、C(Z1a)＝C(Z1b)或Si(Z1a)(Z1b)，
n为选自1至20的整数，其中，当n为2或更大时，两个或更多个T1彼此相同或不同，
T2为单键、O、S、N(Z2a)、B(Z2a)、P(Z2a)、C(Z2a)(Z2b)或Si(Z2a)(Z2b)，
T3为单键、O、S、N(Z3a)、B(Z3a)、P(Z3a)、C(Z3a)(Z3b)或Si(Z3a)(Z3b)，
T4为单键、O、S、N(Z4a)、B(Z4a)、P(Z4a)、C(Z4a)(Z4b)或Si(Z4a)(Z4b)，
R1至R8、Z1a、Z1b、Z2a、Z2b、Z3a、Z3b、Z4a和Z4b各自彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基、未取代的或被至少一个R10a取代的C7-C60芳基烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
a1至a8各自彼此独立地为选自0至20的整数，
数量为a1的R1中的两个或更多个，数量为a2的R2中的两个或更多个，数量为a3的R3中的两个或更多个，数量为a4的R4中的两个或更多个，数量为a5的R5中的两个或更多个，数量为a6的R6中的两个或更多个，数量为a7的R7中的两个或更多个，数量为a8的R8中的两个或更多个，Z1a和Z1b，Z2a和Z2b，Z3a和Z3b，Z4a和Z4b，或其任何组合任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，并且
R10a为：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
各自彼此独立地未被取代或被以下取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任何组合；
各自彼此独立地未被取代或被以下取代的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基或C2-C60杂芳基烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任何组合；或
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自彼此独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自彼此独立地未被取代或被以下取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基或C1-C60杂环基：氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合；C7-C60芳基烷基；或C2-C60杂芳基烷基。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述夹层进一步包括所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，
所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且
所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述夹层包括所述由式1表示的有机金属化合物。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括所述由式1表示的有机金属化合物。
5.如权利要求4所述的发光装置，其中所述发射层配置为发射蓝光。
6.如权利要求5所述的发光装置，其中所述发射层包括主体，并且所述主体的量大于所述由式1表示的有机金属化合物的量。
7.一种电子设备，包括如权利要求1至6中任一项所述的发光装置。
8.如权利要求7所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中：
所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且
所述发光装置的所述第一电极电连接到所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的至少一个。
9.如权利要求8所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。
10.一种由式1表示的有机金属化合物：
式1
Figure FDA0003548040490000041
其中，在式1中，
M1和M2各自彼此独立地为过渡金属，
X1至X10各自彼此独立地为N或C，
环CY1至环CY8各自彼此独立地为C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
T1为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、O、S、N(Z1a)、B(Z1a)、P(Z1a)、C(Z1a)(Z1b)、C(Z1a)＝C(Z1b)或Si(Z1a)(Z1b)，
n为选自1至20的整数，其中，当n为2或更大时，两个或更多个T1彼此相同或不同，
T2为单键、O、S、N(Z2a)、B(Z2a)、P(Z2a)、C(Z2a)(Z2b)或Si(Z2a)(Z2b)，
T3为单键、O、S、N(Z3a)、B(Z3a)、P(Z3a)、C(Z3a)(Z3b)或Si(Z3a)(Z3b)，
T4为单键、O、S、N(Z4a)、B(Z4a)、P(Z4a)、C(Z4a)(Z4b)或Si(Z4a)(Z4b)，
R1至R8、Z1a、Z1b、Z2a、Z2b、Z3a、Z3b、Z4a和Z4b各自彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基、未取代的或被至少一个R10a取代的C7-C60芳基烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
a1至a8各自彼此独立地为选自0至20的整数，
数量为a1的R1中的两个或更多个，数量为a2的R2中的两个或更多个，数量为a3的R3中的两个或更多个，数量为a4的R4中的两个或更多个，数量为a5的R5中的两个或更多个，数量为a6的R6中的两个或更多个，数量为a7的R7中的两个或更多个，数量为a8的R8中的两个或更多个，Z1a和Z1b，Z2a和Z2b，Z3a和Z3b，Z4a和Z4b，或其任何组合任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，并且
R10a为：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
各自彼此独立地未被取代或被以下取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任何组合；
各自彼此独立地未被取代或被以下取代的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基或C2-C60杂芳基烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任何组合；或
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自彼此独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自彼此独立地未被取代或被以下取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基或C1-C60杂环基：氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合；C7-C60芳基烷基；或C2-C60杂芳基烷基。
11.如权利要求10所述的有机金属化合物，其中M1和M2彼此不同。
12.如权利要求10所述的有机金属化合物，其中M1为铱且M2为铂。
13.如权利要求10所述的有机金属化合物，其中X1至X4中的每一个为C。
14.如权利要求10所述的有机金属化合物，其中X1与M1之间的键，X3与M1之间的键，以及X10与M1之间的键各自为配位键，并且
X2与M1之间的键，X4与M1之间的键，以及X9与M1之间的键各自为共价键。
15.如权利要求10所述的有机金属化合物，其中X5为N，并且
X6和X7中的每一个为C。
16.如权利要求10所述的有机金属化合物，其中环CY1和环CY3各自彼此独立地为：
咪唑基或三唑基；或各自与以下稠合的咪唑基或三唑基：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或其任何组合，并且
环CY8为：
吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基或噻二唑基；或各自与以下稠合的吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基或噻二唑基：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或其任何组合。
17.如权利要求10所述的有机金属化合物，其中环CY2和环CY4至环CY7各自彼此独立地为：
苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基；或各自与以下稠合的苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基：苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、环己烷基、环己烯基、金刚烷基、降冰片烷基或其任何组合。
18.如权利要求10所述的有机金属化合物，其中T1为C(Z1a)(Z1b)，并且
n为选自2至10的整数。
19.如权利要求10所述的有机金属化合物，其中所述由式1表示的有机金属化合物满足条件1至条件8中的至少一个：
条件1
式1中由
Figure FDA0003548040490000061
表示的基团由式CY1-1至式CY1-9中的一个表示：
Figure FDA0003548040490000071
其中，在式CY1-1至式CY1-9中，
X1具有与权利要求10中的含义相同的含义，
*为与式1中的M1的结合位点，
*'为与式1中的(T1)n的结合位点，并且
*"为与式1中的环CY2的结合位点；
条件2
式1中由
Figure FDA0003548040490000072
表示的基团由式CY2-1至式CY2-17中的一个表示：
Figure FDA0003548040490000073
其中，在式CY2-1至式CY2-17中，
X2具有与权利要求10中的含义相同的含义，
*为与式1中的M1的结合位点，并且
*"为与式1中的环CY1的结合位点；
条件3
式1中由
Figure FDA0003548040490000081
表示的基团由式CY3-1至式CY3-9中的一个表示：
Figure FDA0003548040490000082
其中，在式CY3-1至式CY3-9中，
X3具有与权利要求10中的含义相同的含义，
*为与式1中的M1的结合位点，
*'为与式1中的(T1)n的结合位点，并且
*"为与式1中的环CY4的结合位点；
条件4
式1中由
Figure FDA0003548040490000083
表示的基团由式CY4-1至式CY4-17中的一个表示：
Figure FDA0003548040490000091
其中，在式CY4-1至式CY4-17中，
X4具有与权利要求10中的含义相同的含义，
*为与式1中的M1的结合位点，并且
*"为与式1中的环CY3的结合位点；
条件5
式1中由
Figure FDA0003548040490000092
表示的基团由式CY5-1至式CY5-10中的一个表示：
Figure FDA0003548040490000093
其中，在式CY5-1至式CY5-10中，
X5和X9彼此独立地具有与权利要求10中的含义相同的含义，
*为与式1中的M2的结合位点，
*'为与式1中的M1的结合位点，并且
Figure FDA0003548040490000101
为与式1中的T3的结合位点；
条件6
式1中由
Figure FDA0003548040490000102
表示的基团由式CY6-1至式CY6-6中的一个表示：
Figure FDA0003548040490000103
其中，在式CY6-1至式CY6-6中，
X6和X10彼此独立地具有与权利要求10中的含义相同的含义，
*为与式1中的M2的结合位点，
*'为与式1中的M1的结合位点，
*"为与式1中的T2的结合位点，并且
Figure FDA0003548040490000104
为与式1中的T3的结合位点；
条件7
式1中由
Figure FDA0003548040490000105
表示的基团由式CY7-1至式CY7-10中的一个表示：
Figure FDA0003548040490000111
其中，在式CY7-1至式CY7-10中，
X7具有与权利要求10中的含义相同的含义，
*为与式1中的M2的结合位点，
*'为与式1中的T4的结合位点，并且
*"为与式1中的T2的结合位点；
条件8
式1中由
Figure FDA0003548040490000112
表示的基团由式CY8-1至式CY8-62中的一个表示：
Figure FDA0003548040490000113
Figure FDA0003548040490000121
其中，在式CY8-1至式CY8-62中，
X8具有与权利要求10中的含义相同的含义，
Z81为O、S、N(R8a)、C(R8a)(R8b)或Si(R8a)(R8b)，
R8a和R8b彼此独立地具有与权利要求10中R8的含义相同的含义，
*为与式1中的M2的结合位点，并且
*'为与式1中的T4的结合位点。
20.如权利要求10所述的有机金属化合物，其中式1中由
Figure FDA0003548040490000131
表示的基团由式CY8(1)至式CY8(16)中的一个表示：
Figure FDA0003548040490000132
其中，在式CY8(1)至式CY8(16)中，
X8具有与权利要求10中的含义相同的含义，
R81至R85彼此独立地具有与权利要求10中R8的含义相同的含义，且R81至R85中的每一个不为氢，
*为与式1中的M2的结合位点，并且
*'为与式1中的T4的结合位点。
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