CN1134204A - 使用自举二极管仿真器的桥式电路的驱动电路 - Google Patents

使用自举二极管仿真器的桥式电路的驱动电路 Download PDF

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Abstract

一种包括用于驱动一个高压半桥的高功率和低功率晶体管的相应的低驱动模块和浮动的高驱动模块的半桥电路包含于一个集成电路芯片之中，其中包括一个在片的、给一个为高驱动模块供电的外部自举电容充电的自举二极管仿真器。高驱动被放置在一个绝缘的井中并且二极管仿真器包括它的主要载流元件，一个沿着井的外围形成的LDMOS晶体管。LDMOS晶体管在低功率晶体管被置于导通状态的同时被置于一个导通状态。一个箝位电流源在限制LDMOS启动期间附着在背栅极的寄生晶体管电流时稳定地偏置LDMOS的背栅极。

Description

使用自举二极管仿真器的 桥式电路的驱动电路
本发明涉及一个用于驱动包括连接到输出端和相应的高电压DC电源的低和高轨之间的低和高功率晶体管的桥电路，并为一个具有第一和第二端的自举电容充电该第一端和所述的输出端相连的驱动电路，所述驱动电路包括：
用于在电源输出端产生一个相对于上述低轨的控制电压的电源装置；
一个连接到电源输出端的低(lower)驱动模块，该模块被上述的控制电压供电并包括为低功率晶体管的控制电极提供一个低驱动控制信号使低功率晶体管交替导通和截止的装置；
一个适合于连接到自举电容的高(upper)驱动模块，该模块被一个自举电压跨过上述的自举电容供电并包括为高功率晶体管的控制电极提供一个高驱动控制信号使高功率晶体管交替导通和截止的装置；和
用于将上述自举电容充电到自举电压的自举二极管仿真装置，该自举二极管仿真装置包括一个LDMOS晶体管，该LDMOS晶体管具有连接到上述的电源输出端的源极，适于连接到自举电容的第二端的漏极，通过负载控制电路连接到低驱动模块在低驱动模块被置于导通状态时将上述的LDMOS晶体管置于导通状态的栅极和一个背栅极。
这样的驱动电路可以从US5,373,435中得知，它仅在本发明申请的优先权日之后公布。桥式电路可以应用于放电灯的电子镇流器、开关电源、马达驱动和直流-交流变换器。已知的驱动电路是一个高电压集成电路。高驱动模块被放在这个整个的集成电路中形成的一个绝缘井中并且LDMOS晶体管延着这个井外围的一部分形成。电流通过LDMOS晶体管垂直地流到井的外围，通过为沿着井外围的LDMOS选择一个足够的长度，可以得到所需的载流能力。由于浮动井在它的外围结构的形成上和一个LDMOS是相同的，因而井外围的绝缘特性就决定了LDMOS晶体管的击穿电压。
使用这样的一个自举二极管仿真器的重要优点是这个仿真器可以和驱动电路的其它元件一起在一个单一芯片上实现。这样，二极管功能就可以通过一种比使用分立元件的装置更便宜和可靠的方法实现。
如上所述的二极管仿真装置的一个有关联的缺点是一个LDMOS装置的固有性质是寄生晶体管，其中之一是一个射极和基极对应于LDMOS的背栅极和漏极，集电极是IC基片的寄生PNP晶体管。已经发现，在充电循环中的LDMOS启动过程中，寄生PNP晶体管将从背栅极到基片分流一部分电流因而减少了给自举电容器充电的可用电流。
本发明的目的是提供一个驱动电路，其中自举二极管仿真器更有效地为自举电容充电。
一个如本文首段所描述的驱动电路因此装备了与LDMOS的背栅极连接的偏置和限制装置用于在限制上述的寄生装置从上述自举电容分出的电流时偏置背栅极。
已经发现，通过使用这些偏置和限制装置，从背栅极流向LDMOS晶体管的电流可以限制在一个相当的范围内。
一种非常有效的对从LDMOS的背栅极通过寄生装置流出的电流量的限制可以用包括一个箝位晶体管和一个连接到上述的背栅极的电流源的偏置和限制装置实现。优选地上述电流源包括一个电流镜像。
负载控制电路可以用一种相对简单和可靠的方法，通过制造一个电压范围在上述低轨和上述控制电压之间的缓冲输出信号的缓冲装置，和将上述的缓冲输出信号的电压范围变换到一个在连接上述栅极的点和上述高源极之间的电压差的范围的装置来实现。变换装置优选包括容性装置。
当低功率晶体管截止时对应于一个电压尖端产生的LDMOS被假驱动到一个导通状态可以通过装备负载控制电路来避免，该电路用于对应流入连接于漏极和栅极上述LDMOS晶体管的密勒电容的置换电流来箝位上述栅极到上述LDMOS晶体管的上述源极。这些箝位装置是使用一个PNP晶体管优化实现的。
为了收集瞬时电压在漏极从背栅极注入的电荷，容性装置可以连接在上述LDMOS晶体管的背栅极和源极之间。
本发明的实施例将使用附图进一步地说明。在附图中
图1是本发明的驱动电路的原理图，其中包含在一个集成电路芯片中的元件被一个标为IC的虚线框包围；以及
图2是图1中虚线框对应的集成电路芯片的一个原理方案视图，包括一个其中形成一个高压LDMOS后的扩展区域。
首先参考图1，展示了一个根据本发明的驱动电路，包含一个完整的高压集成电路IC，连接成用以驱动一个由功率MOSFET T1和T2串联通过高压(高至约500伏)直流电源形成的外部半桥。通用的半桥和驱动器的体系结构除去根据本发明中规定的一个在片的自举二极管仿真器BDE外与前述的美国专利4,989,127号所展示和描述的一样。
在半桥中，功率晶体管T1被称为高晶体管，因为它的漏极连接到直流电源的高侧即高轨，如图1所示为电位Vcc，功率晶体管T2被称为低晶体管，因为它的源极连接到直流电源的低侧即低轨，如图所示为地电位。高晶体管T1的源极和低晶体管T2的漏极在半桥的输出端OUT处连接，该输出端还连接到一个负载LD的一端。在如为气体放电灯供电的电源应用中，负载的另一端可以连接到通过直流电源的一个容性分压器(未画出)的中点而维持在电源电压一半的电位上。众所周知，晶体管T1和T2工作在一个高频(大于20KHz)重复循环的交换模式，例如在100KHz的量级上，其中每一个晶体管在一个循环的不同的1/2的时间间隔或阶段上打开(即驱动到一种导通状态)，它们彼此独立是通过一个在500ns量级上的相对小的截止区实现的。由于负载LD在许多应用中都多少有些感抗造成电流截断的交换瞬间受到T1和T2各自的本身固有二极管D1和D2的限制。D1用于限制当低功率晶体管T2截止时在输出端OUT形成的正电压，而二极管D2用于限制当高功率晶体管T1截止时在输出端OUT形成的负电压。
这些循环由一个控制器CON建立，它对应于一个外部输入信号IN产生一个必要的二进制命令信号INL和它的逻辑非INNL用于控制低晶体管T1的导通状态和通过电平移位器LS产生脉冲命令信号TON和TOFF控制高晶体管T2的导通状态。命令信号IN2仅在低晶体管T1被置于导通状态的时间间隔和阶段上有一个二进制状态。命令信号TON和TOFF以脉冲形式提供用于噪声和暂态消除目的；TON和TOFF分别指示高晶体管T2开或关的瞬间。低晶体管命令信号INL和INNL送入一个低驱动模块DL，它仅在被低晶体管命令信号定义的期间响应以驱动低晶体管T2的栅极GL打开低晶体管。用一种类似的方法，命令信号TON和TOFF被送入一个高驱动模块DU，它在被高晶体管命令信号定义的期间响应以驱动高晶体管T1的栅极GU打开高晶体管。在高驱动模块DU中的一个R/S栓锁(未示出)将命令信号TON和TOFF变换为类似于INL和INL2的二进制形式以使高驱动模块的平衡可以按低驱动模块DL设计。
低驱动模块DL由相对低的电源电压Vdd供电，例如12伏，而高驱动模块由电压V1通过一个外部自举电容C1供电，C1的容量在70nf的数量级上，这个值对于可以在集成电路IC中制造的合理的价格范围太大了。自举电容C1的另一端通过在片的自举二极管仿真器BDE连接到电源电压Vdd，使得当低晶体管T1在导通状态期间，输出端OUT大体上维持在地电位时，充电电流流入C1，将V1带到Vdd任意的比任何BDE和T2上的小电压降小的Vdd电压。
现在再参考图2，如已知的，高驱动模块DU包括在集成电路芯片IC中的一个绝缘井，例如，一个被P隔离包围的N井WL中形成的CMOS电路。因而，井WL就被从类似于用于制造LDMOS晶体管的结构的集成电路的平衡中绝缘出来。一个高压二极管不能够集成在结合隔离技术中，因为它产生大的基片电流。这就可能扰乱其它电路的运作。根据本发明的原则，一个在片提供的自举二极管仿真器包括一个沿井WL外围形成的LDMOS T3。LDMOST3固有的击穿电压和井的绝缘能力(超过500伏)一样，并且由于电流垂直地流到井的外围，通过选择形成它所沿着的井的外围的范围，可以获得适当的载流能力。另外，LDMOS T3的实施不要求额外区域的开支；在集成电路上总要有一小块额外区域用于T3的驱动电路，以使得仅当低晶体管T2被置于一个导通状态时，它处于导通状态。
如图1所示，LDMOS T3被图解为一个理想的设备加不同的固有的或寄生的元件。有一个寄生的PNP晶体管T5，它的发射极和基极是LDMOS T3的背栅极B和漏极D，它的集电极接地。LDMOS T3还有背栅极和漏极间的寄生电容CRD，和栅极与漏极之间的CGD，和一个理想的LDMOS的漏极与实际的漏极D’之间的寄生电阻Rdrift。这个电阻由LDMOS的宽度和工作温度决定。
宽度基于应用选择。一个室温(25℃)下的LDMOS(75μm切割区域)的典型Ron宽为300Ω/mm。
LDMOS T3运作于源极从属配置，它的源极S连接到Vdd，它实际的漏极D’连接到自举电容C1的高电压端。对应于T3打开，漏极D升至Vdd，自举电容C1被充电。在T3打开的启动过程中，有必要限制从寄生晶体管T5的射极导通到它的集电极的电流，在充电周期的一般操作期间，当T3的背栅极正确偏置时，这种导通分流可用于为自举电容C1充电。这可以通过提供一个在正常操作期间箝位背栅极到一个偏置电压的PNP晶体管T6和一个为背栅极馈电以限制通过寄生晶体管电流的电流源来完成。箝位晶体管T6的发射极连接到背栅极B(也连到寄生晶体管T3的射极)和一个通过镜象FET晶体管的电流，表现为一个电流源的FET晶体管T7的漏极。晶体管T0的集电极接地并且它的基极连接到晶体管T7、T8的栅极和晶体管T8的漏极，以及电流源CS的一端。晶体管T0的基极上的电压必须是低欧姆的以提供一个恒定的箝位。电流源CS的另一端接地。晶体管T7、T8的源极连接到LDMOS T3的源极S。
另外电容C3连接在LDMOS T3的背栅极和源极之间。
应该满意电流源CS的电流流过晶体管T8，以及通过镜象操作，同样的被复制的电流流过晶体管T7。
电容C3预定于收集T3的漏极D在电压瞬态期间背栅极注入的电荷。背栅极B对T3的源极S保持负偏置是重要的。C3的值随LDMOS的宽度成比例地变化。如前面所提到的，那个宽度是由实际应用决定的。
作为背栅极偏置的一个结果，需要一个4V的栅极对源极电压打开LDMOS晶体管T3。为了在低功率晶体管被置于导通状态时打开LDMOS晶体管T3，低驱动命令信号INL被送到一个缓冲放大器BUF，该BUF当低功率晶体管T2被置于导通状态时在它们输出端OB上产生一个电压为Vdd的信号否则就产生一个零伏。这个电压提供给一个第二相对小的自举电容C2的一端，该C2的另一端，在P点，通过一个二极管D4连接到电源电压Vdd。自举电容C2的容量至少要是晶体管T3的栅极电容的5倍。缓冲BUF具有足够低的输出阻抗以将第二自举电容C2通过二极管D4充电到电压值V2，V2等于Vdd减去一个二极管的压降。这具有将缓冲输出OB的电压范围(大于一个二极管的压降)变换到出现在点P和LDMOS晶体管T3的源极S的方向上的电压范围的效果。点P通过一个大约5K欧姆的电阻R连接到晶体管T3的栅极G。这个电阻用于展开一个打开PNP晶体管T4的电压，该T4的发射极，基极和集电极分别连接到T3的栅极、点P和Vdd。为了避免由输出端OUT的开关瞬态造成的LDMOS晶体管T3的假打开，实际上一个晶体管T4响应由于密勒电流通过CGD在电阻R上产生的电压将晶体管T3的栅极向下拉到Vdd。这个电流(该电流由于在输出端OUT的输出电压从零伏到Vcc回转并且LDMOS晶体管的漏极也回转一个对应的范围时的一个大的正速率充电电压产生)将用另一种方法把栅极电容充电到一个打开电平。结果是，自举二极管仿真器BDE仅在一个自举二极管导通的时候才导通对自举电容C1充电。
现在很显然，本发明的目的在各方面都是满足的。另外，当本发明在特殊的细节上被描述时，它在它的原则上的宽广的适应性也是值得称赞的。结果是，在本发明的精神和范围之内可以做大量的细节上的修改。

Claims (10)

1.一种用于驱动桥式电路的驱动电路，包括连接在一个输出端和一个高压直流电源的相应的低和高轨之间的低和高功率晶体管，并用于为一个具有第一和第二端的自举电容-该电容的第一端连接到上述的输出端一充电，所述的驱动电路包括：
用于在电源输出端产生一个相对于所述低轨的控制电压的电源装置；
一个连接到电源输出端的低驱动模块，该模块被所述的控制电压供电并包括为低功率晶体管的控制电极提供一个低驱动控制信号使低功率晶体管交替导通和截止的装置；
一个适于连接到自举电容的高驱动模块，该模块被一个自举电压通过所述的自举电容供电并包括为高功率晶体管的控制电极提供一个高驱动控制信号使高功率晶体管交替导通和截止的装置；和
用于将上述自举电容充电到自举电压的自举二极管仿真装置，该自举二极管仿真装置包括一个LDMOS晶体管，该LDMOS晶体管具有连接到上述的电源输出端的源极、适于连接到自举电容的第二端的漏极、通过负载控制电路连接到低驱动模块，在低驱动晶体管被置于导通状态时将所述的LDMOS晶体管置于导通状态的栅极、和一个背栅极，具有一个连接到所述背栅极(和所述的漏极)的寄生电容，其中偏置和限制装置连接到背栅极(和漏极)用于在限制上述寄生装置从上述自举电容分走的电流时偏置晶体管的背栅极。
2.如权利要求1的驱动电路，其中所述的偏置和限制装置包括一个箝位晶体管和连接到所述背栅极的一个电流源。
3.如权利要求2的驱动电路，其中所述的电流源包括一个电流镜象。
4.如权利要求1，2或3的驱动电路，其中所述的负载控制电路包括一个用于产生一个电压范围在所述低轨和所述控制电压之间的缓冲输出信号的缓冲器和变换所述缓冲输出信号的电压范围到连接到所述栅极的一点和所述高源极之间的电压差的范围的装置。
5.如权利要求4的驱动电路，其中所述的变换装置包括容性装置。
6.如前面的一个或多个权利要求的驱动电路，其中所述的负载控制电路还包括对应于流入连接在漏极和栅极之间的所述的LDMOS晶体管的密勒电容的置换电流，将所述的栅极箝位至所述的LDMOS晶体管的源极的装置。
7.如权利要求6的驱动电路，其中所述的将所述的栅极箝位至所述的源极的装置包括一个(PNP)晶体管。
8.如前面的一个或多个权利要求的驱动电路，其中的容性装置连接于所述的LDMOS晶体管的背栅极和源极之间。
9.如前面的一个或多个权利要求的驱动电路，其中所述的驱动电路被集成在一个单一芯片中。
10.操作一个灯的镇流电路包括一个桥电路和根据前面的一个或多个权利要求的驱动电路。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1333465C (zh) * 2003-04-30 2007-08-22 罗姆股份有限公司 半导体器件
CN102064729A (zh) * 2010-12-07 2011-05-18 清华大学 一种半桥驱动电路
CN101529716B (zh) * 2006-10-20 2011-11-23 Nxp股份有限公司 功率放大器
CN102299168A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 三菱电机株式会社 功率用半导体装置
CN104022776A (zh) * 2014-06-27 2014-09-03 东南大学 一种半桥驱动电路中的自举二极管仿真电路
CN105827223A (zh) * 2016-02-23 2016-08-03 东南大学 一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构
CN112953227A (zh) * 2021-05-14 2021-06-11 上海芯龙半导体技术股份有限公司 电路、开关电源芯片及系统

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5666280A (en) * 1993-05-07 1997-09-09 Philips Electronics North America Corporation High voltage integrated circuit driver for half-bridge circuit employing a jet to emulate a bootstrap diode
JPH09219976A (ja) * 1996-02-15 1997-08-19 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置の駆動方法
US5886563A (en) * 1996-03-25 1999-03-23 Nasila; Mikko J. Interlocked half-bridge circuit
GB2324664B (en) * 1997-04-23 2001-06-27 Int Rectifier Corp Resistor in series with bootstrap diode for monolithic gate device
EP0887932A1 (en) * 1997-06-24 1998-12-30 STMicroelectronics S.r.l. Control of the body voltage of a high voltage LDMOS
US6747300B2 (en) * 2002-03-04 2004-06-08 Ternational Rectifier Corporation H-bridge drive utilizing a pair of high and low side MOSFETs in a common insulation housing
US6891739B2 (en) * 2002-03-04 2005-05-10 International Rectifier Corporation H-bridge with power switches and control in a single package
JP4397602B2 (ja) * 2002-05-24 2010-01-13 三菱電機株式会社 半導体装置
US6643145B1 (en) * 2002-07-26 2003-11-04 Intersil Americas Inc. High resolution digital diode emulator for DC-DC converters
US7019502B2 (en) 2002-09-06 2006-03-28 Intersil America's Inc. Synchronization of multiphase synthetic ripple voltage regulator
KR100894320B1 (ko) 2003-03-24 2009-04-24 페어차일드코리아반도체 주식회사 고전압 집적 회로에 의해 게이트가 구동되는 스위칭소자를 포함하는 인버터 회로
DE60335180D1 (de) * 2003-07-04 2011-01-13 Dialog Semiconductor Gmbh Hochspannungschnittstelle und Steuerschaltung dafür
US7215189B2 (en) * 2003-11-12 2007-05-08 International Rectifier Corporation Bootstrap diode emulator with dynamic back-gate biasing
TW200525869A (en) * 2004-01-28 2005-08-01 Renesas Tech Corp Switching power supply and semiconductor IC
JP4593126B2 (ja) * 2004-02-18 2010-12-08 三菱電機株式会社 半導体装置
US7205751B2 (en) * 2004-03-12 2007-04-17 Intersil America's Inc. Enable and disable of diode emulation in a DC/DC converter
US7106105B2 (en) * 2004-07-21 2006-09-12 Fairchild Semiconductor Corporation High voltage integrated circuit driver with a high voltage PMOS bootstrap diode emulator
US20060044051A1 (en) * 2004-08-24 2006-03-02 International Rectifier Corporation Bootstrap diode emulator with dynamic back-gate biasing and short-circuit protection
JP4375198B2 (ja) * 2004-10-26 2009-12-02 株式会社デンソー 負荷駆動用半導体装置
US8373623B2 (en) * 2006-01-31 2013-02-12 International Rectifier Corporation Automatic high voltage gate driver IC (HVIC) for PDP
US7456658B2 (en) * 2006-04-07 2008-11-25 International Rectifier Corporation Circuit to optimize charging of bootstrap capacitor with bootstrap diode emulator
EP1876709B1 (en) * 2006-07-04 2008-08-27 Infineon Technologies AG Charge pump and bootstrap capacitor
DE102006034679A1 (de) * 2006-07-24 2008-01-31 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit Leistungshalbleiterchip und passiven Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben
US20080290841A1 (en) * 2007-05-23 2008-11-27 Richtek Technology Corporation Charging Circuit for Bootstrap Capacitor and Integrated Driver Circuit Using Same
US7843237B2 (en) * 2008-11-17 2010-11-30 Infineon Technologies Austria Ag Circuit arrangement for actuating a transistor
CN102110652B (zh) * 2009-12-24 2013-05-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 嵌入式半导体器件的制作方法
EP3010042B1 (en) 2013-06-14 2020-04-15 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US9484906B2 (en) 2013-10-09 2016-11-01 Active-Semi, Inc. Apparatus and methods of N-type load switch using bootstrap gate drive for wireless power receiver
US9106071B2 (en) * 2013-10-09 2015-08-11 Active-Semi, Inc. Apparatus and methods of bootstrap and over voltage combination clamp for wireless power receiver
US9680309B2 (en) 2013-11-21 2017-06-13 Active-Semi, Inc. Auto load switch detection for wireless power receiver
CN110429804A (zh) 2014-10-24 2019-11-08 意法半导体研发(深圳)有限公司 反相升降压型变换器驱动电路和方法
TWI556561B (en) * 2015-07-13 2016-11-01 Bootstrap circuit
DE102017122881A1 (de) 2017-10-02 2019-04-04 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Verstärkerschaltung
TWI663821B (zh) * 2018-01-11 2019-06-21 晶豪科技股份有限公司 自舉式電路以及使用該自舉式電路之關聯的直流轉直流轉換器
JP7162505B2 (ja) * 2018-11-22 2022-10-28 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7388317B2 (ja) * 2020-08-27 2023-11-29 三菱電機株式会社 駆動回路およびインバータ装置
US11133797B1 (en) * 2020-11-24 2021-09-28 Diodes Incorporated Bootstrap circuit for gate driver

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4633381A (en) * 1985-02-26 1986-12-30 Sundstrand Corporation Inverter shoot-through protection circuit
JPS61277223A (ja) * 1985-06-03 1986-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジユ−ル
US4685040A (en) * 1985-12-06 1987-08-04 General Electric Company Integrated circuit for controlling power converter by frequency modulation and pulse width modulation
US4740717A (en) * 1986-11-25 1988-04-26 North American Philips Corporation, Signetics Division Switching device with dynamic hysteresis
NL8702847A (nl) * 1987-11-27 1989-06-16 Philips Nv Dc-ac brugschakeling.
IT1228509B (it) * 1988-10-28 1991-06-19 Sgs Thomson Microelectronics Dispositivo per generare una tensione di alimentazione flottante per un circuito bootstrap capacitivo
US4989127A (en) * 1989-05-09 1991-01-29 North American Philips Corporation Driver for high voltage half-bridge circuits
US5408150A (en) * 1992-06-04 1995-04-18 Linear Technology Corporation Circuit for driving two power mosfets in a half-bridge configuration
US5365118A (en) * 1992-06-04 1994-11-15 Linear Technology Corp. Circuit for driving two power mosfets in a half-bridge configuration
US5408403A (en) * 1992-08-25 1995-04-18 General Electric Company Power supply circuit with power factor correction
CA2104737C (en) * 1992-08-26 1997-01-28 Minoru Maehara Inverter device
US5373435A (en) * 1993-05-07 1994-12-13 Philips Electronics North America Corporation High voltage integrated circuit driver for half-bridge circuit employing a bootstrap diode emulator

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1333465C (zh) * 2003-04-30 2007-08-22 罗姆股份有限公司 半导体器件
CN101529716B (zh) * 2006-10-20 2011-11-23 Nxp股份有限公司 功率放大器
CN102299168A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 三菱电机株式会社 功率用半导体装置
CN102299168B (zh) * 2010-06-25 2014-01-29 三菱电机株式会社 功率用半导体装置
CN102064729A (zh) * 2010-12-07 2011-05-18 清华大学 一种半桥驱动电路
CN102064729B (zh) * 2010-12-07 2013-04-03 清华大学 一种半桥驱动电路
CN104022776A (zh) * 2014-06-27 2014-09-03 东南大学 一种半桥驱动电路中的自举二极管仿真电路
CN104022776B (zh) * 2014-06-27 2017-01-25 东南大学 一种半桥驱动电路中的自举二极管仿真电路
CN105827223A (zh) * 2016-02-23 2016-08-03 东南大学 一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构
CN105827223B (zh) * 2016-02-23 2018-10-12 东南大学 一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构
CN112953227A (zh) * 2021-05-14 2021-06-11 上海芯龙半导体技术股份有限公司 电路、开关电源芯片及系统
CN112953227B (zh) * 2021-05-14 2021-08-10 上海芯龙半导体技术股份有限公司 开关电源电路、芯片及系统

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