CN112272691A - 压敏胶片的制造方法、切晶粘晶一体型带的制造方法、半导体装置的制造方法、压敏胶黏剂的处理方法、被粘附体的固定化方法及被粘附体的剥离方法 - Google Patents

压敏胶片的制造方法、切晶粘晶一体型带的制造方法、半导体装置的制造方法、压敏胶黏剂的处理方法、被粘附体的固定化方法及被粘附体的剥离方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112272691A
CN112272691A CN201980038462.3A CN201980038462A CN112272691A CN 112272691 A CN112272691 A CN 112272691A CN 201980038462 A CN201980038462 A CN 201980038462A CN 112272691 A CN112272691 A CN 112272691A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pressure
sensitive adhesive
adhesive layer
plasma treatment
adherend
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980038462.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112272691B (zh
Inventor
彼谷美千子
山中大辅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lishennoco Co ltd
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to CN202310234425.8A priority Critical patent/CN116218389A/zh
Publication of CN112272691A publication Critical patent/CN112272691A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112272691B publication Critical patent/CN112272691B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/02—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving pretreatment of the surfaces to be joined
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/124—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present on both sides of the carrier, e.g. double-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Medicinal Preparation (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明公开一种压敏胶片的制造方法，具备：准备压敏胶片前驱物的工序，该压敏胶片前驱物具有基材及设置于基材上的压敏胶黏剂层；以及对压敏胶片前驱物中的压敏胶黏剂层的与基材相反的一侧的面实施等离子体处理的工序。

Description

压敏胶片的制造方法、切晶粘晶一体型带的制造方法、半导体 装置的制造方法、压敏胶黏剂的处理方法、被粘附体的固定化 方法及被粘附体的剥离方法
技术领域
本发明涉及一种压敏胶片(pressure-sensitive adhesive sheet)的制造方法、切晶粘晶一体型带的制造方法、半导体装置的制造方法、压敏胶黏剂的处理方法、被粘附体的固定化方法及被粘附体的剥离方法。
背景技术
压敏胶黏剂用于工业领域的各种用途中。在工业上，通常通过调整交联密度来控制胶接力(adhesive force)(因交联密度等引起的压敏胶黏剂自身的体(bulk)特性)。
另一方面，已知有通过对被粘附体实施表面处理来提高被粘附体与压敏胶黏剂的胶黏性的方法。例如，在专利文献1中记载有通过对合成树脂产品(被粘附体)实施等离子体处理，从而合成树脂产品与涂膜的胶黏性提高。并且，在专利文献2中记载有在压敏胶片中，对塑胶膜基材(被粘附体)实施等离子体处理等，由此可提高塑胶膜基材表面对压敏胶黏剂层的固着性的内容。从提高胶黏性的观点考虑，在这些专利文献中均公开了对被粘附体实施表面处理。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开昭59-100143号公报
专利文献2：日本特开2011-068718号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
但是，以往的压敏胶黏剂在胶接力这一点尚有改善的余地。因此，本发明的主要目的在于提供一种压敏胶片的制造方法，其能够制造具有胶接力优异的压敏胶黏剂层的压敏胶片。
用于解决技术课题的手段
作为被粘附体与压敏胶黏剂的胶黏性的影响因素，除了压敏胶黏剂的胶接力(压敏胶黏剂自身的体特性)以外，有压敏胶黏剂相对于被粘附体的亲和容易度(润湿性)。但是，根据本发明的发明人的研究判断出，在调整压敏胶黏剂的交联密度来控制压敏胶黏剂的胶接力的方法中，胶接力与润湿性存在所谓的此消彼长的关系。例如，若以提高胶接力的方式调整交联密度，则显示出压敏胶黏剂对被粘附体的润湿性下降的倾向。并且，根据该见解进一步研究的结果发现，通过对压敏胶黏剂层实施等离子体处理而非对被粘附体实施等离子体处理，能够降低被处理面的接触角而提高胶接力，从而完成了本发明。
本发明的一方面提供一种压敏胶片的制造方法，具备：准备压敏胶片前驱物的工序，所述压敏胶片前驱物具有基材及设置于基材上的压敏胶黏剂层；以及对压敏胶片前驱物中的压敏胶黏剂层的与基材相反的一侧的面实施等离子体处理的工序。
等离子体处理可以为使用大气压等离子体的等离子体处理。等离子体处理的处理温度可以低于基材的熔点或压敏胶黏剂层的熔点中低的一方的温度。
压敏胶片的制造方法还可以具备在已实施等离子体处理的压敏胶黏剂层的与基材相反的一侧的面上粘贴保护材料的工序。保护材料可以为粘贴在已实施等离子体处理的压敏胶黏剂层侧的面已通过等离子体处理进行了处理的材料。
在另一方面，本发明提供一种通过上述制造方法而获得的压敏胶片。
在另一方面，本发明提供一种切晶粘晶一体型带的制造方法，具备对通过上述制造方法而获得的压敏胶片，在已实施等离子体处理的压敏胶黏剂层的与基材相反的一侧的面上形成胶黏剂(adhesive)层的工序。
在另一方面，本发明提供一种通过上述制造方法而获得的切晶粘晶一体型带。
在另一方面，本发明提供一种半导体装置的制造方法，具备：将通过上述制造方法而获得的切晶粘晶一体型带的胶黏剂层粘贴于半导体晶片的工序；将半导体晶片、胶黏剂层及已实施等离子体处理的压敏胶黏剂层单片化的工序；从已实施等离子体处理的所述压敏胶黏剂层拾取附着有胶黏剂层的半导体元件的工序；以及经由胶黏剂层，将半导体元件黏合于半导体元件搭载用支承基板的工序。
在另一方面，本发明提供一种压敏胶黏剂的处理方法，具备对压敏胶黏剂实施等离子体处理的工序。等离子体处理可以为使用大气压等离子体的等离子体处理。等离子体处理的处理温度可以低于压敏胶黏剂的熔点。
在另一方面，本发明提供一种被粘附体的固定化方法，具备通过用上述方法进行了处理的压敏胶黏剂，将第二被粘附体粘贴于第一被粘附体的工序。并且，在又一方面，本发明提供一种被粘附体的剥离方法，其具备利用水处理通过上述方法进行了固定化的被粘附体的第一被粘附体与压敏胶黏剂的界面或第二被粘附体与压敏胶黏剂的界面中的至少一者，将第一被粘附体与第二被粘附体剥离的工序。
发明效果
根据本发明，能够提供一种压敏胶片的制造方法，其能够制造具有胶接力优异的压敏胶黏剂层的压敏胶片。并且，根据本发明，能够提供一种使用通过这种制造方法而获得的压敏胶片的切晶粘晶一体型带的制造方法。并且，根据本发明，能够提供一种使用通过这种制造方法而获得的切晶粘晶一体型带的半导体装置的制造方法。而且，根据本发明，能够提供一种压敏胶黏剂的处理方法、被粘附体的固定化方法及被粘附体的剥离方法。
附图说明
图1是示意性地表示压敏胶片的制造方法的一实施方式的剖视图。图1中，图1(a)、图1(b)、图1(c)及图1(d)是示意性地表示各工序的剖视图。
图2是示意性地表示切晶粘晶一体型带的制造方法的一实施方式的剖视图。图2中，图2(a)、图2(b)及图2(c)是示意性地表示各工序的剖视图。
图3是示意性地表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖视图。图3中，图3(a)、图3(b)、图3(c)、图3(d)、图3(e)及图3(f)是示意性地表示各工序的剖视图。
图4是示意性地表示半导体装置的一实施方式的剖视图。
具体实施方式
以下，一边适当地参考附图，一边对本发明的实施方式进行说明。但是本发明并不限定于以下实施方式。以下实施方式中，除特别明示的情况以外，其构成要件(还包含步骤等)不是必须的。各图中的构成要件的大小为概念性的大小，构成要件间的大小的相对关系并不限定于各图中所示的关系。
本说明书中的数值及其范围也同样如此，并不限制本发明。本说明书中，使用“～”来表示的数值范围表示将“～”的前后所记载的数值分别作为最小值及最大值而包含的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围中，以一个数值范围所记载的上限值或下限值也可以替换成其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本说明书中所记载的数值范围中，该数值范围的上限值或下限值可以替换成实施例中所示的值。
在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或与其对应的甲基丙烯酸酯。
[压敏胶片的制造方法]
图1是示意性地表示压敏胶片的制造方法的一实施方式的剖视图。本实施方式所涉及的压敏胶片的制造方法具备：准备具有基材及设置于基材上的压敏胶黏剂层的压敏胶片前驱物的工序(压敏胶片前驱物的准备工序)；以及对压敏胶片前驱物中的压敏胶黏剂层的与基材相反的一侧的面实施等离子体处理的工序(等离子体处理的实施工序)。本实施方式所涉及的压敏胶片的制造方法还可以具备在已实施等离子体处理的压敏胶黏剂层的与基材相反的一侧的面上粘贴保护材料的工序(保护材料的配置工序)。
＜压敏胶片前驱物的准备工序＞
在本工序中，准备成为等离子体处理的对象的压敏胶片前驱物100(参考图1(a))。压敏胶片前驱物100具有基材10及设置于基材10上的压敏胶黏剂层20。
基材10只要具有比通过等离子体处理而产生的热更高的熔点(或者分解点或软化点)，则并无特别限制，能够使用在压敏胶黏剂的领域中所使用的基材膜。基材膜优选在粘晶工序中能够扩展。作为这种基材膜，例如可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯系膜；聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚醋酸乙烯酯膜等聚烯烃系膜；聚氯乙烯膜、聚酰亚胺膜等塑胶膜等。可以对基材10的将要形成压敏胶黏剂层20的面实施电晕处理等表面处理。
压敏胶黏剂层20是由压敏胶黏剂成分构成的层。构成压敏胶黏剂层20的压敏胶黏剂成分只要具有比通过等离子体处理而产生的热更高的熔点(或者分解点或软化点)，则并无特别限制，优选为在室温(25℃)下具有胶接力且对层叠于压敏胶黏剂层20上的层(例如后述的胶黏剂层)具有密合力的压敏胶黏剂成分。构成压敏胶黏剂层20的压敏胶黏剂成分也可以含有基本树脂。作为基本树脂，例如可列举丙烯酸系树脂、合成橡胶、天然橡胶、聚酰亚胺树脂等。从减少压敏胶黏剂成分的残糊的观点考虑，基本树脂优选具有能够与后述的交联剂等反应的羟基、羧基等官能团。基本树脂可以为通过紫外线、辐射线等高能量射线而固化的树脂或者通过热而固化的树脂。基本树脂优选为通过高能量射线而固化的树脂，更优选为通过紫外线而固化的树脂(紫外线固化型基本树脂)。
在使用通过高能量射线而固化的树脂作为基本树脂的情况下，也可以根据需要而并用光聚合引发剂。光聚合引发剂例如可以为芳香族酮化合物、苯偶姻醚化合物、苯偶酰化合物、酯化合物、吖啶化合物、2,4,5-三芳基咪唑二聚体等。
为了调整胶接力，压敏胶黏剂成分也可以含有能够与基本树脂的官能团形成交联结构的交联剂。交联剂优选具有选自由环氧基、异氰酸酯基、氮丙啶基及三嗪基组成的群组中的至少一种官能团。交联剂可单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
为了维持等离子体处理所带来的效果，有效的是调整交联剂的含量。相对于基本树脂100质量份，交联剂的含量优选为5质量份以上，更优选为7质量份以上，进一步优选为10质量份以上。若相对于基本树脂100质量份而交联剂的含量为5质量份以上，则有能够抑制等离子体处理所带来的效果的衰减的倾向。相对于基本树脂100质量份，交联剂的含量可以为30质量份以下。若相对于基本树脂100质量份而交联剂的含量为30质量份以下，则有容易维持等离子体处理所带来的效果的倾向，且有能够抑制压敏胶黏剂层与保护材料的密合性下降的倾向。
压敏胶黏剂成分也可以含有其他成分。作为其他成分，例如可列举以促进基本树脂与光聚合引发剂的交联反应为目的而添加的胺、锡等催化剂；以适当地调整粘附特性为目的而添加的松香系、萜烯树脂系等增粘剂；各种表面活性剂等。
在一实施方式中，压敏胶黏剂层20可以为由如下压敏胶黏剂成分构成的层，所述压敏胶黏剂成分含有具有羟基的丙烯酸系树脂及具有异氰酸酯基的交联剂。
作为基本树脂的具有羟基的丙烯酸系树脂可以通过使包含具有羟基的(甲基)丙烯酸酯的单体成分聚合而获得。聚合方法能够从各种自由基聚合等公知的聚合方法中适当地选择，例如可以为悬浮聚合法、溶液聚合法、块状聚合法等。
在上述聚合方法中使单体成分聚合的情况下，也可以根据需要而使用聚合引发剂。作为这种聚合引发剂，例如可列举过氧化酮、过氧化缩酮、过氧化氢、二烷基过氧化物、二酰基过氧化物、过氧化碳酸酯、过氧化酯、2,2'-偶氮二异丁腈、2,2'-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮双(4-甲氧基-2'-二甲基戊腈)等。
具有压敏胶黏剂层20的压敏胶片前驱物100能够使用公知的方法进行制造。压敏胶片前驱物100例如能够通过以下制造方法而获得，所述制造方法包括：利用分散介质来稀释压敏胶黏剂层用的材料，制作清漆的工序；将所得的清漆涂敷于上述基材10上的工序；以及从所涂敷的清漆中去除分散介质的工序。
压敏胶片前驱物100中的压敏胶黏剂层20的厚度可以为0.1～30μm。若压敏胶黏剂层20的厚度为0.1μm以上，则有能够确保充分的胶接力的倾向。若压敏胶黏剂层20的厚度为30μm以下，则有经济上有利的倾向。
压敏胶片前驱物100整体的厚度(基材10及压敏胶黏剂层20的合计厚度)可以为5～150μm、50～150μm或100～150μm。
压敏胶片前驱物100可以在实施等离子体处理之前，在压敏胶黏剂层20的与基材10相反的一侧的面上粘贴有保护材料。保护材料可以使用与后述的保护材料30中所例示的材料相同的保护材料。
＜等离子体处理的实施工序＞
在本工序中，对压敏胶片前驱物100中的压敏胶黏剂层20的与基材10相反的一侧的面实施等离子体处理(图1(b)的A)(参考图1(b))。由此，能够制造具有已实施等离子体处理A的压敏胶黏剂层(等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A)的压敏胶片110(参考图1(c))。
等离子体为构成气体的分子部分地或完全地电离，分成阳离子及电子而自由地运动的状态。通过使用等离子体状态的气体来对压敏胶黏剂层的与基材相反的一侧的面进行处理，而在压敏胶黏剂层的表面进行化学反应，赋予含氧的亲水性基，被处理面的接触角降低，可提高润湿性。利用该反应，能够提高压敏胶片前驱物的压敏胶黏剂层20的胶接力。
等离子体处理并无特别限制，从成本、处理能力及减少损伤的观点考虑，可以为使用大气压等离子体的等离子体处理。使用大气压等离子体的等离子体处理例如能够使用超高密度大气压等离子体单元(富士机械制造股份有限公司制造，产品名称：FPB-20型号II)来实施。
关于等离子体处理的处理温度，从避免由等离子体处理引起的对基材10及压敏胶黏剂层20的损伤的观点考虑，优选以低于基材10的熔点或压敏胶黏剂层20的熔点中低的一方的温度的温度进行。等离子体处理优选以在进行处理的时间内压敏胶片前驱物100(基材10及压敏胶黏剂层20)中不产生皱纹、挠曲等的方式，即，以压敏胶片不明显地发生热变形的方式，一边调整处理温度、处理速度等条件一边进行。若产生皱纹、挠曲等，则有妨碍等离子体处理时的装置运转的可能性。等离子体处理的温度条件例如可以为300℃以下、250℃以下或200℃以下。
等离子体处理能够调整处理面积。因此，能够对压敏胶片前驱物100中的压敏胶黏剂层20的与基材10相反的一侧的面的一部分或整个部分实施等离子体处理。若对压敏胶黏剂层20表面的一部分实施等离子体处理，则能够调整被处理面的接触角，因此在同一表面，能够容易地分开形成接触角低的部分(即，压敏胶黏剂层的胶接力高的部分)及接触角高的部分(即，压敏胶黏剂层的胶接力低的部分)。
＜保护材料的配置工序＞
本工序中，在已实施等离子体处理的压敏胶黏剂层(等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A)的与基材10相反的一侧的面上粘贴保护材料30(参考图1(d))。由此，能够获得带保护材料的压敏胶片120。粘贴保护材料30的方法能够使用公知的方法来进行粘贴。
保护材料30并无特别限制，能够使用在压敏胶黏剂的领域中所使用的保护膜。作为保护膜，例如可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯系膜；聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚醋酸乙烯酯膜等聚烯烃系膜；聚氯乙烯膜、聚酰亚胺膜等塑胶膜等。并且，保护膜能够使用纸、无纺布、金属箔等。保护材料30的等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A侧的面，也可以通过硅酮系剥离剂、氟系剥离剂、长链丙烯酸烷基酯系剥离剂等脱模剂来进行处理。
保护材料30可以为如下材料：保护材料30中，粘贴于等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A侧的面已通过等离子体处理进行了处理。通过使用利用等离子体处理进行了处理的材料作为保护材料30，有能够长期维持等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A的润湿性提高的状态的倾向。
保护材料30的厚度并无特别限制，可以为5～500μm、10～200μm或15～100μm。
[切晶粘晶一体型带的制造方法]
图2是示意性地表示切晶粘晶一体型带的制造方法的一实施方式的剖视图。本实施方式所涉及的切晶粘晶一体型带130的制造方法具备对通过上述制造方法而获得的压敏胶片110，在等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A的与基材10相反的一侧的面(已实施等离子体处理的面)上形成胶黏剂层40的工序(参考图2(a)、图2(b))。
胶黏剂层40是由胶黏剂成分构成的层。作为构成胶黏剂层40的胶黏剂成分，例如可列举热固性胶黏剂成分、光固化性胶黏剂成分、热塑性胶黏剂成分、氧反应性胶黏剂成分等。从黏合性的观点考虑，胶黏剂层优选包含热固性胶黏剂成分。
从黏合性的观点考虑，热固性胶黏剂成分优选包含环氧树脂及可成为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂。
环氧树脂只要为在分子内具有环氧基的树脂，则能够并无特别限制地使用。作为环氧树脂，例如可列举双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、双酚F酚醛清漆型环氧树脂、含二环戊二烯骨架的环氧树脂、茋型环氧树脂、含三嗪骨架的环氧树脂、含芴骨架的环氧树脂、三苯酚甲烷型环氧树脂、联苯型环氧树脂、亚二甲苯型环氧树脂、联苯芳烷型环氧树脂、萘型环氧树脂、多官能酚类、蒽等多环芳香族类的二缩水甘油醚化合物等。这些可以单独使用一种或组合两种以上而使用。以胶黏剂层总量为基准，环氧树脂的含量可以为2～50质量％。
酚醛树脂只要为在分子内具有酚性羟基的树脂，则能够无特别限制地使用。作为酚醛树脂，例如可列举苯酚、甲酚、间苯二酚、邻苯二酚、双酚A、双酚F、苯基苯酚、氨基苯酚等酚类及/或α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等萘酚类与甲醛等具有醛基的化合物在酸性催化剂下缩合或共缩合而获得的酚醛清漆型酚醛树脂；由烯丙基化双酚A、烯丙基化双酚F、烯丙基化萘二酚、苯酚酚醛清漆、苯酚等酚类及/或萘酚类与二甲氧基对二甲苯或双(甲氧基甲基)联苯所合成的苯酚芳烷基树脂、萘酚芳烷基树脂等。这些可以单独使用一种或组合两种以上而使用。以胶黏剂层总量为基准，酚醛树脂的含量可以为2～50质量％。
作为其他成分，胶黏剂层40也可以包含三级胺、咪唑类、四级铵盐类等固化促进剂；氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶质二氧化硅、非晶质二氧化硅等无机填料等。以胶黏剂层总量为基准，其他成分的含量可以为0～20质量％。
在压敏胶片110中，对压敏胶黏剂层20的与基材10相反的一侧的面的一部分或整个部分实施等离子体处理。在对压敏胶黏剂层20的与基材10相反的一侧的面的一部分实施等离子体处理的情况下，胶黏剂层40可以以覆盖压敏胶黏剂层20的已实施等离子体处理的面的一部分或整个部分的方式形成，也可以以覆盖压敏胶黏剂层20的未实施等离子体处理的面的一部分或整个部分的方式形成。并且，胶黏剂层40也可以以覆盖压敏胶黏剂层20的已实施等离子体处理的面及压敏胶黏剂层20的未实施等离子体处理的面这2个面的一部分或整个部分的方式形成。在对压敏胶黏剂层20的整个部分实施等离子体处理的情况下，胶黏剂层40可以以覆盖压敏胶黏剂层20的已实施等离子体处理的面的一部分或整个部分的方式形成。
作为在等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A的与基材10相反的一侧的面上形成胶黏剂层40的方法，例如可列举使用公知的方法，将胶黏剂成分成形为膜状，将所得的膜状胶黏剂贴合于等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A的与基材10相反的一侧的面的方法。如此，能够获得切晶粘晶一体型带130(参考图2(b))。
切晶粘晶一体型带130可以在胶黏剂层40的与压敏胶黏剂层20A相反的一侧的面上具备保护材料50。保护材料50并无特别限制，能够使用切晶粘晶一体型带中所使用的保护膜。作为保护膜，例如可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯系膜；聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚醋酸乙烯酯膜等聚烯烃系膜；聚氯乙烯膜、聚酰亚胺膜等塑胶膜等。如此，能够获得带保护材料的切晶粘晶一体型带140(参考图2(c))。
[半导体装置(半导体封装体)的制造方法]
图3是示意性地表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖视图。本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法具备：将通过上述制造方法而获得的切晶粘晶一体型带130的胶黏剂层40粘贴于半导体晶片W的工序(晶片层压工序，参考图3(a)、图3(b))；将半导体晶片W、胶黏剂层40及已实施等离子体处理的压敏胶黏剂层(等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A)单片化的工序(切割工序，参考图3(c))；根据需要对已实施等离子体处理的压敏胶黏剂层(等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A)(经由基材10)照射紫外线的工序(紫外线照射工序，参考图3(d))；从已实施等离子体处理的压敏胶黏剂层(压敏胶黏剂层20Aa)拾取附着有胶黏剂层40a的半导体元件Wa(带胶黏剂层的半导体元件60)的工序(拾取工序，参考图3(e))；以及经由胶黏剂层40a，将带胶黏剂层的半导体元件60黏合于半导体元件搭载用支承基板80的工序(半导体元件黏合工序，参考图3(f))。
＜晶片层压工序＞
首先，将切晶粘晶一体型带130配置于规定的装置。接着，在半导体晶片W的主表面Ws，经由胶黏剂层40粘贴切晶粘晶一体型带130(参考图3(a)、图3(b))。半导体晶片W的电路面优选设置于与主表面Ws相反的一侧的面。
＜切割工序＞
其次，对半导体晶片W、胶黏剂层40及等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A进行切割(参考图3(c))。此时，也可以对基材10的一部分进行切割。如此，切晶粘晶一体型带130也发挥切割片的作用。
＜紫外线照射工序＞
对于等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A，可以根据需要(经由基材10)照射紫外线(参考图3(d))。在压敏胶黏剂成分中的基本树脂为通过紫外线而固化的树脂(紫外线固化型基本树脂)的情况下，该压敏胶黏剂层20A固化，从而能够降低压敏胶黏剂层20A与胶黏剂层40之间的黏合力(bond force)。在紫外线照射中，优选使用波长200～400nm的紫外线。关于紫外线照射条件，优选将照度及照射量分别调整为30～240mW/cm2的范围及200～500mJ/cm2的范围。
＜拾取工序＞
其次，通过将基材10扩展而使经切割的带胶黏剂层的半导体元件60彼此分开，并且利用抽吸筒夹74抽吸从基材10侧由滚针72顶起的带胶黏剂层的半导体元件60，从而从压敏胶黏剂层20Aa进行拾取(参考图3(e))。在对压敏胶黏剂层20的与基材10相反的一侧的面的一部分实施等离子体处理的情况下，压敏胶黏剂层20Aa的胶黏剂层40a侧的面可以为实施等离子体处理的面，也可以为未实施等离子体处理的面，也可以为包括实施等离子体处理的面及未实施等离子体处理的面这两者的面。另外，带胶黏剂层的半导体元件60具有半导体元件Wa及胶黏剂层40a。半导体元件Wa为将半导体晶片W通过切割而进行分割而成的元件，胶黏剂层40a为将胶黏剂层40通过切割而进行分割而成的层。压敏胶黏剂层20Aa为将等离子体处理后的压敏胶黏剂层20A通过切割而进行分割而成的层。当拾取带胶黏剂层的半导体元件60时，压敏胶黏剂层20Aa可残留在基材10上。在拾取工序中，不一定需要将基材10扩展，但通过将基材10扩展，能够进一步提高拾取性。
由滚针72产生的顶起量能够适当地进行设定。而且，从对极薄晶片也确保充分的拾取性的观点考虑，例如也可以进行两段或三段的顶起。并且，也可以通过除使用抽吸筒夹74的方法以外的方法来拾取带胶黏剂层的半导体元件60。
＜半导体元件黏合工序＞
在拾取带胶黏剂层的半导体元件60后，通过热压接并经由胶黏剂层40a将带胶黏剂层的半导体元件60黏合于半导体元件搭载用支承基板80(参考图3(f))。可以在半导体元件搭载用支承基板80上黏合多个带胶黏剂层的半导体元件60。
本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法可以根据需要进一步具备：通过打线接合70将半导体元件Wa与半导体元件搭载用支承基板80电连接的工序；以及在半导体元件搭载用支承基板80的表面80a上，使用树脂封装材料92对半导体元件Wa进行树脂封装的工序。
图4是示意性地表示半导体装置的一实施方式的剖视图。图4所示的半导体装置200能够通过实施上述工序而制造。半导体装置200也可以在半导体元件搭载用支承基板80的与表面80a相反的一侧的面形成有焊锡球94，用于与外部基板(母板)的电连接。
[压敏胶黏剂的处理方法]
一实施方式所涉及的压敏胶黏剂的处理方法具备对压敏胶黏剂实施等离子体处理的工序。压敏胶黏剂可以与上述压敏胶片的制造方法中所例示的压敏胶黏剂相同。等离子体处理可以与上述压敏胶片的制造方法中所例示的等离子体处理相同。等离子体处理可以为使用大气压等离子体的等离子体处理。等离子体处理的处理温度可以低于压敏胶黏剂的熔点。
[被粘附体的固定化方法]
一实施方式所涉及的被粘附体的固定化方法具备通过用上述方法进行了处理的压敏胶黏剂，将第二被粘附体粘贴于第一被粘附体的工序。作为第一被粘附体及第二被粘附体，并无特别限制，能够列举金属被粘附体(不锈钢(SUS)、铝等)、非金属被粘附体(聚碳酸酯、玻璃等)等。被粘附体的固定化条件能够根据压敏胶黏剂的种类、以及第一被粘附体及第二被粘附体的种类而适当设定。
[被粘附体的剥离方法]
一实施方式所涉及的被粘附体的剥离方法具备利用水处理通过上述方法进行了固定化的被粘附体的第一被粘附体与压敏胶黏剂的界面或第二被粘附体与压敏胶黏剂的界面中的至少一者(使其与水接触)，将第一被粘附体与第二被粘附体剥离的工序。与未实施等离子体处理的压敏胶黏剂相比，实施等离子体处理的压敏胶黏剂的亲水性基多，通过利用水来进行处理(使其与水接触)，有容易剥离的倾向。另外，当剥离第一被粘附体与第二被粘附体时，压敏胶黏剂可以附着于第一被粘附体或第二被粘附体的任一者上，也可以脱离第一被粘附体及第二被粘附体。
实施例
以下，根据实施例对本发明进行具体说明，但本发明并不限定于这些实施例。
(实施例1)
[压敏胶片的制作]
＜压敏胶片前驱物的准备＞
按照溶液聚合法，使作为单体的2-乙基己基丙烯酸酯及甲基丙烯酸甲酯、以及作为含官能团的单体的丙烯酸羟乙酯及丙烯酸聚合，由此获得了具有羟基的丙烯酸系树脂。具有羟基的丙烯酸系树脂的重均分子量为40万，玻璃转移点为-38℃。
重均分子量是使用Tosoh Corporation制造的SD-8022/DP-8020/RI-8020作为GPC装置、Hitachi Chemical Co.,Ltd.制造的凝胶包(Gel pack)GL-A150-S/GL-A160-S作为管柱以及四氢呋喃作为洗提液来测定了聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)。
通过以下关系式(FOX式)算出了玻璃转移点。
1/Tg＝Σ(Xi/Tgi)
[上述式中，Tg表示共聚物的玻璃转移点(K)。Xi表示各单体的质量分率，X1+X2+…+Xi+…+Xn＝1。Tgi表示各单体的均聚物的玻璃转移点(K)]
使用三合一马达及搅拌叶片，相对于具有羟基的丙烯酸系树脂100质量份而配制12质量份的多官能异氰酸酯交联剂(Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.制造，产品名称“MITEC NY 730A-T”)，并进行搅拌，由此获得了压敏胶黏剂层形成用清漆。
使用敷抹器，将所得的压敏胶黏剂层形成用清漆，以使压敏胶黏剂层的厚度成为10μm的方式，一边调整间隙一边涂敷于基材膜A(厚度38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜)上。在将所涂敷的压敏胶黏剂层形成用清漆在80℃下干燥5分钟后，将对表面已实施电晕处理的基材膜B(厚度80μm的聚烯烃系膜)层压于压敏胶黏剂层上，并在室温(25℃)下放置2周，充分地进行时效处理，由此获得了具有基材膜A/压敏胶黏剂层/基材膜B的结构的压敏胶片前驱物。
＜等离子体处理的实施＞
剥去压敏胶片前驱物的基材膜A，使用超高密度大气压等离子体单元(富士机械制造股份有限公司制造，产品名称：FPB-20TYPE II)，对压敏胶片前驱物中的压敏胶黏剂层的与基材膜B相反的一侧的面实施等离子体处理，制作了压敏胶片。然后，在已实施等离子体处理的压敏胶黏剂层的面上，配置保护材料(聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜)，获得了实施例1的带保护材料的压敏胶片。
(等离子体处理的条件)
加热器的使用：不使用
照射速度：500mm/秒
照射距离：5mm
狭缝喷嘴：20mm宽
使用气体：氮气及空气
气体流量：氮气60L/分钟、空气21L/分钟
重复次数：1次(照射方法：20mm宽×8线)
样品尺寸：150mm×150mm
另外，调整照射距离、照射速度、加热器设定等，并且为了避免在进行处理的时间内压敏胶片前驱物100(基材10及压敏胶黏剂层20)中产生皱纹、挠曲等，以使处理温度成为100℃以下的方式进行了设定。
(实施例2)
对保护材料的压敏胶黏剂层侧的面，实施与对压敏胶黏剂层所实施的等离子体处理相同的等离子体处理(重复次数：1次)，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得了实施例2的带保护材料的压敏胶片。
(实施例3)
将保护材料的等离子体处理的重复次数从1次变更为4次，除此以外，以与实施例2相同的方式，获得了实施例3的带保护材料的压敏胶片。
(实施例4)
将压敏胶黏剂层的等离子体处理的重复次数从1次变更为4次，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得了实施例2的带保护材料的压敏胶片。
(实施例5)
对保护材料的压敏胶黏剂层侧的面，实施与对压敏胶黏剂层所实施的等离子体处理相同的等离子体处理(重复次数：1次)，除此以外，以与实施例4相同的方式，获得了实施例5的带保护材料的压敏胶片。
(实施例6)
将保护材料的等离子体处理的重复次数从1次变更为4次，除此以外，以与实施例5相同的方式，获得了实施例6的带保护材料的压敏胶片。
(比较例1)
未对压敏胶黏剂层实施等离子体处理，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得了比较例1的带保护材料的压敏胶片。
[评价]
＜水相对于压敏胶黏剂层的已实施等离子体处理的面的接触角的测定＞
对实施例1～实施例6及比较例1的带保护材料的压敏胶片，测定了水相对于已实施等离子体处理的面的接触角。在进行测定时，使用了接触角测定仪(协和界面化学股份有限公司制造，产品名称：Drop Master300)。通过以下方式进行了测定：剥离带保护材料的压敏胶片的保护材料，在压敏胶黏剂层的已实施等离子体处理的面滴加水作为探针液体。关于测定条件，将温度设为23℃～28℃，将探针液体的液滴量设为1.5μL，将测定时机设为探针液体的滴下后5秒。将测定的试行次数设为10次，求出所得的数值的中位数作为接触角θ。将结果示于表1中。
[表1]
Figure BDA0002820002170000151
＜压敏胶黏剂层对SUS基板的剥离强度的测定＞
将实施例1、实施例2及比较例1的带保护材料的压敏胶片切成宽度10mm、长度70mm以上，且将保护材料从带保护材料的压敏胶片剥离后粘贴于SUS板(SUS430BA)，将其作为初期的测定样品。在粘贴于SUS板时，利用3kg的锤辊在样品上往返3次。将剥离引导带(OJITAC CO.,LTD.制造，EC带)切成宽度10mm,并在样品的前端黏贴10mm左右，固定于测力传感器的前端。以使剥离的进展与带宽度平行的方式对测力传感器的位置进行了微调。并且，将初期的测定样品冷藏(5℃)保管3个月，将其作为经过3个月的测定样品。对这些测定样品，以剥离角度30度、剥离速度50mm/分钟的条件进行了SUS基板与压敏胶黏剂层的剥离，求出了剥离强度。另外，将SUS基板在使用前先利用丙酮清洗后进行了使用。将结果示于表2中。另外，表2中的数值是将比较例1的剥离强度的数值作为基准的相对值。
[表2]
Figure BDA0002820002170000161
可推测，代替实施例1～实施例6的带保护材料的压敏胶片中的压敏胶黏剂层，使用例如以其他丙烯酸系树脂、合成橡胶、天然橡胶、聚酰亚胺树脂等为基本树脂的压敏胶黏剂层的情况下，也可以获得相同的效果。
与比较例1的带保护材料的压敏胶片相比，实施例1～实施例6的带保护材料的压敏胶片中，压敏胶黏剂层的已实施等离子体处理的面的接触角降低，压敏胶黏剂层的润湿性提高。并且，与比较例1的带保护材料的压敏胶片相比，实施例1、实施例2的带保护材料的压敏胶片的剥离强度提高，胶接力提高。并且，由实施例1与实施例2的对比判断出，通过对保护材料也实施等离子体处理，可长期维持实施了等离子体处理的效果。从这些结果可确认到，本发明的制造方法能够制造胶接力优异的压敏胶片。
符号说明
10-基材，20-压敏胶黏剂层，20A-等离子体处理后的压敏胶黏剂层，30-保护材料，40-胶黏剂层，50-保护材料，60-带胶黏剂层的半导体元件，70-打线接合，72-滚针，74-抽吸筒夹，80-半导体元件搭载用支承基板，92-树脂封装材料，94-焊锡球，W-半导体晶片，100-压敏胶片前驱物，110-压敏胶片，120-带保护材料的压敏胶片，130-切晶粘晶一体型带，140-带保护材料的切晶粘晶一体型带。

Claims (12)

1.一种压敏胶片的制造方法，具备：
准备压敏胶片前驱物的工序，所述压敏胶片前驱物具有基材及设置于所述基材上的压敏胶黏剂层；以及
对所述压敏胶片前驱物中的所述压敏胶黏剂层的与所述基材相反的一侧的面实施等离子体处理的工序。
2.根据权利要求1所述的压敏胶片的制造方法，其中，
所述等离子体处理为使用大气压等离子体的等离子体处理。
3.根据权利要求1或2所述的压敏胶片的制造方法，其中，
所述等离子体处理的处理温度小于所述基材的熔点或所述压敏胶黏剂层的熔点中低的一方的温度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的压敏胶片的制造方法，还具备在已实施等离子体处理的所述压敏胶黏剂层的与所述基材相反的一侧的面上粘贴保护材料的工序。
5.根据权利要求4所述的压敏胶片的制造方法，其中，
所述保护材料中，粘贴于已实施等离子体处理的所述压敏胶黏剂层侧的面已经通过等离子体处理进行了处理。
6.一种切晶粘晶一体型带的制造方法，具备对通过权利要求1至3中任一项所述的制造方法而获得的压敏胶片，在已实施等离子体处理的所述压敏胶黏剂层的与所述基材相反的一侧的面上形成胶黏剂层的工序。
7.一种半导体装置的制造方法，具备：
将通过权利要求6所述的制造方法而获得的切晶粘晶一体型带的所述胶黏剂层粘贴于半导体晶片的工序；
将所述半导体晶片、所述胶黏剂层及已实施等离子体处理的所述压敏胶黏剂层进行单片化的工序；
从已实施等离子体处理的所述压敏胶黏剂层拾取附着有所述胶黏剂层的半导体元件的工序；以及
经由所述胶黏剂层，将所述半导体元件黏合于半导体元件搭载用支承基板的工序。
8.一种压敏胶黏剂的处理方法，具备对压敏胶黏剂实施等离子体处理的工序。
9.根据权利要求8所述的压敏胶黏剂的处理方法，其中，
所述等离子体处理为使用大气压等离子体的等离子体处理。
10.根据权利要求8或9所述的压敏胶黏剂的处理方法，其中，
所述等离子体处理的处理温度小于所述压敏胶黏剂的熔点。
11.一种被粘附体的固定化方法，具备将第二被粘附体通过压敏胶黏剂粘贴于第一被粘附体的工序，所述压敏胶黏剂已利用权利要求8至10中任一项所述的方法进行了处理。
12.一种被粘附体的剥离方法，具备利用水处理通过权利要求11所述的方法进行了固定化的所述被粘附体的所述第一被粘附体与所述压敏胶黏剂的界面或所述第二被粘附体与所述压敏胶黏剂的界面中的至少一者，将所述第一被粘附体与所述第二被粘附体剥离的工序。
CN201980038462.3A 2018-06-08 2019-06-06 压敏胶片的制造方法 Active CN112272691B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310234425.8A CN116218389A (zh) 2018-06-08 2019-06-06 切晶粘晶一体型带的制造方法以及半导体装置的制造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018110389 2018-06-08
JP2018-110389 2018-06-08
PCT/JP2019/022518 WO2019235562A1 (ja) 2018-06-08 2019-06-06 粘着シートの製造方法、ダイシング・ダイボンディング一体型テープの製造方法、半導体装置の製造方法、粘着剤の処理方法、被着体の固定化方法、及び被着体の剥離方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310234425.8A Division CN116218389A (zh) 2018-06-08 2019-06-06 切晶粘晶一体型带的制造方法以及半导体装置的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112272691A true CN112272691A (zh) 2021-01-26
CN112272691B CN112272691B (zh) 2023-03-28

Family

ID=68770532

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980038462.3A Active CN112272691B (zh) 2018-06-08 2019-06-06 压敏胶片的制造方法
CN202310234425.8A Pending CN116218389A (zh) 2018-06-08 2019-06-06 切晶粘晶一体型带的制造方法以及半导体装置的制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310234425.8A Pending CN116218389A (zh) 2018-06-08 2019-06-06 切晶粘晶一体型带的制造方法以及半导体装置的制造方法

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP7283472B2 (zh)
KR (1) KR102602484B1 (zh)
CN (2) CN112272691B (zh)
SG (1) SG11202011944WA (zh)
TW (2) TW202405118A (zh)
WO (1) WO2019235562A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07173441A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Fujimori Kogyo Kk 粘着剤層の粘着力改良方法
CN1618602A (zh) * 2003-11-19 2005-05-25 日东电工株式会社 粘合型光学薄膜的剥离方法
CN101230177A (zh) * 2006-12-27 2008-07-30 第一毛织株式会社 压敏胶粘剂膜用组合物、压敏胶粘剂膜以及包括该膜的切割晶片粘结膜
JP2012084784A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法並びにそれに用いるダイボンディングフィルム及びそのダイボンディングフィルムを用いた半導体装置
WO2013035792A1 (ja) * 2011-09-09 2013-03-14 株式会社タイカ 光学用透明粘着シートの製造方法、光学用透明粘着シート及びそれを用いた表示装置
JP2017034117A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープ

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52114632A (en) * 1976-03-22 1977-09-26 Sekisui Chem Co Ltd Pressure sensitive adhesive tape or sheet
JPS5715627A (en) * 1980-06-27 1982-01-27 Toshiba Corp Hand tap tool
JPS59100143A (ja) 1982-11-30 1984-06-09 Toyota Motor Corp 合成樹脂製品のプラズマ処理装置
JPH07294585A (ja) * 1994-04-21 1995-11-10 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品の通電検査方法
JP2859847B2 (ja) * 1996-05-20 1999-02-24 日本カーバイド工業株式会社 接着シートの剥離方法
JP3068472B2 (ja) * 1996-10-21 2000-07-24 山形日本電気株式会社 保護テープ剥し装置及びその剥し方法
JP2000073029A (ja) 1998-08-26 2000-03-07 Nitto Denko Corp 粘着部材及びその製造方法
JP2009086452A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Nitto Denko Corp 粘着型光学フィルムの製造方法、粘着型光学フィルムおよび画像表示装置
JP5028248B2 (ja) 2007-12-21 2012-09-19 日本ポリエチレン株式会社 表面保護フィルム
JP5314439B2 (ja) 2008-01-25 2013-10-16 日東電工株式会社 粘着型光学フィルムの剥離方法、及び粘着型光学フィルム
JP5641634B2 (ja) 2008-03-13 2014-12-17 日東電工株式会社 粘着剤組成物、粘着剤層、粘着部材および画像表示装置、並びに画像表示装置からの光学フィルムの剥離方法および表示パネルの取り出し方法
JP2011068718A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Nitto Denko Corp 両面接着性粘着シート
JP2013117004A (ja) 2011-12-05 2013-06-13 Nitto Denko Corp 粘着シート剥離方法および両面粘着シート
JP6721341B2 (ja) 2016-01-13 2020-07-15 住友化学株式会社 粘着剤組成物
KR102581057B1 (ko) * 2016-04-28 2023-09-20 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07173441A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Fujimori Kogyo Kk 粘着剤層の粘着力改良方法
CN1618602A (zh) * 2003-11-19 2005-05-25 日东电工株式会社 粘合型光学薄膜的剥离方法
CN101230177A (zh) * 2006-12-27 2008-07-30 第一毛织株式会社 压敏胶粘剂膜用组合物、压敏胶粘剂膜以及包括该膜的切割晶片粘结膜
JP2012084784A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法並びにそれに用いるダイボンディングフィルム及びそのダイボンディングフィルムを用いた半導体装置
WO2013035792A1 (ja) * 2011-09-09 2013-03-14 株式会社タイカ 光学用透明粘着シートの製造方法、光学用透明粘着シート及びそれを用いた表示装置
JP2017034117A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019235562A1 (ja) 2019-12-12
CN112272691B (zh) 2023-03-28
JPWO2019235562A1 (ja) 2021-06-24
SG11202011944WA (en) 2021-01-28
TWI815903B (zh) 2023-09-21
CN116218389A (zh) 2023-06-06
TW202000827A (zh) 2020-01-01
JP7283472B2 (ja) 2023-05-30
TW202405118A (zh) 2024-02-01
KR102602484B1 (ko) 2023-11-16
KR20210020042A (ko) 2021-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107004589B (zh) 切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法
WO2008047610A1 (fr) Film pour semi-conducteur, procédé de production de film pour semi-conducteur et dispositif à semiconducteurs
JP2011018805A (ja) 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
KR20100085035A (ko) 반도체용 접착 시트 및 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트
JP2012089630A (ja) 半導体用フィルムおよび半導体装置
TW202035605A (zh) 接著膜、附有切晶帶之接著膜、及半導體裝置製造方法
JP2011018806A (ja) 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
CN111675980A (zh) 带粘接薄膜的切割带
KR20190024651A (ko) 수지 시트, 반도체 장치, 및 수지 시트의 사용 방법
JP6977588B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び接着フィルム
CN112272691B (zh) 压敏胶片的制造方法
JP2019075449A (ja) ダイシングダイボンディングシート及び半導体チップの製造方法
TW202039726A (zh) 附有接著膜之切晶帶
TW201933455A (zh) 切晶黏晶膜
JP2011151110A (ja) 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP7287477B2 (ja) 半導体装置の製造方法、接着剤層の選定方法、並びに、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法
JP7349261B2 (ja) ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム
KR20180127362A (ko) 전자 디바이스 패키지용 테이프
CN108728000B (zh) 切割芯片接合薄膜
KR20210144731A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 다이본딩 필름, 및 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트
TW202028392A (zh) 切晶黏晶膜
TWI843808B (zh) 切晶黏晶膜
JP2012039025A (ja) 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
WO2021079968A1 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
JP2011035075A (ja) 半導体用フィルムの製造方法および半導体用フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo

Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd.

Address before: Tokyo

Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder