CN112771996A - 电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体 - Google Patents
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Abstract
本发明能够提供一种电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体，所述电子器件层叠体的制造方法中，在用阻气膜密封有机EL器件等电子器件时，能够减小粘接剂层的厚度以防止元件的劣化且能够制作高挠性的电子器件层叠体。所述电子器件层叠体的制造方法包括：准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有：依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层及在密封层的有机层侧以能够从密封层剥离的方式层叠的基板；热压接工序，使热熔接层侧朝向元件形成面侧而将阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及剥离工序，从密封层剥离基板，无机层的厚度为100nm以下，热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体。
背景技术
有机EL(电致发光)材料对水分非常弱。因此，通常已知在使用了有机EL材料的有机EL器件中，用具有阻气性的钝化膜密封有机EL元件。并且，作为钝化膜的形成材料，例示有显现阻气性的氮化硅、氧化硅及氧氮化硅等无机材料。
然而，由于有机EL材料不耐于热，因此钝化膜必须以低能量形成，以免在形成钝化膜时对有机EL材料造成损伤。因此，为了用钝化膜获得充分的阻气性，需要制成厚的钝化膜、或者形成多层钝化膜。然而，若加厚钝化膜或者形成多层钝化膜，则会导致柔性差。
相对于此，提出了使用了高阻气性能的粘接剂的密封方法。使用高阻气性能的粘接剂的方法比用钝化膜的密封更灵活。
然而，在使粘接剂层本身具有阻气性的结构中，阻气性低于具有无机层作为阻气层的结构，因此在用于要求窄边框化的显示器等的有机EL器件中无法充分地保护有机EL元件而导致有机EL元件劣化。
并且，有可能由于粘接剂中所含的水分及残余溶剂等的影响而导致有机EL元件劣化。
并且，作为高柔性的有机EL器件的结构，提出了使用经由粘接剂(粘合剂)来贴合阻气膜的密封方法。使用阻气膜的方法中，在与有机EL元件不同的基板上形成显现阻气性的氮化硅、氧化硅及氧氮化硅等的无机层，因此能够以高能量形成无机层，因此能够形成薄且具有高阻气性的无机层。因此，关于通过使用阻气膜密封有机EL元件的方法制作的有机EL器件，能够制成比通过用钝化膜密封有机EL元件的方法制作的有机EL器件柔性优异的有机EL器件。因此，通过与使用树脂薄膜作为元件基板的结构组合，能够制成具有柔性的有机EL显示器及形成为三维曲面的有机EL器件。
并且，使用阻气膜的方法中，生产率也比利用钝化膜的密封优异。
例如，在专利文献1中记载了一种有机EL层叠体，其是通过粘接剂来将具有使用有机EL材料的发光元件及覆盖该发光元件的钝化膜的有机EL器件与透明的密封基板进行粘接而成，所述有机EL层叠体中，有机EL器件为朝向密封基板侧进行发光的顶部发光型，密封基板为在支撑体上具有1个以上的无机膜与成为该无机膜的基底的有机膜的组合的、表层为无机膜的阻气膜，使钝化膜与表层的无机膜对置而通过粘接剂来将有机EL器件与阻气膜进行粘接，粘接剂填充于钝化膜与表层的无机膜之间的整个区域中，进而，有机EL器件的端部中的、钝化膜与表层的无机膜之间的间隙比发光元件的位置上的、钝化膜与表层的无机膜之间的间隙窄。
并且，在专利文献2中记载了一种阻气膜，其具有：基板；阻气层，设置于基板的一个面的、具有1个以上的无机层及成为无机层的形成面的有机层的组合；及剥离有机层，设置于基板与阻气层之间，且与有机层粘附，并且用于从基板剥离。在专利文献2中记载了将阻气层从该阻气膜经由粘接层而转印到有机EL元件上并进行密封。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-186850号公报
专利文献2：日本特开2017-043062号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
然而，在经由粘接剂贴合阻气膜的密封方法中，水分从粘接剂层的端面侵入成为问题。
相对于此，在专利文献1中记载了：通过使端部中的粘接剂层的厚度(钝化膜与无机膜之间的间隙)比发光元件(有机EL元件)的位置上的厚度(钝化膜与无机膜之间的间隙)窄来抑制水分从粘接剂层的端面侵入。
然而，专利文献1中所记载的贴合方法中，即使粘接剂层的厚度薄，也只能设为1μm左右，因此为了抑制由于从粘接剂层的端面侵入的水分而使有机EL元件劣化，需要设置阻气性高的钝化膜。因此，与仅具有钝化膜的结构相比，能够减小钝化膜的厚度，但是需要一定程度的厚度而难以获得更高的挠性。
并且，若粘接剂层厚，则有可能由于粘接剂中所含的水分及残余溶剂等的影响而导致有机EL元件劣化。
并且，即使在使用如专利文献2中所记载的转印型阻气膜的情况下，也具有与专利文献1相同的问题。
如上所述，为了抑制水分从粘接剂层的端面侵入，需要减小端面上的粘接剂层的厚度。并且，为了抑制粘接剂中所含的水分及残余溶剂等的影响，也需要进一步减小粘接剂层的厚度。
然而，在有机EL器件中，有机EL元件在元件基板上排列多个而形成，且有机EL器件的表面具有凹凸。在用阻气膜密封有机EL器件时，用阻气膜覆盖多个有机EL元件而进行密封。因此，对于具有凹凸的表面，需要将有机EL器件与阻气膜之间的间隙(粘接剂层的厚度)控制为更薄而贴合阻气膜，但是难以将贴合时的粘接剂层的厚度控制为薄。在专利文献1及专利文献2中未记载关于在将阻气膜贴合于这样的具有凹凸的表面上时，能够减小粘接剂层的厚度的贴合方法。
本发明的课题在于解决这样的问题，且提供一种电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体，所述电子器件层叠体的制造方法中，在用阻气膜密封有机EL器件等电子器件时，能够减小粘接剂层的厚度以防止元件的劣化且能够制作高挠性的电子器件层叠体。
用于解决技术课题的手段
本发明通过以下结构来解决课题。
[1]一种电子器件层叠体的制造方法，其包括：
准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有：依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层及在密封层的有机层侧以能够从密封层剥离的方式层叠的基板；
热压接工序，使热熔接层侧朝向元件形成面侧而将阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及
剥离工序，从密封层剥离基板，
无机层的厚度为100nm以下，
热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃。
[2]根据[1]所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
在热压接工序中，调节加热温度和所加压的压力，以使热压接后的、端部中的无机层与电子器件之间的距离小于100nm。
[3]根据[1]或[2]所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
电子器件为有机电致发光器件。
[4]根据[1]至[3]中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
在热压接工序中，使用辊进行对阻气膜的加热及加压。
[5]根据[1]至[4]中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
在热压接工序中，从基板侧进行加热。
[6]根据[5]所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
在热压接工序中，从电子器件侧进行加热。
[7]根据[6]所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
基板侧的加热温度高于电子器件侧的加热温度。
[8]根据[1]至[7]中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
基板为三乙酰纤维素薄膜。
[9]根据[1]至[8]中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
基板的厚度为0.1μm～100μm。
[10]一种电子器件层叠体，其具有：
电子器件，元件形成面具有凹凸；及
转印层，依次具有层叠于元件形成面上的热熔接层、无机层及有机层，
无机层的厚度为100nm以下，
热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃，
端部中的无机层与电子器件之间的距离为100nm以下。
[11]根据[10]所述的电子器件层叠体，其中，
电子器件为有机电致发光器件。
发明效果
根据本发明，能够提供一种电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体，所述电子器件层叠体的制造方法中，在用阻气膜密封有机EL器件等电子器件时，能够减小粘接剂层的厚度以防止元件的劣化且能够制作高挠性的电子器件层叠体。
附图说明
图1是示意性地表示用于本发明的电子器件层叠体的制造方法的转印型阻气膜的一例的剖视图。
图2是用于说明本发明的电子器件层叠体的制造方法的一例的图。
图3是用于说明本发明的电子器件层叠体的制造方法的一例的图。
图4是用于说明本发明的电子器件层叠体的制造方法的一例的图。
图5是示意性地表示通过本发明的电子器件层叠体的制造方法所制作的、本发明的电子器件层叠体的一例的剖视图。
具体实施方式
以下，根据附图，对本发明的电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体的实施方式进行说明。
[电子器件层叠体的制造方法]
本发明的电子器件层叠体的制造方法为如下电子器件层叠体的制造方法，其包括：
准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有：依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层及在密封层的有机层侧以能够从密封层剥离的方式层叠的基板；
热压接工序，使热熔接层侧朝向元件形成面侧而将阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及
剥离工序，从密封层剥离基板，
无机层的厚度为100nm以下，
热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃。
以下，参考图1～图5，对本发明的电子器件层叠体的制造方法的一例进行说明。
本发明的电子器件层叠体的制造方法(以下，还称为本发明的制造方法)包括：准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有：依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层及在密封层的有机层侧以能够从密封层剥离的方式层叠的基板(图1)；热压接工序，使热熔接层侧朝向元件形成面侧而将阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上(图2～图4)；及剥离工序，从密封层剥离基板(图4及图5)。
＜阻气膜＞
图1中示出示意性地表示用于本发明的电子器件层叠体的制造方法的阻气膜的剖视图。
图1所示的阻气膜40依次具有热熔接层30、无机层16、有机层14及基板32。热熔接层30、无机层16及有机层14为能够从基板32剥离的密封层12。即，阻气膜40形成为能够在基板32与有机层14的界面剥离。阻气膜40为能够将密封层12转印到电子器件上的转印型阻气膜。
阻气膜40中，无机层16为主要显现阻气性的层，有机层14为成为无机层16的基底层的层。并且，热熔接层30为在将阻气膜40贴合于电子器件上时通过加热而流动并显现粘接性的层。
其中，在本发明中，无机层16的厚度为100nm以下。
并且，热熔接层30的玻璃化转变温度Tg为20℃～180℃。
关于阻气膜40的各层，将在后面进行详细叙述。
＜热压接工序＞
热压接工序为将如上所述的阻气膜40压接于电子器件50的元件形成面上的工序。
在热压接工序中，首先，如图2所示，将在元件基板52上形成有多个有机EL(电致发光)元件54的电子器件(有机EL器件)50载置于工作台100上。并且，使阻气膜40的热熔接层30与电子器件50的有机EL元件54侧的面(以下，还称为元件形成面)对置。
接着，如图3所示，使用辊102，将阻气膜40压接于电子器件50上。此时，辊102具有加热机构，且通过辊102来对阻气膜40进行加热并且进行加压。
并且，作为优选方式，载置电子器件50的工作台也具有加热机构，电子器件50侧也被加热。
通过在加压时对阻气膜40进行加热，热熔接层30流动而显现粘接性。由此，将阻气膜40贴合于电子器件50的元件形成面上(图4)。
其中，在使用以往的粘合层作为将阻气膜与电子器件进行粘接的材料的情况下，即使在贴合时进行加压或者加热，也无法大幅改变粘合层的厚度，因此难以使粘合层的厚度变得更薄。
另一方面，作为使粘接剂层的厚度变得更薄的方法，还考虑在将液态的粘接剂涂布于电子器件的元件形成面上之后，贴合阻气膜的方法，但是若在阻气膜的无机层暴露的状态下进行贴合，则有可能会导致无机层破裂并且导致阻气性降低。为了防止无机层的裂纹，设置由树脂而成的保护层时，能够防止无机层的裂纹，但是由于保护层变厚，因此难以追随电子器件的元件形成面的凹凸，并且由于保护层中所含的水分及残余溶剂等的影响而有可能会导致有机EL元件劣化。
相对于此，在本发明的制造方法中，作为将阻气膜40与电子器件50进行粘接的材料，使用玻璃化转变温度为20℃～180℃，且通过加热而溶解的热熔接层30。由此，在将阻气膜40贴合于电子器件50的元件形成面上时，热熔接层流动并流入元件形成面的凹部等而能够使热熔接层30的厚度非常薄，或者进而设为如热熔接层30分布在无机层16与电子器件50之间的状态，由此能够减小电子器件50的有机EL元件54与阻气膜40的无机层16之间的距离及端部中的电子器件50(元件基板52)与阻气膜40的无机层16之间的距离。
如此，本发明的制造方法能够使热压接后的端面上的无机层16与电子器件50之间的距离(热熔接层30的厚度)非常小，因此通过本发明的制造方法制作的电子器件层叠体10能够防止水分从热熔接层30的端面侵入并且能够防止有机EL元件54的劣化。
并且，热熔接层30在加热之前为固态，因此能够保护阻气膜40的无机层16，并且能够防止在输送时、贴合时等无机层16破裂。
并且，热熔接层30为热熔接的固态，因此能够设为不含残余溶剂及水分(少)。因此，能够防止由残余溶剂及水分引起的有机EL元件54的劣化。
并且，在将阻气膜40贴合于电子器件50的元件形成面上时，热熔接层流动并流入元件形成面的凹部，因此能够有效地去除在贴合时存在于阻气膜40与电子器件50之间的气体(空气)。因此，能够防止气体(空气)残留于所制作的电子器件层叠体10的元件形成面的凹部等。
并且，在本发明中，阻气膜40的无机层16的厚度为100nm以下且具有挠性，因此，即使在热压接工序中将阻气膜40压接于电子器件50的具有凹凸的元件形成面上的情况下，如图4所示，无机层16也不会破裂而能够根据元件形成面的凹凸进行弯曲，因此在端部能够弯曲成无机层16与电子器件50之间的距离减小。
并且，在本发明中，使用密封层12和基板32能够剥离的转印型阻气膜40作为阻气膜40。因此，在热压接工序中，将阻气膜40压接于电子器件50的元件形成面上时，基板32能够从密封层12部分地剥离，包含无机层16的密封层12容易追随元件形成面的凹凸。由此，能够进一步减小压接后的无机层16与电子器件50之间的距离。
并且，关于热熔接层30，只有进行了加热的部分显现流动性而可获得粘接性，因此能够贴合于任意部位。因此，例如，在由于电子器件50为三维形状而难以将密封层12进行整面贴合的情况下，能够仅使端部贴合，并以密封层12覆盖电子器件50的元件形成面的方式进行密封，或者能够根据元件的形状、物理性质等状态而追加转印到需要进一步提高阻隔性的部位并进行密封。
其中，在热压接工序中，优选调节加热温度及加压的压力，以使热压接后的、端部中的无机层16与电子器件50(元件形成面)之间的距离成为100nm以下。
通过将热压接后的、端部中的无机层16与电子器件50(元件形成面)之间的距离设为100nm以下，能够优选地防止水分从热熔接层30的端部侵入。
关于加热温度及加压的压力，根据热熔接层30的材料、厚度、基板32的厚度、硬度、电子器件50的凹凸的状态及所需的热熔接层的厚度等而适当地设定即可。
在热压接工序中，对阻气膜40的加热温度，优选为热熔接层30的玻璃化转变温度Tg以上，更优选为Tg+50℃～Tg+5℃，进一步优选为Tg+30℃～Tg+20℃。通过将对阻气膜40的加热温度设在上述范围内，能够在压接时使热熔接层30可靠地流动。
并且，如前述，在热压接工序中，可以对电子器件50进行加热。其中，若过度提高电子器件50侧的加热温度，则有可能会导致有机EL元件54破损。并且，在使用树脂薄膜作为元件基板52的情况下，元件基板52因热收缩等而变形，有可能无法与阻气膜40均匀地贴合。因此，在从电子器件50侧进行加热的情况下，电子器件50侧的加热温度优选低于阻气膜40侧的加热温度。具体而言，优选为Tg+10℃～Tg+5℃，更优选为Tg+5℃～Tg℃。
并且，在热压接工序中，对阻气膜40和电子器件50施加的压力优选为0.001MPa～5MPa，更优选为0.01MPa～1MPa，进一步优选为0.1MPa～0.5MPa。
通过将对阻气膜40和电子器件50施加的压力设为0.01MPa以上，能够使通过加热而流动的热熔接层30进行移动，并使阻气膜40的无机层16与电子器件50的元件形成面之间的距离靠近而减小热熔接层30的厚度。另一方面，若压力过高，则有可能会导致无机层16破裂、或者有机EL元件54破损。因此，压力优选设为5MPa以下。
并且，在图3所示的例子中，设为在热压接工序中使用辊作为将阻气膜40压接于电子器件50上的装置的结构，但是并不限定于此，能够使用基于活塞的加压装置、气囊型加压装置等公知的加压装置。
并且，在用辊进行加压的情况下，辊表面优选由具有柔软性的橡胶材料制成。通过使用表面由橡胶材料制成的辊，能够抑制阻气膜40的无机层16因电子器件50的元件形成面的凹凸而损伤，并能够将阻气膜40与电子器件50均匀地贴合。
并且，作为支撑电子器件50的背面侧的部件，平滑且刚性高即可，如图2所示，可以为载置面平坦的板状工作台，或者可以使用辊。在使用工作台的情况下，由于残留于电子器件50与工作台之间的空气，有可能无法将阻气膜40与电子器件50均匀地贴合。就该观点而言，优选使用辊。
并且，作为辊和/或工作台所具有的加热机构，并无特别限定，可以使用公知的加热机构。
并且，在图3所示的例子中，设为通过辊同时进行加热及加压的结构，但是并不限定于此，可以在对阻气膜进行加热之后进行压接。
并且，关于热压接工序，优选减压至大气压以下来进行。通过在减压下进行热压接工序来将阻气膜40与电子器件50进行贴合时，能够抑制空气残留于阻气膜40与电子器件50之间。
＜剥离工序＞
如图5所示，关于剥离工序，在热压接工序之后从密封层12剥离阻气膜40的基板32。能够减小通过剥离基板32所制作的电子器件层叠体10整体的厚度而提高挠性。
关于本发明的制造方法，通过实施以上各工序，能够制作如图5所示的电子器件层叠体10。
[电子器件层叠体]
通过本发明的制造方法制作的本发明的电子器件层叠体具有：
电子器件，元件形成面具有凹凸；及
转印层，依次具有层叠于元件形成面上的热熔接层、无机层及有机层，
无机层的厚度为100nm以下，
热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃，
端部中的无机层与电子器件之间的距离为100nm以下。
图5所示的电子器件层叠体10具备：电子器件(有机EL器件)50，具有元件基板52及有机EL元件54；及密封层12，具有热熔接层30、无机层16及有机层14。
密封层12通过热熔接层30与电子器件50的形成有有机EL元件54的面(元件形成面)接触而层叠于电子器件50上。
其中，在电子器件层叠体10中，无机层16的厚度为100nm以下。通过将无机层16的厚度设为100nm以下，能够提高无机层16的挠性，并追随电子器件50的元件形成面的凹凸而进行弯曲。因此，能够减小端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，能够防止水分从热熔接层30的端部侵入。
并且，在电子器件层叠体10中，热熔接层30的玻璃化转变温度为20℃～180℃。由于玻璃化转变温度在上述范围内的热熔接层30通过加热而溶解，因此如上述的制造方法那样对热熔接层30进行加热而使其流动，由此能够减小无机层16与电子器件50之间的距离。
并且，在电子器件层叠体10中，通过将端部中的无机层16与电子器件50之间的距离、即热熔接层30的厚度设为100nm以下，能够抑制水分从热熔接层30的端面侵入。
另外，关于端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，能够通过在厚度方向上切断电子器件层叠体10并利用显微镜、SEM(扫描型电子显微镜)、显微镜(Microscope)等观察截面来进行测定。
以下，对构成电子器件层叠体的部位及基板进行详细说明。
＜基板＞
关于基板32，能够使用在各种阻气膜及各种层叠型功能性薄膜等中用作基板(支撑体)的、公知的片状物(薄膜、板状物)。
并且，关于基板32，还能够利用在各种光学透明粘接剂(OCA(Optical ClearAdhesive：光学胶))中用作隔板(轻剥离隔板及重剥离隔板)的各种片状物。
对于基板32的材料，并无限制，只要是能够形成有机层14、无机层16及热熔接层30，进而不溶解于用于形成有机层14的组合物中所含的溶剂的材料，则能够利用各种材料。作为基板32的材料，可以优选地例示各种树脂材料。
作为基板32的材料，例如，可举出聚乙烯(PE)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酰胺(PA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰亚胺(PI)、透明聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸盐、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、环烯烃共聚物(COC)、环烯烃聚合物(COP)、三乙酰纤维素(TAC)及乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)等。
其中，就容易形成为能够在与有机层14的界面剥离的观点而言，优选使用三乙酰纤维素(TAC)作为基板32的材料。
关于基板32的厚度，能够根据用途及材料等而适当地设定。
对于基板32的厚度，并无限制，但是就能够充分地确保转印型阻气膜的机械强度、可获得挠性(柔性)良好的转印型阻气膜、可实现转印型阻气膜的轻量化及薄化、可获得在转印时能够从密封层12轻易地剥离的转印型阻气膜、在热压接工序中容易追随电子器件50的元件形成面的凹凸等的观点而言，优选为120μm～5μm，更优选为100μm～15μm。
＜有机层＞
有机层14为构成密封层12的层，且为成为用于适当地形成无机层16的基底层的层。并且，有机层14为以能够剥离的方式贴附有基板32的有机层。即，有机层14为能够从基板32剥离的有机层。因此，有机层14与无机层16的粘附力比基板32与有机层14的粘附力强。
虽然将在后面叙述，但是形成于有机层14的表面上的无机层16优选为通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积法)来形成。因此，在形成无机层16时，通过等离子体蚀刻有机层14，在有机层14与无机层16之间，形成具有有机层14的成分和无机层16的成分的、如混合层的层。其结果，有机层14与无机层16以非常强的粘附力而粘附。
因此，有机层14与无机层16的粘附力比基板32与有机层14的粘附力强得多，即使从有机层14剥离基板32，有机层14和无机层16也难以剥离。
另外，有机层14的厚度是指不包括上述混合层的、仅由有机层14的形成成分而成的层的厚度。
并且，有机层14为用于适当地形成无机层16的基底层，因此形成于基板32的表面上的有机层14包埋基板32的表面的凹凸及附着于表面上的杂质等。其结果，能够使无机层16的形成面适当，并适当地形成无机层16。
通过在能够剥离基板32的有机层14形成无机层16，实现了能够剥离基板32的转印型阻气膜。
进而，有机层14在剥离基板32之后用作保护无机层16的保护层。
在形成无机层16时，对有机层14施加高温，因此优选有机层14的耐热性高。具体而言，有机层14的玻璃化转变温度(Tg)优选为175℃以上，更优选为200℃以上，进一步优选为250℃以上。
如上所述，形成于有机层14的表面上的无机层16优选为通过等离子体CVD来形成。通过将有机层14的Tg设为180℃以上，就能够优选地抑制形成无机层16时的、基于等离子体的有机层14的蚀刻及挥发而优选地形成合适的有机层14及无机层16等的观点而言优选。
对于有机层14的Tg的上限，并无限制，但是优选为500℃以下。
并且，就与Tg相同的理由而言，形成有机层14的树脂的分子量优选在一定程度上大。
具体而言，形成有机层14的树脂的分子量(重均分子量(Mw))优选为500以上，更优选为1000以上，进一步优选为1500以上。
另外，关于有机层14的Tg，可以通过使用示差扫描量热计(DSC)等的公知的方法来确定。并且，关于分子量，也可以通过使用凝胶渗透色谱法(GPC)等的公知的方法来测定。并且，在使用市售品的情况下，有机层14的Tg及分子量可以使用目录值。
关于以上观点，后述的热熔接层30也相同。
作为有机层14的形成材料，能够利用在公知的阻气膜中用作无机层的基底层的各种有机层(有机层)。有机层14为例如由使单体、二聚物及低低聚物等聚合(交联、固化)而得的有机化合物而成的层。用于形成有机层14的组合物可以仅包含1种有机化合物，也可以包含2种以上。
有机层14例如含有热塑性树脂及有机硅化合物等。关于热塑性树脂，例如，可举出聚酯、(甲基)丙烯酸树脂、甲基丙烯酸-马来酸共聚物、聚苯乙烯、透明氟树脂、聚酰亚胺、氟化聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、纤维素酰化物、聚氨酯、聚醚醚酮、聚碳酸酯、脂环式聚烯烃、聚芳酯、聚醚砜、聚砜、芴环改质聚碳酸酯、脂环改质聚碳酸酯、芴环改质聚酯及丙烯酸化合物等。关于有机硅化合物，例如，可举出聚硅氧烷。
关于有机层14，就强度优异的观点和玻璃化转变温度的观点而言，优选为包含自由基固化性化合物和/或具有醚基的阳离子固化性化合物的聚合物。
关于有机层14，就降低有机层14的折射率的观点而言，优选地包含将(甲基)丙烯酸酯的单体、低聚物等聚合物作为主要成分的(甲基)丙烯酸树脂。关于有机层14，通过降低折射率，透明性增加且透光性提高。
有机层14更优选为包含二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯(DPGDA)、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(TMPTA)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(DPHA)等将2官能以上的(甲基)丙烯酸酯的单体、二聚物及低聚物等聚合物作为主要成分的(甲基)丙烯酸树脂，进一步优选为包含将3官能以上的(甲基)丙烯酸酯的单体、二聚物及低聚物等聚合物作为主要成分的(甲基)丙烯酸树脂。并且，可以使用多种这些(甲基)丙烯酸树脂。主要成分是指所含有的成分中含有质量比最大的成分。
并且，有机层14能够通过由具有芳香族环的树脂形成而能够剥离基板32。
有机层14优选为将包含双酚结构的树脂作为主要成分。有机层14更优选为将聚芳酯(聚芳酯树脂(PAR))作为主要成分。众所周知，聚芳酯是指由以双酚A为代表的双酚等2价酚与邻苯二甲酸(对苯二甲酸、间苯二甲酸)等二元酸的缩聚物而成的芳香族聚酯。
能够通过使有机层14将包含双酚结构的树脂作为主要成分、尤其能够通过使有机层14将聚芳酯作为主要成分，基板32与有机层14的粘附力适当，且能够轻易地剥离基板32。并且，就因具有适当的柔软性而能够防止剥离基板32时的无机层16的损伤(裂纹及裂痕等)、因耐热性高而能够稳定地形成合适的无机层16、能够防止转印后的性能劣化、能够提高作为有机薄膜晶体管的弯曲性等的观点而言，优选。
另外，主要成分是指所含有的成分中含有质量比最大的成分。
在由具有芳香族环的各种树脂形成有机层14的情况下，只要是具有芳香族环的树脂，则有机层14可以使用市售品来形成。
作为能够用于有机层14的形成的市售品的树脂，可例示UNITIKA LTD.制造的UNIFINER(注册商标)及U聚合物(注册商标)、以及MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.制造的Neoprim(注册商标)等。
对于有机层14的厚度，并无限制，但是优选为0.2～6μm，更优选为0.5～5μm，进一步优选为1～3μm。
通过将有机层14的厚度设为0.2μm以上，就能够稳定地形成合适的无机层16、能够保持剥离时不被撕裂的机械强度且能够良好地剥离、不会受隔板等杂质的影响等的观点而言优选。并且，通过将有机层14的厚度设为6μm以下，就可实现阻气膜40的轻量化及薄化、可获得高透明性的阻气膜、可获得良好的基板32的剥离性、热固化时能够均匀地固化、能够抑制残余溶剂的含量、可获得高挠性等的观点而言优选。
另外，有机层14的厚度是指不包括上述混合层的、仅由有机层14的形成成分而成的层的厚度。
有机层14能够通过与材料相对应的公知的方法来形成。
例如，有机层14能够通过制备将成为有机层14的树脂(有机化合物)等溶解于溶剂中而得的组合物(树脂组合物)，涂布于基板32上，并使组合物干燥的涂布法来形成。基于涂布法的有机层14的形成中，根据需要，可以通过进一步对经干燥的组合物照射紫外线而使组合物中的树脂(有机化合物)聚合(交联)。
除了有机化合物以外，用于形成有机层14的组合物优选为还包含有机溶剂、表面活性剂及硅烷偶联剂等。
有机层14优选通过卷对卷形成。以下说明中，还将“卷对卷”称为“RtoR”。
众所周知，RtoR是指从将长条的片状物卷绕而成的辊送出片状物，并沿长边方向输送长条的片材并且进行成膜，将已成膜的片状物卷绕成辊状的制造方法。通过利用RtoR，可获得高生产率和生产效率。
另外，有机层14需要形成为能够从基板32剥离。因此，可以如上述那样使用具有剥离性的材料作为有机层14的材料，也可以在有机层14与基板32之间设置剥离层。作为剥离层，能够适当地利用以往公知的剥离层。
基板32与有机层14的剥离力优选为0.01～2N/25mm，更优选为0.05～1N/25mm，进一步优选为0.1～0.8N/25mm。
＜无机层＞
无机层16为包含无机化合物的薄膜，且至少形成于有机层14的表面上。在密封层12中，无机层16主要显现阻气性能。
在基板32的表面存在如凹凸及杂质那样的无机化合物难以成膜的区域。如上所述，通过在基板32的表面设置有机层14，并在其上形成无机层16，覆盖无机化合物难以成膜的区域。因此，能够在无机层16的形成面无间隙地形成无机层16。
对于无机层16的材料，并无限制，能够利用由显现阻气性能的无机化合物而成的、公知的阻气层中所使用的各种无机化合物。
作为无机层16的材料，例如，可举出氧化铝、氧化镁、氧化钽、氧化锆、氧化钛、氧化铟锡(ITO)等金属氧化物；氮化铝等金属氮化物；碳化铝等金属碳化物；氧化硅、氧氮化硅、氧碳化硅、氧氮化碳化硅等硅氧化物；氮化硅、氮化碳化硅等硅氮化物；碳化硅等硅碳化物；它们的氢化物；它们中的2种以上的混合物；及它们的含氢物等无机化合物。并且，还能够利用它们中的2种以上的混合物。
其中，就透明性高，且能够显现优异的阻气性能的观点而言，可以优选地利用氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化铝及它们中的2种以上的混合物。其中，可以优选地利用含有硅的化合物，其中，就能够显现优异的阻气性能的观点而言，可以尤其优选地利用氮化硅。
如前述，无机层16的厚度为100nm以下。
就挠性及阻气性的观点而言，无机层16的厚度优选为50nm以下，更优选为5～50nm，进一步优选为10～30nm。
通过将无机层16的厚度设为2nm以上，就能够形成稳定地显现充分的阻气性能的无机层16的观点而言优选。并且，无机层16通常较脆，若过厚，则有可能会产生裂纹、裂痕及剥离等，但是通过将无机层16的厚度设为50nm以下，能够更优选地防止产生裂纹。并且，能够提高挠性。
无机层16能够通过与材料相对应的公知的方法来形成。
例如，可以优选地举出CCP(Capacitively Coupled Plasma：电容耦合等离子体)-CVD及ICP(Inductively Coupled Plasma：感应耦合等离子体)-CVD等的等离子体CVD、原子层沉积法(ALD(Atomic Layer Deposition))、磁控溅射及反应性溅射等溅射以及真空蒸镀等各种气相沉积法。
其中，如上所述，就能够提高有机层14与无机层16的粘附力的观点而言，可以优选地利用CCP-CVD及ICP-CVD等的等离子体CVD。
另外，无机层16也优选通过RtoR来形成。
＜热熔接层＞
热熔接层30为用于将阻气膜40贴合于电子器件50的元件形成面上的层。
并且，热熔接层30还作为保护显现阻气性能的无机层16的保护层而发挥作用。
在本发明中，热熔接层30使用热熔粘接剂(HMA(Hot Melting Adhesive))。具体而言，包含热熔粘接剂的热熔接层30为在常温下为固态且通过加热而流动并显现粘接性的热熔接层。另外，本发明中，常温是指23℃。
通过使用热熔粘接剂作为热熔接层30，与以往的转印型阻气膜相比，能够进一步提高阻气性能。
热熔接层30优选在30～200℃的条件下流动而显现粘接性，热熔接层30更优选在40～180℃的条件下流动而显现粘接性，进一步优选在50～150℃的条件下流动而显现粘接性。
在热熔接层30在常温下流动而显现粘接性的情况下，在切断阻气膜时及转印阻气膜时，容易发生箔拉丝，发生阻气性能的降低等。
并且，若流动而显现粘接性的温度过高，则会导致贴附于贴附对象时所需的加热温度变高而会对基板32、有机层14及贴附对象造成热损伤。
热熔接层30的玻璃化转变温度Tg为20℃～180℃，优选为25℃～150℃，更优选为40℃～140℃，进一步优选为60℃～120℃。
通过将热熔接层30的Tg设在上述范围内，容易获得热流动性，因此就能够提高基于加热的粘接性及转印性、能够在低温下粘接且能够提高生产率等的观点而言优选。
在使用热熔粘接剂的情况下，只要热熔接层30在常温下为固态且通过加热而流动并显现粘接性，则对材料并无限制。
在使用热熔粘接剂的情况下，热熔接层30优选将非晶性树脂作为主要成分，更优选将丙烯酸树脂作为主要成分，进一步优选将使单一的丙烯酸酯单体聚合而成的树脂(丙烯酸均聚物(均质丙烯酸聚合物))作为主要成分。
通过将热熔接层30的主要成分设为非晶性树脂、尤其是丙烯酸树脂，就可获得高透明性的阻气膜等的观点而言优选。
进而，通过将热熔接层30的主要成分设为丙烯酸均聚物，除了上述的优点以外，还就能够使基于热的转印性变得良好、在固化之后卷取时难以粘连等的观点而言优选。并且，通过由丙烯酸均聚物形成热熔接层30，除了上述的优点以外，还能够将热熔接层30形成为在相对低的温度下流动而显现粘接性的层。因此，在对阻气膜不要求高耐热性的情况下，可以优选地利用包含丙烯酸均聚物的热熔接层30。
在使用热熔粘接剂的情况下，只要能够形成在常温下为固态且通过加热而流动并显现粘接性的热熔接层30，则能够利用公知的各种树脂，且还能够利用市售品。
具体而言，可例示TAISEI FINE CHEMICAL CO,.LTD.制造的0415BA(丙烯酸均聚物)及#7000系列等。
在热熔接层30中可以根据需要包含选自包含苯乙烯丙烯酸共聚物(苯乙烯改质丙烯酸树脂)、氨基甲酸酯丙烯酸共聚物(氨基甲酸酯改质丙烯酸树脂)及玻璃化转变温度调节用丙烯酸树脂的组中的1个以上。
通过在热熔接层30中添加这些成分，能够提高热熔接层30的Tg。因此，根据用途等，在对有机薄膜晶体管要求耐热性的情况下，可以优选地例示添加了这些成分的热熔接层30。
并且，通过在热熔接层30中添加苯乙烯丙烯酸共聚物，能够调节热熔接层30的硬度，因此能够调节与贴附对象的硬度的平衡。通过在热熔接层30中添加氨基甲酸酯丙烯酸共聚物，能够提高与无机层16的粘附性。
另外，对于这些成分的添加量，并无限制，可以根据所添加的成分及目标Tg而适当地设定。然而，优选将这些成分的添加量设为热熔接层30的主要成分成为上述的非晶性树脂及丙烯酸树脂等的量。
对于苯乙烯丙烯酸共聚物、氨基甲酸酯丙烯酸共聚物及玻璃化转变温度调节用丙烯酸树脂，并无限制，能够利用用于树脂等的Tg调节的各种树脂。并且，这些成分还能够利用市售品。
作为一例，可例示TAISEI FINE CHEMICAL CO,.LTD.制造的#7000系列等作为苯乙烯丙烯酸共聚物。
作为氨基甲酸酯丙烯酸共聚物，可例示ACRIT8UA347H等TAISEI FINE CHEMICALCO,.LTD.制造的ACRIT(注册商标)8UA系列等。
作为玻璃化转变温度调节用丙烯酸树脂，可例示PMMA(例如，MitsubishiChemical Corporation.制造的DIANAL(注册商标)等)等。
对于热熔接层30的厚度，并无限制，能够根据热熔接层30的材料等充分地减小热压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，可以适当地设定可获得充分的粘接性及无机层16的保护性能的厚度。热熔接层30的厚度优选为1～30μm，更优选为2～20μm，进一步优选为3～10μm。
通过将热熔接层30的厚度设为1μm以上，就在转印时可获得充分的粘附力、能够防止剥离基板32时(转印后)的阻气性能的降低等的观点而言优选。通过将热熔接层30的厚度设为30μm以下，就能够充分地减小热压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离、可获得高透明性的阻气膜40、能够将阻气膜40制成薄且轻等的观点而言优选。
＜电子器件＞
电子器件50为有机EL显示器及有机EL照明装置等公知的有机EL器件。
图5所示的例子中，示出了元件基板52和形成于元件基板52上的多个有机EL元件54作为电子器件50的构成要件，但是电子器件50还可以具有其他层。例如，电子器件可以具有在元件基板52上依次层叠绝缘膜、透明电极层(TFT(Thin Film Transistor)，薄膜晶体管)、绝缘膜、有机EL元件54及绝缘膜而成的结构。并且，可以具有保护有机EL元件54的钝化膜。
(元件基板)
作为元件基板52，能够利用树脂薄膜、玻璃基板等、以往的有机EL器件中用作元件基板的各种元件基板。
(有机EL元件)
有机EL元件54具有与以往的有机EL器件所具有的有机EL元件相同的结构。即，有机EL元件54具有空穴注入层、空穴传输层、发光层、正孔阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极等。
其中，有机EL元件54的高度为0.1μm～10μm左右。并且，有机EL元件54在面方向上的大小为0.1μm×0.1μm～10μm×10μm左右。
另外，上述的实施方式中，例示了有机EL器件作为电子器件，但是并不限定于此，能够利用太阳电池等各种电子器件作为电子器件。
其中，关于通过本发明的电子器件层叠体的制造方法所制作的电子器件，无机层16的损伤少，且长期以高耐久性显现优异的阻气性能，因此可以优选地用于具有对水分弱的有机EL元件的有机EL器件。
以上，对本发明的电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体详细地进行了说明，但是本发明并不限定于上述方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以进行各种改良或变更。
实施例
以下，举出实施例对本发明进行具体的说明。本发明并不限定于以下所示的具体例。
[实施例1]
＜阻气膜的制作＞
使用TAC(三乙酰纤维素)薄膜(FUJIFILM Corporation制造，厚度为60μm，宽度为1000mm，长度为100m)作为基板32，并以下述步骤在基板32上形成了密封层12(有机层、无机层及热熔接层)。
(有机层的形成)
准备聚芳酯(UNITIKA LTD.制造的UNIFINER(注册商标)M-2000H)和环己酮，并以重量比率计成为5:95的方式进行秤量，在常温下使其溶解而制成固体成分浓度为5％的涂布液。所使用的聚芳酯的Tg为275℃(目录值)。
使用模涂布机，通过RtoR将该涂布液涂布于上述基板上，并使其在130℃的干燥区通过了3分钟。在与第一个膜面接触辊(与基板32的密封层12侧的面接触的辊)接触之前，贴合PE(聚乙烯)的保护膜，然后进行了卷取。形成于基板32上的有机层14的厚度为2μm。
(无机层的形成)
使用将基板卷绕在滚筒上并进行成膜的、RtoR的一般的CVD装置，在有机层14的表面上形成了氮化硅层作为无机层16。
CVD装置具有基于CCP-CVD的成膜装置、将基板进行卷绕并输送的成为相对电极的滚筒、剥离层叠于有机层上的保护膜的导辊、卷取所剥离的保护膜的回收辊、将长条的保护膜卷绕而成的辊的装填部及将保护膜层叠于已成膜的无机层的表面上的导辊等。另外，CVD装置使用了具有2个以上的成膜单元(成膜装置)的装置。
从装填于装填部中的辊送出形成有有机层14的基板32，并通过成膜前的最后一个膜面接触辊之后剥离保护膜，在所暴露的有机层14上形成了无机层16。为了形成无机层16，使用2个电极(成膜单元)，原料气体使用了硅烷气、氨气及氢气。关于原料气体的供给量，将第1成膜单元设为硅烷气150sccm、氨气300sccm及氢气500sccm，将第2成膜单元设为硅烷气150sccm、氨气350sccm及氢气500sccm。在第1成膜单元及第2成膜单元中，将等离子体激发功率设为2.5kW，且将等离子体激发功率的频率设为13.56MHz。向滚筒供给了频率0.4MHz、0.5kW的偏置功率。并且，关于滚筒，通过冷却机构将温度控制在30℃。将成膜压力设为50Pa。将PE的保护膜贴合于刚成膜之后的无机层16的膜面，然后进行了卷取。无机层16的膜厚为20nm。
(热熔接层的形成)
接着，使用利用RtoR通过涂布法进行成膜的一般的有机成膜装置，在无机层16的表面上形成了热熔接层30。
首先，准备丙烯酸均聚物(Taisei Fine Chemical Co.,Ltd.制造，0415BA)，并利用乙酸乙酯进行稀释，制成固体成分浓度为20质量％的组合物。该丙烯酸均聚物为非晶质，Tg为20℃，且在100℃的条件下流动而显现粘接性。
使用模涂布机，将该组合物涂布于无机层16的表面上，接着，使其通过了80℃的干燥区。将干燥区的通过时间设为3分钟。由此，将组合物进行干燥并固化而在无机层16的表面上形成了热熔接层30。
另外，在涂布组合物之前，剥离了层叠于无机层16的表面上的保护膜。在无机层16的表面上形成的热熔接层的厚度为5μm。
由以上内容，制作了卷取成辊状的长条的转印型阻气膜。从该长条的转印型阻气膜，以100mm×100mm的大小切出了阻气膜40。
＜有机EL器件的制作＞
在玻璃基板上形成厚度为100μm、大小为100mm×100mm的聚酰亚胺层作为元件基板52，并以下述步骤在聚酰亚胺层上形成了有机EL元件54。
(有机EL元件的形成)
通过陶瓷掩蔽了该元件基板的周边2mm。进而，将实施了掩蔽的元件基板装填于一般的真空蒸镀装置中，并通过真空蒸镀，形成厚度为100nm的由金属铝而成的电极，进而，形成了厚度为1nm的氟化锂层。接着，通过真空蒸镀，在形成有电极及氟化锂层的元件基板上依次形成了以下有机化合物层。
·(发光层兼电子传输层)三(8-羟基喹啉)铝：膜厚为60nm
·(第2正孔传输层)N,N’-二苯基-N,N’-二萘基联苯胺：膜厚为40nm
·(第1正孔传输层)铜酞菁：膜厚为10nm
进而，将形成有这些层的元件基板装填于一般的溅射装置中，将ITO(Indium TinOxide，氧化铟锡)用作靶，并通过DC磁控溅射，形成由厚度为0.2μm的ITO薄膜而成的透明电极，从而形成了使用有机EL材料的发光元件即有机EL元件54。
将有机EL元件54的大小设为10μm×10μm且将高度设为5μm。
将有机EL元件54设为以50μm的间距正方排列于元件基板52上。
通过以上，制作了电子器件(有机EL器件)50。
＜热压接工序＞
作为进行热压接工序的贴合装置，使用了具有平板状工作台100及配置于工作台100的上方的辊102的贴合装置。工作台100及辊102分别具有加热机构。并且，辊102由硅橡胶制成。并且，工作台100及辊102设置于减压室内，且能够用旋转泵对减压室内部进行减压并进行贴合。
将工作台100的温度调节至25℃，且将辊102设定为90℃。将减压室内的压力设为0.1Pa。
将在上述制作的电子器件50载置于工作台100上，并将在上述制作的阻气膜40层叠于电子器件50的元件形成面上。此时，使热熔接层30朝向元件形成面侧。
使用辊102从基板32侧按压阻气膜40，并且使辊102从端部平行移动来将阻气膜40与电子器件50进行了热压接。
将辊102的移动速度设为1m/min，并将基于辊的压力调节成0.3MPa。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为50nm。
另外，将从阻气膜40的端部到有机EL元件54的距离设为0.5mm。
＜剥离工序＞
在热压接工序之后，在与有机层14的界面剥离了基板32。
通过以上，制作了电子器件层叠体。
[实施例2]
在热压接工序中，将工作台100的温度调节至90℃，并将辊102的温度设定为30℃，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为70nm。
[实施例3]
将辊温度设为120℃，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为25nm。
[实施例4]
添加苯乙烯丙烯酸聚合物，以使热熔接层的玻璃化转变温度Tg成为80℃，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为80nm。
[实施例5]
将基于辊的压力设为1MPa，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为20nm。
[实施例6]
将无机层的厚度设为5nm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为50nm。
[实施例7]
将无机层的厚度设为100nm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为50nm。
[实施例8]
将热压接工序前的热熔接层的厚度设为10μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为70nm。
[实施例9]
将热压接工序前的热熔接层的厚度设为2μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为30nm。
[实施例10]
将有机层的厚度设为5μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为60nm。
[实施例11]
将有机层的厚度设为0.5μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为40nm。
[实施例12]
将基板的厚度设为80μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为90nm。
[实施例13]
将基板的厚度设为40μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
测定压接后的端部中的无机层16与电子器件50之间的距离，其结果为30nm。
[比较例1]
在阻气膜的制作中，不形成热熔接层而如下述那样使用粘接剂将阻气膜贴合于电子器件上，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了电子器件层叠体。
(使用了粘接剂的阻气膜的贴合)
粘接剂设为通过分别加入48％的环氧树脂(JER1001)、48％的环氧树脂(JER152)及4％的硅烷偶联剂(KBM502)之后溶解于MEK(甲基乙基酮)中而制成50％重量的溶液。
将该粘接剂涂布于阻气膜的无机层上，以成为规定的厚度，使溶剂充分地挥发之后，贴合于电子器件上，在100℃的环境下放置100小时并使其固化而制作了电子器件层叠体。
测定贴合后的端部中的无机层与电子器件之间的距离，其结果为1000nm。
[评价]
＜亮度＞
在刚制作在各实施例及比较例中制作的电子器件层叠体之后，使用Keithlel公司制造的SMU2400型电源量测单元对各电子器件层叠体施加7V的电压而使其发光，测定了整体的亮度。然后，在温度60℃、湿度90％的环境下，放置了200小时。放置200小时之后，以与上述相同的方式，点亮电子器件层叠体，再次测定整体的亮度并测定了亮度降低的比例。
AAA：亮度降低为1％以下。
AA：亮度降低为1％以上且小于3％。
A：亮度降低为3％以上且小于5％。
B：亮度降低为5％以上且小于8％。
C：亮度降低为8％以上且小于10％。
D：亮度降低为10％以上且小于30％。
E：亮度降低为30％以上，且通过肉眼观察也能够轻易地视觉辨认发光变低。
关于评价，能够允许至C，D以下为NG。
＜暗点＞
并且，放置200小时之后，在点亮了电子器件层叠体的状态下，通过显微镜从密封层侧进行观测，确认有无暗点的产生，并根据以下基准进行了评价。
A：完全未观察到暗点的产生
B：稍微观察到暗点的产生
C：清楚地观察到暗点的产生
D：暗点面积的比例大
＜挠性＞
将各实施例及比较例的电子器件层叠体在φ8mm处向外弯曲10万次之后，与上述同样地，测定亮度，求出相对于刚制作电子器件层叠体之后的亮度的亮度降低的比例，并根据与上述相同的基准进行了评价。
将结果示于下述表1中。
[表1]
由表1可知：与比较例相比，在通过本发明的制造方法制作的电子器件层叠体中，即使放置在高温多湿的环境下，亮度降低也小，且暗点的产生也少，能够抑制有机EL元件的劣化。并且，可知：与比较例相比，通过本发明的制造方法制作的电子器件层叠体的挠性高。
并且，由实施例1与实施例2的对比可知：在热压接工序中，在使基板侧的温度高于电子器件侧的温度的条件下能够对热熔接层进行加热并使其易于流动，因此能够通过加压来减小无机层与电子器件之间的距离。
并且，由实施例1与实施例3的对比可知：在热压接工序中，在进一步提高基板侧的温度的条件下能够对热熔接层进行加热并使其易于流动，因此能够通过加压来减小无机层与电子器件之间的距离。
并且，由实施例1与实施例4的对比可知：在热压接工序中，在热熔接层的玻璃化转变温度Tg低的条件下，能够通过加热而使热熔接层易于流动，因此能够通过加压来减小无机层与电子器件之间的距离。
并且，由实施例1与实施例5的对比可知：若热压接工序中的加压力高，则能够减小无机层与电子器件之间的距离。
并且，由实施例1～实施例5的对比可知：无机层与电子器件之间的距离越窄，则高湿热试验后的亮度降低越少，暗点的产生也越少，且耐久性越高。并且，可知弯曲试验后的亮度降低也少且挠性高。
并且，由实施例1、实施例6及实施例7的对比可知：若无机层的厚度薄，则阻气性降低，因此耐久性及挠性也降低，若无机层的厚度厚，则挠性降低，因此优选为10nm～30nm。
并且，由实施例1、实施例8及实施例9的对比可知：热熔接层的厚度(热压接工序前的厚度)越薄，则越能够减小热压接后的无机层与电子器件之间的距离。
并且，由实施例1、实施例10及实施例11的对比可知，有机层越薄，则越能够减小热压接后的无机层与电子器件之间的距离。认为这是因为：若有机层厚，则在热压接工序时难以将热传递至热熔接层而流动性降低。
并且，由实施例1、实施例12及实施例13的对比可知，基板越薄，则越能够减小热压接后的无机层与电子器件之间的距离。认为这是因为：若基板厚，则在热压接工序时难以将热传递至热熔接层而流动性降低。
并且，由实施例6～实施例13的对比也可知：无机层与电子器件之间的距离越窄，则高湿热试验后的亮度降低越少，暗点的产生也越少，且耐久性越高。并且，可知弯曲试验后的亮度降低也少且挠性高。
由以上结果，本发明的效果是显而易见的。
符号说明
10-电子器件层叠体，12-密封层，14-有机层，16-无机层，30-热熔接层，32-基板，40-阻气膜，50-电子器件，52-元件基板，54-有机EL元件，100-工作台，102-辊。
Claims (11)
1.一种电子器件层叠体的制造方法，其包括：
准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有密封层和基板，该密封层是依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层，该基板是在所述密封层的所述有机层侧以能够从所述密封层剥离的方式层叠的基板；
热压接工序，使所述热熔接层侧朝向下述元件形成面侧而将所述阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及
剥离工序，从所述密封层剥离所述基板，
所述无机层的厚度为100nm以下，
所述热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃。
2.根据权利要求1所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
在所述热压接工序中，调节加热温度和所加压的压力，以使热压接后的、端部中的所述无机层与所述电子器件之间的距离小于100nm。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
所述电子器件为有机电致发光器件。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
在所述热压接工序中，使用辊进行对所述阻气膜的加热及加压。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
在所述热压接工序中，从所述基板侧进行加热。
6.根据权利要求5所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
在所述热压接工序中，从所述电子器件侧进行加热。
7.根据权利要求6所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
所述基板侧的加热温度高于所述电子器件侧的加热温度。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
所述基板为三乙酰纤维素薄膜。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
所述基板的厚度为0.1μm～100μm。
10.一种电子器件层叠体，其具有：
电子器件，该电子器件的元件形成面具有凹凸；及
转印层，依次具有层叠于所述元件形成面上的热熔接层、无机层及有机层，
所述无机层的厚度为100nm以下，
所述热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃，
端部中的所述无机层与所述电子器件之间的距离为100nm以下。
11.根据权利要求10所述的电子器件层叠体，其中，
所述电子器件为有机电致发光器件。
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Cited By (1)
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