CN1989582B - 带有电荷转移的升压开关驱动器 - Google Patents

带有电荷转移的升压开关驱动器 Download PDF

Info

Publication number
CN1989582B
CN1989582B CN2005800243958A CN200580024395A CN1989582B CN 1989582 B CN1989582 B CN 1989582B CN 2005800243958 A CN2005800243958 A CN 2005800243958A CN 200580024395 A CN200580024395 A CN 200580024395A CN 1989582 B CN1989582 B CN 1989582B
Authority
CN
China
Prior art keywords
node
circuit
drive
switch
booster
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2005800243958A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1989582A (zh
Inventor
托德·F·斯琪夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Components Industries LLC
Original Assignee
Semiconductor Components Industries LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Components Industries LLC filed Critical Semiconductor Components Industries LLC
Priority claimed from PCT/US2005/026735 external-priority patent/WO2006020407A2/en
Publication of CN1989582A publication Critical patent/CN1989582A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1989582B publication Critical patent/CN1989582B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/017545—Coupling arrangements; Impedance matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0063—High side switches, i.e. the higher potential [DC] or life wire [AC] being directly connected to the switch and not via the load
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0081—Power supply means, e.g. to the switch driver

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

一种开关驱动器电路，其利用在升压开关驱动器的升压电路(26)和/或缓冲器电路(30)内部和/或在它们之间进行的电荷转移。升压电路(26)可包括分压器(28)以限制用于驱动开关(18)的升压信号。缓冲器电路(30)可转移电荷至升压电路(26)。

Description

带有电荷转移的升压开关驱动器
本申请要求于2004年8月2日提交的名称为“用于开关电源的栅驱动器和缓冲器(Gate Drive and Snubber for Switching Power Supply)”的美国第60/598,666序列号临时申请的优先权，以及要求于2004年10月26日提交的名称为“带有电荷转移的升压开关驱动器(Boosted Switch DriveWith Charge Transfer)”的美国第10/976,196序列号专利申请的优先权，上述申请通过引用合并于此。
技术领域
本申请设计一种升压开关驱动器，特别涉及一种带有电荷转移的升压开关驱动器。
背景技术
图1图示说明了现有技术中用于开关电源的栅驱动器电路。图1的电路包括与开关节点SW相连接的两个晶体管Q1和Q2，这两个晶体管被布置在两个不同电源端PS和GND之间交替切换电感器。这种类型的开关布置通常用于开关电源，如同步降压转换器。晶体管Q1和Q2分别由输入信号IN1和IN2控制，这两个输入信号经过驱动器电路10和12驱动栅极Q1和Q2。
因为Q2的源极以电源接地端GND为基准，所以驱动器电路12从正电源端PS接收其功率。然而，Q1的源极以开关端SW为基准，该开关端SW的电压几乎与PS电压相同，这时Q1的栅极必须用显著高于PS的电压驱动。因此，图1的电路包括产生升压电源BST的升压电路14，该升压电源BST用于操作Q1的驱动器电路10。升压电路14包括以电荷泵布置形式连接的二极管DB和电容器CB。
图1的电路还包括RC缓冲器电路16，该RC缓冲器电路16抑制SW开关端处的电压尖峰，该电压尖峰由晶体管的寄生电感、安装它们的PC板、以及用于开关电源的主电感器产生。
发明内容
本发明提供了一种开关电源控制电路，包括：
开关节点；
驱动器节点；
电源节点；以及
升压电路，与所述开关节点和所述电源节点相连接，以产生用于驱动与所述开关节点和所述驱动器节点相连接的开关的升压信号，其中所述升压电路包括分压器以限制所述升压信号。
根据本发明的另一个实施例，所述分压器包括连接在升压节点和所述电源节点之间的电容器。
根据本发明的另一个实施例，所述分压器包括连接在升压节点和所述开关节点之间的电容器.
根据本发明的另一个实施例，所述分压器包括：
连接在升压节点和所述电源节点之间的第一个电容器；以及
连接在所述升压节点和所述开关节点之间的第二个电容器。
根据本发明的另一个实施例，所述分压器进一步包括与所述电容器之一串联连接的电阻器。
根据本发明的另一个实施例，所述分压器与缓冲器电路组成一体。
根据本发明的另一个实施例，本发明提供了一种开关电源控制电路，包括：
缓冲器电路，与开关节点相连接；以及
升压电路，与所述开关节点相连接，以产生用于驱动与所述开关节点和驱动器节点相连接的开关的升压信号；
其中，布置所述缓冲器电路以将电荷从所述开关节点转移至所述升压电路。
根据本发明的另一个实施例，所述缓冲器电路包括连接在所述开关节点和所述升压电路之间的电容器和电阻器。
根据本发明的另一个实施例，所述电容器和电阻器与所述升压电路中的升压节点相连接。
根据本发明的另一个实施例，所述电容器和电阻器串联连接。
根据本发明的另一个实施例，所述升压电路包括连接在所述升压节点和电源端之间的第二个电容器。
根据本发明的另一个实施例，本发明提供一种用于控制开关电源的方法，包括：
产生用于驱动与开关节点和驱动器节点相连接的开关的升压信号；以及
转移电荷以降低所述升压信号的电压。
根据本发明的另一个实施例，所述转移电荷的步骤包括在两个电容器之间转移电荷。
根据本发明的另一个实施例，所述转移电荷的步骤包括分压。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括将电荷从所述开关节点转移到所述驱动器节点。
根据本发明的另一个实施例，所述将电荷从所述开关节点转移到所述驱动器节点的步骤包括通过电容器转移电荷。
根据本发明的另一个实施例，所述将电荷从所述开关节点转移到所述驱动器节点进一步包括通过电阻器转移电荷。
根据本发明的另一个实施例，本发明提供一种开关电源控制电路，包括：
开关节点；
驱动器节点；
电源节点；
用于产生升压信号的装置，所述升压信号用于驱动与所述开关节点和所述驱动器节点相连接的开关；以及
用于限制所述升压信号的装置。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括用于缓冲所述开关节点的装置。
根据本发明的另一个实施例，所述用于缓冲所述开关节点的装置与所述用于限制所述升压信号的装置组成一体。
附图简要说明
图1图示说明了现有技术中用于开关电源的栅驱动器电路；
图2图示说明了根据本专利公开内容中一些发明原理的电路实施例；
图3图示说明了根据本专利公开内容中一些发明原理的另一种电路实施例；
图4图示说明了显示了根据本专利公开内容中一些发明原理的一些附加实现细节的电路实施例。
详细描述
参照图1的电路，作为可操作的例子，假设电源PS为正电压VPS，而假设电源端GND为地电位。当开启底部的晶体管Q2，即当开关节点SW通过Q2接地(除通过Q2的任何电阻压降外)时，升压电路中的电容器CB充电至VPS-VD。当激活输入IN1时，该电容电压通过驱动器10驱动到顶部晶体管Q1的栅极上。当Q1开启时，该电容电压加到开关节点SW的电压上，因此在升压端BST处产生升压VBST。这几乎在Q1的栅-源输入端上放置了全部电源电压VPS(减去二极管压降)，并需要CB存储足够的电荷，以便将Q1的栅极电容充电至几乎全部的电源电压。由于包含了大量的电荷，这就会引起高开关损耗。
一种降低开关损耗的可能技术为升压电路14提供较低的电源电压，也就是不将升压电路14直接连接到PS上。这个降低的电源电压必须足够高以产生升压VBST，该升压VBST能够完全开启顶部晶体管Q1以便最小化通过Q1的导通损耗，并且这个降低的电源电压必须足够低以最小化开关损耗。通常存在一个最佳的降低电源电压，其产生最佳升压，但降低的电源电压通常由特定电路产生，这增加了系统的成本和复杂性。
图1电路的另一个潜在的难以解决的问题为缓冲器电路16中的功率损耗。在许多情况下，缓冲器电路对阻止电压尖峰损坏晶体管Q1和Q2是必要的。然而，相当大数量的电荷通过缓冲器分流到地，导致功率的浪费以及效率的降低。
本专利所公开的一些发明原理涉及在升压电路和/或缓冲器电路内部和/或在它们之间转移电荷。图2说明了根据本专利公开内容中一些发明原理的用于转移电荷的电路实施例。图2的电路包括第一个开关18，其布置在电源端PS和开关节点SW之间，并由驱动器节点的驱动信号DRV1控制。第二个开关20布置在SW和第二个电源端GND之间，并由第二个驱动器节点的第二个驱动信号DRV2控制。驱动信号DRV1和DRV2分别由驱动器电路22和24响应于开关输入信号IN1和IN2产生。
升压电路26在升压节点BST处产生升压信号VBST，以操作驱动器电路22。升压电路包括分压器电路28，在这个例子中将分压器电路28概念性地显示为在元件之间转移电荷以限制升压信号的电容分压器。
图3图示说明了根据本专利公开内容中一些发明原理的用于转移电荷的另一种电路实施例。图3的电路包括开关18及20和驱动器电路22及24，它们的布置方式如同图2的电路。然而，图3的电路包括缓冲器电路30，将其布置成转移电荷至升压电路32，该升压电路产生用于提供功率以驱动开关18的升压信号VBST。
图4图示说明了一种电路实施例，其示出了根据本专利公开内容中一些发明原理的一些示例实施方案的细节.开关18及20用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)实现，但可使用其它任意类型的合适开关.驱动器电路22及24可为任意合适的栅驱动器.阴极负载(boot-strap)二极管D1连接在电源节点PS和升压节点BST之间。电容器C1连接在开关节点SW和升压节点BST之间，优选地经过电阻器R1。第二个电容器C2连接在BST和电源GND之间。电容器C1和C2构成电容分压器，用以降低在升压节点BST处的升压电压VBST。如图4所示的元件布置还在开关节点SW处提供了缓冲，可将电荷从开关节点SW转移至升压电路。
取决于实施方案的细节，由于因C1和C2的分压作用而降低了升压信号VBST的电压电平，所以图4的电路可减少开关损耗。由于存在经由R1/C1和C2从开关节点SW到升压节点BST的反馈，所以当启动开关18时，该电路也可提供最优化的摆率控制。也就是说，晶体管18的栅极电压可迅速地上升以快速启动晶体管，因而最终摆率控制可以减小开关节点SW处的电压尖峰。因为SW节点的缓冲处在驱动器的反馈之中，该缓冲就可以通过电阻器R1及其所串联的C1及C2组合之间的相互作用，提供比现有技术方法更好的缓冲响应。图4的布置可以减小在一些或所有部件上的应力，例如，在开关和阴极负载二极管上的电压应力。而从图4的电路中得到的整体效率使得能够使用更少和/或成本更低的开关和所需使用的其它元件。然而，图4的电路的另一个潜在好处是电阻器R1可通过限制穿过阴极负载二极管的电流冲击而降低应力。由于升压和缓冲功能都在相同的元件中组成一体，所以无需其它元件及其相关成本就可实现这些潜在的好处。另一个潜在的好处是由于可通过将原本被分流至地而浪费的电荷转移至升压节点而使这些电荷得以保存，所以能够提高效率。
尽管没有必要理解本专利公开内容的发明原理，本文仍然提供了涉及图4中一些元件值的有用的公式。电容值由下式确定：
C 1 = 10 × Q GATE V CC - V D
和
C 2 = 10 × Q GATE V GATE - C 1
其中，QGATE是所需栅极电压为VGATE的开关18的栅极上所需的总电荷，VCC为电源电压，而VD为横跨D1的电压降。阴极负载二极管的峰值冲击电流IF(PEAK)额定值由下式确定：
I F ( PEAK ) = V CC - V D R 1
以上参考一些特定例子的实施例描述了本专利公开内容的发明原理，但是可在布置和细节方面对这些实施例进行修改，而不偏离本发明的概念。例如，在一些实施例中将开关示为MOSFET，但根据本发明公开内容的发明原理，可使用任何其他适合的开关。如另一个例子，电源和升压信号不限制于任何特定的极性、电压或开关电源拓扑。还如另一个例子，可以重新布置电阻器R1或将其从图4的电路中删除，而仍然能够保持有益的结果。还如另一个例子，可以将C2布置在BST和除GND之外的其他节点之间。因此，应当认为这种改变和修改落在所附权利要求的范围内。

Claims (13)

1.一种开关电源控制电路，包括：
开关节点，其设置为连接在两个串联连接的开关之间；
第一驱动器电路，其设置成经由第一驱动器节点提供第一驱动信号，以可操作地驱动所述两个串联连接的开关中的第一开关；
第二驱动器电路，其设置成经由第二驱动器节点提供第二驱动信号，以可操作地驱动所述两个串联连接的开关中的第二开关；
升压节点，其连接至所述第一驱动器电路；
电源节点；以及
升压电路，其与所述开关节点和所述电源节点相连接，以产生升压电源，并将所述升压电源经由所述升压节点连接至所述第一驱动器电路来驱动所述第一开关，其中所述升压电路包括分压器以限制所述升压电源；
其中所述分压器包括：
连接在所述升压节点和所述电源节点之间的第一个电容器；以及
连接在所述升压节点和所述开关节点之间的第二个电容器。
2.如权利要求1所述的电路，其中所述分压器进一步包括与所述电容器之一串联连接的电阻器。
3.一种开关电源控制电路，包括：
开关节点，其设置为连接在两个串联连接的开关之间；
第一驱动器电路，其设置成经由第一驱动器节点提供第一驱动信号，以可操作地驱动所述两个串联连接的开关中的第一开关；
第二驱动器电路，其设置成经由第二驱动器节点提供第二驱动信号，以可操作地驱动所述两个串联连接的开关中的第二开关；
缓冲器电路，与所述开关节点相连接；以及
升压电路，其与所述开关节点相连接，以产生升压电源，用于提供电源给所述第一驱动器电路来驱动所述第一开关；
其中，所述缓冲器电路被布置为将电荷从所述开关节点转移至所述升压电路；以及
其中，所述缓冲器电路包括连接在所述开关节点和所述升压电路之间的电容器和电阻器。
4.如权利要求3所述的电路，其中所述电容器和电阻器与所述升压电路中的升压节点相连接。
5.如权利要求4所述的电路，其中所述电容器和电阻器串联连接。
6.如权利要求4所述的电路，其中所述升压电路包括连接在所述升压节点和电源端之间的第二个电容器。
7.一种用于控制开关电源的方法，包括以下步骤：
设置第一驱动器电路形成第一驱动信号以经由第一驱动器节点驱动两个串联连接的开关中的第一开关，设置第二驱动器电路形成第二驱动信号以经由第二驱动器节点驱动所述两个串联连接的开关中的第二开关，其中开关节点连接在所述第一开关和所述第二开关之间；
产生升压电源，其中，所述第一驱动器电路接收所述升压电源作为操作所述第一驱动器电路的电源，
以及
其中产生升压电源的步骤包括在连接至所述第一驱动器电路的两个电容器之间转移电荷，以降低所述升压电源的电压。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述转移电荷的步骤包括分压。
9.如权利要求7所述的方法，进一步包括将电荷从所述开关节点转移到所述第一驱动器节点。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述将电荷从所述开关节点转移到所述驱动器节点的步骤进一步包括通过电阻器转移电荷。
11.一种开关电源控制电路，包括：
开关节点，其设置为连接在两个串联连接的开关之间；
第一驱动器电路，其设置成形成第一驱动信号以经由第一驱动器节点可操作地驱动所述两个串联连接的开关中的第一开关；
第二驱动器电路，其设置成形成第二驱动信号以经由第二驱动器节点可操作地驱动所述两个串联连接的开关中的第二开关；
电源节点；
用于产生升压信号的装置，以给所述第一驱动电路提供电源；以及
电荷转移装置，其连接至所述用于产生升压信号的装置，用于限制所述升压信号。
12.如权利要求11所述的电路，进一步包括用于缓冲所述开关节点的装置。
13.如权利要求12所述的电路，其中所述用于缓冲所述开关节点的装置与所述用于限制所述升压信号的装置组成一体。
CN2005800243958A 2004-08-02 2005-07-27 带有电荷转移的升压开关驱动器 Expired - Fee Related CN1989582B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US59866604P 2004-08-02 2004-08-02
US60/598,666 2004-08-02
US10/976,196 2004-10-26
US10/976,196 US7592718B1 (en) 2004-08-02 2004-10-26 Boosted switch drive with charge transfer
PCT/US2005/026735 WO2006020407A2 (en) 2004-08-02 2005-07-27 Boosted switch drive with charge transfer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1989582A CN1989582A (zh) 2007-06-27
CN1989582B true CN1989582B (zh) 2010-05-05

Family

ID=38185474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800243958A Expired - Fee Related CN1989582B (zh) 2004-08-02 2005-07-27 带有电荷转移的升压开关驱动器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7592718B1 (zh)
CN (1) CN1989582B (zh)
TW (1) TWI318817B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007061978B4 (de) * 2007-12-21 2013-04-11 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Bereitstellen einer Spannungsversorgung für eine Transistor-Treiberschaltung
US10243443B2 (en) * 2016-03-16 2019-03-26 Analog Devices, Inc. Bias voltage generator for n-channel based linear regulator
DE102017211030B4 (de) * 2017-06-29 2020-07-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrische Schaltungsanordnung mit einer aktiven Entladeschaltung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1077573A (zh) * 1992-04-14 1993-10-20 德国索姆森-布兰特有限公司 自由振荡开关式电源
US5943200A (en) * 1998-01-06 1999-08-24 Lucent Technologies Inc. Peak voltage clamping circuit for high frequency boost converter and method of operation thereof
US5998981A (en) * 1997-06-03 1999-12-07 International Business Machines Corporation Weak inversion NMOS regulator with boosted gate
CN1294444A (zh) * 1999-09-22 2001-05-09 索尼公司 开关电源电路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5646894A (en) * 1995-11-21 1997-07-08 Texas Instruments Incorporated Smart boost circuit for low voltage flash EPROM
SG66453A1 (en) * 1997-04-23 1999-07-20 Int Rectifier Corp Resistor in series with bootstrap diode for monolithic gate device
US6683441B2 (en) 2001-11-26 2004-01-27 Analog Devices, Inc. Multi-phase switching regulator
US6943535B1 (en) 2002-10-17 2005-09-13 Analog Devices, Inc. Multiple-phase DC-DC converter topology
JP3699082B2 (ja) * 2002-12-16 2005-09-28 エヌイーシーコンピュータテクノ株式会社 スイッチング電源回路
DE60337033D1 (de) * 2003-02-11 2011-06-16 Det Int Holding Ltd Aktiv-snubber
US20050073866A1 (en) * 2003-10-07 2005-04-07 John Cummings Boost converters, power supply apparatuses, electrical energy boost methods and electrical energy supply methods

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1077573A (zh) * 1992-04-14 1993-10-20 德国索姆森-布兰特有限公司 自由振荡开关式电源
US5998981A (en) * 1997-06-03 1999-12-07 International Business Machines Corporation Weak inversion NMOS regulator with boosted gate
US5943200A (en) * 1998-01-06 1999-08-24 Lucent Technologies Inc. Peak voltage clamping circuit for high frequency boost converter and method of operation thereof
CN1294444A (zh) * 1999-09-22 2001-05-09 索尼公司 开关电源电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张健，王爱军.镇流器控制与半桥驱动器IR2156的功能与应用.国外电子元器件 8.2001,(8),7-10.
张健，王爱军.镇流器控制与半桥驱动器IR2156的功能与应用.国外电子元器件 8.2001,(8),7-10. *

Also Published As

Publication number Publication date
TWI318817B (en) 2009-12-21
CN1989582A (zh) 2007-06-27
TW200625768A (en) 2006-07-16
US7592718B1 (en) 2009-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7688052B2 (en) Charge pump circuit and method therefor
US7459945B2 (en) Gate driving circuit and gate driving method of power MOSFET
JP4712519B2 (ja) ハイサイド駆動回路用チャージポンプ回路及びドライバ駆動電圧回路
DE102013217173B4 (de) Schaltungsanordnung umfassend eine Halbbrücke und Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines High-Side-Schalters
KR100674553B1 (ko) 차지 펌프 회로
KR100725476B1 (ko) 승압형 ｄｃ-ｄｃ 컨버터 및 승압형 ｄｃ-ｄｃ 컨버터의제어 방법
US9806616B2 (en) Control circuit for multiple high side switches
US7148673B2 (en) Method and apparatus including low loss DC/DC converter
CN101401307B (zh) 驱动器电路和使用该驱动器电路的半导体装置
US7098633B1 (en) Boost converter with series switch
CN105391298A (zh) 开关转换器控制
US20110254529A1 (en) Voltage converter
US6172493B1 (en) Switch-mode power converter circuit
CN112567612B (zh) 开关元件的驱动电路和开关电路
CN203219176U (zh) 电荷泵电路
KR20060059996A (ko) 제어 회로 및 공진 드라이버 회로 동작 방법
US20040136212A1 (en) Voltage booster having noise reducing structure
CN1989582B (zh) 带有电荷转移的升压开关驱动器
US9602096B2 (en) Power electronic device with improved efficiency and electromagnetic radiation characteristics
US20090309650A1 (en) Booster circuit
JP6973316B2 (ja) 電力変換装置
JP4319336B2 (ja) Ｍｏｓスイッチング回路
US6724240B2 (en) Method and integrated circuit for boosting a voltage
US10819234B2 (en) Switching converter with a self-operated negative boost switch
JP2008508848A (ja) 電荷移動を伴うブースト型スイッチ駆動装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SEMICONDUCTOR COMPONENT INDUSTRY CO., LTD

Free format text: FORMER OWNER: ANALOG DEVICES INC.

Effective date: 20080425

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20080425

Address after: Delaware

Applicant after: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC

Address before: Massachusetts, USA

Applicant before: ANALOG DEVICES, Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100505

Termination date: 20210727

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee