CN108231991A - 一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的p型碲化铋基热电材料 - Google Patents

一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的p型碲化铋基热电材料 Download PDF

Info

Publication number
CN108231991A
CN108231991A CN201711194288.0A CN201711194288A CN108231991A CN 108231991 A CN108231991 A CN 108231991A CN 201711194288 A CN201711194288 A CN 201711194288A CN 108231991 A CN108231991 A CN 108231991A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bismuth telluride
melting
type bismuth
room temperature
thermoelectric material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711194288.0A
Other languages
English (en)
Inventor
朱铁军
翟仁爽
吴业浩
赵新兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University ZJU
Original Assignee
Zhejiang University ZJU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University ZJU filed Critical Zhejiang University ZJU
Priority to CN201711194288.0A priority Critical patent/CN108231991A/zh
Publication of CN108231991A publication Critical patent/CN108231991A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基热电材料，化学式组成为Bi2‑xSbxTe3‑ySey，其中0.1<x<0.7，0.1<y<0.5。本发明还公开了P型碲化铋基热电材料的制备方法，将原料进行粉碎、称量；将原料装入石英管内，抽真空到≤10‑3Pa后进行密封；进行熔炼，获得多晶铸锭；然后进行区熔生长制得取向多晶铸锭，切割得到P型碲化铋基热电材料。本发明得到的P型碲化铋基热电材料在室温附近的热电优值zT为1左右，含有较少的Sb元素和Te元素，制备成本低。

Description

一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基 热电材料
技术领域
本发明属于热电材料领域，具体涉及一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基热电材料。
背景技术
热电材料是利用固体内部载流子与晶格的相互作用，实现电能和热能相互转换的材料。由P型和N型热电材料对串联集成的器件即为热电器件，可以用于发电或制冷。热电器件的工作效率主要依赖热电材料的热电优值zT，zT＝(α2σ/κ)T,其中α、σ和κ分别为塞贝克系数、电导率和热导率(包括载流子热导率κe和晶格热导率κl)，T为器件的服役温度。材料的热电优值zT随温度变化，碲化铋基合金(Bi2Te3)具有室温附近优异的热电优值，也是目前唯一大规模商业化应用于室温附近固态制冷和废热余热发电的热电材料。
热电领域主要通过区熔法与粉末冶金法制备碲化铋基热电材料。粉末冶金法引入大量晶界，有效散射声子，可以降低晶格热导率，提高材料的热电优值。但是，粉末冶金法制备成本较高而且需要后续热压(HP)或放电等离子烧结(SPS)成块体，无法大批量工业化生产而一直停留在科研阶段。
目前，常见的商业化碲化铋基热电材料仍是通过区熔法制备的。n型碲化铋基热电材料最高zT值为0.80-1.0，p型碲化铋基热电材料最高zT值为0.90-1.1。由于碲化铋基合金热电性能的各向异性，较强的织构有利于获得良好的热电性能。然而，具有较强织构如区熔法制备的取向多晶，其较高的晶格热导率(N型和P型室温附近大约为1Wm-1K-1)限制了热电性能的进一步提高。
公开号为CN 102108554 B的中国发明专利公开了一种高性能P型碲化铋基热电发电材料的制备方法，以工业化大批量生产的高纯碲块、铋块和锑块为原料，经过去氧化层、粉碎后，按一定的比例称量后置于处理好的玻璃管内，经过封装、熔化、区熔生长、退火，得到P型碲化铋基热电半导体晶棒，在30～300℃下，平均ZT值达0.75以上。
期刊Journal of Materials Science中“Thermoelectric properties ofBi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3,pseudo-ternary alloys in the temperature range 77 to 300K”1966,1(1):52-65一文公开了一种用于室温附近的固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基合金，以化学式计量为Bi0.5Sb1.5Te3掺入Te熔炼而成，其室温附近的热电优值zT最高为1左右，但该P型碲化铋基合金含有大量昂贵的锑(Sb)元素和碲(Te)元素，成本较高。
发明内容
本发明提供了一种P型碲化铋基热电材料，制备成本低，产品室温附近的热电优值高，可广泛用于室温附近固态制冷和废热余热发电。
本发明采用以下技术方案：
一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基热电材料，其化学式组成为Bi2-xSbxTe3-ySey，其中0.1<x<0.7，0.1<y<0.5。
采用固溶Se来引入质量波动和应力场波动，有效降低材料的晶格热导率至0.6Wm- 1K-1；同时，固溶少量Sb优化载流子浓度，抑制本征激发，优化电学性能；最终，获得室温附近热电优值高的P型碲化铋基热电材料。
x＝0.4～0.6，y＝0.3时，室温附近热电优值约为0.9～1.0。
一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基热电材料的制备方法如下：
(1)将Bi块、Sb块、Te块和Se块进行粉碎；
(2)按照化学式Bi2-xSbxTe3-ySey中各元素的化学计量比称量步骤(1)中的原料，其中0.1<x<0.7,0.1<y<0.5，将原料装入洗净的石英管内；
(3)将步骤(2)中石英管的真空度抽到≤10-3Pa，并用氢氧焰将石英管密封；
(4)把密封后的石英管置于旋转熔炼炉内熔炼10～12h，获得多晶铸锭；
(5)将步骤(4)获得的多晶铸锭置于垂直区熔炉内进行区熔生长，制得取向多晶铸锭后进行切割，得到P型碲化铋基热电材料。
步骤(2)中所述的石英管的洗涤过程为：将稀硝酸倒入石英管中，超声波震荡15～20min，清水清洗，无水乙醇清洗，然后将石英管烘干。
作为优选，0.1<x<0.4时，载流子浓度低，在步骤(2)加入掺剂如Ag、Cu、Sn、Pb、Cd、Te、Bi、Sb等，调节该材料组分的载流子浓度，抑制本征激发对材料热电性能的不利影响。
Sn在弱P型碲化铋基合金的能带中，可以产生能级共振效应，增大塞贝克系数，提高电性能，从而提高热电优值。
作为优选，步骤(2)中加入掺剂Sn制备化学式为Bi2-xSbx-zSnzTe3-ySey的P型碲化铋基热电材料，其中x＝0.2，y＝0.3，z≤0.002，P型碲化铋基热电材料室温附近的热电优值最大提高10％。
步骤(4)中，熔炼的温度过高，Te和Sb易挥发，成分难以控制；温度过低，反应不够充分；所述熔炼的温度为750℃～850℃。
作为优选，步骤(4)中熔炼温度为780℃～800℃，此时获得成分均匀的多晶铸锭。
步骤(5)中，较慢的生长速度、较大的固液面温度梯度和较窄的熔区有利于晶体的生长和成分的均匀分布；所述的区熔生长的条件为：区熔温度为650℃～700℃，生长速度为8～10mm/h，固液面温度梯度为25～40K/cm，熔区宽度为2～3cm。
作为优选，步骤(5)中所述的区熔生长的条件为：区熔温度为650℃～660℃，生长速度为8～8.5mm/h，固液面温度梯度为35～40K/cm，熔区宽度为2～2.5cm，可获得取向良好，成分分布均匀的区熔铸锭。
本发明的P型碲化铋基热电材料，晶格热导率低，室温附近的热电优值高；与传统的P型碲化铋合金相比，原料成本较低，可广泛用于室温附近固态制冷和废热余热发电；制备本发明P型碲化铋基热电材料采用区熔法，可直接商业化应用。
附图说明
图1为本发明的P型碲化铋基热电材料的制备方法流程图。
图2为实施例1制备得到的P型碲化铋基热电材料的电导率随温度变化的关系图。
图3为实施例1制备得到的P型碲化铋基热电材料的塞贝克系数随温度变化的关系图。
图4为实施例1制备得到的P型碲化铋基热电材料的功率因子随温度变化的关系图。
图5为实施例1制备得到的P型碲化铋基热电材料的热导率随温度变化的关系图。
图6为实施例1制备得到的P型碲化铋基热电材料的热电优值随温度变化的关系图。
图7为实施例1制备得到的P型碲化铋基热电材料与其他P型碲化铋基合金的热电优值随温度变化的对比图。Bi1.5Sb0.5Te3来自文献(Losták P,KlichováI,Svanda P,etal.Characterization of Ag‐Doped Bi1.5Sb0.5Te3 Single Crystals[J].CrystalResearch&Technology,2015,34(8):995-1004.)，Bi1.5Sb0.5Te2.7Se0.3、Bi2Te2.7Se0.3均为实施例1制备得到。
图8为实施例2制备得到的含有掺剂Sn的P型碲化铋基热电材料的热电优值随温度变化的关系图。
具体实施方式
为了更好的理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1
(1)将商业化纯度为5N的Bi块、Sb块、Te块和Se块进行粉碎；
(2)将内径为12mm左右的石英管的一端采用氢氧焰密封，将稀硝酸倒入石英管中，超声波震荡15～20min，倒出硝酸用清水清洗两次，无水乙醇清洗一次，然后将石英管放入烘箱于120℃干燥12h备用；
(3)按照化学式Bi2-xSbxTe3-ySey中各元素的化学计量比称取步骤(1)中原料共80g，放入烘干的石英管内，其中x＝0、0.10、0.20、0.30、0.40、0.43、0.47、0.50、0.55、0.60、0.70，y＝0.3；
(4)将步骤(3)中石英管的真空度抽到10-3Pa，并用氢氧焰将石英管另一端密封；
(5)将步骤(4)中石英管置于800℃的旋转熔炼炉中熔炼10h，熔炼过程中一直旋转保证原料的充分混合，冷却至室温，得到多晶铸锭；
(6)将步骤(5)获得的多晶铸锭置于垂直区熔炉上进行区熔生长，区熔温度为650℃，生长速度为8mm/h，多晶铸锭从头到尾区熔过后，冷却至室温，获得取向多晶铸锭，也可称为类单晶铸锭。
(7)切开装有类单晶铸锭的石英管的一端，倒出类单晶铸锭并用线切割切除尖部40mm，尾部20mm，得到单根长70mm左右，性能均匀稳定的p型碲化铋基热电半导体晶棒。
图2-6中的x＝0、0.10、0.20、0.30、0.40、0.43、0.47、0.50、0.55、0.60、0.70代表本实施例中y＝0.3,x＝0、0.10、0.20、0.30、0.40、0.43、0.47、0.50、0.55、0.60、0.70时的P型碲化铋基热电材料。
图2为本实施例制备得到的P型碲化铋基热电材料的电导率随温度变化的关系图。
图3为本实施例制备得到的P型碲化铋基热电材料的塞贝克系数随温度变化的关系图。
图4为本实施例制备得到的P型碲化铋基热电材料的功率因子随温度变化的关系图。
图5为本实施例制备得到的P型碲化铋基热电材料的热导率随温度变化的关系图。
图6为本实施例制备得到的P型碲化铋基热电材料的热电优值随温度变化的关系图，由图可知，随着材料中Sb含量的增加，室温附近的zT值先增加后减小，当x＝0.5，y＝0.3时制备得到的材料Bi1.5Sb0.5Te2.7Se0.3，在300K～350K的zT值均大于1.0，这主要是因为该材料电导率高，功率因子高，晶格热导率低。
本实施例中当x＝0，y＝0.3时，得到材料Bi2Te2.7Se0.3，如图7所示，室温附近zT值为0.2左右，这主要是由于极低的载流子浓度造成严重的本征激发恶化了材料的热电性能。
本实施例中当x＝0.5，y＝0.3时，得到材料Bi1.5Sb0.5Te2.7Se0.3，如图7所示，Bi1.5Sb0.5Te2.7Se0.3四元固溶体比三元固溶体Bi1.5Sb0.5Te3、Bi2Te2.7Se0.3的热电性能优异，325K时材料Bi1.5Sb0.5Te2.7Se0.3的zT值最高约为1.1，室温附近zT值约为1.0，满足了固态制冷热电器件的需要，由于该成分含有较少昂贵的Sb和Te元素，与传统P型碲化铋基材料相比，成本较低。
实施例2
(1)将商业化纯度为5N的Bi块、Sb块、Sn块、Te块和Se块进行粉碎；
(2)将内径为12mm左右的石英管的一端采用氢氧焰密封，将稀硝酸倒入石英管中，超声波震荡15～20min，倒出硝酸，用清水清洗两次，无水乙醇清洗一次，然后将石英管放入烘箱于120℃干燥12h备用；
(3)加入掺剂Sn，按照化学式Bi2-xSbx-zSnzTe3-ySey中各元素的化学计量比称取步骤(1)中原料共80g，置烘干后的石英管内，其中x＝0.2，y＝0.3，z＝0、0.002、0.004、0.006、0.008、0.010；
(4)将步骤(3)中石英管的真空度抽到10-3Pa，并用氢氧焰将石英管另一端密封；
(5)将步骤(4)中石英管置于800℃的旋转熔炼炉中熔炼10h，熔炼过程中一直旋转保证原料的充分混合，冷却至室温，得到多晶铸锭；
(6)将步骤(5)获得的多晶铸锭置于垂直区熔炉上进行区熔生长，区熔温度为650℃，生长速度为8mm/h，多晶铸锭从头到尾区熔过后，冷却至室温，获得取向多晶铸锭，也可称为类单晶铸锭。
(7)切开装有类单晶铸锭的石英管的一端，倒出类单晶铸锭并用线切割切除尖部40mm，尾部20mm，即得到单根长70mm左右，性能均匀稳定的p型碲化铋基热电半导体晶棒。
图8为本实施例中制备得到的P型碲化铋基热电材料的热电优值随温度变化的关系图，图中z＝0、0.002、0.004、0.006、0.008、0.010代表本实施例中x＝0.2，y＝0.3，z＝0、0.002、0.004、0.006、0.008、0.010时的P型碲化铋基热电材料。当z＝0.002时，本实施例中制备得到的P型碲化铋基热电材料的热电优值提高了10％，室温附近zT值约为0.9。

Claims (9)

1.一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基热电材料，其特征在于，化学式组成为Bi2-xSbxTe3-ySey，其中0.1<x<0.7，0.1<y<0.5。
2.根据权利要求1所述的用于室温附近固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基热电材料，其特征在于，x＝0.4～0.6，y＝0.3。
3.根据权利要求1所述的用于室温附近固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将Bi块、Sb块、Te块和Se块进行粉碎；
(2)按照化学式Bi2-xSbxTe3-ySey中各元素的化学计量比称量步骤(1)中的原料，其中0.1<x<0.7，0.1<y<0.5，将原料装入洗净的石英管；
(3)将步骤(2)中石英管的真空度抽到≤10-3Pa，并用氢氧焰将石英管密封；
(4)把密封后的石英管置于旋转熔炼炉内熔炼10～12h，获得多晶铸锭；
(5)将步骤(4)获得的多晶铸锭置于垂直区熔炉内进行区熔生长，制得取向多晶铸锭后进行切割，得到P型碲化铋基热电材料。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的石英管的洗涤过程为：将稀硝酸倒入石英管中，超声波震荡15～20min，清水清洗，无水乙醇清洗，然后将石英管烘干。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，0.1<x<0.4时，载流子浓度低，在原料中加入掺剂，所述的掺剂为Ag、Cu、Sn、Pb、Cd、Te、Bi、Sb中的一种或者多种。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述的掺剂为Sn，制备化学式为Bi2- xSbx-zSnzTe3-ySey的P型碲化铋基热电材料，其中，x＝0.2，y＝0.3，z≤0.002。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述熔炼的温度为750℃～850℃。
8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述的区熔生长的条件为：区熔温度为650℃～700℃，生长速度为8～10mm/h，固液面温度梯度为25～40K/cm，熔区宽度为2～3cm。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述的区熔生长的条件为：区熔温度为650℃～660℃，生长速度为8～8.5mm/h，固液面温度梯度为35～40K/cm，熔区宽度为2～2.5cm。
CN201711194288.0A 2017-11-24 2017-11-24 一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的p型碲化铋基热电材料 Pending CN108231991A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711194288.0A CN108231991A (zh) 2017-11-24 2017-11-24 一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的p型碲化铋基热电材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711194288.0A CN108231991A (zh) 2017-11-24 2017-11-24 一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的p型碲化铋基热电材料

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108231991A true CN108231991A (zh) 2018-06-29

Family

ID=62652835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711194288.0A Pending CN108231991A (zh) 2017-11-24 2017-11-24 一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的p型碲化铋基热电材料

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108231991A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112397634A (zh) * 2020-11-16 2021-02-23 昆明理工大学 一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法
CN112864300A (zh) * 2019-11-28 2021-05-28 中国科学院大连化学物理研究所 一种碲化铋基合金薄膜-钙钛矿型氧化物异质结复合热电材料及其制备与应用
CN113399665A (zh) * 2021-05-08 2021-09-17 桂林电子科技大学 一种制备NbFeSb块体热电材料的方法
CN113764566A (zh) * 2020-06-01 2021-12-07 西华大学 复合热电材料晶锭及其制备方法与应用
CN114408874A (zh) * 2022-01-12 2022-04-29 深圳热电新能源科技有限公司 一种基于熵工程的碲化铋热电材料及其制备方法
CN114477102A (zh) * 2022-01-20 2022-05-13 深圳热电新能源科技有限公司 一种n型碲化铋基热电材料及其制备方法与应用
CN114561707A (zh) * 2021-11-05 2022-05-31 杭州大和热磁电子有限公司 一种红外加热区熔炉及其制备n型碲化铋合金的方法
CN115216846A (zh) * 2022-05-26 2022-10-21 杭州大和热磁电子有限公司 一种p型碲化铋合金材料、制备方法及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1768986A (zh) * 2005-09-23 2006-05-10 北京科技大学 一种铋－碲合金系列热电材料的高压制备方法
CN103311426A (zh) * 2013-06-24 2013-09-18 武汉科技大学 用制冷晶棒加工废料制备N型Bi2Te3基热电材料的方法
CN105047808A (zh) * 2015-09-11 2015-11-11 广东雷子克热电工程技术有限公司 一种BiSbTeSe基热电材料
CN106449957A (zh) * 2016-11-14 2017-02-22 苏州科技大学 一种碲化铋基p型热电材料及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1768986A (zh) * 2005-09-23 2006-05-10 北京科技大学 一种铋－碲合金系列热电材料的高压制备方法
CN103311426A (zh) * 2013-06-24 2013-09-18 武汉科技大学 用制冷晶棒加工废料制备N型Bi2Te3基热电材料的方法
CN105047808A (zh) * 2015-09-11 2015-11-11 广东雷子克热电工程技术有限公司 一种BiSbTeSe基热电材料
CN106449957A (zh) * 2016-11-14 2017-02-22 苏州科技大学 一种碲化铋基p型热电材料及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A-YOUNG EUM等: ""Thermoelectric and Transport Properties of N-type Bi2-xSbxTe3-ySey solid solutions"", 《JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY》 *
JAE-UK LEE等: "Effect of Sn Doping on the Thermoelectric Properties of N-type Bi2(Te,Se)3 Alloys"", 《JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS》 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112864300A (zh) * 2019-11-28 2021-05-28 中国科学院大连化学物理研究所 一种碲化铋基合金薄膜-钙钛矿型氧化物异质结复合热电材料及其制备与应用
CN112864300B (zh) * 2019-11-28 2024-02-02 中国科学院大连化学物理研究所 一种碲化铋基合金薄膜-钙钛矿型氧化物异质结复合热电材料及其制备与应用
CN113764566A (zh) * 2020-06-01 2021-12-07 西华大学 复合热电材料晶锭及其制备方法与应用
CN113764566B (zh) * 2020-06-01 2023-05-26 西华大学 复合热电材料晶锭及其制备方法与应用
CN112397634B (zh) * 2020-11-16 2023-02-28 昆明理工大学 一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法
CN112397634A (zh) * 2020-11-16 2021-02-23 昆明理工大学 一种提升Bi-Sb-Te基热电材料性能的方法
CN113399665A (zh) * 2021-05-08 2021-09-17 桂林电子科技大学 一种制备NbFeSb块体热电材料的方法
CN114561707A (zh) * 2021-11-05 2022-05-31 杭州大和热磁电子有限公司 一种红外加热区熔炉及其制备n型碲化铋合金的方法
CN114561707B (zh) * 2021-11-05 2023-03-10 杭州大和热磁电子有限公司 一种红外加热区熔炉及其制备n型碲化铋合金的方法
CN114408874A (zh) * 2022-01-12 2022-04-29 深圳热电新能源科技有限公司 一种基于熵工程的碲化铋热电材料及其制备方法
CN114477102A (zh) * 2022-01-20 2022-05-13 深圳热电新能源科技有限公司 一种n型碲化铋基热电材料及其制备方法与应用
CN115216846A (zh) * 2022-05-26 2022-10-21 杭州大和热磁电子有限公司 一种p型碲化铋合金材料、制备方法及其应用
CN115216846B (zh) * 2022-05-26 2023-11-24 杭州大和热磁电子有限公司 一种p型碲化铋合金材料、制备方法及其应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108231991A (zh) 一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的p型碲化铋基热电材料
Li et al. Processing of advanced thermoelectric materials
JP4198055B2 (ja) 直接的熱電エネルギー変換のための素子を製造する方法
JP6266099B2 (ja) 可逆的相転移を有する高性能ｐ型熱電材料及びその製造方法
KR100910158B1 (ko) Ｓｎ 충진 및 Ｔｅ 도핑된 스커테루다이트계 열전재료 및그 제조방법
CN101994155B (zh) 一种纳米相掺杂的碲化铋基热电材料及其制备方法
CN102108554B (zh) 一种高性能p型碲化铋基热电发电材料的制备方法
CN108238796B (zh) 铜硒基固溶体热电材料及其制备方法
CN106571422B (zh) 一种碲化铋基n型热电材料及其制备方法
CN106830940A (zh) 一种GeTe基高性能热电材料及其制备方法
CN104555950B (zh) 一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法
CN109671840B (zh) 一种用于热电材料的锑碲硒基体合金的构建方法、锑碲硒基热电材料
CN113421959B (zh) 一种n型碲化铋基室温热电材料及其制备方法
CN106986315B (zh) 一种适用于低温发电的p型碲化铋热电材料及制备方法
CN107799646A (zh) 一种合金热电半导体材料及其制备方法
CN101217178B (zh) 一类锑化钼基热电材料的制备方法
CN105702847B (zh) 一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法
CN102088058A (zh) 一种高性能n型碲化铋基热电发电材料的制备方法
CN112342619B (zh) 一种热电材料优化载流子浓度的方法
CN105990510B (zh) 一种铜硒基高性能热电材料及其制备方法
CN108735887A (zh) 掺锑高性能GeTe-PbTe固溶体热电材料及其制备方法
CN101857928A (zh) 一种p型Zn4Sb3基热电材料及其制备方法
JP2001064006A (ja) Ｓｉクラスレート化合物及びその製造方法、並びに熱電材料
Wang et al. Thermoelectric properties of indium-filled skutterudites prepared by combining solvothermal synthesis and melting
CN106058032A (zh) 一种高热电性能元素半导体热电材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180629

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication