CN1128442C - 光学信息的记录方法 - Google Patents

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Abstract

标志长度调制记录中,把标志的后端校正脉冲序列加到记录脉冲序列与冷却功率处激光辐射或后端校正脉冲序列间进行偏置功率激光辐射。依标志长度改变辐射起始时间、宽度、后端校正脉冲序列的结构。CAV模式下,依盘片半径改变辐射时间和起始时间。记录脉冲包括起始沿、结束沿脉冲和其间的脉冲时,在记录脉冲序列和冷却功率间进行偏置功率激光辐射。根据结束沿脉冲的延迟量或时钟进行依据标志长度和间隔的辐射起始时间定时的改变。

Description

光学信息的记录方法    
本申请是1996年10月4日提交的原申请号为96191828.4(PCT/JP96/02897)的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及用于光盘的记录方法和记录单元,该光盘通过使用光学装置诸如激光光束以高速度和高密度记录和复现信息。
背景技术
众所周知利用激光光束复现或记录高密度信息的技术,此技术主要作为光盘投入实际应用。
光盘大致可分成只读型、写一次读多次型和可改写型。
例如,只读型实际用作密致盘片和激光盘片,写一次读多次和可改写型实际用作文件档案、数据档案等。
此外,可改写的光盘主要包括光磁和相变化型。
相变化型的光盘利用这种优点,即由于激光光束或类似光束的辐射,记录层可在例如非晶态和晶态之间或在晶态和不同结构的晶态之间引起可逆的状态变化。即,至少在薄膜的折射率或消耗系数中之一由激光辐射改变并执行记录,然后在此部分改变传输或反射的光的幅度,检测到通向检测系统的传输或反射的光量中结果的变化,并复现信号。注意主要采用Te、Se、In和Sb合金作为非晶态和晶态之间引起状态变化的典型材料。
在相变化型光盘中,也可使用一次光束重写来重写记录标志。一次光束重写是一种在擦写先前记录的旧信号的同时记录新信号的方法,它由记录信号调制位于记录功率和低于记录功率的偏置功率(也叫做擦写功率)之间的激光功率然后把此功率辐射到信号轨迹上。重写本身需要两个电平:记录功率电平和偏置功率电平,但如果考虑记录、擦写和复现,则需要三个电平:记录功率电平、偏置功率电平和复现功率电平。
例如,在结晶-非晶态相变化型光盘中,无论原始状态是非晶或结晶状态,被记录电平辐射的区域在熔化后都快速冷却,因此该区域变为无非晶。被擦写电平辐射的区域上升到高于结晶温度,所以不管原始状态该区域都被结晶并重写新的信号。
另一方面,在用于光盘的记录复现单元中,主要有两种旋转盘片的方法:一种是以盘片的内部和外部圆周相同的线速度旋转盘片的方法(CLV),另一种是以恒定的角速度旋转盘片的方法(CAV)。
例如,在类似于计算机外部存储器所使用的数据文件需要高速存取的情况下,使用CAV,因为需要时间来改变盘片的转数。在此情况下,沿盘片圆周方向的线速度在外部圆周处变快,而在内部圆周处变慢。
也有两种记录调制:标志间隔调制(也叫做标志位置调制)和标志长度调制(也叫做标志边缘调制)。
标志间隔调制记录改变标志间隔以进行记录,并在复现时检测标志的位置以检测信号。
标志长度调制记录记录位于各种标志间隔处具有各种长度的标志,并在复现时检测标志两端的位置以检测信号。标志长度调制系统可具有高密度,理论上该密度是标志间隔调制系统的两倍。
理论上记录到相变化型光盘上的激光是热模式记录,因此在记录长标志的情况下,由于热积累效应使标志后端变得比前端厚,标志以泪滴的形式变形,结果,复现波形也变形且标志两端的位置将偏移。
因此,在所述标志长度调制系统中,提出了一种记录方法(也叫做多脉冲记录),此方法用多个脉冲组成的记录脉冲序列来构成用于形成单个记录标志的记录波形(例如,第3-185628号日本公开专利申请)。由此,与用单个脉冲进行记录的方法相比,可控制记录薄膜接收到的热量,因此对于在单个脉冲情况下所述标志的前和后沿,标志的结构是不对称的,标志的结构变得令人满意。
然而,即使在诸如上述系统多脉冲记录系统,如果高密度所需的标志间隔很窄,则将在标志之间产生热干扰,因此标志结构的长度将发生变化。
作为改进这个问题的一种方法,例如,已提出了第7-129959号日本公开专利申请中。在公开文本中,预测了热干扰的数量,且在上述多脉冲记录中,由要被记录的标志长度和标志之间的间隔改变记录脉冲序列的起始部分和结束部分的位置,从而抑制了标志之间的热干扰,并使信号特性令人满意。
在1光束重写中也提供了一种记录方法,该方法把记录脉冲调制成三段:记录功率、偏置功率和在记录功率后立即提供并低于偏置功率的功率(例如,第63-113938号日本公开专利申请)。
此外,在多脉冲记录系统中,也提出了一种记录方法,该方法把激光辐射加到低于偏置功率的功率上(例如,第6-295440号日本公开专利申请)。
还提出了一种记录方法,该方法中由标志间隔改变以冷却功率的辐射时间(以下叫做冷却功率辐射时间)(例如,第5-80491号日本专利申请)。
例如,在来自光源诸如半导体激光器的光辐射到所谓的光盘(诸如使用可改写相变化材料的光盘)引起物理状态变化从而记录信号的情况下,由于从光源的光获得的热量,记录层的温度到达几百度且用于记录的薄膜被熔化。
因此,通过叠加重写的次数,即重复多次重写,可因热破坏而引起信号衰减。
信号衰减的起因包括介电层或记录层的破坏以及叫做记录层的质量流动现象。质量流动是这样一种现象,由于记录层及其外围在记录时达到高的温度,所以经过多次循环,记录层的基底沿某一路径移动,因此在同一路径上产生厚的记录层和薄的记录层。结果,复现的信号波形将减弱,而且不能在该部分复现信号。无论如何,当多次循环引起的信号衰减量较大时,由于信号的衰减将限制光盘的应用。
此外,在光盘单元中由半导体激光器进行光辐射以引起物理状态变化的情况下,例如在使用可改写的相变化材料把信号记录在光盘中的情况下,记录标志的结构将根据被激光加热的记录层的冷却方式而变化。
即,在内部保持热量的情况下,曾经熔化的记录层将不会变成非晶态,而将为结晶态。结果,记录标志的形状变小或变形,所以复现信号的质量下降。
然后,在采用常规冷却脉冲的情况下,减少了留在标志后端部分的热量,因此容易使记录标志变为无定形,但在后端部分处冷却速度过度增加的情况下,无定形区域变得比标志的前端部分更大。
此外,还有重写特性随冷却功率状态和辐射时间而下降的情况。这可能是因为记录标志的后端沿横向过度增大,因此由重写引起严重的标志变形或产生未擦写部分。
在考虑较高密度记录的情况下,标志的前端部分和后端部分之间的对称性不够,因此重写后复现的跳动很大,而复现信号的质量不够。
此外,在标志间隔调制记录中,通过增加一冷却脉冲,形成大的标志并增加C/N比,从而可实现令人满意的信号质量。这里,C/N比是载波电平和噪声电平之间的比值。
然而,有时重写特性将随冷却功率的状态而下降。这可能因为由重写记录标志沿横向过度增大,因此产生未擦写部分。
发明内容
本发明提供了一种记录方法和一种记录单元,它们能极好地控制记录标志后端的热冷却状态从而标志可形成所需的形状,此外它们还可增强复现信号的质量,并减轻热破坏,从而可获得令人满意的循环特性。
依据本发明用于实现上述目的的记录方法是这样一种记录方法,其中在标志长度调制记录和标志间隔调制记录中,在以记录功率进行激光辐射后,把激光功率减小到低于偏置功率的冷却功率,在保持预定的时间后,再把激光功率升高到偏置功率。在此记录方法中,在以记录功率进行的激光辐射和在记录功率后立即以冷却功率进行的辐射之间以偏置功率进行激光辐射。
此外,对于标志长度记录,在进行了多脉冲激光辐射后把激光功率减小到低于偏置功率的冷却功率,以及在保持预定时间后再把激光功率升高到偏置功率的记录方法中,依据所记录的标志长度改变冷却功率辐射时间或冷却功率起始时间中的至少一项。
此外,在标志间隔调制记录中,依据CAV模式下盘片的半径来改变冷却功率起始时间。
此外,在标志长度调制记录中,依据CAV模式下盘片的半径改变冷却功率辐射时间或冷却功率起始时间中的至少一项。
此外,在标志长度调制记录中,在记录脉冲序列包括起始沿脉冲、结束沿脉冲和以周期小于起始沿脉冲和结束沿脉冲之间一个数据时钟周期交替切换的脉冲的情况下,在上述记录脉冲序列的结束沿脉冲后进行偏置功率的激光辐射,或在上述记录脉冲序列的结束沿脉冲和冷却功率的激光辐射之间进行偏置功率的激光辐射。
此外,在标志长度调制记录中,在记录脉冲序列包括起始沿脉冲、结束沿脉冲和以周期小于起始沿脉冲和结束沿脉冲之间一个数据时钟周期交替切换的脉冲,并且在所述记录脉冲序列的起始沿脉冲和结束沿脉冲的位置依据记录标志的长度和记录标志之间的间隔而变化的情况下,偏置功率的激光辐射时间是恒定的,无论记录脉冲序列起始沿脉冲或结束沿脉冲的位置如何,在记录脉冲序列结束沿脉冲的激光辐射开始后直到以冷却功率进行激光辐射的时间是恒定的,冷却功率的激光辐射起始时间的定时根据一个时钟。
此外,用于实现上述记录方法的存储单元包括:起始沿脉冲产生电路,该电路在数据高电平周期(high period)的起始沿位置产生具有恒定宽度的起始沿脉冲;短促选通脉冲产生电路,该电路在数据的高电平周期很长时在标志的中间位置产生短促选通脉冲信号,并在数据的高电平周期很短时不产生短促选通脉冲信号;结束沿脉冲产生电路,该电路在数据的高电平周期的结束沿位置产生具有恒定宽度的结束沿脉冲;标志/间隔长度检测电路,该电路在数据高电平周期具有n个时钟时产生包括所述起始沿脉冲和所述结束沿脉冲的nT标志信号,并在数据的低电平周期(low period)具有m个时钟时产生包括间隔的两个边沿所述结束沿脉冲和所述起始沿脉冲的mT标志信号(这里n和m是数据串中自然数);编码器,用于从所述nT标志信号和所述mT标志信号中产生选择信号,该选择信号用于控制下述起始沿选择器和下述结束沿选择器;冷却脉冲产生电路,该电路从来自下述可编程结束沿延迟线的延迟结束沿脉冲中产生具有恒定宽度的冷却脉冲;起始沿选择器,用于由所述选择器信号从多个起始沿值中选择和输出一个值;起始沿采样/保持电路,只有当出现所述起始沿脉冲时才更新所述起始沿选择器输出的起始沿设定值,并在不出现起始沿脉冲时保持先前的值;可编程起始沿延迟线,由所述起始沿采样/保持电路的输出的起始沿设定值改变延迟量,并输出其中所述起始沿脉冲被延迟的延迟起始沿脉冲;结束沿选择器,用于由所述选择器信号从多个结束沿值中选择和输出一个值;结束沿采样/保持电路,只有当出现所述结束沿脉冲时才更新所述结束沿选择器输出的结束沿设定值,并在不出现结束沿脉冲时保持先前的值;可编程结束沿延迟线,由所述结束沿采样/保持电路的输出的结束沿设定值改变延迟量,并输出其中所述结束沿脉冲被延迟的延迟结束沿脉冲;冷却脉冲延迟线,用于改变所述冷却脉冲的延迟量并输出延迟的冷却脉冲;AND门,用于在所述短脉冲和时钟之间进行逻辑乘,并输出短脉冲;OR门,用于在所述延迟的起始沿脉冲、所述短脉冲和所述延迟的结束沿脉冲之间进行逻辑和,并输出记录信号;倒相器,用于使来自所述冷却脉冲延迟线的冷却脉冲信号倒相;偏置电流源,用于对下述激光二极管提供偏置电流;记录电流源,用于对激光二极管提供与所述偏置电流源并联的记录电流;光复现电流源,用于对激光二极管提供与所述偏置电流源并联的光复现电流;开关,用于由所述记录电流导通和断开所述记录电流源的电流;开关,用于由所述冷却脉冲信号导通和断开所述偏置电流源的电流;以及激光二极管,用于记录被所述偏置电流源、所述记录电流源和所述光复现电流源并联驱动的盘片信号。
此外,用于实现上述记录方法的另一种存储单元包括:起始沿脉冲产生电路,该电路在数据高电平周期的起始沿位置产生具有恒定宽度的起始沿脉冲;短促选通脉冲产生电路,该电路在数据的高电平周期很长时在标志的中间位置产生短促选通脉冲信号,并在数据的高电平周期很短时不产生短促选通脉冲信号;结束沿脉冲产生电路,该电路在数据的高电平周期的结束沿位置产生具有恒定宽度的结束沿脉冲;标志/间隔长度检测电路,该电路在数据高电平周期具有n个时钟时产生包括所述起始沿脉冲和所述结束沿脉冲的nT标志信号,并在数据的低电平周期具有m个时钟时产生包括间隔的两个边沿所述结束沿脉冲和所述起始沿脉冲的mT标志信号(这里n和m是数据串中自然数);编码器,用于从所述nT标志信号和所述mT标志信号中产生选择信号,该选择信号用于控制下述起始沿选择器和下述结束沿选择器;冷却脉冲产生电路,该电路从上述结束沿脉冲产生电路输出的结束沿脉冲中产生具有恒定宽度的冷却脉冲;起始沿选择器,用于由所述选择器信号从多个起始沿值中选择和输出一个值;起始沿采样/保持电路,只有当出现所述起始沿脉冲时才更新所述起始沿选择器输出的起始沿设定值,并在不出现起始沿脉冲时保持先前的值;可编程起始沿延迟线,由所述起始沿采样/保持电路的输出的起始沿设定值改变延迟量,并输出其中所述起始沿脉冲被延迟的延迟起始沿脉冲;结束沿选择器,用于由所述选择器信号从多个结束沿值中选择和输出一个值;结束沿采样/保持电路,只有当出现所述结束沿脉冲时才更新所述结束沿选择器输出的结束沿设定值,并在不出现结束沿脉冲时保持先前的值;可编程结束沿延迟线,由所述结束沿采样/保持电路的输出的结束沿设定值改变延迟量,并输出其中所述结束沿脉冲被延迟的延迟结束沿脉冲;冷却脉冲延迟线,用于改变从上述冷却脉冲电路输出的所述冷却脉冲的延迟量并输出延迟的冷却脉冲;AND门,用于在来自上述短促选通脉冲产生电路的所述短脉冲和时钟之间进行逻辑乘,并输出短脉冲;OR门,用于在所述延迟的起始沿脉冲、所述短脉冲和所述延迟的结束沿脉冲之间进行逻辑和,并输出记录信号;倒相器,用于使来自所述冷却脉冲延迟线的延迟的冷却脉冲信号倒相;偏置电流源,用于对下述激光二极管提供偏置电流;记录电流源,用于对激光二极管提供与所述偏置电流源并联的记录电流;光复现电流源,用于对激光二极管提供与所述偏置电流源并联的光复现电流;开关,用于由所述记录电流导通和断开所述记录电流源的电流;开关,用于由所述冷却脉冲信号导通和断开所述偏置电流源的电流;以及激光二极管,用于记录被所述偏置电流源、所述记录电流源和所述光复现电流源并联驱动的盘片信号。
此外,在标志长度调制记录中,在用于形成信号记录标志的记录脉冲序列后,还加上一脉冲序列(以下叫做标志的后端校正脉冲序列)作为冷却脉冲,该脉冲序列对记录标志的后端结构进行排列,且与记录脉冲序列不同。
尤其是,标志的后端校正脉冲序列以包括小于偏置功率的至少两个不同的功率辐射激光。
此外,标志的后端校正脉冲序列具有一周期,其中在记录脉冲序列后连续地把激光改变到一低于记录功率或偏置功率的功率。
此外,在记录脉冲序列和标志的后端校正脉冲序列之间,以偏置功率进行激光辐射。
此外,对记录标志的每个长度改变标志的后端校正脉冲序列的起始时间和标志的后端校正脉冲序列的脉冲结构。
此外,当以恒定的角速度旋转光盘时,依据盘片的半径改变标志的后端校正脉冲序列的起始时间和标志的后端校正脉冲序列的脉冲结构。
依据本发明的光学信息记录方法,记录标志的后端部分可形成所需的形状,因此可获得令人满意的复现信号特性。此外,依据本发明的光学信息记录方法和记录单元,可有效地减轻热破坏,因此可获得令人满意的循环特性。
附图说明
图1是本发明一个实施例中所使用的记录波形图;
图2是本发明一个实施例中使用的光盘的结构图;
图3是本发明一个实施例中所使用的光盘单元的图;
图4是本发明一个实施例中所使用的记录脉冲序列的图;
图5是本发明一个实施例中所使用的记录波形图;
图6是本发明一个实施例中所使用的记录波形图;
图7是本发明一个实施例中所使用的记录波形图;
图8是本发明一个实施例中所使用的记录波形图;
图9是本发明一个实施例中所使用的记录波形图;
图10是本发明一个实施例中所使用的记录波形图;
图11是本发明一个实施例中所使用的盘片存储单元的方框图;
图12是本发明一个实施例中所使用的盘片存储单元每一部分的信号波形图;
图13是本发明一个实施例中所使用的盘片存储单元的方框图;
图14是本发明一个实施例中所使用的盘片存储单元每一部分的信号波形图;以及
图15是是本发明一个实施例中所使用的记录波形图。
(符号描述)
1数据
2起始沿脉冲
5短促选通脉冲信号
7结束沿脉冲
92T-标志信号
102T-间隔信号
12选择信号
13多个起始沿设定值
15选中的起始沿设定值
18延迟的起始沿脉冲
19多个结束沿设定值
21选中的结束沿设定值
24延迟的结束沿脉冲
25时钟
26AND门
27短脉冲
28OR门
29记录信号
30记录电流源
31偏置电流源
32光复现电流源
33开关
34开关
35激光二极管
38倒相器
39保持的起始沿设定值
41冷却脉冲
42延迟的冷却脉冲
43延迟的冷却脉冲(倒相)
45保持的结束沿设定值
36冷却脉冲产生电路
37冷却脉冲延迟线
51衬底
52第一介电层
53记录层
54第二介电层
55反射层
56保护层
61光盘
62主轴电动机
63光头
64激光驱动电路
65波形校正电路
具体实施方式
在标志长度调制记录中,本发明的记录方法:
(A)在记录脉冲序列和冷却功率的激光辐射开始之间进行偏置功率的激光辐射。
(B)依据记录标志的长度,改变冷却功率辐射时间或在冷却功率进行的激光辐射的起始时间。
(C)只有在记录标志的长度比预定长度短时,才改变冷却功率辐射时间或在冷却功率进行的激光辐射的起始时间。
(D)只有在记录标志的长度比预定长度短时,才加上具有恒定冷却功率辐射时间和激光辐射起始时间的冷却脉冲。
(E)只有在光盘以恒定的角速度旋转,且在盘片的内部圆周部分中记录小于预定的长度的标志时,才加上冷却脉冲。
(F)当光盘以恒定角速度旋转时,依据盘片的半径改变冷却功率辐射时间和冷却功率辐射的起始时间。
此外,在标志间隔调制记录中,本发明的记录方法:
(G)以偏置功率进行激光辐射,直到记录功率和冷却功率的激光辐射开始。
(H)当光盘以恒定角速度旋转时,依据盘片半径改变冷却功率辐射起始时间。
由于本发明具有任一种结构,所以通过使标志形成所需的形状,可抑制标志前和后端部分结构之间的不对称,以及使复现信号实现令人满意的质量。
然后,在标志长度调制记录中,在记录脉冲序列包括起始沿脉冲、结束沿脉冲和以周期小于起始沿和结束沿脉冲之间一个数据时钟周期交替切换的脉冲的情况下,本发明的记录方法:
(I)在上述记录脉冲序列的结束沿脉冲后进行偏置功率的激光辐射。
(J)在上述记录脉冲序列的结束沿脉冲和冷却功率的激光辐射之间进行以偏置功率的激光辐射。
此外,在标志长度调制记录中,在记录脉冲序列包括起始沿脉冲、结束沿脉冲和以周期小于起始沿脉冲和结束沿脉冲之间一个数据时钟周期交替切换的脉冲,以及在所述记录脉冲序列的起始沿脉冲和结束沿脉冲的位置依据记录标志的长度和记录标志之间的间隔而变化的情况下:
(K)偏置功率的激光辐射时间是恒定的,无论记录脉冲序列起始沿脉冲或结束沿脉冲的位置如何,在记录脉冲序列结束沿脉冲的激光辐射开始后直到以冷却功率进行激光辐射的时间是恒定的,冷却功率的激光辐射起始时间的定时根据一个时钟。
由于本发明具有任一种结构,所以可改变起始沿脉冲和结束沿脉冲的位置,从而抑制了由记录标志之间热干扰引起的标志长度的变动。因此,可进行高密度的记录,同时,通过使偏置电平的一部分为冷却功率,可在薄记录薄膜的记录期间减少总能量,可减轻多循环情况下的热破坏所引起的信号下降,也可实现令人满意的循环特性。
此外,本发明的存储单元包括:起始沿脉冲产生电路,该电路在数据高电平周期的起始沿位置产生具有恒定宽度的起始沿脉冲;短促选通脉冲产生电路,该电路在数据的高电平周期很长时在标志的中间位置产生短促选通脉冲信号,并在数据的高电平周期很短时不产生短促选通脉冲信号;结束沿脉冲产生电路,该电路在数据的高电平周期的结束沿位置产生具有恒定宽度的结束沿脉冲;标志/间隔长度检测电路,该电路在数据高电平周期具有n个时钟时产生包括所述起始沿脉冲和所述结束沿脉冲的nT标志信号,并在数据的低电平周期具有m个时钟时产生包括间隔的两个边沿所述结束沿脉冲和所述起始沿脉冲的mT标志信号(这里n和m是数据串中自然数);编码器,用于从所述nT标志信号和所述mT标志信号中产生选择信号,该选择信号用于控制下述起始沿选择器和下述结束沿选择器;冷却脉冲产生电路,该电路从来自下述可编程结束沿延迟线的延迟结束沿脉冲中产生具有恒定宽度的冷却脉冲;起始沿选择器,用于由所述选择器信号从多个起始沿值中选择和输出一个值;起始沿采样/保持电路,只有当出现所述起始沿脉冲时才更新所述起始沿选择器输出的起始沿设定值,并在不出现起始沿脉冲时保持先前的值;可编程起始沿延迟线,由所述起始沿采样/保持电路的输出的起始沿设定值改变延迟量,并输出其中所述起始沿脉冲被延迟的延迟起始沿脉冲;冷却脉冲延迟线,它改变从冷却脉冲产生电路输出的冷却脉冲延迟量,并输出经延迟的冷却脉冲;结束沿选择器,用于由所述选择器信号从多个结束沿值中选择和输出一个值;结束沿采样/保持电路,只有当出现所述结束沿脉冲时才更新所述结束沿选择器输出的结束沿设定值,并在不出现结束沿脉冲时保持先前的值;以及可编程结束沿延迟线,由所述结束沿采样/保持电路的输出的结束沿设定值改变延迟量,并输出其中所述结束沿脉冲被延迟的延迟结束沿脉冲。
(L)通过把来自可编程结束沿延迟线的冷却脉冲延迟线的经延迟的结束沿脉冲输入到此冷却脉冲产生电路,产生冷却脉冲。
(M)通过把来自可编程结束沿延迟线的结束沿脉冲输入到此冷却脉冲产生电路,产生冷却脉冲。
因此,用与上述记录方法相同的操作,本发明可提供一种单元,该单元可在薄记录薄膜的记录期间减少总能量,减轻多循环情况下的热破坏引起的信号下降,以及具有令人满意的循环特性。
此外,在标志长度调制记录中,本发明的记录方法:
(N)在用于形成单个记录标志的记录脉冲序列后,提供一脉冲序列作为冷却脉冲,该脉冲序列由包括小于偏置功率的至少两个不同的功率辐射激光。
(O)提供标志的后端校正脉冲序列作为冷却脉冲,该脉冲序列具有这样一个周期,其中在此记录脉冲序列中进行了激光辐射后,把激光功率连续变到低于偏置功率的功率。
(P)在记录脉冲序列和作为冷却脉冲的标志的后端校正脉冲序列之间,由偏置功率进行激光辐射。
(Q)依据要记录的标志长度,改变标志的后端校正脉冲序列的起始时间作为冷却脉冲或改变标志后端校正序列脉冲的脉冲结构作为冷却脉冲。
(R)当光盘以恒定角速度旋转时,依据盘片的半径位置改变标志的后端校正脉冲序列的起始时间和标志的后端校正脉冲序列的脉冲结构。
由于本发明具有任一种结构,因此通过使标志形成所需的形状,可抑制标志前和后端部分之间的不对称,以及使复现信号实现令人满意的质量。
以下将以附图和本发明的较佳实施例更详细地描述本发明。
将参考图2描述本发明一个实施例中所使用的盘片结构。用普通的薄的薄膜形成方法诸如真空淀积或溅射法在透明衬底51上形成介电层、记录层和反射层。在衬底51上,依次形成第一介电层52、记录层53、第二介电层54和反射层55。此外,提供了紧贴反射层55的保护层56。此外,即使具有无反射层55或无保护层56的结构的光盘也可用作光盘。用于进行记录和复现的激光从衬底51一侧入射。
衬底51的材料可使用玻璃、石英、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯(有机玻璃)。此外,衬底可以是光滑的板或其表面上具有凹槽状示踪导向的不平整度的板。
保护层56可使用提供涂敷溶解于溶剂的树脂并经干燥获得的层或用粘合剂粘接的板。
作为记录层53中所使用的记录层材料,众所周知在非晶态物相和结晶态物相之间变化的硫族合金。例如,可使用SbTe类、GeSbTe类、GeSbTeSe类、GeSbTePd类、TeGeSnAu类、AgSbTe类、GeTe类、GaSb类、InSe类、InSb类、InSbTe类、InSbSe类、InSbTeAg类等,以及可使用包括对上述类合金的物相变化特性或光学特性没有影响的范围内其它元素的合金。
介电层52和54可使用SiO2、SiO、TiO2、MgO、Ta2O5、Al2O3、GeO2、Si3N4、BN、AlN、SiC、ZnS、ZnSe、ZnTe、PbS或其混合物。
反射薄膜55可使用主要由金属材料诸如Au、Al、Cu、Cr、Ni和Ti或其混合物构成的材料,此外,薄膜55可使用在预定波长上有大反射系数的介电多层薄膜。
在上述材料中,本发明以下实施例中所使用的盘片使用具有大小为φ130mm聚碳酸酯信号记录磁道的衬底,通过溅射在衬底上形成用作第一介电层的厚度为1300的ZnS-SiO2混合薄膜。
此外,以下实施例1和2中所使用的盘片记录层的组成为Ge22Sb24Te54,实施例3到18中所使用的盘片记录层的组成为Ge21Sb26Te53。记录层形成250的厚度,用作第二介电层的ZnS-SiO2混合薄膜的厚度为200。对于反射层,通过溅射形成厚度为1500的Al薄膜。在反射层上设有聚碳酸酯保护层。
现在,对于下述本发明所有实施例中所使用的光盘单元,以图3进行描述。光盘61附着到主轴电动机62并可旋转。光头63使用半导体激光器作为光源,并由准直透镜和物镜在光盘上形成激光器光点。
由激光器驱动电路64驱动半导体激光器,但在记录信号的情况下,由波形校正电路65校正输入信号的波形,然后把校正信号输入到激光器驱动电路64。
一般,由于成本,不想使波形校正电路很复杂。因此,为了波形校正,考虑有利于尽量简单的变化方式。例如,有利的是不改变用于所有标志长度的记录波形,而改变用于预定标志长度的记录波形。
在图4中示出在一个实施例中所使用的特殊记录脉冲序列的结构。然而,在图4的记录脉冲序列A到D中,示出在标志长度调制记录中记录6T标志时所使用的典型记录脉冲序列。
注意在本发明实施例的标志长度调制记录中,示出的结果都是在以激光的第一功率作为记录功率,以第二功率作为偏置功率以及以用作冷却功率的标志的后端校正脉冲序列的最低功率或冷却功率作为复现功率。于是,如果以第一功率作为记录功率,以第二功率作为偏置功率以及低功率作为复现功率是理想的,因为尤其是可简化波形校正电路的结构,但应用于本发明的激光功率不限于此。当然,如果第一功率是大于记录功率的功率,第二功率是至少小于第一功率的功率,并且如果最低功率是小于第二功率或偏置功率的功率,则可自由设定功率。
在图4中,为了形成记录标志,记录脉冲序列A是由激光的第一功率1.5T构成的起始沿脉冲以及其中第一和第二功率以0.5T的周期交替切换的脉冲所组成的。这里使用的T代表一个时钟。
为了形成记录标志,记录脉冲序列B由激光的第一功率1.0T构成的起始沿脉冲、第二功率以0.5T的周期交替切换的脉冲以及第一功率1.0T构成的结束沿脉冲所组成的。
记录脉冲序列C具有与记录脉冲序列B相同的结构,依据要记录的标志长度和标志的前后间隔,改变此记录脉冲序列的起始沿脉冲和结束沿脉冲的位置。
为了形成记录标志,记录脉冲序列D是由其中第一和第二功率以0.5T的周期交替切换的脉冲所组成的。
注意,当然适用于本发明的记录脉冲序列的脉宽(起始沿脉宽、结束沿脉宽、起始沿和结束沿脉冲之间的脉宽,记录脉冲序列D情况下记录脉冲序列的脉宽等)不限于图4所示的那些脉宽,而可自由设定。
此外,在图5中,示出在标志间隔调制记录中加上冷却脉冲的情况下,本发明的实施例中所采用的特殊记录波形的结构。
输入波形A是-(2,7)调制方法的例子。在此情况下的标志宽度是0.5T。这里,示出标志间隔是2.0T、3.5T和1.5T的情况。
记录波形E是记录输入波形A的情况,其记录脉宽是0.25T。
记录波形F是记录输入波形A的情况,在记录功率辐射后立即进行冷却功率电平辐射。记录脉冲的宽度是0.25T,冷却功率辐射时间是0.25T。
记录波形G是记录输入波形A的情况。在记录功率电平辐射后,进行偏置功率电平的辐射,然后进行冷却功率电平的辐射。记录脉冲的宽度是0.25T,冷却功率辐射时间是0.25T,冷却功率起始时间是0.25T。
此外,在图1中,示出在标志长度调制记录中加上冷却脉冲的情况下,本发明实施例中所采用的特殊记录波形的结构。在图1中,示出使用图4的记录脉冲序列A的情况。
输入波形B是EFM(八到十四调制)信号的输入波形的一个例子。EFM调制由3T和11T之间的9种长度信号的组合调制数据。这里使用的T指一个时钟。
记录波形H是记录输入波形B以及不加冷却脉冲的情况。
记录波形I是在记录输入波形B的情况下加上冷却脉冲的记录波形。无论前面紧接的标志的长度如何,冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间都设定为恒定值(0.5T和0)并相加。
记录波形J是在记录输入波形B的情况下加上冷却脉冲记录波形。无论前面紧接的标志的长度如何,冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间都设定为恒定值(0.5T和0.25T)并相加。
(实施例1)
在此实施例中,将描述在标志间隔调制中,在记录和冷却功率的激光辐射之间进行以偏置功率的激光辐射的情况。
对于光盘的评估条件,激光的波长是680nm,记录单元在记录和复现中所使用的光头的物镜的数值孔径(NA)是0.55。对于(2,7)调制,设定时钟T最短的标志间距为2.1μm。通过1光束重写,进行100次记录,复现信号被微分,并进行峰值检测。测量检测到的信号的跳动值σsum/Tw(%)。这里,σ是跳动标准偏差,Tw是检测系统的窗口宽度。线速度是6.0m/s。
在此盘片上,为了信号记录,在记录其中标志间距变为2.1μm的单个频率时,以C/N比饱和处的记录功率作为记录功率,用等于标志间距5.6μm的信号频率重写标志间距信号的情况下,设定擦写速率超出-20dB处功率范围中心值的功率,并把此功率作为偏置功率。
此实施例中所使用的记录波形和跳动分别如表1和2所示。
[表1]
记录波形     1-1     1-2     1-3
冷却功率辐射时间     0T     0.25T     0.25T
冷却功率起始时间     0T     0T     0.20T
[表2]
  记录波形     1-1     1-2     1-3
    跳动     10.5%     9.2%     8.5%
表1的记录波形1-1类似于图5的记录波形E,是不加冷却脉冲的情况。记录波形1-2类似于图5的记录波形F,是在记录功率的激光辐射后立即加上冷却脉冲的情况。然而,此时的冷却功率辐射时间是0.25T。此外,记录波形1-3类似于图5的记录波形G,是在记录功率辐射后进行偏置功率辐射,其后进行冷却功率辐射的情况。然而,此时的冷却功率辐射时间是0.25T,冷却功率起始时间在记录功率辐射结束后延迟0.20T。
从表2,对于记录波形1-1的情况,与其它记录波形相比,跳动变剧。对于记录波形1-2的情况,与记录波形1-1相比,跳动有所改善,但与记录波形1-3相比,跳动较厉害。即,对于冷却功率起始时间延迟的本发明的记录波形1-3,与其它记录波形相比,跳动有所改善。
如上所述,在标志间隔调制中通过延迟冷却脉冲的开始时间可进行跳动小的记录。
在此实施例中,虽然把复现功率情况作为冷却功率的一个例子,但对于冷却功率在偏置功率和激光隔断电平之间的情况也可获得类似的结果。
(实施例2)
在此实施例中,将描述光盘以恒定角速度旋转并在标志间隔调制中进行记录时,依据盘片半径改变冷却功率起始时间的情况。
对于评估条件,盘片的转数恒定(1500rpm)。对于(2,7)调制信号,设定T的变化为最短的标志间距在所有时间内是2.1μm。通过1光束重写,进行100次记录,在盘片半径为23、30、43、50和57mm时的位置测量跳动值σsum/Tw(%)。这里,σ是跳动标准偏差,Tw是检测系统的窗口宽度。各个半径处的线速度是大约3.6、4.7、5.8、6.8、7.9和9.0m/s。盘片与其他测量条件同实施例1。
此实施例中所使用的记录波形和跳动分别如图3和4所示。
[表3]
记录波形     2-1     2-2     2-3
冷却功率辐射时间     0T     0.30T     0.30T
冷却功率起始时间     0T     0T     0.10T
[表4]
  半径    记录波形2-1   记录波形2-2   记录波形2-3
  23mm    14.1%   10.5%   11.2%
  30mm    12.2%   9.7%   10.5%
  37mm    11.3%   9.3%   9.8%
  43mm    10.5%   9.4%   8.9%
  50mm    10.8%   10.0%   9.2%
  57mm    11.4%   10.7%   9.7%
表3的记录波形2-1类似于图5的记录波形E,是不加冷却脉冲的情况。记录波形2-2类似于图5的记录波形F,是在记录功率的激光辐射后加上冷却脉冲的情况。然而,此时的冷却功率辐射时间都是0.30T。此外,记录波形2-3类似于图5的记录波形G,是在记录功率辐射后进行偏置功率辐射,其后进行冷却功率辐射的情况。然而,此时的冷却功率辐射时间是0.30T,冷却功率起始时间在记录功率辐射结束后延迟0.10T。
从表4,对于记录波形2-1的情况,与其它记录波形相比,跳动在盘片内部和外部圆周处较剧。在记录波形2-2的情况下,在盘片内部圆周部分处跳动有所改善。此外,在记录波形2-3的情况下,与记录波形2-2相比,跳动在盘片内部圆周部分处较剧,但与其它记录波形相比,跳动在盘片外部圆周部分处有所改善。
如上所述,在本发明中,类似于例如把记录波形2-2应用于盘片的内部圆周部分以及把记录波形2-3应用于盘片的外部圆周部分,通过使用加快盘片的内部圆周部分处冷却功率起始时间的记录波形,可获得复现跳动小的令人满意的记录。
如上所述,在光盘以恒定角速度旋转的情况下,通过加快盘片的内部圆周部分处冷却功率起始时间,可获得在盘片整个圆周上跳动小的记录。
在此实施例中,如同实施例1,虽然示出把复现功率情况作为冷却功率的一个例子,但对于冷却功率在偏置功率和激光隔断电平之间的情况当然也可获得类似的结果。
(实施例3)
在此实施例中,将描述在标志间隔调制中,在记录和冷却功率的激光辐射之间进行以偏置功率的激光辐射的情况。
对于光盘的评估条件,激光的波长是680nm,记录单元在记录和复现中所使用的光头的物镜的数值孔径(NA)是0.55。对于8-14调制(EFM调制)的输入信号,设定时钟T最短的标志间距0.90μm。通过1光束重写,进行100次记录,测量在3T和11T之间复现信号过零点的跳动值σsum/Tw(%)。这里,σ是3T和11T之间总跳动的标准偏差,Tw是检测系统的窗口宽度。线速度是4.0m/s。
在此盘片上,为了信号记录,在记录其中标志间距变为0.9μm的单个频率时,以C/N比饱和处的记录功率作为记录功率,在用等于11T的信号频率重写3T标志信号的情况下,设定擦写速率超出-20dB处功率范围中心值的功率,并把此功率作为偏置功率。
此实施例中所使用的记录波形和跳动分别如表5和6所示。
[表5]
记录波形 标志长度 3T  4T  5T  6T  7T  8T  9T  10T 儿T
    3-1 冷却功率辐射时间 0T  0T  0T  0T  0T  0T  0T  0T  0T
冷却功率起始时间 0T  0T  0T  0T  0T  0T  0T  0T  0T
    3-2 冷却功率辐射时间 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T
冷却功率 0T  0T  0T  0T  0T  0T  0T  0T  0T
起始时间
    3-3 冷却功率辐射时间 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T
冷却功率起始时间 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T
[表6]
  记录波形     3-1     3-2     3-3
  跳动     11.6%     9.6%     9.2%
在表5中,在记录每个标志长度在3T和11T之间的标志的情况下,示出3种记录波形每一种的冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间。
在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。
表5的记录波形3-1类似于图1的记录波形H,是不加冷却脉冲的情况。记录波形3-2类似于图1的记录波形I,是在记录脉冲序列后立即加上冷却功率激光辐射的情况。然而,无论3T到11T的标志长度如何,此时的冷却功率辐射时间恒定(0.5T)。此外,记录波形3-3类似于图1的记录波形J,是在记录功率辐射后立即进行偏置功率辐射,其后进行冷却功率辐射的情况。然而,无论标志长度如何,此时的冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间是0.5T和0.2T。
从表6,对于记录波形3-1的情况,与其它记录波形相比,跳动变剧。对于记录波形3-2的情况,与记录波形3-1相比,跳动有所改善。另一方面,在冷却功率起始时间延迟的本发明的记录波形3-3中,较令人满意地控制标志前后端部分之间的对称性,因此与其它记录波形相比,此跳动变得较小。
如上所述,通过在记录和冷却功率激光辐射之间放置偏置功率激光辐射,可进行跳动较小的记录。
在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例4)
在此实施例中,将只描述依据要记录的标志长度改变冷却功率辐射时间的情况。
在表7和8中分别示出各个记录波形和跳动。注意测量条件与实施例3相同。
在表7中,在记录每个标志长度在3T和11T之间的标志的情况下,示出4种记录波形每一种的冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间。
在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。
表7的记录波形4-1类似于图1的记录波形H,是不加冷却脉冲的情况。记录波形4-2类似于图1的记录波形I,是无论3T到11T的标志长度如何冷却功率辐射时间都恒定(0.10T)以及在记录脉冲序列后立即加上冷却激光辐射时间的情况。此外,记录波形4-3类似于图1的记录波形I,是在记录脉冲序列后立即进行冷却功率辐射的情况。然而,此时的冷却功率辐射时间0.50T,这个时间比记录波形4-2长。此外,记录波形4-4类似于图1的记录波形I,是在记录脉冲序列后立即进行冷却功率辐射的情况。当标志长度变短时冷却功率辐射时间变长。
[表7]
  记录波形 标志长度 3T 4T 5T 6T 7T 8T 9T 10T 11T
  4-1 冷却功率辐射时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
  4-2 冷却功率辐射时间 0.10T 0.10T 0.10T 0.10T 0.10T 0.10T 0.10T 0.10T 0.10T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
  4-3 冷却功率辐射时间 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
  4-4 冷却功率辐射时间 0.50T 0.45T 0.40T 0.35T 0.30T 0.25T 0.20T 0.15T 0.10T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
[表8]
  记录波形   4-1   4-2   4-3   4-4
  跳动   11.6%   10.3%   9.6%   7.5%
从表7,在记录波形4-1的情况下,与其它记录波形相比,跳动变剧。在记录波形4-2和4-3的情况中,与记录波形4-1相比,跳动有所改善,但它与记录波形4-4相比来得差。
另一方面,在随记录标志长度变短而冷却功率起始时间变长的本发明的记录波形4-4中,较令人满意地控制标志前后端部分之间的对称性,因此与其它记录波形相比,跳动值显著改善。
如上所述,通过依据记录标志长度改变冷却功率辐射时间,可进行跳动较小的记录。
在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。(实施例5)
在此实施例中,将描述只有当标志长度比预定标志长度短时才依据标志长度改变冷却功率辐射时间的情况。
此实施例中所使用的记录波形和跳动分别如图9和10所示。注意测量条件与
实施例3相同。
[表9]
  记录波形 标志长度 3T 4T 5T 6T 7T 8T 9T 10T 11T
  5-1 冷却功率辐射时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
  5-2 冷却功率辐射时间 0.50T 0.45T 0.40T 0.35T 0.30T 0.30T 0.30T 0.30T 0.30T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
    5-3 冷却功率辐射时间 0.50T 0.45T 0.45T 0.45T 0.45T 0.45T 0.45T 0.45T 0.45T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
[表10]
  记录波形     5-1     5-2     5-3
  跳动     11.6%     8.3%     10.0%
在表9中,在记录每个标志长度在3T和11T之间的标志的情况下,示出3种记录波形每一种的冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间。
在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。
表9的记录波形5-1类似于图1的记录波形H,是不加冷却脉冲的情况。记录波形5-2类似于图1的记录波形I,是只有在标志长度比具有3T到6T的标志长度短时,才在记录脉冲序列的辐射后立即改变却功率辐射的情况,以及是在记录标志长度变短时使冷却功率辐射时间变长的情况。此外,记录波形5-3是只有在标志长度处于3T时冷却功率辐射时间才变长的情况,以及是在记录脉冲序列辐射后立即加上冷却功率的情况。
从表10,在记录波形5-1的情况下,与其它记录波形相比,跳动变剧。另一方面,在依据本发明的记录标志长度为3T到6T的情况下,在记录波形5-2中,与记录波形5-1相比,随着标志长度变短冷却功率起始时间变长且跳动有所改善。
此外,在依据本发明记录标志长度处于3T时才加上冷却功率辐射时间的记录波形5-3中,与记录波形5-2相比,跳动较大,但与记录波形5-1相比,此跳动有所改善。
如上所述,在记录标志长度小于预定记录标志长度时才通过改变和增加冷却功率辐射时间,可进行跳动较小的记录。
在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例6)
在此实施例中,将描述无论标志长度如何冷却功率辐射时间都恒定并只依据要记录的标志长度改变冷却功率起始时间的情况。
在表11和12中分别示出各个记录波形和跳动。注意测量条件与实施例3相同。
[表11]
  记录波形 标志长度 3T 4T  5T 6T 7T 8T 9T 10T 11T
  6-1 冷却功率辐射时间 0T 0T  0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0T 0T  0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
  6-2 冷却功率辐射时间 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
  6-3 冷却功率辐射时间 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T
冷却功率起始时间 0.40T 0.40T 0.40T 0.40T 0.40T 0.40T 0.40T 0.40T 0.40T
  6-4 冷却功率辐射时间 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T
冷却功率起始时间 0T 0.05T 0.10T 0.15T 0.20T 0.25T 0.30T 0.35T 0.40T
[表12]
  记录波形   6-1   6-2   6-3   6-4
    跳动   11.6%   9.6%   10.0%   8.0%
在表11中,在记录每个标志长度在3T和11T之间的标志的情况下,示出4种记录波形每一种的冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间。在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。
表11的记录波形6-1类似于图1的记录波形H,是不加冷却脉冲的情况。记录波形6-2类似于图1的记录波形I,是在记录脉冲序列辐射后立即进行冷却功率辐射的情况。然而,无论要记录的标志长度如何冷却功率辐射时间都是0.5T。此外,记录波形6-3类似于图1的记录波形,是在记录脉冲序列辐射后进行偏置功率辐射,其后进行冷却功率辐射的情况。然而,冷却功率辐射时间是0.50T,冷却功率起始时间是0.4T。无论要记录的标志长度如何,这两个时间都恒定。此外,对于记录波形6-4,与记录波形6-3相比,冷却功率辐射时间为0.50T,它不管标志长度如何都是恒定的,但随着标志长度的变短冷却功率起始时间变快。
从表12,在记录波形6-1的情况下,与其它记录波形相比,跳动变剧。在记录波形6-2和6-3的情况中,与记录波形6-1相比,跳动有所改善。另一方面,在冷却功率起始时间随标志长度变短而变快的本发明的记录波形6-4中,与其它记录波形相比,跳动变得甚至更小。
如上所述,通过依据要记录的标志长度改变冷却功率辐射时间,可进行跳动较小的记录。
在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例7)在此实施例中,将描述冷却功率辐射时间恒定以及只有在标志长度比预定标志长度短时才依据标志长度改变冷却功率起始时间的情况。
在表13和14中分别示出各个记录波形和跳动。注意测量条件与实施例3相同。
在表13中,在记录每个标志长度在3T和11T之间的标志的情况下,示出3种记录波形每一种的冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间。在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。
表13的记录波形7-1类似于图1的记录波形H,是不加冷却脉冲的情况。记录波形7-2类似于图1的记录波形J,是在记录脉冲序列辐射后进行偏置功率辐射,然后进行冷却功率辐射的情况。此外,在要记录的标志长度为3T到6T的情况下,随着标志长度变短,冷却功率起始时间变快。然而,冷却功率辐射时间是0.50T,无论标志长度如何,这个时间都是恒定的。
[表13]
  记录波形 标志长度 3T 4T 5T 6T 7T 8T 9T 10T 11T
  7-1 冷却功率辐射时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
  7-2 冷却功率辐射时间 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T
冷却功率起始时间 0.00T 0.05T 0.10T 0.15T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T
  7-3 冷却功率辐射时间 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T
冷却功率起始时间 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T 0.20T
[表14]
  记录波形   7-1   7-2   7-3
  跳动   11.6%   8.4%   9.0%
此外,记录波形7-3是只有在记录3T的标志时才在记录脉冲序列辐射后立即进行冷却功率辐射的情况,以及在记录具有4T到11T的标志时冷却功率起始时间恒定(0.20T)的情况。
从表14,在记录波形7-1的情况下,与其它记录波形相比,跳动变剧。另一方面,依据本发明在标志具有3T到6T的长度时,对于冷却功率起始时间随标志长度变短而变快的记录波形7-2,与记录波形7-1相比,跳动有所改善。此外,在标志长度为3T时冷却功率起始时间才变快的本发明记录波形7-3中,与记录波形7-2相比,跳动较大,但与记录波形7-1相比,跳动有所改善。
如上所述,只有在标志长度小于预定标志长度时才改变和增加冷却功率起始时间,可进行跳动较小的记录。此记录波形简化了记录电路的结构,并在成本方面认为是较佳的。
在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例8)
在此实施例中,将描述只有当要记录比预定长度短的标志时才加上具有恒定冷却功率辐射时间和恒定冷却功率起始时间的冷却脉冲的情况。
在表15和16中分别示出各个记录波形和跳动。注意测量条件与实施例3相同。
[表15]
  记录波形 标志长度 3T 4T 5T 6T 7T 8T 9T 10T 11T
  8-1 冷却功率辐射时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
  8-2 冷却功率辐射时间 0.43T 0.43T 0.43T 0.43T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0.08T 0.08T 0.08T 0.08T 0T 0T 0T 0T 0T
  8-3 冷却功率辐射时间 0.43T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0.08T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
[表16]
  记录波形   8-1   8-2   8-3
    跳动   11.6%   8.7%   9.8%
在表15中,在记录每个标志长度在3T和11T之间的标志的情况下,示出3种记录波形每一种的冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间。在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。
表15的记录波形8-1类似于图1的记录波形H,是不加冷却脉冲的情况。记录波形8-2类似于图1的记录波形J,是只有当要记录的标志长度在3T和6T之间时才在记录脉冲序列辐射后进行偏置功率辐射,然后进行冷却功率辐射的情况。然而,但标志长度在3T和6T之间时,加上冷却功率辐射时间是0.43T,冷却功率起始时间是0.08T。此外,记录波形8-3只有当要记录的标志长度为3T时,才加上具有0.43T的恒定冷却功率辐射时间和0.08T的恒定冷却功率起始时间的冷却脉冲的情况。
从表16,在记录波形8-1的情况下,与其它记录波形相比,跳动变剧。另一方面,在只有记录小于预定标志长度的标志时才加上具有恒定冷却脉宽和恒定起始时间的冷却脉冲的本发明记录波形8-2的情况下,与记录波形8-1相比,跳动有所改善。此外,在只有在记录具有最短标志长度的标志时才加上冷却脉冲的本发明记录波形8-3的情况下,与记录波形8-2相比,跳动较剧,但与记录波形8-1相比,跳动有所改善。
如上所述,只有在记录小于预定标志长度的标志时才加上具有恒定脉宽和恒定起始时间的冷却脉冲,可进行跳动较小的记录。此记录波形简化了记录电路的结构,并在成本方面认为是较佳的。
在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例9)
在此实施例中,将描述以恒定角速度旋转光盘并只有当记录小于预定标志长度的标志时才加上冷却脉冲的情况。
对于评估条件,盘片的转数是1000rpm。对于EFM信号,改变时钟T,使在所有的时间最短的标志间距为0.90μm。通过1光束重写,进行100次记录,在23、30、37、43、50和57mm的盘片半径处测量在3T和11T之间复现信号过零点的跳动值σsum/Tw(%)。这里,σ是3T和11T之间总跳动的标准偏差,Tw是检测系统的窗口宽度。此外,各个半径处的线速度大约是2.4、3.1、3.9、4.5、5.2和6.0m/s。注意其它测量条件类似于实施例3。
各个记录波形和跳动分别如表17和18所示。
在表17中,在记录每个标志长度在3T和11T之间的标志的情况下,示出3种记录波形每一种的冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间。
在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。表17的记录波形9-1类似于图1的记录波形H,是不加冷却脉冲的情况。[表17]
 记录波形 标志长度 3T 4T  5T 6T 7T 8T 9T 10T 11T
 9-1 冷却功率辐射时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
 9-2 冷却功率辐射时间 0.43T 0.43T 0.43T 0.43T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0.08T 0.08T 0.08T 0.08T 0T 0T 0T 0T 0T
 9-3 冷却功率辐射时间 0.43T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0.08T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
[表18]
  半径   记录波形9-1 记录波形9-2 记录波形9-3
  23mm   14.0% 11.5% 12.8%
  30mm   13.3% 9.8% 10.8%
  37mm   11.8% 9.0% 10.0%
  43mm   10.9% 10.5% 10.7%
  50mm     11.4%     12.2%     11.8%
  57mm     12.3%     13.4%     12.5%
记录波形9-2类似于图1的记录波形J,是只有当记录长度为3T到6T的标志时,在记录脉冲序列辐射后进行偏置功率的辐射,然后进行冷却功率辐射的情况。然而,冷却功率辐射时间是0.30T,冷却功率起始时间是0.08T,所以时间是均匀的。此外,在记录长度为7T到11T的标志的情况下,不加上冷却脉冲。此外,记录波形9-3类似于图1的记录波形H,是在除了长度为3T的标志以外,不加冷却脉冲的情况。然而,只有当记录长度为3T的标志时,冷却功率辐射时间为0.43T,冷却功率起始时间是0.08T。
从表18,在记录波形9-1的情况下,与其它记录波形相比,跳动变剧,尤其是在盘片内部圆周处。另一方面,在记录短标志时加上冷却脉冲的记录波形9-2的情况下,与记录波形9-1相比,跳动在盘片内部圆周部分处有所改善。此外,在记录3T标志时加上冷却脉冲的记录波形9-3的情况下,跳动在盘片内部圆周部分处有所改善。因此,例如,对于半径为37mm或直到43mm的内部圆周部分,可使用记录波形9-2和9-3,相对于此的外部圆周部分,可使用记录波形9-1。
如上所述,通过在盘片的内部圆周部分处使用记录波形9-2或9-3,以及在外部圆周部分处使用不加上冷却脉冲的记录波形9-1,可在盘片的任意半径处获得令人满意的跳动。
如上所述,在光盘以恒定角速度旋转时,只有当在预定半径的盘片内部圆周部分上记录小于预定标志长度的标志时,才加上冷却脉冲,从而可在盘片的任意半径处进行跳动小的记录。此记录波形简化了记录电路的结构,并在成本方面认为是较佳的。
在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例10)
在此实施例中,将描述光盘以恒定角速度旋转并依据盘片半径改变冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间的情况。
各个记录波形和跳动分别如表19和20所示。注意测量条件与实施例9相同。
在表19中,在记录每个标志长度在3T和11T之间的标志的情况下,示出3种记录波形每一种的冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间。
在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。
表19的记录波形10-1类似于图1的记录波形H,是不加冷却脉冲的情况。记录波形10-2类似于图1的记录波形I,是在记录脉冲序列辐射后进行冷却功率辐射的情况。然而,冷却功率辐射时间随着要记录的标志长度而改变,当标志变短时冷却功率辐射时间变长。
[表19]
记录波形 标志长度 3T 4T 5T 6T 7T 8T 9T 10T 11T
    10-1 冷却功率辐射时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
    10-2 冷却功率辐射时间 0.50T 0.45T 0.40T 0.3 5T 0.30T 0.25T 0.20T 0.15T 0.10T
冷却功率起始时间 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T 0T
    10-3 冷却功率辐射时间 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T 0.50T
冷却功率起始时间 0T 0.05T 0.10T 0.15T 0.20T 0.25T 0.30T 0.35T 0.40T
[表20]
  半径 记录波形10-1 记录波形10-2 记录波形10-3
  23mm 14.0% 11.5% 11.3%
  30mm 13.3% 10.2% 10.4%
  37mm 11.8% 8.0% 8.3%
  43mm 10.9% 9.9% 10.7%
  50mm 11.4% 11.9% 12.2%
  57mm 12.3% 13.5% 14.2%
此外,记录波形10-3类似于图1的记录波形J,是在记录脉冲序列辐射后,进行偏置功率辐射,然后进行冷却功率辐射的情况。然而,冷却功率辐射时间为0.50T,冷却功率起始时间随着要记录的标志长度而改变,并随着标志变短而变快。
从表20,在记录波形10-1的情况下,与其它记录波形相比,跳动在盘片内部圆周处变剧。另一方面,在应用记录波形10-2的情况下,与记录波形10-1相比,跳动在盘片内部圆周部分处有所改善。相反跳动在外部圆周部分处变剧。此外,在应用记录波形10-3的情况下,与记录波形10-1相比,跳动在盘片内部圆周部分处有所改善,但跳动在外部圆周部分处变剧。因此,对于预定半径内的区域,例如,对于半径43mm的内部圆周部分,可使用记录波形10-2和10-3,相对于此的外部圆周部分,可使用记录波形10-1。
如上所述,从简化记录电路的观点,在盘片的内部圆周部分处使用记录波形10-2或10-3,以及在外部圆周部分处使用记录波形10-1,从而可在盘片的任意半径处获得令人满意的跳动。
如上所述,在光盘以恒定角速度旋转时,在盘片的内部圆周部分中,冷却功率辐射时间随着标志长度变短而延长,或冷却功率起始时间变快,从而在盘片的任意半径处进行跳动小的记录。
在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例11)
将描述在一记录脉冲序列后立即加上用作各种冷却脉冲的标志的后端校正脉冲序列的情况。
在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。然后,在记录脉冲序列后立即加上各种标志的后端校正脉冲序列。测量条件与实施例3相同。
将依据图6描述此实施例中使用的各种记录波形。在图中,示出在记录长度为6T的标志时所使用的典型记录波形模式。
记录波形11-1是不加上标志的后端校正脉冲序列的情况。
记录波形11-2是在记录脉冲序列后,立即以光复现功率进行周期为0.5T的激光辐射的情况。在辐射后,进行偏置功率的激光辐射。
记录波形11-3是在记录脉冲序列后,把功率减小到偏置功率和光复现功率之间的中间功率,然后进行周期为0.25T的激光辐射的情况。在辐射后,立即把功率减小到光复现功率,然后加上标志的后端校正脉冲序列,在其中进行周期为0.25T的激光辐射。其后,以偏置功率进行激光辐射。
记录波形11-4是在记录脉冲序列后,立即以比偏置功率高2mW的功率进行周期为0.15T的激光辐射的记录波形。在辐射后,立即加上标志的后端校正脉冲序列,在其中以光复现功率进行周期为0.35T的激光辐射。其后,以偏置功率进行激光辐射。
记录波形11-5是在记录脉冲序列后,立即以光复现功率进行周期为0.2T的激光辐射的记录波形。在辐射后,立即以偏置功率进行周期为0.1T的激光辐射。在激光辐射后,立即加上标志的后端校正脉冲序列,在其中以光复现功率进行周期为0.2T的激光辐射。其后,以偏置功率进行激光辐射。
记录波形11-6是在记录脉冲序列后,立即在0.2T的周期中把功率从偏置功率连续减小到光复现功率,并加上标志的后端校正脉冲序列在其中以光复现功率进行周期为0.3T的激光辐射的记录波形。其后,以偏置功率进行激光辐射。
记录波形11-7是在记录脉冲序列后,立即在0.25T的周期中把功率从偏置功率连续减小到光复现功率的记录波形。在减小后,加上标志的后端校正脉冲序列,其中在0.25T的周期里功率从光复现功率连续增加到偏置功率。其后,以偏置功率进行激光辐射。表21中示出各个记录波形,表21中也示出100次重写操作后的跳动值。
[表21]
    记录波形     跳动
    记录波形11-1     11.6%
    记录波形11-2     9.6%
    记录波形11-3     7.8%
    记录波形11-4     8.4%
    记录波形11-5     8.7%
    记录波形11-6     8.0%
    记录波形11-7     8.4%
从表21,在记录波形11-2中,在加上以低于偏置功率的复现功率(也叫做冷却功率)进行激光辐射作为标志的后端校正脉冲的情况下,与记录波形11-1相比,100次重写操作后的跳动值有所改善。
另一方面,在本发明中,在加上标志的后端校正脉冲序列的记录波形11-3、11-4、11-5、11-6和11-7的情况下,可令人满意地控制标志前端部分和后端部分之间的对称性,所以与记录波形11-2相比,跳动进一步改善。
如上所述,通过在记录脉冲序列后加上标志的后端校正脉冲序列,可进行100次重写操作后跳动令人满意的记录。
在此实施例中,虽然示出在两个阶段中改变标志的后端校正脉冲序列的功率的情况,当然对于在三或更多阶段中改变上述功率的情况,也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
(实施例12)
接着,将描述在记录脉冲序列和标志的后端校正脉冲序列之间由偏置功率进行激光辐射的情况。
在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。此外,测量条件与实施例11相同。
将依据图6描述此实施例中使用的各种记录波形。在图中,示出在记录长度为6T的标志时所使用的典型记录波形模式。
记录波形12-1是与实施例11中的记录波形11-3相同的记录波形。
另一方面,在记录脉冲序列和标志的后端校正脉冲序列之间由偏置功率进行激光辐射的本发明的记录波形12-2是在记录脉冲序列后,以偏置功率进行周期为0.2T的激光辐射的记录波形。在辐射后,把功率减小到偏置功率和复现功率之间的功率,然后进行周期为0.25T的激光辐射。在辐射后,立即把功率减小到复现功率,然后进行周期为0.25T的激光辐射。其后,以偏置功率进行激光辐射。
表22中示出各个记录波形,表22中也示出100次重写操作后的跳动值。
[表22]
    记录波形     跳动
    记录波形12-1     7.8%
    记录波形12-2     7.2%
从表22,在本发明中,在记录脉冲序列和标志的后端校正脉冲序列之间由偏置功率进行激光辐射的记录波形12-2中,标志的前端部分与后端部分之间的对称性是令人满意的,所以与记录波形12-1相比,可进一步改善跳动。
如上所述,通过在记录脉冲序列和标志的后端校正脉冲序列之间由偏置功率进行激光辐射,可进行100次重写操作后跳动令人满意的记录。
在此实施例中,虽然示出在两个阶段中改变标志的后端校正脉冲序列的功率的情况,当然对于在三或更多阶段中改变上述功率的情况,也可获得类似的结果。此外,对于在记录脉冲序列后具有一周期的标志的后端校正脉冲序列,把激光连续改变到比偏置功率低的功率的情况,可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
(实施例13)
接着,将描述把标志的后端校正脉冲序列加到各种记录脉冲序列的情况。
将依据图8描述此实施例中使用的各种记录波形。在图中,在记录长度为6T的标志时所使用的典型记录波形模式。注意测量条件与实施例11相同。
记录波形13-1、2和3中每一个的记录脉冲序列是上述图4的记录脉冲序列B。
记录波形13-1是不加上标志的后端校正脉冲序列的情况。
记录波形13-2是在记录脉冲序列后,立即以光复现功率进行周期为0.5T的激光辐射的情况.在辐射后,进行偏置功率的激光辐射。
记录波形13-3是在记录脉冲序列后,立即把功率减小到偏置功率和光复现功率之间的中间水平,然后进行周期为0.25T的激光辐射的情况。在辐射后,立即把功率减小到光复现功率,然后加上标志的后端校正脉冲序列,在其中进行周期为0.25T的激光辐射。其后,以偏置功率进行激光辐射。
记录波形13-4、5和6中的每一个是上述图4的记录脉冲序列C。
记录波形13-4是不加上标志的后端校正脉冲序列的情况。
记录波形13-5是在记录脉冲序列后,立即以光复现功率进行周期为0.5T的激光辐射的情况。在辐射后,进行偏置功率的激光辐射。
记录波形13-6是在记录脉冲序列后,立即加上与记录波形13-3相同的标志的后端校正脉冲序列的情况。其后,以偏置功率进行激光辐射。
记录波形13-7、8和9中的每一个是上述图4的记录脉冲序列D。
记录波形13-7是不加上标志的后端校正脉冲序列的情况。
记录波形13-8是在记录脉冲序列后,立即以光复现功率进行周期为0.5T的激光辐射的情况。在辐射后,进行偏置功率的激光辐射。
记录波形13-9是在记录脉冲序列后,立即加上与记录波形13-3相同的标志的后端校正脉冲序列的情况。其后,以偏置功率进行激光辐射。
在表23中示出各个记录波形,表23中也示出100次重写操作后的跳动值。
[表23]
    记录波形     跳动
    记录波形13-1     11.0%
    记录波形13-2     9.4%
    记录波形13-3     7.8%
    记录波形13-4     10.0%
    记录波形13-5     8.1%
    记录波形13-6     7.0%
    记录波形13-7     12.1%
    记录波形13-8     10.5%
    记录波形13-9     8.9%
从表23,在记录波形13-2中,在记录脉冲序列后,立即以光复现功率进行激光辐射的情况下,与记录波形13-1相比,100次重写操作后的跳动值有所改善。
另一方面,在本发明中,在加上标志的后端校正脉冲序列的记录波形13-3中,与记录波形13-2相比,跳动较小。于是,对于图4的记录脉冲序列B,在加上标志的后端校正脉冲序列的情况下,标志前端部分和后端部分之间的对称性较佳,因此改善了跳动。
同样,对于图4的记录脉冲序列C和D,在加上标志的后端校正脉冲序列的情况下,标志前端部分和后端部分之间的对称性较佳,因此改善了跳动。
如上所述,通过把标志的后端校正脉冲序列加到记录脉冲序列B、C和D,可进行100次重写操作后跳动令人满意的记录。
在此实施例中,虽然示出在两个阶段中改变标志的后端校正脉冲序列的功率的情况,当然对于在三或更多阶段中改变上述功率的情况,也可获得类似的结果。此外,对于在记录脉冲序列后具有一周期的标志的后端校正脉冲序列,把激光连续改变到比偏置功率低的功率的情况,可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
(实施例14)
接着,将描述依据要记录的标志长度改变标志的后端校正脉冲序列起始时间的情况。
在此实施例中,测量条件与实施例11相同。此外,在此实施例中,使用图4的记录脉冲序列A。
用表24描述此实施例中使用的各种记录波形。
[表24]
标志长度     记录脉冲序列后的标志的后端校正脉冲序列的起始时间
    记录波形14-1     记录波形14-2
    3T     0T     0T
    4T     0T     0.1T
    5T     0T     0.2T
    6T     0T     0.3T
    7T     0T     0.4T
    8T     0T     0.5T
    9T     0T     0.6T
    10T     0T     0.7T
    11T     0T     0.8T
记录波形14-1是在记录脉冲序列后,无论要记录的标志的长度如何,立即把功率减小到偏置功率和光复现功率之间的中间电平,然后进行周期为0.25T的激光辐射的记录波形。在辐射后,立即把功率减小到光复现功率,然后进行周期为0.25T的激光辐射。其后,以偏置功率进行激光辐射。
记录波形14-2具有与记录波形14-1相同的标志的后端校正脉冲序列。当记录长度为11T的标志时,标志的后端校正脉冲序列的起始时间是0.8。在标志长度变短时,起始时间每次变快0.1T。当记录长度为3T的标志时,在记录脉冲序列后立即加上标志的后端校正脉冲序列。其后,以偏置功率进行激光辐射。
表25中示出各个记录波形,表25中也示出100次重写操作后的跳动值。
[表25]
    记录波形     跳动
    记录波形14-1     7.8%
    记录波形14-2     6.7%
从表25,在本发明中,在依据标志长度改变标志的后端校正脉冲序列起始时间的记录波形14-2中,标志的前端部分与后端部分之间的对称性变好,所以与记录波形14-1相比,可进一步改善跳动。
如上所述,通过依据标志长度改变标志的后端校正脉冲序列的起始时间,可进行100次重写操作后跳动是令人满意的记录。
在此实施例中,虽然示出在两个阶段中改变标志的后端校正脉冲序列的功率的情况,当然对于在三或更多阶段中改变上述功率的情况,也可获得类似的结果。此外,对于在记录脉冲序列后具有一周期的标志的后端校正脉冲序列,把激光连续改变到比偏置功率低的功率的情况,可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例15)
接着,将描述依据要记录的标志长度改变标志的后端校正脉冲序列脉冲结构的情况。
在此实施例中,使用一记录脉冲序列(图4的记录脉冲序列A)。此外,测量条件与实施例11相同。
将依据图9描述此实施例中使用的各种记录波形。注意在图9的记录波形15-1中,示出在记录长度为6T的标志时所使用的典型记录波形模式。此外,在记录波形15-2中,示出在长度为3T到11T的标志中,在记录长度为3T到5T、10T和11T时所使用的记录模式。
记录波形15-1与实施例11的记录波形11-3相同。
记录波形15-2是在记录脉冲序列后,立即改变功率使功率随着标志长度的变短而变小的记录波形。尤其是,当记录3T的标志时,把功率设定为光复现功率,当记录4T的标志时,把功率设定为位于偏置功率和光复现功率之间且比光复现功率高1/8的功率。于是,当标志长度变长时,功率增加。以此功率进行周期为0.25T的激光辐射。在辐射后,立即把功率减小到光复现功率,然后加上标志的后端校正脉冲,在其中进行周期为0.25T的激光辐射。其后,以偏置功率进行激光辐射。
表26中示出各个记录波形,表26中也示出100次重写操作后的跳动值。
[表26]
    记录波形     跳动
    记录波形15-1     7.8%
    记录波形15-2     6.4%
从表26,在本发明的依据要记录的标志长度改变标志的后端校正脉冲序列起始时间结构的记录波形15-2中,与记录波形15-1相比,可改善100次循环后的跳动值。
如上所述,通过依据要记录的标志长度改变标志的后端校正脉冲序列起始时间的脉冲结构,盘片前和后端之间的对称性变好,因此可进行复现信号质量令人满意的记录。
在此实施例中,虽然示出在两个阶段中改变标志的后端校正脉冲序列的功率的情况,当然对于在三或更多阶段中改变上述功率的情况,也可获得类似的结果。此外,对于在记录脉冲序列后具有一周期的标志的后端校正脉冲序列,把激光连续改变到比偏置功率低的功率的情况,可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例16)
接着,将描述光盘以恒定角速度旋转并依据盘片半径位置改变标志的后端校正脉冲序列的起始时间的情况。
盘片的转数仍为1000rpm,对于EFM信号,改变时钟T使在所有次数中最短的标志长度为μm。
在此实施例中,使用与实施例11相同的记录脉冲序列(图4的记录脉冲序列A)。
表27中示出此实施例中所使用的各个记录波形。
[表27]
    记录波形 记录脉冲序列后标志的后端校正脉冲序列的起始时间
    16-1 ---
    16-2 0T
    16-3 内部圆周0T
中部圆周0.2T
外部圆周0.5T
记录波形16-1是不加上标志的后端校正脉冲序列的情况。
记录波形16-2与实施例11的记录波形11-3相同。
记录波形16-3也具有与实施例11的记录波形11-3相同的标志的后端校正脉冲序列,但在本发明中,标志的后端校正脉冲序列的起始时间随盘片半径位置圆周靠近内部逐步而变短。尤其是,当盘片半径在23和34mm之间时,在记录脉冲序列后立即加上标志的后端校正脉冲序列。当半径在35和46mm之间时,标志的后端校正脉冲序列的起始时间延迟0.2T,当半径在47和57mm之间时,标志的后端校正脉冲序列的起始时间延迟0.5T。
表28中示出各个记录波形,表28中也示出100次重写操作后的跳动值。注意测量是在内部圆周(半径26mm)、中部圆周(半径38mm)以及外部圆周(半径50mm)上进行的。此外,半径处的各个线速度是大约2.7、4.0和5.2m/s。
此外,其它测量条件与实施例11相同。
[表28]
    记录波形                   跳动
    内部圆周     中部圆周     外部圆周
    16-1     13.5%     11.6%     11.4%
    16-2     9.0%     7.8%     9.3%
    16-3     9.0%     6.7%     8.0%
从表28,在记录波形16-1中,跳动变剧,因为热量留在内部,但如果类似于记录波形16-2加上标志的后端校正脉冲序列,则热量不留在内部,因此在盘片的全部圆周上,可改善100次重写操作后的跳动值。
另一方面,在本发明中,在依据标志的半径位置改变标志的后端校正脉冲序列起始时间的记录波形16-3中,在中部和外部圆周部分可很好地进行热控制,因此可进一步改善跳动。
如上所述,通过依据盘片的半径位置改变标志的后端校正脉冲序列的起始时间,可进行100次重写操作后跳动令人满意的记录。
在此实施例中,虽然示出在两个阶段中改变标志的后端校正脉冲序列的功率的情况,当然对于在三或更多阶段中改变上述功率的情况,也可获得类似的结果。此外,对于在记录脉冲序列后具有一周期的标志的后端校正脉冲序列,把激光连续改变到比偏置功率低的功率的情况,可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例17)
接着,将描述光盘以恒定角速度旋转并依据盘片半径位置改变标志的后端校正脉冲序列的脉冲结构的情况。
在此实施例中,使用与实施例11相同的记录脉冲序列(图4的记录脉冲序列A)。
此外,测量条件与实施例16相同。
将依据图10描述此实施例中所使用的各种记录波形。在图中,示出在记录长度为6T的标志时所使用的典型记录波形模式。此外,在记录波形17-2中,示出在盘片内部、中间和外部圆周处所使用的记录波形。
无论盘片的半径位置如何,记录波形17-1中的标志的后端校正脉冲序列的结构是恒定的,记录波形与实施例11的记录波形11-3相同。
记录波形17-2是这样一种记录波形,即在记录脉冲序列后,立即如此改变标志的后端校正脉冲序列的功率,从而此功率随着盘片半径在逐步靠近内部圆周而变小。尤其是,当盘片半径在23和34mm之间时,在记录脉冲序列后功率被设定为比光复现功率高1mW的功率。当半径在35和46mm之间时,功率被设定为介于偏置功率和光复功率之间。当半径在47和57mm之间时,功率被设定为比偏置功率低1mW的功率。以此功率,进行周期为0.25T的激光辐射。在辐射后,立即把功率减小到光复现功率,然后加上标志的后端校正脉冲,在其中进行周期为0.25T的激光辐射。其后,以偏置功率进行激光辐射。
表29中示出各个记录波形,表29中也示出100次重写操作后的跳动值。
[表29]
    记录波形     跳动
    内部圆周     中部圆周     外部圆周
    17-1     9.0%     7.8%     9.3%
    17-2     8.1%     7.8%     7.9%
从表29,对于在记录脉冲序列后,立即如此改变标志的后端校正脉冲序列的功率,从而使此功率随着盘片半径位置逐步靠近内部圆周而变小的本发明的记录波形17-2,内部和外部圆周处标志前端部分和后端部分之间的对称性较好。因此,与记录波形17-1相比,可改善跳动。
如上所述,通过依据盘片的半径位置改变标志的后端校正脉冲序列的脉冲结构,可进行100次重写操作后跳动令人满意的记录。
在此实施例中,虽然示出在两个阶段中改变标志的后端校正脉冲序列的功率的情况,当然对于在三或更多阶段中改变上述功率的情况,也可获得类似的结果。此外,对于在记录脉冲序列后具有一周期的标志的后端校正脉冲序列,把激光连续改变到比偏置功率低的功率的情况,可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出图4的记录脉冲序列A为记录脉冲序列的情况,但对于图4的记录脉冲序列B、C和D也可获得类似的结果。
(实施例18)
在本发明的情况中,将用图11中盘片记录单元的方框图和图12每个部分的信号波形图来首先描述记录脉冲序列的结束沿脉冲和以冷却功率进行激光辐射开始之间的时间为恒定的情况下的操作。
在此实施例中,数据1是PWM数据(图12a),它具有时钟单元的长度时钟的两个或多个周期的高电平周期和低电平周期。与标志相一致把数据的高电平周期记录在盘片上,与间隔相一致记录低电平周期。
此外,假定起始沿脉冲3和结束沿脉冲7的宽度都是时钟的一个周期,而且假定单个短脉冲27是时钟的半个周期。
冷却脉冲的宽度取时钟的半个周期,记录脉冲序列的结束沿脉冲和以冷却功率进行的激光辐射开始之间的时间也取时钟的半个周期。
此外,标志/间隔长度检测电路8检测因高密度记录而在标志之间产生热干扰处的间隔长度,也检测因复现系统的频率特征而产生峰值偏移处的标志/间隔长度。
在此实施例中,假定检测到要记录的数据串中存在最短的2T标志和2T间隔。
首先,在起始沿脉冲产生电路2中,在数据1高电平周期的起始沿部分处产生宽度为时钟一个周期的起始沿脉冲3(图12b)。
在短脉冲选通产生电路4中,在标志的中间位置处产生标志长度减少三个时钟的短脉冲选通信号5。注意当标志长度是3个时钟或更少时,不产生短脉冲选通信号(图12c)。
在结束沿脉冲产生电路6中,在数据1高电平周期的结束沿部分处产生宽度为时钟一个周期的结束沿脉冲7(图12e)。
在标志/间隔长度检测电路8中,检测具有两个时钟的宽度即2T标志和2T间隔的数据。当出现2T标志时,产生宽度为两个时钟的2T-标志信号9,它包括2T标志的起始沿脉冲和结束沿脉冲(图12f)。当出现2T间隔时,产生宽度为四个时钟的2T-间隔信号10,它包括2T间隔两侧的结束沿脉冲和起始沿脉冲(图12g)。
在编码器11中,由2T-标志信号9和2T-间隔信号10确定起始沿脉冲3和结束沿脉冲7的标记,并输出选择信号12。即,具有3T或更多时钟的标志和3T或更多时钟的间隔的数据叫做“正常”。具有3T或更多时钟的标志和2T间隔的数据叫做2Ts。具有2T标志和3T或更多时钟的标志的数据叫做2Tm。具有2T标志和2T间隔的数据叫做2Ts-2Tm。于是,数据被分为4种标记(图12h)。
接着,在起始沿选择器14中,由选择器信号12从多个起始沿设定值13,即“正常”期间的起始沿设定值、2Ts期间的起始沿设定值、2Tm期间的起始沿设定值和2Ts-2Tm期间的起始沿设定值中选择单个起始沿设定值,然后输出选中的起始沿设定值15。
在起始沿采样/保持电路16中,只有当出现起始沿脉冲3时,才进行更新,在不出现起始沿脉冲3时,保持先前的值并输出保持的起始沿设定值39(图12i)。
然后,在可编程起始沿延迟线17中,在根据保持的起始沿设定值39值的延迟时间后输出起始沿脉冲3作为起始沿延迟脉冲18(图12j)。
同样,在结束沿选择器20中,由选择器信号12从多个结束沿设定值19中选择单个结束沿设定值,然后输出选中的结束沿设定值21。在结束沿采样/保持电路22中,只有当出现结束沿脉冲7时,才进行更新,在不出现结束沿脉冲7时,保持先前的值并输出保持的结束沿设定值45(图12k)。
然后,在可编程结束沿延迟线23中,在根据保持的结束沿设定值45值的延迟时间后输出结束沿脉冲7作为结束沿延迟脉冲24(图12l)。
现在,将描述延迟的冷却脉冲信号的输出。
在冷却脉冲产生电路36中,在延迟的结束沿脉冲上升时间处产生数量为时钟半个周期的冷却脉冲(图12n)。
在冷却脉冲延迟线37中,从冷却脉冲产生电路36中输出的冷却脉冲41被延迟恒定数量,并输出冷却脉冲信号42(图12o)。
冷却脉冲42通过倒相器38,并被输出作为高和低电平颠倒的延迟冷却脉冲信号43(图12p)。
此外,在AND门26中,取上述短脉冲选通信号5和时钟25之间的逻辑积,并产生短脉冲信号27(图12m)。
在OR门28中,取延迟的起始沿脉冲18和短脉冲27之间的逻辑和,并产生记录信号29。
激光二极管35被发光电流源32偏置,从而二极管35发射用于相改变型光盘的复现光功率。
设有与复现光电流源32并联的偏置电平电流源31和记录电平电流源30,如果由开关33导通或断开记录电平电流源30的电流,并由开关34导通或断开偏置电平电流源31的电流,则激光二极管35的驱动电流可在三个电流之间切换:记录电平电流、偏置电平电流和复现光电平电流。
即,通过用此开关33控制上述记录信号29并用开关34控制延迟的冷却脉冲信号43,可在切换激光二极管35时以记录功率、偏置功率和冷却功率发射激光。由装有激光二极管35的光头,可通过加上冷却脉冲的记录方法(图12q)在相改变型光盘上形成标志和间隔。
接着,将用图13中盘片单元的方框图和图14每个部分的信号波形图来描述在冷却功率光辐射的起始时间以时钟为基础的情况下延迟冷却脉冲信号的形成方法。
在此情况下,在结束沿脉冲产生电路6(14f)中输出的结束沿脉冲上升的同时从冷却脉冲产生电路46中输出冷却脉冲48。
冷却脉冲延迟线37输出延迟恒定数量的冷却脉冲(图14o)。
其它操作原理与上述相同。
由上述的一系列操作,此实施例中的盘片存储单元加上冷却功率的激光辐射,并依据要记录的标志长度和标志的前后端间隔长度改变标志起始沿和结束沿的位置,从而可与数据相一致地记录标志和间隔。
在此实施例中,虽然已假定(1-7)RLL代码信号记录且在标志/间隔长度检测电路中示出2T标志和2T间隔(它们是最短的倒相间隔)和大于2T的标志和间隔构成的4种模式,还可把数据分为大于3T的标志和间隔,从而可增强每个标志边沿位置的精确性。
此外,虽然把起始沿脉冲和结束沿脉冲分别取为1T的宽度,且把短脉冲取为0.5T的宽度,但也可依据记录薄膜(或存储媒体)和光点之间的相对速度选择最佳的脉宽。
此外,虽然假定冷却脉宽是0.5T的恒定值,但也可通过依据标志长度和标志间隔改变脉宽来进一步减小总能量。
对于光盘的评估条件,激光的波长是680nm,记录单元在记录和复现中所使用的光头的物镜的NA是0.55。对于(1-7)RLL信号,设定时钟T,使最短的标志长度变成0.60μm。在记录时测量位于2T和8T之间的复现信号过零点的跳动值σsum/Tw(%)。这里,σsum是2T和8T之间跳动和的标准偏差,Tw是检测系统的窗口宽度。线速度是4.0m/s。
在此盘片上,为了信号记录,在记录其中标志长度变为0.60μm的单个频率时,取C/N比饱和处的记录功率作为记录功率。当以相应于7T的单个频率重写2T标志时,设定擦写速率超出-20dB处功率范围中心值的功率,并把此功率作为偏置功率。
由2T和8T之间复现信号过零点的跳动值σsum/Tw(%)小于13%处的循环数判断盘片的循环特性。
由图15,将描述此实施例中所使用的记录波形。在图中,示出记录7T标志时所使用的典型记录波形模式。对于记录波形18-1到18-3,使用图4的记录脉冲序列B,对于记录波形18-4到18-7,使用图4的记录脉冲序列C。
记录波形18-1是起始沿脉冲宽度为1.0T而结束沿脉冲宽度为1.0T,且在起始沿和结束沿脉冲之间,交替进行周期为0.5T的第二功率的激光辐射以及周期为0.5T的第一功率的激光辐射的记录波形。在此情况下,不加上冷却脉冲。
记录波形18-2是在记录脉冲序列的结束沿脉冲后,不管要记录的标志长度立即把以冷却功率具有0.5T辐射时间的冷却脉冲加到上述记录波形18-1的情况。
记录波形18-3是把冷却脉冲加到上述记录脉冲18-1的情况。冷却脉冲是不管要记录的标志长度,冷却功率处的辐射时间都为0.5T的情况,其中在记录脉冲序列结束沿脉冲下降和以冷却功率进行激光辐射开始之间的时间是恒定的,如0.5T。
记录波形18-4是依据由记录波形18-1记录的标志长度和标志的前后间隔改变记录脉冲序列起始沿脉冲和结束沿脉冲位置的情况,并且不加上冷却脉冲。
记录波形18-5是在记录脉冲序列的结束沿脉冲后,不管要记录的标志长度,立即把冷却功率的辐射时间为0.5T的冷却脉冲加到上述记录波形18-4的情况。
记录波形18-6是把冷却脉冲加到上述记录脉冲18-4的情况。冷却脉冲是不管要记录的标志长度,冷却功率的辐射时间都为0.5T的情况,其中在记录脉冲序列结束沿脉冲下降和以冷却功率进行激光辐射开始之间的时间是恒定的,如1.5T。
记录波形18-7是把冷却脉冲加到上述记录脉冲18-4的情况。冷却脉冲是不管要记录的标志长度,冷却功率的辐射时间都为0.5T的情况,其中冷却功率的辐射起始时间比次脉冲(在起始沿脉冲和结束沿脉冲之间的脉冲)结束沿脉冲的上升时间延迟恒定数量诸如2.5T。即,在此情况下,冷却脉冲辐射的起始时间以时钟为基础。
在表30中示出各个记录波形、100次重写操作后的跳动值,以及跳动值小于13%时的循环数目。
[表30]
    记录波形  100次循环后的跳动   满足跳动<13%的循环数
    11-1  10.3%   300,000
    11-2  9.0%   800,000
    11-3  7.5%   800,000
    11-4  7.3%   500,000
    11-5  6.9%   1,000,000
    11-6  6.3%   1,100,000
    11-7     6.4%     1,100,000
从表30,在本发明中,在加上冷却脉冲的记录波形18-2中,与不加上冷却脉冲的记录波形18-1相比,热破坏有所改善,因此满足跳动<13%的循环数目是令人满意的。
此外,在记录波形18-3中,通过在记录脉冲序列后进行0.5T的偏置功率激光辐射,可更满意地控制标志前端部分和后端部分之间的对称性,因此与记录波形18-2相比,跳动变得更小。
此外,即使在依据要记录的标志长度和标志的前后间隔改变记录脉冲序列起始沿脉冲和结束沿脉冲的位置的情况下,与不加上冷却脉冲的记录波形18-4相比,对于如本发明加上冷却脉冲的记录波形18-5,可改善热破坏。因此,因此满足跳动<13%的循环数目是令人满意的。
此外,在依据要记录的标志长度和标志的前后间隔改变记录脉冲序列起始沿脉冲和结束沿脉冲的位置的情况下,与不改变位置的情况相比,可更多地控制标志的结构,因此跳动变小。
此外,在本发明的记录波形18-6和18-7中,在记录脉冲序列的结束沿脉冲和以偏置功率进行的激光辐射之间进行偏置功率辐射,从而与在记录脉冲序列后,立即以冷却功率进行激光辐射的记录波形18-5相比,可改善100次循环后的跳动值和满足跳动<13%的循环数目,并可获得令人满意的值。
如上所述,偏置功率的激光辐射位于以冷却功率进行激光辐射的记录脉冲序列的结束沿部分和以冷却功率进行的激光辐射之间,从而可改善100次循环后的跳动值,即使在进行多次循环时也可进行令人满意的记录。
此外,在此实施例中,虽然示出冷却功率是光复现功率的情况,但对于冷却功率在0和小于偏置功率之间的情况也可获得类似的结果。
此外,在此实施例中,虽然示出记录脉冲序列的第二功率是偏置功率的情况,但对于第二功率大于0和小于记录功率的情况也可获得类似的结果。
工业应用性
依据本发明的记录方法,可抑制由于标志之间的热干扰所引起的标志长度的变动,并可使标志前端部分和后端部分之间的对称性变得很好。因此,标志可形成所需的形状,可满足光盘的高密度需要,即使在以恒定角速度旋转光盘方法的情况下,也可增强复现信号的质量。此外,可减轻在多次循环情况下由热破坏所引起的信号恶化,并可实现令人满意的循环特性。

Claims (2)

1.一种通过由激光束辐射在光学记录媒体上形成记录标志来记录信息的记录方法,其特征在于
通过辐射在第一功率和低于所述第一功率的第二功率之间调制的作为记录脉冲序列的激光束来形成所述记录标志,
在所述记录脉冲序列的起始和结尾处以所述第一功率辐射所述激光束,在所述记录脉冲序列的起始脉冲和结尾脉冲之间交替辐射所述第一功率的激光束和所述第二功率的激光束,
在辐射所述记录脉冲序列后立即辐射冷却功率的激光束,所述冷却功率比低于所述第一功率的偏置功率还要低,以及
所述记录脉冲序列的所述起始和所述结尾的位置依据记录标志的长度以及连续形成的记录标志之间的距离而改变。
2.如权利要求1所述的记录方法,其特征在于在比所述记录脉冲序列的所述起始脉冲和所述结尾脉冲之间的数据时钟的一个周期短的周期内交替辐射所述第一功率的激光束和所述第二功率的激光束。
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Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0830675B1 (en) * 1996-02-16 2003-08-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for recording an optical information carrier
JPH10105970A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Toshiba Corp 光学的情報記録方法および装置
ID21808A (id) * 1996-12-20 1999-07-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Metoda rekaman optik dan perekam optik
US6243339B1 (en) * 1997-08-12 2001-06-05 U.S. Philips Corporation Method and device for writing optical record carriers
US7391698B2 (en) * 1998-07-23 2008-06-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof
US7158461B1 (en) * 1997-12-30 2007-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof
KR100354732B1 (ko) * 1998-04-03 2002-11-18 삼성전자 주식회사 고밀도광기록기기를위한적응적인기록방법및그장치
MY125795A (en) * 1998-07-23 2006-08-30 Samsung Electronics Co Ltd Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof
US6925040B1 (en) 1998-08-04 2005-08-02 Hitachi, Ltd. Information recording method, information recording medium and information recording apparatus
TW468177B (en) * 1998-08-04 2001-12-11 Hitachi Ltd Data storage method, data storage medium and data storage recording device
JP3076033B1 (ja) 1998-09-14 2000-08-14 松下電器産業株式会社 光学情報の記録再生装置および情報記録媒体
WO2000057408A1 (fr) 1999-03-19 2000-09-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede d'enregistrement optique d'informations et dispositif a cet effet
TW561463B (en) * 1999-03-30 2003-11-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method and device for recording marks in an information layer of an optical record carrier
JP3762847B2 (ja) * 1999-04-13 2006-04-05 株式会社日立製作所 情報の記録方法及び情報の記録装置
EP1662493B1 (en) 1999-05-19 2010-07-14 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Recording at constant angular velocity
AU4783500A (en) * 1999-05-31 2000-12-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording method, optical information recording device and optical information recording medium
US7272094B2 (en) * 1999-07-15 2007-09-18 Koninklike Philips Electronics N.V. Methods and devices for recording marks in an information layer of an optical record carrier, and record carriers for use therein
JP4267852B2 (ja) * 1999-07-15 2009-05-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光学的記録担体の情報層にマークを記録するための方法及び装置、並びにそこでの使用に対する記録担体
US6654325B1 (en) 1999-08-09 2003-11-25 Hitachi, Ltd. Trial writing method and optical disk system using the same
JP2001067669A (ja) * 1999-08-31 2001-03-16 Sony Corp 記録装置、記録方法
KR100339478B1 (ko) * 1999-09-18 2002-05-31 구자홍 광 기록매체의 최적 기록장치 및 기록방법
TW518580B (en) * 2000-05-11 2003-01-21 Koninkl Philips Electronics Nv Methods and devices for recording marks on a recording surface of an optical record carrier
WO2002011132A1 (fr) * 2000-07-28 2002-02-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif a disque optique et procede de determination de puissance d'enregistrement
US7193948B2 (en) 2000-10-05 2007-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium, method for recording on optical record medium, and apparatus for recording on optical record medium
JP3793437B2 (ja) * 2000-10-10 2006-07-05 Tdk株式会社 光記録方法および光記録媒体
US20020051415A1 (en) * 2000-10-26 2002-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Recording waveform generator and disk recording device
JP3969958B2 (ja) * 2001-02-14 2007-09-05 株式会社リコー 光情報記録方法
JP4405115B2 (ja) * 2001-09-03 2010-01-27 パイオニア株式会社 情報記録装置および情報記録方法
TWI261236B (en) * 2001-09-29 2006-09-01 Samsung Electronics Co Ltd Method for forming first state and second state on optical recording medium
CN1248201C (zh) * 2001-10-02 2006-03-29 松下电器产业株式会社 光学信息记录方法以及再生装置
JP2003208713A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Tdk Corp 光記録媒体への情報記録方法、光記録媒体及び情報記録/再生装置
WO2003079336A1 (fr) * 2002-03-15 2003-09-25 Ricoh Company, Ltd. Dispositif d'enregistrement et procede d'enregistrement
EP2278349A3 (en) * 2002-04-03 2011-10-12 Panasonic Corporation Optical information device, optical storage medium, optical storage medium inspection device, and optical storage inspection method
JP2004005872A (ja) * 2002-04-09 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ディスク原盤作製方法および光ディスクとその製造方法
EP1357551A3 (en) * 2002-04-26 2004-12-22 TDK Corporation Optical recording medium and method for optically recording data in the same
KR100677104B1 (ko) * 2002-05-20 2007-02-01 삼성전자주식회사 소거 패턴의 파워 정보가 저장된 광 기록 매체
US8018817B2 (en) * 2002-05-20 2011-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of recording erase pattern information on an optical recording medium, erasing information on the optical recording medium based on the erase pattern information, and optical recording medium therefor
US7369470B2 (en) * 2002-05-20 2008-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of recording erase pattern information on an optical recording medium, erasing information on the optical recording medium based on the erase pattern information, and optical recording medium therefor
WO2004013846A1 (en) * 2002-07-26 2004-02-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for optical recording and optical record carrier
JP4282285B2 (ja) * 2002-08-12 2009-06-17 Tdk株式会社 光記録媒体及び光記録方法
US7474603B2 (en) * 2002-09-04 2009-01-06 Ricoh Company, Ltd. Optical information recording method, apparatus, and medium, laser control circuit, wobble signal detection method, and servo signal detection method
JP2004103100A (ja) * 2002-09-09 2004-04-02 Tdk Corp 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体
JP2004171642A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Tdk Corp 光記録媒体、光記録方法及び光記録装置
US7529168B2 (en) 2002-11-21 2009-05-05 Panasonic Corporation Recording/reproduction method and recording/reproduction apparatus
US20050213467A1 (en) * 2002-12-17 2005-09-29 Yoshihiro Noda Optical recording medium, and recording/reading method and recording/reading apparatus for optical recording medium
KR20040067778A (ko) * 2003-01-23 2004-07-30 삼성전자주식회사 광 기록 매체, 이에 데이터를 기록하는 방법 및 그 장치
AU2003288773A1 (en) * 2003-01-23 2004-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical recording medium, method and apparatus for recording data thereon
CN101339783B (zh) * 2003-02-19 2011-01-12 日本胜利株式会社 光记录方法、光记录媒体、光记录媒体记录装置、光记录装置、光盘、光盘记录再现装置
KR100532955B1 (ko) * 2003-06-16 2005-12-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 딜레이 공유 회로
JP2005038559A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Sony Corp 情報記録装置及び方法
WO2005041175A1 (ja) * 2003-10-27 2005-05-06 Pioneer Corporation 情報記録装置及び情報記録方法
CN101599277B (zh) * 2004-01-09 2011-05-04 松下电器产业株式会社 光记录方法、光盘介质及再现方法
CN100356455C (zh) * 2004-09-08 2007-12-19 上海乐金广电电子有限公司 相变型光盘信息记录的方法
JP2008517414A (ja) * 2004-10-19 2008-05-22 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光記録用のマスタ基板にデータを書き込む方法
KR20070097516A (ko) * 2004-12-22 2007-10-04 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 라벨들을 기록하기 위한 펄스화된 레이저 모드
ATE497625T1 (de) * 2006-03-13 2011-02-15 Koninkl Philips Electronics Nv Echtzeit-leistungssteuerung für optische aufzeichnungslaufwerke
JP2007317343A (ja) 2006-04-28 2007-12-06 Sharp Corp 記録パラメータ設定装置、そのプログラムおよび該プログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体、情報記録媒体、ならびに記録パラメータ設定方法
CN101427308B (zh) * 2006-04-28 2011-02-16 夏普株式会社 记录参数设定装置、记录参数设定程序、记录有该程序的计算机可读取的记录介质、信息记录介质、记录重放装置和记录参数设定方法
JP2007334921A (ja) 2006-06-12 2007-12-27 Hitachi Ltd 記録方法、レーザ駆動装置及びそれらを用いた光ディスク装置
TW200834558A (en) * 2006-12-15 2008-08-16 Taiyo Yuden Kk Optical information recording device, optical information recording method, and optical information recording medium
WO2008109061A2 (en) * 2007-03-01 2008-09-12 Lightfleet Corporation Time domain symbols
KR102544036B1 (ko) 2021-09-01 2023-06-21 대한전열공업(주) 브레이징 접합을 통한 중계기용 냉각장치의 제조방법
KR102448582B1 (ko) 2021-10-14 2022-09-29 대한전열공업(주) 중계기용 유로형성 링의 조립장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63113938A (ja) * 1986-10-31 1988-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報の光学的記録方法
US5257256A (en) * 1987-04-24 1993-10-26 Hitachi, Ltd. Recording waveform for mark-length modulation optical recording
JP2574379B2 (ja) * 1988-03-31 1997-01-22 松下電器産業株式会社 光学的情報記録消去方法
JP2707774B2 (ja) * 1989-12-13 1998-02-04 松下電器産業株式会社 光学情報の記録方法および記録装置
JP2972899B2 (ja) * 1991-01-24 1999-11-08 株式会社リコー 光磁気記録方法
JPH05120685A (ja) * 1991-10-25 1993-05-18 Olympus Optical Co Ltd 光学式情報記録方法及びその装置
EP0594425A3 (en) * 1992-10-21 1996-10-09 Nippon Kogaku Kk Pulse train condition/heat shut off condition determination method and apparatus for optical recording, and optical recording method and apparatus
JPH06301978A (ja) * 1992-10-28 1994-10-28 Nikon Corp 光記録のプリパルス条件及び熱遮断条件決定方法、 同決定装置、光記録方法及び光記録装置
JPH06162507A (ja) * 1992-11-24 1994-06-10 Toshiba Corp 情報記録方法および情報記録装置
US5490126A (en) * 1993-04-07 1996-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for recording and reproducing data on a disk
JP2679596B2 (ja) * 1993-11-09 1997-11-19 松下電器産業株式会社 ディスク記録方法およびディスク記録装置
JP2684952B2 (ja) * 1993-04-07 1997-12-03 松下電器産業株式会社 ディスク記録方法およびディスク記録装置
JP3231533B2 (ja) * 1994-01-31 2001-11-26 株式会社日立製作所 光学的情報記録方法
JPH0969246A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Canon Inc 光学的情報記録再生装置

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Publication number Publication date
DE69612833D1 (de) 2001-06-21
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JP4145958B2 (ja) 2008-09-03

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