CN113228289A - 显示装置及其修复方法 - Google Patents

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姜信喆
文秀美
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Abstract

根据本发明的实施例的显示装置包括：基体层，包括显示区域和非显示区域；以及多个像素，均具有包括设置在显示区域中且发射光的发光区域和设置在发光区域周围的外围区域的多个子像素，其中，子像素包括：至少一个第一电极和至少一个第二电极，在一个方向上延伸且彼此分隔开；以及多个发光元件，设置在第一电极与第二电极之间以发射光，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括彼此分隔开的至少两个第一电极图案，第一电极图案通过设置在发光区域中的至少一个第一连接图案连接。

Description

显示装置及其修复方法
技术领域
本公开的各种实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括超小型发光元件的显示装置以及修复该显示装置的方法。
背景技术
发光二极管即使在恶劣的环境条件下也可以具有相对令人满意的耐久性，并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。最近，对将这种发光二极管应用到各种显示装置的技术的研究已经变得相当地活跃。
作为这种研究的一部分，正在开发使用无机晶体结构(例如，通过生长氮化物类半导体获得的结构)来制造具有与微米级或纳米级对应的小尺寸的LED的技术。
发明内容
技术问题
本公开的各种实施例涉及一种能够将有缺陷的像素作为正常的像素操作的显示装置以及修复该显示装置的方法。
技术方案
根据本公开的实施例的显示装置可以包括：基体层，包括显示区域和非显示区域；以及多个像素，设置在显示区域中，并且均包括均包含被构造为发射光的发射区域和设置在发射区域周围的外围区域的多个子像素。子像素可以包括：至少一个第一电极和至少一个第二电极，在一个方向上延伸且彼此分隔开；以及多个发光元件，设置在第一电极与第二电极之间且被构造为发射光。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括彼此分隔开的至少两个第一电极图案，并且第一电极图案可以通过设置在发射区域中的至少一个第一连接图案结合。
在实施例中，第一电极可以设置在彼此相邻的两个第二电极之间。第一电极可以包括第一电极图案。
在实施例中，第二电极可以设置在彼此相邻的两个第一电极之间。第二电极可以包括第一电极图案。
在实施例中，第一连接图案可以与第一电极图案一体地形成。
在实施例中，显示装置可以包括：第一接触电极，沿着第一电极延伸，并且被构造为将第一电极与发光元件的相对端中的一端结合；以及第二接触电极，沿着第二电极延伸，并且被构造为将第二电极与发光元件的相对端的剩余端结合。第一接触电极和第二接触电极中的至少一个可以包括彼此分隔开的至少两个第二电极图案，并且第二电极图案可以通过至少一个第二连接图案结合。
在实施例中，第二连接图案可以与第一接触电极和第二接触电极中的一个一体地形成。
在实施例中，第二连接图案可以与第一接触电极一体地形成。第一电极可以设置在第二连接图案与发光元件之间。
在实施例中，第二连接图案可以与第二接触电极一体地形成。第二电极可以设置在第二连接图案与发光元件之间。
在实施例中，第一连接图案和第二连接图案的至少一部分可以彼此叠置。
在实施例中，第一连接图案和第二电极图案可以彼此分隔开。
在实施例中，第一连接图案的数量和第二连接图案的数量可以彼此不同。
根据本公开的实施例的显示装置可以包括：基体层，包括显示区域和非显示区域；以及多个像素，设置在显示区域中，并且均包括均包含被构造为发射光的发射区域和设置在发射区域周围的外围区域的多个子像素。子像素可以包括：至少一个第一电极和至少一个第二电极，在一个方向上延伸且彼此分隔开；多个发光元件，设置在第一电极与第二电极之间且被构造为发射光；第一接触电极，沿着第一电极延伸且被构造为将第一电极与发光元件的相对端中的一端结合；以及第二接触电极，沿着第二电极延伸，并且被构造为将第二电极与发光元件的相对端的剩余端结合。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括彼此分隔开的至少两个第一电极图案。第一接触电极和第二接触电极中的至少一个可以包括彼此分隔开的至少两个第二电极图案，并且第二电极图案可以通过设置在发射区域中的至少一个连接图案结合。
在实施例中，连接图案可以与第一接触电极一体地形成。第一电极可以设置在连接图案与发光元件之间。
在实施例中，连接图案可以与第二接触电极一体地形成。第二电极可以设置在连接图案与发光元件之间。
本公开的实施例可以提供一种修复显示装置的方法。显示装置可以包括：基体层，包括显示区域和非显示区域；以及多个像素，设置在显示区域中，并且均包括均包含被构造为发射光的发射区域和设置在发射区域周围的外围区域的多个子像素。像素可以包括：第一电极和第二电极，在一个方向上延伸且彼此分隔开；以及多个发光元件，设置在第一电极与第二电极之间且被构造为发射光。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括彼此分隔开的两个电极图案，并且电极图案通过设置在发射区域中的至少一个连接图案结合。该方法可以包括将与多个发光元件中的正常的发光元件结合的电极图案和与多个发光元件中的有缺陷的发光元件结合的电极图案分开。
在实施例中，将电极图案分开可以包括：当接触电极将电极图案与发光元件的相对端中的一端结合时，将结合到多个发光元件中的正常的发光元件的接触电极与结合到有缺陷的发光元件的接触电极分开。
在实施例中，该方法可以包括：当第一电极包括电极图案时，在被构造为将第一电极与发光元件的相对端中的一端结合的第一接触电极上形成第一切割线；以及在第一接触电极上形成与第一切割线分隔开的第二切割线。有缺陷的发光元件与第一接触电极之间的接合点可以设置在第一切割线与第二切割线之间。
在实施例中，可以在第一电极上形成第一切割线和第二切割线。
在实施例中，该方法可以包括：当第二电极包括电极图案时，在被构造为将第二电极与发光元件的相对端中的一端结合的第二接触电极上形成第一切割线；以及在第二接触电极上形成与第一切割线分隔开的第二切割线。有缺陷的发光元件与第二接触电极之间的接合点可以设置在第一切割线与第二切割线之间。
在实施例中，可以在第二电极上形成第一切割线和第二切割线。
有益效果
在根据本公开的显示装置和修复该显示装置的方法中，即使当有缺陷的发光元件存在于子像素中时，也可以容易地修复有缺陷的发光元件，并且可以使用其它发光元件正常地操作子像素。
附图说明
图1是示出了根据本公开的实施例的发光二极管的透视图。
图2示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且是示出了使用图1中所示的发光元件作为发光源的显示装置的示意性平面图。
图3a至图3d是示出了根据各种实施例的图2的显示装置的单位发光区域的示例的电路图。
图4是示意性地示出了根据本公开的实施例的包括在图2中所示的像素中的一个中的第一子像素至第三子像素的平面图。
图5是沿着图4的线I-I’截取的剖视图。
图6a至图6c是示出了第一连接图案的各种形状的图4的子像素的平面图。
图7是示意性地示出了根据本公开的另一实施例的包括在图2中所示的像素中的一个中的第一子像素至第三子像素的平面图。
图8是沿着图7的线II-II’截取的剖视图。
图9a至图9d是示出了第二连接图案的各种形状的图7的子像素的平面图。
图10a是示意性地示出了根据本公开的另一实施例的包括在图2中所示的像素中的一个中的第一子像素至第三子像素的平面图。
图10b和图10c是其中第一连接图案和第二连接图案彼此分隔开的图10a的子像素的平面图。
图11是示意性地示出了根据本公开的实施例的变型的包括在图2中所示的像素中的一个中的第一子像素至第三子像素的平面图。
图12a和图12b是示出了连接图案的各种形状的图11的子像素的平面图。
图13a是示出了根据本公开的实施例的由有缺陷的发光元件引起的缺陷的图，并且仅示出了图2中所示的像素的子像素。
图13b是示出了图13a的修复方法的图。
图13c是示出了在修复操作之后的发射区域的图13b的图。
具体实施方式
同样的组件将由同样的附图标记表示。此外，应注意的是，仅为了描述方便和清楚，附图可以在组件的厚度、比例和尺寸上夸大。术语“和/或”可以包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”等在此可以用来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。类似地，第二元件也可以被命名为第一元件。在本公开中，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式也旨在包括复数形式。
而且，术语“在……下面”、“在……下方”、“在……上方”、“上”等在此用于解释附图中所示的一个或更多个组件之间的关系。这些术语可以是描述附图中的组件的位置的相对术语。
还将理解的是，术语“包含”、“包括”、“具有”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
图1是示出了根据本公开的实施例的发光二极管的透视图。
如图1中所示，根据本公开的实施例的发光元件LD可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13和插置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的活性层12。
例如，发光元件LD可以具有通过连续地堆叠第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13形成的结构。发光元件LD可以以在一个方向上延伸的棒形状设置。这里，词语“棒形状”可以包括在纵向方向(L)上延伸的棒状形状或条状形状(即，具有大于1的长宽比)。
发光元件LD可以具有通过在发光元件LD的纵向方向(L)上连续地堆叠第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13形成的棒形状，并且具有基于活性层12的一端和另一端。第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在发光元件LD的一端上，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在另一端上。
发光元件LD可以以具有与例如微米级或纳米级尺寸对应的直径和/或长度的小尺寸制造。然而，根据本公开的实施例的发光元件LD的尺寸不限于此，发光元件LD的尺寸可以改变以满足发光元件LD应用到其的显示装置的要求。
第一导电半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料并且掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂的半导体层。形成第一导电半导体层11的材料不限于此，第一导电半导体层11可以由各种其它材料形成。
活性层12可以形成在第一导电半导体层11上，并且具有单量子阱结构或多量子阱结构。根据本公开的实施例，掺杂有导电掺杂剂的覆盖层(未示出)可以形成在活性层12上和/或下面。例如，覆盖层可以由AlGaN层或InAlGaN层形成。另外，可以采用诸如AlGaN或AlInGaN的材料以形成活性层12。
如果具有预定的电压或更高的电压的电场施加到发光元件LD的相对端，则发光元件LD通过活性层12中的电子-空穴对的结合来发射光。
第二导电半导体层13可以设置在活性层12上，并且包括与第一导电半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料并且掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂的半导体层。形成第二导电半导体层13的材料不限于此，第二导电半导体层13可以由各种其它材料形成。
根据本公开的实施例，发光元件LD不仅可以包括第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13，而且可以包括设置在每个层上和/或下面的荧光层、另一活性层、另一半导体层和/或电极层。例如，发光元件LD可以包括设置在第二导电半导体层13上的电极层。
发光元件LD还可以包括绝缘膜14。在本公开的实施例中，绝缘膜14可以被省略，或者可以设置为仅覆盖第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13中的一些。
例如，绝缘膜14可以设置在发光元件LD的除了其相对端之外的一部分上，使得发光元件LD的相对端可以被暴露。虽然在图1中为了说明的目的示出了已经从绝缘膜14去除其一部分的绝缘膜14，但是发光元件LD可以形成为使得发光元件LD的圆柱体的整个侧表面被绝缘膜14包围。
绝缘膜14可以设置为包围第一导电半导体层11、活性层12和/或第二导电半导体层13的外周表面的至少一部分。例如，绝缘膜14可以设置为至少包围活性层12的外周表面。
根据本公开的实施例，绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可以包括选自于由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2组成的组中的至少一种绝缘材料，但是本公开不限于此。换句话说，可以采用具有绝缘性质的各种材料。
如果绝缘膜14设置在发光元件LD上，则可以防止活性层12与第一电极和/或第二电极(未示出)短路。
由于绝缘膜14，可以使发光元件LD的表面上的缺陷的发生最小化，由此可以改善发光元件LD的寿命和效率。在多个发光元件LD彼此紧密接触地设置的情况下，绝缘膜14可以防止在彼此相邻的发光元件LD之间发生的不期望的短路。
发光元件LD可以用作用于各种显示装置的光源。例如，发光元件LD可以用在照明装置或自发射显示装置中。
在下文中，将详细描述根据本公开的实施例的包括发光元件LD的显示装置。
图2示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且是示出了使用图1中所示的发光元件作为发光源的显示装置的示意性平面图。
为了说明的目的，图2示意性地示出了显示装置的结构，聚焦于其上显示有图像的显示区域DA。在一些实施例中，虽然未示出，但是至少一个驱动电路(例如，扫描驱动器和数据驱动器)和/或多条信号线还可以设置在显示装置中。
参照图1和图2，根据本公开的实施例的显示装置可以包括基体层BSL、设置在基体层BSL上且均包括至少一个发光元件LD的多个像素PXL、设置在基体层BSL上且被构造为驱动像素PXL的驱动器(未示出)以及设置为将像素PXL与驱动器结合的线组件(未示出)。
显示装置可以根据驱动发光元件LD的方法被分类为无源矩阵型显示装置和有源矩阵型显示装置。在显示装置被实现为有源矩阵型的情况下，像素PXL中的每个可以包括被构造为控制要供应到发光元件LD的电流的量的驱动晶体管以及被构造为将数据信号传输到驱动晶体管的开关晶体管。
最近，考虑到分辨率、对比度和工作速度，能够选择性地导通每个像素PXL的有源矩阵型显示装置已经成为主流。然而，本公开不限于此。例如，其中像素PXL可以按组导通的无源矩阵型显示装置也可以采用用于驱动发光元件LD的组件(例如，第一电极和第二电极)。
基体层BSL可以是显示装置的基底，并且包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是其中设置有用于显示图像的像素PXL的区域。非显示区域NDA可以是其中设置有用于驱动像素PXL的驱动器和用于将像素PXL结合到驱动器的线组件中的一些的区域。
虽然在附图中示出了显示区域DA设置在显示装置的中心区域中且非显示区域NDA设置在显示装置的周界区域中以包围显示区域DA的示例，但是本公开不限于此，并且显示区域DA和非显示区域NDA的位置可以改变。
显示区域DA可以具有各种形状。例如，显示区域DA可以以诸如包括由直线形成的边的闭合多边形、包括由曲线形成的边的圆形、椭圆形等以及包括由直线和曲线形成的边的半圆形、半椭圆形等的各种形式设置。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的至少一侧上。虽然在附图中示出了非显示区域NDA包围显示区域DA的结构，但是本公开不限于此。
基体层BSL可以是刚性基底或柔性基底，本公开不限于此。例如，基体层BSL可以是由玻璃或强化玻璃制成的刚性基底，或者是由由塑料或金属制成的薄膜形成的柔性基底。此外，基体层BSL可以是透明基底，但不限于此。另外，基体层BSL可以是半透明基底、不透明基底或反射基底。
像素PXL可以设置在基体层BSL上的显示区域DA中。像素PXL中的每个指用于显示图像的最小单位，并且可以设置多个像素。
像素PXL中的每个可以包括被构造为响应于扫描信号和数据信号驱动的发光元件LD。发光元件LD可以具有与纳米级或微米级对应的小尺寸，并且并联结合到设置为与其相邻的发光元件LD。发光元件LD可以形成对应的像素PXL的光源。
此外，像素PXL中的每个可以包括多个子像素SP1、SP2和SP3。例如，每个像素PXL可以包括被构造为发射不同的颜色的光的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。例如，第一子像素SP1可以是被构造为发射红光的红色子像素，第二子像素SP2可以是被构造为发射绿光的绿色子像素，第三子像素SP3可以是被构造为发射蓝光的蓝色子像素。然而，形成每个像素PXL的子像素的颜色、类型和/或数量不限于前述示例。
虽然图2示出了像素PXL在第一方向DR1和与第一方向DR1不同的第二方向DR2上以矩阵的形式设置在显示区域DA中，但是像素PXL的设置可以以各种方式改变，而不限于前述示例。此外，每个像素PXL的多个子像素的设置也可以以各种方式改变。
驱动器可以通过线组件将驱动信号提供到每个像素PXL，并且因此控制像素PXL的操作。在图2中，为了便于说明的目的，省略了线组件。
驱动器可以包括被构造为通过扫描线将扫描信号提供到像素PXL的扫描驱动器、被构造为通过发射控制线将发射控制信号提供到像素PXL的发射驱动器、被构造为通过数据线将数据信号提供到像素PXL的数据驱动器以及时序控制器。时序控制器可以控制扫描驱动器、发射驱动器和数据驱动器。
图3a至图3d是示出了根据各种实施例的图2的显示装置的单元发光区域的示例的电路图。
参照图3a至图3d，第一子像素至第三子像素中的每个可以由有源像素构成。然而，第一子像素至第三子像素中的每个的类型、构造和/或驱动方法没有特别地限制。例如，第一子像素至第三子像素中的每个可以由可以具有各种已知结构的无源或有源显示装置的像素构成。
此外，参照图3a至图3d，第一子像素至第三子像素可以具有基本上相同的结构或相似的结构。在下文中，为了方便的目的，第一子像素至第三子像素中的第一子像素将被描述为代表性示例。
参照图1、图2和图3a，第一子像素SP1可以包括被构造为产生具有与数据信号对应的亮度的光的发射区域EMA以及设置在发射区域EMA周围的外围区域。这里，用于驱动发射区域EMA的像素驱动电路144可以设置在外围区域中。虽然在附图中像素驱动电路114和发射区域EMA被示出为彼此分开，但是像素驱动电路114的一部分可以设置在发射区域EMA中。
发射区域EMA可以包括在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间彼此并联结合的多个发光元件LD。第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS可以具有不同的电位。例如，第一驱动电源VDD可以设定为高电位电源，第二驱动电源VSS可以设定为低电位电源。这里，在第一子像素SP1的发射时段期间，第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间的电位差可以设定为发光元件LD的阈值电压或更大。
发光元件LD中的每个的第一电极(例如，阳极电极)可以经由像素驱动电路144结合到第一驱动电源VDD。发光元件LD中的每个的第二电极(例如，阴极电极)可以结合到第二驱动电源VSS。发光元件LD中的每个可以以与由像素驱动电路144控制的驱动电流对应的亮度发射光。
虽然图3a至图3d示出了发光元件LD在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间沿相同的方向(例如，正向方向)彼此并联结合，但是本公开不限于此。例如，发光元件LD中的一些可以在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间沿正向方向彼此结合，其它发光元件LD可以沿反向方向彼此结合。
第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS中的一个可以以AC电压的形式供应。在这种情况下，发光元件LD可以通过相同的连接方向组交替地发射光。此外，第一子像素SP1可以仅包括单个发光元件LD。
像素驱动电路144可以包括第一晶体管T1和第二晶体管T2以及存储电容器Cst。像素驱动电路144的结构不限于图3a中所示的实施例的结构。
第一晶体管(T1，开关晶体管)的第一电极结合到数据线Dj，第一晶体管(T1，开关晶体管)的第二电极结合到第一节点N1。这里，第一晶体管T1的第一电极和第二电极可以是不同的电极。如果第一电极是源电极，则第二电极是漏电极。第一晶体管T1的栅电极结合到扫描线Si。
当从扫描线Si供应具有能够使第一晶体管T1导通的电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第一晶体管T1导通以将数据线Dj与第一节点N1电结合。这里，对应的帧的数据信号供应到数据线Dj，由此数据信号传输到第一节点N1。传输到第一节点N1的数据信号可以被充电到存储电容器Cst。
第二晶体管(T2，驱动晶体管)的第一电极结合到第一驱动电源VDD，第二晶体管(T2，驱动晶体管)的第二电极电结合到发光元件LD中的每个的第一电极。第二晶体管T2的栅电极结合到第一节点N1。这样，第二晶体管T2可以响应于第一节点N1的电压来控制要供应到发光元件LD的驱动电流的量。
存储电容器Cst的一个电极结合到第一驱动电源VDD，存储电容器Cst的另一电极结合到第一节点N1。存储电容器Cst用与供应到第一节点N1的数据信号对应的电压充电，并且保持充电的电压直到供应后续帧的数据信号。
为了说明的目的，图3a示出了具有相对简单的结构的像素驱动电路144，所述相对简单的结构包括被构造为将数据信号传输到第一子像素SP1的第一晶体管T1、被构造为存储数据信号的存储电容器Cst以及被构造为将与数据信号对应的驱动电流供应到发光元件LD的第二晶体管T2。
然而，本公开不限于此，像素驱动电路144的结构可以以各种方式改变。例如，像素驱动电路144还可以包括至少一个晶体管元件(诸如被构造为补偿第二晶体管T2的阈值电压的晶体管元件、被构造为使第一节点N1初始化的晶体管元件和/或被构造为控制发光元件LD的发射时间的晶体管元件)或其它电路元件(诸如用于使第一节点N1的电压升高的升压电容器)。
此外，虽然图3a示出了包括在像素驱动电路144中的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)由P型晶体管形成，但是晶体管的类型不限于此。例如，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个可以是N型晶体管。
如图3b中所示，除了包括第一晶体管T1和第二晶体管T2之外，像素驱动电路144还可以包括第三晶体管T3。第三晶体管T3可以结合在第j数据线Dj与发光元件LD中的每个的阳极电极之间。第三晶体管T3的栅电极可以结合到控制线CLi，使得第三晶体管T3可以在控制信号供应到控制线CLi时导通，并且在其它情况下截止。
为了方便的目的，图3b示出了第一晶体管T1至第三晶体管T3中的所有由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。例如，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1至第三晶体管T3中的至少一个可以由N型晶体管形成，或者第一晶体管T1至第三晶体管T3中的所有可以是N型晶体管。
接下来，参照图1、图2和图3c，第一晶体管T1和第二晶体管T2可以是N型晶体管。除了由于晶体管的类型的改变引起的一些组件的连接位置的改变之外，图3c中所示的像素驱动电路144的构造和操作与图3a的像素驱动电路144的构造和操作类似。因此，将省略与此有关的详细描述。
参照图1、图2和图3d，像素驱动电路144可以结合到第一子像素SP1的扫描线Si和数据线Dj。例如，如果第一子像素SP1设置在显示区域DA的第i行和第j列上，则第一子像素SP1的像素驱动电路144可以结合到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。
此外，像素驱动电路144也可以结合到至少一条其它扫描线。例如，设置在显示区域DA的第i行上的第一子像素SP1还可以结合到第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。
像素驱动电路144不仅可以结合到第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS，而且可以结合到第三电源。例如，像素驱动电路144也可以结合到初始化电源Vint。
像素驱动电路144可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst。
第一晶体管(T1，驱动晶体管)的一个电极(例如，源电极)可以经由第五晶体管T5结合到第一驱动电源VDD，第一晶体管(T1，驱动晶体管)的另一电极(例如，漏电极)可以经由第六晶体管T6结合到发光元件LD的一端。第一晶体管T1的栅电极可以结合到第一节点N1。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制经由发光元件LD在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间流动的驱动电流。
第二晶体管(T2，开关晶体管)可以结合在结合到第一子像素SP1的第j数据线Dj与第一晶体管T1的源电极之间。第二晶体管T2的栅电极结合到与第一子像素SP1结合的第i扫描线Si。当从第i扫描线Si供应具有栅极导通电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第二晶体管T2导通以将第j数据线Dj电结合到第一晶体管T1的源电极。因此，如果第二晶体管T2导通，则从第j数据线Dj供应的数据信号可以传输到第一晶体管T1。
第三晶体管T3结合在第一晶体管T1的漏电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极结合到第i扫描线Si。当从扫描线Si供应具有栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管T3导通以将第一晶体管T1的漏电极电结合到第一节点N1。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以二极管的形式连接。
第四晶体管T4可以结合在第一节点N1与初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极结合到前一扫描线，例如，第i-1扫描线Si-1。当栅极导通电压的扫描信号供应到第i-1扫描线Si-1时，第四晶体管T4导通，使得初始化电源Vint的电压可以传输到第一节点N1。这里，初始化电源Vint可以具有等于或小于数据信号的最小电压的电压。
第五晶体管T5结合在第一驱动电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极结合到对应的发射控制线，例如，第i发射控制线Ei。第五晶体管T5可以在具有栅极截止电压的发射控制信号供应到第i发射控制线Ei时截止，并且在其它情况下可以导通。
第六晶体管T6结合在第一晶体管T1与发光元件LD的一端之间。第六晶体管T6的栅电极可以结合到第i发射控制线Ei。第六晶体管T6可以在具有栅极截止电压的发射控制信号供应到第i发射控制线Ei时截止，并且可以在其它情况下导通。
第七晶体管T7结合在发光元件LD的一端与初始化电源Vint之间。第七晶体管T7的栅电极结合到后续级的扫描线中的任何一个，例如，结合到第i+1扫描线Si+1。当栅极导通电压的扫描信号供应到第i+1扫描线Si+1时，第七晶体管T7可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以供应到发光元件LD的第一端。
存储电容器Cst结合在第一驱动电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可以存储与在每个帧时段期间施加到第一节点N1的数据信号和第一晶体管T1的阈值电压两者对应的电压。
为了方便的目的，图3d示出了第一晶体管T1至第七晶体管T7中的所有由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。例如，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以由N型晶体管形成，或者第一晶体管T1至第七晶体管T7中的所有可以是N型晶体管。
在下文中，将参照附图详细描述图2的显示装置的像素。
图4是示意性地示出了根据本公开的实施例的包括在图2中所示的像素中的一个中的第一子像素至第三子像素的平面图。图5是沿着图4的线I-I’截取的剖视图。
虽然为了说明的目的，图4示出了设置在每个子像素中的多个发光元件LD水平地对准，但是发光元件LD的布置不限于此。例如，发光元件LD中的至少一些可以在与水平方向相交的方向上对准。此外，为了说明的目的，在图4和图5中已经省略了结合到发光元件LD的晶体管和结合到晶体管的信号线的图示。此外，虽然图4和图5示出了一个像素PXL的简化结构，例如，示出了每个电极仅具有单个电极层，但是本公开不限于此。
参照图1至图5，根据本公开的实施例的显示装置可以包括其上设置有多个像素PXL的基体层BSL。
像素PXL中的每个可以包括设置在基体层BSL上的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。在本公开的实施例中，第一子像素SP1可以是被构造为发射红光的红色子像素，第二子像素SP2可以是被构造为发射绿光的绿色子像素，第三子像素SP3可以是被构造为发射蓝光的蓝色子像素。然而，形成每个像素PXL的子像素的颜色、类型和/或数量不限于前述示例。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个可以包括被构造为发射光的发射区域EMA以及设置为在发射区域EMA的周界周围的外围区域PPA。
第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个可以包括基体层BSL、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
像素电路层PCL可以包括设置在基体层BSL上的缓冲层BFL、设置在缓冲层BFL上的第一晶体管T1和第二晶体管T2以及驱动电压线DVL。此外，第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的像素电路层PCL还可以包括设置在第一晶体管T1和第二晶体管T2以及驱动电压线DVL上的钝化层PSV。
基体层BSL可以是刚性或柔性基底，并且基体层BSL的材料或性质没有特别地限制。例如，基体层BSL可以是由玻璃或强化玻璃制成的刚性基底，或者是由由塑料或金属制成的薄膜形成的柔性基底。另外，基体层BSL可以是透明基底，但是本公开不限于此，基体层BSL可以是半透明基底、不透明基底或反射基底。此外，虽然在附图中示出了基体层BSL具有单层结构的情况，但是基体层BSL可以具有多层结构。
缓冲层BFL可以防止杂质扩散到第一晶体管T1和第二晶体管T2中。根据基底SUB的材料或处理条件，可以省略缓冲层BFL。
第一晶体管T1可以与设置在对应的子像素的显示元件层DPL上的发光元件LD中的一些电结合。在这种情况下，第一晶体管T1可以是被构造为驱动发光元件LD的驱动晶体管。第二晶体管T2可以是被构造为切换第一晶体管T1的开关晶体管。
第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个可以包括半导体层SCL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体层SCL可以设置在缓冲层BFL上。半导体层SCL可以包括与源电极SE接触的源区和与漏电极DE接触的漏区。源区与漏区之间的区域可以是沟道区。
半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。沟道区可以是未掺杂的半导体图案的本征半导体。源区和漏区中的每个可以是掺杂有杂质的半导体图案。
栅电极GE可以设置在半导体层SCL上，并且栅极绝缘层GI插置在栅电极GE与半导体层SCL之间。源电极SE和漏电极DE可以通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的对应的接触孔分别与半导体层SCL的源区和漏区接触。
在附图中，虽然第一晶体管T1和第二晶体管T2是LTPS薄膜晶体管，但是第一晶体管T1和第二晶体管T2不限于此。
此外，虽然在附图中驱动电压线DVL被示出为设置在层间绝缘层ILD上，但是驱动电压线DVL的位置不限于此。例如，驱动电压线DVL可以设置在包括在像素电路层PCL中的任何一个绝缘层上。第二驱动电源(参照图3a的VSS)可以施加到驱动电压线DVL。
钝化层PSV可以包括暴露第一晶体管T1的漏电极DE的一部分的第一接触孔CH1和暴露驱动电压线DVL的一部分的第二接触孔CH2。
显示元件层DPL可以设置在像素电路层PCL上。显示元件层DPL可以包括壁PW、堤BNK、第一电极REL1和第二电极REL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2、多个发光元件LD、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2等。
壁PW可以设置在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的发射区域EMA中的钝化层PSV上。由与壁PW的材料相同的材料形成的堤BNK可以形成和/或设置在相邻的子像素之间，以限定每个子像素的发射区域EMA。
相邻的壁PW可以设置在钝化层PSV上且彼此分隔开一个发光元件LD的长度L或更大。发光元件LD可以在发射区域EMA中设置在相邻的壁PW之间。
壁PW可以包括具有诸如半圆形或半椭圆形的剖面形状的弯曲表面，所述弯曲表面的宽度从钝化层PSV的一个表面向上减小。在附图中，壁PW被示出为具有梯形剖面。在剖视图中，壁PW中的每个的形状不限于前述示例，并且可以在可以增强从发光元件LD中的每个发射的光的效率的范围内以各种方式改变。
堤BNK还可以设置在钝化层PSV上。堤BNK可以设置在相邻的子像素SP1到SP3之间的外围区域PPA中，并且限定子像素SP1到SP3中的每个的发射区域EMA。堤BNK可以防止从子像素SP1至SP3发射的光行进到相邻的子像素SP1至SP3。
壁PW和堤BNK可以在同一层上由相同的材料形成。例如，虽然壁PW和堤BNK可以由包括有机材料的有机绝缘材料形成，但是本公开不限于此。
第一连接线CNL1可以通过形成在钝化层PSV中的第一接触孔CH1与像素电路层PCL电结合。详细地，第一连接线CNL1可以与像素电路层PCL的第一晶体管T1的漏电极DE的一部分连接。虽然在图中第一接触孔CH1被示出为形成在外围区域PPA中，但是第一接触孔CH1可以形成在发射区域EMA中。
第一连接线CNL1可以在第一方向DR1上从第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个延伸。为了独立地驱动第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个，一条第一连接线CNL1可以设置在每个子像素中。
第二连接线CNL2也可以通过形成在钝化层PSV中的第二接触孔CH2与像素电路层PCL电结合。详细地，第二连接线CNL2可以与像素电路层PCL的驱动电压线DVL的一部分连接。
第二连接线CNL2可以在与第一连接线CNL1延伸所沿的方向平行的方向上延伸。第二连接线CNL2可以共同设置到第一子像素SP至第三子像素SP3。因此，第一子像素SP1至第三子像素SP3可以共同结合到第二连接线CNL2。
第一电极REL1和第二电极REL2中的每个可以设置在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的发射区域EMA中，并且在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸。第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在同一平面上且彼此分隔开预定的距离。
虽然在附图中示出了两个第一电极REL1和第二电极REL2设置在子像素SP1至SP3中的每个中的情况，但是一个或更多个第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在子像素SP1至SP3中的每个中。在设置有多个第一电极REL1和第二电极REL2的情况下，可以交替地设置第一电极REL1和第二电极REL2。
第一电极REL1可以结合到第一连接线CNL1。例如，第一电极REL1可以与第一连接线CNL1一体地结合。在附图中，示出了第一电极REL1在第二方向DR2上从第一连接线CNL1分叉的情况。虽然在附图中示出了第一电极REL1具有两个第一电极图案的情况，但是第一电极REL1的数量和第一电极图案的数量不限于此。
在第一电极REL1和第一连接线CNL1彼此一体地形成和/或设置的情况下，第一连接线CNL1可以被认为是第一电极REL1的一个区域。然而，本公开不限于此。例如，在一些实施例中，第一电极REL1和第一连接线CNL1可以单独地形成且通过未示出的接触孔、通孔等彼此电结合。
第一电极REL1可以设置为与发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2中的一端相邻。在附图中，示出了第一电极REL1设置为与发光元件LD的第一端EP1相邻且第一电极REL1通过第一接触电极CNE1电结合到发光元件LD的第一端EP1的情况。因此，第一晶体管T1的施加到第一电极REL1的信号可以通过第一接触电极CNE1传输到发光元件LD中的每个。
第二电极REL2可以结合到第二连接线CNL2。例如，第二电极REL2可以与第二连接线CNL2一体地结合。虽然在附图中示出了第二连接线CNL2在第一方向DR1上延伸且第二电极REL2具有两个第一电极图案的情况，但是第二电极REL2的数量和第一电极图案的数量不限于此。
在第二电极REL2和第二连接线CNL2彼此一体地形成和/或设置的情况下，第二连接线CNL2可以被认为是第二电极REL2的一个区域。然而，本公开不限于此。例如，在一些实施例中，第二电极REL2和第二连接线CNL2可以单独地形成且通过未示出的接触孔、通孔等彼此电结合。
第二电极REL2可以设置为与发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2中的另一端相邻。在附图中，示出了第二电极REL2通过第二接触电极CNE2电结合到发光元件LD的第二端EP2的情况。因此，施加到第二电极REL2的第二驱动电源VSS的电压可以传输到发光元件LD中的每个。
第一电极REL1和第二电极REL2中的每个可以用作用于使发光元件LD在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的发射区域EMA中对准的对准电极。
详细地，在发光元件LD在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的发射区域EMA中对准之前，第一对准电压可以通过第一连接线CNL1施加到第一电极REL，第二对准电压可以通过第二连接线CNL2施加到第二电极REL2。第一对准电压和第二对准电压可以具有不同的电压电平。当具有不同的电压电平的预定的对准电压分别施加到第一电极REL1和第二电极REL2时，可以在第一电极REL1与第二电极REL2之间形成电场。因此，发光元件LD可以在第一电极REL1与第二电极REL2之间对准。
在平面图中，在每个子像素中，第二电极REL2和第一电极REL1可以交替地设置。在附图中，示出了第二电极REL2设置在第一电极REL1之间的情况。
在发光元件LD在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的发射区域EMA中对准之后，第一电极REL1和第二电极REL2中的每个可以用作用于驱动发光元件LD的驱动电极。
设置在壁PW上的第一电极REL1和第二电极REL2可以由具有预定的反射率的材料制成，以允许从发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2发射的光在显示装置的图像显示所沿的方向上(例如，在正向方向上)行进。在这种情况下，第一电极REL1和第二电极REL2可以用作用于增强从发光元件LD发射的光的效率的反射器。
详细地，第一电极REL1和第二电极REL2以及第一连接线CNL1和第二连接线CNL2可以由具有预定的反射率的导电材料形成。金属(例如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ti和它们的合金)可以用作导电材料。然而，第一电极REL1和第二电极REL2以及第一连接线CNL1和第二连接线CNL2的材料不限于前述材料。
虽然在附图中示出了第一电极REL1和第二电极REL2以及第一连接线CNL1和第二连接线CNL2中的每个具有单层结构的情况，但是它可以具有通过堆叠金属、合金、导电氧化物和导电聚合物之中的两种或更多种材料形成的多层结构。
第一电极REL1和第二电极REL2中的任何一个可以是阳极电极，另一个可以是阴极电极。在本公开的实施例中，第一电极REL1可以是阳极电极，第二电极REL2可以是阴极电极。
在本公开的实施例中，至少一个第一连接图案CNP1可以设置在发射区域EMA中。至少一个第一连接图案CNP1可以结合彼此分隔开的两个第一电极图案。例如，至少一个第一连接图案CNP1可以结合第一电极REL1的第一电极图案或第二电极REL2的第一电极图案。在附图中，示出了至少一个第一连接图案CNP1结合第二电极REL2的第一电极图案的情况。
第一连接图案CNP1可以与第二连接线CNL2分隔开且设置在子像素SP1至SP3中的每个的发射区域EMA中。这里，第一连接图案CNP1可以与第二电极REL2一体地形成。
当由设置在子像素中的每个中的多个发光元件LD中的一些发光元件引起缺陷且子像素被修复时，第一连接图案CNP1可以用于使子像素的非发射区域最小化。
例如，在检测到有缺陷的发光元件的情况下，结合到有缺陷的发光元件的第二电极REL2的一部分可以分离(断开)。在这种情况下，即使当第二电极REL2的一部分分离(断开)时，其它发光元件LD也通过第一连接图案CNP1与第二电极REL2结合，因此可以正常地操作。
发光元件LD中的每个可以由由具有无机晶体结构的材料制成且具有例如与纳米级或微米级对应的超小型尺寸的发光二极管形成。
虽然至少两个或数十个发光元件LD设置在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的发射区域EMA中，但是本公开不限于此。在实施例中，设置在每个子像素中的发光元件LD的数量可以以各种方式改变。
发光元件LD中的每个可以包括通过在每个发光元件LD的纵向方向(L)上连续地堆叠第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13形成的堆叠发射图案。此外，发光元件LD中的每个还可以包括包围堆叠发射图案的外周表面的绝缘膜14。在本公开的实施例中，发光元件LD中的每个可以具有圆柱形形状。在这种情况下，每个发光元件LD可以具有与圆柱的下部和圆柱的上部中的任何一个对应的第一端EP1以及与圆柱的下部和圆柱的上部中的另一个对应的第二端EP2。第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的任何一个可以设置在每个发光元件LD的第一端EP1上，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在每个发光元件LD的第二端EP2上。
在本公开的实施例中，发光元件LD可以在第一电极REL1与第二电极REL2之间对准。第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD上以覆盖发光元件LD中的每个的上表面的一部分。第一绝缘层INS1可以设置在发光元件LD中的每个与钝化层PSV之间。
第一绝缘层INS1可以填充到钝化层PSV与发光元件LD中的每个之间的空间中，以稳定地支撑发光元件LD且防止发光元件LD从钝化层PSV去除。第一绝缘层INS1可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。虽然在本公开的实施例中，第一绝缘层INS1可以由具有保护发光元件LD免受像素电路层PCL的影响的优点的无机绝缘层形成，但是本公开不限于此。在实施例中，第一绝缘层INS1可以由具有发光元件LD的支撑表面的平坦化的优点的有机绝缘层形成。
第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD上。第二绝缘层INS2可以是包括有机材料的有机绝缘层。在本公开的实施例中，第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD中的每个的上表面的一部分上，使得发光元件LD中的每个的相对端EP1和EP2可以暴露到外部。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以结合到发光元件LD的暴露的相对端EP1和EP2。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在同一平面上，并且可以在第二绝缘层INS2上彼此分隔开预定的距离且因此彼此电分开和/或物理分开。换句话说，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在同一层上且通过相同的制造工艺形成。在实施例中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在不同的层上。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以与从第一绝缘层INS1暴露的第一电极REL1和第二电极REL2结合。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及第一电极REL1和第二电极REL2可以设置在壁PW上。换句话说，如上所述，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2延伸所沿的方向上延伸，并且可以分别与对应的壁PW上的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2叠置。
换句话说，第一接触电极CNE1可以包括分别与第一电极REL1的第一电极图案结合的第二电极图案。第二接触电极CNE2也可以包括分别与第二电极REL2的第一电极图案结合的第二电极图案。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以由透明导电材料形成，以允许从发光元件LD发射的光通过第一电极REL1和第二电极REL2在显示装置的正向方向上行进。
用于覆盖第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的第三绝缘层INS3可以设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上。第三绝缘层INS3可以防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2暴露到外部，从而防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2被腐蚀。
第三绝缘层INS3可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。虽然第三绝缘层INS3可以具有如附图中所示的单层结构，但是本公开不限于此。例如，第三绝缘层INS3可以具有多层结构。在第三绝缘层INS3具有多层结构的情况下，第三绝缘层INS3可以具有通过交替地堆叠多个无机绝缘层和多个有机绝缘层形成的结构。例如，第三绝缘层INS3可以具有通过顺序地堆叠第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层形成的结构。
如上所述，发光元件LD的相对端EP1和EP2可以通过第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2分别结合到第一电极REL1和第二电极REL2，使得预定的电压可以分别施加到相对端EP1和EP2，发光元件LD中的每个可以通过发光元件LD的活性层12中的电子-空穴对的结合来发射光。这里，活性层12可以发射具有400nm至900nm的波长范围的光。然而，从活性层12发射的光的波长范围不限于此，并且可以以各种方式改变。
如上所述，在根据本公开的显示装置中，第二电极REL2的第一电极图案可以通过至少一个第一连接图案CNP1彼此结合，使得即使当一些发光元件LD是有缺陷的时，也可以使不发射光的发光元件LD的数量最小化。
这里，第一连接图案CNP1可以以各种形状形成，并且将第二电极REL2的第一电极图案彼此结合。
图6a至图6c是示出了第一连接图案的各种形状的图4的子像素的平面图。
如图6a至图6c中所示，第二电极REL2的第一电极图案可以通过多个第一连接图案CNP1彼此结合。多个第一连接图案CNP1可以如图6a和图6b中所示设置在与第二电极REL2延伸所沿的方向垂直的方向上，或者可以如图6c中所示设置在对角线方向上。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的一个的第二电极图案可以通过至少一个第二连接图案CNP2结合。
图7是示意性地示出了根据本公开的另一实施例的包括在图2中所示的像素中的一个中的第一子像素至第三子像素的平面图。图8是沿着图7的线II-II’截取的剖视图。图9a至图9d是示出了第二连接图案的各种形状的图7的子像素的平面图。
如图7和图8中所示，第二接触电极CNE2的第二电极图案可以通过第二连接图案CNP2结合。第二接触电极CNE2的第二电极图案和第二连接图案CNP2可以彼此一体地形成。如图9a至图9d中所示，可以设置多个第二连接图案CNP2。
在本公开的实施例中，第一电极REL1和第二电极REL2中的一个的第一电极图案可以通过至少一个第一连接图案CNP1结合。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的一个的第二电极图案可以通过至少一个第二连接图案CNP2结合。
图10a是示意性地示出了根据本公开的另一实施例的包括在图2中所示的像素中的一个中的第一子像素至第三子像素的平面图。图10b和图10c是其中第一连接图案和第二连接图案彼此分隔开的图10a的子像素的平面图。
如图10a和图10b中所示，第二电极REL2的第一电极图案可以通过第一连接图案CNP1结合，第二接触电极CNE2的第二电极图案可以通过第二连接图案CNP2结合。
如图10a中所示，第一连接图案CNP1和第二连接图案CNP2可以彼此完全地叠置，或者彼此至少部分地叠置。如图10b中所示，第一连接图案CNP1和第二连接图案CNP2可以彼此分隔开而不是彼此叠置。此外，如图10c中所示，第一连接图案CNP1的数量和第二连接图案CNP2的数量可以彼此不同。
至少一个第一连接图案CNP1可以结合第一电极REL1的第一电极图案。在这种情况下，子像素可以通过切断第一电极REL1的一部分来修复。
图11是示意性地示出了根据本公开的实施例的变型的包括在图2中所示的像素中的一个中的第一子像素至第三子像素的平面图。图12a和图12b是示出了连接图案的各种形状的图11的子像素的平面图。
如图11中所示，设置在发射区域EMA中的第一连接图案CNP可以结合第一电极REL1的第一电极图案。这里，第一连接图案CNP1可以与第一电极REL1的第一电极图案一体地形成。
在这种情况下，第一电极REL1可以设置在第二电极REL2之间。在检测到有缺陷的发光元件的情况下，第一电极REL1的与有缺陷的发光元件结合的一部分可以分离(断开)。在这种情况下，即使当第一电极REL1的一部分分离(断开)时，第一电极REL1的另一部分也可以通过第一连接图案CNP1结合，使得可以使不发射的发光元件LD的数量最小化。
如图12a中所示，第一接触电极CNE1可以包括第二电极图案，使得第一接触电极CNE1的第二电极图案可以与第二连接图案CNP2成为一体。如图12b中所示，第一电极REL1的第一电极图案可以通过第一连接图案CNP1结合，第一接触电极CNE1的第二电极图案可以通过第二连接图案CNP2结合。
这里，第一连接图案CNP1和第二连接图案CNP2可以彼此分隔开而不彼此叠置。第一连接图案CNP1的数量和第二连接图案CNP2的数量可以彼此不同。
在根据本公开的显示装置中，当修复其中设置有缺陷的发光元件DLD的子像素SP1至SP3时，通过第一连接图案CNP1和第二连接图案CNP2中的至少一个结合的第一电极REL1和第一接触电极CNE1或者第二电极REL2和第二接触电极CNE2中的一些可以断开，使得可以使不发射光的发光元件LD的数量最小化。
例如，在第一连接图案CNP1直接结合第一电极REL1的第一电极图案或者第二连接图案CNP2与第一接触电极CNE1的第二电极图案一体地形成使得第一电极REL1的第一电极图案通过第二连接图案CNP2间接地结合的情况下，与有缺陷的发光元件结合的第一电极REL1的外围可以断开。相反，在第一连接图案CNP1直接结合第二电极REL2的第一电极图案或者第二连接图案CNP2与第二接触电极CNE2的第二电极图案一体地形成使得第二电极REL2的第一电极图案间接地结合的情况下，与有缺陷的发光元件结合的第二电极REL2的外围可以断开。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的实施例的修复显示装置的方法。
图13a是示出了根据本公开的实施例的由有缺陷的发光元件引起的缺陷的图，并且仅示出了图2中所示的像素的子像素。图13b是示出了图13a的修复方法的图。图13c是示出了在修复操作之后的发射区域的图13b的图。
如图13a中所示，在设置在子像素中的多个发光元件LD之中的一些发光元件LD是有缺陷的发光元件DLD的情况下，第一电极REL1和第二电极REL2会被有缺陷的发光元件DLD短路。在这种情况下，信号不能通过第一接触孔(图4的CH1)传输到设置为与有缺陷的发光元件DLD平行的一些发光元件LD。
详细地，如所示，信号不会通过第一接触孔(图4的CH1)传输到设置为比有缺陷的发光元件DLD靠近第一电极REL1的远端的发光元件LD。因此，包括信号不能通过第一接触孔(图4的CH1)传输到其的发光元件LD的区域可以是非发射区域NEMA。
在本公开的实施例中，如图13b中所示，可以分离(断开)在有缺陷的发光元件DLD的一端之中的结合到第一连接图案CNP的第一电极图案的一部分，使得可以修复可归因于有缺陷的发光元件DLD的子像素的缺陷。
例如，如附图中所示，在第二电极REL2的第一电极图案通过第一连接图案CNP结合的情况下，检查有缺陷的发光元件DLD的位置，然后通过诸如激光切割工艺的工艺切断第二电极REL2的一部分。
详细地，在将第二电极REL2与每个有缺陷的发光元件DLD的相对端中的一端结合的第二接触电极CNE2上形成第一切割线CL1。在与第一切割线CL1分隔开的位置处在第二接触电极CNE2上形成第二切割线CL2。这里，有缺陷的发光元件DLD与第二接触电极CNE2之间的接合点设置在第一切割线CL1与第二切割线CL2之间。当如上所述在第二接触电极CNE2上形成第一切割线CL1和第二切割线CL2时，也可以切割第二接触电极CNE2下面的第二电极REL2。
虽然未示出，但是在第一电极REL1与通过第一连接图案CNP1结合的第一电极图案对应的情况下，检查有缺陷的发光元件DLD的位置，然后可以通过诸如激光切割工艺的工艺切断第一电极REL1的一部分。
详细地，在将第一电极REL1与每个有缺陷的发光元件DLD的相对端中的一端结合的第一接触电极CNE1上形成第一切割线CL1。在与第一切割线CL1分隔开的位置处在第一接触电极CNE1上形成第二切割线CL2。这里，有缺陷的发光元件DLD与第一接触电极CNE1之间的接合点设置在第一切割线CL1与第二切割线CL2之间。当如上所述在第一接触电极CNE1上形成第一切割线CL1和第二切割线CL2时，也可以切割第一接触电极CNE1下面的第一电极REL1。
因此，在根据本公开的实施例的显示装置的修复方法中，在与有缺陷的发光元件DLD结合的区域中的第一电极REL1和第一接触电极CNE1或者第二电极REL2和第二接触电极CNE2可以浮置。因此，像素电路层的信号不会仅传输到有缺陷的发光元件DLD，使得仅设置有有缺陷的发光元件DLD的区域是非发射区域NEMA，其它发光元件LD可以通过连接图案CNP接收像素电路层的信号且正常地发射光。因此，可以使通过修复形成的非发射区域的尺寸最小化。
虽然已经公开了本公开的实施例，但是本领域技术人员将领会的是，在不脱离如所附权利要求中公开的公开的范围和精神的情况下，本公开可以以其它具体形式实现。因此，应理解的是，实施例仅用于说明目的，并不限制本发明的边界。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体层，包括显示区域和非显示区域；以及
多个像素，设置在所述显示区域中，并且均包括均包含被构造为发射光的发射区域和设置在所述发射区域周围的外围区域的多个子像素，
其中，子像素包括：至少一个第一电极和至少一个第二电极，在一个方向上延伸且彼此分隔开；以及多个发光元件，设置在第一电极与第二电极之间且被构造为发射光，
其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括彼此分隔开的至少两个第一电极图案，并且第一电极图案通过设置在所述发射区域中的至少一个第一连接图案结合。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，第一电极设置在彼此相邻的所述两个第二电极之间，并且
其中，第一电极包括电极图案。
3.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，第二电极设置在彼此相邻的所述两个第一电极之间，并且
其中，第二电极包括第一电极图案。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，第一连接图案与第一电极图案一体地形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置包括：
第一接触电极，沿着第一电极延伸，并且被构造为将第一电极与发光元件的相对端中的一端结合；以及
第二接触电极，沿着第二电极延伸，并且被构造为将第二电极与发光元件的所述相对端的剩余端结合，
其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极中的至少一个包括彼此分隔开的至少两个第二电极图案，并且第二电极图案通过至少一个第二连接图案结合。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，第二连接图案与所述第一接触电极和所述第二接触电极中的一个一体地形成。
7.根据权利要求6所述的显示装置，
其中，第二连接图案与所述第一接触电极一体地形成，并且
其中，第一电极设置在第二连接图案与发光元件之间。
8.根据权利要求6所述的显示装置，
其中，第二连接图案与所述第二接触电极一体地形成，并且
其中，第二电极设置在第二连接图案与发光元件之间。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，第一连接图案与第二连接图案的至少一部分彼此叠置。
10.根据权利要求5所述的显示装置，其中，第一连接图案和第二电极图案彼此分隔开。
11.根据权利要求5所述的显示装置，其中，第一连接图案的数量与第二连接图案的数量彼此不同。
12.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体层，包括显示区域和非显示区域；以及
多个像素，设置在所述显示区域中，并且均包括均包含被构造为发射光的发射区域和设置在所述发射区域周围的外围区域的多个子像素，
其中，子像素包括：至少一个第一电极和至少一个第二电极，在一个方向上延伸且彼此分隔开；多个发光元件，设置在第一电极与第二电极之间且被构造为发射光；第一接触电极，沿着第一电极延伸且被构造为将第一电极与发光元件的相对端中的一端结合；以及第二接触电极，沿着第二电极延伸，并且被构造为将第二电极与发光元件的所述相对端的剩余端结合，
其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括彼此分隔开的至少两个第一电极图案，并且
其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极中的至少一个包括彼此分隔开的至少两个第二电极图案，并且第二电极图案通过设置在所述发射区域中的至少一个连接图案结合。
13.根据权利要求12所述的显示装置，
其中，连接图案与所述第一接触电极一体地形成，并且
其中，第一电极设置在连接图案与发光元件之间。
14.根据权利要求12所述的显示装置，
其中，连接图案与所述第二接触电极一体地形成，并且
其中，第二电极设置在连接图案与发光元件之间。
15.一种修复显示装置的方法，
其中，所述显示装置包括：基体层，包括显示区域和非显示区域；以及多个像素，设置在所述显示区域中，并且均包括均包含被构造为发射光的发射区域和设置在所述发射区域周围的外围区域的多个子像素，
其中，像素包括：第一电极和第二电极，在一个方向上延伸且彼此分隔开；以及多个发光元件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间且被构造为发射光，
其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括彼此分隔开的两个电极图案，并且电极图案通过设置在所述发射区域中的至少一个连接图案结合，
所述方法包括将与所述多个发光元件中的正常的发光元件结合的电极图案和与所述多个发光元件中的有缺陷的发光元件结合的电极图案分开。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，将电极图案分开包括：当接触电极将电极图案与发光元件的相对端中的一端结合时，
将结合到所述多个发光元件中的所述正常的发光元件的所述接触电极与结合到所述有缺陷的发光元件的所述接触电极分开。
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法包括：当所述第一电极包括电极图案时，
在被构造为将所述第一电极与发光元件的相对端中的一端结合的第一接触电极上形成第一切割线；以及
在所述第一接触电极上形成与所述第一切割线分隔开的第二切割线，
其中，所述有缺陷的发光元件与所述第一接触电极之间的接合点设置在所述第一切割线与所述第二切割线之间。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述第一电极上形成所述第一切割线和所述第二切割线。
19.根据权利要求16所述的方法，所述方法包括：当所述第二电极包括电极图案时，
在被构造为将所述第二电极与发光元件的相对端中的一端结合的第二接触电极上形成第一切割线；以及
在所述第二接触电极上形成与所述第一切割线分隔开的第二切割线，
其中，所述有缺陷的发光元件与所述第二接触电极之间的接合点设置在所述第一切割线与所述第二切割线之间。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，在所述第二电极上形成所述第一切割线和所述第二切割线。
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