JPH11285239A - スイッチング素子を駆動する回路 - Google Patents

スイッチング素子を駆動する回路

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JPH11285239A
JPH11285239A JP10081638A JP8163898A JPH11285239A JP H11285239 A JPH11285239 A JP H11285239A JP 10081638 A JP10081638 A JP 10081638A JP 8163898 A JP8163898 A JP 8163898A JP H11285239 A JPH11285239 A JP H11285239A
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JP
Japan
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transistor
mos transistor
circuit
turned
switching element
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JP10081638A
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English (en)
Inventor
Tetsuji Oya
哲司 大矢
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Toyota Industries Corp
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Toyoda Automatic Loom Works Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • HELECTRICITY
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    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/042Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
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    • HELECTRICITY
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    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches

Abstract

(57)【要約】 【課題】 互いに接続された1組のスイッチング素子の
誤点弧を防止し、あるいはその誤点弧の影響を小さくす
る。 【解決手段】 MOSトランジスタ1およびMOSトラ
ンジスタ2は、互いに直列に接続されている。これらの
MOSトランジスタは、それぞれスイッチング信号そよ
び/Sに従って駆動される。トランジスタQ8は、その
コレクタがMOSトランジスタ2のゲートに接続されて
いる。MOSトランジスタ1とMOSトランジスタ2と
の接続点Lx とトランジスタQ8のベースとの間にコン
デンサCxを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】互いに接続された1組のスイ
ッチング素子を駆動する回路に係わる。
【0002】
【従来の技術】互いに接続された1組のスイッチング素
子を交互に駆動しながらその接続点に接続される負荷に
電流を供給する回路は従来から広く知られている。この
種の回路は、たとえば、DC/DCコンバータやインバ
ータ等の電源回路、或いはモータ等を駆動するためのH
ブリッジ回路に使用されている。
【0003】図5は、互いに接続された1組のスイッチ
ング素子およびその駆動回路の従来の一構成例の回路図
である。ここでは、従来の駆動回路がDC/DCコンバ
ータに適用された場合の例を示している。
【0004】MOSトランジスタ1およびMOSトラン
ジスタ2は、互いに直列に接続されており、MOSトラ
ンジスタ1には入力電圧Vinが印加され、MOSトラン
ジスタ2は接地されている。MOSトランジスタ1とM
OSトランジスタ2との接続点(点Lx )には、インダ
クタおよびそのインダクタを介して出力コンデンサが接
続されている。
【0005】MOSトランジスタ1の駆動回路は、トラ
ンジスタQ1〜Q4、およびトランジスタM1〜M4か
ら構成され、MOSトランジスタ2の駆動回路は、トラ
ンジスタQ5〜Q8、およびトランジスタM5〜M8か
ら構成されている。これら2つの駆動回路は互いに同じ
構成である。トランジスタQ1、Q2、M3およびM4
はMOSトランジスタ1をターンオンしてそのオン状態
を保持するための回路であり、トランジスタQ3、Q
4、M1およびM2は、MOSトランジスタ1をターン
オフしてそのオフ状態を保持するための回路である。M
OSトランジスタ2についても同様である。
【0006】スイッチング信号Sおよび/Sは、それぞ
れMOSトランジスタ1およびMOSトランジスタ2を
制御するための信号であり、基本的には互いに反転した
状態である。したがって、これらの信号により、MOS
トランジスタ1およびMOSトランジスタ2は、交互に
オン状態に駆動される。
【0007】MOSトランジスタ1を駆動する回路の動
作を簡単に説明する。スイッチング信号Sとして「H」
が入力されると、トランジスタQ1がオフ状態に保持さ
れると共に、トランジスタM1がオン状態となることに
よってトランジスタQ2もオフ状態に保持される。した
がって、MOSトランジスタ1のゲートには電流は振り
込まれない。また、スイッチング信号Sとして「H」が
入力されると、トランジスタM2およびM3がそれぞれ
オン状態およびオフ状態となることによってトランジス
タQ3がオン状態に保持されると共に、トランジスタM
4がオフ状態となることによりトランジスタQ4もオン
状態に保持される。したがって、MOSトランジスタ1
のゲートから電流が引き抜かれる。これらの結果、MO
Sトランジスタ1は、オフ状態に保持される。
【0008】一方、スイッチング信号Sとして「L」が
入力されると、トランジスタQ1およびQ2がオン状態
に保持されることにより、MOSトランジスタ1のゲー
トに電流が振り込まれ、同時に、トランジスタQ3およ
びQ4がオフ状態に保持される。この結果、MOSトラ
ンジスタ1は、オン状態に保持される。
【0009】MOSトランジスタ2を駆動する回路の動
作は、上述したMOSトランジスタ1を駆動する回路の
それと同じである。したがって、スイッチング信号Sお
よび/Sとして互いに反転した状態が入力されると、M
OSトランジスタ1およびMOSトランジスタ2は交互
にオン状態に駆動される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、MO
Sトランジスタ1およびMOSトランジスタ2は基本的
に交互にオン状態に駆動されるが、もし、これら2つの
トランジスタが同時にオン状態になると、電源(入力電
圧Vin)と接地とが実質的に短絡される。このような短
絡が発生すると、MOSトランジスタ1およびMOSト
ランジスタ2は過電流によって破壊される恐れがある。
このため、通常、このような短絡を回避するために、M
OSトランジスタ1およびMOSトランジスタ2が同時
にオン状態にならないように「デッドタイム」が設けら
れている。たとえば、MOSトランジスタ1をターンオ
ンする際には、その直前にMOSトランジスタ2をター
ンオフしておく。
【0011】このようなデッドタイムを設けた構成にお
いて、MOSトランジスタ1をターンオンすると、MO
Sトランジスタ2は既にターンオフされているので、点
Lxの電位は急激に上昇する。ここで、当業者には良く
知られているように、MOSトランジスタのドレイン・
ゲート間は、寄生のコンデンサ(容量)が存在する。し
たがって、MOSトランジスタ1のターンオンに際して
点Lx の電位が急激に上昇すると、その寄生コンデンサ
(容量)の存在により、MOSトランジスタ2のゲート
電位も上昇する。このとき、もし、MOSトランジスタ
2のゲート・ソース間の電位が、その閾値電圧を越える
と、MOSトランジスタ2はターンオンされる。すなわ
ち、この場合、スイッチング信号/Sが「オフ」を指示
しているにもかかわらず、MOSトランジスタ2がター
ンオンしてしまう。このような動作は、「誤点弧」と呼
ばれることがある。
【0012】MOSトランジスタ2において上述のよう
な誤点弧が発生すると、MOSトランジスタ1は既にオ
ン状態になっているので、それら2つのトランジスタが
同時にオン状態になってしまう。そして、この状態は、
以下の動作によりMOSトランジスタ2がターンオフさ
れると終了する。 (1) 点VL の電位の上昇により、トランジスタM6のゲ
ート・ソース間電圧がその閾値を越える。 (2) 上記(1) により、トランジスタM6がオン状態にな
る。 (3) 上記(2) により、トランジスタQ7がオン状態な
る。 (4) 上記(3) により、トランジスタQ8にベース電流が
流れ、トランジスタQ8がターンオンする。 (5) 上記(4) により、MOSトランジスタ2のゲートか
ら電流が引き抜かれ、MOSトランジスタ2がターンオ
フする。
【0013】上記(1) 〜(5) の動作には、ある程度の時
間を要する。また、トランジスタM6の閾値が大きい場
合には、点VL の電位の上昇によってはトランジスタM
6は容易にはターンオンされない。この場合、MOSト
ランジスタ2は、比較的長い期間、オン状態を継続する
ことになる。
【0014】このように、従来の駆動回路では、互いに
接続された1組のスイッチング素子のうちの一方をター
ンオンした際に他方のスイッチング素子において誤点弧
が発生し、それにより1組のスイッチング素子が同時に
オン状態になると、その状態から短時間で抜け出すこと
ができなかった。或いは、その状態から抜け出すことが
できなかった。このような状態は、これらのスイッチン
グ素子に接続される回路(負荷)の動作を不安定にする
だけでなく、スイッチング素子自体を破壊に導く恐れが
ある。
【0015】本発明の課題は、互いに接続された1組の
スイッチング素子の誤点弧を防止すること、あるいはそ
の誤点弧の影響を小さくすることである。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の駆動回路は、互
いに接続された第1および第2のスイッチング素子を駆
動する構成を前提とし、第1のスイッチング素子の制御
端子に接続されて制御信号に従ってその第1のスイッチ
ング素子の制御端子から電流を引き抜く電流引抜手段、
およびその電流引抜手段と第1および第2のスイッチン
グ素子との接続点との間に設けられるコンデンサを備え
る。電流引抜手段は、上記コンデンサを介して入力され
る信号に従って第1のスイッチング素子の制御端子から
電流を引き抜く。
【0017】上記構成によれば、第2のスイッチング素
子のスイッチングに際して、第1のスイッチング素子と
第2のスイッチング素子との接続点の電位が変化する
と、上記電流引抜手段には、上記コンデンサを介してそ
の旨を表す信号が入力される。電流引抜手段は、このコ
ンデンサを介した信号に従って第1のスイッチング素子
の制御端子から電流を引き抜く。このことにより、第1
のスイッチング素子は、強制的にターンオフされる。
【0018】なお、本発明において、「互いに接続され
た」とは、2つのスイッチング素子が直接的に接続され
る構成だけではなく、電気的に接続されている場合を含
むものとする。
【0019】上記構成において、電流引抜手段をトラン
ジスタで実現できる。この場合、上記コンデンサはその
トランジスタの制御端子に接続される。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態の駆
動回路の適用例の構成図である。ここでは、本実施形態
の駆動回路が、DC/DCコンバータに設けられたMO
Sトランジスタ1およびMOSトランジスタ2を駆動す
る構成を採り上げて説明する。
【0021】このDC/DCコンバータは、入力電圧V
inから出力電圧Vout を生成して負荷に供給する構成で
ある。制御回路11は、たとえば、出力電圧Vout をフ
ィードバック信号として受け取り、その電圧を予め設定
してある所定の値に保持するためのスイッチング信号S
および/Sを生成する。制御方式は、たとえば、PWM
またはPFMであり、この場合、スイッチング信号Sお
よび/Sは、それぞれパルス信号である。
【0022】駆動回路12は、本発明に直接係わる回路
であり、スイッチング信号Sおよび/Sに従ってMOS
トランジスタ1およびMOSトランジスタ2を駆動す
る。駆動回路12は、スイッチング信号Sに従ってMO
Sトランジスタ1を駆動するMOS駆動部13、および
スイッチング信号/Sに従ってMOSトランジスタ2を
駆動するMOS駆動部14を備える。
【0023】スイッチング信号Sおよび/Sは、図2に
示すように、基本的には、互いに反転させられたパルス
信号である。MOS駆動部13は、スイッチング信号S
として「H」を受信するとMOSトランジスタ1をオフ
状態に保持し、「L」を受信するとMOSトランジスタ
1をオン状態に保持する。同様に、MOS駆動部14
は、スイッチング信号/Sとして「H」を受信するとM
OSトランジスタ2をオフ状態に保持し、「L」を受信
するとMOSトランジスタ2をオン状態に保持する。
【0024】スイッチング信号Sおよび/Sには、MO
Sトランジスタ1およびMOSトランジスタ2を同時に
オン状態にしないようにするために、「デッドタイム」
が与えられている。このデッドタイムにより、MOSト
ランジスタ1がターンオンされる際にはその直前にMO
Sトランジスタ2がターンオフされ、反対に、MOSト
ランジスタ2がターンオンされる際にはその直前にMO
Sトランジスタ1がターンオフされる。
【0025】図3は、本実施形態の駆動回路の回路図で
ある。この駆動回路は、図5に示した従来の駆動回路
に、コンデンサCx を設けた構成である。コンデンサC
x は、MOSトランジスタ1とMOSトランジスタ2と
の接続点である点Lx と、MOSトランジスタ2のゲー
トから電流を引き抜くために設けられているトランジス
タQ8のベースとの間に設けられている。コンデンサC
x の容量は、たとえば、入力電圧Vin、MOSトランジ
スタ1およびMOSトランジスタ2に接続されるインダ
クタンスの大きさ、トランジスタQ8の特性、およびM
OSトランジスタ2の特性などにより決定する。
【0026】本実施形態の駆動回路の基本的な動作は、
図5を参照しながら説明した通りなので、ここでは、コ
ンデンサCx の働きについてのみ説明する。なお、コン
デンサCx は、MOSトランジスタ1のターンオン時
に、MOSトランジスタ2の誤点弧を防止すること、あ
るいはその誤点弧による悪影響を小さくすること目的と
して設けられている。したがって、ここでは、MOSト
ランジスタ1をターンオンする際の駆動回路12の動作
を説明する。
【0027】MOSトランジスタ1がターンオンされる
タイミングでは、図2を参照しながら説明したように、
スイッチング信号/Sは既に「H」になっており、MO
トランジスタ2はオフ状態になっている。この状態でス
イッチング信号Sが「H」から「L」に変化すると、図
5を参照しながら説明したように、トランジスタQ2を
介してMOSトランジスタ1のゲートに電流が振り込ま
れると共に、トランジスタQ4がオフ状態になるので、
MOSトランジスタ1はターンオンされる。そして、こ
のターンオン動作により、点Lx の電位は急上昇する。
【0028】点Lx の電位が上昇すると、図5を参照し
ながら説明したように、MOSトランジスタ2のドレイ
ン・ゲート間に存在する寄生コンデンサ(容量)の影響
によってMOSトランジスタ2のゲートの電位も上昇す
るが、同時に、コンデンサCx により、トランジスタQ
8のベースの電位も上昇する。このことにより、トラン
ジスタQ8は、そのベース電流が流れてターンオンさ
れ、MOSトランジスタ2のゲートから電流(電荷)を
引き抜く。この結果、MOSトランジスタ2のゲート・
ソース間電圧が減少するので、MOSトランジスタ2は
ターンオンされない。あるいは、上記寄生コンデンサ
(容量)の影響によりMOSトランジスタ2がターンオ
ンされたとしても、トランジスタQ8が即座にターンオ
ンされてMOSトランジスタ2のゲートから電流を引き
抜くので、MOSトランジスタ2は極めて短時間のうち
にオフ状態に戻る。
【0029】このように、本実施形態の駆動回路では、
コンデンサCx を設けたことによって、MOSトランジ
スタ2の誤点弧を防止できる。或いは、誤点弧が発生し
た場合であっても、その影響を極めて小さくすることが
できる。
【0030】なお、トランジスタQ8は、そのオン状態
において、MOSトランジスタ2のゲートから電流を引
き抜いているが、このことは、MOSトランジスタ2の
ゲートの電位を制御していることと実質的に等価である
と言える。
【0031】図4は、本発明の効果を説明する図であ
る。ここでは、図3に示す本実施形態の駆動回路を、図
5に示した従来の駆動回路と比較する。従来の駆動回路
においては、図5を参照しながら説明したように、MO
Sトランジスタ1がターンオンされた後、トランジスタ
M6のターンオン、及びそれに起因するトランジスタQ
7のターンオンを経てトランジスタQ8がターンオンさ
れる。したがって、MOSトランジスタ1がターンオン
されてから、トランジスタQ8がターンオンされてMO
Sトランジスタ2のゲートから電流を引き抜くまでの時
間が短いとは言えず、この間にMOSトランジスタ2を
介して大きな電流が流れてしまう恐れがあった。
【0032】これに対して、本実施形態の駆動回路で
は、MOSトランジスタ1がターンオンされると、即座
にトランジスタQ8のベース電流が流れてトランジスタ
Q8がターンオンする。このため、MOSトランジスタ
1がターンオンされてから、MOSトランジスタ2のゲ
ートから電流が引き抜かれるまでの時間が短く、この期
間には、MOSトランジスタ2を介して電流は流れない
か、流れたとしても微小である。なお、本実施形態で
は、図4に示すように、トランジスタQ7がターンオフ
されることなくトランジスタQ8がターンオンされるこ
とがある。
【0033】上記実施例では、1組のスイッチング素子
としてMOSトランジスタを使用する構成を示したが、
IGBT等の他の電圧駆動型の素子であってもよいし、
あるいは、電流駆動型の半導体素子であってもよい。
【0034】また、上記実施例では、1組のスイッチン
グ素子うちの一方の制御端子から電流を引き抜くための
手段として、バイポーラトランジスタを用いているが、
本発明はこの構成に限定されるものではない。実施例の
バイポーラトランジスタ以外にも、本発明のために新た
に設けたコンデンサを介して入力される信号に従ってそ
のスイッチング素子の制御端子から電流を引き抜く回路
であれば同等の効果が得られる。
【0035】さらに、上記実施例では、一適用例として
DC/DCコンバータを採り上げて説明したが、本発明
は、この構成に限定されるものではなく、互いに接続さ
れる1組のスイッチング素子を交互に駆動する回路に広
く適用できる。
【0036】
【発明の効果】互いに接続される1組のスイッチング素
子を交互に駆動する際に、一方のスイッチング素子のタ
ーンオンに起因して発生する他方のスイッチング素子の
誤点弧を防ぐことができる。或いは、その誤点弧の影響
を小さくできる。よって、その1組のスイッチング素子
に接続される回路の動作が安定し、また、それらスイッ
チング素子に過電流が流れることはない
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態の駆動回路の適用例の構成図であ
る。
【図2】駆動回路に与えられるスイッチング信号の一例
を示す図である。
【図3】本実施形態の駆動回路の回路図である。
【図4】本発明の効果を説明する図である。
【図5】互いに接続された1組のスイッチング素子およ
びその駆動回路の従来の一構成例の回路図である。
【符号の説明】
1、2 MOSトランジスタ 11 制御回路 12 駆動回路 13、14 MOS駆動部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H03K 17/687 H03K 17/687 F

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに接続された第1および第2のスイ
    ッチング素子を駆動する回路であって、 上記第1のスイッチング素子の制御端子に接続され、制
    御信号に従って上記第1のスイッチング素子の制御端子
    から電流を引き抜く電流引抜手段と、 その電流引抜手段と、上記第1および第2のスイッチン
    グ素子との接続点との間に設けられるコンデンサを備
    え、 上記電流引抜手段が、上記コンデンサを介して入力され
    る信号に従って上記第1のスイッチング素子の制御端子
    から電流を引き抜く駆動回路。
  2. 【請求項2】 上記電流引抜手段がトランジスタであ
    り、上記コンデンサはそのトランジスタの制御端子に接
    続される請求項1に記載の駆動回路。
  3. 【請求項3】 互いに接続された第1および第2の電圧
    駆動型スイッチング素子を駆動する回路であって、 上記第1のスイッチング素子のゲートに接続され、制御
    信号に従って上記第1のスイッチング素子のゲート電位
    を変化させる電位制御手段と、 その電位制御手段と、上記第1および第2のスイッチン
    グ素子との接続点との間に設けられるコンデンサを備
    え、 上記電位制御手段が、上記コンデンサを介して入力され
    る信号に従って上記第1のスイッチング素子のゲート電
    位を変化させる駆動回路。
JP10081638A 1998-03-27 1998-03-27 スイッチング素子を駆動する回路 Withdrawn JPH11285239A (ja)

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