KR102601599B1 - 박막 및 이를 포함한 유기 발광 소자 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 193
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 30
- -1 benzoimidazolyl group Chemical group 0.000 claims description 220
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 202
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 138
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 129
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 105
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 96
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 96
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 91
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 88
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 83
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 78
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 70
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 68
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 67
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 claims description 67
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine group Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 125000005597 hydrazone group Chemical group 0.000 claims description 67
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 67
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 claims description 63
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 62
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 62
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 62
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 61
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 60
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 claims description 60
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 57
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 claims description 51
- 125000000027 (C1-C10) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 49
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims description 48
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 48
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 claims description 47
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 claims description 38
- 125000006753 (C1-C60) heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 37
- 125000006749 (C6-C60) aryl group Chemical group 0.000 claims description 37
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 31
- 125000003860 C1-C20 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 31
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 30
- 125000006743 (C1-C60) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 29
- 125000004366 heterocycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 28
- 125000006376 (C3-C10) cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 27
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 27
- 125000006717 (C3-C10) cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 26
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 125000006746 (C1-C60) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 claims description 23
- 125000006744 (C2-C60) alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- 125000006745 (C2-C60) alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- 125000006751 (C6-C60) aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 22
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 claims description 22
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 claims description 22
- 125000004585 polycyclic heterocycle group Chemical group 0.000 claims description 22
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 21
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 20
- 125000006752 (C6-C60) arylthio group Chemical group 0.000 claims description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 18
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 18
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 18
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 125000001162 cycloheptenyl group Chemical group C1(=CCCCCC1)* 0.000 claims description 16
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 claims description 16
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 16
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 claims description 16
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 claims description 16
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 16
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 claims description 15
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 15
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 claims description 15
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 14
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 14
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 13
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 13
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 13
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 13
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 125000005567 fluorenylene group Chemical group 0.000 claims description 12
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000004857 imidazopyridinyl group Chemical group N1C(=NC2=C1C=CC=N2)* 0.000 claims description 12
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 12
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 12
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 12
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 12
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 12
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 12
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 12
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 claims description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 11
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 claims description 10
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 9
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000003453 indazolyl group Chemical group N1N=C(C2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 9
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000001715 oxadiazolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000004625 phenanthrolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C12)* 0.000 claims description 9
- 125000000561 purinyl group Chemical group N1=C(N=C2N=CNC2=C1)* 0.000 claims description 9
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 9
- 125000003831 tetrazolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N benzopyrazine Natural products N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 7
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical compound C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000904 isoindolyl group Chemical group C=1(NC=C2C=CC=CC12)* 0.000 claims description 6
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical compound C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001786 isothiazolyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005593 norbornanyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 6
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000005551 pyridylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005576 pyrimidinylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 5
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical compound C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 11h-benzo[a]carbazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 4
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 claims description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical compound C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960005544 indolocarbazole Drugs 0.000 claims description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N phenanthridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=NC2=C1 RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000005550 pyrazinylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 125000005558 triazinylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 1,8-naphthyridine Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CN=C21 FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LWTIGYSPAXKMDG-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-imidazole Chemical compound C1NC=CN1 LWTIGYSPAXKMDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BGEVROQFKHXUQA-UHFFFAOYSA-N 71012-25-4 Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 BGEVROQFKHXUQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N Benzo[a]fluorene Chemical compound C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4C3=CC=C21 HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 241000534944 Thia Species 0.000 claims description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003943 azolyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 3
- 125000005872 benzooxazolyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- XNKVIGSNRYAOQZ-UHFFFAOYSA-N dibenzofluorene Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=C1CC1=CC=CC=C12 XNKVIGSNRYAOQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IKJFYINYNJYDTA-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene sulfone Chemical compound C1=CC=C2S(=O)(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 IKJFYINYNJYDTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N isoxazole Chemical compound C=1C=NOC=1 CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 claims description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 3
- GBXQPDCOMJJCMJ-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[6-(trimethylazaniumyl)hexyl]azanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)CCCCCC[N+](C)(C)C GBXQPDCOMJJCMJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000006756 (C5-C30) carbocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 claims description 2
- VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 2H-isoindole Chemical compound C1=CC=CC2=CNC=C21 VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 4-azabenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=N1 GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N acetnaphthylene Natural products C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N hexacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002467 indacenes Chemical class 0.000 claims description 2
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical group [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 claims description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XDJOIMJURHQYDW-UHFFFAOYSA-N phenalene Chemical compound C1=CC(CC=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 XDJOIMJURHQYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N tetrahydropyridine hydrochloride Natural products C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 2
- 125000005730 thiophenylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 37
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 37
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 34
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 33
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 33
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 11
- SFHYNDMGZXWXBU-LIMNOBDPSA-N 6-amino-2-[[(e)-(3-formylphenyl)methylideneamino]carbamoylamino]-1,3-dioxobenzo[de]isoquinoline-5,8-disulfonic acid Chemical compound O=C1C(C2=3)=CC(S(O)(=O)=O)=CC=3C(N)=C(S(O)(=O)=O)C=C2C(=O)N1NC(=O)N\N=C\C1=CC=CC(C=O)=C1 SFHYNDMGZXWXBU-LIMNOBDPSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-3-pyridin-3-ylphenyl)borane Chemical compound CC1=C(B(C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C(C)=CC(C)=C1C1=CC=CN=C1 RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000006762 (C1-C60) heteroarylene group Chemical group 0.000 description 7
- 125000006761 (C6-C60) arylene group Chemical group 0.000 description 7
- 125000001164 benzothiazolyl group Chemical group S1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- NYIVWTWKIQOBKO-UHFFFAOYSA-N 4-phenanthren-3-ylbutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(CCCC(=O)O)=CC=C3C=CC2=C1 NYIVWTWKIQOBKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005548 pyrenylene group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 125000006758 (C2-C60) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 2
- DERKMBVPWKXOHM-UHFFFAOYSA-N 12h-[1]benzofuro[3,2-a]carbazole Chemical compound O1C2=CC=CC=C2C2=C1C=CC1=C2NC2=CC=CC=C12 DERKMBVPWKXOHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLYYLMBVQZMMMS-UHFFFAOYSA-N 12h-[1]benzothiolo[3,2-a]carbazole Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C2=C1C=CC1=C2NC2=CC=CC=C12 GLYYLMBVQZMMMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003229 2-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005724 cycloalkenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 125000006588 heterocycloalkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- WUNJCKOTXFSWBK-UHFFFAOYSA-N indeno[2,1-a]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=NC5=CC=CC=C5C4=CC=C3C2=C1 WUNJCKOTXFSWBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 125000005563 perylenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005560 phenanthrenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001161 time-correlated single photon counting Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N (+-)-Isoprenaline Chemical compound CC(C)NCC(O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFBZMKWCZFFWIC-HVEFNXCZSA-N (3s)-3-[[(2s)-2-[[(2s)-2-[[(2r)-2-[[(2s)-2-[[(2s)-2-[[(2s)-2-amino-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-3-sulfanylpropanoyl]amino]-3-(1h-imidazol-5-yl)propanoyl]amino]-4-methylpentanoyl]amino]-4-[ Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)C(O)=O)NC(=O)[C@H](CS)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC(O)=CC=1)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC(O)=CC=1)NC(=O)[C@@H](N)C(C)C)C1=CNC=N1 AFBZMKWCZFFWIC-HVEFNXCZSA-N 0.000 description 1
- 125000006759 (C2-C60) alkenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006760 (C2-C60) alkynylene group Chemical group 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXJHQQLYKUVLIE-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydroacridine Chemical compound C1=CC=C2N=C(C=CCC3)C3=CC2=C1 UXJHQQLYKUVLIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOXJNGFFPMOZDM-UHFFFAOYSA-N 2-[di(propan-2-yl)amino]ethylsulfanyl-methylphosphinic acid Chemical compound CC(C)N(C(C)C)CCSP(C)(O)=O UOXJNGFFPMOZDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-bis(3-methylphenyl)-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-dinaphthalen-1-yl-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C23C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C2=C1 ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;dodecane Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCC LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N camphorsulfonic acid Chemical compound C1CC2(CS(O)(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- SNOOUWRIMMFWNE-UHFFFAOYSA-M sodium;6-[(3,4,5-trimethoxybenzoyl)amino]hexanoate Chemical compound [Na+].COC1=CC(C(=O)NCCCCCC([O-])=O)=CC(OC)=C1OC SNOOUWRIMMFWNE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000003718 tetrahydrofuranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003507 tetrahydrothiofenyl group Chemical group 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
도너 화합물 및 억셉터 화합물로 이루어진 혼합물과 인광 도펀트를 포함한 박막 및 상기 박막을 포함한 유기 발광 소자가 제시된다.
Description
박막 및 유기 발광 소자가 제시된다.
유기 발광 소자(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다.
일예에 따르면, 유기 발광 소자는, 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층을 포함할 수 있다. 상기 애노드와 발광층 사이에는 정공 수송 영역이 구비될 수 있고, 상기 발광층과 캐소드 사이에는 전자 수송 영역이 구비될 수 있다. 상기 애노드로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
소정의 식을 만족하는 엑시플렉스를 제공할 수 있는 혼합물과 인광 도펀트를 포함한 박막 및 상기 박막을 포함하여 저구동 전압, 고효율, 고휘도 및 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.
일 구현예에 따르면,
i) 도너 화합물 및 억셉터 화합물로 이루어진 혼합물 및 ii) 인광 도펀트를 포함하고,
상기 도너 화합물과 상기 억셉터 화합물은 엑시플렉스를 형성하고,
상기 엑시플렉스의 발광 스펙트럼(photoluminescence(PL) spectrum) 중 최대 발광 파장(λmax(Ex))은 390nm 이상 및 490nm이하이고,
상기 엑시플렉스의 시간-분해 발광 스펙트럼(time-resolved photoluminescence(TRPL) spectrum) 중 지연 형광(delayed fluorescence)의 감쇠 시간(decay time)(Tdecay(Ex))은 100나노초(ns) 이상이고,
상기 엑시플렉스의 시간-분해 발광 스펙트럼 중 전체 발광 성분에 대한 지연 형광 성분의 비율이 10% 이상이고,
상기 엑시플렉스의 발광 안정성(PL stability)는 59% 이상이고,
상기 엑시플렉스의 PL 스펙트럼 및 TRPL 스펙트럼 각각은, 상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물을 기판 상에 공증착하여 형성된 필름에 대하여 상온에서 측정된 스펙트럼이고,
상기 엑시플렉스의 발광 안정성은 하기 <수식 10>에 의하여 평가된, 박막이 제공된다:
<수식 10>
발광 안정성 (%) = (I2 / I1) x 100
상기 수식 10 중,
I1은, 상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물을 기판 상에 공증착하여 형성된 필름에 대하여 필름 형성 직후, 외기가 차단된 불활성 분위기 하에서, 상온에서 측정된 발광(PL) 스펙트럼 중, 상기 최대 발광 파장(λmax(Ex)) 광의 세기(a.u.)이고,
I2는, 상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물을 기판 상에 공증착하여 형성된 필름을 외기가 차단된 불활성 분위기 하에서, 상기 I1 평가시 사용된 펌핑 레이저(pumping laser) 광에 3시간 동안 노출시킨 다음 수득한 필름에 대하여 외기가 차단된 불활성 분위기 하에서, 상온에서 측정된 발광(PL) 스펙트럼 중, 상기 최대 발광 파장(λmax(Ex)) 광의 세기(a.u.)이다.
다른 구현예에 따르면, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기층;을 포함하고, 상기 유기층은 상기 박막을 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.
상기 혼합물의 엑시플렉스는 상대적으로 높은 T1 에너지 레벨과 상대적으로 낮은 S1 에너지 레벨을 동시에 제공할 수 있으므로, 상기 혼합물과 인광 도펀트를 포함한 박막을 구비한 유기 발광 소자는 저구동 전압, 고효율, 고휘도 및 장수명을 동시에 가질 수 있다.
도 1은 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2a 내지 2f는 평가예 1에서 측정한 필름 중 발광 스펙트럼(Photoluminescence spectrum in film)을 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 3f는 평가예 1에서 측정한 필름 중 시간-분해 발광 스펙트럼(time-resolved photoluminescence(TRPL) spectrum)을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 4d는 필름 D11:A2, TCTA:BmPyPb, CBP:B3PYMPM 및 TCTA:3TPYMB 각각의 필름 형성 직후 측정한 발광 스펙트럼(As prepared) 및 레이저 광을 3시간동안 조사한 후 측정한 발광 스펙트럼(3-hr exposed)을 각각 나타낸 도면이다.
도 5a 내지 5c는 실시예 2에서 제작된 OLED 4의 전압-전류 밀도 그래프, 휘도-효율 그래프 및 시간-휘도 그래프를 각각 나타낸 것이다.
도 2a 내지 2f는 평가예 1에서 측정한 필름 중 발광 스펙트럼(Photoluminescence spectrum in film)을 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 3f는 평가예 1에서 측정한 필름 중 시간-분해 발광 스펙트럼(time-resolved photoluminescence(TRPL) spectrum)을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 4d는 필름 D11:A2, TCTA:BmPyPb, CBP:B3PYMPM 및 TCTA:3TPYMB 각각의 필름 형성 직후 측정한 발광 스펙트럼(As prepared) 및 레이저 광을 3시간동안 조사한 후 측정한 발광 스펙트럼(3-hr exposed)을 각각 나타낸 도면이다.
도 5a 내지 5c는 실시예 2에서 제작된 OLED 4의 전압-전류 밀도 그래프, 휘도-효율 그래프 및 시간-휘도 그래프를 각각 나타낸 것이다.
상기 박막은 도너 화합물 및 억셉터 화합물로 이루어진 혼합물을 포함한다. 상기 혼합물 중 상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물은 엑시플렉스를 형성한다.
상기 도너 화합물은 전자 제공 특성이 전자 수용 특성보다 우세한 전자-도너 화합물이고, 상기 억셉터 화합물은 전자 수용 특성이 전자 제공 특성보다 우세한 전자-억셉터 화합물로서, 상기 도너 화합물은 정공 수송성 화합물이고, 상기 억셉터 화합물은 전자 수송성 화합물일 수 있다.
상기 엑스플렉스는, 상기 도너 화합물과 상기 억셉터 화합물 사이에서 형성된 여기 상태 착체(excited state complex)이다.
상기 혼합물의 엑시플렉스의 발광 스펙트럼(photoluminescence(PL) spectrum) 중 최대 발광 파장(λmax(Ex))은 390nm 이상 및 490nm 이하이거나, 예를 들면, 390nm 이상 및 450nm 이하이거나, 또 다른 예로서, 390nm 이상 및 440nm 미만일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 혼합물의 엑시플렉스의 발광 스펙트럼(photoluminescence(PL) spectrum) 중 최대 발광 파장(λmax(Ex))은 390nm 이상 및 427nm 이하 또는 412nm 이상 및 427nm 이하일 수 있다. 이로써, 상기 혼합물은 청색광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 혼합물은 CIE 색좌표 중 X좌표가 0.182 내지 0.307의 범위이고 Y좌표가 0.092 내지 0.523인 청색광을 방출할 수 있다.
상기 혼합물 중, 엑시플렉스의 시간-분해 발광 스펙트럼(time-resolved photoluminescence(TRPL) spectrum) 중 지연 형광(delayed fluorescence)의 감쇠 시간(decay time)(Tdecay(Ex))은 100나노초(ns) 이상이거나, 예를 들면, 100나노초 이상 및 10밀리초 이하일 수 있다. 또한, 상기 엑시플렉스의 시간-분해 발광 스펙트럼 중 전체 발광 성분에 대한 지연 형광 성분의 비율은 10% 이상일 수 있다. 이로써, 상기 엑시플렉스의 삼중항 상태에서 일중항 상태로의 역에너지 이동(up-conversion)이 효과적으로 이루어져, 고효율 지연 형광(delayed fluorescence)을 방출할 수 있다. 따라서, 상기 혼합물을 이용하면, 고효율 전자 소자, 예를 들면, 고효율 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
상기 엑시플렉스의 PL 스펙트럼 및 TRPL 스펙트럼 각각은, 상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물을 기판(예를 들면, 쿼츠(quartz)기판) 상에 공증착하여 형성된 필름에 대하여 상온에서 측정된 스펙트럼인 것으로서, 이는 후술될 실시예를 참조하여 이해될 수 있다.
상기 Tdecay(Ex)는, TRPL 스펙트럼을 이용하여 공지의 방법을 이용하여 평가될 수 있다. 예를 들어, 상기 Tdecay(Ex)는, 후술하는 평가예 1에 기재된 방법을 이용하여 평가될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지연 형광 성분(DF portion)의 비율은, TRPL 스펙트럼을 이용하여 공지의 방법을 이용하여 평가될 수 있다. 예를 들어, 상기 DF portion의 비율은 후술하는 평가예 1에 기재된 방법을 이용하여 평가될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 혼합물의 엑시플렉스의 발광 안정성(PL stability)는 59% 이상, 예를 들면, 60% 이상, 또 다른 예로서, 70% 이상일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 혼합물의 상기 혼합물의 엑시플렉스의 발광 안정성(PL stability)는 80% 이상, 예를 들면, 90% 이상일 수 있다. 상기 혼합물의 엑시플렉스가 전술한 바와 같은 범위의 발광 안정성을 가짐으로써, 상기 혼합물을 구비한 유기 발광 소자는 장수명을 가질 수 있다.
상기 엑시플렉스의 발광 안정성은 하기 <수식 10>에 의하여 평가될 수 있다:
<수식 10>
발광 안정성 (%) = (I2 / I1) x 100
상기 수식 10 중,
I1은, 상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물을 기판 상에 공증착하여 형성된 필름에 대하여 필름 형성 직후, 외기가 차단된 불활성 분위기 하에서, 상온에서 측정된 발광(PL) 스펙트럼 중, 상기 최대 발광 파장(λmax(Ex)) 광의 세기(a.u.)이고,
I2는, 상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물을 기판 상에 공증착하여 형성된 필름을 외기가 차단된 불활성 분위기 하에서, 상기 I1 평가시 사용된 펌핑 레이저(pumping laser) 광에 3시간 동안 노출시킨 다음 수득한 필름에 대하여 외기가 차단된 불활성 분위기 하에서, 상온에서 측정된 발광(PL) 스펙트럼 중, 상기 최대 발광 파장(λmax(Ex)) 광의 세기(a.u.)이다.
상기 발광 안정성 평가의 일 구현예는 후술될 실시예 및 평가예를 참조한다.
일 구현예에 따르면, 상기 도너 화합물의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 에너지 레벨의 절대값(|HOMO(D)|)은 5.78eV 이하이거나, 예를 들면, 4.84eV 이상 및 5.78eV 이하일 수 있다. 또한, 상기 억셉터 화합물의 LUMO(Lowesr Unoccupied Molecular Orbital) 에너지 레벨의 절대값(|LUMO(A)|)은 1.76eV 이상이거나, 예를 들면, 2.43eV 이상 및 1.76eV 이하일 수 있다. 이로써, 상기 혼합물 중 엑시플렉스 형성 효율이 증가될 수 있어, 상기 혼합물을 채용한 전자 소자, 예를 들면, 유기 발광 소자의 효율 및 수명이 향상될 수 있다.
상기 HOMO(D)는 순환전압전류법(Cyclic voltammetry(CV))을 이용하여 계산된 것이고, 상기 LUMO(A)는 상온에서 측정된 UV 흡수 스펙트럼을 이용하여 계산된 것으로서, 이는 후술될 실시예를 참조하여 이해될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 억셉터 화합물의 HOMO 에너지 레벨과 상기 도너 화합물의 HOMO 에너지 레벨 차의 절대값이(|HOMO(A) - HOMO(D)|)은 0.037eV 이상 및 1.1eV 이하이거나, 예를 들면, 0.04eV 이상 및 0.9eV 이하일 수 있다. 또한, 상기 억셉터 화합물의 LUMO 에너지 레벨과 상기 도너 화합물의 LUMO 에너지 레벨 차의 절대값이(|LUMO(A) - LUMO(D)|)은 0.001eV 이상 및 1.1eV 이하이거나, 예를 들면, 0.01eV 이상 및 0.9eV 이하일 수 있다. 이로써, 도너 화합물을 통한 정공 이동과 억셉터 화합물을 통한 전자 이동이 효과적으로 이루어져 도너 화합물과 억셉터 화합물 계면에서의 엑시플렉스 형성이 효과적으로 이루어질 수 있는 바, 상기 혼합물을 채용한 전자 소자, 예를 들면, 유기 발광 소자는 고효율 및 장수명을 가질 수 있다.
상기 도너 화합물은 카바졸계 고리, 디벤조퓨란계 고리, 디벤조티오펜계 고리, 인데노카바졸계 고리, 인돌로카바졸계 고리, 벤조퓨로카바졸계 고리, 벤조티에노카바졸계 고리, 아크리딘계 고리, 디하이드로아크리딘계 고리 및 트라이인돌로벤젠계 고리 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,
상기 억셉터 화합물은 카바졸계 고리, 디벤조퓨란계 고리, 디벤조티오펜계 고리, 인데노카바졸계 고리, 인돌로카바졸계 고리, 벤조퓨로카바졸계 고리, 벤조티에노카바졸계 고리, 피리딘계 고리, 피리미딘계 고리 및 트리아진계 고리 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 억셉터 화합물은 적어도 하나의 전자 수용기를 포함하되,
상기 전자 수용기는,
-F, -CFH2, -CF2H, -CF3, -CN 및 -NO2;
-F, -CFH2, -CF2H, -CF3, -CN 및 -NO2 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기;
고리-형성 모이어티로서 *=N-*'을 포함한, C1-C60헤테로아릴기 및 2가 비-방향족 축합다환 헤테로시클릭 그룹; 및
중수소, -F, -CFH2, -CF2H, -CF3, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 치환되고, 고리-형성 모이어티로서 *=N-*'을 포함한, C1-C60헤테로아릴기 및 2가 비-방향족 축합다환 헤테로시클릭 그룹;
중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 도너 화합물은 하기 화학식 D-1으로 표시된 화합물 중에서 선택되고,
상기 억셉터 화합물은 하기 화학식 A-1 및 A-2로 표시된 화합물 중에서 선택될 수 있다:
<화학식 D-1>
Ar1-(L1)a1-Ar2
<화학식 A-1>
Ar11-(L11)a11-Ar12
<화학식 A-2>
상기 화학식 D-1, A-1, A-2 및 11 내지 14 중,
Ar1은 상기 화학식 11 및 12로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
Ar2는,
상기 화학식 11 및 12로 표시되는 그룹, 페닐기, 나프틸기 및 벤조이미다졸일기; 및
중수소, 히드록실기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기 및 벤조이미다졸일기;
중에서 선택되고,
Ar11 및 Ar12는 서로 독립적으로, 상기 화학식 13 및 14로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
X1은 N 또는 C(T14)이고, X2는 N 또는 C(T15)이고, X3는 N 또는 C(T16)이되, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고,
L1은,
단일 결합, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 카바졸일렌기, 디벤조퓨라닐렌기 및 디벤조티오페닐렌기; 및
중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 카바졸일렌기, 디벤조퓨라닐렌기 및 디벤조티오페닐렌기;
중에서 선택되고,
L11 내지 L13은 서로 독립적으로,
단일 결합, 페닐렌기, 피리디닐렌기, 피리미디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 카바졸일렌기, 디벤조퓨라닐렌기 및 디벤조티오페닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H, -CFH2, 페닐기, 시아노기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 피리디닐렌기, 피리미디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 카바졸일렌기, 디벤조퓨라닐렌기 및 디벤조티오페닐렌기;
중에서 선택되고,
a1 및 a11 내지 a13은 서로 독립적으로, 0 내지 5 중에서 선택된 정수이고, a1이 2 이상일 경우 2 이상의 L1은 서로 동일하거나 상이하고, a11이 2 이상일 경우 2 이상의 L11은 서로 동일하거나 상이하고, a12가 2 이상일 경우 2 이상의 L12는 서로 동일하거나 상이하고, a13이 2 이상일 경우 2 이상의 L13은 서로 동일하거나 상이하고,
CY1 내지 CY4는 서로 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌, 플루오렌, 카바졸, 벤조카바졸, 인돌로카바졸, 디벤조퓨란 및 디벤조티오펜 중에서 선택되고,
A1은,
단일 결합, C1-C4알킬렌기 및 C2-C4알케닐렌기; 및
중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q21)(Q22)(Q23) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C4알킬렌기 및 C2-C4알케닐렌기;
중에서 선택되고,
A2는,
단일 결합, C1-C4알킬렌기 및 C2-C4알케닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q21)(Q22)(Q23) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C4알킬렌기 및 C2-C4알케닐렌기;
중에서 선택되고,
R1, R10 및 R20은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, 히드록실기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, 히드록실기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, 히드록실기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q1)(Q2)(Q3);
중에서 선택되고,
T11 내지 T16, R2, R30, R40은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기(CN), 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3) 중에서 선택되고,
b1 내지 b4는 서로 독립적으로, 0 내지 10 중에서 선택된 정수이고,
상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
예를 들어, 상기 화학식 D-1 중 Ar1은 하기 화학식 11-1 내지 11-8 및 12-1 내지 12-8로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
상기 화학식 D-1 중 Ar2는 하기 화학식 11-1 내지 11-8 및 12-1 내지 12-8로 표시되는 그룹, 페닐기, 나프틸기 및 페닐기로 치환된 벤조이미다졸일기 중에서 선택되고,
상기 화학식 A-1 중 Ar11 및 Ar12는 서로 독립적으로, 하기 화학식 13-1 내지 13-8 및 14-1 내지 14-8로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있다:
상기 화학식 11-1 내지 11-8, 12-1 내지 12-8, 13-1 내지 13-8 및 14-1 내지 14-8 중
X11 및 X13은 서로 독립적으로, C(R17)(R18), N(R19), O 또는 S이고,
X12 및 X14는 서로 독립적으로, C(R37)(R38), N(R39), O 또는 S이고,
R1, R2, A1 및 A2에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,
R11 내지 R19에 대한 설명은 서로 독립적으로, 본 명세서 중 R10에 대한 설명을 참조하고,
R21 내지 R24에 대한 설명은 서로 독립적으로, 본 명세서 중 R20에 대한 설명을 참조하고,
R31 내지 R39에 대한 설명은 서로 독립적으로, 본 명세서 중 R30에 대한 설명을 참조하고,
R41 내지 R44에 대한 설명은 서로 독립적으로, 본 명세서 중 R40에 대한 설명을 참조하고,
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
예를 들어, 상기 화학식 11, 12, 11-1 내지 11-8 및 12-1 내지 12-8 중 A1은,
단일 결합, C1-C2알킬렌기 및 C2알케닐렌기; 및
중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q21)(Q22)(Q23) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C2알킬렌기 및 C2알케닐렌기;
중에서 선택되고,
상기 화학식 13, 14, 13-1 내지 13-8 및 14-1 내지 14-8 중 A2는,
단일 결합, C1-C2알킬렌기 및 C2알케닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q21)(Q22)(Q23) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C2알킬렌기 및 C2알케닐렌기;
중에서 선택되고,
상기 화학식 13, 14, 13-1 내지 13-8 및 14-1 내지 14-8 중 R2, R30 내지 R39 및 R40 내지 R44는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q1)(Q2)(Q3);
중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q3 및 Q21 내지 Q23은 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 D-1 중 Ar1는 하기 화학식 15-1 내지 15-17 및 16-1 내지 16-8으로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
상기 화학식 D-1 중 Ar2는 하기 화학식 15-1 내지 15-17 및 16-1 내지 16-8으로 표시되는 그룹, 페닐기, 나프틸기 및 페닐기로 치환된 이미다졸일기 중에서 선택되고,
상기 화학식 A-1 중 Ar11 및 Ar12는 서로 독립적으로, 하기 화학식 17-1 내지 17-3으로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
상기 화학식 15-1 내지 15-17, 16-1 내지 16-18 및 17-1 내지 17-3 중,
X11 및 X13은 서로 독립적으로, C(R17)(R18), N(R19), O 또는 S이고,
R' 및 R"은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고,
R1, R10, R20, R30 및 R40에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,
R10a 내지 R10c에 대한 설명은 본 명세서 중 R10에 대한 설명을 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 15-1 내지 15-17, 16-1 내지 16-18 및 17-1 내지 17-3 중,
R1, R10, R10a 내지 R10c 및 R20은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3) 중에서 선택되고,
R30 및 R40은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H 및 -CFH2;
페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H 및 -CFH2, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q1)(Q2)(Q3);
중에서 선택되고,
Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현에에 따르면,
i) 상기 도너 화합물은, 상기 화학식 D-1으로 표시되되, 상기 화학식 D-1 중 L1은 단일 결합인 화합물 중에서 선택되거나; 또는
ii) 상기 도너 화합물은, 하기 화학식 D-1(1) 내지 D-1(52)로 표시되는 화합물 중에서 선택될 수 있다:
상기 화학식 D-1(1) 내지 D-1(52) 중
Ar1 및 Ar2에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,
Y51은 서로 독립적으로, C(Z53)(Z54), N(Z55), O 또는 S이고,
Z51 내지 Z56은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택되고,
Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 D-1(1) 내지 D-1(52) 중,
Ar1은 상기 화학식 11 및 12로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
Ar2는,
상기 화학식 11 및 12로 표시되는 그룹, 페닐기, 나프틸기 및 벤조이미다졸일기; 및
중수소, 히드록실기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기 및 벤조이미다졸일기;
중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 상기 화학식 D-1(1) 내지 D-1(52) 중,
Ar1은 상기 화학식 11-1 내지 11-8 및 12-1 내지 12-8로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
Ar2는 상기 화학식 11-1 내지 11-8 및 12-1 내지 12-8로 표시되는 그룹, 페닐기, 나프틸기 및 페닐기로 치환된 벤조이미다졸일기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 화학식 A-1 및 A-2 중 L11 내지 L13은 서로 독립적으로, 하기 화학식 3-1 내지 3-56으로 표시되는 그룹 중에서 선택되고, i) a11개의 L11 중 적어도 하나, ii) a12개의 L12 중 적어도 하나 및 iii) a13개의 L13 중 적어도 하나는, 하기 화학식 3-15 내지 3-56으로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있다:
상기 화학식 3-1 내지 3-56 중,
Y1은 O, S, C(Z3)(Z4) 및 N(Z5) 중에서 선택되고,
Z1 내지 Z5는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H, -CFH2, 페닐기, 시아노기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택되고,
Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고,
d4는 0 내지 4 중에서 선택된 정수이고,
d3는 0 내지 3 중에서 선택된 정수이고,
d2는 0 내지 2 중에서 선택된 정수이고,
* 및 *'는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 A-1 및 A-2 중 *-(L11)a11-*', *-(L12)a12-*' 및 *-(L13)a13-*'로 표시되는 그룹이 하기 화학식 4-1 내지 4-39로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있다:
상기 화학식 4-1 내지 4-39 중
X21은 N 또는 C(Z21)이고, X22는 N 또는 C(Z22)이고, X23은 N 또는 C(Z23)이고, X24는 N 또는 C(Z24)이고, X31은 N 또는 C(Z31)이고, X32는 N 또는 C(Z32)이고, X33은 N 또는 C(Z33)이고, X34는 N 또는 C(Z34)이고, X41은 N 또는 C(Z41)이고, X42는 N 또는 C(Z42)이고, X43은 N 또는 C(Z43)이고, X44는 N 또는 C(Z44)이되, X21 내지 X24가 모두 N인 경우는 제외되고, X31 내지 X34가 모두 N인 경우는 제외되고, X41 내지 X44가 모두 N인 경우는 제외되고,
Z21 내지 Z24, Z31 내지 Z34 및 Z41 내지 Z44는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H, -CFH2, 페닐기, 시아노기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택되고,
Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고,
* 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
한편, 상기 화학식 A-2 중 T11 내지 T16은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H 및 -CFH2;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, -CF3, -CF2H 및 -CFH2 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H, -CFH2, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q1)(Q2)(Q3) ;
중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 A-2 중 T11 내지 T16은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, 시아노기, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기 -CF3, -CF2H 및 -CFH2;
중수소, -F, 시아노기 -CF3, -CF2H 및 -CFH2 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, -F, 시아노기, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H, -CFH2, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q1)(Q2)(Q3) ;
중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면,
i) 상기 억셉터 화합물은, 상기 화학식 A-1로 표시되되, 상기 화학식 A-1 중 Ar11 및 Ar12는 서로 독립적으로, 상기 화학식 17-1 내지 17-3으로 표시되는 그룹 중에서 선택되고, Ar11 및 Ar12 중 적어도 하나는 상기 화학식 17-2 및 17-3으로 표시되는 그룹인 화합물 중에서 선택되거나;
ii) 상기 억셉터 화합물은, 상기 화학식 A-1로 표시되되, 상기 화학식 A-1 중 L11은 상기 화학식 3-15 및 3-28로 표시되는 그룹 중에서 선택되고, a11개의 L11 중 적어도 하나는 상기 화학식 6-1 내지 6-4로 표시되는 그룹 중에서 선택된 화합물 중에서 선택되거나; 또는
iii) 상기 억셉터 화합물은, 상기 화학식 A-2로 표시되되, 상기 화학식 A-2 중 X1 내지 X3가 모두 N인 화합물 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 도너 화합물은 하기 화합물 D1 내지 D17 중에서 선택되고, 상기 억셉터 화합물은 하기 화합물 A1 내지 A11 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
상기 박막은 상술한 바와 같은 혼합물 외에 인광 도펀트를 더 포함한다.
상기 인광 도펀트는 인광 방출 메커니즘에 따라 발광할 수 있는 임의의 도펀트 중에서 선택될 수 있다.
상기 인광 도펀트는 적색 인광 도펀트, 녹색 인광 도펀트 및 청색 인광 도펀트 중에서 임의로 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 인광 도펀트는 녹색 인광 도펀트 또는 청색 인광 도펀트일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 인광 도판트는 하기 화학식 81로 표시되는 유기금속 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 81>
M(L81)n81(L82)n82
<화학식 81A>
상기 화학식 81 및 81A 중,
M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 톨륨(Tm) 및 로듐(Rh) 중에서 선택되고,
L81은 상기 화학식 81A로 표시된 리간드이고, n81은 1 내지 3 중에서 선택된 정수이고, n81이 2 이상일 경우 2 이상의 L81은 서로 동일하거나 상이하고,
L82는 유기 리간드이고, n82는 0 내지 4 중에서 선택된 정수이고, n82가 2 이상일 경우 2 이상의 L82는 서로 동일하거나 상이하고,
Y81 내지 Y84는 서로 독립적으로, 탄소(C) 또는 질소(N)이고,
Y81과 Y82는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고, Y83와 Y84는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고,
CY81 및 CY82는 서로 독립적으로, C5-C30카보시클릭 그룹 및 C1-C30헤테로카보시클릭 그룹 중에서 선택되고,
CY81과 CY82는 선택적으로(optionally), 유기 연결기(organic linking group)를 통하여 추가로 서로 결합될 수 있고,
R81 내지 R85는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, -SF5, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q81)(Q82)(Q83), -N(Q84)(Q85), -B(Q86)(Q87) 및 -P(=O)(Q88)(Q89) 중에서 선택되고,
a81 내지 a83은 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
a81이 2 이상일 경우, 2 이상의 R81은 서로 동일하거나 상이하고,
a82가 2 이상일 경우, 2 이상의 R82는 서로 동일하거나 상이하고,
a81이 2 이상일 경우, 이웃한 R81은 선택적으로 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고,
a82가 2 이상일 경우, 이웃한 R82는 선택적으로 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고,
상기 화학식 81A 중 * 및 *'은 상기 화학식 81 중 M과의 결합 사이트이고,
상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q91)(Q92)(Q93) 중에서 선택되고,
상기 Q81 내지 Q89 및 Q91 내지 Q93은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 81A 중,
a83은 1 또는 2이고,
R83 내지 R85는 서로 독립적으로,
-CH3, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CH2CH3, -CH2CD3, -CH2CD2H, -CH2CDH2, -CHDCH3, -CHDCD2H, -CHDCDH2, -CHDCD3, -CD2CD3, -CD2CD2H 및 -CD2CDH2;
n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기; 및
중수소, C1-C10알킬기 및 페닐기 중 적어도 하나로 치환된, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81A 중,
Y81은 질소이고, Y82 및 Y83은 탄소이고, Y84는 질소 또는 탄소이고,
CY81 및 CY82는 서로 독립적으로, 시클로펜타디엔, 벤젠, 헵탈렌, 인덴, 나프탈렌, 아줄렌, 헵탈렌, 인다센, 아세나프틸렌, 플루오렌, 스파이로-바이플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타센, 헥사센, 펜타센, 루비센, 코로젠, 오발렌, 피롤, 이소인돌, 인돌, 인다졸, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 이속사졸, 옥사디아졸, 티아졸, 이소티아졸, 티아디아졸, 푸린, 퓨란, 티오펜, 피리딘, 피리미딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 시놀린, 페난트리디딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 벤조티오펜, 이소벤조티아졸, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 이미다조피리딘, 이미다조피리미딘, 디벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조티오펜 설폰(dibenzothiophene sulfone), 카바졸, 디벤조실롤 및 2,3-디하이드로-1H-이미다졸 중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81A 중, Y81은 질소이고, Y82 내지 Y84는 탄소이고, CY81은 2개의 질소를 고리-구성 원자로 포함한 5원환 중에서 선택되고, CY82는 벤젠, 나프탈렌, 플루오렌, 디벤조퓨란 및 디벤조티오펜 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 81A 중, Y81은 질소이고, Y82 내지 Y84는 탄소이고, CY81은 이미다졸 또는 2,3-디하이드로-1H-이미다졸이고, CY82는 벤젠, 나프탈렌, 플루오렌, 디벤조퓨란 및 디벤조티오펜 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81A 중,
Y81은 질소이고, Y82 내지 Y84는 탄소이고,
CY81은 피롤, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 이속사졸, 옥사디아졸, 티아졸, 이소티아졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리미딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 시놀린, 벤조이미다졸, 이소벤조티아졸, 벤조옥사졸 및 이소벤조옥사졸 중에서 선택되고,
CY82는 시클로펜타디엔, 벤젠, 나프탈렌, 플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페난트렌, 안트라센, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 페릴렌, 벤조퓨란, 벤조티오펜, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 디벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조티오펜 설폰(dibenzothiophene sulfone), 카바졸 및 디벤조실롤 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81A 중
R81 및 R82는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, -SF5, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기 및 피리미디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기; 및
-B(Q86)(Q87) 및 -P(=O)(Q88)(Q89);
중에서 선택되고,
Q86 내지 Q89는 서로 독립적으로,
-CH3, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CH2CH3, -CH2CD3, -CH2CD2H, -CH2CDH2, -CHDCH3, -CHDCD2H, -CHDCDH2, -CHDCD3, -CD2CD3, -CD2CD2H 및 -CD2CDH2;
n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기; 및
중수소, C1-C10알킬기 및 페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기;
중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81A 중 R81 및 R82는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, 시아노기, 니트로기, -SF5, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, 이소헥실기, sec-헥실기, tert-헥실기, n-헵틸기, 이소헵틸기, sec-헵틸기, tert-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, sec-노닐기, tert-노닐기, n-데실기, 이소데실기, sec-데실기, tert-데실기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기 및 피리미디닐기;
중수소, -F, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 시아노기, 니트로기, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기 및 피리미디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, 이소헥실기, sec-헥실기, tert-헥실기, n-헵틸기, 이소헵틸기, sec-헵틸기, tert-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, sec-노닐기, tert-노닐기, n-데실기, 이소데실기, sec-데실기, tert-데실기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기 및 피리미디닐기; 및
-B(Q86)(Q87) 및 -P(=O)(Q88)(Q89);
중에서 선택되고,
Q86 내지 Q89는 서로 독립적으로,
-CH3, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CH2CH3, -CH2CD3, -CH2CD2H, -CH2CDH2, -CHDCH3, -CHDCD2H, -CHDCDH2, -CHDCD3, -CD2CD3, -CD2CD2H 및 -CD2CDH2;
n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기; 및
중수소, C1-C10알킬기 및 페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기;
중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81A 중 R81 및 R82는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, 시아노기, 니트로기, -SF5, -CH3, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 하기 화학식 9-1 내지 9-19로 표시되는 그룹 및 하기 화학식 10-1 내지 10-30으로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
상기 화학식 9-1 내지 9-17 및 10-1 내지 10-30 중 *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81A 중 a81개의 R81 및 a82개의 R82 중에서 선택된 적어도 하나는 시아노기일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81A 중 a82개의 R82 중 적어도 하나는 시아노기일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81A 중 a81개의 R81 및 a82개의 R82 중에서 선택된 적어도 하나는 중수소일 수 있다. 또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81 중 L82는, 하기 화학식 3-1(1) 내지 3-1(60), 3-1(61) 내지 3-1(69), 3-1(71) 내지 3-1(79), 3-1(81) 내지 3-1(88), 3-1(91) 내지 3-1(98) 및 3-1(101) 내지 3-1(114)로 표시되는 리간드 중에서 선택될 수 있다:
상기 화학식 3-1(1) 내지 3-1(60), 3-1(61) 내지 3-1(69), 3-1(71) 내지 3-1(79), 3-1(81) 내지 3-1(88), 3-1(91) 내지 3-1(98) 및 3-1(101) 내지 3-1(114) 중
X1은 O, S, C(Z21)(Z22) 또는 N(Z23)이고,
X31은 N 또는 C(Z1a)이고, X32는 N 또는 C(Z1b)이고,
X41은 O, S, N(Z1a) 또는 C(Z1a)(Z1b)이고,
Z1 내지 Z4, Z1a, Z1b, Z1c, Z1d, Z2a, Z2b, Z2c, Z2d, Z11 내지 Z14 및 Z21 내지 Z23은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, -SF5, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기 및 피리미디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기; 및
-B(Q86)(Q87) 및 -P(=O)(Q88)(Q89);
중에서 선택되고,
Q86 내지 Q89는 서로 독립적으로,
-CH3, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CH2CH3, -CH2CD3, -CH2CD2H, -CH2CDH2, -CHDCH3, -CHDCD2H, -CHDCDH2, -CHDCD3, -CD2CD3, -CD2CD2H 및 -CD2CDH2;
n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기; 및
중수소, C1-C10알킬기 및 페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기;
중에서 선택되고,
d2 및 e2는 서로 독립적으로, 0 또는 2이고,
e3는 0 내지 3에서 선택된 정수이고,
d4 및 e4는 서로 독립적으로, 0 내지 4에서 선택된 정수이고,
d6 및 e6는 서로 독립적으로, 0 내지 6에서 선택된 정수이고,
d8 및 e8은 서로 독립적으로, 0 내지 8에서 선택된 정수이고,
* 및 *'은 화학식 1 중 M과의 결합 사이트이다.
예를 들어, 상기 Z1 내지 Z4, Z1a, Z1b, Z1c, Z1d, Z2a, Z2b, Z2c, Z2d, Z11 내지 Z14 및 Z21 내지 Z23은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, 시아노기, 니트로기, -SF5, -CH3, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 상기 화학식 9-1 내지 9-19로 표시되는 그룹 및 상기 화학식 10-1 내지 10-30으로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81 중 M은 Ir이고, n81 + n82는 3이거나; 또는 M은 Pt이고, n81 + n82는 2일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 81로 표시되는 유기금속 화합물은 양이온과 음이온의 쌍으로 이루어진 염이 아닌, 중성(neutral)일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 박막 중 인광 도펀트는 하기 화합물 PD1 내지 PD79 및 FIr6 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 박막 중 상기 인광 도펀트의 함량은 통상적으로, 상기 혼합물 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 20 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 인광 도펀트의 함량이 상기 범위를 만족할 경우, 소광 현상없는 발광 구현이 가능할 수 있다.
상기 박막은 전자 소자, 예를 들면, 유기 발광 소자의 유기막에 적용될 수 있다. 따라서, 다른 측면에 따르면, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기층;을 포함하고, 상기 유기층은 상기 박막을 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.
일 구현예에 따르면, 상기 유기막에 포함된 상기 박막은 발광층일 수 있다. 여기서, 상기 발광층에 포함된 상기 혼합물은 호스트의 역할을 할 수 있다. 상기 발광층에 포함된 상기 혼합물의 함량은 상기 인광 도펀트의 함량은 상기 혼합물의 함량보다 작을 수 있다.
상기 박막 중 "상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물로 이루어진 혼합물"의 도너 화합물과 억셉터 화합물은 엑시플렉스를 형성하며, 상기 엑시플렉스의 최대 발광 파장 및 지연 발광 성분의 감쇠 시간은 본 명세서에 기재된 바와 같은 범위를 만족하므로, 상기 혼합물은 상대적으로 높은 T1 에너지 레벨을 가지면서, 동시에 상대적으로 낮은 S1 에너지 레벨을 제공할 수 있다. 이로써, 상기 혼합물 중 엑시플렉스의 S1 에너지 레벨과 상기 인광 도펀트의 T1 에너지 레벨 차이가 상대적으로 작아질 수 있어, 상기 박막의 혼합물(예를 들면, 호스트의 역할을 함)에서 인광 도펀트로의 에너지 전달이 효과적으로 이루어질 수 있는 바, 상기 박막을 채용한 전자 소자, 예를 들면, 유기 발광 소자는 낮은 구동전압, 고효율과 장수명을 동시에 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. 유기 발광 소자(10)는 제1전극(11), 유기층(15) 및 제2전극(19)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
상기 제1전극(11) 하부 또는 제2전극(19) 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
상기 제1전극(11)은 예를 들면, 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(11)은 애노드일 수 있다. 상기 제1전극용 물질은 정공 주입이 용이하도록 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(11)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등과 같은 금속을 이용할 수 있다.
상기 제1전극(11)은 단일층 또는 2 이상의 층을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(11)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(11) 상부로는 유기층(15)이 배치되어 있다.
상기 유기층(15)은 정공 수송 영역(hole transport region); 발광층(emission layer); 및 전자 수송 영역(electron transport region);을 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 제1전극(11)과 발광층 사이에 배치될 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 및 버퍼층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층만을 포함하거나, 정공 수송층만을 포함할 수 있다. 또는, 상기 정공 수송 영역은, 제1전극(11)로부터 차례로 적층된, 정공 주입층/정공 수송층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있다.
정공 수송 영역이 정공 주입층을 포함할 경우, 정공 주입층(HIL)은 상기 제1전극(11) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층 재료로 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 약 100 내지 약 500℃, 진공도 약 10-8 내지 약 10-3torr, 증착 속도 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 코팅 조건은 정공주입층 재료로 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송층 및 전자 저지층 형성 조건은 정공 주입층 형성 조건을 참조한다.
상기 정공 수송 영역은, 예를 들면, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, methylated-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산), PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:
<화학식 201>
<화학식 202>
상기 화학식 201 중, Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기;
중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 201 중, 상기 xa 및 xb는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수, 또는 0, 1 또는 2일 수 있다. 예를 들어, 상기 xa는 1이고, xb는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201 및 202 중, 상기 R101 내지 R108, R111 내지 R119 및 R121 내지 R124는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등) 및 C1-C10알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기 등);
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염 및 인산기 또는 이의 염, 중 하나 이상으로 치환된, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 및 파이레닐기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201 중, R109는,
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기;
중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 201A>
상기 화학식 201A 중, R101, R111, R112 및 R109에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화합물 HT1 내지 HT20을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
상기 정공 수송 영역의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층을 모두 포함한다면, 상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. 상기 p-도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 HT-D1, HP-1 등과 같은 시아노기-함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<화합물 HT-D1> <F4-TCNQ>
<HP-1>
상기 정공 수송 영역은, 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 효율을 증가시키는 역할을 수 있다.
상기 정공 수송 영역은, 전자 저지층을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 저지층은 공지의 물질, 예를 들면, mCP를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또는, 상기 전자 저지층 재료로서, 상기 발광층에 포함된 도너 화합물을 사용할 수 있다.
상기 정공 수송 영역 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및/또는 청색 발광층이 적층된 구조를 가짐으로써, 백색광을 방출할 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다.
상기 발광층은 상술한 바와 같은 박막을 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 발광층은 상기 박막만을 포함한 단일층 구조이거나, 공지의 다른 발광층을 더 포함한 다층 구조일 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
다음으로 발광층 상부에 전자 수송 영역이 배치된다.
전자 수송 영역은 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역은 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층 또는 전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전자 수송층은 단일층 또는 2 이상의 서로 다른 물질을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 수송 영역의 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 형성 조건은 정공 주입층의 형성 조건을 참조한다.
상기 전자 수송 영역이 정공 저지층을 포함할 경우, 상기 정공 저지층은 예를 들면, 하기 BCP 및 Bphen 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또는, 상기 정공 저지층 재료로서, 상기 발광층에서 사용된 억셉터 화합물과 동일한 화합물을 사용할 수 있다.
상기 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층은 상기 BCP, Bphen 및 하기 Alq3, BAlq, TAZ 및 NTAZ 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
또는, 상기 전자 수송층 중 전자 수송 물질은 하기 화학식 40 또는 41로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 40>
<화학식 41>
상기 화학식 40 및 41 중
L41 및 L42는 서로 독립적으로,
C6-C60아릴렌기, C1-C60헤테로아릴렌기, 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페난쓰레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C60아릴렌기, C1-C60헤테로아릴렌기, 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 중에서 선택되고,
a41 및 a42는 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
Ar41 및 Ar42는 서로 독립적으로,
C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페난쓰레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 중에서 선택되고,
R41 및 R42는 서로 독립적으로,
벤조이미다졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조피리미디닐기, 이미다조피리디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 페닐기, 나프틸기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 및 페난트레닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 벤조이미다졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조피리미디닐기, 이미다조피리디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 페닐기, 나프틸기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 및 페난트레닐기 중 적어도 하나로 치환된, 벤조이미다졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조피리미디닐기, 이미다조피리디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 페닐기, 나프틸기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 및 페난트레닐기; 중에서 선택될 수 있다.
상기 상기 화학식 40 및 41 중 L41 및 L42에 대한 상세한 설명은 본 명세서 중 L11에 대한 설명을 참조한다.
또는, 상기 전자 수송층 중 전자 수송 물질은, 하기 화학식 42로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 42>
상기 화학식 42 중
T1은 N 또는 C(R201)이고, T2는 N 또는 C(R202)이고, T3는 N 또는 C(R203)이되, T1 내지 T3 중 적어도 하나는 N이고,
R201 내지 R203은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페난쓰레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 중에서 선택되고,
Ar201 내지 Ar203는 서로 독립적으로,
C6-C60아릴렌기, C1-C60헤테로아릴렌기, 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페난쓰레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C60아릴렌기, C1-C60헤테로아릴렌기, 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 중에서 선택되고,
p, q 및 r은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2이고;
Ar211 및 Ar213은 서로 독립적으로,
C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페난쓰레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 중에서 선택된다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 42 중 T1 내지 T3 중 적어도 2개는 N일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 42 중 T1 내지 T3는 모두 N일 수 있다.
상기 화학식 42 중, Ar201 내지 Ar203은 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 안트릴렌기, 파이레닐렌기, 플루오레닐렌기, 트리페닐레닐기, 피리디닐렌기 및 피리미디닐렌기; 및
페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 파이레닐기, 플루오레닐기, 트리페닐레닐기, 피리디닐기 및 피리미디닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 안트릴렌기, 파이레닐렌기, 플루오레닐렌기, 트리페닐레닐기, 피리디닐렌기 및 피리미디닐렌기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 42 중, p, q 및 r은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 42 중, p, q 및 r은 서로 독립적으로, 0 또는 1일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 42 중 Ar211 내지 Ar213은, 서로 독립적으로,
페닐기, 나프틸기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 페난쓰레닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조피리미디닐기, 이미다조피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기 및 트리아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페난쓰레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 페난쓰레닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조피리미디닐기, 이미다조피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기 및 트리아지닐기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 42 중 Ar211 내지 Ar213 중 적어도 하나는 서로 독립적으로,
벤조이미다졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조피리미디닐기, 이미다조피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기 및 트리아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페난쓰레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 벤조이미다졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조피리미디닐기, 이미다조피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기 및 트리아지닐기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 20A의 Ar211 내지 Ar213 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 페난트레닐기일 수 있다.
예를 들어, 상기 전자 수송층은, 하기 화합물 ET1 내지 ET17 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화합물 ET1> <화합물 ET2>
<화합물 ET3> <화합물 ET4>
<화합물 ET5> <화합물 ET6>
<화합물 ET7> <화합물 ET8>
<화합물 ET8> <화합물 ET10>
<화합물 ET11> <화합물 ET12>
<화합물 ET13> <화합물 ET14>
<화합물 ET15> <화합물 ET16>
<화합물 ET17>
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.
또한 전자 수송 영역은, 제2전극(19)으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다.
상기 전자 주입층은, LiF, NaCl, CsF, Li2O 및 BaO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 예를 들면, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
상기 유기층(15) 상부로는 제2전극(19)이 구비되어 있다. 상기 제2전극(19)은 캐소드일 수 있다. 상기 제2전극(19)용 물질로는 상대적으로 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 제2전극(19) 형성용 물질로 사용할 수 있다. 또는, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용하여 투과형 제2전극(19)을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 중 C1-C60알킬기는 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 포솨 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C60알콕시기는 -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.
본 명세서 중 C2-C60알케닐기는 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함한 구조를 가지며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알키닐기는 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함한 구조를 가지며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기(ethynyl), 프로피닐기(propynyl), 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는 N, O, P, Si 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 포화 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromaticity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예는, 2,3-디히드로퓨라닐기, 2,3-디히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함한다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로아릴렌기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기의 구체예는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기 및 C1-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.
본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함(예를 들어, 탄소수는 8 내지 60일 수 있음)하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹을 의미한다. 상기 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예는 플루오레닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소(예를 들어, 탄소수는 2 내지 60일 수 있음) 외에 N, O, P 및 S 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은, 카바졸일기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중, 상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 또는 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 또는 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 또는 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 또는 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 또는 -B(Q36)(Q37); 이고;
상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 또는 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹이다.
본 명세서 중 "상온"이란 약 25℃의 온도를 가리킨다.
이하, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 화합물 및 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 하기 합성예 중 "'A' 대신 'B'를 사용하였다"란 표현 중 'B'의 사용량과 'A'의 사용량은 몰당량 기준으로 동일하다.
[실시예]
평가예 1 : PL 스펙트럼 및 TRPL 스펙트럼 평가
클로로포름과 순수물로 세정한 쿼츠(quartz)기판을 준비한 다음, 하기 표 1에 기재된 소정의 물질을 10-7 torr의 진공도에서 진공(공)증착하여 50nm 두께의 필름 D1, A1, D1:A1, A2, D1:A2, A3, D1:A3, D11, D11:A2, TCTA, BmPyPb, TCTA:BmPyPb, CBP, B3PYMPM, CBP:B3PYMPM 및 TCTA:3TPYMB를 준비하였다.
| 필름 명칭 | 필름 제작에 사용된 화합물 |
| 필름 D1 | 화합물 D1 |
| 필름 A1 | 화합물 A1 |
| 필름 D1:A1 | 화합물 D1 : 화합물 A1 (1:1의 부피비) |
| 필름 A2 | 화합물 A2 |
| 필름 D1:A2 | 화합물 D1 : 화합물 A2 (1:1의 부피비) |
| 필름 A3 | 화합물 A3 |
| 필름 D1:A3 | 화합물 D1 : 화합물 A3 (1:1의 부피비) |
| 필름 D11 | 화합물 D11 |
| 필름 D11:A2 | 화합물 D11 : 화합물 A2 (1:1의 부피비) |
| 필름 TCTA | TCTA |
| 필름 BmPyPb | BmPyPb |
| 필름 TCTA:BmPyPb | TCTA : BmPyPb (1:1의 부피비) |
| 필름 CBP | CBP |
| 필름 B3PYMPM | B3PYMPM |
| 필름 CBP:B3PYMPM | CBP:B3PYMPM (1:1의 부피비) |
| 필름 TCTA:3TPYMB | TCTA : 3TPYMB (1:1의 부피비) |
이어서, 상술한 바와 같이 준비된 필름 D1, A1, D1:A1, A2, D1:A2, A3, D1:A3, BmPyPb, TCTA, TCTA:BmPyPb, CBP, B3PYMPM, CBP:B3PYMPM, D11 및 D11:A2 각각에 대하여, Hamamatus사의 absolute PL quantum yield 측정시스템인 Quantaurus-QY를 이용하여, PL 스펙트럼을 상온에서 평가하여, 그 결과를 도 2a 내지 2f에 각각 나타내었다.
도 2a 중 필름 D1:A1의 PL 스펙트럼은 필름 D1 및 필름 A1의 PL 스펙트럼에 비하여 장파장 방향으로 쉬프트하였고, 도 2b 중 필름 D1:A2의 PL 스펙트럼은 필름 D1 및 필름 A2의 PL 스펙트럼에 비하여 장파장 방향으로 쉬프트하였고, 도 2c 중 필름 D1:A3의 PL 스펙트럼은 필름 D1 및 필름 A3의 PL 스펙트럼에 비하여 장파장 방향으로 쉬프트하였음을 확인할 수 있는 바, 도 2f 중 필름 D11:A2의 PL 스펙트럼은 필름 D11 및 필름 A2의 PL 스펙트럼에 비하여 장파장 방향으로 쉬프트하였음을 확인할 수 있는 바, 필름 D1:A1, 필름 D1:A2, 필름 D1:A3 및 필름 D11:A2 제작에 사용된 화합물 조합 각각은 엑시플렉스를 형성함을 확인할 수 있다.
또한, 도 2a 중 필름 D1:A1의 λmax는 약 423nm이고, 도 2b 중 필름 D1:A2의 λmax는 약 427nm 이고, 도 2c 중 필름 D1:A3의 λmax는 약 412nm이고, 도 2f 중 필름 D11:A2의 λmax는 약 430nm임을 확인하였는 바, 화합물 D1 및 A1으로부터 형성된 엑시플렉스, 화합물 D1 및 A2 로부터 형성된 엑시플렉스, 화합물 D1 및 A3로부터 형성된 엑시플렉스 및 화합물 D11 및 A2로부터 형성된 엑시플렉스는 각각 청색광을 방출할 수 있음을 확인하였고, 이는 모두 디스플레이용 청색광 (460 ( 10 nm) 발광체로의 에너지 전달이 가능한 파장대이다.
한편, 도 2d 중 필름 TCTA:BmPyPb의 PL 스펙트럼은 필름 TCTA 및 필름 BmPyPb의 PL 스펙트럼에 비하여 장파장 방향으로 쉬프트하였고, 도 2e 중 필름 CBP:B3PYMPM의 PL 스펙트럼은 필름 CBP 및 필름 B3PYMPM의 PL 스펙트럼에 비하여 장파장 방향으로 쉬프트하였음을 확인할 수 있는 바, 필름 TCTA:BmPyPb 및 필름 CBP:B3PYMPM 제작에 사용된 화합물 조합 각각은 엑시플렉스를 형성함을 확인할 수 있다.
이어서, 필름 D1, A1, D1:A1, A2, D1:A2, A3, D1:A3, TCTA:BmPyPb, CBP:B3PYMPM 및 D11:A2 각각 대하여 PicoQuant사의 TRPL 측정시스템인 FluoTime 300과 PicoQuant사의 pumping laser인 PLS340 (여기 파장 = 340 나노미터, spectral width = 20나노미터)을 이용하여, PL 스펙트럼을 상온에서 평가한 후, 상기 스펙트럼의 main peak의 파장을 결정하고, PLS340이 상기 각각의 필름에 가하는 photon pulse (pulse width = 500 피코초)에 의해 상기 각각의 필름으로부터 main peak의 파장에서 방출되는 photon의 개수를 Time-Correlated Single Photon Counting (TCSPC)을 기반으로 시간에 따라 측정하는 것을 반복하여, fitting이 충분히 가능한 TRPL 커브를 구하였다. 이로부터 얻은 결과에 둘 혹은 그 이상의 exponential decay function을 fitting하여 필름 D1:A1, D1:A2, D1:A3, TCTA:BmPyPb, CBP:B3PYMPM 및 D11:A2의 Tdecay(Ex)를 구하였다. Fitting에 사용되는 function은 하기 <수식 1>과 같고, fitting에 사용된 각 exponential decay function으로부터 얻은 Tdecay 중 가장 큰 값을 Tdecay(Ex)로 취하였다. 나머지 Tdecay 값들은 일반 fluorescence의 decay의 lifetime을 결정하는데 사용될 수 있다. 이 때, TRPL 커브를 구하기 위한 측정 시간과 동일한 측정 시간동안 동일한 측정을 dark상태(상기 소정의 필름으로 입사되는 pumping signal을 차단한 상태임)에서 한 번 더 반복하여 baseline 혹은 background signal 커브를 얻어 fitting에 baseline으로 사용하였다.
이어서, 시간에 따른 전체 발광 세기(intensity) 적분값에 대한, 상기 Tdecay(Ex)로 결정되는 exponential decay curve (=시간에 따른 intensity 변화)를 시간에 대해 적분한 값의 비를 계산함으로써, 전체 발광 성분에 대한 지연 형광 성분의 비율을 평가하였다.
<수식 1>
도 3a 내지 3f 중 필름 D1:A1, D1:A2, D1:A3, TCTA:BmPyPb, CBP:B3PYMPM 및 D11:A2의 그래프 중 지연 형광의 감쇠 시간과 전체 발광 성분에 대한 지연 형광 성분의 비율을 각각 정리하며 하기 표 2와 같다:
| 필름 명칭 | Tdecay(Ex) | 전체 발광 성분에 대한 지연 형광 성분의 비율 |
| 필름 D1:A1 | 158 나노초(ns) | 42% |
| 필름 D1:A2 | 230 나노초(ns) | 65% |
| 필름 D1:A3 | 315 나노초(ns) | 10% |
| 필름 TCTA:BmPyPb | 75 나노초(ns) | 4% |
| 필름 CBP:B3PYMPM | 173 나노초(ns) | 8% |
| 필름 D11:A2 | 193 나노초(ns) | 53.53% |
이로부터, i) 화합물 D1 및 A1으로부터 형성된 엑시플렉스, ii) 화합물 D1 및 A2로부터 형성된 엑시플렉스, iii) 화합물 D1 및 A3로부터 형성된 엑시플렉스 및 iv) 화합물 D11 및 A2로부터 형성된 엑시플렉스는 100ns 이상의 Tdecay(Ex) 및 10% 이상의 지연 형광 성분의 비율을 "동시에" 가짐을 확인하였다.
반면, 필름 TCTA:BmPyPb 및 필름 CBP:B3PYMPM에서는 엑시플렉스 형성은 확인되나, 상기 필름의 지연 형광 성분의 비율은 전체 발광 성분에 대하여 10% 미만이므로, 상기 필름 중 엑시플렉스에 의한 지연 형광이 전체 형광에 기여하는 바가 상대적으로 작음을 확인할 수 있다.
평가예 2 : HOMO 및 LUMO 에너지 레벨 평가
하기 표 3에 기재된 방법에 따라, 화합물 D1, A1, A2 및 A3에 대하여 HOMO 및 LUMO 에너지 레벨을 평가하여 그 결과를 표 4에 나타내고, HOMO 및 LUMO 차이를 계산하여 표 5에 나타내었다.
| HOMO 에너지 레벨 평가 방법 | Cyclic voltammetry (CV) (전해질: 0.1 M Bu4NPF6 / 용매: CH2Cl2을 / 전극: 3전극 시스템(작업전극: Pt disc (1mm diameter), 기준전극: Pt wire, 보조전극: Pt wire))를 이용하여 각 화합물의 전위(V)-전류(A) 그래프를 얻을 후, 상기 그래프의 산화 온셋(oxidation onset)으로부터 각 화합물의 HOMO 에너지 레벨을 계산함 |
| LUMO 에너지 레벨 평가 방법 | 각 화합물을 CHCl3에 1x10-5M의 농도로 희석시켜, 시마즈 유브이-350 스펙트로메터(Shimadzu UV-350 Spectrometer)를 이용하여, 상온에서 UV 흡수 스펙트럼을 측정한 후, 상기 흡수 스펙트럼의 에지(edge)로부터의 광학 밴드갭(optical band gap)(Eg) 및 HOMO 에너지 레벨을 이용하여 LUMO 에너지 레벨을 계산함 |
| 화합물 No. | HOMO 에너지 레벨(eV) (실측치) |
LUMO 에너지 레벨(eV) (실측치) |
| D1 | -5.489 | -2.025 |
| A1 | -5.677 | -2.108 |
| A2 | -5.753 | -2.236 |
| A3 | -5.747 | -2.221 |
| 항목 | 계산값(eV) |
| |HOMO(A1) - HOMO(D1)| | 0.188 |
| |HOMO(A2) - HOMO(D1)| | 0.264 |
| |HOMO(A3) - HOMO(D1)| | 0.258 |
| |LUMO(A1) - LUMO(D1)| | 0.083 |
| |LUMO(A2) - LUMO(D1)| | 0.211 |
| |LUMO(A3) - LUMO(D1)| | 0.196 |
하기 표 4 및 5로부터 화합물 D1, A1, A2 및 A3는 지연 형광을 방출할 수 있는 엑시플렉스 형성에 적합한 전기적 특성을 가짐을 확인할 수 있다.
평가예 3 : 발광 안정성 평가
필름 D11:A2, TCTA:BmPyPb, CBP:B3PYMPM 및 TCTA:3TPYMB 형성 직후, 각각의 필름에 대하여, KIMMON-KOHA 사의 He-Cd laser (여기 파장 = 325 나노미터)를 이용하여, 외기가 차단된 Ar 분위기 하에서, 상온에서 PL 스펙트럼을 평가한 후, 상기 PL 스펙트럼 중 최대 발광 파장 광의 세기인 I1(a.u.)를 측정하여 하기 표 6에 요약하였다.
이어서, 외기가 차단된 Ar 분위기 하에서, 상기 필름 D11:A2, TCTA:BmPyPb, CBP:B3PYMPM 및 TCTA:3TPYMB 각각을 상기 I1 평가시 사용된 pumping laser인 KIMMON-KOHA 사의 He-Cd laser (여기 파장 = 325 나노미터)의 광에 3시간 동안 노출시킨 다음 수득한 필름에 대하여, KIMMON-KOHA 사의 He-Cd laser (여기 파장 = 325 나노미터)을 이용하여, 상온에서 PL 스펙트럼을 평가한 후, 상기 PL 스펙트럼 중 최대 발광 파장 광의 세기인 I2(a.u.)를 측정하여 하기 표 6에 요약하였다.
필름 D11:A2, TCTA:BmPyPb, CBP:B3PYMPM 및 TCTA:3TPYMB 각각의 필름 형성 직후 측정한 발광 스펙트럼(As prepared) 및 레이저 광을 3시간동안 조사한 후 측정한 발광 스펙트럼(3-hr exposed)은 각각 도 4a 내지 4d에 나타내었다.
상술한 바와 같이 측정된 I1 및 I2로부터 (I2 / I1) x 100 (%)를 계산하여 얻은 각 필름에 대한 발광 안정성을 하기 표 6에 나타내었다.
| 필름 명칭 | I1 (a.u.) | I2 (a.u.) | (I2 / I1) x 100 (%) (발광 안정성) |
| 필름 D11:A2 | 0.045 | 0.039 | 87 |
| 필름 TCTA:BmPyPb | 0.067 | 0.039 | 58 |
| 필름 CBP:B3PYMPM | 0.078 | 0.044 | 56 |
| 필름 TCTA:3TPYMB | 0.028 | 0.008 | 29 |
상기 표 6으로부터, 필름 D11:A2는 필름 TCTA:BmPyPb, CBP:B3PYMPM 및 TCTA:3TPYMB에 비하여 높은 발광 안정성을 가짐을 확인할 수 있다.
실시예 1: OLED의 제작
애노드로서 ITO전극이 형성된 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.5mm크기로 잘라서 아세톤 이소프로필 알콜과 순수물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하였다.
상기 애노드 상에 화합물 HT3 및 HP-1 (HP-1의 농도는 3wt%임)를 공증착하여 100Å 두께의 정공 주입층을 형성하고, 상기 정공 주입층 상에 화합물 HT3을 증착하여 정공 수송층을 형성하고, 상기 정공 수송층 상에 화합물 D1를 증착하여 100Å 두께의 전자 저지층을 형성하여, 1700Å 두께의 정공 수송층을 형성하였다.
상기 정공 수송층 상에 화합물 D1, 화합물 A1 및 화합물 PD79을 공증착하여, 400Å 두께의 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 상에 화합물 A4를 진공 증착하여 100Å 두께의 정공 저지층을 형성하고, 상기 정공 저지층 상에 화합물 ET17 및 LiQ를 5:5의 중량비로 공증착하여 360Å 두께의 전자 수송층을 형성한 다음, 상기 전자 수송층 상에 LiQ를 증착하여 5Å 두께의 전자 주입층을 형성하고, 상기 전자 주입층 상에 120Å 두께의 Al을 형성함으로써, 유기 발광 소자를 제작하였다. 제작된 OLED 1 내지 3과 10 및 OLED A 및 B의 발광층 형성시 사용된 도너 화합물, 억셉터 화합물 및 인광 도펀트와 이들의 부피비는 표 7과 같다.
| OLED No. | 도너 화합물 | 억셉터 화합물 | 인광 도펀트 | 부피비 |
| 1 | 화합물 D1 | 화합물 A1 | PD79 | 27:63:10 |
| 2 | 화합물 D1 | 화합물 A2 | PD79 | 27:63:10 |
| 3 | 화합물 D1 | 화합물 A3 | PD79 | 27:63:10 |
| 10 | 화합물 D11 | 화합물 A2 | PD79 | 27:63:10 |
| A | TCTA | BmPyPb | PD79 | 27:63:10 |
| B | CBP | B3PYMPM | PD79 | 27:63:10 |
평가예 4
제작된 유기 발광 소자 OLED 1, 2, 3, 10, A 및 B의 구동 전압, 효율, 전력효율, 색순도(CIEx, CIEy), 롤-오프 비 및 수명(T95) 특성을 전류-전압계(Keithley 2400) 및 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 측정하고 그 결과를 표 8에 정리하였다. 표 8 중 T95(at 500nit) 초기 휘도 100% 기준으로 95%의 휘도가 되는데 걸리는 시간을 평가한 수명 데이터이다. 롤-오프 비는 하기 <식 20>에 따라 계산하였다:
<식 20>
Roll off = {1- (효율 (at 9000nit) / 최대 발광 효율)} X 100%
| OLED No. | 도너 화합물 | 억셉터 화합물 | 인광 도펀트 | 구동 전압 (V) |
효율 (cd/A) |
CIE_x | CIE_y | 수명 (T95) (hr) |
| 1 | 화합물 D1 | 화합물 A1 | PD79 | 3.54 | 37.23 | 0.176 | 0.298 | 12.4 |
| 2 | 화합물 D1 | 화합물 A2 | PD79 | 3.62 | 40.32 | 0.172 | 0.272 | 32.4 |
| 3 | 화합물 D1 | 화합물 A3 | PD79 | 3.72 | 40.99 | 0.171 | 0.291 | 13.7 |
| 10 | 화합물 D11 | 화합물 A2 | PD79 | 3.61 | 40.00 | 0.168 | 0.246 | 46.3 |
| A | TCTA | BmPyPB | PD79 | 4.48 | 24.53 | 0.171 | 0.290 | 0.5 |
| B | CBP | B3PYMPM | PD79 | 5.95 | 19.66 | 0.172 | 0.293 | 1 |
상기 표 8로부터, OLED 1, 2, 3 및 10은 OLED A 및 B에 비하여 저구동 전압, 고효율 및 장수명을 가짐을 확인할 수 있다.
실시예 2: 전면 발광 OLED의 제작
반사체로서 Ag가 형성되었고, 상기 Ag 반사체 상에 애노드로서 ITO전극이 형성된 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.5mm크기로 잘라서 아세톤 이소프로필 알콜과 순수물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하였다.
상기 애노드 상에 화합물 HT3 및 HP-1 (HP-1의 농도는 3wt%임)를 공증착하여 100Å 두께의 정공 주입층을 형성하고, 상기 정공 주입층 상에 화합물 HT3을 증착하여 정공 수송층을 형성하고, 상기 정공 수송층 상에 화합물 D1를 증착하여 100Å 두께의 전자 저지층을 형성하여, 1700Å 두께의 정공 수송층을 형성하였다.
상기 정공 수송층 상에 화합물 D1, 화합물 A2 및 인광 도펀트(PD79)를 공증착하여, 400Å 두께의 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 상에 화합물 ET17 및 LiQ를 5:5의 중량비로 공증착하여 360Å 두께의 전자 수송층을 형성한 다음, 상기 전자 수송층 상에 LiQ를 증착하여 5Å 두께의 전자 주입층을 형성하고, 상기 전자 주입층 상에 120Å 두께의 MgAg 전극(Ag의 함량은 10wt%임)을 형성하고, 상기 MgAg 전극 상에 화합물 HT13을 형성하여 600Å 두께의 캡핑층을 형성함으로써, 전면 발광 유기 발광 소자를 제작하였다. 이를 OLED 4라 한다.
평가예 5
상기 OLED 4의 구동 전압, 효율, 색순도 (CIEy), 및 수명(T95) 특성을 전류-전압계(Keithley 2400) 및 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 측정한 결과를 도 5a, 5b 및 5c와 표 9에 나타내었다. 표 9 중 T95(at 500nit) 초기 휘도 100% 기준으로 95%의 휘도가 되는데 걸리는 시간을 평가한 수명 데이터이다.
| OLED No. | 도너 화합물 | 억셉터 화합물 | 인광 도펀트 | 구동 전압 (V) |
효율 (cd/A) |
CIE_y | 수명 (L95) (hr) |
| 4 | 화합물 D1 | 화합물 A2 | 화합물 PD79 | 4.44 | 14.00 | 0.056 | 3.6 |
상기 표 9로부터, OLED 4는 저구동전압, 고효율 및 장수명을 가짐을 확인할 수 있다.
10: 유기 발광 소자
11: 제1전극
15: 유기층
19: 제2전극
11: 제1전극
15: 유기층
19: 제2전극
Claims (20)
- i) 도너 화합물 및 억셉터 화합물로 이루어진 혼합물 및 ii) 인광 도펀트를 포함하고,
상기 도너 화합물과 상기 억셉터 화합물은 엑시플렉스를 형성하고,
상기 엑시플렉스의 발광 스펙트럼(photoluminescence(PL) spectrum) 중 최대 발광 파장(λmax(Ex))은 390nm 이상 및 490nm 이하이고,
상기 엑시플렉스의 시간-분해 발광 스펙트럼(time-resolved photoluminescence(TRPL) spectrum) 중 지연 형광(delayed fluorescence)의 감쇠 시간(decay time)(Tdecay(Ex))은 100나노초(ns) 이상이고,
상기 엑시플렉스의 시간-분해 발광 스펙트럼 중 전체 발광 성분에 대한 지연 형광 성분의 비율이 10% 이상이고,
상기 엑시플렉스의 발광 안정성(PL stability)는 59% 이상이고,
상기 엑시플렉스의 PL 스펙트럼 및 TRPL 스펙트럼 각각은, 상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물을 기판 상에 공증착하여 형성된 필름에 대하여 상온에서 측정된 스펙트럼이고,
상기 엑시플렉스의 발광 안정성은 하기 <수식 10>에 의하여 평가되고,
상기 도너 화합물은 하기 화학식 D-1으로 표시된 화합물 중에서 선택되고,
상기 억셉터 화합물은 하기 화학식 A-1 및 A-2로 표시된 화합물 중에서 선택된, 박막:
<수식 10>
발광 안정성 (%) = (I2 / I1) x 100
<화학식 D-1>
Ar1-(L1)a1-Ar2
<화학식 A-1>
Ar11-(L11)a11-Ar12
<화학식 A-2>
상기 수식 10 중,
I1은, 상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물을 기판 상에 공증착하여 형성된 필름에 대하여 필름 형성 직후, 외기가 차단된 불활성 분위기 하에서, 상온에서 측정된 발광(PL) 스펙트럼 중, 상기 최대 발광 파장(λmax(Ex)) 광의 세기(a.u.)이고,
I2는, 상기 도너 화합물 및 억셉터 화합물을 기판 상에 공증착하여 형성된 필름을 외기가 차단된 불활성 분위기 하에서, 상기 I1 평가시 사용된 펌핑 레이저(pumping laser) 광에 3시간 동안 노출시킨 다음 수득한 필름에 대하여 외기가 차단된 불활성 분위기 하에서, 상온에서 측정된 발광(PL) 스펙트럼 중, 상기 최대 발광 파장(λmax(Ex)) 광의 세기(a.u.)이고,
상기 화학식 D-1, A-1, A-2 및 11 내지 14 중,
Ar1은 상기 화학식 11 및 12로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
Ar2는,
상기 화학식 11 및 12로 표시되는 그룹, 페닐기, 나프틸기 및 벤조이미다졸일기; 및
중수소, 히드록실기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기 및 벤조이미다졸일기;
중에서 선택되고,
Ar11 및 Ar12는 서로 독립적으로, 상기 화학식 13 및 14로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
X1은 N 또는 C(T14)이고, X2는 N 또는 C(T15)이고, X3는 N 또는 C(T16)이되, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고,
L1은,
단일 결합, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 카바졸일렌기, 디벤조퓨라닐렌기 및 디벤조티오페닐렌기; 및
중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 카바졸일렌기, 디벤조퓨라닐렌기 및 디벤조티오페닐렌기;
중에서 선택되고,
L11 내지 L13은 서로 독립적으로,
단일 결합, 페닐렌기, 피리디닐렌기, 피리미디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 카바졸일렌기, 디벤조퓨라닐렌기 및 디벤조티오페닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H, -CFH2, 페닐기, 시아노기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 피리디닐렌기, 피리미디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 카바졸일렌기, 디벤조퓨라닐렌기 및 디벤조티오페닐렌기;
중에서 선택되고,
a1 및 a11 내지 a13은 서로 독립적으로, 0 내지 5 중에서 선택된 정수이고, a1이 2 이상일 경우 2 이상의 L1은 서로 동일하거나 상이하고, a11이 2 이상일 경우 2 이상의 L11은 서로 동일하거나 상이하고, a12가 2 이상일 경우 2 이상의 L12는 서로 동일하거나 상이하고, a13이 2 이상일 경우 2 이상의 L13은 서로 동일하거나 상이하고,
CY1 내지 CY4는 서로 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌, 플루오렌, 카바졸, 벤조카바졸, 인돌로카바졸, 디벤조퓨란 및 디벤조티오펜 중에서 선택되고,
A1은,
단일 결합, C1-C4알킬렌기 및 C2-C4알케닐렌기; 및
중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q21)(Q22)(Q23) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C4알킬렌기 및 C2-C4알케닐렌기;
중에서 선택되고,
A2는,
단일 결합, C1-C4알킬렌기 및 C2-C4알케닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q21)(Q22)(Q23) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C4알킬렌기 및 C2-C4알케닐렌기;
중에서 선택되고,
R1, R10 및 R20은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, 히드록실기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, 히드록실기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, 히드록실기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q1)(Q2)(Q3);
중에서 선택되고,
T11 내지 T16, R2, R30, R40은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기(CN), 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3) 중에서 선택되고,
b1 내지 b4는 서로 독립적으로, 0 내지 10 중에서 선택된 정수이고,
상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다. - 제1항에 있어서,
상기 λmax(Ex)가 390nm 이상 및 440nm 미만인, 박막. - 제1항에 있어서,
상기 도너 화합물의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 에너지 레벨의 절대값(|HOMO(D)|)이 5.78eV 이하이고,
상기 억셉터 화합물의 LUMO(Lowesr Unoccupied Molecular Orbital) 에너지 레벨의 절대값(|LUMO(A)|)이 1.76eV 이상이고,
상기 HOMO(D)는 순환전압전류법(Cyclic voltammetry(CV))을 이용하여 계산된 것이고,
상기 LUMO(A)는 상온에서 측정된 UV 흡수 스펙트럼을 이용하여 계산된 것인, 박막. - 제1항에 있어서,
상기 억셉터 화합물의 HOMO 에너지 레벨과 상기 도너 화합물의 HOMO 에너지 레벨 차의 절대값이(|HOMO(A) - HOMO(D)|)이 0.037eV 이상 및 1.1eV 이하이고,
상기 억셉터 화합물의 LUMO 에너지 레벨과 상기 도너 화합물의 LUMO 에너지 레벨 차의 절대값이(|LUMO(A) - LUMO(D)|)이 0.001eV 이상 및 1.1eV 이하이고,
상기 HOMO(D)는 순환전압전류법(Cyclic voltammetry(CV))을 이용하여 계산된 것이고,
상기 LUMO(A)는 상온에서 측정된 UV 흡수 스펙트럼을 이용하여 계산된 것인, 박막. - 제1항에 있어서,
상기 억셉터 화합물은 적어도 하나의 전자 수용기를 포함하고,
상기 전자 수용기는,
-F, -CFH2, -CF2H, -CF3, -CN 및 -NO2;
-F, -CFH2, -CF2H, -CF3, -CN 및 -NO2 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기;
고리-형성 모이어티로서 *=N-*'을 포함한, C1-C60헤테로아릴기 및 2가 비-방향족 축합다환 헤테로시클릭 그룹; 및
중수소, -F, -CFH2, -CF2H, -CF3, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 치환되고, 고리-형성 모이어티로서 *=N-*'을 포함한, C1-C60헤테로아릴기 및 2가 비-방향족 축합다환 헤테로시클릭 그룹;
중에서 선택된, 박막. - 삭제
- 제1항에 있어서,
Ar1은 하기 화학식 11-1 내지 11-8 및 12-1 내지 12-8로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
Ar2는 하기 화학식 11-1 내지 11-8 및 12-1 내지 12-8로 표시되는 그룹, 페닐기, 나프틸기 및 페닐기로 치환된 벤조이미다졸일기 중에서 선택되고,
Ar11 및 Ar12는 서로 독립적으로, 하기 화학식 13-1 내지 13-8 및 14-1 내지 14-8로 표시되는 그룹 중에서 선택된, 박막:
상기 화학식 11-1 내지 11-8, 12-1 내지 12-8, 13-1 내지 13-8 및 14-1 내지 14-8 중
X11 및 X13은 서로 독립적으로, C(R17)(R18), N(R19), O 또는 S이고,
X12 및 X14는 서로 독립적으로, C(R37)(R38), N(R39), O 또는 S이고,
R1, R2, A1 및 A2에 대한 설명은 제1항에 기재된 바를 참조하고,
R11 내지 R19에 대한 설명은 서로 독립적으로, 제1항 중 R10에 대한 설명을 참조하고,
R21 내지 R24에 대한 설명은 서로 독립적으로, 제1항 중 R20에 대한 설명을 참조하고,
R31 내지 R39에 대한 설명은 서로 독립적으로, 제1항 중 R30에 대한 설명을 참조하고,
R41 내지 R44에 대한 설명은 서로 독립적으로, 제1항 중 R40에 대한 설명을 참조하고,
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다. - 제1항에 있어서,
Ar1는 하기 화학식 15-1 내지 15-17 및 16-1 내지 16-8으로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
Ar2는 하기 화학식 15-1 내지 15-17 및 16-1 내지 16-8으로 표시되는 그룹, 페닐기, 나프틸기 및 페닐기로 치환된 벤조이미다졸일기 중에서 선택되고,
Ar11 및 Ar12는 서로 독립적으로, 하기 화학식 17-1 내지 17-3으로 표시되는 그룹 중에서 선택된, 박막:
상기 화학식 15-1 내지 15-17, 16-1 내지 16-18 및 17-1 내지 17-3 중,
X11 및 X13은 서로 독립적으로, C(R17)(R18), N(R19), O 또는 S이고,
R' 및 R"은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고,
R1, R10, R10a 내지 R10c 및 R20은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3) 중에서 선택되고,
R30 및 R40은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H 및 -CFH2;
페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H 및 -CFH2, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q1)(Q2)(Q3);
중에서 선택되고,
Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기 및 나프틸기 중에서 선택된다. - 제1항에 있어서,
i) 상기 도너 화합물은, 상기 화학식 D-1으로 표시되되, 상기 화학식 D-1 중 L1은 단일 결합인 화합물 중에서 선택되거나; 또는
ii) 상기 도너 화합물은, 하기 화학식 D-1(1) 내지 D-1(52)로 표시되는 화합물 중에서 선택된, 박막:
상기 화학식 D-1(1) 내지 D-1(52) 중
Ar1 및 Ar2에 대한 설명은 제7항에 기재된 바를 참조하고,
Y51은 서로 독립적으로, C(Z53)(Z54), N(Z55), O 또는 S이고,
Z51 내지 Z56은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택되고,
Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기 및 나프틸기 중에서 선택된다. - 제1항에 있어서,
L11 내지 L13은 서로 독립적으로, 하기 화학식 3-1 내지 3-56으로 표시되는 그룹 중에서 선택되고, i) a11개의 L11 중 적어도 하나, ii) a12개의 L12 중 적어도 하나 및 iii) a13개의 L13 중 적어도 하나는, 하기 화학식 3-15 내지 3-56으로 표시되는 그룹 중에서 선택된, 박막:
상기 화학식 3-1 내지 3-56 중,
Y1은 O, S, C(Z3)(Z4) 및 N(Z5) 중에서 선택되고,
Z1 내지 Z5는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H, -CFH2, 페닐기, 시아노기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택되고,
Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고,
d4는 0 내지 4 중에서 선택된 정수이고,
d3는 0 내지 3 중에서 선택된 정수이고,
d2는 0 내지 2 중에서 선택된 정수이고,
* 및 *'는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다. - 제1항에 있어서,
상기 *-(L11)a11-*', *-(L12)a12-*' 및 *-(L13)a13-*'로 표시되는 그룹이 하기 화학식 4-1 내지 4-39로 표시되는 그룹 중에서 선택된, 박막:
상기 화학식 4-1 내지 4-39 중
X21은 N 또는 C(Z21)이고, X22는 N 또는 C(Z22)이고, X23은 N 또는 C(Z23)이고, X24는 N 또는 C(Z24)이고, X31은 N 또는 C(Z31)이고, X32는 N 또는 C(Z32)이고, X33은 N 또는 C(Z33)이고, X34는 N 또는 C(Z34)이고, X41은 N 또는 C(Z41)이고, X42는 N 또는 C(Z42)이고, X43은 N 또는 C(Z43)이고, X44는 N 또는 C(Z44)이되, X21 내지 X24가 모두 N인 경우는 제외되고, X31 내지 X34가 모두 N인 경우는 제외되고, X41 내지 X44가 모두 N인 경우는 제외되고,
Z21 내지 Z24, Z31 내지 Z34 및 Z41 내지 Z44는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H, -CFH2, 페닐기, 시아노기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택되고,
Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고,
* 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다. - 제1항에 있어서,
i) 상기 억셉터 화합물은, 상기 화학식 A-1로 표시되되, 상기 화학식 A-1 중 Ar11 및 Ar12는 서로 독립적으로, 하기 화학식 17-1 내지 17-3으로 표시되는 그룹 중에서 선택되고, Ar11 및 Ar12 중 적어도 하나는 하기 화학식 17-2 및 17-3으로 표시되는 그룹인 화합물 중에서 선택되거나;
ii) 상기 억셉터 화합물은, 상기 화학식 A-1로 표시되되, 상기 화학식 A-1 중 L11은 하기 화학식 3-15 및 3-28로 표시되는 그룹 중에서 선택되고, a11개의 L11 중 적어도 하나는 하기 화학식 6-1 내지 6-4로 표시되는 그룹 중에서 선택된 화합물 중에서 선택되거나; 또는
iii) 상기 억셉터 화합물은, 상기 화학식 A-2로 표시되되, 상기 화학식 A-2 중 X1 내지 X3가 모두 N인 화합물 중에서 선택된, 박막:
상기 화학식 17-1 내지 17-3, 3-15, 3-28 및 6-1 내지 6-4 중,
R30 및 R40은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H 및 -CFH2;
페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H 및 -CFH2, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q1)(Q2)(Q3);
Z1은, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -CF3, -CF2H, -CFH2, 페닐기, 시아노기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) 중에서 선택되고,
d4는 0 내지 4 중에서 선택된 정수이고,
t1은 1 또는 2이고,
Q1 내지 Q3 및 Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로, 수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기 및 나프틸기 중에서 선택되고,
* 및 *'는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다. - 제1항에 있어서,
상기 도너 화합물은 하기 화합물 D1 내지 D17 중에서 선택되고, 상기 억셉터 화합물은 하기 화합물 A1 내지 A11 중에서 선택된, 박막:
- 제1항에 있어서,
상기 인광 도펀트가 하기 화학식 81로 표시되는 유기금속 화합물을 포함한, 박막:
<화학식 81>
M(L81)n81(L82)n82
<화학식 81A>
상기 화학식 81 및 81A 중,
M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 톨륨(Tm) 및 로듐(Rh) 중에서 선택되고,
L81은 상기 화학식 81A로 표시된 리간드이고, n81은 1 내지 3 중에서 선택된 정수이고, n81이 2 이상일 경우 2 이상의 L81은 서로 동일하거나 상이하고,
L82는 유기 리간드이고, n82는 0 내지 4 중에서 선택된 정수이고, n82가 2 이상일 경우 2 이상의 L82는 서로 동일하거나 상이하고,
Y81 내지 Y84는 서로 독립적으로, 탄소(C) 또는 질소(N)이고,
Y81과 Y82는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고, Y83와 Y84는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고,
CY81 및 CY82는 서로 독립적으로, C5-C30카보시클릭 그룹 및 C1-C30헤테로카보시클릭 그룹 중에서 선택되고,
CY81과 CY82는 선택적으로(optionally), 유기 연결기(organic linking group)를 통하여 추가로 서로 결합될 수 있고,
R81 내지 R85는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, -SF5, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q81)(Q82)(Q83), -N(Q84)(Q85), -B(Q86)(Q87) 및 -P(=O)(Q88)(Q89) 중에서 선택되고,
a81 내지 a83은 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
a81이 2 이상일 경우, 2 이상의 R81은 서로 동일하거나 상이하고,
a82가 2 이상일 경우, 2 이상의 R82는 서로 동일하거나 상이하고,
a81이 2 이상일 경우, 이웃한 R81은 선택적으로 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고,
a82가 2 이상일 경우, 이웃한 R82는 선택적으로 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고,
상기 화학식 81A 중 * 및 *'은 상기 화학식 81 중 M과의 결합 사이트이고,
상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q91)(Q92)(Q93) 중에서 선택되고,
상기 Q81 내지 Q89 및 Q91 내지 Q93은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다. - 제14항에 있어서,Y81은 질소이고, Y82 및 Y83은 탄소이고, Y84는 질소 또는 탄소이고,
CY81 및 CY82는 서로 독립적으로, 시클로펜타디엔, 벤젠, 헵탈렌, 인덴, 나프탈렌, 아줄렌, 헵탈렌, 인다센, 아세나프틸렌, 플루오렌, 스파이로-바이플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타센, 헥사센, 펜타센, 루비센, 코로젠, 오발렌, 피롤, 이소인돌, 인돌, 인다졸, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 이속사졸, 옥사디아졸, 티아졸, 이소티아졸, 티아디아졸, 푸린, 퓨란, 티오펜, 피리딘, 피리미딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 시놀린, 페난트리디딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 벤조티오펜, 이소벤조티아졸, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 이미다조피리딘, 이미다조피리미딘, 디벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조티오펜 설폰(dibenzothiophene sulfone), 카바졸, 디벤조실롤 및 2,3-디하이드로-1H-이미다졸 중에서 선택된, 박막. - 제14항에 있어서,
R81 및 R82는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, -SF5, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기 및 피리미디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CF3, -CF2H, -CFH2, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기; 및
-B(Q86)(Q87) 및 -P(=O)(Q88)(Q89);
중에서 선택되고,
Q86 내지 Q89는 서로 독립적으로,
-CH3, -CD3, -CD2H, -CDH2, -CH2CH3, -CH2CD3, -CH2CD2H, -CH2CDH2, -CHDCH3, -CHDCD2H, -CHDCDH2, -CHDCD3, -CD2CD3, -CD2CD2H 및 -CD2CDH2;
n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기; 및
중수소, C1-C10알킬기 및 페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기;
중에서 선택된, 박막. - 제14항에 있어서,
상기 화학식 81A 중 a81개의 R81 및 a82개의 R82 중에서 선택된 적어도 하나가 시아노기인, 박막. - 제14항에 있어서,
상기 화학식 81A 중 a81개의 R81 및 a82개의 R82 중에서 선택된 적어도 하나가 중수소인, 박막. - 제1전극;
제2전극; 및
상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기층;을 포함하고,
상기 유기층은 제1항 내지 제5항 및 제7항 내지 제18항 중 어느 한 항의 박막을 포함한, 유기 발광 소자. - 제19항에 있어서,
상기 박막이 발광층이고, 상기 박막 중 상기 혼합물이 호스트인, 유기 발광 소자.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/245,545 US10240085B2 (en) | 2015-08-27 | 2016-08-24 | Thin film and organic light-emitting device including the same |
| US16/293,966 US10995265B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-03-06 | Thin film and organic light-emitting device including the same |
| US17/220,275 US11713416B2 (en) | 2015-08-27 | 2021-04-01 | Thin film and organic light-emitting device including the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20150121235 | 2015-08-27 | ||
| KR1020150121235 | 2015-08-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170026075A KR20170026075A (ko) | 2017-03-08 |
| KR102601599B1 true KR102601599B1 (ko) | 2023-11-14 |
Family
ID=58403963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160027144A KR102601599B1 (ko) | 2015-08-27 | 2016-03-07 | 박막 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102601599B1 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10297764B2 (en) * | 2015-09-14 | 2019-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mixture, thin film, and organic light emitting device including mixture and thin film |
| KR102601598B1 (ko) * | 2015-09-14 | 2023-11-14 | 삼성전자주식회사 | 혼합물, 박막 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| KR102362796B1 (ko) | 2017-07-04 | 2022-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| KR102637792B1 (ko) * | 2018-03-22 | 2024-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치 |
| KR102427666B1 (ko) | 2019-05-23 | 2022-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치 |
| KR102505882B1 (ko) | 2019-10-04 | 2023-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치 |
| KR102544979B1 (ko) | 2019-10-04 | 2023-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치 |
| KR102505881B1 (ko) | 2019-10-04 | 2023-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치 |
| KR20210136224A (ko) | 2020-05-06 | 2021-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012033892A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Fujifilm Corp | 発光素子用材料及び発光素子 |
| WO2015041157A1 (ja) | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US20160064684A1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US20170062752A1 (en) | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film and organic light-emitting device including the same |
-
2016
- 2016-03-07 KR KR1020160027144A patent/KR102601599B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
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| US20160248036A1 (en) | 2013-09-17 | 2016-08-25 | Kyushu University, National University Corporation | Organic electroluminescent device |
| US20160064684A1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| JP2016207998A (ja) | 2014-08-29 | 2016-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、表示装置、電子機器、及び照明装置 |
| US20170062752A1 (en) | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film and organic light-emitting device including the same |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Adv. Mater., Vol.26, pp.4730~4734 (2014) |
| Adv. Mater., Vol.26, pp.5684~5688 (2014) |
| Org. Electron., Vol.17 pp.15~21 (2014) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170026075A (ko) | 2017-03-08 |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |