CN112397634B - 一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法 - Google Patents

一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及热电材料技术领域，具体公开了一种提升Bi‑Sb‑Te基热电材料性能的方法，包括：按照化学通式为Bi0.42Sb1.58Te3(Cu1.8S)x，其中0＜x≤0.3％，称量Te粒、Sb粒、Bi粉和Cu1.8S粉，装入石英管中并抽真空；将石英管放置于立式管式炉中在900～1000℃温度下保温15～20h，随炉冷却得到初始铸锭；将铸锭采用高能球磨机进行研磨，得到粉末；将粉末采用放电等离子烧结工艺，在410～450℃下保温4～8min，烧结压力为40～60MPa，得到Bi‑Sb‑Te基热电材料，该材料具有较高的电导率，且显著抑制双极效应，提升ZT值，并使取得最高ZT值的温度得以调控。

Description

一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法
技术领域
本发明涉及热电材料技术领域，特别涉及一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法。
背景技术
热电器件，作为一种无污染、工作噪音小、无传动部件、使用寿命长、可靠性高的新型能源材料，其能够利用塞贝克效应以及佩尔捷效应，利用固体内部的载流子定向运动直接将热能与电能进行相互转化，是一种应用于温差生电和使用单向电流进行制冷的新技术，是未来极具应用前景的新型绿色能源技术。
热电材料的能量转化效率通常使用无量纲热电优值来表征，ZT＝σα2T/κ,其中T为绝对温度，α为赛贝克系数，σ为电导率，κ为总热导率，其中总热导率κ由电子热导率、晶格热导率、以及双极热导率三部分组成。由于决定热电优值的三个物理参数S、σ、κ之间存在着强烈的互相影响，所以很难做到调控单独参数来优化热电优值。所以通过协同调控其热传输与电传输之间的关系，及化学掺杂增强功率因子(PF＝σα2)，同时构建多尺度缺陷来降低其晶格热导率κL，进而促进ZT值的增长一直是热电领域的研究重点。
p型碲化铋是一种重要的热电能源材料，其在室温区间优异的稳定性以及高热电性能一直是实际应用中的重点，由于p型碲化铋具有特殊的能带结构和相对复杂的晶体结构，使其在中温区间出现双极效应，使得其应用范围只能在室温区，这是限制其使用温度范围的重要因素，因此要如何提升p型碲化铋在中温区间的热电优值依旧是本领域重要的研究课题。
发明内容
本发明提供了一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，以解决现有技术中p型碲化铋在中温区间会出现双极效应，热电性能不佳，使其应用范围受限的问题。
为了达到上述目的，本发明的技术方案为：
一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，包括以下步骤：
步骤1：按照化学通式为Bi0.42Sb1.58Te3(Cu1.8S)x的摩尔分数配比，其中0＜x≤0.3％，称量Te粒、Sb粒、Bi粉和Cu1.8S粉，装入石英管中并抽真空；
步骤2：将步骤1的石英管放置于立式管式炉中在900～1000℃温度下保温15～20h，随后随炉冷却，得到初始铸锭；
步骤3：将步骤2的铸锭采用高能球磨机进行研磨，得到粉末；
步骤4：将步骤3得到的粉末采用放电等离子烧结工艺，在410～450℃下保温4～8min，得到Bi-Sb-Te基热电材料，其中烧结压力为40～60MPa。
本技术方案的技术原理和效果在于：
1、本方案中通过引入Cu1+(Cu1.8S)，使用Cu1+对Bi-Sb-Te基热电材料进行化学掺杂，优化Bi-Sb-Te基热电材料的空穴载流子浓度，抑制了双极效应，使得Bi-Sb-Te基热电材料的载流子浓度达到优化水平，电传输性质得到优化；另外Cu1+的引入，抑制了Bi-Sb-Te基体的本征激发，使得其空穴载流子不会被电子俘获；同时在Bi-Sb-Te基热电材料中构建由Cu1+置换点缺陷、一维位错、二维晶界等多维缺陷结构、晶格畸变位错和散射声子，从而降低了热导率，最终在载流子与热导率的优化下，使Bi-Sb-Te基热电材料的热导率在高温区显著降低，最终热电优值在高温区得到大幅提升，成为一种在中温区(300K～580K)具有较高应用价值的热电材料。
2、本方案中引入的掺杂物Cu1.8S，其加入的摩尔量不超过0.3％，原因在于，超过该范围，会使得到的样品中Cu1.8S以第二相的形式出现在Bi-Sb-Te基热电材料的相界面上，而这样的现象会导致样品的功率因子急剧下降，从而恶化材料的热电性能。
3、本方案中SPS烧结的温度限定在410～450℃，在该温度内产物的烧结效果较好，可以达到较高的致密度，而如果烧结温度过低，会使样品不够致密或出现开裂等问题；而烧结温度过高，则会使样品在烧结过程中过度软化而挤出，无法完成烧结，或者析出一些第二相杂质。
进一步，所述步骤1中Te粒、Sb粒和Bi粉按照熔点由高到低依次装入石英管中。
有益效果：这样使得Te粒、Sb粒和Bi粉能够在高温下均匀的融化。
进一步，所述步骤1中Te粒、Sb粒、Bi粉和Cu1.8S粉的纯度不低于99.99％。
有益效果：这样减少杂质元素的引入，降低杂质对产物热电优值提升的影响。
进一步，所述步骤1中石英管抽真空后，其绝对真空度低于10-4Pa。
有益效果：这样设置能够避免Te粒、Sb粒、Bi粉和Cu1.8S粉在高温加热过程中被氧化。
进一步，所述步骤2中首先以90～110℃/h的升温速率将石英管从室温加热到600～700℃，保温4～8h；再以90～110℃/h的升温速率将石英管升温到900～1000℃保温15～20h。
有益效果：本方案中采用分布升温的工艺，避免直接升到最高温度使金属液受到热冲的影响，尽可能保持金属液表面平稳，另外由于三种原料的熔点不同，分步加热可以保证原料全部充分融化。
进一步，所述步骤3中球磨的转速为700～900r/min，球磨时间为3～6min。
有益效果：该转速和时间下保证铸锭能够被充分研磨成粉末。
进一步，所述步骤4中的加热过程以100℃/min的加热速率升温到400℃，再以25/min的加热速率升温到410～450℃。
有益效果：本方案中采用分布升温的方式能够避免因升温速度过快使得样品加热不均匀，出现局部过热的问题。
进一步，所述步骤1中x＝0.1％～0.3％。
有益效果：该范围下热电材料内的空穴载流子的浓度得到优化，载流子的迁移率较高，同时能够获得较低的热导率。
进一步，所述步骤1中x＝0.3％。
有益效果：当x＝0.3％时，通过实验检测得到其热电优值在373K时达到峰值。
附图说明
图1为本发明实施例1～3和对比例1制备的Bi-Sb-Te基热电材料的XRD图谱；
图2为本发明实施例1～3和对比例1制备的Bi-Sb-Te基热电材料的导电性随温度变化的曲线图；
图3为本发明实施例1～3和对比例1制备的Bi-Sb-Te基热电材料的塞贝克系数随温度变化的曲线图；
图4为本发明实施例1～3和对比例1制备的Bi-Sb-Te基热电材料的功率因子随温度变化的曲线图；
图5为本发明实施例1～3和对比例1制备的Bi-Sb-Te基热电材料的扩散系数随温度变化的曲线图；
图6为本发明实施例1～3和对比例1制备的Bi-Sb-Te基热电材料的热导率随温度变化的曲线图；
图7为本发明实施例1～3和对比例1制备的Bi-Sb-Te基热电材料的ZT值随温度变化的曲线图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式进一步详细说明：
实施例1：
一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，包括以下步骤：
步骤1：在充满氩气保护气氛的手套箱中，将纯度不低于99.99％(质量分数)的Te粒、Sb粒、Bi粉和Cu1.8S粉，按照化学通式为Bi0.42Sb1.58Te3(Cu1.8S)x的摩尔分数配比称量各组分(总质量为16g)，其中x为0.3％，装入石英管中并抽真空，保持真空后的绝对真空度小于10-4Pa，用氢氧火焰封装。
步骤2：将步骤1的石英管放置于立式管式炉中以每小时100℃的升温速率从室温加热到650℃，保温5h，再以相同的升温速率将石英管由650℃升温到950℃保温16h，随后随炉冷却，得到初始铸锭。
步骤3：将步骤2得到的铸锭放入高能球磨机中进行研磨，得到粉末，其中球磨机转速为800r/min，球磨时间为5min。
步骤4：将步骤3的粉末装入内径为15mm的石墨模具中，放入放电等离子烧结炉装置中，抽真空至4Pa以下，以100℃/min的加热速率升温到400℃，再以25℃/min的加热速率升温到425℃，烧结压力调节为50MPa，并恒温恒压保温5min，进行放电等离子烧结，随后炉冷，即得到致密的块状热电材料Bi0.42Sb1.58Te3(Cu1.8S)0.003。
实施例2～3：
与实施例1的区别在于，Cu1.8S的含量不同，其中实施例2中x＝0.05％；实施例3中x＝0.1％。
对比例1：
与实施例1的区别在于，对比例1中未加入Cu1.8S，即x＝0。
对比例2：
与实施例1的区别在于，对比例2中加入Cu1.8S的量x＝7％。
将实施例1～3和对比例1～2制备的热电材料样品进行实验检测：
1、XRD(X射线衍射)表征：
采用X射线衍射仪分别对实施例1～3和对比例1～2制备的热电材料样品的进行检测，以实施例1～3和对比例1为例，检测结果如图1所示。
从图1可以观察到，大部分的衍射峰对应于p型碲化铋的主相而主峰的偏移角度随着x的增加而变化，证明Cu1.8S中Cu1+进入到p型碲化铋的晶格中，而不是以第二相的形式存在。
2、热电性能表征
2.1电学、热学性能
热电材料的性能由无量纲热电优值ZT来表征，公式为ZT＝σS2T/κ，其中σS2表示功率因子，S为赛贝克系数，σ为电导率，T为绝对温度，而κ为热导率。
以实施例1～3和对比例1为例，测试的导电性、塞贝克系数、功率因子随温度变化的曲线图分别如图2、图3和图4所示；可以观察到所有掺杂样品的电导率随温度升高而降低，说明所有掺杂样品的电运输特性属于简并半导体导电行为，而掺杂样品的功率因子变化规律均与纯样表现出明显差异。
另外实施例1～3和对比例1制备的样品其总热导率和热扩散系数随温度的变化曲线图如图5和图6所示，可以观察到通过掺杂加入Cu1.8S，显著抑制了材料的双极扩散。
2.2ZT值
根据上述公式ZT＝σS2T/κ计算可以得出ZT值，以实施例1～3和对比例1为例，ZT值随温度的变化分别如图7所示，可以观察到所有掺杂样品的ZT值在323K～523K内是随着温度的升高而增加，并在温度为373K得到显著提升，相较于未掺杂样品有显著提高；而对比例2中样品的ZT值通过检测再整个温度区间显著下降，说明引入过量的Cu1+会使得热电性能恶化。
以上所述的仅是本发明的实施例，方案中公知的具体材料及特性等常识在此未作过多描述。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容。

Claims (9)

1.一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：按照化学通式为Bi0.42Sb1.58Te3(Cu1.8S)x的摩尔分数配比，其中0＜x≤0.3％，称量Te粒、Sb粒、Bi粉和Cu1.8S粉，装入石英管中并抽真空；
步骤2：将步骤1的石英管放置于立式管式炉中在900～1000℃温度下保温15～20h，随后随炉冷却，得到初始铸锭；
步骤3：将步骤2的铸锭采用高能球磨机进行研磨，得到粉末；
步骤4：将步骤3得到的粉末采用放电等离子烧结工艺，在410～450℃下保温4～8min，得到Bi-Sb-Te基热电材料，其中烧结压力为40～60MPa。
2.根据权利要求1所述的一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，其特征在于：所述步骤1中Te粒、Sb粒和Bi粉按照熔点由高到低依次装入石英管中。
3.根据权利要求1所述的一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，其特征在于：所述步骤1中Te粒、Sb粒、Bi粉和Cu1.8S粉的纯度不低于99.99％。
4.根据权利要求1所述的一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，其特征在于：所述步骤1中石英管抽真空后，其绝对真空度低于10-4Pa。
5.根据权利要求1所述的一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，其特征在于：所述步骤2中首先以90～110℃/h的升温速率将石英管从室温加热到600～700℃，保温4～8h；再以90～110℃/h的升温速率将石英管升温到900～1000℃保温15～20h。
6.根据权利要求1所述的一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，其特征在于：所述步骤3中球磨的转速为700～900r/min，球磨时间为3～6min。
7.根据权利要求1所述的一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，其特征在于：所述步骤4中的加热过程以100℃/min的加热速率升温到400℃，再以25℃/min的加热速率升温到410～450℃。
8.根据权利要求7所述的一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，其特征在于：所述步骤1中x＝0.1％～0.3％。
9.根据权利要求8所述的一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法，其特征在于：所述步骤1中x＝0.3％。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113023687B (zh) * 2021-03-04 2022-09-09 南昌工程学院 一种基于放电等离子烧结技术的纳米铋锑碲制备方法
CN116693292A (zh) * 2023-06-06 2023-09-05 西安交通大学 p型Bi2Te3基热电材料的制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103400932A (zh) * 2008-08-29 2013-11-20 Lg化学株式会社 新型热电转换材料及其制备方法，以及使用该新型热电转换材料的热电转换元件
CN104555950A (zh) * 2015-01-30 2015-04-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法
CN105047808A (zh) * 2015-09-11 2015-11-11 广东雷子克热电工程技术有限公司 一种BiSbTeSe基热电材料
CN107195767A (zh) * 2017-06-09 2017-09-22 广东雷子克热电工程技术有限公司 一种五元n型热电材料及其制备方法
CN108231991A (zh) * 2017-11-24 2018-06-29 浙江大学 一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的p型碲化铋基热电材料
CN110627502A (zh) * 2019-10-22 2019-12-31 中南大学 一种低温p型复合热电材料及制备方法
CN110698203A (zh) * 2019-09-27 2020-01-17 太原理工大学 一种单质碲基复合热电材料的制备方法
CN110752285A (zh) * 2019-11-05 2020-02-04 南方科技大学 提升N型Bi-Sb-Te-Se基热电材料性能的制造方法
KR20200052648A (ko) * 2018-11-07 2020-05-15 한국전기연구원 최고효율 온도가 200도 이상인 비스무스-안티몬-텔루륨계 열전재료의 제조방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103400932A (zh) * 2008-08-29 2013-11-20 Lg化学株式会社 新型热电转换材料及其制备方法，以及使用该新型热电转换材料的热电转换元件
CN104555950A (zh) * 2015-01-30 2015-04-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法
CN105047808A (zh) * 2015-09-11 2015-11-11 广东雷子克热电工程技术有限公司 一种BiSbTeSe基热电材料
WO2017041634A1 (zh) * 2015-09-11 2017-03-16 广东雷子克热电工程技术有限公司 一种BiSbTeSe基热电材料
CN107195767A (zh) * 2017-06-09 2017-09-22 广东雷子克热电工程技术有限公司 一种五元n型热电材料及其制备方法
CN108231991A (zh) * 2017-11-24 2018-06-29 浙江大学 一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的p型碲化铋基热电材料
KR20200052648A (ko) * 2018-11-07 2020-05-15 한국전기연구원 최고효율 온도가 200도 이상인 비스무스-안티몬-텔루륨계 열전재료의 제조방법
CN110698203A (zh) * 2019-09-27 2020-01-17 太原理工大学 一种单质碲基复合热电材料的制备方法
CN110627502A (zh) * 2019-10-22 2019-12-31 中南大学 一种低温p型复合热电材料及制备方法
CN110752285A (zh) * 2019-11-05 2020-02-04 南方科技大学 提升N型Bi-Sb-Te-Se基热电材料性能的制造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Enhancing thermoelectric performance of Cu1.8S by Sb/Sn co doping and incorporating multiscale defects to scatter heatcarrying;Huaichao Tang等;《Journal of Materials Chemistry C》;20190314;全文 *
Mechanically Robust BiSbTe Alloys with Superior Thermoelectric Performance: A Case Study of Stable Hierarchical Nanostructured Thermoelectric Materials;Yun Zheng等;《Adv. Energy Mater.》;20141114;全文 *

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