CN112701129B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112701129B CN112701129B CN202110016831.8A CN202110016831A CN112701129B CN 112701129 B CN112701129 B CN 112701129B CN 202110016831 A CN202110016831 A CN 202110016831A CN 112701129 B CN112701129 B CN 112701129B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal
- conductive layer
- display panel
- metal conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 199
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 199
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 262
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 43
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请提出了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括显示区以及远离显示区一侧的绑定区，绑定区内设置有第一衬底以及位于第一衬底上的至少一绑定端子，绑定端子包括至少一金属导电层，金属导电层包括至少一凹槽。其中，凹槽的深度小于金属导电层的厚度。本申请通过在绑定端子的金属导电层上设置凹槽，增加了绑定端子与导电胶的纵向接触面积，增强了覆晶薄膜与绑定端子的附着力，提高了显示面板的产品质量。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
随着人们对显示面板的要求的提高，显示面板的边框进一步缩窄，如何改善窄边框显示面板的产品质量是一大重要改进方向。
现有的窄边框显示面板，COF(chip on film，覆晶薄膜)通过导电胶与绑定端子连接，由于绑定区面积的减小，导致导电胶与绑定端子之间的接触面积减小，COF的附着力减小，难以满足产品要求，影响显示面板的产品质量。
因此，亟需一种新的显示面板及其制作方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法，用于解决现有的窄边框显示面板由于绑定区面积减小，导致覆晶薄膜与绑定端子之间附着力减小，影响显示面板产品质量的问题。
为了解决上述技术问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供了一种显示面板，包括显示区以及远离所述显示区一侧的绑定区，所述绑定区内设置有第一衬底以及位于所述第一衬底上的至少一绑定端子，所述绑定端子包括至少一金属导电层，所述金属导电层包括至少一凹槽；
其中，所述凹槽的深度小于所述金属导电层的厚度。
本申请提供的显示面板中，所述凹槽远离所述第一衬底的第一侧在第一方向上的宽度小于所述凹槽靠近所述第一衬底的第二侧在所述第一方向上的宽度；或者，所述第一侧在所述第一方向上的宽度大于所述第二侧在所述第一方向上的宽度；
其中，所述第一方向与所述显示面板的扫描线或数据线的延伸方向平行。
本申请提供的显示面板中，所述凹槽包括远离所述第一衬底一侧的第一开口以及第二开口，所述第二开口位于所述第一开口内。
本申请提供的显示面板中，在所述第一方向上，所述绑定区内的所述凹槽的分布密度先减小后增大；或者，
在所述第一方向上，所述绑定区内的所述凹槽的表面积先减小后增大。
本申请提供的显示面板中，所述凹槽关于所述绑定区的中轴线呈对称设置。
本申请提供的显示面板中，所述金属导电层包括位于所述第一衬底上的第一金属导电层以及位于所述第一金属导电层上的第二金属导电层，所述第二金属导电层的金属的电极电势大于所述第一金属导电层的金属的电极电势。
本申请提供的显示面板中，所述绑定端子还包括位于所述金属导电层上的粘结层，所述粘结层与所述金属导电层的附着力大于所述金属导电层与导电胶的附着力。
本申请提供的显示面板中，所述粘结层的材料为导电材料；或者，所述粘结层包括至少两个第三开口，所述金属导电层通过所述第三开口与所述导电胶电连接。
本申请提供的显示面板中，所述粘结层包括远离所述第一衬底一侧的多孔材料层，所述导电胶靠近所述多孔材料层的一侧渗透于所述多孔材料层内。
本申请还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
在第一衬底上形成一金属材料层；
所述金属材料层经图案化处理形成包括至少一凹槽的金属导电层；
其中，所述凹槽的深度小于所述金属导电层的厚度。
有益效果：本申请通过在绑定端子的金属导电层上设置凹槽，增加了绑定端子与导电胶的纵向接触面积，增强了覆晶薄膜与绑定端子的附着力，提高了显示面板的产品质量。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请的显示面板的绑定区的俯视图。
图2为本申请的显示面板的绑定区的第一种结构示意图。
图3为本申请的显示面板的绑定区的第二种结构示意图。
图4为本申请的显示面板的绑定区的第三种结构示意图。
图5为本申请的显示面板的绑定区的第四种结构示意图。
图6为本申请的显示面板的绑定区的第五种结构示意图。
图7a～7d为本申请的显示面板的制作方法的工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
现有的窄边框显示面板由于绑定区面积的减小导致覆晶薄膜与绑定端子之间附着力减小，难以满足产品要求，影响产品质量。基于此，本申请提出了一种显示面板及其制作方法。
请参阅图1至图6，所述显示面板包括显示区以及远离所述显示区一侧的绑定区101，所述绑定区101内设置有第一衬底105以及位于所述第一衬底105上的至少一绑定端子102，所述绑定端子102包括至少一金属导电层103，所述金属导电层103包括至少一凹槽104；
其中，所述凹槽104的深度小于所述金属导电层103的厚度。
本申请通过在所述绑定端子102的所述金属导电层103上设置所述凹槽104，增加了所述绑定端子102与导电胶的纵向接触面积，增强了覆晶薄膜与所述绑定端子102的附着力，提高了所述显示面板的产品质量。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
请参阅图2至图4，所述凹槽104远离所述第一衬底105的第一侧在第一方向上的宽度小于所述凹槽104靠近所述第一衬底105的第二侧在所述第一方向上的宽度；或者，所述第一侧在所述第一方向上的宽度大于所述第二侧在所述第一方向上的宽度；
其中，所述第一方向与所述显示面板的扫描线或数据线的延伸方向平行。
本实施例中，当所述凹槽104远离所述第一衬底105的第一侧在所述第一方向上的宽度小于所述凹槽104靠近所述第一衬底105的第二侧在所述第一方向上的宽度时，由于所述第一侧的宽度小于所述第二侧，有利于将导电胶固定于所述凹槽104内，增强覆晶薄膜与所述绑定端子102的附着力。
本实施例中，所述凹槽104包括远离所述第一衬底105一侧的第一开口106以及第二开口107，所述第二开口107位于所述第一开口106内。
本实施例中，所述凹槽104通过所述第一开口106与所述第二开口107的设置，利用所述第二开口107位于所述第一开口106内而形成阶梯结构，增加了所述凹槽104内的所述金属导电层103的表面积，有利于增大所述金属导电层103与导电胶的接触面积，从而增强覆晶薄膜与所述绑定端子102的附着力，提高所述显示面板的产品质量。
同理，所述凹槽104设置的开口可以多于两个，从而形成多层阶梯结构，进一步增大所述凹槽104内的所述金属导电层103的表面积，以增强覆晶薄膜与所述绑定端子102的附着力。
本实施例中，所述金属导电层103靠近所述凹槽104的一侧还可以包括多个第一凸起和/或多个第一凹面，通过所述第一凸起和/或所述第一凹面的设置，同样增加了所述凹槽104内的所述金属导电层103的表面积，有利于增大所述金属导电层103与导电胶的接触面积，从而增强覆晶薄膜与所述绑定端子102的附着力，提高所述显示面板的产品质量。
本实施例中，所述凹槽104与所述金属导电层103的侧边的间距大于0。当存在所述凹槽104与所述金属导电层103的侧边的间距为0时，即存在所述凹槽104位于所述金属导电层103的侧边时，位于所述金属导电层103的侧边的所述凹槽104内的所述金属导电层103的表面积小于位于所述金属导电层103其他区域的所述凹槽104内的所述金属导电层103的表面积，且相较于位于所述金属导电层103其他区域的所述凹槽104，更易发生所述金属导电层103与导电胶的分离，不利于增强覆晶薄膜与所述绑定端子102之间的附着力，从而提高所述显示面板的产品质量。
本实施例通过在所述绑定端子102的所述金属导电层103上设置所述凹槽104，增加了所述绑定端子102与导电胶的纵向接触面积，增强了覆晶薄膜与所述绑定端子102的附着力，提高了所述显示面板的产品质量。
实施例二
请参阅图5，本实施例与实施例一相同或相似，不同之处在于：
本实施例中，所述金属导电层103包括位于所述第一衬底105上的第一金属导电层108以及位于所述第一金属导电层108上的第二金属导电层109，所述第二金属导电层109的金属的电极电势大于所述第一金属导电层108的金属的电极电势。
本实施例中，所述第二金属导电层109的金属的电极电势大于所述第一金属导电层108的金属的电极电势，因此，所述第二金属导电层109的抗氧化性强于所述第一金属导电层108的抗氧化性，所述第二金属导电层109对所述第一金属导电层108起到保护作用。
本实施例中，所述金属导电层103可以仅包括一层金属，该层金属的材料可以为铜、铝等具有导电功能的金属。
本实施例中，所述金属导电层103可以包括两层金属，其中一层金属可以为铜，另一层金属可以为钼或钼钛合金。
本实施例中，所述金属导电层103可以包括三层金属，在第一层金属为铜，第二层金属为钼或钼钛合金的基础上，第三层金属可以为钼钛合金。
当所述金属导电层103为两层金属时，由于所述金属导电层103远离所述第一衬底105的一侧需要裸露并与导电胶接触，因此，位于所述第一金属导电层108上的所述第二金属导电层109的抗氧化性强于所述第一金属导电层108，有利于避免所述金属导电层103的氧化影响所述金属导电层103与覆晶薄膜的电连接。此时，所述第一金属导电层108的材料可以为铜，所述第二金属导电层109的材料可以为钼或钼钛合金。
本实施例中，所述绑定端子102还包括位于所述金属导电层103上的金属氧化物层。
本实施例中，所述金属氧化物层的材料可以为氧化铟锡等导电金属氧化物材料。
当所述金属导电层103为一层金属，且所述金属导电层103的材料为铜时，或所述金属导电层103为两层金属，且所述第二金属导电层109的材料为铜时，由于铜易受到氧化，因此，通过在所述金属导电层103上设置金属氧化物层，对易受氧化的金属材料进行保护，有利于防止所述金属导电层103的氧化影响所述金属导电层103与覆晶薄膜的电连接，有利于延长所述显示面板的使用寿命，提高所述显示面板的产品质量。
本实施例中，所述金属氧化物层包括至少一第四开口，导电胶通过所述第四开口与所述金属导电层103电接触。
当所述绑定端子102包括位于所述金属导电层103上的所述金属氧化物层时，通过所述第四开口的设置，导电胶与所述金属导电层103直接接触，有利于降低电阻，节省所述显示面板的用电量。同时，通过所述第四开口，进一步增大了导电胶与所述绑定端子102的接触面积，有利于提高所述绑定端子102与覆晶薄膜的附着力，提高所述显示面板的产品质量。此外，当所述第四开口在所述金属导电层103上的正投影位于所述凹槽104内时，所述第四开口可以与所述凹槽104在同一工序中形成，有利于简化所述显示面板的制程工艺，节约所述显示面板的制造成本。
本实施例中，当所述金属导电层103包括所述第一金属导电层108以及位于所述第一金属导电层108上的所述第二金属导电层109时，所述凹槽104的深度可以小于或等于所述第二金属导电层109的厚度。由于所述第二金属导电层109的抗氧化性强于所述第一金属导电层108的抗氧化性，因此，使所述凹槽104的深度小于所述第二金属导电层109的厚度以避免所述第一金属导电层108裸露致其氧化，有利于在增加所述金属导电层103与导电胶的接触面积以增强覆晶薄膜与所述绑定端子102之间的附着力的同时，防止所述金属导电层103发生氧化而影响覆晶薄膜与所述绑定端子102的电连接。
本实施例中，当所述金属导电层103包括所述第一金属导电层108以及位于所述第一金属导电层108上的所述第二金属导电层109时，所述凹槽104的深度可以大于所述第二金属层的厚度。由于所述第一金属导电层108的导电性通常优于所述第二金属导电层109的导电性，通过所述凹槽104的深度大于所述第二金属层的厚度，有利于增强所述绑定端子102的导电性。
本实施例通过所述第二金属导电层109的金属的电极电势大于所述第一金属导电层108的金属的电极电势的设置，有利于在增强所述绑定端子102与覆晶薄膜之间的附着力的同时避免所述金属导电层103的氧化，延长了所述显示面板的使用寿命并提高了所述显示面板的产品质量。
实施例三
请参阅图6，本实施例与实施例一、实施例二相同或相似，不同之处在于：
本实施例中，所述绑定端子102还包括位于所述金属导电层103上的粘结层110，所述粘结层110与所述金属导电层103的附着力大于所述金属导电层103与导电胶的附着力。
本实施例中，所述粘结层110的材料为导电材料。
或者，所述粘结层110的厚度小于所述凹槽104的深度。
本实施例中，所述粘结层110包括至少两个第三开口，所述金属导电层103通过所述第三开口与所述导电胶电连接。
本实施例中，所述粘结层110远离所述第一衬底105的一侧可以包括至少一多孔材料层，所述导电胶靠近所述多孔材料层的一侧渗透于所述多孔材料层内。
通过所述多孔材料层的设置，所述导电胶在固化过程中向所述粘结层110渗透，并使所述导电胶靠近所述多孔材料层的一侧固化于所述多孔材料层内，有利于增强所述粘结层110与所述导电胶的附着力，从而增强所述绑定端子102与覆晶薄膜之间的附着力。
本实施例中，所述绑定端子102还包括位于所述金属导电层103上的隔热层，所述隔热层用于阻挡所述金属导电层103与导电胶之间的热传递。
本实施例中，由于导电胶在固化中需要加热至一定温度，而金属导电层103的材料为金属材料，易于导热，使得导电胶固化所需的加热时间延长且加热温度升高。长时间的高温容易加速所述金属导电层103的氧化并影响显示面板内其他不耐高温的部件的质量。通过隔热层的设置，有利于阻隔在导电胶高温固化时产生的热量向所述金属导电层103的传递，加速所述导电胶的固化升温，减少高温固化所需时间。同时，由于导电胶多为聚合物材料，当显示面板长时间工作后，来自所述金属导电层103的热量易导致导电胶的软化从而导致导电胶与所述金属导电层103之间附着力的下降。此时，通过所述隔热层的设置，避免了热量从所述金属导电层103向导电胶的传递，避免了导电胶与所述金属导电层103之间的附着力由于显示面板的长时间工作而降低。
本实施例通过所述粘结层110的设置增强了所述金属导电层103与导电胶之间的附着力，从而增强了覆晶薄膜与所述绑定端子102的附着力，提高了所述显示面板的产品质量。
请参阅图1，上述实施例中，在所述第一方向上，所述绑定区101内的所述凹槽104的分布密度先减小后增大；或者，在所述第一方向上，所述绑定区101内的所述凹槽104的表面积先减小后增。所述绑定区101内的所述绑定端子102与覆晶薄膜的分离更易发生在所述绑定区101的边缘。因此，为了增强易发生分离的区域的所述绑定端子102与覆晶薄膜的附着力，位于所述绑定区101的中心区域内的所述凹槽104的分布密度小于位于所述绑定区101的外围区域内的所述凹槽104的分布密度，或者，位于所述绑定区101的中心区域内的所述凹槽104的表面积小于位于所述绑定区101的外围区域内的所述凹槽104的表面积。
上述实施例中，所述凹槽104关于所述绑定区101的中轴线呈对称设置。所述凹槽104为所述金属导电层103与导电胶的接触面积增加处，即为所述绑定端子102与覆晶薄膜的附着力增强点，通过将所述绑定区101内的所述凹槽104关于所述绑定区101的所述中轴线进行对称设置，使所述绑定端子102与覆晶薄膜的附着力增强点对称分布，有利于避免所述凹槽104在所述绑定区101内的不对称、不均匀分布导致所述绑定区101内位于所述中轴线的其中一侧内所述凹槽104分布较少而更易发生分离。
上述实施例中，所述凹槽104的深度为所述金属导电层103的厚度的24％至72％，优选为30％至60％。当所述凹槽104的深度小于所述金属导电层103的厚度的24％时，所述凹槽104的深度过小，所述金属导电层103与导电胶增加的接触面积过小，难以提升所述绑定端子102与覆晶薄膜的附着力；当所述凹槽104的深度大于所述金属导电层103的厚度的72％时，所述凹槽104的深度过深，导电胶的厚度有限，难以完全填充所述凹槽104，所述金属导电层103与导电胶之间存在空隙，导致所述金属导电层103发生氧化或所述金属导电层103与导电胶接触不良，影响所述绑定端子102与覆晶薄膜的电连接；当所述凹槽104的深度为所述金属导电层103厚度的30％至60％时，所述凹槽104的深度既能有效提升所述绑定端子102与覆晶薄膜的附着力，也不会因为过深而使所述金属导电层103与导电胶之间存在空隙，影响所述绑定端子102与覆晶薄膜的电连接。
请参阅图7a至图7d，本申请还提出了一种显示面板的制作方法，包括：
S100、在第一衬底105上形成一金属材料层。
S200、所述金属材料层经图案化处理形成包括至少一凹槽104的金属导电层103。
其中，所述凹槽104的深度小于所述金属导电层103的厚度。
本实施例中，所述显示面板还包括栅极层以及位于所述栅极层上的源漏极层，所述金属导电层103可以与所述栅极层或所述源漏极层同层设置。
当所述金属导电层103与所述栅极层或所述源漏极层同层设置时，所述金属导电层103可以与所述栅极层或所述源漏极层在使用同材料、在同一工序中形成。
此时，步骤S200包括：
S210、在所述金属材料层上形成一光阻材料层。
S220、所述光阻材料层经第一图案化处理处理形成无光阻区、第一光阻区第二光阻区以及第三光阻区。
本实施例中，步骤S220包括：
S221、利用一多段式掩膜版对所述光阻材料层曝光。
S222、所述光阻材料层经显影后形成所述无光阻区、所述第一光阻区、所述第二光阻区以及所述第三光阻区。
本实施例中，所述多段式掩膜版包括第一穿透区、第二穿透区以及第三穿透区，所述第一穿透区的光透过率为0％，所述第三穿透区的光透过率为100％，所述第二穿透区的光透过率位于所述第一穿透区的光透过率与所述第三穿透区的光透过率之间，优选为30％至60％。
其中，所述第一穿透区与所述第一光阻区对应，所述第二穿透区与所述第二光阻区对应，所述第三穿透区与所述无光阻区对应。所述第三光阻区可以与所述第一穿透区对应也可以与所述第三穿透区对应。
所述第一光阻区内的光阻材料的厚度大于所述第二光阻区内的光阻材料。
本实施例中，所述无光阻区以及所述第三光阻区与所述显示面板的显示区对应，所述第一光阻区以及所述第二光阻区与所述显示面板的绑定区对应。
S223、所述无光阻区以及所述第三光阻区对应的所述金属材料层经第一预设工艺处理形成所述栅极层或源漏极层。
本实施例中，所述第一预设工艺可以为湿法刻蚀工艺。
本实施例中，所述第一预设工艺可以对所述无光阻区对应的所述金属材料层进行一定程度的过刻处理，以保证所述无光阻区对应的所述金属材料层的完全去除。过刻量优选为30％至100％。
S224、对所述第一光阻区以及所述第二光阻区内的光阻材料进行灰化处理，去除所述第二光阻区内的所述光阻材料，保留所述第一光阻区内的部分所述光阻材料。
本实施例中，可以利用氧气对所述第一光阻区以及所述第二光阻区内的光阻材料进行灰化处理，以去除所述第二光阻区内的所述光阻材料，保留所述第一光阻区内的部分所述光阻材料。
S225、所述第一光阻区以及所述第二光阻区对应的所述金属材料层经第二预设工艺处理形成所述金属导电层103。
本实施例中，所述第二预设工艺可以为湿法刻蚀工艺。
本实施例中，所述第二光阻区对应的金属材料层经所述第二预设工艺处理形成所述凹槽104。
本实施例中，所述凹槽104的深度为所述金属导电层103的厚度的24％至72％，优选为30％至60％。当所述凹槽104的深度小于所述金属导电层103的厚度的24％时，所述凹槽104的深度过小，所述金属导电层103与导电胶增加的接触面积过小，难以提升所述绑定端子102与覆晶薄膜的附着力；当所述凹槽104的深度大于所述金属导电层103的厚度的72％时，所述凹槽104的深度过深，导电胶的厚度有限，难以完全填充所述凹槽104，所述金属导电层103与导电胶之间存在空隙，导致所述金属导电层103发生氧化或所述金属导电层103与导电胶接触不良，影响所述绑定端子102与覆晶薄膜的电连接；当所述凹槽104的深度为所述金属导电层103厚度的30％至60％时，所述凹槽104的深度既能有效提升所述绑定端子102与覆晶薄膜的附着力，也不会因为过深而使所述金属导电层103与导电胶之间存在空隙，影响所述绑定端子102与覆晶薄膜的电连接。
S226、去除所述第一光阻区内的所述光阻材料。
本实施例中，所述第三光阻区内的所述光阻材料以在步骤S224中经灰化处理与所述第二光阻区内的所述光阻材料一同去除，也可以在步骤S226中与所述第一光阻区内的所述光阻材料一同去除。
本实施例中，当绑定端子102还包括位于所述金属导电层103上的金属氧化物层时，所述显示面板的制作方法还包括：S300、在所述金属导电层103上形成一导电金属氧化物材料层。
S400、所述导电金属氧化物材料层经第三预设工艺处理形成所述金属氧化物层。
本实施例中，所述金属氧化物层的材料可以为氧化铟锡等导电金属氧化物材料。
本实施例中，所述金属导电层103可以仅包括一层金属，该层金属的材料可以为铜、铝等具有导电功能的金属。
本实施例中，所述金属导电层103可以包括两层金属，其中一层金属可以为铜，另一层金属可以为钼或钼钛合金。
本实施例中，所述金属导电层103可以包括三层金属，在第一层金属为铜，第二层金属为钼或钼钛合金的基础上，第三层金属可以为钼钛合金。
本申请提出的显示面板的制作方法，在所述绑定端子102的所述金属导电层103上形成凹槽104，增加了所述绑定端子102与导电胶的纵向接触面积，增强了覆晶薄膜与所述绑定端子102的附着力，提高了显示面板的产品质量。
本申请提出了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括显示区以及远离显示区一侧的绑定区，绑定区内设置有第一衬底以及位于第一衬底上的至少一绑定端子，绑定端子包括至少一金属导电层，金属导电层包括至少一凹槽。其中，凹槽的深度小于金属导电层的厚度。本申请通过在绑定端子的金属导电层上设置凹槽，增加了绑定端子与导电胶的纵向接触面积，增强了覆晶薄膜与绑定端子的附着力，提高了显示面板的产品质量。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (7)
1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区以及远离所述显示区一侧的绑定区，所述绑定区内设置有第一衬底以及位于所述第一衬底上的至少一绑定端子，所述绑定端子包括至少一金属导电层，所述金属导电层包括至少一凹槽；
其中，所述凹槽的深度小于所述金属导电层的厚度；
所述绑定端子还包括位于所述金属导电层上的金属氧化物层；
所述金属氧化物层的材料为导电金属氧化物材料；所述凹槽包括远离所述第一衬底一侧的第一开口以及第二开口，所述第二开口位于所述第一开口内，所述第一开口与所述第二开口形成阶梯结构，所述绑定端子还包括位于所述金属导电层上的粘结层，所述粘结层与所述金属导电层的附着力大于所述金属导电层与导电胶的附着力，所述粘结层包括远离所述第一衬底一侧的多孔材料层，所述导电胶靠近所述多孔材料层的一侧渗透于所述多孔材料层内，所述绑定端子还包括位于所述金属导电层上的隔热层，所述隔热层用于阻挡所述金属导电层与导电胶之间的热传递。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽远离所述第一衬底的第一侧在第一方向上的宽度小于所述凹槽靠近所述第一衬底的第二侧在所述第一方向上的宽度；或者，所述第一侧在所述第一方向上的宽度大于所述第二侧在所述第一方向上的宽度；
其中，所述第一方向与所述显示面板的扫描线或数据线的延伸方向平行。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述第一方向上，所述绑定区内的所述凹槽的分布密度先减小后增大；或者，
在所述第一方向上，所述绑定区内的所述凹槽的表面积先减小后增大。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽关于所述绑定区的中轴线呈对称设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属导电层包括位于所述第一衬底上的第一金属导电层以及位于所述第一金属导电层上的第二金属导电层，所述第二金属导电层的金属的电极电势大于所述第一金属导电层的金属的电极电势。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述粘结层的材料为导电材料；或者，所述粘结层包括至少两个第三开口，所述金属导电层通过所述第三开口与所述导电胶电连接。
7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，制备如权利要求1至6任一所述的显示面板，所述显示面板的制作方法包括：
在第一衬底上形成一金属材料层；
所述金属材料层经图案化处理形成包括至少一凹槽的金属导电层；
在所述金属导电层上形成一导电金属氧化物材料层；
所述导电金属氧化物材料层经第三预设工艺处理形成金属氧化物层；
其中，所述凹槽的深度小于所述金属导电层的厚度；
所述金属氧化物层的材料为导电金属氧化物材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110016831.8A CN112701129B (zh) | 2021-01-07 | 2021-01-07 | 显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110016831.8A CN112701129B (zh) | 2021-01-07 | 2021-01-07 | 显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112701129A CN112701129A (zh) | 2021-04-23 |
| CN112701129B true CN112701129B (zh) | 2023-10-31 |
Family
ID=75514986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110016831.8A Active CN112701129B (zh) | 2021-01-07 | 2021-01-07 | 显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112701129B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113299706A (zh) * | 2021-05-11 | 2021-08-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN113870732B (zh) * | 2021-09-30 | 2024-02-02 | 惠科股份有限公司 | 显示装置 |
| CN114779508B (zh) * | 2022-04-08 | 2024-02-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示装置及其制造方法、拼接显示装置 |
| CN115657352A (zh) * | 2022-11-01 | 2023-01-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102789979A (zh) * | 2012-08-22 | 2012-11-21 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 肖特基二极管及其形成方法 |
| CN104752465A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 顶发射有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法 |
| CN106158612A (zh) * | 2015-04-14 | 2016-11-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
| CN108255338A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性触摸屏、触摸面板、触摸基板及其制作方法 |
| CN108682659A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-10-19 | 江苏芯澄半导体有限公司 | 一种用于新能源汽车的宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构 |
| CN109473038A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-03-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板组件及显示装置 |
| CN109742106A (zh) * | 2019-01-03 | 2019-05-10 | 重庆京东方显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110429089A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动背板及其制作方法、显示装置 |
| CN110993777A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示驱动板及其制备方法和显示装置 |
| CN210324155U (zh) * | 2019-09-18 | 2020-04-14 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 触控面板及触控显示装置 |
| CN111293153A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-06-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板制程方法 |
| CN211047373U (zh) * | 2019-11-05 | 2020-07-17 | 深南电路股份有限公司 | 电子装置及其印刷电路板 |
| CN111584562A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN111599822A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示装置 |
| CN111696944A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-09-22 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 一种键合晶圆及晶圆键合方法 |
| CN111736396A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106356380B (zh) * | 2016-11-11 | 2019-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性tft基板及其制作方法 |
| KR102385098B1 (ko) * | 2017-05-16 | 2022-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN112771996A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-05-07 | 富士胶片株式会社 | 电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体 |
-
2021
- 2021-01-07 CN CN202110016831.8A patent/CN112701129B/zh active Active
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102789979A (zh) * | 2012-08-22 | 2012-11-21 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 肖特基二极管及其形成方法 |
| CN104752465A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 顶发射有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法 |
| CN106158612A (zh) * | 2015-04-14 | 2016-11-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
| CN108255338A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性触摸屏、触摸面板、触摸基板及其制作方法 |
| CN108682659A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-10-19 | 江苏芯澄半导体有限公司 | 一种用于新能源汽车的宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构 |
| CN109473038A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-03-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板组件及显示装置 |
| CN109742106A (zh) * | 2019-01-03 | 2019-05-10 | 重庆京东方显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110429089A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动背板及其制作方法、显示装置 |
| CN210324155U (zh) * | 2019-09-18 | 2020-04-14 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 触控面板及触控显示装置 |
| CN211047373U (zh) * | 2019-11-05 | 2020-07-17 | 深南电路股份有限公司 | 电子装置及其印刷电路板 |
| CN110993777A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示驱动板及其制备方法和显示装置 |
| CN111293153A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-06-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板制程方法 |
| CN111584562A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN111599822A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示装置 |
| CN111736396A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
| CN111696944A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-09-22 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 一种键合晶圆及晶圆键合方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112701129A (zh) | 2021-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112701129B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| US6888585B2 (en) | Control signal unit for a liquid crystal display | |
| CN112103326A (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| CN110119054B (zh) | 显示面板 | |
| CN1980519B (zh) | 用于显示装置的防静电组件及其制造方法 | |
| CN108550588B (zh) | 显示面板、显示面板的制造方法和显示装置 | |
| EP3664137B1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
| CN111524859B (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN111864067A (zh) | 可拉伸显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| US20210408053A1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof | |
| JP2006047827A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| US11428996B2 (en) | Display device | |
| CN111463252B (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN108598039B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| TW201030431A (en) | Pixel and method for fabricating the same | |
| CN106206603A (zh) | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 | |
| CN113325636B (zh) | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 | |
| JPH0618912A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| CN113725155A (zh) | 缺陷点的修补方法、阵列基板和显示面板 | |
| JPH06326130A (ja) | 平坦化方法と平坦化素子 | |
| CN112838051B (zh) | 驱动电路板的制作方法 | |
| CN112309967A (zh) | 背光模组及其制作方法 | |
| CN110867411B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN106935599A (zh) | 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 | |
| CN114784054A (zh) | 显示面板及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |