TW202013789A - 電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體 - Google Patents

電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體 Download PDF

Info

Publication number
TW202013789A
TW202013789A TW108132507A TW108132507A TW202013789A TW 202013789 A TW202013789 A TW 202013789A TW 108132507 A TW108132507 A TW 108132507A TW 108132507 A TW108132507 A TW 108132507A TW 202013789 A TW202013789 A TW 202013789A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
electronic device
organic
gas barrier
laminate
Prior art date
Application number
TW108132507A
Other languages
English (en)
Inventor
岩瀬英二郎
Original Assignee
日商富士軟片股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商富士軟片股份有限公司 filed Critical 日商富士軟片股份有限公司
Publication of TW202013789A publication Critical patent/TW202013789A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

本發明提供一種電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體，該電子器件積層體之製造方法中，在用阻氣膜密封有機EL器件等電子器件時，能夠減小接著劑層的厚度以防止元件的劣化，且能夠製作高撓性的電子器件積層體。該電子器件積層體之製造方法包括：準備阻氣膜之製程，該阻氣膜具有：依次具有熱熔融層、無機層及有機層之密封層及在密封層的有機層側以能夠從密封層剝離之方式積層之基板；熱壓接製程，使熱熔融層側朝向元件形成面側而將阻氣膜進行加熱及加壓而壓接於電子器件的具有凹凸之元件形成面上；及剝離製程，從密封層剝離基板，無機層的厚度為100nm以下，熱熔融層的玻璃轉移溫度為20℃～180℃。

Description

電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體
本發明係有關一種電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體。
有機EL（電致發光）材料對水分非常弱。因此，通常已知：在使用了有機EL材料之有機EL器件中，用具有阻氣性之鈍化膜密封有機EL元件。又，作為鈍化膜的形成材料，例示有顯現阻氣性之氮化矽、氧化矽及氧氮化矽等無機材料。
然而，由於有機EL材料對熱弱，因此鈍化膜必須以低能量形成，以免在形成鈍化膜時對有機EL材料造成損傷。因此，為了用鈍化膜獲得足夠的阻氣性，需要製成厚的鈍化膜、或者形成複數層鈍化膜。然而，若加厚鈍化膜或者形成複數層鈍化膜，則會導致柔性差。
相對於此，提出了使用了高阻氣性能的接著劑之密封方法。使用高阻氣性能的接著劑之方法中，柔性比基於鈍化膜之密封優異。
然而，使接著劑層本身具有阻氣性之結構中，阻氣性低於具有無機層作為阻氣層之結構，因此在用於要求窄邊框化之顯示器等之有機EL器件中無法充分地保護有機EL元件而導致有機EL元件劣化。 又，有可能由於接著劑中所含之水分及殘留溶劑等的影響而導致有機EL元件劣化。
又，作為高柔性的有機EL器件的結構，提出了使用經由接著劑（黏著劑）來貼合阻氣膜之密封方法。使用阻氣膜之方法中，在與有機EL元件不同的基板上形成顯現阻氣性之氮化矽、氧化矽及氧氮化矽等的無機層，因此能夠以高能量形成無機層，因此能夠形成薄且具有高阻氣性之無機層。因此，關於藉由使用阻氣膜密封有機EL元件之方法製作之有機EL器件，能夠製成柔性比藉由用鈍化膜密封有機EL元件之方法製作之有機EL器件優異之有機EL器件。因此，藉由與使用樹脂薄膜作為元件基板之結構組合，能夠製成具有柔性之有機EL顯示器及形成為三維曲面之有機EL器件。 又，使用阻氣膜之方法中，生產率亦比基於鈍化膜之密封優異。
例如，在專利文獻1中記載了一種有機EL積層體，其係藉由接著劑來將具有使用有機EL材料的發光元件及覆蓋該發光元件之鈍化膜之有機EL器件與透明的密封基板進行接著而成，該有機EL積層體中，有機EL器件為朝向密封基板側進行發光之頂部發光型，密封基板為在支撐體上具有1組以上的無機膜與成為該無機膜的基底之有機膜的組合之、表層為無機膜之阻氣膜，使鈍化膜與表層的無機膜相對面而藉由接著劑來將有機EL器件與阻氣膜進行接著，將接著劑填充於鈍化膜與表層的無機膜之間的整個區域中，進而，有機EL器件的端部中的、鈍化膜與表層的無機膜之間的間隙比發光元件的位置上的、鈍化膜與表層的無機膜之間的間隙窄。
又，在專利文獻2中記載了一種阻氣膜，其具有：基板；阻氣層，設置於基板的一個面之、具有1組以上的無機層及成為無機層的形成面之有機層的組合；及剝離有機層，設置於基板與阻氣層之間，且與有機層密接，並且用於從基板剝離。在專利文獻2中記載了將阻氣層從該阻氣膜經由接著層而轉印到有機EL元件上並進行密封。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-186850號公報 [專利文獻2]日本特開2017-043062號公報
然而，經由接著劑貼合阻氣膜之密封方法中，水分從接著劑層的端面侵入成為問題。
相對於此，在專利文獻1中記載了：藉由使端部中的接著劑層的厚度（鈍化膜與無機膜之間的間隙）比發光元件（有機EL元件）的位置上的厚度（鈍化膜與無機膜之間的間隙）窄來抑制水分從接著劑層的端面侵入。 然而，專利文獻1中所記載之貼合方法中，即使接著劑層的厚度薄，亦只能設為1μm左右，因此為了抑制由於從接著劑層的端面侵入之水分而使有機EL元件劣化，需要設置高阻氣性的鈍化膜。因此，與僅具有鈍化膜之結構相比，能夠減小鈍化膜的厚度，但是需要一定程度的厚度，難以獲得更高的撓性。
又，若接著劑層厚，則有可能由於接著劑中所含之水分及殘留溶劑等的影響而導致有機EL元件劣化。
又，即使在使用如專利文獻2中所記載之轉印型阻氣膜之情形下，亦具有與專利文獻1相同的問題。
如上所述，為了抑制水分從接著劑層的端面侵入，需要減小端面上的接著劑層的厚度。又，為了抑制接著劑中所含之水分及殘留溶劑等的影響，亦需要進一步減小接著劑層的厚度。 然而，在有機EL器件中，在元件基板上排列許多有機EL元件而形成，且有機EL器件的表面具有凹凸。在用阻氣膜密封有機EL器件時，用阻氣膜覆蓋許多有機EL元件而進行密封。因此，對於具有凹凸之表面，需要將有機EL器件與阻氣膜之間的間隙（接著劑層的厚度）控制為更薄而貼合阻氣膜，但是難以將貼合時的接著劑層的厚度控制為薄。在專利文獻1及專利文獻2中未記載如下內容：在將阻氣膜貼合於這樣的具有凹凸之表面上時，能夠減小接著劑層的厚度之貼合方法。
本發明的課題為解決這樣的問題，且提供一種電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體，該電子器件積層體之製造方法中，在用阻氣膜密封有機EL器件等電子器件時，能夠減小接著劑層的厚度以防止元件的劣化，且能夠製作高撓性的電子器件積層體。
本發明藉由以下結構來解決課題。 [1]一種電子器件積層體之製造方法，其包括： 準備阻氣膜之製程，該阻氣膜具有：依次具有熱熔融層、無機層及有機層之密封層及在密封層的有機層側以能夠從密封層剝離之方式積層之基板； 熱壓接製程，使熱熔融層側朝向元件形成面側而將阻氣膜進行加熱及加壓而壓接於電子器件的具有凹凸之元件形成面上；及 剝離製程，從密封層剝離基板， 無機層的厚度為100nm以下， 熱熔融層的玻璃轉移溫度為20℃～180℃。 [2]如[1]所述之電子器件積層體之製造方法，其中在熱壓接製程中，調節加熱溫度和所加壓之壓力，以使熱壓接後的、端部中的無機層與電子器件之間的距離小於100nm。 [3]如[1]或[2]所述之電子器件積層體之製造方法，其中電子器件為有機電致發光器件。 [4]如[1]至[3]中任一項所述之電子器件積層體之製造方法，其中在熱壓接製程中，使用輥進行對阻氣膜的加熱及加壓。 [5]如[1]至[4]中任一項所述之電子器件積層體之製造方法，其中在熱壓接製程中，從基板側進行加熱。 [6]如[5]所述之電子器件積層體之製造方法，其中在熱壓接製程中，從電子器件側進行加熱。 [7]如[6]所述之電子器件積層體之製造方法，其中基板側的加熱溫度高於電子器件側的加熱溫度。 [8]如[1]至[7]中任一項所述之電子器件積層體之製造方法，其中基板為三乙醯纖維素薄膜。 [9]如[1]至[8]中任一項所述之電子器件積層體之製造方法，其中基板的厚度為0.1μm～100μm。 [10]一種電子器件積層體，其具有：電子器件，元件形成面具有凹凸；及 轉印層，依次具有積層於元件形成面上之熱熔融層、無機層及有機層， 無機層的厚度為100nm以下， 熱熔融層的玻璃轉移溫度為20℃～180℃， 端部中的無機層與電子器件之間的距離為100nm以下。 [11]如[10]所述之電子器件積層體，其中電子器件為有機電致發光器件。 [發明效果]
依本發明，能夠提供一種電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體，該電子器件積層體之製造方法中，在用阻氣膜密封有機EL器件等電子器件時，能夠減小接著劑層的厚度以防止元件的劣化，且能夠製作高撓性的電子器件積層體。
以下，基於圖式，對本發明的電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體的實施形態進行說明。
[電子器件積層體之製造方法] 本發明的電子器件積層體之製造方法為如下電子器件積層體之製造方法，其包括： 準備阻氣膜之製程，該阻氣膜具有：依次具有熱熔融層、無機層及有機層之密封層及在密封層的有機層側以能夠從密封層剝離之方式積層之基板； 熱壓接製程，使熱熔融層側朝向元件形成面側而將阻氣膜進行加熱及加壓而壓接於電子器件的具有凹凸之元件形成面上；及 剝離製程，從密封層剝離基板， 無機層的厚度為100nm以下， 熱熔融層的玻璃轉移溫度為20℃～180℃。
以下，參閱圖1～圖5，對本發明的電子器件積層體之製造方法的一例進行說明。
本發明的電子器件積層體之製造方法（以下，還稱為本發明之製造方法）包括：準備阻氣膜之製程，該阻氣膜具有：依次具有熱熔融層、無機層及有機層之密封層及在密封層的有機層側以能夠從密封層剝離之方式積層之基板（圖1）；熱壓接製程，使熱熔融層側朝向元件形成面側而將阻氣膜進行加熱及加壓而壓接於電子器件的具有凹凸之元件形成面上（圖2～圖4）；及剝離製程，從密封層剝離基板（圖4及圖5）。
＜阻氣膜＞ 圖1中示出示意性地表示用於本發明的電子器件積層體之製造方法之阻氣膜之剖面圖。 圖1所示之阻氣膜40依次具有熱熔融層30、無機層16、有機層14及基板32。熱熔融層30、無機層16及有機層14為能夠從基板32剝離之密封層12。亦即，阻氣膜40形成為能夠在基板32與有機層14的界面剝離。阻氣膜40為能夠將密封層12轉印到電子器件上之轉印型阻氣膜。
阻氣膜40中，無機層16為主要顯現阻氣性之層，有機層14為成為無機層16的基底層之層。又，熱熔融層30為在將阻氣膜40貼合於電子器件上時藉由加熱而流動並顯現接著性之層。
在此，本發明中，無機層16的厚度為100nm以下。 又，熱熔融層30的玻璃轉移溫度Tg為20℃～180℃。 關於阻氣膜40的各層，將在後面進行詳細敘述。
＜熱壓接製程＞ 熱壓接製程為將如上述的阻氣膜40壓接於電子器件50的元件形成面上之製程。 熱壓接製程中，首先，如圖2所示，將在元件基板52上形成有複數個有機EL（電致發光）元件54之電子器件（有機EL器件）50載置於工作台100上。又，使阻氣膜40的熱熔融層30與電子器件50的有機EL元件54側的面（以下，還稱為元件形成面）相對面。
接著，如圖3所示，使用輥102，將阻氣膜40壓接於電子器件50上。此時，輥102具有加熱機構，且藉由輥102來對阻氣膜40進行加熱並且進行加壓。 又，作為較佳態樣，載置電子器件50之工作台亦具有加熱機構，電子器件50側亦被加熱。
藉由在加壓時對阻氣膜40進行加熱，熱熔融層30流動而顯現接著性。藉此，將阻氣膜40貼合於電子器件50的元件形成面上（圖4）。
在此，在使用以往的黏著層作為將阻氣膜與電子器件進行接著之材料之情形下，即使在貼合時進行加壓或者加熱，亦無法大幅改變黏著層的厚度，因此難以使黏著層的厚度變得更薄。 另一方面，作為使接著劑層的厚度變得更薄的方法，還考慮在將液態的接著劑塗佈於電子器件的元件形成面上之後，貼合阻氣膜之方法，但是若在阻氣膜的無機層暴露之狀態下進行貼合，則有可能會導致無機層破裂並且導致阻氣性下降。為了防止無機層的裂紋，設置包含樹脂之保護層時，能夠防止無機層的裂紋，但是由於保護層變厚，因此難以追隨電子器件的元件形成面的凹凸，且由於保護層中所含之水分及殘留溶劑等的影響而有可能會導致有機EL元件劣化。
相對於此，在本發明之製造方法中，使用玻璃轉移溫度為20℃～180℃，且藉由加熱而溶解之熱熔融層30，作為將阻氣膜40與電子器件50進行接著之材料。藉此，在將阻氣膜40貼合於電子器件50的元件形成面上時，熱熔融層流動並流入元件形成面的凹部等而能夠使熱熔融層30的厚度非常薄，或者進而設為如熱熔融層30分佈在無機層16與電子器件50之間之狀態，藉此能夠減小電子器件50的有機EL元件54與阻氣膜40的無機層16之間的距離及端部中的電子器件50（元件基板52）與阻氣膜40的無機層16之間的距離。 如此，本發明之製造方法能夠使熱壓接後的端面上的無機層16與電子器件50之間的距離（熱熔融層30的厚度）非常小，因此藉由本發明之製造方法製作之電子器件積層體10能夠防止水分從熱熔融層30的端面侵入並且能夠防止有機EL元件54的劣化。
又，熱熔融層30在加熱之前為固態，因此能夠保護阻氣膜40的無機層16，並且能夠防止在輸送時、貼合時等無機層16破裂。 又，熱熔融層30為熱熔融之固態，因此能夠設為不含殘留溶劑及水分（少）者。因此，能夠防止由殘留溶劑及水分引起之有機EL元件54的劣化。
又，在將阻氣膜40貼合於電子器件50的元件形成面上時，熱熔融層流動並流入元件形成面的凹部，因此能夠有效地去除在貼合時存在於阻氣膜40與電子器件50之間之氣體（空氣）。因此，能夠防止氣體（空氣）殘留於所製作之電子器件積層體10的元件形成面的凹部等。
又，本發明中，阻氣膜40的無機層16的厚度為100nm以下，且具有撓性，因此即使在熱壓接製程中將阻氣膜40壓接於電子器件50的具有凹凸之元件形成面上之情形下，如圖4所示，無機層16亦不會破裂而能夠依據元件形成面的凹凸進行彎曲，因此在端部能夠彎曲成無機層16與電子器件50之間的距離減小。
又，本發明中，使用密封層12和基板32能夠剝離之轉印型阻氣膜40作為阻氣膜40。因此，在熱壓接製程中，將阻氣膜40壓接於電子器件50的元件形成面上時，基板32能夠從密封層12局部剝離，包含無機層16之密封層12容易追隨元件形成面的凹凸。藉此，能夠進一步減小壓接後的無機層16與電子器件50之間的距離。
又，關於熱熔融層30，只有進行了加熱之部分顯現流動性而可獲得接著性，因此能夠貼合於任意部位。因此，例如，在由於電子器件50為三維形狀而難以將密封層12進行整面貼合之情形下，能夠僅使端部貼合，並以密封層12覆蓋電子器件50的元件形成面之方式進行密封，或者能夠依據元件的形狀、物理性質等狀態而追加轉印到需要進一步提高阻隔性之部位並進行密封。
在此，在熱壓接製程中，調節加熱溫度及加壓之壓力，以使熱壓接後的、端部中的無機層16與電子器件50（元件形成面）之間的距離成為100nm以下為較佳。 藉由將熱壓接後的、端部中的無機層16與電子器件50（元件形成面）之間的距離設為100nm以下，能夠較佳地防止水分從熱熔融層30的端部侵入。 關於加熱溫度及加壓之壓力，依據熱熔融層30的材料、厚度、基板32的厚度、硬度、電子器件50的凹凸的狀態及所需的熱熔融層的厚度等而適當地設定即可。
熱壓接製程中，對阻氣膜40的加熱溫度係熱熔融層30的玻璃轉移溫度Tg以上為較佳，Tg+50℃～Tg+5℃為更佳，Tg+30℃～Tg+20℃為進一步較佳。藉由將對阻氣膜40的加熱溫度設在上述範圍內，能夠在壓接時使熱熔融層30可靠地流動。
又，如前所述，在熱壓接製程中，可以對電子器件50進行加熱。在此，若過度提高電子器件50側的加熱溫度，則有可能會導致有機EL元件54破損。又，在使用樹脂薄膜作為元件基板52之情形下，元件基板52因熱收縮等而變形，有可能無法與阻氣膜40均勻地貼合。因此，在從電子器件50側進行加熱之情形下，使電子器件50側的加熱溫度低於阻氣膜40側的加熱溫度為較佳。具體而言，Tg+10℃～Tg+5℃為較佳，Tg+5℃～Tg℃為更佳。
又，熱壓接製程中，對阻氣膜40和電子器件50施加之壓力係0.001MPa～5MPa為較佳，0.01MPa～1MPa為更佳，0.1MPa～0.5MPa為進一步較佳。 藉由將對阻氣膜40和電子器件50施加之壓力設為0.01MPa以上，能夠使藉由加熱而流動之熱熔融層30進行移動，並使阻氣膜40的無機層16與電子器件50的元件形成面之間的距離靠近而減小熱熔融層30的厚度。另一方面，若壓力過高，則有可能會導致無機層16破裂、或者有機EL元件54破損。因此，將壓力設為5MPa以下為較佳。
又，圖3所示之例子中，設為在熱壓接製程中使用輥作為將阻氣膜40壓接於電子器件50上之裝置之結構，但是並不限定於此，能夠使用基於活塞之加壓裝置、氣囊型加壓裝置等公知的加壓裝置。
又，在用輥進行加壓之情形下，輥表面由具有柔軟性之橡膠材料製成為較佳。藉由使用表面由橡膠材料製成之輥，能夠抑制阻氣膜40的無機層16因電子器件50的元件形成面的凹凸而損傷，並能夠將阻氣膜40與電子器件50均勻地貼合。
又，作為支撐電子器件50的背面側之構件，平滑且高剛性者即可，如圖2所示，可以為載置面平坦的板狀工作台，或者可以使用輥。在使用工作台之情形下，由於殘留於電子器件50與工作台之間之空氣，有可能無法將阻氣膜40與電子器件50均勻地貼合。就該觀點而言，使用輥為較佳。
又，作為輥和/或工作台所具有之加熱機構，並無特別限定，可以使用公知的加熱機構。
又，圖3所示之例子中，設為藉由輥同時進行加熱及加壓之結構，但是並不限定於此，可以在對阻氣膜進行加熱之後進行壓接。
又，關於熱壓接製程，減壓至大氣壓以下來進行為較佳。藉由在減壓下進行熱壓接製程來將阻氣膜40與電子器件50進行貼合時，能夠抑制空氣殘留於阻氣膜40與電子器件50之間。
＜剝離製程＞ 關於剝離製程，如圖5所示，在熱壓接製程之後從密封層12剝離阻氣膜40的基板32。能夠減小藉由剝離基板32而製作之電子器件積層體10整體的厚度而提高撓性。
關於本發明之製造方法，藉由實施以上各製程，能夠製作如圖5所示之電子器件積層體10。
[電子器件積層體] 藉由本發明之製造方法製作之本發明的電子器件積層體具有： 電子器件，元件形成面具有凹凸；及 轉印層，依次具有積層於元件形成面上之熱熔融層、無機層及有機層， 無機層的厚度為100nm以下， 熱熔融層的玻璃轉移溫度為20℃～180℃， 端部中的無機層與電子器件之間的距離為100nm以下。
圖5所示之電子器件積層體10具備：電子器件（有機EL器件）50，具有元件基板52及有機EL元件54；及密封層12，具有熱熔融層30、無機層16及有機層14。 密封層12藉由熱熔融層30與電子器件50的形成有有機EL元件54之面（元件形成面）接觸而積層於電子器件50上。
在此，電子器件積層體10中，無機層16的厚度為100nm以下。藉由將無機層16的厚度設為100nm以下，能夠提高無機層16的撓性，並追隨電子器件50的元件形成面的凹凸而進行彎曲。因此，能夠減小端部中的無機層16與電子器件50之間的距離，能夠防止水分從熱熔融層30的端部侵入。
又，電子器件積層體10中，熱熔融層30的玻璃轉移溫度為20℃～180℃。由於玻璃轉移溫度在上述範圍內的熱熔融層30藉由加熱而溶解，因此如上述之製造方法那樣對熱熔融層30進行加熱而使其流動，藉此能夠製成無機層16與電子器件50之間的距離小者。
又，電子器件積層體10中，藉由將端部中的無機層16與電子器件50之間的距離、亦即熱熔融層30的厚度設為100nm以下，能夠抑制水分從熱熔融層30的端面侵入。 另外，關於端部中的無機層16與電子器件50之間的距離，能夠藉由將電子器件積層體10在厚度方向上進行切斷並利用顯微鏡、SEM（掃描型電子顯微鏡）、熒光顯微鏡（Microscope）等觀察截面來進行測量。
以下，對構成電子器件積層體之部位及基板進行詳細說明。
＜基板＞ 關於基板32，能夠使用在各種阻氣膜及各種積層型功能性薄膜等中用作基板（支撐體）之、公知的片狀物（薄膜、板狀物）。 又，關於基板32，還能夠利用在各種光學透明接著劑（OCA（Optical Clear Adhesive：光學膠））中用作分離器（輕剝離分離器及重剝離分離器）之各種片狀物。
對於基板32的材料，並無限制，只要係能夠形成有機層14、無機層16及熱熔融層30，進而不溶解於用於形成有機層14之組成物中所含之溶劑者，則能夠利用各種材料。作為基板32的材料，可較佳地例示各種樹脂材料。 作為基板32的材料，例如，可舉出聚乙烯（PE）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、聚醯胺（PA）、聚對酞酸乙二酯（PET）、聚氯乙烯（PVC）、聚乙烯醇（PVA）、聚丙烯腈（PAN）、聚醯亞胺（PI）、透明聚醯亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂（PMMA）、聚碳酸酯（PC）、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸鹽、聚丙烯（PP）、聚苯乙烯（PS）、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（ABS）、環烯烴共聚物（COC）、環烯烴聚合物（COP）、三乙醯纖維素（TAC）及乙烯-乙烯醇共聚物（EVOH）等。 其中，就容易形成為能夠在與有機層14的界面剝離之觀點而言，使用三乙醯纖維素（TAC）作為基板32的材料為較佳。
關於基板32的厚度，能夠依據用途及材料等而適當地設定。 對於基板32的厚度，並無限制，但是就能夠充分地確保轉印型阻氣膜的機械強度、可獲得撓性（柔性）良好的轉印型阻氣膜、可實現轉印型阻氣膜的輕量化及薄化、可獲得在轉印時能夠從密封層12輕易地剝離之轉印型阻氣膜、在熱壓接製程中容易追隨電子器件50的元件形成面的凹凸等之觀點而言，120μm～5μm為較佳，100μm～15μm為更佳。
＜有機層＞ 有機層14為構成密封層12之層，且為成為用於適當地形成無機層16之基底層之層。又，有機層14為以能夠剝離之方式黏附有基板32之有機層。亦即，有機層14為能夠從基板32剝離之有機層。因此，有機層14與無機層16的密接力比基板32與有機層14的密接力強。 雖然將在後面敘述，但是形成於有機層14的表面上之無機層16較佳為藉由電漿CVD（Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積法）來形成。因此，在形成無機層16時，藉由電漿蝕刻有機層14，在有機層14與無機層16之間，形成具有有機層14的成分和無機層16的成分之、如混合層之層。其結果，有機層14與無機層16以非常強的密接力而密接。 因此，有機層14與無機層16的密接力比基板32與有機層14的密接力強得多，即使從有機層14剝離基板32，有機層14和無機層16亦難以剝離。 另外，有機層14的厚度係指不包括上述混合層之、僅包含有機層14的形成成分之層的厚度。
又，有機層14為用於適當地形成無機層16之基底層，因此形成於基板32的表面上之有機層14包埋基板32的表面的凹凸及附著於表面上之異物等。其結果，能夠使無機層16的形成面適當，並適當地形成無機層16。 藉由在能夠剝離基板32之有機層14形成無機層16，實現了能夠剝離基板32之轉印型阻氣膜。 進而，有機層14在剝離基板32之後用作保護無機層16之保護層。
在形成無機層16時，對有機層14施加高溫，因此有機層14的耐熱性高為較佳。具體而言，有機層14的玻璃轉移溫度（Tg）係175℃以上為較佳，200℃以上為更佳，250℃以上為進一步較佳。 如上所述，形成於有機層14的表面上之無機層16較佳為藉由電漿CVD來形成。藉由將有機層14的Tg設為180℃以上，就能夠較佳地抑制形成無機層16時之、基於電漿之有機層14的蝕刻及揮發而較佳地形成合適的有機層14及無機層16等的觀點而言為較佳。 對於有機層14的Tg的上限，並無限制，但是係500℃以下為較佳。
又，就與Tg相同的理由而言，形成有機層14之樹脂的分子量在一定程度上大為較佳。 具體而言，形成有機層14之樹脂的分子量（重量平均分子量（Mw））係500以上為較佳，1000以上為更佳，1500以上為進一步較佳。
另外，關於有機層14的Tg，可以藉由使用示差掃描量熱計（DSC）等之公知的方法來確定。又，關於分子量，亦可以藉由使用凝膠滲透層析儀（GPC）等之公知的方法來測量。又，在使用市售品之情形下，有機層14的Tg及分子量可以使用目錄值。 關於以上觀點，後述之熱熔融層30亦相同。
作為有機層14的形成材料，能夠利用在公知的阻氣膜中用作無機層的基底層之、各種有機層（有機層）。有機層14為例如包含使單體、二聚物及寡聚物等聚合（交聯、硬化）而得之有機化合物之層。用於形成有機層14之組成物可以僅包含1種有機化合物，亦可以包含2種以上。 有機層14例如含有熱塑性樹脂及有機矽化合物等。關於熱塑性樹脂，例如，可舉出聚酯、（甲基）丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸-順丁烯二酸共聚物、聚苯乙烯、透明氟樹脂、聚醯亞胺、氟化聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、纖維素醯化物、聚胺酯、聚醚醚酮、聚碳酸酯、脂環式聚烯烴、聚芳酯、聚醚碸、聚碸、茀環改質聚碳酸酯、脂環改質聚碳酸酯、茀環改質聚酯及丙烯酸化合物等。關於有機矽化合物，例如，可舉出聚矽氧烷。
關於有機層14，就強度優異之觀點和玻璃轉移溫度的觀點而言，較佳為包含自由基硬化性化合物和/或具有醚基之陽離子硬化性化合物的聚合物。 關於有機層14，就降低有機層14的折射率之觀點而言，較佳為包含將（甲基）丙烯酸酯的單體、寡聚物等聚合物作為主要成分之（甲基）丙烯酸樹脂。關於有機層14，藉由降低折射率，透明性增加，且透光性得到提高。
有機層14更佳為包含丙二醇二（甲基）丙烯酸酯（DPGDA）、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯（TMPTA）、二新戊四醇六（甲基）丙烯酸酯（DPHA）等將2官能以上的（甲基）丙烯酸酯的單體、二聚物及寡聚物等聚合物作為主要成分之（甲基）丙烯酸樹脂，進一步較佳為包含將3官能以上的（甲基）丙烯酸酯的單體、二聚物及寡聚物等聚合物作為主要成分之（甲基）丙烯酸樹脂。又，可以使用複數種該等（甲基）丙烯酸樹脂。主要成分係指所含有之成分中含有質量比最大的成分。
又，有機層14能夠藉由由具有芳香族環之樹脂形成而能夠剝離基板32。 有機層14較佳為將包含雙酚結構之樹脂作為主要成分。有機層14更佳為將聚芳酯（聚芳酯樹脂（PAR））作為主要成分。眾所周知，聚芳酯係指包含以雙酚A為代表之雙酚等2價苯酚與鄰苯二甲酸（對苯二甲酸、間苯二甲酸）等二元酸的聚縮合物之芳香族聚酯。 能夠藉由使有機層14將包含雙酚結構之樹脂作為主要成分、尤其能夠藉由使有機層14將聚芳酯作為主要成分，基板32與有機層14的密接力適當，且能夠輕易地剝離基板32。又，就因具有適當的柔軟性而能夠防止剝離基板32時的無機層16的損傷（裂紋及裂痕等）、因耐熱性高而能夠穩定地形成合適的無機層16、能夠防止轉印後的性能劣化、能夠提高作為有機薄膜電晶體的彎曲性等之觀點而言，為較佳。 另外，主要成分係指所含有之成分中含有質量比最大的成分。
在由具有芳香族環之各種樹脂形成有機層14之情形下，只要係具有芳香族環之樹脂，則有機層14可以使用市售品來形成。 作為能夠用於有機層14的形成之市售品的樹脂，可例示UNITIKA LTD.製造的UNIFINER（註冊商標）及U聚合物（註冊商標）、以及MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製造的Neoprim（註冊商標）等。
對於有機層14的厚度，並無限制，但是0.2～6μm為較佳，0.5～5μm為更佳，1～3μm為進一步較佳。 藉由將有機層14的厚度設為0.2μm以上，就能夠穩定地形成合適的無機層16、能夠保持剝離時不會撕裂的機械強度且能夠良好地剝離、不會受分離器等異物的影響等的觀點而言為較佳。又，藉由將有機層14的厚度設為6μm以下，就可實現阻氣膜40的輕量化及薄化、可獲得高透明性的阻氣膜、可獲得良好的基板32的剝離性、熱硬化時能夠均勻地硬化、能夠抑制殘留溶劑的含量、可獲得高撓性等的觀點而言為較佳。 另外，有機層14的厚度係指不包括上述混合層之、僅包含有機層14的形成成分之層的厚度。
有機層14能夠藉由與材料相對應之公知的方法來形成。 例如，有機層14能夠藉由製備將成為有機層14之樹脂（有機化合物）等溶解於溶劑中而得之組成物（樹脂組成物），塗佈於基板32上，並使組成物乾燥之塗佈法來形成。基於塗佈法之有機層14的形成中，依需要，可以藉由進一步對經乾燥之組成物照射紫外線而使組成物中的樹脂（有機化合物）聚合（交聯）。 除了有機化合物以外，用於形成有機層14之組成物較佳為還包含有機溶劑、界面活性劑及矽烷偶合劑等。
有機層14藉由卷對卷形成為較佳。以下說明中，還將“卷對卷”稱為“RtoR”。 眾所周知，RtoR係指從將長條的片狀物捲繞而成之輥送出片狀物，並沿長邊方向輸送長條的片材並且進行成膜，將已成膜之片狀物捲繞成輥狀之製造方法。藉由利用RtoR，可獲得高生產率和生產效率。
另外，有機層14需要形成為能夠從基板32剝離。因此，可以如上述那樣使用具有剝離性之材料作為有機層14的材料，亦可以在有機層14與基板32之間設置剝離層。作為剝離層，能夠適當地利用以往公知的剝離層。
基板32與有機層14的剝離力係0.01～2N/25mm為較佳，0.05～1N/25mm為更佳，0.1～0.8N/25mm為進一步較佳。
＜無機層＞ 無機層16為包含無機化合物之薄膜，且至少形成於有機層14的表面上。密封層12中，無機層16主要顯現阻氣性能。 在基板32的表面存在如凹凸及異物那樣的無機化合物難以成膜之區域。如上所述，藉由在基板32的表面設置有機層14，並在其上形成無機層16，覆蓋無機化合物難以成膜之區域。因此，能夠在無機層16的形成面無間隙地形成無機層16。
對於無機層16的材料，並無限制，能夠利用包含顯現阻氣性能之無機化合物之、公知的阻氣層中所使用之各種無機化合物。 作為無機層16的材料，例如，可舉出氧化鋁、氧化鎂、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈦、氧化銦錫（ITO）等金屬氧化物；氮化鋁等金屬氮化物；碳化鋁等金屬碳化物；氧化矽、氧氮化矽、氧碳化矽、氧化氮化碳化矽等矽氧化物；氮化矽、氮化碳化矽等矽氮化物；碳化矽等矽碳化物；該等的氫化物；該等中的2種以上的混合物；及該等的含氫物等無機化合物。又，還能夠利用該等中的2種以上的混合物。 其中，就透明性高，且能夠顯現優異的阻氣性能之觀點而言，可較佳地利用氮化矽、氧化矽、氧氮化矽、氧化鋁及該等中的2種以上的混合物。其中，可較佳地利用含有矽之化合物，其中，尤其就能夠顯現優異的阻氣性能之觀點而言，可較佳地利用氮化矽。
如前所述，無機層16的厚度為100nm以下。 就撓性及阻氣性的觀點而言，無機層16的厚度係50nm以下為較佳，5～50nm為更佳，10～30nm為進一步較佳。 藉由將無機層16的厚度設為2nm以上，就能夠形成穩定地顯現足夠的阻氣性能之無機層16的觀點而言為較佳。又，無機層16通常為較脆者，若過厚，則有可能會產生裂紋、裂痕及剝離等，但是藉由將無機層16的厚度設為50nm以下，能夠更較佳地防止產生裂紋。又，能夠提高撓性。
無機層16能夠藉由與材料相對應之公知的方法來形成。 例如，可較佳地舉出CCP（Capacitively Coupled Plasma：電容耦合電漿）-CVD及ICP（Inductively Coupled Plasma：感應耦合電漿）-CVD等電漿CVD、原子層沉積法（ALD（Atomic Layer Deposition））、磁控濺射及反應性濺射等濺射、以及真空蒸鍍等各種氣相沉積法。 其中，如上所述，就能夠提高有機層14與無機層16的密接力之觀點而言，可較佳地利用CCP-CVD及ICP-CVD等電漿CVD。 另外，無機層16亦藉由RtoR來形成為較佳。
＜熱熔融層＞ 熱熔融層30為用於將阻氣膜40貼合於電子器件50的元件形成面上者。 又，熱熔融層30還作為保護顯現阻氣性能之無機層16之保護層而發揮作用。
本發明中，熱熔融層30使用熱熔接著劑（HMA（Hot Melting Adhesive））。具體而言，包含熱熔接著劑之熱熔融層30為在常溫下為固態且藉由加熱而流動並顯現接著性之熱熔融層。另外，本發明中，常溫係指23℃。 藉由使用熱熔接著劑作為熱熔融層30，與以往的轉印型阻氣膜相比，能夠進一步提高阻氣性能。
熱熔融層30在30～200℃的條件下流動而顯現接著性為較佳，熱熔融層30在40～180℃的條件下流動而顯現接著性為更佳，在50～150℃的條件下流動而顯現接著性為進一步較佳。 在熱熔融層30於常溫下流動而顯現接著性之情形下，在切斷阻氣膜時及轉印阻氣膜時，容易發生箔拉絲，發生阻氣性能的下降等。 又，若流動而顯現接著性之溫度過高，則會導致黏附於黏附對象時所需之加熱溫度變高，且會對基板32、有機層14及黏附對象造成熱損傷。
熱熔融層30的玻璃轉移溫度Tg為20℃～180℃，25℃～150℃為較佳，40℃～140℃為更佳，60℃～120℃為進一步較佳。 藉由將熱熔融層30的Tg設在上述範圍內，容易獲得熱流動性，因此就能夠提高基於加熱之接著性及轉印性、能夠在低溫下接著且能夠提高生產率等的觀點而言為較佳。
在使用熱熔接著劑之情形下，只要熱熔融層30在常溫下為固態且藉由加熱而流動並顯現接著性，則對材料並無限制。 在使用熱熔接著劑之情形下，熱熔融層30將非晶性樹脂作為主要成分為較佳，將丙烯酸樹脂作為主要成分為更佳，將使單一的丙烯酸酯單體聚合而成之樹脂（丙烯酸均聚物（均質丙烯酸聚合物））作為主要成分為進一步較佳。 藉由將熱熔融層30的主要成分設為非晶性樹脂、尤其係丙烯酸樹脂，就可獲得高透明性的阻氣膜等的觀點而言為較佳。 進而，藉由將熱熔融層30的主要成分設為丙烯酸均聚物，除了上述之優點以外，還就能夠使基於熱之轉印性變得良好、在硬化之後捲取時難以黏連等的觀點而言為較佳。又，藉由由丙烯酸均聚物形成熱熔融層30，除了上述之優點以外，還能夠將熱熔融層30形成為在相對低的溫度下流動而顯現接著性之層。因此，在對阻氣膜不要求高耐熱性之情形下，可較佳地利用包含丙烯酸均聚物之熱熔融層30。
在使用熱熔接著劑之情形下，只要能夠形成在常溫下為固態且藉由加熱而流動並顯現接著性之熱熔融層30，則能夠利用公知的各種樹脂，且還能夠利用市售品。 具體而言，可例示TAISEI FINE CHEMICAL CO,.LTD.製造的0415BA（丙烯酸均聚物）及#7000系列等。
在熱熔融層30中可以依需要包含選自包含苯乙烯丙烯酸共聚物（苯乙烯改質丙烯酸樹脂）、胺基甲酸乙酯丙烯酸共聚物（胺基甲酸乙酯改質丙烯酸樹脂）及玻璃轉移溫度調節用丙烯酸樹脂之群組中之1個以上。 藉由在熱熔融層30中添加該等成分，能夠提高熱熔融層30的Tg。因此，依據用途等，在對有機薄膜電晶體要求耐熱性之情形下，可較佳地例示添加了該等成分之熱熔融層30。 又，藉由在熱熔融層30中添加苯乙烯丙烯酸共聚物，能夠調節熱熔融層30的硬度，因此能夠調節與黏附對象的硬度的平衡。藉由在熱熔融層30中添加胺基甲酸乙酯丙烯酸共聚物，能夠提高與無機層16的密接性。
另外，對於該等成分的添加量，並無限制，可以依據所添加之成分及目標Tg而適當地設定。然而，將該等成分的添加量設為熱熔融層30的主要成分成為上述之非晶性樹脂及丙烯酸樹脂等之量為較佳。
對於苯乙烯丙烯酸共聚物、胺基甲酸乙酯丙烯酸共聚物及玻璃轉移溫度調節用丙烯酸樹脂，並無限制，能夠利用用於樹脂等的Tg調節之各種樹脂。又，該等成分還能夠利用市售品。 作為一例，可例示TAISEI FINE CHEMICAL CO,.LTD.製造的#7000系列等作為苯乙烯丙烯酸共聚物。 作為胺基甲酸乙酯丙烯酸共聚物，可例示ACRIT8UA347H等TAISEI FINE CHEMICAL CO,.LTD.製造的ACRIT（註冊商標）8UA系列等。 作為玻璃轉移溫度調節用丙烯酸樹脂，可例示PMMA（例如，Mitsubishi Chemical Corporation.製造的DIANAL（註冊商標）等）等。
對於熱熔融層30的厚度，並無限制，能夠依據熱熔融層30的材料等充分地減小熱壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離，可以適當地設定可獲得足夠的接著性及無機層16的保護性能之厚度。熱熔融層30的厚度係1～30μm為較佳，2～20μm為更佳，3～10μm為進一步較佳。 藉由將熱熔融層30的厚度設為1μm以上，就在轉印時可獲得足夠的密接力、能夠防止剝離基板32時（轉印後）的阻氣性能的下降等的觀點而言為較佳。藉由將熱熔融層30的厚度設為30μm以下，就能夠充分地減小熱壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離、可獲得高透明性的阻氣膜40、能夠將阻氣膜40製成薄且輕等的觀點而言為較佳。
＜電子器件＞ 電子器件50為有機EL顯示器及有機EL照明裝置等公知的有機EL器件。 圖5所示之例子中，示出了元件基板52和形成於元件基板52上之複數個有機EL元件54作為電子器件50的構成要件，但是電子器件50還可以具有其他層。例如，電子器件可以具有在元件基板52上依次積層絕緣膜、透明電極層（TFT（Thin Film Transistor），薄膜電晶體）、絕緣膜、有機EL元件54及絕緣膜而成之結構。又，可以具有保護有機EL元件54之鈍化膜。
（元件基板） 作為元件基板52，能夠利用樹脂薄膜、玻璃基板等、以往的有機EL器件中用作元件基板之各種元件基板。
（有機EL元件） 有機EL元件54具有與以往的有機EL器件所具有之有機EL元件相同的結構。亦即，有機EL元件54具有空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、正孔阻擋層、電子傳輸層、電子注入層及陰極等。
在此，有機EL元件54的高度為0.1μm～10μm左右。又，有機EL元件54在面方向上的大小為0.1μm×0.1μm～10μm×10μm左右。
另外，上述之實施形態中，例示了有機EL器件作為電子器件，但是並不限定於此，能夠利用太陽電池等各種電子器件作為電子器件。 其中，關於藉由本發明的電子器件積層體之製造方法製作之電子器件，無機層16的損傷少，且長期以高耐久性顯現優異的阻氣性能，因此可較佳地用於具有對水分弱的有機EL元件之有機EL器件。
以上，對本發明的電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體詳細地進行了說明，但是本發明並不限定於上述態樣，在不脫離本發明的主旨的範圍內，可以進行各種改良或變更。 [實施例]
以下，舉出實施例對本發明進行具體的說明。本發明並不限定於以下所示之具體例。
[實施例1] ＜阻氣膜的製作＞ 使用TAC（三乙醯纖維素）薄膜（FUJIFILM Corporation製造，厚度為60μm，寬度為1000mm，長度為100m）作為基板32，並以下述步驟在基板32上形成了密封層12（有機層、無機層及熱熔融層）。
（有機層的形成） 準備聚芳酯（UNITIKA LTD.製造的UNIFINER（註冊商標）M-2000H）和環己酮，並以重量比率計成為5:95之方式進行秤量，在常溫下使其溶解而製成固體成分濃度為5%的塗佈液。所使用之聚芳酯的Tg為275℃（目錄值）。 使用模塗佈機，藉由RtoR將該塗佈液塗佈於上述基板上，並使其在130℃的乾燥區通過了3分鐘。在與第一個膜面接觸輥（與基板32的密封層12側的面接觸之輥）接觸之前，貼合PE（聚乙烯）的保護膜，然後進行了捲取。形成於基板32上之有機層14的厚度為2μm。
（無機層的形成） 使用將基板捲繞在滾筒上並進行成膜之、RtoR的一般的CVD裝置，在有機層14的表面上形成了氮化矽層作為無機層16。 CVD裝置具有基於CCP-CVD之成膜裝置、將基板進行捲繞並輸送之成為相對電極之滾筒、剝離積層於有機層上之保護膜之導輥、捲取所剝離之保護膜之回收輥、將長條的保護膜捲繞而成之輥的裝填部及將保護膜積層於已成膜之無機層的表面上之導輥等。另外，CVD裝置使用了具有2個以上的成膜單元（成膜裝置）者。
從裝填於裝填部中之輥送出形成有有機層14之基板32，並通過成膜前的最後一個膜面接觸輥之後剝離保護膜，在所暴露之有機層14上形成了無機層16。為了形成無機層16，使用2個電極（成膜單元），原料氣體使用了矽烷氣、氨氣及氫氣。關於原料氣體的供給量，將第1成膜單元設為矽烷氣150sccm、氨氣300sccm及氫氣500sccm，將第2成膜單元設為矽烷氣150sccm、氨氣350sccm及氫氣500sccm。第1成膜單元及第2成膜單元中，將電漿激發功率設為2.5kW，且將電漿激發功率的頻率設為13.56MHz。向滾筒供給了頻率0.4MHz、0.5kW的偏壓功率。又，關於滾筒，藉由冷卻機構將溫度控制在30℃。將成膜壓力設為50Pa。將PE的保護膜貼合於剛成膜之後的無機層16的膜面，然後進行了捲取。無機層16的膜厚為20nm。
（熱熔融層的形成） 接著，使用利用RtoR藉由塗佈法進行成膜之一般的有機成膜裝置，在無機層16的表面上形成了熱熔融層30。 首先，準備丙烯酸均聚物（Taisei Fine Chemical Co., Ltd.製造，0415BA），並利用乙酸乙酯進行稀釋，製成固體成分濃度為20質量%的組成物。該丙烯酸均聚物為非晶質，Tg為20℃，且在100℃的條件下流動而顯現接著性。 使用模塗佈機，將該組成物塗佈於無機層16的表面上，接著，使其通過了80℃的乾燥區。將乾燥區的通過時間設為3分鐘。藉此，將組成物進行乾燥並硬化，而在無機層16的表面上形成了熱熔融層30。 另外，在塗佈組成物之前，剝離了積層於無機層16的表面上之保護膜。形成於無機層16的表面上之熱熔融層的厚度為5μm。
由以上內容，製作了捲取成輥狀之長條的轉印型阻氣膜。從該長條的轉印型阻氣膜，以100mm×100mm的大小切出了阻氣膜40。
＜有機EL器件的製作＞ 在玻璃基板上形成厚度為100μm、大小為100mm×100mm的聚醯亞胺層作為元件基板52，並以下述步驟在聚醯亞胺層上形成了有機EL元件54。
（有機EL元件的形成） 由陶瓷掩蔽了該元件基板的周邊2mm。進而，將實施了掩蔽之元件基板裝填於一般的真空蒸鍍裝置中，並藉由真空蒸鍍，形成厚度為100nm的包含金屬鋁之電極，進而，形成了厚度為1nm的氟化鋰層。接著，藉由真空蒸鍍，在形成有電極及氟化鋰層之元件基板上依次形成了以下有機化合物層。 •（發光層兼電子傳輸層）三（8-羥基喹啉）鋁：膜厚為60nm •（第2正孔傳輸層）N,N’-二苯基-N,N’-二萘基聯苯胺：膜厚為40nm •（第1正孔傳輸層）銅酞菁：膜厚為10nm 進而，將形成有該等層之元件基板裝填於一般的濺射裝置中，將ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）用作靶，並藉由DC磁控濺射，形成包含厚度為0.2μm的ITO薄膜之透明電極，形成了使用有機EL材料之發光元件即有機EL元件54。
將有機EL元件54的大小設為10μm×10μm且將高度設為5μm。 將有機EL元件54設為以50μm的間距正方排列於元件基板52上者。 藉由以上，製作了電子器件（有機EL器件）50。
＜熱壓接製程＞ 作為進行熱壓接製程之貼合裝置，使用了具有平板狀工作台100及配置於工作台100的上方之輥102之貼合裝置。工作台100及輥102分別具有加熱機構。又，輥102由矽橡膠製成。又，工作台100及輥102設置於減壓室內，且能夠用旋轉泵對減壓室內部進行減壓並進行貼合。
將工作台100的溫度調節至25℃，且將輥102設定為90℃。將減壓室內的壓力設為0.1Pa。 將在上述製作之電子器件50載置於工作台100上，並將在上述製作之阻氣膜40積層於電子器件50的元件形成面上。此時，使熱熔融層30朝向元件形成面側。 使用輥102從基板32側按壓阻氣膜40，並且使輥102從端部平行移動來將阻氣膜40與電子器件50進行了熱壓接。 將輥102的移動速度設為1m/min，並將基於輥之壓力調節成0.3MPa。
測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為50nm。 另外，將從阻氣膜40的端部到有機EL元件54的距離設為0.5mm。
＜剝離製程＞ 在熱壓接製程之後，在與有機層14的界面剝離了基板32。 藉由以上，製作了電子器件積層體。
[實施例2] 在熱壓接製程中，將工作台100的溫度調節至90℃，並將輥102的溫度設定為30℃，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為70nm。
[實施例3] 將輥溫度設為120℃，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為25nm。 [實施例4] 添加苯乙烯丙烯酸聚合物，以使熱熔融層的玻璃轉移溫度Tg成為80℃，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為80nm。 [實施例5] 將基於輥之壓力設為1MPa，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為20nm。 [實施例6] 將無機層的厚度設為5nm，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為50nm。 [實施例7] 將無機層的厚度設為100nm，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為50nm。 [實施例8] 將熱壓接製程前的熱熔融層的厚度設為10μm，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為70nm。 [實施例9] 將熱壓接製程前的熱熔融層的厚度設為2μm，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為30nm。 [實施例10] 將有機層的厚度設為5μm，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為60nm。 [實施例11] 將有機層的厚度設為0.5μm，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為40nm。 [實施例12] 將基板的厚度設為80μm，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為90nm。 [實施例13] 將基板的厚度設為40μm，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。 測量壓接後的端部中的無機層16與電子器件50之間的距離之結果，為30nm。
[比較例1] 在阻氣膜的製作中，不形成熱熔融層而如下述那樣使用接著劑將阻氣膜貼合於電子器件上，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子器件積層體。
（使用了接著劑之阻氣膜的貼合） 將接著劑設為將分別加入48%的環氧樹脂（JER1001）、48%的環氧樹脂（JER152）及4%的矽烷偶合劑（KBM502）而得者溶解於MEK（甲基乙基酮）中而製成50%重量溶液者。 將該接著劑塗佈於阻氣膜的無機層上，以成為既定的厚度，使溶劑充分地揮發之後，貼合於電子器件上，在100℃的環境下放置100小時並使其硬化而製作了電子器件積層體。 測量貼合後的端部中的無機層與電子器件之間的距離之結果，為1000nm。
[評價] ＜亮度＞ 在剛製作在各實施例及比較例中製作之電子器件積層體之後，使用Keithlel公司製造的SMU2400型電源量測單元對各電子器件積層體施加7V的電壓而使其發光，測量了整體的亮度。然後，在溫度60℃、濕度90%的環境下，放置了200小時。放置200小時之後，以與上述相同的方式，點亮電子器件積層體，再次測量整體的亮度並測量了亮度下降的比例。 AAA：亮度下降為1%以下。 AA：亮度下降為1%以上且小於3%。 A：亮度下降為3%以上且小於5%。 B：亮度下降為5%以上且小於8%。 C：亮度下降為8%以上且小於10%。 D：亮度下降為10%以上且小於30%。 E：亮度下降為30%以上，且藉由肉眼觀察亦能夠輕易地視覺辨認發光變低。 關於評價，能夠容許至C，D以下為NG。
＜暗點＞ 又，放置200小時之後，在點亮了電子器件積層體之狀態下，藉由顯微鏡從密封層側進行觀測，確認有無暗點的產生，並依據以下基準進行了評價。 A：完全未觀察到暗點的產生 B：稍微觀察到暗點的產生 C：清楚地觀察到暗點的產生 D：暗點面積的比例大
＜撓性＞ 將各實施例及比較例的電子器件積層體在φ8mm處向外彎曲10万次之後，與上述同樣地，測量亮度，求出相對於剛製作電子器件積層體之後的亮度之亮度下降的比例，並依據與上述相同的基準進行了評價。 將結果示於下述表1中。
[表1]
Figure 108132507-A0304-0001
由表1可知：與比較例相比，藉由本發明之製造方法製作之電子器件積層體中，即使放置在高溫多濕的環境下，亮度下降亦小，且暗點的產生亦少，能夠抑制有機EL元件的劣化。又，可知：與比較例相比，藉由本發明之製造方法製作之電子器件積層體的撓性高。
又，由實施例1與實施例2的對比可知：在熱壓接製程中，在使基板側的溫度高於電子器件側的溫度的條件下能夠輕易地對熱熔融層進行加熱並使其輕易地流動，因此能夠藉由加壓來減小無機層與電子器件之間的距離。 又，由實施例1與實施例3的對比可知：在熱壓接製程中，在進一步提高基板側的溫度之條件下能夠輕易地對熱熔融層進行加熱並使其流動，因此能夠藉由加壓來減小無機層與電子器件之間的距離。 又，由實施例1與實施例4的對比可知：在熱壓接製程中，在熱熔融層的玻璃轉移溫度Tg低的條件下，能夠藉由加熱而輕易地使熱熔融層流動，因此能夠藉由加壓來減小無機層與電子器件之間的距離。 又，由實施例1與實施例5的對比可知：若熱壓接製程中的加壓力高，則能夠減小無機層與電子器件之間的距離。 又，由實施例1～實施例5的對比可知：無機層與電子器件之間的距離越窄，則高濕熱試驗後的亮度下降越少，暗點的產生亦越少，且耐久性越高。又，可知彎曲試驗後的亮度下降亦少且撓性高。
又，由實施例1、實施例6及實施例7的對比可知：若無機層的厚度薄，則阻氣性下降，因此耐久性及撓性亦下降，若無機層的厚度厚，則撓性下降，因此10nm～30nm為較佳。
又，由實施例1、實施例8及實施例9的對比可知：熱熔融層的厚度（熱壓接製程前的厚度）越薄，則越能夠減小熱壓接後的無機層與電子器件之間的距離。
又，由實施例1、實施例10及實施例11的對比可知，有機層越薄，則越能夠減小熱壓接後的無機層與電子器件之間的距離。認為這係因為：若有機層厚，則在熱壓接製程時難以將熱傳遞至熱熔融層，流動性下降。
又，由實施例1、實施例12及實施例13的對比可知，基板越薄，則越能夠減小熱壓接後的無機層與電子器件之間的距離。認為這係因為：若基板厚，則在熱壓接製程時難以將熱傳遞至熱熔融層，流動性下降。
又，由實施例6～實施例13的對比亦可知：無機層與電子器件之間的距離越窄，則高濕熱試驗後的亮度下降越少，暗點的產生亦越少，且耐久性越高。又，可知彎曲試驗後的亮度下降亦少且撓性高。 由以上結果，本發明的效果係顯而易見的。
10:電子器件積層體 12:密封層 14:有機層 16:無機層 30:熱熔融層 32:基板 40:阻氣膜 50:電子器件 52:元件基板 54:有機EL元件 100:工作台 102:輥
圖1係示意性地表示用於本發明的電子器件積層體之製造方法之轉印型阻氣膜的一例之剖面圖。 圖2係用於說明本發明的電子器件積層體之製造方法的一例之圖。 圖3係用於說明本發明的電子器件積層體之製造方法的一例之圖。 圖4係用於說明本發明的電子器件積層體之製造方法的一例之圖。 圖5係示意性地表示藉由本發明的電子器件積層體之製造方法製作之、本發明的電子器件積層體的一例之剖面圖。
12:密封層
14:有機層
16:無機層
30:熱熔融層
32:基板
50:電子器件
52:元件基板
54:有機EL元件
100:工作台
102:輥

Claims (11)

  1. 一種電子器件積層體之製造方法，其包括： 準備阻氣膜之製程，該阻氣膜具有：依次具有熱熔融層、無機層及有機層之密封層；及在該密封層的該有機層側以能夠從該密封層剝離之方式積層之基板； 熱壓接製程，使該熱熔融層側朝向元件形成面側而將該阻氣膜進行加熱及加壓而壓接於電子器件的具有凹凸之該元件形成面上；及 剝離製程，從該密封層剝離該基板， 該無機層的厚度為100nm以下， 該熱熔融層的玻璃轉移溫度為20℃～180℃。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子器件積層體之製造方法，其中 在該熱壓接製程中，調節加熱溫度和所加壓之壓力，以使熱壓接後的、端部中的該無機層與該電子器件之間的距離小於100nm。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子器件積層體之製造方法，其中 該電子器件為有機電致發光器件。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子器件積層體之製造方法，其中 在該熱壓接製程中，使用輥進行對該阻氣膜的加熱及加壓。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子器件積層體之製造方法，其中 在該熱壓接製程中，從該基板側進行加熱。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電子器件積層體之製造方法，其中 在該熱壓接製程中，從該電子器件側進行加熱。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電子器件積層體之製造方法，其中 該基板側的加熱溫度高於該電子器件側的加熱溫度。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子器件積層體之製造方法，其中 該基板為三乙醯纖維素薄膜。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子器件積層體之製造方法，其中 該基板的厚度為0.1μm～100μm。
  10. 一種電子器件積層體，其具有： 電子器件，元件形成面具有凹凸；及 轉印層，依次具有積層於該元件形成面上之熱熔融層、無機層及有機層， 該無機層的厚度為100nm以下， 該熱熔融層的玻璃轉移溫度為20℃～180℃， 端部中的該無機層與該電子器件之間的距離為100nm以下。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電子器件積層體，其中 該電子器件為有機電致發光器件。
TW108132507A 2018-09-27 2019-09-10 電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體 TW202013789A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018181972 2018-09-27
JP2018-181972 2018-09-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202013789A true TW202013789A (zh) 2020-04-01

Family

ID=69952072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108132507A TW202013789A (zh) 2018-09-27 2019-09-10 電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7112505B2 (zh)
KR (1) KR102528054B1 (zh)
CN (1) CN112771996A (zh)
TW (1) TW202013789A (zh)
WO (1) WO2020066496A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112701129B (zh) * 2021-01-07 2023-10-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6070558B2 (ja) * 2011-08-05 2017-02-01 三菱化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及びその製造方法
JP2013069615A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法
JP6026331B2 (ja) 2013-03-22 2016-11-16 富士フイルム株式会社 有機ｅｌ積層体
JP6303835B2 (ja) 2014-06-06 2018-04-04 コニカミノルタ株式会社 電子デバイス
WO2016133130A1 (ja) 2015-02-17 2016-08-25 コニカミノルタ株式会社 封止構造体
JP6399982B2 (ja) * 2015-08-28 2018-10-03 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法
JP2017117663A (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 アイシン精機株式会社 固体酸化物型電池セル及びその評価装置
JP6617024B2 (ja) * 2015-12-24 2019-12-04 パイオニア株式会社 発光装置
US20200251684A1 (en) * 2017-03-09 2020-08-06 Pioneer Corporation Light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020066496A1 (ja) 2021-08-30
WO2020066496A1 (ja) 2020-04-02
KR102528054B1 (ko) 2023-05-02
KR20210043697A (ko) 2021-04-21
JP7112505B2 (ja) 2022-08-03
CN112771996A (zh) 2021-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6527053B2 (ja) ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの転写方法
JP5914397B2 (ja) 機能性フィルム
JP6170627B2 (ja) 電子デバイスの製造方法および複合フィルム
JP6427459B2 (ja) 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法
JP5943893B2 (ja) 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法
TW202013789A (zh) 電子器件積層體之製造方法及電子器件積層體
JP6399982B2 (ja) ガスバリアフィルムの製造方法
JP6262108B2 (ja) 機能性フィルムの製造方法
JP5944875B2 (ja) 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法
JP6924893B2 (ja) ガスバリアフィルム、光学素子およびガスバリアフィルムの製造方法
TW201824601A (zh) 阻氣膜及阻氣膜的製造方法
JP6603811B2 (ja) ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
US11765917B2 (en) Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor
JP6296951B2 (ja) 積層フィルムおよび輸液バックならびに積層フィルムの製造方法