CN112703595A - 发光器件及具有该发光器件的显示装置 - Google Patents

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金大贤
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Abstract

根据实施例的一种发光器件包括：第一发光区域，包括第一发光二极管；第二发光区域，包括第二发光二极管；至少一对第一分隔壁和第二分隔壁，在第一发光区域和第二发光区域中设置为彼此面对；至少一个第一电极，设置在第一分隔壁上以覆盖第一分隔壁，并且电连接到第一发光二极管和第二发光二极管中的至少一个的第一端；以及至少一个第二电极，设置在第二分隔壁上以覆盖第二分隔壁，并且电连接到第一发光二极管和第二发光二极管中的至少一个的第二端。所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在第一发射区域和第二发射区域中具有彼此不同的结构。

Description

发光器件及具有该发光器件的显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的显示装置。
背景技术
近来，已经开发了使用具有可靠无机晶体结构的材料制造超小型发光二极管并使用该超小型发光二极管制造发光器件的技术。例如，已经开发了制造具有与从纳米级尺寸到微米级尺寸的范围对应的小尺寸的超小型发光二极管并且使用超小型发光二极管形成发光器件的光源的技术。这样的发光器件可以设置在诸如显示装置和照明装置的各种电子装置中。
发明内容
技术问题
本公开的实施例提供了一种包括发光二极管的发光器件以及包括该发光器件的显示装置。
技术方案
本公开的实施例可以提供一种发光器件，该发光器件包括：第一发射区域，包括第一发光二极管；第二发射区域，包括第二发光二极管；至少一对第一分隔壁和第二分隔壁，在第一发射区域和第二发射区域中的每个中设置为彼此面对；至少一个第一电极，设置在第一分隔壁上以覆盖第一分隔壁，并且电连接到第一发光二极管和第二发光二极管中的至少一个的第一端；以及至少一个第二电极，设置在第二分隔壁上以覆盖第二分隔壁，并且电连接到第一发光二极管和第二发光二极管中的至少一个的第二端。所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以在第一发射区域中具有与所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在第二发射区域中的结构不同的结构。
在实施例中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以在彼此间隔开第一距离的位置处设置在第一发射区域中。所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以在彼此间隔开比第一距离大的第二距离的位置处设置在第二发射区域中。
在实施例中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以在第一发射区域和第二发射区域中的每个中在第一方向上彼此间隔开。第一分隔壁和第二分隔壁中的每个可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
在实施例中，第一发射区域和第二发射区域可以在第一方向上连续地设置。
在实施例中，第一发射区域和第二发射区域可以在第二方向上连续地设置。
在实施例中，第一分隔壁和第二分隔壁中的每个可以在第一发射区域和第二发射区域中一体地延伸。第一分隔壁和第二分隔壁中的至少一个分隔壁可以在第一发射区域和第二发射区域之间的边界上具有弯曲部。
在实施例中，所述至少一个分隔壁可以具有在第一发射区域与第二发射区域之间的边界上以弯曲形状(或曲线形形状、弧形形状)弯曲的结构。
在实施例中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以在第一发射区域和第二发射区域中的每个中具有对称结构。
在实施例中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以在第一发射区域和第二发射区域中的至少一个发射区域中具有不对称结构。
在实施例中，第一分隔壁和第二分隔壁中的至少一个分隔壁可以在第一发射区域中具有第一高度，并且在第二发射区域中具有比第一高度小的第二高度。
在实施例中，第一分隔壁和第二分隔壁中的每个可以在第一发射区域中具有在预定方向上连续地延伸的图案。第一分隔壁和第二分隔壁中的每个可以在第二发射区域中具有不连续图案。
在实施例中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以在第一发射区域中设置成面对第一发光二极管的第一端部和第二端部。所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以在第二发射区域中使第二发光二极管的第一端和第二端暴露。
在实施例中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以包括：第11分隔壁，设置在第一发射区域中；第21分隔壁，设置在第一发射区域中以与第11分隔壁成对；第12分隔壁，设置在第二发射区域中；以及第22分隔壁，设置在第二发射区域中以与第12分隔壁成对。
在实施例中，所述至少一个第一电极可以包括：第11电极，设置在第11分隔壁上；以及第12电极，设置在第12分隔壁上，并且连接到第11电极。
在实施例中，所述至少一个第一电极可以包括：第11电极，设置在第11分隔壁上；以及第12电极，设置在第12隔壁上，并且与第11电极分开。
在实施例中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以包括：第11分隔壁，设置在第一发射区域中；第12分隔壁，设置在第二发射区域中；以及第二公共分隔壁，设置在第一发射区域与第二发射区域之间的交叉区域中，并且形成为与第11分隔壁和第12分隔壁中的每个成对。
在实施例中，第一电极和第二电极中的每个可以包括至少一个反射电极层。第一发光二极管和第二发光二极管中的至少一个的第一端可以设置为面对任一第一电极，并且第一发光二极管和第二发光二极管中的至少一个的第二端可以设置为面对任一第二电极。
本公开实施例可以提供一种显示装置，该显示装置包括：显示区域；以及像素，设置在显示区域中。像素可以包括：第一发射区域，包括第一发光二极管；第二发射区域，包括第二发光二极管；至少一对第一分隔壁和第二分隔壁，在第一发射区域和第二发射区域中的每个中设置为彼此面对；至少一个第一电极，设置在第一分隔壁上以覆盖第一分隔壁，并且电连接到第一发光二极管和第二发光二极管中的至少一个的第一端；以及至少一个第二电极，设置在第二分隔壁上以覆盖第二分隔壁，并且电连接到第一发光二极管和第二发光二极管中的至少一个的第二端。所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以在第一发射区域中具有与所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在第二发射区域中的结构不同的结构。
在实施例中，第一发射区域中的所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁的高度或第一发射区域中的所述至少一对第一分隔壁与第二分隔壁之间的距离可以与第二发射区域中的所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁的高度或第二发射区域中的所述至少一对第一分隔壁与第二分隔壁之间的距离不同。
在实施例中，在第一发射区域中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以具有在预定方向上连续延伸的图案，并且设置为面对第一发光二极管的第一端和第二端。在第二发射区域中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁可以具有不连续图案，并且可以使第二发光二极管的第一端和第二端暴露。
有益效果
在根据本公开的各种实施例的发光器件和包括该发光器件的显示装置中，每个发光器件或像素的发射区域划分为多个发射区域，并且分隔壁在每个发射区域中具有不同的结构。由此，从设置在每个发光器件或像素中的发光二极管发射的光可以在相对宽的视角范围内分散和发射。
附图说明
图1a和图1b分别是示出根据本公开的实施例的发光二极管的透视图和剖视图。
图2a和图2b分别是示出根据本公开的实施例的发光二极管的透视图和剖视图。
图3a和图3b分别是示出根据本公开的实施例的发光二极管的透视图和剖视图。
图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的透视图。
图5a至图5e各自是示出根据本公开的实施例的发光器件(具体地，示出包括发光器件的有源像素的不同示例)的电路图。
图6和图7各自是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素的不同示例)的平面图。
图8a是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出沿着图7的线I-I'截取的剖面的示例)的剖视图。
图8b是示出图8a的区域EA1的放大的剖视图。
图9是示出根据本公开的实施例的根据发光二极管与第一分隔壁和第二分隔壁之间的距离的视角变化的剖视图。
图10是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素的示例)的平面图。
图11是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素的示例)的平面图。
图12至图16各自是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素的不同示例)的平面图。
图17至图19各自是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素的不同示例)的平面图。
图20是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素的示例)的平面图。
图21是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出与图20的线II-II'对应的分隔壁的结构)的剖视图。
图22是示出根据本公开的实施例的根据第一分隔壁和第二分隔壁中的每个的高度的视角变化的剖视图。
图23是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素的示例)的平面图。
图24是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出与图23的线III-III'对应的分隔壁的结构)的剖视图。
图25是示出根据本公开的实施例的根据第一分隔壁和第二分隔壁是否存在的视角变化的剖视图。
图26示出了从根据本公开的实施例的发光器件发射的光的轮廓和从根据对比示例的发光器件发射的光的轮廓。
具体实施方式
由于本公开的实施例可以以许多不同形式进行各种修改，所以现在将更详细地参照本公开的各种实施例，其具体示例在附图中示出并在下面描述。然而，本公开不限于下面的实施例，并且可以修改为各种形式。
可以省略附图中与本公开的特征不直接相关的一些元件以更清楚地说明本公开。此外，可以稍微夸大附图中的一些元件的尺寸、比率等。应当注意的是，贯穿附图，同样的附图标记用于表示相同或相似的元件，并且将省略重复的说明。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”、“具有”等时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。此外，当第一组件或部分设置在第二组件或部分上时，所述第一组件或部分不仅可以直接在所述第二组件或部分上，而且第三组件或部分可以置于它们之间。此外，在下面的描述中使用的术语“位置”、“方向”等是以相对术语定义的，并且应当注意的是，它们可以根据视角或方向改变成相反的位置或方向。
参照附图描述本公开的实施例和所需细节，以更详细地描述本公开，使得在本公开所属的技术领域中具有普通知识的人员可以容易地实践本公开。此外，只要在句子中没有具体地提及，单数形式就可以包括复数形式。
图1a、图1b、图2a、图2b、图3a和图3b是示出根据本公开的实施例的发光二极管LD的透视图和剖视图。尽管图1a至图3b示出了每个发光二极管LD是圆柱形棒型发光二极管，但是根据本公开的发光二极管LD的种类和/或形状不限于此。
参照图1a和图1b，根据本公开的实施例的发光二极管(或也称为“发光元件”)LD可以包括第一导电型半导体层11、第二导电型半导体层13以及置于第一导电型半导体层11与第二导电型半导体层13之间的活性层12。例如，发光二极管LD可以是由通过连续地堆叠第一导电型半导体层11、活性层12和第二导电型半导体层13形成的堆叠体构造的。
在实施例中，发光二极管LD可以设置为在一个方向上延伸的棒的形式。如果发光二极管LD延伸所沿的方向被定义为长度方向L，则发光二极管LD可以相对于长度方向L具有第一端和第二端。
在实施例中，第一导电型半导体层11和第二导电型半导体层13中的一个可以设置在发光二极管LD的第一端处，并且第一导电型半导体层11和第二导电型半导体层13中的另一个可以设置在发光二极管LD的第二端处。
在实施例中，发光二极管LD可以是以棒的形式制造的棒型发光二极管。在本说明书中，术语“棒型”包括棒状形状和条状形状，诸如在长度方向上延伸(即，以具有大于1的纵横比)的圆柱形形状和棱柱形形状，并且其剖面形状不限于特定的形状。例如，发光二极管LD的长度L可以比其直径D(或其剖面的宽度)大。
在实施例中，发光二极管LD可以具有与从纳米级尺寸到微米级尺寸的范围对应的小尺寸，例如，发光二极管LD的与从纳米级尺寸到微米级尺寸的范围对应的直径D和/或长度L。然而，在本公开中，发光二极管LD的尺寸不限于此。例如，发光二极管LD的尺寸可以根据各种装置(例如，采用使用发光二极管LD的发光器件作为光源的显示装置)的设计条件以各种方式改变。
第一导电型半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电型半导体层11可以包括n型半导体层并且掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂，n型半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任一半导体材料。然而，形成第一导电型半导体层11的材料不限于此，第一导电型半导体层11可以由各种其他材料形成。
活性层12可以设置在第一导电型半导体层11上并且可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。在实施例中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在活性层12上和/或活性层12下。例如，包覆层可以由AlGaN层或InAlGaN层形成。在实施例中，可以使用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成活性层12，并且可以使用各种其他材料来形成活性层12。
如果将预定电压或更大电压的电场施加到发光二极管LD的相对端，则发光二极管LD通过活性层12中的电子-空穴对的复合而发光。由于可以基于前述原理来控制发光二极管LD的光发射，所以发光二极管LD可以用作用于各种发光装置的光源以及显示装置的像素。
第二导电型半导体层13可以设置在活性层12上，并且包括与第一导电型半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二导电型半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电型半导体层13可以包括p型半导体层并且掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂，p型半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任一半导体材料。然而，形成第二导电型半导体层13的材料不限于此，第二导电型半导体层13可以由各种其他材料形成。
在实施例中，发光二极管LD还可以包括设置在发光二极管LD的表面上的绝缘膜INF。在实施例中，绝缘膜INF可以形成在发光二极管LD的表面上以包围至少活性层12的外圆周表面。另外，绝缘膜INF还可以包围第一导电型半导体层11和第二导电型半导体层13中的每个的至少一个区域。这里，绝缘膜INF可以使发光二极管LD的具有不同极性的相对端暴露于外部。例如，绝缘膜INF可以使相对于长度方向(L)设置在发光二极管LD的相应的相对端上的第一导电型半导体层11和第二导电型半导体层13中的每个的一端暴露，例如，可以使圆柱的顶表面和底表面中的每个暴露而不是覆盖它。
在实施例中，绝缘膜INF可以包括SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2中的至少一种绝缘材料，但是其不限于此。换句话说，形成绝缘膜INF的材料不限于特定的材料，绝缘膜INF可以由公知的各种绝缘材料形成。
在实施例中，发光二极管LD除了包括第一导电型半导体层11、活性层12、第二导电型半导体层13和/或绝缘膜INF之外还可以包括附加的其他组件。例如，发光二极管LD还可以包括设置在第一导电型半导体层11、活性层12和/或第二导电型半导体层13的一端上的至少一个荧光层、至少一个活性层、至少一个半导体层和/或至少一个电极层。
例如，如图2a和图2b中所示，发光二极管LD还可以包括设置在第二导电型半导体层13的一端上的至少一个电极层14。在实施例中，如图3a和图3b中所示，发光二极管LD还可以包括设置在第一导电型半导体层11的一端上的至少一个电极层15。
电极层14和15中的每个可以是欧姆接触电极，但是不限于此。此外，电极层14和15中的每个可以包括金属或金属氧化物。例如，Cr、Ti、Al、Au、Ni、ITO、IZO、ITZO及其氧化物或合金可以单独使用或彼此组合使用。在实施例中，电极层14和15可以是基本上透明或半透明的。由此，从发光二极管LD产生的光可以在穿过电极层14和15之后发射出发光二极管LD。
在实施例中，绝缘膜INF可以至少部分地包围电极层14和15的外表面，或者可以不包围它们。换句话说，绝缘膜INF可以选择性地形成在电极层14和15的表面上。此外，绝缘膜INF可以形成为使发光二极管LD的具有不同极性的相对端暴露，例如可以使电极层14和15中的每个的至少一个区域暴露。可选地，在实施例中，可以不设置绝缘膜INF。
如果绝缘膜INF设置在发光二极管LD的表面上，特别地设置在活性层12的表面上，则可以防止活性层12与至少一个电极(未示出)(例如，连接到发光二极管LD的相对端的接触电极中的至少一个接触电极等)短路。因此，可以确保发光二极管LD的电稳定性。
此外，由于形成在发光二极管LD的表面上的绝缘膜INF，可以使发光二极管LD的表面上的缺陷的发生最小化，由此可以改善发光二极管LD的寿命和效率。另外，如果绝缘膜INF形成在每个发光二极管LD上，则即使当多个发光二极管LD彼此相邻地设置时，也可以防止发光二极管LD不期望地短路。
在本公开的实施例中，可以执行表面处理工艺以制造发光二极管LD。例如，可以对发光二极管LD进行表面处理(例如，通过涂覆工艺进行表面处理)，使得当多个发光二极管LD与流体溶液混合并且然后被供应到每个发光区域(例如，每个像素的发光区域)时，发光二极管LD可以均匀地分布而不是不均匀地聚集在溶液中。
上述发光二极管LD可以用于包括需要光源的显示装置的各种装置中。例如，至少一个超小型发光二极管LD(例如，各自具有从纳米级到微米级的范围的尺寸的多个超小型发光二极管LD)可以设置在显示面板的每个像素区域中，以形成对应的像素的光源(或光源单元)。此外，根据本公开的发光二极管LD的应用领域不限于显示装置。例如，发光二极管LD也可以用于需要光源的诸如照明装置的各种装置中。
图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。在实施例中，图4示出了显示装置(特别地，设置在显示装置中的显示面板PNL)作为可以使用参照图1a至图3b描述的发光二极管LD作为光源的装置的示例。例如，显示面板PNL的像素PXL可以各自包括发光器件。发光器件可以包括至少一个发光二极管LD。
为了说明起见，图4简单地示出了根据实施例的显示面板PNL的集中于显示区域DA的结构。在一些实施例中，尽管未示出，但是至少一个驱动电路单元(例如，扫描驱动器和数据驱动器中的至少一个)和/或多条线还可以设置在显示面板PNL上。
参照图4，根据本公开的实施例的显示面板PNL可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的多个像素PXL。详细地，显示面板PNL和用于形成显示面板PNL的基底SUB可以包括用于显示图像的显示区域DA和形成在除了显示区域DA之外的预定区域中的非显示区域NDA。像素PXL可以在基底SUB上设置在显示区域DA中。
在实施例中，显示区域DA可以设置在显示面板PNL的中心部分中，非显示区域NDA可以以包围显示区域DA的这样的方式设置在显示面板PNL的周界部分中。显示区域DA和非显示区域NDA的位置不限于此，它们的位置可以改变。
基底SUB可以形成显示面板PNL的基体构件。在一实施例中，基底SUB可以为刚性或柔性基底，并且其材料或性质不受特别地限制。例如，基底SUB可以是由玻璃或增强玻璃制成的刚性基底，或者是通过由塑料或金属制成的薄膜形成的柔性基底。此外，基底SUB可以是透明基底，但是其不限于此。例如，基底SUB可以是半透明基底、不透明基底或反射基底。
基底SUB上的一个区域限定为其中设置有像素PXL的显示区域DA，并且基底SUB上的另一个区域限定为非显示区域NDA。例如，基底SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA，显示区域DA包括其中形成有相应像素PXL的多个像素区域，非显示区域NDA设置在显示区域DA周围。连接到像素PXL的各种线和/或内部电路单元可以设置在非显示区域NDA中。
在实施例中，像素PXL可以分布和布置在显示区域DA中。在实施例中，像素PXL可以在显示区域DA中以条状形状布置。然而，本公开不限于此。例如，像素PXL可以在显示区域DA中以各种公知的形状布置。
每个像素PXL可以包括由预定控制信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或电力(例如，第一电力和第二电力)驱动的至少一个光源。例如，至少一个光源可以是根据图1a至图3b的实施例中的任一实施例的发光二极管LD。例如，每个像素PXL可以包括具有从纳米级到微米级的范围的小尺寸的至少一个发光二极管LD。例如，每个像素PXL可以包括在像素电极和/或电力线之间并联连接的多个棒型发光二极管。多个棒型发光二极管可以形成对应的像素PXL的发光器件(例如，光源或光源单元)。在实施例中，每个发光二极管LD可以是红色、绿色或蓝色发光二极管，但是本公开不限于此。
在实施例中，每个像素PXL可以由有源像素形成。然而，能够应用于根据本公开的显示装置的像素PXL的类型、结构和/或驱动方案不受特别地限制。例如，每个像素PXL可以具有与各种公知的无源或有源发光显示装置的像素的结构相同的结构。
图5a至图5e各自是示出根据本公开的实施例的发光器件(特别地，示出包括发光器件的有源像素PXL的不同示例)的电路图。在实施例中，图5a至图5e中示出的每个像素PXL可以是设置在图4的显示面板PNL中的像素PXL中的任一个。像素PXL可以具有基本上相同或相似的结构。
参照图5a，根据本公开的实施例的像素PXL可以包括构造为产生具有与数据信号对应的亮度的光的光源单元LSU和构造为驱动光源单元LSU的像素电路PXC。光源单元LSU可以形成根据本公开的实施例的发光器件。
在实施例中，光源单元LSU可以包括在第一电源VDD与第二电源VSS之间彼此并联连接的多个发光二极管LD。这里，第一电源VDD和第二电源VSS可以具有不同的电位，以使发光二极管LD能够发光。例如，第一电源VDD可以设置为高电位电源，并且第二电源VSS可以设置为低电位电源。这里，至少在像素PXL的发光时段期间，第一电源VDD与第二电源VSS之间的电位差可以设置为发光二极管LD的阈值电压或更大。
尽管图5a示出了其中形成每个像素PXL的光源单元LSU的发光二极管LD在第一电源VDD与第二电源VSS之间在相同的方向(例如，在正向方向上)上彼此并联连接的实施例，但是本公开不限于此。例如，在实施例中，发光二极管LD中的一些可以在第一电源VDD与第二电源VSS之间在第一方向(例如，正向方向)上彼此连接，并且其他发光二极管LD可以在第二方向(例如，反向方向)上彼此连接。可选地，在实施例中，至少一个像素PXL可以仅包括单个发光二极管LD。
在实施例中，形成每个光源单元LSU的发光二极管LD的第一端可以通过光源单元LSU的第一电极共同地连接到对应的像素电路PXC，并且可以通过像素电路PXC和第一电力线PL1连接到第一电源VDD。发光二极管LD的第二端可以通过第二电力线PL2和光源单元LSU的第二电极共同地连接到第二电源VSS。
每个光源单元LSU可以发射具有与通过对应的像素电路PXC供应到其的驱动电流对应的亮度的光。由此，可以在显示区域DA中显示预定图像。
像素电路PXC可以连接到对应的像素PXL的扫描线Si和数据线Dj。例如，如果像素PXL设置在显示区域DA的第i行(其中，“i”是自然数)和第j列(其中，“j”是自然数)上，则像素PXL的像素电路PXC可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。像素电路PXC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。
第一晶体管(驱动晶体管)T1连接在第一电源VDD与光源单元LSU的第一电极之间。第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制将供应到光源单元LSU的驱动电流。
第二晶体管(开关晶体管)T2可以连接在数据线Dj与第一节点N1之间。第二晶体管T2的栅电极连接到扫描线Si。
当通过扫描线Si提供栅极导通电压(例如，低电压)的扫描信号时，第二晶体管T2导通以将第一节点N1电连接到数据线Dj。在每个帧时段期间，对应的帧的数据信号供应到数据线Dj。数据信号经由第二晶体管T2传输到第一节点N1。由此，与数据信号对应的电压充入到存储电容器Cst。
存储电容器Cst的一个电极连接到第一电源VDD，并且存储电容器Cst的另一电极连接到第一节点N1。存储电容器Cst可以在每个帧时段期间充入与供应到第一节点N1的数据信号对应的电压，并且保持充入的电压直到供应后续帧的数据信号。
尽管在图5a中，包括在像素电路PXC中的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)已经被示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。换句话说，第一晶体管T1和第二晶体管T2中的任一个可以改变为N型晶体管。
例如，如图5b中所示，第一晶体管T1和第二晶体管T2都可以由N型晶体管形成。除了一些电路元件的连接位置已经根据晶体管类型的改变而改变的事实之外，图5b中示出的像素PXL的构造和操作与图5a的像素PXL的构造和操作基本上相似。因此，将省略图5b的像素PXL的详细的描述。
像素电路PXC的结构不限于图5a和图5b中示出的实施例。换句话说，像素电路PXC可以由可以具有各种结构和/或通过各种驱动方案操作的公知像素电路来形成。例如，像素电路PXC可以以与图5c中示出的实施例的方式相同的方式来构造。
参照图5c，像素电路PXC不仅可以连接到对应的水平行的扫描线Si，而且可以连接到至少一条另一扫描线(或控制线)。例如，设置在显示区域DA的第i行上的像素PXL的像素电路PXC还可以连接到第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。在实施例中，像素电路PXC不仅可以连接到第一电源VDD和第二电源VSS，而且可以连接到其他电源。例如，像素电路PXC也可以连接到初始化电源Vint。在实施例中，像素电路PXC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst。
第一晶体管T1连接在第一电源VDD与光源单元LSU的第一电极之间。第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制将供应到光源单元LSU的驱动电流。
第二晶体管T2连接在数据线Dj和第一晶体管T1的一个电极之间。第二晶体管T2的栅电极连接到对应的扫描线Si。当通过扫描线Si供应栅极导通电压的扫描信号时，第二晶体管T2可以导通以将数据线Dj电连接到第一晶体管T1的所述一个电极。因此，如果第二晶体管T2导通，通过数据线Dj供应的数据信号可以被传输到第一晶体管T1。
第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的另一电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极连接到对应的扫描线Si。当通过扫描线Si供应栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管T3可以导通以以二极管的形式将第一晶体管T1电连接。
第四晶体管T4可以连接在第一节点N1与初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极连接到前一扫描线，例如，第i-1扫描线Si-1。当栅极导通电压的扫描信号供应到第i-1扫描线Si-1时，第四晶体管T4可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以传输到第一节点N1。这里，初始化电源Vint的电压可以是数据信号的最小电压或更小。
第五晶体管T5连接在第一电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极连接到对应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。第五晶体管T5可以在栅极截止电压(例如，高电压)的发射控制信号供应到发射控制线Ei时截止，并且可以在其他情况下导通。
第六晶体管T6连接在第一晶体管T1与光源单元LSU的第一电极之间。第六晶体管T6的栅电极连接到对应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。第六晶体管T6可以在栅极截止电压的发射控制信号供应到发射控制线Ei时截止，并且可以在其他情况下导通。
第七晶体管T7连接在光源单元LSU的第一电极与初始化电源Vint之间。第七晶体管T7的栅电极连接到后一级的扫描线中的任一条，例如，连接到第i+1扫描线Si+1。当栅极导通电压的扫描信号供应到第i+1扫描线Si+1时，第七晶体管T7可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以供应到光源单元LSU的第一电极。
存储电容器Cst连接在第一电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可以存储与在每个帧时段期间施加到第一节点N1的数据信号以及与第一晶体管T1的阈值电压两者对应的电压。
尽管在图5c中，包括在像素电路PXC中的晶体管(例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7)已经被示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以改变为N型晶体管。
可以应用于本公开的像素PXL的结构不限于图5a至图5c中示出的实施例，并且每个像素PXL可具有各种公知的结构。例如，包括在每个像素PXL中的像素电路PXC可以由可以具有各种结构和/或通过各种驱动方案操作的公知的像素电路来形成。在本公开的实施例中，每个像素PXL可以构造在无源发光显示装置等中。在这种情况下，可以省略像素电路PXC，并且光源单元LSU的第一电极和第二电极中的每个可以直接连接到扫描线Si、数据线Dj、电力线和/或控制线。
在本公开的实施例中，每个像素PXL可以包括可以独立地发光的多个光源单元LSU。例如，每个像素PXL可以包括多个光源单元LSU，如图5d中所示。可选地，如图5e中所示，每个像素PXL可以包括多个子像素SPX，多个子像素SPX中的每个包括发光单元LSU，如图5e中所示。
参照图5d，每个像素PXL可以包括在像素电路PXC与第二电源VSS之间彼此并联连接的第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2。在实施例中，第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2可以形成对应的像素PXL的光源单元LSU。
此外，像素PXL还可以包括连接在像素电路PXC与第一光源单元LSU1之间的第一发射控制晶体管ET1以及连接在像素电路PXC与第二光源单元LSU2之间的第二发射控制晶体管ET2。在实施例中，第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2可以连接到各自不同的控制线并且被独立地驱动。例如，第一发射控制晶体管ET1可以连接到第i第一发射控制线E1i，并且第二发射控制晶体管ET2可以连接到第i第二发射控制线E2i。可选地，在实施例中，第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2可以被相继地或交替地驱动。在上面提及的实施例的情况下，第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2中的每个的发射时间和/或周期可以容易地由供应到第i第一发射控制线E1i和第i第二发射控制线E2i中的每条的发射控制信号来控制。
此外，在实施例中，设置在显示区域DA中的多个水平行可以共享一条第一发射控制线和/或一条第二发射控制线。在这种情况下，设置在多个水平行上的第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2的发射时间可以通过供应到第一发射控制线和第二发射控制线的各自的发射控制信号以批量方式来控制。
参照图5e，每个像素PXL可以包括第一子像素SPX1和第二子像素SPX2，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2连接到不同的数据线，例如，分别连接到第j数据线Dj和第j+1数据线Dj+1。例如，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2可以连续地设置在显示区域DA的任一条水平行上。
在实施例中，第一子像素SPX1可以包括连接到第i扫描线Si和第j数据线Dj的第一像素电路PXC1以及由第一像素电路PXC1驱动的第一光源单元LSU1。在实施例中，第二子像素SPX2可以包括连接到第i扫描线Si和第j+1数据线Dj+1的第二像素电路PXC2以及由第二像素电路PXC2驱动的第二光源单元LSU2。在实施例中，第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2可以形成对应的像素PXL的光源单元LSU。在上面提及的实施例的情况下，第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2中的每个的发射和/或亮度可以容易地由供应到第j数据线Dj和第j+1数据线Dj+1的数据信号中的对应的一个数据信号来控制。
尽管图5e已经示出了其中第一子像素SPX1和第二子像素SPX2由同一扫描线(例如，第i扫描线Si)同时驱动的实施例，但是本公开不限于此。例如，在本公开的实施例中，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2可以连接到各自不同的扫描线。在这种情况下，第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2中的每个的操作等可以容易地由供应到每条对应的扫描线的扫描信号来控制。
图6和图7各自是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素PXL的不同示例)的平面图。图6示出了其中每个发光器件(或每个像素PXL的与每个发光器件对应的光源单元LSU)包括诸如第一电力线PL1和第二电力线PL2(或扫描线Si和数据线Dj)的第一控制线CL1和第二控制线CL2或者直接连接到第一电力线PL1和第二电力线PL2的实施例。图7示出了其中每个发光器件(或每个像素PXL的与每个发光器件对应的光源单元LSU)通过第一接触孔CH1和第二接触孔CH2连接到至少一个电路元件(例如，图5a至图5c的像素电路PXC)、连接线、第一电力线PL1、第二电力线PL2、扫描线Si和/或数据线Dj的实施例。在实施例中，图6和图7中示出的每个像素PXL可以是图4至图5e中的每个中示出的像素PXL。设置在显示区域DA中的像素PXL可以具有基本上相同或相似的结构。图6和图7示出了每个像素PXL的集中于光源单元LSU的结构。
参照图6和图7，根据本公开的实施例的像素PXL可以包括多个发射区域EMA，多个发射区域EMA包括第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2的每个包括至少一个发光二极管LD。在实施例中，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2中的每个可以包括至少一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。对于发射区域EMA，至少一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有不同的结构。
在实施例中，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2可以彼此相邻地设置在其中形成有像素PXL的每个像素区域中。例如，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2可以在每个像素区域中在第一方向DR1上(例如，在水平方向上)连续地(或交替地)设置。
第一发射区域EMA1可以包括至少一个第一发光二极管LD1。例如，第一发射区域EMA1可以包括多个第一发光二极管LD1，多个第一发光二极管LD1在彼此对应的一对第一电极ELT1与第二电极ELT2(例如，第11电极ELT11与第21电极ELT21)之间彼此并联连接。此外，第一发射区域EMA1可以包括连接到第一发光二极管LD1的第一端EP1的至少一个第一电极ELT1(例如，第11电极ELT11)、连接到第一发光二极管LD1的第二端EP2的至少一个第二电极ELT2(例如，第21电极ELT21)、与每个第一电极ELT1叠置的至少一个第一分隔壁PW1(例如，第11分隔壁PW11)和第一接触电极CNE1(例如，第11接触电极CNE11)以及与每个第二电极ELT2叠置的至少一个第二分隔壁PW2(例如，第21分隔壁PW21)和第二接触电极CNE2(例如，第21接触电极CNE21)。
同样地，第二发射区域EMA2可以包括至少一个第二发光二极管LD2。例如，第二发射区域EMA2可以包括多个第二发光二极管LD2，多个第二发光二极管LD2在彼此对应的一对第一电极ELT1与第二电极ELT2(例如，第12电极ELT12与第22电极ELT22)之间彼此并联连接。此外，第二发射区域EMA2可以包括连接到第二发光二极管LD2的第一端EP1的至少一个第一电极ELT1(例如，第12电极ELT12)、连接到第二发光二极管LD2的第二端EP2的至少一个第二电极ELT2(例如，第21电极ELT21)、与每个第一电极ELT1叠置的至少一个第一分隔壁PW1(例如，第12分隔壁PW12)和第一接触电极CNE1(例如，第12接触电极CNE12)以及与每个第二电极ELT2叠置的至少一个第二分隔壁PW2(例如，第22分隔壁PW22)和第二接触电极CNE2(例如，第22接触电极CNE22)。
在实施例中，尽管图6和图7示出了一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、一对第一电极ELT1和第二电极ELT2以及一对第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2设置在第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2中的每个中，但是设置在第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2中的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一电极ELT1和第二电极ELT2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的数量不限于此。例如，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2中的至少一个可以各自包括至少两对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、第一电极ELT1和第二电极ELT2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
彼此对应的一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在每个发射区域EMA中设置成彼此面对。例如，第11分隔壁PW11和第21分隔壁PW21可以在第一发射区域EMA1中成对设置以彼此面对。同样地，第12分隔壁PW12和第22分隔壁PW22可以在第二发射区域EMA2中成对设置以彼此面对。
在实施例中，每对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在相对于第一方向DR1(例如，水平方向)彼此间隔开的位置处设置在每个发射区域EMA中。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2(例如，竖直方向)上延伸。例如，第11分隔壁PW11和第21分隔壁PW21可以在相对于第一方向DR1彼此间隔开的位置处设置在第一发射区域EMA1中，并且可以各自在第二方向DR2上延伸。同样地，第12分隔壁PW12和第22分隔壁PW22可以在相对于第一方向DR1彼此间隔开的位置处设置在第二发射区域EMA2中，并且可以各自在第二方向DR2上延伸。
在实施例中，第11分隔壁PW11可以设置在第11电极ELT11下，使得第11分隔壁PW11与第11电极ELT11的区域叠置。第21分隔壁PW21可以设置在第21电极ELT21下，使得第21分隔壁PW21与第21电极ELT21的区域叠置。同样地，第12分隔壁PW12可以设置在第12电极ELT12下，使得第12分隔壁PW12与第12电极ELT12的区域叠置。第22分隔壁PW22可以设置在第22电极ELT22下，使得第22分隔壁PW22与第22电极ELT22的区域叠置。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在彼此间隔开的位置处设置在每个发射区域EMA中，并且分别使第一电极ELT1和第二电极ELT2的区域向上突出。例如，第11电极ELT11可以设置在第11分隔壁PW11上，因此在高度方向上(例如，在与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面垂直的方向上)通过第11分隔壁PW11突出。第21电极ELT21可以设置在第21分隔壁PW21上，因此在高度方向上通过第21分隔壁PW21突出。同样地，第12电极ELT12可以设置在第12分隔壁PW12上，因此在高度方向上通过第12分隔壁PW12突出。第22电极ELT22可以设置在第22分隔壁PW22上，因此在高度方向上通过第22分隔壁PW22突出。
彼此对应的一对第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在每个发射区域EMA中设置成彼此面对。例如，第11电极ELT11和第21电极ELT21可以在第一发射区域EMA1中成对设置以彼此面对。同样地，第12电极ELT12和第22电极ELT22可以在第二发射区域EMA2中成对设置以彼此面对。
在实施例中，一对第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在彼此间隔开的位置处设置在每个发射区域EMA中，且至少一个发光二极管LD置于一对第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。例如，第11电极ELT11和第21电极ELT21可以在彼此间隔开的位置处设置在第一发射区域EMA1中，且至少一个第一发光二极管LD1置于第11电极ELT11与第21电极ELT21之间。例如，第11电极ELT11和第21电极ELT21可以在相对于第一方向DR1彼此间隔开预定距离的位置处设置在第一发射区域EMA1中，并且可以各自在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。同样地，第12电极ELT12和第22电极ELT22可以在彼此间隔开的位置处设置在第二发射区域EMA2中，且至少一个第二发光二极管LD2置于第12电极ELT12与第22电极ELT22之间。例如，第12电极ELT12和第22电极ELT22可以在相对于第一方向DR1彼此间隔开预定距离的位置处设置在第二发射区域EMA2中，并且可以各自在第二方向DR2上延伸。然而，本公开不限于此。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2的形状和/或相互设置关系可以以各种方式改变。
在实施例中，每个第一电极ELT1可以设置在对应的第一分隔壁PW1上以覆盖第一分隔壁PW1。每个第二电极ELT2可以设置在对应的第二分隔壁PW2上以覆盖第二分隔壁PW2。例如，每个第11电极ELT11可以设置在第11分隔壁PW11上以覆盖第11分隔壁PW11。每个第21电极ELT21可以设置在第21分隔壁PW21上以覆盖第21分隔壁PW21。同样地，每个第12电极ELT12可以设置在第12分隔壁PW12上以覆盖第12分隔壁PW12。每个第22电极ELT22可以设置在第22分隔壁PW22上以覆盖第22分隔壁PW22。因此，每个第一电极ELT1可以从与第一分隔壁PW1对应的区域向上突出。每个第二电极ELT2可以从与第二分隔壁PW2对应的区域向上突出。
在实施例中，每个第一电极ELT1可以电连接到至少一个发光二极管LD的第一端EP1。例如，第11电极ELT11可以电连接到至少一个第一发光二极管LD1的第一端EP1。第12电极ELT12可以电连接到至少一个第二发光二极管LD2的第一端EP1。
每个第一电极ELT1可以通过对应的像素PXL的第一连接电极CNL1连接到预定的电力线、控制线、电路元件等。例如，第11电极ELT11和第12电极ELT12经由第一连接电极CNL1彼此电连接，并且可以通过第一连接电极CNL1连接到预定的电力线、控制线、电路元件等。在实施例中，在第11电极ELT11、第12电极ELT12和第一连接电极CNL1彼此连接的情况下，它们可以被视为单个一体的第一电极ELT1。为了说明起见，在该实施例中，设置在第一发射区域EMA1中的第一电极ELT1将被称为“第11电极ELT11”，并且设置在第二发射区域EMA2中的第一电极ELT1将被称为“第12电极ELT12”。此外，第11电极ELT11和第12电极ELT12将统称为“第一电极ELT1”。将第11电极ELT11和第12电极ELT12连接的部分将称为“第一连接电极CNL1”。
在实施例中，第一电极ELT1和第一连接电极CNL1可以在对应的像素区域中在不同的方向上延伸。例如，当第一连接电极CNL1在第一方向DR1上延伸时，每个第一电极ELT1可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。
在实施例中，如图6中所示，第一电极ELT1可以通过第一连接电极CNL1一体地或非一体地连接到第一电力线PL1或预定的第一控制线CL1(例如，扫描线Si或数据线Dj)。在实施例中，如图7中所示，第一电极ELT1可以通过第一连接电极CNL1和第一接触孔CH1非一体地连接到预定的电路元件(例如，像素电路PXC的第一晶体管T1等)和/或第一电力线PL1。
在实施例中，第一电极ELT1可以与第一连接电极CNL1一体地连接。例如，第一电极ELT1可以形成为从第一连接电极CNL1分岔。在第一电极ELT1和第一连接电极CNL1一体地彼此连接的情况下，第一连接电极CNL1可以被视为第一电极ELT1的区域。然而，本公开不限于此。例如，在实施例中，第一电极ELT1和第一连接电极CNL1可以经由至少一个接触孔等彼此电连接。
在实施例中，第一电极ELT1和/或第一连接电极CNL1可以具有单层结构或多层结构。例如，第一电极ELT1和/或第一连接电极CNL1可以由单个反射导电层形成。可选地，第一电极ELT1和/或第一连接电极CNL1可以由包括至少一个反射导电层以及堆叠在反射导电层上和/或反射导电层下的至少一个透明导电层的多层形成。
在实施例中，至少一个导电覆盖层可以设置在第一电极ELT1和/或第一连接电极CNL1之上。在实施例中，导电覆盖层可以包括透明导电层，但是本公开不限于此。
在实施例中，每个第二电极ELT2可以电连接到至少一个发光二极管LD的第二端EP2。例如，第21电极ELT21可以电连接到至少一个第一发光二极管LD1的第二端EP2。第22电极ELT22可以电连接到至少一个第二发光二极管LD2的第二端EP2。
每个第二电极ELT2可以通过对应的像素PXL的第二连接电极CNL2连接到预定的电力线、控制线、电路元件等。例如，第21电极ELT21和第22电极ELT22经由第二连接电极CNL2彼此电连接，并且可以通过第二连接电极CNL2连接到预定的电力线、控制线、电路元件等。在实施例中，在第21电极ELT21、第22电极ELT22和第二连接电极CNL2彼此连接的情况下，它们可以被视为单个一体的第二电极ELT2。为了说明起见，在该实施例中，设置在第一发射区域EMA1中的第二电极ELT2将被称为“第21电极ELT21”，并且设置在第二发射区域EMA2中的第二电极ELT2将被称为“第22电极ELT22”。此外，第21电极ELT21和第22电极ELT22将统称为“第二电极ELT2”。将第21电极ELT21和第22电极ELT22连接的部分将称为“第二连接电极CNL2”。
在实施例中，第二电极ELT2和第二连接电极CNL2可以在对应的像素区域中在不同的方向上延伸。例如，当第二连接电极CNL2在第一方向DR1上延伸时，每个第二电极ELT2可以在第二方向DR2上延伸。
在实施例中，如图6中所示，第二电极ELT2可以通过第二连接电极CNL2一体地或非一体地连接到第二电力线PL2或预定的第二控制线CL2(例如，扫描线Si或数据线Dj)。在实施例中，如图7中所示，第二电极ELT2可以通过第二连接电极CNL2和第二接触孔CH2非一体地连接到预定的电路元件、连接线和/或第二电力线PL2。
在实施例中，第二电极ELT2可以与第二连接电极CNL2一体地连接。例如，第二电极ELT2可以形成为从第二连接电极CNL2分岔。在第二电极ELT2和第二连接电极CNL2彼此一体地连接的情况下，第二连接电极CNL2可以被视为第二电极ELT2的区域。然而，本公开不限于此。例如，在实施例中，第二电极ELT2和第二连接电极CNL2可以经由至少一个接触孔等彼此电连接。
在实施例中，第二电极ELT2和/或第二连接电极CNL2可以具有单层结构或多层结构。例如，第二电极ELT2和/或第二连接电极CNL2可以由单个反射导电层形成。可选地，第二电极ELT2和/或第二连接电极CNL2可以由包括至少一个反射导电层以及堆叠在反射导电层上和/或反射导电层下的至少一个透明导电层的多层形成。
在实施例中，至少一个导电覆盖层可以设置在第二电极ELT2和/或第二连接电极CNL2之上。在实施例中，导电覆盖层可以包括透明导电层，但是本公开不限于此。
在实施例中，至少一个发光二极管LD可以连接在每个第一电极ELT1与对应的第二电极ELT2之间。例如，至少一个第一发光二极管LD1(例如，多个第一发光二极管LD1)可以连接在第11电极ELT11与第21电极ELT21之间。同样地，至少一个第二发光二极管LD2(例如，多个第二发光二极管LD2)可以连接在第12电极ELT12与第22电极ELT22之间。
在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以分别直接连接到至少一个发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2，或者可以经由各自的至少一个接触电极分别电连接到发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2。例如，第11电极ELT11可以通过第11接触电极CNE11共同地连接到第一发光二极管LD1的第一端EP1。第21电极ELT21可以通过第21接触电极CNE21共同地连接到第一发光二极管LD1的第二端EP2。同样地，第12电极ELT12可以通过第12接触电极CNE12共同地连接到第二发光二极管LD2的第一端EP1。第22电极ELT22可以通过第22接触电极CNE22共同地连接到第二发光二极管LD2的第二端EP2。
在实施例中，每个发光二极管LD可以是棒型发光二极管并且可以在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间在第一方向DR1(例如，在水平方向上)上定向，棒型发光二极管设置在其中彼此对应的一对第一电极ELT1和第二电极ELT2设置成彼此面对的区域中。尽管图6和图7示出了发光二极管LD在任一方向上(例如，在第一方向DR1上)均匀地定向，但是本公开不限于此。例如，发光二极管LD中的至少一个可以在一对第一电极ELT1与第二电极ELT2之间在对角方向上定向。
在实施例中，发光二极管LD中的每个可以由发光二极管形成，发光二极管由具有无机晶体结构的材料制成并且具有超小型尺寸，例如，从纳米级到微米级的范围。例如，每个发光二极管LD可以是具有从纳米级到微米级的范围的直径D和/或长度L的超小型棒型发光二极管，如图1a至图3b中所示。然而，发光二极管LD的尺寸可以根据包括发光器件(例如，形成发光器件的光源单元LSU)的每个像素PXL的设计条件等以各种方式改变。
在实施例中，发光二极管LD的第一端EP1可以经由对应的第一接触电极CNE1电连接到对应的第一电极ELT1。发光二极管LD的第二端EP2可以经由对应的第二接触电极CNE2电连接到对应的第二电极ELT2。例如，第一发光二极管LD1的第一端EP1可以经由第11接触电极CNE11电连接到第11电极ELT11。第一发光二极管LD1的第二端EP2可以经由第21接触电极CNE21电连接到第21电极ELT21。同样地，第二发光二极管LD2的第一端EP1可以经由第12接触电极CNE12电连接到第12电极ELT12。第二发光二极管LD2的第二端EP2可以经由第22接触电极CNE22电连接到第22电极ELT22。在实施例中，每个发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2中的至少一端可以与对应的第一电极ELT1和/或第二电极ELT2直接接触，并且电连接到第一电极ELT1和/或第二电极ELT2。
在实施例中，发光二极管LD可以在预定的溶液中以扩散的形式制备，然后通过喷墨印刷方案等供应到限定在发光器件中的预定的发射区域(例如，每个像素PXL的第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2)。例如，发光二极管LD可以与挥发性溶剂混合并且供应到每个发射区域。这里，如果第一电源VDD和第二电源VSS通过第一电力线PL1和第二电力线PL2分别施加到第一电极ELT1和第二电极ELT2，则在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间形成电场，由此发光二极管LD在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间对准。在发光二极管LD已经对准之后，可以通过挥发方案或其他方案去除溶剂。以这种方式，发光二极管LD可以可靠地布置在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。此外，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以分别形成在发光二极管LD的相对端(即，第一端EP1和第二端EP2)上。因此，发光二极管LD可以更可靠地连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。
在实施例中，每个第一接触电极CNE1可以形成为覆盖发光二极管LD的第一端EP1和对应的第一电极ELT1的至少一部分两者，由此发光二极管LD的第一端EP1可以物理地连接到和/或电连接到第一电极ELT1。例如，第11接触电极CNE11可以形成为覆盖第一发光二极管LD1的第一端EP1和第11电极ELT11的至少一部分两者，由此第一发光二极管LD1的第一端EP1可以物理地连接到和/或电连接到第11电极ELT11。同样地，第12接触电极CNE12可以形成为覆盖第二发光二极管LD2的第一端EP1和第12电极ELT12的至少一部分两者，由此第二发光二极管LD2的第一端EP1可以物理地连接到和/或电连接到第12电极ELT12。
在实施例中，每个第二接触电极CNE2可以形成为覆盖发光二极管LD的第二端EP2和对应的第二电极ELT2的至少一部分两者，由此发光二极管LD的第二端EP2可以物理地连接到和/或电连接到第二电极ELT2。例如，第21接触电极CNE21可以形成为覆盖第一发光二极管LD1的第二端EP2和第21电极ELT21的至少一部分两者，由此第一发光二极管LD1的第二端EP2可以物理地连接到和/或电连接到第21电极ELT21。同样地，第22接触电极CNE22可以形成为覆盖第二发光二极管LD2的第二端EP2和第22电极ELT22的至少一部分两者，由此第二发光二极管LD2的第二端EP2可以物理地连接到和/或电连接到第22电极ELT22。
当第一电源VDD(或者，诸如扫描信号或数据信号的预定的第一控制信号)经由第一电力线PL1和第一电极ELT1施加到发光二极管LD的第一端EP1并且第二电源VSS(或者诸如扫描信号或数据信号的预定的第二控制信号)经由第二电力线PL2和第二电极ELT2施加到发光二极管LD的第二端EP2时，在正向方向上连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的至少一个发光二极管LD可以发光。由此，像素PXL可以发光。
在本公开的实施例中，对于每个发射区域EMA，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有不同的结构。例如，设置在第一发射区域EMA1中的一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2(即，第11分隔壁PW11和第21分隔壁PW21)可以具有与设置在第二发射区域EMA2中的一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2(即，第12分隔壁PW12和第22分隔壁PW22)的结构不同的结构。在本公开的实施例的描述中，词语“第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的结构”不仅可以统一指第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的形状、构造和/或尺寸，而且可以统一指为第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的相互设置关系，例如，第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离。
例如，对于每个发射区域EMA，彼此对应的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以设置在彼此间隔开不同距离的位置处。例如，在第一发射区域EMA1中，第11分隔壁PW11和第21分隔壁PW21可以设置在彼此间隔开第一距离d1的位置处。在第二发射区域EMA2中，第12分隔壁PW12和第21分隔壁PW21可以设置在彼此间隔开比第一距离d1大的第二距离d2的位置处。在本公开的实施例的描述中，术语“第一距离d1”和“第二距离d2”可以用于描述每个实施例中的距离或间距的相对尺寸，并且可以不说明具体的数值范围等。例如，在该实施例和稍后将描述的其他实施例中定义的第一距离d1可以具有相同的值或不同的值。同样地，在该实施例和下面将要描述的其他实施例中定义的第二距离d2可以具有相同的值或不同的值。换句话说，术语“第一距离d1”和“第二距离d2”可以是用于限定每个实施例中的具体的组件之间的相对距离或间距的术语。
根据前述实施例，从第一发射区域EMA1发射的光和从第二发射区域EMA2发射的光的状态可以多样化。包括第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2的发光器件以及包括发光器件的像素PXL的视角范围可以扩大。下面将更详细地在此描述根据本公开实施例的视角扩大效果。
图8a是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出沿着图7的线I-I'截取的剖面的示例)的剖视图。图8b是示出图8a的区域EA1的放大的剖视图。在实施例中，图8a和图8b示出了发光器件的以设置在第一发射区域EMA1中的任一第一发光二极管LD1为中心的剖面。在实施例中，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2可以具有相似的剖面。例如，除了第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2在第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离方面彼此不同的事实之外，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2可以具有基本上相同的剖面结构。因此，为了说明起见，参照图8a和图8b，将通过第一发射区域EMA1的对应于图7的线I-I'的剖面来整体地描述每个像素PXL的剖面结构。
一起参照图8a和图8b以及图1至图7，像素电路层PCL和显示元件层DPL可以在基底SUB上连续地放置在显示区域DA中。例如，像素电路层PCL可以形成在基底SUB的表面上，并且显示元件层DPL可以形成在基底SUB的其上已经形成有像素电路层PCL的表面之上。
在实施例中，像素电路层PCL可以包括像素PXL的各自的像素电路PXC和/或连接到像素电路PXC的线。显示元件层DPL可以包括像素PXL的各自的光源单元LSU。例如，像素电路层PCL可以包括形成每个像素PXL的像素电路PXC的多个电路元件，例如，图5a和图5b中示出的第一晶体管T1和第二晶体管T2。尽管图8a中未示出，但是像素电路层PCL还可以包括设置在每个像素区域中的存储电容器Cst、连接到每个像素电路PXC的各种信号线(例如，图5a和图5b中示出的扫描线Si和数据线Dj)以及连接到像素电路PXC和/或发光二极管LD的各种电力线(例如，第一电力线PL1和第二电力线PL2)。
在实施例中，设置在每个像素电路PXC中的多个晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)可以具有基本上相同或相似的剖面结构。然而，本公开不限于此。在实施例中，多个晶体管中的至少一些可以具有不同的类型和/或结构。
另外，像素电路层PCL可以包括多个绝缘层。例如，像素电路层PCL可以包括连续堆叠在基底SUB的一个表面上的缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和钝化层PSV。
在实施例中，缓冲层BFL可以防止杂质扩散到每个电路元件中。缓冲层BFL可以由单层形成，或者可以由具有至少两层的多层形成。在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，各个层可以由相同的材料或不同的材料形成。在实施例中，可以省略缓冲层BFL。
在实施例中，第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个可以包括半导体层SCL、栅电极GE、第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2。尽管图8a示出了其中第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个包括与半导体层SCL分离地形成的第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2的实施例，但是本公开不限于此。例如，在实施例中，设置在设置于每个像素区域中的至少一个晶体管中的第一晶体管电极ET1和/或第二晶体管电极ET2可以与对应的半导体层SCL一体地形成。
半导体层SCL可以设置在缓冲层BFL上。例如，半导体层SCL可以设置在栅极绝缘层GI与其上形成有缓冲层BFL的基底SUB之间。半导体层SCL可以包括与第一晶体管电极ET1接触的第一区域、与第二晶体管电极ET2接触的第二区域以及设置在第一区域与第二区域之间的沟道区。在实施例中，第一区域和第二区域中的一个可以是源区，并且另一个可以是漏区。
在实施例中，半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。半导体层SCL的沟道区可以是作为无掺杂的半导体图案的本征半导体。半导体层SCL的第一区域和第二区域中的每个可以是掺杂有预定杂质的半导体图案。
栅电极GE可以设置在半导体层SCL上，且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与半导体层SCL之间。例如，栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI与层间绝缘层ILD之间，并且可以与半导体层SCL的至少一部分叠置。
第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以设置在半导体层SCL和栅电极GE之上，且至少一个层间绝缘层ILD置于第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2与半导体层SCL和栅电极GE之间。例如，第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以设置在层间绝缘层ILD与钝化层PSV之间。第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以电连接到半导体层SCL。例如，第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2可以通过穿过栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的对应的接触孔分别连接到半导体层SCL的第一区域和第二区域。
在实施例中，设置在像素电路PXC中的至少一个晶体管(例如，图5a和图5b的第一晶体管T1)的第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2中的任一个可以通过穿过钝化层PSV的第一接触孔CH1电连接到光源单元LSU的设置在钝化层PSV上的第一电极ELT1。
在实施例中，连接到每个子像素SPX的至少一条信号线和/或电力线可以设置在与形成像素电路PXC的电路元件中的每个的一个电极的层相同的层上。例如，用于供应第二电源VSS的第二电力线PL2可以设置在与第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅电极GE的层相同的层上，并且可以通过设置在与第一晶体管电极ET1和第二晶体管电极ET2的层相同的层上的桥接图案BRP以及穿过钝化层PSV的至少一个第二接触孔CH2两者而电连接到光源单元LSU的设置在钝化层PSV上的第二电极ELT2。然而，第二电力线PL2的结构和/或位置等可以以各种方式改变。
在实施例中，显示元件层DPL可以包括在每个像素区域中设置在像素电路层PCL之上的多个发光二极管LD。例如，显示元件层DPL可以包括设置在每个像素PXL的第一发射区域EMA1中的至少一个第一发光二极管LD1以及设置在每个像素PXL的第二发射区域EMA2中的至少一个第二发光二极管LD2。此外，显示元件层DPL还可以包括设置在发光二极管LD周围的至少一个绝缘层和/或绝缘图案。
例如，显示元件层DPL可以包括设置在每个像素区域中的第一电极ELT1和第二电极ELT2、设置在彼此对应的第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的发光二极管LD以及分别设置在发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2上的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。另外，显示元件层DPL还可以包括例如至少一个导电层和/或至少一个绝缘层(或绝缘图案)。例如，显示元件层DPL还可以包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2以及第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4中的至少一个。
在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以设置在像素电路层PCL上。例如，至少一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以设置在每个像素区域的发射区域EMA中。
在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以包括具有无机材料或有机材料的绝缘材料。此外，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有单层结构或多层结构。换句话说，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的材料和/或堆叠结构可以以各种方式改变而不受特别地限制。
在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有各种形状。例如，如图8a中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有其宽度向上逐渐减小的半圆形或半椭圆形剖面。在这种情况下，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以在至少一侧上具有弯曲表面。然而，本公开不限于此。例如，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有其宽度向上逐渐减小的梯形剖面。在这种情况下，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以在至少一侧上具有倾斜表面。换句话说，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的形状可以以各种方式改变而不受特别地限制。
在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2以及第一连接电极CNL1和第二连接电极CNL2可以设置在设置有第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的每个像素区域中。
在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在其上已经形成有像素电路层PCL和/或第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的基底SUB上设置在彼此间隔开预定距离的位置处。第一连接电极CNL1和第二连接电极CNL2可以分别与第一电极ELT1和第二电极ELT2一体地连接。
在实施例中，第一电极ELT1可以设置在各自的第一分隔壁PW1上，并且第二电极ELT2可以设置在各自的第二分隔壁PW2上。在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的任一个可以是阳极电极，并且另一个可以是阴极电极。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以具有分别与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状对应的形状。例如，每个第一电极ELT1可以通过对应的第一分隔壁PW1在基底SUB的高度方向上突出，并且具有与第一分隔壁PW1的剖面对应的弯曲或倾斜表面。例如，每个第一电极ELT1可以通过设置在第一电极ELT1下的第一分隔壁PW1在基底SUB的高度方向上突出，并且具有面对相邻的发光二极管LD的第一端EP1的弯曲或倾斜表面。同样地，每个第二电极ELT2可以通过对应的第二分隔壁PW2在基底SUB的高度方向上突出，并且具有与第二分隔壁PW2的剖面对应的弯曲或倾斜表面。例如，每个第二电极ELT2可以通过设置在第二电极ELT2下的第二分隔壁PW2在基底SUB的高度方向上突出，并且具有面对相邻的发光二极管LD的第二端EP2的弯曲或倾斜表面。
在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个可以包括至少一种导电材料。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个可以包括金属(诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ti或其合金)、导电氧化物(诸如ITO、IZO、ZnO或ITZO)以及诸如PEDOT的导电聚合物中的至少一种；然而，其不限于此。
在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个可以具有单层或多层结构。例如，如图8b中所示，每个第一电极ELT1可以包括至少一个反射电极层CTL2，并且还可以包括设置在反射电极层CTL2下的第一透明电极层CTL1和/或设置在反射电极层CTL2上的第二透明电极层CTL3。
在实施例中，反射电极层CTL2可以由具有预定反射率的导电材料形成。例如，反射电极层CTL2可以包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其合金的金属中的至少一种；然而，本公开不限于此。换句话说，反射电极层CTL2可以由各种反射导电材料形成。在实施例中，第一透明电极层CTL1和第二透明电极层CTL3可以由各种透明电极材料形成。例如，第一透明电极层CTL1和第二透明电极层CTL3可以包括ITO、IZO或ITZO；然而，本公开不限于此。
同样地，每个第二电极ELT2可以包括至少一个反射电极层，并且还可以包括设置在反射电极层下和/或反射电极层上的至少一个透明层。在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以具有基本上相同的剖面结构，但是本公开不限于此。换句话说，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以具有相同或不同的单层或多层结构。
在实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个可以具有三层结构，所述三层结构具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。连接到第一电极ELT1的第一连接电极CNL1和连接到第二电极ELT2的第二连接电极CNL2中的每个可以以与第一电极ELT1和第二电极ELT2的方式相同的方式具有多层结构。如此，如果第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个和/或第一连接电极CNL1和第二连接电极CNL2中的每个具有拥有至少两层的多层结构，则可以使由于信号延迟导致的电压降最小化。
此外，如果第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个包括至少一个反射电极层(例如，CTL2)，则从每个发光二极管LD的相对端(即，发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2)发射的光可以在图像显示所沿的方向上(例如，在显示面板PNL的正面方向上)传播。特别地，如果第一电极ELT1和第二电极ELT2分别具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状对应的弯曲或倾斜表面并且分别设置为面对发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2，则从每个发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2发射的光可以被第一电极ELT1和第二电极ELT2反射，因此进一步可靠地在显示面板PNL的正面方向上(例如，在基底SUB的向上方向上)传播。从而可以增强从发光二极管LD发射的光的效率。
在本公开的实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个也可以用作反射构件。例如，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2与设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上的第一电极ELT1和第二电极ELT2一起可以用作用于增强从每个发光二极管LD发射的光的效率的反射构件。
在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有相同的高度，使得第一电极ELT1和第二电极ELT2可以具有相同的高度。如此，如果第一电极ELT1和第二电极ELT2具有相同的高度，则发光二极管LD可以更可靠地连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。然而，本公开不限于此。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2的形状、结构、高度和/或相互设置关系可以以各种方式改变。
至少一个导电覆盖层可以选择性地设置在第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个上。例如，第一导电覆盖层CPL1可以形成在每个第一电极ELT1上以覆盖第一电极ELT1。第二导电覆盖层CPL2可以形成在每个第二电极ELT2上以覆盖第二电极ELT2。
第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2中的每个可以由诸如ITO或IZO的透明导电材料形成，以使从发光二极管LD发射的光的损失最小化。然而，本公开不限于此。例如，第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2的材料可以以各种方式改变。
第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2可以防止第一电极ELT1和第二电极ELT2由于在制造显示面板PNL的工艺期间可能发生的故障等而损坏。此外，第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2可以增强设置有像素电路层PCL等的基底SUB与第一电极ELT1和第二电极ELT2之间的粘合力。在实施例中，可以省略第一导电覆盖层CPL1和第二导电覆盖层CPL2中的至少一个。
在实施例中，第一绝缘层INS1可以设置在其中设置有至少一对第一电极ELT1和第二电极ELT2的每个发射区域EMA中。在实施例中，第一绝缘层INS1可以设置在像素电路层PCL与发光二极管LD之间。第一绝缘层INS1可以起到稳定地支撑发光二极管LD并防止发光二极管LD从其正确位置移位的作用。在实施例中，第一绝缘层INS1可以以独立图案形成在每个发射区域EMA中；然而，本公开不限于此。
在实施例中，至少一个发光二极管LD可以在其中设置有第一绝缘层INS1的每个发射区域EMA中设置并对准。例如，多个发光二极管LD可以在每个发射区域EMA中设置并对准。
在实施例中，当预定电压施加到第一电极ELT1和第二电极ELT2时，发光二极管LD可以通过在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间形成的电场而自对准。从而发光二极管LD可以设置在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。
每个发光二极管LD的形状和/或结构不限于图8a等中示出的实施例。例如，每个发光二极管LD可以具有各种公知的形状、剖面结构和/或连接结构。
在实施例中，覆盖发光二极管LD的各自的上表面的部分的第二绝缘层INS2可以设置在设置有发光二极管LD的每个发射区域EMA中。在实施例中，第二绝缘层INS2可以选择性地仅设置在发光二极管LD的上部上，而不覆盖发光二极管LD的至少相对端，即，第一端EP1和第二端EP2。第二绝缘层INS2可以在每个发射区域EMA中以独立图案形成；然而，本公开不限于此。
在实施例中，第一接触电极CNE1可以设置在设置有第二绝缘层INS2的每个发射区域EMA中。在实施例中，第一接触电极CNE1可以设置在设置于对应的发射区域EMA中的第一电极ELT1上，使得第一接触电极CNE1与第一电极ELT1的一部分接触。此外，第一接触电极CNE1可以设置在设置于对应的发射区域EMA中的至少一个发光二极管LD的第一端EP1上，使得第一接触电极CNE1与第一端EP1接触。由于第一接触电极CNE1，设置在每个发射区域EMA中的至少一个发光二极管LD的第一端EP1可以电连接到设置在对应的发射区域EMA中的第一电极ELT1。
在实施例中，第三绝缘层INS3可以设置在设置有第一接触电极CNE1的每个发射区域EMA中。在实施例中，第三绝缘层INS3可以形成为覆盖设置在对应的发射区域EMA中的第二绝缘层INS2和第一接触电极CNE1。
在实施例中，第二接触电极CNE2可以设置在设置有第三绝缘层INS3的每个发射区域EMA中。在实施例中，第二接触电极CNE2可以设置在设置于对应的发射区域EMA中的第二电极ELT2上，使得第二接触电极CNE2与第二电极ELT2的一部分接触。此外，第二接触电极CNE2可以设置在设置于对应的发射区域EMA中的至少一个发光二极管LD的第二端EP2上，使得第二接触电极CNE2与第二端EP2接触。由于第二接触电极CNE2，设置在每个发射区域EMA中的至少一个发光二极管LD的第二端EP2可以电连接到设置在对应的发射区域EMA中的第二电极ELT2。
在实施例中，第四绝缘层INS4可以设置在设置有第二接触电极CNE2的每个发射区域EMA中。在实施例中，第四绝缘层INS4可以形成为覆盖设置在对应的发射区域EMA中的第一电极ELT1和第二电极ELT2、发光二极管LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
在实施例中，第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4中的每个可以具有单层或多层结构，并且可以包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4中的每个可以包括包含SiNx的各种公知的有机/无机绝缘材料，但是第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4中的每个的材料不受特别地限制。第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4可以分别包括不同的绝缘材料，或者第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4中的至少一些可以包括相同的绝缘材料。
在实施例中，外涂层OC可以设置在其上已经设置有第一电极ELT1和第二电极ELT2、发光二极管LD、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4的基底SUB上。例如，外涂层OC可以形成在整个显示区域DA中，以覆盖基底SUB的其上已经设置有第一电极ELT1和第二电极ELT2、发光二极管LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的上表面。在实施例中，外涂层OC不仅可以包括用于保护显示元件层DPL的组件的至少一个无机层和/或有机层，而且还可以包括各种功能层等。
图9是示出根据发光二极管LD与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2之间的距离的视角变化的剖面图。在下文中，将参照图9与图6至图8b一起描述根据本公开的实施例的改善(扩大)发光器件和包括发光器件的像素PXL的视角的方法。为了阐明光的传播方向和发光二极管LD与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2之间的距离变化之间的关系，在图9中没有反映折射效应等。
参照图6至图9，随着每个第一分隔壁PW1与发光二极管LD的第一端EP1之间的距离减小，从第一端EP1发射的光传播的方向向上定向。例如，当基于从发光二极管LD的第一端EP1发射的光线到达第11分隔壁PW11上的第11电极ELT11所处的预定点，第11电极ELT11与面对第11电极ELT11的第一端EP1之间的距离近似为a1并且第11电极ELT11与面对第11电极ELT11的第一端EP1之间的高度差近似为b1时，对应光线的视角θ1是与近似arctan(a1/b1)对应的值。例如，当基于从发光二极管LD的第一端EP1发射的光线到达第12分隔壁PW12上的第12电极ELT12所处的预定点，第12电极ELT12与面对第12电极ELT12的第一端EP1之间的距离近似为a2并且第12电极ELT12与面对第12电极ELT12的第一端EP1之间的高度差近似为b2时，对应的光线的视角θ2是与近似arctan(a2/b2)对应的值。
换句话说，根据发光二极管LD的第一端EP1与面对第一端EP1的第一分隔壁PW1之间的距离，从第一端EP1发射的光的视角的范围可以改变。同样地，根据发光二极管LD的第二端EP2与面对第二端EP2的第二分隔壁PW2之间的距离，从第二端EP2发射的光的视角的范围可以改变。
如果每个像素PXL的发射区域EMA以与图6和图7中示出的实施例的方式相同的方式划分为多个发射区域(例如，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2)并且第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2对于每个发射区域EMA设置在彼此间隔开不同距离的位置处，则从第一发射区域EMA1发射的光的轮廓和从第二发射区域EMA2发射的光的轮廓可以具有不同的状态。
例如，在第一发射区域EMA1中，第11分隔壁PW11和第21分隔壁PW21可以设置在彼此相距第一距离d1(与通过将2μm加到第一发光二极管LD1的长度而获得的值对应)处，使得第一发光二极管LD1的第一端EP1与第11分隔壁PW11之间的距离以及第一发光二极管LD1的第二端EP2与第21分隔壁PW21之间的距离可以均为1μm。此外，在第二发射区域EMA2中，第12分隔壁PW12和第22分隔壁PW22可以设置在彼此相距第二距离d2(与通过将4μm加到第二发光二极管LD2的长度而获得的值对应)处，使得第二发光二极管LD2的第一端EP1与第12分隔壁PW12之间的距离以及第二发光二极管LD2的第二端EP2与第22分隔壁PW22之间的距离可以均为2μm。在这种情况下，从第一发光二极管LD1(特别地，从第一发光二极管LD1的相对端)发射的光可以在比较接近显示面板PNL的正面方向(例如，作为高度方向的第三方向DR3)的视角范围内发射，并且从第二发光二极管LD2(特别地，从第二发光二极管LD2的相对端)发射的光可以在比较接近显示面板PNL的横向方向的视角内发射。
因此，根据前述实施例，从每个发光器件和包括发光器件的像素PXL发射的光可以在相对宽的视角范围内分散和发射。另外，可以通过调整每个发光二极管LD与邻近发光二极管LD的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2之间的距离或者每对第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离来控制从每个发射区域EMA发射的光的轮廓以与期望的视角范围对应。
图10是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素PXL的示例)的平面图。在图10的实施例中，同样的附图标记用于表示与图6至图9的实施例的组件相同或相似的组件，并且将省略其详细的描述。
参照图10，可以针对每个发射区域EMA单独地形成第一电极ELT1。例如，第一发射区域EMA1的第11电极ELT11和连接到第11电极ELT11的第11连接电极CNL11可以与第二发射区域EMA2的第12电极ELT12和连接到第12电极ELT12的第12连接电极CNL12分开。在这种情况下，对于每个发射区域EMA，可以单独地驱动对应的第一电极ELT1。因此，每个发射区域EMA可以形成可以被单独地和/或独立地控制的光源单元LSU。
在实施例中，每个像素PXL可以包括可以通过第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2单独地控制发射的第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2，如图5d中所示。在实施例中，第11电极ELT11和第11连接电极CNL11可以通过第11接触孔CH11电连接到第一发射控制晶体管ET1。在这种情况下，第一发射区域EMA1可以形成第一光源单元LSU1。同样地，第12电极ELT12和第12连接电极CNL12可以通过第12接触孔CH12电连接到第二发射控制晶体管ET2。在这种情况下，第二发射区域EMA2可以形成第二光源单元LSU2。根据前述实施例，可以容易地控制第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2中的每个的发射，由此可以容易地调整从像素PXL发射的光的轮廓以与期望的视角范围对应。
在实施例中，每个像素PXL可以包括可以由第一像素电路PXC1和第二像素电路PXC2单独地驱动的第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2，如图5e中所示。在实施例中，第11电极ELT11和第11连接电极CNL11可以通过第11接触孔CH11电连接到第一像素电路PXC1。在这种情况下，第一发射区域EMA1可以形成第一子像素SPX1的第一光源单元LSU1。同样地，第12电极ELT12和第12连接电极CNL12可以通过第12接触孔CH12电连接到第二像素电路PXC2。在这种情况下，第二发射区域EMA2可以形成第二子像素SPX2的第二光源单元LSU2。根据前述实施例，可以容易地控制第一光源单元LSU1和第二光源单元LSU2中的每个的发射和/或亮度，由此可以更精确地调整从像素PXL发射的光的轮廓以与期望的视角范围对应。
图11是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素PXL的示例)的平面图。在图11的实施例中，同样的附图标记用于表示与图6至图9的实施例的组件相同或相似的组件，并且将省略其详细的描述。
参照图11，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2可以共享至少一个电极和/或分隔壁。例如，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2可以包括其中第一发射区域EMA1与第二发射区域EMA2彼此叠置的交叉区域。第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2可以共享设置在交叉区域中的第二分隔壁(或也称为“第二公共分隔壁”)PW2以及设置在第二分隔壁PW2之上的第二电极(或也称为“第二公共电极”)ELT2和第二接触电极(或也称为“第二公共接触电极”)CNE2。
在实施例中，第二分隔壁PW2可以与第一发射区域EMA1中的第11分隔壁PW11成对，并且可以与第二发射区域EMA2中的第12分隔壁PW12成对。同样地，第二电极ELT2可以与第一发射区域EMA1中的第11电极ELT11成对，并且可以与第二发射区域EMA2中的第12电极ELT12成对。
在前述实施例中，对于每个发射区域EMA，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2也可以彼此间隔开不同的距离。例如，第11分隔壁PW11和第二分隔壁PW2可以在第一发射区域EMA1中彼此间隔开第一距离d1，并且第12分隔壁PW12和第二分隔壁PW2可以在第二发射区域EMA2中彼此间隔开比第一距离d1大的第二距离d2。从而可以扩大从每个发光器件或包括发光器件的像素PXL发射的光的视角范围。
图12至图16各自是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素PXL的不同示例)的平面图。在图12至图16的实施例的描述中，同样的附图标记将用于表示与前述实施例的组件相似或相同的组件，并且将省略其详细的说明。
参照图12和图13，每个像素PXL可以包括多个发射区域EMA，例如，在第二方向DR2上连续地设置的第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2。在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以在第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2中一体地延伸。例如，每个第一分隔壁PW1可以在包括第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2的发射区域EMA中在第二方向DR2上延伸，而不在第一发射区域EMA1与第二发射区域EMA2之间的边界中断开。同样地，每个第二分隔壁PW2可以在包括第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2的发射区域EMA中在第二方向DR2上延伸，而不在第一发射区域EMA1与第二发射区域EMA2之间的边界中断开。
对于每个发射区域EMA，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以彼此间隔开不同的距离。例如，彼此对应的一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在第一发射区域EMA1中彼此间隔开第一距离d1，并且可以在第二发射区域EMA2中彼此间隔开比第一距离d1大的第二距离d2。
换句话说，在实施例中，对于每个发射区域(部分)EMA，相对于第二方向DR2，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以彼此间隔开不同的距离。为此，形成每对的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的至少一个可以在第一发射区域EMA1与第二发射区域EMA2之间的边界上具有弯曲部。例如，如图12中所示，每个第二分隔壁PW2可以在第一发射区域EMA1与第二发射区域EMA2之间的边界上弯曲至少一次。可选地，如图13中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2都可以在第一发射区域EMA1与第二发射区域EMA2之间的边界上弯曲至少一次。
在实施例中，具有弯曲部的至少一个分隔壁(例如，每个第二分隔壁PW2或第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个)可以具有在第一发射区域EMA1与第二发射区域EMA2之间的边界上以弯曲形状弯曲的结构。如此，如果具有弯曲部的至少一个分隔壁弯曲成具有弯曲(curved，或曲线形的、弧形的)角，则与其中至少一个分隔壁成角度地(例如，以直角)弯曲的对比示例的电场相比，可以防止电场在对准发光二极管LD的工艺期间仅聚焦在弯曲部上。因此，发光二极管LD可以更可靠地在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间对准。
在实施例中，彼此对应的一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在至少一个发射区域EMA中形成不对称结构。例如，如图12的实施例中所示，一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有不对称结构。在实施例中，如果一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的仅任一个(例如，第二分隔壁PW1)具有弯曲部，则至少一些发射区域EMA中的第一分隔壁PW1与每个发光二极管LD的第一端EP1之间的距离可以与第二分隔壁PW2和发光二极管LD的第二端EP2之间的距离不同。
在实施例中，彼此面对的一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在像素PXL的整个发射区域EMA中形成对称结构。例如，如图13的实施例中所示，一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2中的每个中具有对称结构。如此，在各种实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状、第一分隔壁PW1和/或第二分隔壁PW2之间的相互设置关系等可以以各种方式改变。
在图6至图11、图12和图13的实施例中，每个像素PXL的发射区域EMA沿着第一方向DR1或第二方向DR2划分，但是本公开不限于此。例如，在实施例中，每个像素PXL的发射区域EMA可以沿着彼此交叉的多个方向划分。
例如，如图14中所示，发射区域EMA可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2划分为第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2。在实施例中，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2可以交替地设置，但是本公开不限于此。
在实施例中，每个像素PXL的发射区域EMA可以沿着任一方向划分为三个或更多个部分或区域。例如，如图15和图16中所示，发射区域EMA可以沿着第二方向DR2划分为包括多个第一发射区域EMA1和置于多个第一发射区域EMA1之间的至少一个第二发射区域EMA2的三个或更多个部分或区域。这里，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2可以基于彼此对应的一对第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离来限定。例如，在两个第一发射区域EMA1中，每对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以设置在彼此间隔开相同的第一距离d1的位置处。然而，本公开不限于此，在每个像素PXL的发射区域EMA中，第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离可以变化以具有至少三个值。
例如，在实施例中，在图15和图16中示出的两个第一发射区域EMA1中，一对第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离可以设置为不同的值。在这种情况下，每个像素PXL的发射区域EMA不仅可以包括一个第一发射区域EMA1和一个第二发射区域EMA2，而且也可以包括第三发射区域(未示出)，在第三发射区域中，一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2设置在彼此间隔开与第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2中的一对第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2彼此间隔开的距离不同的距离的位置处。换句话说，在实施例中，在每个像素PXL的发射区域EMA中，一对第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离可以具有三个或更多个不同的值。
图17至图19各自是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素PXL的不同示例)的平面图。在图17至图19的实施例的描述中，同样的附图标记将用于表示与先前的实施例的组件相似或相同的组件，并且将省略其详细的说明。
参照图17至图19，设置在每个像素PXL的发射区域EMA中的第一电极ELT1和第二电极ELT2的数量可以彼此不同。此外，因此，设置在发射区域EMA中的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的数量也可以彼此不同。
例如，在每个发射区域EMA中，可以设置多个第一电极ELT1、多个第一分隔壁PW1、单个第二电极ELT2和单个第二分隔壁PW2。在这种情况下，多个第一电极ELT1可以在共享单个第二电极ELT2的同时成对。多个第一分隔壁PW1可以在共享单个第二分隔壁PW2的同时成对。
在前述实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的至少一个也可以具有至少一个弯曲部。因此，一对第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离可以针对发射区域EMA中的各自的分隔区域或部分而变化。换句话说，在图17至图19的实施例中，通过调整第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的形状和/或第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离，每个发射区域EMA可以划分为多个区域，例如，包括如在先前的实施例中描述的第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2。分割每个发射区域EMA的方案可以以各种方式改变。
图20是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素PXL的示例)的平面图。图21是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出与图20的线II-II'对应的分隔壁(例如，第二分隔壁PW2)的结构)的剖视图。为了阐明根据实施例的分隔壁的结构，图21仅示意性地示出了沿着图20的线II-II'截取的第二分隔壁PW2和第二电极ELT2的剖视图，并且将省略其他外围组件的图示。图22是示出根据第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的高度的视角变化的剖视图。在图20至图22的实施例的描述中，同样的附图标记将用于表示与先前的实施例的组件相似或相同的组件，并且将省略其详细的说明。
参照图20和图21，第二分隔壁PW2可以在第一发射区域EMA1与第二发射区域EMA2之间在高度上变化。例如，每个第二分隔壁PW2可以在第一发射区域EMA1中具有第一高度H1，并且可以在与第一发射区域EMA1相邻的第二发射区域EMA2中具有比第一高度H1小的第二高度H2。第二电极ELT2可以具有与第二分隔壁PW2的形状对应的形状。例如，第二电极ELT2可以具有与第二发射区域EMA2对应的凹部。
尽管图21仅示出了沿着图20的线II-II'截取的第二分隔壁PW2和第二电极ELT2的剖视图，但是在一些实施例中，第一分隔壁PW1和第二电极ELT1也可以具有与第二分隔壁PW2和第二电极ELT2的剖面结构基本上相同的剖面结构。例如，每个第一分隔壁PW1可以在第一发射区域EMA1中具有第一高度H1，并且可以在第二发射区域EMA2中具有比第一高度H1小的第二高度H2。第一电极ELT1可以具有与第一分隔壁PW1对应的形状。例如，第一电极ELT1可以具有与第二发射区域EMA2对应的凹部。
本公开不总是限于其中第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2具有相同的形状和/或高度的实施例。换句话说，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有基本上相同的形状和/或高度，或者可以具有不同的形状和/或高度。在本公开的实施例中，对于每个发射区域EMA，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的至少一个可以具有不同的高度。
尽管图20和图21示出了其中第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个对于每个发射区域EMA具有包括第一高度H1和第二高度H2的两种高度的实施例，但是本公开不限于此。例如，对于每个像素PXL的发射区域EMA中的每个部分或区域，第一分隔壁PW1和/或第二分隔壁PW2可以具有三种或更多种高度。
参照图22，根据第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的高度，可以改变从每个发光二极管LD(特别地，发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2中的每个)发射的光的传播路径。例如，随着第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的高度增大，从第一端EP1和第二端EP2发射的光在其内传播的视角范围相对于显示面板PNL的正面方向(例如，第三方向DR3)减小。
如前述实施例中所述，如果每个像素PXL的发射区域EMA划分为多个发射区域(例如，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2)并且第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2对于每个发射区域EMA具有不同的高度，则从第一发射区域EMA1发射的光的轮廓和从第二发射区域EMA2发射的光的轮廓可以具有不同的状态。因此，从每个发光器件和包括发光器件的像素PXL发射的光可以在相对宽的视角范围内分散和发射。此外，可以通过调整第一分隔壁PW1和/或第二分隔壁PW2的高度来控制从每个发射区域EMA发射的光的轮廓以与期望的视角范围对应。
图23是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出包括发光器件的像素PXL的示例)的平面图。图24是示出根据本公开的实施例的发光器件(例如，示出与图23的线III-III'对应的分隔壁(例如，第二分隔壁PW2)的结构)的剖视图。为了阐明根据实施例的分隔壁的结构，图24仅示意性地示出了沿着图23的线III-III'截取的第二分隔壁PW2和第二电极ELT2的剖视图。图25是示出根据是否存在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的视角变化的剖视图。在图23至图25的实施例中，同样的附图标记用于表示与图20至图22的实施例的组件相同或相似的组件，并且将省略其详细的描述。
参照图23和图24，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在每个像素PXL的发射区域EMA中具有不连续图案。例如，在第一发射区域EMA1中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以具有在预定方向上(例如，在第二方向DR2上)连续地延伸的图案，并且可以设置为面对对应的第一发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在第二发射区域EMA2中具有不连续图案，因此使至少一个第二发光二极管LD2的第一端EP1和第二端EP2暴露。
尽管在图23和图24的实施例中，所有第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2具有不连续图案，但是本公开不限于此。例如，在实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的仅一些可以具有不连续图案。
尽管在图23和图24的实施例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2在相同的部分中(例如，在相同的第二发射区域EMA2中)是不连续的(或间断的)图案，但是本公开不限于此。例如，在实施例中，可以在不同的部分或区域中去除第一分隔壁PW1和面对第一分隔壁PW1的第二分隔壁PW2以形成不连续图案。
参照图25，关于每个发光二极管LD，可以通过选择性地去除面对发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2来控制从发光二极管LD发射的光的传播路径。例如，在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2设置为面对发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2的情况下，视角可以相对于横向方向被限制。另一方面，在去除第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的在发光二极管LD的第一端EP1和第二端EP2周围的部分的情况下，从发光二极管LD发射的光的视角可以扩大到近似90°的范围。
图26示出了从根据本公开的实施例的发光器件发射的光的轮廓和从根据对比示例的发光器件发射的光的轮廓。例如，图26示意性地示出了将从根据上述实施例中的至少一个的发光器件发射的光的轮廓与从根据对比示例的发光器件发射的光的轮廓进行对比的结果，在对比示例中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个具有均匀的高度并且第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离是均匀的。
将参照图26与上述实施例一起来描述本公开的效果。在本公开的实施例中，每个发光器件或包括发光器件的每个像素PXL的发射区域EMA被划分为多个发射区域(例如，第一发射区域EMA1和第二发射区域EMA2)，并且第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的结构对于每个发射区域EMA区别地构造或设计。因此，可以扩大像素PXL(或与像素PXL对应的发光器件)和包括像素PXL的显示装置的视角范围。
详细地，可以单独地应用上述实施例中的每个，或者可以复杂地(或复合地)应用至少两个实施例。例如，根据上述实施例中的至少一个，第一分隔壁PW1与第二分隔壁PW2之间的距离以及第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的高度和形状中的至少一个可以区别地应用于每个发射区域EMA。因此，从设置在每个发光器件或每个像素PXL中的发光二极管LD(特别地，发光二极管LD的第一端EP1和第二端EPT2)发射的光可以在相对宽的视角范围(例如，最大±90°)内分散和发射。
虽然通过详细的示例实施例描述了本公开的范围，但是应当注意的是，上述实施例仅仅是描述性的，并且不应当被认为是限制性的。本领域技术人员应当理解的是，在不脱离由权利要求限定的本公开的范围的情况下，可以在这里进行各种改变、替换和替代。
本公开的范围不受本说明书的详细的描述的限制，并且应当由权利要求限定。此外，从权利要求的含义和范围导出的本公开的所有改变或修改及其等同物应被理解为包括在本公开的范围中。

Claims (20)

1.一种发光器件，所述发光器件包括：
第一发射区域，包括第一发光二极管；
第二发射区域，包括第二发光二极管；
至少一对第一分隔壁和第二分隔壁，在所述第一发射区域和所述第二发射区域中的每个发射区域中设置为彼此面对；
至少一个第一电极，设置在所述第一分隔壁上以覆盖所述第一分隔壁，并且电连接到所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的至少一个发光二极管的第一端；以及
至少一个第二电极，设置在所述第二分隔壁上以覆盖所述第二分隔壁，并且电连接到所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的至少一个发光二极管的第二端，
其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在所述第一发射区域中具有与所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在所述第二发射区域中的结构不同的结构。
2.根据权利要求1所述的发光器件，
其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在彼此间隔开第一距离的位置处设置在所述第一发射区域中，并且
其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在彼此间隔开比所述第一距离大的第二距离的位置处设置在所述第二发射区域中。
3.根据权利要求2所述的发光器件，
其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在所述第一发射区域和所述第二发射区域中的每个发射区域中在第一方向上彼此间隔开，并且
其中，所述第一分隔壁和所述第二分隔壁中的每个分隔壁在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一发射区域和所述第二发射区域在所述第一方向上连续地设置。
5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一发射区域和所述第二发射区域在所述第二方向上连续地设置。
6.根据权利要求5所述的发光器件，
其中，所述第一分隔壁和所述第二分隔壁中的每个分隔壁在所述第一发射区域和所述第二发射区域中一体地延伸，并且
其中，所述第一分隔壁和所述第二分隔壁中的至少一个分隔壁在所述第一发射区域与所述第二发射区域之间的边界上具有弯曲部。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述至少一个分隔壁具有在所述第一发射区域与所述第二发射区域之间的所述边界上以曲线形形状弯曲的结构。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在所述第一发射区域和所述第二发射区域中的每个发射区域中具有对称结构。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在所述第一发射区域和所述第二发射区域中的至少一个发射区域中具有不对称结构。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一分隔壁和所述第二分隔壁中的至少一个分隔壁在所述第一发射区域中具有第一高度，并且在所述第二发射区域中具有比所述第一高度小的第二高度。
11.根据权利要求1所述的发光器件，
其中，所述第一分隔壁和所述第二分隔壁中的每个分隔壁在所述第一发射区域中具有在预定方向上连续地延伸的图案，并且
其中，所述第一分隔壁和所述第二分隔壁中的每个分隔壁在所述第二发射区域中具有不连续图案。
12.根据权利要求11所述的发光器件，
其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在所述第一发射区域中设置成面对所述第一发光二极管的所述第一端和所述第二端，并且
其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在所述第二发射区域中使所述第二发光二极管的所述第一端和所述第二端暴露。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁包括：
第11分隔壁，设置在所述第一发射区域中；
第21分隔壁，设置在所述第一发射区域中以与所述第11分隔壁成对；
第12分隔壁，设置在所述第二发射区域中；以及
第22分隔壁，设置在所述第二发射区域中以与所述第12分隔壁成对。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述至少一个第一电极包括：
第11电极，设置在所述第11分隔壁上；以及
第12电极，设置在所述第12分隔壁上，并且连接到所述第11电极。
15.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述至少一个第一电极包括：
第11电极，设置在所述第11分隔壁上；以及
第12电极，设置在所述第12分隔壁上，并且与所述第11电极分开。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁包括：
第11分隔壁，设置在所述第一发射区域中；
第12分隔壁，设置在所述第二发射区域中；以及
第二公共分隔壁，设置在所述第一发射区域与所述第二发射区域之间的交叉区域中，并且形成为与所述第11分隔壁和所述第12分隔壁中的每个分隔壁成对。
17.根据权利要求1所述的发光器件，
其中，所述第一电极和所述第二电极中的每个电极包括至少一个反射电极层，并且
其中，所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的所述至少一个发光二极管的所述第一端设置为面对任一第一电极，并且所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的所述至少一个发光二极管的所述第二端设置为面对任一第二电极。
18.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示区域；以及
像素，设置在所述显示区域中，
其中，所述像素包括：
第一发射区域，包括第一发光二极管；
第二发射区域，包括第二发光二极管；
至少一对第一分隔壁和第二分隔壁，在所述第一发射区域和所述第二发射区域中的每个发射区域中设置为彼此面对；
至少一个第一电极，设置在所述第一分隔壁上以覆盖所述第一分隔壁，并且电连接到所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的至少一个发光二极管的第一端；以及
至少一个第二电极，设置在所述第二分隔壁上以覆盖所述第二分隔壁，并且电连接到所述第一发光二极管和所述第二发光二极管中的至少一个发光二极管的第二端，
其中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在所述第一发射区域中具有与所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁在所述第二发射区域中的结构不同的结构。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一发射区域中的所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁的高度或所述第一发射区域中的所述至少一对第一分隔壁与第二分隔壁之间的距离与所述第二发射区域中的所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁的高度或所述第二发射区域中的所述至少一对第一分隔壁与第二分隔壁之间的距离不同。
20.根据权利要求18所述的显示装置，
其中，在所述第一发射区域中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁具有在预定方向上连续地延伸的图案，并且设置为面对所述第一发光二极管的所述第一端和所述第二端，并且
其中，在所述第二发射区域中，所述至少一对第一分隔壁和第二分隔壁具有不连续图案，并且使所述第二发光二极管的所述第一端和所述第二端暴露。
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